JPH08504440A - 硫黄許容性ゼオライト触媒を用いた脱水素化 - Google Patents
硫黄許容性ゼオライト触媒を用いた脱水素化Info
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Abstract
(57)【要約】
特定のアルカリ含有量を有する中間気孔孔径ゼオライトと貴金属とからなる触媒を用いて軽質パラフィン系炭化水素を接触脱水素化する方法が与えられている。触媒は硫黄許容性であり、そのため脱水素化工程は硫黄の存在下で、又は硫黄に周期的に曝しながら行うことができる。
Description
【発明の詳細な説明】
硫黄許容性ゼオライト触媒を用いた脱水素化
〔技術分野〕
本発明は、結晶質ゼオライトを含む触媒を用いた脱水素化に関する。
〔背景技術〕
脱水素化はパラフィンをオレフィンに転化するよく知られた反応である。
C6 +炭化水素の場合、脱水素化は一般に脱水素環化及び芳香族化反応により達成
されている。C2〜C5アルカンの場合、脱水素化反応は分子の種類により異なっ
た反応経路を通る。反応の平衡は、反応経路のこの相違を反映している。従って
、軽質パラフィン系炭化水素供給物の脱水素化のための特別な触媒及び反応条件
を与えることが重要である。
本発明の触媒は、ゼオライトを含む脱水素化触媒であり、その中に特定の量の
アルカリ及び(又は)アルカリ土類成分を有する。アルカリ又はアルカリ土類成
分を含む脱水素化触媒は知られている。C.N.サッターフィールド(Satterfi
eld)による「不均一系触媒の実際」(Heterogeneous Catalysis inPractice)
(1980年、ニューヨーク、McGraw-Hill 出版社)第269頁には、Fe2O3
−Cr2O3−K2CO3ブタン脱水素化触媒が記載されており、その場合カリウム
成分は、供給物中の水蒸気と、触媒上に付着したコークスとの反応を促進するこ
とにより、触媒活性度を維持するのに役立つ。
ラウシュ(Rausch)による米国特許第4,124,649号明細書には、白金
又はパラジウム成分、ロジウム成分、及び錫成分を含む脱水素化で用いるための
多孔質非酸性担体材料が記載されている。その非酸性担体材料は、約0.1〜約
5重量%のアルカリ金属又はアルカリ土類金属を含んでいる。リチウム及びカリ
ウムが好ましい。アルカリ/アルカリ土類成分の機能は、脱水素化触媒の製造で
用いられることがあった酸性材料のいずれでも中和することにあると教示されて
いる。
イマイ(Imai)及びハング(Hung)による米国特許第4,438,288号明
細書
には、白金族成分、多孔質担体材料、及び白金族成分に対し過剰のアルカリ又は
アルカリ土類成分を含む脱水素化触媒が記載されている。この触媒は、2〜5以
上の炭素原子を有するパラフィンを対応するモノオレフィンへ脱水素化するか、
又は3〜5以上の炭素原子を有するモノオレフィンを対応するジオレフィンへ脱
水素化するのに特に有用であると教示されている。
パラフィン系炭化水素の脱水素化のための結晶質分子篩ゼオライトも報告され
ている。非結晶質脱水素化触媒を使用することを教示した。上で引用した技術の
場合と同様に、ゼオライト含有脱水素化触媒の酸性度は重要な因子である。例え
ば、両方共バリ(Barri)による米国特許第4,665,267号及び米国特許
第4,795,732号明細書は、シリカライト担体を有し、白金族金属を含有
する触媒をC2〜C10パラフィンを脱水素化するために用いることを教示してい
る。バリの触媒は、アルカリ及びアルカリ土類金属を実質的に含まない。
ミラー(Miller)による米国特許第4,401,555号明細書は、ナトリウ
ム含有量の低いシリカライトを用いてパラフィンからオレフィンを製造すること
に関する。この’555特許の方法で用いられているシリカライトは、ナトリウ
ム含有量が0.1重量%より少なく、実質的にクラッキング活性度を持たないマ
トリックスと複合体にされている。また、この複合体は水素化成分を含まない。
この’555特許の方法によれば、パラフィン供給物を水素化処理して、有機硫
黄含が100ppmより少なくなるまで硫黄含有量を低下することができる。
大きなシリカ対アルミナ比、比較的低いアルカリ含有量、及び小さな結晶子粒
径を有する中間気孔孔径の結晶質珪酸塩が、国際特許出願WO 91/1313
0に硫黄許容性改質又は脱水素環化触媒として教示されている。
パラフィンを脱水素化するための他の非酸性触媒が提案されている。米国特許
第4,962,250号明細書には、第VIII族金属物質と組合された非酸性MC
M−22ゼオライトが、C2〜C12脂肪族炭化水素の脱水素化用として教示され
ている。非酸性にするために、この’250特許は、骨格構造体のアルミニウム
含有量に等しいか又はそれより大きな陽イオン当量で第IA族及び(又は)第II
A族の陽イオンを最終触媒が含むべきであることを教示している。
デッソー(Dessau)による米国特許第4,929,792号明細書には、非酸
性
型のゼオライトβがC2〜C12パラフィン含有供給物の脱水素化用として記述さ
れている。βゼオライトを非酸性にするために、この’792特許は、7より大
きなpHに達するまで、イオン交換可能な形状の第IA族又は第IIA族でゼオラ
イトを滴定することを教示している。
上で引用した特許は、脱水素化触媒の酸性度を変えることを述べているが、彼
らは特定の量のアルカリ成分を脱水素化触媒に添加することの重要性を認識して
いない。特に、望ましくないクラッキング反応を抑制し、反応の選択性を増大し
、そして希望の生成物の収率を増大するためには充分なアルカリが重要である。
一方、過剰量のアルカリは、結晶質ゼオライトを含む脱水素化触媒の硫黄に対す
る抵抗性を低下させる。本発明の方法は、大きな活性度、高い選択性、及び大き
な安定性のために特定の量のアルカリ成分を含む触媒を与える。
〔発明の開示〕
従って、大きな選択性、及び低い不活性化速度を有する触媒を用いて、軽質パ
ラフィン系炭化水素流を脱水素化するための方法を与える。特に、100ppb
より多くの硫黄に周期的に曝される結果になる反応領域中で脱水素化する方法に
おいて、接触脱水素化条件で、前記供給物と、
(a) 貴金属:
(b) 少なくとも約30、好ましくは少なくとも約200、一層好ましくは
少なくとも約500のシリカ対アルミナ比を有する中間気孔孔径(intermediate
poresize)ゼオライト;及び
(c) アルカリ成分で、ゼオライト中のアルカリ対アルミナ比が約1〜約5
、好ましくは約1〜約3のモル比になる含有量のアルカリ成分;
からなる触媒と接触させることからなる方法を与える。
本発明ではアルカリ含有量は非常に重要である。種々の因子の中で本発明は、
特定の量のアルカリ及び(又は)アルカリ土類成分で処理すると、本発明の方法
の脱水素化触媒が驚く程低い不活性化又は汚染速度をもち、脱水素化に対し驚く
程大きな選択性及び活性度を有するようになるという発見に基づいている。その
ような低い汚染速度は、脱水素化触媒を周期的に硫黄に露出した後でも、或は硫
黄が素通り(break through)した後でも達成されることも判明している。汚染
又
は不活性化速度は、脱水素化領域の反応温度が、一定の供給物転化率を維持する
ために単位時間当たり上昇させなければならない速度、例えば、゜F/時で示さ
れる速度である。
我々は、本発明で用いられる触媒を硫化することが有利であることを更に見出
