JPH08503742A - 糸を案内及び搬送するためのゴデット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 エンドレスな糸を案内及び搬送するためのゴデット（２）がゴデット外套（３）に沿って単数又は複数の加熱帯域を有していて、この場合、ゴデット外套（３）の温度を帯域毎に調整するために、加熱素子（７乃至１０）によってゴデット外套（３）内に導入される熱が複式温度センサによって検出される。本発明によれば、温度センサ（１２）が、極めて高い温度まで耐熱性であるフィルムバンド内に封入された抵抗及び導体路から成る扁平な回路から構成されている。露出したタップ接点（１８）がゴデット（２）から引出されていてかつ測定導線を介して評価装置に接続されているのに対して、温度センサ（１２）自体が回転駆動されるゴデット外套（３）の内面に固定されている。

Description

【発明の詳細な説明】 糸を案内及び搬送するためのゴデット 【技術分野】 本発明は、請求の範囲第１項の上位概念に記載の形式のゴデットに関する。 【背景技術】 このようなゴデットはアメリカ合衆国特許第３５８１０６０号明細書から公知 である。 通常このアメリカ合衆国特許第３５８１０６０号明細書で記載の構造で構成さ れる公知の加熱されるゴデットにおいては、細い棒として構成された温度センサ は回転軸線に対して平行にゴデット外套内に差し込まれる。これによって、特に 多数の加熱帯域を有するゴデットの場合、加熱帯域の数に相応する数の孔が周方 向に亘って分配されて端面側から異なる深さでゴデット外套内に装入されねばな らなくなる。これによって、特に極めて高い回転数で回転するゴデットの場合、 ゴデット外套が著しく弱化するばかりでなく、アンバランスが生じるようになり 、このアンバランスを再度補償することは面倒である。 【発明の開示】 従って本発明の課題は、加熱されるゴデットにおいて、ゴデット外套弱化原因 及びアンバランス発生原因 が除かれるようにすることにある。 前記課題は本発明によれば、請求項第１項の特徴部分に記載の本発明によるゴ デットによって解決された。 本発明の構成によって、従来必要とされたゴデット外套の費用のかかる加工が 不要になる。しかしながら、ゴデット外套の曲率に適合した、中間スペースなし に接触する本発明により使用されるゴデットの温度センサがあらゆる温度帯域で 回転軸線から同じ間隔を有することが重要である。それというのも、ゴデットの 全ての温度センサにおいてゴデット外套の糸移送面に対する温度勾配が同じにな るからである。更に、ゴデット外套における温度センサの固定は全面で行われね ばならない。このために有利には接着結合又は締付け結合が行なわれる。 特に大きな構造長さの場合、加熱されるゴデットはその長さに亘って、通常多 数の加熱帯域に分割される。本発明によれば、ゴデット周方向に亘って分配して それぞれの加熱帯域に固有の温度センサを配属するか又は全ての加熱帯域を共通 の複式温度センサによって走査することができる。この場合、温度センサの測定 範囲は多数の加熱帯域に相応してゴデット長さに亘って分配される。 特に全ての加熱帯域が共通の複式温度センサによって走査される場合、温度セ ンサは有利には長手方向で 、それぞれ所属の測定値タップを有する、必要であれば重ね合わせて結合される 多数の同じ形式の測定範囲に分割され、前記測定値タップはゴデットの加熱帯域 に配属されている。更に、測定値タップは有利にはバンド端部で纏められていて かつ導体路によって測定値タップに属する測定範囲に接続されている。 ゴデット外套の長さに亘って延びるバンド状の温度センサをそれぞれ固有の測 定導線を有する、ゴデット外套の加熱帯域の数と同じ数の互いに無関係な温度セ ンサに分割することもできる。 有利な構成では、単数又は複数の温度ヤンサの、ゴデット外套と共に回転する 測定値タップは円上で周方向に亘って分配されて配置されている。測定値タップ には、例えば中空の定置の支持体の前端で所定の位置に保持された走査部材が配 属されていて、この走査部材自体はタップ接点を備えている。支持体はゴデット の支承側からゴデット軸の中央の孔を介して前方のゴデット端部まで延びていて かつ、タップ接点を電気的な評価装置に接続する測定導線を案内している。 このような機械的な走査はほぼ低回転数の場合にのみ適用される。 選択的に、西ドイツ国特許第３８３０３８４号明細書（アメリカ合衆国特許第 ５１４２２８０号明細書）から公知のように、ゴデット外套において検出された 測定値は無接触式に評価装置に継送される。 【図面の簡単な説明】 次ぎに図示の実施例につき本発明を説明する。 第１図は、共通の複式温度センサを有する本発明によるゴデットの縦断面図、 第２図は、バンド状の温度センサの原理図、第３図は、ゴデットの別の実施例の 縦断面図、第３Ａ図は、第３図の一部の拡大図、第４図は、本発明のゴデット加 熱形式を概略的に示した図である。 