JPH0836033A - Test pattern generating unit - Google Patents
Test pattern generating unitInfo
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- JPH0836033A JPH0836033A JP6189857A JP18985794A JPH0836033A JP H0836033 A JPH0836033 A JP H0836033A JP 6189857 A JP6189857 A JP 6189857A JP 18985794 A JP18985794 A JP 18985794A JP H0836033 A JPH0836033 A JP H0836033A
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- For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、半導体メモリを試験す
るための試験パターン発生器に関し、特にブロックライ
ト機能を有する半導体メモリを試験するための試験パタ
ーン発生器に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a test pattern generator for testing a semiconductor memory, and more particularly to a test pattern generator for testing a semiconductor memory having a block write function.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来の被測定デバイスの良否を試験する
半導体試験装置の構成例を図8に示す。図8は、被測定
デバイスがメモリの例であり、被試験メモリ2に対し
て、アドレス発生部12からアドレス信号が供給され、
データ発生部13からデータ信号が供給され、クロック
制御信号発生部14から書き込みや読みだし等を指定す
るクロック制御信号が供給される。これらの信号を被試
験メモリ2に与えて、書き込みを完了した後、読み出し
時には、リードデータが論理比較器3に与えられ、同時
に、期待値データが、パターン発生器1から論理比較器
3に供給される。上記の各発生部は、シーケンス制御部
11により制御されている。そして、これらの各発生部
及び制御部により、パターン発生部は構成されている。
なお、必要に応じて期待値データを発生させるためのバ
ッファメモリからなる期待値発生装置4が付加される場
合もある。2. Description of the Related Art FIG. 8 shows an example of the configuration of a conventional semiconductor test apparatus for testing the quality of a device under test. FIG. 8 shows an example in which the device under test is a memory, and an address signal is supplied from the address generator 12 to the memory under test 2.
A data signal is supplied from the data generator 13, and a clock control signal for specifying writing, reading, etc. is supplied from the clock control signal generator 14. After these signals are supplied to the memory under test 2 to complete writing, the read data is supplied to the logical comparator 3 at the time of reading, and at the same time, the expected value data is supplied from the pattern generator 1 to the logical comparator 3. To be done. Each of the above-mentioned generation units is controlled by the sequence control unit 11. Then, the pattern generating section is configured by these respective generating sections and the control section.
An expected value generator 4 including a buffer memory for generating expected value data may be added as needed.
【0003】近年、被試験メモリ(以下、MUTと称
す)の種類が多様化し、例えばブロックライト機能を有
するメモリが存在し、これらの高速で複雑な動作を試験
する必要が出てきている。ブロックライト機能は下記の
ような動作機能をいう。ブロックライトとは、一度のラ
イト動作でMUT内部のnビットのデータレジスタのデ
ータを同時にmワード書き込む機能(m×nブロックラ
イト)であり、この時書き込まれるワード数mはカラム
アドレスの下位数ビットで指定された範囲である。例え
ば下位2ビットの場合4ワードである。また、ブロック
ライト時に、MUTのデータピンに入力されるデータは
ワードマスクデータとして用いられ、MUT内部のマス
クレジスタのデータはデータビットマスクデータとして
用いられる。これらの、各マスクデータにより、データ
の書き換えを行わないデータビットやワードを個別に指
定可能となっている。In recent years, the types of memories under test (hereinafter referred to as MUTs) have diversified, and there are memories having a block write function, for example, and it has become necessary to test these high-speed and complicated operations. The block write function means the following operation function. The block write is a function of simultaneously writing m words of data in the n-bit data register inside the MUT in one write operation (m × n block write), and the number of words written at this time is the lower several bits of the column address. The range is specified by. For example, in the case of the lower 2 bits, it is 4 words. Further, at the time of block write, the data input to the data pin of the MUT is used as word mask data, and the data in the mask register inside the MUT is used as data bit mask data. With each of these mask data, it is possible to individually specify a data bit or word for which data is not rewritten.
