JPH08508846A

JPH08508846A - Flat panel device with internal support structure and / or raised black matrix

Info

Publication number: JPH08508846A
Application number: JP6518052A
Authority: JP
Inventors: ファーレン、セオドア・エス; デュボック、ロバート・エム・ジュニア; カーティン、クリストファー・ジェイ; スピント、クリストファー・ジェイ; ロボイ、ポール・エイ; ノウィッキ、ロナルド・エス; モリス、デイビッド・エル; シュミッド、アンソニー・ピー
Original assignee: シリコン・ビデオ・コーポレイション
Priority date: 1993-02-01
Filing date: 1994-02-01
Publication date: 1996-09-17
Anticipated expiration: 2019-12-02
Also published as: DE69430568D1; EP0683920B2; JP3595336B2; DE69430568T2; AU6163494A; EP0683920A1; EP0683920B1; EP0683920A4; WO1994018694A1; DE69430568T3

Abstract

(57)【要約】フラットパネル装置（３００）が内部からの支持を与えるスペーサ（３０８）を有する。前記スペーサはセラミック若しくはガラスセラミックから作ることが出来る。前記フラットパネル装置の内部で露出されているスペーサの表面は、二次電子放出が低下し前記スペーサ表面に電荷が帯びるのを防ぐように処理される。発光構造体は、本体部分（３０２）と、前記本体部分に沿って配置された暗隆起部分（３１４）のパターンと、前記隆起部分の間に設けられた、電子によって活性化される複数の発光領域（３１３）とを有する。前記暗隆起部分は前記発光領域よりも前記本体部分から更に盛り上がった形となっており、隆起したブラックマトリックスを形成する。前記発光構造体が光学ディスプレイに使用される場合において、前記隆起したブラックマトリックスはスペーサ（３０８）に接触し、それによって前記発光領域が損なわれるのを防いでいる。前記発光構造体は本発明に基づく様々な技術によって形成することが出来る。 (57) Summary A flat panel device (300) has spacers (308) that provide internal support. The spacers can be made of ceramic or glass ceramic. The surface of the spacer exposed inside the flat panel device is treated to prevent the secondary electron emission from being reduced and the surface of the spacer to be charged. The light emitting structure includes a body portion (302), a pattern of dark raised portions (314) disposed along the body portion, and a plurality of electron activated light emissions disposed between the raised portions. A region (313). The dark raised portion is further raised from the main body portion than the light emitting region, and forms a raised black matrix. When the light emitting structure is used in an optical display, the raised black matrix prevents contact with spacers (308), thereby impairing the light emitting area. The light emitting structure can be formed by various techniques according to the present invention.

Description

【発明の詳細な説明】内部支持構造体及び／若しくは隆起したブラックマトリクスを有するフラットパネル装置発明の背景１．発明の属する技術分野本発明はフラットＣＲＴディスプレイのようなフラットパネル装置に関する。本発明はフラットパネル装置の製造に使用される技術にも関する。２．関連技術近年、旧来の偏向ビームＣＲＴディスプレイにとって代わる、より軽くかさばらないディスプレイを提供すべく、フラットＣＲＴディスプレイ（フラットパネルディスプレイとしても知られている）を構築する数々の試みがなされてきた。フラットＣＲＴディスプレイに加えて、他のフラットパネルディスプレイ、例えばプラズマディスプレイも開発されてきた。フラットパネルディスプレイに於いては、フェースプレート（faceplate）、バックプレート（backplate）、及びフェースプレートとバックプレートの外周部分を囲むように設けられた接続壁が１つの封入ケースを形成している。フラットパネルディスプレイの中には、ケースの中が真空に近い状態に保たれているものもあり、例えばフラットＣＲＴディスプレイでは、ほぼ１×１０^-7ｔｏｒｒに保たれている。フェースプレートの内部表面には、ディスプレイ上のアクティブ領域を画定する蛍光体パターン若しくは蛍光体のような発光素子の被覆が設けられている。発光素子は光を発するのであるか、これは、バックプレートに隣接して設けられたカソード素子が励起状態にされて電子を放出し、これがフェースプレート上の蛍光体に向かって加速され、蛍光体が発光することにより、その光がフェースプレートの外側の面（画面（viewing surface））に於いて視聴者に見られることになるのである。ディスプレイ中に於いては、電子放出素子は選択的に励起状態にされて電子を放出しその電子がフェースプレート上の蛍光体に向かう。これらの蛍光体は電子が衝突したとき、フェースプレートの外部の面で見ることができる光を発するのである。各電子放出素子から放出された電子は、それぞれ決まった目標の蛍光体のみに衝突するようにされている。しかしながら、放出された電子の中には一定数、フェースプレート上の目標とされた蛍光体以外の部分に衝突するものもある。フェースプレートに於けるコントラストを改善するために、電子放出素子からの電子が衝突しても実質的に発光しない非反射領域のマトリクスが、適当に蛍光領域の中に分散した形で設けられる。カラーディスプレイに於いては、このブラックマトリクスは色純度も改善する。蛍光領域はブラックマトリクスよりもフェースプレートから更に盛り上がった形で設けられる。内部が真空に近い状態であることにより、フラットパネルディスプレイの壁に圧力が掛かるが、これは内部の真空に近い状態と外部の大気圧との圧力差が、支持が無ければフラットパネルディスプレイを崩壊させうるほど大きいからである。ほぼ１インチより大きい対角線の長さ（対角線はアクティブ領域の互いにはす向かいの角と角との間の距離）を有する長方形のディスプレイに於いては、縦横比が大きいために、フェースプレートはこのタイプの機械的な損傷の影響を特に受けやすい。ここで、縦横比とは、横幅、例えば互いに向かい合った接続壁の内部表面間の距離、若しくは高さ、例えばバックプレートの内部表面とフェースプレートの内部表面との距離を厚みで除すことによって定義されるものである。フラットパネルディスプレイのフェースプレートまたはバックプレートは、フラットパネルディスプレイが外部から受ける力の衝撃によっても故障することがある。フェースプレート及び／若しくはバックプレートを内部から支持するために、スペーサが使用されてきた。従来のスペーサは、壁状若しくは柱状のもので、ディスプレイのアクティブ領域に於ける画素（ディスプレイ上の画像を構成する最小単位をなす蛍光体の領域）間に設けられている。スペーサはポリイミドのフォトパターニング（photopatterning）によって形成されてきた。しかしながらポリイミドスペーサでは不適当なことがわかっており、その理由としては、（１）長さが不十分であること、（２）フェースプレートに使用される典型的な材料（ガラス）と、バックプレートに使用される典型的な材料（例えばガラス、セラミック、ガラス−セラミック若しくは金属）と、アドレシンググリッド（addressing grid）に使用される典型的な材料（例えばガラス−セラミック若しくはセラミック）との熱膨張係数を整合させることができないため、レジスターに関する問題を引き起こすこと、（３）ボリイミドを真空に近い状態の中で使用するとガス放出が起こりうること、があげられる。スペーサにもガラス製のものが使用されてきたが、ガラスが十分な強度を有していない場合がある。更に、ガラス固有の微小割れがあり、それが容易にガラス全体に広がる傾向をもつために、ガラス製のスペーサは、（理想的な）ガラスより更に弱いものとなってしまう。それに加えて、どんな材料をスペーサに用いたとしても、スペーサの近傍に於いては、スペーサの存在がフェースプレートに向かう電子の流れに悪影響を及ぼすことがある。例えば、浮遊電子がスペーサの表面に静電気を発生させ、所望の電圧分布とは異なる電圧分布をスペーサの近傍に形成させることによって、電子の流れに歪みが生じ、ディスプレイに表示される画像に歪みが生じることになるのである。発明の要約本発明によると、フラットパネル装置が、内部からの支持を与えるスペーサを有する。特に内部を低圧状態にして作動する装置に対して、このスペーサは、内部の低圧状態（例えば大気圧より低い圧力）と外部の大気圧との間の圧力差によって生じる応力によって装置が破壊されるのを防ぐ。このスペーサは外部からの衝撃によって生ずる応力に対しても、装置に内部からの支持を与える。これに加えて、ケース内部のスペーサの表面は、スペーサ表面に静電気が生ずるのを防止若しくは最小化するように処理されている。この結果、スペーサがスペーサの近傍の電子の流れに与える悪影響をなくし、装置の画像の歪みをなくすことになる。本発明の実施態様の１つに於いては、スペーサの表面に被覆が設けられるが、この被覆は二次電子放出比δが４より小さく、面抵抗が１０⁹Ω／□と１０¹⁴Ω ／□との間の値をとる物質からなるものである。この被覆をなす物質は、酸化クロム、酸化銅、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択される。本発明の他の実施態様に於いては、スペーサ表面に第１の被覆がなされる。第２の被覆は第１の被覆の上になされる。第１の被覆は面抵抗が１０⁹Ω／□と１０⁴Ω／□との間の値をとる物質によってなされる。第２の被覆は二次電子放出比δが４より小さい物質によってなされる。本発明の別の実施態様に於いては、スペーサ表面に第１のドーピングが施されて、その表面の面抵抗が１０⁹Ω／□ と１０¹⁴Ω／□との間の値をとるようにされ、次にドーピングされたスペーサ表面上に、二次電子放出比δが４より小さい物質によって被覆がなされる。被覆をなす物質は酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択される。また別の実施態様に於いては、スペーサ表面の面抵抗が１０⁹Ω／□と１０¹⁴ Ω／□との間の値をとるようにするべく、スペーサ表面にドーピングを施す。スペーサは例えばセラミックから作られ、スペーサ壁或いはスペーサ構造体の形で設けられるが、スペーサ壁とスペーサ構造体とを組み合わせた形で設けることもできる。フラットパネル装置は発光手段も有する。また、フラットパネル装置は、電界エミッタカソード若しくは熱電子カソードを含む形にすることもできる。本発明の更に別の実施態様に於いては、１つかそれ以上の電極が、前記処理済みのスペーサ表面上に設けられる。例えば、電極はスペーサ及びバックプレートの境界部分の近くに設けることができ、電極の電圧は境界部分の近傍に於いて所望の電圧分布を得るべく制御され、それによって表面の処理の不完全さ、或いはスペーサの不整合によって生ずる歪みを正すべく、電子の流れを所望の形に偏向する。また別の実施態様に於いては、バックプレートの内部表面に於いて所望の電圧分布を得るべく、この電極を曲がりくねった形状に設けることもできる。分圧手段を形成することによって各電極の電圧が設定される。実施例の１つに於いては、分圧手段はスペーサの表面上に形成された抵抗性被覆（resisitive c oating）からなる。各電極に於いて正確な電圧を得るべく、被覆の面抵抗は調整されなければならない。本発明の更にまた別の実施態様に於いては、電気伝導物質のストリップ（金属被覆エッジ（edge metallization））がスペーサ表面の端面とバックプレートとの間に形成され、スペーサ全体に亘って、それらが密接に接触するようになっている。スペーサの表面上に抵抗性被覆が設けられている場合は、金属被覆エッジは抵抗性被覆と電気的に接続される。この場合、金属被覆エッジ及び抵抗性被覆は、それらの間の境界面がバックプレートの内部表面から一定の距離となるように設けられる。同様に、金属被覆エッジは、フェースプレートとスペーサの間の良好な電気的接続をなすように、フェースプレートとスペーサの端面との間に形成される。本発明に従ったフラットパネル装置の組立方法に於いては、フラットパネル装置のバックプレートとフェースプレートとの間にスペーサを設けて、スペーサの表面が電荷を帯びるのを防止若しくは最小化するべくスペーサ表面に処理を施し、スペーサとバックプレートとの電気的接続をなす金属被覆エッジとなる被覆をスペーサの端面に設け、スペーサを内部に封入するようにバックプレートとフェースプレートとを封着することによって装置が組立られる。スペーサ表面の処理をなすには、抵抗性被覆または被覆を形成するか、表面へのドーピングによるか、表面へのドーピングと抵抗性被覆または被覆の形成との両者によるか、または焼成して表面を還元することによる。更に、本発明はフラットパネルＣＲＴディスプレイのような光学装置に使用されるのに適した発光構造体を備えている。本発明の発光構造体は、本体部分（ma in section）と、それに沿って設けられた隆起した形状の部分と、本体部分に沿って隆起した部分の間の部分に設けられた複数の発光領域を含む。発光領域は電子が衝突すると光を発する。これに対して、隆起部分は電子が衝突しても実質的に光を発しない。また、隆起部分は発光領域よりも本体部分から更に盛り上がった形となっている。各隆起部分は、隆起部分の横幅全体に亘って、またその高さの少なくとも一部分についてそれを実質的に取り囲んでいる暗領域を含む。隆起部分のパターンによって、隆起したブラックマトリクスが形成され、それは発光構造体のコントラストを改善する。発光領域に於いて２つ若しくはそれ以上の色の光を選択的に発する場合、隆起したブラックマトリクスは色の純度を高める効果もある。本発明の発光構造体は様々な技術に従って製作することが出来る。本発明の技術群の１つは、与えられた隆起部分の材料の層の一部を、発光構造体の本体部分に沿って選択的に除去する過程を含んだ処理によって、隆起部分のパターンを発光構造体の本体部分に沿って形成するものである。本発明に従った別の技術によれば、本体（ body）の一部分を選択的に特定の深さに除去して、本体の除去されない残りの部分が発光構造体の本体部分及び隆起部分を含むように形成することも出来る。図面の簡単な説明第１図は、本発明の１つの実施態様に従った熱電子カソードを含むフラットパネルディスプレイの透視図であって、表層部の一部を切り取って内部を見せているものである。第２Ａ図及び第２Ｂ図は、本発明の１つの実施態様に従ったフラットパネルディスプレイの単純化した断面図であって、スペーサ壁を使用しているのを図解したものである。第２Ａ図は第２Ｂ図の２ｂ−２ｂに沿って切った断面図であり、第２Ｂ図は第２Ａ図の２ａ−２ａに沿って切った断面図である。第３図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソードを含むフラットパネルディスプレイの透視図であって、表層部の一部を切り取って内部を見せているものである。第４Ａ図は、第３図のフラットパネルディスプレイの一部の詳細な透視断面図である。第４Ｂ図及び第４Ｃ図は、第４Ａ図のディスプレイのａ図のディスプレイの内部の部品の平面図であって、それぞれ第４Ａ図の矢印ｃ及びｄの方向から見た図である。第４Ｄ図は、第４Ａ図のフラットパネルＣＲＴディスプレイ全体の横断面図である。第４Ｅ図は、第４Ａ図のＣＲＴディスプレイのブラックマトリクスを中心に置いた一部の拡大断面構造図である。第５図は、第２Ｂ図の一部の詳細図であって、本発明に従ったスペーサ壁の整合手段を図解したものである。第６図は、本発明の１つの実施態様に従ったスペーサ壁及びスペーサ構造体を含むフラットパネルディスプレイを図解した、第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第７Ａ図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソード及びスペーサ壁を含むフラットパネルディスプレイの一部の単純化した断面図である。第７Ｂ図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソード、スペーサ壁、及びアドレシンググリッドを含むフラットパネルディスプレイの一部の第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第７Ｃ図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソード、スペーサ構造体、及びアドレシンググリッドを含むフラットパネルディスプレイの一部の第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第８図は、曲がった形状のフェースプレート及びバックプレートを有するフラットパネルディスプレイに於いて、本発明の１つの実施態様に従ったスペーサが使用されているのを図解した、第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第９Ａ図及び第９Ｂ図は、本発明の１つの実施態様に従ったフラットパネルディスプレイの単純化した断面図であって、スペーサ壁の表面に形成された被覆を図解したものである。第９Ａ図は第９Ｂ図の９ｂ−９ｂに沿って切った断面図であり、第９Ｂ図は第９Ａ図の９ａ−９ａに沿って切った断面図である。第１０図は、電圧を縦軸に、電界放出装置の設けられたベースプレートに対して垂直方向の電界放出装置とベースプレートとの距離を横軸にとったグラフである。第１１図は、二次電子放出比を縦軸に電圧を横軸にとったグラフであって、２つの物質の特性を示したものである。第１２Ａ図〜第１２Ｄ図は、スペーサ壁の間の境界部分を図解し、本発明の様々な実施態様に従った金属被覆及びバックプレートの隆起部分に焦点を合わせた断面図である。第１３Ａ図〜第１３Ｈ図は、第４Ａ図のディスプレイの発光ブラックマトリクス構造の製造工程を示した断面図である。第１４Ａ図〜第１４Ｊ図及び第１５Ａ図〜第１５Ｊ図は、第４Ａ図のディスプレイの発光ブラックマトリクス構造のそれぞれ別の製造工程を示した断面図である。第１６Ａ図〜第１６Ｊ図は、第４Ａ図のディスプレイの発光ブラックマトリクス構造の更に別の製造工程を示した断面図である。以上の図に於いては、対応する部分には同様の符号を付した。発明の詳細な説明以下、本発明の実施例を、フラットＣＲＴディスプレイについて説明する。本発明が他のフラットパネルディスプレイ、例えばプラズマディスプレイ若しくは真空蛍光ディスプレイについても適用可能であることも理解されよう。更に、本発明は、ディスプレイでの使用に限られるものでなく、例えば、光学的信号処理や、フェイズドアレイレーダー装置（phased array rader devices）のような他の装置の制御するのに用いられる光学的アドレシングや、映像を他の媒体に再現するコピー機やプリンタにおける映像スキャニング等の他の目的で用いられるフラットパネル装置にも適用することができる。更に加えると、本発明は長方形でないスクリーンの形状を持つフラットパネル装置、例えば円形若しくは車のダッシュボードや航空機のコントロールパネルに使用されるような特殊な形状を持つスクリーンにも適用可能である。ここで、フラットパネルディスプレイとは、フェースプレートとバックプレートとが実質的に平行なディスプレイであって、ディスプレイの厚み、即ちフェースプレート及びバックプレートに実質的に垂直な向きで測定された厚みが、従来の偏向ビームＣＲＴディスプレイの厚みと比較して小さいものを指す。一般に、フラットパネルディスプレイの厚みは５．０８ｃｍ（２インチ）より小さいが、必ずしもこれに限定されない。多くの場合、フラットパネルディスプレイの厚みは実質的に５．０８ｃｍ以下であって、例えば０．６４ｃｍ〜２．５４ｃｍ（０．２５〜１．０インチ）程度である。本明細書に於いて、「スペーサ」とは、フラットパネルディスプレイの内部に於いて内部からの支持体として用いられているものの総称である。この明細書に於いて、本発明の特定の実施例のスペーサは「スペーサ壁」若しくは「スペーサ構造体」と記述されている。つまり「スペーサ」は「スペーサ壁」、及び「スペーサ構造体」と共に他の上記のスペーサの機能を有する構造をすべて包含するのである。一般に、本発明のスペーサ壁及びスペーサ構造体は、薄い材料から作られたものであり、この材料は、未処理の状態ではそのまま加工可能で、一定の処理を施すことで硬く剛性の高いものとなるものである。この材料は、真空の環境下に於いても適用可能なものでなければならない。更に、スペーサ壁及びスペーサ構造体は、フェースプレート及びバックプレートの熱膨張係数とよく適合する熱膨張係数を有する材料から作られる。熱膨張係数が適合しているとは、スペーサ壁、フェースプレート及びバックプレートが、フラットパネルディスプレイが組み立てられて動作しているときに生ずる加熱や冷却に対して、ほぼ同程度膨張若しくは収縮するということを意味する。この結果、スペーサ壁、フェースプレート及びバックプレートの間で適切な位置関係の整合性が維持されることになる。熱膨張係数が適合していない場合起こり得ることとして、アノードのスペーサ壁若しくはスペーサ構造体がフェースプレートに対して動いてしまうことによって蛍光体が損傷を受けたり、フラットパネルディスプレイ内に応力が発生してディスプレイ内の部品を損なってしまうこと（ディスプレイ内の真空状態が損なわれてしまうことも含む）、若しくはスペーサ壁そのものが壊れてしまうことなどが考えられる。実施例の１つに於いて、スペーサ壁はセラミック若しくはガラスセラミック材料によって作られる。別の実施例に於いては、スペーサ壁はセラミックテープから作られる。以下、本発明の実施例の記述に於いては、スペーサ壁若しくはスペーサ構造体の材料としてセラミック、またはセラミックテープ、及びスラリーが使用されるものとする。他の材料としては、セラミック強化ガラス、不透明ガラス、柔軟性のあるマトリクス構造のアモルファスガラス（amorphous glass）、電気的絶縁性の被覆をなされた金属、若しくは高温真空状態に適合性を有するポリイミドなどが使用可能である。概略、本発明によるスペーサの材料に要求されるのは、（ａ）薄い層にすることが可能なこと、（ｂ）その層が焼成処理された状態で柔軟になること、（ｃ）焼成されていない状態で１つの層若しくはいくつかの層をまとめて孔を開けることができること、（ｄ）開けられた孔の必要な部分に導体を設けることができること、（ｅ）焼成処理されていない層の表面に正確に電気伝導トレースを設けることができること、（ｆ）何枚かの層を積層状態にすることができ、少なくとも最終的な加熱時に互いに接合させることができること、（ｇ）焼成処理された構造が、例えばフロートガラスのような材料から作られたフェースプレート及びバックプレートの熱膨張係数と実質的に適合するような熱膨張係数を有すること、（ｈ）焼成処理された積層構造体が剛性が高く強靱なものであること、（ｉ）焼成処理された構造が真空状態に適合すること、（ｊ）焼成処理された構造体はＣＲＴのカソードを損なうような物質を含んでいないこと、（ｋ）すべての材料及び製造にかかるコストが実際的なものであり得ることなどである。この記述及び以下の請求項に於いて、「セラミック」という言葉が頻繁に使用されるが、これは文脈上セラミックテープ若しくはセラミック層若しくはセラミックシートを意味している。つまり、この言葉はよく知られたガラスセラミックテープ、失透ガラステープ、セラミックガラステープ、セラミックテープ若しくはその他のテープを意味しており、また、その他のテープとは、プラスチックの結合剤、及びセラミック若しくはガラスの粒子を有し、焼成処理されていない状態に於いて柔軟性を有し加工可能であって、焼成によって硬く剛性の高いものに硬化することができるようなものであるが、始めから柔軟性を有し最終的に硬く剛性の高い状態に処理することができる等価な材料であればそれも使用できる。セラミックテープはセラミックの粒子、アモルファスガラス粒子、結合剤及び可塑剤の混合物から作られる。初めは、この混合物はスラリーとなっており、セラミックテープに形成されるのではなく型に入れて成型することができる。セラミックテープは焼成していない状態でスラリーから作ることができるが、これは容易に所望の形に成型したり切ったりすることができる変形可能な材料である。セラミックテープは薄いシート状に作られるが、その厚みは、例えば０．３ｍｉｌから１０ｍｉｌ程度である。本発明の実施に於いて使用可能なセラミックテープで入手可能なものの例としては、米国テネシー州チャタヌーガのＣｏｏｒｓＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰａｃｋａｇｅ社の、カタログ番号ＣＣ−９２７７１／７７７及びＣＣ−ＬＴ２０、若しくはこのセラミックテープと実質的に等価なテープなどがある。本発明の目的のために使用可能な低温ガラスセラミック材料の他の例としては、デュポン社のグリーンテープ（Green Tape）がある。グリーンテープは非常に薄いシート（例えば約３ｍｉｌから１０ｍｉｌ）形状のものが入手可能であり、比較的低い温度、約９００℃から１０００℃で焼成処理可能であり、焼成処理をしていない状態で優れた加工性を与える可塑剤を含んでいる。グリーンテープはセラミック粒子及び、やはり粒子状のアモルファスガラスの混合物であって更に結合剤及び可塑剤を含む製品である。米国特許第４，８２０，６６１号、第４，８６７，９３５号及び第４，９４８，７５９号を参照されたい。焼成処理前のセラミックテープは以下に述べるような方法で形成し、本発明に基づきスペーサ壁及びスペーサ構造体を製造することができる。セラミックテープは成型後、焼成処理される。焼成処理は２つの段階からなる。第１の段階では、テープが約３５０℃の温度まで加熱され結合材及び可塑剤をテープから燃焼させてなくしてしまう。第２の段階では、テープが一定の温度（セラミックの組成によって決まる温度で８００℃から２０００℃の間）まで加熱され、セラミックの粒子が焼結して強靭で密度の高い構造を形成する。スペーサ壁は以下のようなフラットパネルディスプレイに組み立てられる。ストリップは、フラットパネルディスプレイにおいて必要な長さ及び幅を有し、焼成されていないセラミックテープのシートから切り取られて作られる。焼成処理されていないセラミック若しくはガラスセラミックを用いることの利点は、ストリップがスリッティング（Slitting）若しくは打ち抜きによって容易に作ることができる点である。このストリップは焼成処理される。焼成処理されたストリップ（スペーサ壁）は、フェースプレート及びバックプレートの予め定められた適当な位置に配置される。スペーサ壁は、組立の間同じ位置に保持されてフェースプレート及びバックプレートに対して適切に整合する。スペーサ壁のストリップは、焼成処理済みのセラミック若しくはガラスセラミックのシートから作ることもできる。焼成処理されたシートは被覆（詳細については以下に述べる）をなされて、スペーサ壁を形成するストリップに加工される。もう１つの方法として、焼成処理されたシートをストリップに加工した後に、被覆をなすようにすることもできる。第３図は本発明の１つの実施態様であるフラットパネルディスプレイ３００の透視図であって、表層部の一部を切り取って内部を示しているものである。フラットパネルディスプレイ３００は、フェースプレート３０２、バックプレート３０３及び側壁３０４を有し、これらによって密封されたケース内部３０１が形成され、そこは真空状態、例えばほぼ１×１０^-7ｔｏｒｒ以下に保たれている。スペーサ壁３０８はバックプレート３０３に対してフェースプレート３０２を支持する。電界放出カソード３０５はケース内部３０１のバックプレート３０３の表面上に形成される。以下に更に詳しく述べるように、横行及び縦列の電極（図示せず）はカソードの放出素子（図示せず）からの電子の放出を制御する。同様に以下に更に詳しく述べるように、電子は加速されて、蛍光体で被覆をなされたフェースプレート３０２の内部表面（例えばアノード）に向かう。ＩＣチップ３１０は横行及び縦列の電極の電圧を制御してフェースプレート３０２への電子の流れを調節する駆動回路を含む。電気伝導トレース（図示せず）はチップ３１０上の回路と横行及び縦列電極との電気的接続をなすのに使用される。第４Ａ図はフラットパネルカラーＣＲＴディスプレイの一部を図解したもので、それは隆起した形で設けられたブラックマトリクスと共に電界放出カソードの領域を備えている。第４Ａ図のＣＲＴディスプレイは透明で電気的に絶縁性の平らなフェースプレート３０２及び電気的に絶縁性の平らなバックプレート３０３を有する。プレート３０２及び３０３の内部表面は互いに向かい合っており、典型的には０．０１ｍｍ〜２．５ｍｍ隔てられている。フェースプレート３０２は典型的には１ｍｍの厚みを持つガラスからできている。バックプレート３０３は典型的には１ｍｍの厚みを持つガラスセラミック若しくはシリコンからできている。横向きに隔てられて設けられ絶縁体のスペーサ壁３０８のグループはプレート３０２及び３０３の間に配置されている。スペーサ壁３０８は互いに平行に一定の間隔で延在しており、プレート３０２及び３０３に対して垂直な向きに設けられている。各壁３０８は典型的には８０μｍ〜９０μｍの厚みを有するセラミックからできている。また、壁３０８の中心線と中心線との距離は、典型的には８ｍｍ〜２５ｍｍである。以下で更に論ずるように、壁３０８は内部支持体を構成し、プレート３０２と３０３との間隔を、ディスプレイのアクティブ領域全体に亘って実質的に均一に保っている。パターンの設けられた領域の電界放出カソード構造体３０５は、バックプレート３０３とスペーサ壁３０８との間に配置されている。第４Ｂ図は、第４Ａ図の矢印Ｃで表される方向から見た電界放出カソード構造体３０５のレイアウトを描いたものである。カソード構造体３０５は、電子放出素子３０９の大きなグループと、パターンをなす形で設けられた金属エミッタ電極（ベース電極と呼ばれることもある）を実質的に同じ形状の曲線的なライン３１０に分割したものと、金属ゲート電極を実質的に同じ形状の直線的なライン３１０に分割したものと、電気的絶縁層３１２からなる。エミッタ電極のライン３１０は、バックプレート３０３の内部表面に配置され、互いに平行に均一の間隔で延在している。各エミッタライン３１０の中心線の間隔は、典型的には３１５μｍ〜３２０μｍである。ライン３１０は典型的には０．５μｍの厚みを有するモリブデン若しくはクロムから形成されている。各ライン３１０は典型的には１００μｍの幅を有する。絶縁層３１２はライン３１０の上、及びラインと横向きに隣接するバックプレート３０３の一部分の上に設けられている。絶縁層３１２は、典型的には１μｍの厚みを有する二酸化シリコンから成る。ゲート電極ライン３１１は絶縁層３１２上に配置され、互いに平行に均一の間隔で延在している。ゲートライン３１１の中心線の間隔は、典型的には１０５− １１０μｍである。ゲートライン３１１はエミッタライン３１０に直交する向きに延在している。ゲートライン３１１は典型的には０．０２μｍ〜０．５μｍの厚みを有するチタン−モリブデン複合材料から形成される。各ライン３１１は典型的には３０μｍの幅を有する。電子放出素子３０９は、バックプレート３０３の内部表面上に横向きに隔てられて配置された複合素子の組（multi-element sets）のアレイの形で配置されている。詳述すると、電子放出素子３０９の各組は、ゲートライン３１１の１つがエミッタライン３１０の１つと交わる突出領域の一部若しくは全部に於いて、バックプレート３０３の内部表面上に配置されている。スペーサ壁３０８は、電子放出素子３０９の組の間の領域に設けられ、エミッタライン３１０の間の領域の拡がる向きに延在している。各電子放出素子３０９は、絶縁層３１０の開口部（図示せず）を通して延在する電界エミッタであって、下層をなすエミッタライン３１０の１つと接続している。各電界エミッタ３０９の頂部（若しくは上端部）は、上層をなすゲートライン３１１の１つの対応する開口部（図示せず）を通して露出されている。電界エミッタ３０９は釘状のフィラメント若しくは円錐形のようなさまざまな形状で設けることができる。電界エミッタ３０９の形状は、その材料が良好な電子放出特性を有する限り、材料によって特定されるものではない。エミッタ３０９はさまざまな工程によって製造されうるものであるが、これらの工程は１９９３年９月８日にMacaulay他によって出願された「Structure and Fabrication of Filamentary Field-Emission Device，Including Self-Aligned Gate」という名称の米国特許出願第０８／１１８，４９０号、及び１９９３年１１月２４日に Spindt他によって出願された「Field-Emitter Fabrication Using Charged-Part icle Tracks，and Associated Field-Emission Devices」という名称の米国特許出願第０８／１５８，１０２号に於いて開示されている。本発明に関して、出願番号第０８／１１８，４９０号及び第０８／１５８，１０２号の特許出願の内容を参照されたい。ブラックマトリクスを含む発光構造体はフェースプレート３０２とスペーサ壁３０８との間に設けられている。発光構造体は、発光領域３１３、及び実質的に光を反射せず同じ形状を有する暗隆起部分（dark ridges）３１４からなる。第４Ｃ図は、第４Ａ図の矢印Ｄによって表される方向から見た発光構造体のレイアウトを描いたものである。発光領域３１３及び暗隆起部分３１４は、両者ともフェースプレート３０２の内部表面上に配置されている。発光領域３１３は、各暗隆起部分３１４の間に配置されている（逆の言い方もできる）。領域３１３及び隆起部分３１４に電子放出素子３０９から放出された電子が衝突したとき、発光領域３１３はさまざまな色を発する。暗隆起部分３１４は、発光領域３１３と比較すると実質的に発光をせず、領域３１３に対するブラックマトリクスを形成している。更に詳述すると、発光領域３１３は、互いに平行に等間隔でゲートライン３１１と同じ方向に延在しており、同じ幅の直線的なストライプ状に設けられた蛍光体からなる。各蛍光体のストライプ３１３は典型的には８０μｍの幅を有する。蛍光体ストライプ３１３の厚み（若しくは高さ）は１μｍ〜３０μｍで、典型的には２５μｍである。蛍光体ストライプ３１３は赤い（Ｒ）光を発する複数の実質的に同じ形のストライプ３１３ｒと、緑の（Ｇ）光を発する同様に複数の実質的に同じ形のストライプ３１３ｇと、青（Ｂ）の光を発する同様に複数の実質的に同じ形のストライプ３１３ｂに分割されている。蛍光体ストライプ３１３ｒ、３１３ｇ、及び３１３ｂは、第４図に示されるように３種のストライプ３１３が繰り返される形で設けられる。各蛍光体ストライプ３１３はゲートライン３１１の対応する１本から全体に横切る形で配置されている。この結果、ストライプ３１３の中心線の間隔はゲートライン３１１のそれと等しくなる。暗隆起部分３１４は、同様に互いに平行に等間隔でゲートライン３１１と同じ方向に延在している。隆起部分３１４の中心線の間隔は、やはり同様にライン３１１のそれと等しい。各暗隆起部分の平均的な高さと平均的な幅の比は０．５〜３の範囲であって、典型的には２である。隆起部分３１４の平均的な横幅は１０ μｍ〜５０μｍ、典型的には２５μｍである。隆起部分３１４の高さは２０μｍ〜６０μｍであって、典型的には５０μｍである。暗隆起部分３１４の平均的高さは、蛍光体ストライプ３１１の厚み（若しくは高さ）よりも少なくとも２μｍ大きいものとなっている。上記した典型的なケースでは、隆起部分３１４はストライプ３１３より２５μｍ高く隆起している。従って、隆起部分３１４はストライプ３１３と比ベてフェースプレート３０２から更に盛り上がった形となっている。各隆起部分３１４は、その横幅全体及び高さの少なくとも一部分を占める暗い（事実上黒色の）非反射領域を含んでいる。第４Ａ図は、これらの暗非反射領域が隆起部分３１４の高さ全体を占めている例を示している。この後の図に於いては、暗非反射領域が隆起部分の高さ方向の一部分のみを占めている例を図解している。暗隆起部分３１４の材料の選択肢は広い。隆起部分３１４は、ニッケル、クロム、リオブ、金、及びニッケル−鉄合金のような金属から形成することができる。隆起部分３１４は、ガラス、ソーダガラス（若しくはフリット）、セラミック、及びガラスセラミックのような電気的絶縁物や、シリコンのような半導体や炭化シリコンのような材料によっても形成される。これらの材料の混合物も、隆起部分３１４の材料として使用可能である。隆起部分３１４が金属でできている場合、それは３００℃〜６００℃の範囲の温度で十分に軟化し、スペーサ壁３０８のような物体をわずかに押し込むことができる。隆起部分３１４がソーダガラスでできている場合、同様に３００℃〜５００℃の範囲の温度で軟化する。隆起部分の材料がガラスの場合、隆起部分３１４は５００℃〜７００℃の範囲の温度で軟化する。光反射層３１５は第４Ｂ図に示されるように蛍光体ストライプ３１３及び暗隆起部分３１４の上に配置されている。層３１５の厚みは十分に小さいもので、典型的には５０ｎｍ〜１００ｎｍであり、電子放出素子３０９から発せられる電子のほぼ全てが、殆どエネルギーを失うことなく層３１５を通過してその下の層に衝当するようになっている。蛍光体ストライプ３１３に隣接した光反射層３１５の表面部分は非常に滑らかなものとなっている。層３１５は金属、好ましくはアルミニウムからできている。これによって、ストライプ３１３から発せられた光の一部は層３１５で反射されてフェースプレート３０２を通過してゆく。即ち、層３１５は基本的に反射鏡である。層３１５はディスプレイの最終的なアノードとしての機能も果たしている。ストライプ３１３は層３１５に接しているので、アノード電圧はストライプ３１３に加えられている。スペーサ壁３０８はディスプレイのアノード側の光反射層３１５に接している。暗隆起部分３１４は蛍光体ストライプ３１３よりもバックプレート３０３に向かって更に隆起しているので、壁３０８は、層３１５に於ける、隆起部分３１４の頂部（若しくは第４Ａ図に示されている方向では底部）に沿った部分に接触している。隆起部分３１４が余計に隆起していることによって、壁３０８が、光反射層３１５の蛍光体ストライプ３１３に沿った部分には接触しないようにされている。ディスプレイのカソード側に於いて、スペーサ壁３０８は第４Ａ図に示すようにゲートライン３１１に接触している。これとは別の形式で、壁３０８がライン３１１の上に伸びる収束隆起部分（focusing ridges）に接触してもよく、これは、１９９４年にSpindt等によって出願された「Field Emitter with Focusing Ridges Situated to Sides of Gate」という名称の米国特許出願に記載されており、ここではその内容を参照されたい。壁３０８は従来の方法、若しくは本明細書に記載した方法で製造することができる。ディスプレイにかかる外部からの空気圧は普通大気圧、即ち７６０ｔｏｒｒ付近である。ディスプレイの内部の圧力は普通１０^-7ｔｏｒｒより小さい数値に設定されている。これは普通の外気圧より大変に小さなものなので、大きな圧力差による力がプレート３０２及び３０３には常にかかることになる。スペーサ壁３０８はこの圧力に対する抵抗力を与える。蛍光体ストライプ３１３は機械的な接触によって容易に損なわれうるものである。暗隆起部分３１４が余計に隆起しているために、光反射層３１５のストライプ３１３に沿った部分と壁３０８とは隔たっているので、壁３０８が、ストライプ３１３に直接その抵抗力を及ぼさない形となっている。ストライプ３１３がこの抵抗力のために損傷を被る危険は、このような形となっていない場合と比べて大いに低減される。ディスプレイは画素の横行及び縦列のアレイに更に分けられる。典型的な画素３１６の領域の境界は、第４Ａ図では矢印で示され、第４Ｂ図及び第４Ｃ図では点線で示されている。各エミッタライン３１０は画素の横行の１つに対する横行の電極となる。図示を容易にするため、第４Ａ図、第４Ｂ図、及び第４Ｃ図に於いては画素の横行が１本だけ、隣接する一対のスペーサ壁３０８（両素の横行の側面に沿って一部オーバーラップしている）の間に設けられた形で示されている。しかし一般的には、２本以上の画素の横行、典型的には２４−１００の画素の横行が、各隣接する対になった壁３０８の間に設けられている。各画素の縦列は３本のゲートライン３１１を有し、その３本とは（ａ）１本が赤、（ｂ）第２番目が緑、そして（ｃ）第３番目が青である。同様に、各画素の縦列は、蛍光体ストライプ３１３ｒ、３１３ｇ、及び３１３ｂを各１つずつ含むことになる。各画素の縦列は４つの暗隆起部分３１４を使用している。隆起部分３１４の２本は画素の縦列の内側にあり、残りの２つは隣接する画素の縦列と共有している。結果的に、光反射層３１５及び蛍光体ストライプ３１３はエミッタ電極の電位に対して１，５００Ｖ〜１０，０００Ｖの正の電位差を維持されている。電子放出素子３０９の組の１つが、エミッタライン３１０及びゲートライン３１１の適当に調整された電位によって適切に励起状態とされた場合、その組となった素子３０９は電子を放出し、それは、対応するストライプ３１３の蛍光体の、目標とする部分に向かって加速される。第４Ａ図には、このような電子群の１つが移動する軌道３１７が図解されている。対応するストライプ３１３の、目標とする蛍光体に衝突したとき、その放出された電子によって、これらの蛍光体が第４Ａ図の３１８によって表されるように光を発する。電子の中には、目標とする蛍光体でなく、発光構造体の他の部分に衝突するものが一定量存在する。目標点以外への電子の衝突に対する許容度は、縦列方向（即ち縦列に沿った方向）より横行方向（即ち横行に沿った方向）のほうが小さいが、これは各画素が３本の異なるストライプ３１３の蛍光体を含んでいるからである。暗隆起部分３１４によって形成されるブラックマトリクスは、横行方向の目標点を外れた電子の衝突を補償して、高い色純度と共にシャープなコントラストを提供する。第４Ｄ図は、第４Ａ図のＣＲＴの全体の断面図を示している。電気的に絶縁性の外壁３０４はプレート３０２及び３０３のアクティブ領域の外側の部分に設けられており、密閉されたケース３０１を形成している。外壁３０４は正方形若しくは長方形に配置された４つの各壁からなり、典型的には２ｍｍ〜３ｍｍの厚みを有するガラス若しくはセラミックからなる。第４Ｄ図に示したように、スペーサ壁３０８が外壁３０４の近くの領域まで設けられているのが一般的である。しかし、スペーサ壁３０８を外壁３０４に接触した形で設けることもできる。バックプレート３０３はフェースプレート３０２の向かい側に横向きに拡がる形で延在している。エミッタライン３１０及びゲートライン３１１に接続しているリードのような電子回路系（図示せず）は、バックプレート３０３のフェースプレート側の表面上で、外壁３０４の外側部分に取り付けられている。光反射層３１５は周囲の密閉部分を通して延在し、アノード／蛍光体電圧がかけられている接続パッド３１９に接続されている。第４Ｅ図は、第４Ａ図のＣＲＴディスプレイに於ける、発光ブラックマトリクス構造の一部の拡大図である。例示のために、第４Ｅ図に於ける暗隆起部分３１４は、主たる暗部分３１４ａ及び発光部分３１４ｂからなる形に図解されている。暗部分３１４ａはフェースプレート３０２と発光部分３１４ｂとの間にあり、第４Ｅ図の隆起部分３１４の全体に亘って延在している。発光部分３１４ｂは、透明な材料で作ることができる。第４Ｅ図では、蛍光体３１３とアルミニウムの光反射層３１５の間の境界部分に沿った蛍光体の表面の部分が粗くなっていても、アルミニウムの光反射層３１５の表面の、蛍光体３１３と層３１５の間の境界部分に沿った部分が滑らかであることも示している。第７Ａ図は、本発明の１つの実施例に基づくフラットパネルディスプレイ７００の一部の単純化した断面図であって、電界エミッタカソード（ＦＥＣ）構造体を有するフラットパネルディスプレイ７００に於いて、アノードスペーサ壁７０８が使用されているのを図解したものである。ＦＥＣ構造体は、電気的に絶縁性のバックプレート７０３上に形成された横行電極７１０を含む。絶縁体７１２（電気的に絶縁性の物質によって作られたもの）はバックプレート７０３上に形成されて、横行電極７１０を覆う。絶縁体７１２には、横行電極７１０に通ずる孔７１２ａが設けられている。エミッタ７０９は、孔７１２ａ内の横行電極７１０上に形成される。エミッタ７０９は円錐形で、エミッタ７０９の頂端部７０９ａは、絶縁体７１２の上面と丁度同じレベルまで延びている。他のタイプのエミッタも使用可能であることは理解されよう。縦列電極７１１は絶縁体７１２の孔７１２ａの周囲に設けられ、孔７１２ａの上を部分的に覆うように延在し、エミッタ上端部７０９ａと縦列電極との距離が予め定められた大きさとなっている。縦列電極７１１及びエミッタ上端部７０９ａは、フェースプレート７０２から空間によって隔てられている。ＦＥＣ構造体とフェースプレート７０２との間の空間は密閉されており、真空状態、即ちほぼ１０^-7ｔｏｒｒ以下に保たれている。蛍光体７１３は、ＦＥＣ構造体に面しているフェースプレート７０２の表面上に設けられる。エミッタ７０９は励起状態にされて電子７１４を放出し、その電子は空間に於いて加速されてフェースプレート７０２上の蛍光体７１３に衝突する。蛍光体７１３に電子７１４が衝突したとき蛍光体７１３は発光し、その光はフェースプレート７０２を通して見ることが出来る。アノードスペーサ壁７０８は、縦列電極７１１から延びてフェースプレート７０２に至り、フラットパネルディスプレイ７００内部の真空状態とその外部の大気圧との圧力差によって生ずる力に対抗すべくフェースプレート７０２を支持する。上記の実施例に於いては、スペーサは、カソードとフェースプレート上の蛍光体の被覆との間の電子の軌道に干渉してはならない。従って、スペーサ自身が電荷を帯びて電子を引きつけ、或いは反発して、許容範囲を越える程電子の軌道を歪めることがないように、スペーサ壁は十分な電気伝導性を有するものでなければならない。これ加えて、高電圧の蛍光体から大きな電流が流れて大きなパワーのロスを生ずることのないように、スペーサは十分に電気的絶縁性を有するものでなければならない。スペーサは電気的に絶縁性の物質で、その上に電気伝導性の物質の薄い被覆をなしたものから作られるのが望ましい。第９Ａ図は、本発明の実施例に基づくスペーサ壁９０８上に形成された被覆９０４を含むフラットパネルディスプレイ９００の一部を示す、第９Ｂ図の９ｂ− ９ｂで切った単純化された断面図である。第９Ｂ図はフラットパネルディスプレイ９００の一部を示す、第９Ａ図の９ａ−９ａで切った単純化された断面図である。フラットパネルディスプレイ７９００はフェースプレート９０２、バックプレート９０３及び側壁（図示せず）を有し、それらは内部が真空状態、即ちほぼ１×１０^-7ｔｏｒｒ以下に保たれた密閉されたケース９０１を形成している。収束リブ（focusing ribs）（または収束隆起部分）９０２がバックプレート９０３の内部表面上に設けられ、それは第９Ａ図の面に対して垂直となっている。フラットパネルディスプレイに於ける収束リブの使用及び構造は、詳細が、Spindt他を発明者とする「Field Emitte r with Focusing Ridges Situated to Sides of Gate」という表題の、米国特許の本出願人による同時係属出願に記載されており、その本発明に関係する部分を参照されたい。各対になった収束リブ９１２の間に形成される凹状部分に於いて、電界エミッタ９０９がバックプレート９０３の内部表面上に形成される。電界エミッタ９０９は、ほぼ１，０００のグループに形成されている。暗隆起部分９１１のマトリクスは、ケース内部９０１のフェースプレート９０２上に設けられ、詳細については第４Ａ図〜第４Ｅ図に関して前に記述したとおりである。蛍光体９１３は、隆起部分９１１の間の各凹状部分を部分的に埋めるように形成されている。アノード９１４は薄いアルミニウムのような電気伝導物質であって、蛍光体９１３上に形成される。スペーサ壁９０８は、バックプレート９０３に対してフェースプレート９０２を支持している。各スペーサ壁９０８の両端の間の表面には抵抗性の被覆９０４がなされるか、若しくはドーピングが施されているが、このことは以下に更に詳細に述べられている。抵抗性被覆９０４によって、スペーサ壁９０８上に電荷が帯びるのを最小化若しくは防止して、電子の流れ９１５を歪めることのないようにしているのである。各スペーサ壁９０８の一端は複数の隆起部分９１１に接触し、金属被覆エッジ９０５が設けられている。スペーサ壁９０８の反対側の一端は、複数の収束リブ９１２に接触し金属被覆エッジ９０６が設けられている。金属被覆エッジ９０５及び９０６は、例えばアルミニウム若しくはニッケルでできている。金属被覆エッジ９０５及び９０６によって、被覆９０４とフェースプレート９０２との間の、若しくは被覆９０４と収束リブ９１２との間の良好な電気的接続がなされ、それによってスペーサ壁９０４の両端の電圧が好ましく画定され、抵抗値の均一な接続がなされる。スペーサ壁９０８、被覆９０４及び金属被覆エッジ９０５の間の境界部分の形態は、様々なものが採用可能であるが、このことは以下に詳しく述べる。電極９１７は各スペーサ壁９０８の被覆をなされた（またはドーピングされた）表面上に形成され、エミッタ９０９からアノード９１４へと上昇する電位を「細分化」するのに用いられる。本発明の別の実施例に於いては、スペーサ壁９０８は電極９１７の無い形で形成される。各電界エミッタのグループ９０９は電子９１５をフェースプレート９０２の内部表面に向かって放出する。フラットパネルディスプレィ９００の一部として回路系（図示せず）が形成されるが、それは例えばＩＣチップ上に接続可能な形でバックプレート９０３の外面に設けられ、電極９１７の電位を制御するのに用いられる。各電極９１７の電位は電界エミッタ９０９からアノード９１４の高電圧まで直線的に電位が上昇するように設定されるのが一般的である。従って、電子９１５はフェースプレート９０２に向かって加速され、蛍光体９１３に衝突してフラットパネルディスプレイ９００から放射される光を発生する。最適な収束のために、第９Ａ図の面に於ける必要な等電位線は収束リブ９１２の近傍に於いて曲がった線を描き、収束リブ９１２から出てエミッタ９０９のある空間に入る形となっている。しかし、スペーサ壁９０９の存在がその位置、即ちスペーサ壁９０９の直線的な形をした底部に於ける等電位線に影響を与える。本発明によれば、スペーサ壁９０９の底部の近傍に電極９１７を設けることができ、所望の曲がった形状の等電位線を有する電界を形成することができる。第１０図は、電圧を縦軸に、電界エミッタ９０９からの距離９０７（第９Ｂ図）を横軸にとったグラフである。アノード９１４は電界エミッタ９０９から距離９１６だけ隔てられて設けられ、電界エミッタ９０９より高い電位（第１０図に於いてＨＶで表されている）を維持されている。スペーサ壁９０８の一つから離れた所にある電界エミッタ９０９のグループ、例えば電界エミッタ９０９ｂに対しては、スペーサ壁９０８は電界エミッタ９０９からの電子の流れ９１５に干渉することはなく、電界エミッタ９０９からアノード９１４への電位の変化は、第１０図に示すようにほぼ直線的である。電界エミッタ９０９とアノード９１４との間の電位の変化は各スペーサ壁９０８の近傍に於いても直線的であることが必要で、それによって電子の流れが歪められることがなくなる（即ち画像の質の低下を防げる）。しかし、電界エミッタ９０９ａのようにスペーサ壁９０８の１つの近くに設けられた電界エミッタ９０１のグループに於いては、隣接したスペーサ壁９０８によって電界エミッタ９０９からの電子の流れ９１５が干渉されることがあり得る。電界エミッタ９０９ａから発せられた浮遊電子９１５はスペーサ壁９０８に衝突して、一般的にはスペーサ壁９０８に電荷を蓄積することになる。スペーサ壁９０８に衝突する電子密度を（電流密度ｊ）所与のものとすると、スペーサ壁９０８の表面に蓄積する電荷の量はｊ・（１−δ）に等しくなる。δ≠１のとき、電荷の蓄積によってスペーサ壁９０８表面の電位が望ましい電位からずれることになり、スペーサ壁９０８からの電子の流れがゼロでなくなる。スペーサ壁９０８の電気伝導性が低い場合は、電位のずれはスペーサ壁９０８の近傍の電子の流れを歪めて、ディスプレイの画像の質を低下させることになる。一般的に言ってスペーサ壁９０８の近傍に於ける望ましい電位（電界エミッタ９０９からアノード９１４への直線的な電位の上昇に基づいて求められる）からの電位の偏差は以下の方程式で与えられる。 ΔＶ＝ρ_s・｛ｘ・（ｘ−ｄ）／２｝・ｊ・（１−δ）（１）ここで、 ΔＶ＝電圧の変化（Ｖ） ρ_s ＝スペーサ壁の面抵抗（Ω／□）ｘ＝最も近い電極との距離、０＜ｘ＜ｄ（ｃｍ）ｄ＝電極間の距離（ｃｍ）ｊ＝スペーサ壁の表面に流れる電流密度（Ａ） δ ＝二次電子放出比（無次元）である。上記の方程式に於いては、電流密度ｊがスペーサ壁９０８に均一に衝突し、スペーサ壁９０８の面抵抗ρ_sが均一であることが仮定されている。更に正確に言えば、方程式（１）は電流密度ｊがスペーサ壁９０８上の位置に依存していること、二次電子放出比δがスペーサ壁９０８上のその位置における正確な電位に依存していることを説明しているのである。方程式（１）に見られるように、電位の偏差ΔＶは２つの電極９１７の中間点で最大となり、（即ち｛ｘ・（ｘ−ｄ）／２｝という最大値をとる）ΔＶは電極からの距離の二乗に比例する。このため、更に電極を加えることによってスペーサ壁９０８近傍の電位のずれを最小化し、それによってフェースプレート９０２へ向かう電子９１５の流れの歪みを最小にすることができるのである。ｗの電極をｎ個、高さｈのスペーサ壁９０８に追加すると、フラットパネルディスプレイ９００の電力消費は減少するが、電力比は以下の式で与えられる。Ｐ_NEW／Ｐ_OLD＝（ｄ−ｎｗ）／｛ｄ・（ｎ＋１）²｝（２）例えば、４ｍｉｌの幅を有する４つの電極を高さｈが１００ｍｉｌのスペーサ壁９０８に追加すると、所与のΔＶ_maxに対する電力Ｉ²Ｒのロスはほぼ３０分の１程度となる。この更に効率的な電荷放出によって面抵抗ρ_sの値が高まり、電力消費を著しく節約することができるのである。他の利点としては、電極９１７が僅かに露出した形で設けられている場合、電極９１７によって電荷が大部分さえぎられ、電気を帯びないようにされている高抵抗の部分に電荷が衝突するのを防いでいることである。しかし、各追加された電極９１７によってディスプレイ９００の製造コストが上昇する。フラットパネルディスプレイ９００に含まれる電極９１７の数は、以下述べる要素の間のトレードオフの関係を考慮して選択される。方程式（１）から更に読みとれることは、電極９１５の数が所与の場合、面抵抗ρ_sが低下するにつれ電位の偏差ΔＶも低下し、二次電子放出比δは１に近づくということである。従って、スペーサ壁９０８の表面が、低い面抵抗ρ_s と１に近い二次電子放出比δを有することは望ましいことである。二次電子放出比δは下限が０で、上昇した場合は非常に高い数値を取りうるので、一般的には、二次電子放出比に関しては、低い値の二次電子放出比δを有する材料を選択するのが望ましいということが言える。第１１図は二次電子放出比を縦軸に、電圧を横軸に取ったグラフであって、２つの物質、即ち物質１１０１及び１１０２の特性を示したものである。物質１１０１のような高抵抗率の物質に対してはほとんどの場合、エネルギーが１００Ｖから１０，０００Ｖの範囲で二次電子放出比は１より大きい値（しばしば１よりずっと大きな値）となり、表面は正の電荷を帯びることになる。第４図に関して前に述べたように、アノード９１４はエミッタ９０９に対して１，５００Ｖ〜１０，０００Ｖの正の電位差を維持しているのが一般的である。更に、上記のように、スペーサ壁９０８は、好ましくは電気的に絶縁性（即ち高い抵抗率を有する）の物質から作られている。従って、スペーサ壁９０８は正の電荷を帯びる（そしてしばしば大きな電荷である）のが一般的であり、エミッタ９０９からの電子９１７の流れを弱めることになる。しかし、物質１１０２は、フラットパネルディスプレイ９００の電位の範囲に於いては二次電子放出比δが１程度に保たれている。電位の偏差ΔＶが１−δに比例して変化するので、スペーサ壁９０８の表面が物質１１０２でできている場合、スペーサ壁９０８の表面には電荷（正負を問わず）がほとんど蓄積されない。この結果、スペーサ壁９０８の存在が、電界エミッタ９０９とアノード９１４との間の電位差に影響を与えることがほとんどなく、従って、スペーサ壁９０８のために電子９１５の流れが歪められることが最小化される。本発明によれば、ケース内部９０１に向くように設けられているスペーサ壁９０８の表面は第１１図の材料１１０２によく似た二次電子放出比δの特性を有する材料で処理される。更に、この表面はスペーサ壁９０８の大きな抵抗と比較して低い抵抗値を持つ表面となるように処理され、電荷がスペーサ壁９０８から若しくはフェースプレート９０２からバックプレート９０３へ容易に流れるようにされ、かつその抵抗値はフェースプレート９０２上の高電圧蛍光体からの電流の流れが大きくなって大きな電力ロスとなるほど低いものではないものとされる。本発明の実施例の１つに於いて、スペーサ壁９０８はセラミック製であり、被覆９０４は二次電子放出比δが４より小さく面抵抗ρ_sが１０⁹と１０¹⁴Ω／□の間であるような材料によってなされる。更に別の実施例に於いては、被覆９０４に用いられる材料は、面抵抗ρ_sは前記の通りで、二次電子放出比δが２より小さいものである。この実施例に於ける被覆９０４は、例えば、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン、酸化バナジウム若しくはこれらの混合したものを材料として形成される。更に別の実施例に於いては、被覆９０４は酸化クロムによってなされる。被覆９０４の厚みは０．０５μｍと２０μｍとの間である。本発明の別の実施例に於いて、被覆９０４は、二次電子放出比δの大きさについては特に決まっていないが面抵抗ρ_sが１０⁹から１０¹⁴Ω／□である材料によって形成されたスペーサ壁９０８上の第１被覆を含んでいる。そして第１被覆の上には、二次電子放出比δが１つの実施例に於いては４より小さく、別の実施例に於いては２より小さいような第２被覆が形成される。第１被覆の材料としては、例えば、酸化チタンクロム、酸化シリコン若しくは窒化シリコンなどがある。第２被覆の材料としては、例えば、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン、酸化バナジウム若しくはこれらの材料の混合物などがある。被覆９０４の全体の厚みは０．０５μｍと２０μｍとの間である。本発明の更に別の実施例に於いて、スペーサ壁９０８はその表面にドーピングを施されて面抵抗ρ_sが１０⁹から１０¹⁴Ω／□の間となり、次に、二次電子放出比δが１つの実施例に於いては４より小さく、また別の実施例に於いては２より小さいような被覆９０４をなされる。ドーパントとしては、例えば、チタン、鉄、マンガン若しくはクロムなどが使用できる。被覆９０４は例えば、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン、若しくは酸化バナジウム、これらの材料の混合物などがある。１つの実施例に於いて被覆９０４は酸化クロムであり、その厚みは０．０５μｍと２０μｍとの間である。また別の実施例に於いては、スペーサ壁９０８はその表面に、面抵抗が１０⁹ と１０¹⁴Ω／□の間となるべく、濃縮ドーピングを施される。ドーパントとしては、例えば、チタン、鉄、マンガン若しくはクロムが使用できる。本発明の別の実施例に於いて、スペーサ壁９０８は部分的に電気伝導性セラミック若しくはガラスセラミック材料から作られる。上記の被覆９０４はスペーサ壁９０８上に何らかの適切な方法によって形成される。例えば被覆９０４は、よく知られた技術、例えば、熱若しくはプラズマ強化化学蒸着、スパッタリング、蒸発、スクリーンプリンティング、回転塗布機による塗布、噴霧若しくはディッピング（dipping）によって形成できる。どんな方法が使用されたとしても、面抵抗の均一性が±２％以内に収まるように被覆９０４を形成するのが望ましい。このために、被覆９０４を形成するにあたって、厚みを特定の誤差の範囲内に制御して行うのが一般的である。スペーサ表面の被覆を形成するための別の方法としては、第１のセラミック層に含まれる材料を利用することが上げられるが、このセラミック層はその後の焼成処理に於いて多少電気伝導性をもつようにすることができる。上記の実施例に於いて、スペーサ壁の表面に電荷が帯びるのを最小化若しくは防止するために行われるスペーサ壁の処理について述べた。スペーサ構造体、例えばスペーサ構造体６０８（第６図）を有する本発明の実施例に於いて、スペーサ構造体の電子が流れる開口部の表面は上記のように処理され、その表面が電荷を帯びるのを最小化若しくは防止している。第１２Ａ図から第１２Ｄ図はスペーサ壁の間の境界部分を図解した断面図であって、本発明のさまざまな実施例による抵抗性被覆、金属被覆エッジ、収束リブが示されている。各実施例の被覆は、第９Ａ図、第９Ｂ図及び第９Ｃ図に関して前に記述した被覆の１つである。各実施例に於いて、金属被覆エッジと抵抗性被覆の境界部分が正確に形状を定めて設けられるが、それは直線的な形状でカソードからの一定の高さを有しているので、バックプレートに平行な、スペーサ壁の長手方向に沿った基部に於いて、直線的な等電位線が画定される。以下に述べる本発明の実施例に基づく金属被覆エッジは、上記の抵抗性被覆９０４の形成に於いて使用した技術によって、スペーサ壁の表面のエッジ部分に形成される。第１２Ａ図に於いて抵抗性被覆１２０４は、スペーサ壁１２０８の側面１２０８ａ上に形成される。被覆１２０４は側面１２０８上に形成されるので、被覆１２０４は側面１２０８ａの末端部からはみ出して延在していない。金属被覆エッジ１２０６はスペーサ壁１２０８の末端面１２０８ｂ上に形成され、従って金属被覆エッジ１２０６は被覆１２０４からはみ出して延在していない。第１２Ｂ図に於いて、抵抗性被覆１２１４はスペーサ壁１２１８の側面１２１８ａ及び末端面１２１８上に形成されて、スペーサ壁１２１８全体を覆う。金属被覆エッジ１２０６はスペーサ壁１２１８の末端面１２１８ｂ上に形成された被覆１２１４の一部に接触するように形成され、金属被覆エッジ１２０６は被覆１２０４の端面からはみ出して延在しない。第１２Ｃ図に於いて、抵抗性被覆１２１４は、スペーサ壁１２１８の側面１２１８ａ及び末端面１２１８ｂに形成されて、スペーサ壁１２１８全体を覆う。金属被覆エッジ１２１６は、スペーサ壁１２１８の末端面１２１８ｂ上に形成された被覆１２１４の一部に接触する形で形成され、このとき金属被覆１２１６は被覆１２１４と重なり合い、被覆１２１４の角の部分に於いて正しく定められた高さまで延在する形で設けられる。第１２Ｄ図に於いて抵抗性被覆１２０４は、第１２Ａ図と同様にスペーサ壁１２０８の側面１２０８ａ上に形成され、このとき被覆１２０４は側面１２０８への末端部からはみ出して延在していない。金属被覆エッジ１２１６は、スペーサ壁１２０８の末端面１２０８上に形成された被覆１２０４の一部に接触する形で形成され、このとき金属被覆１２１６は被覆１２０４と重なり合い、被覆１２０４の角の部分に於いて正しく定められた高さまで延在する形で設けられる。上記のように、ケースの内部９０１に露出されているスペーサ壁９０８の表面上に電極９１５は間隔を置いて設けられている。これらの電極９１５に於ける電位は分圧手段によって設定される。分圧手段は被覆９０４若しくは抵抗性のストリップのどちらかであって、ディスプレイ９００のアクティブ領域の外側にあり、各電極９１５から伸びる電気伝導トレースと接続されている。各電極９１５に於いて望ましい電圧を得るために、その位置に於ける抵抗値を必要なだけ上昇させるべく、分圧手段の選択された位置に於ける材料の除去、即ち分圧手段の「トリミング（trim）」を行うことができる。トリミングは例えば分圧手段の材料をレーザーを用いて除去することによって実施される。別の方法として、選択された電気伝導トレースの１つからの材料の除去によっても実施することができるが、それは例えばケース９０１の外側の、ケース内部の電極９１５に伸びているトレースを、１つ若しくはそれ以上長さを短くすることによって、同様の効果を得ることができるのである。第１３Ａ図〜第１３Ｈ図（集合的に第１３図）、第１４Ａ図〜第１４Ｊ図（集合的に第１４図）、第１５Ａ図〜第１５Ｊ図（集合的に第１５図）、及び第１６Ａ図〜第１６Ｊ図（集合的に第１６図）は、第４Ａ図のＣＲＴディスプレイの発光構造体を製造するための４つの基本的な加工処理シーケンスを図解している。この加工処理を記述するのを容易にするために、第１３、１４、１５、及び１６図に於ける向きは、第４Ａ図に於ける向きと逆になっている。以下の加工処理に関する記述に於いて、方向に関する言葉、例えば上側及び下側などは第１３図〜第１６図に於ける図の向きに当てはまるものである。第１３図に示される加工処理シーケンスから始めると、スタート点はフェースプレート３０２である。フェースプレート３０２の内部表面は（即ちここでは上側のフェースプレート表面）、第１３Ａ図に示されるように粗くされ、ブラックマトリックスを形成する材料の反射性を低減する。この表面を粗くする工程は、フッ化水素酸溶液のような化学的エッチング剤若しくはハロゲンベースのプラズマエッチング剤を用いて実施されるのが一般的である。暗非反射フリットを形成することができるソーダガラスのスラリー３２１は、第１３Ｂ図に示されるように、フェースプレート３０２の上側表面上にスクリーンとして析出させられる。スラリー３２１は、１分間〜１２０分間の４００℃〜４５０℃での焼成（即ち加熱）によって硬化ソーダガラス層３２２に変換される。第１３Ｃ図を参照してもらいたい。ソーダガラス層３２２の、暗隆起部分３１４になることが予定されている部分の間に位置する部分は、適切なフォトレジストマスク（図示せず）を用いた化学的エッチングまたはプラズマエッチングによって、あるいは適当にプログラムされたレーザーを用いた溶除によって除去される。第１３Ｄ図は、ここまでの加工処理によって、ソーダガラス層３２２の残った部分が隆起部分３１４となっていることを示している。第１３Ｅ図に描かれているように、蛍光体ストライプ３１３ｒ、３１３ｇ、及び３１３ｂは、フェースプレート３０２の上側表面上の暗隆起部分３１４の間の形成される。詳述すると、赤、緑、及び青の３つの色の内の１つの光を発する、ポリマー、光合成剤、及び蛍光体粒子のスラリーは、フェースプレート３０２の上側表面上に配置される。このような色のうちの１つの色の蛍光体の粒子が配置されることが予定されている部位にあるスラリーの一部分は、適当なフォトレジストマスク（図示せず）を用いて、光化学線放射にさらされることによって硬化される。スラリーの残りの部分を流し去り、構造体はすすぎ洗いされる。この工程は残りの２つの色の光を発する蛍光体の粒子に対してそれぞれ繰り返して実施される。構造体は乾燥させられて、蛍光体ストライプ３１３の形成が完了する。ラッカーの層３２３が、蛍光体３１３及び隆起部分３１４上に噴霧によって形成される。ラッカー層３２３の上側表面は、第１３Ｆ図に示すように滑らかなものである。アルミニウムがラッカー層３２３上に蒸着されて、光反射層３１５が形成される。第１３Ｇ図を見てもらいたい。次に、構造体は約４５０℃で６０分間に亘って一部に酸素を含む大気の中で加熱され、ラッカー３２３が燃焼することにより除去される。第１４Ｈ図は完成した構造体を示している。ラッカー層３２３は滑らかな上側表面を有していたので、結果的に光反射アルミニウム層３１５も滑らかな下側表面を有することになる。第１４図に移ると、ここでのスタート点はやはりフェースプレート３０２であって、その表面は粗くなっている。第１５Ａ図を見てもらいたい。暗非反射金属の層３２５は第１４Ｂ図に示すようにフェースプレート３０２の上側表面上に配置されている。金属層３２５は、厚みが５０ｎｍ〜２００ｎｍのブラッククロム若しくはニオブからなるのが一般的である。厚いフォトレジスト層３２６が、第１４Ｃ図に示すように金属層３２５の上に形成される。フォトレジスト層３２６は例えばＭｏｒｔｏｎ社のＥＬ２０２６のようなポジのフォトレジストからなる。フォトレジスト層の厚みは２５μｍ〜７５μｍであって、典型的には５０μｍである。フォトレジスト３２６は選択的に光化学線放射にさらされて、隆起部分３１４に対するほぼ望ましい幅の溝３２７を形成するべく加工される。溝の幅は１０μｍ〜５０μｍであって、典型的には２５μｍである。第１４Ｄ図を参照すると、そこでは３２６ａがフォトレジスト３２６の残りの部分として示されている。溝３２７には選択的に金属が完全に若しくは殆ど充填された状態にされ、第１４Ｅ図に示すような金属の隆起部分３１４ｄが形成される。選択的充填は電気化学的析出処理（電気メッキ）によってなされる。金属隆起部分３１４ｄは黒若しくは光沢のない金属からなるものでも良い。隆起部分の金属としてはクロム若しくはニッケル−鉄合金などが一般的である。フォトレジストマスク３２６ａはその後除去されて、第１４Ｆ図に示すような構造体が形成される。金属隆起部分３１４ｄをマスクとして使用して、暗金属層３２４の露出部分は除去される。第１４Ｇ図に示されているのは、ここまでの加工処理でできあがった構造体において、暗隆起部分３１４ｅが金属層３２５の残りの部分であることである。各暗隆起部分３１４ｅ及び上層をなす隆起部分３１４ｄは、暗隆起部分３１４の１つを構成する。蛍光体ストライプ３１３及び光反射層３１５は、第１３図の加工処理と共に上で述べてきた方法によって、ここで形成された。第１４Ｈ図はストライプ３１３の形成を示したものである。ラッカー層３２３上に配置された層３１５は第１４１図に図示されている。第１４Ｊ図は、ラッカー層３２３が燃焼させられて除去された後の完成した発光構造体を示したものである。第１５図の加工処理シーケンスのスタート点は、透明な電気絶縁性の平らな本体（若しくはプレート）３２９であって、これは典型的には、概ね均一な組成を有するガラスでできている。第１５Ａ図をみてもらいたい。サンドブラストマスクのような効果を有する材料でできたパターンをなす層３３０は、第１５Ｂ図に示すように透明な本体３２９の上側表面上に形成される。マスク層３３０はサンドブラストマスク材料の被覆層（blanket）を本体３２９上に設けることによって形成され、その後本体３２９の表面の露出した部分にマスクエッジングを施すことによって被覆層の一部を選択的に除去する。透明な本体３２９のマスク３３０を通して露出した部分を特定の深さまで除去するべく、選択的な除去が実施される。第１５Ｃ図は、本体３２９の残りの部分がフェースプレート３０２及び上層をなすパターンをなす隆起部分３１４ｆからなる、ここまでの加工処理の結果出来上がった構造体を図解したものである。除去処理はサンドブラストによってなされる。サンドブラストを実施している間、マスク３３０は腐食させられて取り除かれる。サンドブラストが終了したときにマスク３３０が残っている場合は、その残りのマスク３３０は第１５Ｄ図に示すように除去される。暗色の材料でできた層３３１は、この構造体の上側の表面上に配置されたスクリーンである。第１５Ｅ図を見てもらいたい。暗色の材料は暗色のガラス若しくは暗色の金属からなる。フォトレジストマスク３３２は、第１５Ｆ図に示すように隆起部分３１４ｆの真上にある暗色の層３３１上に形成されるのが一般的である。マスクの不整合を回避するため、フォトレジストマスク３３２はフォトマスクレチクルを使用して作られるのが一般的であり、このレチクルはネガフォトレジストのためのサンドブラストマスク３３０若しくはポジフォトレジストのためのネガのマスクを作るときに使用されるものである。暗隆起部分３１４ｇは、暗色の層３３１の露出部分を取り除くことによって隆起部分３１４ｆの上にそれぞれ形成される。第１５Ｇ図は、フォトレジスト３３２を除去した後の構造体を図解したものである。各隆起部分３１４ｇ及び下層をなす隆起部分３１４ｆは暗隆起部分３１４の１つを構成する。発光構造体は、第１４図の加工処理によって上記のような方法で完成する。特に、蛍光体ストライプ３１３は、第１５Ｈ図に示すように隆起部分３１４の間に形成される。第１５１図は、光反射層３１５がラッカー３２３の上に形成されることを示している。ラッカー３２３を燃焼させて除去させた後の完成した構造体は、第１５Ｊ図に於いて示されている。第１３図から第１５図に示される既に述べた加工処理の１つによって、第４Ａ図のＣＲＴカソード構造体を製造した後、スペーサ壁３０８及び外壁３０４は、カソード構造体と発光ブラックマトリックス構造体との間に適切に配置され、一方でディスプレイの部品はポンプで気圧を１０^-7ｔｏｒｒ以下に下げられた小室に入れられる。その後、ディスプレイは３００℃〜６００℃、典型的には４５０ ℃の下で密閉状態にされる。暗隆起部分３１４は、上記のように３００℃〜７００℃の範囲の温度（この温度は隆起部分の材料が金属、ソーダガラス、若しくはガラスのどれかによって決まる。）に於いて軟化する。隆起部分が軟化する温度は、ディスプレイを密閉する温度とほぼ同じかそれよりやや低い温度に選択されるのが一般的である。この結果、スペーサ壁３０８は密閉処理の間に隆起部分３１４に僅かに食い込むことになる。これによって、壁３０８の間の高さの違いを補償する。隆起部分を軟化させる温度がディスプレイを密閉させる温度よりも高い場合は、暗隆起部分３１４をＣＲＴディスプレイを密閉する直前に予め軟化させておくことが出来る。この場合、スペーサ壁３０８は密閉処理の間に再び隆起部分３１４に僅かに食い込み、スペーサ壁の高さの違いを補償することになるのである。本発明の特定の実施例について述べてきたが、この記述は単にここで図解したものに基づいたものであり、請求項に述べる発明の範囲はこれに限られるものではない。例えば、第１５図の加工処理シーケンスに於ける暗隆起部分３１４は、加工処理シーケンスの初めに透明な本体の頂部に暗色材料の層を設け、その後、隆起部分の上側部分３１４ｇを形成する過程を省略することによって、暗色部分を隆起部分の頂部から底部へ移動させることが出来る。追加的に平行に設けられた暗非反射隆起部分は、フェースプレート３０２上に形成されて、隆起部分３１４に対して垂直に延在する形となる。蛍光体ストライプ３１３は、蛍光体粒子の代わりに薄い蛍光体の薄膜からも製造することができる。また発光領域３１３は、蛍光体（この場合は粒子でも薄膜形状でもかまわない。）以外の素子によって形成することも出来る。フェースプレート３０２のすぐ近くに配置された透明なアノードは、光反射層３１５の代用として、若しくはそれと共に使用することができる。このようなアノードは、酸化インジュウム−錫のような透明な電気伝導物質の層からなるのが一般的である。フェースプレート３０２と、存在する場合には隣接して設けられる透明なアノードとは、発光ブラックマトリックス構造体の本体部分を構成する。このように、請求項に記載の本発明の範囲及び精神を逸脱することなく当業者は様々な改変をなし得るであろう。Detailed Description of the Invention Flat with internal support structure and / or raised black matrix Panel deviceBackground of the Invention 1. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to flat panel devices such as flat CRT displays. The invention also relates to the techniques used in the manufacture of flat panel devices. 2. Related technology In recent years, a lighter and more bulky alternative to the older deflected beam CRT displays Flat CRT display (flat panel (Also known as Le Display) have been made. In addition to flat CRT displays, other flat panel displays, such as For example, plasma displays have also been developed. In flat panel displays, faceplate, The backplate, and the perimeter of the faceplate and backplate The connection wall provided so as to surround the portion forms one enclosure case. Fl In the panel display, the inside of the case is kept in a vacuum state. For example, for a flat CRT display, it is almost 1 x 10^-7to torr It is kept. On the inner surface of the face plate, the display Phosphor pattern or phosphor-like light-emitting device defining an upper active area Coating is provided. Does the light emitting element emit light? The cathode element adjacent to the plate is excited and emits electrons. This is accelerated toward the phosphor on the face plate, and the phosphor emits light. The light on the outer surface (viewing surface) of the faceplate. And will be seen by the viewer. In the display, the electron-emissive element is selectively excited to emit electrons. The emitted electrons are directed to the phosphor on the face plate. These phosphors are electrons Emits light that can be seen on the outside surface of the faceplate when it strikes Is. The electrons emitted from each electron-emitting device are emitted only to the target phosphor It is supposed to collide. However, among the emitted electrons, a certain number of Others may hit other parts of the surface plate than the targeted phosphor. Fe In order to improve the contrast in the space plate, The matrix of non-reflective areas that do not emit light substantially when It is provided in a dispersed form. For color displays, this black Trix also improves color purity. The fluorescent area has a face It is provided in a form that is more raised than the rate. Since the inside is close to a vacuum, Pressure is applied, but this depends on the pressure difference between the internal vacuum state and the external atmospheric pressure. Because it's big enough to collapse a flat panel display without it. . Diagonal lengths greater than approximately 1 inch (diagonal lines are separated from each other in the active area) For a rectangular display with opposite corners (distance between corners) Due to the large ratio, the faceplate is especially sensitive to the effects of this type of mechanical damage. It is easy to receive. Here, the aspect ratio is the width, for example, of the connecting walls facing each other. The distance, or height, between the parts surfaces, for example the inner surface of the back plate and the face plate. It is defined by the distance of the rate from the inner surface divided by the thickness. F The faceplate or backplate of the rat panel display is The panel display may also be damaged due to the impact of external force . In order to support the face plate and / or the back plate from the inside, Spacers have been used. Conventional spacers are wall-shaped or column-shaped and Pixels in the active area of the display (up to It is provided between the phosphor regions forming small units). Spacers are formed by photopatterning of polyimide. Has been made. However, we have found that polyimide spacers are not suitable. And why (1) Insufficient length, (2) Used for face plate Typical materials (glass) and typical materials used for back plates (eg Glass, ceramic, glass-ceramic or metal) and addressing grease Typical materials used in addressing grids (eg glass-ceramics) (Or ceramic or ceramic), the coefficient of thermal expansion cannot be matched. Causing problems with stars, (3) Polyimide in a state close to vacuum Gas release may occur when used in. Although glass spacers have been used for the spacers, the glass has sufficient strength. Not always. Furthermore, there are micro cracks peculiar to glass, which easily Glass spacers are better than (ideal) glass because they tend to spread throughout. It becomes even weaker. In addition, no matter what material is used for the spacer, The presence of spacers adversely affects the flow of electrons towards the faceplate. There are things to do. For example, stray electrons generate static electricity on the spacer surface, By forming a voltage distribution different from the voltage distribution near the spacer, Will be distorted and the image displayed on the display will be distorted Of.Summary of the Invention In accordance with the present invention, the flat panel device includes a spacer that provides internal support. Have. Especially for devices that operate with low pressure inside, this spacer Due to the pressure difference between the low pressure state of the section (eg below atmospheric pressure) and the external atmospheric pressure. Prevents the device from being destroyed by the stress caused by This spacer is The device is internally supported even with respect to the stress generated by impact. In addition to this Also, the spacer surface inside the case prevents static electricity from being generated on the spacer surface. Or, it is processed so as to be minimized. As a result, the spacer is close to the spacer. Eliminates adverse effects on nearby electron flow and eliminates image distortion on the device. . In one embodiment of the present invention, the surface of the spacer is provided with a coating, This coating has a secondary electron emission ratio δ of less than 4 and a sheet resistance of 10⁹Ω / □ and 10¹⁴Ω It consists of substances that take values between / and. The material forming this coating is oxidized It is selected from ROM, copper oxide, titanium oxide and vanadium oxide. In another embodiment of the invention, the spacer surface is provided with a first coating. First The second coating is on top of the first coating. The first coating has a surface resistance of 10⁹Ω / □ and 1 0^FourMade by substances that take values between Ω / □. The second coating is the secondary electron emission Made by a material with a ratio δ less than 4. In another embodiment of the invention, the spacer surface is provided with a first doping. The surface resistance of the surface is 10⁹Ω / □ And 10¹⁴A spacer table which is adapted to have a value between Ω / □ and is then doped The surface is coated with a material having a secondary electron emission ratio δ of less than 4. Coating Eggplant material selected from chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide and vanadium oxide To be done. In another embodiment, the surface resistance of the spacer surface is 10⁹Ω / □ and 10¹⁴ Doping is performed on the spacer surface so as to obtain a value between Ω / □. The spacers are made of ceramic, for example, and are used for spacer walls or spacer structures. However, the spacer wall and spacer structure must be combined. Can also be. The flat panel device also has a light emitting means. In addition, flat panel equipment The device can also include a field emitter cathode or a thermionic cathode. It In yet another embodiment of the present invention, one or more electrodes are Is provided on the surface of the spacer. For example, electrodes are spacers and back plates Can be installed near the boundary of the Controlled to obtain the desired voltage distribution, which results in imperfections in surface treatment, or Deflection electron flow to desired shape to correct distortion caused by spacer misalignment To do. In another embodiment, the desired internal surface of the backplate is desired. This electrode can also be provided in a serpentine shape in order to obtain a voltage distribution. By forming the voltage dividing means, the voltage of each electrode is set. In one of the examples In this case, the voltage dividing means has a resistive coating formed on the surface of the spacer. oating). The sheet resistance of the coating is adjusted to obtain an accurate voltage at each electrode. It must be. In yet another embodiment of the present invention, a strip of electrically conductive material (metal The edge metallization is the end face of the spacer surface and the back plate. Formed between them so that they come into intimate contact over the entire spacer There is. Metallized edges if the spacer has a resistive coating on the surface Are electrically connected to the resistive coating. In this case, metallized edges and resistive coatings Ensures that the interface between them is a constant distance from the inner surface of the back plate. It is provided in. Similarly, the metallized edge is between the faceplate and the spacer. Make a good connection between the faceplate and the end face of the spacer to make a good electrical connection. Is made. In the method of assembling the flat panel device according to the present invention, the flat panel device is assembled. Install a spacer between the back plate and face plate of the The spacer surface is treated to prevent or minimize the charging of the surface. , A metal coating edge that forms the electrical connection between the spacer and the back plate. It is provided on the end surface of the spacer, and the back plate and the spacer are enclosed so that the spacer is enclosed inside. Source The device is assembled by sealing with the plate. Do not treat the spacer surface To form a resistive coating or coating, by doping the surface, By both surface doping and resistive coating or coating formation, or by firing And then reduce the surface. Further, the present invention may be used in optical devices such as flat panel CRT displays. And a light emitting structure suitable for being installed. The light emitting structure of the present invention has a main body (ma in section), along with the raised section along the A plurality of light emitting regions provided in a portion between the raised portions. The light emitting area is When a child collides, it emits light. On the other hand, the bumps are virtually Does not emit light. In addition, the raised portion rises further from the main body than the light emitting area. It has a shape. Each raised portion spans the entire width of the raised portion and at least a portion of its height. Includes a dark area that substantially surrounds it for minutes. For the pattern of the raised part Thus, a raised black matrix is formed, which is the contrast of the light emitting structure. Improve strike. Selectively emits light of two or more colors in the light emitting area In this case, the raised black matrix also has the effect of increasing the color purity. The light emitting structure of the present invention can be manufactured according to various techniques. Technique of the present invention One of the surgical groups is to apply a portion of a given layer of material in the raised portion to the body portion of the light emitting structure. Select along The pattern of the raised portion is processed by a process that includes a process of removing It is formed along the body part. According to another technique according to the invention, the body ( part of the body) is selectively removed to a certain depth and the rest of the body is not removed The portion may be formed to include the body portion and the raised portion of the light emitting structure.Brief description of the drawings FIG. 1 shows a flat panel including a thermionic cathode according to one embodiment of the present invention. It is a perspective view of the panel display, showing the inside by cutting off a part of the surface layer. Things. 2A and 2B show a flat panel device according to one embodiment of the present invention. A simplified cross-sectional view of the display, illustrating the use of spacer walls. It is a thing. 2A is a sectional view taken along line 2b-2b of FIG. 2B, FIG. 2B is a sectional view taken along line 2a-2a in FIG. 2A. FIG. 3 illustrates a flag including a field emission cathode according to one embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view of a front panel display, showing a part of the surface layer cut away to show the inside. It is what FIG. 4A is a detailed perspective sectional view of a portion of the flat panel display of FIG. Is. FIGS. 4B and 4C are illustrations of the display of FIG. FIG. 2 is a plan view of parts of each part, 4B is a view seen from the direction of arrows c and d in FIG. 4A. FIG. 4D is a cross-sectional view of the entire flat panel CRT display of FIG. 4A. is there. FIG. 4E is centered on the black matrix of the CRT display of FIG. 4A. FIG. 6 is an enlarged sectional structural view of a part of the above. FIG. 5 is a detailed view of a portion of FIG. 2B showing alignment of spacer walls in accordance with the present invention. This is an illustration of the means. FIG. 6 illustrates a spacer wall and spacer structure according to one embodiment of the present invention. FIG. 2A illustrates a flat panel display including a simple view from the same direction as FIG. 2A. It is the converted sectional view. FIG. 7A shows a field emission cathode and spacer according to one embodiment of the invention. FIG. 6 is a simplified cross-sectional view of a portion of a flat panel display including a wall. FIG. 7B shows a field emission cathode, spacer, according to one embodiment of the invention. Second part of a flat panel display including walls and addressing grid It is the simplified sectional view seen from the same direction as FIG. FIG. 7C shows a field emission cathode, spacer, according to one embodiment of the invention. Structure, and part of a flat panel display that includes an addressing grid FIG. 2B is a simplified cross-sectional view seen from the same direction as FIG. 2A. FIG. 8 shows a flap having a curved face plate and back plate. In the touch panel display, A second illustrated spacer is used according to one embodiment of the invention. It is the simplified sectional view seen from the same direction as FIG. 9A and 9B show a flat panel device according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a simplified cross-sectional view of the display, showing the coating formed on the surface of the spacer wall. It is illustrated. 9A is a sectional view taken along line 9b-9b in FIG. 9B. FIG. 9B is a sectional view taken along line 9a-9a of FIG. 9A. FIG. 10 shows the voltage on the vertical axis with respect to the base plate provided with the field emission device. Is a graph in which the horizontal axis represents the distance between the field emission device and the base plate in the vertical direction. It FIG. 11 is a graph showing the secondary electron emission ratio on the vertical axis and the voltage on the horizontal axis. It shows the characteristics of two substances. Figures 12A-12D illustrate the interface between spacer walls and are similar to those of the present invention. Focused on the metallization and raised portion of the backplate according to various embodiments It is sectional drawing. FIGS. 13A to 13H show the light emitting black matrix of the display of FIG. 4A. It is sectional drawing which showed the manufacturing process of the structure. 14A to 14J and 15A to 15J show the display of FIG. 4A. FIG. 6 is a cross-sectional view showing different manufacturing steps of the light emitting black matrix structure of Ray. It 16A to 16J show the display of FIG. 4A. It is sectional drawing which showed another manufacturing process of the light emitting black matrix structure. In the above figures, corresponding parts are designated by the same reference numerals.Detailed Description of the Invention Hereinafter, an example of the present invention will be described for a flat CRT display. Book The invention is not limited to flat panel displays, such as plasma displays or It will also be appreciated that it is applicable to vacuum fluorescent displays. Furthermore, the book The invention is not limited to use in displays, for example optical signal processing. Or other such as phased array rader devices Optical addressing used to control other devices, and the reproduction of images on other media Used for other purposes such as image scanning in copiers and printers. It can also be applied to a rat panel device. In addition, the invention is rectangular Flat panel devices with no screen shape, for example circular or car Has a special shape, such as that used on a board or control panel of an aircraft It can also be applied to screens. Here, the flat panel display means a face plate and a back play. Is a display that is substantially parallel to the Thickness measured in a direction substantially perpendicular to the splat and backplate , Which is smaller than the thickness of a conventional deflected beam CRT display. In general, flat panel displays are less than 5.08 cm (2 inches) thick However, it is not necessarily limited to this. Often flat panel displays The thickness of b is substantially 5.08 cm or less, for example, 0.64 cm to 2.54 cm. It is about cm (0.25 to 1.0 inch). As used herein, the term "spacer" refers to the inside of a flat panel display. It is a general term for those used as a support from the inside. In this statement In certain embodiments of the invention, the spacer is a "spacer wall" or "spacer". "Structure". In other words, "spacer" means "spacer wall" and "spacer". "Surface structure" together with all other structures having the above-mentioned spacer function. Is. Generally, the spacer walls and spacer structures of the present invention are made of thin materials. Therefore, this material can be processed as it is in an untreated state, and it is subjected to a certain treatment. By doing so, it becomes hard and highly rigid. This material is used in a vacuum environment. However, it must be applicable. In addition, spacer walls and spacer structures The body has a thermal expansion coefficient that closely matches the coefficient of thermal expansion of the face and back plates. Made from material with modulus. Matching thermal expansion coefficient means spacer wall, The face plate and back plate are The heating and cooling that occurs when the rat panel display is assembled and operating. It means that it expands or contracts to about the same extent as it does. As a result , Spacer wall, face plate and back plate Compatibility will be maintained. What can happen if the coefficient of thermal expansion does not match The spacer wall or spacer structure of the anode against the faceplate. The phosphor may be damaged by moving the If stress is generated in the play and damages the parts in the display. (Including that the vacuum condition in the play is lost), or the spacer wall It is possible that things will break. In one embodiment, the spacer walls are made of ceramic or glass-ceramic material. Made by fees. In another embodiment, the spacer walls are ceramic tape. Made from. Hereinafter, in the description of the embodiments of the present invention, spacer walls or spacers will be described. Ceramic or ceramic tape and slurry as the material for the Shall be used. Other materials include ceramic toughened glass, opaque glass and flexible matte. Rix structure amorphous glass, electrically insulating coating Made of metal or polyimide compatible with high temperature vacuum can be used Noh. In general, the material of the spacer according to the present invention requires (a) a thin layer. That can be (B) the layer becomes flexible in the fired state, (c) not fired Possibility to punch one layer or several layers together in a state, (D) A conductor can be provided in a required portion of the opened hole, and (e) firing Be able to accurately provide electrically conductive traces on the surface of untreated layers , (F) several layers can be laminated and at least during final heating That they can be bonded to each other; Heat on face and back plates made from materials such as glass Have a coefficient of thermal expansion that substantially matches the coefficient of expansion; The laminated structure having high rigidity and toughness, and (i) a structure subjected to firing treatment Conforms to a vacuum condition, and (j) the fired structure is used as a cathode of the CRT. It does not contain detrimental substances, (k) all materials and manufacturing processes That a strike can be practical. In this description and in the claims that follow, the word "ceramic" is often used However, this is in context with ceramic tape or ceramic layers or ceramics. Means a seat. In other words, this word is a well-known glass-ceramic Tape, devitrified glass tape, ceramic glass tape, ceramic tape young Means other tape, and other tape means plastic. Union It has an agent and particles of ceramic or glass, and is in a state where it is not baked. It has flexibility and can be processed, and it is hardened and hardened by firing. But it is flexible from the beginning and finally hard and rigid Any equivalent material that can be processed to a high temperature can be used. Ceramic tape consists of ceramic particles, amorphous glass particles, binder and Made from a mixture of plasticizers. Initially, the mixture was a slurry and It can be molded into a mold instead of being formed into a lamic tape. Sera Mick tape can be made from slurry in the unfired state, A deformable material that can be easily molded or cut into the desired shape. The ceramic tape is made into a thin sheet, and its thickness is, for example, 0.3 mi. It is about 1 to 10 mil. A ceramic table that can be used in the practice of the present invention. Examples of those available in Coops, Chattanooga, Tennessee, USA Electronic Package, Catalog No. CC-92771 / 777 and CC-LT20, or a tape substantially equivalent to this ceramic tape. There is a loop. Other examples of low temperature glass-ceramic materials that can be used for the purposes of the present invention include: , DuPont's Green Tape. Green tape is very Thin sheet Available in shapes (eg about 3 to 10 mils) and relatively low Can be fired at a temperature of about 900 ° C to 1000 ° C, but not fired It contains a plasticizer that gives excellent processability in the state. Green tape is ceramic A mixture of particles and amorphous glass, also in the form of particles, further comprising a binder and It is a product containing a plasticizer. U.S. Pat. Nos. 4,820,661 and 4,867,9 35 and 4,948,759. The ceramic tape before firing is formed by the method as described below, Spacer walls and spacer structures can be manufactured on the basis. Ceramic tee After molding, the mold is fired. The firing process consists of two stages. In the first stage The tape is heated to a temperature of about 350 ° C to burn the binder and plasticizer from the tape. I will lose it. In the second stage, the tape is at a constant temperature (ceramic composition). Heated to a temperature between 800 ° C and 2000 ° C) at a temperature determined by The particles of sinter to form a tough, dense structure. The spacer wall is assembled into a flat panel display as follows. Su The trip has the required length and width in a flat panel display and Made by cutting from a sheet of unmade ceramic tape. Baking treatment The advantage of using uncertain ceramic or glass-ceramic is that Lip slitting It can be easily made by (Slitting) or punching. this The strip is fired. The fired strip (spacer wall) is The base plate and the back plate are arranged at appropriate predetermined positions. The spacer walls are held in place during assembly to keep the faceplate and backplane in place. Aligns properly with the card. Spacer wall strips are made of fired ceramic or glass ceramic. You can also make it from the seat of the hook. The fired sheet is covered (see details Described below) and processed into strips that form the spacer walls. . Alternatively, after processing the fired sheet into strips, It is also possible to form a coating. FIG. 3 shows a flat panel display 300 which is one embodiment of the present invention. It is a perspective view, and a part of the surface layer is cut away to show the inside. Hula The display panel display 300 includes a face plate 302 and a back plate 3. 