JPH084208B2 - Reference voltage circuit - Google Patents
Reference voltage circuitInfo
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- JPH084208B2 JPH084208B2 JP62334379A JP33437987A JPH084208B2 JP H084208 B2 JPH084208 B2 JP H084208B2 JP 62334379 A JP62334379 A JP 62334379A JP 33437987 A JP33437987 A JP 33437987A JP H084208 B2 JPH084208 B2 JP H084208B2
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Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、負荷変動による出力電圧変動を減少する基
準電圧回路に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a reference voltage circuit that reduces output voltage fluctuation due to load fluctuation.
従来の技術 第２図は、従来のトランジスタを用いた基準電圧回路
の回路構成図である。第２図で、１は電源電圧端子、２
は出力端子である。抵抗R7,R8,R9は電源電圧Vccを分割
している。抵抗R10およびトランジスタQ6は定電流源を
構成し、ダイオード接続されたトランジスタQ7およびト
ランジスタQ8は定電圧源を構成している。トランジスタ
Q9および抵抗R11は、前述の定電圧源の出力を取り出す
エミッタフォロワの出力回路を構成している。2. Description of the Related Art FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a reference voltage circuit using a conventional transistor. In FIG. 2, 1 is a power supply voltage terminal, 2
Is an output terminal. The resistors R 7 , R 8 and R 9 divide the power supply voltage Vcc. The resistor R 10 and the transistor Q 6 form a constant current source, and the diode-connected transistors Q 7 and Q 8 form a constant voltage source. Transistor
Q 9 and the resistor R 11 form an output circuit of the emitter follower that takes out the output of the constant voltage source.
以上のように構成された従来の基準電圧回路につい
て、以下、その動作を説明する。電源電圧Vccは抵抗R7,
R8,R9によって分圧されており、抵抗R8,R9の接続点の電
圧は、トランジスタQ7,Q8による定電圧源、および抵抗R
10とトランジスタQ6による定電流源によって変換され、
抵抗R11、トランジスタQ9によって構成されたエミッタ
フォロワ回路によって出力端子２に出力電圧VOUTが現わ
れる。この出力電圧VOUTは、トランジスタQ7,Q8,Q9のベ
ース−エミッタ間の電圧をそれぞれVBE7,VBE8,VBE9とす
ると、次のようになる。The operation of the conventional reference voltage circuit configured as described above will be described below. The power supply voltage Vcc is the resistance R 7 ,
R 8, are divided by R 9, the voltage at the connection point of the resistors R 8, R 9 includes a constant voltage source by the transistor Q7, Q8, and resistors R
Converted by a constant current source with 10 and transistor Q 6 ,
An output voltage V OUT appears at the output terminal 2 by the emitter follower circuit formed by the resistor R 11 and the transistor Q 9 . The output voltage V OUT, the base of the transistor Q 7, Q 8, Q 9 - when the voltage between the emitter respectively V BE7, and V BE8, V BE9, as follows.
ここで、出力端子２に接続された負荷が変動した場合
を考える。負荷の変動によって、出力電圧VOUTが変化す
ると、前記（１）式からも分かるように、その変化の影
響を減少させることはできない。よって、負荷の変動
は、出力電圧VOUTを変化させる。 Here, consider a case where the load connected to the output terminal 2 changes. When the output voltage V OUT changes due to the load change, as can be seen from the above equation (1), the effect of the change cannot be reduced. Therefore, a change in the load changes the output voltage V OUT .
発明が解決しようとする問題点 従来の構成では、負荷電流の変動によって出力電圧が
変動するということが問題になっていた。Problems to be Solved by the Invention In the conventional configuration, it has been a problem that the output voltage fluctuates due to the fluctuation of the load current.
本発明は、上記問題点を解決するもので、負荷電流の
変動による出力電圧の変化を補償することのできる基準
電圧回路を提供することを目的とする。An object of the present invention is to solve the above problems and to provide a reference voltage circuit capable of compensating for a change in output voltage due to a change in load current.
