JPH0832588A - Multiplexer circuit - Google Patents

Multiplexer circuit

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JPH0832588A
JPH0832588A JP16183894A JP16183894A JPH0832588A JP H0832588 A JPH0832588 A JP H0832588A JP 16183894 A JP16183894 A JP 16183894A JP 16183894 A JP16183894 A JP 16183894A JP H0832588 A JPH0832588 A JP H0832588A
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JP
Japan
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cell
data
signal
memory
read
Prior art date
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Pending
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JP16183894A
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Japanese (ja)
Inventor
Ayaki Shiyouji
彩樹 庄子
Satoshi Karasawa
智 柄沢
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Oki Electric Industry Co Ltd
Original Assignee
Oki Electric Industry Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE:To reduce the memory capacity of the entire multiplexer circuit. CONSTITUTION:With respect to a multiplexer circuit outputting input signals comprising n sets of input series with multiplexing for each information accommodation unit whose length is m, n-sets of data memories 131 to 134 storing the input signals of each input series are provided and k-th data memory (k is 1 to n) has a capacity of (1+k/n)Xm. Furthermore, the multiplexer is provided with n write address generating means 142 to 145 generating a write address signal for the capacity of corresponding data memory at all times, with n read address generating means 114 to 117 and 139 to 141 generating a read address signal by a capacity of the corresponding memory at a speed being a multiple of n of the write address signal and in which each generating period is a period decided to itself among n divisions of one period of the information accommodation unit equally divided and also with selection means 130, 140 selecting a signal read from each data memory synchronously with the read operation.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明はデータ信号の多重化回路
に関し、例えば、非同期転送モード網(以下、ATM網
と呼ぶ)における情報収容単位(以下、セルと呼ぶ)の
多重化回路に適用して好適なものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data signal multiplexing circuit, and is applied to, for example, a multiplexing circuit of an information accommodating unit (hereinafter referred to as a cell) in an asynchronous transfer mode network (hereinafter referred to as an ATM network). Is suitable.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、セルの多重化回路として図2に示
すものがあり、図3のタイムチャートに示すように動作
する。
2. Description of the Related Art Conventionally, there is a cell multiplexing circuit shown in FIG. 2, which operates as shown in the time chart of FIG.

【0003】なお、図2及び図3は、伝送容量がそれぞ
れ150Mb/sである4本の伝送路HW1〜HW4か
らのセルを、600Mb/sの容量の伝送路HW0に多
重する場合を示しており、また、1セルが16バイトで
構成されている場合を示している。
2 and 3 show a case where cells from four transmission lines HW1 to HW4 each having a transmission capacity of 150 Mb / s are multiplexed on a transmission line HW0 having a capacity of 600 Mb / s. In addition, the case where one cell is composed of 16 bytes is shown.

【0004】各伝送路HW1、…、HW4からのデータ
はそれぞれ、入力信号200〜203として対応するデ
ータメモリ221〜224に与えられて一旦格納された
後、これらデータメモリ221〜224から高速に読み
出されてセレクタ回路227に入力され、このセレクタ
回路227によって選択され、多重化されたセルに変換
されて出力伝送路HW0に送出される。
Data from the respective transmission lines HW1, ..., HW4 are respectively applied as input signals 200 to 203 to the corresponding data memories 221 to 224, temporarily stored therein, and then read from these data memories 221 to 224 at high speed. It is output, input to the selector circuit 227, selected by this selector circuit 227, converted into a multiplexed cell, and sent to the output transmission line HW0.

【0005】各データメモリ221、…、224はそれ
ぞれ、独立にアクセスできる2ポートを有するメモリで
あり、メモリ容量は2セル分(32バイト)のメモリ量
である。
Each of the data memories 221, ..., 224 is a memory having two ports that can be independently accessed, and the memory capacity is a memory amount of two cells (32 bytes).

【0006】これらデータメモリ221〜224には、
32進で動作する共通の書込みアドレスカウンタ220
から書込みアドレス信号204が与えられ、各データメ
モリ221、…、224は、図3に示すように、この書
込みアドレス信号204が指示するエリアに入力信号2
00、…、203を書込み。
These data memories 221 to 224 include
A common write address counter 220 that operates in a binary system
The write address signal 204 is given from the input memory 2 and each of the data memories 221, ..., 224 receives the input signal 2 in the area indicated by the write address signal 204, as shown in FIG.
Write 00, ..., 203.

【0007】一方、読出し側には、読出しアドレスカウ
ンタ225及びセレクタ回路227に加えて、1セル
(16バイト)の長さを数えるカウンタ228と、入力
伝送路HW1〜HW4の切替えを指示する値を作成する
カウンタ226とが組み合わせられて設けられている。
読出しアドレスカウンタ225及びカウンタ228は、
書込みアドレスカウンタ220より4倍速いクロック信
号で動作するようになされている。例えば、1セル(1
6バイト)の長さを数えるカウンタ228のキャリー信
号が入力伝送路HW1〜HW4の切替えを指示する値を
作成するカウンタ226にクロック信号として入力され
る。カウンタ226は、例えば8進カウンタ(3ビット
カウンタ)でなり下位2ビットがセレクタ回路227に
切り替え指令として与えられ、カウンタ226の最上位
ビット及びカウンタ228の4ビットの計5ビットが、
カウンタ226の値が変化する毎に読出しアドレスカウ
ンタ225にプリセットされる。
On the other hand, on the read side, in addition to the read address counter 225 and the selector circuit 227, a counter 228 for counting the length of one cell (16 bytes) and a value for instructing switching of the input transmission lines HW1 to HW4 are provided. The counter 226 to be created is provided in combination.
The read address counter 225 and the counter 228 are
It operates with a clock signal that is four times faster than the write address counter 220. For example, 1 cell (1
The carry signal of the counter 228 that counts the length of 6 bytes) is input as a clock signal to the counter 226 that creates a value instructing switching of the input transmission lines HW1 to HW4. The counter 226 is, for example, an octal counter (3-bit counter), and the lower 2 bits are given to the selector circuit 227 as a switching command, and the most significant bit of the counter 226 and the 4 bits of the counter 228, 5 bits in total,
Each time the value of the counter 226 changes, the read address counter 225 is preset.

【0008】すなわち、図3に示すように、読出しアド
レスカウンタ225からの読出しアドレス信号209
は、書込みアドレス信号204が「0」〜「15」で変
化している間に「16」〜「31」を4巡させ、書込み
アドレス信号204が「16」〜「31」で変化してい
る間に「0」〜「15」を4巡させる。
That is, as shown in FIG. 3, the read address signal 209 from the read address counter 225.
Makes four cycles of "16" to "31" while the write address signal 204 changes from "0" to "15", and the write address signal 204 changes from "16" to "31". Four cycles of "0" to "15" are made between them.