03 and a side wall 304, which form a sealed case interior 301 In a vacuum state, for example, approximately 1 × 10^-7It is kept below torr. Su Pacer wall 308 supports face plate 302 against back plate 303 To do. The field emission cathode 305 is a backpack inside the case 301. Formed on the surface of the rate 303. As described in more detail below, The tandem electrodes (not shown) allow the emission of electrons from the cathode emitters (not shown). Control. Similarly, as described in more detail below, the electrons are accelerated and become Towards the inner surface (eg anode) of the coated faceplate 302 . The IC chip 310 controls the voltage of the horizontal and vertical electrodes to control the face plate 3 A drive circuit that regulates the flow of electrons to 02 is included. Electrical conduction trace (not shown) Are used to make electrical connections between the circuitry on the chip 310 and the row and column electrodes. It FIG. 4A illustrates a portion of a flat panel color CRT display. , Of the field emission cathode with a black matrix provided in a raised form It has an area. The CRT display of FIG. 4A is a transparent, electrically insulating flat panel. Face plate 302 and electrically insulating flat back plate 303 Having. The inner surfaces of plates 302 and 303 face each other and In terms of mold, they are separated by 0.01 mm to 2.5 mm. Face plate 302 It is typically made of glass with a thickness of 1 mm. The back plate 303 Made of glass ceramic or silicon, typically 1mm thick It A group of laterally spaced insulator spacer walls 308 are plates. Located between 302 and 303 There is. The spacer walls 308 extend parallel to each other at regular intervals, and It is provided in a direction perpendicular to 02 and 303. Each wall 308 is typically It is made of ceramic with a thickness of 80 μm to 90 μm. Also, the wall 308 The distance between the center lines of the center lines is typically 8 mm to 25 mm. Further below As discussed, the wall 308 constitutes an internal support, between the plates 302 and 303. The spacing remains substantially uniform across the active area of the display. The field emission cathode structure 305 in the patterned region is backlit. Is disposed between the spacer 303 and the spacer wall 308. FIG. 4B is a diagram of FIG. 4A. Draw the layout of the field emission cathode structure 305 viewed from the direction indicated by arrow C. It was what I had. The cathode structure 305 is a large glue of the electron-emitting device 309. And a metal emitter electrode (called a base electrode) provided in a pattern Sometimes divided into curvilinear lines 310 of substantially the same shape, and The metal gate electrode is divided into linear lines 310 having substantially the same shape, and The electrically insulating layer 312 is formed. The emitter electrode line 310 is disposed on the inner surface of the back plate 303. , Extend parallel to each other at uniform intervals. Of the center line of each emitter line 310 The spacing is typically 315 μm to 320 μm. Line 310 is the source Formally made of molybdenum or chromium having a thickness of 0.5 μm It Each line 310 typically has a width of 100 μm. The insulating layer 312 is Of the back plate 303 adjacent to the line 310 and laterally adjacent to the line. It is provided above. The insulating layer 312 is typically a dioxide having a thickness of 1 μm. Composed of silicon. The gate electrode lines 311 are disposed on the insulating layer 312 and are parallel to each other and evenly spaced. It extends every other distance. The interval between the center lines of the gate lines 311 is typically 105- It is 110 μm. Gate line 311 is oriented orthogonal to emitter line 310 Has been extended to. The gate line 311 is typically 0.02 μm to 0.5 μm. Formed from a titanium-molybdenum composite material having a thickness. Each line 311 is a reference It typically has a width of 30 μm. The electron-emitting device 309 is laterally spaced on the inner surface of the back plate 303. Arranged in the form of an array of arranged multi-element sets There is. More specifically, each set of electron-emitting devices 309 has one of the gate lines 311. In some or all of the protruding regions that intersect with one of the emitter lines 310, Is disposed on the inner surface of the back plate 303. The spacer wall 308 is an electron It is provided in the region between the pair of emission elements 309 and in the region between the emitter lines 310. It extends in the direction of expansion. Each electron-emitting device 309 has an opening (shown in the drawing) of the insulating layer 310. Field emitter extending through the lower emitter line 31. It is connected to one of 0. The top (or top) of each field emitter 309 is Dew through one corresponding opening (not shown) in the upper gate line 311. Has been issued. The field emitter 309 can be of various shapes, such as nail-shaped filaments or cones. It can be provided in a shape. The shape of the field emitter 309 is such that the material is It is not material specific as long as it has child emission properties. Emitter 30 9 can be manufactured by various processes, but these processes are 199 “Structure and Fabrication of Filed by Macaulay et al. Filamentary Field-Emission Device, Including Self-Aligned Gate ” US patent application Ser. No. 08 / 118,490, and November 24, 1993 Field-Emitter Fabrication Using Charged-Part filed by Spindt et al. US Patent entitled "icle Tracks, and Associated Field-Emission Devices" It is disclosed in application Ser. No. 08 / 158,102. Application for the present invention No. 08 / 118,490 and 08 / 158,102 patent application contents Please refer to. The light emitting structure including the black matrix is the face plate 302 and the spacer wall. And 308. The light emitting structure comprises a light emitting region 313, and substantially Without reflecting light It consists of dark ridges 314 having the same shape. Figure 4C shows 4A depicts the layout of the light emitting structure as viewed from the direction indicated by arrow D in FIG. It is a thing. The light emitting region 313 and the dark raised portion 314 are both formed on the face plate 302. Located on the inner surface. The light emitting area 313 is disposed between the dark raised portions 314. It is placed (the opposite can be said). Electrons are emitted to the region 313 and the raised portion 314. When the electrons emitted from the output element 309 collide, the light emitting region 313 is changed to various regions. Emits color. The dark ridge portion 314 substantially emits light as compared with the light emitting region 313. Instead, the black matrix for the region 313 is formed. More specifically, the light emitting regions 313 are formed in the gate lines 31 at equal intervals in parallel with each other. Fluorescent light that extends in the same direction as 1 and is provided in the shape of a linear stripe with the same width. It consists of a body. Each phosphor stripe 313 typically has a width of 80 μm. The thickness (or height) of the phosphor stripe 313 is 1 μm to 30 μm, which is typical. Is 25 μm. The phosphor stripes 313 are stripes of substantially the same shape that emit red (R) light. Leip 313r and a plurality of struts of substantially the same shape which emit green (G) light. Ep 313g and a plurality of substantially the same shape strikes that emit blue (B) light. 313b. Phosphor stripes 313r, 313g, and 31 3b is formed by repeating three kinds of stripes 313 as shown in FIG. Kera Be done. Each phosphor stripe 313 starts from the corresponding one of the gate lines 311 It is arranged in a cross shape. As a result, the distance between the center lines of stripes 313 is It becomes equal to that of the start line 311. The dark raised portions 314 are also parallel to each other and are equally spaced apart from the gate lines 311. Extending in the direction. The spacing between the center lines of the raised portions 314 is also the same as the line 3 It is equal to that of 11. The ratio of the average height to the average width of each dark ridge is 0.5- It is in the range of 3, typically 2. The average width of the raised portion 314 is 10 μm to 50 μm, typically 25 μm. The height of the raised portion 314 is 20 μm ˜60 μm, typically 50 μm. The average height of the dark raised portion 314 is equal to the thickness of the phosphor stripe 311 (or The height is at least 2 μm larger. The typical case described above On the other hand, the raised portions 314 are raised by 25 μm higher than the stripes 313. Obedience The raised portion 314 is different from the stripe 313 from the face plate 302. It has a more raised shape. Each raised portion 314 is dark, occupying at least a portion of its width and height. It contains non-reflective areas (which are virtually black). FIG. 4A shows these dark non-reflective areas. Occupies the entire height of the raised portion 314. In the figure after this Indicates that the dark non-reflective area is part of the height of the ridge. Illustrates an example that occupies only. The choice of materials for the dark ridge 314 is wide. The raised portion 314 is made of nickel or black. It can be formed from metals such as aluminum, robium, gold, and nickel-iron alloys. . The raised portion 314 is made of glass, soda glass (or frit), or ceramic. , And electrical insulators such as glass ceramics, semiconductors such as silicon and charcoal. It is also formed by a material such as silicon oxide. Mixtures of these materials also bulge It can be used as a material for the portion 314. If the raised portion 314 is made of metal, it has a temperature in the range of 300 ° C to 600 ° C. Can soften sufficiently at temperature to slightly push objects such as spacer walls 308 it can. When the raised portion 314 is made of soda glass, it is similarly 300 ° C to 5 ° C. It softens at temperatures in the range of 00 ° C. If the material of the raised portion is glass, the raised portion 31 4 softens at a temperature in the range of 500 ° C to 700 ° C. As shown in FIG. 4B, the light reflection layer 315 has a phosphor stripe 313 and a dark stripe. It is arranged on the raised portion 314. The thickness of layer 315 is small enough that The type is 50 nm to 100 nm, and electrons emitted from the electron-emitting device 309. Almost all pass through layer 315 to the layer below it with little energy loss. I'm supposed to hit. The surface of the light reflection layer 315 adjacent to the phosphor stripe 313 is very smooth. It has become. Layer 315 is gold Made of a metal, preferably aluminium. This causes the stripes 313 Part of the light emitted from the layer 315 is reflected by the layer 315 and passes through the face plate 302. Do it. That is, layer 315 is essentially a reflector. Layer 315 of the display It also functions as a final anode. Stripes 313 on layer 315 Since it is in contact, the anode voltage is applied to stripe 313. The spacer wall 308 is in contact with the light reflection layer 315 on the anode side of the display. . The dark raised portion 314 is closer to the back plate 303 than the phosphor stripe 313. Once further raised, the wall 308 is raised 314 in the layer 315. Touches the part along the top (or bottom in the direction shown in FIG. 4A) of the ing. The extra ridge of the raised portion 314 causes the wall 308 to illuminate. The part of the reflecting layer 315 along the phosphor stripe 313 is not touched. There is. On the cathode side of the display, the spacer wall 308 is as shown in Figure 4A. And is in contact with the gate line 311. In another form, wall 308 is a line You may touch the focusing ridges that extend above 311 and this Is a "Field Emitter with Focusing" filed by Spindt et al. In 1994. Ridges Located to Sides of Gate " Please refer to the contents here. Wall 308 is the traditional method Alternatively, it can be produced by the method described herein. The air pressure on the display from the outside is usually atmospheric pressure, that is, with 760 torr It is close. The pressure inside the display is usually 10^-7Set to a value smaller than torr It is fixed. This is much smaller than normal atmospheric pressure, so a large pressure difference Will always be applied to the plates 302 and 303. Spacer wall 3 08 provides resistance to this pressure. The phosphor stripes 313 can be easily damaged by mechanical contact. It Since the dark raised portion 314 is raised further, the light reflecting layer 315 is striking. The wall 308 is separated from the wall 308 because the wall 308 is separated from the wall 308. It has a shape that does not directly exert its resistance on the 313. Stripe 313 The risk of being damaged due to the resistance of the Greatly reduced. The display is further divided into row and column arrays of pixels. Typical pixel The boundaries of the region 316 are indicated by the arrows in Figure 4A and in Figures 4B and 4C. It is shown with a dotted line. Each emitter line 310 is a row for one of the rows of pixels. Will be the electrode of. 4A, 4B, and 4C for ease of illustration. That is, only one pixel row traverses, and a pair of adjacent spacer walls 308 (of both pixel row traverses) (Partially overlapping along the side) It is shown. However, in general, a row of two or more pixels, typically 24-1 A row of 00 pixels is provided between each adjacent pair of walls 308. Each pixel column has three gate lines 311 and the three are (a) one Red, (b) second is green, and (c) third is blue. Similarly, for each pixel Each column includes one phosphor stripe 313r, one phosphor stripe 313g, and one phosphor stripe 313b. Will be. Each pixel column uses four dark ridges 314. Ridge Two of 314 are inside a column of pixels and the other two are co-located with columns of adjacent pixels. Have. As a result, the light reflection layer 315 and the phosphor stripe 313 are different from each other in potential of the emitter electrode. The positive potential difference of 1,500 V to 10,000 V is maintained. Electronic release One of the pair of output elements 309 is suitable for the emitter line 310 and the gate line 311. If it is properly excited by a properly adjusted potential, the elements that make up the set 309 emits electrons, which are the target of the phosphor of the corresponding stripe 313. It is accelerated toward the part to do. In Figure 4A, one of these electron groups has moved. Trajectory 317 is illustrated. Target firefly of corresponding stripe 313 When they collide with a light body, the emitted electrons cause these phosphors to move. Emits light as represented by 318 of FIG. Some of the electrons in the light-emitting structure are not the target phosphors. There is a certain amount that collides with other parts. For the collision of electrons to other than the target point Tolerance is measured in the transverse direction (ie, along the row) rather than in the column direction (ie, along the column). Direction) is smaller, but this is because each pixel has fluorescence of three different stripes 313. Because it contains the body. Black mat formed by the dark raised portion 314 Rix compensates for the collision of electrons off the target point in the transverse direction, and with high color purity Provides sharp contrast. FIG. 4D shows a sectional view of the entire CRT of FIG. 4A. Electrically insulating The outer wall 304 of the plate is provided outside the active area of the plates 302 and 303. And forms a closed case 301. The outer wall 304 is a square Consisting of four walls arranged in a rectangular shape, typically 2 mm to 3 mm thick It is made of glass or ceramic. As shown in Figure 4D, the space Generally, the support wall 308 is provided up to a region near the outer wall 304. Shi However, the spacer wall 308 may be provided in contact with the outer wall 304. The back plate 303 extends laterally opposite the face plate 302. It extends in shape. Connected to the emitter line 310 and the gate line 311 The electronic circuit system (not shown) such as a lead is a face of the back plate 303. It is attached to the outer portion of the outer wall 304 on the plate-side surface. Light reflection layer 315 is a sealed part around Connects to connection pad 319 that extends through and has an anode / phosphor voltage applied Has been done. FIG. 4E is a light emitting black matrix in the CRT display of FIG. 4A. FIG. For illustration purposes, the dark raised portion 31 in FIG. 4E is shown. 4 is illustrated as having a main dark portion 314a and a light emitting portion 314b. . The dark portion 314a is between the face plate 302 and the light emitting portion 314b, It extends over the entire raised portion 314 of FIG. 4E. The light emitting portion 314b is Can be made of transparent material. In FIG. 4E, the phosphor 313 and aluminum Even if the surface portion of the phosphor along the boundary between the light reflection layers 315 is rough. , On the surface of the aluminum light-reflecting layer 315, between the phosphor 313 and the layer 315. It also shows that the part along the part is smooth. FIG. 7A shows a flat panel display 70 according to one embodiment of the invention. FIG. 3 is a simplified cross-sectional view of a portion of 0, a field emitter cathode (FEC) structure In a flat panel display 700 having an anode spacer wall 70 8 illustrates that 8 is used. The FEC structure is a traverse formed on an electrically insulating back plate 703. An electrode 710 is included. Insulator 712 (made of electrically insulating material ) Is formed on the back plate 703 and covers the transverse electrodes 710. Insulator 71 2 has a hole 712a communicating with the transverse electrode 710. It is provided. The emitter 709 is formed on the transverse electrode 710 in the hole 712a. Be done. The emitter 709 has a conical shape, and the top end 709a of the emitter 709 is an insulator. It extends just to the same level as the top surface of 712. Other types of emitters can be used It will be understood that it is Noh. The column electrodes 711 surround the holes 712a of the insulator 712. Is provided in the surrounding area and extends so as to partially cover the top of the hole 712a. The distance between 09a and the column electrode has a predetermined size. The column electrodes 711 and the emitter upper end portion 709a are located on the face plate 702. Separated by space. Between the FEC structure and the faceplate 702 The space is hermetically sealed and is in a vacuum state, ie about 10^-7kept below torr . Phosphor 713 is on the surface of faceplate 702 facing the FEC structure. It is provided in. Emitter 709 is excited and emits electrons 714, which The child is accelerated in the space and collides with the phosphor 713 on the face plate 702. It When the electron 714 collides with the phosphor 713, the phosphor 713 emits light, and the light is It can be seen through the face plate 702. The anode spacer wall 708 extends from the column electrode 711 to extend to the face plate 7 02, the vacuum state inside the flat panel display 700 and the outside A face plate 702 is provided to counter the force generated by the pressure difference from the atmospheric pressure. Support. In the example above, the spacers are the fluorescent material on the cathode and faceplate. It must not interfere with the electron trajectories to and from the body coating. Therefore, the spacer itself is The electrons are attracted or repelled with a load, and the electron's orbit is moved beyond the allowable range. The spacer wall must be of sufficient electrical conductivity to prevent distortion. I have to. In addition to this, a large current flows from the high-voltage phosphor and a large power The spacer is sufficiently electrically insulating so that the loss of Must. The spacer is an electrically insulative material, on top of which electrically conductive It is preferably made from a thin coating of the material. FIG. 9A shows a coating 9 formed on a spacer wall 908 according to an embodiment of the invention. 9b- of FIG. 9B showing a portion of a flat panel display 900 including 04. 9b is a simplified cross-sectional view taken at 9b. FIG. Figure 9B shows a flat panel display. FIG. 9A is a simplified cross-sectional view taken along line 9a-9a of FIG. 9A, showing a portion of a 900. It The flat panel display 7900 includes a face plate 902 and a back plate. Rate 903 and sidewalls (not shown), which are vacuum inside, 1 × 10^-7It forms a sealed case 901 kept below torr. Focusing ribs (or focusing ridges) 902 are back plates Provided on the inner surface of 903, which Is perpendicular to the plane of FIG. 9A. In flat panel display The use and structure of the converging ribs described in detail in "Field Emitte" by Spindt et al. US patent entitled "r with Focusing Ridges Located to Sides of Gate" , Which is related to the present invention. Please refer. In the concave portion formed between each pair of converging ribs 912 A field emitter 909 is formed on the inner surface of the back plate 903. electric field The emitters 909 are formed in approximately 1,000 groups. The matrix of the dark raised portions 911 corresponds to the face plate 90 inside the case 901. 2 and is described in detail above with respect to FIGS. 4A-4E. It is Ri. The phosphor 913 partially fills each concave portion between the raised portions 911. Is formed. Anode 914 is an electrical conductor such as thin aluminum Quality and formed on the phosphor 913. The spacer wall 908 has a face plate 902 and a back plate 903. I support you. The surface between each end of each spacer wall 908 has a resistive coating 904. Has been done or has been doped, which is described in more detail below. It is described in detail. The resistive coating 904 allows charge to build up on the spacer walls 908. Do not distort the electron flow 915 by minimizing or preventing it from taking on Then Is there. One end of each spacer wall 908 contacts a plurality of raised portions 911 and has a metallized edge. 905 is provided. The opposite end of the spacer wall 908 has a plurality of converging ribs. A metallized edge 906 is provided that contacts 912. Metal coated edge 905 And 906 are made of aluminum or nickel, for example. Metal coating Between the cover 904 and the faceplate 902 by means of the wedges 905 and 906. , Or good electrical connection between the coating 904 and the converging ribs 912, This preferably defines the voltage across the spacer wall 904 and ensures a uniform resistance. The connection is made. Between spacer wall 908, coating 904 and metallized edge 905 Various forms can be adopted for the boundary portion of the, but this will be described in detail below. Describe. Electrodes 917 are coated (or doped) on each spacer wall 908. Formed on the surface) and rises from the emitter 909 to the anode 914. Used to "subdivide" the position. In another embodiment of the invention, spacer wall 908 is shaped without electrodes 917. Is made. Each group of field emitters 909 causes electrons 915 to enter the faceplate 902. It is emitted toward the surface of the part. As part of the flat panel display 900 A path system (not shown) is formed, which can be connected on an IC chip, for example. The electrode 9 is provided on the outer surface of the back plate 903. Used to control the potential of 17. The potential of each electrode 917 is the electric field emitter 90. 9 is set so that the potential rises linearly from the high voltage of the anode 914. Is common. Therefore, the electrons 915 accelerate toward the face plate 902. And collide with the phosphor 913 to be emitted from the flat panel display 900. Generates light. For optimal convergence, the required equipotential lines on the surface of FIG. Draw a curved line in the vicinity of the It is in the form of entering a space. However, the presence of the spacer wall 909 immediately determines its position. (C) It affects the equipotential lines at the bottom of the linear shape of the spacer wall 909. According to the present invention, the electrode 917 can be provided near the bottom of the spacer wall 909. Then, an electric field having a desired curved equipotential line can be formed. FIG. 10 shows the voltage as the vertical axis and the distance 907 from the field emitter 909 (FIG. 9B). ) Is the graph with the horizontal axis. The anode 914 is a distance from the field emitter 909. 916 are separated by a higher potential than the field emitter 909 (see FIG. 10). (Represented by HV). Away from one of the spacer walls 908 A group of field emitters 909 at different locations, eg field emitter 909b. Therefore, the spacer wall 908 interferes with the electron flow 915 from the field emitter 909. Field emitter 909 The change in potential from the anode 914 to the anode 914 is almost linear as shown in FIG. The change in potential between the field emitter 909 and the anode 914 is dependent on each spacer wall 90. It is necessary to be linear even in the vicinity of 8, which distorts the electron flow. (That is, the deterioration of the image quality can be prevented). But the field emitter A field emitter 90 provided near one of the spacer walls 908, such as 909a. In one group, field spacers 90 are formed by adjacent spacer walls 908. The electron stream 915 from 9 can be interfered with. Electric field emitter 909a The floating electrons 915 emitted from The electric charge is accumulated on the sensor wall 908. The electron density impinging on the spacer wall 908 If the degree is (current density j) given, the electric charge accumulated on the surface of the spacer wall 908 is The amount of load is equal to j · (1-δ). When δ ≠ 1, the charge accumulation causes space The surface potential of the spacer wall 908 deviates from the desired potential, and the spacer wall 90 The electron flow from 8 is not zero. If the spacer wall 908 has low electrical conductivity, In this case, the potential shift distorts the flow of electrons near the spacer wall 908 and B) The quality of the image will be degraded. Generally speaking, the desired potential (field emitter) near the spacer wall 908. 909) to the anode 914). Deviation of potential Is given by the following equation. ΔV = ρ_s・ {X ・ (x-d) / 2} ・ j ・ (1-δ) (1) here, ΔV = Change in voltage (V) ρ_s = Spacer wall surface resistance (Ω / □) x = distance from the nearest electrode, 0 <x <d (cm) d = distance between electrodes (cm) j = current density (A) flowing on the surface of the spacer wall δ = secondary electron emission ratio (dimensionless) Is. In the above equation, the current density j strikes the spacer wall 908 uniformly, Sheet resistance ρ of pacer wall 908_sAre assumed to be uniform. More accurately say For example, equation (1) shows that the current density j depends on the position on the spacer wall 908. And the secondary electron emission ratio δ depends on the exact potential at that position on the spacer wall 908. It explains what exists. As seen in equation (1), the potential deviation ΔV is the midpoint between the two electrodes 917. ΔV is the maximum (ie, the maximum value is {x · (x−d) / 2}) Proportional to the square of the distance from. For this reason, the space can be added by adding more electrodes. Surface 908 to minimize potential shifts, thereby reducing face plate 902 Flow of electrons 915 toward The distortion of can be minimized. Spacer with n number of w electrodes and height h Adding to the wall 908 reduces the power consumption of the flat panel display 900. However, the power ratio is given by the following equation. P_NEW/ P_OLD= (D-nw) / {d · (n + 1)²} (2) For example, a spacer having a height h of 100 mil and four electrodes having a width of 4 mil When added to wall 908, given ΔV_maxPower to²R loss is about 30 minutes It will be about 1. Due to this more efficient charge discharge, the surface resistance ρ_sThe value of increased power consumption You can save a lot. Another advantage is that the electrode 917 is slightly exposed If it is provided in a rectangular shape, the electric charge is mostly blocked by the electrode 917, It prevents charges from colliding with high-resistance parts that are kept out of sight. And. However, the manufacture of the display 900 with each added electrode 917 The cost increases. Of the electrodes 917 included in the flat panel display 900. The number is chosen taking into account the trade-off relationship between the factors described below. A further reading from equation (1) is that for a given number of electrodes 915, the surface resistance is Anti-ρ_sThe deviation ΔV of the electric potential also decreases as the value decreases, and the secondary electron emission ratio δ approaches 1. That is to say. Therefore, the surface of the spacer wall 908 has a low surface resistance ρ._s It is desirable to have a secondary electron emission ratio δ close to 1 and. Secondary electron emission Since the lower limit of the output ratio δ is 0 and a very high value can be taken when it rises, it is generally Regarding the secondary electron emission ratio, select a material with a low secondary electron emission ratio δ It can be said that it is desirable to do. FIG. 11 is a graph in which the vertical axis represents the secondary electron emission ratio and the horizontal axis represents the voltage. The characteristics of two substances, that is, substances 1101 and 1102, are shown. Substance 11 For high resistivity materials such as 01, energy is 100V in most cases To 10,000 V, the secondary electron emission ratio is greater than 1 (often greater than 1). (Much larger value), and the surface will have a positive charge. Regarding Figure 4 As previously mentioned, the anode 914 is 1500 V to 1 V across the emitter 909. It is common to maintain a positive potential difference of 10,000V. Furthermore, as above In addition, the spacer wall 908 is preferably electrically insulating (ie, has a high resistivity). ) Material. Therefore, the spacer wall 908 carries a positive charge (that And often have a large charge), and electrons from the emitter 909 It will weaken the flow of 917. However, the substance 1102 does not reach the potential range of the flat panel display 900. In this case, the secondary electron emission ratio δ is maintained at about 1. Potential deviation ΔV becomes 1-δ The surface of the spacer wall 908 is made of material 1102 because it changes in proportion. If there is, almost no charge (both positive and negative) is accumulated on the surface of the spacer wall 908. Not done. As a result, the presence of the spacer wall 908 causes the field emitter 909 and the anode Has almost no effect on the potential difference between the spacer 914 and the spacer 914. Distortion of the flow of electrons 915 due to wall 908 is minimized. According to the present invention, the spacer wall 9 provided so as to face the inside 901 of the case. The surface of No. 08 has the characteristic of the secondary electron emission ratio δ which is very similar to the material 1102 of FIG. It is processed with the material. In addition, this surface compares to the large resistance of the spacer wall 908. The surface of the spacer wall 908 is treated so that the surface has a low resistance value. In order to easily flow from the face plate 902 to the back plate 903 And its resistance is equal to that of the current from the high voltage phosphor on the faceplate 902. It is not so low that the flow becomes large and the power loss becomes large. In one embodiment of the present invention, spacer wall 908 is made of ceramic and The cover 904 has a secondary electron emission ratio δ smaller than 4 and a surface resistance ρ_sIs 10⁹And 10¹⁴Ω / □ Made by materials that are in between. In yet another embodiment, coating 904. The material used for_sIs as described above, and the secondary electron emission ratio δ is smaller than 2. It is a good thing. The coating 904 in this embodiment is, for example, chromium oxide, oxide. Copper, carbon, titanium oxide, vanadium oxide or a mixture of these It is formed by using the one that was made. In yet another embodiment, coating 904 is oxidized. Made by chrome. The thickness of the coating 904 is between 0.05 μm and 20 μm is there. In another embodiment of the invention, the coating 904 has a size of the secondary electron emission ratio δ. The surface resistance ρ_sIs 10⁹From 10¹⁴Depending on the material that is Ω / □ A first coating on the spacer wall 908 thus formed. And the first coating Above, the secondary electron emission ratio δ is less than 4 in one embodiment, and A second coating is formed that is less than 2. As the material of the first coating For example, titanium chrome oxide, silicon oxide, or silicon nitride can be used. Examples of the material for the second coating include chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide, and acid. Vanadium iodide or a mixture of these materials. Overall thickness of coating 904 The gap is between 0.05 μm and 20 μm. In yet another embodiment of the present invention, spacer wall 908 is doped on its surface. Surface resistance ρ_sIs 10⁹From 10¹⁴Ω / □, then secondary electron emission The ratio δ is less than 4 in one embodiment and less than 2 in another embodiment. A small coating 904 is applied. Examples of the dopant include titanium and iron. , Manganese or chromium can be used. The coating 904 is, for example, chromium oxide. , Copper oxide, carbon, titanium oxide, or vanadium oxide, mixtures of these materials and so on. Coating in one embodiment 904 is chromium oxide, the thickness of which is between 0.05 μm and 20 μm. In another embodiment, spacer wall 908 has a surface resistance of 10 on its surface.⁹ And 10¹⁴Concentrated doping is performed as much as possible between Ω / □. As a dopant For example, titanium, iron, manganese, or chromium can be used. In another embodiment of the invention, spacer wall 908 is partially electrically conductive ceramic. Made of glass or glass-ceramic material. The coating 904 described above is formed on the spacer wall 908 by any suitable method. Be done. For example, coating 904 may be a well-known technique such as thermal or plasma enhanced. For chemical vapor deposition, sputtering, evaporation, screen printing, spin coating machines It can be formed by application, spraying or dipping. What kind Even if the method is used, the surface resistance uniformity should be within ± 2%. It is desirable to form 04. For this reason, when forming the coating 904, Generally, the thickness is controlled within a specific error range. Another method for forming a coating on the spacer surface is to use a first ceramic layer. It is possible to utilize the materials contained in It can be made to have some electrical conductivity in the processing. In the above example, the surface of the spacer wall is charged. Described spacer wall treatments to minimize or prevent . An embodiment of the present invention having a spacer structure, such as spacer structure 608 (FIG. 6). In the embodiment, the surface of the opening through which the electrons of the spacer structure flow is treated as described above. To minimize or prevent the surface from being charged. 12A to 12D are cross-sectional views illustrating a boundary portion between spacer walls. Thus, resistive coatings, metallized edges, converging ribs according to various embodiments of the invention. It is shown. The coating of each example is related to Figures 9A, 9B and 9C. It is one of the coatings previously described. In each example, the metallized edge and the resistive coating The boundary of the cover is precisely shaped, but it has a linear shape. Since it has a certain height from the board, it is parallel to the back plate and A straight equipotential line is defined at the base along the longitudinal direction. Described below Metallized edges according to embodiments of the present invention may be used in forming the resistive coating 904 described above. It is formed on the edge portion of the surface of the spacer wall by the technique used. In FIG. 12A, the resistive coating 1204 is a side surface 120 of the spacer wall 1208. It is formed on 8a. Since the coating 1204 is formed on the side surface 1208, the coating 1 204 does not extend beyond the end of the side surface 1208a. Metal coated ed 1120 is the end face 120 of the spacer wall 1208. 8b, and thus the metallized edge 1206 protrudes from the coating 1204. Not extended. In FIG. 12B, the resistive coating 1214 is a side surface 121 of the spacer wall 1218. 8a and the end face 1218 to cover the entire spacer wall 1218. metal The covering edge 1206 is formed on the end surface 1218b of the spacer wall 1218. Formed to contact a portion of the shroud 1214, the metallized edge 1206 includes a shroud 1 It does not extend beyond the end face of 204. In FIG. 12C, the resistive coating 1214 is the side surface 12 of the spacer wall 1218. 18a and end face 1218b to cover the entire spacer wall 1218. Money A metal coating edge 1216 is formed on the end face 1218b of the spacer wall 1218. Formed by contacting a portion of the coating 1214, the metal coating 1216 is then covered. Overlapping the shroud 1214, the correctly defined height at the corners of the shroud 1214. It is provided so as to extend up to that point. In FIG. 12D, the resistive coating 1204 is similar to the spacer wall 1 in FIG. 12A. Formed on side surface 1208a of 208, with coating 1204 on side surface 1208. Does not extend beyond the end of the. The metallized edge 1216 is a spacer In contact with a portion of the coating 1204 formed on the end face 1208 of the wall 1208 Formed, the metal coating 1216 then overlaps the coating 1204 and the coating 120 Four It is provided so as to extend to a correctly defined height at the corner portion. As described above, the surface of the spacer wall 908 exposed inside the case 901. The electrodes 915 are provided at intervals on the top. The voltage at these electrodes 915 The position is set by the voltage dividing means. The voltage dividing means is a coating 904 or a resistive strike. Either of the lips, outside the active area of the display 900 , Connected to electrically conductive traces extending from each electrode 915. On each electrode 915 To obtain the desired voltage at that point, raise the resistance at that position as needed. To remove material at selected locations of the voltage dividing means, i.e. You can do "rimming". For trimming, for example, It is carried out by removing with a laser. Alternatively selected Can also be done by removing material from one of the electrically conductive traces , It extends to the electrode 915 inside the case, for example outside the case 901. A similar effect can be achieved by reducing the length of one or more races. It is possible to Figures 13A to 13H (collectively Figure 13), Figures 14A to 14J (collection FIG. 14), FIGS. 15A to 15J (collectively FIG. 15), and FIG. Figures A through 16J (collectively Figure 16) show the display of the CRT display of Figure 4A. Four basic processing steps for manufacturing optical structures Illustrates the physical sequence. To make it easier to describe this process, The orientation in FIGS. 13, 14, 15, and 16 is opposite to that in FIG. 4A. Has become. In the following description of processing, words related to direction, for example, The upper side, the lower side, etc. are applicable in the directions shown in FIGS. 13 to 16. It Starting from the processing sequence shown in FIG. 13, the start point is the face. The plate 302. The inner surface of the face plate 302 (ie Face plate side), roughened and black as shown in FIG. 13A. The reflectivity of the material forming the matrix is reduced. The process of roughening this surface is Chemical etchants such as hydrofluoric acid solution or halogen-based plasm It is generally carried out using a masking agent. The soda glass slurry 321 capable of forming the dark non-reflective frit is Screen over the upper surface of the faceplate 302 as shown in FIG. 13B. Is deposited as an ion. Slurry 321 is 400 ° C. for 1 minute to 120 minutes Converted to a hardened soda glass layer 322 by firing (ie, heating) at 450 ° C. . Please refer to FIG. 13C. Dark raised portion 31 of soda glass layer 322 The part located between the parts scheduled to become 4 is the appropriate photoresist. By chemical or plasma etching using a mask (not shown). Or suitable It is removed by ablation with the laser programmed in place. Figure 13D , The remaining portion of the soda glass layer 322 is a raised portion due to the processing so far. 314 is shown. As depicted in FIG. 13E, phosphor stripes 313r, 313g, and And 313b between the dark ridges 314 on the upper surface of the faceplate 302. It is formed. More specifically, it emits light in one of the three colors red, green, and blue, The slurry of the polymer, the photosynthetic agent, and the phosphor particles is stored in the face plate 302. Located on the upper surface. Arranged phosphor particles of one of these colors A portion of the slurry at the site where Cured by exposure to actinic radiation, using a strike mask (not shown) To be done. The rest of the slurry is drained off and the structure is rinsed. This work Repeat for each of the remaining phosphor particles that emit light of two colors. To be done. The structure is dried to complete the formation of phosphor stripes 313. A layer of lacquer 323 is sprayed onto phosphor 313 and raised portion 314. Is made. The upper surface of the lacquer layer 323 has a smooth surface as shown in FIG. 13F. Of. Aluminum is vapor-deposited on the lacquer layer 323, and the light reflection layer 315 is formed. It is formed. See Figure 13G. Next, the structure is about 450 ° C. for 60 minutes Partly contains oxygen throughout It is heated in the atmosphere and is removed by burning the lacquer 323. 14th Figure H shows the completed structure. The lacquer layer 323 has a smooth upper surface As a result, the light reflecting aluminum layer 315 also has a smooth lower surface. Will be. Moving to FIG. 14, the starting point here is still the face plate 302. The surface is rough. See Figure 15A. Dark non-reflective metal Layer 325 on the upper surface of face plate 302 as shown in FIG. 14B. Is placed. The metal layer 325 is black chrome with a thickness of 50 nm to 200 nm. Or it is generally made of niobium. A thick photoresist layer 326 overlies the metal layer 325 as shown in Figure 14C. It is formed. The photoresist layer 326 is, for example, Morton EL2026. It consists of such a positive photoresist. The thickness of the photoresist layer is 25 μm to 7 5 μm, typically 50 μm. Photoresist 326 selectively Exposed to photoactinic radiation, a groove 327 of substantially desired width for raised portion 314. Are processed to form the. The width of the groove is 10 μm to 50 μm, typically It is 25 μm. Referring to FIG. 14D, where 326a is photoresist. It is shown as the remainder of 326. The groove 327 is selectively completely or almost completely filled with metal. And the metal raised portion 314d is formed as shown in FIG. 14E. . Selective filling is done by an electrochemical deposition process (electroplating). Metal bump The portion 314d may be made of black or matte metal. Gold on the ridge As a genus, chromium or nickel-iron alloy is generally used. Photo Regis The mask 326a is then removed to form the structure shown in Figure 14F. Be done. Using the metal raised portion 314d as a mask, the exposed portion of the dark metal layer 324 is To be removed. What is shown in Fig. 14G is the result of the processing so far. In the structure described above, the dark raised portion 314e is the remaining portion of the metal layer 325. Is. Each dark raised portion 314e and the upper raised portion 314d are dark raised portions. One of the 314 is configured. The phosphor stripes 313 and the light reflection layer 315 are formed on the upper surface together with the processing shown in FIG. It was formed here by the method described in. Figure 14H shows stripes 313 Shows the formation of The layer 315 disposed on the lacquer layer 323 has a fourteenth It is shown in FIG. FIG. 14J shows that the lacquer layer 323 is burned and removed. 3 is a view showing a completed light emitting structure after being processed. The starting point of the processing sequence of FIG. 15 is a transparent, electrically insulating, flat book. Body (or plate) 329, which typically has a generally uniform composition Made of glass with. Please see Figure 15A. Sand bra The patterned layer 330 made of a material having a stripe mask-like effect is 5B, it is formed on the upper surface of the transparent body 329. Mask layer 33 0 is to provide a blanket of sandblast mask material on the body 329. Formed on the exposed surface of the main body 329 by mask edging. Part of the coating layer is selectively removed by applying a coating. Remove the exposed part through the mask 330 of the transparent body 329 to a specific depth To do so, selective removal is performed. FIG. 15C shows the rest of the body 329. From the face plate 302 and the upper raised pattern 314f It is a diagram illustrating a structure completed as a result of the processing process up to this point. Excluding The removal process is done by sandblasting. While performing sandblasting The mask 330 is corroded and removed. When sandblasting is over If mask 330 remains, the remaining mask 330 is shown in Figure 15D. To be removed. A layer 331 made of dark colored material is provided on the upper surface of the structure. It is lean. See Figure 15E. The dark material is dark glass Is made of dark metal. The photoresist mask 332 is shown in FIG. 15F. Generally, it is formed on the dark colored layer 331 directly above the raised portion 314f. It In order to avoid mask misalignment, photoresist mask 332 is Kure This reticle is generally made from chickles. For sandblasting mask 330 or positive photoresist It is used when making moth masks. The dark raised portion 314g is raised by removing the exposed portion of the dark layer 331. Each is formed on the raised portion 314f. FIG. 15G shows the photoresist 33. 2 illustrates the structure after removal of 2. Each raised portion 314g and lower layer The egg-shaped raised portion 314f constitutes one of the dark raised portions 314. The light emitting structure is completed by the processing shown in FIG. 14 by the method as described above. Special In addition, the phosphor stripes 313 are formed between the raised portions 314 as shown in FIG. 15H. It is formed. FIG. 151 shows that a light reflecting layer 315 is formed on the lacquer 323. It is shown that. Complete structure after burning and removing lacquer 323 Are shown in FIG. 15J. By means of one of the previously mentioned processing steps shown in FIGS. After manufacturing the illustrated CRT cathode structure, the spacer wall 308 and outer wall 304 are Properly located between the cathode structure and the light emitting black matrix structure, The display parts are pumped to 10 bar.^-7Small room lowered below torr Can be put in. The display is then 300 ° C to 600 ° C, typically 450 ℃ Sealed below. The dark raised portion 314 has a temperature in the range of 300 ° C. to 700 ° C. (this temperature The degree of protrusion depends on whether the material of the raised portion is metal, soda glass, or glass. Maru ) Softens. The temperature at which the ridge softens will seal the display. Generally, the temperature is selected to be approximately the same as or slightly lower than the temperature. this As a result, the spacer wall 308 slightly digs into the raised portion 314 during the sealing process. become. This compensates for height differences between walls 308. If the temperature to soften the ridge is higher than the temperature to seal the display, , Soften the dark ridges 314 just before sealing the CRT display You can In this case, the spacer wall 308 is again raised during the sealing process. 4 slightly penetrates and compensates for the difference in height of the spacer wall. Although particular embodiments of the present invention have been described, this description is merely illustrated here. The scope of the invention described in the claims is not limited to this. There is no. For example, the dark raised portion 314 in the processing sequence of FIG. A layer of dark material is provided on top of the transparent body at the beginning of the processing sequence, then By omitting the process of forming the upper portion 314g of the raised portion, the dark portion Can be moved from the top of the ridge to the bottom. Additionally provided in parallel Dark non-reflective ridges, face play It is formed on the ridge 302 and extends perpendicularly to the raised portion 314. The phosphor stripe 313 is also made of a thin phosphor thin film instead of the phosphor particles. Can be built. In addition, the light emitting region 313 is a phosphor (in this case, particles or thin film). The shape does not matter. It can also be formed by an element other than). The transparent anode placed in the immediate vicinity of the face plate 302 is a light reflection layer. 315 can be used in place of, or in conjunction with. Like this The node consists of a layer of transparent electrically conductive material such as indium-tin oxide. It is common. Provided adjacent to face plate 302, if present The transparent anode constitutes the main body of the light-emitting black matrix structure. . Thus, one of ordinary skill in the art without departing from the scope and spirit of the invention as claimed. Could have various modifications.