している。硫化は既知の前硫化法、例えば脱水素化工程を開始する前に触媒上に
硫化水素含有ガス流を通すことにより行うことができ、或は触媒の硫化はその工
程への供給物中の硫黄によって行うこともできる。接触脱水素化では、大きなシ
リカ対アルミナ比を有する中間気孔孔径のゼオライト中の特定のアルカリ含有量
と、その触媒の硫化との組合せによって、驚く程良好なオレフィン収率、オレフ
ィンへの大きな選択性、及び低い汚染速度を、硫黄に曝した後でも達成すること
ができることを見出している。
本発明の方法で用いられる触媒として、シリカ対アルミナ比が大きく、結晶子
粒径が小さな中間気孔孔径ゼオライトを用いるのが有利であることが判明してい
る。触媒のこの成分のための小さな結晶子粒径については、同じ譲受け人に譲渡
されている1991年10月1日に公告された「結晶質珪酸塩触媒及びその触媒
を用いた改質方法」と題する米国特許第5,052,561号明細書に一層詳細
に論じられている。米国特許第5,052,561号明細書の記載は参考のため
ここに入れてあり、特に小さな結晶子粒径の中間気孔孔径ゼオライト及びそのよ
うな結晶子を製造する方法に関する記載を入れてある。本発明にとって好ましい
小さな結晶子粒径は、10μより小さく、一層好ましくは5μより小さく、更に
一層好ましくは2μより小さく、特に1μより小さいのが好ましい。粒径は結晶
子の最大径を基にしている。結晶子の好ましい形はほぼ球形である。結晶子の大
きさを特定化した場合、その特定した範囲内に、結晶子の好ましくは少なくとも
70重量%、一層好ましくは少なくとも80重量%、最も好ましくは少なくとも
90重量%が入る。
本発明の好ましい態様によれば、脱水素化工程で用いられる触媒は、特定のア
ルカリ含有量と共に大きなシリカ対アルミナ比を有する小さな結晶子粒径の中間
気孔孔径ゼオライトからなる。特に好ましい態様によれば、触媒は予め硫化され
ているか、又は脱水素化操作中に硫化される。
本発明の触媒のゼオライト成分は、一般にゼオライトとしてここでは言及され
るが、普通珪酸塩又は結晶質珪酸塩としても言及されている。
用語「アルカリ」とは、ここでは第IA族金属を意味するものとして用いられ
ている。本発明の触媒で用いるのに好ましいアルカリ金属は、ナトリウム、カリ
ウム、セシウム、リチウム及びルビジウムである。ナトリウム及びカリウムが一
層好ましい。ナトリウムはこの触媒で用いる最も好ましいアルカリ金属である。
アルカリの量は、「非酸性」触媒で従来法で教示されている典型的な水準よりも
低くなければならない。アルカリの量は、触媒のゼオライト成分中のシリカ対ア
ルミナ比によって変化し、ゼオライトのシリカ対アルミナ比が増大するに従って
必要なアルカリは少なくなる。好ましいアルカリの量は、アルカリがナトリウム
である場合、例えば、シリカ対アルミナ比が500:1である触媒では約750
ppm〜約3800ppmである。
アルカリの量は触媒のゼオライト成分の全重量に基づく重量で表される。省略
記号ppmは、百万分の一を示す。
アルカリの量は、ゼオライトの酸性度の実質的に全てを中和するのに充分な量
である。好ましいアルカリの量は、ゼオライト中のアルミニウムに基づき、モル
でアルミニウム1部に対し1〜5部のアルカリ、一層好ましくはアルミニウム1
部に対し1〜3部のアルカリである。このように、アルカリの量はアルミニウム
の関数として変化する。典型的な好ましい少ない方のアルカリの量は0.01重
量%、一層典型的には0.1重量%である。殆どの場合、幾らかのアルカリがゼ
オライト中に存在し、それは実際的なやり方でその珪酸塩からイオン交換により
容易に取り出すことはできない。この交換しにくいアルカリは、その珪酸塩の適
切な製造方法を選択することにより、例えば、下の例1に記載するような方法を
選択することにより最小にすることができる。
本発明の触媒のゼオライトは、酸性度が低いのが好ましく、実質的に酸性度を
持たないのが一層好ましい。しかし、低酸性度ゼオライト、又は実質的に酸性度
を持たないゼオライトは、本発明に従い、多量のアルカリを用いることにより達
成されるのではない。低酸性度、又は実質的に酸性度を持たない状態は、ゼオラ
イト中の低いアルミニウム含有量と、少ない量のアルカリの使用及び(又は)ア
ルカリ土類金属の使用との組合せにより達成することができる。触媒の珪酸塩成
分は、下に記述するように、最終触媒を形成するためのマトリックス又は結合剤
中に含有されている。最終触媒の酸性度は低いのが好ましく、実質的に酸性度を
持たないのが一層好ましい。
ゼオライトの酸性度は次のようにして決定することができる:0.1〜1.5
gのゼオライトを、酸洗浄及び中和したアランダム1gと混合し、3/16″ス
テンレス鋼反応管中に詰め、残りの空間をアランダムで満たす。反応器の内容物
を450℃で1時間か焼する。次に反応器を427℃のクラム・シェル(clam-s
hell)炉中に入れ、反応器の出口をガスクロマトグラフの入口に接続する。その
入口をGCのキャリヤーガス管に接続する。その系にヘリウムを30cc/分で
通過させる。反応器の上の隔膜を通して0.04μリットルのn−デカンをパル
ス状に注入し、反応生成物を標準GC分析により決定する。アランダムを用いた
ブランクテストでは、それら実験条件で転化を示さないのがよく、100%キャ
タパル(Catapal)アルミナ触媒も示すべきではない。
擬一次クラッキング速度定数、kは、次の式を用いて計算する:
(式中、Aは珪酸塩の重量(g)であり、Xはデカンより低い沸点の生成物への
転化分率である)。
珪酸塩は、1n kの値が約−3.8より小さい場合に実質的に酸性度を持た
ない。1n kが約−2.3より小さいならば、その珪酸塩は酸性度が低いもの
とする。
下に記載するように、ゼオライトは最終触媒の1成分であり、例えば、最終触
媒はシリカ又はアルミナのようなマトリックス内に「結合された(bound)」ゼ
オライトである。そのような場合、ゼオライトの酸性度は、ゼオライトを別個の
成分としてその酸性度を測定することにより決定すべきである。
ゼオライトを含有する最終触媒の酸性度は、上に記載したようにして計算して
もよい。
本発明の別の好ましい態様に従い、アルカリ土類金属(第IIA族金属)も触媒
中に含有させる。マグネシウム、カルシウム、ストロンチウム及びバリウムが好
ましい第IIA族金属である。マグネシウムが本発明の触媒で用いられる最も好ま
しい第IIA族金属である。アルカリ土類は、触媒の酸性度を低下するのに有利に
用いられる。アルカリ土類金属は酸性度を低下するのにアルカリ金属ほど効果的
ではないが、アルカリ土類金属は、アルカリ金属の場合のように触媒に硫黄に対
する大きな敏感性を与えることはないことが判明している。この好ましい別の態
様では、アルカリ土類金属は、モル基準でアルカリ金属1部当たり0.1〜10
.0部、好ましくは0.5〜5.0部のアルカリ土類金属の量でゼオライト中に
含有させる。
更に、酸性部位は、セリウム又はランタンのような他の塩基性成分で有利に中
和することができる。
本発明の重要な特徴は、触媒の硫黄許容性(sulfur tolerance)である。硫黄
許容性は、ここでは主に2ppmより大きな硫黄のような実質的な量の硫黄に触
媒を曝すことができ、高い硫黄水準への露出をやめると、比較的高い活性度へ戻
ることができることを指すものとしてここでは用いられている。本発明の触媒は
、約0.1〜2ppmの範囲の硫黄中での硫黄被毒又は不活性化に対し驚く程の
抵抗性を有することも判明している。従って、供給物中の硫黄の停止後、活性度
