JPH083339A - ポリマーフィルムの構造化プロセス及び該プロセスによって構造化されたポリマーフィルム構造物 - Google Patents
ポリマーフィルムの構造化プロセス及び該プロセスによって構造化されたポリマーフィルム構造物Info
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- JPH083339A JPH083339A JP6315627A JP31562794A JPH083339A JP H083339 A JPH083339 A JP H083339A JP 6315627 A JP6315627 A JP 6315627A JP 31562794 A JP31562794 A JP 31562794A JP H083339 A JPH083339 A JP H083339A
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Abstract
(57)【要約】
【構成】ガス混合体をマイクロ波で励起させることによ
って、コンテナ内で形成されるプラズマを使って、ポリ
マーフィルムを構造化する。その最中に、ポリマーフィ
ルムの表面温度を制御し、また、パラメーターの対応す
る設定によってポリマーフィルムの温度が材料破損限界
温度のすぐ下に保たれるように制御する。 【効果】高い表面温度及びプラズマ密度でマイクロシェ
イプをプラズマによって急速に浸食することができる。
また、表面温度とガス流の均一分布及びポリマーフィル
ムを同様に配置し動かすことによって均一にプラズマ浸
食することができる。
って、コンテナ内で形成されるプラズマを使って、ポリ
マーフィルムを構造化する。その最中に、ポリマーフィ
ルムの表面温度を制御し、また、パラメーターの対応す
る設定によってポリマーフィルムの温度が材料破損限界
温度のすぐ下に保たれるように制御する。 【効果】高い表面温度及びプラズマ密度でマイクロシェ
イプをプラズマによって急速に浸食することができる。
また、表面温度とガス流の均一分布及びポリマーフィル
ムを同様に配置し動かすことによって均一にプラズマ浸
食することができる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、プラズマ作用下での処
理技術の分野に係り、構造化処理、例えば、プリント回
路基板やフィルム回路基板の層またはポリマーフィルム
の絶縁処理に関するものである。
理技術の分野に係り、構造化処理、例えば、プリント回
路基板やフィルム回路基板の層またはポリマーフィルム
の絶縁処理に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、ポリマー材料製のフィルムが多く
の技術分野で使用されている。このようなフィルムの機
能、構造、重量及び厚さの小型化に関し特に高い需要が
あるのがプリント回路基板技術である。プリント回路基
板は、平坦な電流路、盲穴、及び、界面接続（プリント
回路の異なる層の接続）の組み合せ、並びに、絶縁層か
らなる単層または多層のプリント回路である。フィルム
回路基板においては、電流路はしばしば薄い導体箔また
はフィルムで構造化されており、絶縁層または誘電体と
して絶縁フィルムが使用されている。
の技術分野で使用されている。このようなフィルムの機
能、構造、重量及び厚さの小型化に関し特に高い需要が
あるのがプリント回路基板技術である。プリント回路基
板は、平坦な電流路、盲穴、及び、界面接続（プリント
回路の異なる層の接続）の組み合せ、並びに、絶縁層か
らなる単層または多層のプリント回路である。フィルム
回路基板においては、電流路はしばしば薄い導体箔また
はフィルムで構造化されており、絶縁層または誘電体と
して絶縁フィルムが使用されている。
【０００３】ポリマーフィルムの中に小さな構造物を作
るための経済的かつ広く利用することができる製造法と
して、プラズマエッチングが知られている。プラズマエ
ッチングの利点は、多数の穴または穴構造を広い表面積
上に同時に形成することができるという点である。
るための経済的かつ広く利用することができる製造法と
して、プラズマエッチングが知られている。プラズマエ
ッチングの利点は、多数の穴または穴構造を広い表面積
上に同時に形成することができるという点である。
【０００４】従来技術として、米国特許第４７２０３２
２号明細書に記載されている絶縁フィルムのプラズマエ
ッチングのプロセスが存在する。このプロセスにおいて
は、何対かの平行な板状の電極を備え、４０ｋＨｚから
１３．５６ＭＨｚの範囲にある（好ましくは１００ｋＨ
ｚ）の交流電圧によってガス混合体をプラズマへと励起
させるプレートリアクターを用いる。このリアクターは
減圧排気することができ、プラズマを形成するために、
酸素(O2)と四フッ化炭素(CF4) のガス混合体が４０ｋＨ
ｚから１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数の交流電界に
よって真空下で励起される。プラズマ内で形成されたイ
オンは重畳電気加速電圧によってエッチング材料に向け
て加速され、そこで盲穴を作る。この方法を採用した特
定の例では、エポキシアラミド材料に４時間エッチング
を施した後、５０から１００μｍの深さの盲穴が形成さ
れる。
２号明細書に記載されている絶縁フィルムのプラズマエ
ッチングのプロセスが存在する。このプロセスにおいて
は、何対かの平行な板状の電極を備え、４０ｋＨｚから
１３．５６ＭＨｚの範囲にある（好ましくは１００ｋＨ
ｚ）の交流電圧によってガス混合体をプラズマへと励起
させるプレートリアクターを用いる。このリアクターは
減圧排気することができ、プラズマを形成するために、
酸素(O2)と四フッ化炭素(CF4) のガス混合体が４０ｋＨ
ｚから１３．５６ＭＨｚの範囲内の周波数の交流電界に
よって真空下で励起される。プラズマ内で形成されたイ
オンは重畳電気加速電圧によってエッチング材料に向け
て加速され、そこで盲穴を作る。この方法を採用した特
定の例では、エポキシアラミド材料に４時間エッチング
を施した後、５０から１００μｍの深さの盲穴が形成さ
れる。
【０００５】ヨーロッパ特許第１４４９４３号には、ポ
リイミドフィルムのプラズマエッチングのための別のプ
ロセスが記載されているが、これもプレートリアクター
を用い、エッチング材料の特に高いアンダーエッチング
またはアンダーカッティングを目指している。エッチン
グ材料は両面にポリイミドフィルムを銅コーティングし
たものである（それぞれ３５μｍの銅、２５μｍのアク
リル接着剤及びポリイミド、ジュポン社のＬＦ９１１１
からなる）。これらのフィルムには、開口部を設けたマ
スクを使って銅コーティングに７０分にわたって１３．
５６ＭＨｚでスルーエッチングが施される。
リイミドフィルムのプラズマエッチングのための別のプ
ロセスが記載されているが、これもプレートリアクター
を用い、エッチング材料の特に高いアンダーエッチング
またはアンダーカッティングを目指している。エッチン
グ材料は両面にポリイミドフィルムを銅コーティングし
たものである（それぞれ３５μｍの銅、２５μｍのアク
リル接着剤及びポリイミド、ジュポン社のＬＦ９１１１
からなる）。これらのフィルムには、開口部を設けたマ
スクを使って銅コーティングに７０分にわたって１３．
５６ＭＨｚでスルーエッチングが施される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術の欠点
は、エッチング率が低いことである。小さな構造物は同
時に生産することができることは認められるものの、こ
れには時間がかかる。さらに、エッチングを施すべき薄
いフィルムは熱容量が非常に限られており、そのため、
エッチング中に急速に加熱される傾向にある。過熱によ
るフィルムの破壊を防ぐためには、カプラー接続された
出力を低く抑える必要があるが、これはプラズマ密度の
低下につながり、さらには、エッチング率の低下をもた
らす。
は、エッチング率が低いことである。小さな構造物は同
時に生産することができることは認められるものの、こ
れには時間がかかる。さらに、エッチングを施すべき薄
いフィルムは熱容量が非常に限られており、そのため、
エッチング中に急速に加熱される傾向にある。過熱によ
るフィルムの破壊を防ぐためには、カプラー接続された
出力を低く抑える必要があるが、これはプラズマ密度の
低下につながり、さらには、エッチング率の低下をもた
らす。
【０００７】上記従来技術のもう一つの欠点は、かかる
プレートリアクターでのエッチング率にばらつきがある
ことである。すなわち、中央付近では周辺付近より穴が
早くエッチングされるのである。フィルムの全ての穴を
確実にエッチングしようとすると、フィルム中央付近の
穴は不可避的にオーバーエッチングされる。この均一性
の低さを助長しているのがエッチング材料が均一に加熱
されないという事実である。特に、エッチングを施すフ
ィルムを板状電極またはホルダーのような他の構成部分
と熱接触させることが不可避な場合には、常にそうなっ
てしまう。
プレートリアクターでのエッチング率にばらつきがある
ことである。すなわち、中央付近では周辺付近より穴が
早くエッチングされるのである。フィルムの全ての穴を
確実にエッチングしようとすると、フィルム中央付近の
穴は不可避的にオーバーエッチングされる。この均一性
の低さを助長しているのがエッチング材料が均一に加熱
されないという事実である。特に、エッチングを施すフ
ィルムを板状電極またはホルダーのような他の構成部分
と熱接触させることが不可避な場合には、常にそうなっ
てしまう。
【０００８】プリント回路基板やフィルム回路基板の絶
縁層などのポリマーフィルムの構造物の種類を増やして
洗練し、そのような構造物を早く、均一に、しかも、材
料を保護するような方法で作ることが望まれている。
縁層などのポリマーフィルムの構造物の種類を増やして
洗練し、そのような構造物を早く、均一に、しかも、材
料を保護するような方法で作ることが望まれている。
【０００９】本発明の課題は、ポリマーフィルムの構造
化を早く、均一に、しかも、材料を保護するような方法
で作ることができるようなポリマーフィルムの構造化プ
ロセスを提供することである。
化を早く、均一に、しかも、材料を保護するような方法
で作ることができるようなポリマーフィルムの構造化プ
ロセスを提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この課題は、特許請求の
範囲に記載された発明によって、解決することができ
る。すなわち、本発明は、コンテナ内に形成されるプラ
ズマ作用を用いてマイクロ波でガス混合体を励起させる
ことによってポリマーフィルムを構造化するプロセスで
あって、最大の浸食率を得るために、励起周波数、ガス
圧力、ガス流量、滞留時間、表面温度、コンテナ温度、
浸食時間、ポリマーフィルムの配置と動きのような相互
に連係するパラメーターの集合を、異なる最適化された
浸食作業のための独立した集合として用いてプラズマ浸
食の制御を行い、既存の集合の量から浸食関数のための
特定の望ましい集合を用意してローディングすることを
特徴とするものである。
範囲に記載された発明によって、解決することができ
る。すなわち、本発明は、コンテナ内に形成されるプラ
ズマ作用を用いてマイクロ波でガス混合体を励起させる
ことによってポリマーフィルムを構造化するプロセスで
あって、最大の浸食率を得るために、励起周波数、ガス
圧力、ガス流量、滞留時間、表面温度、コンテナ温度、
浸食時間、ポリマーフィルムの配置と動きのような相互
に連係するパラメーターの集合を、異なる最適化された
浸食作業のための独立した集合として用いてプラズマ浸
食の制御を行い、既存の集合の量から浸食関数のための
特定の望ましい集合を用意してローディングすることを
特徴とするものである。
【００１１】上記の場合において、プラズマによる構造
化の最中にポリマーフィルムの表面温度をモニターし、
対応するパラメーターの集合を用いてポリマーフィルム