【手続補正書】特許法第１８４条の７第１項【提出日】１９９４年８月２４日【補正内容】明細書内部支持構造体及び／若しくは隆起したブラックマトリクスを有するフラットパネル装置発明の背景１．発明の属する技術分野本発明はフラットＣＲＴディスプレイのようなフラットパネル装置に関する。本発明はフラットパネル装置の製造に使用される技術にも関する。２．関連技術近年、旧来の偏向ビームＣＲＴディスプレイにとって代わる、より軽くかさばらないディスプレイを提供すべく、フラットＣＲＴディスプレイ（フラットパネルディスプレイとしても知られている）を構築する数々の試みかなされてきた。フラットＣＲＴディスプレイに加えて、他のフラットパネルディスプレイ、例えばプラズマディスプレイも開発されてきた。フラットパネルディスプレイに於いては、フェースプレート（faceplate）、バックプレート（backplate）、及びフェースプレートとバックプレートの外周部分を囲むように設けられた接続壁が１つの封入ケースを形成している。フラットパネルディスプレイの中には、ケースの中が真空に近い状態に保たれているものもあり、例えばフラットＣＲＴディスプレイでは、ほぼ１×１０^-7ｔｏｒｒに保たれている。フェースプレートの内部表面には、ディスプレイ上のアクティブ領域を画定する蛍光体パターン若しくは蛍光体のような発光素子の被覆が設けられている。発光素子は光を発するのであるが、これは、バックプレートに隣接して設けられたカソード素子が励起状態にされて電子を放出し、これがフェースプレート上の蛍光体に向かって加速され、蛍光体が発光することにより、その光がフェースプレートの外側の面（画面（viewing surface））に於いて視聴者に見られることになるのである。ディスプレイ中に於いては、電子放出素子は選択的に励起状態にされて電子を放出しその電子がフェースプレート上の蛍光体に向かう。これらの蛍光体は電子が衝突したとき、フェースプレートの外部の面で見ることができる光を発するのである。各電子放出素子から放出された電子は、それぞれ決まった目標の蛍光体のみに衝突するようにされている。しかしながら、放出された電子の中には一定数、フェースプレート上の目標とされた蛍光体以外の部分に衝突するものもある。フェースプレートに於けるコントラストを改善するために、電子放出素子からの電子が衝突しても実質的に発光しない非反射領域のマトリクスが、適当に蛍光領域の中に分散した形で設けられる。カラーディスプレイに於いては、このブラックマトリクスは色純度も改善する。蛍光領域はブラックマトリクスよりもフェースプレートから更に盛り上がった形で設けられる。内部が真空に近い状態であることにより、フラットパネルディスプレイの壁に圧力が掛かるが、これは内部の真空に近い状態と外部の大気圧との圧力差が、支持が無ければフラットパネルディスプレイを崩壊させうるほど大きいからである。ほぼ１インチより大きい対角線の長さ（対角線はアクティブ領域の互いにはす向かいの角と角との間の距離）を有する長方形のディスプレイに於いては、縦横比が大きいために、フェースプレートはこのタイプの機械的な損傷の影響を特に受けやすい。ここで、縦横比とは、横幅、例えば互いに向かい合った接続壁の内部表面間の距離、若しくは高さ、例えばバックプレートの内部表面とフェースプレートの内部表面との距離を厚みで除すことによって定義されるものである。フラットパネルディスプレイのフェースプレートまたはバックプレートは、フラットパネルディスプレイが外部から受ける力の衝撃によっても故障することがある。フェースプレート及び／若しくはバックプレートを内部から支持するために、スペーサが使用されてきた。従来のスペーサは、壁状若しくは柱状のもので、ディスプレイのアクティブ領域に於ける画素（ディスプレイ上の画像を構成する最小単位をなす蛍光体の領域）間に設けられている。スペーサはポリイミドのフォトパターニング（photopatterning）によって形成されてきた。しかしながらポリイミドスペーサでは不適当なことがわかっており、その理由としては、（１）長さが不十分であること、（２）フェースプレートに使用される典型的な材料（ガラス）と、バックプレートに使用される典型的な材料（例えばガラス、セラミック、ガラス−セラミック若しくは金属）と、アドレシンググリッド（addressing grid）に使用される典型的な材料（例えばガラス−セラミック若しくはセラミック）との熱膨張係数を整合させることができないため、レジスターに関する問題を引き起こすこと、（３）ボリイミドを真空に近い状態の中で使用するとガス放出が起こりうること、があげられる。スペーサにもガラス製のものが使用されてきたが、ガラスが十分な強度を有していない場合がある。更に、ガラス固有の微小割れがあり、それが容易にガラス全体に広がる傾向をもつために、ガラス製のスペーサは、（理想的な）ガラスより更に弱いものとなってしまう。それに加えて、どんな材料をスペーサに用いたとしても、スペーサの近傍に於いては、スペーサの存在がフェースプレートに向かう電子の流れに悪影響を及ぼすことがある。例えば、浮遊電子がスペーサの表面に静電気を発生させ、所望の電圧分布とは異なる電圧分布をスペーサの近傍に形成させることによって、電子の流れに歪みが生じ、ディスプレイに表示される画像に歪みが生じることになるのである。発明の要約本発明によると、フラットパネル装置が、内部からの支持を与えるスペーサを有する。特に内部を低圧状態にして作動する装置に対して、このスペーサは、内部の低圧状態（例えば大気圧より低い圧力）と外部の大気圧との間の圧力差によって生じる応力によって装置が破壊されるのを防ぐ。このスペーサは外部からの衝撃によって生ずる応力に対しても、装置に内部からの支持を与える。これに加えて、ケース内部のスペーサの表面は、スペーサ表面に静電気が生ずるのを防止若しくは最小化するように処理されている。この結果、スペーサがスペーサの近傍の電子の流れに与える悪影響をなくし、装置の画像の歪みをなくすことになる。本発明の実施態様の１つに於いては、スペーサの表面に被覆が設けられるが、この被覆は二次電子放出比δが４より小さく、面抵抗が１０⁹Ω／□と１０¹⁴Ω ／□との間の値をとる物質からなるものである。この被覆をなす物質は、酸化クロム、酸化銅、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択される。本発明の他の実施態様に於いては、スペーサ表面に第１の被覆がなされる。第２の被覆は第１の被覆の上になされる。第１の被覆は面抵抗が１０⁹Ω／□と１０⁴Ω／□との間の値をとる物質によってなされる。第２の被覆は二次電子放出比δか４より小さい物質によってなされる。本発明の別の実施態様に於いては、スペーサ表面に第１のドーピングが施されて、その表面の面抵抗が１０⁹Ω／□ と１０¹⁴Ω／□との間の値をとるようにされ、次にドーピングされたスペーサ表面上に、二次電子放出比δが４より小さい物質によって被覆がなされる。被覆をなす物質は酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択される。また別の実施態様に於いては、スペーサ表面の面抵抗が１０⁹Ω／□と１０¹⁴ Ω／□との間の値をとるようにするべく、スペーサ表面にドーピングを施す。スペーサは例えばセラミックから作られ、スペーサ壁或いはスペーサ構造体の形で設けられるが、スペーサ壁とスペーサ構造体とを組み合わせた形で設けることもできる。フラットパネル装置は発光手段も有する。また、フラットパネル装置は、電界エミッタカソード若しくは熱電子カソードを含む形にすることもできる。本発明の更に別の実施態様に於いては、１つかそれ以上の電極が、前記処理済みのスペーサ表面上に設けられる。例えば、電極はスペーサ及びバックプレートの境界部分の近くに設けることができ、電極の電圧は境界部分の近傍に於いて所望の電圧分布を得るべく制御され、それによって表面の処理の不完全さ、或いはスペーサの不整合によって生ずる歪みを正すべく、電子の流れを所望の形に偏向する。また別の実施態様に於いては、バックプレートの内部表面に於いて所望の電圧分布を得るべく、この電極を曲がりくねった形状に設けることもできる。分圧手段を形成することによって各電極の電圧が設定される。実施例の１つに於いては、分圧手段はスペーサの表面上に形成された抵抗性被覆（resisitive c oating）からなる。各電極に於いて正確な電圧を得るべく、被覆の面抵抗は調整されなければならない。本発明の更にまた別の実施態様に於いては、電気伝導物質のストリップ（金属被覆エッジ（edge metallization））がスペーサ表面の端面とバックプレートとの間に形成され、スペーサ全体に亘って、それらが密接に接触するようになっている。スペーサの表面上に抵抗性被覆が設けられている場合は、金属被覆エッジは抵抗性被覆と電気的に接続される。この場合、金属被覆エッジ及び抵抗性被覆は、それらの間の境界面がバックプレートの内部表面から一定の距離となるように設けられる。同様に、金属被覆エッジは、フェースプレートとスペーサの間の良好な電気的接続をなすように、フェースプレートとスペーサの端面との間に形成される。本発明に従ったフラットパネル装置の組立方法に於いては、フラットパネル装置のバックプレートとフェースプレートとの間にスペーサを設けて、スペーサの表面が電荷を帯びるのを防止若しくは最小化するべくスペーサ表面に処理を施し、スペーサとバックプレートとの電気的接続をなす金属被覆エッジとなる被覆をスペーサの端面に設け、スペーサを内部に封入するようにバックプレートとフェースプレートとを封着することによって装置が組立られる。スペーサ表面の処理をなすには、抵抗性被覆または被覆を形成するか、表面へのドーピングによるか、表面へのドーピングと抵抗性被覆または被覆の形成との両者によるか、または焼成して表面を還元することによる。更に、本発明はフラットパネルＣＲＴディスプレイのような光学装置に使用されるのに適した発光構造体を備えている。本発明の発光構造体は、本体部分（ma in section）と、それに沿って設けられた隆起した形状の部分と、本体部分に沿って隆起した部分の間の部分に設けられた複数の発光領域を含む。発光領域は電子が衝突すると光を発する。これに対して、隆起部分は電子が衝突しても実質的に光を発しない。また、隆起部分は発光領域よりも本体部分から更に盛り上がった形となっている。各隆起部分は、隆起部分の横幅全体に亘って、またその高さの少なくとも一部分についてそれを実質的に取り囲んでいる暗領域を含む。隆起部分のパターンによって、隆起したブラックマトリクスが形成され、それは発光構造体のコントラストを改善する。発光領域に於いて２つ若しくはそれ以上の色の光を選択的に発する場合、隆起したブラックマトリクスは色の純度を高める効果もある。本発明の発光構造体は様々な技術に従って製作することが出来る。本発明の技術群の１つは、与えられた隆起部分の材料の層の一部を、発光構造体の本体部分に沿って選択的に除去する過程を含んだ処理によって、隆起部分のパターンを発光構造体の本体部分に沿って形成するものである。本発明に従った別の技術によれば、本体（ body）の一部分を選択的に特定の深さに除去して、本体の除去されない残りの部分が発光構造体の本体部分及び隆起部分を含むように形成することも出来る。図面の簡単な説明第１図は、本発明の１つの実施態様に従った熱電子カソードを含むフラットパネルディスプレイの透視図であって、表層部の一部を切り取って内部を見せているものである。第２Ａ図及び第２Ｂ図は、本発明の１つの実施態様に従ったフラットパネルディスプレイの単純化した断面図であって、スペーサ壁を使用しているのを図解したものである。第２Ａ図は第２Ｂ図の２ｂ−２ｂに沿って切った断面図であり、第２Ｂ図は第２Ａ図の２ａ−２ａに沿って切った断面図である。第３図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソードを含むフラットパネルディスプレイの透視図であって、表層部の一部を切り取って内部を見せているものである。第４Ａ図は、第３図のフラットパネルディスプレイの一部の詳細な透視断面図である。第４Ｂ図及び第４Ｃ図は、第４Ａ図のディスプレイのａ図のディスプレイの内部の部品の平面図であって、それぞれ第４Ａ図の矢印ｃ及びｄの方向から見た図である。第４Ｄ図は、第４Ａ図のフラットパネルＣＲＴディスプレイ全体の横断面図である。第４Ｅ図は、第４Ａ図のＣＲＴディスプレイのブラックマトリクスを中心に置いた一部の拡大断面構造図である。第５図は、第２Ｂ図の一部の詳細図であって、本発明に従ったスペーサ壁の整合手段を図解したものである。第６図は、本発明の１つの実施態様に従ったスペーサ壁及びスペーサ構造体を含むフラットパネルディスプレイを図解した、第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第７Ａ図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソード及びスペーサ壁を含むフラットパネルディスプレイの一部の単純化した断面図である。第７Ｂ図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソード、スペーサ壁、及びアドレシンググリッドを含むフラットパネルディスプレイの一部の第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第７Ｃ図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソード、スペーサ構造体、及びアドレシンググリッドを含むフラットパネルディスプレイの一部の第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第８図は、曲がった形状のフェースプレート及びバックプレートを有するフラットパネルディスプレイに於いて、本発明の１つの実施態様に従ったスペーサが使用されているのを図解した、第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第９Ａ図及び第９Ｂ図は、本発明の１つの実施態様に従ったフラットパネルディスプレイの単純化した断面図であって、スペーサ壁の表面に形成された被覆を図解したものである。第９Ａ図は第９Ｂ図の９ｂ−９ｂに沿って切った断面図であり、第９Ｂ図は第９Ａ図の９ａ−９ａに沿って切った断面図である。第１０図は、電圧を縦軸に、電界放出装置の設けられたベースプレートに対して垂直方向の電界放出装置とベースプレートとの距離を横軸にとったグラフである。第１１図は、二次電子放出比を縦軸に電圧を横軸にとったグラフであって、２つの物質の特性を示したものである。第１２Ａ図〜第１２Ｄ図は、スペーサ壁の間の境界部分を図解し、本発明の様々な実施態様に従った金属被覆及びバックプレートの隆起部分に焦点を合わせた断面図である。第１３Ａ図〜第１３Ｈ図は、第４Ａ図のディスプレイの発光ブラックマトリクス構造の製造工程を示した断面図である。第１４Ａ図〜第１４Ｊ図及び第１５Ａ図〜第１５Ｊ図は、第４Ａ図のディスプレイの発光ブラックマトリクス構造のそれぞれ別の製造工程を示した断面図である。第１６Ａ図〜第１６Ｊ図は、第４Ａ図のディスプレイの発光ブラックマトリクス構造の更に別の製造工程を示した断面図である。以上の図に於いては、対応する部分には同様の符号を付した。発明の詳細な説明以下、本発明の実施例を、フラットＣＲＴディスプレイについて説明する。本発明が他のフラットパネルディスプレイ、例えばプラズマディスプレイ若しくは真空蛍光ディスプレイについても適用可能であることも理解されよう。更に、本発明は、ディスプレイでの使用に限られるものでなく、例えば、光学的信号処理や、フェイズドアレイレーダー装置（phased array rader devices）のような他の装置の制御するのに用いられる光学的アドレシングや、映像を他の媒体に再現するコピー機やプリンタにおける映像スキャニング等の他の目的で用いられるフラットパネル装置にも適用することができる。更に加えると、本発明は長方形でないスクリーンの形状を持つフラットパネル装置、例えば円形若しくは車のダッシュボードや航空機のコントロールパネルに使用されるような特殊な形状を持つスクリーンにも適用可能である。ここで、フラットパネルディスプレイとは、フェースプレートとバックプレートとが実質的に平行なディスプレイであって、ディスプレイの厚み、即ちフェースプレート及びバックプレートに実質的に垂直な向きで測定された厚みが、従来の偏向ビームＣＲＴディスプレイの厚みと比較して小さいものを指す。一般に、フラットパネルディスプレイの厚みは５．０８ｃｍ（２インチ）より小さいか、必ずしもこれに限定されない。多くの場合、フラットパネルディスプレイの厚みは実質的に５．０８ｃｍ以下であって、例えば０．６４ｃｍ〜２．５４ｃｍ（０．２５〜１．０インチ）程度である。本明細書に於いて、「スペーサ」とは、フラットパネルディスプレイの内部に於いて内部からの支持体として用いられているものの総称である。この明細書に於いて、本発明の特定の実施例のスペーサは「スペーサ壁」若しくは「スペーサ構造体」と記述されている。つまり「スペーサ」は「スペーサ壁」、及び「スペーサ構造体」と共に他の上記のスペーサの機能を有する構造をすべて包含するのである。一般に、本発明のスペーサ壁及びスペーサ構造体は、薄い材料から作られたものであり、この材料は、未処理の状態ではそのまま加工可能で、一定の処理を施すことで硬く剛性の高いものとなるものである。この材料は、真空の環境下に於いても適用可能なものでなければならない。更に、スペーサ壁及びスペーサ構造体は、フェースプレート及びバックプレートの熱膨張係数とよく適合する熱膨張係数を有する材料から作られる。熱膨張係数が適合しているとは、スペーサ壁、フェースプレート及びバックプレートが、フラットパネルディスプレイが組み立てられて動作しているときに生する加熱や冷却に対して、ほぼ同程度膨張若しくは収縮するということを意味する。この結果、スペーサ壁、フェースプレート及びバックプレートの間で適切な位置関係の整合性が維持されることになる。熱膨張係数が適合していない場合起こり得ることとして、アノードのスペーサ壁若しくはスペーサ構造体がフェースプレートに対して動いてしまうことによって蛍光体が損傷を受けたり、フラットパネルディスプレイ内に応力が発生してディスプレイ内の部品を損なってしまうこと（ディスプレイ内の真空状態が損なわれてしまうことも含む）、若しくはスペーサ壁そのものが壊れてしまうことなどが考えられる。実施例の１つに於いて、スペーサ壁はセラミック若しくはガラスセラミック材料によって作られる。別の実施例に於いては、スペーサ壁はセラミックテープから作られる。以下、本発明の実施例の記述に於いては、スペーサ壁若しくはスペーサ構造体の材料としてセラミック、またはセラミックテープ、及びスラリーが使用されるものとする。他の材料としては、セラミック強化ガラス、不透明ガラス、柔軟性のあるマトリクス構造のアモルファスガラス（amorphous glass）、電気的絶縁性の被覆をなされた金属、若しくは高温真空状態に適合性を有するポリイミドなどが使用可能である。概略、本発明によるスペーサの材料に要求されるのは、（ａ）薄い層にすることが可能なこと、（ｂ）その層が焼成処理された状態で柔軟になること、（ｃ）焼成されていない状態で１つの層若しくはいくつかの層をまとめて孔を開けることがてきること、（ｄ）開けられた孔の必要な部分に導体を設けることができること、（ｅ）焼成処理されていない層の表面に正確に電気伝導トレースを設けることができること、（ｆ）何枚かの層を積層状態にすることができ、少なくとも最終的な加熱時に互いに接合させることができること、（ｇ）焼成処理された構造が、例えばフロートガラスのような材料から作られたフェースプレート及びバックプレートの熱膨張係数と実質的に適合するような熱膨張係数を有すること、（ｈ）焼成処理された積層構造体が剛性が高く強靭なものであること、（ｉ）焼成処理された構造が真空状態に適合すること、（ｊ）焼成処理された構造体はＣＲＴのカソードを損なうような物質を含んでいないこと、（ｋ）すべての材料及び製造にかかるコストが実際的なものであり得ることなどである。この記述及び以下の請求項に於いて、「セラミック」という言葉が頻繁に使用されるが、これは文脈上セラミックテープ若しくはセラミック層若しくはセラミックシートを意味している。つまり、この言葉はよく知られたガラスセラミックテープ、失透ガラステープ、セラミックガラステープ、セラミックテープ若しくはその他のテープを意味しており、また、その他のテープとは、プラスチックの結合剤、及びセラミック若しくはガラスの粒子を有し、焼成処理されていない状態に於いて柔軟性を有し加工可能であって、焼成によって硬く剛性の高いものに硬化することができるようなものであるが、始めから柔軟性を有し最終的に硬く剛性の高い状態に処理することができる等価な材料であれはそれも使用できる。セラミックテープはセラミックの粒子、アモルファスガラス粒子、結合剤及び可塑剤の混合物から作られる。初めは、この混合物はスラリーとなっており、セラミックテープに形成されるのではなく型に入れて成型することができる。セラミックテープは焼成していない状態でスラリーから作ることができるが、これは容易に所望の形に成型したり切ったりすることができる変形可能な材料である。セラミックテープは薄いシート状に作られるが、その厚みは、例えば０．３ｍｉｌから１０ｍｉｌ程度である。本発明の実施に於いて使用可能なセラミックテープで入手可能なものの例としては、米国テネシー州チャタヌーガのＣｏｏｒｓＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰａｃｋａｇｅ社の、カタログ番号ＣＣ−９２７７１／７７７及びＣＣ−ＬＴ２０、若しくはこのセラミックテープと実質的に等価なテープなどがある。本発明の目的のために使用可能な低温ガラスセラミック材料の他の例としては、デュポン社のグリーンテープ（Green Tape）がある。グリーンテープは非常に薄いシート（例えば約３ｍｉｌから１０ｍｉｌ）形状のものが入手可能であり、比較的低い温度、約９００℃から１０００℃で焼成処理可能であり、焼成処理をしていない状態で優れた加工性を与える可塑剤を含んでいる。グリーンテープはセラミック粒子及び、やはり粒子状のアモルファスガラスの混合物であって更に結合剤及び可塑剤を含む製品である。米国特許第４，８２０，６６１号、第４，８６７，９３５号及び第４，９４８，７５９号を参照されたい。焼成処理前のセラミックテープは以下に述べるような方法で形成し、本発明に基づきスペーサ壁及びスペーサ構造体を製造することができる。セラミックテープは成型後、焼成処理される。焼成処理は２つの段階からなる。第１の段階では、テープが約３５０℃の温度まで加熱され結合材及び可塑剤をテープから燃焼させてなくしてしまう。第２の段階では、テープが一定の温度（セラミックの組成によって決まる温度で８００℃から２０００℃の間）まで加熱され、セラミックの粒子が焼結して強靭で密度の高い構造を形成する。スペーサ壁は以下のようなフラットパネルディスプレイに組み立てられる。ストリップは、フラットパネルディスプレイにおいて必要な長さ及び幅を有し、焼成されていないセラミックテープのシートから切り取られて作られる。焼成処理されていないセラミック若しくはガラスセラミックを用いることの利点は、ストリップがスリッティング（slitting）若しくは打ち抜きによって容易に作ることができる点である。このストリップは焼成処理される。焼成処理されたストリップ（スペーサ壁）は、フェースプレート及びバックプレートの予め定められた適当な位置に配置される。スペーサ壁は、組立の間同じ位置に保持されてフェースプレート及びバックプレートに対して適切に整合する。スペーサ壁のストリップは、焼成処理済みのセラミック若しくはガラスセラミックのシートから作ることもできる。焼成処理されたシートは被覆（詳細については以下に述べる）をなされて、スペーサ壁を形成するストリップに加工される。もう１つの方法として、焼成処理されたシートをストリップに加工した後に、被覆をなすようにすることもできる。第３図は本発明の１つの実施態様であるフラットパネルディスプレイ３００の透視図であって、表層部の一部を切り取って内部を示しているものである。フラットパネルディスプレイ３００は、フェースプレート３０２、バックプレート３０３及び側壁３０４を有し、これらによって密封されたケース内部３０１が形成され、そこは真空状態、例えばほぼ１×１０^-7ｔｏｒｒ以下に保たれている。スペーサ壁３０８はバックプレート３０３に対してフェースプレート３０２を支持する。電界放出カソード３０５はケース内部３０１のバックプレート３０３の表面上に形成される。以下に更に詳しく述べるように、横行及び縦列の電極（図示せず）はカソードの放出素子（図示せず）からの電子の放出を制御する。同様に以下に更に詳しく述べるように、電子は加速されて、蛍光体で被覆をなされたフェースプレート３０２の内部表面（例えばアノード）に向かう。ＩＣチップ３１０は横行及び縦列の電極の電圧を制御してフェースプレート３０２への電子の流れを調節する駆動回路を含む。電気伝導トレース（図示せず）はチップ３１０上の回路と横行及び縦列電極との電気的接続をなすのに使用される。第４Ａ図はフラットパネルカラーＣＲＴディスプレイの一部を図解したもので、それは隆起した形で設けられたブラックマトリクスと共に電界放出カソードの領域を備えている。第４Ａ図のＣＲＴディスプレイは透明で電気的に絶縁性の平らなフェースプレート３０２及び電気的に絶縁性の平らなバックプレート３０３を有する。プレート３０２及び３０３の内部表面は互いに向かい合っており、典型的には０．０１ｍｍ〜２．５ｍｍ隔てられている。フェースプレート３０２は典型的には１ｍｍの厚みを持つガラスからできている。バックプレート３０３は典型的には１ｍｍの厚みを持つガラスセラミック若しくはシリコンからできている。横向きに隔てられて設けられ絶縁体のスペーサ壁３０８のグループはプレート３０２及び３０３の間に配置されている。スペーサ壁３０８は互いに平行に一定の間隔で延在しており、プレート３０２及び３０３に対して垂直な向きに設けられている。各壁３０８は典型的には８０μｍ〜９０μｍの厚みを有するセラミックからできている。また、壁３０８の中心線と中心線との距離は、典型的には８ｍｍ〜２５ｍｍである。以下で更に論ずるように、壁３０８は内部支持体を構成し、プレート３０２と３０３との間隔を、ディスプレイのアクティブ領域全体に亘って実質的に均一に保っている。パターンの設けられた領域の電界放出カソード構造体３０５は、バックプレート３０３とスペーサ壁３０８との間に配置されている。第４Ｂ図は、第４Ａ図の矢印Ｃで表される方向から見た電界放出カソード構造体３０５のレイアウトを描いたものである。カソード構造体３０５は、電子放出素子３０９の大きなグループと、パターンをなす形で設けられた金属エミッタ電極（ベース電極と呼ばれることもある）を実質的に同じ形状の曲線的なライン３１０に分割したものと、金属ゲート電極を実質的に同じ形状の直線的なライン３１０に分割したものと、電気的絶縁層３１２からなる。エミッタ電極のライン３１０は、バックプレート３０３の内部表面に配置され、互いに平行に均一の間隔で延在している。各エミッタライン３１０の中心線の間隔は、典型的には３１５μｍ〜３２０μｍである。ライン３１０は典型的には０．５μｍの厚みを有するモリブデン若しくはクロムから形成されている。各ライン３１０は典型的には１００μｍの幅を有する。絶縁層３１２はライン３１０の上、及びラインと横向きに隣接するバックプレート３０３の一部分の上に設けられている。絶縁層３１２は、典型的には１μｍの厚みを有する二酸化シリコンから成る。ゲート電極ライン３１１は絶縁層３１２上に配置され、互いに平行に均一の間隔で延在している。ゲートライン３１１の中心線の間隔は、典型的には１０５− １１０μｍである。ゲートライン３１１はエミッタライン３１０に直交する向きに延在している。ゲートライン３１１は典型的には０．０２μｍ〜０．５μｍの厚みを有するチタン−モリブデン複合材料から形成される。各ライン３１１は典型的には３０μｍの幅を有する。電子放出素子３０９は、バックプレート３０３の内部表面上に横向きに隔てられて配置された複合素子の組（multi-element sets）のアレイの形で配置されている。詳述すると、電子放出素子３０９の各組は、ゲートライン３１１の１つがエミッタライン３１０の１つと交わる突出領域の一部若しくは全部に於いて、バックプレート３０３の内部表面上に配置されている。スペーサ壁３０８は、電子放出素子３０９の組の間の領域に設けられ、エミッタライン３１０の間の領域の拡かる向きに延在している。各電子放出素子３０９は、絶縁層３１０の開口部（図示せず）を通して延在する電界エミッタであって、下層をなすエミッタライン３１０の１つと接続している。各電界エミッタ３０９の頂部（若しくは上端部）は、上層をなすゲートライン３１１の１つの対応する開口部（図示せず）を通して露出されている。電界エミッタ３０９は釘状のフィラメント若しくは円錐形のようなさまざまな形状で設けることができる。電界エミッタ３０９の形状は、その材料が良好な電子放出特性を有する限り、材料によって特定されるものではない。エミッタ３０９はさまざまな工程によって製造されうるものであるが、これらの工程は１９９３年９月８日にMacaulay他によって出願された「Structure and Fabrication of Filamentary Field-Emission Device，Including Self-Aligned Gate」という名称の米国特許出願第０８／１１８，４９０号、及び１９９３年１１月２４日に Spindt他によって出願された「Field-Emitter Fabrication Using Charged-Part icle Tracks，and Associated Field-Emission Devices」という名称の米国特許出願第０８／１５８，１０２号に於いて開示されている。本発明に関して、出願番号第０８／１１８，４９０号及び第０８／１５８，１０２号の特許出願の内容を参照されたい。ブラックマトリクスを含む発光構造体はフェースプレート３０２とスペーサ壁３０８との間に設けられている。発光構造体は、発光領域３１３、及び実質的に光を反射せず同じ形状を有する暗隆起部分（dark ridges）３１４からなる。第４Ｃ図は、第４Ａ図の矢印Ｄによって表される方向から見た発光構造体のレイアウトを描いたものである。発光領域３１３及び暗隆起部分３１４は、両者ともフェースプレート３０２の内部表面上に配置されている。発光領域３１３は、各暗隆起部分３１４の間に配置されている（逆の言い方もできる）。領域３１３及び隆起部分３１４に電子放出素子３０９から放出された電子が衝突したとき、発光領域３１３はさまざまな色を発する。暗隆起部分３１４は、発光領域３１３と比較すると実質的に発光をせず、領域３１３に対するブラックマトリクスを形成している。更に詳述すると、発光領域３１３は、互いに平行に等間隔でゲートライン３１１と同じ方向に延在しており、同じ幅の直線的なストライプ状に設けられた蛍光体からなる。各蛍光体のストライプ３１３は典型的には８０μｍの幅を有する。蛍光体ストライプ３１３の厚み（若しくは高さ）は１μｍ〜３０μｍで、典型的には２５μｍである。蛍光体ストライプ３１３は赤い（Ｒ）光を発する複数の実質的に同じ形のストライプ３１３ｒと、緑の（Ｇ）光を発する同様に複数の実質的に同じ形のストライプ３１３ｇと、青（Ｂ）の光を発する同様に複数の実質的に同じ形のストライプ３１３ｂに分割されている。蛍光体ストライプ３１３ｒ、３１３ｇ、及び３１３ｂは、第４図に示されるように３種のストライプ３１３が繰り返される形で設けられる。各蛍光体ストライプ３１３はゲートライン３１１の対応する１本から全体に横切る形で配置されている。この結果、ストライプ３１３の中心線の間隔はゲートライン３１１のそれと等しくなる。暗隆起部分３１４は、同様に互いに平行に等間隔でゲートライン３１１と同じ方向に延在している。隆起部分３１４の中心線の間隔は、やはり同様にライン３１１のそれと等しい。各暗隆起部分の平均的な高さと平均的な幅の比は０．５〜３の範囲であって、典型的には２である。隆起部分３１４の平均的な横幅は１０ μｍ〜５０μｍ、典型的には２５μｍである。隆起部分３１４の高さは２０μｍ〜６０μｍであって、典型的には５０μｍである。暗隆起部分３１４の平均的高さは、蛍光体ストライプ３１１の厚み（若しくは高さ）よりも少なくとも２μｍ大きいものとなっている。上記した典型的なケースでは、隆起部分３１４はストライプ３１３より２５μｍ高く隆起している。従って、隆起部分３１４はストライプ３１３と比ベてフェースプレート３０２から更に盛り上がった形となっている。各隆起部分３１４は、その横幅全体及び高さの少なくとも一部分を占める暗い（事実上黒色の）非反射領域を含んでいる。第４Ａ図は、これらの暗非反射領域が隆起部分３１４の高さ全体を占めている例を示している。この後の図に於いては、暗非反射領域が隆起部分の高さ方向の一部分のみを占めている例を図解している。暗隆起部分３１４の材料の選択肢は広い。隆起部分３１４は、ニッケル、クロム、リオブ、金、及びニッケル−鉄合金のような金属から形成することができる。隆起部分３１４は、ガラス、ソーダガラス（若しくはフリット）、セラミック、及びガラスセラミックのような電気的絶縁物や、シリコンのような半導体や炭化シリコンのような材料によっても形成される。これらの材料の混合物も、隆起部分３１４の材料として使用可能である。隆起部分３１４が金属でできている場合、それは３００℃〜６００℃の範囲の温度で十分に軟化し、スペーサ壁３０８のような物体をわずかに押し込むことができる。隆起部分３１４がソーダガラスでできている場合、同様に３００℃〜５００℃の範囲の温度で軟化する。隆起部分の材料がガラスの場合、隆起部分３１４は５００℃〜７００℃の範囲の温度で軟化する。光反射層３１５は第４Ｂ図に示されるように蛍光体ストライプ３１３及び暗隆起部分３１４の上に配置されている。層３１５の厚みは十分に小さいもので、典型的には５０ｎｍ〜１００ｎｍであり、電子放出素子３０９から発せられる電子のほぼ全てが、殆どエネルギーを失うことなく層３１５を通過してその下の層に衝当するようになっている。蛍光体ストライプ３１３に隣接した光反射層３１５の表面部分は非常に滑らかなものとなっている。層３１５は金属、好ましくはアルミニウムからできている。これによって、ストライプ３１３から発せられた光の一部は層３１５で反射されてフェースプレート３０２を通過してゆく。即ち、層３１５は基本的に反射鏡である。層３１５はディスプレイの最終的なアノードとしての機能も果たしている。ストライプ３１３は層３１５に接しているので、アノード電圧はストライプ３１３に加えられている。スペーサ壁３０８はディスプレイのアノード側の光反射層３１５に接している。暗隆起部分３１４は蛍光体ストライプ３１３よりもバックプレート３０３に向かって更に隆起しているので、壁３０８は、層３１５に於ける、隆起部分３１４の頂部（若しくは第４Ａ図に示されている方向では底部）に沿った部分に接触している。隆起部分３１４が余計に隆起していることによって、壁３０８が、光反射層３１５の蛍光体ストライプ３１３に沿った部分には接触しないようにされている。ディスプレイのカソード側に於いて、スペーサ壁３０８は第４Ａ図に示すようにゲートライン３１１に接触している。これとは別の形式で、壁３０８がライン３１１の上に伸びる収束隆起部分（focusing ridges）に接触してもよく、これは、１９９４年にSpindt等によって出願された「Field Emitter with Focusing Ridges Situated to Sides of Gate」という名称の米国特許出願に記載されており、ここではその内容を参照されたい。壁３０８は従来の方法、若しくは本明細書に記載した方法で製造することができる。ディスプレイにかかる外部からの空気圧は普通大気圧、即ち７６０ｔｏｒｒ付近である。ディスプレイの内部の圧力は普通１０^-7ｔｏｒｒより小さい数値に設定されている。これは普通の外気圧より大変に小さなものなので、大きな圧力差による力がプレート３０２及び３０３には常にかかることになる。スペーサ壁３０８はこの圧力に対する抵抗力を与える。蛍光体ストライプ３１３は機械的な接触によって容易に損なわれうるものである。暗隆起部分３１４が余計に隆起しているために、光反射層３１５のストライプ３１３に沿った部分と壁３０８とは隔たっているので、壁３０８が、ストライプ３１３に直接その抵抗力を及ぼさない形となっている。ストライプ３１３がこの抵抗力のために損傷を被る危険は、このような形となっていない場合と比べて大いに低減される。ディスプレイは画素の横行及び縦列のアレイに更に分けられる。典型的な画素３１６の領域の境界は、第４Ａ図では矢印で示され、第４Ｂ図及び第４Ｃ図では点線で示されている。各エミッタライン３１０は画素の横行の１つに対する横行の電極となる。図示を容易にするため、第４Ａ図、第４Ｂ図、及び第４Ｃ図に於いては画素の横行が１本だけ、隣接する一対のスペーサ壁３０８（画素の横行の側面に沿って一部オーバーラップしている）の間に設けられた形で示されている。しかし一般的には、２本以上の画素の横行、典型的には２４−１００の画素の横行が、各隣接する対になった壁３０８の間に設けられている。各画素の縦列は３本のゲートライン３１１を有し、その３本とは（ａ）１本が赤、（ｂ）第２番目が緑、そして（ｃ）第３番目が青である。同様に、各画素の縦列は、蛍光体ストライプ３１３ｒ、３１３ｇ、及び３１３ｂを各１つずつ含むことになる。各画素の縦列は４つの暗隆起部分３１４を使用している。隆起部分３１４の２本は画素の縦列の内側にあり、残りの２つは隣接する画素の縦列と共有している。結果的に、光反射層３１５及び蛍光体ストライプ３１３はエミッタ電極の電位に対して１，５００Ｖ〜１０，０００Ｖの正の電位差を維持されている。電子放出素子３０９の組の１つが、エミッタライン３１０及びゲートライン３１１の適当に調整された電位によって適切に励起状態とされた場合、その組となった素子３０９は電子を放出し、それは、対応するストライプ３１３の蛍光体の、目標とする部分に向かって加速される。第４Ａ図には、このような電子群の１つが移動する軌道３１７が図解されている。対応するストライプ３１３の、目標とする蛍光体に衝突したとき、その放出された電子によって、これらの蛍光体が第４Ａ図の３１８によって表されるように光を発する。電子の中には、目標とする蛍光体でなく、発光構造体の他の部分に衝突するものが一定量存在する。目標点以外への電子の衝突に対する許容度は、縦列方向（即ち縦列に沿った方向）より横行方向（即ち横行に沿った方向）のほうが小さいが、これは各画素が３本の異なるストライプ３１３の蛍光体を含んでいるからである。暗隆起部分３１４によって形成されるブラックマトリクスは、横行方向の目標点を外れた電子の衝突を補償して、高い色純度と共にシャープなコントラストを提供する。第４Ｄ図は、第４Ａ図のＣＲＴの全体の断面図を示している。電気的に絶縁性の外壁３０４はプレート３０２及び３０３のアクティブ領域の外側の部分に設けられており、密閉されたケース３０１を形成している。外壁３０４は正方形若しくは長方形に配置された４つの各壁からなり、典型的には２ｍｍ〜３ｍｍの厚みを有するガラス若しくはセラミックからなる。第４Ｄ図に示したように、スペーサ壁３０８が外壁３０４の近くの領域まで設けられているのが一般的である。しかし、スペーサ壁３０８を外壁３０４に接触した形で設けることもできる。バックプレート３０３はフェースプレート３０２の向かい側に横向きに拡がる形で延在している。エミッタライン３１０及びゲートライン３１１に接続しているリードのような電子回路系（図示せず）は、バックプレート３０３のフェースプレート側の表面上で、外壁３０４の外側部分に取り付けられている。光反射層３１５は周囲の密閉部分を通して延在し、アノード／蛍光体電圧がかけられている接続パッド３１９に接続されている。第４Ｅ図は、第４Ａ図のＣＲＴディスプレイに於ける、発光ブラックマトリクス構造の一部の拡大図である。例示のために、第４Ｅ図に於ける暗隆起部分３１４は、主たる暗部分３１４ａ及び発光部分３１４ｂからなる形に図解されている。暗部分３１４ａはフェースプレート３０２と発光部分３１４ｂとの間にあり、第４Ｅ図の隆起部分３１４の全体に亘って延在している。発光部分３１４ｂは、透明な材料で作ることができる。第４Ｅ図では、蛍光体３１３とアルミニウムの光反射層３１５の間の境界部分に沿った蛍光体の表面の部分が粗くなっていても、アルミニウムの光反射層３１５の表面の、蛍光体３１３と層３１５の間の境界部分に沿った部分が滑らかであることも示している。第７Ａ図は、本発明の１つの実施例に基づくフラットパネルディスプレイ７００の一部の単純化した断面図であって、電界エミッタカソード（ＦＥＣ）構造体を有するフラットパネルディスプレイ７００に於いて、アノードスペーサ壁７０８が使用されているのを図解したものである。ＦＥＣ構造体は、電気的に絶縁性のバックプレート７０３上に形成された横行電極７１０を含む。絶縁体７１２（電気的に絶縁性の物質によって作られたもの）はバックプレート７０３上に形成されて、横行電極７１０を覆う。絶縁体７１２には、横行電極７１０に通ずる孔７１２ａが設けられている。エミッタ７０９は、孔７１２ａ内の横行電極７１０上に形成される。エミッタ７０９は円錐形で、エミッタ７０９の頂端部７０９ａは、絶縁体７１２の上面と丁度同じレベルまで延びている。他のタイプのエミッタも使用可能であることは理解されよう。縦列電極７１１は絶縁体７１２の孔７１２ａの周囲に設けられ、孔７１２ａの上を部分的に覆うように延在し、エミッタ上端部７０９ａと縦列電極との距離が予め定められた大きさとなっている。縦列電極７１１及びエミッタ上端部７０９ａは、フェースプレート７０２から空間によって隔てられている。ＦＥＣ構造体とフェースプレート７０２との間の空間は密閉されており、真空状態、即ちほぼ１０^-7ｔｏｒｒ以下に保たれている。蛍光体７１３は、ＦＥＣ構造体に面しているフェースプレート７０２の表面上に設けられる。エミッタ７０９は励起状態にされて電子７１４を放出し、その電子は空間に於いて加速されてフェースプレート７０２上の蛍光体７１３に衝突する。蛍光体７１３に電子７１４が衝突したとき蛍光体７１３は発光し、その光はフェースプレート７０２を通して見ることが出来る。アノードスペーサ壁７０８は、縦列電極７１１から延びてフェースプレ卜７０２に至り、フラットパネルディスプレイ７００内部の真空状態とその外部の大気圧との圧力差によって生する力に対抗すべくフェースプレート７０２を支持する。上記の実施例に於いては、スペーサは、カソードとフェースプレート上の蛍光体の被覆との間の電子の軌道に干渉してはならない。従って、スペーサ自身が電荷を帯びて電子を引きつけ、或いは反発して、許容範囲を越える程電子の軌道を歪めることがないように、スペーサ壁は十分な電気伝導性を有するものでなければならない。これ加えて、高電圧の蛍光体から大きな電流が流れて大きなパワーのロスを生ずることのないように、スペーサは十分に電気的絶縁性を有するものでなければならない。スペーサは電気的に絶縁性の物質で、その上に電気伝導性の物質の薄い被覆をなしたものから作られるのが望ましい。第９Ａ図は、本発明の実施例に基づくスペーサ壁９０８上に形成された被覆９０４を含むフラットパネルディスプレイ９００の一部を示す、第９Ｂ図の９ｂ− ９ｂで切った単純化された断面図である。第９Ｂ図はフラットパネルディスプレイ９００の一部を示す、第９Ａ図の９ａ−９ａで切った単純化された断面図である。フラットパネルディスプレイ７９００はフェースプレート９０２、バックプレート９０３及び側壁（図示せず）を有し、それらは内部が真空状態、即ちほぼ１×１０^-7ｔｏｒｒ以下に保たれた密閉されたケース９０１を形成している。収束リブ（focusing ribs）（または収束隆起部分）９０２がバックプレート９０３の内部表面上に設けられ、それは第９Ａ図の面に対して垂直となっている。フラットパネルディスプレイに於ける収束リブの使用及び構造は、詳細が、Spindt他を発明者とする「Field Emitte r with Focusing Ridges Situated to Sides of Gate」という表題の、米国特許の本出願人による同時係属出願に記載されており、その本発明に関係する部分を参照されたい。各対になった収束リブ９１２の間に形成される凹状部分に於いて、電界エミッタ９０９がバックプレート９０３の内部表面上に形成される。電界エミッタ９０９は、ほぼ１，０００のグループに形成されている。暗隆起部分９１１のマトリクスは、ケース内部９０１のフェースプレート９０２上に設けられ、詳細については第４Ａ図〜第４Ｅ図に関して前に記述したとおりである。蛍光体９１３は、隆起部分９１１の間の各凹状部分を部分的に埋めるように形成されている。アノード９１４は薄いアルミニウムのような電気伝導物質であって、蛍光体９１３上に形成される。スペーサ壁９０８は、バックプレート９０３に対してフェースプレート９０２を支持している。各スペーサ壁９０８の両端の間の表面には抵抗性の被覆９０４がなされるか、若しくはドーピングが施されているが、このことは以下に更に詳細に述べられている。抵抗性被覆９０４によって、スペーサ壁９０８上に電荷が帯びるのを最小化若しくは防止して、電子の流れ９１５を歪めることのないようにしているのである。各スペーサ壁９０８の一端は複数の隆起部分９１１に接触し、金属被覆エッジ９０５が設けられている。スペーサ壁９０８の反対側の一端は、複数の収束リブ９１２に接触し金属被覆エッジ９０６が設けられている。金属被覆エッジ９０５及び９０６は、例えばアルミニウム若しくはニッケルでできている。金属被覆エッジ９０５及び９０６によって、被覆９０４とフェースプレート９０２との間の、若しくは被覆９０４と収束リブ９１２との間の良好な電気的接続がなされ、それによってスペーサ壁９０４の両端の電圧が好ましく画定され、抵抗値の均一な接続がなされる。スペーサ壁９０８、被覆９０４及び金属被覆エッジ９０５の間の境界部分の形態は、様々なものが採用可能であるが、このことは以下に詳しく述べる。電極９１７は各スペーサ壁９０８の被覆をなされた（またはドーピングされた）表面上に形成され、エミッタ９０９からアノード９１４へと上昇する電位を「細分化」するのに用いられる。本発明の別の実施例に於いては、スペーサ壁９０８は電極９１７の無い形で形成される。各電界エミッタのグループ９０９は電子９１５をフェースプレート９０２の内部表面に向かって放出する。フラットパネルディスプレイ９００の一部として回路系（図示せず）が形成されるが、それは例えばＩＣチップ上に接続可能な形でバックプレート９０３の外面に設けられ、電極９１７の電位を制御するのに用いられる。各電極９１７の電位は電界エミッタ９０９からアノード９１４の高電圧まで直線的に電位が上昇するように設定されるのが一般的である。従って、電子９１５はフェースプレート９０２に向かって加速され、蛍光体９１３に衝突してフラットパネルディスプレイ９００から放射される光を発生する。最適な収束のために、第９Ａ図の面に於ける必要な等電位線は収束リブ９１２の近傍に於いて曲がった線を描き、収束リブ９１２から出てエミッタ９０９のある空間に入る形となっている。しかし、スペーサ壁９０９の存在がその位置、即ちスペーサ壁９０９の直線的な形をした底部に於ける等電位線に影響を与える。本発明によれば、スペーサ壁９０９の底部の近傍に電極９１７を設けることができ、所望の曲がった形状の等電位線を有する電界を形成することができる。第１０図は、電圧を縦軸に、電界エミッタ９０９からの距離９０７（第９Ｂ図）を横軸にとったグラフである。アノード９１４は電界エミッタ９０９から距離９１６だけ隔てられて設けられ、電界エミッタ９０９より高い電位（第１０図に於いてＨＶで表されている）を維持されている。スペーサ壁９０８の一つから離れた所にある電界エミッタ９０９のグループ、例えば電界エミッタ９０９ｂに対しては、スペーサ壁９０８は電界エミッタ９０９からの電子の流れ９１５に干渉することはなく、電界エミッタ９０９からアノード９１４への電位の変化は、第１０図に示すようにほぼ直線的である。電界エミッタ９０９とアノード９１４との間の電位の変化は各スペーサ壁９０８の近傍に於いても直線的であることが必要で、それによって電子の流れが歪められることがなくなる（即ち画像の質の低下を防げる）。しかし、電界エミッタ９０９ａのようにスペーサ壁９０８の１つの近くに設けられた電界エミッタ９０１のグループに於いては、隣接したスペーサ壁９０８によって電界エミッタ９０９からの電子の流れ９１５が干渉されることがあり得る。電界エミッタ９０９ａから発せられた浮遊電子９１５はスペーサ壁９０８に衝突して、一般的にはスペーサ壁９０８に電荷を蓄積することになる。スペーサ壁９０８に衝突する電子密度を（電流密度ｊ）所与のものとすると、スペーサ壁９０８の表面に蓄積する電荷の量はｊ・（１−δ）に等しくなる。δ≠１のとき、電荷の蓄積によってスペーサ壁９０８表面の電位が望ましい電位からずれることになり、スペーサ壁９０８からの電子の流れがゼロでなくなる。スペーサ壁９０８の電気伝導性が低い場合は、電位のずれはスペーサ壁９０８の近傍の電子の流れを歪めて、ディスプレイの画像の質を低下させることになる。一般的に言ってスペーサ壁９０８の近傍に於ける望ましい電位（電界エミッタ９０９からアノード９１４への直線的な電位の上昇に基づいて求められる）からの電位の偏差は以下の方程式で与えられる。 ΔＶ＝ρ_s・｛ｘ・（ｘ−ｄ）／２｝・ｊ・（１−δ）（１）ここで、 ΔＶ＝電圧の変化（Ｖ） ρ_s ＝スペーサ壁の面抵抗（Ω／□）ｘ＝最も近い電極との距離、０＜ｘ＜ｄ（ｃｍ）ｄ＝電極間の距離（ｃｍ）ｊ＝スペーサ壁の表面に流れる電流密度（Ａ） δ ＝二次電子放出比（無次元）である。上記の方程式に於いては、電流密度ｊがスペーサ壁９０８に均一に衝突し、スペーサ壁９０８の面抵抗ρ_sが均一であることが仮定されている。更に正確に言えば、方程式（１）は電流密度ｊがスペーサ壁９０８上の位置に依存していること、二次電子放出比δがスペーサ壁９０８上のその位置における正確な電位に依存していることを説明しているのである。方程式（１）に見られるように、電位の偏差ΔＶは２つの電極９１７の中間点で最大となり、（即ち｛ｘ・（ｘ−ｄ）／２｝という最大値をとる）ΔＶは電極からの距離の二乗に比例する。このため、更に電極を加えることによってスペーサ壁９０８近傍の電位のずれを最小化し、それによってフェースプレート９０２へ向かう電子９１５の流れの歪みを最小にすることができるのである。ｗの電極をｎ個、高さｈのスペーサ壁９０８に追加すると、フラットパネルディスプレイ９００の電力消費は減少するが、電力比は以下の式で与えられる。Ｐ_NEW／Ｐ_OLD＝（ｄ−ｎｗ）／｛ｄ・（ｎ＋１）²｝（２）例えば、４ｍｉｌの幅を有する４つの電極を高さｈが１００ｍｉｌのスペーサ壁９０８に追加すると、所与のΔＶ_maxに対する電力Ｉ²Ｒのロスはほぼ３０分の１程度となる。この更に効率的な電荷放出によって面抵抗ρ_sの値が高まり、電力消費を著しく節約することができるのである。他の利点としては、電極９１７が僅かに露出した形で設けられている場合、電極９１７によって電荷が大部分さえぎられ、電気を帯びないようにされている高抵抗の部分に電荷が衝突するのを防いでいることである。しかし、各追加された電極９１７によってディスプレイ９００の製造コストが上昇する。フラットパネルディスプレイ９００に含まれる電極９１７の数は、以下述べる要素の間のトレードオフの関係を考慮して選択される。方程式（１）から更に読みとれることは、電極９１５の数が所与の場合、面抵抗ρ_sが低下するにつれ電位の偏差ΔＶも低下し、二次電子放出比δは１に近づくということである。従って、スペーサ壁９０８の表面が、低い面抵抗ρ_s と１に近い二次電子放出比δを有することは望ましいことである。二次電子放出比δは下限が０で、上昇した場合は非常に高い数値を取りうるので、一般的には、二次電子放出比に関しては、低い値の二次電子放出比δを有する材料を選択するのが望ましいということが言える。第１１図は二次電子放出比を縦軸に、電圧を横軸に取ったグラフであって、２つの物質、即ち物質１１０１及び１１０２の特性を示したものである。物質１１０１のような高抵抗率の物質に対してはほとんどの場合、エネルギーが１００Ｖから１０，０００Ｖの範囲で二次電子放出比は１より大きい値（しばしば１よりずっと大きな値）となり、表面は正の電荷を帯びることになる。第４図に関して前に述べたように、アノード９１４はエミッタ９０９に対して１，５００Ｖ〜１０，０００Ｖの正の電位差を維持しているのが一般的である。更に、上記のように、スペーサ壁９０８は、好ましくは電気的に絶縁性（即ち高い抵抗率を有する）の物質から作られている。従って、スペーサ壁９０８は正の電荷を帯びる（そしてしばしば大きな電荷である）のが一般的であり、エミッタ９０９からの電子９１７の流れを弱めることになる。しかし、物質１１０２は、フラットパネルディスプレイ９００の電位の範囲に於いては二次電子放出比δが１程度に保たれている。電位の偏差ΔＶが１−δに比例して変化するので、スペーサ壁９０８の表面が物質１１０２でできている場合、スペーサ壁９０８の表面には電荷（正負を問わず）がほとんど蓄積されない。この結果、スペーサ壁９０８の存在が、電界エミッタ９０９とアノード９１４との間の電位差に影響を与えることがほとんどなく、従って、スペーサ壁９０８のために電子９１５の流れが歪められることが最小化される。本発明によれば、ケース内部９０１に向くように設けられているスペーサ壁９０８の表面は第１１図の材料１１０２によく似た二次電子放出比δの特性を有する材料で処理される。更に、この表面はスペーサ壁９０８の大きな抵抗と比較して低い抵抗値を持つ表面となるように処理され、電荷がスペーサ壁９０８から若しくはフェースプレート９０２からバックプレート９０３へ容易に流れるようにされ、かつその抵抗値はフェースプレート９０２上の高電圧蛍光体からの電流の流れが大きくなって大きな電力ロスとなるほど低いものではないものとされる。本発明の実施例の１つに於いて、スペーサ壁９０８はセラミック製であり、被覆９０４は二次電子放出比δが４より小さく面抵抗ρ_sが１０⁹と１０¹⁴Ω／□の間であるような材料によってなされる。更に別の実施例に於いては、被覆９０４に用いられる材料は、面抵抗ρ_sは前記の通りで、二次電子放出比δが２より小さいものである。この実施例に於ける被覆９０４は、例えば、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン、酸化バナジウム若しくはこれらの混合したものを材料として形成される。更に別の実施例に於いては、被覆９０４は酸化クロムによってなされる。被覆９０４の厚みは０．０５μｍと２０μｍとの間である。本発明の別の実施例に於いて、被覆９０４は、二次電子放出比δの大きさについては特に決まっていないが面抵抗ρ_sが１０⁹から１０¹⁴Ω／□である材料によって形成されたスペーサ壁９０８上の第１被覆を含んでいる。そして第１被覆の上には、二次電子放出比δか１つの実施例に於いては４より小さく、別の実施例に於いては２より小さいような第２被覆か形成される。第１被覆の材料としては、例えば、酸化チタンクロム、酸化シリコン若しくは窒化シリコンなどがある。第２被覆の材料としては、例えば、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン、酸化バナジウム若しくはこれらの材料の混合物などがある。被覆９０４の全体の厚みは０．０５μｍと２０μｍとの間である。本発明の更に別の実施例に於いて、スペーサ壁９０８はその表面にドーピングを施されて面抵抗ρ_sが１０⁹から１０¹⁴Ω／□の間となり、次に、二次電子放出比δが１つの実施例に於いては４より小さく、また別の実施例に於いては２より小さいような被覆９０４をなされる。ドーパントとしては、例えば、チタン、鉄、マンガン若しくはクロムなどが使用できる。被覆９０４は例えば、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン、若しくは酸化バナジウム、これらの材料の混合物などがある。１つの実施例に於いて被覆９０４は酸化クロムであり、その厚みは０．０５μｍと２０μｍとの間である。また別の実施例に於いては、スペーサ壁９０８はその表面に、面抵抗が１０⁹ と１０¹⁴Ω／□の間となるべく、濃縮ドーピングを施される。ドーパントとしては、例えば、チタン、鉄、マンガン若しくはクロムが使用できる。本発明の別の実施例に於いて、スペーサ壁９０８は部分的に電気伝導性セラミック若しくはガラスセラミック材料から作られる。上記の被覆９０４はスペーサ壁９０８上に何らかの適切な方法によって形成される。例えば被覆９０４は、よく知られた技術、例えば、熱若しくはプラズマ強化化学蒸着、スパッタリング、蒸発、スクリーンプリンティング、回転塗布機による塗布、噴霧若しくはディッピング（dipping）によって形成できる。どんな方法が使用されたとしても、面抵抗の均一性が±２％以内に収まるように被覆９０４を形成するのが望ましい。このために、被覆９０４を形成するにあたって、厚みを特定の誤差の範囲内に制御して行うのが一般的である。スペーサ表面の被覆を形成するための別の方法としては、第１のセラミック層に含まれる材料を利用することが上げられるが、このセラミック層はその後の焼成処理に於いて多少電気伝導性をもつようにすることができる。上記の実施例に於いて、スペーサ壁の表面に電荷が帯びるのを最小化若しくは防止するために行われるスペーサ壁の処理について述べた。スペーサ構造体、例えばスペーサ構造体６０８（第６図）を有する本発明の実施例に於いて、スペーサ構造体の電子が流れる開口部の表面は上記のように処理され、その表面が電荷を帯びるのを最小化若しくは防止している。第１２Ａ図から第１２Ｄ図はスペーサ壁の間の境界部分を図解した断面図であって、本発明のさまざまな実施例による抵抗性被覆、金属被覆エッジ、収束リブが示されている。各実施例の被覆は、第９Ａ図、第９Ｂ図及び第９Ｃ図に関して前に記述した被覆の１つである。各実施例に於いて、金属被覆エッジと抵抗性被覆の境界部分が正確に形状を定めて設けられるが、それは直線的な形状でカソードからの一定の高さを有しているので、バックプレートに平行な、スペーサ壁の長手方向に沿った基部に於いて、直線的な等電位線が画定される。以下に述べる本発明の実施例に基づく金属被覆エッジは、上記の抵抗性被覆９０４の形成に於いて使用した技術によって、スペーサ壁の表面のエッジ部分に形成される。第１２Ａ図に於いて抵抗性被覆１２０４は、スペーサ壁１２０８の側面１２０８ａ上に形成される。被覆１２０４は側面１２０８上に形成されるので、被覆１２０４は側面１２０８ａの末端部からはみ出して延在していない。金属被覆エッジ１２０６はスペーサ壁１２０８の末端面１２０８ｂ上に形成され、従って金属被覆エッジ１２０６は被覆１２０４からはみ出して延在していない。第１２Ｂ図に於いて、抵抗性被覆１２１４はスペーサ壁１２１８の側面１２１８ａ及び末端面１２１８上に形成されて、スペーサ壁１２１８全体を覆う。金属被覆エッジ１２０６はスペーサ壁１２１８の末端面１２１８ｂ上に形成された被覆１２１４の一部に接触するように形成され、金属被覆エッジ１２０６は被覆１２０４の端面からはみ出して延在しない。第１２Ｃ図に於いて、抵抗性被覆１２１４は、スペーサ壁１２１８の側面１２１８ａ及び末端面１２１８ｂに形成されて、スペーサ壁１２１８全体を覆う。金属被覆エッジ１２１６は、スペーサ壁１２１８の末端面１２１８ｂ上に形成された被覆１２１４の一部に接触する形で形成され、このとき金属被覆１２１６は被覆１２１４と重なり合い、被覆１２１４の角の部分に於いて正しく定められた高さまで延在する形で設けられる。第１２Ｄ図に於いて抵抗性被覆１２０４は、第１２Ａ図と同様にスペーサ壁１２０８の側面１２０８ａ上に形成され、このとき被覆１２０４は側面１２０８への末端部からはみ出して延在していない。金属被覆エッジ１２１６は、スペーサ壁１２０８の末端面１２０８上に形成された被覆１２０４の一部に接触する形で形成され、このとき金属被覆１２１６は被覆１２０４と重なり合い、被覆１２０４の角の部分に於いて正しく定められた高さまで延在する形で設けられる。上記のように、ケースの内部９０１に露出されているスペーサ壁９０８の表面上に電極９１５は間隔を置いて設けられている。これらの電極９１５に於ける電位は分圧手段によって設定される。分圧手段は被覆９０４若しくは抵抗性のストリップのどちらかであって、ディスプレイ９００のアクティブ領域の外側にあり、各電極９１５から伸びる電気伝導トレースと接続されている。各電極９１５に於いて望ましい電圧を得るために、その位置に於ける抵抗値を必要なだけ上昇させるべく、分圧手段の選択された位置に於ける材料の除去、即ち分圧手段の「トリミング（trim）」を行うことができる。トリミングは例えば分圧手段の材料をレーザーを用いて除去することによって実施される。別の方法として、選択された電気伝導トレースの１つからの材料の除去によっても実施することができるが、それは例えばケース９０１の外側の、ケース内部の電極９１５に伸びているトレースを、１つ若しくはそれ以上長さを短くすることによって、同様の効果を得ることができるのである。第１３Ａ図〜第１３Ｈ図（集合的に第１３図）、第１４Ａ図〜第１４Ｊ図（集合的に第１４図）、第１５Ａ図〜第１５Ｊ図（集合的に第１５図）、及び第１６Ａ図〜第１６Ｊ図（集合的に第１６図）は、第４Ａ図のＣＲＴディスプレイの発光構造体を製造するための４つの基本的な加工処理シーケンスを図解している。この加工処理を記述するのを容易にするために、第１３、１４、１５、及び１６図に於ける向きは、第４Ａ図に於ける向きと逆になっている。以下の加工処理に関する記述に於いて、方向に関する言葉、例えば上側及び下側などは第１３図〜第１６図に於ける図の向きに当てはまるものである。第１３図に示される加工処理シーケンスから始めると、スタート点はフェースプレート３０２である。フェースプレート３０２の内部表面は（即ちここでは上側のフェースプレート表面）、第１３Ａ図に示されるように粗くされ、ブラックマトリックスを形成する材料の反射性を低減する。この表面を粗くする工程は、フッ化水素酸溶液のような化学的エッチング剤若しくはハロゲンベースのプラズマエッチング剤を用いて実施されるのが一般的である。暗非反射フリットを形成することができるソーダガラスのスラリー３２１は、第１３Ｂ図に示されるように、フェースプレート３０２の上側表面上にスクリーンとして析出させられる。スラリー３２１は、１分間〜１２０分間の４００℃〜４５０℃での焼成（即ち加熱）によって硬化ソーダガラス層３２２に変換される。第１３Ｃ図を参照してもらいたい。ソーダガラス層３２２の、暗隆起部分３１４になることが予定されている部分の間に位置する部分は、適切なフォトレジストマスク（図示せず）を用いた化学的エッチングまたはプラズマエッチングによって、あるいは適当にプログラムされたレーザーを用いた溶除によって除去される。第１３Ｄ図は、ここまでの加工処理によって、ソーダガラス層３２２の残った部分が隆起部分３１４となっていることを示している。第１３Ｅ図に描かれているように、蛍光体ストライプ３１３ｒ、３１３ｇ、及び３１３ｂは、フェースプレート３０２の上側表面上の暗隆起部分３１４の間の形成される。詳述すると、赤、緑、及び青の３つの色の内の１つの光を発する、ポリマー、光合成剤、及び蛍光体粒子のスラリーは、フェースプレート３０２の上側表面上に配置される。このような色のうちの１つの色の蛍光体の粒子が配置されることが予定されている部位にあるスラリーの一部分は、適当なフォトレジストマスク（図示せず）を用いて、光化学線放射にさらされることによって硬化される。スラリーの残りの部分を流し去り、構造体はすすぎ洗いされる。この工程は残りの２つの色の光を発する蛍光体の粒子に対してそれぞれ繰り返して実施される。構造体は乾燥させられて、蛍光体ストライプ３１３の形成が完了する。ラッカーの層３２３が、蛍光体３１３及び隆起部分３１４上に噴霧によって形成される。ラッカー層３２３の上側表面は、第１３Ｆ図に示すように滑らかなものである。アルミニウムがラッカー層３２３上に蒸着されて、光反射層３１５が形成される。第１３Ｇ図を見てもらいたい。次に、構造体は約４５０℃で６０分間に亘って一部に酸素を含む大気の中で加熱され、ラッカー３２３が燃焼することにより除去される。第１４Ｈ図は完成した構造体を示している。ラッカー層３２３は滑らかな上側表面を有していたので、結果的に光反射アルミニウム層３１５も滑らかな下側表面を有することになる。第１４図に移ると、ここでのスタート点はやはりフェースプレート３０２であって、その表面は粗くなっている。第１５Ａ図を見てもらいたい。暗非反射金属の層３２５は第１４Ｂ図に示すようにフェースプレート３０２の上側表面上に配置されている。金属層３２５は、厚みが５０ｎｍ〜２００ｎｍのブラッククロム若しくはニオブからなるのが一般的である。厚いフォトレジスト層３２６が、第１４Ｃ図に示すように金属層３２５の上に形成される。フォトレジスト層３２６は例えばＭｏｒｔｏｎ社のＥＬ２０２６のようなポジのフォトレジストからなる。フォトレジスト層の厚みは２５μｍ〜７５μｍであって、典型的には５０μｍである。フォトレジスト３２６は選択的に光化学線放射にさらされて、隆起部分３１４に対するほぼ望ましい幅の溝３２７を形成するべく加工される。溝の幅は１０μｍ〜５０μｍであって、典型的には２５μｍである。第１４Ｄ図を参照すると、そこでは３２６ａがフォトレジスト３２６の残りの部分として示されている。溝３２７には選択的に金属が完全に若しくは殆ど充填された状態にされ、第１４Ｅ図に示すような金属の隆起部分３１４ｄが形成される。選択的充填は電気化学的析出処理（電気メッキ）によってなされる。金属隆起部分３１４ｄは黒若しくは光沢のない金属からなるものでも良い。隆起部分の金属としてはクロム若しくはニッケル−鉄合金などが一般的である。フォトレジストマスク３２６ａはその後除去されて、第１４Ｆ図に示すような構造体が形成される。金属隆起部分３１４ｄをマスクとして使用して、暗金属層３２４の露出部分は除去される。第１４Ｇ図に示されているのは、ここまでの加工処理でできあがった構造体において、暗隆起部分３１４ｅが金属層３２５の残りの部分であることである。各暗隆起部分３１４ｅ及び上層をなす隆起部分３１４ｄは、暗隆起部分３１４の１つを構成する。蛍光体ストライプ３１３及び光反射層３１５は、第１３図の加工処理と共に上で述べてきた方法によって、ここで形成された。第１４Ｈ図はストライプ３１３の形成を示したものである。ラッカー層３２３上に配置された層３１５は第１４Ｉ図に図示されている。第１４Ｊ図は、ラッカー層３２３が燃焼させられて除去された後の完成した発光構造体を示したものである。第１５図の加工処理シーケンスのスタート点は、透明な電気絶縁性の平らな本体（若しくはプレート）３２９であって、これは典型的には、概ね均一な組成を有するガラスでできている。第１５Ａ図をみてもらいたい。サンドブラストマスクのような効果を有する材料でできたパターンをなす層３３０は、第１５Ｂ図に示すように透明な本体３２９の上側表面上に形成される。マスク層３３０はサンドブラストマスク材料の被覆層（blanket）を本体３２９上に設けることによって形成され、その後本体３２９の表面の露出した部分にマスクエッジングを施すことによって被覆層の一部を選択的に除去する。透明な本体３２９のマスク３３０を通して露出した部分を特定の深さまで除去するべく、選択的な除去が実施される。第１５Ｃ図は、本体３２９の残りの部分がフェースプレート３０２及び上層をなすパターンをなす隆起部分３１４ｆからなる、ここまでの加工処理の結果出来上がった構造体を図解したものである。除去処理はサンドブラストによってなされる。サンドブラストを実施している間、マスク３３０は腐食させられて取り除かれる。サンドブラストが終了したときにマスク３３０が残っている場合は、その残りのマスク３３０は第１５Ｄ図に示すように除去される。暗色の材料でできた層３３１は、この構造体の上側の表面上に配置されたスクリーンである。第１５Ｅ図を見てもらいたい。暗色の材料は暗色のガラス若しくは暗色の金属からなる。フォトレジストマスク３３２は、第１５Ｆ図に示すように隆起部分３１４ｆの真上にある暗色の層３３１上に形成されるのが一般的である。マスクの不整合を回避するため、フォトレジストマスク３３２はフォトマスクレチクルを使用して作られるのが一般的であり、このレチクルはネガフォトレジストのためのサンドブラストマスク３３０若しくはポジフォトレジストのためのネガのマスクを作るときに使用されるものである。暗隆起部分３１４ｇは、暗色の層３３１の露出部分を取り除くことによって隆起部分３１４ｆの上にそれぞれ形成される。第１５Ｇ図は、フォトレジスト３３２を除去した後の構造体を図解したものである。各隆起部分３１４ｇ及び下層をなす隆起部分３１４ｆは暗隆起部分３１４の１つを構成する。発光構造体は、第１４図の加工処理によって上記のような方法で完成する。特に、蛍光体ストライプ３１３は、第１５Ｈ図に示すように隆起部分３１４の間に形成される。第１５Ｉ図は、光反射層３１５がラッカー３２３の上に形成されることを示している。ラッカー３２３を燃焼させて除去させた後の完成した構造体は、第１５Ｊ図に於いて示されている。第１３図から第１５図に示される既に述べた加工処理の１つによって、第４Ａ図のＣＲＴカソード構造体を製造した後、スペーサ壁３０８及び外壁３０４は、カソード構造体と発光ブラックマトリックス構造体との間に適切に配置され、一方でディスプレイの部品はポンプで気圧を１０^-7ｔｏｒｒ以下に下げられた小室に入れられる。その後、ディスプレイは３００℃〜６００℃、典型的には４５０ ℃の下で密閉状態にされる。暗隆起部分３１４は、上記のように３００℃〜７００℃の範囲の温度（この温度は隆起部分の材料が金属、ソーダガラス、若しくはガラスのどれかによって決まる。）に於いて軟化する。隆起部分が軟化する温度は、ディスプレイを密閉する温度とほぼ同じかそれよりやや低い温度に選択されるのが一般的である。この結果、スペーサ壁３０８は密閉処理の間に隆起部分３１４に僅かに食い込むことになる。これによって、壁３０８の間の高さの違いを補償する。隆起部分を軟化させる温度がディスプレイを密閉させる温度よりも高い場合は、暗隆起部分３１４をＣＲＴディスプレイを密閉する直前に予め軟化させておくことが出来る。この場合、スペーサ壁３０８は密閉処理の間に再び隆起部分３１４に僅かに食い込み、スペーサ壁の高さの違いを補償することになるのである。本発明の特定の実施例について述べてきたが、この記述は単にここで図解したものに基づいたものであり、請求項に述べる発明の範囲はこれに限られるものではない。例えば、第１５図の加工処理シーケンスに於ける暗隆起部分３１４は、加工処理シーケンスの初めに透明な本体の頂部に暗色材料の層を設け、その後、隆起部分の上側部分３１４ｇを形成する過程を省略することによって、暗色部分を隆起部分の頂部から底部へ移動させることが出来る。追加的に平行に設けられた暗非反射隆起部分は、フェースプレート３０２上に形成されて、隆起部分３１４に対して垂直に延在する形となる。蛍光体ストライプ３１３は、蛍光体粒子の代わりに薄い蛍光体の薄膜からも製造することができる。また発光領域３１３は、蛍光体（この場合は粒子でも薄膜形状でもかまわない。）以外の素子によって形成することも出来る。フェースプレート３０２のすぐ近くに配置された透明なアノードは、光反射層３１５の代用として、若しくはそれと共に使用することができる。このようなアノードは、酸化インジュウム−錫のような透明な電気伝導物質の層からなるのが一般的である。フェースプレート３０２と、存在する場合には隣接して設けられる透明なアノードとは、発光ブラックマトリックス構造体の本体部分を構成する。このように、請求項に記載の本発明の範囲及び精神を逸脱することなく当業者は様々な改変をなし得るであろう。請求の範囲１．フラットパネル装置であって、フェースプレートと、前記フェースプレートに結合して、密閉されたケースを形成するバックプレートと、前記フラットパネル装置からの発光手段と、表面が電荷を帯びるのを最小化若しくは防ぐべく処理された、前記バックプレート及び前記フェースプレートに、前記ケース内部に向かう方向に作用する力に対する支持を与える前記ケース内部に設置されたスペーサと、前記バックプレートと前記スペーサの端面との間に設けられた、前記スペーサとバックプレートとの電気的接続をなす金属被覆エッジとを有することを特徴とするフラットパネル装置。２．前記スペーサの表面が、二次電子放出比が４より小さく面抵抗が１０⁹Ω／ □と１０¹⁴Ω／□との間の大きさであるような材料によって被覆をなされていることを特徴とする請求項１に記載の装置。３．前記被覆の材料が、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択されることを特徴とする請求項２に記載の装置。４．前記被覆が酸化クロムによってなされることを特徴とする請求項２に記載の装置。５．前記被服の厚みが０．０５μｍと２０μｍの間であるような請求項２から請求項４の何れかに記載の装置。６．前記スペーサの表面に、面抵抗が１０⁹Ω／□と１０¹⁴Ω／□との間である材料によってなされた第１の被覆と、二次電子放出比が４より小さい材料によって、前記第１の被覆の上になされた第２の被覆を更に有することを特徴とする請求項１に記載の装置。７．前記第１及び第２の被覆の厚みの合計が０．０５μｍから２０μｍの間であることを特徴とする請求項６に記載の装置。８．前記スペーサ表面に於いて、面抵抗が１０⁹Ω／□と１０¹⁴Ω／□との間になるようにドーピングを施されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。９．前記ドーピングのドーパントがチタンであることを特徴とする請求項８に記載の装置。１０．前記ドーピングを施されたスペーサ表面上に、二次電子放出比δが４より小さい材料による被覆をなされることを特徴とする請求項８若しくは請求項９に記載の装置。１１．前記被覆が、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択された材料によってなされることを特徴とする請求項１０に記載の装置。１２．前記被覆が酸化クロムによってなされることを特徴とする請求項１０に記載の装置。１３．前記スペーサ表面上の前記面抵抗の均一性が、前記スペーサ全体に亘って、特定の名目上の抵抗値の２％以内に維持されていることを特徴とする請求項１から請求項１２の何れかに記載の装置。１４．前記スペーサがスペーサ壁を含むことを特徴とする請求項１から請求項１３の何れかに記載の装置。１５．前記スペーサが複数の孔を設けたスペーサ構造体を有することを特徴とする請求項１に記載の装置。１６．複数の孔を設けたアドレシンググリッドであって、各複数のスペーサ構造体の孔がアドレシンググリッドの孔若しくはアドレシンググリッドの孔のグループと整合している、該アドレシンググリッドを更に有することを特徴とする請求項１５に記載の装置。１７．前記スペーサとバックプレートとの境界部分の近くの前記スペーサの表面上に設けられた電極であって、前記電極に於ける電圧が前記境界部分の近傍に於ける望ましい電圧分布が得られるように制御されている、該電極を更に有することを特徴とする請求項１に記載の装置。１８．前記電極が前記バックプレートの内部表面の上に曲がった経路に沿って設けられていることを特徴とする請求項１７に記載の装置。１９．前記スペーサの表面上に間隔を開けて設けられた複数の電極であって、各電極の電圧が前記バックプレート及びフェースプレートの間の望ましい電圧分布を達成するように制御されている、該複数の電極を更に有することを特徴とする請求項１に記載の装置。２０．前記各電極の電圧を設定する分圧手段を更に有することを特徴とする請求項１９に記載の装置。２１．前記分圧手段が前記スペーサ表面上に形成された抵抗性の被覆を更に有することを特徴とする請求項２０に記載の装置。２２．前記電極に於ける前記望ましい電圧を設定するべく、前記分圧手段から選択的に材料が除去されることを特徴とする請求項２０に記載の装置。２３．前記各電極から前記装置のアクティブ領域の外側へ伸びる電気伝導トレースを更に有し、前記電極に於ける前記必要な電圧を設定するべく、前記トレースの少なくとも１つから選択的に材料が除去されることを特徴とする請求項１９に記載の装置。２４．前記フェースプレートと、前記スペーサの第２端面との間に設けられた第２の金属被覆エッジを更に有し、前記金属被覆エッジが前記スペーサと前記フェースプレートとの間の電気的接続をなすことを特徴とする請求項１に記載の装置。２５．前記スペーサ表面上に抵抗性被覆が形成され、前記金属被覆エッジが前記抵抗性被覆との電気的接続をなすことを特徴とする請求項２４に記載の装置。２６．前記金属被覆エッジと、前記抵抗性被覆との間の前記境界部分が、前記バックプレートの内部表面との距離を一定に保った形で設けられていることを特徴とする請求項２５に記載の装置。２７．フラットパネル装置であって、フェースプレートと、前記フェースプレートに結合して密閉されたケースを形成するバックプレートと、前記フラットパネル装置からの発光手段と、前記バックプレート及び前記フェースプレートに前記ケース内部に向かって作用する力に対して支持を与える前記ケース内部に設置されたスペーサ壁とを有し、前記スペーサ壁がセラミック、セラミック強化ガラス、若しくは絶縁層による被覆をなされた金属から作られることを特徴とするフラットパネル装置。２８．フラットパネル装置であって、フェースプレートと、前記フェースプレートに結合して密閉されたケースを形成するバックプレートと、前記フラットパネル装置からの発光手段と、前記バックプレート及び前記フェースプレートに前記ケース内部に向かって作用する力に対して支持を与える前記ケース内部に設置されたスペーサとを有し、前記スペーサが、セラミック強化ガラス若しくは絶縁層による被覆をなされた金属から作られることを特徴とするフラットパネル装置。２９．フラットパネル装置であって、フェースプレートと、前記フェースプレートに結合して、密閉されたケースを形成するバックプレートと、前記フラットパネル装置からの発光手段と、前記バックプレート及び前記フェースプレートに、前記ケース内部に向かう方向に作用する力に対する支持を与える前記ケース内部に設置されたスペーサ構造体とを有し、前記スペーサ構造体が、それを貫通する複数のスペーサ構造体孔を有することを特徴とするフラットパネル装置。３０．前記発光手段が、電界エミッタカソードと、前記フェースプレート上に設けられた発光構造体とを更に有することを特徴とする請求項１から請求項２９の何れかに記載の装置。３１．セラミック若しくはガラスセラミックのスペーサ壁をバックプレートとフェースプレートとの間に取り付ける過程と、前記スペーサ壁をケース内部に封入するべく、前記バックプレートとフェースプレートとを封着する過程とを有することを特徴とするフラットパネル装置の製造方法。３２．前記ケース内部に複数のアドレシンググリッド孔を設けたアドレシンググリッドを取り付ける過程を更に有することを特徴とする請求項３１に記載の方法。３３．前記封着過程が、前記フェースプレートとバックプレートとの間に頂部壁、底部壁及び２つの側壁を取り付ける過程を更に有すること特徴とする請求項３１または請求項３２の何れかに記載の方法。３４．前記スペーサ壁間に整合を与える過程を更に有することを特徴とする請求項３３に記載の方法。３５．前記スペーサ壁間に整合を与える過程が、前記アドレシンググリッドに刻み目を形成する過程と、前記刻み目内に前記スペーサ壁を設ける過程とを更に含むことを特徴とする請求項３４に記載の方法。３６．前記封着過程が、前記フェースプレートとバックプレートとの間に頂部壁、底部壁及び２つの側壁を取り付ける過程を更に有し、前記整合過程が、前記頂部壁若しくは前記底部壁に刻み目を形成する過程と、前記刻み目内に前記スペーサ壁を設ける過程とを更に有すること特徴とする請求項３４に記載の方法。３７．バックプレート及びフェースプレートの間に、セラミック若しくはガラスセラミックのスペーサ構造体で、複数のスペーサ構造体孔を開けられた、該構造体を取り付ける過程と、前記スペーサをケース内部に封入すべく、前記バックプレートとフェースプレートとを封着する過程とを有することを特徴とするフラットパネル装置の組立方法。３８．セラミック若しくはガラスセラミック材料の膜に孔を開ける過程と、前記セラミック若しくはガラスセラミック材料の膜を張り合わせて前記スペーサ構造体を形成する過程とを有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。３９．バックプレート及びフェースプレートの間にスペーサを取り付ける過程と、前記スペーサ表面上に電荷が帯びるのを最小化若しくは防ぐべく前記スペーサの表面を処理する過程と、前記スペーサと前記バックプレートとの間の電気的接続をなすように前記スペーサの端面に金属被覆エッジを形成する過程と、前記スペーサをケース内部に封入すべく、前記バックプレートとフェースプレートとを封着する過程とを有することを特徴とするフラットパネル装置の組立方法。４０．前記スペーサ表面の処理過程が、前記スペーサ表面上の抵抗性被覆を形成する過程を更に含むことを特徴とする請求項３９に記載の方法。４１．前記抵抗性被覆か酸化クロムを材料とすることを特徴とする請求項４０に記載の方法。４２．前記抵抗性被覆が化学的蒸着によって形成されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。４３．前記抵抗性被覆がスパッタリングによって形成されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。４４．前記抵抗性被覆が蒸発によって形成されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。４５．前記スペーサ表面の処理過程が、予め定められたドーパント濃度のドーピングを施す過程を更に有することを特徴とする請求項３９に記載の方法。４６．本体部分と、前記本体部分に沿って設けられたパターンをなす隆起部分と、前記隆起部分の間の前記本体部分に沿った複数の発光領域とを有し、前記発光領域は電子が衝突すると光を発し、前記隆起部分に電子が衝突したときは前記隆起部分は前記発光領域と比較して実質的に発光せず、前記隆起部分は前記発光領域よりも前記本体部分から更に隆起していることを特徴とし、各隆起部分が、前記隆起部分の横幅全体に延在し、かつその高さ方向の少なくとも一部分を実質的に占めている暗領域を有することを特徴とする発光構造体。４７．前記隆起部分が、少なくともその一部が互いに平行となるように延在することを特徴とする請求項４６に記載の構造体。４８．前記隆起部分が、互いに異なる向きに延在する少なくとも２つのグループを有することを特徴とする請求項４６に記載の構造体。４９．前記本体部分が、前記発光領域に向かって伸びる、少なくとも一部が透明なプレートを有することを特徴とする請求項４６から請求項４８の何れかに記載の構造体。５０．互いに隔てられ、内部表面が向かい合った形で設けられた第１及び第２のプレートと、前記第１プレートの前記内部表面に沿って設けられたパターンをなす隆起部分と、前記隆起部分の間の前記第１プレートの前記内部表面に設けられた複数の発光領域と、前記プレートを支持し、かつそれらを互いに隔てられた形で維持する支持構造体と、前記第２プレートの前記内部表面上で、電子放出素子の組を横向きに隔てて設けてなるアレイとを有し、前記第１プレートが、前記発光領域に沿って延在し少なくともその一部分が透明であることを特徴とし、前記隆起部分が、前記発光領域よりも前記第１プレートから盛り上がっていることを特徴とし、前記電子放出素子からの電子が衝突したとき、前記発光領域は光を発し、一方前記隆起部分は前記発光領域と比較して実質的に発光しないことを特徴とする光学ディスプレイ。５１．各隆起部分が、前記隆起部分の横幅全体に延在し、かつその高さ方向の少なくとも一部分を実質的に占めている暗領域を有することを特徴とする請求項５０に記載のディスプレイ。５２．前記隆起部分と前記第２プレートとの間に前記隆起部分を横切る形で配置された、横向きに間隔を開けて設けられた内部支持体のグループを有し、前記内部支持体が、前記発光領域から隔てられて設けられ、前記電子放出素子の間の領域に向かって延在していることを特徴とする前記支持構造体を有することを特徴とする請求項５０若しくは請求項５１に記載のディスプレイ。５３．各内部支持体がスペーサ壁を含むことを特徴とする請求項５１に記載のディスプレイ。５４．前記第１プレートから前記発光領域に沿って横切る形で設けられた、前記発光領域から前記第１プレートへの光を反射する光反射層を更に有することを特徴とする請求項５０から請求項５３の何れかに記載のディスプレイ。５５．本体部分に沿って暗色層を作る過程と、前記本体部分に沿って隆起部分のパターンを形成するべく前記暗色層の一部を選択的に除去する過程と、前記隆起部分が前記発光領域より更に盛り上がった形となるように、前記隆起部分の間に前記本体部分に沿って複数の発光領域を設ける過程とを有することを特徴とする装置の製造方法。５６．前記暗色層がガラスを材料とすることを特徴とする請求項５５に記載の方法。５７．本体部分に沿って第１金属層を形成する過程と、前記第１金属層上にマスクを形成する過程と、前記マスクの開口部に第２金属部分を電気化学的な方法で設けて、前記第２金属がパターンをなす隆起部分を形成するようにする過程と、前記マスクを除去する過程と、前記隆起部分が前記発光領域よりも前記本体部分から更に盛り上がった形となるように、前記隆起部分の間に複数の発光領域を設ける過程とを有することを特徴とする装置の製造方法。５８．前記第２金属部分によって覆われていない前記第１金属部分を除去し、前記隆起部分が前記第２金属の残りの部分を含む形で延在するようにする過程とを更に含むことを特徴とする請求項５７に記載の方法。５９．前記第１及び第２金属の少なくとも１つが暗色金属であることを特徴とする請求項５７若しくは請求項５８に記載の方法。６０．ほぼ均一な組成の本体の一部を特定の深さで選択的に除去して、前記本体の残りの部分が、本体部分及び前記本体の除去された部分に設けられたパターンをなす隆起部分を含むようにする過程と、前記隆起部分間の前記本体部分に沿って複数の発光領域を設け、前隆起部分が前記発光領域よりも前記本体部分から更に盛り上がった形となるようにする過程とを含むことを特徴とする装置の製造方法。６１．前記除去過程が、マスクを通して前記本体を破壊処理（attacking）する過程を伴うことを特徴とする請求項６０に記載の方法。６２．前記除去過程が、前記本体に沿ってパターンを描く第１の層を設けて、その前記隆起部分となることが予定される所望の部分において、開口部が延在するようにする過程と、前記第１の層における開口部に於いて、マスク材料によって描かれたパターンを形成する過程と、前記第１の層を除去する過程と、前記マスク材料のパターンにおける開口部を通して前記本体を破壊処理する過程とを有することを特徴とする請求項６０に記載の方法。６３．前記マスクパターンの形成過程が、前記開口部を通して前記第１の層の上にマスク材料の層を与える過程と、前記マスク材料の層を、前記本体全体を通す背面光化学放射に選択的に曝す過程であって、前記第１の層の前記マスク材料が上層をなしている部分が前記放射に曝されることを実質的に防ぐべく、前記第１の層を使用する、該過程と、前記マスク材料の前記放射に曝されていない部分を実質的に除去する過程とを有することを特徴とする請求項６２に記載の方法。６４．前記破壊処理過程がサンドブラストによって実施されることを特徴とする請求項６１から請求項６３の何れかに記載の方法。６５．前記隆起部分をそれぞれ覆う暗色部分のパターンを形成する過程を更に有することを特徴とする請求項６０から請求項６４の何れかに記載の方法。６６．電子が衝突したとき、前記発光領域が光を発し、前記隆起部分が、前記発光領域と比較して実質的に光を発しないことを特徴とする請求項５５から請求項６５の何れかに記載の方法。６７．前記本体部分から前記発光領域全体を横切って延在する光反射層を形成する過程を更に有することを特徴とする請求項５５から請求項６６の何れかに記載の方法。６８．前記発光領域に沿って延在し、少なくともその一部分が透明であるプレートを、前記本体部分が有することを特徴とする請求項５５から請求項６７の何れかに記載の方法。６９．温度を３００℃〜７００℃の範囲まで上昇させて前記隆起部分を軟化させる過程を有することを特徴とする請求項５５から請求項６８の何れかに記載の方法。【手続補正書】特許法第１８４条の８【提出日】１９９５年２月１４日【補正内容】明細書内部支持構造体及び／若しくは隆起したブラックマトリクスを有するフラットパネル装置発明の背景１．発明の属する技術分野本発明はフラットＣＲＴディスプレイのようなフラットパネル装置に関する。本発明はフラットパネル装置の製造に使用される技術にも関する。２．関連技術近年、旧来の偏向ビームＣＲＴディスプレィにとって代わる、より軽くかさばらないディスプレイを提供すべく、フラットＣＲＴディスプレイ（フラットパネルディスプレイとしても知られている）を構築する数々の試みがなされてきた。フラットＣＲＴディスプレイに加えて、他のフラットパネルディスプレイ、例えばプラズマディスプレイも開発されてきた。フラットパネルディスプレイに於いては、フェースプレート（faceplate）、バックプレート（backplate）、及びフェースプレートとバックプレートの外周部分を囲むように設けられた接続壁が１つの封入ケースを形成している。フラットパネルディスプレイの中には、ケースの中が真空に近い状態に保たれているものもあり、例えばフラットＣＲＴディスプレイでは、ほぼ１×１０^-7ｔｏｒｒに保たれている。フェースプレートの内部表面には、ディスプレイ上のアクティブ領域を画定する蛍光体パターン若しくは蛍光体のような発光素子の被覆が設けられている。発光素子は光を発するのであるか、これは、バックプレートに隣接して設けられたカソード素子が励起状態にされて電子を放出し、これがフェースプレート上の蛍光体に向かって加速され、蛍光体が発光することにより、その光がフェースプレートの外側の面（画面（viewing surface））に於いて視聴者に見られることになるのである。ディスプレイ中に於いては、電子放出素子は選択的に励起状態にされて電子を放出しその電子がフェースプレート上の蛍光体に向かう。これらの蛍光体は電子が衝突したとき、フェースプレートの外部の面で見ることができる光を発するのである。各電子放出素子から放出された電子は、それぞれ決まった目標の蛍光体のみに衝突するようにされている。しかしながら、放出された電子の中には一定数、フェースプレート上の目標とされた蛍光体以外の部分に衝突するものもある。フェースプレートに於けるコントラストを改善するために、電子放出素子からの電子が衝突しても実質的に発光しない非反射領域のマトリクスが、適当に蛍光領域の中に分散した形で設けられる。カラーディスプレイに於いては、このブラックマトリクスは色純度も改善する。蛍光領域はブラックマトリクスよりもフェースプレートから更に盛り上がった形で設けられる。内部が真空に近い状態であることにより、フラットパネルディスプレイの壁に圧力が掛かるが、これは内部の真空に近い状態と外部の大気圧との圧力差が、支持が無ければフラットパネルディスプレイを崩壊させうるほど大きいからである。ほぼ１インチより大きい対角線の長さ（対角線はアクティブ領域の互いにはす向かいの角と角との間の距離）を有する長方形のディスプレイに於いては、縦横比が大きいために、フェースプレートはこのタイプの機械的な損傷の影響を特に受けやすい。ここで、縦横比とは、横幅、例えば互いに向かい合った接続壁の内部表面間の距離、若しくは高さ、例えばバックプレートの内部表面とフェースプレートの内部表面との距離を厚みで除すことによって定義されるものである。フラットパネルディスプレイのフェースプレートまたはバックプレートは、フラットパネルディスプレイが外部から受ける力の衝撃によっても故障することがある。フェースプレート及び／若しくはバックプレートを内部から支持するために、スペーサが使用されてきた。従来のスペーサは、壁状若しくは柱状のもので、ディスプレイのアクティブ領域に於ける画素（ディスプレイ上の画像を構成する最小単位をなす蛍光体の領域）間に設けられている。スペーサはポリイミドのフォトパターニング（photopatterning）によって形成されてきた。しかしながらポリイミドスペーサでは不適当なことがわかっており、その理由としては、（１）長さが不十分であること、（２）フェースプレートに使用される典型的な材料（ガラス）と、バックプレートに使用される典型的な材料（例えばガラス、セラミック、ガラス−セラミック若しくは金属）と、アドレシンググリッド（addressing grid）に使用される典型的な材料（例えばガラス−セラミック若しくはセラミック）との熱膨張係数を整合させることができないため、レジスターに関する問題を引き起こすこと、（３）ボリイミドを真空に近い状態の中で使用するとガス放出が起こりうること、があげられる。スペーサにもガラス製のものが使用されてきたが、ガラスが十分な強度を有していない場合がある。更に、ガラス固有の微小割れがあり、それが容易にガラス全体に広がる傾向をもつために、ガラス製のスペーサは、（理想的な）ガラスより更に弱いものとなってしまう。それに加えて、どんな材料をスペーサに用いたとしても、スペーサの近傍に於いては、スペーサの存在がフェースプレートに向かう電子の流れに悪影響を及ぼすことがある。例えば、浮遊電子がスペーサの表面に静電気を発生させ、所望の電圧分布とは異なる電圧分布をスペーサの近傍に形成させることによって、電子の流れに歪みが生じ、ディスプレイに表示される画像に歪みが生じることになるのである。発明の要約本発明によると、フラットパネル装置が、内部からの支持を与えるスペーサを有する。特に内部を低圧状態にして作動する装置に対して、このスペーサは、内部の低圧状態（例えは大気圧より低い圧力）と外部の大気圧との間の圧力差によって生じる応力によって装置が破壊されるのを防ぐ。このスペーサは外部からの衝撃によって生ずる応力に対しても、装置に内部からの支持を与える。これに加えて、ケース内部のスペーサの表面は、スペーサ表面に静電気が生ずるのを防止若しくは最小化するように処理されている。この結果、スペーサがスペーサの近傍の電子の流れに与える悪影響をなくし、装置の両像の歪みをなくすことになる。本発明の実施態様の１つに於いては、スペーサの表面に被覆が設けられるが、この被覆は二次電子放出比δが４より小さく、面抵抗が１０⁹Ω／□と１０¹⁴Ω ／□との間の値をとる物質からなるものである。この被覆をなす物質は、酸化クロム、酸化銅、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択される。本発明の他の実施態様に於いては、スペーサ表面に第１の被覆がなされる。第２の被覆は第１の被覆の上になされる。第１の被覆は面抵抗が１０⁹Ω／□と１０⁴Ω／□との間の値をとる物質によってなされる。第２の被覆は二次電子放出比δが４より小さい物質によってなされる。本発明の別の実施態様に於いては、スペーサ表面に第１のドーピングが施されて、その表面の面抵抗が１０⁹Ω／□ と１０¹⁴Ω／□との間の値をとるようにされ、次にドーピングされたスペーサ表面上に、二次電子放出比δが４より小さい物質によって被覆がなされる。被覆をなす物質は酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択される。また別の実施態様に於いては、スペーサ表面の面抵抗が１０⁹Ω／□と１０¹⁴ Ω／□との間の値をとるようにするべく、スペーサ表面にドーピングを施す。スペーサは例えばセラミックから作られ、スペーサ壁或いはスペーサ構造体の形で設けられるが、スペーサ壁とスペーサ構造体とを組み合わせた形で設けることもできる。フラットパネル装置は発光手段も有する。また、フラットパネル装置は、電界エミッタカソード若しくは熱電子カソードを含む形にすることもできる。本発明の更に別の実施態様に於いては、１つかそれ以上の電極が、前記処理済みのスペーサ表面上に設けられる。例えば、電極はスペーサ及びバックプレートの境界部分の近くに設けることができ、電極の電圧は境界部分の近傍に於いて所望の電圧分布を得るべく制御され、それによって表面の処理の不完全さ、或いはスペーサの不整合によって生ずる歪みを正すべく、電子の流れを所望の形に偏向する。また別の実施態様に於いては、バックプレートの内部表面に於いて所望の電圧分布を得るべく、この電極を曲がりくねった形状に設けることもできる。分圧手段を形成することによって各電極の電圧が設定される。実施例の１つに於いては、分圧手段はスペーサの表面上に形成された抵抗性被覆（resisitive c oating）からなる。各電極に於いて正確な電圧を得るべく、被覆の面抵抗は調整されなければならない。本発明の更にまた別の実施態様に於いては、電気伝導物質のストリップ（金属被覆エッジ（edge metallization））がスペーサ表面の端面とバックプレートとの間に形成され、スペーサ全体に亘って、それらが密接に接触するようになっている。スペーサの表面上に抵抗性被覆が設けられている場合は、金属被覆エッジは抵抗性被覆と電気的に接続される。この場合、金属被覆エッジ及び抵抗性被覆は、それらの間の境界面がバックプレートの内部表面から一定の距離となるように設けられる。同様に、金属被覆エッジは、フェースプレートとスペーサの間の良好な電気的接続をなすように、フェースプレートとスペーサの端面との間に形成される。本発明に従ったフラットパネル装置の組立方法に於いては、フラットパネル装置のバックプレートとフェースプレートとの間にスペーサを設けて、スペーサの表面が電荷を帯びるのを防止若しくは最小化するべくスペーサ表面に処理を施し、スペーサとバックプレートとの電気的接続をなす金属被覆エッジとなる被覆をスペーサの端面に設け、スペーサを内部に封入するようにバックプレートとフェースプレートとを封着することによって装置が組立られる。スペーサ表面の処理をなすには、抵抗性被覆または被覆を形成するか、表面へのドーピングによるか、表面へのドーピングと抵抗性被覆または被覆の形成との両者によるか、または焼成して表面を還元することによる。更に、本発明はフラットパネルＣＲＴディスプレイのような光学装置に使用されるのに適した発光構造体を備えている。本発明の発光構造体は、本体部分（ma in section）と、それに沿って設けられた隆起した形状の部分と、本体部分に沿って隆起した部分の間の部分に設けられた複数の発光領域を含む。発光領域は電子が衝突すると光を発する。これに対して、隆起部分は電子が衝突しても実質的に光を発しない。また、隆起部分は発光領域よりも本体部分から更に盛り上がった形となっている。各隆起部分は、隆起部分の横幅全体に亘って、またその高さの少なくとも一部分についてそれを実質的に取り囲んでいる暗領域を含む。隆起部分のパターンによって、隆起したブラックマトリクスが形成され、それは発光構造体のコントラストを改善する。発光領域に於いて２つ若しくはそれ以上の色の光を選択的に発する場合、隆起したブラックマトリクスは色の純度を高める効果もある。本発明の発光構造体は様々な技術に従って製作することが出来る。本発明の技術群の１つは、与えられた隆起部分の材料の層の一部を、発光構造体の本体部分に沿って選択的に除去する過程を含んだ処理によって、隆起部分のパターンを発光構造体の本体部分に沿って形成するものである。本発明に従った別の技術によれば、本体（ body）の一部分を選択的に特定の深さに除去して、本体の除去されない残りの部分が発光構造体の本体部分及び隆起部分を含むように形成することも出来る。図面の簡単な説明第１図は、本発明の１つの実施態様に従った熱電子カソードを含むフラットパネルディスプレイの透視図であって、表層部の一部を切り取って内部を見せているものである。第２Ａ図及び第２Ｂ図は、本発明の１つの実施態様に従ったフラットパネルディスプレイの単純化した断面図であって、スペーサ壁を使用しているのを図解したものである。第２Ａ図は第２Ｂ図の２ｂ−２ｂに沿って切った断面図であり、第２Ｂ図は第２Ａ図の２ａ−２ａに沿って切った断面図である。第３図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソードを含むフラットパネルディスプレイの透視図であって、表層部の一部を切り取って内部を見せているものである。第４Ａ図は、第３図のフラットパネルディスプレイの一部の詳細な透視断面図である。第４Ｂ図及び第４Ｃ図は、第４Ａ図のディスプレイのａ図のディスプレイの内部の部品の平面図であって、それぞれ第４Ａ図の矢印ｃ及びｄの方向から見た図である。第４Ｄ図は、第４Ａ図のフラットパネルＣＲＴディスプレイ全体の横断面図である。第４Ｅ図は、第４Ａ図のＣＲＴディスプレイのブラックマトリクスを中心に置いた一部の拡大断面構造図である。第５図は、第２Ｂ図の一部の詳細図であって、本発明に従ったスペーサ壁の整合手段を図解したものである。第６図は、本発明の１つの実施態様に従ったスペーサ壁及びスペーサ構造体を含むフラットパネルディスプレイを図解した、第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第７Ａ図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソード及びスペーサ壁を含むフラットパネルディスプレイの一部の単純化した断面図である。第７Ｂ図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソード、スペーサ壁、及びアドレシンググリッドを含むフラットパネルディスプレイの一部の第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第７Ｃ図は、本発明の１つの実施態様に従った、電界放出カソード、スペーサ構造体、及びアドレシンググリッドを含むフラットパネルディスプレイの一部の第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第８図は、曲がった形状のフェースプレート及びバックプレートを有するフラットパネルディスプレイに於いて、本発明の１つの実施態様に従ったスペーサが使用されているのを図解した、第２Ａ図と同じ方向から見た単純化した断面図である。第９Ａ図及び第９Ｂ図は、本発明の１つの実施態様に従ったフラットパネルディスプレイの単純化した断面図であって、スペーサ壁の表面に形成された被覆を図解したものである。第９Ａ図は第９Ｂ図の９ｂ−９ｂに沿って切った断面図であり、第９Ｂ図は第９Ａ図の９ａ−９ａに沿って切った断面図である。第１０図は、電圧を縦軸に、電界放出装置の設けられたベースプレートに対して垂直方向の電界放出装置とベースプレートとの距離を横軸にとったグラフである。第１１図は、二次電子放出比を縦軸に電圧を横軸にとったグラフであって、２つの物質の特性を示したものである。第１２Ａ図〜第１２Ｄ図は、スペーサ壁の間の境界部分を図解し、本発明の様々な実施態様に従った金属被覆及びバックプレートの隆起部分に焦点を合わせた断面図である。第１３Ａ図〜第１３Ｈ図は、第４Ａ図のディスプレイの発光ブラックマトリクス構造の製造工程を示した断面図である。第１４Ａ図〜第１４Ｊ図及び第１５Ａ図〜第１５Ｊ図は、第４Ａ図のディスプレイの発光ブラックマトリクス構造のそれぞれ別の製造工程を示した断面図である。第１６Ａ図〜第１６Ｊ図は、第４Ａ図のディスプレイの発光ブラックマトリクス構造の更に別の製造工程を示した断面図である。以上の図に於いては、対応する部分には同様の符号を付した。発明の詳細な説明以下、本発明の実施例を、フラットＣＲＴディスプレイについて説明する。本発明が他のフラットパネルディスプレイ、例えばプラズマディスプレイ若しくは真空蛍光ディスプレイについても適用可能であることも理解されよう。更に、本発明は、ディスプレイでの使用に限られるものでなく、例えば、光学的信号処理や、フェイズドアレイレーダー装置（phased array rader devices）のような他の装置の制御するのに用いられる光学的アドレシングや、映像を他の媒体に再現するコピー機やプリンタにおける映像スキャニング等の他の目的で用いられるフラットパネル装置にも適用することができる。更に加えると、本発明は長方形でないスクリーンの形状を持つフラットパネル装置、例えば円形若しくは車のダッシュボードや航空機のコントロールパネルに使用されるような特殊な形状を持つスクリーンにも適用可能である。ここで、フラットパネルディスプレイとは、フェースプレートとバックプレートとが実質的に平行なディスプレイであって、ディスプレイの厚み、即ちフェースプレート及びバックプレートに実質的に垂直な向きで測定された厚みが、従来の偏向ビームＣＲＴディスプレイの厚みと比較して小さいものを指す。一般に、フラットパネルディスプレイの厚みは５．０８ｃｍ（２インチ）より小さいが、必ずしもこれに限定されない。多くの場合、フラットパネルディスプレイの厚みは実質的に５．０８ｃｍ以下であって、例えば０．６４ｃｍ〜２．５４ｃｍ（０．２５〜１．０インチ）程度である。本明細書に於いて、「スペーサ」とは、フラットパネルディスプレイの内部に於いて内部からの支持体として用いられているものの総称である。この明細書に於いて、本発明の特定の実施例のスペーサは「スペーサ壁」若しくは「スペーサ構造体」と記述されている。つまり「スペーサ」は「スペーサ壁」、及び「スペーサ構造体」と共に他の上記のスペーサの機能を有する構造をすべて包含するのである。一般に、本発明のスペーサ壁及びスペーサ構造体は、薄い材料から作られたものであり、この材料は、未処理の状態ではそのまま加工可能で、一定の処理を施すことで硬く剛性の高いものとなるものである。この材料は、真空の環境下に於いても適用可能なものでなければならない。更に、スペーサ壁及びスペーサ構造体は、フェースプレート及びバックプレートの熱膨張係数とよく適合する熱膨張係数を有する材料から作られる。熱膨張係数が適合しているとは、スペーサ壁、フェースプレート及びバックプレートが、フラットパネルディスプレイが組み立てられて動作しているときに生ずる加熱や冷却に対して、ほぼ同程度膨張若しくは収縮するということを意味する。この結果、スペーサ壁、フェースプレート及びバックプレートの間で適切な位置関係の整合性が維持されることになる。熱膨張係数が適合していない場合起こり得ることとして、アノードのスペーサ壁若しくはスペーサ構造体がフェースプレートに対して動いてしまうことによって蛍光体が損傷を受けたり、フラットパネルディスプレイ内に応力が発生してディスプレイ内の部品を損なってしまうこと（ディスプレイ内の真空状態が損なわれてしまうことも含む）、若しくはスペーサ壁そのものが壊れてしまうことなどが考えられる。実施例の１つに於いて、スペーサ壁はセラミック若しくはガラスセラミック材料によって作られる。別の実施例に於いては、スペーサ壁はセラミックテープから作られる。以下、本発明の実施例の記述に於いては、スペーサ壁若しくはスペーサ構造体の材料としてセラミック、またはセラミックテープ、及びスラリーが使用されるものとする。他の材料としては、セラミック強化ガラス、不透明ガラス、柔軟性のあるマトリクス構造のアモルファスガラス（amorphous glass）、電気的絶縁性の被覆をなされた金属、若しくは高温真空状態に適合性を有するポリイミドなどが使用可能である。概略、本発明によるスペーサの材料に要求されるのは、（ａ）薄い層にすることが可能なこと、（ｂ）その層が焼成処理された状態で柔軟になること、（ｃ）焼成されていない状態で１つの層若しくはいくつかの層をまとめて孔を開けることができること、（ｄ）開けられた孔の必要な部分に導体を設けることができること、（ｅ）焼成処理されていない層の表面に正確に電気伝導トレースを設けることができること、（ｆ）何枚かの層を積層状態にすることができ、少なくとも最終的な加熱時に互いに接合させることができること、（ｇ）焼成処理された構造が、例えばフロートガラスのような材料から作られたフェースプレート及びバックプレートの熱膨張係数と実質的に適合するような熱膨張係数を有すること、（ｈ）焼成処理された積層構造体が剛性が高く強靱なものであること、（ｉ）焼成処理された構造が真空状態に適合すること、（ｊ）焼成処理された構造体はＣＲＴのカソードを損なうような物質を含んでいないこと、（ｋ）すべての材料及び製造にかかるコストが実際的なものであり得ることなどである。この記述及び以下の請求項に於いて、「セラミック」という言葉が頻繁に使用されるが、これは文脈上セラミックテープ若しくはセラミック層若しくはセラミックシートを意味している。