が「反発して戻る」(bouncing back)触媒の能力の外に、触媒は、供給物中の
定常的成分として、2ppmまでの硫黄、一層好ましくは1ppmまでの硫黄、
一層好ましくは0.5ppmまでの硫黄に対し「抵抗」(resist)、即ち許容す
ることもできる。従って、用語「硫黄許容性」とは、硫黄への露出を止めた後に
活性度を復元する触媒の能力及び中程度の量の硫黄が存在する中で良好な性能を
果たす触媒の能力(低い汚染速度及び良好な活性度)を含めてここでは用いられ
ている。
硫黄許容度は種々のやり方で利用することができる。本方法への供給物は、ゼ
オライトを基にした触媒を用いた他の接触脱水素化法への供給物に比較して、比
較的大きな量の硫黄を含むことができ、或は供給物は大きな量の硫黄に周期的に
露出させることもできる(従って、脱水素化領域を周期的に大きな量の硫黄にか
けることができる)。
「周期的露出」とは、供給物中、従って、脱水素化領域中、例えば、接触脱水
素化領域の上流の脱硫工程中での故障、又は素通り、又は上流の硫黄除去工程に
よる供給物中の硫黄の量の顕著な上昇により、或は単に改質領域又は接触脱水素
化領域への基本供給原料の変化により硫黄が増大することを意味する。「周期的
露出」は、連続的に硫黄に露出されることとは違って、かなりの時間特定の硫黄
水準に曝されることを指すものとして用いられている。かなりの時間とは、典型
的には少なくとも2分間、一層典型的には1時間以上になるであろう。
極めて硫黄に敏感なゼオライト触媒を用いて脱水素化を行なった場合、供給物
中の硫黄を非常に低い水準に減少させるため、実質的な費用をかける必要がある
。広い保護床及び(又は)硫黄吸収系を屡々用いる。脱水素化領域への供給物の
硫黄含有量が通常非常に低いような状況でも、本発明の触媒は、硫黄への露出を
本発明の触媒が許容できるように、有利に用いられ、即ち、高い硫黄水準への露
出が止められた時、触媒は遥かに良好な活性度への回復を示す。従って、本発明
の触媒を用いた時、脱水素化装置の資本コストは減少させることができる。なぜ
なら、他のゼオライト触媒を用いた場合のように、接触脱水素化領域を保護する
のに必要な硫黄防護又は硫黄除去装置が少なくて済むからである。
本発明の方法は、硫黄許容性の方法であることが判明しているが、それでも脱
水素化領域中の触媒は多量の硫黄にかけないのが好ましい。例えば、供給物中の
硫黄は、好ましくは約25ppm以下であり、一層好ましくは10ppm以下で
あり、最も好ましくは約2ppm以下である。特に好ましい硫黄の水準は0.1
〜1ppmである。
硫黄の量は工程への供給炭化水素に基づく重量で示されている。また、硫黄は
元素状硫黄に基づいて計算されるが、硫黄は有機硫黄化合物の形になっていても
よく、或は硫化水素の形になっていてもよい。
本発明の脱水素化法に好ましい供給物には、C2〜C5、好ましくはC3及びC4
アルカンを含む軽質アルカン又はパラフィンに富む流れが含まれる。例えば、好
ましい供給物は、パラフィン及び芳香族の混合物からパラフィンを溶媒抽出又は
分子篩抽出によって得られたパラフィンに富むラフィネートである。別の好まし
い供給物は、C5パラフィンに富む流体接触分解機からの軽質流出物流であ
る。
本発明は、ここに記載するような脱水素化法に関する。更に、本発明は、ここ
に記載する、これらの脱水化法に有用な触媒に関する。
〔本発明の詳細な説明〕
前に述べたように、本発明は、ZSM−5型中間気孔孔径ゼオライト材料を用
いる。ZSM−5及びZSM−11は、ZSM−5型のゼオライトの例である。
一つの好ましい材料は、シリカライト、又はZSM−5のシリカ対アルミナ比の
非常に大きなものである。
下の表1は、アルガウアー(Argauer)特許(米国特許第3,702,886
号)に与えられているZSM−5のX線回折像を報告したものである。
アルガウアー特許に報告されているように、表1の値は標準的方法により決定
された。放射線は銅のKα二重線であり、帯状記録紙によるペン記録装置を具え
たシンチレーションカウンタースペクトロメーターを用いた。ピークの高さ、I
及びそれらの位置を、θをブラッグ角として2θの関数としてスペクトロメータ
ー記録紙から読取った。これらから、相対強度100 I/I0(I0は最も強い
線又はピークの強度)、及び記録された線に相当するΛ単位の面間隔d(測定値
)を計算した。表lでは相対強度は、s.=強い、m.=中間強度、m.s.=
やや強い、m.w.=やや弱い、及びv.s.=非常に強い、の記号で与えられ
ている。このX線回折像はZSM−5組成物の全ての種類に特徴的なものである
と理解すべきである。陽イオンとナトリウムイオンとのイオン交換は実質的に同
じ回折像を与えるが、面間隔に僅かな移動及び相対強度に変化がある。熱処理に
かけた場合と同様、特定の試料の珪素対アルミニウム比により、他の僅かな変動
が起きることがある。
ZSM−5は、グローズ(Grose)その他による米国特許第4,061,72
4号明細書に記載されているように、「シリカライト」(silicalite)を含むも
のとして多くの人に見做されている。ここで言及し易くするために、シリカライ
トはシリカ対アルミナ比が非常に大きなZSM−5型物質として言及され、ZS
M−5のX線回折像内に入るものと見做されている。シリカ対アルミナ比は、シ
リカ(SiO2)対アルミナ(Al2O3)のモル比に基づく。
シリカライト及びZSM−5を記載した種々の文献がミラーによる米国特許第
4,401,555号明細書に与えられている。これらの文献には、前述のグロ
ーズその他による米国特許第4,061,724号;ドゥイヤー(Dwyer)その
他による再発行米国特許第29,948号;フラニゲン(Flanigen)その他によ
るNature,271,512-516,February 9,(1978)(これにはシリカライトの物理
的及び吸着数特性が論じられている);及びアンダーソン(Anderson)その他に
よるJ.Catalysis,58,114-130,(1979)(これにはZSM−5及びシリカラ
イトについて行われた接触反応及び収着測定が記載されている)が含まれる。こ
れらの文献及び米国特許第4,401,555号の記載は参考のためここに入れ
てあり、特に実質的に表1に従うX線回折像を有する高シリカ対アルミナゼオラ
イトを製造する方法についてのそれらの記載を入れてある。
本発明の方法で用いることができる他のゼオライトには、米国特許第4,83
5,336号明細書に列挙されているもの、即ち、ZSM−11、ZSM−12
、ZSM−22、ZSM−23、ZSM−35、ZSM−38、ZSM−48、
及び他の同様な物質が含まれる。
ZSM−5は特に米国特許第3,702,886号及び再発行米国特許第29
,948号明細書(その全体的内容は参考のためここに入れてある)に一層よく
記載されている。
ZSM−11は特に米国特許第3,709,979号明細書(その全体的内容
は参考のためここに入れてある)に一層よく記載されている。ビビー(Bibby)
その他によるNature,280,664-665,(August 23,1979)には、「シリカライ
ト−2」と呼ばれる結晶質珪酸塩の製造が報告されている。
ZSM−12は特に米国特許第3,832,449号明細書(その全体的内容
は参考のためここに入れてある)に一層よく記載されている。
ZSM−22は特に米国特許第4,481,177号、第4,556,477
