JPH08328485A - Image display device manufacturing method and image display device manufactured by the method - Google Patents

Image display device manufacturing method and image display device manufactured by the method

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JPH08328485A
JPH08328485A JP13050495A JP13050495A JPH08328485A JP H08328485 A JPH08328485 A JP H08328485A JP 13050495 A JP13050495 A JP 13050495A JP 13050495 A JP13050495 A JP 13050495A JP H08328485 A JPH08328485 A JP H08328485A
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JP
Japan
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display device
image display
small substrates
substrates
small
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Application number
JP13050495A
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Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Yanagisawa
芳浩 柳沢
Tetsuya Kaneko
哲也 金子
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Publication of JPH08328485A publication Critical patent/JPH08328485A/en
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Abstract

PURPOSE: To obtain a large screen in which image quality is not degraded in combined boundary parts by forming element forming ingredients while providing margin parts on respective plural small substrates to be combined and thereafter be combining small substrates after removing margin parts by cuttings to make combined parts of small substrates not become edge parts of small substrates at the time of forming element forming ingredients. CONSTITUTION: In an image display device manufacturing method in which element forming ingredients are formed on plural small substrates 1a to 1d and the rear plate of an image display device is formed by combining respective small substrates 1a to 1d, element forming ingredients are formed by making marging parts 201 on respective substrates 1a to 1d. Then, the margin parts 201 are removed by cuttings and small substrate 1a to 1d are mated each other by smoothing cut surface formed by cuttings and fixing substrates common to all small substrates 1a to 1d are stuck to element forming ingredient forming surfaces of respective small substrates 1a to 1d and the surfaces opposite to the surfaces. Moreover, the surface roughnesses of mated surfaces of small substrates 1a to 1d are made to be <=10μm.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、複数の小基板から構成
される画像形成素子基板を有する画像形成装置及びその
製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an image forming apparatus having an image forming element substrate composed of a plurality of small substrates and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、平面型表示装置を実現する技
術としては、単純マトリックス表示装置(LED)、薄
膜トランジスタ液晶表示装置(TFT/LCD)、プラ
ズマディスプレイ(PDP)、低速電子線蛍光表示管
(VFD)及びマルチ電子源フラットCRT等がある。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a technique for realizing a flat display device, a simple matrix display device (LED), a thin film transistor liquid crystal display device (TFT / LCD), a plasma display (PDP), a low speed electron beam fluorescent display tube ( VFD) and multi-electron source flat CRT.

【0003】以下に、上述した表示技術の一例としてP
DP面放電型表示装置について説明する。
Below, as an example of the above-mentioned display technology, P
The DP surface discharge display device will be described.

【0004】PDPは、前面ガラスと背面ガラスと隔壁
により密封された空間に、ネオンを主成分とするガスが
適量封入され、封入されたガスに対してアノード及びカ
ソード両電極間により電圧が印加され、その際に発生す
るネオン発光をディスプレイに応用したものである。
In the PDP, a gas mainly containing neon is enclosed in a space hermetically sealed by a front glass, a rear glass and a partition, and a voltage is applied between the anode and the cathode electrodes with respect to the enclosed gas. The neon emission generated at that time is applied to a display.

【0005】近年、上述したPDPの大画面化が試みら
れている。そこで、大型基板を対象とした設備を必要と
しなくても大画面化に対応することができる基板製造方
法として、ガス封入空間を形成する対向した一対のガラ
ス基板のうち一方について小基板を複数組み合せること
で基板を製造する方法が提案されている。
Recently, attempts have been made to increase the screen size of the PDP. Therefore, as a substrate manufacturing method that can cope with large screens without the need for equipment for large substrates, combine a plurality of small substrates for one of a pair of facing glass substrates forming a gas filled space. There has been proposed a method of manufacturing a substrate by such a method.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、小基板
における素子作成のためのプロセスとして例えばフォト
リソグラフィー法を用いた場合、レジストが基板端部で
は基板中央部に比べて盛り上がってしまうため、基板端
部における素子の形成は困難であった。
However, when, for example, a photolithography method is used as a process for forming an element on a small substrate, the resist is swelled at the substrate end portion compared to the substrate center portion, and thus the substrate end portion is formed. It was difficult to form the device in.