つまり、この言葉はよく知られたガラスセラミックテープ、失透ガラステープ、セラミックガラステープ、セラミックテープ若しくはその他のテープを意味しており、また、その他のテープとは、プラスチックの結合剤、及びセラミック若しくはガラスの粒子を有し、焼成処理されていない状態に於いて柔軟性を有し加工可能であって、焼成によって硬く剛性の高いものに硬化することができるようなものであるが、始めから柔軟性を有し最終的に硬く剛性の高い状態に処理することができる等価な材料であればそれも使用できる。セラミックテープはセラミックの粒子、アモルファスガラス粒子、結合剤及び可塑剤の混合物から作られる。初めは、この混合物はスラリーとなっており、セラミックテープに形成されるのではなく型に入れて成型することができる。セラミックテープは焼成していない状態でスラリーから作ることができるが、これは容易に所望の形に成型したり切ったりすることができる変形可能な材料である。セラミックテープは薄いシート状に作られるが、その厚みは、例えば０．３ｍｉｌから１０ｍｉｌ程度である。本発明の実施に於いて使用可能なセラミックテープで入手可能なものの例としては、米国テネシー州チャタヌーガのＣｏｏｒｓＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＰａｃｋａｇｅ社の、カタログ番号ＣＣ−９２７７１／７７７及びＣＣ−ＬＴ２０、若しくはこのセラミックテープと実質的に等価なテープなどがある。本発明の目的のために使用可能な低温ガラスセラミック材料の他の例としては、デュポン社のグリーンテープ（Green Tape）がある。グリーンテープは非常に薄いシート（例えば約３ｍｉｌから１０ｍｉｌ）形状のものが入手可能であり、比較的低い温度、約９００℃から１０００℃で焼成処理可能であり、焼成処理をしていない状態で優れた加工性を与える可塑剤を含んでいる。グリーンテープはセラミック粒子及び、やはり粒子状のアモルファスガラスの混合物であって更に結合剤及び可塑剤を含む製品である。米国特許第４，８２０，６６１号、第４，８６７，９３５号及び第４，９４８，７５９号を参照されたい。焼成処理前のセラミックテープは以下に述べるような方法で形成し、本発明に基づきスペーサ壁及びスペーサ構造体を製造することができる。セラミックテープは成型後、焼成処理される。焼成処理は２つの段階からなる。第１の段階では、テープが約３５０℃の温度まで加熱され結合材及び可塑剤をテープから燃焼させてなくしてしまう。第２の段階では、テープが一定の温度（セラミックの組成によって決まる温度で８００℃から２０００℃の間）まで加熱され、セラミックの粒子が焼結して強靱で密度の高い構造を形成する。スペーサ壁は以下のようなフラットパネルディスプレイに組み立てられる。ストリップは、フラットパネルディスプレイにおいて必要な長さ及び幅を有し、焼成されていないセラミックテープのシートから切り取られて作られる。焼成処理されていないセラミック若しくはガラスセラミックを用いることの利点は、ストリップがスリッティング（slitting）若しくは打ち抜きによって容易に作ることができる点である。このストリップは焼成処理される。焼成処理されたストリップ（スペーサ壁）は、フェースプレート及びバックプレートの予め定められた適当な位置に配置される。スペーサ壁は、組立の間同じ位置に保持されてフェースプレート及びバックプレートに対して適切に整合する。スペーサ壁のストリップは、焼成処理済みのセラミック若しくはガラスセラミックのシートから作ることもできる。焼成処理されたシートは被覆（詳細については以下に述ベる）をなされて、スペーサ壁を形成するストリップに加工される。もう１つの方法として、焼成処理されたシートをストリップに加工した後に、被覆をなすようにすることもできる。第３図は本発明の１つの実施態様であるフラットパネルディスプレイ３００の透視図であって、表層部の一部を切り取って内部を示しているものである。フラットパネルディスプレイ３００は、フェースプレート３０２、バックプレート３０３及び側壁３０４を有し、これらによって密封されたケース内部３０１が形成され、そこは真空状態、例えばほぼ１×１０^-7ｔｏｒｒ以下に保たれている。スペーサ壁３０８はバックプレート３０３に対してフェースプレート３０２を支持する。電界放出カソード３０５はケース内部３０１のバックプレート３０３の表面上に形成される。以下に更に詳しく述ベるように、横行及び縦列の電極（図示せず）はカソードの放出素子（図示せず）からの電子の放出を制御する。同様に以下に更に詳しく述べるように、電子は加速されて、蛍光体で被覆をなされたフェースプレート３０２の内部表面（例えばアノード）に向かう。ＩＣチップ３１０は横行及び縦列の電極の電圧を制御してフェースプレート３０２への電子の流れを調節する駆動回路を含む。電気伝導トレース（図示せず）はチップ３１０上の回路と横行及び縦列電極との電気的接続をなすのに使用される。第４Ａ図はフラットパネルカラーＣＲＴディスプレイの一部を図解したもので、それは隆起した形で設けられたブラックマトリクスと共に電界放出カソードの領域を備えている。第４Ａ図のＣＲＴディスプレイは透明で電気的に絶縁性の平らなフェースプレート３０２及び電気的に絶縁性の平らなバックプレート３０３を有する。プレート３０２及び３０３の内部表面は互いに向かい合っており、典型的には０．０１ｍｍ〜２．５ｍｍ隔てられている。フェースプレート３０２は典型的には１ｍｍの厚みを持つガラスからできている。バックプレート３０３は典型的には１ｍｍの厚みを持つガラスセラミック若しくはシリコンからできている。横向きに隔てられて設けられ絶縁体のスペーサ壁３０８のグループはプレート３０２及び３０３の間に配置されている。スペーサ壁３０８は互いに平行に一定の間隔で延在しており、プレート３０２及び３０３に対して垂直な向きに設けられている。各壁３０８は典型的には８０μｍ〜９０μｍの厚みを有するセラミックからできている。また、壁３０８の中心線と中心線との距離は、典型的には８ｍｍ〜２５ｍｍである。以下で更に論ずるように、壁３０８は内部支持体を構成し、プレート３０２と３０３との間隔を、ディスプレイのアクティブ領域全体に亘って実質的に均一に保っている。パターンの設けられた領域の電界放出カソード構造体３０５は、バックプレート３０３とスペーサ壁３０８との間に配置されている。第４Ｂ図は、第４Ａ図の矢印Ｃで表される方向から見た電界放出カソード構造体３０５のレイアウトを描いたものである。カソード構造体３０５は、電子放出素子３０９の大きなグループと、パターンをなす形で設けられた金属エミッタ電極（ベース電極と呼ばれることもある）を実質的に同じ形状の曲線的なライン３１０に分割したものと、金属ゲート電極を実質的に同じ形状の直線的なライン３１０に分割したものと、電気的絶縁層３１２からなる。エミッタ電極のライン３１０は、バックプレート３０３の内部表面に配置され、互いに平行に均一の間隔で延在している。各エミッタライン３１０の中心線の間隔は、典型的には３１５μｍ〜３２０μｍである。ライン３１０は典型的には０．５μｍの厚みを有するモリブデン若しくはクロムから形成されている。各ライン３１０は典型的には１００μｍの幅を有する。絶縁層３１２はライン３１０の上、及びラインと横向きに隣接するバックプレート３０３の一部分の上に設けられている。絶縁層３１２は、典型的には１μｍの厚みを有する二酸化シリコンから成る。ゲート電極ライン３１１は絶縁層３１２上に配置され、互いに平行に均一の間隔で延在している。ゲートライン３１１の中心線の間隔は、典型的には１０５− １１０μｍである。ゲートライン３１１はエミッタライン３１０に直交する向きに延在している。ゲートライン３１１は典型的には０．０２μｍ〜０．５μｍの厚みを有するチタン−モリブデン複合材料から形成される。各ライン３１１は典型的には３０μｍの幅を有する。電子放出素子３０９は、バックプレート３０３の内部表面上に横向きに隔てられて配置された複合素子の組（multi-element sets）のアレイの形で配置されている。詳述すると、電子放出素子３０９の各組は、ゲートライン３１１の１つがエミッタライン３１０の１つと交わる突出領域の一部若しくは全部に於いて、バックプレート３０３の内部表面上に配置されている。スペーサ壁３０８は、電子放出素子３０９の組の間の領域に設けられ、エミッタライン３１０の間の領域の拡がる向きに延在している。各電子放出素子３０９は、絶縁層３１０の開口部（図示せず）を通して延在する電界エミッタであって、下層をなすエミッタライン３１０の１つと接続している。各電界エミッタ３０９の頂部（若しくは上端部）は、上層をなすゲートライン３１１の１つの対応する開口部（図示せず）を通して露出されている。電界エミッタ３０９は釘状のフィラメント若しくは円錐形のようなさまざまな形状で設けることができる。電界エミッタ３０９の形状は、その材料が良好な電子放出特性を有する限り、材料によって特定されるものではない。エミッタ３０９はさまざまな工程によって製造されうるものであるが、これらの工程は１９９３年９月８日にMacaulay他によって出願された「Structure and Fabrication of Filamentary Field-Emission Device，Including Self-Aligned Gate」という名称の米国特許出願第０８／１１８，４９０号、及び１９９３年１１月２４日に Spindt他によって出願された「Field-Emitter Fabrication Using Charged-Part icle Tracks，and Associated Field-Emission Devices」という名称の米国特許出願第０８／１５８，１０２号に於いて開示されている。本発明に関して、出願番号第０８／１１８，４９０号及び第０８／１５８，１０２号の特許出願の内容を参照されたい。ブラックマトリクスを含む発光構造体３０６はフェースプレート３０２とスペーサ壁３０８との間に設けられている。発光構造体３０６は、発光領域３１３、及び実質的に光を反射せず同じ形状を有する暗隆起部分（dark ridges）３１４からなる。第４Ｃ図は、第４Ａ図の矢印Ｄによって表される方向から見た発光構造体３０６のレイアウトを描いたものである。発光領域３１３及び暗隆起部分３１４は、両者ともフェースプレート３０２の内部表面上に配置されている。発光領域３１３は、各暗隆起部分３１４の間に配置されている（逆の言い方もできる）。領域３１３及び隆起部分３１４に電子放出素子３０９から放出された電子が衝突したとき、発光領域３１３はさまざまな色を発する。暗隆起部分３１４は、発光領域３１３と比較すると実質的に発光をせず、領域３１３に対するブラックマトリクスを形成している。更に詳述すると、発光領域３１３は、互いに平行に等間隔でゲートライン３１１と同じ方向に延在しており、同じ幅の直線的なストライプ状に設けられた蛍光体からなる。各蛍光体のストライプ３１３は典型的には８０μｍの幅を有する。蛍光体ストライプ３１３の厚み（若しくは高さ）は１μｍ〜３０μｍで、典型的には２５μｍである。蛍光体ストライプ３１３は赤い（Ｒ）光を発する複数の実質的に同じ形のストライプ３１３ｒと、緑の（Ｇ）光を発する同様に複数の実質的に同じ形のストライプ３１３ｇと、青（Ｂ）の光を発する同様に複数の実質的に同じ形のストライプ３１３ｂに分割されている。蛍光体ストライプ３１３ｒ、３１３ｇ、及び３１３ｂは、第４図に示されるように３種のストライプ３１３が繰り返される形で設けられる。各蛍光体ストライプ３１３はゲートライン３１１の対応する１本から全体に横切る形で配置されている。この結果、ストライプ３１３の中心線の間隔はゲートライン３１１のそれと等しくなる。暗隆起部分３１４は、同様に互いに平行に等間隔でゲートライン３１１と同じ方向に延在している。隆起部分３１４の中心線の間隔は、やはり同様にライン３１１のそれと等しい。各暗隆起部分の平均的な高さと平均的な幅の比は０．５〜３の範囲であって、典型的には２である。隆起部分３１４の平均的な横幅は１０ μｍ〜５０μｍ、典型的には２５μｍである。隆起部分３１４の高さは２０μｍ〜６０μｍであって、典型的には５０μｍである。暗隆起部分３１４の平均的高さは、蛍光体ストライプ３１１の厚み（若しくは高さ）よりも少なくとも２μｍ大きいものとなっている。上記した典型的なケースでは、隆起部分３１４はストライプ３１３より２５μｍ高く隆起している。従って、隆起部分３１４はストライプ３１３と比べてフェースプレート３０２から更に盛り上がった形となっている。各隆起部分３１４は、その横幅全体及び高さの少なくとも一部分を占める暗い（事実上黒色の）非反射領域を含んでいる。第４Ａ図は、これらの暗非反射領域が隆起部分３１４の高さ全体を占めている例を示している。この後の図に於いては、暗非反射領域が隆起部分の高さ方向の一部分のみを占めている例を図解している。暗隆起部分３１４の材料の選択肢は広い。隆起部分３１４は、ニッケル、クロム、リオブ、金、及びニッケル−鉄合金のような金属から形成することができる。隆起部分３１４は、ガラス、ソーダガラス（若しくはフリット）、セラミック、及びガラスセラミックのような電気的絶縁物や、シリコンのような半導体や炭化シリコンのような材料によっても形成される。これらの材料の混合物も、隆起部分３１４の材料として使用可能である。隆起部分３１４が金属でできている場合、それは３００℃〜６００℃の範囲の温度で十分に軟化し、スペーサ壁３０８のような物体をわすかに押し込むことができる。隆起部分３１４がソーダガラスでできている場合、同様に３００℃〜５００℃の範囲の温度で軟化する。隆起部分の材料がガラスの場合、隆起部分３１４は５００℃〜７００℃の範囲の温度で軟化する。光反射層３１５は第４Ｂ図に示されるように蛍光体ストライプ３１３及び暗隆起部分３１４の上に配置されている。層３１５の厚みは十分に小さいもので、典型的には５０ｎｍ〜１００ｎｍであり、電子放出素子３０９から発せられる電子のほぼ全てが、殆どエネルギーを失うことなく層３１５を通過してその下の層に衝当するようになっている。蛍光体ストライプ３１３に隣接した光反射層３１５の表面部分は非常に滑らかなものとなっている。層３１５は金属、好ましくはアルミニウムからできている。これによって、ストライプ３１３から発せられた光の一部は層３１５で反射されてフェースプレート３０２を通過してゆく。即ち、層３１５は基本的に反射鏡である。層３１５はディスプレイの最終的なアノードとしての機能も果たしている。ストライプ３１３は層３１５に接しているので、アノード電圧はストライプ３１３に加えられている。スペーサ壁３０８はディスプレイのアノード側の光反射層３１５に接している。暗隆起部分３１４は蛍光体ストライプ３１３よりもバックプレート３０３に向かって更に隆起しているので、壁３０８は、層３１５に於ける、隆起部分３１４の頂部（若しくは第４Ａ図に示されている方向では底部）に沿った部分に接触している。隆起部分３１４が余計に隆起していることによって、壁３０８が、光反射層３１５の蛍光体ストライプ３１３に沿った部分には接触しないようにされている。ディスプレイのカソード側に於いて、スペーサ壁３０８は第４Ａ図に示すようにゲートライン３１１に接触している。これとは別の形式で、壁３０８がライン３１１の上に伸びる収束隆起部分（focusing ridges）に接触してもよく、これは、１９９４年１月３１日にSpindt等によって出願された「Field Emitter with Focusing Ridges Situated to Sides of Gate」という名称の米国特許出願第０８／１８８，８５５号に記載されており、ここではその内容を参照されたい。壁３０８は従来の方法、若しくは本明細書に記載した方法で製造することができる。ディスプレイにかかる外部からの空気圧は普通大気圧、即ち７６０ｔｏｒｒ付近である。ディスプレイの内部の圧力は普通１０^-7ｔｏｒｒより小さい数値に設定されている。これは普通の外気圧より大変に小さなものなので、大きな圧力差による力がプレート３０２及び３０３には常にかかることになる。スペーサ壁３０８はこの圧力に対する抵抗力を与える。蛍光体ストライプ３１３は機械的な接触によって容易に損なわれうるものである。暗隆起部分３１４が余計に隆起しているために、光反射層３１５のストライプ３１３に沿った部分と壁３０８とは隔たっているので、壁３０８が、ストライプ３１３に直接その抵抗力を及ぼさない形となっている。ストライプ３１３がこの抵抗力のために損傷を被る危険は、このような形となっていない場合と比べて大いに低減される。ディスプレイは画素の横行及び縦列のアレイに更に分けられる。典型的な画素３１６の領域の境界は、第４Ａ図では矢印で示され、第４Ｂ図及び第４Ｃ図では点線で示されている。各エミッタライン３１０は画素の横行の１つに対する横行の電極となる。図示を容易にするため、第４Ａ図、第４Ｂ図、及び第４Ｃ図に於いては画素の横行が１本だけ、隣接する一対のスペーサ壁３０８（画素の横行の側面に沿って一部オーバーラップしている）の間に設けられた形で示されている。しかし一般的には、２本以上の画素の横行、典型的には２４−１００の画素の横行が、各隣接する対になった壁３０８の間に設けられている。各画素の縦列は３本のゲートライン３１１を有し、その３本とは（ａ）１本が赤、（ｂ）第２番目が緑、そして（ｃ）第３番目が青である。同様に、各画素の縦列は、蛍光体ストライプ３１３ｒ、３１３ｇ、及び３１３ｂを各１つずつ含むことになる。各画素の縦列は４つの暗隆起部分３１４を使用している。隆起部分３１４の２本は画素の縦列の内側にあり、残りの２つは隣接する画素の縦列と共有している。結果的に、光反射層３１５及び蛍光体ストライプ３１３はエミッタ電極の電位に対して１，５００Ｖ〜１０，０００Ｖの正の電位差を維持されている。電子放出素子３０９の組の１つが、エミッタライン３１０及びゲートライン３１１の適当に調整された電位によって適切に励起状態とされた場合、その組となった素子３０９は電子を放出し、それは、対応するストライプ３１３の蛍光体の、目標とする部分に向かって加速される。第４Ａ図には、このような電子群の１つが移動する軌道３１７が図解されている。対応するストライプ３１３の、目標とする蛍光体に衝突したとき、その放出された電子によって、これらの蛍光体が第４Ａ図の３１８によって表されるように光を発する。電子の中には、目標とする蛍光体でなく、発光構造体の他の部分に衝突するものが一定量存在する。目標点以外への電子の衝突に対する許容度は、縦列方向（即ち縦列に沿った方向）より横行方向（即ち横行に沿った方向）のほうが小さいが、これは各両素が３本の異なるストライプ３１３の蛍光体を含んでいるからである。暗隆起部分３１４によって形成されるブラックマトリクスは、横行方向の目標点を外れた電子の衝突を補償して、高い色純度と共にシャープなコントラストを提供する。第４Ｄ図は、第４Ａ図のＣＲＴの全体の断面図を示している。電気的に絶縁性の外壁３０４はプレート３０２及び３０３のアクティブ領域の外側の部分に設けられており、密閉されたケース３０１を形成している。外壁３０４は正方形若しくは長方形に配置された４つの各壁からなり、典型的には２ｍｍ〜３ｍｍの厚みを有するガラス若しくはセラミックからなる。第４Ｄ図に示したように、スペーサ壁３０８が外壁３０４の近くの領域まで設けられているのが一般的である。しかし、スペーサ壁３０８を外壁３０４に接触した形で設けることもできる。バックプレート３０３はフェースプレート３０２の向かい側に横向きに拡がる形で延在している。エミッタライン３１０及びゲートライン３１１に接続しているリードのような電子回路系（図示せず）は、バックプレート３０３のフェースプレート側の表面上で、外壁３０４の外側部分に取り付けられている。光反射層３１５は周囲の密閉部分を通して延在し、アノード／蛍光体電圧がかけられている接続パッド３１９に接続されている。第４Ｅ図は、第４Ａ図のＣＲＴディスプレイに於ける、発光ブラックマトリクス構造の一部の拡大図である。例示のために、第４Ｅ図に於ける暗隆起部分３１４は、主たる暗部分３１４ａ及び発光部分３１４ｂからなる形に図解されている。暗部分３１４ａはフェースプレート３０２と発光部分３１４ｂとの間にあり、第４Ｅ図の隆起部分３１４の全体に亘って延在している。発光部分３１４ｂは、透明な材料で作ることができる。第４Ｅ図では、蛍光体３１３とアルミニウムの光反射層３１５の間の境界部分に沿った蛍光体の表面の部分が粗くなっていても、アルミニウムの光反射層３１５の表面の、蛍光体３１３と層３１５の間の境界部分に沿った部分が滑らかであることも示している。第７Ａ図は、本発明の１つの実施例に基づくフラットパネルディスプレイ７００の一部の単純化した断面図であって、電界エミッタカソード（ＦＥＣ）構造体を有するフラットパネルディスプレイ７００に於いて、アノードスペーサ壁７０８が使用されているのを図解したものである。ＦＥＣ構造体は、電気的に絶縁性のバックプレート７０３上に形成された横行電極７１０を含む。絶縁体７１２（電気的に絶縁性の物質によって作られたもの）はバックプレート７０３上に形成されて、横行電極７１０を覆う。絶縁体７１２には、横行電極７１０に通ずる孔７１２ａが設けられている。エミッタ７０９は、孔７１２ａ内の横行電極７１０上に形成される。エミッタ７０９は円錐形で、エミッタ７０９の頂端部７０９ａは、絶縁体７１２の上面と丁度同じレベルまで延びている。他のタイプのエミッタも使用可能であることは理解されよう。縦列電極７１１は絶縁体７１２の孔７１２ａの周囲に設けられ、孔７１２ａの上を部分的に覆うように延在し、エミッタ上端部７０９ａと縦列電極との距離が予め定められた大きさとなっている。縦列電極７１１及びエミッタ上端部７０９ａは、フェースプレート７０２から空間によって隔てられている。ＦＥＣ構造体とフェースプレート７０２との間の空間は密閉されており、真空状態、即ちほぼ１０^-7ｔｏｒｒ以下に保たれている。蛍光体７１３は、ＦＥＣ構造体に面しているフェースプレート７０２の表面上に設けられる。エミッタ７０９は励起状態にされて電子７１４を放出し、その電子は空間に於いて加速されてフェースプレート７０２上の蛍光体７１３に衝突する。蛍光体７１３に電子７１４が衝突したとき蛍光体７１３は発光し、その光はフェースプレート７０２を通して見ることが出来る。アノードスペーサ壁７０８は、縦列電極７１１から延びてフェースプレート７０２に至り、フラットパネルディスプレイ７００内部の真空状態とその外部の大気圧との圧力差によって生ずる力に対抗すべくフェースプレート７０２を支持する。上記の実施例に於いては、スペーサは、カソードとフェースプレート上の蛍光体の被覆との間の電子の軌道に干渉してはならない。従って、スペーサ自身が電荷を帯びて電子を引きつけ、或いは反発して、許容範囲を越える程電子の軌道を歪めることがないように、スペーサ壁は十分な電気伝導性を有するものでなければならない。これ加えて、高電圧の蛍光体から大きな電流が流れて大きなパワーのロスを生ずることのないように、スペーサは十分に電気的絶縁性を有するものでなければならない。スペーサは電気的に絶縁性の物質で、その上に電気伝導性の物質の薄い被覆をなしたものから作られるのが望ましい。第９Ａ図は、本発明の実施例に基づくスペーサ壁９０８上に形成された被覆９０４を含むフラットパネルディスプレイ９００の一部を示す、第９Ｂ図の９ｂ− ９ｂで切った単純化された断面図である。第９Ｂ図はフラットパネルディスプレイ９００の一部を示す、第９Ａ図の９ａ−９ａで切った単純化された断面図である。フラットパネルディスプレイ７９００はフェースプレート９０２、バックプレート９０３及び側壁（図示せず）を有し、それらは内部が真空状態、即ちほぼ１×１０^-7ｔｏｒｒ以下に保たれた密閉されたケース９０１を形成している。収束リブ（focusing ribs）（または収束隆起部分）９０２がバックプレート９０３の内部表面上に設けられ、それは第９Ａ図の面に対して垂直となっている。フラットパネルディスプレイに於ける収束リブの使用及び構造についての詳細は、先に引用したSpindt他による米国特許出願第０８／１８８，８５５号に記載されている。各対になった収束リブ９１２の間に形成される凹状部分に於いて、電界エミッタ９０９がバックプレート９０３の内部表面上に形成される。電界エミッタ９０９は、ほぼ１，０００のグループに形成されている。第９Ａ図及び第９Ｂ図には示されていないが、第４Ａ図の実施例のエミッタライン３１０と相似形のエミッタ電極ラインのパターンは、電界エミッタ９０９とバックプレート９０３の間に設けられている。同様に図には示されていない、第４Ａ図の実施例のゲートライン３１１と相似形のゲート電極ラインのパターンも、電界エミッタの上に設けられている。暗隆起部分９１１のマトリクスは、ケース内部９０１のフェースプレート９０２上に設けられ、詳細については第４Ａ図〜第４Ｅ図に関して前に記述したとおりである。蛍光体９１３は、隆起部分９１１の間の各凹状部分を部分的に埋めるように形成されている。アノード９１４は薄いアルミニウムのような電気伝導物質であって、蛍光体９１３上に形成される。スペーサ壁９０８は、バックプレート９０３に対してフェースプレート９０２を支持している。各スペーサ壁９０８の両端の間の表面には抵抗性の被覆９０４がなされるか、若しくはドーピングが施されているが、このことは以下に更に詳細に述べられている。抵抗性被覆９０４によって、スペーサ壁９０８上に電荷が帯びるのを最小化若しくは防止して、電子の流れ９１５を歪めることのないようにしているのである。各スペーサ壁９０８の一端は複数の隆起部分９１１に接触し、金属被覆エッジ９０５が設けられている。スペーサ壁９０８の反対側の一端は、複数の収束リブ９１２に接触し金属被覆エッジ９０６が設けられている。金属被覆エッジ９０５及び９０６は、例えばアルミニウム若しくはニッケルでできている。金属被覆エッジ９０５及び９０６によって、被覆９０４とフェースプレート９０２との間の、若しくは被覆９０４と収束リブ９１２との間の良好な電気的接続がなされ、それによってスペーサ壁９０４の両端の電圧が好ましく画定され、抵抗値の均一な接続がなされる。スペーサ壁９０８、被覆９０４及び金属被覆エッジ９０５の間の境界部分の形態は、様々なものが採用可能であるが、このことは以下に詳しく述べる。電極９１７は各スペーサ壁９０８の被覆をなされた（またはドーピングされた）表面上に形成され、エミッタ９０９からアノード９１４へと上昇する電位を「細分化」するのに用いられる。本発明の別の実施例に於いては、スペーサ壁９０８は電極９１７の無い形で形成される。各電界エミッタのグループ９０９は電子９１５をフェースプレート９０２の内部表面に向かって放出する。フラットパネルディスプレイ９００の一部として回路系（図示せず）が形成されるが、それは例えばＩＣチップ上に接続可能な形でバックプレート９０３の外面に設けられ、電極９１７の電位を制御するのに用いられる。各電極９１７の電位は電界エミッタ９０９からアノード９１４の高電圧まで直線的に電位が上昇するように設定されるのが一般的である。従って、電子９１５はフェースプレート９０２に向かって加速され、蛍光体９１３に衝突してフラットパネルディスプレイ９００から放射される光を発生する。最適な収束のために、第９Ａ図の面に於ける必要な等電位線は収束リブ９１２の近傍に於いて曲がった線を描き、収束リブ９１２から出てエミッタ９０９のある空間に入る形となっている。しかし、スペーサ壁９０９の存在がその位置、即ちスペーサ壁９０９の直線的な形をした底部に於ける等電位線に影響を与える。本発明によれば、スペーサ壁９０９の底部の近傍に電極９１７を設けることができ、所望の曲がった形状の等電位線を有する電界を形成することができる。第１０図は、電圧を縦軸に、電界エミッタ９０９からの距離９０７（第９Ｂ図）を横軸にとったグラフである。アノード９１４は電界エミッタ９０９から距離９１６だけ隔てられて設けられ、電界エミッタ９０９より高い電位（第１０図に於いてＨＶて表されている）を維持されている。スペーサ壁９０８から離れた所にある電界エミッタ９０９のグループ、例えば電界エミッタ９０９ｂに対しては、スペーサ壁９０８は電界エミッタ９０９からの電子の流れ９１５に干渉することはなく、電界エミッタ９０９からアノード９１４への電位の変化は、第１０図に示すようにほぼ直線的である。電界エミッタ９０９とアノード９１４との間の電位の変化は各スペーサ壁９０８の近傍に於いても直線的であることが必要で、それによって電子の流れが歪められることがなくなる（即ち画像の質の低下を防げる）。しかし、電界エミッタ９０９ａのようにスペーサ壁９０８の１つの近くに設けられた電界エミッタ９０１のグループに於いては、隣接したスペーサ壁９０８によって電界エミッタ９０９からの電子の流れ９１５が干渉されることがあり得る。電界エミッタ９０９ａから発せられた浮遊電子９１５はスペーサ壁９０８に衝突して、一般的にはスペーサ壁９０８に電荷を蓄積することになる。スペーサ壁９０８に衝突する電子密度を（電流密度ｊ）所与のものとすると、スペーサ壁９０８の表面に蓄積する電荷の量はｊ・（１−δ）に等しくなる。δ≠１のとき、電荷の蓄積によってスペーサ壁９０８表面の電位が望ましい電位からずれることになり、スペーサ壁９０８からの電子の流れがゼロでなくなる。スペーサ壁９０８の電気伝導性が低い場合は、電位のずれはスペーサ壁９０８の近傍の電子の流れを歪めて、ディスプレイの画像の質を低下させることになる。一般的に言ってスペーサ壁９０８の近傍に於ける望ましい電位（電界エミッタ９０９からアノード９１４への直線的な電位の上昇に基づいて求められる）からの電位の偏差は以下の方程式で与えられる。 ΔＶ＝ρ_s・｛ｘ・（ｘ−ｄ）／２｝・ｊ・（１−δ）（１）ここで、 ΔＶ＝電圧の変化（Ｖ） ρ_s ＝スペーサ壁の面抵抗（Ω／□）ｘ＝最も近い電極との距離、０＜ｘ＜ｄ（ｃｍ）ｄ＝電極間の距離（ｃｍ）ｊ＝スペーサ壁の表面に流れる電流密度（Ａ） δ ＝二次電子放出比（無次元）である。上記の方程式に於いては、電流密度ｊがスペーサ壁９０８に均一に衝突し、スペーサ壁９０８の面抵抗ρ_sが均一であることが仮定されている。更に正確に言えば、方程式（１）は電流密度ｊに於ける電流の大きさがスペーサ壁９０８上の位置に依存していること、二次電子放出比δがスペーサ壁９０８上のその位置における正確な電位に依存していることを説明しているのである。方程式（１）に見られるように、電位の偏差ΔＶは２つの電極９１７の中間点で最大となり、（即ち｛ｘ・（ｘ−ｄ）／２｝という最大値をとる）ΔＶは電極からの距離の二乗に比例する。このため、更に電極を加えることによってスペーサ壁９０８近傍の電位のずれを最小化し、それによってフェースプレート９０２へ向かう電子９１５の流れの歪みを最小にすることができるのである。幅ｗの電極をｎ個、高さｈのスペーサ壁９０８に追加すると、フラットパネルディスプレイ９００の電力消費は減少するが、電力比は以下の式で与えられる。Ｐ_NEW／Ｐ_OLD＝（ｄ−ｎｗ）／｛ｄ・（ｎ＋１）²｝（２）例えば、４ｍｉｌの幅を有する４つの電極を高さｈが１００ｍｉｌのスペーサ壁９０８に追加すると、所与のΔＶ_maxに対する電力Ｉ²Ｒのロスはほぼ３０分の１程度となる。この更に効率的な電荷放出によって面抵抗ρ_sの値が高まり、電力消費を著しく節約することができるのである。他の利点としては、電極９１７が僅かに露出した形で設けられている場合、電極９１７によって電荷が大部分さえぎられ、電気を帯びないようにされている高抵抗の部分に電荷が衝突するのを防いでいることである。しかし、各追加された電極９１７によってディスプレイ９００の製造コストが上昇する。フラットパネルディスプレイ９００に含まれる電極９１７の数は、以下述べる要素の間のトレードオフの関係を考慮して選択される。方程式（１）から更に読みとれることは、電極９１７の数が所与の場合、面抵抗ρ_sが低下するにつれ電位の偏差ΔＶも低下し、二次電子放出比δは１に近づくということである。従って、スペーサ壁９０８の表面が、低い面抵抗ρ_sと１に近い二次電子放出比δを有することは望ましいことである。二次電子放出比δ は下限が０で、上昇した場合は非常に高い数値を取りうるので、一般的には、二次電子放出比に関しては、低い値の二次電子放出比δを有する材料を選択するのが望ましいということが言える。第１１図は二次電子放出比を縦軸に、電圧を横軸に取ったグラフであって、２つの物質、即ち物質１１０１及び１１０２の特性を示したものである。物質１１０１のような高抵抗率の物質に対してはほとんどの場合、エネルギーが１００Ｖから１０，０００Ｖの範囲で二次電子放出比は１より大きい値（しばしば１よりずっと大きな値）となり、表面は正の電荷を帯びることになる。アノード９１４はエミッタ９０９に対して１，５００Ｖ〜１０，０００Ｖの正の電位差を維持しているのが一般的であるが、これは第４Ａ図に示すアノード３１５及びエミッタ３０９について上記したのと同様である。更に、上記のように、スペーサ壁９０８は、好ましくは電気的に絶縁性（即ち高い抵抗率を有する）の物質から作られている。従って、スペーサ壁９０８は正の電荷を帯びる（そしてしばしば大きな電荷である）のが一般的であり、エミッタ９０９からの電子９１７の流れを弱めることになる。しかし、物質１１０２は、フラットパネルディスプレイ９００の電位の範囲に於いては二次電子放出比δが１程度に保たれている。電位の偏差ΔＶが１−δに比例して変化するので、スペーサ壁９０８の表面が物質１１０２でできている場合、スペーサ壁９０８の表面には電荷（正負を問わず）がほとんど蓄積されない。この結果、スペーサ壁９０８の存在が、電界エミッタ９０９とアノード９１４との間の電位差に影響を与えることがほとんどなく、従って、スペーサ壁９０８のために電子９１５の流れが歪められることが最小化される。本発明によれば、ケース内部９０１に向くように設けられているスペーサ壁９０８の表面は第１１図の材料１１０２によく似た二次電子放出比δの特性を有する材料で処理される。更に、この表面はスペーサ壁９０８の大きな抵抗と比較して低い抵抗値を持つ表面となるように処理され、電荷がスペーサ壁９０８から若しくはフェースプレート９０２からバックプレート９０３へ容易に流れるようにされ、かつその抵抗値はフェースプレート９０２上の高電圧蛍光体からの電流の流れが大きくなって大きな電力ロスとなるほど低いものではないものとされる。本発明の実施例の１つに於いて、スペーサ壁９０８はセラミック製であり、被覆９０４は二次電子放出比δが４より小さく面抵抗ρ_sが１０⁹と１０¹⁴Ω／□の間であるような材料によってなされる。更に別の実施例に於いては、被覆９０４に用いられる材料は、面抵抗ρ_sは前記の通りで、二次電子放出比δが２より小さいものである。この実施例に於ける被覆９０４は、例えば、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン、酸化バナジウム若しくはこれらの混合したものを材料として形成される。更に別の実施例に於いては、被覆９０４は酸化クロムによってなされる。被覆９０４の厚みは０．０５μｍと２０μｍとの間である。本発明の別の実施例に於いて、被覆９０４は、二次電子放出比δの大きさについては特に決まっていないが面抵抗ρ_sが１０⁹から１０¹⁴Ω／□である材料によって形成されたスペーサ壁９０８上の第１被覆を含んでいる。そして第１被覆の上には、二次電子放出比δが１つの実施例に於いては４より小さく、別の実施例に於いては２より小さいような第２被覆が形成される。第１被覆の材料としては、例えば、酸化チタンクロム、酸化シリコン若しくは窒化シリコンなどがある。第２被覆の材料としては、例えば、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン、酸化バナジウム若しくはこれらの材料の混合物などがある。被覆９０４の全体の厚みは０．０５μｍと２０μｍとの間である。本発明の更に別の実施例に於いて、スペーサ壁９０８はその表面にドーピングを施されて面抵抗ρ_sが１０⁹から１０¹⁴Ω／□の間となり、次に、二次電子放出比δが１つの実施例に於いては４より小さく、また別の実施例に於いては２より小さいような被覆９０４をなされる。ドーパントとしては、例えば、チタン、鉄、マンガン若しくはクロムなどが使用できる。被覆９０４は例えば、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン、若しくは酸化バナジウム、これらの材料の混合物などがある。１つの実施例に於いて被覆９０４は酸化クロムであり、その厚みは０．０５μｍと２０μｍとの間である。また別の実施例に於いては、スペーサ壁９０８はその表面に、面抵抗が１０⁹ と１０¹⁴Ω／□の間となるべく、濃縮ドーピングを施される。ドーパントとしては、例えば、チタン、鉄、マンガン若しくはクロムが使用できる。本発明の別の実施例に於いて、スペーサ壁９０８は部分的に電気伝導性セラミック若しくはガラスセラミック材料から作られる。上記の被覆９０４はスペーサ壁９０８上に何らかの適切な方法によって形成される。例えば被覆９０４は、よく知られた技術、例えば、熱若しくはプラズマ強化化学蒸着、スパッタリング、蒸発、スクリーンプリンティング、回転塗布機による塗布、噴霧若しくはディッピング（dipping）によって形成できる。どんな方法が使用されたとしても、面抵抗の均一性が±２％以内に収まるように被覆９０４を形成するのが望ましい。このために、被覆９０４を形成するにあたって、厚みを特定の誤差の範囲内に制御して行うのが一般的である。スペーサ表面の被覆を形成するための別の方法としては、第１のセラミック層に含まれる材料を利用することが上げられるが、このセラミック層はその後の焼成処理に於いて多少電気伝導性をもつようにすることができる。上記の実施例に於いて、スペーサ壁の表面に電荷が帯びるのを最小化若しくは防止するために行われるスペーサ壁の処理について述べた。スペーサ構造体、例えばスペーサ溝造体６０８（第６図）を有する本発明の実施例に於いて、スペーサ構造体の電子が流れる開口部の表面は上記のように処理され、その表面が電荷を帯びるのを最小化若しくは坊止している。第１２Ａ図から第１２Ｄ図はスペーサ壁の間の境界部分を図解した断面図であって、本発明のさまざまな実施例による抵抗性被覆、金属被覆エッジ、収束リブが示されている。各実施例の被覆は、第９Ａ図及び第９Ｂ図に関して前に記述した被覆の１つである。各実施例に於いて、金属被覆エッジと抵抗性被覆の境界部分が正確に形状を定めて設けられるが、それは直線的な形状でカソードからの一定の高さを有しているので、バックプレートに平行な、スペーサ壁の長手方向に沿った基部に於いて、直線的な等電位線が画定される。以下に述べる本発明の実施例に基づく金属波覆エッジは、上記の抵抗性被覆９０４の形成に於いて使用した技術によって、スペーサ壁の表面のエッジ部分に形成される。第１２Ａ図に於いて抵抗性被覆１２０４は、スペーサ壁１２０８の側面１２０８ａ上に形成される。被覆１２０４は側面１２０８上に形成されるので、被覆１２０４は側面１２０８ａの末端部からはみ出して延在していない。金属被覆エッジ１２０６はスペーサ壁１２０８の末端面１２０８ｂ上に形成され、従って金属被覆エッジ１２０６は被覆１２０４からはみ出して延在していない。第１２Ｂ図に於いて、抵抗性被覆１２１４はスペーサ壁１２１８の側面１２１８ａ及び末端面１２１８上に形成されて、スペーサ壁１２１８全体を覆う。金属被覆エッジ１２０６はスペーサ壁１２１８の末端面１２１８ｂ上に形成された被覆１２１４の一部に接触するように形成され、金属被覆エッジ１２０６は被覆１２０４の端面からはみ出して延在しない。第１２Ｃ図に於いて、抵抗性被覆１２１４は、スペーサ壁１２１８の側面１２１８ａ及び末端面１２１８ｂに形成されて、スペーサ壁１２１８全体を覆う。金属被覆エッジ１２１６は、スペーサ壁１２１８の末端面１２１８ｂ上に形成された被覆１２１４の一部に接触する形で形成され、このとき金属被覆１２１６は被覆１２１４と重なり合い、被覆１２１４の角の部分に於いて正しく定められた高さまで延在する形で設けられる。第１２Ｄ図に於いて抵抗性被覆１２０４は、第１２Ａ図と同様にスペーサ壁１２０８の側面１２０８ａ上に形成され、このとき被覆１２０４は側面１２０８への末端部からはみ出して延在していない。金属被覆エッジ１２１６は、スペーサ壁１２０８の末端面１２０８上に形成された被覆１２０４の一部に接触する形で形成され、このとき金属被覆１２１６は被覆１２０４と重なり合い、被覆１２０４の角の部分に於いて正しく定められた高さまで延在する形で設けられる。上記のように、ケースの内部９０１に露出されているスペーサ壁９０８の表面上に電極９１７は間隔を置いて設けられている。これらの電極９１７に於ける電位は分圧手段によって設定される。分圧手段は被覆９０４若しくは抵抗性のストリップのどちらかであって、ディスプレイ９００のアクティブ領域の外側にあり、各電極９１７から伸びる電気伝導トレースと接続されている。各電極９１７に於いて望ましい電圧を得るために、その位置に於ける抵抗値を必要なだけ上昇させるべく、分圧手段の選択された位置に於ける材料の除去、即ち分圧手段の「トリミング（trim）」を行うことができる。トリミングは例えば分圧手段の材料をレーザーを用いて除去することによって実施される。別の方法として、選択された電気伝導トレースの１つからの材料の除去によっても実施することができるが、それは例えばケース９０１の外側の、ケース内部の電極９１７に伸びているトレースを、１つ若しくはそれ以上長さを短くすることによって、同様の効果を得ることができるのである。第１３Ａ図〜第１３Ｈ図（集合的に第１３図）、第１４Ａ図〜第１４Ｊ図（集合的に第１４図）、第１５Ａ図〜第１５Ｊ図（集合的に第１５図）、及び第１６Ａ図〜第１６Ｊ図（集合的に第１６図）は、第４Ａ図のＣＲＴディスプレイの発光構造体を製造するための４つの基本的な加工処理シーケンスを図解している。この加工処理を記述するのを容易にするために、第１３、１４、１５、及び１６図に於ける向きは、第４Ａ図に於ける向きと逆になっている。以下の加工処理に関する記述に於いて、方向に関する言葉、例えば上側及び下側などは第１３図〜第１６図に於ける図の向きに当てはまるものである。第１３図に示される加工処理シーケンスから始めると、スタート点はフェースプレート３０２である。フェースプレート３０２の内部表面は（即ちここでは上側のフェースプレート表面）、第１３Ａ図に示されるように粗くされ、ブラックマトリックスを形成する材料の反射性を低減する。この表面を粗くする工程は、フッ化水素酸溶液のような化学的エッチング剤若しくはハロゲンベースのプラズマエッチング剤を用いて実施されるのが一般的である。暗非反射フリットを形成することができるソーダガラスのスラリー３２１は、第１３Ｂ図に示されるように、フェースプレート３０２の上側表面上にスクリーンとして析出させられる。スラリー３２１は、１分間〜１２０分間の４００℃〜４５０℃での焼成（即ち加熱）によって硬化ソーダガラス層３２２に変換される。第１３Ｃ図を参照してもらいたい。ソーダガラス層３２２の、暗隆起部分３１４になることが予定されている部分の間に位置する部分は、適切なフォトレジストマスク（図示せず）を用いた化学的エッチングまたはプラズマエッチングによって、あるいは適当にプログラムされたレーザーを用いた溶除によって除去される。第１３Ｄ図は、ここまでの加工処理によって、ソーダガラス層３２２の残った部分が隆起部分３１４となっていることを示している。第１３Ｅ図に描かれているように、蛍光体ストライプ３１３ｒ、３１３ｇ、及び３１３ｂは、フェースプレート３０２の上側表面上の暗隆起部分３１４の間の形成される。詳述すると、赤、緑、及び青の３つの色の内の１つの光を発する、ポリマー、光合成剤、及び蛍光体粒子のスラリーは、フェースプレート３０２の上側表面上に配置される。このような色のうちの１つの色の蛍光体の粒子か配置されることが予定されている部位にあるスラリーの一部分は、適当なフォトレジストマスク（図示せず）を用いて、光化学線放射にさらされることによって硬化される。スラリーの残りの部分を流し去り、構造体はすすぎ洗いされる。この工程は残りの２つの色の光を発する蛍光体の粒子に対してそれぞれ繰り返して実施される。構造体は乾燥させられて、蛍光体ストライプ３１３の形成が完了する。ラッカーの層３２３が、蛍光体３１３及び隆起部分３１４上に噴霧によって形成される。ラッカー層３２３の上側表面は、第１３Ｆ図に示すように滑らかなものである。アルミニウムがラッカー層３２３上に蒸着されて、光反射層３１５が形成される。第１３Ｇ図を見てもらいたい。次に、構造体は約４５０℃で６０分間に亘って一部に酸素を含む大気の中で加熱され、ラッカー３２３が燃焼することにより除去される。第１４Ｈ図は完成した構造体を示している。ラッカー層３２３は滑らかな上側表面を有していたので、結果的に光反射アルミニウム層３１５も滑らかな下側表面を有することになる。第１４図に移ると、ここでのスタート点はやはりフェースプレート３０２であって、その表面は粗くなっている。第１５Ａ図を見てもらいたい。暗非反射金属の層３２５は第１４Ｂ図に示すようにフェースプレート３０２の上側表面上に配置されている。金属層３２５は、厚みが５０ｎｍ〜２００ｎｍのブラッククロム若しくはニオブからなるのが一般的である。厚いフォトレジスト層３２６が、第１４Ｃ図に示すように金属層３２５の上に形成される。フォトレジスト層３２６は例えばＭｏｒｔｏｎ社のＥＬ２０２６のようなポジのフォトレジストからなる。フォトレジスト層の厚みは２５μｍ〜７５μｍであって、典型的には５０μｍである。フォトレジスト３２６は選択的に光化学線放射にさらされて、隆起部分３１４に対するほぼ望ましい幅の溝３２７を形成するべく加工される。溝の幅は１０μｍ〜５０μｍであって、典型的には２５μｍである。第１４Ｄ図を参照すると、そこでは３２６ａがフォトレジスト３２６の残りの部分として示されている。溝３２７には選択的に金属が完全に若しくは殆ど充填された状態にされ、第１４Ｅ図に示すような金属の隆起部分３１４ｄが形成される。選択的充填は電気化学的析出処理（電気メッキ）によってなされる。金属隆起部分３１４ｄは黒若しくは光沢のない金属からなるものでも良い。隆起部分の金属としてはクロム若しくはニッケル−鉄合金などが一般的である。フォトレジストマスク３２６ａはその後除去されて、第１４Ｆ図に示すような構造体が形成される。金属隆起部分３１４ｄをマスクとして使用して、暗金属層３２４の露出部分は除去される。第１４Ｇ図に示されているのは、ここまでの加工処理でできあがった構造体において、暗隆起部分３１４ｅが金属層３２５の残りの部分であることである。各暗隆起部分３１４ｅ及び上層をなす隆起部分３１４ｄは、暗隆起部分３１４の１つを構成する。蛍光体ストライプ３１３及び光反射層３１５は、第１３図の加工処理と共に上で述べてきた方法によって、ここで形成された。第１４Ｈ図はストライプ３１３の形成を示したものである。ラッカー層３２３上に配置された層３１５は第１４１図に図示されている。第１４Ｊ図は、ラッカー層３２３が燃焼させられて除去された後の完成した発光構造体を示したものである。第１５図の加工処理シーケンスのスタート点は、透明な電気絶縁性の平らな本体（若しくはプレート）３２９であって、これは典型的には、概ね均一な組成を有するガラスでできている。第１５Ａ図をみてもらいたい。サンドブラストマスクのような効果を有する材料でできたパターンをなす層３３０は、第１５Ｂ図に示すように透明な本体３２９の上側表面上に形成される。マスク層３３０はサンドブラストマスク材料の被覆層（blanket）を本体３２９上に設けることによって形成され、その後本体３２９の表面の露出した部分にマスクエッジングを施すことによって被覆層の一部を選択的に除去する。透明な本体３２９のマスク３３０を通して露出した部分を特定の深さまで除去するべく、選択的な除去が実施される。第１５Ｃ図は、本体３２９の残りの部分がフェースプレート３０２及び上層をなすパターンをなす隆起部分３１４ｆからなる、ここまでの加工処理の結果出来上がった構造体を図解したものである。除去処理はサンドブラストによってなされる。サンドブラストを実施している間、マスク３３０は腐食させられて取り除かれる。サンドブラストが終了したときにマスク３３０が残っている場合は、その残りのマスク３３０は第１５Ｄ図に示すように除去される。暗色の材料でできた層３３１は、この構造体の上側の表面上に配置されたスクリーンである。第１５Ｅ図を見てもらいたい。暗色の材料は暗色のガラス若しくは暗色の金属からなる。フォトレジストマスク３３２は、第１５Ｆ図に示すように隆起部分３１４ｆの真上にある暗色の層３３１上に形成されるのが一般的である。マスクの不整合を回避するため、フォトレジストマスク３３２はフォトマスクレチクルを使用して作られるのが一般的であり、このレチクルはネガフォトレジストのためのサンドブラストマスク３３０若しくはポジフォトレジストのためのネガのマスクを作るときに使用されるものである。暗隆起部分３１４ｇは、暗色の層３３１の露出部分を取り除くことによって隆起部分３１４ｆの上にそれぞれ形成される。第１５Ｇ図は、フォトレジスト３３２を除去した後の構造体を図解したものである。各隆起部分３１４ｇ及び下層をなす隆起部分３１４ｆは暗隆起部分３１４の１つを構成する。発光構造体は、第１４図の加工処理によって上記のような方法で完成する。特に、蛍光体ストライプ３１３は、第１５Ｈ図に示すように隆起部分３１４の間に形成される。第１５１図は、光反射層３１５がラッカー３２３の上に形成されることを示している。ラッカー３２３を燃焼させて除去させた後の完成した構造体は、第１５Ｊ図に於いて示されている。第１３図から第１５図に示される既に述べた加工処理の１つによって、第４Ａ図のＣＲＴカソード構造体を製造した後、スペーサ壁３０８及び外壁３０４は、カソード構造体と発光ブラックマトリックス構造体との間に適切に配置され、一方でディスプレイの部品はポンプで気圧を１０^-7ｔｏｒｒ以下に下げられた小室に入れられる。その後、ディスプレイは３００℃〜６００℃、典型的には４５０ ℃の下で密閉状態にされる。暗隆起部分３１４は、上記のように３００℃〜７００℃の範囲の温度（この温度は隆起部分の材料が金属、ソーダガラス、若しくはガラスのどれかによって決まる。）に於いて軟化する。隆起部分が軟化する温度は、ディスプレイを密閉する温度とほぼ同じかそれよりやや低い温度に選択されるのが一般的である。この結果、スペーサ壁３０８は密閉処理の間に隆起部分３１４に僅かに食い込むことになる。これによって、壁３０８の間の高さの違いを補償する。隆起部分を軟化させる温度がディスプレイを密閉させる温度よりも高い場合は、暗隆起部分３１４をＣＲＴディスプレイを密閉する直前に予め軟化させておくことか出来る。この場合、スペーサ壁３０８は密閉処理の間に再び隆起部分３１４に僅かに食い込み、スペーサ壁の高さの違いを補償することになるのである。本発明の特定の実施例について述べてきたが、この記述は単にここで図解したものに基づいたものであり、請求項に述べる発明の範囲はこれに限られるものではない。例えば、第１５図の加工処理シーケンスに於ける暗隆起部分３１４は、加工処理シーケンスの初めに透明な本体の頂部に暗色材料の層を設け、その後、隆起部分の上側部分３１４ｇを形成する過程を省略することによって、暗色部分を隆起部分の頂部から底部へ移動させることが出来る。追加的に平行に設けられた暗非反射隆起部分は、フェースプレート３０２上に形成されて、隆起部分３１４に対して垂直に延在する形となる。蛍光体ストライプ３１３は、蛍光体粒子の代わりに薄い蛍光体の薄膜からも製造することができる。また発光領域３１３は、蛍光体（この場合は粒子でも薄膜形状でもかまわない。）以外の素子によって形成することも出来る。フェースプレート３０２のすぐ近くに配置された透明なアノードは、光反射層３１５の代用として、若しくはそれと共に使用することができる。このようなアノードは、酸化インジュウム−錫のような透明な電気伝導物質の層からなるのが一般的である。フェースプレート３０２と、存在する場合には隣接して設けられる透明なアノードとは、発光ブラックマトリックス構造体の本体部分を構成する。このように、請求項に記載の本発明の範囲及び精神を逸脱することなく当業者は様々な改変をなし得るであろう。請求の範囲１．フラットパネル装置であって、フェースプレートと、前記フェースプレートに結合して、密閉されたケースを形成するバックプレートと、前記フラットパネル装置からの発光手段と、表面が電荷を帯びるのを最小化若しくは防ぐべく処理された、前記バックプレート及び前記フェースプレートに、前記ケース内部に向かう方向に作用する力に対する支持を与える前記ケース内部に設置されたスペーサと、前記バックプレートと前記スペーサの端面との間に設けられた、前記スペーサとバックプレート上の電気伝導体との電気的接続をなす金属被覆エッジとを有することを特徴とするフラットパネル装置。２．前記スペーサの表面が、二次電子放出比が４より小さく面抵抗が１０⁹Ω／ □と１０¹⁴Ω／□との間の大きさであるような材料によって被覆をなされていることを特徴とする請求項１に記載の装置。３．前記被覆の材料が、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択されることを特徴とする請求項２に記載の装置。４．前記被覆が酸化クロムによってなされることを特徴とする請求項２に記載の装置。５．前記被服の厚みが０．０５μｍと２０μｍの間であるような請求項２に記載の装置。６．前記スペーサの表面に、面抵抗が１０⁹Ω／□と１０¹⁴Ω／□との間である材料によってなされた第１の被覆と、二次電子放出比が４より小さい材料によって、前記第１の被覆の上になされた第２の被覆を更に有することを特徴とする請求項１に記載の装置。７．前記第１及び第２の被覆の厚みの合計が０．０５μｍから２０μｍの間であることを特徴とする請求項６に記載の装置。８．前記スペーサ表面に於いて、面抵抗が１０⁹Ω／□と１０¹⁴Ω／□との間になるようにドーピングを施されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。９．前記ドーピングのドーパントがチタンであることを特徴とする請求項８に記載の装置。１０．前記ドーピングを施されたスペーサ表面上に、二次電子放出比が４より小さい材料による被覆をなされることを特徴とする請求項に記載の装置。１１．前記被覆が、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択された材料によってなされることを特徴とする請求項１０に記載の装置。１２．前記被覆が酸化クロムによってなされることを特徴とする請求項１０に記載の装置。１３．前記スペーサ表面上の前記面抵抗の均一性が、特定の名目上の抵抗値の２％以内に維持されていることを特徴とする請求項１に記載の装置。１４．前記スペーサがスペーサ壁を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。１５．前記スペーサが、複数のスペーサ構造体孔を設けたスペーサ構造体を含むことを特徴とする請求項１に記載の装置。１６．複数の孔を設けたアドレシンググリッドであって、各複数のスペーサ構造体の孔がアドレシンググリッドの孔若しくはアドレシンググリッドの孔のグループと整合している、該アドレシンググリッドを更に有することを特徴とする請求項１５に記載の装置。１７．前記スペーサとバックプレート上の電気伝導体との境界部分の近くの、前記スペーサの表面上に設けられた電極であって、前記電極に於ける電圧が前記境界部分の近傍に於ける望ましい電圧分布が得られるように制御されている、該電極を更に有することを特徴とする請求項１に記載の装置。１８．前記電極が前記バックプレートの内部表面の上に曲がった経路に沿って設けられていることを特徴とする請求項１７に記載の装置。１９．前記スペーサの表面上に間隔を開けて設けられた複数の電極であって、各電極の電圧が前記バックプレート上の電気伝導体及びフェースプレート上の電気伝導体の間の望ましい電圧分布を達成するように制御されている、該複数の電極を更に有することを特徴とする請求項１に記載の装置。２０．前記各電極の電圧を設定する分圧手段を更に有することを特徴とする請求項１９に記載の装置。２１．前記分圧手段が前記スペーサ表面上に形成された抵抗性の被覆を有することを特徴とする請求項２０に記載の装置。２２．前記電極に於ける前記望ましい電圧を設定するべく、前記分圧手段から選択的に材料が除去されることを特徴とする請求項２０に記載の装置。２３．前記各電極から前記装置のアクティブ領域の外側へ伸びる電気伝導トレースを更に有し、前記電極に於ける前記必要な電圧を設定するべく、前記トレースの少なくとも１つから選択的に材料が除去されることを特徴とする請求項１９に記載の装置。２４．前記フェースプレートと、前記スペーサの第２端面との間に設けられた第２の金属被覆エッジを更に有し、前記第２金属被覆エッジが、前記スペーサと前記フェースプレート上の電気伝導体との間の電気的接続をなすことを特徴とする請求項１に記載の装置。２５．前記スペーサ表面上に抵抗性被覆が形成され、前記第１及び第２の金属被覆エッジが前記抵抗性被覆との電気的接続をなすことを特徴とする請求項２４に記載の装置。２６．前記第１金属被覆エッジと、前記抵抗性被覆との間の前記境界部分が、前記バックプレートの内部表面との距離を実質的に一定に保った形で設けられていることを特徴とする請求項２５に記載の装置。２７．フラットパネル装置であって、フェースプレートと、前記フェースプレートに結合して密閉されたケースを形成するバックプレートと、前記フラットパネル装置からの発光手段と、前記バックプレート及び前記フェースプレートに前記ケース内部に向かって作用する力に対して支持を与える前記ケース内部に設置されたスペーサ壁とを有し、前記スペーサ壁がセラミック、セラミック強化ガラス、若しくは絶縁層による被覆をなされた金属から作られることを特徴とするフラットパネル装置。２８．フラットパネル装置であって、フェースプレートと、前記フェースプレートに結合して密閉されたケースを形成するバックプレートと、前記フラットパネル装置からの発光手段と、前記バックプレート及び前記フェースプレートに前記ケース内部に向かって作用する力に対して支持を与える前記ケース内部に設置されたスペーサとを有し、前記スペーサがセラミック強化ガラスから作られることを特徴とするフラットパネル装置。２９．前記フェースプレートを前記バックプレートと結合する側壁を更に有することを特徴とする請求項１から請求項２８の何れかに記載のフラットパネル装置。３０．前記発光手段が、電界エミッタカソードと、前記フェースプレート上に設けられた発光物質とを更に有することを特徴とする請求項１から請求項２９の何れかに記載の装置。３１．セラミック若しくはガラスセラミックのスペーサ壁をバックプレートとフェースプレートとの間に取り付ける過程と、前記スペーサ壁をケース内部に封入するべく、前記バックプレートと前記フェースプレートとを封着する過程とを有することを特徴とするフラットパネル装置の製造方法。３２．前記ケース内部に複数のアドレシンググリッド孔を設けたアドレシンググリッドを取り付ける過程を更に有することを特徴とする請求項３１に記載の方法。３３．前記封着過程が、前記フェースプレートと前記バックプレートとの間に頂部壁、底部壁及び２つの側壁を取り付ける過程を有すること特徴とする請求項３１または請求項３２の何れかに記載の方法。３４．前記スペーサ壁間に整合を与える過程を更に有することを特徴とする請求項３３に記載の方法。３５．前記スペーサ壁間に整合を与える過程が、前記アドレシンググリッドに刻み目を形成する過程と、前記刻み目内に前記スペーサ壁を設ける過程とを含むことを特徴とする請求項３４に記載の方法。３６．前記封着過程が、前記フェースプレートと前記バックプレートとの間に頂部壁、底部壁及び２つの側壁を取り付ける過程を有し、前記整合過程が、前記頂部壁若しくは前記底部壁に刻み目を形成する過程と、前記刻み目内に前記スペーサ壁を設ける過程とを有すること特徴とする請求項３４に記載の方法。３７．バックプレート及びフェースプレートの間に、セラミック若しくはガラスセラミックのスペーサ構造体で、複数のスペーサ構造体孔を開けられた、該構造体を取り付ける過程と、前記スペーサをケース内部に封入すべく、前記バックプレートと前記フェースプレートとを封着する過程とを有することを特徴とするフラットパネル装置の組立方法。３８．セラミック若しくはガラスセラミック材料の膜に孔を開ける過程と、前記セラミック若しくはガラスセラミック材料の膜を張り合わせて前記スペーサ構造体を形成する過程とを有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。３９．バックプレート及びフェースプレートの間にスペーサを取り付ける過程と、前記スペーサ表面上に電荷が帯びるのを最小化若しくは防ぐべく前記スペーサの表面を処理する過程と、前記スペーサと前記バックプレート上の電気伝導体との間の電気的接続をなすように前記スペーサの端面に金属被覆エッジを形成する過程と、前記スペーサをケース内部に封入すべく、前記バックプレートと前記フェースプレートとを封着する過程とを有することを特徴とするフラットパネル装置の組立方法。４０．前記スペーサ表面の処理過程が、前記スペーサ表面上の抵抗性被覆を形成する過程を含むことを特徴とする請求項３９に記載の方法。４１．前記抵抗性被覆か酸化クロムを材料とすることを特徴とする請求項４０に記載の方法。４２．前記抵抗性被覆が化学的蒸着によって形成されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。４３．前記抵抗性被覆がスパッタリングによって形成されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。４４．前記抵抗性被覆が蒸発によって形成されることを特徴とする請求項４０に記載の方法。４５．前記スペーサ表面の処理過程が、予め定められたドーパント濃度のドーピングを施す過程を有することを特徴とする請求項３９に記載の方法。４６．本体部分と、前記本体部分に沿って設けられたパターンをなす隆起部分と、前記隆起部分の間の前記本体部分に沿った複数の発光領域とを有し、前記発光領域は電子が衝突すると光を発し、前記隆起部分に電子が衝突したときは前記隆起部分は前記発光領域と比較して実質的に発光せず、前記隆起部分は前記発光領域よりも前記本体部分から更に隆起していることを特徴とし、各隆起部分が、前記隆起部分の横幅全体に延在し、かつその高さ方向の少なくとも一部分を実質的に占めている暗領域を有することを特徴とし、前記暗領域が主として、金属、セラミック、半導体、炭化物のうちの少なくとも１つからなることを特徴とする発光構造体。４７．前記隆起部分が、少なくともその一部が互いに平行となるように延在することを特徴とする請求項４６に記載の構造体。４８．前記隆起部分が、互いに異なる向きに延在する少なくとも２つのグループを有することを特徴とする請求項４６に記載の構造体。４９．前記本体部分が、前記発光領域に向かって伸びる、少なくとも一部が透明なプレートを有することを特徴とする請求項４６から請求項４８の何れかに記載の構造体。５０．前記金属が、ニッケル、クロム、ニオブ、金、及びニッケル−鉄合金の中の少なくとも１つであることを特徴とする請求項４６から請求項４８の何れかに記載の構造体。５１．前記各隆起部分の暗領域が、前記隆起部分の高さ方向の一部分のみを占めることを特徴とする請求項４６から請求項４８の何れかに記載の構造体。５２．互いに隔てられ、内部表面が向かい合った形で設けられた第１及び第２のプレートと、前記第１プレートの前記内部表面に沿って設けられたパターンをなし、主として、金属、セラミック、半導体、炭化物のうちの少なくとも１つからなる暗領域を有する隆起部分と、前記隆起部分の間の前記第１プレートの前記内部表面に設けられた複数の発光領域と、前記プレートを支持し、かつそれらを互いに隔てられた形で維持する支持構造体と、前記第２プレートの前記内部表面上で、電子放出素子の組を横向きに隔てて設けてなるアレイとを有し、前記第１プレートが、前記発光領域に沿って延在し少なくともその一部分が透明であることを特徴とし、前記隆起部分が、前記発光領域よりも前記第１プレートから盛り上がっていることを特徴とし、前記電子放出素子からの電子が衝突したとき、前記発光領域は光を発し、一方前記隆起部分は前記発光領域と比較して実質的に発光しないことを特徴とする光学ディスプレイ。５３．各隆起部分の前記暗領域が、前記隆起部分の横幅全体に延在し、かつその高さ方向の少なくとも一部分を実質的に占めていることを特徴とする請求項５２に記載のディスプレイ。５４．前記隆起部分と前記第２プレートとの間に前記隆起部分を横切る形で配置された、横向きに間隔を開けて設けられた内部支持体のグループを有し、前記内部支持体が、前記発光領域から隔てられて設けられ、前記電子放出素子の間の領域に向かって延在していることを特徴とする前記支持構造体を有することを特徴とする請求項５３に記載のディスプレイ。５５．各内部支持体がスペーサ壁を含むことを特徴とする請求項５４に記載のディスプレイ。５６．前記第１プレートから前記発光領域に沿って横切る形で設けられた、前記発光領域から前記第１プレートへの光を反射する光反射層を更に有することを特徴とする請求項５５に記載のディスプレイ。５７．前記金属が、ニッケル、クロム、ニオブ、金、及びニッケル−鉄合金の中の少なくとも１つであることを特徴とする請求項５２から請求項５６の何れかに記載の構造体。５８．前記各隆起部分の暗領域が、前記隆起部分の高さ方向の一部分のみを占めることを特徴とする請求項５２から請求項５６の何れかに記載の構造体。５９．本体部分に沿って暗色層を作る過程と、前記本体部分に沿って隆起部分のパターンを形成するべく前記暗色層の一部を選択的に除去する過程と、前記隆起部分が前記発光領域より更に盛り上がった形となるように、前記隆起部分の間に前記本体部分に沿って複数の発光領域を設ける過程とを有することを特徴とする発光構造体の製造方法。６０．前記暗色層がガラスを材料とすることを特徴とする請求項５９に記載の方法。６１．本体部分に沿って第１金属層を形成する過程と、前記第１金属層上にマスクを形成する過程と、前記マスクの開口部に第２金属部分を電気化学的な方法で設けて、前記第２金属がパターンをなす隆起部分を形成するようにする過程と、前記マスクを除去する過程と、前記隆起部分が前記発光領域よりも前記本体部分から更に盛り上がった形となるように、前記隆起部分の間に複数の発光領域を設ける過程とを有することを特徴とする発光構造体の製造方法。６２．前記第２金属部分によって覆われていない前記第１金属部分を除去し、前記隆起部分が前記第２金属の残りの部分を含む形で延在するようにする過程とを更に含むことを特徴とする請求項６１に記載の方法。６３．前記第１及び第２金属の少なくとも１つが暗色金属であることを特徴とする請求項６２に記載の方法。６４．ほぼ均一な組成の本体の一部を特定の深さで選択的に除去して、前記本体の残りの部分が、本体部分及び前記本体の除去された部分に設けられたパターンをなす隆起部分を含むようにする過程と、前記隆起部分間の前記本体部分に沿って複数の発光領域を設け、前隆起部分が前記発光領域よりも前記本体部分から更に盛り上がった形となるようにする過程とを含むことを特徴とする発光構造体の製造方法。６５．前記除去過程が、マスクを通して前記本体を破壊処理（attacking）する過程を伴うことを特徴とする請求項６４に記載の方法。６６．前記除去過程が、前記本体に沿ってパターンを描く第１の層を設けて、その前記隆起部分となることが予定される所望の部分において、開口部が延在するようにする過程と、前記第１の層における開口部に於いて、マスク材料によって描かれたパターンを形成する過程と、前記第１の層を除去する過程と、前記マスク材料のパターンにおける開口部を通して前記本体を破壊処理する過程とを有することを特徴とする請求項６４に記載の方法。６７．前記マスクパターンの形成過程が、前記開口部を通して前記第１の層の上にマスク材料の層を与える過程と、前記マスク材料の層を、前記本体全体を通す背面光化学放射に選択的に曝す過程であって、前記第１の層の前記マスク材料が上層をなしている部分が前記放射に曝されることを実質的に防ぐべく、前記第１の層を使用する、該過程と、前記マスク材料の前記放射に曝されていない部分を実質的に除去する過程とを有することを特徴とする請求項６６に記載の方法。６８．前記破壊処理過程がサンドブラストによって実施されることを特徴とする請求項６５に記載の方法。６９．前記隆起部分をそれぞれ覆う暗色部分のパターンを形成する過程を更に有することを特徴とする請求項６４から請求項６８の何れかに記載の方法。７０．電子が衝突したとき、前記発光領域が光を発し、前記隆起部分が、前記発光領域と比較して実質的に光を発しないことを特徴とする請求項５９から請求項６８の何れかに記載の方法。７１．前記本体部分から前記発光領域全体を横切って延在する光反射層を形成する過程を更に有することを特徴とする請求項５９から請求項６８の何れかに記載の方法。７２．前記発光領域に沿って延在し、少なくともその一部分が透明であるプレートを、前記本体部分が有することを特徴とする請求項５９から請求項６８の何れかに記載の方法。７３．温度を３００℃〜７００℃の範囲まで上昇させて前記隆起部分を軟化させる過程を有することを特徴とする請求項５９から請求項６８の何れかに記載の方法。７４．静止プレート及び発光構造体からなる静止プレート構造体と、バックプレート及び電子放出構造体からなるバックプレート構造体と、前記静止プレート及びバックプレート構造体を結合して、密閉されたケースを形成する側壁と、表面が電荷を帯びるのを最小化もしくは防ぐべく処理された点前記バックプレート及び前記電子プレートに前記ケース内部に向かって作用する力に対して支持を与える前記ケース内部に設置されたスペーサと、前記スペーサの第１端面と前記バックプレート構造体との間に設けられ、前記スペーサと前記電子放出構造体との間の電気的接続をなす第１金属被覆エッジとを有することを特徴とするフラットパネル装置。７５．前記スペーサの第２端面と前記スペースプレート構造体との間に設けられ、前記スペーサと、前記発光構造体との間の電気的接続をなす第２金属被覆エッジを更に有することを特徴とする請求こう７４に記載のフラットパネル装置。７６．前記処理された平面が、２次電子放出比が４より小さい材料によって前記スペーサの表面上になされた被覆を含むことを特徴とする請求項７４または請求項７５に記載のフラットパネル装置。７７．前記被覆が、１０⁹Ω／□と１０¹⁴Ω／□との間の大きさの面抵抗を有することを特徴とする請求項７６に記載のフラットパネル装置。７８．前記被覆が、酸化クロム、酸化銅、炭素、酸化チタン及び酸化バナジウムから選択された材料によってなされることを特徴とする請求項７４または請求項７５に記載のフラットパネル装置。７９．前記スペーサの表面上に間隔を開けて設けられた複数の電極であって、各電極の電圧が、前記電子放出構造体と発光構造体との間に望ましい電圧分布を達成するように制御されている、該複数の電極を更に有することを特徴とする請求項７４または請求項７５に記載のフラットパネル装置。８０．フラットパネル装置であって、フェースプレートと、前記フェースプレートに結合して、密閉されたケースを形成するバックプレートと、前記フラットパネル装置からの発光手段と、前記バックプレート及び前記フェースプレートに、前記ケース内部に向かう方向に作用する力に対する支持を与える前記ケース内部に設置されたスペーサ構造体とを有し、前記スペーサ構造体が、それを貫通する複数のスペーサ構造体孔を有することを特徴とするフラットパネル装置。８１．複数の孔を設けたアドレッシンググリッドであって、各スペーサ構造体の孔がアドレッシンググリッドの孔の少なくとも１つと整合している、該アドレッシンググリッドを更に有することを特徴とする請求項８０に記載のフラットパネル装置。８２．前記ケース内部に設けられたスペーサ壁を更に有することを特徴とする請求項８１に記載のフラットパネル装置。８３．前記スペーサ構造体が、前記アドレッシンググリッドと前記ペースプレートとの間に設けられることを特徴とする請求項８１に記載のフラットパネル装置。８４．フラットパネル装置であって、フェースプレートと、前記フェースプレートに結合して密閉されたケースを形成するバックプレートと、前記フラットパネル装置からの発光手段と、前記バックプレート及び前記フェースプレートに前記ケース内部に向かって作用する力に対して支持を与える前記ケース内部に設置されたスペーサ壁とを有し、前記スペーサ壁が、セラミック、ガラスセラミック、セラミック強化ガラス、若しくは不透明ガラスを材料とし、かつ積層状態の複数の薄膜材料からなることを特徴とするフラットパネル装置。８５．積層状態の複数の薄膜材料からなるスペーサ壁を、前記ケース内部に少なくとも１つ追加的に設けることを特徴とする請求項８４に記載のフラットパネル装置。８６．前記フェースプレートと前記バックプレートとの間に設けられた、複数の孔を有するアドレッシンググリッドを更に有することを特徴とする請求項８４に記載のフラットパネル装置。８７．前記発光手段が、熱電子カソードと、前記フェースプレート上に設けられた発光材料とを有することを特徴とする請求項８０から請求項８６の何れかに記載のフラットパネル装置。８８．前記発光手段が、電界エミッタカソードと、前記フェースプレート上に設けられた発光材料とを有することを特徴とする請求項８０から請求項８６の何れかに記載のフラットパネル装置。８９．前記フェースプレートを前記バックプレートと結合する側壁を更に有することを特徴とする請求項８０から請求項８６の何れかに記載のフラットパネル装置。９０．前記フェースプレート及び前記バックプレートがそれぞれ曲面をなす形状を有することを特徴とする請求項８０から請求項８６の何れかに記載のフラットパネル装置。[Procedure Amendment] Patent Law Article 184-7, Paragraph 1 [Submission date] August 24, 1994 [Correction content] Specification Flat with internal support structure and / or raised black matrix Panel deviceBackground of the Invention 1. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to flat panel devices such as flat CRT displays. The invention also relates to the techniques used in the manufacture of flat panel devices. 2. Related technology In recent years, a lighter and more bulky alternative to the older deflected beam CRT displays Flat CRT display (flat panel (Also known as Le Display) have been made. In addition to flat CRT displays, other flat panel displays, such as For example, plasma displays have also been developed. In flat panel displays, faceplate, The backplate, and the perimeter of the faceplate and backplate The connection wall provided so as to surround the portion forms one enclosure case. Fl In the panel display, the inside of the case is kept in a vacuum state. For example, for a flat CRT display, it is almost 1 x 10^-7to torr It is kept. On the inner surface of the face plate, the display Phosphor pattern or phosphor-like light-emitting device defining an upper active area Coating is provided. The light emitting element emits light, which is The cathode element adjacent to the plate is excited and emits electrons. This is accelerated toward the phosphor on the face plate, and the phosphor emits light. The light on the outer surface (viewing surface) of the faceplate. And will be seen by the viewer. In the display, the electron-emissive element is selectively excited to emit electrons. The emitted electrons are directed to the phosphor on the face plate. These phosphors are electrons Emits light that can be seen on the outside surface of the faceplate when it strikes Is. The electrons emitted from each electron-emitting device are emitted only to the target phosphor It is supposed to collide. However, among the emitted electrons, a certain number of Others may hit other parts of the surface plate than the targeted phosphor. Fe In order to improve the contrast in the space plate, The matrix of non-reflective areas that do not emit light substantially when It is provided in a dispersed form. For color displays, this black Trix also improves color purity. The fluorescent area has a face It is provided in a form that is more raised than the rate. Since the inside is close to a vacuum, Pressure is applied, but this depends on the pressure difference between the internal vacuum state and the external atmospheric pressure. Because it's big enough to collapse a flat panel display without it. . Diagonal lengths greater than approximately 1 inch (diagonal lines are separated from each other in the active area) For a rectangular display with opposite corners (distance between corners) Due to the large ratio, the faceplate is especially sensitive to the effects of this type of mechanical damage. It is easy to receive. Here, the aspect ratio is the width, for example, of the connecting walls facing each other. The distance, or height, between the parts surfaces, for example the inner surface of the back plate and the face plate. It is defined by the distance of the rate from the inner surface divided by the thickness. F The faceplate or backplate of the rat panel display is The panel display may also be damaged due to the impact of external force . In order to support the face plate and / or the back plate from the inside, Spacers have been used. Conventional spacers are wall-shaped or column-shaped and Pixels in the active area of the display (up to It is provided between the phosphor regions forming small units). Spacers are formed by photopatterning of polyimide. Has been made. However, we have found that polyimide spacers are not suitable. And why (1) Insufficient length, (2) Used for face plate Typical materials (glass) and typical materials used for back plates (eg Glass, ceramic, glass-ceramic or metal) and addressing grease Typical materials used in addressing grids (eg glass-ceramics) (Or ceramic or ceramic), the coefficient of thermal expansion cannot be matched. Causing problems with stars, (3) Polyimide in a state close to vacuum Gas release may occur when used in. Although glass spacers have been used for the spacers, the glass has sufficient strength. Not always. Furthermore, there are micro cracks peculiar to glass, which easily Glass spacers are better than (ideal) glass because they tend to spread throughout. It becomes even weaker. In addition, no matter what material is used for the spacer, The presence of spacers adversely affects the flow of electrons towards the faceplate. There are things to do. For example, stray electrons generate static electricity on the spacer surface, By forming a voltage distribution different from the voltage distribution near the spacer, Will be distorted and the image displayed on the display will be distorted Of.Summary of the Invention In accordance with the present invention, the flat panel device includes a spacer that provides internal support. Have. Especially for devices that operate with low pressure inside, this spacer Due to the pressure difference between the low pressure state of the section (eg below atmospheric pressure) and the external atmospheric pressure. Prevents the device from being destroyed by the stress caused by This spacer is The device is internally supported even with respect to the stress generated by impact. In addition to this Also, the spacer surface inside the case prevents static electricity from being generated on the spacer surface. Or, it is processed so as to be minimized. As a result, the spacer is close to the spacer. Eliminates adverse effects on nearby electron flow and eliminates image distortion on the device. . In one embodiment of the present invention, the surface of the spacer is provided with a coating, This coating has a secondary electron emission ratio δ of less than 4 and a sheet resistance of 10⁹Ω / □ and 10¹⁴Ω It consists of substances that take values between / and. The material forming this coating is oxidized It is selected from ROM, copper oxide, titanium oxide and vanadium oxide. In another embodiment of the invention, the spacer surface is provided with a first coating. First The second coating is on top of the first coating. The first coating has a surface resistance of 10⁹Ω / □ and 1 0^FourMade by substances that take values between Ω / □. The second coating is the secondary electron emission Made by a material with a ratio δ or less than 4. In another embodiment of the invention, the spacer surface is provided with a first doping. The surface resistance of the surface is 10⁹Ω / □ And 10¹⁴A spacer table which is adapted to have a value between Ω / □ and is then doped The surface is coated with a material having a secondary electron emission ratio δ of less than 4. Coating Eggplant material selected from chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide and vanadium oxide To be done. In another embodiment, the surface resistance of the spacer surface is 10⁹Ω / □ and 10¹⁴ Doping is performed on the spacer surface so as to obtain a value between Ω / □. The spacers are made of ceramic, for example, and are used for spacer walls or spacer structures. However, the spacer wall and spacer structure must be combined. Can also be. The flat panel device also has a light emitting means. In addition, flat panel equipment The device can also include a field emitter cathode or a thermionic cathode. It In yet another embodiment of the present invention, one or more electrodes are Is provided on the surface of the spacer. For example, electrodes are spacers and back plates Can be installed near the boundary of the Controlled to obtain the desired voltage distribution, which results in imperfections in surface treatment, or Deflection electron flow to desired shape to correct distortion caused by spacer misalignment To do. In another embodiment, the desired internal surface of the backplate is desired. This electrode can also be provided in a serpentine shape in order to obtain a voltage distribution. By forming the voltage dividing means, the voltage of each electrode is set. In one of the examples In this case, the voltage dividing means has a resistive coating formed on the surface of the spacer. oating). The sheet resistance of the coating is adjusted to obtain an accurate voltage at each electrode. It must be. In yet another embodiment of the present invention, a strip of electrically conductive material (metal The edge metallization is the end face of the spacer surface and the back plate. Formed between them so that they come into intimate contact over the entire spacer There is. Metallized edges if the spacer has a resistive coating on the surface Are electrically connected to the resistive coating. In this case, metallized edges and resistive coatings Ensures that the interface between them is a constant distance from the inner surface of the back plate. It is provided in. Similarly, the metallized edge is between the faceplate and the spacer. Make a good connection between the faceplate and the end face of the spacer to make a good electrical connection. Is made. In the method of assembling the flat panel device according to the present invention, the flat panel device is assembled. Install a spacer between the back plate and face plate of the The spacer surface is treated to prevent or minimize the charging of the surface. , A metal coating edge that forms the electrical connection between the spacer and the back plate. It is provided on the end surface of the spacer, and the back plate and the spacer are enclosed so that the spacer is enclosed inside. Source The device is assembled by sealing with the plate. Do not treat the spacer surface To form a resistive coating or coating, by doping the surface, By both surface doping and resistive coating or coating formation, or by firing And then reduce the surface. Further, the present invention may be used in optical devices such as flat panel CRT displays. And a light emitting structure suitable for being installed. The light emitting structure of the present invention has a main body (ma in section), along with the raised section along the A plurality of light emitting regions provided in a portion between the raised portions. The light emitting area is When a child collides, it emits light. On the other hand, the bumps are virtually Does not emit light. In addition, the raised portion rises further from the main body than the light emitting area. It has a shape. Each raised portion spans the entire width of the raised portion and at least a portion of its height. Includes a dark area that substantially surrounds it for minutes. For the pattern of the raised part Thus, a raised black matrix is formed, which is the contrast of the light emitting structure. Improve strike. Selectively emits light of two or more colors in the light emitting area In this case, the raised black matrix also has the effect of increasing the color purity. The light emitting structure of the present invention can be manufactured according to various techniques. Technique of the present invention One of the surgical groups is to apply a portion of a given layer of material in the raised portion to the body portion of the light emitting structure. Select along The pattern of the raised portion is processed by a process that includes a process of removing It is formed along the body part. According to another technique according to the invention, the body ( part of the body) is selectively removed to a certain depth and the rest of the body is not removed The portion may be formed to include the body portion and the raised portion of the light emitting structure.Brief description of the drawings FIG. 1 shows a flat panel including a thermionic cathode according to one embodiment of the present invention. It is a perspective view of the panel display, showing the inside by cutting off a part of the surface layer. Things. 2A and 2B show a flat panel device according to one embodiment of the present invention. A simplified cross-sectional view of the display, illustrating the use of spacer walls. It is a thing. 2A is a sectional view taken along line 2b-2b of FIG. 2B, FIG. 2B is a sectional view taken along line 2a-2a in FIG. 2A. FIG. 3 illustrates a flag including a field emission cathode according to one embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view of a front panel display, showing a part of the surface layer cut away to show the inside. It is what FIG. 4A is a detailed perspective sectional view of a portion of the flat panel display of FIG. Is. FIGS. 4B and 4C are illustrations of the display of FIG. FIG. 2 is a plan view of parts of each part, 4B is a view seen from the direction of arrows c and d in FIG. 4A. FIG. 4D is a cross-sectional view of the entire flat panel CRT display of FIG. 4A. is there. FIG. 4E is centered on the black matrix of the CRT display of FIG. 4A. FIG. 6 is an enlarged sectional structural view of a part of the above. FIG. 5 is a detailed view of a portion of FIG. 2B showing alignment of spacer walls in accordance with the present invention. This is an illustration of the means. FIG. 6 illustrates a spacer wall and spacer structure according to one embodiment of the present invention. FIG. 2A illustrates a flat panel display including a simple view from the same direction as FIG. 2A. It is the converted sectional view. FIG. 7A shows a field emission cathode and spacer according to one embodiment of the invention. FIG. 6 is a simplified cross-sectional view of a portion of a flat panel display including a wall. FIG. 7B shows a field emission cathode, spacer, according to one embodiment of the invention. Second part of a flat panel display including walls and addressing grid It is the simplified sectional view seen from the same direction as FIG. FIG. 7C shows a field emission cathode, spacer, according to one embodiment of the invention. Structure, and part of a flat panel display that includes an addressing grid FIG. 2B is a simplified cross-sectional view seen from the same direction as FIG. 2A. FIG. 8 shows a flap having a curved face plate and back plate. In the touch panel display, A second illustrated spacer is used according to one embodiment of the invention. It is the simplified sectional view seen from the same direction as FIG. 9A and 9B show a flat panel device according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a simplified cross-sectional view of the display, showing the coating formed on the surface of the spacer wall. It is illustrated. 9A is a sectional view taken along line 9b-9b in FIG. 9B. FIG. 9B is a sectional view taken along line 9a-9a of FIG. 9A. FIG. 10 shows the voltage on the vertical axis with respect to the base plate provided with the field emission device. Is a graph in which the horizontal axis represents the distance between the field emission device and the base plate in the vertical direction. It FIG. 11 is a graph showing the secondary electron emission ratio on the vertical axis and the voltage on the horizontal axis. It shows the characteristics of two substances. Figures 12A-12D illustrate the interface between spacer walls and are similar to those of the present invention. Focused on the metallization and raised portion of the backplate according to various embodiments It is sectional drawing. FIGS. 13A to 13H show the light emitting black matrix of the display of FIG. 4A. It is sectional drawing which showed the manufacturing process of the structure. 