の表面温度を材料が破損する限界温度より少し下になる
ように制御するようにするとよい。
化の最中にポリマーフィルムの表面温度をモニターし、
対応するパラメーターの集合を用いてポリマーフィルム
の表面温度を材料が破損する限界温度より少し下になる
ように制御するようにするとよい。
【００１２】この場合において、ポリマーフィルムの構
造物またはマイクロシェイプを高い表面温度と高密度の
プラズマで急速かつ慎重に浸食し、マイクロシェイプを
表面温度とガス流量の均一分布によって、また、ポリマ
ーフィルムを同様に配置し動かすことによって均一にプ
ラズマ浸食するようにするとよい。
造物またはマイクロシェイプを高い表面温度と高密度の
プラズマで急速かつ慎重に浸食し、マイクロシェイプを
表面温度とガス流量の均一分布によって、また、ポリマ
ーフィルムを同様に配置し動かすことによって均一にプ
ラズマ浸食するようにするとよい。
【００１３】きわめて高い浸食率を得るためには、ガス
圧力によって表面温度を限界温度より低く抑え、ガス圧
力はコンテナ内のガス混合体の流量と滞留時間によって
調節されるようにするとよい。
圧力によって表面温度を限界温度より低く抑え、ガス圧
力はコンテナ内のガス混合体の流量と滞留時間によって
調節されるようにするとよい。
【００１４】この場合において、混合ガスとの接触によ
ってポリマーフィルムの温度が限界温度より高くなるの
を防ぐ程度にガス圧力を充分高く設定し、ガス混合体に
吸収されないマイクロ波によってポリマーフィルムの温
度が限界温度より高くなるのを防ぐ程度にガス圧力を充
分低く設定するようにするとよい。ポリマーフィルムの
構造化プロセス。
ってポリマーフィルムの温度が限界温度より高くなるの
を防ぐ程度にガス圧力を充分高く設定し、ガス混合体に
吸収されないマイクロ波によってポリマーフィルムの温
度が限界温度より高くなるのを防ぐ程度にガス圧力を充
分低く設定するようにするとよい。ポリマーフィルムの
構造化プロセス。
【００１５】きわめて高い浸食率を得るためには、１
３．５６ＭＨｚより高い周波数のマイクロ波でガス混合
体を励起させることによって表面温度を限界温度より低
く保ち、周波数が高くなるほど優れたマイクロ波遮蔽能
力を発揮する非常に密度の高いプラズマを励起させるた
めに、マイクロ波周波数を充分に高く設定するようにす
るとよい。
３．５６ＭＨｚより高い周波数のマイクロ波でガス混合
体を励起させることによって表面温度を限界温度より低
く保ち、周波数が高くなるほど優れたマイクロ波遮蔽能
力を発揮する非常に密度の高いプラズマを励起させるた
めに、マイクロ波周波数を充分に高く設定するようにす
るとよい。
【００１６】きわめて高い浸食率を得るためには、マイ
クロ波の出力密度を調節することによって表面温度を限
界温度より低く保ち、マイクロ波発信機を用いて出力密
度を充分高く保つことによってガス混合体を非常に高密
度のプラズマへと励起させるようにするとよい。
クロ波の出力密度を調節することによって表面温度を限
界温度より低く保ち、マイクロ波発信機を用いて出力密
度を充分高く保つことによってガス混合体を非常に高密
度のプラズマへと励起させるようにするとよい。
【００１７】ガス混合体を励起させる場合において、ガ
ス圧力とマイクロ波周波数を互いに連係させることによ
って極めて高い浸食率を得るようにするとよい。
ス圧力とマイクロ波周波数を互いに連係させることによ
って極めて高い浸食率を得るようにするとよい。
【００１８】ガス混合体を励起させる場合において、ガ
ス圧力、マイクロ波周波数及び出力密度を互いに連係さ
せることによってきわめて高い浸食率を得るようにする
とよい。
ス圧力、マイクロ波周波数及び出力密度を互いに連係さ
せることによってきわめて高い浸食率を得るようにする
とよい。
【００１９】きわめて高い浸食率を得るためには、絶縁
層がポリイミドの層で形成され、該ポリイミド層はプラ
ズマ浸食されて、摂氏２００度の限界温度でマイクロシ
ェイプに形成されるようにするのがよい。
層がポリイミドの層で形成され、該ポリイミド層はプラ
ズマ浸食されて、摂氏２００度の限界温度でマイクロシ
ェイプに形成されるようにするのがよい。
【００２０】また、きわめて高い浸食率を得るために
は、絶縁層としてポリイミドの層が用いられ、該ポリイ
ミドの層は１０ワット／リットルより高い出力密度でプ
ラズマ浸食されてマイクロシェイプに形成されるように
するのがよい。
は、絶縁層としてポリイミドの層が用いられ、該ポリイ
ミドの層は１０ワット／リットルより高い出力密度でプ
ラズマ浸食されてマイクロシェイプに形成されるように
するのがよい。
【００２１】また、きわめて高い浸食率を得るために
は、絶縁層としてポリイミドの層が用いられ、該ポリイ
ミド層は２．４５ＧＨｚのマイクロ波周波数でプラズマ
浸食されてマイクロシェイプに形成されるようにするの
がよい。
は、絶縁層としてポリイミドの層が用いられ、該ポリイ
ミド層は２．４５ＧＨｚのマイクロ波周波数でプラズマ
浸食されてマイクロシェイプに形成されるようにするの
がよい。
【００２２】また、きわめて高い浸食率を得るために
は、絶縁層としてポリイミドの層が用いられ、該ポリイ
ミド層は１μｍ／ｍｉｎより大きい浸食率でプラズマ浸
食されてマイクロシェイプに形成されるようにするのが
よい。
は、絶縁層としてポリイミドの層が用いられ、該ポリイ
ミド層は１μｍ／ｍｉｎより大きい浸食率でプラズマ浸
食されてマイクロシェイプに形成されるようにするのが
よい。
【００２３】プラズマ浸食する場合においては、コンテ
ナ内のポリマーフィルムの回りにヒータが配置されるこ
とによって、ポリマーフィルムが実質的にヒータによっ
て閉鎖された形になっており、該ヒータは照射保護手段
の機能を果たし、また、該ヒータがコンテナ内を加熱す
ることによって該コンテナ内に極めて均一な温度分布と
ポリマーフィルムの表面温度にも極めて均一な温度分布
があり、それによって均一なプラズマ浸食が行われるよ
うにするのがよい。
ナ内のポリマーフィルムの回りにヒータが配置されるこ
とによって、ポリマーフィルムが実質的にヒータによっ
て閉鎖された形になっており、該ヒータは照射保護手段
の機能を果たし、また、該ヒータがコンテナ内を加熱す
ることによって該コンテナ内に極めて均一な温度分布と
ポリマーフィルムの表面温度にも極めて均一な温度分布
があり、それによって均一なプラズマ浸食が行われるよ
うにするのがよい。
【００２４】プラズマ浸食する場合においては、コンテ
ナ内に流れ込むガスがバッフルプレート上で混合され、
そのガス混合体がディストリビュータープレートの開口
部によって均一に吸い出され、その結果、コンテナ内に
はプラズマ状態の反応粒子が均一に分布した極めて均一
な流れが形成され、その結果、均一なプラズマ浸食が発
生するようにするのがよい。
ナ内に流れ込むガスがバッフルプレート上で混合され、
そのガス混合体がディストリビュータープレートの開口
部によって均一に吸い出され、その結果、コンテナ内に
はプラズマ状態の反応粒子が均一に分布した極めて均一
な流れが形成され、その結果、均一なプラズマ浸食が発
生するようにするのがよい。
【００２５】プラズマ浸食する場合においては、ポリマ
ーフィルムがローディングバスケットに把持され、該ロ
ーディングバスケットをガス流の中で回転させることに
よってプラズマ状態の反応粒子が均一に分布し、その結
果、均一なプラズマ浸食が発生するようにするのがよ
い。
ーフィルムがローディングバスケットに把持され、該ロ
ーディングバスケットをガス流の中で回転させることに
よってプラズマ状態の反応粒子が均一に分布し、その結
果、均一なプラズマ浸食が発生するようにするのがよ
い。
【００２６】コンテナにガス流を流し込む場合におい
て、ポリマーフィルムをガス流に対して長手方向になる
ようにローディングバスケットに固定することによっ
て、ガス流に対する抵抗を最小限に抑え、反応プラズマ
粒子がポリマーフィルムの上を均一に流れ、その結果、
均一なプラズマ浸食が行われるようにするのがよい。
て、ポリマーフィルムをガス流に対して長手方向になる
ようにローディングバスケットに固定することによっ
て、ガス流に対する抵抗を最小限に抑え、反応プラズマ
粒子がポリマーフィルムの上を均一に流れ、その結果、
均一なプラズマ浸食が行われるようにするのがよい。
【００２７】きわめて高い浸食率を得るためには、予備
加熱状態からなる前処理段階で、非浸食プラズマに点火
することによって表面温度を限界温度のすぐ下まで上昇
させ、それによって、プラズマ浸食の初期に高い均一性
で浸食を行い、浸食時間を短縮するようにするのがよ
い。
加熱状態からなる前処理段階で、非浸食プラズマに点火
することによって表面温度を限界温度のすぐ下まで上昇
させ、それによって、プラズマ浸食の初期に高い均一性
で浸食を行い、浸食時間を短縮するようにするのがよ
い。
【００２８】きわめて高い浸食率を得るためには、表面
温度とその分布を高温計で測定し、そのデータを信号積
算器でデジタル化してメディアに記録し、表面温度と分
布を時間パターン、継続性及び上限温度からの相対的距
離についてアルゴリズムとコンピュータによって制御す
ることによって、表面温度の望ましい値と実際の値との
差を温度調節器によって制御することが可能となるよう
にするのがよい。
温度とその分布を高温計で測定し、そのデータを信号積
算器でデジタル化してメディアに記録し、表面温度と分
布を時間パターン、継続性及び上限温度からの相対的距
離についてアルゴリズムとコンピュータによって制御す
ることによって、表面温度の望ましい値と実際の値との
差を温度調節器によって制御することが可能となるよう
にするのがよい。
【００２９】この場合においては、表面温度が限界温度
より高くなると温度調節器が働いてマイクロ波発信機を
制御して出力を抑え、それにより、プラズマ密度が低下
し、表面温度が限界温度より下に下がるようにするのが
よい。
より高くなると温度調節器が働いてマイクロ波発信機を
制御して出力を抑え、それにより、プラズマ密度が低下
し、表面温度が限界温度より下に下がるようにするのが
よい。
【００３０】また、表面温度が限界温度と比べて低すぎ
るときは、温度調節器がマイクロ波発信機を制御してそ
の出力を上げ、それによりプラズマ密度が上昇し、表面
温度が限界温度のすぐ下まで上昇するようにするのがよ
い。
るときは、温度調節器がマイクロ波発信機を制御してそ
の出力を上げ、それによりプラズマ密度が上昇し、表面
温度が限界温度のすぐ下まで上昇するようにするのがよ
い。
【００３１】一方、本発明のポリマーフィルム構造物
は、上述したいずれかのプロセスによって構造化される
マイクロシェイプ付きのポリマーフィルム構造物であっ
て、プリント回路基板またはフィルム回路基板に使用さ
れることを特徴とするものである。
は、上述したいずれかのプロセスによって構造化される
マイクロシェイプ付きのポリマーフィルム構造物であっ
て、プリント回路基板またはフィルム回路基板に使用さ
れることを特徴とするものである。
【００３２】
【作用】本発明によるプロセスは、プラズマリアクター
の中で実施され、多くのプロセスパラメーター制御の可
能性を伴う。この制御によって最も重要なプロセスパラ
メーターの最適化が行われる。プロセスは、例えば、プ
リント回路基板やポリマーフィルムの表面温度の関数と
して最適化される。構造物はポリマーフィルムの材料を
破損する限界的な温度より低い温度でプラズマ浸食され
る。高い除去率を達成するために、構造物は非常に高い
温度で、しかも、非常に高いプラズマ密度で作られる。
さらに、ポリマーフィルムの表面の温度分布は非常に均
一であり、ガスの流れも非常に均一に保たれ、さらに、
構造化の最中にプラズマ内でポリマーフィルムを動かす
ため、表面全体にわたって均一な高い浸食率が得られ
る。
の中で実施され、多くのプロセスパラメーター制御の可
能性を伴う。この制御によって最も重要なプロセスパラ
メーターの最適化が行われる。プロセスは、例えば、プ
リント回路基板やポリマーフィルムの表面温度の関数と