【0007】また、別のプロセスとしてスクリーン印刷
法を用いた場合、基板端部に、印刷されたパターンが存
在すると、インクが基板エッジを伝わって、それにより
にじみが発生してしまう虞れがあり、良好な印刷を行う
ことが困難であった。
Further, when the screen printing method is used as another process, if a printed pattern exists at the edge of the substrate, the ink may travel along the edge of the substrate, causing bleeding. However, it was difficult to perform good printing.

【0008】そのため、上述したような画像形成素子作
成プロセスを用いて作成された小基板を、大画面化に対
応するために組み合せる場合、組み合せた境界部で画素
を連続配置するのは難しく、画像品位が低下してしまう
という問題点がある。
Therefore, when a small substrate formed by using the above-described image forming element forming process is combined to cope with a large screen, it is difficult to arrange pixels continuously at the combined boundary portion. There is a problem that the image quality is degraded.

【0009】本発明は、上述したような従来の技術が有
する問題点に鑑みて鋭意研究を行った結果を開示するも
のであり、画像品位を低下させることなく小基板を組み
合せて大画面化を実現することができる画像表示装置の
製造方法及びそれを用いて製造された画像表示装置を提
供することを目的とする。
The present invention discloses the results of earnest research in view of the problems of the above-mentioned conventional techniques, and it is possible to increase the screen size by combining small substrates without degrading image quality. An object of the present invention is to provide an image display device manufacturing method that can be realized and an image display device manufactured by using the same.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、複数の小基板上に素子形成要素を形成し、
前記各小基板を組み合せることにより画像表示装置のリ
アプレートを形成する画像表示装置の製造方法におい
て、前記リアプレートは、前記各小基板上に余白部を持
たせて前記素子形成要素を形成する工程と、前記余白部
を切断により除去する工程と、前記切断により形成され
た切断面をスムージングする工程と、前記各小基板の切
断面どうしを合わせ、前記各小基板の素子形成要素形成
面と反対の面に全ての小基板に共通の固定基板を接着す
る工程と、を順次行うことで形成することを特徴とす
る。
In order to achieve the above-mentioned object, the present invention provides element formation elements on a plurality of small substrates,
In the method of manufacturing an image display device, wherein a rear plate of an image display device is formed by combining the small substrates, the rear plate has a margin portion on each of the small substrates to form the element forming element. A step, a step of removing the blank portion by cutting, a step of smoothing a cutting surface formed by the cutting, a cutting surface of each of the small substrates are combined, and an element forming element forming surface of each of the small substrates. It is characterized in that it is formed by sequentially performing a step of adhering a common fixed substrate to all the small substrates on the opposite surface.

【0011】また、前記スムージング工程にて、前記各
小基板どうしを合わせる面の表面粗さを10μm以下に
したことを特徴とする。
Further, in the smoothing step, the surface roughness of the surface where the small substrates are brought into contact with each other is set to 10 μm or less.

【0012】また、前記スムージングの方法は、機械的
研摩方法であることを特徴とする。また、前記スムージ
ングの方法は、化学的研摩方法であることを特徴とす
る。また、前記素子は、表面伝導型電子放出素子である
ことを特徴とする。
Further, the smoothing method is a mechanical polishing method. Further, the smoothing method is a chemical polishing method. The device is a surface conduction electron-emitting device.

【0013】また、前記小基板の数は、4枚であること
を特徴とする。
The number of the small substrates is four.