【0009】なお、図3においては、データメモリ22
1〜224に対する入力信号200〜203や出力信号
205〜208の各バイトをそのアドレスによって特定
している。言い換えると、図3は、書込みアドレス信号
204及び読出しアドレス信号209を表しているとい
うこともできる。この点は、後述する図4においても同
様である。
In FIG. 3, the data memory 22
Each byte of the input signals 200 to 203 and the output signals 205 to 208 with respect to 1 to 224 is specified by its address. In other words, it can be said that FIG. 3 shows the write address signal 204 and the read address signal 209. This point is the same in FIG. 4 described later.

【0010】これにより、各データメモリ221、…、
224からは同時に同一信号が4回ずつ読み出される
が、セレクタ回路227が、カウンタ226のカウント
値に基づいて、いずれか一つのデータメモリ221、
…、224からの信号を順次選択し、セレクタ回路22
7から出力伝送路HW0に送出された信号は、図3に示
すように、各入力伝送路HW1、…、HW4からのデー
タを多重したものとなっている。
As a result, each data memory 221, ...
Although the same signal is read from the 224 at the same time four times, the selector circuit 227 determines whether any one of the data memories 221 and 221 is based on the count value of the counter 226.
... The signals from 224 are sequentially selected, and the selector circuit 22
As shown in FIG. 3, the signal sent from the output transmission line HW0 to the output transmission line HW0 is obtained by multiplexing the data from the input transmission lines HW1, ..., HW4.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
多重化回路においては、多重するためには1入力伝送路
当り2セル分の容量のデータメモリが必要となってい
た。上記の説明では、1セル当り16バイトとしている
のでそのメモリ容量はたかだか256ビットであるが、
実際上、1セルは53バイト程度であり、この場合1個
のバッファメモリの必要容量は848ビットにまで増え
てしまう。しかも、バッファメモリは多重度分だけ必要
であるので、多重化回路全体の必要メモリ容量はかなり
多い。
However, in the conventional multiplexing circuit, a data memory having a capacity of 2 cells per one input transmission line is required for multiplexing. In the above description, since each cell has 16 bytes, its memory capacity is at most 256 bits.
Actually, one cell is about 53 bytes, and in this case, the required capacity of one buffer memory increases to 848 bits. Moreover, since the buffer memory is required for the degree of multiplexing, the required memory capacity of the entire multiplexing circuit is considerably large.

【0012】他の回路同様、多重化回路においても、小
形化や占有面積等からメモリ容量は少なければ少ないほ
ど良く、そのため、必要メモリ容量が少ない多重化回路
が求められている。
As with other circuits, in the multiplexing circuit as well, the smaller the memory capacity, the better the size and the occupied area. Therefore, there is a demand for a multiplexing circuit having a small required memory capacity.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、本発明においては、n個の入力系列からの入力信号
を長さがmの情報収容単位毎に多重して出力する多重化
回路において、以下の手段を有するようにした。
In order to solve such a problem, in the present invention, a multiplexing circuit for multiplexing input signals from n input sequences for each information accommodating unit of length m and outputting The following means are provided.

【0014】すなわち、(1) 各入力系列からの入力信号
を格納する各入力系列に対応したn個のデータメモリで
あって、k(kは1〜n)番目のデータメモリは(1+
k/n)×mの容量を有するn個の2ポート構成のデー
タメモリと、(2) 各データメモリにそれぞれ対応して設
けられた、対応するデータメモリの容量分の書込みアド
レス信号を常時発生するn個の書込みアドレス発生手段
と、(3) 各データメモリにそれぞれ対応して設けられ
た、対応するデータメモリの容量分の読出しアドレス信
号を書込みアドレス信号のn倍の速度で発生すると共
に、その発生期間が情報収容単位の1周期をn等分した
うちの自己に定まっている1/n周期期間であるn個の
読出しアドレス発生手段と、(4) 各データメモリから読
み出された信号を読出し動作に同期して選択する選択手
段とを有するようにした。
That is, (1) n number of data memories corresponding to each input series for storing an input signal from each input series, where the k-th (k is 1 to n) data memory is (1+
(k / n) × m data memory with a 2-port configuration having a capacity of (2), and (2) a write address signal corresponding to the capacity of the corresponding data memory provided corresponding to each data memory is constantly generated. N write address generating means, and (3) a read address signal corresponding to the capacity of the corresponding data memory provided corresponding to each data memory is generated at a speed n times that of the write address signal. N read address generating means whose generation period is a 1 / n cycle period which is fixed to itself by dividing one cycle of the information accommodating unit into n equal parts, and (4) a signal read from each data memory. And a selecting means for selecting in synchronization with the reading operation.

【0015】ここで、k番目のデータメモリの(1+k
/n)×mで定まるメモリ容量が、そのアクセス単位量
(例えばバイト)の小数倍である場合には、メモリ容量
をその小数を切り上げた値にすることは好ましい。
Here, (1 + k) of the kth data memory
When the memory capacity determined by / n) × m is a decimal multiple of the access unit amount (for example, bytes), it is preferable to round the memory capacity up.

【0016】[0016]

【作用】本発明においても、基本的には、n個の入力系
列からの入力信号を各入力系列に対応した2ポート構成
のデータメモリに書込み、次の情報収容単位(その長さ
m)の入力信号が入力されている期間中において格納信
号を読出し、読み出された各系列の信号を選択手段によ
って選択することで多重信号を形成する。
In the present invention, basically, the input signals from the n input series are written in the data memory having the 2-port structure corresponding to each input series, and the next information accommodating unit (its length m) is written. The stored signal is read during the period when the input signal is being input, and the signals of the respective series that have been read are selected by the selection means to form a multiplexed signal.

【0017】ここで、多重信号における各系列の信号期
間は定まっているので、その期間だけ各系列のデータメ
モリからデータを読み出せば良い。読出しが終了したデ
ータメモリのエリアはただちに書込みエリアにすること
ができる。
Here, since the signal period of each series in the multiplexed signal is fixed, the data may be read from the data memory of each series only during that period. The area of the data memory whose reading has been completed can be immediately changed to the writing area.

【0018】このように考えていくと、全てのデータメ
モリが情報収容単位の2倍のメモリ容量を有する必要が
なく、これより少ないメモリ容量でも良いことを本件発
明者は見出だした。そこで、k(kは1〜n)番目のデ
ータメモリとして、そのメモリ容量が(1+k/n)×
mのものを適用することとした。かかる容量の選定に応
じて、各データメモリにそれぞれ対応した書込みアドレ
ス発生手段が対応するデータメモリの容量分の書込みア
ドレス信号を常時発生するようにし、また、各データメ
モリにそれぞれ対応した読出しアドレス発生手段が、対
応するデータメモリの容量分の読出しアドレス信号を書
込みアドレス信号のn倍の速度で、しかも、情報収容単
位の1周期をn等分したうちの自己に定まっている1/
n周期期間に発生するようにした。
Considering in this way, the inventor of the present invention has found that not all data memories need to have a memory capacity twice as large as the information accommodating unit, and a memory capacity smaller than this may be sufficient. Therefore, the k-th (k is 1 to n) data memory has a memory capacity of (1 + k / n) ×
It was decided to apply m. In accordance with the selection of the capacity, the write address generating means corresponding to each data memory always generates the write address signal corresponding to the capacity of the corresponding data memory, and the read address generation corresponding to each data memory. The means determines the read address signal corresponding to the capacity of the corresponding data memory at a speed n times as fast as the write address signal, and moreover, is determined by dividing the cycle of the information accommodating unit into n equal parts.
It was set to occur in n cycle periods.

