JPH0852582A - Laser heating method, device and laser heating tool used therefor - Google Patents

Laser heating method, device and laser heating tool used therefor

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JPH0852582A
JPH0852582A JP6189411A JP18941194A JPH0852582A JP H0852582 A JPH0852582 A JP H0852582A JP 6189411 A JP6189411 A JP 6189411A JP 18941194 A JP18941194 A JP 18941194A JP H0852582 A JPH0852582 A JP H0852582A
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light
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semiconductor
heating
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Tsutomu Sakurai
努 桜井
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  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
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Abstract

PURPOSE:To provide a high conversion efficiency from electric power to optical intensity as well as a high converging efficiency, to easily control ambient thermal influence, to have a compact size, long life, low device cost and low running cost and to suit laser heating in soldering etc. CONSTITUTION:A part A to be heated is convergently irradiated and heated by a laser beam L emitted from a semiconductor laser 1 and converged in the shape of a prescribed irradiation spot while using and driving the semiconductor laser 1 for a light emission required for the heating; the semiconductor laser 1 is used plurally combined, enabling radiation directly to the periphery by means of a radiator in contact with the semiconductor laser 1 as it is driven.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は光を用いて非接触に加熱
を行い半田付けやこれの修正等を行うための、レーザ加
熱方法とその装置およびこれらに用いる加熱ツールに関
するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a laser heating method and apparatus for performing non-contact heating using light to perform soldering and correction of the same, and a heating tool used therefor.

【0002】[0002]

【従来の技術】光を用いた非接触な加熱方法は図16に
示すものが実用されている。このものは、ランプ光源a
からの光を凹面鏡である反射笠bにより一点cに集光
し、この光が集光される一点cで半田付け部等の被加熱
部に光を照射することにより、半田付け部の半田を溶融
させて半田付けやこれの修正等を行っている。
2. Description of the Related Art As a non-contact heating method using light, the one shown in FIG. 16 is practically used. This is a lamp light source a
The light from the lens is focused on a point c by a reflection shade b which is a concave mirror, and the heated portion such as the soldering portion is irradiated with the light at the point c where the light is focused, so that the solder of the soldering portion is removed. It is melted and soldered, and this is corrected.

【0003】このような加熱方法では、微細な部分でも
これに光を集中させて照射し、まわりに影響なく非接触
に局部加熱することができ、今日の電子回路基板のよう
な高密度化し微細化している電子回路の半田付けに好適
である。
According to such a heating method, light can be concentrated and irradiated even on a fine portion, and local heating can be performed in a non-contact manner without affecting the surroundings. It is suitable for soldering electronic circuits.

【0004】一方、YAGレーザ等を利用した半田付け
や孔明けの技術、あるいは切断加工技術も開発されてい
る。
On the other hand, a technique of soldering or boring using a YAG laser or a cutting technique has been developed.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところで、光の照射に
よって加熱し、半田付けやこれの修正等を行うには、比
較的大きな光強度が必要である。これを満足するのにラ
ンプ光源aとしてはハロゲンやキセノンを利用したラン
プを用いている。しかし、このようなランプ光源aは寿
命が短く、例えば数百時間で交換する必要がある。また
これらのランプは電力を光に変換する光変換効率が10
%程度と低く、大きな駆動電力が必要であるし、光変換
効率が低い分だけランプ光源aの発熱量が大きく強力な
冷却装置とまわりへの熱影響の防止とが必要であるの
で、装置全体が大型化し、被加熱部が微細な電子回路基
板には向かない上、装置コストおよびランニングコスト
の高いものとなってしまう。
By the way, a relatively large light intensity is required for heating by irradiation of light and for soldering and correction thereof. To satisfy this, a lamp using halogen or xenon is used as the lamp light source a. However, such a lamp light source a has a short life, and it is necessary to replace the lamp light source a in several hundred hours, for example. In addition, these lamps have a light conversion efficiency of 10 which converts electric power into light.
%, A large driving power is required, and since the light conversion efficiency is low, the heat generation amount of the lamp light source a is large and a powerful cooling device and prevention of thermal influence on the surroundings are required. Is not suitable for a fine electronic circuit board having a heated portion, and the device cost and running cost are high.

【0006】YAGレーザの場合、光が集中して出射し
直進性のあるレーザ光が得られるので、集光効率は高
い。しかし、電力を光エネルギーに変換する効率が2、
3%と極端に低いので、さらに大きな駆動電力が必要な
ため、装置が大型化し、装置コストおよびランニングコ
ストの高いものとなる。しかも、ランプの寿命は短いの
で、頻繁に加熱作業を行うような電子回路基板の大量生
産等にはあまり使われていない。
In the case of the YAG laser, the light is concentrated and emitted to obtain a laser light having a straight traveling property, so that the light collection efficiency is high. However, the efficiency of converting electric power into light energy is 2,
Since it is extremely low at 3%, a larger drive power is required, resulting in an increase in the size of the device and a high device cost and running cost. Moreover, since the life of the lamp is short, it is not often used for mass production of electronic circuit boards which are frequently heated.

【0007】一方、半導体レーザを利用することも考え
られるが、半導体レーザのレーザ光の出力強度はまだ十
分でないし、半導体レーザからのレーザ光を光ファイバ
により導いて照射する一般の方式では半導体レーザから
のレーザ光は光ファイバによるロスが大きいと云ったこ
とのために、必要十分な光強度が得られない。
On the other hand, it may be considered to use a semiconductor laser, but the output intensity of the laser light of the semiconductor laser is not yet sufficient, and the semiconductor laser is used in a general method in which the laser light from the semiconductor laser is guided by an optical fiber and irradiated. Since the laser light from No. 2 has a large loss due to the optical fiber, the necessary and sufficient light intensity cannot be obtained.

【0008】本発明は、上記従来のような問題を解消す
ることを課題とし、電力の光強度への変換効率、および
集光効率が高く、静電気や熱影響のない電子部品の半田
付けやこれの修正等に適した、小型かつ長寿命で、装置
コストおよびランニングコストの安価なレーザ加熱方法
およびその装置とこれらに用いるレーザ加熱ツールを提
供することを主たる目的とするものである。
An object of the present invention is to solve the above-mentioned problems of the related art, and soldering of an electronic component which has a high efficiency of converting electric power into light intensity and a high light-collecting efficiency and which is free from static electricity or thermal influence and The main object of the present invention is to provide a laser heating method, which is suitable for repairing, etc., is small in size, has a long life, and has low apparatus cost and running cost, and an apparatus and a laser heating tool used therefor.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】本発明のレーザ加熱方法
は、上記のような目的を達成するために、加熱に必要な
発光容量分の半導体レーザを用いてこれを駆動しなが
ら、半導体レーザから出射されるレーザ光を集光光学系
に直接透過させて必要形状に集光することにより被加熱
部を集光照射し、この被加熱部を光にて加熱することを
第1の特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, the laser heating method of the present invention uses a semiconductor laser having an emission capacity necessary for heating and driving the semiconductor laser while The first feature is that the emitted laser light is directly transmitted to the condensing optical system and condensed into a required shape to condense and irradiate the heated portion and heat the heated portion with light. .

【0010】本発明のレーザ加熱方法は、上記のような
目的を達成するために、加熱に必要な発光容量分の半導
体レーザを所定の電流制限のもとに駆動しながら、この
半導体レーザから出射されるレーザ光を集光光学系に直
接透過させて必要形状に集光することにより被加熱部を
集光照射し、この被加熱部を光にて加熱することを第2
の特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, the laser heating method of the present invention emits from the semiconductor laser while driving the semiconductor laser of the light emission capacity required for heating under a predetermined current limit. The laser light to be generated is directly transmitted to the condensing optical system and condensed into a required shape to condense and irradiate the heated portion, and the heated portion is heated by the second.
It is a feature of.

【0011】これらにおいて、半導体レーザから出射さ
れるレーザ光について予め設定して記憶した経時的な温
度プロファイルを読みだしながら、これに応じた条件に
て半導体レーザを駆動するのが好適であるし、半導体レ
ーザは複数組み合わせて用いるのも好適である。
In these, it is preferable to drive the semiconductor laser under the conditions according to the temperature profile which is preset and stored with respect to the laser light emitted from the semiconductor laser, while being read. It is also preferable to use a plurality of semiconductor lasers in combination.

【0012】さらに、半導体レーザを駆動するとき、こ
の半導体レーザに接した放熱体にてまわりへの放熱を図
るのが好適である。
Further, when the semiconductor laser is driven, it is preferable that a heat radiator in contact with the semiconductor laser radiates heat to the surroundings.

【0013】本発明のレーザ加熱装置は、上記のような
目的を達成するために、半導体レーザおよびこの半導体
レーザから出射されるレーザ光を直接透過させて必要形
状に集光する1つの集光光学系を持ったレーザ加熱ツー
ルと、レーザ光の集光照射部の温度を検出するセンサ
と、このセンサからの出力に応じて半導体レーザの駆動
電流を制御するフィードバック制御手段とを備えたこと
を主たる特徴とする。
In order to achieve the above-mentioned object, the laser heating device of the present invention is one condensing optical system for directly transmitting a semiconductor laser and a laser beam emitted from this semiconductor laser to condense it into a required shape. It mainly comprises a laser heating tool having a system, a sensor for detecting the temperature of the laser light condensing irradiation portion, and a feedback control means for controlling the drive current of the semiconductor laser according to the output from the sensor. Characterize.

【0014】これにおいて、半導体レーザのまわりにこ
れと接するように位置し、内部に冷却路が設けられた放
熱体と、この放熱体の冷却路に冷却空気を送風する冷却
送風手段とを備えたものであるのが好適である。
In this case, the semiconductor laser is provided with a radiator located inside and in contact with the semiconductor laser and provided with a cooling passage therein, and cooling air blowing means for blowing cooling air to the cooling passage of the radiator. It is preferable that it is one.

【0015】また、冷却路は放熱体の後端から前端に貫
通する複数の孔とし、またストレートあるいは螺旋状に
形成されることができる。
The cooling passage may be a plurality of holes penetrating from the rear end to the front end of the radiator, and may be formed in a straight or spiral shape.

【0016】さらに、レーザ光の集光照射部に送風する
送風手段を備えたものであるのが好適である。
Further, it is preferable that the apparatus further comprises a blowing means for blowing air to the laser beam focusing and irradiating section.

【0017】送風手段は、冷却送風手段による放熱体か
らの排気を導くものであるのが好適であり、この集光照
射部に導く冷却送風手段による放熱体からの排気を加熱
する加熱手段を有するのも好適である。
The blower means is preferably one that guides the exhaust air from the radiator by the cooling blower means, and has a heating means for heating the exhaust gas from the radiator by the cooling blower means to the condensing irradiation section. Is also suitable.

【0018】本発明のレーザ加熱ツールは、上記のよう
な目的を達成するために、出射方向と直角な向きに直線
状に並べられた複数の半導体レーザと、これらの半導体
レーザから出射されるレーザ光を直接透過させて一点に
集光させる集光光学系とを備えたことを第1の特徴とす
る。
In order to achieve the above-mentioned object, the laser heating tool of the present invention comprises a plurality of semiconductor lasers linearly arranged in a direction perpendicular to the emitting direction, and lasers emitted from these semiconductor lasers. The first feature is that the light-collecting optical system is configured to directly transmit light and collect the light at one point.

【0019】この場合、集光光学系は、直線状に並んだ
複数の半導体レーザから出射されるレーザ光を平行な帯
状光に集光させる第1のシリンドリカルレンズと、この
第1のシリンドリカルレンズを経た帯状光を、幅方向に
集光させる第2のシリンドリカルレンズと、この第2の
シリンドリカルレンズを経た光を一点に集光させる凸レ
ンズとを備えたものであるのが好適である。
In this case, the condensing optical system includes a first cylindrical lens for condensing laser light emitted from a plurality of linearly arranged semiconductor lasers into parallel strip light, and the first cylindrical lens. It is preferable to include a second cylindrical lens that collects the band-shaped light that has passed through in the width direction and a convex lens that collects the light that has passed through the second cylindrical lens at one point.