14A to 14J and 15A to 15J show the display of FIG. 4A. FIG. 6 is a cross-sectional view showing different manufacturing steps of the light emitting black matrix structure of Ray. It 16A to 16J show the display of FIG. 4A. It is sectional drawing which showed another manufacturing process of the light emitting black matrix structure. In the above figures, corresponding parts are designated by the same reference numerals.Detailed Description of the Invention Hereinafter, an example of the present invention will be described for a flat CRT display. Book The invention is not limited to flat panel displays, such as plasma displays or It will also be appreciated that it is applicable to vacuum fluorescent displays. Furthermore, the book The invention is not limited to use in displays, for example optical signal processing. Or other such as phased array rader devices Optical addressing used to control other devices, and the reproduction of images on other media Used for other purposes such as image scanning in copiers and printers. It can also be applied to a rat panel device. In addition, the invention is rectangular Flat panel devices with no screen shape, for example circular or car Has a special shape, such as that used on a board or control panel of an aircraft It can also be applied to screens. Here, the flat panel display means a face plate and a back play. Is a display that is substantially parallel to the Thickness measured in a direction substantially perpendicular to the splat and backplate , Which is smaller than the thickness of a conventional deflected beam CRT display. In general, flat panel displays are less than 5.08 cm (2 inches) thick Fortunately, it is not necessarily limited to this. Often flat panel displays The thickness of b is substantially 5.08 cm or less, for example, 0.64 cm to 2.54 cm. It is about cm (0.25 to 1.0 inch). As used herein, the term "spacer" refers to the inside of a flat panel display. It is a general term for those used as a support from the inside. In this statement In certain embodiments of the invention, the spacer is a "spacer wall" or "spacer". "Structure". In other words, "spacer" means "spacer wall" and "spacer". "Surface structure" together with all other structures having the above-mentioned spacer function. Is. Generally, the spacer walls and spacer structures of the present invention are made of thin materials. Therefore, this material can be processed as it is in an untreated state, and it is subjected to a certain treatment. By doing so, it becomes hard and highly rigid. This material is used in a vacuum environment. However, it must be applicable. In addition, spacer walls and spacer structures The body has a thermal expansion coefficient that closely matches the coefficient of thermal expansion of the face and back plates. Made from material with modulus. Matching thermal expansion coefficient means spacer wall, The face plate and back plate are The heating and cooling that occurs when the rat panel display is assembled and operating. It means that it expands or contracts to about the same extent as it does. As a result , Spacer wall, face plate and back plate Compatibility will be maintained. What can happen if the coefficient of thermal expansion does not match The spacer wall or spacer structure of the anode against the faceplate. The phosphor may be damaged by moving the If stress is generated in the play and damages the parts in the display. (Including that the vacuum condition in the play is lost), or the spacer wall It is possible that things will break. In one embodiment, the spacer walls are made of ceramic or glass-ceramic material. Made by fees. In another embodiment, the spacer walls are ceramic tape. Made from. Hereinafter, in the description of the embodiments of the present invention, spacer walls or spacers will be described. Ceramic or ceramic tape and slurry as the material for the Shall be used. Other materials include ceramic toughened glass, opaque glass and flexible matte. Rix structure amorphous glass, electrically insulating coating Made of metal or polyimide compatible with high temperature vacuum can be used Noh. In general, the material of the spacer according to the present invention requires (a) a thin layer. That can be (B) the layer becomes flexible in the fired state, (c) not fired Perforating one layer or several layers together in a state, (D) A conductor can be provided in a required portion of the opened hole, and (e) firing Be able to accurately provide electrically conductive traces on the surface of untreated layers , (F) several layers can be laminated and at least during final heating That they can be bonded to each other; Heat on face and back plates made from materials such as glass Have a coefficient of thermal expansion that substantially matches the coefficient of expansion; The laminated structure having high rigidity and toughness, and (i) a structure subjected to firing treatment. Conforms to a vacuum condition, and (j) the fired structure is used as a cathode of the CRT. It does not contain detrimental substances, (k) all materials and manufacturing processes That a strike can be practical. In this description and in the claims that follow, the word "ceramic" is often used However, this is in context with ceramic tape or ceramic layers or ceramics. Means a seat. In other words, this word is a well-known glass-ceramic Tape, devitrified glass tape, ceramic glass tape, ceramic tape young Means other tape, and other tape means plastic. Union It has an agent and particles of ceramic or glass, and is in a state where it is not baked. It has flexibility and can be processed, and it is hardened and hardened by firing. But it is flexible from the beginning and finally hard and rigid Any equivalent material that can be processed to high temperatures can also be used. Ceramic tape consists of ceramic particles, amorphous glass particles, binder and Made from a mixture of plasticizers. Initially, the mixture was a slurry and It can be molded into a mold instead of being formed into a lamic tape. Sera Mick tape can be made from slurry in the unfired state, A deformable material that can be easily molded or cut into the desired shape. The ceramic tape is made into a thin sheet, and its thickness is, for example, 0.3 mi. It is about 1 to 10 mil. A ceramic table that can be used in the practice of the present invention. Examples of those available in Coops, Chattanooga, Tennessee, USA Electronic Package, Catalog No. CC-92771 / 777 and CC-LT20, or a tape substantially equivalent to this ceramic tape. There is a loop. Other examples of low temperature glass-ceramic materials that can be used for the purposes of the present invention include: , DuPont's Green Tape. Green tape is very Thin sheet Available in shapes (eg about 3 to 10 mils) and relatively low Can be fired at a temperature of about 900 ° C to 1000 ° C, but not fired It contains a plasticizer that gives excellent processability in the state. Green tape is ceramic A mixture of particles and amorphous glass, also in the form of particles, further comprising a binder and It is a product containing a plasticizer. U.S. Pat. Nos. 4,820,661 and 4,867,9 35 and 4,948,759. The ceramic tape before firing is formed by the method as described below, Spacer walls and spacer structures can be manufactured on the basis. Ceramic tee After molding, the mold is fired. The firing process consists of two stages. In the first stage The tape is heated to a temperature of about 350 ° C to burn the binder and plasticizer from the tape. I will lose it. In the second stage, the tape is at a constant temperature (ceramic composition). Heated to a temperature between 800 ° C and 2000 ° C) at a temperature determined by The particles of sinter to form a tough, dense structure. The spacer wall is assembled into a flat panel display as follows. Su The trip has the required length and width in a flat panel display and Made by cutting from a sheet of unmade ceramic tape. Baking treatment The advantage of using uncertain ceramic or glass-ceramic is that Lip slitting It can be easily made by (slitting) or punching. this The strip is fired. The fired strip (spacer wall) is The base plate and the back plate are arranged at appropriate predetermined positions. The spacer walls are held in place during assembly to keep the faceplate and backplane in place. Aligns properly with the card. Spacer wall strips are made of fired ceramic or glass ceramic. You can also make it from the seat of the hook. The fired sheet is covered (see details Described below) and processed into strips that form the spacer walls. . Alternatively, after processing the fired sheet into strips, It is also possible to form a coating. FIG. 3 shows a flat panel display 300 which is one embodiment of the present invention. It is a perspective view, and a part of the surface layer is cut away to show the inside. Hula The display panel display 300 includes a face plate 302 and a back plate 3. 03 and a side wall 304, which form a sealed case interior 301 In a vacuum state, for example, approximately 1 × 10^-7It is kept below torr. Su Pacer wall 308 supports face plate 302 against back plate 303 To do. The field emission cathode 305 is a backpack inside the case 301. Formed on the surface of the rate 303. As described in more detail below, The tandem electrodes (not shown) allow the emission of electrons from the cathode emitters (not shown). Control. Similarly, as described in more detail below, the electrons are accelerated and become Towards the inner surface (eg anode) of the coated faceplate 302 . The IC chip 310 controls the voltage of the horizontal and vertical electrodes to control the face plate 3 A drive circuit that regulates the flow of electrons to 02 is included. Electrical conduction trace (not shown) Are used to make electrical connections between the circuitry on the chip 310 and the row and column electrodes. It FIG. 4A illustrates a portion of a flat panel color CRT display. , Of the field emission cathode with a black matrix provided in a raised form It has an area. The CRT display of FIG. 4A is a transparent, electrically insulating flat panel. Face plate 302 and electrically insulating flat back plate 303 Having. The inner surfaces of plates 302 and 303 face each other and In terms of mold, they are separated by 0.01 mm to 2.5 mm. Face plate 302 It is typically made of glass with a thickness of 1 mm. The back plate 303 Made of glass ceramic or silicon, typically 1mm thick It A group of laterally spaced insulator spacer walls 308 are plates. Located between 302 and 303 There is. The spacer walls 308 extend parallel to each other at regular intervals, and It is provided in a direction perpendicular to 02 and 303. Each wall 308 is typically It is made of ceramic with a thickness of 80 μm to 90 μm. Also, the wall 308 The distance between the center lines of the center lines is typically 8 mm to 25 mm. Further below As discussed, the wall 308 constitutes an internal support, between the plates 302 and 303. The spacing remains substantially uniform across the active area of the display. The field emission cathode structure 305 in the patterned region is backlit. Is disposed between the spacer 303 and the spacer wall 308. FIG. 4B is a diagram of FIG. 4A. Draw the layout of the field emission cathode structure 305 viewed from the direction indicated by arrow C. It was what I had. The cathode structure 305 is a large glue of the electron-emitting device 309. And a metal emitter electrode (called a base electrode) provided in a pattern Sometimes divided into curvilinear lines 310 of substantially the same shape, and The metal gate electrode is divided into linear lines 310 having substantially the same shape, and The electrically insulating layer 312 is formed. The emitter electrode line 310 is disposed on the inner surface of the back plate 303. , Extend parallel to each other at uniform intervals. Of the center line of each emitter line 310 The spacing is typically 315 μm to 320 μm. Line 310 is the source Formally made of molybdenum or chromium having a thickness of 0.5 μm It Each line 310 typically has a width of 100 μm. The insulating layer 312 is Of the back plate 303 adjacent to the line 310 and laterally adjacent to the line. It is provided above. The insulating layer 312 is typically a dioxide having a thickness of 1 μm. Composed of silicon. The gate electrode lines 311 are disposed on the insulating layer 312 and are parallel to each other and evenly spaced. It extends every other distance. The interval between the center lines of the gate lines 311 is typically 105- It is 110 μm. Gate line 311 is oriented orthogonal to emitter line 310 Has been extended to. The gate line 311 is typically 0.02 μm to 0.5 μm. Formed from a titanium-molybdenum composite material having a thickness. Each line 311 is a reference It typically has a width of 30 μm. The electron-emitting device 309 is laterally spaced on the inner surface of the back plate 303. Arranged in the form of an array of arranged multi-element sets There is. More specifically, each set of electron-emitting devices 309 has one of the gate lines 311. In some or all of the protruding regions that intersect with one of the emitter lines 310, Is disposed on the inner surface of the back plate 303. The spacer wall 308 is an electron It is provided in the region between the pair of emission elements 309 and in the region between the emitter lines 310. It extends in an expanding direction. Each electron-emitting device 309 has an opening (shown in the drawing) of the insulating layer 310. Field emitter extending through the lower emitter line 31. It is connected to one of 0. The top (or top) of each field emitter 309 is Dew through one corresponding opening (not shown) in the upper gate line 311. Has been issued. The field emitter 309 can be of various shapes, such as nail-shaped filaments or cones. It can be provided in a shape. The shape of the field emitter 309 is such that the material is It is not material specific as long as it has child emission properties. Emitter 30 9 can be manufactured by various processes, but these processes are 199 “Structure and Fabrication of Filed by Macaulay et al. Filamentary Field-Emission Device, Including Self-Aligned Gate ” US patent application Ser. No. 08 / 118,490, and November 24, 1993 Field-Emitter Fabrication Using Charged-Part filed by Spindt et al. US Patent entitled "icle Tracks, and Associated Field-Emission Devices" It is disclosed in application Ser. No. 08 / 158,102. Application for the present invention No. 08 / 118,490 and 08 / 158,102 patent application contents Please refer to. The light emitting structure including the black matrix is the face plate 302 and the spacer wall. And 308. The light emitting structure comprises a light emitting region 313, and substantially Without reflecting light It consists of dark ridges 314 having the same shape. Figure 4C shows 4A depicts the layout of the light emitting structure as viewed from the direction indicated by arrow D in FIG. It is a thing. The light emitting region 313 and the dark raised portion 314 are both formed on the face plate 302. Located on the inner surface. The light emitting area 313 is disposed between the dark raised portions 314. It is placed (the opposite can be said). Electrons are emitted to the region 313 and the raised portion 314. When the electrons emitted from the output element 309 collide, the light emitting region 313 is changed to various regions. Emits color. The dark ridge portion 314 substantially emits light as compared with the light emitting region 313. Instead, the black matrix for the region 313 is formed. More specifically, the light emitting regions 313 are formed in the gate lines 31 at equal intervals in parallel with each other. Fluorescent light that extends in the same direction as 1 and is provided in the shape of a linear stripe with the same width. It consists of a body. Each phosphor stripe 313 typically has a width of 80 μm. The thickness (or height) of the phosphor stripe 313 is 1 μm to 30 μm, which is typical. Is 25 μm. The phosphor stripes 313 are stripes of substantially the same shape that emit red (R) light. Leip 313r and a plurality of struts of substantially the same shape which emit green (G) light. Ep 313g and a plurality of substantially the same shape strikes that emit blue (B) light. 313b. Phosphor stripes 313r, 313g, and 31 3b is formed by repeating three kinds of stripes 313 as shown in FIG. Kera Be done. Each phosphor stripe 313 starts from the corresponding one of the gate lines 311 It is arranged in a cross shape. As a result, the distance between the center lines of stripes 313 is It becomes equal to that of the start line 311. The dark raised portions 314 are also parallel to each other and are equally spaced apart from the gate lines 311. Extending in the direction. The spacing between the center lines of the raised portions 314 is also the same as the line 3 It is equal to that of 11. The ratio of the average height to the average width of each dark ridge is 0.5- It is in the range of 3, typically 2. The average width of the raised portion 314 is 10 μm to 50 μm, typically 25 μm. The height of the raised portion 314 is 20 μm ˜60 μm, typically 50 μm. The average height of the dark raised portion 314 is equal to the thickness of the phosphor stripe 311 (or The height is at least 2 μm larger. The typical case described above On the other hand, the raised portions 314 are raised by 25 μm higher than the stripes 313. Obedience The raised portion 314 is different from the stripe 313 from the face plate 302. It has a more raised shape. Each raised portion 314 is dark, occupying at least a portion of its width and height. It contains non-reflective areas (which are virtually black). FIG. 4A shows these dark non-reflective areas. Occupies the entire height of the raised portion 314. In the figure after this Indicates that the dark non-reflective area is part of the height of the ridge. Illustrates an example that occupies only. The choice of materials for the dark ridge 314 is wide. The raised portion 314 is made of nickel or black. It can be formed from metals such as aluminum, robium, gold, and nickel-iron alloys. . The raised portion 314 is made of glass, soda glass (or frit), or ceramic. , And electrical insulators such as glass ceramics, semiconductors such as silicon and charcoal. It is also formed by a material such as silicon oxide. Mixtures of these materials also bulge It can be used as a material for the portion 314. If the raised portion 314 is made of metal, it has a temperature in the range of 300 ° C to 600 ° C. Can soften sufficiently at temperature to slightly push objects such as spacer walls 308 it can. When the raised portion 314 is made of soda glass, it is similarly 300 ° C to 5 ° C. It softens at temperatures in the range of 00 ° C. If the material of the raised portion is glass, the raised portion 31 4 softens at a temperature in the range of 500 ° C to 700 ° C. As shown in FIG. 4B, the light reflection layer 315 has a phosphor stripe 313 and a dark stripe. It is arranged on the raised portion 314. The thickness of layer 315 is small enough that The type is 50 nm to 100 nm, and electrons emitted from the electron-emitting device 309. Almost all pass through layer 315 to the layer below it with little energy loss. I'm supposed to hit. The surface of the light reflection layer 315 adjacent to the phosphor stripe 313 is very smooth. It has become. Layer 315 is gold Made of a metal, preferably aluminium. This causes the stripes 313 Part of the light emitted from the layer 315 is reflected by the layer 315 and passes through the face plate 302. Do it. That is, layer 315 is essentially a reflector. Layer 315 of the display It also functions as a final anode. Stripes 313 on layer 315 Since it is in contact, the anode voltage is applied to stripe 313. The spacer wall 308 is in contact with the light reflection layer 315 on the anode side of the display. . The dark raised portion 314 is closer to the back plate 303 than the phosphor stripe 313. Once further raised, the wall 308 is raised 314 in the layer 315. Touches the part along the top (or bottom in the direction shown in FIG. 4A) of the ing. The extra ridge of the raised portion 314 causes the wall 308 to illuminate. The part of the reflecting layer 315 along the phosphor stripe 313 is not touched. There is. On the cathode side of the display, the spacer wall 308 is as shown in Figure 4A. And is in contact with the gate line 311. In another form, wall 308 is a line You may touch the focusing ridges that extend above 311 and this Is a "Field Emitter with Focusing" filed by Spindt et al. In 1994. Ridges Located to Sides of Gate " Please refer to the contents here. Wall 308 is the traditional method Alternatively, it can be produced by the method described herein. The air pressure on the display from the outside is usually atmospheric pressure, that is, with 760 torr It is close. The pressure inside the display is usually 10^-7Set to a value smaller than torr It is fixed. This is much smaller than normal atmospheric pressure, so a large pressure difference Will always be applied to the plates 302 and 303. Spacer wall 3 08 provides resistance to this pressure. The phosphor stripes 313 can be easily damaged by mechanical contact. It Since the dark raised portion 314 is raised further, the light reflecting layer 315 is striking. The wall 308 is separated from the wall 308 because the wall 308 is separated from the wall 308. It has a shape that does not directly exert its resistance on the 313. Stripe 313 The risk of being damaged due to the resistance of the Greatly reduced. The display is further divided into row and column arrays of pixels. Typical pixel The boundaries of the region 316 are indicated by the arrows in Figure 4A and in Figures 4B and 4C. It is shown with a dotted line. Each emitter line 310 is a row for one of the rows of pixels. Will be the electrode of. 4A, 4B, and 4C for ease of illustration. That is, there is only one pixel row, and a pair of adjacent spacer walls 308 (pixel row (Partially overlapping along the side) It is shown. However, in general, a row of two or more pixels, typically 24-1 A row of 00 pixels is provided between each adjacent pair of walls 308. Each pixel column has three gate lines 311 and the three are (a) one Red, (b) second is green, and (c) third is blue. Similarly, for each pixel Each column includes one phosphor stripe 313r, one phosphor stripe 313g, and one phosphor stripe 313b. Will be. Each pixel column uses four dark ridges 314. Ridge Two of 314 are inside a column of pixels and the other two are co-located with columns of adjacent pixels. Have. As a result, the light reflection layer 315 and the phosphor stripe 313 are different from each other in potential of the emitter electrode. The positive potential difference of 1,500 V to 10,000 V is maintained. Electronic release One of the pair of output elements 309 is suitable for the emitter line 310 and the gate line 311. If it is properly excited by a properly adjusted potential, the elements that make up the set 309 emits electrons, which are the target of the phosphor of the corresponding stripe 313. It is accelerated toward the part to do. In Figure 4A, one of these electron groups has moved. Trajectory 317 is illustrated. Target firefly of corresponding stripe 313 When they collide with a light body, the emitted electrons cause these phosphors to move. Emits light as represented by 318 of FIG. Some of the electrons in the light-emitting structure are not the target phosphors. There is a certain amount that collides with other parts. For the collision of electrons to other than the target point Tolerance is measured in the transverse direction (ie, along the row) rather than in the column direction (ie, along the column). Direction) is smaller, but this is because each pixel has fluorescence of three different stripes 313. Because it contains the body. Black mat formed by the dark raised portion 314 Rix compensates for the collision of electrons off the target point in the transverse direction, and with high color purity Provides sharp contrast. FIG. 4D shows a sectional view of the entire CRT of FIG. 4A. Electrically insulating The outer wall 304 of the plate is provided outside the active area of the plates 302 and 303. And forms a closed case 301. The outer wall 304 is a square Consisting of four walls arranged in a rectangular shape, typically 2 mm to 3 mm thick It is made of glass or ceramic. As shown in Figure 4D, the space Generally, the support wall 308 is provided up to a region near the outer wall 304. Shi However, the spacer wall 308 may be provided in contact with the outer wall 304. The back plate 303 extends laterally opposite the face plate 302. It extends in shape. Connected to the emitter line 310 and the gate line 311 The electronic circuit system (not shown) such as a lead is a face of the back plate 303. It is attached to the outer portion of the outer wall 304 on the plate-side surface. Light reflection layer 315 is a sealed part around Connects to connection pad 319 that extends through and has an anode / phosphor voltage applied Has been done. FIG. 4E is a light emitting black matrix in the CRT display of FIG. 4A. FIG. For illustration purposes, the dark raised portion 31 in FIG. 4E is shown. 4 is illustrated as having a main dark portion 314a and a light emitting portion 314b. . The dark portion 314a is between the face plate 302 and the light emitting portion 314b, It extends over the entire raised portion 314 of FIG. 4E. The light emitting portion 314b is Can be made of transparent material. In FIG. 4E, the phosphor 313 and aluminum Even if the surface portion of the phosphor along the boundary between the light reflection layers 315 is rough. , On the surface of the aluminum light-reflecting layer 315, between the phosphor 313 and the layer 315. It also shows that the part along the part is smooth. FIG. 7A shows a flat panel display 70 according to one embodiment of the invention. FIG. 3 is a simplified cross-sectional view of a portion of 0, a field emitter cathode (FEC) structure In a flat panel display 700 having an anode spacer wall 70 8 illustrates that 8 is used. The FEC structure is a traverse formed on an electrically insulating back plate 703. An electrode 710 is included. Insulator 712 (made of electrically insulating material ) Is formed on the back plate 703 and covers the transverse electrodes 710. Insulator 71 2 has a hole 712a communicating with the transverse electrode 710. It is provided. The emitter 709 is formed on the transverse electrode 710 in the hole 712a. Be done. The emitter 709 has a conical shape, and the top end 709a of the emitter 709 is an insulator. It extends just to the same level as the top surface of 712. Other types of emitters can be used It will be understood that it is Noh. The column electrodes 711 surround the holes 712a of the insulator 712. Is provided in the surrounding area and extends so as to partially cover the top of the hole 712a. The distance between 09a and the column electrode has a predetermined size. The column electrodes 711 and the emitter upper end portion 709a are located on the face plate 702. Separated by space. Between the FEC structure and the faceplate 702 The space is hermetically sealed and is in a vacuum state, ie about 10^-7kept below torr . Phosphor 713 is on the surface of faceplate 702 facing the FEC structure. It is provided in. Emitter 709 is excited and emits electrons 714, which The child is accelerated in the space and collides with the phosphor 713 on the face plate 702. It When the electron 714 collides with the phosphor 713, the phosphor 713 emits light, and the light is It can be seen through the face plate 702. The anode spacer wall 708 extends from the column electrode 711 and extends from the face plate 70. 2, the vacuum inside the flat panel display 700 and the atmosphere outside it Face plate 702 to counter the force generated by the pressure difference from the pressure Support. In the example above, the spacers are the fluorescent material on the cathode and faceplate. It must not interfere with the electron trajectories to and from the body coating. Therefore, the spacer itself is The electrons are attracted or repelled with a load, and the electron's orbit is moved beyond the allowable range. The spacer wall must be of sufficient electrical conductivity to prevent distortion. I have to. In addition to this, a large current flows from the high-voltage phosphor and a large power The spacer is sufficiently electrically insulating so that the loss of Must. The spacer is an electrically insulative material, on top of which electrically conductive It is preferably made from a thin coating of the material. FIG. 9A shows a coating 9 formed on a spacer wall 908 according to an embodiment of the invention. 9b- of FIG. 9B showing a portion of a flat panel display 900 including 04. 9b is a simplified cross-sectional view taken at 9b. FIG. Figure 9B shows a flat panel display. FIG. 9A is a simplified cross-sectional view taken along line 9a-9a of FIG. 9A, showing a portion of a 900. It The flat panel display 7900 includes a face plate 902 and a back plate. Rate 903 and sidewalls (not shown), which are vacuum inside, 1 × 10^-7It forms a sealed case 901 kept below torr. Focusing ribs (or focusing ridges) 902 are back plates Provided on the inner surface of 903, which Is perpendicular to the plane of FIG. 9A. In flat panel display The use and structure of the converging ribs described in detail in "Field Emitte" by Spindt et al. US patent entitled "r with Focusing Ridges Located to Sides of Gate" , Which is related to the present invention. Please refer. In the concave portion formed between each pair of converging ribs 912 A field emitter 909 is formed on the inner surface of the back plate 903. electric field The emitters 909 are formed in approximately 1,000 groups. The matrix of the dark raised portions 911 corresponds to the face plate 90 inside the case 901. 2 and is described in detail above with respect to FIGS. 4A-4E. It is Ri. The phosphor 913 partially fills each concave portion between the raised portions 911. Is formed. Anode 914 is an electrical conductor such as thin aluminum Quality and formed on the phosphor 913. The spacer wall 908 has a face plate 902 and a back plate 903. I support you. The surface between each end of each spacer wall 908 has a resistive coating 904. Has been done or has been doped, which is described in more detail below. It is described in detail. The resistive coating 904 allows charge to build up on the spacer walls 908. Do not distort the electron flow 915 by minimizing or preventing it from taking on Then Is there. One end of each spacer wall 908 contacts a plurality of raised portions 911 and has a metallized edge. 905 is provided. The opposite end of the spacer wall 908 has a plurality of converging ribs. A metallized edge 906 is provided that contacts 912. Metal coated edge 905 And 906 are made of aluminum or nickel, for example. Metal coating Between the cover 904 and the faceplate 902 by means of the wedges 905 and 906. , Or good electrical connection between the coating 904 and the converging ribs 912, This preferably defines the voltage across the spacer wall 904 and ensures a uniform resistance. The connection is made. Between spacer wall 908, coating 904 and metallized edge 905 Various forms can be adopted for the boundary portion of the, but this will be described in detail below. Describe. Electrodes 917 are coated (or doped) on each spacer wall 908. Formed on the surface) and rises from the emitter 909 to the anode 914. Used to "subdivide" the position. In another embodiment of the invention, spacer wall 908 is shaped without electrodes 917. Is made. Each group of field emitters 909 causes electrons 915 to enter the faceplate 902. It is emitted toward the surface of the part. As part of the flat panel display 900 A path system (not shown) is formed, which can be connected on an IC chip, for example. The electrode 9 is provided on the outer surface of the back plate 903. Used to control the potential of 17. The potential of each electrode 917 is the electric field emitter 90. 9 is set so that the potential rises linearly from the high voltage of the anode 914. Is common. Therefore, the electrons 915 accelerate toward the face plate 902. And collide with the phosphor 913 to be emitted from the flat panel display 900. Generates light. For optimal convergence, the required equipotential lines on the surface of FIG. Draw a curved line in the vicinity of the It is in the form of entering a space. However, the presence of the spacer wall 909 immediately determines its position. (C) It affects the equipotential lines at the bottom of the linear shape of the spacer wall 909. According to the present invention, the electrode 917 can be provided near the bottom of the spacer wall 909. Then, an electric field having a desired curved equipotential line can be formed. FIG. 10 shows the voltage as the vertical axis and the distance 907 from the field emitter 909 (FIG. 9B). ) Is the graph with the horizontal axis. The anode 914 is a distance from the field emitter 909. 916 are separated by a higher potential than the field emitter 909 (see FIG. 10). (Represented by HV). Away from one of the spacer walls 908 A group of field emitters 909 at different locations, eg field emitter 909b. Therefore, the spacer wall 908 interferes with the electron flow 915 from the field emitter 909. Field emitter 909 The change in potential from the anode 914 to the anode 914 is almost linear as shown in FIG. The change in potential between the field emitter 909 and the anode 914 is dependent on each spacer wall 90. It is necessary to be linear even in the vicinity of 8, which distorts the electron flow. (That is, the deterioration of the image quality can be prevented). But the field emitter A field emitter 90 provided near one of the spacer walls 908, such as 909a. In one group, field spacers 90 are formed by adjacent spacer walls 908. The electron stream 915 from 9 can be interfered with. Electric field emitter 909a The floating electrons 915 emitted from The electric charge is accumulated on the sensor wall 908. The electron density impinging on the spacer wall 908 If the degree is (current density j) given, the electric charge accumulated on the surface of the spacer wall 908 is The amount of load is equal to j · (1-δ). When δ ≠ 1, the charge accumulation causes space The surface potential of the spacer wall 908 deviates from the desired potential, and the spacer wall 90 The electron flow from 8 is not zero. If the spacer wall 908 has low electrical conductivity, In this case, the potential shift distorts the flow of electrons near the spacer wall 908 and B) The quality of the image will be degraded. Generally speaking, the desired potential (field emitter) near the spacer wall 908. 909) to the anode 914). Deviation of potential Is given by the following equation. ΔV = ρ_s・ {X ・ (x-d) / 2} ・ j ・ (1-δ) (1) here, ΔV = Change in voltage (V) ρ_s = Spacer wall surface resistance (Ω / □) x = distance from the nearest electrode, 0 <x <d (cm) d = distance between electrodes (cm) j = current density (A) flowing on the surface of the spacer wall δ = secondary electron emission ratio (dimensionless) Is. In the above equation, the current density j strikes the spacer wall 908 uniformly, Sheet resistance ρ of pacer wall 908_sAre assumed to be uniform. More accurately say For example, equation (1) shows that the current density j depends on the position on the spacer wall 908. And the secondary electron emission ratio δ depends on the exact potential at that position on the spacer wall 908. It explains what exists. As seen in equation (1), the potential deviation ΔV is the midpoint between the two electrodes 917. ΔV is the maximum (ie, the maximum value is {x · (x−d) / 2}) Proportional to the square of the distance from. For this reason, the space can be added by adding more electrodes. Surface 908 to minimize potential shifts, thereby reducing face plate 902 Flow of electrons 915 toward The distortion of can be minimized. Spacer with n number of w electrodes and height h Adding to the wall 908 reduces the power consumption of the flat panel display 900. However, the power ratio is given by the following equation. P_NEW/ P_OLD= (D-nw) / {d · (n + 1)²} (2) For example, a spacer having a height h of 100 mil and four electrodes having a width of 4 mil When added to wall 908, given ΔV_maxPower to²R loss is about 30 minutes It will be about 1. Due to this more efficient charge discharge, the surface resistance ρ_sThe value of increased power consumption You can save a lot. Another advantage is that the electrode 917 is slightly exposed If it is provided in a rectangular shape, the electric charge is mostly blocked by the electrode 917, It prevents charges from colliding with high-resistance parts that are kept out of sight. And. However, the manufacture of the display 900 with each added electrode 917 The cost increases. Of the electrodes 917 included in the flat panel display 900. The number is chosen taking into account the trade-off relationship between the factors described below. A further reading from equation (1) is that for a given number of electrodes 915, the surface resistance is Anti-ρ_sThe deviation ΔV of the electric potential also decreases as the value decreases, and the secondary electron emission ratio δ approaches 1. That is to say. Therefore, the surface of the spacer wall 908 has a low surface resistance ρ._s It is desirable to have a secondary electron emission ratio δ close to 1 and. Secondary electron emission Since the lower limit of the output ratio δ is 0 and a very high value can be taken when it rises, it is generally Regarding the secondary electron emission ratio, select a material with a low secondary electron emission ratio δ It can be said that it is desirable to do. FIG. 11 is a graph in which the vertical axis represents the secondary electron emission ratio and the horizontal axis represents the voltage. The characteristics of two substances, that is, substances 1101 and 1102, are shown. Substance 11 For high resistivity materials such as 01, energy is 100V in most cases To 10,000 V, the secondary electron emission ratio is greater than 1 (often greater than 1). (Much larger value), and the surface will have a positive charge. Regarding Figure 4 As previously mentioned, the anode 914 is 1500 V to 1 V across the emitter 909. It is common to maintain a positive potential difference of 10,000V. Furthermore, as above In addition, the spacer wall 908 is preferably electrically insulating (ie, has a high resistivity). ) Material. Therefore, the spacer wall 908 carries a positive charge (that And often have a large charge), and electrons from the emitter 909 It will weaken the flow of 917. However, the substance 1102 does not reach the potential range of the flat panel display 900. In this case, the secondary electron emission ratio δ is maintained at about 1. Potential deviation ΔV becomes 1-δ The surface of the spacer wall 908 is made of material 1102 because it changes in proportion. If there is, almost no charge (both positive and negative) is accumulated on the surface of the spacer wall 908. Not done. As a result, the presence of the spacer wall 908 causes the field emitter 909 and the anode Has almost no effect on the potential difference between the spacer 914 and the spacer 914. Distortion of the flow of electrons 915 due to wall 908 is minimized. According to the present invention, the spacer wall 9 provided so as to face the inside 901 of the case. The surface of No. 08 has the characteristic of the secondary electron emission ratio δ which is very similar to the material 1102 of FIG. It is processed with the material. In addition, this surface compares to the large resistance of the spacer wall 908. The surface of the spacer wall 908 is treated so that the surface has a low resistance value. In order to easily flow from the face plate 902 to the back plate 903 And its resistance is equal to that of the current from the high voltage phosphor on the faceplate 902. It is not so low that the flow becomes large and the power loss becomes large. In one embodiment of the present invention, spacer wall 908 is made of ceramic and The cover 904 has a secondary electron emission ratio δ smaller than 4 and a surface resistance ρ_sIs 10⁹And 10¹⁴Ω / □ Made by materials that are in between. In yet another embodiment, coating 904. The material used for_sIs as described above, and the secondary electron emission ratio δ is smaller than 2. It is a good thing. The coating 904 in this embodiment is, for example, chromium oxide, oxide. Copper, carbon, titanium oxide, vanadium oxide or a mixture of these It is formed by using the one that was made. In yet another embodiment, coating 904 is oxidized. Made by chrome. The thickness of the coating 904 is between 0.05 μm and 20 μm is there. In another embodiment of the invention, the coating 904 has a size of the secondary electron emission ratio δ. The surface resistance ρ_sIs 10⁹From 10¹⁴Depending on the material that is Ω / □ A first coating on the spacer wall 908 thus formed. And the first coating Above, the secondary electron emission ratio δ is less than 4 in one embodiment, and in another embodiment In that case, a second coating of less than 2 is formed. As the material of the first coating For example, titanium chrome oxide, silicon oxide, or silicon nitride can be used. Examples of the material for the second coating include chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide, and acid. Vanadium iodide or a mixture of these materials. Overall thickness of coating 904 The gap is between 0.05 μm and 20 μm. In yet another embodiment of the present invention, spacer wall 908 is doped on its surface. Surface resistance ρ_sIs 10⁹From 10¹⁴Ω / □, then secondary electron emission The ratio δ is less than 4 in one embodiment and less than 2 in another embodiment. A small coating 904 is applied. Examples of the dopant include titanium and iron. , Manganese or chromium can be used. The coating 904 is, for example, chromium oxide. , Copper oxide, carbon, titanium oxide, or vanadium oxide, mixtures of these materials and so on. Coating in one embodiment 904 is chromium oxide, the thickness of which is between 0.05 μm and 20 μm. In another embodiment, spacer wall 908 has a surface resistance of 10 on its surface.⁹ And 10¹⁴Concentrated doping is performed as much as possible between Ω / □. As a dopant For example, titanium, iron, manganese, or chromium can be used. In another embodiment of the invention, spacer wall 908 is partially electrically conductive ceramic. Made of glass or glass-ceramic material. The coating 904 described above is formed on the spacer wall 908 by any suitable method. Be done. For example, coating 904 may be a well-known technique such as thermal or plasma enhanced. For chemical vapor deposition, sputtering, evaporation, screen printing, spin coating machines It can be formed by application, spraying or dipping. What kind Even if the method is used, the surface resistance uniformity should be within ± 2%. It is desirable to form 04. For this reason, when forming the coating 904, Generally, the thickness is controlled within a specific error range. Another method for forming a coating on the spacer surface is to use a first ceramic layer. It is possible to utilize the materials contained in It can be made to have some electrical conductivity in the processing. In the above example, the surface of the spacer wall is charged. Described spacer wall treatments to minimize or prevent . An embodiment of the present invention having a spacer structure, such as spacer structure 608 (FIG. 6). In the embodiment, the surface of the opening through which the electrons of the spacer structure flow is treated as described above. To minimize or prevent the surface from being charged. 12A to 12D are cross-sectional views illustrating a boundary portion between spacer walls. Thus, resistive coatings, metallized edges, converging ribs according to various embodiments of the invention. It is shown. The coating of each example is related to Figures 9A, 9B and 9C. It is one of the coatings previously described. In each example, the metallized edge and the resistive coating The boundary of the cover is precisely shaped, but it has a linear shape. Since it has a certain height from the board, it is parallel to the back plate and A straight equipotential line is defined at the base along the longitudinal direction. Described below Metallized edges according to embodiments of the present invention may be used in forming the resistive coating 904 described above. It is formed on the edge portion of the surface of the spacer wall by the technique used. In FIG. 12A, the resistive coating 1204 is a side surface 120 of the spacer wall 1208. It is formed on 8a. Since the coating 1204 is formed on the side surface 1208, the coating 1 204 does not extend beyond the end of the side surface 1208a. Metal coated ed 1120 is the end face 120 of the spacer wall 1208. 8b, and thus the metallized edge 1206 protrudes from the coating 1204. Not extended. In FIG. 12B, the resistive coating 1214 is a side surface 121 of the spacer wall 1218. 8a and the end face 1218 to cover the entire spacer wall 1218. metal The covering edge 1206 is formed on the end surface 1218b of the spacer wall 1218. Formed to contact a portion of the shroud 1214, the metallized edge 1206 includes a shroud 1 It does not extend beyond the end face of 204. In FIG. 12C, the resistive coating 1214 is the side surface 12 of the spacer wall 1218. 