【0019】なお、情報収容単位の長さmが多重度nの
整数倍でない場合には、(1+k/n)×mが、データ
メモリのアクセス単位量(バイトやビット)の小数倍に
なることもあるが、この場合には、メモリ容量をその小
数を切り上げた値にすれば良い。
When the length m of the information storage unit is not an integral multiple of the multiplicity n, (1 + k / n) × m is a decimal multiple of the access unit amount (byte or bit) of the data memory. However, in this case, the memory capacity may be set to a value obtained by rounding up the decimal.

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明による多重化回路の一実施例を
図面を参照しながら詳述する。ここで、図1がこの実施
例の多重化回路の構成を示すブロック図であり、図4が
その各部タイミングチャートである。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of a multiplexing circuit according to the present invention will be described in detail below with reference to the drawings. Here, FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of the multiplexing circuit of this embodiment, and FIG. 4 is a timing chart of each part thereof.

【0021】この実施例も、4個の入力伝送路HW1〜
HW4からの信号(セル)を多重して出力伝送路HW0
に送出するものであり、入力側におけるセルが16バイ
トのものである。また、入力及び出力を8ビット(1バ
イト)並列に処理する回路の例である。
This embodiment also has four input transmission lines HW1 to HW1.
Output signal HW0 by multiplexing signals (cells) from HW4
The cell on the input side has 16 bytes. Further, it is an example of a circuit that processes an input and an output in parallel with 8 bits (1 byte).

【0022】図1において、この多重化回路は、入力セ
ル信号101〜104をそれぞれ格納すると共にその格
納セル信号を読出して出力する4個のデータメモリ13
1〜134と、対応するデータメモリ131〜134に
対する書込みアドレス信号を発生する書込みアドレスカ
ウンタ142〜145と、対応するデータメモリ131
〜134に対する読出しアドレス信号を発生する読出し
アドレスカウンタ135〜138と、4個のデータメモ
リ131〜134から読み出された出力セル信号106
〜109のいずれかを選択するセレクタ回路130と、
出力セル信号における同一入力伝送路からの信号周期を
バイト単位でカウントするカウンタ139と、セレクタ
回路130で選択される信号の入力伝送路を規定する情
報をカウンタ139の出力と共に形成するカウンタ14
0と、カウンタ140からの出力に基づいて読出しアド
レスカウンタ135〜138がカウント動作し得る期間
情報(イネーブル信号)を形成するデコード回路141
とから構成されている。
In FIG. 1, this multiplexer circuit stores four input cell signals 101 to 104, respectively, and reads out and outputs the stored cell signals.
1-134, write address counters 142-145 for generating write address signals for the corresponding data memories 131-134, and corresponding data memories 131.
˜134, read address counters 135 to 138 for generating read address signals, and output cell signal 106 read from the four data memories 131 to 134.
A selector circuit 130 for selecting any of
A counter 139 that counts the signal cycle of the output cell signal from the same input transmission path in byte units, and a counter 14 that forms information defining the input transmission path of the signal selected by the selector circuit 130 together with the output of the counter 139.
0, and a decode circuit 141 that forms period information (enable signal) that allows the read address counters 135 to 138 to perform a count operation based on the output from the counter 140.
It consists of and.

【0023】この実施例の場合、従来回路とは異なっ
て、各データメモリ131、…、134は異なるメモリ
容量を有している。すなわち、データメモリ131は2
0バイト、データメモリ132は24バイト、データメ
モリ133は28バイト、データメモリ134は32バ
イトの容量を有する。
In the case of this embodiment, unlike the conventional circuit, each data memory 131, ..., 134 has a different memory capacity. That is, the data memory 131 has 2
The data memory 132 has a capacity of 24 bytes, the data memory 133 has a capacity of 28 bytes, and the data memory 134 has a capacity of 32 bytes.

【0024】書込みアドレスカウンタ142〜145や
読出しアドレスカウンタ135〜138のカウント値周
期は、対応するデータメモリ131〜134のメモリ容
量に応じて選定されている。
The count value cycles of the write address counters 142 to 145 and the read address counters 135 to 138 are selected according to the memory capacity of the corresponding data memories 131 to 134.

【0025】すなわち、データメモリ131に係る書込
みアドレスカウンタ142及び読出しアドレスカウンタ
135としては20進カウンタが適用され、データメモ
リ132に係る書込みアドレスカウンタ143及び読出
しアドレスカウンタ136としては24進カウンタが適
用され、データメモリ133に係る書込みアドレスカウ
ンタ144及び読出しアドレスカウンタ137としては
28進カウンタが適用され、データメモリ134に係る
書込みアドレスカウンタ145及び読出しアドレスカウ
ンタ138としては32進カウンタが適用されている。
That is, a 20-base counter is applied as the write address counter 142 and the read address counter 135 of the data memory 131, and a 24-base counter is used as the write address counter 143 and the read address counter 136 of the data memory 132. A 28-ary counter is applied as the write address counter 144 and the read address counter 137 related to the data memory 133, and a 32-ary counter is applied as the write address counter 145 and the read address counter 138 related to the data memory 134.

【0026】読出しアドレスカウンタ135〜138の
カウントアップ用クロック信号の周波数は、書込みアド
レスカウンタ142〜145のカウントアップ用クロッ
ク信号の周波数の多重度倍、すなわち4倍に選定されて
いる。また、各読出しアドレスカウンタ135、…、1
38には、後述するように、デコード回路141から1
/4セル期間だけカウント動作を許容することを表すイ
ネーブル信号114、…、117が与えられるようにな
されており、各イネーブル信号114、…、117の有
意期間は1/4セル期間ずつずれている。
The frequency of the count-up clock signal of the read address counters 135 to 138 is selected to be 4 times the multiplicity of the frequency of the count-up clock signal of the write address counters 142 to 145. Further, each read address counter 135, ..., 1
38 includes decode circuits 141 to 1 as described later.
117 are provided to indicate that the counting operation is allowed only for / 4 cell period, and the significant period of each enable signal 114, ..., 117 is shifted by 1/4 cell period. .