【0014】[0014]

【作用】上記のように構成された本発明では、組み合せ
られる複数の小基板のそれぞれに余白部が設けられて素
子形成要素が形成され、その後、余白部が切断により除
去されることにより、小基板の組み合せ境界部が素子形
成要素の形成時における小基板の端部になることはな
く、組み合せ境界部において画像品位が低下することは
ない。また、切断により形成された切断面に対してスム
ージングが行われることにより、小基板の組み合せ時に
おいて画像形成素子の欠陥発生の原因となる切断による
ガラスの小片が発生することはない。
In the present invention configured as described above, a plurality of small substrates to be combined are each provided with a blank space to form an element forming element, and thereafter, the blank space is removed by cutting, whereby The combination boundary portion of the substrates does not become an end portion of the small substrate at the time of forming the element forming element, and the image quality does not deteriorate at the combination boundary portion. In addition, since the cut surface formed by cutting is smoothed, small pieces of glass due to cutting that cause defects in the image forming element are not generated when the small substrates are combined.

【0015】[0015]

【実施例】本発明においては、あらかじめ余白部を持た
せた複数の小基板上に素子形成要素を形成した後、該複
数の小基板の余白部を除去することで小基板上の端部と
なる位置にも素子形成要素を形成することを可能とし、
また、素子形成要素が形成された基板の端部どうしを合
わせることで、小基板の組み合せ境界部にも素子形成要
素を持たせることを可能としている。
Embodiments In the present invention, after the element forming elements are formed on a plurality of small substrates having margins in advance, the margins of the plurality of small substrates are removed to form end portions on the small substrates. It is possible to form an element forming element at
Further, by aligning the ends of the substrates on which the element forming elements are formed, it is possible to provide the element forming elements also on the combined boundary portion of the small substrates.

【0016】上述した方法を用いると、小基板の余白部
を除去する際に以下に述べる問題が生じる。
When the above-mentioned method is used, the following problems occur when removing the blank portion of the small substrate.

【0017】スクライブ溝を設けてスクライブ溝に沿っ
て小基板を割る方法や、ダイシング等の方法を用いて余
白部を除去した場合、切断辺に数十μmの大きさのガラ
スの小片が残ってしまい、小基板の切断面どうしを突き
合わせた際、切断辺に残っていたガラスの小片がとれて
画像形成素子に付着してしまう虞れがあり、その場合、
ガラスの小片が素子を遮蔽し、画像形成素子の欠陥の原
因となってしまう。本発明は、小基板の切断面どうしを
突き合わせる前に切断面をスムージングして切断辺にガ
ラスの小片が残ること防ぐことに特徴がある。
When the scribe groove is provided and the small substrate is split along the scribe groove, or when the margin is removed by a method such as dicing, a small piece of glass with a size of several tens of μm remains on the cut side. However, when the cut surfaces of the small substrates are butted against each other, there is a risk that the small pieces of glass remaining on the cut side may be removed and adhered to the image forming element.
Small pieces of glass shield the element and cause defects in the imaging element. The present invention is characterized in that the cut surfaces are smoothed before the cut surfaces of the small substrates are butted against each other to prevent small pieces of glass from remaining on the cut sides.

【0018】すなわち、切断面の表面粗さを10μm以
下に加工することでガラスの小片が切断辺に残ることを
防いだ。これにより、ガラス小片の素子の遮蔽による素
子欠陥を防ぐことができた。
That is, by processing the surface roughness of the cut surface to 10 μm or less, it is possible to prevent the small pieces of glass from remaining on the cut side. Thereby, the element defect due to the shielding of the element of the glass piece could be prevented.

【0019】一般に、小基板の余白部を切断する方法と
しては、ダイヤモンドソー等でガラス表面にスクライブ
溝となる傷を付けた後に基板を割る方法、ダイシングソ
ーを用いて基板を切断する方法等の公知の方法の適用が
可能であるが、本発明のスムージングの手段は、これら
の何れの切断方法に対しても好適に適用が可能である。
Generally, as a method of cutting a blank portion of a small substrate, a method of breaking the substrate after scratching a glass surface with scribe grooves to form a scribe groove, a method of cutting the substrate using a dicing saw, or the like is used. Although a known method can be applied, the smoothing means of the present invention can be suitably applied to any of these cutting methods.