【0020】また、半導体レーザは複数列に並べられて
いるのが好適であり、照射光軸を通り半導体レーザの列
方向に平行な照射光軸面から外れて配置される列の半導
体レーザは、これらから出射するレーザ光が照射光軸面
上ないしはこれの近傍に沿って入射するように先端側が
照射光軸面寄りになる傾斜した配置とされているのがさ
らに好適である。
Further, it is preferable that the semiconductor lasers are arranged in a plurality of rows, and the semiconductor lasers in a row arranged off the irradiation optical axis plane passing through the irradiation optical axis and parallel to the column direction of the semiconductor laser are It is more preferable that the tip side is inclined so that the laser light emitted from these is incident on the irradiation optical axis surface or along the vicinity thereof.

【0021】さらに、半導体レーザのまわりに密着し内
部に冷却孔が設けられた放熱体と、この放熱体の冷却孔
に送風する送風手段とを備えたものであるのが好適であ
る。
Further, it is preferable that the semiconductor laser is provided with a heat radiator which is in close contact with the semiconductor laser and is provided with a cooling hole therein, and a blowing means for blowing air to the cooling hole of the heat radiator.

【0022】また、ツールカバーと放熱体との間に絶縁
層を設けたものであるのが好適である。
Further, it is preferable that an insulating layer is provided between the tool cover and the radiator.

【0023】本発明のレーザ加熱ツールは、上記のよう
な目的を達成するために、適宜に配列された複数の半導
体レーザと、これら各半導体レーザから出射される各レ
ーザ光を直接透過させて適宜なライン状に集光する集光
光学系とを備えたことを第2の特徴とする。
In order to achieve the above object, the laser heating tool of the present invention appropriately transmits a plurality of appropriately arranged semiconductor lasers and the respective laser beams emitted from these respective semiconductor lasers, and appropriately. The second characteristic is that the light collecting optical system for collecting light in a linear shape is provided.

【0024】この場合、集光は連続した、あるいは連続
しない複数辺をなすようにするのが好適である。
In this case, it is preferable that the light is collected on a plurality of sides that are continuous or not continuous.

【0025】[0025]

【作用】本発明のレーザ加熱方法の第1の特徴の上記構
成では、加熱に必要な発光容量分の半導体レーザを用い
て、半導体レーザの必要な発光容量分を、半導体レーザ
が電力の光強度への変換率が高い特徴、およびレーザ光
は半導体レーザから一方向に出射される直進性のあるも
ので集光性がよく照射効率が高い特徴を活かした上に、
半導体レーザから出射されるレーザ光を集光光学系に直
接透過させて必要な形状に集光して被加熱部を照射する
ことにより、ランプ光源や光ファイバを用いる場合に比
し高い熱変換効率で前記必要な発光容量分を利用するの
で、微小な被加熱部を十分に局部加熱して光を用いた非
接触な加熱を満足に達成しながら、半導体レーザを駆動
する必要電力、および半導体レーザに必要な光容量を小
さく抑えて熱の発生を少なくし、これらに弱い電子部品
の光加熱にも問題なく適用でき、小型で寿命が長く、装
置コストおよびランニングコストも低減する。
In the above-described structure of the first feature of the laser heating method of the present invention, the semiconductor laser having the light emission capacity required for heating is used, and the light emission capacity required by the semiconductor laser is supplied by the semiconductor laser. In addition to taking advantage of the characteristics of high conversion rate to laser light and the fact that the laser light is emitted straight from the semiconductor laser in one direction and has good condensing properties and high irradiation efficiency,
Higher heat conversion efficiency than when using a lamp light source or optical fiber by directly transmitting the laser light emitted from the semiconductor laser to the condensing optical system, condensing it into the required shape and irradiating the heated part. Since the necessary amount of light emitting capacity is utilized in, the necessary power for driving the semiconductor laser while sufficiently achieving non-contact heating using light by locally heating the minute heated portion, and the semiconductor laser The light capacity required for this is reduced to reduce heat generation, and it can be applied to the light heating of electronic parts that are weak to them without any problems, and it is small and has a long life, and the device cost and running cost are reduced.

【0026】本発明のレーザ加熱装置の第2の特徴の上
記構成では、半導体レーザを所定の電流制限のもとに駆
動することにより、過度な電流で駆動するような操作や
制御がなされて半導体レーザが破壊するようなことを防
止することができる。
In the above-mentioned configuration of the second feature of the laser heating apparatus of the present invention, the semiconductor laser is driven under a predetermined current limit, so that the semiconductor laser is operated and controlled so as to be driven with an excessive current. It is possible to prevent the laser from being destroyed.

【0027】この場合、半導体レーザから出射するレー
ザ光について予め設定し記憶した経時的な温度プロファ
イルを読みだしながら、これの条件にて半導体レーザを
駆動する構成では、加熱に必要な温度プロファイルを予
め設定してこれを記憶しておくだけで、この設定通りの
加熱状態を得るように半導体レーザを時間経過とともに
駆動するので、どのような条件での加熱をも正確に繰り
返し自動的に達成することができる。
In this case, in the configuration in which the semiconductor laser is driven under these conditions while the temperature profile preset and stored for the laser light emitted from the semiconductor laser is read out, the temperature profile required for heating is preset. Just by setting and storing this, the semiconductor laser will be driven over time so as to obtain the heating state according to this setting, so heating under any condition can be repeated accurately and automatically. You can

【0028】また、半導体レーザが複数組み合わせて用
いられる構成では、複数の半導体レーザから出射される
レーザ光を集光させて、それらの各光強度の全てを被加
熱部に集中させて加熱することになるので、必要な発光
容量を通常用いられる半導体レーザを用いて簡単に得る
ことができる。
Further, in a structure in which a plurality of semiconductor lasers are used in combination, the laser light emitted from the plurality of semiconductor lasers is condensed and all the respective light intensities are concentrated and heated on the heated portion. Therefore, the required light emitting capacity can be easily obtained by using a semiconductor laser which is usually used.

【0029】また、半導体を駆動するとき、半導体レー
ザに接した放熱体にてまわりへの放熱を図る構成では、
半導体レーザの必要な光容量に比し発熱量が小さいこと
と相まって、装置を大型化せずに十分に冷却しまわりへ
の熱影響を防止することができる。
Further, when the semiconductor is driven, the heat dissipation member in contact with the semiconductor laser radiates heat to the surroundings.
Coupled with the fact that the amount of heat generated is smaller than the required optical capacity of the semiconductor laser, it is possible to sufficiently cool the device without increasing the size of the device and prevent thermal influence on the surroundings.

【0030】本発明のレーザ加熱装置の主たる特徴の上
記構成では、レーザ加熱ツールが、複数の半導体レーザ
およびこれら半導体レーザから出射されるレーザ光を一
点に集光する集光光学系を持っているので、前記した複
数の半導体レーザを用いた場合のレーザ加熱方法と同等
の作用を発揮できるものである上、フィードバック制御
手段が、半導体レーザの駆動電流を、集光部から実際に
検出されるセンサからの温度情報に基づいて制御するの
で、光照射によるどのような自動加熱をも、環境温度の
影響による温度のばらつきなく正確に達成することがで
きる。
In the above-mentioned configuration, which is the main feature of the laser heating apparatus of the present invention, the laser heating tool has a plurality of semiconductor lasers and a condensing optical system that condenses laser light emitted from these semiconductor lasers at one point. Therefore, the same effect as the laser heating method in the case of using a plurality of semiconductor lasers described above can be exhibited, and the feedback control means detects the drive current of the semiconductor laser from the condensing section. Since the control is performed on the basis of the temperature information from, it is possible to accurately achieve any automatic heating by light irradiation without temperature variations due to the influence of the environmental temperature.

【0031】また、半導体レーザのまわりにこれと接す
るように位置して内部に冷却路が設けられた放熱体と、
この放熱体の冷却路に冷却空気を送風する冷却送風手段
とを備えた構成では、半導体レーザが駆動されることに
より発熱しても、これを放熱体に直接伝導するととも
に、放熱体に設けられた放熱孔とこれに冷却送風手段に
よって送風する冷却空気とによって放熱体に伝導された
半導体レーザからの熱を放熱体から強制的に奪い去るの
で、半導体レーザからの熱を効率よくかつ迅速に放熱さ
せることができ、まわりへの熱影響を防止することがで
きる。
Further, a heat radiating body which is provided around the semiconductor laser so as to be in contact with the semiconductor laser and has a cooling passage provided therein,
In the structure provided with the cooling air blowing means for blowing the cooling air to the cooling passage of the radiator, even if the semiconductor laser generates heat to be driven, the semiconductor laser is directly conducted to the radiator and is provided on the radiator. The heat from the semiconductor laser conducted to the radiator is forcibly taken away from the radiator by the heat radiation holes and the cooling air blown by the cooling air blowing means to the heat radiator, so that the heat from the semiconductor laser can be radiated efficiently and quickly. It is possible to prevent the influence of heat on the surroundings.

【0032】レーザ光の集光照射部に送風する送風手段
を備えた構成では、集光照射し加熱している被加熱部か
ら発生する煙等を排除するので、被加熱部に煙の粒子が
付着するのを防止し、かつ被加熱部を外部観察しやすく
することができる。
In the structure provided with the blowing means for blowing the laser light to the condensing and irradiating part, smoke and the like generated from the heated part which is converging and irradiating and heating are excluded, so that smoke particles are not generated in the heated part. Adhesion can be prevented and the heated portion can be easily observed from the outside.

【0033】送風手段が、冷却送風手段による放熱体か
らの排気を導く構成では、この送風のためのダクトだけ
があればよいので、この送風のためのファン等が必要に
なって構造が複雑化するようなことを防止することがで
き、放熱体からの廃熱を集光照射部での光加熱を補助す
ることもできる。
In the structure in which the air blowing means guides the exhaust air from the radiator by the cooling air blowing means, only a duct for this air blowing is required, and therefore a fan or the like for this air blowing is required and the structure becomes complicated. This can be prevented, and the waste heat from the radiator can be assisted in the light heating in the converging irradiation unit.

【0034】集光照射部に導く冷却送風手段による放熱
体からの排気を加熱する加熱手段を有する構成では、放
熱体からの排気を加熱してさらに昇温させてから、集光
照射部に送風することになるので、前記光加熱の送風に
よる補助機能を高めることができる。
In the structure having the heating means for heating the exhaust gas from the heat radiator by the cooling air blowing means which guides the light to the condensing irradiation part, the exhaust gas from the heat dissipating body is heated to further raise the temperature and then blown to the condensing irradiation part. Therefore, it is possible to enhance the auxiliary function by the blowing of the light heating.

【0035】本発明のレーザ加熱ツールの第1の特徴の
上記構成では、前記複数の半導体レーザを用いるレーザ
加熱方法と同等の作用を発揮しながら、さらに、出射方
向と直角な向きに直線状に並べられた複数の半導体レー
ザから出射するレーザ光を、1つの集光光学系に直接透
過させて一点に集光させるので、複数の半導体レーザに
より光強度補償を行うのに、半導体レーザおよび集光光
学系を偏平なかさ低い配列として全体をコンパクトなも
のとすることができるし、各半導体レーザの露出面積が
大きくなる配列状態となることによって、まわりへの放
熱が図りやすく熱影響のさらに少ないものとすることが
できる。しかも、レーザ光を一点へに集光した照射によ
り局部加熱効率をさらに向上することができるし、被加
熱部が微小な場合に適する。
In the above-mentioned constitution of the first feature of the laser heating tool of the present invention, while exhibiting the same operation as the laser heating method using the plurality of semiconductor lasers, the laser heating tool is further linearly formed in the direction perpendicular to the emitting direction. Since laser light emitted from a plurality of arranged semiconductor lasers is directly transmitted through one condensing optical system and condensed at one point, the semiconductor laser and the condensing laser are used to perform light intensity compensation by the plurality of semiconductor lasers. The optical system can be made compact with a flat and low-profile array, and the array area in which the exposed area of each semiconductor laser is large makes it easy to radiate heat to the surroundings and further reduce the thermal effect. can do. Moreover, the local heating efficiency can be further improved by the irradiation of converging the laser light on one point, and it is suitable when the heated portion is minute.