【0004】図9は、MUTのメモリ領域に対して一度
の4×4ブロックライトでアクセスされる範囲を示す概
念図である。複数のデータビット(D0、D1、D2、
D3)に対応して、それぞれ、カラムアドレス下位2ビ
ットをデコードして指定されるC0、C1、C2、C3
で示される領域が、一度のブロックライトでアクセスす
る領域である。FIG. 9 is a conceptual diagram showing a range in which the memory area of the MUT is accessed by one 4 × 4 block write. A plurality of data bits (D0, D1, D2,
C0, C1, C2, C3 designated by decoding the lower 2 bits of the column address corresponding to D3).
The area indicated by is the area accessed by one block write.
【0005】図10は、4×4ブロックライト動作によ
ってアクセスされる16のメモリセルに対して各データ
の関係を示す動作例である。4×4=16のセルのう
ち、マスクデータビットが(MD0、MD1、MD2、
MD3)で示されている。MUTデータピンに印加され
るデータビットが(BD0、BD1、BD2、BD3)
で示されている。また、ブロックライト時にライトデー
タとして使用されるデータレジスタビットは(RD0、
RD1、RD2、RD3)で示されている。図10で
は、マスクデータが0の所が書き換え禁止を示してい
る。従って、斜線の部分がデータ書き換え禁止となる。
即ち、この部分については、データの更新が行われな
い。なお、ブロックライトしたデータを読み出す場合に
は、普通のメモリの読み出しと同様に1ワードずつリー
ドする。FIG. 10 is an operation example showing the relationship of each data with respect to 16 memory cells accessed by a 4 × 4 block write operation. Of the 4 × 4 = 16 cells, the mask data bits are (MD0, MD1, MD2,
MD3). The data bits applied to the MUT data pins are (BD0, BD1, BD2, BD3)
Indicated by. Further, the data register bit used as write data at the time of block write is (RD0,
RD1, RD2, RD3). In FIG. 10, rewriting is prohibited where the mask data is 0. Therefore, the shaded area is prohibited from data rewriting.
That is, no data is updated for this part. When reading the block-written data, the data is read word by word as in the case of reading a normal memory.
【0006】上記のような、ブロックライト機能を有す
るメモリを試験するためには、ワード方向とビット方向
のマスクデータを考慮して期待値を発生する必要があ
り、その動作や組合せが複雑なため、動作を確認する期
待値データの発生は複雑で困難なものとなる。In order to test the memory having the block write function as described above, it is necessary to generate the expected value in consideration of the mask data in the word direction and the bit direction, and the operation and combination thereof are complicated. The generation of expected value data for confirming the operation is complicated and difficult.
【0007】このようなブロックライト機能を持つMU
Tを試験する方式として、従来ブロックライト動作をエ
ミュレートして期待値を発生する期待値発生装置をバッ
ファメモリで構成する方式が用いられている。これは、
MUTと同等のメモリ容量でブロックライト機能を持っ
たバッファメモリを構成し、MUTがブロックライトを
行う時、同時に同等の動作をバッファメモリ側でも行
い、MUTのブロックライトしたデータをリードする
時、同時にバファメモリ側をリードしてこれを期待値と
して使用する事で試験を行うものである。An MU having such a block write function
As a method of testing T, a method has been conventionally used in which an expected value generator that emulates a block write operation and generates an expected value is configured by a buffer memory. this is,
A buffer memory having a block write function with a memory capacity equivalent to that of the MUT is configured, and when the MUT performs a block write, the same operation is performed on the buffer memory side at the same time, and when the block-written data of the MUT is read, at the same time. The test is performed by reading the buffer memory side and using this as an expected value.
【0008】[0008]
【発明が解決しようとする課題】近年、MUTの動作速
度の高速化は目覚ましく、この高速動作を行うMUTと
同等の動作を可能とする高速バッファメモリを構成する
には装置の大型化、高価格化が避けられなくなってきて
いる。これは、高速汎用メモリの価格が高く、かつメモ
リ容量が小さいためである。また、MUTより遅い汎用
メモリを使用するには、インターリーブ方式を用いなけ
ればならず、この方式はMUTの数倍のメモリ容量が必
要となる。このため装置の大型化と高価格化を招いてし
まうからである。In recent years, the operating speed of the MUT has been remarkably increased, and in order to construct a high-speed buffer memory capable of performing an operation equivalent to that of the MUT which performs this high-speed operation, the device becomes large in size and expensive. It is becoming unavoidable. This is because the high-speed general-purpose memory is expensive and the memory capacity is small. Further, in order to use a general-purpose memory slower than the MUT, the interleave method must be used, and this method requires a memory capacity which is several times as large as that of the MUT. As a result, the size and cost of the device are increased.