して最適化される。構造物はポリマーフィルムの材料を
破損する限界的な温度より低い温度でプラズマ浸食され
る。高い除去率を達成するために、構造物は非常に高い
温度で、しかも、非常に高いプラズマ密度で作られる。
さらに、ポリマーフィルムの表面の温度分布は非常に均
一であり、ガスの流れも非常に均一に保たれ、さらに、
構造化の最中にプラズマ内でポリマーフィルムを動かす
ため、表面全体にわたって均一な高い浸食率が得られ
る。
【００３３】このように、本発明においては、表面温度
とその分布はポリマーフィルム上で、例えば、高温計を
使って計測され、プラズマリアクターのプロセスパラメ
ーターは、表面温度が限界温度の少し下で、非常に稠密
のプラズマで作業が行われるように最適化される。非常
に稠密のプラズマは、特定の流量と圧力の範囲にある最
適化された均一なガス混合体を用い、マイクロ波発信機
を高い出力密度で、高い励起周波数で用いたときに得ら
れる。
とその分布はポリマーフィルム上で、例えば、高温計を
使って計測され、プラズマリアクターのプロセスパラメ
ーターは、表面温度が限界温度の少し下で、非常に稠密
のプラズマで作業が行われるように最適化される。非常
に稠密のプラズマは、特定の流量と圧力の範囲にある最
適化された均一なガス混合体を用い、マイクロ波発信機
を高い出力密度で、高い励起周波数で用いたときに得ら
れる。
【００３４】このように、限界的な材料破損限界温度と
いうものがあるため、ポリマーフィルムの温度は支配的
なプロセスパラメーターである。しかし、ポリマーフィ
ルムの温度は他の側面からも重要である。ここでより重
要なのは、除去すべき材料の表面上の化学反応よりも、
反応生成物の離脱率の方である。前者も当然温度に依存
するが、後者は温度と共に非常に早く上昇する。温度が
上昇するにつれて、反応力学的配置が良くなるため高い
浸食率が得られるのである。表面温度は、ポリマーフィ
ルムに熱による損傷や破壊をもたらさず、かつ、高い浸
食率が得られるように選択する方が良い。この最適限界
温度は、ポリマーフィルムを作るのにどんな塑性材料を
使うかによって異なってくる。また、温度パターンを最
適化することも可能である。極めて低い熱容量を持つ薄
いポリマーフィルムは構造化の最中に急速に高い温度ま
で加熱されるが、銅の含有率が高い厚手のプリント回路
基板は構造化の最中の温度上昇がゆるやかであり、浸食
により長い時間を要する。
いうものがあるため、ポリマーフィルムの温度は支配的
なプロセスパラメーターである。しかし、ポリマーフィ
ルムの温度は他の側面からも重要である。ここでより重
要なのは、除去すべき材料の表面上の化学反応よりも、
反応生成物の離脱率の方である。前者も当然温度に依存
するが、後者は温度と共に非常に早く上昇する。温度が
上昇するにつれて、反応力学的配置が良くなるため高い
浸食率が得られるのである。表面温度は、ポリマーフィ
ルムに熱による損傷や破壊をもたらさず、かつ、高い浸
食率が得られるように選択する方が良い。この最適限界
温度は、ポリマーフィルムを作るのにどんな塑性材料を
使うかによって異なってくる。また、温度パターンを最
適化することも可能である。極めて低い熱容量を持つ薄
いポリマーフィルムは構造化の最中に急速に高い温度ま
で加熱されるが、銅の含有率が高い厚手のプリント回路
基板は構造化の最中の温度上昇がゆるやかであり、浸食
により長い時間を要する。
【００３５】一定のマイクロ波出力に対するプラズマ密
度は、全ての粒子がイオン化され飽和状態になるまで上
昇する励起周波数と共に上昇することが知られている。
この飽和レベルはその時のガス圧力に依存する。およ
そ、１ｈＰａという高いガス圧力のとき粒子の自由行程
長はあまりにも小さいため、一方では高圧での衝突確率
が高いことにより交流電界でのイオン化された粒子の加
速は非常に小さいものの、他方では再結合の確率もまた
上昇し、結果的に、プラズマ密度は下降する。逆に、
０．１ｈＰａ未満の低圧では、粒子の自由行程長は充分
にあり、干渉する中間衝突のない適当に高い加速が得ら
れ、また、再結合の可能性もずっと低い。しかし、イオ
ン化される粒子も大幅に少なくなるため、圧力が０．１
ｈＰａ以下ではプラズマ密度はやはり低下する。前記パ
ラメーター間の中間には最適な高プラズマ密度と高浸食
率をもたらし、高周波の電界を最適に遮蔽するゾーンが
存在する。ここでは、ポリマーフィルムは急速にプラズ
マ浸食され、過熱から保護される。
度は、全ての粒子がイオン化され飽和状態になるまで上
昇する励起周波数と共に上昇することが知られている。
この飽和レベルはその時のガス圧力に依存する。およ
そ、１ｈＰａという高いガス圧力のとき粒子の自由行程
長はあまりにも小さいため、一方では高圧での衝突確率
が高いことにより交流電界でのイオン化された粒子の加
速は非常に小さいものの、他方では再結合の確率もまた
上昇し、結果的に、プラズマ密度は下降する。逆に、
０．１ｈＰａ未満の低圧では、粒子の自由行程長は充分
にあり、干渉する中間衝突のない適当に高い加速が得ら
れ、また、再結合の可能性もずっと低い。しかし、イオ
ン化される粒子も大幅に少なくなるため、圧力が０．１
ｈＰａ以下ではプラズマ密度はやはり低下する。前記パ
ラメーター間の中間には最適な高プラズマ密度と高浸食
率をもたらし、高周波の電界を最適に遮蔽するゾーンが
存在する。ここでは、ポリマーフィルムは急速にプラズ
マ浸食され、過熱から保護される。
【００３６】もう一つの重要なプロセスパラメーターは
ガス流量、すなわち、単位時間ごとに得られる新しい反
応粒子の量である。ガス流量が低過ぎると、プラズマの
反応粒子は急速に消費され、プラズマに反応生成物が増
えるためプラズマ密度が低下し、したがって、浸食率も
低下する。このように、プラズマ内で反応生成物の密度
が高まると、ポリマーフィルム上に反応生成物が再析出
するようになるため、浸食率は当然低下する。逆に、ガ
ス流量が高過ぎる場合は、反応粒子の室内滞留時間が効
果的に浸食を行うためには短か過ぎるため、この場合
も、浸食率の低下につながる。したがって、ガス圧力と
ガス流量に関しては、最適なパラメーターの範囲とは、
最適な高浸食率とは別に、過熱を起こさずにポリマーフ
ィルムの構造化を慎重に行うことができる範囲というこ
とができる。
ガス流量、すなわち、単位時間ごとに得られる新しい反
応粒子の量である。ガス流量が低過ぎると、プラズマの
反応粒子は急速に消費され、プラズマに反応生成物が増
えるためプラズマ密度が低下し、したがって、浸食率も
低下する。このように、プラズマ内で反応生成物の密度
が高まると、ポリマーフィルム上に反応生成物が再析出
するようになるため、浸食率は当然低下する。逆に、ガ
ス流量が高過ぎる場合は、反応粒子の室内滞留時間が効
果的に浸食を行うためには短か過ぎるため、この場合
も、浸食率の低下につながる。したがって、ガス圧力と
ガス流量に関しては、最適なパラメーターの範囲とは、
最適な高浸食率とは別に、過熱を起こさずにポリマーフ
ィルムの構造化を慎重に行うことができる範囲というこ
とができる。
【００３７】マイクロ波の周波数はもう一つのプロセス
パラメーターである。本発明によれば、マイクロ波の励
起はＧＨｚレベルの周波数の範囲で起こるが、これはマ
イクロ波照射と比べてプラズマ密度が高く、プラズマの
遮蔽効果も大きいという利点がある。２．４５ＧＨｚの
周波数では、マイクロ波のエネルギーはより効率良くガ
ス混合体に吸収され、結果的に、一部だけがポリマーフ
ィルムに結合されるため、ポリマーフィルムの温度は限
界値より上には上がり得ない。プラズマ励起のために
は、２．４５ＧＨｚより低い周波数、例えば、ｋＨｚま
たはＭＨｚレベルの周波数でマイクロ波を使うことも可
能である。しかし、この場合のプラズマの密度は低く、
結果的に、浸食率もずっと低く、マイクロ波の照射に比
較してプラズマの遮蔽効果は減少し、そのため、マイク
ロ波の照射はポリマーフィルム上でますます吸収され、
ポリマーフィルムの過熱が起こる。
パラメーターである。本発明によれば、マイクロ波の励
起はＧＨｚレベルの周波数の範囲で起こるが、これはマ
イクロ波照射と比べてプラズマ密度が高く、プラズマの
遮蔽効果も大きいという利点がある。２．４５ＧＨｚの
周波数では、マイクロ波のエネルギーはより効率良くガ
ス混合体に吸収され、結果的に、一部だけがポリマーフ
ィルムに結合されるため、ポリマーフィルムの温度は限
界値より上には上がり得ない。プラズマ励起のために
は、２．４５ＧＨｚより低い周波数、例えば、ｋＨｚま
たはＭＨｚレベルの周波数でマイクロ波を使うことも可
能である。しかし、この場合のプラズマの密度は低く、
結果的に、浸食率もずっと低く、マイクロ波の照射に比
較してプラズマの遮蔽効果は減少し、そのため、マイク
ロ波の照射はポリマーフィルム上でますます吸収され、
ポリマーフィルムの過熱が起こる。
【００３８】本発明においては、マイクロ波は２．４５
ＧＨｚの周波数を有するマイクロ波発信機のようなマグ
ネトロンによって生成される。この２．４５ＧＨｚとい
う数値は従来のプロセスにおける数値と比べておよそ２
段階ほど大きい。ポリマーフィルムの構造化の最中のガ
ス圧力を０．１〜１ｈＰａ、ガス流量を数１００ｍｌ／
ｍｉｎとすると、２〜３μｍ／ｍｉｎの浸食率が得られ
るが、これは従来のプロセスと比較して係数にして３〜
４の加速になる。このスピードの増大により、複雑な構
造物を１０分から２０分といった比較的短時間で作るこ
とが可能となる。基本的に、上記方法によって極めて多
くの種類の塑性材料を構造化することができる。浸食率
の絶対レベルは材料の種類、化学構造、そして、架橋形
成の程度に当然依存する。この新規なプロセスはプラズ
マ浸食と呼ばれ、多くの様々な形の構造物はマイクロシ
ェイプと呼ばれる。このプロセスはプリント回路基板及
びフィルム回路基板の製造に完全に応用することがで
き、従来の確立された回路基板技術と両立させることが
可能である。
ＧＨｚの周波数を有するマイクロ波発信機のようなマグ
ネトロンによって生成される。この２．４５ＧＨｚとい
う数値は従来のプロセスにおける数値と比べておよそ２
段階ほど大きい。ポリマーフィルムの構造化の最中のガ
ス圧力を０．１〜１ｈＰａ、ガス流量を数１００ｍｌ／
ｍｉｎとすると、２〜３μｍ／ｍｉｎの浸食率が得られ
るが、これは従来のプロセスと比較して係数にして３〜
４の加速になる。このスピードの増大により、複雑な構
造物を１０分から２０分といった比較的短時間で作るこ
とが可能となる。基本的に、上記方法によって極めて多
くの種類の塑性材料を構造化することができる。浸食率
の絶対レベルは材料の種類、化学構造、そして、架橋形
成の程度に当然依存する。この新規なプロセスはプラズ
マ浸食と呼ばれ、多くの様々な形の構造物はマイクロシ
ェイプと呼ばれる。このプロセスはプリント回路基板及
びフィルム回路基板の製造に完全に応用することがで
き、従来の確立された回路基板技術と両立させることが
可能である。
【００３９】
【実施例】以下、ポリマーフィルムにマイクロシェイプ
を形成するための本発明によるプロセスの詳細を、図１
〜図７を参照しながら説明する。図１は、本発明のプロ
セスに用いるプラズマリアクター１の第一の実施例の一
部の構造を示す。そのチャンバまたはコンテナ２は、吸
出接続部３とポンプ（矢印参照）によって減圧排気する
ことができる。ガス混合体は吸込接続部４と流量調整弁
５によって調節しながら導入する（矢印参照）ことがで
きる。ガス流量は５０〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの範囲に
あると都合が良い。チャンバ（コンテナ）の圧力は圧力
レコーダ１０によって計測される。動作圧は０．１〜１
ｈＰａであると都合が良い。プラズマ浸食のためには、
O2、CF4 、SF6 、そして、C2F6といった気体からなるガ
ス混合体を用いるが、これらはプラズマエッチングにお
いて効果があることが分かっている。ガス混合体はO2が
多く、約３〜２５％のCF4 を含有していると効果が高
い。CF4 の最適な割合は６〜１６％である。コンテナ２