【0027】すなわち、この実施例においては、各デー
タメモリ131、…、134に対して、対応する入力伝
送路HW1、…、HW4からのセル信号101、…、1
04を常時書込み、読出しは1セル期間に1回だけその
うちの1/4セル期間で行なうようになされている。
That is, in this embodiment, for each of the data memories 131, ..., 134, the cell signals 101, ..., 1 from the corresponding input transmission lines HW1 ,.
04 is always written and read only once in one cell period in a ¼ cell period.

【0028】ここで、データメモリ131のメモリ容量
を20バイトとしたのは、読出しに係る直前セルの16
バイトのデータを格納できると共に、その16バイトの
データを読出している1/4セル期間中に入力された4
バイトのデータも読出しエリアとは無関係に格納させる
ためである。データメモリ132のメモリ容量を24バ
イトとしたのは、データメモリ131の読出しの次に当
該データメモリ132からの読出しが実行されるため、
直前セルの16バイトのデータを格納できると共に、デ
ータメモリ131及び132が読出中の1/2セル期間
中に入力された8バイトのデータも読出しエリアとは無
関係に格納させるためである。データメモリ133及び
134のメモリ容量をそれぞれ28バイト及び32バイ
トとしたのも、同様な理由による。
Here, the memory capacity of the data memory 131 is set to 20 bytes, which means that the memory capacity of the immediately preceding cell for reading is 16 bytes.
Byte data can be stored, and 4 that were input during the 1/4 cell period that is reading the 16-byte data.
This is because byte data is also stored regardless of the read area. The memory capacity of the data memory 132 is set to 24 bytes because the reading from the data memory 132 is executed after the reading from the data memory 131.
This is because the 16-byte data of the immediately preceding cell can be stored, and the 8-byte data input during the 1/2 cell period during which the data memories 131 and 132 are reading are also stored independently of the read area. The memory capacities of the data memories 133 and 134 are 28 bytes and 32 bytes, respectively, for the same reason.

【0029】すなわち、メモリ容量を最少化しても、上
述の観点から、各データメモリ131、…、134のメ
モリ容量はそれぞれ、20バイト、24バイト、28バ
イト、32バイト必要となる。
That is, even if the memory capacity is minimized, the memory capacity of each of the data memories 131, ..., 134 is required to be 20 bytes, 24 bytes, 28 bytes, and 32 bytes from the above viewpoint.

【0030】カウンタ139は16進カウンタでなり、
読出しアドレスカウンタ135〜138に与えられると
同一の高速クロック信号が入力されてカウント動作し、
上述のように、出力セル信号におけるある入力伝送路か
らの信号周期をバイト単位でカウントした値を出力す
る。言い換えると、カウンタ139は、多重後の1セル
(1/4セル期間)における何番目のバイトデータであ
るかを指示する値を出力する。
The counter 139 is a hexadecimal counter,
The same high-speed clock signal as that supplied to the read address counters 135 to 138 is input to perform a counting operation,
As described above, a value obtained by counting the signal cycle of an output cell signal from a certain input transmission path in byte units is output. In other words, the counter 139 outputs a value indicating what number byte data is in one cell (1/4 cell period) after multiplexing.

【0031】カウンタ140は4進カウンタでなり、書
込みアドレスカウンタ142〜145に与えられると同
一の低速クロック信号が入力されてカウント動作し、又
は、カウンタ139のキャリー信号がクロック信号とし
て与えられてカウント動作し、上述のように、セレクタ
回路130で選択される信号の入力伝送路を規定する情
報を形成する。言い換えると、カウンタ140は、多重
後のセルとセルの区切りを示す値を出力する。
The counter 140 is a quaternary counter, and when it is given to the write address counters 142 to 145, the same low-speed clock signal is input to perform a counting operation, or the carry signal of the counter 139 is given as a clock signal to count. It operates to form the information defining the input transmission path of the signal selected by the selector circuit 130 as described above. In other words, the counter 140 outputs a value indicating a cell after being multiplexed and a cell delimiter.

【0032】セレクタ回路130は、カウンタ140か
らのカウント値(データ選択信号)118に基づいて、
データメモリ131〜134のうち読出し動作中のデー
タメモリからの読出し信号(所定の入力伝送路からの信
号)を選択してセル多重信号105として出力伝送路H
W0に送出する。
The selector circuit 130, based on the count value (data selection signal) 118 from the counter 140,
Of the data memories 131 to 134, a read signal (a signal from a predetermined input transmission path) from the data memory during the read operation is selected and is output as the cell multiplexed signal 105 on the transmission path H.
Send to W0.

【0033】デコード回路141は、カウンタ140か
らのカウント値(データ選択信号)118に基づいて、
そのカウント値が指示する入力伝送路に係るデータメモ
リに対する読出しアドレスカウンタにイネーブル信号を
出力する。
The decoding circuit 141, based on the count value (data selection signal) 118 from the counter 140,
The enable signal is output to the read address counter for the data memory associated with the input transmission path indicated by the count value.

【0034】以上のような各部で構成されている実施例
の多重化回路の動作を、図4のタイミングチャートを参
照しながら説明する。
The operation of the multiplexing circuit of the embodiment constructed by the above-mentioned respective parts will be described with reference to the timing chart of FIG.

【0035】今、時点t1において、全ての書込みアド
レスカウンタ142〜145からの書込みアドレス信号
が「0」であったとし、この時点t1から新たなセルの
セル信号101、…、104が各入力伝送路HW1、
…、HW4から対応するデータメモリ131、…、13
4に与えられたとする。
At time t1, it is assumed that the write address signals from all the write address counters 142 to 145 are "0", and at this time t1, the cell signals 101, ... Road HW1,
..., corresponding data memory 131 from HW4, ..., 13
4 is given.

【0036】まず、入力伝送路HW1に係るデータメモ
リ131に対するアクセス動作を説明する。
First, the access operation to the data memory 131 related to the input transmission line HW1 will be described.

【0037】時点t1からの第1番目のセル(以下、セ
ル1と呼ぶ;以下のセルについても同様)のバイトデー
タは、書込みアドレスカウンタ142からの書込みアド
レス信号120に基づいて、データメモリ131のアド
レス「0」〜「15」に順次格納される。
The byte data of the first cell (hereinafter referred to as cell 1; the same applies to the following cells) from time t1 is stored in the data memory 131 based on the write address signal 120 from the write address counter 142. It is sequentially stored in the addresses "0" to "15".