【0009】この発明の目的はこれらの欠点を一掃し、
高速動作可能なMUTのブロックライト機能試験を、高
速で行うことのできる、試験パターン発生器を安価に提
供しようとするものである。The object of the invention is to eliminate these drawbacks,
An object of the present invention is to provide a test pattern generator that can perform a block write function test of a MUT that can operate at high speed at high speed at low cost.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】被測定デバイス2の論理
比較を行う期待値データを発生する試験パターン発生器
1に於いて、制御信号発生部15からの第1ライト信号
により、データ発生部13からのデータ信号を取り込む
データレジスタ41を設ける。そして、アドレス発生部
12で発生したアドレスから特定のビットを取り出すア
ドレスセレクタ44を設ける。そして、制御信号発生部
15からの第2ライト信号により、データ発生部13か
らのデータ信号を、当該アドレスセレクタ44より出力
されたデータ選択信号により指定された領域に取り込む
マスクデータレジスタファイル42を設ける。そして、
制御信号発生部15からの第3ライト信号により、デー
タ発生部13からのデータ信号を、当該アドレスセレク
タ44より出力されたデータ選択信号により指定された
領域に取り込むライトデータレジスタファイル43を設
ける。そして、当該アドレスセレクタ44の出力信号
と、当該マスクデータレジスタファイル42の出力信号
と、当該ライトデータレジスタファイル43の出力信号
とにより、当該データレジスタ41の出力データか、当
該データ発生器13の出力データかを合成出力するデー
タフォーマッタ60を設ける。このように、試験パター
ン発生器を構成する。In the test pattern generator 1 for generating expected value data for performing logical comparison of the device under test 2, the data generator 13 is generated by the first write signal from the control signal generator 15. A data register 41 for taking in the data signal from An address selector 44 for extracting a specific bit from the address generated by the address generator 12 is provided. Then, a mask data register file 42 is provided which takes in the data signal from the data generator 13 to the area designated by the data selection signal output from the address selector 44 by the second write signal from the control signal generator 15. . And
A write data register file 43 is provided that takes in the data signal from the data generator 13 to the area designated by the data selection signal output from the address selector 44 by the third write signal from the control signal generator 15. Then, according to the output signal of the address selector 44, the output signal of the mask data register file 42, and the output signal of the write data register file 43, the output data of the data register 41 or the output of the data generator 13 is output. A data formatter 60 that synthesizes and outputs data is provided. In this way, the test pattern generator is constructed.
【0011】また、上記の試験パターン発生器におい
て、制御信号発生部15からの選択信号により、当該デ
ータフォーマッタ60の出力信号か当該データ発生部1
3の出力信号かを選択出力するマルチプレクサ50を設
けて、試験パターン発生器を構成しても良い。Further, in the above test pattern generator, the output signal of the data formatter 60 or the data generator 1 is selected according to the selection signal from the control signal generator 15.
A test pattern generator may be configured by providing a multiplexer 50 that selectively outputs one of the three output signals.