号、及び欧州特許出第102,716号明細書(各々の全体的内容は参考のため
特にここに入れてある)に一層よく記載されている。
ZSM−23は特に米国特許第4,076,842号明細書(その全体的内容
は参考のためここに入れてある)に一層よく記載されている。
ZSM−35は特に米国特許第4,016,245号明細書(その全体的内容
は参考のためここに入れてある)に一層よく記載されている。
ZSM−38は特に米国特許第4,046,859号明細書(その全体的内容
は参考のためここに入れてある)に一層よく記載されている。
ZSM−48は特に米国特許第4,397,827号明細書(その全体的内容
は参考のためここに入れてある)に一層よく記載されている。
これらの中で、ZSM−5、ZSM−11、ZSM−22及びZSM−23が
好ましい。ZSM−5が本発明の触媒で用いるのに最も好ましい。
更に、ゼオライトSSZ−20及びSSZ−23が好ましい。SSZ−20は
米国特許第4,483,835号に記載されており、SSZ−23は米国特許第
4,859,442号に記載されており、それらの両方共参考のためここに入れ
てある。
結晶質珪酸塩は硼珪酸塩の形になっていてもよく、この場合硼素は一層典型的
なアルミノ珪酸塩型の珪酸塩のアルミニウムの少なくとも一部分と置き換わって
いる。硼珪酸塩は、クロツ(Klotz)による米国特許第4,268,420号、
第4,269,813号、及び第4,327,236号明細書(それら特許の記
載は参考のためここに入れてある)に記載されており、特にその記載は硼珪酸塩
の製造に関する。
本発明の方法及び触媒で用いられる硼珪酸塩の中で、好ましい結晶構造は、X
線回折像で言うとZSM−5の構造である。ZSM−5型の硼珪酸塩中の硼素は
、一層典型的なZSM−5結晶質アルミノ珪酸塩構造中に存在するアルミニウム
の場所を占めている。硼珪酸塩はアルミニウムの代わりに硼素を含んでいるが、
一般に或る少量のアルミニウムが結晶質硼珪酸塩には存在している。
本発明で用いることができる更に別の結晶質珪酸塩は、例えば、米国特許第4
,238,318号明細書に記載されているようなフェロ珪酸塩、例えば、米国
特許第4,636,483号明細書に記載されているようなガロ珪酸塩、及び例
えば、米国特許第4,299,808号明細書に記載されているようなクロモ珪
酸塩である。
このように、種々の大きなシリカ含有量を持つ珪酸塩(シリカ対他の成分の比
が大きな珪酸塩)は、本発明の触媒のゼオライト成分として用いることができる
。
本発明で用いるのに好ましい珪酸塩は、硼珪酸塩及びアルミノ珪酸塩である。
アルミノ珪酸塩が最も好ましい。シリカライトは、本発明の触媒で用いられる特
に好ましいアルミノ珪酸塩である。
合成したままのシリカライト(米国特許第4,061,724号による)は、
水置換法により測定して、1,99±0.05g/ccの77°F比重を有する
。か焼された形(1112°Fで空気中1時間)、シリカライトは1.70±0
.05g/ccの比重を有する。シリカライト結晶の平均屈折率に関しては、合
成したままの状態及びか焼した形(1112°Fで空気中1時間)の測定により
得られた値は、夫々1.48±0.01及び1.39±0.01である。
シリカライト(1112゜Fで空気中でl時間か焼したもの)のX線粉末回折
像は、六つの比較的強い線(即ち、面間隔)を有する。それらを表2に記載する
(「S」−強い、及び「VS」−非常に強い):
表3は、米国特許第4,061,724号明細書の方法に従って製造され、1
112°Fで空気中で1時間か焼した、酸化アンモニウムテトラプロピル[(T
PA)2O]1モル当たり51.9モルのSiO2を含む典型的なシリカライト組
成物のX線粉末回折像を示す。
「合成したまま」の形及びか焼した形の両方のシリカライト結晶は、一般に斜
方晶形であり、次の単位格子定数を有する:a=20.05Å、b=19.86
Å、c=13.36Å(全ての値は士O.1Å)。
シリカライトの気孔孔径は約6Åであり、その気孔体積は吸着法により決定し
て0.18cc/gである。シリカライトは周囲の室温でゆっくりネオペンタン
(運動論直径6.2Å)を吸着する。均一な気孔構造はその組成物に大きさに対
し選択性を持つ分子篩性を与え、その気孔孔径は、o−キシレン、m−キシレン
及びエチルベンゼンからp−キシレンを分離することができるのみならず、第四
炭素原子を有する化合物を、それより低い値の炭素・炭素結合を有するもの(例
えば、直鎖及び僅かに分岐したパラフィン)から分離することができる。
再発行米国特許第29,948号(アルガウアーによる米国特許第3,702
,886号の再発行特許)の結晶質珪酸塩は、無水状態で次の組成を有するもの
として記載されている:
0.9±0.2[xR2O+(1−x)M2/nO]:<0.005
Al2O3:>1 SiO2
(式中、Mは第IIIA族金属以外の金属であり、nはその金属の原子価であり、
Rはアルキルアンモニウムラジカルであり、Xは0より大きいが1を越えない数
である)。
結晶質珪酸塩は、上の表1のX線回折像を特徴とする。
フラニゲンその他による米国特許第4,073,865号明細書の結晶質珪酸
塩多形体はシリカライトに関係し、本発明の目的からZSN−5の種類に入るも
のと見做されている。その結晶質珪酸塩は、表4のX線回折像を示す。
本発明の目的から、シリカライトはZSN−5の種類に入るものと見做されて
いるが、それとは別に、非常に大きなシリカ対アルミナ比を有するZSN−5の
形のものとして見做されている。シリカライト−2はZSN−11の種類に入る
ものと見做されている。
本発明のゼオライトの製造は、一般に水、シリカ源、及び有機テンプレート化
合物を含むpH10〜14の反応混合物の水熱(hydrothermal)結晶化を含んで
いる。代表的なテンプレート部分は、XR4(式中、Xは燐又は窒素であり、R
は2〜6個の炭素原子を有するアルキルラジカルである)のような第四陽イオン
、例えばテトラプロピルアンモニウム水酸化物(TPA−OH)又はハロゲン化
物の外、アルキルヒドロキシアルキル化合物、有機アミン及びジアミン、ピロリ
ジ
ンの如き複素環化合物が含まれる。
有機テンプレート化合物(即ち、TPA−OH)が、10〜14のpHに等し
い塩基性を与えるのに充分な量で水酸化物型で系中に与えられている場合、反応
混合物は付加的成分として反応性型のシリカ及び水だけを含んでいてもよい。p
Hを10より高く上昇させなければならない場合には、水酸化アンモニウム又は
アルカリ金属水酸化物をその目的のために用いるのが適切であり、特にリチウム
、ナトリウム、及びカリウムの水酸化物を用いるのが適切である。比:R1対R+
+M+(式中、R+は有機テンプレート陽イオンの濃度であり、M+はアルカリ金
属陽イオンの濃度である)は、好ましくは0.7〜0.98、一層好ましくは0
.8〜0.98、最も好ましくは0.85〜0.98である。
反応混合物中のシリカ源は、全て、又は一部分をアルカリ金属珪酸塩にするこ
とができる。他のシリカ源には、固体反応性無定形シリカ、例えば、ヒュームド
シリカ、沈降シリカ、シリカゾル、シリカゲル、及び有機オルト珪酸塩が含まれ
る。商業的なシリカ源は、デュポン社から入手できるルドックス(Ludox)AS
−30である。
通常アルミナの形のアルミニウムは、ゼオライト中へ不純物として混入し易い
。ゼオライト中のアルミニウムは、触媒に酸性度を与える働きをし、それは望ま
しくない。アルミニウムの量をできるだけ少なくするために、最低のアルミニウ