18a and end face 1218b to cover the entire spacer wall 1218. Money A metal coating edge 1216 is formed on the end face 1218b of the spacer wall 1218. Formed by contacting a portion of the coating 1214, the metal coating 1216 is then covered. Overlapping the shroud 1214, the correctly defined height at the corners of the shroud 1214. It is provided so as to extend up to that point. In FIG. 12D, the resistive coating 1204 is similar to the spacer wall 1 in FIG. 12A. Formed on side surface 1208a of 208, with coating 1204 on side surface 1208. Does not extend beyond the end of the. The metallized edge 1216 is a spacer In contact with a portion of the coating 1204 formed on the end face 1208 of the wall 1208 Formed, the metal coating 1216 then overlaps the coating 1204 and the coating 120 Four It is provided so as to extend to a correctly defined height at the corner portion. As described above, the surface of the spacer wall 908 exposed inside the case 901. The electrodes 915 are provided at intervals on the top. The voltage at these electrodes 915 The position is set by the voltage dividing means. The voltage dividing means is a coating 904 or a resistive strike. Either of the lips, outside the active area of the display 900 , Connected to electrically conductive traces extending from each electrode 915. On each electrode 915 To obtain the desired voltage at that point, raise the resistance at that position as needed. To remove material at selected locations of the voltage dividing means, i.e. You can do "rimming". For trimming, for example, It is carried out by removing with a laser. Alternatively selected Can also be done by removing material from one of the electrically conductive traces , It extends to the electrode 915 inside the case, for example outside the case 901. A similar effect can be achieved by reducing the length of one or more races. It is possible to Figures 13A to 13H (collectively Figure 13), Figures 14A to 14J (collection FIG. 14), FIGS. 15A to 15J (collectively FIG. 15), and FIG. Figures A through 16J (collectively Figure 16) show the display of the CRT display of Figure 4A. Four basic processing steps for manufacturing optical structures Illustrates the physical sequence. To make it easier to describe this process, The orientation in FIGS. 13, 14, 15, and 16 is opposite to that in FIG. 4A. Has become. In the following description of processing, words related to direction, for example, The upper side, the lower side, etc. are applicable in the directions shown in FIGS. 13 to 16. It Starting from the processing sequence shown in FIG. 13, the start point is the face. The plate 302. The inner surface of the face plate 302 (ie Face plate side), roughened and black as shown in FIG. 13A. The reflectivity of the material forming the matrix is reduced. The process of roughening this surface is Chemical etchants such as hydrofluoric acid solution or halogen-based plasm It is generally carried out using a masking agent. The soda glass slurry 321 capable of forming the dark non-reflective frit is Screen over the upper surface of the faceplate 302 as shown in FIG. 13B. Is deposited as an ion. Slurry 321 is 400 ° C. for 1 minute to 120 minutes Converted to a hardened soda glass layer 322 by firing (ie, heating) at 450 ° C. . Please refer to FIG. 13C. Dark raised portion 31 of soda glass layer 322 The part located between the parts scheduled to become 4 is the appropriate photoresist. By chemical or plasma etching using a mask (not shown). Or suitable It is removed by ablation with the laser programmed in place. Figure 13D , The remaining portion of the soda glass layer 322 is a raised portion due to the processing so far. 314 is shown. As depicted in FIG. 13E, phosphor stripes 313r, 313g, and And 313b between the dark ridges 314 on the upper surface of the faceplate 302. It is formed. More specifically, it emits light in one of the three colors red, green, and blue, The slurry of the polymer, the photosynthetic agent, and the phosphor particles is stored in the face plate 302. Located on the upper surface. Arranged phosphor particles of one of these colors A portion of the slurry at the site where Cured by exposure to actinic radiation, using a strike mask (not shown) To be done. The rest of the slurry is drained off and the structure is rinsed. This work Repeat for each of the remaining phosphor particles that emit light of two colors. To be done. The structure is dried to complete the formation of phosphor stripes 313. A layer of lacquer 323 is sprayed onto phosphor 313 and raised portion 314. Is made. The upper surface of the lacquer layer 323 has a smooth surface as shown in FIG. 13F. Of. Aluminum is vapor-deposited on the lacquer layer 323, and the light reflection layer 315 is formed. It is formed. See Figure 13G. Next, the structure is about 450 ° C. for 60 minutes Partly contains oxygen throughout It is heated in the atmosphere and is removed by burning the lacquer 323. 14th Figure H shows the completed structure. The lacquer layer 323 has a smooth upper surface As a result, the light reflecting aluminum layer 315 also has a smooth lower surface. Will be. Moving to FIG. 14, the starting point here is still the face plate 302. The surface is rough. See Figure 15A. Dark non-reflective metal Layer 325 on the upper surface of face plate 302 as shown in FIG. 14B. Is placed. The metal layer 325 is black chrome with a thickness of 50 nm to 200 nm. Or it is generally made of niobium. A thick photoresist layer 326 overlies the metal layer 325 as shown in Figure 14C. It is formed. The photoresist layer 326 is, for example, Morton EL2026. It consists of such a positive photoresist. The thickness of the photoresist layer is 25 μm to 7 5 μm, typically 50 μm. Photoresist 326 selectively Exposed to photoactinic radiation, a groove 327 of substantially desired width for raised portion 314. Are processed to form the. The width of the groove is 10 μm to 50 μm, typically It is 25 μm. Referring to FIG. 14D, where 326a is photoresist. It is shown as the remainder of 326. The groove 327 is selectively completely or almost completely filled with metal. And the metal raised portion 314d is formed as shown in FIG. 14E. . Selective filling is done by an electrochemical deposition process (electroplating). Metal bump The portion 314d may be made of black or matte metal. Gold on the ridge As a genus, chromium or nickel-iron alloy is generally used. Photo Regis The mask 326a is then removed to form the structure shown in Figure 14F. Be done. Using the metal raised portion 314d as a mask, the exposed portion of the dark metal layer 324 is To be removed. What is shown in Fig. 14G is the result of the processing so far. In the structure described above, the dark raised portion 314e is the remaining portion of the metal layer 325. Is. Each dark raised portion 314e and the upper raised portion 314d are dark raised portions. One of the 314 is configured. The phosphor stripes 313 and the light reflection layer 315 are formed on the upper surface together with the processing shown in FIG. It was formed here by the method described in. Figure 14H shows stripes 313 Shows the formation of The layer 315 disposed on the lacquer layer 323 has a fourteenth This is illustrated in Figure I. FIG. 14J shows that the lacquer layer 323 is burned and removed. 3 is a view showing a completed light emitting structure after being processed. The starting point of the processing sequence of FIG. 15 is a transparent, electrically insulating, flat book. Body (or plate) 329, which typically has a generally uniform composition Made of glass with. Please see Figure 15A. Sand bra The patterned layer 330 made of a material having a stripe mask-like effect is 5B, it is formed on the upper surface of the transparent body 329. Mask layer 33 0 is to provide a blanket of sandblast mask material on the body 329. Formed on the exposed surface of the main body 329 by mask edging. Part of the coating layer is selectively removed by applying a coating. Remove the exposed part through the mask 330 of the transparent body 329 to a specific depth To do so, selective removal is performed. FIG. 15C shows the rest of the body 329. From the face plate 302 and the upper raised pattern 314f It is a diagram illustrating a structure completed as a result of the processing process up to this point. Excluding The removal process is done by sandblasting. While performing sandblasting The mask 330 is corroded and removed. When sandblasting is over If mask 330 remains, the remaining mask 330 is shown in Figure 15D. To be removed. A layer 331 made of dark colored material is provided on the upper surface of the structure. It is lean. See Figure 15E. The dark material is dark glass Is made of dark metal. The photoresist mask 332 is shown in FIG. 15F. Generally, it is formed on the dark colored layer 331 directly above the raised portion 314f. It In order to avoid mask misalignment, photoresist mask 332 is Kure This reticle is generally made from chickles. For sandblasting mask 330 or positive photoresist It is used when making moth masks. The dark raised portion 314g is raised by removing the exposed portion of the dark layer 331. Each is formed on the raised portion 314f. FIG. 15G shows the photoresist 33. 2 illustrates the structure after removal of 2. Each raised portion 314g and lower layer The egg-shaped raised portion 314f constitutes one of the dark raised portions 314. The light emitting structure is completed by the processing shown in FIG. 14 by the method as described above. Special In addition, the phosphor stripes 313 are formed between the raised portions 314 as shown in FIG. 15H. It is formed. FIG. 15I shows that a light reflecting layer 315 is formed on the lacquer 323. It is shown that. Complete structure after burning and removing lacquer 323 Are shown in FIG. 15J. By means of one of the previously mentioned processing steps shown in FIGS. After manufacturing the illustrated CRT cathode structure, the spacer wall 308 and outer wall 304 are Properly located between the cathode structure and the light emitting black matrix structure, The display parts are pumped to 10 bar.^-7Small room lowered below torr Can be put in. The display is then 300 ° C to 600 ° C, typically 450 ℃ Sealed below. The dark raised portion 314 has a temperature in the range of 300 ° C. to 700 ° C. (this temperature The degree of protrusion depends on whether the material of the raised portion is metal, soda glass, or glass. Maru ) Softens. The temperature at which the ridge softens will seal the display. Generally, the temperature is selected to be approximately the same as or slightly lower than the temperature. this As a result, the spacer wall 308 slightly digs into the raised portion 314 during the sealing process. become. This compensates for height differences between walls 308. If the temperature to soften the ridge is higher than the temperature to seal the display, , Soften the dark ridges 314 just before sealing the CRT display You can In this case, the spacer wall 308 is again raised during the sealing process. 4 slightly penetrates and compensates for the difference in height of the spacer wall. Although particular embodiments of the present invention have been described, this description is merely illustrated here. The scope of the invention described in the claims is not limited to this. There is no. For example, the dark raised portion 314 in the processing sequence of FIG. A layer of dark material is provided on top of the transparent body at the beginning of the processing sequence, then By omitting the process of forming the upper portion 314g of the raised portion, the dark portion Can be moved from the top of the ridge to the bottom. Additionally provided in parallel Dark non-reflective ridges, face play It is formed on the ridge 302 and extends perpendicularly to the raised portion 314. The phosphor stripe 313 is also made of a thin phosphor thin film instead of the phosphor particles. Can be built. In addition, the light emitting region 313 is a phosphor (in this case, particles or thin film). The shape does not matter. It can also be formed by an element other than). The transparent anode placed in the immediate vicinity of the face plate 302 is a light reflection layer. 315 can be used in place of, or in conjunction with. Like this The node consists of a layer of transparent electrically conductive material such as indium-tin oxide. It is common. Provided adjacent to face plate 302, if present The transparent anode constitutes the main body of the light-emitting black matrix structure. . Thus, one of ordinary skill in the art without departing from the scope and spirit of the invention as claimed. Could have various modifications.The scope of the claims 1. A flat panel device, A face plate, Back play that joins to the face plate to form a closed case And Light emitting means from the flat panel device, The backplane treated to minimize or prevent the surface from becoming charged. The force applied to the seat and the face plate in the direction toward the inside of the case. A spacer installed inside the case to provide support for the The spacer provided between the back plate and the end surface of the spacer. And a metal-coated edge that makes an electrical connection with the back plate. Flat panel device to do. 2. The surface of the spacer has a secondary electron emission ratio of less than 4 and a sheet resistance of 10⁹Ω / □ and 10¹⁴Coated with a material whose size is between Ω / □ The device according to claim 1, characterized in that 3. The material of the coating is chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide and vanadium oxide. Device according to claim 2, characterized in that it is selected from um. 4. The method according to claim 2, wherein the coating is made of chromium oxide. apparatus. 5. The thickness of the clothing is between 0.05 μm and 20 μm The device according to any one of claims 2 to 4. 6. The surface resistance of the spacer is 10⁹Ω / □ and 10¹⁴Between Ω / □ A first coating made of material, Made on the first coating with a material having a secondary electron emission ratio of less than 4 The device of claim 1 further comprising a second coating. 7. The total thickness of the first and second coatings is between 0.05 μm and 20 μm 7. The device according to claim 6, characterized in that 8. The surface resistance of the spacer surface is 10⁹Ω / □ and 10¹⁴Between Ω / □ The device of claim 1, wherein the device is doped to 9. 9. The method according to claim 8, wherein the doping dopant is titanium. On-board equipment. 10. When the secondary electron emission ratio δ is 4 on the doped spacer surface, Claim 8 or claim 9 characterized in that it is coated with a small material. The described device. 11. The coating is chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide and vanadium oxide. 11. Device according to claim 10, characterized in that it is made of a material selected from . 12. 11. The method according to claim 10, wherein the coating is made of chromium oxide. On-board equipment. 13. The uniformity of the sheet resistance on the surface of the spacer is Within 2% of the specified nominal resistance 13. The device according to any one of claims 1 to 12, characterized in that Place. 14. 2. The spacer according to claim 1, wherein the spacer includes a spacer wall. The device according to any one of 3 above. 15. The spacer has a spacer structure provided with a plurality of holes. The device according to claim 1, wherein 16. An addressing grid having a plurality of holes, each having a plurality of spacer structures The holes in the body are the holes in the addressing grid or the glue in the holes in the addressing grid. Further comprising the addressing grid, which is aligned with the Item 16. The apparatus according to Item 15. 17． The surface of the spacer near the boundary between the spacer and the back plate An electrode provided above, wherein the voltage at the electrode is near the boundary. Further controlled such that the desired voltage distribution is obtained. The device according to claim 1, wherein: 18. The electrodes are installed along a curved path on the inner surface of the back plate. 18. The device of claim 17, wherein the device is eclipsed. 19. A plurality of electrodes provided at intervals on the surface of the spacer, The voltage of the electrodes is the desired voltage distribution between the back plate and the face plate. Further comprising the plurality of electrodes being controlled to achieve The device according to claim 1. 20. A voltage dividing means for setting the voltage of each electrode is further provided. Item 20. The device according to item 19. 21. The voltage dividing means further comprises a resistive coating formed on the spacer surface. 21. The device of claim 20, wherein 22. Select from the voltage dividing means to set the desired voltage at the electrodes. 21. Device according to claim 20, characterized in that the material is selectively removed. 23. An electrically conductive tray extending from each of the electrodes to outside the active area of the device. Traces to set the required voltage at the electrodes. The material is selectively removed from at least one of: The described device. 24. The first plate provided between the face plate and the second end surface of the spacer. 2 metallized edges, the metallized edges including the spacers and the spacers. A device as claimed in claim 1, characterized in that it makes an electrical connection with the base plate. . 25. A resistive coating is formed on the spacer surface and the metallized edges are 25. The device of claim 24, which makes an electrical connection with a resistive coating. 26. The boundary between the metallized edge and the resistive coating is It is characterized in that it is provided in a shape that maintains a constant distance from the inner surface of the back plate. Claim to be 25. The device according to 25. 27. A flat panel device, A face plate, A back plate coupled to the face plate to form a closed case When, Light emitting means from the flat panel device, Make the back plate and the face plate toward the inside of the case. A spacer wall installed inside the case to provide support for the force applied , The spacer wall is made of ceramic, ceramic tempered glass, or insulating layer A flat panel device characterized by being made from a coated metal. 28. A flat panel device, A face plate, A back plate coupled to the face plate to form a closed case When, Light emitting means from the flat panel device, Make the back plate and the face plate toward the inside of the case. And a spacer installed inside the case that provides support for the force to be used, The spacer is coated with ceramic tempered glass or an insulating layer Flat panel device characterized by being made of metal. 29. A flat panel device, A face plate, Back play that joins to the face plate to form a closed case And Light emitting means from the flat panel device, One of the back plate and the face plate that faces the inside of the case Spacer structure installed inside the case to provide support for directional force Has a body and The spacer structure has a plurality of spacer structure holes extending therethrough. A flat panel device characterized by. 30. The light emitting means, A field emitter cathode, A light emitting structure provided on the face plate, 30. The device according to any one of claims 1 to 29. 31. Attach the ceramic or glass-ceramic spacer wall to the back plate and The process of attaching it to the base plate, In order to enclose the spacer wall inside the case, the back plate and face And a plate sealing process. Build method. 32. An addressing grid having a plurality of addressing grid holes inside the case 32. The method of claim 31, further comprising the step of attaching a lid. . 33. The sealing process includes the face plate and the back plate. Further comprising the step of attaching the top wall, the bottom wall and the two side walls to and from the plate. 33. A method according to either claim 31 or claim 32, characterized in that 34. The method further comprising the step of providing alignment between the spacer walls. Item 33. The method according to Item 33. 35. The step of providing alignment between the spacer walls comprises Forming notches in the addressing grid, The step of providing the spacer wall in the notch. The method according to claim 34. 36. The sealing process is A top wall, a bottom wall and two sides between the face plate and the back plate Further having the step of attaching the wall, The matching process is A step of forming a score on the top wall or the bottom wall, Further comprising the step of providing the spacer wall in the notch. The method according to claim 34. 37. Ceramic or glass between the back plate and face plate Ceramic spacer structure having a plurality of spacer structure holes drilled therein The process of attaching the body, In order to enclose the spacer inside the case, the back plate and face plate are Of assembling a flat panel device, the method including: Law. 38. The process of perforating a membrane of ceramic or glass-ceramic material, A film of the ceramic or glass-ceramic material is laminated to form the space. 38. The method of claim 37, including the step of forming a support structure. 39. The process of attaching a spacer between the back plate and face plate, , The spacers are used to minimize or prevent charge buildup on the spacer surfaces. The process of treating the surface of The spacer is configured to make an electrical connection between the spacer and the back plate. The process of forming a metal-coated edge on the end face of the sensor, In order to enclose the spacer inside the case, the back plate and face plate are Of assembling a flat panel device, the method including: Law. 40. The process of treating the spacer surface forms a resistive coating on the spacer surface. 40. The method of claim 39, further comprising the step of: 41. The method of claim 40, wherein the resistive coating is made of chromium oxide. The method described. 42. The resistive coating is formed by chemical vapor deposition. The method according to 40. 43. A contract characterized in that the resistive coating is formed by sputtering. The method according to claim 40. 44. 41. The method of claim 40, wherein the resistive coating is formed by evaporation. The method described. 45. The process of treating the spacer surface is performed with a dopant concentration of a predetermined dopant concentration. 40. The method of claim 39, further comprising the step of applying a ring. 46. Body part, A raised portion forming a pattern provided along the body portion, A plurality of light emitting regions along the body portion between the raised portions, The light emitting region emits light when electrons collide, and when the electrons collide with the raised portion. When the raised portion does not substantially emit light as compared to the light emitting region, the raised portion Characterized in that it is further raised from the body portion rather than the light emitting region, Each raised portion extends over the entire lateral width of said raised portion and has a reduced height. A light emitting structure having a dark region substantially occupying a part thereof. 47. The raised portions extend so that at least some of them are parallel to each other The structure according to claim 46, wherein: 48. At least two groups in which the raised portions extend in different directions 47. The structure of claim 46, comprising: 49. The body portion extends toward the light emitting region, 47. Claim from claim 46, characterized in that it comprises at least partly a transparent plate. Item 48. The structure according to any one of item 48. 50. First and second surfaces that are spaced apart from each other and are provided with their inner surfaces facing each other Plate and Patterned ridges along the inner surface of the first plate When, A plurality of light emissions provided on the inner surface of the first plate between the raised portions. Area and Support structure that supports the plates and keeps them separated from each other Body and On the inner surface of the second plate, a set of electron-emitting devices is laterally spaced from each other. An array of digits, The first plate extends along the light emitting region and at least a portion thereof is transparent. Characterized by being clear, The raised portion is higher than the light emitting region from the first plate. Characterized by When the electrons from the electron-emitting device collide, the light-emitting region emits light, The light is characterized in that the raised portion does not substantially emit light as compared with the light emitting region. Science display. 51. Each raised portion extends over the entire lateral width of the raised portion and is small in the height direction. 6. Having a dark area which substantially occupies at least part of it. The display described in 0. 52. Arranged across the raised portion between the raised portion and the second plate A group of laterally spaced internal supports, The internal support is provided at a distance from the light emitting region, and the electron emitting device is provided. A support structure, characterized in that it extends towards the region between 52. The display according to claim 50 or 51, wherein: 53. 52. The device of claim 51, wherein each inner support includes a spacer wall. Display. 54. The first plate and the light-emitting region are provided so as to cross the first plate. It further comprises a light reflecting layer for reflecting light from the light emitting region to the first plate. 54. The display according to any one of claims 50 to 53 as a signature. 55. The process of making a dark color layer along the body part, A portion of the dark layer is formed to form a pattern of raised portions along the body portion. The process of selective removal, The ridge is formed so that the ridge has a shape further raised than the light emitting region. Providing a plurality of light emitting regions along the body portion between the portions. A method for manufacturing a characteristic device. 56. 56. The method of claim 55, wherein the dark layer is made of glass. Law. 57. Forming a first metal layer along the body, Forming a mask on the first metal layer; A second metal portion is provided in the opening of the mask by an electrochemical method to remove the second metal portion. The process of allowing the genus to form raised ridges in a pattern; Removing the mask, The raised portion is more raised than the light emitting region from the body portion. So as to provide a plurality of light emitting regions between the raised portions. Manufacturing method of the device. 58. Removing the first metal portion not covered by the second metal portion, and The raised portion extends to include the remaining portion of the second metal. 58. The method of claim 57, further comprising: 59. At least one of the first and second metals is a dark metal 59. The method according to claim 57 or claim 58. 60. By selectively removing a part of the body having a substantially uniform composition at a specific depth, The remaining part of the pattern on the body part and the removed part of the body And the process of including the raised portion, Providing a plurality of light emitting regions along the body portion between the raised portions, the front raised portion A step of making the shape of the body further raised than the light emitting region And a method for manufacturing a device. 61. The removal process destroys the body through a mask. 61. The method of claim 60, comprising an attacking step. 62. The removal process is Providing a first layer that draws a pattern along the body to become the raised portion thereof The process of allowing the opening to extend at the desired portion where The pattern drawn by the mask material in the opening in the first layer The process of forming Removing the first layer, A destructive treatment of the body through the openings in the mask material pattern. 61. The method of claim 60, comprising: 63. The process of forming the mask pattern is Applying a layer of masking material over the first layer through the opening; A layer of mask material selectively exposed to backside photochemical radiation through the entire body. And the portion of the first layer overlying the mask material is the radiation The step of using the first layer to substantially prevent exposure to Substantially removing the portion of the mask material not exposed to the radiation. 63. The method of claim 62, comprising. 64. The destruction process is carried out by sandblasting. 64. The method of any of claims 61-63, wherein the method is performed. 65. The method further includes the step of forming a pattern of dark color portions that respectively cover the raised portions. 65. The method of any of claims 60-64, wherein 66. When an electron collides, the light emitting region emits light and the raised portion emits light. 56. Claim 55 to claim 55, characterized in that it emits substantially no light compared to the light area. The method according to any of 65. 67. Forming a light reflecting layer extending from the body portion across the entire light emitting region 67. The method according to claim 55, further comprising the step of: the method of. 68. A play that extends along the light emitting region and is at least partially transparent. 68. Any of claims 55-67, wherein the body portion has The method described in crab. 69. The temperature is raised to a range of 300 ° C to 700 ° C to soften the raised portion. 69. The method according to any one of claims 55 to 68, characterized in that Law. [Procedure Amendment] Patent Act Article 184-8 [Submission date] February 14, 1995 [Correction content] Specification Flat with internal support structure and / or raised black matrix Panel deviceBackground of the Invention 1. TECHNICAL FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to flat panel devices such as flat CRT displays. The invention also relates to the techniques used in the manufacture of flat panel devices. 2. Related technology A lighter and more bulky alternative to the older deflected beam CRT displays in recent years Flat CRT display (flat panel (Also known as Le Display) have been made. In addition to flat CRT displays, other flat panel displays, such as For example, plasma displays have also been developed. In flat panel displays, faceplate, The backplate, and the perimeter of the faceplate and backplate The connection wall provided so as to surround the portion forms one enclosure case. Fl In the panel display, the inside of the case is kept in a vacuum state. For example, for a flat CRT display, it is almost 1 x 10^-7to torr It is kept. On the inner surface of the face plate, the display Phosphor pattern or phosphor-like light-emitting device defining an upper active area Coating is provided. Does the light emitting element emit light? The cathode element adjacent to the plate is excited and emits electrons. This is accelerated toward the phosphor on the face plate, and the phosphor emits light. The light on the outer surface (viewing surface) of the faceplate. And will be seen by the viewer. In the display, the electron-emissive element is selectively excited to emit electrons. The emitted electrons are directed to the phosphor on the face plate. These phosphors are electrons Emits light that can be seen on the outside surface of the faceplate when it strikes Is. The electrons emitted from each electron-emitting device are emitted only to the target phosphor It is supposed to collide. However, among the emitted electrons, a certain number of Others may hit other parts of the surface plate than the targeted phosphor. Fe In order to improve the contrast in the space plate, The matrix of non-reflective areas that do not emit light substantially when It is provided in a dispersed form. For color displays, this black Trix also improves color purity. The fluorescent area has a face It is provided in a form that is more raised than the rate. Since the inside is close to a vacuum, Pressure is applied, but this depends on the pressure difference between the internal vacuum state and the external atmospheric pressure. Because it's big enough to collapse a flat panel display without it. . Diagonal lengths greater than approximately 1 inch (diagonal lines are separated from each other in the active area) For a rectangular display with opposite corners (distance between corners) Due to the large ratio, the faceplate is especially sensitive to the effects of this type of mechanical damage. It is easy to receive. Here, the aspect ratio is the width, for example, of the connecting walls facing each other. The distance, or height, between the parts surfaces, for example the inner surface of the back plate and the face plate. It is defined by the distance of the rate from the inner surface divided by the thickness. F The faceplate or backplate of the rat panel display is The panel display may also be damaged due to the impact of external force . In order to support the face plate and / or the back plate from the inside, Spacers have been used. Conventional spacers are wall-shaped or column-shaped and Pixels in the active area of the display (up to It is provided between the phosphor regions forming small units). Spacers are formed by photopatterning of polyimide. Has been made. However, we have found that polyimide spacers are not suitable. And why (1) Insufficient length, (2) Used for face plate Typical materials (glass) and typical materials used for back plates (eg Glass, ceramic, glass-ceramic or metal) and addressing grease Typical materials used in addressing grids (eg glass-ceramics) (Or ceramic or ceramic), the coefficient of thermal expansion cannot be matched. Causing problems with stars, (3) Polyimide in a state close to vacuum Gas release may occur when used in. Although glass spacers have been used for the spacers, the glass has sufficient strength. Not always. Furthermore, there are micro cracks peculiar to glass, which easily Glass spacers are better than (ideal) glass because they tend to spread throughout. It becomes even weaker. In addition, no matter what material is used for the spacer, The presence of spacers adversely affects the flow of electrons towards the faceplate. There are things to do. For example, stray electrons generate static electricity on the spacer surface, By forming a voltage distribution different from the voltage distribution near the spacer, Will be distorted and the image displayed on the display will be distorted Of.Summary of the Invention In accordance with the present invention, the flat panel device includes a spacer that provides internal support. Have. Especially for devices that operate with low pressure inside, this spacer Due to the pressure difference between the low pressure state of the part (eg below atmospheric pressure) and the external atmospheric pressure. Prevents the device from being destroyed by the stress caused by This spacer is The device is internally supported even with respect to the stress generated by impact. In addition to this Also, the spacer surface inside the case prevents static electricity from being generated on the spacer surface. Or, it is processed so as to be minimized. As a result, the spacer is close to the spacer. Eliminates the adverse effect on nearby electron flow and eliminates the distortion of both images of the device. . In one embodiment of the present invention, the surface of the spacer is provided with a coating, This coating has a secondary electron emission ratio δ of less than 4 and a sheet resistance of 10⁹Ω / □ and 10¹⁴Ω It consists of substances that take values between / and. The material forming this coating is oxidized It is selected from ROM, copper oxide, titanium oxide and vanadium oxide. In another embodiment of the invention, the spacer surface is provided with a first coating. First The second coating is on top of the first coating. The first coating has a surface resistance of 10⁹Ω / □ and 1 0^FourMade by substances that take values between Ω / □. The second coating is the secondary electron emission Made by a material with a ratio δ less than 4. In another embodiment of the invention, the spacer surface is provided with a first doping. The surface resistance of the surface is 10⁹Ω / □ And 10¹⁴A spacer table which is adapted to have a value between Ω / □ and is then doped The surface is coated with a material having a secondary electron emission ratio δ of less than 4. Coating Eggplant material selected from chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide and vanadium oxide To be done. In another embodiment, the surface resistance of the spacer surface is 10⁹Ω / □ and 10¹⁴ Doping is performed on the spacer surface so as to obtain a value between Ω / □. The spacers are made of ceramic, for example, and are used for spacer walls or spacer structures. However, the spacer wall and spacer structure must be combined. Can also be. The flat panel device also has a light emitting means. In addition, flat panel equipment The device can also include a field emitter cathode or a thermionic cathode. It In yet another embodiment of the present invention, one or more electrodes are Is provided on the surface of the spacer. For example, electrodes are spacers and back plates Can be installed near the boundary of the Controlled to obtain the desired voltage distribution, which results in imperfections in surface treatment, or Deflection electron flow to desired shape to correct distortion caused by spacer misalignment To do. In another embodiment, the desired internal surface of the backplate is desired. This electrode can also be provided in a serpentine shape in order to obtain a voltage distribution. By forming the voltage dividing means, the voltage of each electrode is set. In one of the examples In this case, the voltage dividing means has a resistive coating formed on the surface of the spacer. oating). The sheet resistance of the coating is adjusted to obtain an accurate voltage at each electrode. It must be. In yet another embodiment of the present invention, a strip of electrically conductive material (metal The edge metallization is the end face of the spacer surface and the back plate. Formed between them so that they come into intimate contact over the entire spacer There is. Metallized edges if the spacer has a resistive coating on the surface Are electrically connected to the resistive coating. In this case, metallized edges and resistive coatings Ensures that the interface between them is a constant distance from the inner surface of the back plate. It is provided in. Similarly, the metallized edge is between the faceplate and the spacer. Make a good connection between the faceplate and the end face of the spacer to make a good electrical connection. Is made. In the method of assembling the flat panel device according to the present invention, the flat panel device is assembled. Install a spacer between the back plate and face plate of the The spacer surface is treated to prevent or minimize the charging of the surface. , A metal coating edge that forms the electrical connection between the spacer and the back plate. It is provided on the end surface of the spacer, and the back plate and the spacer are enclosed so that the spacer is enclosed inside. Source The device is assembled by sealing with the plate. Do not treat the spacer surface To form a resistive coating or coating, by doping the surface, By both surface doping and resistive coating or coating formation, or by firing And then reduce the surface. Further, the present invention may be used in optical devices such as flat panel CRT displays. And a light emitting structure suitable for being installed. The light emitting structure of the present invention has a main body (ma in section), along with the raised section along the A plurality of light emitting regions provided in a portion between the raised portions. The light emitting area is When a child collides, it emits light. On the other hand, the bumps are virtually Does not emit light. In addition, the raised portion rises further from the main body than the light emitting area. It has a shape. Each raised portion spans the entire width of the raised portion and at least a portion of its height. Includes a dark area that substantially surrounds it for minutes. For the pattern of the raised part Thus, a raised black matrix is formed, which is the contrast of the light emitting structure. Improve strike. Selectively emits light of two or more colors in the light emitting area In this case, the raised black matrix also has the effect of increasing the color purity. The light emitting structure of the present invention can be manufactured according to various techniques. Technique of the present invention One of the surgical groups is to apply a portion of a given layer of material in the raised portion to the body portion of the light emitting structure. Select along The pattern of the raised portion is processed by a process that includes a process of removing It is formed along the body part. According to another technique according to the invention, the body ( part of the body) is selectively removed to a certain depth and the rest of the body is not removed The portion may be formed to include the body portion and the raised portion of the light emitting structure.Brief description of the drawings FIG. 1 shows a flat panel including a thermionic cathode according to one embodiment of the present invention. It is a perspective view of the panel display, showing the inside by cutting off a part of the surface layer. Things. 2A and 2B show a flat panel device according to one embodiment of the present invention. A simplified cross-sectional view of the display, illustrating the use of spacer walls. It is a thing. 2A is a sectional view taken along line 2b-2b of FIG. 2B, FIG. 2B is a sectional view taken along line 2a-2a in FIG. 2A. FIG. 3 illustrates a flag including a field emission cathode according to one embodiment of the present invention. FIG. 1 is a perspective view of a front panel display, showing a part of the surface layer cut away to show the inside. It is what FIG. 4A is a detailed perspective sectional view of a portion of the flat panel display of FIG. Is. FIGS. 4B and 4C are illustrations of the display of FIG. FIG. 2 is a plan view of parts of each part, 4B is a view seen from the direction of arrows c and d in FIG. 4A. FIG. 4D is a cross-sectional view of the entire flat panel CRT display of FIG. 4A. is there. FIG. 4E is centered on the black matrix of the CRT display of FIG. 4A. FIG. 6 is an enlarged sectional structural view of a part of the above. FIG. 5 is a detailed view of a portion of FIG. 2B showing alignment of spacer walls in accordance with the present invention. This is an illustration of the means. FIG. 6 illustrates a spacer wall and spacer structure according to one embodiment of the present invention. FIG. 2A illustrates a flat panel display including a simple view from the same direction as FIG. 2A. It is the converted sectional view. FIG. 7A shows a field emission cathode and spacer according to one embodiment of the invention. FIG. 6 is a simplified cross-sectional view of a portion of a flat panel display including a wall. FIG. 7B shows a field emission cathode, spacer, according to one embodiment of the invention. Second part of a flat panel display including walls and addressing grid It is the simplified sectional view seen from the same direction as FIG. FIG. 7C shows a field emission cathode, spacer, according to one embodiment of the invention. Structure, and part of a flat panel display that includes an addressing grid FIG. 2B is a simplified cross-sectional view seen from the same direction as FIG. 2A. FIG. 8 shows a flap having a curved face plate and back plate. In the touch panel display, A second illustrated spacer is used according to one embodiment of the invention. It is the simplified sectional view seen from the same direction as FIG. 9A and 9B show a flat panel device according to one embodiment of the present invention. FIG. 2 is a simplified cross-sectional view of the display, showing the coating formed on the surface of the spacer wall. It is illustrated. 9A is a sectional view taken along line 9b-9b in FIG. 9B. FIG. 9B is a sectional view taken along line 9a-9a of FIG. 9A. FIG. 10 shows the voltage on the vertical axis with respect to the base plate provided with the field emission device. Is a graph in which the horizontal axis represents the distance between the field emission device and the base plate in the vertical direction. It FIG. 11 is a graph showing the secondary electron emission ratio on the vertical axis and the voltage on the horizontal axis. It shows the characteristics of two substances. Figures 12A-12D illustrate the interface between spacer walls and are similar to those of the present invention. Focused on the metallization and raised portion of the backplate according to various embodiments It is sectional drawing. FIGS. 13A to 13H show the light emitting black matrix of the display of FIG. 4A. It is sectional drawing which showed the manufacturing process of the structure. 