はドア９を閉めることによって気密閉鎖することがで
き、また、ドア９を開けることによってポリマーフィル
ムをローディングバスケット６まで例えば把持して持っ
て来ることができるようになっている。当然、コンテナ
２をローディング目的のために開ける必要がないように
操作することも可能である。この場合には、ポリマーフ
ィルム７をリールから連続的に処理し、気密路を通して
案内手段で案内しながら該気密路を横切ってコンテナ２
に連続的に導くことが可能となる（これに対応する本発
明者によるスイス特許出願第９８７／９３−３、出願
日、１９９３年３月３１日参照）。マイクロ発信機８、
例えば、マグネトロンは、一定の高励起周波数２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を発信する。従来技術から分かるよ
うに、励起は当然より低い周波数１３．５６ＭＨｚでも
可能である。しかし、構造物を早く作るという目的のた
めには、１３．６５ＭＨｚを越える高励起周波数が好ま
しい。利用可能なマイクロ波周波数の数は法律で定めら
れているため、２．４５ＧＨｚを使うのが適当である。
出力密度は調節可能であり、早くプラズマ浸食を行うた
めには出力密度を１０ワット／リットルより大きくす
る。温度と温度分布は高温計１１を使って局部的に決定
することができる。ポリイミドフィルムのような絶縁槽
には、表面温度が摂氏２００度を越えないようにする。
を形成するための本発明によるプロセスの詳細を、図１
〜図７を参照しながら説明する。図１は、本発明のプロ
セスに用いるプラズマリアクター１の第一の実施例の一
部の構造を示す。そのチャンバまたはコンテナ２は、吸
出接続部３とポンプ（矢印参照）によって減圧排気する
ことができる。ガス混合体は吸込接続部４と流量調整弁
５によって調節しながら導入する（矢印参照）ことがで
きる。ガス流量は５０〜２０００ｍｌ／ｍｉｎの範囲に
あると都合が良い。チャンバ（コンテナ）の圧力は圧力
レコーダ１０によって計測される。動作圧は０．１〜１
ｈＰａであると都合が良い。プラズマ浸食のためには、
O2、CF4 、SF6 、そして、C2F6といった気体からなるガ
ス混合体を用いるが、これらはプラズマエッチングにお
いて効果があることが分かっている。ガス混合体はO2が
多く、約３〜２５％のCF4 を含有していると効果が高
い。CF4 の最適な割合は６〜１６％である。コンテナ２
はドア９を閉めることによって気密閉鎖することがで
き、また、ドア９を開けることによってポリマーフィル
ムをローディングバスケット６まで例えば把持して持っ
て来ることができるようになっている。当然、コンテナ
２をローディング目的のために開ける必要がないように
操作することも可能である。この場合には、ポリマーフ
ィルム７をリールから連続的に処理し、気密路を通して
案内手段で案内しながら該気密路を横切ってコンテナ２
に連続的に導くことが可能となる（これに対応する本発
明者によるスイス特許出願第９８７／９３−３、出願
日、１９９３年３月３１日参照）。マイクロ発信機８、
例えば、マグネトロンは、一定の高励起周波数２．４５
ＧＨｚのマイクロ波を発信する。従来技術から分かるよ
うに、励起は当然より低い周波数１３．５６ＭＨｚでも
可能である。しかし、構造物を早く作るという目的のた
めには、１３．６５ＭＨｚを越える高励起周波数が好ま
しい。利用可能なマイクロ波周波数の数は法律で定めら
れているため、２．４５ＧＨｚを使うのが適当である。
出力密度は調節可能であり、早くプラズマ浸食を行うた
めには出力密度を１０ワット／リットルより大きくす
る。温度と温度分布は高温計１１を使って局部的に決定
することができる。ポリイミドフィルムのような絶縁槽
には、表面温度が摂氏２００度を越えないようにする。
【００４０】本発明によるプラズマ浸食プロセスを有利
に行うためには、次のようにするとよい。まず、ポリマ
ーフィルム７をローディングバスケット６に入れ、コン
テナ２を動作圧より低い基礎圧力にまで減圧排気する。
次に、ガス混合体をコンテナ２に導入し、ガス流量とチ
ャンバ（コンテナ）圧力が安定した後、マイクロ波発信
機８のスイッチを入れて発信機の出力を調節すると、プ
ラズマがガス混合体の中で点火される。コンテナ２内の
いずれの所においてもプラズマはマイクロ波によって励
起される。ガス混合体が連続的に導入され吐出されるた
め、プラズマの反応粒子が絶縁層に当たってそれを浸食
し、マイクロシェイプを形成する。浸食率は温度を調節
することによって高く均一に保たれる。この構造化が終
わると、例えば、一定の浸食時間が経過すると、マイク
ロ波発信機８のスイッチを切り、ガスの供給を止め、コ
ンテナ２内の空気を抜いてポリマーフィルムを取り外
す。
に行うためには、次のようにするとよい。まず、ポリマ
ーフィルム７をローディングバスケット６に入れ、コン
テナ２を動作圧より低い基礎圧力にまで減圧排気する。
次に、ガス混合体をコンテナ２に導入し、ガス流量とチ
ャンバ（コンテナ）圧力が安定した後、マイクロ波発信
機８のスイッチを入れて発信機の出力を調節すると、プ
ラズマがガス混合体の中で点火される。コンテナ２内の
いずれの所においてもプラズマはマイクロ波によって励
起される。ガス混合体が連続的に導入され吐出されるた
め、プラズマの反応粒子が絶縁層に当たってそれを浸食
し、マイクロシェイプを形成する。浸食率は温度を調節
することによって高く均一に保たれる。この構造化が終
わると、例えば、一定の浸食時間が経過すると、マイク
ロ波発信機８のスイッチを切り、ガスの供給を止め、コ
ンテナ２内の空気を抜いてポリマーフィルムを取り外
す。
【００４１】このように、プラズマ浸食の最も重要なプ
ロセスパラメーターは、ガス圧力、ガス流量、ポリマー
フィルムの表面温度、ガスの種類、ガス混合体の混合
比、そして、マイクロ波発信機の出力である。これら全
てのパラメーターは計測可能であり、調節可能であり、
また、コンピュータで制御することができる。そのため
に、プラズマリアクター１は完全に自動制御することが
できる。このような制御はプロセスパラメーターの最適
化、または、最適なパラメーターセットの決定につなが
るが、本発明のプロセスでは、パラメーターは表面温度
を基準に最適化される。表面温度は構造化の最中にプラ
ズマによって制御され、また、対応するパラメーターの
設定によってポリマーフィルムの材料破損限界温度の少
し下に保たれ、それによって、マイクロシェイプを慎重
に浸食することができる。
ロセスパラメーターは、ガス圧力、ガス流量、ポリマー
フィルムの表面温度、ガスの種類、ガス混合体の混合
比、そして、マイクロ波発信機の出力である。これら全
てのパラメーターは計測可能であり、調節可能であり、
また、コンピュータで制御することができる。そのため
に、プラズマリアクター１は完全に自動制御することが
できる。このような制御はプロセスパラメーターの最適
化、または、最適なパラメーターセットの決定につなが
るが、本発明のプロセスでは、パラメーターは表面温度
を基準に最適化される。表面温度は構造化の最中にプラ
ズマによって制御され、また、対応するパラメーターの
設定によってポリマーフィルムの材料破損限界温度の少
し下に保たれ、それによって、マイクロシェイプを慎重
に浸食することができる。
【００４２】図２は、そのようなプロセスパラメーター
の最適化を示す図で、絶縁層の上の高浸食率のゾーンを
ガス流量Ｆ（単位、ｍｌ／ｍｉｎ）とガス圧力Ｄ（単
位、ｈＰａ）というようなパラメーターの関数として示
している。表面温度、ガス混合体の混合比、そして、マ
イクロ波の出力といった他のパラメーターは最適状態に
一定に保たれている。急速なプラズマ浸食には、非常に
高い表面温度の高密度プラズマを必要とし、そのような
高密度プラズマの存在範囲は、ガス流量Ｆとガス圧力Ｄ
に関する装置と物理的境界条件に基づいてパラメーター
領域Ｐで決定することができる。これらの境界条件と
は、最大ガス流量とガス圧力及び最小ガス流量とガス圧
力である。ガス流量Ｆが５０ｍｌ／ｍｉｎより小さい場
合、コンテナ２内のプラズマの反応粒子の数が不十分で
あるため、浸食率の低下が顕著である。逆に、ガス流量
Ｆが２０００ｍｌ／ｍｉｎより大きい場合、コンテナ２
内の反応粒子の滞留時間が短か過ぎるため（ガス圧力Ｄ
を保つためにより強く吐出する必要があるため）、浸食
率は急激に低下する。ガス圧力Ｄが０．１ｈＰａより低
い場合、絶縁層に吸収されないマイクロ波による熱伝達
があまりにも高いため、過熱によって破壊されることが
ある。逆に、ガス圧力Ｄが１ｈＰａよりも高い場合、プ
ラズマ内のイオンと基の再結合確率があまりにも高いた
め、浸食率は大きく低下する。パラメーター領域Ｐは最
適範囲を定義するが、これはマイクロ波出力の可変範囲
とわずかしか違わない。したがって、マイクロ波の出力
を制御することによって、他のパラメーターを変更する
ことなく最適な高表面温度を設定することができる。
の最適化を示す図で、絶縁層の上の高浸食率のゾーンを
ガス流量Ｆ（単位、ｍｌ／ｍｉｎ）とガス圧力Ｄ（単
位、ｈＰａ）というようなパラメーターの関数として示
している。表面温度、ガス混合体の混合比、そして、マ
イクロ波の出力といった他のパラメーターは最適状態に
一定に保たれている。急速なプラズマ浸食には、非常に
高い表面温度の高密度プラズマを必要とし、そのような
高密度プラズマの存在範囲は、ガス流量Ｆとガス圧力Ｄ
に関する装置と物理的境界条件に基づいてパラメーター
領域Ｐで決定することができる。これらの境界条件と
は、最大ガス流量とガス圧力及び最小ガス流量とガス圧
力である。ガス流量Ｆが５０ｍｌ／ｍｉｎより小さい場
合、コンテナ２内のプラズマの反応粒子の数が不十分で
あるため、浸食率の低下が顕著である。逆に、ガス流量
Ｆが２０００ｍｌ／ｍｉｎより大きい場合、コンテナ２
内の反応粒子の滞留時間が短か過ぎるため（ガス圧力Ｄ
を保つためにより強く吐出する必要があるため）、浸食
率は急激に低下する。ガス圧力Ｄが０．１ｈＰａより低
い場合、絶縁層に吸収されないマイクロ波による熱伝達
があまりにも高いため、過熱によって破壊されることが
ある。逆に、ガス圧力Ｄが１ｈＰａよりも高い場合、プ
ラズマ内のイオンと基の再結合確率があまりにも高いた
め、浸食率は大きく低下する。パラメーター領域Ｐは最
適範囲を定義するが、これはマイクロ波出力の可変範囲
とわずかしか違わない。したがって、マイクロ波の出力
を制御することによって、他のパラメーターを変更する
ことなく最適な高表面温度を設定することができる。
【００４３】図３は、三層フィルム回路基板の場合にお
いて、本発明のプロセスによって形成されたポリマーフ
ィルムのマイクロシェイプを示している。この三層フィ
ルム回路基板は厚さ５０μｍのポリイミドフィルム１３
からなり、その両側は薄い銅箔で積層されており、絶縁
層として２５０×２５０m2の面積を有している。このよ
うなフィルム回路基板に小さい穴を明けるプロセスは、
本発明者による特許出願（ＰＣＴ／ＣＨ９３／００１４
５、出願日、１９９３年６月９日）に記載されている。
これの前作業段階、例えば、ウェットケミカルエッチン
グにおいては、銅箔面の５％がポリイミドフィルム１３
を露出してプラズマ浸食のためのマスクを形成してい
る。プラズマ浸食のための９２％のO2と８％のCF4 から
なる典型的なガス混合体が、５００ｍｌ／ｍｉｎのガス
流量と０．４ｈＰａのガス圧力で、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波と１８ワット／リットルの出力密度によってプ
ラズマへと励起されるが、このときフィルム回路基板の
表面温度は摂氏２００度に満たない。このため、２３分
以内に貫通穴１５がポリイミドフィルムを浸食する。す
なわち、２．２μ／ｍｉｎの浸食率ということになる。
また、他の多くの、部分的に複雑なマイクロシェイプを
構造化することも可能である。このように、貫通穴１５
とは別に、一方向に傾斜した貫通穴15.2や二方向に貫通
した穴15.3、そして、貫通穴15.1、盲穴１６と、さら
に、貫通溝１７を形成することが可能である。