【0038】次のセル2のバイトデータが入力され始め
る時点t2から、読出しアドレスカウンタ135に与え
られるイネーブル信号114が有意となり、その後、1
/4セル期間t2〜t3は継続して有意であり、この有
意期間において高速クロック信号に基づいてカウントア
ップを行なう。そのため、読出しアドレスカウンタ13
5からの読出しアドレス信号110は、この期間t2〜
t3で「0」〜「15」で変化し、セル1の各バイトデ
ータ106がデータメモリ131から読み出され、セレ
クタ回路130で選択されて出力伝送路HW0に多重信
号105として送出される。このような読出し中にも書
込みが行なわれ、この際には、読出しアドレス「0」〜
「15」とは異なる書込みアドレス「16」〜「19」
に対して行なわれる。読出しが時点t3で終了した後に
もセル2のバイトデータが継続しており、これらバイト
データは、20進の書込みアドレスカウンタ142から
の書込みアドレス信号120に基づいて、データメモリ
131のアドレス「0」〜「11」に順次格納される。
すなわち、セル2の各バイトデータは、データメモリ1
31のアドレス「16」〜「19」及び「0」〜「1
1」のエリアに順次書き込まれる。
From the time t2 when the byte data of the next cell 2 starts to be input, the enable signal 114 given to the read address counter 135 becomes significant, and then 1
The / 4 cell period t2 to t3 continues to be significant, and counts up based on the high-speed clock signal during this significant period. Therefore, the read address counter 13
The read address signal 110 from 5 is during this period t2.
It changes from “0” to “15” at t3, each byte data 106 of the cell 1 is read from the data memory 131, selected by the selector circuit 130, and sent to the output transmission line HW0 as the multiplexed signal 105. Writing is performed even during such reading, and at this time, the read address "0" to
Write address "16" to "19" different from "15"
Is performed on The byte data of the cell 2 continues even after the reading is completed at the time point t3, and these byte data are stored in the address "0" of the data memory 131 based on the write address signal 120 from the write address counter 142 in decimal. To “11” are sequentially stored.
That is, each byte data of the cell 2 is stored in the data memory 1
31 addresses "16" to "19" and "0" to "1"
1 "area is sequentially written.

【0039】次のセル3のバイトデータが入力され始め
る時点t6から、読出しアドレスカウンタ135に与え
られるイネーブル信号114が再び有意となり、その
後、1/4セル期間t6〜t7は継続して有意である。
そのため、20進の読出しアドレスカウンタ135から
の読出しアドレス信号110は、この期間t6〜t7で
「16」〜「19」、「0」〜「11」で変化し、セル
2の各バイトデータ106がデータメモリ131から読
み出され、セレクタ回路130で選択されて出力伝送路
HW0に多重信号105として送出される。このような
読出し中にも書込みが行なわれ、この際には、読出しア
ドレス「16」〜「19」、「0」〜「11」とは異な
る書込みアドレス「12」〜「15」に対して行なわれ
る。読出しが時点t7で終了した後にもセル3のバイト
データが継続しており、これらバイトデータは、20進
の書込みアドレスカウンタ142からの書込みアドレス
信号120に基づいて、データメモリ131のアドレス
「16」〜「19」、「0」〜「7」に順次格納され
る。以下、同様な処理が繰返される。
From the time point t6 when the byte data of the next cell 3 starts to be input, the enable signal 114 given to the read address counter 135 becomes significant again, and thereafter, the quarter cell period t6 to t7 continues to be significant. .
Therefore, the read address signal 110 from the read address counter 135 in the 20-ary system changes between "16" to "19" and "0" to "11" during this period t6 to t7, and each byte data 106 of the cell 2 is changed. It is read from the data memory 131, selected by the selector circuit 130, and sent as the multiplexed signal 105 to the output transmission line HW0. Writing is performed even during such reading, and at this time, writing addresses "12" to "15" different from the reading addresses "16" to "19" and "0" to "11" are performed. Be done. The byte data of the cell 3 continues even after the reading is completed at the time point t7, and these byte data are based on the write address signal 120 from the write address counter 142 in the decimal system and the address “16” of the data memory 131. To "19" and "0" to "7" are sequentially stored. Hereinafter, the same process is repeated.

【0040】次に、入力伝送路HW2に係るデータメモ
リ132に対するアクセス動作を説明する。
Next, an access operation to the data memory 132 related to the input transmission line HW2 will be described.

【0041】時点t1からのセル1のバイトデータは、
書込みアドレスカウンタ143からの書込みアドレス信
号121に基づいて、データメモリ132のアドレス
「0」〜「15」のエリアに順次格納される。
The byte data of cell 1 from time t1 is
Based on the write address signal 121 from the write address counter 143, the data is sequentially stored in the areas of addresses “0” to “15” of the data memory 132.

【0042】次のセル2のバイトデータが入力され始め
る時点t2から1/4セル期間t2〜t3だけ遅れた時
点t3から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ136に与えられるイネーブル信号115が有意
となり、その後、1/4セル期間t3〜t4は継続して
有意であり、この有意期間において高速クロック信号に
基づいてカウントアップを行なう。そのため、読出しア
ドレスカウンタ136からの読出しアドレス信号111
は、この期間t3〜t4で「0」〜「15」で変化し、
セル1の各バイトデータ107がデータメモリ132か
ら読み出され、セレクタ回路130で選択されて出力伝
送路HW0に多重信号105として送出される。
The enable signal 115 given from the decode circuit 141 to the read address counter 136 becomes significant from the time point t3 delayed by 1/4 cell period t2 to t3 from the time point t2 when the byte data of the next cell 2 starts to be input. After that, the 1/4 cell period t3 to t4 continues to be significant, and the count-up is performed based on the high-speed clock signal in this significant period. Therefore, the read address signal 111 from the read address counter 136
Changes from "0" to "15" during this period t3 to t4,
Each byte data 107 of the cell 1 is read from the data memory 132, selected by the selector circuit 130, and transmitted as the multiplexed signal 105 to the output transmission line HW0.

【0043】この読出し前の1/4セル期間t2〜t3
(言い換えるとデータメモリ131の読出し期間)に入
力されたセル2のバイトデータは、24進の書込みアド
レスカウンタ143からの書込みアドレス信号121に
基づいて、データメモリ132のアドレス「16」〜
「19」のエリアに順次格納され、読出し中の1/4セ
ル期間t3〜t4に入力されたセル2のバイトデータ
は、24進の書込みアドレスカウンタ143からの書込
みアドレス信号121に基づいて、データメモリ132
のアドレス「20」〜「23」のエリアに順次格納さ
れ、読出し後の1/2セル期間t4〜t6に入力された
セル2のバイトデータは、24進の書込みアドレスカウ
ンタ143からの書込みアドレス信号121に基づい
て、データメモリ132のアドレス「0」〜「7」のエ
リアに順次格納される。すなわち、セル2の各バイトデ
ータは、データメモリ132のアドレス「16」〜「2
3」及び「0」〜「7」のエリアに順次書き込まれる。
¼ cell period t2 to t3 before this read
The byte data of the cell 2 input in (in other words, the reading period of the data memory 131) is based on the write address signal 121 from the write address counter 143 in the hexadecimal notation, from the address “16” of the data memory 132.
The byte data of the cell 2 sequentially stored in the area “19” and input during the reading ¼ cell period t3 to t4 is based on the write address signal 121 from the write address counter 143 in the hexadecimal notation. Memory 132
The byte data of the cell 2 sequentially stored in the areas of the addresses "20" to "23" of the above, and input in the read half cell period t4 to t6 is the write address signal from the write address counter 143 in the hexadecimal notation. Based on 121, they are sequentially stored in the areas of addresses “0” to “7” of the data memory 132. That is, each byte data of the cell 2 has the addresses “16” to “2” of the data memory 132.
3 "and" 0 "to" 7 "are sequentially written.