14A to 14J and 15A to 15J show the display of FIG. 4A. FIG. 6 is a cross-sectional view showing different manufacturing steps of the light emitting black matrix structure of Ray. It 16A to 16J show the display of FIG. 4A. It is sectional drawing which showed another manufacturing process of the light emitting black matrix structure. In the above figures, corresponding parts are designated by the same reference numerals.Detailed Description of the Invention Hereinafter, an example of the present invention will be described for a flat CRT display. Book The invention is not limited to flat panel displays, such as plasma displays or It will also be appreciated that it is applicable to vacuum fluorescent displays. Furthermore, the book The invention is not limited to use in displays, for example optical signal processing. Or other such as phased array rader devices Optical addressing used to control other devices, and the reproduction of images on other media Used for other purposes such as image scanning in copiers and printers. It can also be applied to a rat panel device. In addition, the invention is rectangular Flat panel devices with no screen shape, for example circular or car Has a special shape, such as that used on a board or control panel of an aircraft It can also be applied to screens. Here, the flat panel display means a face plate and a back play. Is a display that is substantially parallel to the Thickness measured in a direction substantially perpendicular to the splat and backplate , Which is smaller than the thickness of a conventional deflected beam CRT display. In general, flat panel displays are less than 5.08 cm (2 inches) thick However, it is not necessarily limited to this. Often flat panel displays The thickness of b is substantially 5.08 cm or less, for example, 0.64 cm to 2.54 cm. It is about cm (0.25 to 1.0 inch). As used herein, the term "spacer" refers to the inside of a flat panel display. It is a general term for those used as a support from the inside. In this statement In certain embodiments of the invention, the spacer is a "spacer wall" or "spacer". "Structure". In other words, "spacer" means "spacer wall" and "spacer". "Surface structure" together with all other structures having the above-mentioned spacer function. Is. Generally, the spacer walls and spacer structures of the present invention are made of thin materials. Therefore, this material can be processed as it is in an untreated state, and it is subjected to a certain treatment. By doing so, it becomes hard and highly rigid. This material is used in a vacuum environment. However, it must be applicable. In addition, spacer walls and spacer structures The body has a thermal expansion coefficient that closely matches the coefficient of thermal expansion of the face and back plates. Made from material with modulus. Matching thermal expansion coefficient means spacer wall, The face plate and back plate are The heating and cooling that occurs when the rat panel display is assembled and operating. It means that it expands or contracts to about the same extent as it does. As a result , Spacer wall, face plate and back plate Compatibility will be maintained. What can happen if the coefficient of thermal expansion does not match The spacer wall or spacer structure of the anode against the faceplate. The phosphor may be damaged by moving the If stress is generated in the play and damages the parts in the display. (Including that the vacuum condition in the play is lost), or the spacer wall It is possible that things will break. In one embodiment, the spacer walls are made of ceramic or glass-ceramic material. Made by fees. In another embodiment, the spacer walls are ceramic tape. Made from. Hereinafter, in the description of the embodiments of the present invention, spacer walls or spacers will be described. Ceramic or ceramic tape and slurry as the material for the Shall be used. Other materials include ceramic toughened glass, opaque glass and flexible matte. Rix structure amorphous glass, electrically insulating coating Made of metal or polyimide compatible with high temperature vacuum can be used Noh. In general, the material of the spacer according to the present invention requires (a) a thin layer. That can be (B) the layer becomes flexible in the fired state, (c) not fired Possibility to punch one layer or several layers together in a state, (D) A conductor can be provided in a required portion of the opened hole, and (e) firing Be able to accurately provide electrically conductive traces on the surface of untreated layers , (F) several layers can be laminated and at least during final heating That they can be bonded to each other; Heat on face and back plates made from materials such as glass Have a coefficient of thermal expansion that substantially matches the coefficient of expansion; The laminated structure having high rigidity and toughness, and (i) a structure subjected to firing treatment Conforms to a vacuum condition, and (j) the fired structure is used as a cathode of the CRT. It does not contain detrimental substances, (k) all materials and manufacturing processes That a strike can be practical. In this description and in the claims that follow, the word "ceramic" is often used However, this is in context with ceramic tape or ceramic layers or ceramics. Means a seat. In other words, this word is a well-known glass-ceramic Tape, devitrified glass tape, ceramic glass tape, ceramic tape young Means other tape, and other tape means plastic. Union It has an agent and particles of ceramic or glass, and is in a state where it is not baked. It has flexibility and can be processed, and it is hardened and hardened by firing. But it is flexible from the beginning and finally hard and rigid Any equivalent material that can be processed to a high temperature can be used. Ceramic tape consists of ceramic particles, amorphous glass particles, binder and Made from a mixture of plasticizers. Initially, the mixture was a slurry and It can be molded into a mold instead of being formed into a lamic tape. Sera Mick tape can be made from slurry in the unfired state, A deformable material that can be easily molded or cut into the desired shape. The ceramic tape is made into a thin sheet, and its thickness is, for example, 0.3 mi. It is about 1 to 10 mil. A ceramic table that can be used in the practice of the present invention. Examples of those available in Coops, Chattanooga, Tennessee, USA Electronic Package, Catalog No. CC-92771 / 777 and CC-LT20, or a tape substantially equivalent to this ceramic tape. There is a loop. Other examples of low temperature glass-ceramic materials that can be used for the purposes of the present invention include: , DuPont's Green Tape. Green tape is very Thin sheet Available in shapes (eg about 3 to 10 mils) and relatively low Can be fired at a temperature of about 900 ° C to 1000 ° C, but not fired It contains a plasticizer that gives excellent processability in the state. Green tape is ceramic A mixture of particles and amorphous glass, also in the form of particles, further comprising a binder and It is a product containing a plasticizer. U.S. Pat. Nos. 4,820,661 and 4,867,9 35 and 4,948,759. The ceramic tape before firing is formed by the method as described below, Spacer walls and spacer structures can be manufactured on the basis. Ceramic tee After molding, the mold is fired. The firing process consists of two stages. In the first stage The tape is heated to a temperature of about 350 ° C to burn the binder and plasticizer from the tape. I will lose it. In the second stage, the tape is at a constant temperature (ceramic composition). Heated to a temperature between 800 ° C and 2000 ° C) at a temperature determined by The particles of Sinter to form a tough, dense structure. The spacer wall is assembled into a flat panel display as follows. Su The trip has the required length and width in a flat panel display and Made by cutting from a sheet of unmade ceramic tape. Baking treatment The advantage of using uncertain ceramic or glass-ceramic is that Lip slitting It can be easily made by (slitting) or punching. this The strip is fired. The fired strip (spacer wall) is The base plate and the back plate are arranged at appropriate predetermined positions. The spacer walls are held in place during assembly to keep the faceplate and backplane in place. Aligns properly with the card. Spacer wall strips are made of fired ceramic or glass ceramic. You can also make it from the seat of the hook. The fired sheet is covered (see details (Described below) and processed into strips that form the spacer walls. . Alternatively, after processing the fired sheet into strips, It is also possible to form a coating. FIG. 3 shows a flat panel display 300 which is one embodiment of the present invention. It is a perspective view, and a part of the surface layer is cut away to show the inside. Hula The display panel display 300 includes a face plate 302 and a back plate 3. 03 and a side wall 304, which form a sealed case interior 301 In a vacuum state, for example, approximately 1 × 10^-7It is kept below torr. Su Pacer wall 308 supports face plate 302 against back plate 303 To do. The field emission cathode 305 is a backpack inside the case 301. Formed on the surface of the rate 303. As described in more detail below, The tandem electrodes (not shown) allow the emission of electrons from the cathode emitters (not shown). Control. Similarly, as described in more detail below, the electrons are accelerated and become Towards the inner surface (eg anode) of the coated faceplate 302 . The IC chip 310 controls the voltage of the horizontal and vertical electrodes to control the face plate 3 A drive circuit that regulates the flow of electrons to 02 is included. Electrical conduction trace (not shown) Are used to make electrical connections between the circuitry on the chip 310 and the row and column electrodes. It FIG. 4A illustrates a portion of a flat panel color CRT display. , Of the field emission cathode with a black matrix provided in a raised form It has an area. The CRT display of FIG. 4A is a transparent, electrically insulating flat panel. Face plate 302 and electrically insulating flat back plate 303 Having. The inner surfaces of plates 302 and 303 face each other and In terms of mold, they are separated by 0.01 mm to 2.5 mm. Face plate 302 It is typically made of glass with a thickness of 1 mm. The back plate 303 Made of glass ceramic or silicon, typically 1mm thick It A group of laterally spaced insulator spacer walls 308 are plates. Located between 302 and 303 There is. The spacer walls 308 extend parallel to each other at regular intervals, and It is provided in a direction perpendicular to 02 and 303. Each wall 308 is typically It is made of ceramic with a thickness of 80 μm to 90 μm. Also, the wall 308 The distance between the center lines of the center lines is typically 8 mm to 25 mm. Further below As discussed, the wall 308 constitutes an internal support, between the plates 302 and 303. The spacing remains substantially uniform across the active area of the display. The field emission cathode structure 305 in the patterned region is backlit. Is disposed between the spacer 303 and the spacer wall 308. FIG. 4B is a diagram of FIG. 4A. Draw the layout of the field emission cathode structure 305 viewed from the direction indicated by arrow C. It was what I had. The cathode structure 305 is a large glue of the electron-emitting device 309. And a metal emitter electrode (called a base electrode) provided in a pattern Sometimes divided into curvilinear lines 310 of substantially the same shape, and The metal gate electrode is divided into linear lines 310 having substantially the same shape, and The electrically insulating layer 312 is formed. The emitter electrode line 310 is disposed on the inner surface of the back plate 303. , Extend parallel to each other at uniform intervals. Of the center line of each emitter line 310 The spacing is typically 315 μm to 320 μm. Line 310 is the source Formally made of molybdenum or chromium having a thickness of 0.5 μm It Each line 310 typically has a width of 100 μm. The insulating layer 312 is Of the back plate 303 adjacent to the line 310 and laterally adjacent to the line. It is provided above. The insulating layer 312 is typically a dioxide having a thickness of 1 μm. Composed of silicon. The gate electrode lines 311 are disposed on the insulating layer 312 and are parallel to each other and evenly spaced. It extends every other distance. The interval between the center lines of the gate lines 311 is typically 105- It is 110 μm. Gate line 311 is oriented orthogonal to emitter line 310 Has been extended to. The gate line 311 is typically 0.02 μm to 0.5 μm. Formed from a titanium-molybdenum composite material having a thickness. Each line 311 is a reference It typically has a width of 30 μm. The electron-emitting device 309 is laterally spaced on the inner surface of the back plate 303. Arranged in the form of an array of arranged multi-element sets There is. More specifically, each set of electron-emitting devices 309 has one of the gate lines 311. In some or all of the protruding regions that intersect with one of the emitter lines 310, Is disposed on the inner surface of the back plate 303. The spacer wall 308 is an electron It is provided in the region between the pair of emission elements 309 and in the region between the emitter lines 310. It extends in the direction of expansion. Each electron-emitting device 309 has an opening (shown in the drawing) of the insulating layer 310. Field emitter extending through the lower emitter line 31. It is connected to one of 0. The top (or top) of each field emitter 309 is Dew through one corresponding opening (not shown) in the upper gate line 311. Has been issued. The field emitter 309 can be of various shapes, such as nail-shaped filaments or cones. It can be provided in a shape. The shape of the field emitter 309 is such that the material is It is not material specific as long as it has child emission properties. Emitter 30 9 can be manufactured by various processes, but these processes are 199 “Structure and Fabrication of Filed by Macaulay et al. Filamentary Field-Emission Device, Including Self-Aligned Gate ” US patent application Ser. No. 08 / 118,490, and November 24, 1993 Field-Emitter Fabrication Using Charged-Part filed by Spindt et al. US Patent entitled "icle Tracks, and Associated Field-Emission Devices" It is disclosed in application Ser. No. 08 / 158,102. Application for the present invention No. 08 / 118,490 and 08 / 158,102 patent application contents Please refer to. The light emitting structure 306 including the black matrix is formed on the face plate 302 and the spacer. It is provided between the user and the wall 308. The light emitting structure 306 includes a light emitting region 313, And substantially It consists of dark ridges 314 that do not reflect light and have the same shape. First 4C shows the light emitting structure 306 viewed from the direction represented by the arrow D in FIG. 4A. It is a drawing of the layout. The light emitting region 313 and the dark raised portion 314 are both formed on the face plate 302. Located on the inner surface. The light emitting area 313 is disposed between the dark raised portions 314. It is placed (the opposite can be said). Electrons are emitted to the region 313 and the raised portion 314. When the electrons emitted from the output element 309 collide, the light emitting region 313 is changed to various regions. Emits color. The dark ridge portion 314 substantially emits light as compared with the light emitting region 313. Instead, the black matrix for the region 313 is formed. More specifically, the light emitting regions 313 are formed in the gate lines 31 at equal intervals in parallel with each other. Fluorescent light that extends in the same direction as 1 and is provided in the shape of a linear stripe with the same width. It consists of a body. Each phosphor stripe 313 typically has a width of 80 μm. The thickness (or height) of the phosphor stripe 313 is 1 μm to 30 μm, which is typical. Is 25 μm. The phosphor stripes 313 are stripes of substantially the same shape that emit red (R) light. Leip 313r and a plurality of struts of substantially the same shape which emit green (G) light. Ep 313g and a plurality of substantially the same shape strikes that emit blue (B) light. 313b. Phosphor stripes 313r, 313g, and 31 3b is shown in FIG. Thus, the three kinds of stripes 313 are provided in a repeating form. Each phosphor stra The ips 313 are arranged so as to extend across the corresponding one of the gate lines 311. ing. As a result, the distance between the center lines of the stripes 313 is the same as that of the gate lines 311. Will be equal to this. The dark raised portions 314 are also parallel to each other and are equally spaced apart from the gate lines 311. Extending in the direction. The spacing between the center lines of the raised portions 314 is also the same as the line 3 It is equal to that of 11. The ratio of the average height to the average width of each dark ridge is 0.5- It is in the range of 3, typically 2. The average width of the raised portion 314 is 10 μm to 50 μm, typically 25 μm. The height of the raised portion 314 is 20 μm ˜60 μm, typically 50 μm. The average height of the dark raised portion 314 is equal to the thickness of the phosphor stripe 311 (or The height is at least 2 μm larger. The typical case described above On the other hand, the raised portions 314 are raised by 25 μm higher than the stripes 313. Obedience Thus, the raised portion 314 is less than the stripe 313 from the face plate 302. It has a more raised shape. Each raised portion 314 is dark, occupying at least a portion of its width and height. It contains non-reflective areas (which are virtually black). FIG. 4A shows these dark non-reflective areas. Occupies the entire height of the raised portion 314. Figure after this , The dark non-reflective area occupies only a part of the height of the ridge. Illustrated. The choice of materials for the dark ridge 314 is wide. The raised portion 314 is made of nickel or black. It can be formed from metals such as aluminum, robium, gold, and nickel-iron alloys. . The raised portion 314 is made of glass, soda glass (or frit), or ceramic. , And electrical insulators such as glass ceramics, semiconductors such as silicon and charcoal. It is also formed by a material such as silicon oxide. Mixtures of these materials also bulge It can be used as a material for the portion 314. If the raised portion 314 is made of metal, it has a temperature in the range of 300 ° C to 600 ° C. Soft enough at temperature to allow objects such as spacer walls 308 to be pushed in slightly. it can. When the raised portion 314 is made of soda glass, it is similarly 300 ° C to 5 ° C. It softens at temperatures in the range of 00 ° C. If the material of the raised portion is glass, the raised portion 31 4 softens at a temperature in the range of 500 ° C to 700 ° C. As shown in FIG. 4B, the light reflection layer 315 has a phosphor stripe 313 and a dark stripe. It is arranged on the raised portion 314. The thickness of layer 315 is small enough that The type is 50 nm to 100 nm, and electrons emitted from the electron-emitting device 309. Almost all pass through layer 315 to the layer below it with little energy loss. I'm supposed to hit. The surface of the light reflection layer 315 adjacent to the phosphor stripe 313. The surface part is very smooth. Layer 315 is metal, preferably aluminum Made of Ni. As a result, one of the light emitted from the stripe 313 is The part is reflected by the layer 315 and passes through the face plate 302. Ie layer 3 Reference numeral 15 is basically a reflecting mirror. Layer 315 is the final anode of the display It also performs all the functions. Stripe 313 is in contact with layer 315, so The ground voltage is applied to stripe 313. The spacer wall 308 is in contact with the light reflection layer 315 on the anode side of the display. . The dark raised portion 314 is closer to the back plate 303 than the phosphor stripe 313. Once further raised, the wall 308 is raised 314 in the layer 315. Touches the part along the top (or bottom in the direction shown in FIG. 4A) of the ing. The extra ridge of the raised portion 314 causes the wall 308 to illuminate. The part of the reflecting layer 315 along the phosphor stripe 313 is not touched. There is. On the cathode side of the display, the spacer wall 308 is as shown in Figure 4A. And is in contact with the gate line 311. In another form, wall 308 is a line You may touch the focusing ridges that extend above 311 and this Filed on January 31, 1994 by Spindt et al. In “Field Emitter with US Patent Application No. 0 entitled "Focusing Ridges Located to Sides of Gate" 8/18 No. 8,855, the contents of which are referred to here. Wall 308 It can be produced by conventional methods or the methods described herein. The air pressure on the display from the outside is usually atmospheric pressure, that is, with 760 torr It is close. The pressure inside the display is usually 10^-7Set to a value smaller than torr It is fixed. This is much smaller than normal atmospheric pressure, so a large pressure difference Will always be applied to the plates 302 and 303. Spacer wall 3 08 provides resistance to this pressure. The phosphor stripes 313 can be easily damaged by mechanical contact. It Since the dark raised portion 314 is raised further, the light reflecting layer 315 is striking. The wall 308 is separated from the wall 308 because the wall 308 is separated from the wall 308. It has a shape that does not directly exert its resistance on the 313. Stripe 313 The risk of being damaged due to the resistance of the Greatly reduced. The display is further divided into row and column arrays of pixels. Typical pixel The boundaries of the region 316 are indicated by the arrows in Figure 4A and in Figures 4B and 4C. It is shown with a dotted line. Each emitter line 310 is a row for one of the rows of pixels. Will be the electrode of. 4A, 4B, and 4C for ease of illustration. In addition, there is only one row of pixels, A pair of adjacent spacer walls 308 (partially overlapping along the lateral side of the pixel). It is shown in the form provided between the two. But generally, two or more Rows of pixels, typically 24-100 rows of pixels, are in each adjacent pair. It is provided between the walls 308. Each pixel column has three gate lines 311 and the three are (a) one Red, (b) second is green, and (c) third is blue. Similarly, for each pixel Each column includes one phosphor stripe 313r, one phosphor stripe 313g, and one phosphor stripe 313b. Will be. Each pixel column uses four dark ridges 314. Ridge Two of 314 are inside a column of pixels and the other two are co-located with columns of adjacent pixels. Have. As a result, the light reflection layer 315 and the phosphor stripe 313 are different from each other in potential of the emitter electrode. The positive potential difference of 1,500 V to 10,000 V is maintained. Electronic release One of the pair of output elements 309 is suitable for the emitter line 310 and the gate line 311. If it is properly excited by a properly adjusted potential, the elements that make up the set 309 emits electrons, which are the target of the phosphor of the corresponding stripe 313. It is accelerated toward the part to do. In Figure 4A, one of these electron groups has moved. Trajectory 317 is illustrated. Target firefly of corresponding stripe 313 These phosphors cause a fourth emission due to the emitted electrons when they collide with a light body. It emits light as represented by 318 in FIG. Some of the electrons may collide with other parts of the light emitting structure instead of the targeted phosphor. There is a certain amount of. The tolerance for electron collisions to points other than the target point is That is, the transverse direction (that is, the direction along the row) is smaller than the direction along the column. However, this is because each element contains three different stripes of phosphor 313. is there. The black matrix formed by the dark raised portions 314 is Compensate for collisions of electrons off the target point, and sharp contrast with high color purity To provide FIG. 4D shows a sectional view of the entire CRT of FIG. 4A. Electrically insulating The outer wall 304 of the plate is provided outside the active area of the plates 302 and 303. And forms a closed case 301. The outer wall 304 is a square Consisting of four walls arranged in a rectangular shape, typically 2 mm to 3 mm thick It is made of glass or ceramic. As shown in Figure 4D, the space Generally, the support wall 308 is provided up to a region near the outer wall 304. Shi However, the spacer wall 308 may be provided in contact with the outer wall 304. The back plate 303 extends laterally opposite the face plate 302. It extends in shape. Connected to the emitter line 310 and the gate line 311 An electronic circuit system (not shown) such as a lead is provided on the back plate 303. It is attached to the outer portion of the outer wall 304 on the face plate side surface. The light-reflecting layer 315 extends through the surrounding hermetically sealed portion and is subject to an anode / phosphor voltage. Connected to the connection pad 319. FIG. 4E is a light emitting black matrix in the CRT display of FIG. 4A. FIG. For illustration purposes, the dark raised portion 31 in FIG. 4E is shown. 4 is illustrated as having a main dark portion 314a and a light emitting portion 314b. . The dark portion 314a is between the face plate 302 and the light emitting portion 314b, It extends over the entire raised portion 314 of FIG. 4E. The light emitting portion 314b is Can be made of transparent material. In FIG. 4E, the phosphor 313 and aluminum Even if the surface portion of the phosphor along the boundary between the light reflection layers 315 is rough. , On the surface of the aluminum light-reflecting layer 315, between the phosphor 313 and the layer 315. It also shows that the part along the part is smooth. FIG. 7A shows a flat panel display 70 according to one embodiment of the invention. FIG. 3 is a simplified cross-sectional view of a portion of 0, a field emitter cathode (FEC) structure In a flat panel display 700 having an anode spacer wall 70 8 illustrates that 8 is used. The FEC structure is a traverse formed on an electrically insulating back plate 703. An electrode 710 is included. Insulator 712 (made of electrically insulating material ) Is back It is formed on the plate 703 and covers the transverse electrodes 710. The insulator 712 has a horizontal A hole 712a communicating with the row electrode 710 is provided. The emitter 709 has a hole 71 It is formed on the transverse electrode 710 in 2a. The emitter 709 is conical, and the emitter is The top end 709a of 709 extends just to the same level as the top surface of insulator 712. It It will be appreciated that other types of emitters can be used. Column electrode 71 1 is provided around the hole 712a of the insulator 712 and partially covers the hole 712a. And the distance between the emitter upper end 709a and the column electrode is predetermined. It is large. The column electrodes 711 and the emitter upper end portion 709a are located on the face plate 702. Separated by space. Between the FEC structure and the faceplate 702 The space is hermetically sealed and is in a vacuum state, ie about 10^-7kept below torr . Phosphor 713 is on the surface of faceplate 702 facing the FEC structure. It is provided in. Emitter 709 is excited and emits electrons 714, which The child is accelerated in the space and collides with the phosphor 713 on the face plate 702. It When the electron 714 collides with the phosphor 713, the phosphor 713 emits light, and the light is It can be seen through the face plate 702. The anode spacer wall 708 extends from the column electrode 711 to extend to the face plate 7 02, flat panel display The force generated by the pressure difference between the vacuum state inside Play 700 and the outside atmospheric pressure The face plate 702 is supported to oppose it. In the example above, the spacers are the fluorescent material on the cathode and faceplate. It must not interfere with the electron trajectories to and from the body coating. Therefore, the spacer itself is The electrons are attracted or repelled with a load, and the electron's orbit is moved beyond the allowable range. The spacer wall must be of sufficient electrical conductivity to prevent distortion. I have to. In addition to this, a large current flows from the high-voltage phosphor and a large power The spacer is sufficiently electrically insulating so that the loss of Must. The spacer is an electrically insulative material, on top of which electrically conductive It is preferably made from a thin coating of the material. FIG. 9A shows a coating 9 formed on a spacer wall 908 according to an embodiment of the invention. 9b- of FIG. 9B showing a portion of a flat panel display 900 including 04. 9b is a simplified cross-sectional view taken at 9b. FIG. Figure 9B shows a flat panel display. FIG. 9A is a simplified cross-sectional view taken along line 9a-9a of FIG. 9A, showing a portion of a 900. It The flat panel display 7900 includes a face plate 902 and a back plate. Rate 903 and sidewalls (not shown), which are vacuum inside, 1 × 10^-7It forms a sealed case 901 kept below torr. Focusing ribs (or focusing ridges) 902 are back plates Provided on the inner surface of 903, which is perpendicular to the plane of FIG. 9A. . Details on the use and construction of converging ribs in flat panel displays Are described in US patent application Ser. No. 08 / 188,855 to Spindt et al., Cited above. Has been done. In the concave portion formed between each pair of converging ribs 912, A field emitter 909 is formed on the inner surface of the back plate 903. Electric field d The mitter 909 is formed into approximately 1,000 groups. FIG. 9A and FIG. Although not shown in FIG. 9B, it is similar to the emitter line 310 of the embodiment of FIG. 4A. The pattern of the emitter electrode line of the shape is the field emitter 909 and the back plate 9 It is provided between 03. Also not shown in the figure, of the embodiment of FIG. 4A The pattern of the gate electrode line similar to the gate line 311 is also the same as that of the field emitter. It is provided above. The matrix of the dark raised portions 911 corresponds to the face plate 90 inside the case 901. 2 and is described in detail above with respect to FIGS. 4A-4E. It is Ri. The phosphor 913 partially fills each concave portion between the raised portions 911. Is formed. Anode 914 is an electrical conductor such as thin aluminum Quality and formed on the phosphor 913. The spacer wall 908 is attached to the back plate 903. The base plate 902 is supported. On the surface between the ends of each spacer wall 908 Has a resistive coating 904 or is doped. This is discussed in more detail below. The resistive coating 904 allows the space The flow of electrons 915 is minimized by minimizing or preventing charges from being charged on the wall 908. I try not to distort. One end of each spacer wall 908 contacts a plurality of raised portions 911 and has a metallized edge. 905 is provided. The opposite end of the spacer wall 908 has a plurality of converging ribs. A metallized edge 906 is provided that contacts 912. Metal coated edge 905 And 906 are made of aluminum or nickel, for example. Metal coating Between the cover 904 and the faceplate 902 by means of the wedges 905 and 906. , Or good electrical connection between the coating 904 and the converging ribs 912, This preferably defines the voltage across the spacer wall 904 and ensures a uniform resistance. The connection is made. Between spacer wall 908, coating 904 and metallized edge 905 Various forms can be adopted for the boundary portion of the, but this will be described in detail below. Describe. Electrodes 917 are coated (or doped) on each spacer wall 908. Formed on the surface) and rises from the emitter 909 to the anode 914. Used to "subdivide" the position. In another embodiment of the invention, spacer wall 908 is electrically charged. It is formed without the pole 917. Each group of field emitters 909 causes electrons 915 to enter the faceplate 902. It is emitted toward the surface of the part. As part of the flat panel display 900 A path system (not shown) is formed, which can be connected on an IC chip, for example. It is provided on the outer surface of the back plate 903 and is used to control the potential of the electrode 917. Can be The potential of each electrode 917 is a high voltage from the field emitter 909 to the anode 914. It is generally set so that the potential rises linearly up to. Therefore, electronic 915 is accelerated toward the face plate 902 and collides with the phosphor 913. The light emitted from the flat panel display 900 is generated. For optimal convergence, the required equipotential lines on the surface of FIG. Draw a curved line in the vicinity of the It is in the form of entering a space. However, the presence of the spacer wall 909 immediately determines its position. (C) It affects the equipotential lines at the bottom of the linear shape of the spacer wall 909. According to the present invention, the electrode 917 can be provided near the bottom of the spacer wall 909. Then, an electric field having a desired curved equipotential line can be formed. FIG. 10 shows the voltage as the vertical axis and the distance 907 from the field emitter 909 (FIG. 9B). ) Is the graph with the horizontal axis. The anode 914 is a distance from the field emitter 909. 916 apart And a potential higher than that of the field emitter 909 (HV level in FIG. 10). Represented) is maintained. The electric field energy away from the spacer wall 908 For a group of mitters 909, eg field emitters 909b, spacer walls 908 does not interfere with the electron flow 915 from the field emitter 909, and The change in potential from the field emitter 909 to the anode 914 is as shown in FIG. It is almost linear. The change in potential between the field emitter 909 and the anode 914 is dependent on each spacer wall 90. It is necessary to be linear even in the vicinity of 8, which distorts the electron flow. (That is, the deterioration of the image quality can be prevented). But the field emitter A field emitter 90 provided near one of the spacer walls 908, such as 909a. In one group, field spacers 90 are formed by adjacent spacer walls 908. The electron stream 915 from 9 can be interfered with. Electric field emitter 909a The floating electrons 915 emitted from The electric charge is accumulated on the sensor wall 908. The electron density impinging on the spacer wall 908 If the degree is (current density j) given, the electric charge accumulated on the surface of the spacer wall 908 is The amount of load is equal to j · (1-δ). When δ ≠ 1, the charge accumulation causes space The surface potential of the spacer wall 908 deviates from the desired potential, and the spacer wall 90 The electron flow from 8 is not zero. Space When the electric conductivity of the sensor wall 908 is low, the potential difference is near the spacer wall 908. This will distort the electron flow and reduce the image quality of the display. Generally speaking, the desired potential (field emitter) near the spacer wall 908. 909) to the anode 914). The deviation of the potential of is given by the following equation. ΔV = ρ_s・ {X ・ (x-d) / 2} ・ j ・ (1-δ) (1) here, ΔV = Change in voltage (V) ρ_s = Spacer wall surface resistance (Ω / □) x = distance from the nearest electrode, 0 <x <d (cm) d = distance between electrodes (cm) j = current density (A) flowing on the surface of the spacer wall δ = secondary electron emission ratio (dimensionless) Is. In the above equation, the current density j strikes the spacer wall 908 uniformly, Sheet resistance ρ of pacer wall 908_sAre assumed to be uniform. More accurately say For example, equation (1) shows that the magnitude of the current at the current density j is on the spacer wall 908. Position dependent, that the secondary electron emission ratio δ is at that position on the spacer wall 908. It explains that it depends on the exact electric potential in. As seen in equation (1), the potential deviation ΔV is the midpoint between the two electrodes 917. ΔV is the maximum (ie, the maximum value is {x · (x−d) / 2}) Proportional to the square of the distance from. For this reason, the space can be added by adding more electrodes. Surface 908 to minimize potential shifts, thereby reducing face plate 902 Distortion of the flow of electrons 915 toward it can be minimized. Width w Add n poles to spacer wall 908 with height h to add flat panel display. Although the power consumption of B 900 is reduced, the power ratio is given by the following equation. P_NEW/ P_OLD= (D-nw) / {d · (n + 1)²} (2) For example, a spacer having a height h of 100 mil and four electrodes having a width of 4 mil When added to wall 908, given ΔV_maxPower to²R loss is about 30 minutes It will be about 1. Due to this more efficient charge discharge, the surface resistance ρ_sThe value of increased power consumption You can save a lot. Another advantage is that the electrode 917 is slightly exposed If it is provided in a rectangular shape, the electric charge is mostly blocked by the electrode 917, It prevents charges from colliding with high-resistance parts that are kept out of sight. And. However, the manufacture of the display 900 with each added electrode 917 The cost increases. Included in flat panel display 900 The number of electrodes 917 to be selected is selected in consideration of the trade-off relationship between the elements described below. To be done. A further reading from equation (1) is that for a given number of electrodes 917, the surface resistance is Anti-ρ_sThe deviation ΔV of the electric potential also decreases as the value decreases, and the secondary electron emission ratio δ approaches 1. That is to say. Therefore, the surface of the spacer wall 908 has a low surface resistance ρ._sAnd 1 It is desirable to have a secondary electron emission ratio δ close to. Secondary electron emission ratio δ Has a lower bound of 0 and can be very high if it rises, so As for the secondary electron emission ratio, choose a material with a low secondary electron emission ratio δ. Can be said to be desirable. FIG. 11 is a graph in which the vertical axis represents the secondary electron emission ratio and the horizontal axis represents the voltage. The characteristics of two substances, that is, substances 1101 and 1102, are shown. Substance 11 For high resistivity materials such as 01, energy is 100V in most cases To 10,000 V, the secondary electron emission ratio is greater than 1 (often greater than 1). (Much larger value), and the surface will have a positive charge. Anode 914 Maintains a positive potential difference of 1,500V to 10,000V with respect to the emitter 909. Generally, this is the anode 315 and the emitter shown in FIG. 4A. 309 is the same as described above. Further, as described above, the spacer wall 90 8 is preferably made of a material that is electrically insulating (ie has a high resistivity) ing. Therefore, the spacer wall 9 08 is typically positively charged (and often large) , Weakens the flow of electrons 917 from the emitter 909. However, the substance 1102 does not reach the potential range of the flat panel display 900. In this case, the secondary electron emission ratio δ is maintained at about 1. Potential deviation ΔV becomes 1-δ If the surface of the spacer wall 908 is made of the substance 1102, it changes proportionally. In this case, almost no charge (both positive and negative) is accumulated on the surface of the spacer wall 908. . As a result, the presence of spacer wall 908 causes the presence of field emitter 909 and anode 914. Has almost no effect on the potential difference between the Distorting the flow of electrons 915 due to is minimized. According to the present invention, the spacer wall 9 provided so as to face the inside 901 of the case. The surface of No. 08 has the characteristic of the secondary electron emission ratio δ which is very similar to the material 1102 of FIG. It is processed with the material. In addition, this surface compares to the large resistance of the spacer wall 908. The surface of the spacer wall 908 is treated so that the surface has a low resistance value. In order to easily flow from the face plate 902 to the back plate 903 And its resistance is equal to that of the current from the high voltage phosphor on the faceplate 902. It is not so low that the flow becomes large and the power loss becomes large. In one embodiment of the invention, spacer wall 908 is a It is made of Lamic, and the coating 904 has a secondary electron emission ratio δ smaller than 4 and a surface resistance ρ._sBut 10⁹And 10¹⁴Made by materials that are between Ω / □. Yet another embodiment , The material used for coating 904 is_sIs as described above, The electron emission ratio δ is smaller than 2. The coating 904 in this example is an example. For example, chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide, vanadium oxide or these It is formed by using a mixture of the above. In yet another embodiment, coating 90 4 is made of chromium oxide. The thickness of the coating 904 is 0.05 μm and 20 μm Between. In another embodiment of the invention, the coating 904 has a size of the secondary electron emission ratio δ. The surface resistance ρ_sIs 10⁹From 10¹⁴Depending on the material that is Ω / □ A first coating on the spacer wall 908 thus formed. And the first coating Above, the secondary electron emission ratio δ is less than 4 in one embodiment, and A second coating is formed that is less than 2. As the material of the first coating For example, titanium chrome oxide, silicon oxide, or silicon nitride can be used. Examples of the material for the second coating include chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide, and acid. Vanadium iodide or a mixture of these materials. Overall thickness of coating 904 The gap is between 0.05 μm and 20 μm. In yet another embodiment of the present invention, spacer wall 908 is doped on its surface. Surface resistance ρ_sIs 10⁹From 1 0¹⁴Ω / □, and the secondary electron emission ratio δ is 4 in one embodiment. A coating 904 that is smaller than 2 and smaller than 2 in another embodiment. . As the dopant, for example, titanium, iron, manganese, or chromium is used. Can be used. The coating 904 may be, for example, chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide, or Or vanadium oxide, a mixture of these materials, and the like. In one embodiment The coating 904 is chromium oxide and its thickness is between 0.05 μm and 20 μm. It In another embodiment, spacer wall 908 has a surface resistance of 10 on its surface.⁹ And 10¹⁴Concentrated doping is performed as much as possible between Ω / □. As a dopant For example, titanium, iron, manganese, or chromium can be used. In another embodiment of the invention, spacer wall 908 is partially electrically conductive ceramic. Made of glass or glass-ceramic material. The coating 904 described above is formed on the spacer wall 908 by any suitable method. Be done. For example, coating 904 may be a well-known technique such as thermal or plasma enhanced. For chemical vapor deposition, sputtering, evaporation, screen printing, spin coating machines It can be formed by application, spraying or dipping. What kind Even if the method is used, the surface resistance uniformity should be within ± 2%. It is desirable to form 04. To this end, a coating 904 is formed In general, the thickness is controlled within a specific error range. Another method for forming a coating on the spacer surface is to use a first ceramic layer. It is possible to utilize the materials contained in It can be made to have some electrical conductivity in the processing. In the above example, the charge on the surface of the spacer wall is minimized or The treatment of the spacer wall to prevent it has been described. Spacer structure, example For example, in the embodiment of the present invention having the spacer groove structure 608 (FIG. 6), The surface of the opening where electrons flow in the structure is treated as described above, and the surface is charged. It minimizes or keeps from taking on. 12A to 12D are cross-sectional views illustrating a boundary portion between spacer walls. Thus, resistive coatings, metallized edges, converging ribs according to various embodiments of the invention. It is shown. The coating of each example was previously described with respect to Figures 9A and 9B. It is one of the coatings. In each example, the boundary between the metal coating edge and the resistive coating The minute is precisely shaped, but it has a linear shape and is Since it has a fixed height, it is parallel to the back plate At the base along, a straight equipotential line is defined. Examples of the present invention described below An example metal corrugated edge is used in forming the resistive coating 904 described above. By the technique used, it is formed on the edge portion of the surface of the spacer wall. In FIG. 12A, the resistive coating 1204 is a side surface 120 of the spacer wall 1208. It is formed on 8a. Since the coating 1204 is formed on the side surface 1208, the coating 1 204 does not extend beyond the end of the side surface 1208a. Metal coated ed Di 1206 is formed on the end face 1208b of the spacer wall 1208 and is therefore made of metal. The coating edge 1206 does not extend beyond the coating 1204. In FIG. 12B, the resistive coating 1214 is a side surface 121 of the spacer wall 1218. 8a and the end face 1218 to cover the entire spacer wall 1218. metal The covering edge 1206 is formed on the end surface 1218b of the spacer wall 1218. Formed to contact a portion of the shroud 1214, the metallized edge 1206 includes a shroud 1 It does not extend beyond the end face of 204. In FIG. 12C, the resistive coating 1214 is the side surface 12 of the spacer wall 1218. 18a and end face 1218b to cover the entire spacer wall 1218. Money A metal coating edge 1216 is formed on the end face 1218b of the spacer wall 1218. Formed by contacting a portion of the coating 1214, the metal coating 1216 is then covered. Overlapping the shroud 1214, the correctly defined height at the corners of the shroud 1214. It is provided so as to extend up to that point. In FIG. 12D, the resistive coating 1204 is similar to the spacer wall 1 in FIG. 12A. Formed on side surface 1208a of 208, with coating 1204 on side surface 1208. Does not extend beyond the end of the. The metallized edge 1216 is a spacer In contact with a portion of the coating 1204 formed on the end face 1208 of the wall 1208 Formed, the metal coating 1216 then overlaps the coating 1204 and the coating 120 It is provided so as to extend to a correctly defined height at the corners of No. 4. As described above, the surface of the spacer wall 908 exposed inside the case 901. The electrodes 917 are provided on the upper side with a space. The voltage at these electrodes 917 The position is set by the voltage dividing means. The voltage dividing means is a coating 904 or a resistive strike. Either of the lips, outside the active area of the display 900 , Connected to electrically conductive traces extending from each electrode 917. On each electrode 917 To obtain the desired voltage at that point, raise the resistance at that position as needed. To remove material at selected locations of the voltage dividing means, i.e. You can do "rimming". For trimming, for example, It is carried out by removing with a laser. Alternatively selected Can also be done by removing material from one of the electrically conductive traces , It extends to electrodes 917 inside the case, eg outside the case 901. Similar traces by shortening the length of one or more traces The effect of can be obtained. Figures 13A to 13H (collectively Figure 13), Figures 14A to 14J (collection FIG. 14), FIGS. 15A to 15J (collectively FIG. 15), and FIG. Figures A through 16J (collectively Figure 16) show the display of the CRT display of Figure 4A. 4 illustrates four basic processing sequences for manufacturing an optical structure. To facilitate the description of this processing, thirteenth, fourteenth, fifteenth and sixteenth The orientation in the figure is opposite to that in FIG. 4A. For the following processing In the description of FIG. This applies to the orientation shown in FIG. Starting from the processing sequence shown in FIG. 13, the start point is the face. The plate 302. The inner surface of the face plate 302 (ie Face plate side), roughened and black as shown in FIG. 13A. The reflectivity of the material forming the matrix is reduced. The process of roughening this surface is Chemical etchants such as hydrofluoric acid solution or halogen-based plasm It is generally carried out using a masking agent. The soda glass slurry 321 capable of forming the dark non-reflective frit is Screen over the upper surface of the faceplate 302 as shown in FIG. 13B. Deposited as To be made. Slurry 321 at 400 ° C. to 450 ° C. for 1 minute to 120 minutes It is converted into a hardened soda glass layer 322 by firing (ie, heating). Figure 13C Please refer to. To become the dark raised portion 314 of the soda glass layer 322 The area between the areas where the By chemical or plasma etching (not shown) Are removed by ablation with a suitably programmed laser. 13th In the figure, the remaining portion of the soda glass layer 322 is raised by the processing so far. A portion 314 is shown. As depicted in FIG. 13E, phosphor stripes 313r, 313g, and And 313b between the dark ridges 314 on the upper surface of the faceplate 302. It is formed. More specifically, it emits light in one of the three colors red, green, and blue, The slurry of the polymer, the photosynthetic agent, and the phosphor particles is stored in the face plate 302. Located on the upper surface. Arrangement or placement of phosphor particles of one of these colors A portion of the slurry at the site where Cured by exposure to actinic radiation, using a strike mask (not shown) To be done. The rest of the slurry is drained off and the structure is rinsed. This work Repeat for each of the remaining phosphor particles that emit light of two colors. To be done. The structure is dried Thus, the formation of the phosphor stripe 313 is completed. A layer of lacquer 323 is sprayed onto phosphor 313 and raised portion 314. Is made. The upper surface of the lacquer layer 323 has a smooth surface as shown in FIG. 13F. Of. Aluminum is vapor-deposited on the lacquer layer 323, and the light reflection layer 315 is formed. It is formed. See Figure 13G. Next, the structure is about 450 ° C. for 60 minutes The lacquer 323 may be burned by being heated in an atmosphere partially containing oxygen for a period of time. Removed by. Figure 14H shows the completed structure. Lacquer layer 3 23 had a smooth upper surface, resulting in a light-reflective aluminum layer 31. 