【0036】この場合、集光光学系が、直線状に並んだ
複数の半導体レーザから出射されるレーザ光を平行な帯
状光に集光させる第1のシリンドリカルレンズと、この
第1のシリンドリカルレンズを経た帯状光を、幅方向に
集光する第2のシリンドリカルレンズと、この第2のシ
リンドリカルレンズを経た光を一点に集光させる凸レン
ズとを備えた構成では、2つのシリンドリカルレンズに
より直交する2方向に集光して一点に向け、これをさら
に1つの凸レンズにより一点へ集光するので、単純な3
つのレンズを用いた簡単な構成によって、前記帯状に発
生するレーザ光を効率よく一点に集光することができ
る。
In this case, the condensing optical system includes the first cylindrical lens for condensing the laser light emitted from the plurality of linearly arranged semiconductor lasers into parallel strip light, and the first cylindrical lens. In a configuration including a second cylindrical lens that condenses the band-shaped light that has passed through in the width direction and a convex lens that condenses the light that has passed through the second cylindrical lens at one point, two directions that are orthogonal to each other by the two cylindrical lenses are used. To a single point and then to a single point with a single convex lens.
With a simple configuration using two lenses, it is possible to efficiently focus the laser beam generated in the band shape at one point.

【0037】また、半導体レーザが、複数列並べられて
いる構成では、前記偏平でかさ低い配列の利点を損なわ
ずに、使用する半導体レーザ数を配列数分だけ確実に増
大することができる。
Further, in a structure in which the semiconductor lasers are arranged in a plurality of rows, the number of semiconductor lasers to be used can be reliably increased by the number of arrays without impairing the advantage of the flat and low-profile array.

【0038】この場合、照射光軸を通り半導体レーザの
列方向に平行な照射光軸面から外れて配置される列の半
導体レーザが、これらから出射するレーザ光が照射光軸
面上ないしはこれの近傍に沿って入射するように先端側
が照射光軸面寄りになる傾斜した配置とされている構成
では、各列の半導体レーザから出射するレーザ光のそれ
ぞれを集光光学系の光軸平面に沿って重ね、あるいは隣
接するように入射させることができ、1つの集光光学系
を共用した一点への集光を効率よく達成させることがで
きる。
In this case, the laser beams emitted from the semiconductor lasers in the rows arranged outside the irradiation optical axis plane passing through the irradiation optical axis and parallel to the column direction of the semiconductor lasers are on the irradiation optical axis plane or in this direction. In the configuration in which the tip side is inclined so that the incident light is incident along the vicinity, the laser light emitted from each row of the semiconductor lasers is arranged along the optical axis plane of the condensing optical system. The light beams can be made to overlap each other or be incident so as to be adjacent to each other, and light can be efficiently condensed at one point sharing one condensing optical system.

【0039】さらに、直線状に並べられた半導体レーザ
のまわりに密接し内部に冷却孔が設けられた放熱体と、
この放熱体の冷却孔に送風する送風手段とを備えた構成
では、前記半導体レーザの露出面積の大きさを利用し
て、半導体レーザの熱を放熱体に効率よく伝導すること
ができ、放熱体の冷却孔に冷却送風手段からの冷却空気
を送風して、放熱体の放熱効率を高めることと相まっ
て、半導体レーザの発熱によるまわりへの熱影響をさら
に確実に防止することができる。
Further, a radiator having a cooling hole provided inside is in close contact with the semiconductor lasers arranged in a straight line,
In the structure provided with a blowing unit that blows air to the cooling holes of the radiator, the heat of the semiconductor laser can be efficiently conducted to the radiator by utilizing the size of the exposed area of the semiconductor laser. The cooling air from the cooling air blowing means is blown to the cooling holes of (1) to enhance the heat radiation efficiency of the heat radiator, and in addition, the heat influence on the surroundings due to the heat generation of the semiconductor laser can be more surely prevented.

【0040】また、ツールカバーと放熱体との間に絶縁
層が設けられた構成では、ツールカバーの内側の絶縁層
によって放熱体をまわりから絶縁することができるの
で、これを放熱に有利な熱伝導性のよい金属部材とし
て、半導体レーザの放熱性能を向上しながら、静電気が
まわりに影響するのも十分に防止することができる。
Further, in the structure in which the insulating layer is provided between the tool cover and the radiator, the radiator can be insulated from the surroundings by the insulating layer inside the tool cover. As a metal member having good conductivity, it is possible to sufficiently prevent the static electricity from affecting the surroundings while improving the heat dissipation performance of the semiconductor laser.

【0041】本発明のレーザ加熱ツールの第2の特徴の
上記構成では、適宜に並べられた半導体レーザから出射
されるレーザ光を集光光学系に直接透過させて適宜なラ
イン状に集光させるので、複数の半導体レーザを用いる
レーザ加熱方法と同等の作用を発揮する上、パッケージ
型の多ピン電子部品のように、半田付け部が微小ピッチ
で直線状に並んでいるような場合に、これら直線状に並
んだ各半田付け部の全てにライン状に集光したレーザ光
を同時に照射し、複数の被加熱部を同時に加熱処理する
ことができるし、ライン状の集光が均一になるので、前
記複数の被加熱部の同時加熱処理を均一に達成すること
ができる。
In the above-mentioned constitution of the second feature of the laser heating tool of the present invention, the laser light emitted from the semiconductor lasers arranged appropriately is directly transmitted through the condensing optical system to be condensed in an appropriate line shape. Therefore, in addition to exhibiting the same effect as the laser heating method using a plurality of semiconductor lasers, in the case where the soldering portions are arranged in a straight line at a fine pitch, such as a package-type multi-pin electronic component, All of the soldering parts arranged in a straight line can be simultaneously irradiated with the laser light condensed in a line shape, and a plurality of heated parts can be heated at the same time, and the line-shaped light collection becomes uniform. The simultaneous heat treatment of the plurality of heated portions can be uniformly achieved.

【0042】この場合、ライン状の集光を、連続した、
あるいは連続しない複数辺をなすようにする構成では、
前記複数の被加熱部の同時加熱を、これら複数の被加熱
部が連続した、あるいは連続しない複数辺をなして並ん
でいるような場合にも、同様に適用することができる。
In this case, line-shaped light collection is performed continuously,
Alternatively, in a configuration in which multiple sides that are not continuous are formed,
Simultaneous heating of the plurality of heated portions can be similarly applied to a case where the plurality of heated portions are arranged continuously or in a plurality of non-continuous sides.

【0043】[0043]

【実施例】本発明のレーザ加熱方法およびその装置とこ
れらに用いられるレーザ加熱ツールにつき、以下幾つか
の実施例を示しながら具体的に説明する。
EXAMPLES The laser heating method and apparatus of the present invention and the laser heating tools used therein will be specifically described below with reference to several examples.

【0044】図1〜図4は本発明の第1の実施例として
のレーザ加熱装置を示している。本実施例のレーザ加熱
装置は、図1を参照して、加熱に必要な発光容量分の半
導体レーザ1を用いてこれを駆動しながら、半導体レー
ザ1から出射されるレーザ光Lを集光光学系2に直接透
過させて必要な形状に集光することにより被加熱部Aを
集光照射し、この被加熱部Aを加熱するのに用いるもの
である。
1 to 4 show a laser heating apparatus as a first embodiment of the present invention. With reference to FIG. 1, the laser heating apparatus of the present embodiment uses a semiconductor laser 1 having an emission capacity necessary for heating and driving the semiconductor laser 1, while collecting laser light L emitted from the semiconductor laser 1. It is used for heating the heated portion A by condensing and irradiating the heated portion A by directly transmitting the light through the system 2 and condensing it into a required shape.

【0045】このような加熱方法によると、加熱に必要
な発光容量分の半導体レーザ1を用いて、半導体レーザ
1の必要な発光容量分を、半導体レーザ1が電力の光強
度への変換率が高い特徴、およびレーザ光Lは半導体レ
ーザ1から一方向に出射される直進性のあるもので集光
性がよく照射効率が高い特徴を活かした上に、半導体レ
ーザ1から出射されるレーザ光Lを直接透過させて必要
な形状に集光して被加熱部Aを照射することにより、ラ
ンプ光源や光ファイバを用いる場合に比し高い熱変換効
率で前記必要な発光容量分を利用するので、微小な被加
熱部を十分に局部加熱して光を用いた非接触な加熱を満
足に達成しながら、半導体レーザ1を駆動する必要電
力、および半導体レーザ1に必要な光容量を小さく抑え
て静電気や熱の発生を少なくし、これらに弱い電子部品
の光加熱にも問題なく適用でき、小型で寿命が長く、装
置コストおよびランニングコストも低減する。
According to such a heating method, by using the semiconductor laser 1 having an emission capacity required for heating, the semiconductor laser 1 can convert the required emission capacity of the semiconductor laser 1 into a light intensity of electric power. The laser beam L emitted from the semiconductor laser 1 has a high characteristic and the laser beam L is emitted from the semiconductor laser 1 in one direction and has a straight-line characteristic and has a good converging property and a high irradiation efficiency. By directly transmitting the light and condensing it into a required shape and irradiating the heated portion A, the necessary light emitting capacity can be utilized with higher heat conversion efficiency than in the case of using a lamp light source or an optical fiber. Static electricity can be achieved by sufficiently heating the minute heated portion locally to achieve non-contact heating using light, while suppressing the required power for driving the semiconductor laser 1 and the optical capacity required for the semiconductor laser 1. And heat generation Less then, can be applied without problems to the optical heating of the sensitive electronic components of these, compact, long life, also reduces equipment cost and running cost.

【0046】そして加熱コントロールによる粘度制御や
ガラスを通しての化学合成等、また半導体レーザにより
YAGロッド端面励起光源としても利用できる。
Further, it can be utilized as a viscosity control by heating control, chemical synthesis through glass, etc., and also as a YAG rod end face excitation light source by a semiconductor laser.

【0047】本実施例のレーザ加熱装置の具体的な構成
は、図1、図2に示すように、必要な発光容量を得るた
めの複数の半導体レーザ1、およびこれら半導体レーザ
1から出射される各レーザ光Lを一点に集光する1つの
集光光学系2を持ったレーザ加熱ツール3と、前記半導
体レーザ1に電源6を接続して駆動する駆動回路4を備
え、この駆動回路4は電源6から半導体レーザ1に供給
する駆動電流を制限する電流制限回路5を備えている。
As shown in FIGS. 1 and 2, the laser heating apparatus according to the present embodiment has a specific structure in which a plurality of semiconductor lasers 1 for obtaining a required light emitting capacity and the semiconductor lasers 1 emit light. A laser heating tool 3 having one condensing optical system 2 for condensing each laser beam L at one point, and a drive circuit 4 for connecting and driving a power source 6 to the semiconductor laser 1 are provided. A current limiting circuit 5 for limiting the drive current supplied from the power source 6 to the semiconductor laser 1 is provided.

【0048】これにより、各半導体レーザ1を駆動回路
4により駆動するのに、この駆動回路4による電源6か
らの駆動電流を電流制限回路5により制限することによ
り、過度な電流で駆動する操作や制御で半導体レーザ1
が破壊するのを防止することができる。
As a result, when each semiconductor laser 1 is driven by the drive circuit 4, by limiting the drive current from the power source 6 by the drive circuit 4 by the current limiting circuit 5, an operation for driving with an excessive current or Controlled semiconductor laser 1
Can be prevented from being destroyed.