【0012】[0012]
【作用】この発明によれば、MUTのブロックライトを
行った領域をリードする時は、図1に示すように、マル
チプレクサ50を期待値合成部40からの期待値を選択
するように切り換え、普通にMUTをリードして出力さ
れるリードデータと期待値を論理比較器3で比較を行い
良否判定する。この時、ブロックライト試験の前にメモ
リ領域を初期化したデータ・パターンを再度データ発生
部13で発生させながらリード動作を行う。ここで再度
発生させたデータ・パターンがマスクされて更新されな
かったデータとして期待値合成に用いられる。すなわ
ち、期待値合成部内のデータフォーマッタ60でマスク
データレジスタファイル42やライトデータレジスタフ
ァイル43の各マスクデータによりRDnデータとID
nデータを1ビット毎に切り換えながらブロックライト
後のMUTのメモリセルの状態と矛盾しない期待値の発
生を行う。According to the present invention, when the block-written area of the MUT is read, the multiplexer 50 is switched to select the expected value from the expected value synthesizer 40 as shown in FIG. Then, the read data output by reading the MUT and the expected value are compared by the logical comparator 3 to determine whether they are good or bad. At this time, before the block write test, the read operation is performed while the data generator 13 again generates the data pattern in which the memory area is initialized. The data pattern generated again here is masked and is used for expected value synthesis as data that has not been updated. That is, the data formatter 60 in the expected value synthesizing unit uses the mask data in the mask data register file 42 and the write data register file 43 to determine the RDn data and the ID.
While switching the n data bit by bit, an expected value that is consistent with the state of the memory cell of the MUT after block write is generated.
【0013】[0013]
【実施例】本発明の実施例について図面を参照して説明
する。Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
【0014】図1は本発明の1実施例を示す試験パター
ン発生器を含む半導体メモリ試験装置のブロック図であ
る。図2は当該試験パターン発生器中の期待値発生部の
ブロック図である。図3は、当該期待値発生部中のデー
タフォーマッタの構成例である。FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor memory test apparatus including a test pattern generator showing an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a block diagram of the expected value generator in the test pattern generator. FIG. 3 is a configuration example of the data formatter in the expected value generation unit.
【0015】図1に示すように、期待値合成部40によ
り、以下に詳述するようなブロックライト機能に対応し
た期待値データを発生する。マルチプレクサ50では、
制御信号発生部15からの制御信号により、当該期待値
合成部40の出力を選択するか、または従来機能に対応
するためデータ発生部13からの期待値データを選択し
て、論理比較器3に与える。As shown in FIG. 1, the expected value synthesizer 40 generates expected value data corresponding to the block write function as described in detail below. In the multiplexer 50,
According to the control signal from the control signal generator 15, the output of the expected value synthesizer 40 is selected, or the expected value data from the data generator 13 is selected in order to correspond to the conventional function, and the logical comparator 3 is selected. give.
【0016】図2は当該期待値発生部のブロック図であ
る。図2に示すように、データレジスタ41は制御信号
発生部15からのライト命令1信号により、データ発生
部13からのデータ信号を取り込む働きを行う。このデ
ータレジスタ41の出力は、図7、図10に示すブロッ
クライト領域の期待値合成でのデータレジスタビットR
Dnとなる。FIG. 2 is a block diagram of the expected value generator. As shown in FIG. 2, the data register 41 functions to take in the data signal from the data generator 13 in response to the write command 1 signal from the control signal generator 15. The output of the data register 41 is the data register bit R in the expected value combination of the block write area shown in FIGS.
It becomes Dn.
【0017】アドレスセレクタ44は、アドレス発生部
12で発生したMUTアドレスの中からブロックライト
時の不定となるカラムアドレスのビットを取り出す。こ
の出力は、カラムアドレス信号(CAi)となる。さら
にアドレスセレクタ44は、マスクデータ(MDn)
や、ライトデータ(BDn)の各データ選択信号をMU
Tアドレスの中から取り出す働きを行う。The address selector 44 extracts the bit of the column address which becomes indefinite at the time of block write from the MUT address generated by the address generation unit 12. This output becomes the column address signal (CAi). Further, the address selector 44 uses the mask data (MDn)
Or each data selection signal of write data (BDn) to MU
It works to retrieve from the T address.
【0018】次に、マスクデータレジスタファイル42
は、制御信号発生部15からのライト命令2信号によ
り、データ発生部13からのデータ信号を、当該アドレ
スセレクタ44より出力されたデータ選択信号により指
定された領域に取り込む働きを行う。このマスクデータ
レジスタファイル42の出力は、図10に示すマスクデ
ータビットMDnとなる。Next, the mask data register file 42
In response to a write command 2 signal from the control signal generator 15, the data signal from the data generator 13 is taken into the area designated by the data selection signal output from the address selector 44. The output of the mask data register file 42 becomes the mask data bit MDn shown in FIG.