【0020】スムージングのための手段は、砥粒と研摩
機を用いる機械的研摩方法、化学的な侵食を利用する化
学的研摩方法が知られている。
As means for smoothing, a mechanical polishing method using abrasive grains and a polishing machine, and a chemical polishing method utilizing chemical erosion are known.

【0021】機械的研摩方法において用いられる砥粒
は、炭化ケイ素、溶解アルミナ、金剛砂、炭化ホウ素及
びガーネットダイヤモンド等の材料の中から粒径、硬度
の適当な材料が選択され、選択された砥粒が粉の状態あ
るいは適当な液体に懸濁されたり(遊離砥粒)、適当な
結合剤で固定されたり(固定砥粒)して用いられる。そ
して研摩機を用いて、研摩の基準点となるラップ盤上に
砥粒が供給されながらラップ盤が面内方向に回転運動、
振動運動して被加工面が加工される。この際のラップ盤
としては鋳鉄板、砲金板、硬質ガラスなどがあり、仕上
り面精度等により選択される。
Abrasive grains used in the mechanical polishing method are selected from materials such as silicon carbide, fused alumina, hard sand, boron carbide, garnet diamond, etc. having an appropriate grain size and hardness. Is used in the form of powder or suspended in an appropriate liquid (free abrasive grains) or fixed with an appropriate binder (fixed abrasive grains). Then, using a polishing machine, the lapping machine rotates in the in-plane direction while the abrasive grains are supplied onto the lapping machine, which is the reference point for polishing.
The work surface is machined by vibrating. As the lapping machine at this time, there are a cast iron plate, a gun metal plate, a hard glass, etc., and they are selected depending on the finished surface accuracy and the like.

【0022】化学的研摩方法は、ガラス面を化学的に侵
食する方法であり、主としてフッ酸をベースとした混酸
が用いられる。
The chemical polishing method is a method of chemically eroding the glass surface, and a mixed acid mainly containing hydrofluoric acid is used.

【0023】以下に、画像表示素子に用いられる表面伝
導型電子放出素子について図面を参照して説明する。
The surface conduction electron-emitting device used in the image display device will be described below with reference to the drawings.

【0024】図6は、表面伝導型電子放出素子の基本的
な構成を示す図であり、(a)は上面図、(b)は側面
図である。
6A and 6B are views showing the basic structure of the surface conduction electron-emitting device, wherein FIG. 6A is a top view and FIG. 6B is a side view.

【0025】表面伝導型電子放出素子は図6に示すよう
に、絶縁層からなる基板41上に金属膜よりなる素子電
極42及び43が合い対向して所定の間隔を有して配設
されており、素子電極42及び43に渡って微粒子から
なる薄膜44が配置され、さらに薄膜44内には導電性
微粒子からなる電子放出部45が設けられている。
As shown in FIG. 6, the surface conduction electron-emitting device has a structure in which device electrodes 42 and 43 made of a metal film face each other on a substrate 41 made of an insulating layer and face each other with a predetermined interval. A thin film 44 made of fine particles is arranged across the device electrodes 42 and 43, and an electron emitting portion 45 made of conductive fine particles is provided in the thin film 44.

【0026】なお、ここで述べる微粒子とは、複数の微
粒子が互いに隣接、あるいは重なり合った状態(島状も
含む)の膜を指す。
The fine particles described herein refer to a film in which a plurality of fine particles are adjacent to each other or overlap each other (including an island shape).