【発明を実施するための最良の形態】 ゴデット外套３は通常の形式でゴデット端壁４を介してゴデット軸６に回動不 能に結合されている。ゴデット軸６に対して同軸的に、機械フレーム１に固定さ れた管状の保持体１１がゴデット端壁４の近くまで延びていて、この場合、保持 体１１はゴデット端壁４には接触しない。保持体１１上には環状の加熱素子７乃 至１０、例えば誘導コイルが設けられていて、この加熱素子には詳細に図示され てない形式で電流が供給される。 ゴデット外套３の内壁には軸平行に延びる温度センサ１２が、有利には面接着 により、固定されている。温度センサは全ての加熱素子７乃至１０に共通であり かつ適当な区分に分割されている（第２図参照）。温度センサ１２はゴデット端 壁４の外側から、ゴデット端壁４内に設けられた例えばスリット状の貫通孔５の １つを介して、ゴデット外套の内部に案内される。温 度センサ１２の、タップ接点を支持する接点ディスク１３はゴデット端壁の外側 でゴデット端壁の中央に向けて案内されている。温度センサの構造及び機能につ いては後で詳述する。 第２図では本発明により使用される温度センサの実施例を図示している。温度 センサは個々の測定区分１４乃至１７（４つの加熱素子７乃至１０を有する第１ 図で図示のゴデットに適合して４つの測定区分）に分割されていて、この測定区 分は導体路２０を介して接点ディスク１３上に配置されたタップ接点１８に接続 されている。回路全体は両側で、タップ接点のみを露出させる被覆を備えていて 、例えばフィルム１９によって被覆されている。被覆は有利にはポリイミドから 形成される。例えば被覆は、被覆材料がプロセスに起因するゴデット温度まで、 例えば２５０℃乃至３５０℃まで耐熱性である場合には、ポリイミドから成るカ バー層を有するグラスファイバー・シリコンゴム・支持フィルム又はセラミック ス層内に埋め込まれたシリカートファイバー又は別の材料又は複合材料から形成 することもできる。 第１図の実施例では接点ディスク１３は、ゴデット外套３が回転した場合全て のタップ接点１８がゴデット軸６に対して同心的な円上を回転するように、配置 されている。 ゴデット軸６は中空軸として構成されていてかつ同 軸的な縦孔を備えていて、この縦孔は固定ねじ（詳細に図示せず）内で延びてい てかつ固定ねじのへッドで開口している。中空軸を介して機械フレーム１に固定 された中空の支持体２３、例えば防護管が延びていて、この支持体の前端にはゴ デット軸線に対して垂直な平面内で延びるディスク状の走査部材２１が係合して いる。接点ディスク１３に面した走査部材２１の表面は少なくとも１つの、有利 には２つ以上の走査素子２２を備えていて、この走査素子２２は個々に測定導線 ２４を介して評価装置（図示せず）に接続されている。 第３図及び第３Ａ図では温度センサ１２を有する本発明のゴデットの別の実施 例が図示されていて、この場合、温度センサは個々の加熱素子７乃至１０に配属 された個々の測定区分に分割されている。ゴデットの構造はほぼ第１図で図示の 前述の実施例と合致しているが、温度センサ及びその測定区分１４乃至１７によ って受け取られる信号の継送は異なる形式で解決される。 第１図の実施例の場合のようにタップ接点１８を支持する接点ディスク１３に よってゴデット軸６に向けて案内された温度センサ１２（第１図参照）は、第３ 図の実施例では、対応片と協働して中空ねじ２５によって締付けられて、接点を 対応片の適当な対応接点と合致されられる。この対応片は第３図では接点ディス ク１３と協働して接点ユニット２８として形成されか つ防護管２３内で案内された図示されてない測定導線束２４（第１図参照）の端 片を形成する。この場合、測定導線束２４は後方の軸端６Ａにおいて、タップ接 点２２を備えた、端部側の軸端面に固定された接点ディスク１３Ａに達している 。この接点ディスク１３Ａに対置して、以下に詳述する測定値変換器２７の一部 として機械フレーム１に結合された走査部材２７Ａが配置されている。防護管２ ３、測定導線束２４、接点ディスク１３Ａ及び接点ユニット２８はゴデット外套 ３及び端面側のゴデットカバー２９と共に回転するのに対して、機械フレーム１ から張出した保持体１１及び保持体に固定された加熱素子７乃至１０は定置であ る。ゴデット軸の駆動及び支承は公知の形式で行なわれ、それ故詳細には図示し ない。 前述の実施例の機能を第４図の回路図により説明する。しかしこれは１つの可 能性を示すに過ぎない。 運転プログラムの選択は中央制御装置３１の適当なプログラミングによって行 なわれる。誘導コイル３０には高周波供給ユニット３２，３３からプログラムに 相応してベースロードが供給される。温度センサ１２もしくは複式温度センサ１ ２の個々の測定区分はゴデット温度に相応した信号を発生し、この信号は測定導 線束２４を介して測定値変換器２７に達する。