【0019】次に、ライトデータレジスタファイル43
は、制御信号発生部15からのライト命令3信号によ
り、データ発生部13からのデータ信号を、当該アドレ
スセレクタ44より出力されたデータ選択信号により指
定された領域に取り込む働きを行う。このライトデータ
レジスタファイル43の出力は、図10に示すブロック
ライト時にMUTのデータピンに印加されるデータビッ
トBDnとなる。Next, the write data register file 43
In response to the write command 3 signal from the control signal generator 15, the data signal from the data generator 13 is taken into the area designated by the data selection signal output from the address selector 44. The output of the write data register file 43 becomes the data bit BDn applied to the data pin of the MUT at the time of block write shown in FIG.
【0020】そして、データフォーマッタ60は、MU
Tのブロックライト動作に合わせて、入力データ信号
(IDn)、データレジスタビット信号(RDn)、マ
スクデータビット信号(MDn)、MUTのブロックラ
イトサイクルにMUTのデータピンに印加されるデータ
ビット信号(BDn)、カラムアドレス信号(CAi)
の各データにより期待値を合成し、(EDn)として出
力する。The data formatter 60 is the MU.
In accordance with the block write operation of T, the input data signal (IDn), the data register bit signal (RDn), the mask data bit signal (MDn), and the data bit signal applied to the data pin of the MUT in the block write cycle of the MUT ( BDn), column address signal (CAi)
The expected value is synthesized with each data of (1) and output as (EDn).
【0021】図3は、4×4のデータフォーマッタ60
の構成例を示し、図4は、この内、セレクト・ロジック
70の構成例を示す。、また、図5は、この内、データ
・マルチプレクサ(80及び90)の構成例を示す。FIG. 3 shows a 4 × 4 data formatter 60.
FIG. 4 shows an example of the configuration of the select logic 70. Further, FIG. 5 shows an example of the configuration of the data multiplexer (80 and 90).
【0022】図6に4×4ブロックライト領域のメモリ
セルの例を示す。図6に示す4×4=16のセルに対し
て、図5に示す様に1ビットのマルチプレクサ16個
(811、812、…844)で構成し、各マルチプレ
クサのセレクト入力には、図4に示す論理ゲート群が1
対1で接続される。ここで、ID0ー3は入力データ信
号を、RD0ー3はデータレジスタ信号を示す。16個
のマルチプレクサの出力はD0ー3の各データビット毎
に4対1マルチプレクサ(911、921、…941)
に接続され、このマルチプレクサの2ビットセレクト入
力にアドレスセレクタ44からのカラムアドレスの下位
2ビット信号(CA0、CA1)を接続する事により、
4×4=16ビットのデータがカラムアドレスの下位2
ビット信号により4ビットづつの普通のメモリ・リード
データと同じ4ビットの期待値ED0ー3に変換され
る。FIG. 6 shows an example of a memory cell in the 4 × 4 block write area. The 4 × 4 = 16 cells shown in FIG. 6 are composed of 16 1-bit multiplexers (811, 812, ... 844) as shown in FIG. 5, and the select input of each multiplexer is shown in FIG. 1 logic gate group
Connected in pairs. Here, ID0-3 indicates an input data signal and RD0-3 indicates a data register signal. The outputs of the 16 multiplexers are 4-to-1 multiplexers (911, 921, ... 941) for each data bit of D0-3.
By connecting the lower 2-bit signal (CA0, CA1) of the column address from the address selector 44 to the 2-bit select input of this multiplexer,
4 × 4 = 16-bit data is the lower 2 of the column address
It is converted into the expected value ED0-3 of 4 bits which is the same as the ordinary memory read data of 4 bits by the bit signal.