問題点を解決するための手段 本発明は、接地点と電源電位との間に設定された第1,
第２の基準電位と、エミッタに第１の抵抗（R4）を有
し、前記第１の基準電位がベースに与えられる一導電型
の第１のトランジスタ（Q1）と、前記第２の基準電位が
ベースに与えられ、前記第１のトランジスタのコレクタ
電流がエミッタに与えられる一導電型の第２のトランジ
スタ（Q3）を含む電圧源と、前記電圧源の電位がベース
に与えられエミッタホロワ出力回路をなす逆導電型の第
３のトランジスタ（Q5）と、エミッタと接地点との間に
第２の抵抗を有し、前記第３のトランジスタのエミッタ
にベースを接続し、前記第１のトランジスタのエミッタ
にコレクタを接続した逆導電型の第４のトランジスタ
（Q4）とを備えた基準電圧回路である。Means for Solving the Problems The present invention relates to a first and a first set between a ground point and a power supply potential.
A first conductive type first transistor (Q1) having a second reference potential, a first resistor (R4) at the emitter, and a base to which the first reference potential is applied; and the second reference potential Is applied to the base and a collector current of the first transistor is applied to the emitter, and a voltage source including a second transistor (Q3) of one conductivity type, and an electric potential of the voltage source is applied to the base to form an emitter follower output circuit. A third transistor (Q5) of reverse conductivity type, and a second resistor between the emitter and the ground, the base of the third transistor is connected to the emitter of the third transistor, and the emitter of the first transistor is connected. And a reverse-conductivity-type fourth transistor (Q4) having a collector connected to the reference voltage circuit.
作用 本発明によると、エミッタホロワ出力回路を構成する
第３のトランジスタ（Q5）のベース・エミッタ間電圧V
BE5は負荷電流の変動による出力電圧の変化によって変
動するが、今負荷電流の変動によって出力電圧が減少し
てVBE5が増大し、第４のトランジスタ（Q4）のエミッタ
電流が減少方向に変化すると、第１のトランジスタ（Q
1）のコレクタ電流を増大させ、電圧源を構成する第２
のトランジスタ（Q3）のベース・エミッタ間電圧を増大
させる。即ち、第３のトランジスタ（Q5）のベース・エ
ミッタ間電圧の変動に合わせて、第２のトランジスタ
（Q3）のベース・エミッタ間電圧を同一方向に変動させ
て、第３のトランジスタ（Q5）のベース電圧を上昇さ
せ、出力電圧を増大させ、負荷電流の変動による出力電
圧の変動を減少させることができる。Action According to the present invention, the base-emitter voltage V of the third transistor (Q5) forming the emitter follower output circuit
BE5 fluctuates according to the change of the output voltage due to the change of the load current, but now when the output voltage decreases due to the change of the load current and V BE5 increases, and the emitter current of the fourth transistor (Q4) changes in the decreasing direction. , The first transistor (Q
Second, which increases the collector current of 1) and constitutes a voltage source
Increase the base-emitter voltage of the transistor (Q3). That is, the base-emitter voltage of the second transistor (Q3) is changed in the same direction in accordance with the change of the base-emitter voltage of the third transistor (Q5), and the third transistor (Q5) It is possible to increase the base voltage, increase the output voltage, and reduce the fluctuation of the output voltage due to the fluctuation of the load current.
実施例 第１図に本発明の実施例回路の回路構成図を示す。第
１図で、１は電源端子、２は出力端子である。点線で囲
んだＡ部分は、基準電圧発生回路で、抵抗R1,R2および
同R3によって電源電圧Vccを分割している。そして、点
線で囲んだＢ部分は調整可能な電流源で、抵抗R4および
PNPトランジスタQ1で構成されている。点線で囲んだＣ
部分は定電圧源で、ダイオード接続されたNPNトランジ
スタQ2及びPNPトランジスタQ3によって構成されてい
る。そして、点線で囲んだＤ部分はエミッタホロワ型の
出力回路で、NPNトランジスタQ5および抵抗R6によって
エミッタフォロワ構成されている。そして点線で囲んだ
Ｅ部分は、検出回路でNPNトランジスタQ4および抵抗R5
より構成されている。Embodiment FIG. 1 shows a circuit configuration diagram of an embodiment circuit of the present invention. In FIG. 1, 1 is a power supply terminal and 2 is an output terminal. A portion surrounded by a dotted line is a reference voltage generating circuit, and the power source voltage Vcc is divided by the resistors R 1 , R 2 and R 3 . The part B surrounded by the dotted line is an adjustable current source, and the resistor R 4 and
It is composed of a PNP transistor Q 1 . C surrounded by a dotted line
The part is a constant voltage source, which is composed of a diode-connected NPN transistor Q 2 and a PNP transistor Q 3 . A portion D surrounded by a dotted line is an emitter follower type output circuit, which is constituted by an NPN transistor Q 5 and a resistor R 6 and constitutes an emitter follower. The E part surrounded by the dotted line is the NPN transistor Q 4 and the resistor R 5 in the detection circuit.