ム含有量を有するシリカ源を選択するように注意を払うべきである。商業的に入
手できるシリカゾルは、500〜700ppmのアルミナを含有するのが典型的
であるのに対し、ヒュームドシリカは80〜2000ppmのアルミナ不純物を
含有することがある。上で説明したように、本発明で用いられる触媒のゼオライ
ト中のシリカ対アルミナのモル比は、好ましくは30:1より大きく、一層好ま
しくは200:1より大きく、最も好ましくは500:1より大きい。
反応系中のシリカの量は、有機テンプレート化合物1モルイオン当たり約1〜
10モルのSiO2になるのが好ましい。水は、一般に第四陽イオン1モルイオ
ン当たり10〜700モルの量で存在するのがよい。アルカリ又は塩基の侵食に
対し抵抗性のあるアルミナを含まない反応容器、例えば、テフロン中で反応を行
うのが好ましい。
本発明で用いる最終的触媒を形成する場合、ゼオライトをマトリックスと結合
するのが好ましい。用語「マトリックス」には、珪酸塩を結合、分散、又は別の
仕方で緊密に混合することができる無機組成物が含まれる。マトリックスは炭化
水素をクラッキングする意味で触媒活性を持たず、即ち、実質的に酸性部位を持
たないのが好ましい。満足すべきマトリックスには無機酸化物が含まれる。好ま
しい無機酸化物には、アルミナ、シリカ、天然産及び慣用的に処理された粘土、
例えば、ベントナイト、カオリン、セピオライト、アタパルジャイト、及びハロ
イサイトが含まれる。好ましいマトリックスは実質的に非酸性のものであり、殆
ど又は全くクラッキング活性を持たないものである。シリカマトリックス及びア
ルミナマトリックスも特に好ましい。低酸性度マトリックス、一層好ましくは実
質的に非酸性マトリックスを使用するのが、本発明の触媒で有利であることが見
出されている。
ゼオライトと無機酸化物マトリックスとを複合体にすることは、ゼオライトと
その酸化物とを、後者が水和状態(例えば、水和塩、ヒドロゲル、湿潤ゼラチン
状沈澱物のような状態、又は乾燥状態、又はそれらの組合せ)にある間によく混
合するような適当な方法により達成することができる。便利な方法は、塩又は塩
の混合物(例えば、硫酸アルミニウム及び珪酸ナトリウム)の水溶液を用いて水
和モノ又は複合酸化物ゲル又はコゲルを調製する。アルミニウ ヒドロキシドカ
ーボネート(又は同様な塩基)をその溶液に酸化物が水和型で析出するのに充分
な量で添加する。次にその析出物を洗浄して水溶性塩の殆どを除去し、それを、
微粉砕状態のゼオライトと完全に混合する。水又は潤滑剤を、その混合物の成形
(押出しなどによる)を促進するのに充分な量で添加してもよい。
本発明の触媒に用いるのに好ましいゼオライトは、非常に大きなシリカ対アル
ミナ比を有するZSM−5であり、それは簡単に「シリカライト」としてここで
は屡々言及する。シリカライト調製物中の結晶質相だけがシリカライトであると
仮定すると、シリカライトは好ましくは少なくとも80%、一層好ましくは少な
くとも90%、最も好ましくは少なくとも95%の結晶化度を有する。結晶化度
(%)を決定するため、シリカライトのX線回折(XRD)像を撮り、八つの主
要なピークの下の面積を20.5〜25.0゜の角度間隔で測定する。曲線の下
の面積を計算したならば、それをシリカライトの100%結晶質標準物について
の曲線の下の面積と比較する。
ゼオライトの好ましい結晶子の大きさは10μより小さく、一層好ましくは5
μより小さく、更に一層好ましくは2μより小さく、最も好ましくは1μより小
さい。結晶子の大きさを特定化した場合、結晶子の少なくとも70%がその大き
さであるのが好ましく、一層好ましくは少なくとも80重量%、最も好ましくは
90重量%がその大きさである。結晶子の大きさは、当分野で知られているよう
に、合成条件を調節することにより調節することができる。これらの条件には、
温度、pH、モル比、H2O/SiO2、R+/SiO2、及びM+/SiO2
(式中、R+は有機テンプレート陽イオンであり、M+はアルカリ金属陽イオンで
ある)が含まれる。結晶子の大きさが小さな場合、即ち、10μより小さな場合
、典型的な合成条件を下に列挙する:
ゼオライト結晶を種子として入れるような当分野で既知の他の方法を用いて結
晶子の大きさを小さくすることができる。
本発明の触媒のゼオライト成分は中間気孔孔径を有する。ここで用いる「中間
気孔孔径」とは、ゼオライトがH型になっている時、約5〜6.5Åの範囲の有
効気孔孔径を意味する。この範囲の気孔孔径を持つゼオライトは、独特の分子篩
特性を有する。エリオナイトのような小さな気孔の結晶質珪酸塩又はゼオライト
とは違って、それらは幾らか分岐を持つ炭化水素をそのゼオライト気孔空間内に
入れることができる。ホージャサイトのような大きな気孔のゼオライトとは違っ
て、一方のn−アルカン及び僅かに分岐したアルカンと、一層大きな分岐アルカ
ン、例えば、第四炭素原子を有するアルカンとを区別することができる。
結晶質珪酸塩又はゼオライトの有効気孔孔径は、標準的吸着法及び運動論によ
る最小直径が知られている炭化水素化合物を用いて測定することができる。ブレ
ック(Breck)、Zeolite Molecular Sieves,(1974)(特に第8章)及びアン
ダーソン(Anderson)その他、(J.Catalysis,58,114(1979)(その両方共
参考のためここに入れてある)参照。
H−型の中間気孔孔径結晶質珪酸塩又はゼオライトは、5〜6Åの運動論直径
を有する分子が殆ど妨害なく入ることができるのが典型的である。そのような化
合物の例〔及びそれらの運動論直径(Å)〕は次の通りである:n−ヘキサン(
4.3)、3−メチルペンタン(5.5)、ベンゼン(5.85)、及びトルエ
ン(5.8)。約6〜6.5Åの運動論直径を有する化合物は、特定のゼオライ
トに従って、それらの気孔中へ入ることができるが、迅速に透過することはでき
ず、或る場合には効果的に排除される(例えば、2,2−ジメチルブタンはH−
ZSM−5から排除される)。6〜6.5Åの範囲の運動論直径を有する化合物
には次のものが含まれる:シクロヘキサン(6.0)、m−キシレン(6.1)
及び1,2,3,4−テトラメチルベンゼン(6.4)。一般に約6.5Åより
大きな運動論直径を有する化合物はその気孔空間に侵入することはできず、従っ
て、ゼオライトの内部に吸着されることはない。そのような大きな化合物の例に
は次のものが含まれる:o−キシレン(6.8)、ヘキサメチルベンゼン(7.
1)、1,3,5−トリメチルベンゼン(7.5)、及びトリブチルアミン(8
.1)。
好ましい有効気孔孔径範囲は、約5.3〜約6.2Åである。例えば、ZSM
−5、ZSM−11及びシリカライトはこの範囲内に入る。
気孔孔径を決定するための吸着測定を行う場合、標準的方法を用いる。もし約
10分未満でゼオライトへの平衡吸着値の少なくとも95%に到達しないならば
、その特定の分子は排除されたものと考えるのが便利である(P/P0=0.5
、25℃)。
中間気孔孔径ゼオライトの例には、シリカライト及びZSM−5、ZSM−1
1、ZSM−12、ZSM−21、ZSM−22、ZSM−23、ZSM−35
、ZSM−38、SSZ−20及びSSZ−23のようなZSM系のものが含ま
れる。
本発明による触媒は一種類以上の貴金属を含んでいる。好ましい金属は、ロジ
ウム、パラジウム、イリジウム、又は白金である。パラジウム及び白金が好まし
い。白金が最も好ましい。白金のような貴金属の触媒中の好ましい割合は、0.