いて、本発明のプロセスによって形成されたポリマーフ
ィルムのマイクロシェイプを示している。この三層フィ
ルム回路基板は厚さ５０μｍのポリイミドフィルム１３
からなり、その両側は薄い銅箔で積層されており、絶縁
層として２５０×２５０m2の面積を有している。このよ
うなフィルム回路基板に小さい穴を明けるプロセスは、
本発明者による特許出願（ＰＣＴ／ＣＨ９３／００１４
５、出願日、１９９３年６月９日）に記載されている。
これの前作業段階、例えば、ウェットケミカルエッチン
グにおいては、銅箔面の５％がポリイミドフィルム１３
を露出してプラズマ浸食のためのマスクを形成してい
る。プラズマ浸食のための９２％のO2と８％のCF4 から
なる典型的なガス混合体が、５００ｍｌ／ｍｉｎのガス
流量と０．４ｈＰａのガス圧力で、２．４５ＧＨｚのマ
イクロ波と１８ワット／リットルの出力密度によってプ
ラズマへと励起されるが、このときフィルム回路基板の
表面温度は摂氏２００度に満たない。このため、２３分
以内に貫通穴１５がポリイミドフィルムを浸食する。す
なわち、２．２μ／ｍｉｎの浸食率ということになる。
また、他の多くの、部分的に複雑なマイクロシェイプを
構造化することも可能である。このように、貫通穴１５
とは別に、一方向に傾斜した貫通穴15.2や二方向に貫通
した穴15.3、そして、貫通穴15.1、盲穴１６と、さら
に、貫通溝１７を形成することが可能である。
【００４４】２．２μ／ｍｉｎの浸食率は米国特許第４
７２０３２２号明細書と、ヨーロッパ特許１４４９４３
号に記載されたプラズマエッチングプロセスのエッチン
グ率に比べて少なくとも係数にして３は高い。これらの
プロセスの様々な材料における浸食／エッチング率を比
較するために、材料特有の変換率を作製したところ、米
国特許のエポキシアラミド材料は、ポリイミドよりほぼ
３０％早くエッチングすることができ、ポリイミド関連
の浸食／エッチング率はおよそ0.13から0.26μｍ／ｍｉ
ｎとなる。ヨーロッパ特許の銅コーティングポリイミド
フィルム（デュポン社のＬＦ９１１１）は３００％早く
エッチングすることができるアクリルの接着剤を有して
おり、したがって、ここではポリイミド関連の浸食／エ
ッチング率は０．５〜０．６μ／ｍｉｎとなる。
７２０３２２号明細書と、ヨーロッパ特許１４４９４３
号に記載されたプラズマエッチングプロセスのエッチン
グ率に比べて少なくとも係数にして３は高い。これらの
プロセスの様々な材料における浸食／エッチング率を比
較するために、材料特有の変換率を作製したところ、米
国特許のエポキシアラミド材料は、ポリイミドよりほぼ
３０％早くエッチングすることができ、ポリイミド関連
の浸食／エッチング率はおよそ0.13から0.26μｍ／ｍｉ
ｎとなる。ヨーロッパ特許の銅コーティングポリイミド
フィルム（デュポン社のＬＦ９１１１）は３００％早く
エッチングすることができるアクリルの接着剤を有して
おり、したがって、ここではポリイミド関連の浸食／エ
ッチング率は０．５〜０．６μ／ｍｉｎとなる。
【００４５】図４は、本発明のプロセスに用いるプラズ
マリアクターの第二の実施例の一部の構造を示してい
る。このプラズマリアクター１’は、実質的には図１と
同じであり、したがって、ここでは第二の実施例によっ
て新たに提供される部分についてのみ説明する。それ
は、非常に均一な表面温度とガス流量の分布を得ること
に関する。コンテナ内のポリマーフィルムの配置と動き
は、均一にマイクロシェイプを浸食することができるよ
うに、可能な限り均一にしてある。
マリアクターの第二の実施例の一部の構造を示してい
る。このプラズマリアクター１’は、実質的には図１と
同じであり、したがって、ここでは第二の実施例によっ
て新たに提供される部分についてのみ説明する。それ
は、非常に均一な表面温度とガス流量の分布を得ること
に関する。コンテナ内のポリマーフィルムの配置と動き
は、均一にマイクロシェイプを浸食することができるよ
うに、可能な限り均一にしてある。
【００４６】温度制御の考え方はより拡大、強化されて
いる。ここでは急速にプラズマ浸食を行うために、高温
に到達するということよりも、非常に均一な温度プロフ
ィルをポリマーフィルム７の上に形成することが重要に
なってくる。この目的のために、プラズマリアクター
１’にはさらにヒータ１２やバッフルプレート12.2、そ
れにディストリビュータープレート12.1やロータリー式
のローディングバスケット６が特殊な把持装置や固定装
置と共に設けられている。
いる。ここでは急速にプラズマ浸食を行うために、高温
に到達するということよりも、非常に均一な温度プロフ
ィルをポリマーフィルム７の上に形成することが重要に
なってくる。この目的のために、プラズマリアクター
１’にはさらにヒータ１２やバッフルプレート12.2、そ
れにディストリビュータープレート12.1やロータリー式
のローディングバスケット６が特殊な把持装置や固定装
置と共に設けられている。
【００４７】ヒータ１２はチャンバの低温領域の方向、
特に、チャンバ（コンテナ）２の内壁方向への放熱を最
小限にするために用いられる。こうすることによって、
チャンバ（コンテナ）壁は限界温度に限りなく近い温度
になるように加熱される。この加熱は、プラズマリアク
ター１’をオーブンに入れることによって、あるいは、
コンテナ２の外壁をストリップヒータで加熱することに
よって、あるいは、コンテナ２の内壁をヒータ１２で加
熱することによって行うことができる。ヒータ１２はア
ルミニウムのような金属から作ることができ、放熱保護
のためにコンテナ内の放熱の分布を最適に均一化するよ
うに研磨されている。ヒータ１２はまた受動的に作動さ
せることもでき、この場合、小さな薄いアルミニウムの
板のみからなるが、これがチャンバ（コンテナ）の低温
領域をポリマーフィルムに対して遮蔽する。このように
して、ヒータはプラズマ浸食の最中に、マイクロ波光線
をトラップすることにより、あるいは、熱い粒子との接
触により急速に熱くすることができ、それにより、ポリ
マーフィルムとチャンバ（コンテナ）壁との間の過剰な
温度勾配を防ぐことができる。
特に、チャンバ（コンテナ）２の内壁方向への放熱を最
小限にするために用いられる。こうすることによって、
チャンバ（コンテナ）壁は限界温度に限りなく近い温度
になるように加熱される。この加熱は、プラズマリアク
ター１’をオーブンに入れることによって、あるいは、
コンテナ２の外壁をストリップヒータで加熱することに
よって、あるいは、コンテナ２の内壁をヒータ１２で加
熱することによって行うことができる。ヒータ１２はア
ルミニウムのような金属から作ることができ、放熱保護
のためにコンテナ内の放熱の分布を最適に均一化するよ
うに研磨されている。ヒータ１２はまた受動的に作動さ
せることもでき、この場合、小さな薄いアルミニウムの
板のみからなるが、これがチャンバ（コンテナ）の低温
領域をポリマーフィルムに対して遮蔽する。このように
して、ヒータはプラズマ浸食の最中に、マイクロ波光線
をトラップすることにより、あるいは、熱い粒子との接
触により急速に熱くすることができ、それにより、ポリ
マーフィルムとチャンバ（コンテナ）壁との間の過剰な
温度勾配を防ぐことができる。
【００４８】ガス流量の分布もまた重要な要因である。
したがって、浸食率はプラズマ内の反応粒子の量に大い
に依存する。また、どれだけ早く反応生成物が除去され
るかにも大いに依存する。このため、ガス吸気口の配置
と構造、吐出開口部の構造、そして、プラズマリアクタ
ー１’内のガス混合体の流れ方向に対するポリマーフィ
ルム７の配置が重要になってくる。
したがって、浸食率はプラズマ内の反応粒子の量に大い
に依存する。また、どれだけ早く反応生成物が除去され
るかにも大いに依存する。このため、ガス吸気口の配置
と構造、吐出開口部の構造、そして、プラズマリアクタ
ー１’内のガス混合体の流れ方向に対するポリマーフィ
ルム７の配置が重要になってくる。
【００４９】ガス混合体は吸気口の上流で混合され、コ
ンテナ２内の壁上に均一に配分された吸込接続部４によ
って均一に導入されると都合が良い。吸込手段の目的
は、単位時間当たり等量の反応粒子をポリマーフィルム
上に提供することにある。これを最適な方法で行うため
には、調節可能なノズル、例えば、流量調整弁５で補正
を行い、異なる量のガス混合体が異なる開口部を通って
コンテナの異なる点に到達し、それによって浸食すべき
ポリマーフィルム７の浸食ゾーン全体に最適かつ均一な
混合ガスを作り出すことにある。吸込ノズルは、コンテ
ナ２内で低圧のガス流がしばしば発生するため、最適な
ガスの伝播を妨げるという不都合が伴う。この不都合は
バッフルプレート12.2を取り付けることによって解決す
ることができる。バッフルプレート12.2は、例えば、開
口部を設けたヒータ１２に一体化して吸込接続部４の排
気口に設置し、排気口から流れてくるガス混合体が渦を
巻くようにする。
ンテナ２内の壁上に均一に配分された吸込接続部４によ
って均一に導入されると都合が良い。吸込手段の目的
は、単位時間当たり等量の反応粒子をポリマーフィルム
上に提供することにある。これを最適な方法で行うため
には、調節可能なノズル、例えば、流量調整弁５で補正
を行い、異なる量のガス混合体が異なる開口部を通って
コンテナの異なる点に到達し、それによって浸食すべき
ポリマーフィルム７の浸食ゾーン全体に最適かつ均一な
混合ガスを作り出すことにある。吸込ノズルは、コンテ
ナ２内で低圧のガス流がしばしば発生するため、最適な
ガスの伝播を妨げるという不都合が伴う。この不都合は
バッフルプレート12.2を取り付けることによって解決す
ることができる。バッフルプレート12.2は、例えば、開
口部を設けたヒータ１２に一体化して吸込接続部４の排
気口に設置し、排気口から流れてくるガス混合体が渦を
巻くようにする。
【００５０】ガス吸込口の性質と同じ原理で、吐出開口
部の位置と配置も重要である。コンテナ２の中に向かっ
て突出している吸出接続部３は局部的に過剰な吸い出し
を引き起こすが、これを避けるために、穴を明けたアル
ミニウムの板であるディストリビュータープレート12.1
を吸出接続部３の上に取り付け、ガス混合体がコンテナ
を通り抜けた後、これらの穴から均一に吸い出されるよ
うにする。図４の実施例では、ディストリビュータープ
レート12.1はヒータ１２に一体化されている。均一な吸
い出しは、吸出接続部３からの距離が長くなればなるほ
ど穴が大きく密度を増すようにディストリビュータープ
レート12.1上に様々な密度と大きさで配置された穴によ
って達成され、これにより、吸い出す力が減少するのを
補完する。
部の位置と配置も重要である。コンテナ２の中に向かっ
て突出している吸出接続部３は局部的に過剰な吸い出し
を引き起こすが、これを避けるために、穴を明けたアル
ミニウムの板であるディストリビュータープレート12.1
を吸出接続部３の上に取り付け、ガス混合体がコンテナ
を通り抜けた後、これらの穴から均一に吸い出されるよ
うにする。図４の実施例では、ディストリビュータープ
レート12.1はヒータ１２に一体化されている。均一な吸
い出しは、吸出接続部３からの距離が長くなればなるほ
ど穴が大きく密度を増すようにディストリビュータープ
レート12.1上に様々な密度と大きさで配置された穴によ
って達成され、これにより、吸い出す力が減少するのを
補完する。
【００５１】コンテナ内のポリマーフィルム７を回転さ
せることによって、温度分布はさらに均一化する。浸食
すべきポリマーフィルム７はガス流と平行にロードし、
ガス流に対してこの角度を保ったまま駆動装置１４によ
ってローディングバスケット６の長手方向の軸の回りに
回転させると有利であることが分かっている。ガス流と
平行なこの角度では、ガス混合体は浸食すべきヒータの
回りを長手方向に流れる。ほぼ閉鎖されたヒータ１２の
内部では、方向付けられた流れが限定された最小限の抵
抗を受けながら結果的に形成され、バッフルプレート1
2.2からディストリビュータープレート12.1まで伸び
る。この流れはローディングバスケット６内のポリマー