この測定値変換器において信号は デジタル信号に変換されかつ測定値変換器から測定値継送器３５を介して温度調 整器３４に引き渡される。この場合、中央制御装置３１によって予め規定された 目標値と実際値とが比較されかつ適当な修正信号が形成される。高周波供給ユニ ット３２，３３は実際値と目標値との比較によって得られた調節信号によって負 荷されかつこれに相応して誘導コイル３０の供給エネルギを修正する。 本発明は第２図に相応する温度センサ１２の使用に限定されるものではない。 つまり、この温度センサは一実施例を示すに過ぎない。更に本発明は、ゴデット の回転部分から機械フレームの定置部分への測定値継送の記述の（図示の）実施 形に限定されるのもではない。むしろ、このような測定技術問題に関与する専門 家に委ねられるような別の解決策又は専門文献に記載されているような別の解決 策も可能である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＪＰ，ＫＲ，ＵＳ

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．糸を案内及び搬送するためのゴデットであって、単数又は複数の加熱帯域を 有する回転可能なゴデット外套（３）と、外套内部に配置された定置の加熱素子 （７乃至１０）と、ゴデット外套（３）と共に回転する、加熱帯域に配属された 少なくとも１つの温度センサ（１２）とが設けられている形式のものにおいて、 温度センサ（１２）が絶縁作用を有するフィルムバンド（１９）内に封入された 扁平な測定ユニット（１４乃至１７）として形成されていて、この測定ユニット が導体路（２０）を介して外部に案内された露出したタップ接点（１８）を有し ておリ、更に、前記温度センサ（１２）がゴデット外套（３）の内面に、特にゴ デット軸（６）に対して平行に固定されていることを特徴とする、糸を案内及び 搬送するためのゴデット。 ２．温度センサ（１２）がゴデット外套（３）の内面に接着されているか又はゴ デット外套（３）に締付け固定されている、請求項１記載のゴデット。 ３．温度センサ（１２）が長手方向で、ゴデット（２）の加熱帯域に配属された タップ接点（１８）を有する互いに無関係な多数の温度測定ユニット（１４乃至 １７）に分割されていて、互いに無関係な温度測定ユニット（１４乃至１７）が 独自の測定導線 （２０）を有している、請求項１又は２記載のゴデット。 ４．タップ接点（１８）がバンド端部でディスク（１３）上に纏められている、 請求項１から３までのいずれか１項記載のゴデット。 ５．バンド状の温度センサ（１２）がそれぞれ固有のタップ接点（１８）を備え た、重ね合わせて結合される多数の同じ形式の測定ユニット（１４乃至１７）に 分割されている、請求項１又は２記載のゴデット。 ６．軸方向で相前後して配置された２つ以上の加熱帯域にゴデット外套（３）を 分割する場合、それぞれの加熱帯域に固有のバンド状の温度センサ（１２）が配 属される、請求項１又は２記載のゴデット。 ７．単数又は複数の温度センサ（１２）のタップ接点（１８）がゴデット軸（６ ）に対して同心的な円上に配置されており、タップ接点（１８）に走査素子（２ ２）を備えた走査部材（２１）が配属されていて、この走査部材が測定導線（２ ４）を介して評価装置（２７，３４）に接続されている、請求項１から６までの いずれか１項記載のゴデット。 ８．フィルムバンド（１９）が絶縁作用を有する耐熱性のフィルムバンドとして 形成されている、請求項１記載のゴデット。 ９．フィルムバンド（１９）がポリイミドから形成されかつ２５０℃乃至３００ ℃のゴデット温度まで耐 熱性である、請求項８記載のゴデット。 10．フィルムバンド（１９）がポリイミド又は繊維補強されたセラミックス条片 から成るカバー層を有するグラスファイバー・シリコンゴム・支持フィルムから 形成されている、請求項９記載のゴデット。 11．温度測定ユニット（１４乃至１７）が温度に関連した抵抗材料、例えばＰＴ １００から形成されている、請求項１から１０までのいずれか１項記載のゴデッ ト。 12．温度測定ユニット（１４乃至１７）が熱素子連鎖から形成されている、請求 項１から１０までのいずれか１項記載のゴデット。 13．温度測定の平均値形成が単数又は複数の温度センサ（１２）の立体的な膨張 によって行なわれる、請求項１から１２までのいずれか１項記載のゴデット。 14．ゴデット（２）の加熱体（７乃至１０；３０）にエネルギを供給するのに用 いられる、それぞれ異なる周波数又は逆向きのオン・オフ比を発生する高周波供 給ユニット（３２，３３）が設けられていて、それぞれ互いに隣接する加熱体（ ７乃至１０；３０）が異なる高周波供給ユニット（３２，３３）に接続されてい る、請求項１から１３までのいずれか１項記載のゴデット。