【0023】動作手順は次のように行う。先ず、MUT
のブロックライト機能試験の前に、期待値発生部内のア
ドレスセレクタ44に対して、ブロックライト時に不定
となるカラムアドレスのビットの指定、すなわちブロッ
ク構成の指定を行い、また、データレジスタ41やマス
クデータレジスタファイル42のデータを切り換えるア
ドレスビットの指定を行う。このアドレスビットの指定
は、メモリの試験領域毎に、どのようなマスクデータで
試験を行うかという、MUTのテスト仕様にもとずいて
指定を行う。例えば、もし、全メモリ領域について同じ
テストデータで試験をする場合にはデータ切り換え信号
をすべてゼロに設定する。The operation procedure is as follows. First, MUT
Prior to the block write function test, the address selector 44 in the expected value generation unit is used to specify the bit of the column address that is undefined at the time of block write, that is, the block configuration, and the data register 41 and the mask data. The address bits for switching the data in the register file 42 are designated. The address bit is specified based on the MUT test specifications, such as what mask data is used for the test for each test area of the memory. For example, if all memory areas are tested with the same test data, the data switching signal is set to zero.
【0024】次に、MUTのブロックライト試験とし
て、MUTのブロックライト機能を試験するメモリ領域
にデータを通常のライト動作で書き込みを行い、メモリ
セルを初期化する。この時、期待値発生部については、
動作を行なう必要はない。そして、MUT内部データレ
ジスタにブロックライトデータを書き込む時、同じデー
タを期待値発生部のデータレジスタ41にも書き込みを
行う。Next, as a block write test of the MUT, data is written in a memory area to be tested for the block write function of the MUT by a normal write operation to initialize the memory cells. At this time, regarding the expected value generator,
No action needs to be taken. Then, when writing the block write data to the MUT internal data register, the same data is also written to the data register 41 of the expected value generating unit.
【0025】次に、MUT内部マスクレジスタにマスク
データを書き込む時、同じデータを期待値発生部のマス
クデータレジスタファイル42に書き込む。この時、こ
のマスクデータでブロックライトを行うメモリの試験領
域内のアドレスをアドレス発生部で発生させる。Next, when the mask data is written in the MUT internal mask register, the same data is written in the mask data register file 42 of the expected value generator. At this time, the address generator generates an address in the test area of the memory that performs block writing with this mask data.
【0026】次に、MUTのブロックライト動作を行
う。この時、期待値発生部はMUTのデータピンに印加
しているデータをライトデータレジスタファイル43に
取り込む。このライトデータレジスタファイル43に対
するデータの取り込みは、MUTのブロックライト動作
毎では無く、このデータでブロックライトを行うメモリ
の試験領域内について、一度の実行で良い。MUT側
は、必要な回数についてブロックライト動作を行う。Next, the block write operation of the MUT is performed. At this time, the expected value generating unit fetches the data applied to the data pin of the MUT into the write data register file 43. The fetching of data into the write data register file 43 need not be performed every block write operation of the MUT, but may be performed once in the test area of the memory that performs block write with this data. The MUT side performs the block write operation as many times as necessary.
【0027】このように、MUTのマスクレジスタのデ
ータやデータレジスタのデータを変えてMUTの全試験
領域にブロックライトを行っていく。なお、全試験領域
にブロックライトを行う前か、行った後にまとめてライ
トデータレジスタファイル43やマスクデータレジスタ
ファイル42にデータを書き込む手順としても良い。In this way, the data in the mask register of the MUT and the data in the data register are changed to perform block writing in the entire test area of the MUT. It should be noted that the procedure may be such that data is written to the write data register file 43 or the mask data register file 42 either before or after block writing is performed on all test areas.
【0028】MUTのブロックライトを行った領域をリ
ードする時は、図1に示すように、マルチプレクサ50
を期待値合成部40からの期待値を選択するように切り
換え、普通にMUTをリードして出力されるリードデー
タと期待値を論理比較器3で比較を行い良否判定する。
この時、ブロックライト試験の前にメモリ領域を初期化
したデータ・パターンを再度データ発生部13で発生さ
せながらリード動作を行う。ここで再度発生させたデー
タ・パターンがマスクされて更新されなかったデータと
して期待値合成に用いられる。すなわち、期待値合成部
内のデータフォーマッタ60でマスクデータレジスタフ
ァイル42やライトデータレジスタファアイル43の各
マスクデータによりRDnデータとIDnデータを1ビ
ット毎に切り換えながらブロックライト後のMUTのメ
モリセルの状態と矛盾しない期待値の発生が可能とな
る。When reading the area in which the MUT block write is performed, as shown in FIG.