フィルム７の間隔によって変えることができる。ポリマ
ーフィルム７はあまり隣同士並べて配置せずに、その間
隔を１０ｍｍ以上あける方が良い。ガス流量とガス圧力
を考慮すると、２０ｍｍの間隔が最適である。ポリマー
フィルム７同士があまり離れ過ぎると、プラズマリアク
ター１’の充填レベルとスループットが下がる。
せることによって、温度分布はさらに均一化する。浸食
すべきポリマーフィルム７はガス流と平行にロードし、
ガス流に対してこの角度を保ったまま駆動装置１４によ
ってローディングバスケット６の長手方向の軸の回りに
回転させると有利であることが分かっている。ガス流と
平行なこの角度では、ガス混合体は浸食すべきヒータの
回りを長手方向に流れる。ほぼ閉鎖されたヒータ１２の
内部では、方向付けられた流れが限定された最小限の抵
抗を受けながら結果的に形成され、バッフルプレート1
2.2からディストリビュータープレート12.1まで伸び
る。この流れはローディングバスケット６内のポリマー
フィルム７の間隔によって変えることができる。ポリマ
ーフィルム７はあまり隣同士並べて配置せずに、その間
隔を１０ｍｍ以上あける方が良い。ガス流量とガス圧力
を考慮すると、２０ｍｍの間隔が最適である。ポリマー
フィルム７同士があまり離れ過ぎると、プラズマリアク
ター１’の充填レベルとスループットが下がる。
【００５２】最後に、温度分布はポリマーフィルム７を
ローディングバスケット６に把持または固定することに
よって最適化される。様々な温度における物体間の直接
接触による熱の流れの発生を防ぐため、ポリマーフィル
ム７の固定具１８は特に断熱性に優れた材料で出来てお
り、前記固定具１８の接触点は特に小さく作ってある。
ポリマーフィルム７は、尖ったクリッピング面を有する
高級鋼のスプリングクリップでローディングバスケット
６内に固定すると都合が良い。
ローディングバスケット６に把持または固定することに
よって最適化される。様々な温度における物体間の直接
接触による熱の流れの発生を防ぐため、ポリマーフィル
ム７の固定具１８は特に断熱性に優れた材料で出来てお
り、前記固定具１８の接触点は特に小さく作ってある。
ポリマーフィルム７は、尖ったクリッピング面を有する
高級鋼のスプリングクリップでローディングバスケット
６内に固定すると都合が良い。
【００５３】以上のことを全て実施すると、±５％未満
のプラズマ浸食均一性を得ることができる。これと比較
して、プレートリアクター等従来のプラズマリアクター
の場合、３０％の非均一性を受け入れざるを得なかっ
た。
のプラズマ浸食均一性を得ることができる。これと比較
して、プレートリアクター等従来のプラズマリアクター
の場合、３０％の非均一性を受け入れざるを得なかっ
た。
【００５４】図５は、急速プラズマ浸食の温度プロフィ
ルのグラフを示している。絶縁層の浸食率に対する表面
温度の影響を浸食時間を通じてプロットし、予備加熱状
態Δthに切り替えることでポリマーフィルムのプラズマ
浸食時間をΔtgだけ短縮できることを示している。２つ
の曲線K1とK2がプロットされている。曲線K1は予備加熱
状態のない場合のプラズマ浸食中の表面温度を示してい
る。曲線K2は前の予備加熱状態を経た後のプラズマ浸食
中の表面温度を示している。予備加熱状態Δthはｔ0 時
に始まりt'0 時に終わるが、この時、曲線K2の表面温度
は危険な限界温度Ｔk のちょうど下まで上昇していた。
そこで制御されて、前記限界温度Ｔk に近い有利な一定
の状態に保たれる。曲線K1、K2の両方の場合についてプ
ラズマ浸食はt'0 時に始まり、曲線K1についてはt'1 時
に終わり、曲線K2についてはt1時に終わる。図５は、予
備加熱されていない曲線K1の表面温度がプラズマ浸食中
に上昇し、浸食時間のおよそ３分の１ほど経過した後に
初めて限界温度Ｔk に到達することを示している。プラ
ズマ浸食の最初の３分の１の時間に表面温度が比較的低
いことにより、浸食時間は予備加熱された曲線K2と比べ
て長くなっている。予備加熱状態Δthは典型的なプラズ
マ浸食時間の約１０％であり、これによる時間の節約分
Δtsは、予備加熱されていない曲線K1の表面温度が限界
温度Ｔk に到達するのに要する時間にほぼ想到する。
ルのグラフを示している。絶縁層の浸食率に対する表面
温度の影響を浸食時間を通じてプロットし、予備加熱状
態Δthに切り替えることでポリマーフィルムのプラズマ
浸食時間をΔtgだけ短縮できることを示している。２つ
の曲線K1とK2がプロットされている。曲線K1は予備加熱
状態のない場合のプラズマ浸食中の表面温度を示してい
る。曲線K2は前の予備加熱状態を経た後のプラズマ浸食
中の表面温度を示している。予備加熱状態Δthはｔ0 時
に始まりt'0 時に終わるが、この時、曲線K2の表面温度
は危険な限界温度Ｔk のちょうど下まで上昇していた。
そこで制御されて、前記限界温度Ｔk に近い有利な一定
の状態に保たれる。曲線K1、K2の両方の場合についてプ
ラズマ浸食はt'0 時に始まり、曲線K1についてはt'1 時
に終わり、曲線K2についてはt1時に終わる。図５は、予
備加熱されていない曲線K1の表面温度がプラズマ浸食中
に上昇し、浸食時間のおよそ３分の１ほど経過した後に
初めて限界温度Ｔk に到達することを示している。プラ
ズマ浸食の最初の３分の１の時間に表面温度が比較的低
いことにより、浸食時間は予備加熱された曲線K2と比べ
て長くなっている。予備加熱状態Δthは典型的なプラズ
マ浸食時間の約１０％であり、これによる時間の節約分
Δtsは、予備加熱されていない曲線K1の表面温度が限界
温度Ｔk に到達するのに要する時間にほぼ想到する。
【００５５】プロセスの観点からすれば、予備加熱状態
は非浸食性プラズマ、例えば、高マイクロ波出力を持つ
窒素（N2）またはアルゴン（Ar）を点火することによっ
てもたらされる。このようなプラズマからの同様の条件
下での熱伝達は浸食ガス混合体O2／CF4 からの熱伝達よ
りもさらに高いため、予備加熱された曲線K2は予備加熱
されていない曲線K1よりも早く限界温度Ｔk に向かって
上昇する。例えば、N2を使用する場合、１０００ｍｌ／
ｍｉｎの流量と、０．２ｈＰａの圧力と、２０ワット／
リットルの出力密度が伝達され、このような予備加熱状
態Δthが３分間持続する。
は非浸食性プラズマ、例えば、高マイクロ波出力を持つ
窒素（N2）またはアルゴン（Ar）を点火することによっ
てもたらされる。このようなプラズマからの同様の条件
下での熱伝達は浸食ガス混合体O2／CF4 からの熱伝達よ
りもさらに高いため、予備加熱された曲線K2は予備加熱
されていない曲線K1よりも早く限界温度Ｔk に向かって
上昇する。例えば、N2を使用する場合、１０００ｍｌ／
ｍｉｎの流量と、０．２ｈＰａの圧力と、２０ワット／
リットルの出力密度が伝達され、このような予備加熱状
態Δthが３分間持続する。
【００５６】図６は、プラズマ浸食中のパラメーターの
最適化を示すフローチャートである。このフローチャー
トにしたがって、表面温度が最適化される。ポリマーフ
ィルムの表面温度は高温計１１を使って継続的に計測さ
れている。これらのデータは、例えば、コンピュータＰ
Ｃで信号積算器Ｓを使って処理される。これらのデータ
はグラフで表すこともできるし、メディアに保存してさ
らにランダムに処理することもできる。このように積算
されたデータは、例えば、プリント回路基板やフィルム
回路基板等のポリマーフィルムのタイプ別の温度挙動を
示してそれら基板の異なる熱容量を再現するが、これら
のデータを制御しているのは時間パターン、継続性、そ
して、上限温度からの相対距離に関するアルゴリズムＡ
である。表面温度と温度プロフィルの望ましい値Ｓと実
際の値Ｉとの差は調節可能である。これは、例えば、Ｐ
ＩＤコントローラＰＩＤのような温度調節器の作用によ
って調節することができる。仮に、例えば、温度が限界
を越えて上昇した場合、ＰＩＤコントローラを使ってマ
イクロ波発信機８の出力を低くすることができる。仮
に、例えば、（吸収されたマイクロ波照射による）局部
加熱が周辺部で計測された場合、ＰＩＤコントローラを
使ってガス圧力Ｄを上昇させることができる。図６によ
ると、ガス圧力Ｄ、ガス流量Ｆ、マイクロ波発信機８の
出力、回転式のローディングバスケットのスピードＵ、
そして、ヒータ１２の加熱力等の重要なパラメーターが
調節可能である（図４と比較）。これによって、プラズ
マリアクターは最適なパラメーターで完全に自動制御す
ることができる。
最適化を示すフローチャートである。このフローチャー
トにしたがって、表面温度が最適化される。ポリマーフ
ィルムの表面温度は高温計１１を使って継続的に計測さ
れている。これらのデータは、例えば、コンピュータＰ
Ｃで信号積算器Ｓを使って処理される。これらのデータ
はグラフで表すこともできるし、メディアに保存してさ
らにランダムに処理することもできる。このように積算
されたデータは、例えば、プリント回路基板やフィルム
回路基板等のポリマーフィルムのタイプ別の温度挙動を
示してそれら基板の異なる熱容量を再現するが、これら
のデータを制御しているのは時間パターン、継続性、そ
して、上限温度からの相対距離に関するアルゴリズムＡ
である。表面温度と温度プロフィルの望ましい値Ｓと実
際の値Ｉとの差は調節可能である。これは、例えば、Ｐ
ＩＤコントローラＰＩＤのような温度調節器の作用によ
って調節することができる。仮に、例えば、温度が限界
を越えて上昇した場合、ＰＩＤコントローラを使ってマ
イクロ波発信機８の出力を低くすることができる。仮
に、例えば、（吸収されたマイクロ波照射による）局部
加熱が周辺部で計測された場合、ＰＩＤコントローラを
使ってガス圧力Ｄを上昇させることができる。図６によ
ると、ガス圧力Ｄ、ガス流量Ｆ、マイクロ波発信機８の
出力、回転式のローディングバスケットのスピードＵ、
そして、ヒータ１２の加熱力等の重要なパラメーターが
調節可能である（図４と比較）。これによって、プラズ
マリアクターは最適なパラメーターで完全に自動制御す
ることができる。
【００５７】図７は、プラズマ浸食のための最適化され
たパラメーターセットの保存と提供を示すフローチャー
トである。このフローチャートによると、最大限の浸食
を得るために励起周波数、ガス圧力、ガス流量、滞留時
間、表面温度、コンテナ温度、浸食時間、ポリマーフィ
ルムの配置と動き等の相互に連係したパラメーターセッ
トをプラズマ浸食制御のための異なる、最適化された浸
食作業のための独立した集合として利用する。既存の集
合の量から、各々のケースの浸食作業に望ましい集合が
ローディング用に用意される。このフローチャートは結
果的には図６の延長である。図６のフローチャートで
は、依存するパラメーターがモニターされ、表面温度の
関数として調節されるが、図７のフローチャートでは、
完全なパラメーターの集合がモニターされる。したがっ
て、プラズマリアクターは最適なパラメーターの集合で
完全に自動制御される。コンピュータＰＣのアルゴリズ
ムＡのためのデータはポケットまたはマガジン１９にラ
イブラリ形式で保存され、必要なときにメモリ２０にロ
ードされ、仮想的にバッファ保存される。選択されたア
ルゴリズムＡの各々は完全にパラメーターの集合で動作
することになり、それを用いてプラズマリアクター１、
１’を望ましい値Ｓと実際の値Ｉとの関数として制御す
る。アルゴリズムＡは会話形式で動作するようにするこ
とができる。すなわち、アルゴリズムＡはプラズマリア
クターに関して、例えば、最適なガス流量や浸食すべき
材料についての限界温度などエキスパート的な知識を有
しており、オペレータとコミュニケートすることができ
る。新しいパラメーターセットはマガジン１９に保存さ
れる。
たパラメーターセットの保存と提供を示すフローチャー
トである。このフローチャートによると、最大限の浸食
を得るために励起周波数、ガス圧力、ガス流量、滞留時
間、表面温度、コンテナ温度、浸食時間、ポリマーフィ
ルムの配置と動き等の相互に連係したパラメーターセッ
トをプラズマ浸食制御のための異なる、最適化された浸