【0044】次のセル3のバイトデータが入力され始め
る時点t6から1/4セル期間t6〜t7だけ遅れた時
点t7から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ136に与えられるイネーブル信号115が再び
有意となり、その後、1/4セル期間t7〜t8は継続
して有意であり、この有意期間において高速クロック信
号に基づいてカウントアップを行なう。そのため、読出
しアドレスカウンタ136からの読出しアドレス信号1
11は、この期間t7〜t8で「16」〜「23」及び
「0」〜「7」で変化し、セル2の各バイトデータ10
7がデータメモリ132から読み出され、セレクタ回路
130で選択されて出力伝送路HW0に多重信号105
として送出される。
The enable signal 115 given from the decoding circuit 141 to the read address counter 136 becomes significant again from the time point t7 which is delayed by 1/4 cell period t6 to t7 from the time point t6 when the byte data of the next cell 3 starts to be input. After that, the 1/4 cell period t7 to t8 continues to be significant, and the count-up is performed based on the high-speed clock signal in this significant period. Therefore, the read address signal 1 from the read address counter 136
11 changes from "16" to "23" and "0" to "7" in this period t7 to t8, and each byte data 10 of the cell 2 is changed.
7 is read from the data memory 132, is selected by the selector circuit 130, and is multiplexed on the output transmission line HW0.
Is sent as

【0045】この読出し前の1/4セル期間t6〜t7
(データメモリ131の読出し期間)に入力されたセル
3のバイトデータは、24進の書込みアドレスカウンタ
143からの書込みアドレス信号121に基づいて、デ
ータメモリ132のアドレス「8」〜「11」のエリア
に順次格納され、読出し中の1/4セル期間t7〜t8
に入力されたセル3のバイトデータは、データメモリ1
32のアドレス「12」〜「15」のエリアに順次格納
され、読出し後の1/2セル期間t8〜t10に入力さ
れたセル3のバイトデータは、データメモリ132のア
ドレス「16」〜「23」のエリアに順次格納される。
以下、同様な処理が繰返される。
¼ cell period t6 to t7 before this read
The byte data of the cell 3 input during the (reading period of the data memory 131) is based on the write address signal 121 from the write address counter 143 in the hexadecimal notation, and the area of the addresses “8” to “11” of the data memory 132. Are sequentially stored in the memory cell and are read out for 1/4 cell period t7 to t8.
The byte data of cell 3 input to is stored in the data memory 1
The byte data of the cell 3 which is sequentially stored in the areas of the addresses “12” to “15” of 32 and input during the half cell period t8 to t10 after reading is the addresses “16” to “23” of the data memory 132. Are sequentially stored in the area.
Hereinafter, the same process is repeated.

【0046】次に、入力伝送路HW3に係るデータメモ
リ133に対するアクセス動作を説明する。
Next, an access operation to the data memory 133 related to the input transmission line HW3 will be described.

【0047】時点t1からのセル1のバイトデータは、
書込みアドレスカウンタ144からの書込みアドレス信
号122に基づいて、データメモリ133のアドレス
「0」〜「15」のエリアに順次格納される。
The byte data of cell 1 from time t1 is
Based on the write address signal 122 from the write address counter 144, it is sequentially stored in the area of addresses “0” to “15” of the data memory 133.

【0048】次のセル2のバイトデータが入力され始め
る時点t2から1/2セル期間t2〜t4だけ遅れた時
点t4から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ137に与えられるイネーブル信号116が有意
となり、その後、1/4セル期間t4〜t5は継続して
有意であり、この有意期間において高速クロック信号に
基づいてカウントアップを行なう。そのため、読出しア
ドレスカウンタ137からの読出しアドレス信号112
は、この期間t4〜t5で「0」〜「15」で変化し、
セル1の各バイトデータ108がデータメモリ133か
ら読み出され、セレクタ回路130で選択されて出力伝
送路HW0に多重信号105として送出される。
The enable signal 116 given from the decoding circuit 141 to the read address counter 137 becomes significant from the time t4 delayed by 1/2 cell period t2 to t4 from the time t2 when the byte data of the next cell 2 starts to be input, After that, the quarter cell period t4 to t5 continues to be significant, and the count-up is performed based on the high-speed clock signal in this significant period. Therefore, the read address signal 112 from the read address counter 137
Changes from "0" to "15" during this period t4 to t5,
Each byte data 108 of the cell 1 is read from the data memory 133, selected by the selector circuit 130 and sent to the output transmission line HW0 as the multiplexed signal 105.

【0049】この読出し前の1/2セル期間t2〜t4
(言い換えるとデータメモリ131及び132の読出し
期間)に入力されたセル2のバイトデータは、28進の
書込みアドレスカウンタ144からの書込みアドレス信
号122に基づいて、データメモリ133のアドレス
「16」〜「23」のエリアに順次格納され、読出し中
の1/4セル期間t4〜t5に入力されたセル2のバイ
トデータは、データメモリ133のアドレス「24」〜
「27」のエリアに順次格納され、読出し後の1/4セ
ル期間t5〜t6に入力されたセル2のバイトデータ
は、データメモリ133のアドレス「0」〜「3」のエ
リアに順次格納される。すなわち、セル2の各バイトデ
ータは、データメモリ133のアドレス「16」〜「2
7」及び「0」〜「3」のエリアに順次書き込まれる。
1/2 cell period t2 to t4 before this read
The byte data of the cell 2 input in (in other words, the reading period of the data memories 131 and 132) is based on the write address signal 122 from the 28-ary write address counter 144, and the addresses “16” to “16” of the data memory 133. The byte data of the cell 2 sequentially stored in the area "23" and input during the reading 1/4 cell period t4 to t5 is the address "24" to the data memory 133.
The byte data of the cell 2 sequentially stored in the area “27” and input in the read quarter cell period t5 to t6 is sequentially stored in the area “0” to “3” of the data memory 133. It That is, each byte data of the cell 2 has the addresses “16” to “2” of the data memory 133.
7 "and" 0 "to" 3 "are sequentially written.