Is switched so as to select the expected value from the expected value synthesizing unit 40, and the read data output by normally reading the MUT and the expected value are compared by the logical comparator 3 to determine whether they are good or bad.
At this time, before the block write test, the read operation is performed while the data generator 13 again generates the data pattern in which the memory area is initialized. The data pattern generated again here is masked and is used for expected value synthesis as data that has not been updated. That is, the data formatter 60 in the expected value synthesizing unit switches the RDn data and the IDn data bit by bit according to each mask data of the mask data register file 42 and the write data register file 43, and the state of the memory cell of the MUT after the block write. It is possible to generate expected values that do not conflict with.
【0029】以上のように、本発明による期待値パター
ンに於いては、従来のように汎用メモリを多数使用する
事がなく、図4に示すように、セレクト・ロジックはア
ンドゲート1段により構成されており、高速な動作が可
能であり、しかも安価に実現できる。また、図5に示す
ように、データ・マルチプレクサは2入力又は4入力の
セレクタにより構成されており、高速な動作が可能であ
り、しかも安価に実現できる。このように、データフォ
ーマッタ60は高速・安価であり、他のレジスタ(4
1、42、43)やセレクタ44やマルチプレクサ50
も高速・安価に実現できる。As described above, in the expected value pattern according to the present invention, a large number of general-purpose memories are not used as in the conventional case, and the select logic is composed of one AND gate as shown in FIG. Therefore, it can be operated at high speed and can be realized at low cost. Further, as shown in FIG. 5, the data multiplexer is composed of a 2-input or 4-input selector, which enables high-speed operation and can be realized at low cost. As described above, the data formatter 60 is fast and inexpensive, and the other register (4
1, 42, 43), selector 44, multiplexer 50
Can be realized at high speed and at low cost.
【0030】[0030]
【発明の効果】以上説明したように本発明は構成されて
いるので、次に記載する効果を奏する。ブロックライト
機能試験を、高速で行うことのできる、試験パターン発
生器を安価に提供できた。Since the present invention is configured as described above, it has the following effects. A test pattern generator capable of performing a block write function test at high speed could be provided at low cost.
【図1】本発明の1実施例を示す試験パターン発生器を
含む半導体メモリ試験装置のブロック図である。FIG. 1 is a block diagram of a semiconductor memory test apparatus including a test pattern generator according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明による期待値発生部のブロック図であ
る。FIG. 2 is a block diagram of an expected value generator according to the present invention.
【図3】4×4のデータフォーマッタ60の構成例を示
す。FIG. 3 shows a configuration example of a 4 × 4 data formatter 60.
【図4】セレクト・ロジック70の構成例を示す。FIG. 4 shows a configuration example of a select logic 70.
【図5】データ・マルチプレクサ(80及び90)の構
成例を示す。FIG. 5 shows a configuration example of a data multiplexer (80 and 90).
【図6】4×4ブロックライト領域のメモリセルの例を
示す。FIG. 6 shows an example of a memory cell in a 4 × 4 block write area.
【図7】ブロックライト領域の期待値を示す。FIG. 7 shows an expected value of a block write area.
【図8】従来の被測定デバイスの良否を試験する半導体
試験装置の構成例を示すFIG. 8 shows a configuration example of a conventional semiconductor test apparatus for testing the quality of a device under test.
【図9】MUTのメモリ領域に対して一度の4×4ブロ
ックライトでアクセスされる範囲を示す概念図である。FIG. 9 is a conceptual diagram showing a range in which the memory area of the MUT is accessed by one 4 × 4 block write.
【図10】4×4ブロックライト動作によってアクセス
される16のメモリセルに対して各データの関係を示す
動作例である。FIG. 10 is an operation example showing a relationship of each data with respect to 16 memory cells accessed by a 4 × 4 block write operation.