食作業のための独立した集合として利用する。既存の集
合の量から、各々のケースの浸食作業に望ましい集合が
ローディング用に用意される。このフローチャートは結
果的には図６の延長である。図６のフローチャートで
は、依存するパラメーターがモニターされ、表面温度の
関数として調節されるが、図７のフローチャートでは、
完全なパラメーターの集合がモニターされる。したがっ
て、プラズマリアクターは最適なパラメーターの集合で
完全に自動制御される。コンピュータＰＣのアルゴリズ
ムＡのためのデータはポケットまたはマガジン１９にラ
イブラリ形式で保存され、必要なときにメモリ２０にロ
ードされ、仮想的にバッファ保存される。選択されたア
ルゴリズムＡの各々は完全にパラメーターの集合で動作
することになり、それを用いてプラズマリアクター１、
１’を望ましい値Ｓと実際の値Ｉとの関数として制御す
る。アルゴリズムＡは会話形式で動作するようにするこ
とができる。すなわち、アルゴリズムＡはプラズマリア
クターに関して、例えば、最適なガス流量や浸食すべき
材料についての限界温度などエキスパート的な知識を有
しており、オペレータとコミュニケートすることができ
る。新しいパラメーターセットはマガジン１９に保存さ
れる。
【００５８】
【発明の効果】請求項１記載の発明によれば、表面全体
にわたって高い浸食率が得られるという効果がある。
にわたって高い浸食率が得られるという効果がある。
【００５９】請求項２記載の発明によれば、稠密なプラ
ズマで浸食作業を行うことができるという効果がある。
ズマで浸食作業を行うことができるという効果がある。
【００６０】請求項３記載の発明によれば、表面全体に
わたって均一な浸食率が得られるという効果がある。
わたって均一な浸食率が得られるという効果がある。
【００６１】請求項４記載の発明によれば、最適な高浸
食率が得られるという効果がある。
食率が得られるという効果がある。
【００６２】請求項５記載の発明によれば、過熱を起こ
さずにポリマーフィルムの構造化を慎重に行うことがで
きる効果がある。
さずにポリマーフィルムの構造化を慎重に行うことがで
きる効果がある。
【００６３】請求項６記載の発明によれば、プラズマの
遮蔽効果が高くなり、ポリマーフィルムの過熱をより少
なくすることができるという効果がある。
遮蔽効果が高くなり、ポリマーフィルムの過熱をより少
なくすることができるという効果がある。
【００６４】請求項７記載の発明によれば、比較的短時
間に浸食を行うことができるという効果がある。
間に浸食を行うことができるという効果がある。
【００６５】請求項８記載の発明によれば、極めて高い
浸食率を得ることができるという効果がある。
浸食率を得ることができるという効果がある。
【００６６】請求項９記載の発明によれば、極めて高い
浸食率を得ることができるという効果がある。
浸食率を得ることができるという効果がある。
【００６７】請求項１０記載の発明によれば、熱による
損傷や破壊をもたらしにくい塑性材料に浸食を行うこと
ができるという効果がある。
損傷や破壊をもたらしにくい塑性材料に浸食を行うこと
ができるという効果がある。
【００６８】請求項１１記載の発明によれば、熱による
損傷や破壊をもたらしにくい塑性材料に、より早くプラ
ズマ浸食を行うことができるという効果がある。
損傷や破壊をもたらしにくい塑性材料に、より早くプラ
ズマ浸食を行うことができるという効果がある。
【００６９】請求項１２記載の発明によれば、熱による
損傷や破壊をもたらしにくい塑性材料に、比較的短時間
に浸食を行うことができるという効果がある。
損傷や破壊をもたらしにくい塑性材料に、比較的短時間
に浸食を行うことができるという効果がある。
【００７０】請求項１３記載の発明によれば、熱による
損傷や破壊をもたらしにくい塑性材料に、比較的短時間
に浸食を行うことができるという効果がある。
損傷や破壊をもたらしにくい塑性材料に、比較的短時間
に浸食を行うことができるという効果がある。
【００７１】請求項１４記載の発明によれば、より均一
な浸食率が得られるという効果がある。
な浸食率が得られるという効果がある。
【００７２】請求項１５記載の発明によれば、より均一
なプラズマ浸食を行うことができるという効果がある。
なプラズマ浸食を行うことができるという効果がある。
【００７３】請求項１６記載の発明によれば、より均一
なプラズマ浸食を行うことができるという効果がある。
なプラズマ浸食を行うことができるという効果がある。
【００７４】請求項１７記載の発明においても、より均
一なプラズマ浸食を行うことができるという効果があ
る。
一なプラズマ浸食を行うことができるという効果があ
る。
【００７５】請求項１８記載の発明によれば、浸食時間
を短縮することができるという効果がある。
を短縮することができるという効果がある。
【００７６】請求項１９記載の発明によれば、プラズマ
浸食を行うに当たって、表面温度を制御することができ
るという効果がある。
浸食を行うに当たって、表面温度を制御することができ
るという効果がある。
【００７７】請求項２０記載の発明によれば、限界温度
より高くなった表面温度を、容易に限界温度より低くす
ることができるという効果がある。
より高くなった表面温度を、容易に限界温度より低くす
ることができるという効果がある。
【００７８】請求項２１記載の発明によれば、限界温度
より低過ぎる表面温度を、容易に限界温度近くまで上昇
させることができるという効果がある。
より低過ぎる表面温度を、容易に限界温度近くまで上昇
させることができるという効果がある。
【００７９】請求項２２記載の発明によるポリマーフィ
ルム構造物は、表面全体にわたって均一で、しかも、最
適な高浸食率を有するものである。
ルム構造物は、表面全体にわたって均一で、しかも、最
適な高浸食率を有するものである。
【図１】本発明のプロセスに用いるプラズマリアクター
の第一の実施例の一部の構造を示す図である。
の第一の実施例の一部の構造を示す図である。
【図２】最適なパラメーターと高浸食率のパラメーター
領域を示す図である。
領域を示す図である。
【図３】三層のフィルム回路基板の場合において、本発
明のプロセスによって作られたポリマーフィルムのマイ
クロシェイプである。
明のプロセスによって作られたポリマーフィルムのマイ
クロシェイプである。
【図４】本発明のプロセスに用いるプラズマリアクター
の第二の実施例の一部の構造を示す図である。
の第二の実施例の一部の構造を示す図である。
【図５】プラズマ浸食温度プロフィルを示すグラフであ
る。
る。
【図６】プロセスパラメーターの最適化を示すフローチ
ャートである。
ャートである。
【図７】プロセスに用いる最適化されたパラメーターの
保存と提供の関係を示すフローチャートである。
保存と提供の関係を示すフローチャートである。
１、１’─プラズマリアクター、２─コンテナ、３─吸
出接続部、４─吸込接続部、５─流量調整弁、６─ロー
ディングバスケット、７─ポリマーフィルム、８─マイ
クロ発信機、９─ドア、１０─圧力レコーダ、１１─高
温計、１２─ヒータ、12.1─ディストリビュータープレ
ート、12.2─バッフルプレート、１３─ポリイミドフィ
ルム、１４─駆動装置、１５、15.2、15.3─貫通穴、1
5.1─貫通窓、１６─盲穴、１７─貫通溝、１８─固定
具、１９─マガジン、２０─メモリ、Ａ─アルゴリズ
ム、Ｄ─ガス圧力、Ｆ─ガス流量、Ｕ─ローディングバ
スケットのスピード、ＰＣ─コンピュータ、ＰＩＤ─Ｐ
ＩＤコントローラ、Ｉ─実際の値、Ｓ─望ましい値。
出接続部、４─吸込接続部、５─流量調整弁、６─ロー
ディングバスケット、７─ポリマーフィルム、８─マイ
クロ発信機、９─ドア、１０─圧力レコーダ、１１─高
温計、１２─ヒータ、12.1─ディストリビュータープレ
ート、12.2─バッフルプレート、１３─ポリイミドフィ
ルム、１４─駆動装置、１５、15.2、15.3─貫通穴、1
5.1─貫通窓、１６─盲穴、１７─貫通溝、１８─固定
具、１９─マガジン、２０─メモリ、Ａ─アルゴリズ
ム、Ｄ─ガス圧力、Ｆ─ガス流量、Ｕ─ローディングバ
スケットのスピード、ＰＣ─コンピュータ、ＰＩＤ─Ｐ
ＩＤコントローラ、Ｉ─実際の値、Ｓ─望ましい値。
Claims (22)
- 【請求項１】コンテナ内に形成されるプラズマ作用を用
いてマイクロ波でガス混合体を励起させることによって
ポリマーフィルムを構造化するプロセスであって、最大
の浸食率を得るために、励起周波数、ガス圧力、ガス流
量、滞留時間、表面温度、コンテナ温度、浸食時間、ポ
リマーフィルムの配置と動きのような相互に連係するパ
ラメーターの集合を、異なる最適化された浸食作業のた
めの独立した集合として用いてプラズマ浸食の制御を行
い、既存の集合の量から浸食関数のための特定の望まし
い集合を用意してローディングすることを特徴とするポ
リマーフィルムの構造化プロセス。 - 【請求項２】プラズマによる構造化の最中にポリマーフ
ィルムの表面温度をモニターし、対応するパラメーター
の集合を用いてポリマーフィルムの表面温度を材料が破
損する限界温度より少し下になるように制御することを
特徴とする請求項１記載のポリマーフィルムの構造化プ
ロセス。 - 【請求項３】ポリマーフィルムの構造物またはマイクロ
シェイプを高い表面温度と高密度のプラズマで急速かつ
慎重に浸食し、マイクロシェイプを表面温度とガス流量
の均一分布によって、また、ポリマーフィルムを同様に
配置し動かすことによって均一にプラズマ浸食すること
を特徴とする請求項２記載のポリマーフィルムの構造化
プロセス。 - 【請求項４】ガス圧力によって表面温度を限界温度より
低く抑え、ガス圧力はコンテナ内のガス混合体の流量と
滞留時間によって調節されることを特徴とする請求項３
記載のポリマーフィルムの構造化プロセス。 - 【請求項５】ガス混合体との接触によってポリマーフィ
ルムの温度が限界温度より高くなるのを防ぐ程度にガス
圧力を充分高く設定し、ガス混合体に吸収されないマイ
クロ波によってポリマーフィルムの温度が限界温度より
高くなるのを防ぐ程度にガス圧力を充分低く設定してな
ることを特徴とする請求項４記載のポリマーフィルムの
構造化プロセス。 - 【請求項６】１３．５６ＭＨｚより高い周波数のマイク
ロ波でガス混合体を励起させることによって表面温度を
限界温度より低く保ち、周波数が高くなるほど優れたマ
イクロ波遮蔽能力を発揮する非常に密度の高いプラズマ
を励起させるために、マイクロ波周波数を充分に高く設
定してなることを特徴とする請求項３記載のポリマーフ
ィルムの構造化プロセス。 - 【請求項７】マイクロ波の出力密度を調節することによ
って表面温度を限界温度より低く保ち、マイクロ波発信
機を用いて出力密度を充分高く保つことによってガス混
合体を非常に高密度のプラズマへと励起させることを特
徴とする請求項３記載のポリマーフィルムの構造化プロ
セス。 - 【請求項８】ガス圧力とマイクロ波周波数を互いに連係
させることによって極めて高い浸食率を得るようにした
ことを特徴とする請求項５記載または６記載のポリマー
フィルムの構造化プロセス。 - 【請求項９】ガス圧力、マイクロ波周波数及び出力密度
を互いに連係させることによって極めて高い浸食率を得
るようにしたことを特徴とする請求項６または７記載の
ポリマーフィルムの構造化プロセス。 - 【請求項１０】絶縁層がポリイミドの層で形成され、該
ポリイミド層はプラズマ浸食されて、摂氏２００度の限
界温度でマイクロシェイプに形成されることを特徴とす
る請求項９記載のポリマーフィルムの構造化プロセス。 - 【請求項１１】絶縁層としてポリイミドの層が用いら
れ、該ポリイミドの層は１０ワット／リットルより高い
出力密度でプラズマ浸食されてマイクロシェイプに形成
されることを特徴とする請求項９記載のポリマーフィル
ムの構造化プロセス。 - 【請求項１２】絶縁層としてポリイミドの層が用いら
れ、該ポリイミド層は２．４５ＧＨｚのマイクロ波周波
数でプラズマ浸食されてマイクロシェイプに形成される
ことを特徴とする請求項９記載のポリマーフィルムの構