5 will also have a smooth lower surface. Moving to FIG. 14, the starting point here is still the face plate 302. The surface is rough. See Figure 15A. Dark non-reflective metal Layer 325 on the upper surface of face plate 302 as shown in FIG. 14B. Is placed. The metal layer 325 is black chrome with a thickness of 50 nm to 200 nm. Or it is generally made of niobium. A thick photoresist layer 326 overlies the metal layer 325 as shown in Figure 14C. It is formed. The photoresist layer 326 is, for example, Morton EL2026. It consists of such a positive photoresist. The thickness of the photoresist layer is 25 μm to 7 5 μm, typically 50 μm. F Photoresist 326 is selectively exposed to actinic radiation to expose raised portion 314. Is processed to form a groove 327 having a substantially desired width. The width of the groove is from 10 μm 50 μm, typically 25 μm. Referring to FIG. 14D, there 326a is shown as the remainder of photoresist 326. The groove 327 is selectively left completely or almost completely filled with metal, and A raised metal portion 314d is formed as shown in FIG. 4E. Selective filling is electrified It is performed by a chemical precipitation treatment (electroplating). The metal raised portion 314d is black Alternatively, it may be made of a non-lustrous metal. The metal of the raised part is chrome Generally, a nickel-iron alloy or the like is used. The photoresist mask 326a is And removed to form a structure as shown in FIG. 14F. Using the metal raised portion 314d as a mask, the exposed portion of the dark metal layer 324 is To be removed. What is shown in Fig. 14G is the result of the processing so far. In the structure described above, the dark raised portion 314e is the remaining portion of the metal layer 325. Is. Each dark raised portion 314e and the upper raised portion 314d are dark raised portions. One of the 314 is configured. The phosphor stripes 313 and the light reflection layer 315 are formed on the upper surface together with the processing shown in FIG. It was formed here by the method described in. Figure 14H shows stripes 313 Shows the formation of Layer 315 disposed on lacquer layer 323 Is shown in FIG. FIG. 14J shows that the lacquer layer 323 was burned. Figure 3 shows the completed light emitting structure after being removed by the above method. The starting point of the processing sequence of FIG. 15 is a transparent, electrically insulating, flat book. Body (or plate) 329, which typically has a generally uniform composition Made of glass with. Please see Figure 15A. Sandblast mass A patterned layer 330 made of a material having a hump-like effect is shown in Figure 15B. Formed on the upper surface of transparent body 329 as shown. The mask layer 330 is a sun By providing a blanket of deblast mask material on the body 329. And then mask edging the exposed portion of the surface of the body 329. By doing so, a part of the coating layer is selectively removed. Remove the exposed part through the mask 330 of the transparent body 329 to a specific depth To do so, selective removal is performed. FIG. 15C shows the rest of the body 329. From the face plate 302 and the upper raised pattern 314f It is a diagram illustrating a structure completed as a result of the processing process up to this point. Excluding The removal process is done by sandblasting. While performing sandblasting The mask 330 is corroded and removed. When sandblasting is over If mask 330 remains, the remaining mask 330 is shown in Figure 15D. To be removed. A layer 331 made of dark colored material is provided on the upper surface of the structure. It is lean. See Figure 15E. The dark material is dark glass Is made of dark metal. The photoresist mask 332 is shown in FIG. 15F. Generally, it is formed on the dark colored layer 331 directly above the raised portion 314f. It In order to avoid mask misalignment, photoresist mask 332 is It is generally made using a reticle, and this reticle is a negative For sandblasting mask 330 for geist or positive photoresist It is used when making negative masks. The dark raised portion 314g is raised by removing the exposed portion of the dark layer 331. Each is formed on the raised portion 314f. FIG. 15G shows the photoresist 33. 2 illustrates the structure after removal of 2. Each raised portion 314g and lower layer The egg-shaped raised portion 314f constitutes one of the dark raised portions 314. The light emitting structure is completed by the processing shown in FIG. 14 by the method as described above. Special In addition, the phosphor stripes 313 are formed between the raised portions 314 as shown in FIG. 15H. It is formed. FIG. 151 shows that a light reflecting layer 315 is formed on the lacquer 323. It is shown that. Complete structure after burning and removing lacquer 323 Are shown in FIG. 15J. By means of one of the previously mentioned processing steps shown in FIGS. After manufacturing the illustrated CRT cathode structure, the spacer wall 308 and outer wall 304 are Properly located between the cathode structure and the light emitting black matrix structure, The display parts are pumped to 10 bar.^-7Small room lowered below torr Can be put in. The display is then 300 ° C to 600 ° C, typically 450 Sealed at ℃. The dark raised portion 314 has a temperature in the range of 300 ° C. to 700 ° C. (this temperature The degree of protrusion depends on whether the material of the raised portion is metal, soda glass, or glass. Maru ) Softens. The temperature at which the ridge softens will seal the display. Generally, the temperature is selected to be approximately the same as or slightly lower than the temperature. this As a result, the spacer wall 308 slightly digs into the raised portion 314 during the sealing process. become. This compensates for height differences between walls 308. If the temperature to soften the ridge is higher than the temperature to seal the display, , Soften the dark ridges 314 just before sealing the CRT display I can do it. In this case, the spacer wall 308 is again raised during the sealing process. 4 slightly penetrates and compensates for the difference in height of the spacer wall. Although particular embodiments of the present invention have been described, this description is merely illustrated here. Claims that are based on The scope of the invention described in 1) is not limited to this. For example, the processing process shown in FIG. The dark ridges 314 in the processing sequence are transparent at the beginning of the processing sequence. A layer of dark material is provided on the top of the body, followed by the upper portion 314g of the raised portion The dark part is moved from the top of the ridge to the bottom by omitting the process of It can be done. The additional dark parallel non-reflective ridges are Formed on the rate 302 and shaped to extend perpendicular to the raised portion 314. . The phosphor stripe 313 is also made of a thin phosphor thin film instead of the phosphor particles. Can be built. In addition, the light emitting region 313 is a phosphor (in this case, particles or thin film). The shape does not matter. It can also be formed by an element other than). The transparent anode placed in the immediate vicinity of the face plate 302 is a light reflection layer. 315 can be used in place of, or in conjunction with. Like this The node consists of a layer of transparent electrically conductive material such as indium-tin oxide. It is common. Provided adjacent to face plate 302, if present The transparent anode constitutes the main body of the light-emitting black matrix structure. . Thus, one of ordinary skill in the art without departing from the scope and spirit of the invention as claimed. Could have various modifications.The scope of the claims 1. A flat panel device, A face plate, Back play that joins to the face plate to form a closed case And Light emitting means from the flat panel device, The backplane treated to minimize or prevent the surface from becoming charged. The force applied to the seat and the face plate in the direction toward the inside of the case. A spacer installed inside the case to provide support for the The spacer provided between the back plate and the end surface of the spacer. And a metallized edge that makes an electrical connection with an electrical conductor on the back plate A flat panel device characterized in that 2. The surface of the spacer has a secondary electron emission ratio of less than 4 and a sheet resistance of 10⁹Ω / □ and 10¹⁴Coated with a material whose size is between Ω / □ The device according to claim 1, characterized in that 3. The material of the coating is chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide and vanadium oxide. Device according to claim 2, characterized in that it is selected from um. 4. The method according to claim 2, wherein the coating is made of chromium oxide. apparatus. 5. The thickness of the clothing is between 0.05 μm and 20 μm An apparatus according to claim 2 as such. 6. The surface resistance of the spacer is 10⁹Ω / □ and 10¹⁴Between Ω / □ A first coating made of material, Made on the first coating with a material having a secondary electron emission ratio of less than 4 The device of claim 1 further comprising a second coating. 7. The total thickness of the first and second coatings is between 0.05 μm and 20 μm 7. The device according to claim 6, characterized in that 8. The surface resistance of the spacer surface is 10⁹Ω / □ and 10¹⁴Between Ω / □ The device of claim 1, wherein the device is doped to 9. 9. The method according to claim 8, wherein the doping dopant is titanium. On-board equipment. 10. The secondary electron emission ratio is less than 4 on the doped spacer surface. A device according to claim 1, characterized in that it is coated with a sealing material. 11. The coating is chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide and vanadium oxide. 11. Device according to claim 10, characterized in that it is made of a material selected from . 12. 11. The method according to claim 10, wherein the coating is made of chromium oxide. On-board equipment. 13. The uniformity of the sheet resistance on the surface of the spacer depends on the specific nominal resistance value of 2 Characterized by being maintained within% The device according to claim 1. 14. The device of claim 1, wherein the spacer comprises a spacer wall. . 15. The spacer includes a spacer structure provided with a plurality of spacer structure holes. The device according to claim 1, characterized in that 16. An addressing grid having a plurality of holes, each having a plurality of spacer structures The holes in the body are the holes in the addressing grid or the glue in the holes in the addressing grid. Further comprising the addressing grid, which is aligned with the Item 16. The apparatus according to Item 15. 17． Near the boundary between the spacer and the electrical conductor on the back plate, An electrode provided on the surface of the spacer, wherein the voltage at the electrode is the boundary The voltage is controlled to obtain the desired voltage distribution in the vicinity of the field. The device of claim 1, further comprising a pole. 18. The electrodes are installed along a curved path on the inner surface of the back plate. 18. The device of claim 17, wherein the device is eclipsed. 19. A plurality of electrodes provided at intervals on the surface of the spacer, The voltage of the electrodes is the electrical conductor on the back plate and the electricity on the face plate. The composite, which is controlled to achieve the desired voltage distribution between the conductors, The device of claim 1, further comprising a number of electrodes. 20. A voltage dividing means for setting the voltage of each electrode is further provided. Item 20. The device according to item 19. 21. The voltage dividing means has a resistive coating formed on the spacer surface. 21. The device of claim 20, wherein: 22. Select from the voltage dividing means to set the desired voltage at the electrodes. 21. Device according to claim 20, characterized in that the material is selectively removed. 23. An electrically conductive tray extending from each of the electrodes to outside the active area of the device. Traces to set the required voltage at the electrodes. The material is selectively removed from at least one of: The described device. 24. The first plate provided between the face plate and the second end surface of the spacer. And a second metallized edge, the second metallized edge being in front of the spacer. It is characterized by making an electrical connection with an electric conductor on the face plate. The device according to claim 1. 25. A resistive coating is formed on the surface of the spacer, and the first and second metal coatings are formed. 25. The covering edge of claim 24, wherein the covering edge makes an electrical connection with the resistive coating. The described device. 26. Between the first metallization edge and the resistive coating The boundary portion of the back plate maintains a substantially constant distance from the inner surface of the back plate. 26. The device of claim 25, wherein the device is provided in a flat shape. 27. A flat panel device, A face plate, A back plate coupled to the face plate to form a closed case When, Light emitting means from the flat panel device, Make the back plate and the face plate toward the inside of the case. A spacer wall installed inside the case to provide support for the force applied , The spacer wall is made of ceramic, ceramic tempered glass, or insulating layer A flat panel device characterized by being made from a coated metal. 28. A flat panel device, A face plate, A back plate coupled to the face plate to form a closed case When, Light emitting means from the flat panel device, Make the back plate and the face plate toward the inside of the case. And a spacer installed inside the case that provides support for the force to be used, Flat characterized in that said spacers are made from ceramic tempered glass Panel device. 29. And a side wall connecting the face plate and the back plate. The flat panel device according to any one of claims 1 to 28, . 30. The light emitting means, A field emitter cathode, And a luminescent material provided on the face plate. 30. The device according to any one of claims 1 to 29. 31. Attach the ceramic or glass-ceramic spacer wall to the back plate and The process of attaching it to the base plate, In order to enclose the spacer wall inside the case, the back plate and the flap are enclosed. A flat panel device having a step of sealing a base plate Manufacturing method. 32. An addressing grid having a plurality of addressing grid holes inside the case 32. The method of claim 31, further comprising the step of attaching a lid. . 33. The sealing process is performed between the face plate and the back plate. 4. The step of attaching a part wall, a bottom wall and two side walls. 33. The method according to claim 1 or claim 32. 34. The method further comprising the step of providing alignment between the spacer walls. Item 33. The method according to Item 33. 35. The step of providing alignment between the spacer walls comprises Forming notches in the addressing grid, Providing the spacer wall in the notch. The method according to 34. 36. The sealing process is A top wall, a bottom wall and two between the face plate and the back plate The process of attaching the side wall of The matching process is A step of forming a score on the top wall or the bottom wall, A step of providing the spacer wall in the notch. The method according to 34. 37. Ceramic or glass between the back plate and face plate Ceramic spacer structure having a plurality of spacer structure holes drilled therein The process of attaching the body, In order to enclose the spacer inside the case, the back plate and the face And a plate sealing process. Standing method. 38. The process of perforating a membrane of ceramic or glass-ceramic material, A film of the ceramic or glass-ceramic material is laminated to form the space. 38. The method of claim 37, including the step of forming a support structure. 39. Space between the back plate and face plate The process of installing the The spacers are used to minimize or prevent charge buildup on the spacer surfaces. The process of treating the surface of Make an electrical connection between the spacer and an electrical conductor on the back plate Forming a metallized edge on the end face of the spacer, In order to enclose the spacer inside the case, the back plate and the face And a plate sealing process. Standing method. 40. The process of treating the spacer surface forms a resistive coating on the spacer surface. 40. The method of claim 39, including the step of: 41. The method of claim 40, wherein the resistive coating is made of chromium oxide. The method described. 42. The resistive coating is formed by chemical vapor deposition. The method according to 40. 43. A contract characterized in that the resistive coating is formed by sputtering. The method according to claim 40. 44. 41. The method of claim 40, wherein the resistive coating is formed by evaporation. The method described. 45. The process of treating the spacer surface is performed with a dopant concentration of a predetermined dopant concentration. 40. The method of claim 39, including the step of applying a ring. 46. Body part, A raised portion forming a pattern provided along the body portion, A plurality of light emitting regions along the body portion between the raised portions, The light emitting region emits light when electrons collide, and when the electrons collide with the raised portion. When the raised portion does not substantially emit light as compared to the light emitting region, the raised portion Characterized in that it is further raised from the body portion rather than the light emitting region, Each raised portion extends over the entire lateral width of said raised portion and has a reduced height. Both have a dark area that substantially occupies a part, The dark area is mainly at least one of metal, ceramic, semiconductor, and carbide. A light-emitting structure characterized in that it also comprises one. 47. The raised portions extend so that at least some of them are parallel to each other The structure according to claim 46, wherein: 48. At least two groups in which the raised portions extend in different directions 47. The structure of claim 46, comprising: 49. The body portion extends toward the light emitting region, at least a portion of which is transparent 49. A transparent plate according to claim 46. Structure. 50. The metal is nickel, chromium, niobium, gold, and 47. At least one of nickel-iron alloys. The structure according to claim 48. 51. The dark area of each raised portion occupies only a part of the height of the raised portion. The structure according to any one of claims 46 to 48, wherein: 52. First and second surfaces that are spaced apart from each other and are provided with their inner surfaces facing each other Plate and The pattern is formed along the inner surface of the first plate, and is mainly A dark region made of at least one of metal, ceramic, semiconductor, and carbide. A raised portion having A plurality of light emissions provided on the inner surface of the first plate between the raised portions. Area and Support structure that supports the plates and keeps them separated from each other Body and On the inner surface of the second plate, a set of electron-emitting devices is laterally spaced from each other. An array of digits, The first plate extends along the light emitting region and at least a portion thereof is transparent. Characterized by being clear, The raised portion is higher than the light emitting region from the first plate. Characterized by When the electrons from the electron-emitting device collide, the light-emitting region emits light, The light is characterized in that the raised portion does not substantially emit light as compared with the light emitting region. Academic display I. 53. The dark area of each raised portion extends over the entire lateral width of the raised portion, and 53. At least a portion of the height direction is substantially occupied. Display described in. 54. Arranged across the raised portion between the raised portion and the second plate A group of laterally spaced internal supports, The internal support is provided at a distance from the light emitting region, and the electron emitting device is provided. A support structure, characterized in that it extends towards the region between 54. The display according to claim 53, wherein: 55. 55. The device of claim 54, wherein each inner support includes a spacer wall. Display. 56. The first plate and the light-emitting region are provided so as to cross the first plate. It further comprises a light reflecting layer for reflecting light from the light emitting region to the first plate. 56. The display of claim 55 as a signature. 57. Among the metals, nickel, chromium, niobium, gold, and nickel-iron alloys. 57. At least one of claim 52 to claim 56, The described structure. 58. The dark area of each raised portion occupies only a part of the height of the raised portion. 57. The structure according to any one of claims 52 to 56, wherein: 59. The process of making a dark color layer along the body part, A portion of the dark layer is formed to form a pattern of raised portions along the body portion. The process of selective removal, The ridge is formed so that the ridge has a shape further raised than the light emitting region. Providing a plurality of light emitting regions along the body portion between the portions. A method of manufacturing a light emitting structure characterized by the above. 60. The method of claim 59, wherein the dark layer is made of glass. Law. 61. Forming a first metal layer along the body, Forming a mask on the first metal layer; A second metal portion is provided in the opening of the mask by an electrochemical method to remove the second metal portion. The process of allowing the genus to form raised ridges in a pattern; Removing the mask, The raised portion is more raised than the light emitting region from the body portion. So as to provide a plurality of light emitting regions between the raised portions. A method of manufacturing a light emitting structure. 62. Removing the first metal portion not covered by the second metal portion, and The raised portion extends to include the remaining portion of the second metal. 62. The method of claim 61, further comprising. 63. At least one of the first and second metals is a dark metal 63. The method of claim 62, wherein 64. By selectively removing a part of the body having a substantially uniform composition at a specific depth, The remaining part of the pattern on the body part and the removed part of the body And the process of including the raised portion, Providing a plurality of light emitting regions along the body portion between the raised portions, the front raised portion A step of making the shape of the body further raised than the light emitting region A method for manufacturing a light emitting structure, comprising: 65. The removing process attacks the body through a mask. 66. The method of claim 64, including the steps. 66. The removal process is Providing a first layer that draws a pattern along the body to become the raised portion thereof The process of allowing the opening to extend at the desired portion where The pattern drawn by the mask material in the opening in the first layer The process of forming Removing the first layer, A destructive treatment of the body through the openings in the mask material pattern. 66. The method of claim 64, comprising: 67. The process of forming the mask pattern is A layer of mask material over the first layer through the opening And the process of giving A layer of mask material selectively exposed to backside photochemical radiation through the entire body. And the portion of the first layer overlying the mask material is the radiation The step of using the first layer to substantially prevent exposure to Substantially removing the portion of the mask material not exposed to the radiation. 67. The method of claim 66, comprising. 68. The destruction process is performed by sandblasting 66. The method of claim 65. 69. The method further includes the step of forming a pattern of dark color portions that respectively cover the raised portions. 69. The method according to any of claims 64 to 68, wherein 70. When an electron collides, the light emitting region emits light and the raised portion emits light. 60. Claim 59 to claim 60, characterized in that it emits substantially no light compared to the light area. 68. The method according to any of 68. 71. Forming a light reflecting layer extending from the body portion across the entire light emitting region 69. The method according to claim 59, further comprising the step of: the method of. 72. A play that extends along the light emitting region and is at least partially transparent. 69. Any of claims 59-68, wherein the body portion has The one described in crab Law. 73. The temperature is raised to a range of 300 ° C to 700 ° C to soften the raised portion. 69. The method according to any one of claims 59 to 68, characterized in that Law. 74. A stationary plate structure comprising a stationary plate and a light emitting structure; A back plate structure comprising a back plate and an electron emission structure; The stationary plate and the back plate structure are combined to form a sealed case. Side wall to form, The surface treated to minimize or prevent the surface from becoming charged. Support against the force acting toward the inside of the case on the electronic plate and the electronic plate And a spacer installed inside the case, Is provided between the first end surface of the spacer and the back plate structure, and A first metallization edge that makes an electrical connection between the spacer and the electron emission structure; A flat panel device comprising: 75. Provided between the second end surface of the spacer and the space plate structure , A second metal-coated electrode that makes an electrical connection between the spacer and the light emitting structure. 75. The flat panel device according to claim 74, further comprising: 76. The treated plane has a secondary electron emission ratio of less than 4. A coating on the surface of said spacers by a dielectric material. A flat panel device according to claim 74 or claim 75. 77. The coating is 10⁹Ω / □ and 10¹⁴Has a sheet resistance of a size between Ω / □ 77. The flat panel device according to claim 76, wherein: 78. The coating is chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide and vanadium oxide. 75. The claim 74 or claim characterized in that it is made of a material selected from A flat panel device according to item 75. 79. A plurality of electrodes provided at intervals on the surface of the spacer, The voltage of the electrodes reaches a desired voltage distribution between the electron emission structure and the light emitting structure. Further comprising the plurality of electrodes being controlled to form A flat panel device according to claim 74 or claim 75. 80. A flat panel device, A face plate, Back play that joins to the face plate to form a closed case And Light emitting means from the flat panel device, One of the back plate and the face plate that faces the inside of the case Spacer structure installed inside the case to provide support for directional force Has a body and The spacer structure has a plurality of spacer structure holes extending therethrough. A flat panel device characterized by. 81. An addressing grid having a plurality of holes, each of the spacer structures The holes are aligned with at least one of the holes in the addressing grid. The flat panel according to claim 80, further comprising a single grid. Device. 82. The contract, further comprising a spacer wall provided inside the case. The flat panel device according to claim 81. 83. The spacer structure includes the addressing grid and the paste layer. The flat panel device according to claim 81, wherein the flat panel device is provided between the flat panel device and the flat panel device. . 84. A flat panel device, A face plate, A back plate coupled to the face plate to form a closed case When, Light emitting means from the flat panel device, Make the back plate and the face plate toward the inside of the case. A spacer wall installed inside the case to provide support for the force applied , The spacer wall is ceramic, glass ceramic, ceramic tempered glass, Or, it is made of opaque glass and consists of multiple thin film materials in a laminated state. Characterized by Flat panel device. 85. Spacer walls made up of multiple thin film materials in a laminated state should be 85. Flat panel according to claim 84, characterized in that at least one is additionally provided. apparatus. 86. A plurality of face plates and a back plate are provided between the face plate and the back plate. 85. The method of claim 84, further comprising an addressing grid having holes. The described flat panel device. 87. The light emitting means, A thermionic cathode, A light emitting material provided on the face plate. The flat panel device according to any one of claims 80 to 86. 88. The light emitting means, A field emitter cathode, A light emitting material provided on the face plate. The flat panel device according to any one of claims 80 to 86. 89. And a side wall connecting the face plate and the back plate. 87. The flat panel device according to any one of claims 80 to 86, Place. 90. The face plate and the back plate each have a curved surface 87. The flat according to any one of claims 80 to 86, characterized in that Panel device.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号庁内整理番号ＦＩＨ０１Ｊ 31/12 9508−2ＧＨ０１Ｊ 31/12 Ｂ 31/15 9508−2Ｇ 31/15 Ａ (31)優先権主張番号１８８，８５７ (32)優先日 1994年１月31日 (33)優先権主張国米国（ＵＳ） (81)指定国ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ，ＴＤ，ＴＧ)，ＡＴ，ＡＵ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＨＵ，ＪＰ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＵ，ＭＧ，ＭＮ，ＭＷ，ＮＬ，ＮＯ，ＮＺ，ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＫ，ＵＡ，ＶＮ (72)発明者カーティン、クリストファー・ジェイアメリカ合衆国カリフォルニア州95014・クーペルティーノ・キャニオンビスタドライブ 11022 (72)発明者スピント、クリストファー・ジェイアメリカ合衆国カリフォルニア州94025・メンロパーク・ヒルサイドアベニュー 115 (72)発明者ロボイ、ポール・エイアメリカ合衆国カリフォルニア州95070・サラトガ・ディハビランドドライブ 19152 (72)発明者ノウィッキ、ロナルド・エスアメリカ合衆国カリフォルニア州94087・サニーベイル・ケンリイウェイ 722 (72)発明者モリス、デイビッド・エルアメリカ合衆国カリフォルニア州95132・サンノゼ・エルグランデコート 3644 (72)発明者シュミッド、アンソニー・ピーアメリカ合衆国カリフォルニア州92075・ソラナビーチ・キャニオンドライブ 461─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (51) Int.Cl. ⁶ Identification number Internal reference number FI H01J 31/12 9508-2G H01J 31/12 B 31/15 9508-2G 31/15 A (31) Claim of priority Number 188,857 (32) Priority date January 31, 1994 (33) Priority claiming country United States (US) (81) Designated country EP (AT, BE, CH, DE, DK, ES, FR, GB, GR , IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE), OA (BF, BJ, CF, CG, CI, CM, GA, GN, ML, MR, NE, SN, TD, TG), AT, AU, BB, BG, BR, BY, CA, CH, CZ, DE, DK, ES, FI, GB, HU, JP, KP, KR, KZ, LK, LU, MG, MN, MW, NL, NO , NZ, P L, PT, RO, RU, SD, SE, SK, UA, VN (72) Inventor Curtin, Christopher Jay USA California 95014 Coupertino Canyon Vista Drive 11022 (72) Inventor Spinto, Christopher Jay United States California 94025 Menlo Park Hillside Avenue 115 (72) Inventor Roboy, Paul A. United States California 95070 Saratoga Dihavilland Drive 19152 (72) Inventor Nowikki, Ronald Es United States California 94087 Sunnyvale Kenryway 722 (72) Inventor Morris, David El. California 95132 San Jose El Grande Court 3644 (72) Inventor Schmid, Anthony P. California, USA State 92075, Solana Beach Canyon Drive 461

Claims

[Claims] 1. A flat panel device comprising: a face plate; a back plate which is joined to the face plate to form a closed case; a light emitting means from the flat panel device; Between the back plate and the end surface of the spacer, which are treated to prevent the back plate and the face plate, and which provide the back plate and the face plate with support for the force acting in the direction toward the inside of the case; A flat panel device, comprising: a metal-coated edge, which is provided on the substrate and electrically connects the spacer and the back plate. 2. The surface of the spacer is coated with a material having a secondary electron emission ratio of less than 4 and a surface resistance of between 10 ⁹ Ω / □ and 10 ¹⁴ Ω / □. The device according to claim 1. 3. Device according to claim 2, characterized in that the material of the coating is selected from chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide and vanadium oxide. 4. Device according to claim 2, characterized in that the coating is made of chromium oxide. 5. Device according to any of claims 2 to 4, wherein the thickness of the garment is between 0.05 m and 20 m. 6. A first coating on the surface of the spacer made of a material having a sheet resistance of between 10 ⁹ Ω / □ and 10 ¹⁴ Ω / □ and a material having a secondary electron emission ratio of less than 4 The device of claim 1, further comprising a second coating over the coating of. 7. 7. Device according to claim 6, characterized in that the sum of the thicknesses of the first and second coatings is between 0.05 [mu] m and 20 [mu] m. 8. The device according to claim 1, wherein the spacer surface is doped so that the sheet resistance is between 10 ⁹ Ω / □ and 10 ¹⁴ Ω / □. 9. 9. The apparatus of claim 8, wherein the doping dopant is titanium. 10. 10. The device according to claim 8 or 9, characterized in that the doped spacer surface is coated with a material having a secondary electron emission ratio δ of less than 4. 11. 11. Device according to claim 10, characterized in that the coating is made of a material selected from chromium oxide, copper oxide, carbon, titanium oxide and vanadium oxide. 12. Device according to claim 10, characterized in that the coating is made of chromium oxide. 13. 13. The uniformity of the sheet resistance on the spacer surface is maintained within 2% of a specific nominal resistance value over the entire spacer, according to any one of claims 1 to 12. The device according to claim 1. 14. The device according to claim 1, wherein the spacer includes a spacer wall. 15. The device of claim 1, wherein the spacer comprises a spacer structure provided with a plurality of holes. 16. An addressing grid having a plurality of holes, further comprising: an addressing grid in which the holes of each of the plurality of spacer structures are aligned with holes of the addressing grid or groups of holes of the addressing grid. Item 16. The apparatus according to Item 15. 17． An electrode provided on the surface of the spacer near the boundary between the spacer and the back plate, wherein the voltage at the electrode is controlled to obtain a desired voltage distribution near the boundary. The device of claim 1, further comprising the electrode being provided. 18. 18. The device of claim 17, wherein the electrodes are provided along a curved path on the inner surface of the back plate. 19. A plurality of electrodes spaced on the surface of the spacer, the voltage of each electrode being controlled to achieve a desired voltage distribution between the backplate and faceplate. The device of claim 1, further comprising electrodes. 20. 20. The device according to claim 19, further comprising voltage dividing means for setting the voltage of each electrode. 21. 21. The apparatus of claim 20, wherein the voltage dividing means further comprises a resistive coating formed on the spacer surface. 22. 21. The apparatus of claim 20, wherein material is selectively removed from the voltage dividing means to set the desired voltage at the electrodes. 23. Material is further selectively removed from at least one of the traces to further comprise electrically conductive traces extending from each of the electrodes to outside of an active area of the device to set the required voltage at the electrodes. The device according to claim 19, characterized in that 24. A second metallized edge provided between the faceplate and a second end surface of the spacer, the metallized edge providing an electrical connection between the spacer and the faceplate. An apparatus according to claim 1, characterized in that 25. 25. The device of claim 24, wherein a resistive coating is formed on the spacer surface and the metallized edges make an electrical connection with the resistive coating. 26. 26. The interface of claim 25, wherein the interface between the metallized edge and the resistive coating is maintained at a constant distance from the inner surface of the backplate. apparatus. 27. A flat panel device comprising: a face plate; a back plate which is joined to the face plate to form a sealed case; a light emitting means from the flat panel device; and the back plate and the face plate inside the case. A spacer provided inside the case for providing support to a force acting toward, the spacer being made of ceramic, glass ceramic, ceramic reinforced glass, opaque glass, or a metal coated with an insulating layer. A flat panel device characterized by being made. 28. 30. The device of claim 29, wherein the spacer has spacer walls. 29. A flat panel device, comprising: a face plate, a back plate that is joined to the face plate to form a sealed case, a light emitting unit from the flat panel device, the back plate and the face plate, A spacer structure provided inside the case that provides support for a force acting in a direction toward the inside of the case, wherein the spacer structure has a plurality of spacer structure holes passing through the spacer structure. Flat panel device to do. 30. 30. The device according to any one of claims 1 to 29, wherein the light emitting means further comprises: a field emitter cathode; and a light emitting structure provided on the face plate. 31. The method further comprises a step of attaching a ceramic or glass ceramic spacer between the back plate and the face plate, and a step of sealing the back plate and the face plate to seal the spacer inside the case. Method of manufacturing flat panel device. 32. The method of claim 31, further comprising mounting an addressing grid having a plurality of addressing grid holes inside the case. 33. 33. The method of claim 31 or claim 32, wherein the spacer comprises spacer walls. 34. 34. The method of claim 33, further comprising providing alignment between the spacer walls. 35. 35. The method of claim 34, wherein providing alignment between the spacer walls further comprises forming a score in the addressing grid and providing the spacer wall in the score. 36. The sealing step further includes attaching a top wall, a bottom wall and two side walls between the face plate and the back plate, and the aligning step forms a score on the top wall or the bottom wall. 35. The method of claim 34, further comprising the steps of: providing the spacer wall within the score. 37. 33. The method of claim 31 or claim 32, wherein the spacer comprises the spacer structure. 38. 38. The method of claim 37, comprising the steps of perforating a film of ceramic or glass-ceramic material and laminating the film of ceramic or glass-ceramic material to form the spacer structure. 39. Attaching a spacer between the back plate and the face plate; treating the surface of the spacer to minimize or prevent charging of the spacer surface; and an electrical connection between the spacer and the back plate. And forming a metallized edge on the end surface of the spacer so as to make a physical connection, and sealing the back plate and the face plate so as to enclose the spacer inside the case. A method for assembling a flat panel device. 40. 40. The method of claim 39, wherein treating the spacer surface further comprises forming a resistive coating on the spacer surface. 41. The method of claim 40, wherein the resistive coating is made of chromium oxide. 42. The method of claim 40, wherein the resistive coating is formed by chemical vapor deposition. 43. The method of claim 40, wherein the resistive coating is formed by sputtering. 44. 41. The method of claim 40, wherein the resistive coating is formed by evaporation. 45. The method of claim 39, wherein the step of treating the spacer surface further comprises the step of applying a predetermined dopant concentration. 46. A main body portion, a raised portion that forms a pattern along the main body portion, and a plurality of light emitting regions along the main body portion between the raised portions, and the light emitting region emits light when electrons collide. When the electron collides with the raised portion, the raised portion does not substantially emit light as compared with the light emitting region, and the raised portion is further raised from the body portion rather than the light emitting region. The light emitting structure, wherein each raised portion has a dark region extending over the entire lateral width of the raised portion and substantially occupying at least a portion in the height direction thereof. 47. 47. The structure of claim 46, wherein the raised portions extend such that at least some of them are parallel to each other. 48. 47. The structure of claim 46, wherein the raised portions have at least two groups extending in different directions. 49. 49. The structure of any of claims 46-48, wherein the body portion includes at least a partially transparent plate extending toward the light emitting region. 50. Between the first and second plates that are spaced apart from each other and are provided with their inner surfaces facing each other, a pattern of raised portions along the inner surface of the first plate, and between the raised portions. A plurality of light emitting regions on the inner surface of the first plate; a support structure for supporting the plates and maintaining them in a spaced apart form; and on the inner surface of the second plate. An array of laterally separated sets of electron-emitting devices, wherein the first plate extends along the light-emitting region and at least a part of which is transparent, Is higher than the light emitting region from the first plate, the light emitting region emits light when an electron from the electron-emitting device collides, while the raised portion Is an optical display that does not substantially emit light as compared to the light emitting region. 51. 56. The display of claim 50, wherein each raised portion has a dark area that extends across the lateral width of the raised portion and substantially occupies at least a portion of its height. 52. A group of laterally-spaced inner supports disposed transversely to the raised portion between the raised portion and the second plate, wherein the inner support is the light emitting region. 52. A display as claimed in claim 50 or claim 51, characterized in that it has the support structure which is spaced apart from and extends towards the area between the electron-emitting devices. . 53. 52. The display of claim 51, wherein each inner support includes spacer walls. 54. 54. The light emitting device according to claim 50, further comprising a light reflecting layer provided to cross the light emitting region from the first plate and reflecting light from the light emitting region to the first plate. The display according to any one of 1. 55. Forming a dark color layer along the body portion, selectively removing a portion of the dark color layer to form a pattern of raised portions along the body portion, and the raised portion further than the light emitting region. A plurality of light emitting regions are provided along the body portion between the raised portions so as to have a raised shape. 56. 56. The method of claim 55, wherein the dark layer is made of glass. 57. Forming a first metal layer along the body portion, forming a mask on the first metal layer, and providing a second metal portion in an opening of the mask by an electrochemical method, A step of forming a patterned raised portion with the second metal; a step of removing the mask; and a raised portion so that the raised portion is more raised than the light emitting region from the body portion. A step of providing a plurality of light emitting regions between the parts, and a method for manufacturing the device. 58. Removing the first metal portion not covered by the second metal portion so that the raised portion extends to include the remaining portion of the second metal. 58. The method of claim 57, wherein 59. 59. The method of claim 57 or claim 58, wherein at least one of the first and second metals is a dark metal. 60. A portion of the body of substantially uniform composition is selectively removed at a particular depth such that the remaining portion of the body includes a body portion and a patterned raised portion provided on the removed portion of the body. And a step of providing a plurality of light emitting regions along the body portion between the raised portions so that the front raised portion is more raised than the light emitting region from the body portion. A method of manufacturing a device, comprising: 61. 61. The method of claim 60, wherein the removing step involves the step of attacking the body through a mask. 62. Said removing step comprises providing a first layer that draws a pattern along said body, such that an opening extends at a desired portion that will be said raised portion, Forming a pattern drawn by a mask material in the opening in the first layer; removing the first layer; and destructing the body through the opening in the pattern of the mask material. 61. The method of claim 60, including the steps of: 63. Forming the mask pattern, providing a layer of mask material over the first layer through the opening, and selectively exposing the layer of mask material to backside photochemical radiation through the entire body. A step of using the first layer to substantially prevent exposure of the portion of the first layer of the mask material overlying the mask layer to the radiation; 63. The method of claim 62, including substantially removing a portion of the material not exposed to the radiation. 64. 64. The method according to any of claims 61 to 63, wherein the destructive treatment process is performed by sandblasting. 65. 65. The method of any of claims 60-64, further comprising the step of forming a pattern of dark colored portions that respectively cover the raised portions. 66. 66. Any of claims 55-65, wherein the light emitting region emits light and the raised portion emits substantially no light as compared to the light emitting region when bombarded by electrons. the method of. 67. 67. The method of any of claims 55-66, further comprising forming a light reflecting layer extending from the body portion across the entire light emitting region. 68. 68. The method of any of claims 55-67, wherein the body portion comprises a plate extending along the light emitting region, at least a portion of which is transparent. 69. 69. The method of any of claims 55-68, comprising increasing the temperature to a range of 300 <0> C to 700 <0> C to soften the raised portion.