【0027】また、予め導電性微粒子を分解して構成し
た表面伝導型電子放出素子においては、基本的な製造方
法のうち一部を変更しても構成することができる。以下
に示す実施例においては画像形成素子として上述した表
面伝導型電子放出素子を最適な構成にして用いている。
Further, the surface conduction electron-emitting device, which is constructed by previously disassembling the conductive fine particles, can be constructed by partially changing the basic manufacturing method. In the embodiments described below, the surface conduction electron-emitting device described above is used as an optimum image forming device.

【0028】以下に、本発明の画像表示装置の製造方法
について実施例を用いて説明する。 (第1の実施例)図1は、本発明における素子形成要素
基体の構造の一実施例を示す全体図である。
The method for manufacturing the image display device of the present invention will be described below with reference to examples. (First Embodiment) FIG. 1 is an overall view showing an embodiment of the structure of an element forming element base according to the present invention.

【0029】本実施例は図1に示すように、素子形成要
素基体1aとなる小基板のガラス板(400mm×40
0mm)の2辺に渡って設けられた余白部201と、上
配線10と、下配線9とから主に構成されている。
In this embodiment, as shown in FIG. 1, a small glass plate (400 mm × 40 mm) which becomes the element forming element base 1a.
(0 mm), the margin portion 201 provided over two sides, the upper wiring 10, and the lower wiring 9 are mainly configured.

【0030】図2は、図1に示した素子形成要素基体1
a内の画像形成素子近傍の拡大図である。
FIG. 2 shows the element forming element substrate 1 shown in FIG.
It is an enlarged view of the vicinity of the image forming element in a.

【0031】素子形成要素基体1aを洗浄した後、図2
に示すように、厚さ5μmのAlからなる下配線9、厚
さ10μmのガラス材からなる絶縁層30、厚さ20μ
mのAlからなる上配線10及び上電極31、PdO素
子微粒子からなる薄膜23をそれぞれ順に薄膜・フォト
リソグラフィー・エッチング法を用いて画像形成素子を
形成した。
After cleaning the element forming element substrate 1a, FIG.
As shown in, the lower wiring 9 made of Al having a thickness of 5 μm, the insulating layer 30 made of a glass material having a thickness of 10 μm, and the thickness of 20 μm
The upper wiring 10 and the upper electrode 31 made of Al of m and the thin film 23 made of PdO element fine particles were sequentially formed into an image forming element by a thin film photolithography etching method.

【0032】図3は、大画面化において組み合わさせる
小基板の余白部の位置を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing the positions of the margins of the small boards to be combined when the screen is enlarged.

【0033】素子形成要素基体1b〜1dについても上
述した方法と同様の方法により画像形成素子を作成し
た。なお、各素子形成要素基体の余白部分201は、基
体内において図3に示す位置に配置されている。
With respect to the element forming element substrates 1b to 1d, image forming elements were prepared by the same method as described above. The blank space 201 of each element forming element base is arranged at the position shown in FIG. 3 in the base.

【0034】次に、各素子形成要素基体1a〜1dから
余白部201を切り取った。
Next, the blank portion 201 was cut out from each of the element forming element substrates 1a to 1d.

【0035】余白部201の切断に当たり、素子保護の
ため素子形成面側にレジストを7μmの厚さで形成し
た。その後、公知のダイシングにより余白部201の切
断を行った。この際、ブレードとしてレジンボンドを#
1000を使用して、送り速度5mm/minの条件で
行った。この後、切断面を光学的顕微鏡で観察したとこ
ろ20〜30μmのガラスの小片が残っていた。
Upon cutting the blank portion 201, a resist having a thickness of 7 μm was formed on the element formation surface side to protect the element. Then, the blank portion 201 was cut by known dicing. At this time, use resin bond as the blade #
1000 was used, and the feed rate was 5 mm / min. After that, when the cut surface was observed with an optical microscope, small pieces of glass of 20 to 30 μm remained.

【0036】余白部201を切断した後、切断面のスム
ージングを行った。
After cutting the margin 201, the cut surface was smoothed.