【0049】半導体レーザ1の特性は、図5の(a)に
示すようにある規定の電流IL を越えると破壊する。そ
こで、本実施例の電流制限回路5としては、図3に示す
ようにトランジスタ11のベース電圧を分割抵抗12と
電圧安定化のためのツェナーダイオード13とで電流制
限するようにしている。また、半導体レーザ1は図5の
(b)に示すように、一定の電圧Vl を越えても、電流
が規定値を越えることになり破壊するので、本実施例の
電流制限回路5としては、図4に示すような、高速のダ
イオード14を電圧制限をかけることにより保護してい
る。なお、ダイオード14の代わりに図4に仮想線で示
す高速のツェナーダイオード15を用いて電圧制限をか
けることもできる。
The characteristics of the semiconductor laser 1 are destroyed when a prescribed current I L is exceeded as shown in FIG. Therefore, in the current limiting circuit 5 of the present embodiment, as shown in FIG. 3, the base voltage of the transistor 11 is current limited by the dividing resistor 12 and the Zener diode 13 for stabilizing the voltage. Further, as shown in FIG. 5B, the semiconductor laser 1 is destroyed because the current exceeds the specified value even if it exceeds a certain voltage V l. The high speed diode 14 as shown in FIG. 4 is protected by applying voltage limitation. Note that, instead of the diode 14, a high-speed Zener diode 15 shown by a virtual line in FIG. 4 may be used to limit the voltage.

【0050】複数の半導体レーザ1は、支持部材16に
図1に示すようにレーザ光Lの出射方向に直角な向きで
直線状に配列し保持した半導体レーザアレイ17とさ
れ、電極17aとともに、組付けおよび駆動上1つのも
のとして取り扱えるものとなっている。
The plurality of semiconductor lasers 1 is a semiconductor laser array 17 in which a support member 16 is linearly arranged and held in a direction perpendicular to the emission direction of the laser light L as shown in FIG. It can be handled as one in terms of mounting and driving.

【0051】集光光学系2は、半導体レーザアレイ17
の各半導体レーザ1から一列に並んで出射される各レー
ザ光Lを、第1のシリンドリカルレンズ18により帯状
の平行光とし、第1のシリンドリカルレンズ18をへた
平行な帯状光は、第2のシリンドリカルレンズ19によ
って帯状光を幅方向に集光し、これによってレーザ光L
を一点に集光させて被加熱部Aをスポット照射できるよ
うにしている。
The condensing optical system 2 includes a semiconductor laser array 17
The respective laser lights L emitted from the respective semiconductor lasers 1 in parallel in a row are converted into strip-shaped parallel light by the first cylindrical lens 18, and the parallel strip-shaped light which has passed through the first cylindrical lens 18 is The band-shaped light is condensed in the width direction by the cylindrical lens 19, and the laser light L
Is focused on one point so that the heated portion A can be spot-irradiated.

【0052】これにより、出射方向と直角な向きに直線
状に並べられた複数の半導体レーザ1から出射するレー
ザ光Lを、集光光学系2によって一点に集光させるの
で、複数の半導体レーザ1により光強度補償を行うの
に、半導体レーザ1および集光光学系2を偏平なかさ低
い配列として全体をコンパクトなものとすることができ
るし、各半導体レーザ1の露出面積が大きくなる配列で
あることによって、まわりへの放熱を図りやすく熱影響
のさらに少ないものとすることができる。しかも、レー
ザ光Lを一点へに集光した照射により局部加熱効率をさ
らに向上することができるし、被加熱部Aが微小な場合
に適する。しかも前記集光光学系2による必要な集光
が、入出射面が円筒面である単純な形状のシリンドリカ
ルレンズ2つを用いるだけで達成することができ、構造
の簡単なものとなる。
As a result, the laser light L emitted from the plurality of semiconductor lasers 1 linearly arranged in the direction perpendicular to the emission direction is condensed by the condensing optical system 2 at one point. Therefore, in order to perform the light intensity compensation, the semiconductor laser 1 and the condensing optical system 2 can be made as a flat and low-profile array to make the whole compact, and the exposed area of each semiconductor laser 1 must be large. By doing so, it is possible to easily radiate heat to the surroundings and to further reduce the thermal influence. Moreover, the local heating efficiency can be further improved by irradiating the laser light L focused on one point, and it is suitable when the heated portion A is minute. Moreover, the necessary condensing by the condensing optical system 2 can be achieved only by using two cylindrical lenses having a simple entrance / exit surface that is a cylindrical surface, and the structure is simple.

【0053】なお、第1、第2の各シリンドリカルレン
ズ18、19のいずれも、入出射面の双方が円筒面であ
ってもよいし、片方だけが円筒面で他方を平面にするこ
ともでき、これらの取り合わせは必要に応じ自由に設計
することができる。
Both the first and second cylindrical lenses 18 and 19 may have cylindrical entrance and exit surfaces, or only one may have a cylindrical surface and the other a flat surface. , These combinations can be freely designed as needed.

【0054】図6、図7は本発明の第2の実施例として
のレーザ加熱装置を示している。本実施例のーレーザ加
熱装置は、主として、集光性を高めた点と、レーザ加熱
ツール3に冷却構造を持たせた点で異なっている。
FIGS. 6 and 7 show a laser heating apparatus as a second embodiment of the present invention. The laser heating apparatus of the present embodiment is different mainly in that the condensing property is improved and that the laser heating tool 3 is provided with a cooling structure.

【0055】これら異なった点について説明すると、集
光光学系2は、第1の実施例における2つのシリンドリ
カルレンズ18、19に加え、第2のシリンドリカルレ
ンズ19を出たレーザ光Lを凸レンズ20を使い使用す
るだけで、さらに小さく集光させて、レンズ構造を特に
複雑にすることなく集光性能を向上し、より小さな照射
スポットBにて被加熱部Aを照射することができ、さら
に微細な部分の加熱をさらに熱効率よく達成できるよう
にしてある。なお、第1のシリンドリカルレンズ18は
円柱状のものを用いており、加工が容易となる利点があ
る。
Explaining these different points, in the condensing optical system 2, in addition to the two cylindrical lenses 18 and 19 in the first embodiment, the laser light L emitted from the second cylindrical lens 19 is converted into a convex lens 20. By only using it, the light can be condensed into a smaller size, the condensing performance can be improved without making the lens structure particularly complicated, and the heated portion A can be irradiated with a smaller irradiation spot B. The heating of the portion can be achieved with higher thermal efficiency. The first cylindrical lens 18 has a columnar shape, and has an advantage that processing is easy.

【0056】また、半導体レーザアレイ17のまわりに
これに密着する放熱体21を設けている。放熱体21は
アルミニウム製で円柱状をなし、後半部に半径方向の切
り込み21aを後端部から形成している。この切り込み
21aに半導体アレイ17を収容し、これの表裏両面に
当てがわれている電極17aの外面に切り込み21aの
両側面21bが密接し、半導体レーザアレイ17の各半
導体レーザ1が駆動されるときに発生する熱を、放熱体
21に伝導し放熱されやすくする。
A heat radiator 21 is provided around the semiconductor laser array 17 so as to be in close contact therewith. The radiator 21 is made of aluminum and has a columnar shape, and a radial notch 21a is formed in the rear half portion from the rear end portion. When the semiconductor array 17 is accommodated in the notch 21a and both side surfaces 21b of the notch 21a are in close contact with the outer surfaces of the electrodes 17a applied to both front and back surfaces thereof, each semiconductor laser 1 of the semiconductor laser array 17 is driven. The heat generated in the above is conducted to the radiator 21 so that it can be easily radiated.

【0057】この放熱のために、放熱体21にはこれを
軸線方向に縦通する冷却路21cを多数形成する一方、
これら放熱孔21cに冷却空気を送風する冷却送風手段
としての冷却ファン22を設けてある。したがって、半
導体レーザ1が駆動されることにより発熱しても、これ
を放熱体21によく伝導するとともに、放熱体21に設
けられた冷却路21cとこれに冷却ファン22によって
送風する冷却空気とによって放熱体21に伝導された半
導体レーザ1からの熱を放熱体21から効率よく奪い去
るので、各半導体レーザ1の熱を迅速かつ十分に放熱さ
せることができる。
In order to dissipate the heat, a large number of cooling passages 21c are formed in the heat dissipating body 21 so as to pass through the heat dissipating body 21 in the axial direction.
A cooling fan 22 is provided as a cooling air blower that blows cooling air to the heat radiation holes 21c. Therefore, even if the semiconductor laser 1 generates heat due to being driven, it is well conducted to the heat radiator 21, and by the cooling passage 21c provided in the heat radiator 21 and the cooling air blown to the cooling passage 21c by the cooling fan 22. Since the heat from the semiconductor laser 1 conducted to the radiator 21 is efficiently removed from the radiator 21, the heat of each semiconductor laser 1 can be quickly and sufficiently radiated.

【0058】さらに本実施例では、放熱体21、冷却フ
ァン22、および集光光学系2を含む全体のまわりに、
ツールカバー23を施し、全体を1つのツールとして取
扱い使用しやすいストレートな外観とまとまりを与えて
いる。放熱体21と第1のシリンドリカルレンズ18と
の間の部分には四方への排気孔23aを形成し、冷却フ
ァン22はツールカバー23の一部を送風ガイドに共用
しながら、ツールカバー23の後端から外気を吸入して
これを冷却空気として冷却路21cに送り込み、前記排
気孔23aを通じツールカバー23の外まわり四方へ排
出するようにしてあり、簡単な構造で半導体レーザ1の
放熱を図ることができる。またツールカバー23と放熱
体21との間にセラミックスコーティングされた絶縁層
29を設けてあり、放熱体21が金属製であっても静電
気の外部影響を防止することができる。
Further, in the present embodiment, the entire area including the radiator 21, the cooling fan 22, and the condensing optical system 2 is
A tool cover 23 is provided to give a straight appearance and a unity structure that is easy to handle and use as a whole tool. Exhaust holes 23a in four directions are formed in a portion between the radiator 21 and the first cylindrical lens 18, and the cooling fan 22 shares a part of the tool cover 23 with a blower guide, while The outside air is sucked from the end and sent as cooling air into the cooling passage 21c, and is exhausted to the four sides around the tool cover 23 through the exhaust holes 23a, so that the semiconductor laser 1 can be radiated with a simple structure. it can. Further, an insulating layer 29 coated with ceramics is provided between the tool cover 23 and the radiator 21, so that even if the radiator 21 is made of metal, external influence of static electricity can be prevented.

【0059】なお、放熱体21の前半部には、前記後半
部の切り込み21aにまで達する横断面矩形のくり孔2
1dが形成され、切り込み21a内の半導体レーザアレ
イ13の一直線状に並んだ各半導体レーザ1から出射さ
れる帯状に並んだ各レーザ光Lにけられが生じるのを防
止している。くり孔21dはレーザ光Lのけられを防止
できればよいが、放熱体21の前半部でもできるだけ冷
却路21cを持った冷却に有利なものとするため、本実
施例ではレーザ光Lのけられを防止するのに最小限必要
なだけの大きさおよび形状にしてある。
In addition, in the front half of the radiator 21, a bored hole 2 having a rectangular cross section reaching the notch 21a in the latter half.
1d is formed to prevent eclipse from occurring in each laser beam L arranged in a band and emitted from each semiconductor laser 1 arranged in a straight line in the notch 21a. The hole 21d is only required to prevent the laser light L from being shaken, but the first half of the radiator 21 is advantageous for cooling with the cooling passage 21c as much as possible. It is sized and shaped to the minimum required to prevent it.

【0060】なお、本発明者等の実験によれば、50W
の発熱をする半導体レーザアレイ13に対し、放熱体2
1は直径30mm、長さ40mm以上、冷却路21cの
直径3mm〜5mm程度で、半導体レーザアレイ13ま
わりの温度を10℃上昇程度に抑えることができ、実用
上問題のない取り扱いやすく使用しやすものでとなっ
た。また、本実施例では冷却送風手段としてレーザ加熱
ツール3に内蔵した冷却ファン22を用いたが、外部の
冷却空気送風手段から送風するようにすることもでき
る。
According to the experiments conducted by the present inventors, 50 W
For the semiconductor laser array 13 that generates heat,
Reference numeral 1 is a diameter of 30 mm, a length of 40 mm or more, and a diameter of the cooling passage 21c of about 3 mm to 5 mm, which can suppress the temperature around the semiconductor laser array 13 to about 10 ° C. and is easy to handle and easy to use without any practical problems It became. Further, in this embodiment, the cooling fan 22 incorporated in the laser heating tool 3 is used as the cooling air blowing means, but it is also possible to blow the air from the external cooling air air blowing means.