【0050】次のセル3のバイトデータが入力され始め
る時点t6から1/2セル期間t6〜t8だけ遅れた時
点t8から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ137に与えられるイネーブル信号116が再び
有意となり、その後、1/4セル期間t8〜t9は継続
して有意であり、この有意期間において高速クロック信
号に基づいてカウントアップを行なう。そのため、読出
しアドレスカウンタ137からの読出しアドレス信号1
12は、この期間t8〜t9で「16」〜「27」及び
「0」〜「3」で変化し、セル2の各バイトデータ10
8がデータメモリ133から読み出され、セレクタ回路
130で選択されて出力伝送路HW0に多重信号105
として送出される。
The enable signal 116 given from the decoding circuit 141 to the read address counter 137 becomes significant again from the time point t8 delayed by 1/2 cell period t6 to t8 from the time point t6 when the byte data of the next cell 3 starts to be input. After that, the quarter cell period t8 to t9 continues to be significant, and the count-up is performed based on the high-speed clock signal in this significant period. Therefore, the read address signal 1 from the read address counter 137
12 changes from "16" to "27" and "0" to "3" during this period t8 to t9, and each byte data 10 of the cell 2 is changed.
8 is read from the data memory 133, is selected by the selector circuit 130, and is multiplexed on the output transmission line HW0.
Is sent as

【0051】この読出し前の1/2セル期間t6〜t8
(データメモリ131及び132の読出し期間)に入力
されたセル3のバイトデータは、28進の書込みアドレ
スカウンタ144からの書込みアドレス信号122に基
づいて、データメモリ133のアドレス「4」〜「1
1」のエリアに順次格納され、読出し中の1/4セル期
間t8〜t9に入力されたセル3のバイトデータは、デ
ータメモリ133のアドレス「12」〜「15」のエリ
アに順次格納され、読出し後の1/4セル期間t9〜t
10に入力されたセル3のバイトデータは、データメモ
リ133のアドレス「16」〜「19」のエリアに順次
格納される。以下、同様な処理が繰返される。
½ cell period t6 to t8 before this read
The byte data of the cell 3 input during the (reading period of the data memories 131 and 132) is based on the write address signal 122 from the 28-ary write address counter 144, and the addresses “4” to “1” of the data memory 133.
The byte data of the cell 3 sequentially stored in the area “1” and input during the reading ¼ cell period t8 to t9 are sequentially stored in the area “12” to “15” of the data memory 133. 1/4 cell period t9 to t after reading
The byte data of the cell 3 input to the cell 10 is sequentially stored in the areas of addresses “16” to “19” of the data memory 133. Hereinafter, the same process is repeated.

【0052】次に、入力伝送路HW4に係るデータメモ
リ134に対するアクセス動作を説明する。
Next, the access operation to the data memory 134 related to the input transmission line HW4 will be described.

【0053】時点t1からのセル1のバイトデータは、
書込みアドレスカウンタ145からの書込みアドレス信
号123に基づいて、データメモリ134のアドレス
「0」〜「15」のエリアに順次格納される。
The byte data of cell 1 from time t1 is
Based on the write address signal 123 from the write address counter 145, the data is sequentially stored in the areas of addresses “0” to “15” of the data memory 134.

【0054】次のセル2のバイトデータが入力され始め
る時点t2から3/4セル期間t2〜t5だけ遅れた時
点t5から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ138に与えられるイネーブル信号117が有意
となり、その後、1/4セル期間t5〜t6は継続して
有意であり、この有意期間において高速クロック信号に
基づいてカウントアップを行なう。そのため、読出しア
ドレスカウンタ138からの読出しアドレス信号113
は、この期間t5〜t6で「0」〜「15」で変化し、
セル1の各バイトデータ109がデータメモリ134か
ら読み出され、セレクタ回路130で選択されて出力伝
送路HW0に多重信号105として送出される。
The enable signal 117 given from the decoding circuit 141 to the read address counter 138 becomes significant from the time point t5 delayed by 3/4 cell period t2 to t5 from the time point t2 when the byte data of the next cell 2 starts to be input. After that, the quarter cell periods t5 to t6 continue to be significant, and the count-up is performed based on the high-speed clock signal in this significant period. Therefore, the read address signal 113 from the read address counter 138
Changes from “0” to “15” during this period t5 to t6,
Each byte data 109 of the cell 1 is read from the data memory 134, selected by the selector circuit 130, and transmitted as the multiplexed signal 105 to the output transmission line HW0.

【0055】この読出し前の3/4セル期間t2〜t5
(言い換えるとデータメモリ131、132及び133
の読出し期間)に入力されたセル2のバイトデータは、
32進の書込みアドレスカウンタ145からの書込みア
ドレス信号123に基づいて、データメモリ134のア
ドレス「16」〜「27」のエリアに順次格納され、読
出し中の1/4セル期間t5〜t6に入力されたセル2
のバイトデータは、データメモリ134のアドレス「2
8」〜「31」のエリアに順次格納される。すなわち、
セル2の各バイトデータは、データメモリ134のアド
レス「16」〜「31」のエリアに順次書き込まれる。
3/4 cell period t2 to t5 before this read
(In other words, the data memories 131, 132 and 133
The read byte period of cell 2 is
Based on the write address signal 123 from the 32-bit write address counter 145, the data is sequentially stored in the areas of addresses "16" to "27" of the data memory 134 and input during the reading 1/4 cell period t5 to t6. Cell 2
Byte data of the address "2" of the data memory 134.
Sequentially stored in the areas 8 "to" 31 ". That is,
Each byte data of the cell 2 is sequentially written in the area of addresses "16" to "31" of the data memory 134.

【0056】次のセル3のバイトデータが入力され始め
る時点t6から3/4セル期間t6〜t9だけ遅れた時
点t9から、デコード回路141から読出しアドレスカ
ウンタ138に与えられるイネーブル信号117が再び
有意となり、その後、1/4セル期間t9〜t10は継
続して有意であり、この有意期間において高速クロック
信号に基づいてカウントアップを行なう。そのため、読
出しアドレスカウンタ138からの読出しアドレス信号
113は、この期間t9〜t10で「16」〜「31」
で変化し、セル2の各バイトデータ109がデータメモ
リ134から読み出され、セレクタ回路130で選択さ
れて出力伝送路HW0に多重信号105として送出され
る。
The enable signal 117 given from the decode circuit 141 to the read address counter 138 becomes significant again from the time point t9 which is delayed by 3/4 cell period t6 to t9 from the time point t6 when the byte data of the next cell 3 starts to be input. After that, the quarter cell period t9 to t10 is continuously significant, and the count-up is performed based on the high-speed clock signal in this significant period. Therefore, the read address signal 113 from the read address counter 138 is "16" to "31" during this period t9 to t10.
, Each byte data 109 of the cell 2 is read from the data memory 134, selected by the selector circuit 130, and sent to the output transmission line HW0 as the multiplexed signal 105.