1 パターン発生器 2 被試験メモリ 3 論理比較器 4 期待値発生装置 11 シーケンス制御部 12 アドレス発生部 13 データ発生部 14 クロック制御信号発生部 15 制御信号発生部 40 期待値合成部 41 データレジスタ 42 マスクデータレジスタファイル 43 ライトデータレジスタファイル 44 アドレスセレクタ 50 マルチプレクサ 60 データフォーマッタ 70 セレクト・ロジック 80、90 データ・マルチプレクサ 1 pattern generator 2 memory under test 3 logical comparator 4 expected value generator 11 sequence controller 12 address generator 13 data generator 14 clock control signal generator 15 control signal generator 40 expected value synthesizer 41 data register 42 mask Data register file 43 Write data register file 44 Address selector 50 Multiplexer 60 Data formatter 70 Select logic 80, 90 Data multiplexer
Claims (2)
期待値データを発生する試験パターン発生器(1)に於
いて、 制御信号発生部(15)からの第1ライト信号により、
データ発生部(13)からのデータ信号を取り込むデー
タレジスタ(41)を設け、 アドレス発生部(12)で発生したアドレスから特定の
ビットを取り出すアドレスセレクタ(44)を設け、 制御信号発生部(15)からの第2ライト信号により、
データ発生部(13)からのデータ信号を、当該アドレ
スセレクタ(44)より出力されたデータ選択信号によ
り指定された領域に取り込むマスクデータレジスタファ
イル(42)を設け、 制御信号発生部(15)からの第3ライト信号により、
データ発生部(13)からのデータ信号を、当該アドレ
スセレクタ(44)より出力されたデータ選択信号によ
り指定された領域に取り込むライトデータレジスタファ
イル(43)を設け、 当該アドレスセレクタ(44)の出力信号と、当該マス
クデータレジスタファイル(42)の出力信号と、当該
ライトデータレジスタファイル(43)の出力信号とに
より、当該データレジスタ(41)の出力データか、当
該データ発生器(13)の出力データかを合成出力する
データフォーマッタ(60)を設け、たことを特徴とす
る試験パターン発生器。1. A test pattern generator (1) for generating expected value data for logically comparing a device under test (2) with a first write signal from a control signal generator (15),
A data register (41) for taking in a data signal from the data generator (13) is provided, an address selector (44) for taking out a specific bit from an address generated by the address generator (12) is provided, and a control signal generator (15) ) From the second write signal,
A mask data register file (42) is provided for capturing the data signal from the data generator (13) into the area specified by the data selection signal output from the address selector (44), and the mask signal register file (42) is provided. By the third write signal of
A write data register file (43) is provided to capture the data signal from the data generator (13) into the area specified by the data selection signal output from the address selector (44), and the output of the address selector (44) Depending on the signal, the output signal of the mask data register file (42), and the output signal of the write data register file (43), the output data of the data register (41) or the output of the data generator (13). A test pattern generator characterized in that a data formatter (60) for synthesizing and outputting data is provided.
いて、 制御信号発生部(15)からの選択信号により、当該デ
ータフォーマッタ(60)の出力信号か当該データ発生
部(13)の出力信号かを選択出力するマルチプレクサ
(50)を設け、たことを特徴とする試験パターン発生
器。2. The test pattern generator according to claim 1, wherein the output signal of the data formatter (60) or the output signal of the data generation unit (13) is selected according to a selection signal from the control signal generation unit (15). A test pattern generator characterized in that a multiplexer (50) for selectively outputting is provided.
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18985794A JP3455297B2 (en) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | Test pattern generator |
TW85100259A TW284851B (en) | 1994-07-20 | 1996-01-10 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP18985794A JP3455297B2 (en) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | Test pattern generator |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH0836033A true JPH0836033A (en) | 1996-02-06 |
JP3455297B2 JP3455297B2 (en) | 2003-10-14 |
Family
ID=16248347
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP18985794A Expired - Fee Related JP3455297B2 (en) | 1994-07-20 | 1994-07-20 | Test pattern generator |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3455297B2 (en) |
TW (1) | TW284851B (en) |
-
1994
- 1994-07-20 JP JP18985794A patent/JP3455297B2/en not_active Expired - Fee Related
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1996
- 1996-01-10 TW TW85100259A patent/TW284851B/zh active
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP3455297B2 (en) | 2003-10-14 |
TW284851B (en) | 1996-09-01 |
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