【0061】また、半導体レーザアレイ17の温度が一
定になるように冷却ファン22の風量を制御するように
してもよい。これにより波長ロックができ、YGAロッ
ドの端面励起光源としても使える。
The air volume of the cooling fan 22 may be controlled so that the temperature of the semiconductor laser array 17 is constant. As a result, the wavelength can be locked and it can also be used as an end face excitation light source for the YGA rod.

【0062】また、半導体レーザアレイ17の表裏に電
極17aを設けてあるが、半導体レーザ1の放熱を図る
には放熱体21との間に電極17aがあっても熱的には
放熱体21が直接半導体レーザ1に接しているのと同じ
と見なせる。しかし、放熱体21を直接半導体レーザ1
に接するようにしてこれが電極として働くようにするこ
ともできる。
Further, the electrodes 17a are provided on the front and back sides of the semiconductor laser array 17, but in order to dissipate the heat of the semiconductor laser 1, even if the electrode 17a is provided between the semiconductor laser array 17 and the heat radiator 21, the heat radiator 21 is thermally provided. It can be regarded as being in direct contact with the semiconductor laser 1. However, the radiator 21 is directly connected to the semiconductor laser 1
It is also possible to make contact with the and make it act as an electrode.

【0063】また本実施例では、放熱体21が導電性の
ものとして電極に直接接しているが、非導電性の放熱体
を用いることもでき、この場合ツールカバー23と放熱
体21の間の絶縁層29を省略することができる。
In this embodiment, the radiator 21 is made of a conductive material and is in direct contact with the electrodes. However, a non-conductive radiator may be used. In this case, a space between the tool cover 23 and the radiator 21 may be used. The insulating layer 29 can be omitted.

【0064】集光光学系2は、2つのシリンドリカルレ
ンズ18、19と1つの凸レンズ20とを用いたが、凸
レンズ20はこれに入射するレーザ光のスポット形状に
よっては非球面形状とすることができる。凸レンズ20
を非球面形状にする場合、これ1つによって一点への集
光を図ることもできる。また、集光光学系2は種々のレ
ンズの組み合わせ構造のものとすることもできる。
The condensing optical system 2 uses two cylindrical lenses 18 and 19 and one convex lens 20, but the convex lens 20 can be formed into an aspherical shape depending on the spot shape of the laser light incident on it. . Convex lens 20
In the case of having an aspherical shape, it is possible to condense light onto one point by this one. Further, the condensing optical system 2 may have a combined structure of various lenses.

【0065】また、冷却路21cを丸孔としたが、角孔
は勿論どのような横断面形状のものとしてもよい。さら
に、冷却路21cは本実施例の場合直線状に形成した
が、これに限らず螺旋形状に形成してもよいのは勿論で
ある。
Although the cooling passage 21c is a circular hole, the rectangular hole may have any cross-sectional shape, as a matter of course. Further, although the cooling passage 21c is formed in a linear shape in this embodiment, it is needless to say that the cooling passage 21c may be formed in a spiral shape.

【0066】図8は本発明の第3の実施例として、前記
第1、第2の各実施例で示されたものと代替できる他の
レーザ加熱ツールを示している。
FIG. 8 shows, as a third embodiment of the present invention, another laser heating tool which can replace the ones shown in the first and second embodiments.

【0067】本実施例のレーザ加熱ツール3は、出射方
向と直角な向きに直線状に並べられた複数の半導体レー
ザ1を、複数列並べて設けた点を特徴としている。
The laser heating tool 3 of this embodiment is characterized in that a plurality of semiconductor lasers 1 linearly arranged in a direction perpendicular to the emitting direction are provided in a plurality of rows.

【0068】これにより、直線状に並べられた複数の半
導体レーザ1が偏平でかさ低い配列の利点を持っている
のを損なうことなく、使用する半導体レーザ数を配列数
分だけ増大することができる。本実施例では上下2列に
並べてある。
Thus, the number of semiconductor lasers to be used can be increased by the number of arrays without impairing the advantage that the plurality of semiconductor lasers 1 arranged in a straight line have the flat and bulky array. In this embodiment, they are arranged in two rows above and below.

【0069】特に本実施例では、照射光軸31を通り半
導体レーザ1の列方向に平行な照射光軸面から外れて配
置される上下各列の半導体レーザ1が、これらから出射
するレーザ光Lが照射光軸面上ないしはこれの近傍に沿
って入射するように先端側が照射光軸面寄りになる傾斜
した配置としてある。
In particular, in the present embodiment, the laser beams L emitted from the upper and lower rows of the semiconductor lasers 1 arranged outside the plane of the irradiation light axis passing through the irradiation light axis 31 and parallel to the row direction of the semiconductor lasers 1. Is arranged so that the tip end side is closer to the irradiation optical axis surface so that the light enters on the irradiation optical axis surface or along the vicinity thereof.

【0070】これにより、各列の半導体レーザ1から出
射するレーザ光Lのそれぞれを光束厚みdを持って集光
光学系2の照射光軸面に沿って重ね、あるいは隣接する
ように入射させることができ、1つの集光光学系2を共
用して効率よく一点へ集光させることができる。本実施
例での集光光学系2は第1の実施例の場合と同様なもの
としてあるが、第2の実施例のものと同様なものとして
もよいし、レーザ光Lを所定形状の照射スポットBを得
るように集光するものであればどの様に構成されたもの
を用いてもよい。
As a result, the laser beams L emitted from the semiconductor lasers 1 in the respective columns are made to overlap each other along the irradiation optical axis plane of the condensing optical system 2 with the luminous flux thickness d, or to be incident so as to be adjacent to each other. Therefore, one condensing optical system 2 can be shared and the light can be efficiently condensed at one point. Although the condensing optical system 2 in this embodiment is the same as that in the first embodiment, it may be the same as that in the second embodiment, and the laser beam L is irradiated in a predetermined shape. Any configuration may be used as long as it condenses to obtain the spot B.

【0071】本発明者の実験では10Wの半導体レーザ
出力に対し、0.3mm×1mmの照射スポットBが得
られた。
In the experiment conducted by the present inventor, an irradiation spot B of 0.3 mm × 1 mm was obtained for a semiconductor laser output of 10 W.

【0072】図9、図10は本発明の第4の実施例を示
し、前記第2の実施例のものにおいてさらに、図9に示
すように各半導体レーザ1から出射するレーザ光Lにつ
いて予め設定される温度プロファイル32を記憶してお
く記憶手段としての、図10に示すシーケンサ33と、
このシーケンサ33に記憶されたプロファイルに応じて
半導体レーザ1を駆動するように駆動回路24を制御す
る制御手段としてのマイクロコンピュータ34と、レー
ザ光Lの集光照射部の温度を検出するセンサ35とを備
え、このセンサ35からの出力に応じて半導体レーザ1
の駆動電流を前記マイクロコンピュータ34の内部機能
を利用してフィードバック制御するようにしてある。
9 and 10 show a fourth embodiment of the present invention. In the second embodiment, the laser light L emitted from each semiconductor laser 1 is preset as shown in FIG. A sequencer 33 shown in FIG. 10 as a storage means for storing the temperature profile 32 to be stored,
A microcomputer 34 as a control means for controlling the drive circuit 24 so as to drive the semiconductor laser 1 according to the profile stored in the sequencer 33, and a sensor 35 for detecting the temperature of the condensing and irradiating part of the laser light L. Equipped with a semiconductor laser 1 according to the output from the sensor 35.
The drive current is controlled by feedback using the internal function of the microcomputer 34.

【0073】これにより、加熱処理に必要な温度プロフ
ァイルを予め設定して、これをシーケンサ33に記憶し
ておくことにより、マイクロコンピュータ34がこの設
定通りの加熱状態を得るように半導体レーザ1を駆動す
るので、どのような条件での加熱処理をも繰り返し自動
的に達成することができる。
As a result, the temperature profile required for the heat treatment is set in advance and stored in the sequencer 33, so that the microcomputer 34 drives the semiconductor laser 1 so as to obtain the heated state according to this setting. Therefore, the heat treatment under any condition can be repeatedly and automatically achieved.

【0074】また、半導体レーザ1の駆動電流がマイク
ロコンピュータ34によって、集光照射部から実際に検
出されるセンサ35からの温度情報に基づいて制御され
るので、光照射によるどのような加熱処理をも自動的な
制御で正確に達成することができる。
Further, since the driving current of the semiconductor laser 1 is controlled by the microcomputer 34 based on the temperature information from the sensor 35 which is actually detected from the condensing irradiation unit, what kind of heat treatment by light irradiation should be performed. Can also be achieved accurately with automatic control.

【0075】マイクロコンピュータ34によるシーケン
サ33を用いたデータ処理の具体例は図10に示してあ
り、マイクロコンピュータ34には、例えばノートパー
ソナルコンピュータ、各種ターミナル、パームトップパ
ーソナルコンピュータ、ディスクトップパーソナルコン
ピュータ等が利用され、マウス35の操作で作られた温
度プロファイル情報32を、アナログまたはデジタル出
力できるシーケンサ33用のデータに変換され、RS2
32C等の通信回路36を介し、シーケンサ33に送ら
れる。シーケンサ33ではそのデータを記憶するととも
に、タイマデータ等として取扱い、時間経過に応じた電
流出力設定ができるように予めプログラミングされてい
る、これにより、半導体レーザアレイ17に時々刻々に
変化する電流が流れるように制御することができる。
A concrete example of data processing using the sequencer 33 by the microcomputer 34 is shown in FIG. 10. The microcomputer 34 is, for example, a notebook personal computer, various terminals, a palmtop personal computer, a disctop personal computer or the like. The temperature profile information 32 used by operating the mouse 35 is converted into data for the sequencer 33 capable of analog or digital output, and RS2
It is sent to the sequencer 33 via the communication circuit 36 such as 32C. The sequencer 33 stores the data and pre-programs it so that it can be handled as timer data or the like and the current output can be set according to the passage of time. As a result, a current that changes from moment to moment flows through the semiconductor laser array 17. Can be controlled.

【0076】図11は本発明の第5の実施例を示し、第
2〜第4の実施例のものが用いているレーザ加熱ツール
3と代替できるさらに他のレーザ加熱ツール3である。
FIG. 11 shows a fifth embodiment of the present invention, which is still another laser heating tool 3 that can replace the laser heating tool 3 used in the second to fourth embodiments.

【0077】本実施例のレーザ加熱ツール3は、レーザ
光Lのスポット照射部に送風する送風手段41を備えて
いる。
The laser heating tool 3 of this embodiment is provided with a blowing means 41 for blowing the laser light L to the spot irradiation portion.

【0078】したがって、スポット照射し加熱している
被加熱部Aから発生する煙C等を、送風手段41からの
送風により排除するので、被加熱部Aに煙の粒子が付着
するのを防止することができるし、被加熱部Aを外観し
易くすることができ加熱処理の作業管理に便利である。
Therefore, the smoke C or the like generated from the heated portion A which is being irradiated with the spot and being heated is eliminated by the air blowing from the blowing means 41, so that the smoke particles are prevented from adhering to the heated portion A. It is possible to make the appearance of the heated portion A easy, and it is convenient for work management of heat treatment.

【0079】もっとも、送風をレーザ加熱ツール3の外
部から行ってもよいのは勿論である。
Needless to say, the air may be blown from outside the laser heating tool 3.