【0037】図4は、本発明における素子形成要素基体
のスムージング方法を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a smoothing method for the element forming element substrate in the present invention.

【0038】図4に示すように、素子形成要素基体1a
を基体固定手段(不図示)により固定した後、切断面を
ラップ盤101に接触させた。
As shown in FIG. 4, the element forming element substrate 1a
After being fixed by a base fixing means (not shown), the cut surface was brought into contact with the lapping machine 101.

【0039】次に、ラップ盤101上に砥粒として溶解
アルミナを供給しながらラップ盤101を面内方向に振
動させた。この際、砥粒として#400、#1500を
順次使用した。
Next, the lapping machine 101 was vibrated in the in-plane direction while supplying molten alumina as abrasive grains onto the lapping machine 101. At this time, # 400 and # 1500 were sequentially used as abrasive grains.

【0040】その後、この工程を、素子形成要素基体1
aの他の切断面についても同様に行った。
Thereafter, this step is performed by the element forming element base 1
The same was done for the other cut surfaces of a.

【0041】スムージングが終了した後、素子形成要素
基体1aからレジストを除去した。上述した一連の工程
により、素子形成要素基体の端部である切断辺近傍に良
好な電子放出素子を形成することができた。
After the smoothing was completed, the resist was removed from the element forming element substrate 1a. By the series of steps described above, a good electron-emitting device could be formed in the vicinity of the cut side that is the end of the device forming element substrate.

【0042】図5は、本発明の画像表示装置の一実施例
を示す図であり、(a)は側面図、(b)は上面図であ
る。
5A and 5B are views showing an embodiment of the image display device of the present invention. FIG. 5A is a side view and FIG. 5B is a top view.

【0043】上述した工程を行った後、図5に示すよう
に、素子形成要素基体1a〜1dをそれぞれの切断面を
合わせるような配置で支持基体11上に接着剤12を用
いて固定した。この際、画像形成素子3の上方に、画像
形成素子側に発光体2である蛍光体が形成されたフェー
スプレート8を枠部材6を介して配置し、フェースプレ
ート8、枠部材6、素子形成要素基体1a〜1dの接合
部にそれぞれフリットガラスを塗布し、封着した。ま
た、素子形成要素基体1a〜1dのそれぞれには駆動処
理回路5a〜5dが設けられている。
After carrying out the above-mentioned steps, as shown in FIG. 5, the element forming element bases 1a to 1d were fixed on the supporting base 11 with the adhesive 12 in such a manner that their cut surfaces were aligned. At this time, the face plate 8 on which the phosphor, which is the light emitting body 2, is formed on the image forming element side is disposed above the image forming element 3 via the frame member 6, and the face plate 8, the frame member 6, and the element forming element are formed. Frit glass was applied to each of the joints of the element bases 1a to 1d and sealed. Further, drive processing circuits 5a to 5d are provided on the element forming element bases 1a to 1d, respectively.

【0044】上述した工程において作成した画像表示装
置を用いて画像の表示の確認を行ったところ良好な表示
が確認された。
When the display of the image was confirmed using the image display device prepared in the above-mentioned process, good display was confirmed.

【0045】(第2の実施例)第1の実施例において
は、素子形成要素基体のスムージング方法として機械的
研摩方法を用いたが、第2の実施例では、化学的研摩方
法を用いた場合について述べる。
(Second Embodiment) In the first embodiment, the mechanical polishing method is used as the smoothing method for the element forming element substrate, but in the second embodiment, the chemical polishing method is used. I will describe.

【0046】素子保護のため素子形成要素基体の素子形
成面側にレジストを7μmの厚さで形成し、第1の実施
例と同様に余白部を切り取った。この後、化学的研摩方
法により素子形成要素基体の切断面のスムージングを行
った。
A resist having a thickness of 7 μm was formed on the element forming surface side of the element forming element base for protecting the element, and the margin portion was cut out as in the first embodiment. After that, the cut surface of the element-forming element substrate was smoothed by a chemical polishing method.