1重量%〜5重量%、一層好ましくは0.3重量%〜2.5重量%である。
貴金属は、含浸、吸蔵、又は水溶液での交換、又は適当な塩の水溶液中での交
換によりゼオライト中へ導入するのが好ましい。二種類の第VIII族金属をゼオラ
イト中へ導入したい場合、その操作は同時に又は順次行なってもよい。第VIII族
金属はゼオライト中及び上に微細に分散されているのが好ましい。
例として、白金は、硝酸テトラアミン白金(II)、水酸化テトラアミン白金(
II)、塩化ジニトロジアミノ白金又はテトラアミン白金(II)の水溶液を含浸さ
せることにより導入することができる。イオン交換法では、白金は、テトラアミ
ン白金(II)の硝酸塩又は塩化物のような陽イオン性白金錯体を用いて導入する
ことができる。白金を吸蔵によりゼオライト中へ導入する場合、ゼオライトを形
成する間に、その中へ白金錯体を導入するのが好ましい。
白金含浸後、もし必要ならば、触媒をアンモニウム交換し、アルカリ金属を除
去するのが好ましい。
希望の金属(一種又は多種)を導入した後、触媒を空気中、又は不活性ガスで
希釈した空気中で処理し、水素中で還元するのが好ましい。白金を含有する触媒
を、均一な金属分散を達成するか又は維持するために、ハロゲン又はハロゲン化
物処理にかけてもよい。典型的には、ハロゲン化物は塩化物化合物である。本発
明の触媒は、同様な処理にかけてもよいが、好ましい触媒は最終的な形では塩化
物を含まない。
触媒は慣用的種類の接触脱水素化装置のいずれでも用いることができる。触媒
は丸薬状、ペレット、顆粒、破片、又は種々の特別な形で反応領域内に用いるこ
とができる。
脱水素化領域への軽質パラフィン系炭化水素は、好ましくは軽質炭化水素又は
ナフサ留分、好ましくは約450°Fより低く、一層好ましくは約250°Fよ
り低く、最も好ましくは約150゜Fより低い温度で沸騰する留分である。これ
には、例えば、直留ナフサ、芳香族抽出からのパラフィン系ラフィネート、本質
的に純粋なC3、C4、C5流、又はそれらの混合物、及びC2〜C10のパラフィン
に富む供給物、その他水素化分解又は慣用的改質のような精製工程からのパラフ
ィン含有ナフサ生成物が含まれる。供給物は、好ましくはプロパン、ブタン、イ
ソブタン、又はそれらの混合物の少なくとも一種類を含む。パラフィンに富む供
給物は、好ましくは0.5重量%より多くのC2〜C10パラフィン、一層好まし
くは0.5重量%より多いC2〜C5パラフィンを含む。実際の脱水素化条件は、
高度に芳香族性、パラフィン性、又はナフテン性であるか否か、用いた供給物に
大きく依存するであろう。
供給物は、非反応性ガス(例えば、N2又はメタン)を含んでいてもよく、そ
れらは反応物炭化水素の分圧を下げる働きをすることができ、それによって一層
好ましい熱力学的平衡及び一層大きな転化率を与える結果になる。
本発明の触媒は、もし反応領域に導入した水の量が重量で50ppmより少な
く、一層好ましくは25ppmより少ないならば、一層大きな安定性(収率に対
し)を有することが判明している。
本発明の方法では、圧力は好ましくは減圧(subatmospheric)〜100psi
g、一層好ましくは減圧〜25psig、最も好ましくは減圧〜10psigで
ある。液体空間時速(LHSV−標準状態の液体として、1時間当たり脱水素化
領域に導入された炭化水素の体積を、用いた触媒床の体積で割ることによって計
算する)は、約0.1〜約20時-1であるのが好ましく、約0.3〜約5時-1の
範囲の値が好ましい。温度は好ましくは約700°F〜約1300°F、一層好
ましくは約800°F〜約1100°F、最も好ましくは約800°F〜100
0°Fである。脱水素化分野の当業者にはよく分かるように、この広い範囲内の
温度の最初の選択は、主に供給物及び触媒の特性を考慮してパラフィン系炭化水
素の希望の転化率水準の関数として主に行われる。然る後、比較的一定した転化
率値を与えるために、操作中温度をゆっくり上昇させ、不可避的に起きる不活性
化を補償する。
本発明の一つの態様によれば、脱水素化工程は水素を添加せずに行う。このこ
とはオレフィン生成物の収率を増大するのに都合がよく、脱水素化工程を一層低
い温度で操作することができるようにする。本発明の別な態様によれば、脱水素
化工程は再循環水素を存在させて行われる。これは触媒の寿命を増大し、熱を保
存する。好ましい再循環水素対新しい供給炭化水素モル比は、一般に(0〜5)
:1、一層好ましくは(0〜2):1、最も好ましくは(0〜1):1の範囲に
ある。水素が再循環される態様に従い、好ましい範囲は、再循環水素対新しい供
給炭化水素モル比の下限を0.1とする点を除き、上で述べた通りである。
本発明の触媒は、もし脱水素化で用いる前にそれらを予め硫化するならば、オ
レフィン生成に対し特に良好な選択性を達成できることが判明している。触媒の
硫化は、その場で〔脱水素化反応器(単数又は複数)の中で〕又は外部で(exsi
tu.)行うことができる。硫化はその場で行うのが好ましい。当分野で知られて
いる硫化法が適している。
本発明の方法の態様として、炭化水素供給物を、脱水素化領域又は脱水素化反
応器の中で脱水素化条件下で上述したように接触させる。この接触は、固定床系
、移動床系、流動床系、又はバッチ式操作で触媒を用いることにより達成するこ
とができるが、固定床系又は緻密相移動床系を用いるのが好ましい。
固定床系では、炭化水素供給物を希望の反応温度で予熱し、次に触媒固定床の
入った脱水素化領域へ送るのが典型的である。本発明の方法は、上で述べたよう
に、一連の脱水素化反応器中で、又は単に脱水素化装置中で用いられた全連続反
応器の一部分である脱水素化領域で、一つ以上の反応器中で触媒を使用すること
を含んでいてもよい。
本発明の方法を一連を脱水素化反応器中で行なった場合、第一反応器の後の各
反応器は、前の反応器の温度よりも高い平均温度に維持するのが好ましい。一層
好ましくは第一反応器の後の各反応器をその一連の反応器の中の前の反応器より
も少なくとも10゜F、最も好ましくは少なくとも20°F高い温度に維持する
。
本発明の方法の触媒は、脱水素化工程で使用中に失われた活性度を少なくとも
部分的に回復させるために再活性化(rejuvenate)してもよいことが判明してい
る。再活性化は、炭化水素供給物が実質的に無い所で触媒の上に水素を約100
0゜F〜約1200゜Fの温度で約4時間〜約48時間、好ましくは約8時間〜
約24時間流すことにより行われるのが典型的である。脱水素化中の触媒不活性
化速度を、例えば、脱水素化工程の反応温度をせいぜい約1000°Fの最大値
ま
でに制限することにより低い水準に維持した場合、触媒は最も効果的に再活性化
されることも判明している。「炭化水素供給物が実質的に無い」とは、再活性化
中触媒の所へ炭化水素が導入されないことを意味する。典型的には、再活性化前
に脱水素化反応器から液体炭化水素を排出させるが、その液体を排出した後に触
媒上に残っている残留液体を再活性化前の触媒からフラッシュする必要はない。
本発明の別の態様として、本発明の脱水素化工程は脱水素化反応領域流出物か
ら水素を分離する工程と組合せて操作してもよい。液体及び(又は)ガス状炭化
水素流から水素を分離する技術に利用できる方法は、本発明の方法でも有用であ
る。これよには、蒸留、吸着、吸収、抽出、及び半透過膜を通る透過が含まれる
。J.N.アーマー(Armor)によるApplied Catalysis,49,1(89)には、半
透過膜を用いて水素/炭化水素混合物から精製された水素流を回収する分離方法
が記載されている。このように、水素及び炭化水素を含む脱水素化反応領域流出