【0080】送風手段41は、冷却ファン22による放
熱体21からの排気を非加熱部Aに導くようにしてあ
り、この送風のためのダクト42だけがあればよいの
で、構造が特に複雑化するようなことを防止することが
できるし、前記排気は放熱体21からの熱を奪ったもの
であるので、被加熱部Aを加熱する補助とすることがで
きる。
The blower means 41 guides the exhaust air from the radiator 21 by the cooling fan 22 to the non-heated portion A, and since only the duct 42 for blowing the air is required, the structure becomes particularly complicated. Such a situation can be prevented, and since the exhaust gas has taken away heat from the radiator 21, it can be an aid in heating the heated portion A.

【0081】本実施例において、放熱体21の放熱孔2
1cを液体で埋めておき、これを送風によって気化させ
るようにすると、放熱体21での放熱を促進し、半導体
アレイ13の冷却効率を向上することができる。また、
冷却路21cにヒートパイプを挿入することにより、放
熱孔21cでの放熱面積を増大し、半導体レーザアレイ
17の冷却効率を向上させることもできる。このような
改良は、前記第2実施例〜第4の実施例のものにも採用
することができる。
In this embodiment, the heat dissipation hole 2 of the heat dissipation member 21 is used.
If 1c is filled with a liquid and is vaporized by blowing air, heat dissipation by the radiator 21 is promoted and the cooling efficiency of the semiconductor array 13 can be improved. Also,
By inserting the heat pipe into the cooling passage 21c, the heat radiation area in the heat radiation hole 21c can be increased and the cooling efficiency of the semiconductor laser array 17 can be improved. Such improvements can be applied to the second to fourth embodiments.

【0082】また、本実施例では、集光照射部に導く冷
却ファン22による放熱体21からの排気を加熱する加
熱手段43を有している。これにより、放熱体21から
の排気の温度が低くても、これを加熱して集光照射部に
送風することになるので、被加熱部Aの前記温度補償を
より有利に達成することができる。加熱手段43として
は本実施例のようにヒータを用いるのが好適である。加
熱手段43は専用のヒータ電源44によって駆動するよ
うにしてある。しかし、これに限られるものではない。
Further, in the present embodiment, there is provided the heating means 43 for heating the exhaust gas from the radiator 21 by the cooling fan 22 which leads to the condensing irradiation section. As a result, even if the temperature of the exhaust gas from the radiator 21 is low, it is heated and blown to the condensing irradiation unit, so that the temperature compensation of the heated portion A can be achieved more advantageously. . As the heating means 43, it is preferable to use a heater as in this embodiment. The heating means 43 is driven by a dedicated heater power source 44. However, it is not limited to this.

【0083】図12は本発明の第6の実施例を示し、レ
ーザ加熱ツール3を自動作業機51の作業軸52に切換
え使用される1つの工具として取付けてある。また、図
13は本発明の第7の実施例を示し、作業ロボット53
の作業アーム54に着脱して用いられるターレット工具
55の一工具として利用されるようにしてある。これら
により、レーザ加熱ツール3を種々な作業工程と組み合
わせて適宜に使用され、半田付けやこれの修正、その他
の加熱加工ができるようにしてある。
FIG. 12 shows a sixth embodiment of the present invention, in which the laser heating tool 3 is attached to the working shaft 52 of the automatic working machine 51 as one tool to be used by switching. 13 shows a seventh embodiment of the present invention, in which the work robot 53
It is adapted to be used as one tool of the turret tool 55 which is detachably attached to the working arm 54 of the above. As a result, the laser heating tool 3 is appropriately used in combination with various working steps so that soldering, correction thereof, and other heating processing can be performed.

【0084】図14は本発明の第8の実施例を示し、半
導体レーザアレイ17の各半導体レーザ1から出射され
る各レーザ光Lをシリンドリカルレンズ18と集光また
は拡大特性を有するレンズ19とによってライン状に集
光させるようにしてある。
FIG. 14 shows an eighth embodiment of the present invention, in which each laser beam L emitted from each semiconductor laser 1 of the semiconductor laser array 17 is formed by a cylindrical lens 18 and a lens 19 having a condensing or expanding characteristic. The light is collected in a line.

【0085】これにより、半導体レーザ1から出射され
るレーザ光Lをライン状の照射スポットB1として均一
に集光させることができ、QFP型等、パッケージ型の
多ピン電子部品Eのように、半田付け部が微小ピッチで
直線状に並んでいるような場合に、これら直線状に並ん
だ各半田付け部の全てにライン状に均一に集光したレー
ザ光Lにて同時に均一に照射し、複数の被加熱部を同時
に均一に加熱処理することができる。
As a result, the laser light L emitted from the semiconductor laser 1 can be uniformly condensed as a linear irradiation spot B1, and soldering can be performed as in the package type multi-pin electronic component E such as the QFP type. In the case where the attachment parts are arranged in a straight line at a fine pitch, all of the linearly arranged soldering parts are simultaneously and uniformly irradiated with the laser light L that is uniformly condensed in a line shape, It is possible to uniformly heat-treat the heated portion.

【0086】特に本実施例では、ライン状の集光を、連
続したあるいは連続しない四辺をなすようにしてあり、
パッケージ型の多ピン電子部品Eの四辺に、直線状に並
んでいる多数の半田付け部を同時に均一に加熱処理でき
る。
In particular, in this embodiment, the line-shaped light collecting is made into four continuous or non-continuous sides.
On the four sides of the package-type multi-pin electronic component E, a large number of linearly arranged soldering portions can be uniformly heat-treated at the same time.

【0087】図15は本発明の第9の実施例を示し、回
折格子61を利用して、ライン状の照射スポットB1を
形成する集光が相対向する平行な2辺につき得られるよ
うにしてある。これにより、パッケージ型の多ピン電子
部品Eの相対向する2辺に直線状にならぶ各半田付け部
を、同時に均一に加熱処理することができる。
FIG. 15 shows a ninth embodiment of the present invention, in which the diffraction grating 61 is used so that the condensing light forming the linear irradiation spot B1 can be obtained on two parallel sides facing each other. is there. As a result, the soldering portions of the package-type multi-pin electronic component E, which are linearly arranged on two opposite sides, can be heat-treated uniformly at the same time.

【0088】なお、回折格子61の設計によっては、適
宜なライン状に並んだ半導体レーザ1からのレーザ光L
を円形や多角形等の適宜なライン状照射スポットを形成
するように集光させることができる。
Depending on the design of the diffraction grating 61, the laser light L from the semiconductor laser 1 arranged in an appropriate line may be formed.
Can be focused so as to form an appropriate linear irradiation spot such as a circle or a polygon.

【0089】[0089]

【発明の効果】本発明のレーザ加熱方法の第1の特徴に
よれば、半導体レーザの必要な発光容量分を、半導体レ
ーザが電力の光強度への変換率が高い特徴、およびレー
ザ光は半導体レーザから一方向に出射される直進性のあ
るもので集光性がよく照射効率が高い特徴を活かした上
に、半導体レーザから出射されるレーザ光を直接集光光
学系に透過させて必要な形状に集光して被加熱部を照射
することにより、ランプ光源や光ファイバを用いる場合
に比し高い熱変換効率で前記必要な発光容量分を利用す
るので、微小な被加熱部を十分に局部加熱して光を用い
た非接触な加熱を満足に達成しながら、半導体レーザを
駆動する必要電力、および半導体レーザに必要な光容量
を小さく抑えて静電気や熱の発生を少なくし、これらに
弱い電子部品の光加熱にも問題なく適用でき、小型で寿
命が長く、装置コストおよびランニングコストも低減す
る。また、加熱制御による粘度制御やガラスを通しての
化学合成等、あるいは半導体レーザによるYAGロッド
端面励起光源としても利用することができる。
According to the first feature of the laser heating method of the present invention, the semiconductor laser has a high conversion rate of electric power into light intensity for the required light emission capacity of the semiconductor laser. The laser beam emitted from the laser in one direction is straightforward and has good focusing properties and high irradiation efficiency. By irradiating the portion to be heated after condensing it into a shape, the necessary light emitting capacity can be utilized with high heat conversion efficiency compared to the case of using a lamp light source or an optical fiber. While achieving satisfactory non-contact heating using local heating with light, the power required to drive the semiconductor laser and the optical capacity required for the semiconductor laser are kept small to reduce the generation of static electricity and heat. Weak electronic component light Can be applied without problems to heat a small, long life, also reduces equipment cost and running cost. Further, it can be used as a viscosity control by heating control, chemical synthesis through glass, etc., or as a YAG rod end face excitation light source by a semiconductor laser.

【0090】本発明のレーザ加熱方法の第2の特徴によ
れば、半導体レーザを駆動するのに、過度な電流で駆動
するような操作や制御がなされて半導体レーザが破壊す
るようなことを防止することができる。
According to the second feature of the laser heating method of the present invention, it is possible to prevent the semiconductor laser from being destroyed by being operated or controlled by driving with an excessive current in driving the semiconductor laser. can do.

【0091】これらの場合、半導体レーザから出射する
レーザ光について予め設定して記憶した経時的な温度プ
ロファイルを読みだしながら、これに応じた条件にて半
導体レーザを駆動する構成のものによれば、加熱に必要
な温度プロファイルを予め設定して記憶しておくだけ
で、この設定通りの加熱状態を得るように半導体レーザ
を時間経過とともに自動的に駆動するので、どのような
条件での加熱をも正確に繰り返し自動的に達成すること
ができる。
In these cases, according to the configuration in which the semiconductor laser is driven under the conditions according to the temperature profile which is preset and stored with respect to the laser light emitted from the semiconductor laser is read out, By simply setting and storing the temperature profile required for heating in advance, the semiconductor laser is automatically driven with the passage of time so as to obtain the heating state according to this setting, so heating under any conditions is possible. Exactly repeatable can be achieved automatically.

【0092】半導体レーザが複数組み合わせて用いられ
る構成のものによれば、複数の半導体レーザから出射さ
れるレーザ光を集光させて、それらの各光強度の全てを
被加熱部に集中させて加熱することになるので、必要な
発光容量を通常用いられる半導体レーザを用いて簡単に
得ることができる。
According to the structure in which a plurality of semiconductor lasers are used in combination, the laser light emitted from the plurality of semiconductor lasers is condensed and all the respective light intensities thereof are concentrated on the heated portion and heated. Therefore, the required light emitting capacity can be easily obtained by using a semiconductor laser which is usually used.

【0093】また、半導体を駆動するとき、半導体レー
ザに接した放熱体にて直接まわりへの放熱を図る構成の
ものによれば、半導体レーザの必要な光容量に比し発熱
量が小さいことと相まって、装置を大型化せずに十分に
冷却しまわりへの熱影響を防止することができる。
Further, when the semiconductor is driven, the heat dissipation amount is smaller than the required optical capacity of the semiconductor laser according to the structure in which the heat dissipation body in contact with the semiconductor laser directly radiates heat to the surroundings. Together, it is possible to sufficiently cool the device without increasing the size of the device and prevent thermal influence on the surroundings.

【0094】本発明のレーザ加熱装置の主たる特徴によ
れば、前記した複数の半導体レーザを用いた場合のレー
ザ加熱方法と同等の作用を発揮できるものである上、フ
ィードバック制御手段が、半導体レーザの駆動電流を、
集光部から実際に検出されるセンサからの温度情報に基
づいて制御するので、光照射によるどのような自動加熱
をも、環境温度の影響による温度のばらつきなく正確に
達成することができる。
According to the main feature of the laser heating apparatus of the present invention, the same operation as the laser heating method in the case of using a plurality of semiconductor lasers described above can be exhibited, and the feedback control means is used for the semiconductor laser. Drive current,
Since the control is performed based on the temperature information from the sensor that is actually detected from the light collecting unit, any automatic heating by light irradiation can be accurately achieved without variations in temperature due to the influence of environmental temperature.