【0047】この際、研摩液としては、 フッ酸水素酸 20% 硫酸 3% 酢酸 0.5% ドデシルベンゼンスルフォン酸ソーダ 0.2% を使用した。At this time, as the polishing liquid, hydrofluoric acid 20%, sulfuric acid 3%, acetic acid 0.5%, sodium dodecylbenzene sulfonate 0.2% was used.

【0048】スムージングが終了した後、溶剤を用いて
素子形成要素基体からレジストを除去した。
After smoothing was completed, the resist was removed from the element-forming element substrate using a solvent.

【0049】上述した工程において作成した画像表示装
置を用いて画像の表示の確認を行ったところ良好な表示
が確認された。
When the display of the image was confirmed using the image display device produced in the above-mentioned process, good display was confirmed.

【0050】[0050]

【発明の効果】以上説明したように本発明は、画像表示
装置のリアプレートを製造する際、組み合せられる複数
の小基板のそれぞれに余白部を設けると共に素子形成要
素を形成し、その後、余白部を切断により除去したうえ
で組み合せたことにより、小基板の組み合せ境界部が素
子形成素子の形成時における小基板の端部になることは
なく、組み合せ境界部において画像品位が劣化すること
のない大画面の画像形成装置を提供することができる。
As described above, according to the present invention, when the rear plate of the image display device is manufactured, the plurality of small substrates to be combined are provided with the blank portions and the element forming elements, and then the blank portions are formed. By combining after removing by cutting, the combination boundary part of the small substrate does not become the end part of the small substrate when the element forming element is formed, and the image quality does not deteriorate at the combination boundary part. An image forming apparatus for a screen can be provided.

【0051】また、切断により形成された切断面に対し
てスムージングを行ったため、小基板の組み合せ時にお
いて切断によるガラスの小片の発生を防ぐことができ、
発生したガラスの小片がとれて画像形成素子に付着する
ことによる画像形成素子の欠陥の発生を防止することが
できる。
Further, since the cut surface formed by cutting is smoothed, it is possible to prevent the generation of small pieces of glass due to cutting when combining small substrates.
It is possible to prevent the occurrence of defects in the image forming element due to the generated small pieces of glass being removed and adhering to the image forming element.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明における素子形成要素基体の構造の一実
施例を示す全体図である。
FIG. 1 is an overall view showing an example of a structure of an element forming element base according to the present invention.

【図2】図1に示した素子形成要素基体内の画像形成素
子近傍の拡大図である。
FIG. 2 is an enlarged view of the vicinity of an image forming element in the element forming element substrate shown in FIG.

【図3】大画面化において組み合わさせる小基板の余白
部の位置を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a position of a blank portion of a small substrate to be combined in a large screen.

【図4】本発明における素子形成要素基体のスムージン
グ方法を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing a smoothing method of the element forming element base according to the present invention.

【図5】本発明の画像表示装置の一実施例を示す図であ
り、(a)は側面図、(b)は上面図である。
5A and 5B are diagrams showing an embodiment of the image display device of the present invention, in which FIG. 5A is a side view and FIG. 5B is a top view.

【図6】表面伝導型電子放出素子の基本的な構成を示す
図であり、(a)は上面図、(b)は側面図である。
6A and 6B are diagrams showing a basic configuration of a surface conduction electron-emitting device, in which FIG. 6A is a top view and FIG. 6B is a side view.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1a〜1d 素子形成要素基体 2 発光体 3 画像形成素子 4 基体接続部 5a〜5d 駆動駆動処理回路 6 枠部材 7 枠部材接続部 8 フェースプレート 9 下配線 10 上配線 11 支持基体 12 接着剤 23 薄膜 30 絶縁層 31 上電極 41 基板 42,43 素子電極 44 薄膜 45 電子放出部 101 ラップ盤 201 余白部 1a to 1d Element forming element base 2 Light emitter 3 Image forming element 4 Base connecting part 5a to 5d Drive drive processing circuit 6 Frame member 7 Frame member connecting part 8 Face plate 9 Lower wiring 10 Upper wiring 11 Supporting substrate 12 Adhesive 23 Thin film 30 Insulating Layer 31 Upper Electrode 41 Substrate 42, 43 Element Electrode 44 Thin Film 45 Electron Emitting Section 101 Lapping Machine 201 Blank Area