物を、膜を通って水素を優先的に通過させる半透過膜と接触させてもよい。その
ような膜の例は、水素に対し大きな透過性を持つ金属又は金属合金(例えば、P
d、Pd/Ag)であり、それらは薄い箔として単独で、又は同じく水素に対し
透過性の支持体(例えば、多孔性セラミックス、ガラス)の上の薄膜として用い
られるが、それらに限定されるものではない。非金属性無機膜及び重合体膜も当
分野で知られている。
水素分離後の生成物流は、オレフィンに富む炭化水素流及び水素に富む流れで
ある。オレフィンに富む炭化水素流は、第二の(又は二つより多くの脱水素化反
応領域を用いた場合、後の方)脱水素化反応領域で脱水素化触媒と接触させても
よい。水素に富む流れは脱水素化反応領域の一つ以上へ再循環してもよく、或は
それは別の所で用いてもよい。
〔実施例〕
比較例A
(この例は、米国特許第4,795,732号明細書で特許請求されているよ
うなアルカリを含まないシリカライトを用いると過度のクラッキングを与え、選
択性及び生成物値を低下させることがあることを例示する)。
1gのNaNO3を20gの蒸留H2Oに溶解した。これに288gの水酸化
テトラプロピルアンモニウム(TPAOH)1モル水溶液を撹拌しながら添加し
た。166gの30%シリカゾル〔ルドックス(Ludox)AS−30〕を次に添
加し、10分間混合した。次にその混合物を密封テフロン瓶中に入れ、7日間1
00℃で加熱した。生成物を遠心分離にかけ、上澄み液を除去し、固体を蒸留水
で洗浄し、真空炉中で110℃で一晩乾燥し、乾燥空気中で538℃で8時間か
焼した。固体生成物はX線回折分析により100%がシリカライトであることが
同定された。走査電子顕微鏡(SEM)で決定して、平均粒径は約0.4μであ
った。誘導結合プラズマ法〔カリフォルニア州アプライド・リサーチ・ラボラト
リーズ(Applied Research Laboratories)から販売されている型3580 I
CPを用いた〕による化学分析は、その分子篩が900ppmのAlを含んでい
ることを示していた。このAl含有量で、SiO2/Al2O3モル比は約100
0であった。次にその分子篩に0.8%のptを、Pt(NH3)4(NO3)2水
溶液及び気孔充填法を用いて含浸させ、次に真空炉中で110℃で一晩乾燥し、
乾燥空気中で260℃で8時間か焼した。次に触媒を酢酸アンモニウムの25%
水溶液を用いて80℃で2回交換し、濾過し、次に真空炉中で110℃で8時間
乾燥し、乾燥空気中で204℃で2時間か焼した。か焼した触媒はICPにより
50ppmのNaを含み、アルカリ/アルミニウムモル比が0.07であること
が分かった。
次にその触媒をガスクロマトグラフを具えたパイロットプラントで固定床反応
器中で脱水素化について試験した。触媒を水素中482℃で2時間還元し、その
温度でPt1モル当たり2モルのSの比率でジメチルジスルフィド(DMDS)
により予め硫化し、次に428℃で大気圧で、水素を添加せずに5LHSVでイ
ソブタンを脱水素化するのに用いた。イソブタン転化率は50%であったが、イ
ソブテンへの選択性は僅か27%であった。一層低い値の分解生成物への選択性
は25%で、残りの殆どはC4へ異性化した。
比較例B
(この例は、米国特許第4,438,288号明細書で特許請求されているよ
うな高アルカリ珪酸塩を使用すると、その方法で非常に僅かな転化率しか与えな
いことを例示する)。
11.5gのNaNO3を50gの蒸留H2Oに溶解した。500gのTPAO
Hの25%水溶液を添加し、5分間撹拌した。次に5gのH3BO3を撹拌しなが
ら添加し、次に400gのルドックスAS−30を添加し、15分間混合した。
その混合物を密封テフロン瓶中に入れ、5日間90℃で加熱した。次に生成物を
遠心分離にかけ、上澄み液を除去し、固体を蒸留水で洗浄した。それら固体を真
空炉中で110℃で一晩乾燥し、次に乾燥空気中で538℃で8時間か焼した。
固体はx線回折分析により100%がシリカライトであることが同定された。S
EMで決定して、平均粒径は約0.3μであった。ICP分析は、その分子篩が
766ppmのAl及び1%のNaを含み、アルカリ/Alモル比が約15であ
ることを示していた。次にその分子篩に0.8%のptを、
Pt(NH3)4(NO3)2水溶液及び気孔充填法を用いて含浸させ、次に真空炉
中で110℃で一晩乾燥し、乾燥空気中で260℃で8時間か焼した。次に触媒
を還元し、予め硫化し、比較例Aの触媒のようにイソブタン脱水素化について試
験した。転化率は3%より低かった。
実施例1
80gのNaNO3を80gの蒸留H2Oに溶解した。8.3gのH3BO3を撹
拌しながら添加し、次に800gのTPAOHの25%水溶液を添加し、10分
間撹拌した。更に200gの25%TPAOH及び800gのH2Oを次に撹拌
しながら添加した。次に200gのヒュームドシリカ〔キャブ・オ・シル(Cab-
O-Sil)M−5〕を添加し、10分間混合した。その混合物を密封テフロン瓶中
に入れ、7日間100℃で加熱した。生成物を遠心分離にかけ、上澄み液を除去
し、固体を蒸留水で洗浄した。それら固体を真空炉中で110℃で一晩乾燥し、
次に乾燥空気中で538℃で8時間か焼した。固体はX線回折分析により100
%がシリカライトであることが同定された。SEMで決定して、平均粒径は約0
.5μであった。触媒に0.8%のptを、Pt(NH3)4(NO3)2水溶液及
び気孔充填法を用いて含浸させた。触媒を真空炉中で110℃で一晩乾燥し、次
に乾燥空気中で177℃で4時間、232℃で4時間、そして288℃で4時間
か焼した。次に酢酸アンモニウムの25%水溶液を用いて80℃で2回交換し、
濾過し、次に真空炉中で110℃で一晩乾燥した。次に触媒に0.05%のNa
をNa2CO3の水溶液及び気孔充填法を用いて含浸させ、次に真空炉中で110
℃で一晩乾燥し、乾燥空気中で260℃で4時間か焼した。この触媒はICP分
析により264ppmのAlを含み、約2のアルカリ/Alモル比をもっていた
。
次に触媒を還元し、予め硫化し、比較例Aの触媒のようにイソブタン脱水素化
について試験した。転化率は29%で、イソブテンへの選択性は70%であった
。
実施例2
900ppmのAlを含むシリカライト試料を製造した。この分子篩に0.3
%のNaを、NaNO3の水溶液及び気孔充填法を用いて含浸させた。この分子
篩を真空炉中で110℃で一晩乾燥し、次に乾燥空気中260℃で4時間か焼し
た。次にそれに0.8%のptを、Pt(NH3)4(NO3)2水溶液及び気孔充
填法を用いて含浸させ、真空炉中で110℃で一晩乾燥し、次に乾燥空気中で1
49℃で2時間、204℃で2時間、そして288℃で4時間か焼した。次にそ
の触媒に0.15%のMgを、Mg(NO3)2の水溶液及び気孔充填法を用いて
含浸させ、次に乾燥し、そしてpt含浸後に用いたのと同じ手順によりか焼した
。この触媒のアルカリ/Alモル比は約4であった。
触媒を水素中で482℃で2時間還元し、次にDMDSで予め硫化した。次に
その触媒を用いてn−ブタンを482℃で、5LHSV、及び水素を添加せずに
大気圧で脱水素化した。触媒は約21%の転化率で操作し、380時間に亙って
殆ど不活性化することなく、91%の選択性で作動した。
実施例3
100gのシリカ(PPGで製造された水和シリカ、Hi−Sil 233)
に、8gのカオリン粘土粉末(53.7重量%のSiO2、42.5重量%のA
l2O3)及び60gのTPAOH40重量%水溶液を添加し、ベーカー・パーキ
ンス(Baker-Perkins)混合器中で1時間混合した。次に0.34gのH3BO3