造化プロセス。 - 【請求項１３】絶縁層としてポリイミドの層が用いら
れ、該ポリイミド層は１μｍ／ｍｉｎより大きい浸食率
でプラズマ浸食されてマイクロシェイプに形成されるこ
とを特徴とする請求項９記載のポリマーフィルムの構造
化プロセス。 - 【請求項１４】コンテナ内のポリマーフィルムの回りに
ヒータが配置されることによって、ポリマーフィルムが
実質的にヒータによって閉鎖された形になっており、該
ヒータは照射保護手段の機能を果たし、また、該ヒータ
がコンテナ内を加熱することによって該コンテナ内に極
めて均一な温度分布とポリマーフィルムの表面温度にも
極めて均一な温度分布があり、それによって均一なプラ
ズマ浸食が行われることを特徴とする請求項３記載のポ
リマーフィルムの構造化プロセス。 - 【請求項１５】コンテナ内に流れ込むガスがバッフルプ
レート上で混合され、このガス混合体がディストリビュ
ータプレートの開口部によって均一に吸い出され、その
結果、コンテナ内にはプラズマ状態の反応粒子が均一に
分布した極めて均一な流れが形成され、その結果、均一
なプラズマ浸食が発生することを特徴とする請求項３記
載のポリマーフィルムの構造化プロセス。 - 【請求項１６】ポリマーフィルムがローディングバスケ
ットに把持され、該ローディングバスケットをガス流の
中で回転させることによってプラズマ状態の反応粒子が
均一に分布し、その結果、均一なプラズマ浸食が発生す
ることを特徴とする請求項３記載のポリマーフィルムの
構造化プロセス。 - 【請求項１７】ポリマーフィルムをガス流に対して長手
方向になるようにローディングバスケットに固定するこ
とによって、ガス流に対する抵抗を最小限に抑え、反応
プラズマ粒子がポリマーフィルムの上を均一に流れ、そ
の結果、均一なプラズマ浸食が行われることを特徴とす
る請求項１５または１６記載のポリマーフィルムの構造
化プロセス。 - 【請求項１８】予備加熱状態からなる前処理段階で、非
浸食プラズマに点火することによって表面温度を限界温
度のすぐ下まで上昇させ、それによって、プラズマ浸食
の初期に高い均一性で浸食を行い、浸食時間を短縮する
ことを特徴とする請求項３記載のポリマーフィルムの構
造化プロセス。 - 【請求項１９】表面温度とその分布を高温計で測定し、
そのデータを信号積算器でデジタル化してメディアに記
録し、表面温度と分布を時間パターン、継続性及び上限
温度からの相対的距離についてアルゴリズムとコンピュ
ータによって制御することによって、表面温度の望まし
いと実際の値との差を温度調節器によって制御すること
が可能となることを特徴とする請求項３記載のポリマー
フィルムの構造化プロセス。 - 【請求項２０】表面温度が限界温度より高くなると温度
調節器が働いてマイクロ波発信機を制御して出力を抑
え、それにより、プラズマ密度が低下し、表面温度が限
界温度より下に下がることを特徴とする請求項１９記載
のポリマーフィルムの構造化プロセス。 - 【請求項２１】表面温度が限界温度と比べて低過ぎると
きは、温度調節器がマイクロ波発信機を制御してその出
力を上げ、それによりプラズマ密度が上昇し、表面温度
が限界温度のすぐ下まで上昇することを特徴とする請求
項１９記載のポリマーフィルムの構造化プロセス。 - 【請求項２２】請求項１から請求項２０のいずれかに記
載のプロセスによって構造化されるマイクロシェイプ付
きのポリマーフィルム構造物であって、プリント回路基
板またはフィルム回路基板に使用されることを特徴とす
るポリマーフィルム構造物。
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Cited By (2)
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|---|---|---|---|---|
| KR980010674A (ko) * | 1996-07-23 | 1998-04-30 | 띠에리 쉬에르 | 고체 기판의 표면을 처리하는 시스템 동작에 관한 제어 방법 및 장치 |
| KR980010673A (ko) * | 1996-07-23 | 1998-04-30 | 띠에리 쉬에르 | 표면 처리 시스템 동작에 관한 제어 방법 및 장치 |
Families Citing this family (10)
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|---|---|---|---|---|
| US6869664B2 (en) * | 2000-12-12 | 2005-03-22 | Thermalworks, Inc. | Lightweight circuit board with conductive constraining cores |
| US20040258885A1 (en) * | 2002-09-05 | 2004-12-23 | Kreutter Nathan P. | Etched dielectric film in microfluidic devices |
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| US20060104035A1 (en) * | 2004-08-24 | 2006-05-18 | Vasoya Kalu K | Edge plated printed wiring boards |
| US7301105B2 (en) * | 2004-08-27 | 2007-11-27 | Stablcor, Inc. | Printed wiring boards possessing regions with different coefficients of thermal expansion |
| KR20070112274A (ko) * | 2005-03-15 | 2007-11-22 | 씨-코어 테크놀로지즈, 인코포레이티드 | 인쇄배선기판 내에 억제 코어 재료를 구성하는 방법 |
| USRE45637E1 (en) | 2005-08-29 | 2015-07-28 | Stablcor Technology, Inc. | Processes for manufacturing printed wiring boards |
| CN101507058B (zh) | 2006-07-14 | 2013-05-01 | 斯塔布科尔技术公司 | 具有构成电路一部分的核心层的增层印刷线路板衬底 |
| US9332632B2 (en) | 2014-08-20 | 2016-05-03 | Stablcor Technology, Inc. | Graphene-based thermal management cores and systems and methods for constructing printed wiring boards |
| CN114286791B (zh) * | 2019-08-24 | 2023-12-01 | 洛希亚有限公司 | 用于袋成形的方法和设备 |
Family Cites Families (14)
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|---|---|---|---|---|
| US4209356A (en) * | 1978-10-18 | 1980-06-24 | General Electric Company | Selective etching of polymeric materials embodying silicones via reactor plasmas |
| JPS5925227A (ja) * | 1982-08-02 | 1984-02-09 | Hitachi Ltd | プラズマエツチング装置 |
| AU544534B2 (en) * | 1983-06-14 | 1985-06-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Plasma coating |
| US4445966A (en) * | 1983-06-20 | 1984-05-01 | Honeywell Inc. | Method of plasma etching of films containing chromium |
| WO1985004121A1 (fr) * | 1984-03-12 | 1985-09-26 | Commissariat A L'energie Atomique | Traitement de surface d'une piece et utilisation de ce traitement pour ameliorer l'adherence d'un revetement depose ensuite sur la piece, notamment par projection a chaud |
| JPS61268730A (ja) * | 1985-05-22 | 1986-11-28 | Mazda Motor Corp | プラズマ処理装置 |
| JPS6250335A (ja) * | 1985-08-29 | 1987-03-05 | Toyoda Gosei Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6289736A (ja) * | 1985-10-15 | 1987-04-24 | Daihatsu Motor Co Ltd | プラズマ処理装置 |
| JPS6399243A (ja) * | 1986-10-15 | 1988-04-30 | Mazda Motor Corp | プラズマ処理装置 |
| US5215619A (en) * | 1986-12-19 | 1993-06-01 | Applied Materials, Inc. | Magnetic field-enhanced plasma etch reactor |
| KR970003885B1 (ko) * | 1987-12-25 | 1997-03-22 | 도오교오 에레구토론 가부시끼 가이샤 | 에칭 방법 및 그 장치 |
| US4971651A (en) * | 1990-02-05 | 1990-11-20 | Hitachi, Ltd. | Microwave plasma processing method and apparatus |
| DE4232998A1 (de) * | 1992-10-01 | 1994-04-07 | Basf Ag | Verfahren zur Oberflächenbehandlung von Kunststoffteilen |
| US5372673A (en) * | 1993-01-25 | 1994-12-13 | Motorola, Inc. | Method for processing a layer of material while using insitu monitoring and control |
-
1994
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-
1997
- 1997-08-18 US US08/912,537 patent/US5746929A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR980010674A (ko) * | 1996-07-23 | 1998-04-30 | 띠에리 쉬에르 | 고체 기판의 표면을 처리하는 시스템 동작에 관한 제어 방법 및 장치 |
| KR980010673A (ko) * | 1996-07-23 | 1998-04-30 | 띠에리 쉬에르 | 표면 처리 시스템 동작에 관한 제어 방법 및 장치 |
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