Claims (7)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の小基板上に素子形成要素を形成
し、前記各小基板を組み合せることにより画像表示装置
のリアプレートを形成する画像表示装置の製造方法にお
いて、 前記リアプレートは、 前記各小基板上に余白部を持たせて前記素子形成要素を
形成する工程と、 前記余白部を切断により除去する工程と、 前記切断により形成された切断面をスムージングする工
程と、 前記各小基板の切断面どうしを合わせ、前記各小基板の
素子形成要素形成面と反対の面に全ての小基板に共通の
固定基板を接着する工程と、を順次行うことで形成する
ことを特徴とする画像表示装置の製造方法。
1. A method of manufacturing an image display device, comprising forming element forming elements on a plurality of small substrates and combining the small substrates to form a rear plate of the image display device, wherein the rear plate comprises: A step of forming the element forming element by providing a blank portion on each small substrate; a step of removing the blank portion by cutting; a step of smoothing a cut surface formed by the cutting; And a step of adhering a fixed substrate common to all the small substrates to the surface opposite to the element forming element formation surface of each of the small substrates, and forming the image by sequentially performing Manufacturing method of display device.
【請求項2】 請求項1に記載の画像表示装置の製造方
法において、 前記スムージング工程にて、前記各小基板どうしを合わ
せる面の表面粗さを10μm以下にしたことを特徴とす
る画像表示装置の製造方法。
2. The image display device manufacturing method according to claim 1, wherein in the smoothing step, the surface roughness of the surface where the small substrates are brought into contact with each other is 10 μm or less. Manufacturing method.
【請求項3】 請求項1に記載の画像表示装置の製造方
法において、 前記スムージングの方法は、機械的研摩方法であること
を特徴とする画像表示装置の製造方法。
3. The method of manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the smoothing method is a mechanical polishing method.
【請求項4】 請求項1に記載の画像表示装置の製造方
法において、 前記スムージングの方法は、化学的研摩方法であること
を特徴とする画像表示装置の製造方法。
4. The method of manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the smoothing method is a chemical polishing method.
【請求項5】 請求項1に記載の画像表示装置の製造方
法において、 前記素子は、表面伝導型電子放出素子であることを特徴
とする画像表示装置の製造方法。
5. The method of manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the element is a surface conduction electron-emitting device.
【請求項6】 請求項1に記載の画像表示装置の製造方
法において、 前記小基板の数は、4枚であることを特徴とする画像表
示装置の製造方法。
6. The method of manufacturing an image display device according to claim 1, wherein the number of the small substrates is four.
【請求項7】 請求項1乃至6のいずれか1項に記載の
画像表示装置の製造方法を用いて製造された画像表示装
置。
7. An image display device manufactured by using the method for manufacturing an image display device according to claim 1. Description:
JP13050495A 1995-05-29 1995-05-29 Image display device manufacturing method and image display device manufactured by the method Pending JPH08328485A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100325857B1 (en) * 1999-06-30 2002-03-07 김순택 Energy recovery efficiency improved Plasma Display Panel and Driving Method thereof
US7182877B2 (en) 2002-12-10 2007-02-27 Seiko Epson Corporation Method for manufacturing electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100325857B1 (en) * 1999-06-30 2002-03-07 김순택 Energy recovery efficiency improved Plasma Display Panel and Driving Method thereof
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