【0095】また、半導体レーザのまわりにこれと接す
るように位置して内部に冷却路が設けられた放熱体と、
この放熱体の冷却路に冷却空気を送風する冷却送風手段
とを備えた構成のものによれば、半導体レーザが駆動さ
れることにより発熱しても、これを放熱体に直接伝導す
るとともに、放熱体に設けられた放熱孔とこれに冷却送
風手段によって送風する冷却空気とによって放熱体に伝
導された半導体レーザからの熱を放熱体から強制的に奪
い去るので、半導体レーザからの熱を効率よくかつ迅速
に放熱させることができ、まわりへの熱影響を防止する
ことができる。
Further, a heat radiating body provided around the semiconductor laser so as to be in contact with the semiconductor laser and having a cooling path provided therein,
According to the structure provided with the cooling air blowing means for blowing the cooling air to the cooling passage of the radiator, even if the semiconductor laser generates heat to be driven, the heat is directly conducted to the radiator and the heat is radiated. Since the heat from the semiconductor laser conducted to the heat radiator is forcibly taken away from the heat radiator by the heat radiation hole provided in the body and the cooling air blown by the cooling air blowing means to the heat radiator, the heat from the semiconductor laser can be efficiently emitted. Moreover, the heat can be dissipated quickly, and the influence of heat on the surroundings can be prevented.

【0096】レーザ光の集光照射部に送風する送風手段
を備えた構成のものによれば、集光照射し加熱している
被加熱部から発生する煙等を排除するので、被加熱部に
煙の粒子が付着するのを防止し、かつ被加熱部を外部観
察しやすくすることができる。
According to the structure provided with the blowing means for blowing the converging and irradiating part of the laser light, smoke and the like generated from the heated part which is converging and irradiating and heating is excluded. It is possible to prevent smoke particles from adhering and to make it easier to observe the heated portion from the outside.

【0097】送風手段が、冷却送風手段による放熱体か
らの排気を導く構成のものによれば、この送風のための
ダクトだけがあればよいので、この送風のためのファン
等が必要になって構造が複雑化するようなことを防止す
ることができ、放熱体からの廃熱を集光照射部での光加
熱を補助することもできる。
According to the structure in which the blower means guides the exhaust air from the radiator by the cooling blower means, only a duct for this blower is required, so a fan or the like for this blower is required. It is possible to prevent the structure from becoming complicated, and it is possible to assist the waste heat from the radiator in the light heating in the converging irradiation unit.

【0098】集光照射部に導く冷却送風手段による放熱
体からの排気を加熱する加熱手段を有する構成のものに
よれば、放熱体からの排気を加熱してさらに昇温させて
から、集光照射部に送風することになるので、前記光加
熱の送風による補助機能を高めることができる。
According to the structure having the heating means for heating the exhaust gas from the heat radiator by the cooling air blowing means guided to the condensing irradiation section, the exhaust gas from the heat radiator is heated to further raise the temperature, and then the light is condensed. Since the air is blown to the irradiation unit, it is possible to enhance the auxiliary function by the blowing of the light heating.

【0099】本発明のレーザ加熱ツールの第1の特徴の
上記構成のものによれば、前記複数の半導体レーザを用
いるレーザ加熱方法と同等の作用を発揮しながら、さら
に、出射方向と直角な向きに直線状に並べられた複数の
半導体レーザから出射するレーザ光を、1つの集光光学
系に直接透過させて一点に集光させるので、複数の半導
体レーザにより光強度補償を行うのに、半導体レーザお
よび集光光学系を偏平なかさ低い配列として全体をコン
パクトなものとすることができるし、各半導体レーザの
露出面積が大きくなる配列状態となることによって、ま
わりへの放熱が図りやすく熱影響のさらに少ないものと
することができる。しかも、レーザ光を一点へに集光し
た照射により局部加熱効率をさらに向上することができ
るし、被加熱部が微小な場合に適する。
According to the above-mentioned constitution of the first feature of the laser heating tool of the present invention, while exhibiting the same operation as the laser heating method using the plurality of semiconductor lasers, the laser heating tool is further oriented in the direction perpendicular to the emitting direction. Laser light emitted from a plurality of semiconductor lasers arranged in a straight line is directly transmitted through one condensing optical system and condensed at one point. Therefore, in order to perform light intensity compensation by a plurality of semiconductor lasers, The laser and focusing optics can be made compact with a flat and low-profile array, and the exposed area of each semiconductor laser becomes large, which makes it easier to radiate heat to the surroundings. It can be even less. Moreover, the local heating efficiency can be further improved by the irradiation of converging the laser light on one point, and it is suitable when the heated portion is minute.

【0100】この場合、集光光学系が、直線状に並んだ
複数の半導体レーザから出射されるレーザ光を平行な帯
状光に集光させる第1のシリンドリカルレンズと、この
第1のシリンドリカルレンズを経た帯状光を、幅方向に
集光する第2のシリンドリカルレンズと、この第2のシ
リンドリカルレンズを経た光を一点に集光させる凸レン
ズとを備えた構成のものによれば、2つのシリンドリカ
ルレンズにより直交する2方向に集光して一点に向け、
これをさらに1つの凸レンズにより一点へ集光するの
で、単純な3つのレンズを用いた簡単な構成によって、
前記帯状に発生するレーザ光を効率よく一点に集光する
ことができる。
In this case, the condensing optical system includes the first cylindrical lens for condensing the laser beams emitted from the plurality of linearly arranged semiconductor lasers into parallel band-shaped light, and the first cylindrical lens. According to the configuration including the second cylindrical lens that collects the band-shaped light that has passed through in the width direction and the convex lens that collects the light that has passed through the second cylindrical lens at one point, the two cylindrical lenses are used. Converging in two orthogonal directions and aiming at one point,
Since this is further condensed to one point by one convex lens, a simple configuration using three simple lenses
The band-shaped laser light can be efficiently focused at one point.

【0101】また、半導体レーザが、複数列並べられて
いる構成のもにによれば、前記偏平でかさ低い配列の利
点を損なわずに、使用する半導体レーザ数を配列数分だ
け確実に増大することができる。
Further, according to the structure in which the semiconductor lasers are arranged in a plurality of rows, the number of semiconductor lasers to be used can be surely increased by the number of arrangements without impairing the advantage of the flat and low-profile arrangement. You can

【0102】この場合、照射光軸を通り半導体レーザの
列方向に平行な照射光軸面から外れて配置される列の半
導体レーザが、これらから出射するレーザ光が照射光軸
面上ないしはこれの近傍に沿って入射するように先端側
が照射光軸面寄りになる傾斜した配置とされている構成
のもにによれば、各列の半導体レーザから出射するレー
ザ光のそれぞれを集光光学系の光軸平面に沿って重ね、
あるいは隣接するように入射させることができ、1つの
集光光学系を共用した一点への集光を効率よく達成させ
ることができる。
In this case, the semiconductor lasers in the rows arranged outside the irradiation optical axis plane passing through the irradiation optical axis and parallel to the column direction of the semiconductor lasers emit laser light from the irradiation optical axis plane or on the irradiation optical axis plane. According to the configuration in which the tip side is inclined so that the tip end side is closer to the irradiation optical axis surface so as to be incident along the vicinity, each of the laser beams emitted from the semiconductor lasers in each row is provided in the condensing optical system. Stacked along the optical axis plane,
Alternatively, the light can be made incident so as to be adjacent to each other, and light can be efficiently condensed at one point sharing one condensing optical system.

【0103】さらに、直線状に並べられた半導体レーザ
のまわりに密接し内部に冷却孔が設けられた放熱体と、
この放熱体の冷却孔に送風する送風手段とを備えた構成
のもによれば、前記半導体レーザの露出面積の大きさを
利用して、半導体レーザの熱を放熱体に効率よく伝導す
ることができ、放熱体の冷却孔に冷却送風手段からの冷
却空気を送風して、放熱体の放熱効率を高めることと相
まって、半導体レーザの発熱によるまわりへの熱影響を
さらに確実に防止することができる。
Further, a heat radiating body having a cooling hole in close contact with the semiconductor lasers arranged in a straight line,
According to the configuration including the air blowing unit that blows air to the cooling hole of the radiator, the heat of the semiconductor laser can be efficiently conducted to the radiator by utilizing the size of the exposed area of the semiconductor laser. It is possible to blow the cooling air from the cooling air blower to the cooling holes of the heat radiator to improve the heat radiation efficiency of the heat radiator, and more reliably prevent the heat influence on the surroundings due to the heat generation of the semiconductor laser. .

【0104】また、ツールカバーと放熱体との間に絶縁
層が設けられた構成のものによれば、ツールカバーの内
側の絶縁層によって放熱体をまわりから絶縁することが
できるので、これを放熱に有利な熱伝導性のよい金属部
材として、半導体レーアザの放熱性能を向上しながら、
静電気がまわりに影響するのも十分に防止することがで
きる。
According to the structure in which the insulating layer is provided between the tool cover and the radiator, the radiator can be insulated from the surroundings by the insulating layer inside the tool cover. As a metal member with good thermal conductivity, which is advantageous for
It is also possible to sufficiently prevent static electricity from affecting the surroundings.

【0105】本発明のレーザ加熱ツールの第2の特徴に
よれば、適宜に並べられた半導体レーザから出射される
レーザ光を集光光学系に直接透過させて適宜なライン状
に集光させるので、複数の半導体レーザを用いるレーザ
加熱方法と同等の作用を発揮する上、パッケージ型の多
ピン電子部品のように、半田付け部が微小ピッチで直線
状に並んでいるような場合に、これら直線状に並んだ各
半田付け部の全てにライン状に集光したレーザ光を同時
に照射し、複数の被加熱部を同時に加熱処理することが
できるし、ライン状の集光が均一になるので、前記複数
の被加熱部の同時加熱処理を均一に達成することができ
る。
According to the second feature of the laser heating tool of the present invention, the laser light emitted from the appropriately arranged semiconductor lasers is directly transmitted to the condensing optical system to be condensed in an appropriate line shape. In addition to exhibiting the same effect as the laser heating method using a plurality of semiconductor lasers, in the case where the soldering parts are arranged in a straight line at a fine pitch such as a package-type multi-pin electronic component, these straight lines are used. All of the soldering parts arranged in a line are simultaneously irradiated with the laser light condensed in a line shape, and a plurality of heated parts can be heated at the same time, and the line-shaped light collection becomes uniform, The simultaneous heat treatment of the plurality of heated portions can be uniformly achieved.

【0106】この場合、ライン状の集光を、連続した、
あるいは連続しない複数辺をなすようにする構成のもの
によれば、前記複数の被加熱部の同時加熱を、これら複
数の被加熱部が連続した、あるいは連続しない複数辺を
なして並んでいるような場合にも、同様に適用すること
ができる。
In this case, line-shaped light collection is performed continuously,
Alternatively, according to a structure in which a plurality of non-continuous sides are formed, simultaneous heating of the plurality of heated parts is performed such that the plurality of heated parts are arranged side by side so as to be continuous or not continuous. In any case, the same can be applied.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例としてのレーザ加熱装置
を示す全体構成の平面図である。
FIG. 1 is a plan view of the overall configuration showing a laser heating apparatus as a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の装置の側面図である。2 is a side view of the device of FIG. 1. FIG.

【図3】図1、図2の装置の電流制限回路の具体的な一
部の構成を示す回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a specific partial configuration of a current limiting circuit of the device shown in FIGS. 1 and 2.

【図4】図1、図2の装置の電流制限回路の具体的な残
りの構成を示す回路図である。
4 is a circuit diagram showing a specific remaining configuration of a current limiting circuit of the device of FIGS. 1 and 2. FIG.

【図5】半導体レーザの光出力−電流/電圧特性からL
D破壊の電流/電圧限界を示すグラフである。
FIG. 5 shows L from the optical output-current / voltage characteristics of the semiconductor laser.
It is a graph which shows the current / voltage limit of D breakdown.

【図6】本発明の第2の実施例を示すレーザ加熱装置を
示す全体構成の縦断側面図、および横断面図である。
6A and 6B are a vertical cross-sectional side view and a horizontal cross-sectional view of the entire configuration showing a laser heating apparatus showing a second embodiment of the present invention.

【図7】図6の装置の縦断平面図、および半導体レーザ
アレイと放熱体の斜視図である。
7 is a vertical plan view of the apparatus of FIG. 6 and a perspective view of a semiconductor laser array and a heat radiator.