It is composed of
出力端子２に現われる出力電圧VOUTは、トランジスタ
Q2,Q3および同Q5の各ベース−エミッタ間の電圧をそれ
ぞれ、VBE2,VBE3,VBE5とすると、次のようになる。The output voltage V OUT appearing at the output terminal 2 is the transistor
When the base-emitter voltages of Q 2 , Q 3 and Q 5 are V BE2 , V BE3 , V BE5 , respectively, the following results.
また、トランジスタQ1のエミッタ電流をI2とし、その
電流増幅率hFEが十分大きくベース電流が無視できると
すれば、トランジスタQ2,Q3に流れる電流も同じ電流値I
2となる。よって、前記（２）式は次のようになる。 If the emitter current of the transistor Q 1 is I 2 and its current amplification factor h FE is sufficiently large so that the base current can be ignored, the current flowing through the transistors Q 2 and Q 3 will have the same current value I 2.
It becomes 2 . Therefore, the equation (2) is as follows.
前記（３）式の電流値I2の値は次のように決めることが
できる。抵抗R4に流れる電流をI1，トランジスタQ1のベ
ース−エミッタ間の電圧をVBE1，トランジスタQ4のエミ
ッタ電流をI3とすると、hFEが十分大きくベース電流が
無視できるとすれば、次のようになる。 The value of the current value I 2 in the equation (3) can be determined as follows. Assuming that the current flowing through the resistor R 4 is I 1 , the voltage between the base and the emitter of the transistor Q 1 is V BE1 , and the emitter current of the transistor Q 4 is I 3 , assuming that h FE is sufficiently large and the base current can be ignored, It looks like this:
前記（４）式をまとめると次のようになる。 The above equation (4) is summarized as follows.
よって、前記（３）式の電流値I2は、前記（５）式を満
たす電流値I2と同値であり、これによって出力電圧VOUT
は決定される。 Thus, the (3) the current value I 2 of formula, wherein (5) is a current value I 2 equivalent to satisfying equation, whereby the output voltage V OUT
Is determined.
ここで、負荷の変動によって出力電圧VOUTがΔV0変化
した場合を考える。出力電圧の変化ΔV0は、前記（４）
式からもわかるように、まず電流I3を変化させ、そして
電流I2の変化となる。その変化後の電流I2をI2′とする
と、次のようになる。Here, consider a case where the output voltage V OUT changes by ΔV 0 due to a change in load. The change in output voltage ΔV 0 is as described in (4) above.
As can be seen from the formula, first, the current I 3 is changed, and then the current I 2 is changed. When the changed current I 2 is I 2 ′, the following is obtained.
前記（６）式を満たすI2′が、出力電圧変化後の電流値
となる。ここで、電流値I2の変化量をΔI2とし、I2′＝
I2＋ΔI2とすると前記（３）式は次のようになる。 I 2 ′ that satisfies the equation (6) becomes the current value after the output voltage changes. Here, the change amount of the current value I 2 is ΔI 2, and I 2 ′ =
If I 2 + ΔI 2 , the above equation (3) is as follows.