を25gを水中に溶解し、5.8gのNaOH50重量%水溶液と共に上記混合
物へ添加した。混合を更に30分間続けた。次に混合物を1/16インチ型に通
して押出した。押出し物を密封テフロン瓶中に入れて100℃で4日間加熱した
。次に押出し物を真空炉中110℃で一晩乾燥し、空気中で538℃
で8時間か焼した。生成物はX線回折分析により約100%がZSM−5として
同定され、SEMにより決定して約0.2μ直径の粒子からなっていた。ICP
分析は、触媒が1.5%のNa及び1.4%のAlを含むことを示し、従ってア
ルカリ/Alモル比は約1.3であった。その触媒に、0.8%のptを、Pt
(NH3)4(NO3)2水溶液及び気孔充填法を用いて含浸させた。次にその触媒
を真空炉中で110℃で一晩乾燥し、乾燥空気中で204℃で4時間、260℃
で4時間、そして288℃で4時間か焼した。
触媒を水素中で482℃で2時間還元し、次にDMDSで予め硫化した。次に
その触媒を用いてn−ブタンを482℃で、5LHSV、及び水素を添加せずに
大気圧で脱水素化した。触媒は約24%の転化率で、480時間に亙って殆ど不
活性化することなく、n−ブテンに対し93%の選択性で作動した。
実施例4
実施例3の新しい触媒を二つの別々の反応器中に同じ体積入れた。その触媒を
実施例3のようにn−ブタン脱水素化について5全LHSV(overall LHSV)で
試験した。しかし、この時は、第一の反応器は482℃で、第二の反応器は51
0℃で操作した。第二の反応器の後の転化率は約31%で、n−ブテンへの選択
性は約92%〜93%で、330時間に亙り不活性化は極めて僅かであった。
実施例5
実施例1の触媒を用いて脱水素化実験を、転化率が23%に低下するまで続け
た。供給物を止め、次に触媒を538℃で16時間水素でストリップした。次に
触媒を482℃へ冷却し、水素の添加を止め、イソブテンの供給を再び開始した
。転化率は30%に戻った。
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(51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI
C10G 35/095 6958−4H
(81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE,
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,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE,SN,
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P,KP,KR,KZ,LK,LU,MG,MN,MW
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SE,SK,UA,VN
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1.100ppbより多くの硫黄に周期的に曝されることがある反応領域中で 軽質パラフィン系炭化水素供給物を脱水素化する方法において、接触脱水素化条 件で、前記供給物と、 (a) 貴金属; (b) 約30以上のシリカ対アルミナモル比を有する中間気孔孔径ゼオライ ト;及び (c) アルカリ成分で、ゼオライト中のアルカリ対アルミナ比がモル比で約 1〜約5になる含有量のアルカリ成分; からなる触媒と接触させることからなる脱水素化方法。 2.ゼオライトのシリカ対アルミナモル比が少なくとも200である、請求項 1に記載の方法。 3.ゼオライトのシリカ対アルミナモル比が少なくとも500である、請求項 1に記載の方法。 4.珪酸塩のアルカリ対アルミニウム比がモル比で約1〜約3である、請求項 1に記載の方法。 5.触媒を脱水素化領域で500ppbより多い硫黄に少なくとも周期的に曝 す、請求項1に記載の方法。 6.触媒を脱水素化領域で1000ppbより多い硫黄に少なくとも周期的に 曝す、請求項1に記載の方法。 7.炭化水素供給物が100ppbより多い硫黄を含む、請求項1に記載の方 法。 8.炭化水素供給物が500ppbより多い硫黄を含む、請求項1に記載の方 法。 9.炭化水素供給物が1000ppbより多い硫黄を含む、請求項1に記載の 方法。 10. 触媒を予め硫化する、請求項1に記載の方法。 11. 触媒を予め硫化する、請求項3に記載の方法。 12. 触媒を予め硫化する、請求項4に記載の方法。 13. ゼオライト結晶子粒径が5μより小さい、請求項1に記載の方法。 14. ゼオライト結晶子粒径が2μより小さい、請求項13に記載の方法。 15. 触媒を予め硫化するか、又は硫化される、請求項14に記載の方法。 16. 炭化水素供給物が2ppm以下の硫黄を含む、請求項1に記載の方法。 17. 炭化水素供給物が2ppm以下の硫黄を含む、請求項7に記載の方法。 18. 炭化水素供給物が0.01〜2ppmの硫黄を含む、請求項1に記載の 方法。 19. 炭化水素供給物が0.01〜2ppmの硫黄を含む、請求項7に記載の 方法。 20. ゼオライトがZSM−5である、請求項1に記載の方法。 21. ゼオライトがZSM−11である、請求項1に記載の方法。 22. 貴金属が白金、パラジウム、イリジウム、又はロジウムである、請求項 1に記載の方法。 23. 貴金属が白金である、請求項1に記載の方法。 24. 軽質パラフィン系炭化水素供給物が少なくとも一種類のプロパン、ブタ ン、イソブタン、又はそれらの混合物を含む、請求項1に記載の方法。 25. 反応領域が複数の脱水素化反応器を有する、請求項1に記載の方法。 26. 第一反応器の後の各反応器が、前の反応器の平均温度よりも高い平均温 度に維持される、請求項25に記載の方法。 27. 更に触媒を再活性化する工程を含む、請求項1に記載の方法。 28. 再活性化工程が水素流中で約1000°F〜約1200°Fの範囲の温 度で行われる、請求項27に記載の方法。 29. 再活性化工程を、炭化水素供給物が実質的に存在しない状態で行う、請 求項28に記載の方法。 30. 脱水素化反応領域流出物流を水素に富む流れとオレフィンに富む炭化水 素流とに分離する工程を更に含む、請求項1に記載の方法。 31. 分離工程が脱水素化反応領域流出物を半透過膜と接触させることを含む 、請求項30に記載の方法。 32. (a) 白金又はパラジウム; (b) 少なくとも200のシリカ対アルミナモル比及び10μより小さい結 晶子粒径を有する中間気孔孔径ゼオライト;及び (c) アルカリ成分で、ゼオライト中のアルカリ対アルミニウム比がモル比 で約1〜約5になる含有量のアルカリ成分; からなる脱水素化触媒。 33. シリカ対アルミナモル比が少なくとも500である、請求項32に記載 の触媒。 34. 結晶子粒径が5μより小さい、請求項32に記載の触媒。 35. アルカリ含有量が、ゼオライトの中のアルミニウム1モル当たりアルカ リが約1〜約3モルになる範囲にある、請求項34に記載の触媒。 36. (a)が白金であり、ゼオライトがZSM−5であり、アルカリがナト リウムである、請求項34に記載の触媒、 37. ゼオライトがマグネシウム又はカルシウムを含む、請求項34に記載の 方法。 38. ゼオライト中のアルカリ対アルミニウム比がモル比で1〜5である、請 求項34に記載の触媒。 39. ゼオライトが硼珪酸塩である、請求項34に記載の触媒。
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