【図8】本発明の第3の実施例を示すレーザ加熱ツール
を示す概略構成の側面図および平面図である。
FIG. 8 is a side view and a plan view of a schematic configuration showing a laser heating tool showing a third embodiment of the present invention.

【図9】本発明の第4の実施例を示すレーザ加熱装置を
示す全体構成図である。
FIG. 9 is an overall configuration diagram showing a laser heating apparatus showing a fourth embodiment of the present invention.

【図10】図9の装置のマイクロコンピュータの入出力
関係を含む全体構成図である。
10 is an overall configuration diagram including input / output relationships of a microcomputer of the apparatus of FIG.

【図11】本発明の第5の実施例を示すレーザ加熱ツー
ルの全体構成図である。
FIG. 11 is an overall configuration diagram of a laser heating tool showing a fifth embodiment of the present invention.

【図12】本発明の第6の実施例を示すレーザ加熱ツー
ルを自動作業機に装着した場合のレーザ加熱装置の一部
を示す正面図である。
FIG. 12 is a front view showing a part of a laser heating apparatus when a laser heating tool showing a sixth embodiment of the present invention is attached to an automatic working machine.

【図13】本発明の第7の実施例を示すレーザ加熱ツー
ルをロボットの作業アームに装着して用いる場合のレー
ザ加熱装置を示す斜視図である。
FIG. 13 is a perspective view showing a laser heating device when the laser heating tool according to the seventh embodiment of the present invention is mounted on a work arm of a robot for use.

【図14】本発明の第8の実施例を示すレーザ加熱ツー
ルを示し斜視図である。
FIG. 14 is a perspective view showing a laser heating tool showing an eighth embodiment of the present invention.

【図15】本発明の第9の実施例を示すレーザ加熱ツー
ルを示し斜視図である。
FIG. 15 is a perspective view showing a laser heating tool according to a ninth embodiment of the present invention.

【図16】ランプ光源を利用した従来の光による非接触
加熱装置を示す側面図である。
FIG. 16 is a side view showing a conventional non-contact heating device using light, which uses a lamp light source.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体レーザ 2 集光光学系 3 レーザ加熱ツール 4 駆動回路 5 電流制限回路 17 半導体レーザアレイ 18、19 シリンドリカルレンズ 20 凸レンズ 21 放熱体 22 冷却ファン 23 ツールカバー 29 絶縁層 32 温度プロファイル 33 シーケンサ 34 マイクロコンピュータ 35 センサ 41 送風手段 43 加熱手段 51 自動作業機 52 作業軸 53 作業ロボット 54 作業アーム A 被加熱部 B、B1 照射スポット L レーザ光 1 Semiconductor Laser 2 Condensing Optical System 3 Laser Heating Tool 4 Driving Circuit 5 Current Limiting Circuit 17 Semiconductor Laser Array 18, 19 Cylindrical Lens 20 Convex Lens 21 Radiator 22 Cooling Fan 23 Tool Cover 29 Insulating Layer 32 Temperature Profile 33 Sequencer 34 Microcomputer 35 Sensor 41 Blower Means 43 Heating Means 51 Automatic Working Machine 52 Working Axis 53 Working Robot 54 Working Arm A Heated Parts B, B1 Irradiation Spot L Laser Light

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 B23K 26/14 Z H01L 23/467 H01S 3/00 B H05K 3/34 507 E 8718−4E ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location B23K 26/14 Z H01L 23/467 H01S 3/00 B H05K 3/34 507 E 8718-4E

Claims (21)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 加熱に必要な発光容量分の半導体レーザ
を用いてこれを駆動しながら、半導体レーザから出射さ
れるレーザ光を集光光学系に直接透過させて必要形状に
集光することにより被加熱部を集光照射し、この被加熱
部を光にて加熱することを特徴とするレーザ加熱方法。
1. A semiconductor laser having an emission capacity required for heating is used to drive the semiconductor laser, and the laser light emitted from the semiconductor laser is directly transmitted through a condensing optical system to be condensed into a required shape. A laser heating method comprising converging and irradiating a heated portion and heating the heated portion with light.
【請求項2】 加熱に必要な発光容量分の半導体レーザ
を所定の電流制限のもとに駆動しながら、この半導体レ
ーザから出射されるレーザ光を集光光学系に直接透過さ
せて必要形状に集光することにより被加熱部を集光照射
し、この被加熱部を光にて加熱することを特徴とするレ
ーザ加熱方法。
2. A semiconductor laser having an emission capacity required for heating is driven under a predetermined current limit, and a laser beam emitted from the semiconductor laser is directly transmitted to a focusing optical system to have a required shape. A laser heating method, characterized in that by condensing light, the heated portion is focused and irradiated, and the heated portion is heated by light.
【請求項3】 半導体レーザから出射されるレーザ光に
ついて予め設定して記憶した経時的な温度プロファイル
を読みだしながら、これに応じた条件で半導体レーザを
駆動する請求項2に記載のレーザ加熱方法。
3. The laser heating method according to claim 2, wherein the semiconductor laser is driven under a condition corresponding to the temperature profile which is preset and stored for the laser light emitted from the semiconductor laser and is read out. .
【請求項4】 半導体レーザは複数組み合わせて用いる
請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ加熱方法。
4. The laser heating method according to claim 1, wherein a plurality of semiconductor lasers are used in combination.
【請求項5】 半導体レーザを駆動するとき、この半導
体レーザに接した放熱体にてまわりへの放熱を図る請求
項1〜4のいずれかに記載のレーザ加熱方法。
5. The laser heating method according to claim 1, wherein when the semiconductor laser is driven, heat is radiated to the surroundings by a heat radiator that is in contact with the semiconductor laser.
【請求項6】 複数の半導体レーザおよびこの半導体レ
ーザから出射されるレーザ光を直接透過させて必要形状
に集光する1つの集光光学系を持ったレーザ加熱ツール
と、レーザ光の集光照射部の温度を検出するセンサと、
このセンサからの出力に応じて半導体レーザの駆動電流
を制御するフィードバック制御手段とを備えたことを特
徴とするレーザ加熱装置。
6. A laser heating tool having a plurality of semiconductor lasers and one condensing optical system for directly transmitting laser light emitted from the semiconductor lasers and condensing it into a required shape, and converging irradiation of laser light. A sensor that detects the temperature of the part,
A laser heating apparatus comprising: a feedback control unit that controls a driving current of a semiconductor laser according to an output from the sensor.
【請求項7】 半導体レーザのまわりにこれと接するよ
うに位置し、内部に冷却路が設けられた放熱体と、この
放熱体の冷却路に冷却空気を送風する冷却送風手段とを
備えた請求項6に記載のレーザ加熱装置。
7. A semiconductor laser provided with a radiator disposed around the semiconductor laser so as to be in contact with the semiconductor laser and having a cooling passage provided therein, and a cooling blower for blowing cooling air to the cooling passage of the radiator. Item 6. A laser heating device according to item 6.
【請求項8】 冷却路は放熱体の後端から前端に貫通す
る複数の孔である請求項7に記載のレーザ加熱装置。
8. The laser heating device according to claim 7, wherein the cooling path is a plurality of holes penetrating from the rear end to the front end of the radiator.
【請求項9】 冷却路はストレートに形成されている請
求項7、8のいずれかに記載のレーザ加熱装置。
9. The laser heating device according to claim 7, wherein the cooling passage is formed straight.
【請求項10】 冷却路は螺旋状に形成されている請求
項7、8のいずれかに記載のレーザ加熱装置。
10. The laser heating device according to claim 7, wherein the cooling passage is formed in a spiral shape.
【請求項11】 レーザ光の集光照射部に送風する送風
手段を備えた請求項4〜10のいずれかに記載のレーザ
加熱装置。
11. The laser heating device according to claim 4, further comprising a blowing unit that blows air to the laser light focusing and irradiating unit.
【請求項12】 送風手段は、冷却送風手段による放熱
体からの排気を導くものである請求項11に記載のレー
ザ加熱装置。
12. The laser heating apparatus according to claim 11, wherein the air blowing means guides the exhaust air from the radiator by the cooling air blowing means.
【請求項13】 集光部に導く冷却送風手段による放熱
体からの排気を加熱する加熱手段を有する請求項12に
記載のレーザ加熱装置。
13. The laser heating device according to claim 12, further comprising heating means for heating the exhaust gas from the radiator by the cooling air blowing means that guides the light to the light collecting portion.
【請求項14】 出射方向と直角な向きに直線状に並べ
られた複数の半導体レーザと、これらの半導体レーザか
ら出射されるレーザ光を直接透過させて一点に集光させ
る集光光学系とを備えたことを特徴とするレーザ加熱ツ
ール。
14. A plurality of semiconductor lasers linearly arranged in a direction perpendicular to the emission direction, and a condensing optical system for directly transmitting laser light emitted from these semiconductor lasers and condensing the laser light at one point. A laser heating tool characterized by having.
【請求項15】 集光光学系は、直線状に並んだ複数の
半導体レーザから出射されるレーザ光を平行な帯状光に
集光させる第1のシリンドリカルレンズと、この第1の
シリンドリカルレンズを経た帯状光を、幅方向に集光さ
せる第2のシリンドリカルレンズと、この第2のシリン
ドリカルレンズを経た光を一点に集光させる凸レンズと
を備えたものである請求項14に記載のレーザ加熱ツー
ル。
15. The condensing optical system passes through a first cylindrical lens that condenses laser light emitted from a plurality of linearly arranged semiconductor lasers into parallel strip light, and the first cylindrical lens. 15. The laser heating tool according to claim 14, further comprising a second cylindrical lens for converging the band-shaped light in the width direction and a convex lens for converging the light passing through the second cylindrical lens at one point.
【請求項16】 半導体レーザは複数列に並べられてい
る請求項14、15のいずれかに記載のレーザ加熱ツー
ル。
16. The laser heating tool according to claim 14, wherein the semiconductor lasers are arranged in a plurality of rows.
【請求項17】 照射光軸を通り半導体レーザの列方向
に平行な照射光軸面から外れて配置される列の半導体レ
ーザは、これらから出射するレーザ光が照射光軸面上な
いしはこれの近傍に沿って入射するように先端側が照射
光軸面寄りになる傾斜した配置とされている請求項16
に記載のレーザ加熱ツール。
17. A semiconductor laser of a row arranged off the irradiation optical axis plane passing through the irradiation optical axis and parallel to the column direction of the semiconductor laser has a laser beam emitted from them on or near the irradiation optical axis plane. 17. The tilted arrangement is such that the tip end side is closer to the irradiation optical axis surface so that the light is incident along.
Laser heating tool as described in.
【請求項18】 半導体レーザのまわりに密接し内部に
冷却孔が設けられた放熱体と、この放熱体の冷却孔に送
風する送風手段とを備えた請求項14〜17のいずれか
に記載のレーザ加熱ツール。
18. A radiator according to claim 14, further comprising: a heat radiator that is closely provided around the semiconductor laser and has a cooling hole therein, and a blowing unit that blows air to the cooling hole of the heat radiator. Laser heating tool.
【請求項19】 ツールカバーと放熱体との間に絶縁層
を設けた請求項14〜18のいずれかに記載のレーザ加
熱ツール。
19. The laser heating tool according to claim 14, wherein an insulating layer is provided between the tool cover and the radiator.
【請求項20】 適宜に配列された複数の半導体レーザ
と、これら各半導体レーザから出射される各レーザ光を
直接透過させて適宜なライン状に集光する集光光学系と
を備えたことを特徴とするレーザ加熱ツール。
20. A plurality of semiconductor lasers appropriately arranged, and a condensing optical system for directly transmitting each laser beam emitted from each of the semiconductor lasers and condensing the laser light in an appropriate line shape. Characterized laser heating tool.
【請求項21】 集光は連続した、あるいは連続しない
複数辺をなすようにする請求項20に記載のレーザ加熱
ツール。
21. The laser heating tool according to claim 20, wherein the focusing is performed on a plurality of sides that are continuous or not continuous.
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