前記（７）式からわかるように、出力電圧の変化ΔV
0は、電流値I2の電流変化ΔI2に変換され、その電流変
化によって、トランジスタQ2,Q3のVBE2,VBE3を調整し、
出力電圧の変化ΔV0を吸収し、出力電圧VOUTの電圧変化
を減少させることができる。 As can be seen from equation (7), the change in output voltage ΔV
0 is converted into a current change ΔI 2 of the current value I 2 , and V BE2 and V BE3 of the transistors Q 2 and Q 3 are adjusted by the current change,
It is possible to absorb the change ΔV 0 of the output voltage and reduce the voltage change of the output voltage V OUT .
なお、第１の実施例では、定電圧源を、ダイオード接
続したNPNトランジスタと、PNPトランジスタのベース−
エミッタによって構成したが、これは、NPNトランジス
タ,PNPトランジスタに限定されるものではなく、同等機
能を有するものであれば何でもよい。In the first embodiment, the constant voltage source is a diode-connected NPN transistor and a base of the PNP transistor.
Although it is configured by the emitter, this is not limited to the NPN transistor and the PNP transistor, and any element having an equivalent function may be used.
発明の効果 本発明によると、負荷電流の変動によって変動する第
３のトランジスタのベース・エミッタ間電圧の変化量
を、第２のトランジスタのベース・エミッタ間電圧を変
動させることによって負荷電流の変動による出力電圧の
変化を減少させることができる。According to the present invention, the change amount of the base-emitter voltage of the third transistor, which is changed by the change of the load current, is changed by the change of the load current, by changing the base-emitter voltage of the second transistor. The change in output voltage can be reduced.
第１図は本発明の基準電圧回路の回路構成図、第２図は
従来例の回路構成図である。 １……電源端子、２……出力端子、R1〜R3……抵抗、Q1
〜Q5……トランジスタ。FIG. 1 is a circuit configuration diagram of a reference voltage circuit of the present invention, and FIG. 2 is a circuit configuration diagram of a conventional example. 1 ...... the power supply terminal, 2 ...... output terminal, R 1 to R 3 ...... resistance, Q 1
~ Q 5 ... Transistor.
Claims (1)
第２の基準電位と、 エミッタに第１の抵抗を有し、前記第１の基準電位がベ
ースに与えられる一導電型の第１のトランジスタと、 前記第２の基準電位がベースに与えられ、前記第１のト
ランジスタのコレクタ電流がエミッタに与えられる一導
電型の第２のトランジスタを含む電圧源と、前記電圧源
の電位がベースに与えられエミッタホロワ出力回路をな
す逆導電型の第３のトランジスタと、 エミッタと接地点との間に第２の抵抗を有し、前記第３
のトランジスタのエミッタにベースを接続し、前記第１
のトランジスタのエミッタにコレクタを接続した逆導電
型の第４のトランジスタと、 を備えた基準電圧回路。1. A first and a first set between a ground point and a power supply potential
A second reference potential, a first transistor of one conductivity type having a first resistance in the emitter, the first reference potential being applied to the base, and the second reference potential being applied to the base, A voltage source including a second transistor of one conductivity type, to which the collector current of the first transistor is applied to the emitter, and a third transistor of reverse conductivity type, which forms the emitter follower output circuit by applying the potential of the voltage source to the base. And a second resistor between the emitter and the ground point,
The base is connected to the emitter of the transistor of
A reverse-conductivity-type fourth transistor having a collector connected to the emitter of the transistor, and a reference voltage circuit comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62334379A JPH084208B2 (en) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | Reference voltage circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62334379A JPH084208B2 (en) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | Reference voltage circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01175404A JPH01175404A (en) | 1989-07-11 |
| JPH084208B2 true JPH084208B2 (en) | 1996-01-17 |
Family
ID=18276712
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62334379A Expired - Lifetime JPH084208B2 (en) | 1987-12-29 | 1987-12-29 | Reference voltage circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH084208B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100460721B1 (en) * | 2002-06-29 | 2004-12-08 | 학교법인 한국정보통신학원 | Bias current control circuit of the power amplifier |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152028A (en) * | 1985-12-26 | 1987-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Constant voltage circuit |
-
1987
- 1987-12-29 JP JP62334379A patent/JPH084208B2/en not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS62152028A (en) * | 1985-12-26 | 1987-07-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Constant voltage circuit |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01175404A (en) | 1989-07-11 |
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