【0057】この読出し前の3/4セル期間t6〜t9
(データメモリ131、132及び133の読出し期
間)に入力されたセル3のバイトデータは、32進の書
込みアドレスカウンタ145からの書込みアドレス信号
123に基づいて、データメモリ134のアドレス
「0」〜「11」のエリアに順次格納され、読出し中の
1/4セル期間t9〜t10に入力されたセル3のバイ
トデータは、データメモリ134のアドレス「12」〜
「15」のエリアに順次格納される。以下、同様な処理
が繰返される。
3/4 cell period t6 to t9 before this read
The byte data of the cell 3 input during the (reading period of the data memories 131, 132, and 133) is based on the write address signal 123 from the write address counter 145 in binary notation, and the addresses "0" to "" of the data memory 134. The byte data of the cell 3 sequentially stored in the area "11" and input during the reading 1/4 cell period t9 to t10 is the address "12" to the data memory 134.
It is sequentially stored in the area of "15". Hereinafter, the same process is repeated.

【0058】以上のように、この実施例においては、各
データメモリ131、…、134からの読出し期間を、
1/4セル期間ずつに切り分けており、切り分けられた
読出し期間においてのみ読出しアドレスカウンタ13
5、…、138を高速クロック信号によって動作させる
ようにしている。また、書き込んだセルの読出し期間
を、次のセルの入力期間中にしており、1/4セル期間
の読出しが終了した直後の書込みアドレスは読出しが終
了したデータメモリの先頭エリアになるようにして、デ
ータメモリ131〜134への書込みを継続させてい
る。
As described above, in this embodiment, the read period from each data memory 131, ...
The read address counter 13 is divided into ¼ cell periods, and only in the divided read period.
5, ..., 138 are operated by a high-speed clock signal. In addition, the read period of the written cell is set to the input period of the next cell, and the write address immediately after the read of the 1/4 cell period is set to the head area of the read data memory. , Writing to the data memories 131 to 134 is continued.

【0059】以上のような各データメモリ131、…、
134のアクセス動作やセレクタ回路130の選択動作
を通じて、出力伝送路HW0には、入力伝送路HW1〜
HW4からのセル信号101〜104をセル単位に多重
した従来と同様な多重信号105が送出される。
Each of the data memories 131, ...
Through the access operation of 134 and the selection operation of the selector circuit 130, the input transmission lines HW1 to
A multiplexed signal 105 similar to the conventional one, in which the cell signals 101 to 104 from the HW 4 are multiplexed in cell units, is transmitted.

【0060】上記実施例によれば、入力伝送路HW1〜
HW4に対応した4個のデータメモリ131〜134の
全体のメモリ容量を従来より少なくでき、しかも従来と
同様な多重信号を出力伝送路HW0に送出することがで
きる。具体的には、図2に示した従来の多重化回路では
メモリ容量が8セル分必要であったが、この実施例の多
重化回路においては、メモリ容量は(5/4)+(6/
4)+(7/4)+(8/4)=6.5セル分であり、
1.5セル分だけメモリ容量を削減できている。
According to the above embodiment, the input transmission lines HW1 to HW1.
The total memory capacity of the four data memories 131 to 134 corresponding to HW4 can be made smaller than before, and moreover, the same multiplexed signal as before can be sent to the output transmission line HW0. Specifically, the conventional multiplexing circuit shown in FIG. 2 requires a memory capacity of 8 cells, but in the multiplexing circuit of this embodiment, the memory capacity is (5/4) + (6 /
4) + (7/4) + (8/4) = 6.5 cells,
The memory capacity can be reduced by 1.5 cells.

【0061】例えば、多重化回路を集積回路上に実現す
る場合、メモリ容量が少ない分だけ占有面積等を小さく
できる。
For example, when the multiplexing circuit is realized on an integrated circuit, the occupied area can be reduced by the smaller memory capacity.

【0062】なお、上記実施例においては、多重単位を
16バイトとし、150Mb/sの伝送路のセルを60
0Mb/sに多重する例を示したが、1セルの長さ、多
重度は自由に設定できる。
In the above embodiment, the multiplexing unit is 16 bytes, and the cells of the 150 Mb / s transmission line are 60 bytes.
An example of multiplexing at 0 Mb / s is shown, but the length of one cell and the degree of multiplexing can be set freely.

【0063】一般的な表現を用いれば、1セルの長さを
m(単位がバイトでもビットでも良い)、多重度をnと
すると、n個のデータメモリのそれぞれをそのメモリ容
量が(n+1)/n、(n+2)/n、(n+3)/
n、…、(2n)/nセル分であるものを適用すると共
に、各データメモリに対応する書込みアドレスカウンタ
及び読出しアドレスカウンタの一巡周期をm(n+1)
/n、m(n+2)/n、m(n+3)/n、…、m
(2n)/nに選定すれば良く、上記実施例のようにデ
ータ選択信号を作成する2段構成のカウンタを設ける場
合、各カウンタのカウント値をm、nにすれば良い。
Using a general expression, assuming that the length of one cell is m (unit may be byte or bit) and the multiplicity is n, the memory capacity of each of the n data memories is (n + 1). / N, (n + 2) / n, (n + 3) /
, (2n) / n cells are applied, and the cycle of the write address counter and the read address counter corresponding to each data memory is m (n + 1).
/ N, m (n + 2) / n, m (n + 3) / n, ..., m
(2n) / n may be selected, and when a counter having a two-stage structure for generating a data selection signal is provided as in the above embodiment, the count value of each counter may be m or n.

【0064】ここで、データメモリのメモリ容量(n+
1)/n、(n+2)/n、(n+3)/n、…、(2
n)/nセル分が小数となる場合には(mがnの整数倍
でない場合)、切り上げて適用すれば良い。
Here, the memory capacity of the data memory (n +
1) / n, (n + 2) / n, (n + 3) / n, ..., (2
When n) / n cells are a decimal number (when m is not an integer multiple of n), it may be rounded up and applied.

【0065】例えば、ATM網における1セルは53バ
イトであるので多重度nが4であると、第1のデータメ
モリのメモリ容量である(n+1)nセル分は66.2
5バイトであるが、この場合には67バイトのデータメ
モリを適用し、書込みアドレスカウンタ及び読出しアド
レスカウンタの一巡周期を67にすれば良い。同様に、
他の3個のデータメモリとしてそれぞれ容量が80バイ
ト、93バイト、106バイトのものを適用し、対応す
る書込みアドレスカウンタ及び読出しアドレスカウンタ
の各組のそれぞれについてその一巡周期を80、93、
106とすれば良い。書込みと読出しとの同期はとれて
いないが、このようにしても上記実施例とほぼ同様に動
作する。
For example, since one cell in the ATM network has 53 bytes, if the multiplicity n is 4, (n + 1) n cells corresponding to the memory capacity of the first data memory is 66.2.
Although it is 5 bytes, in this case, a 67-byte data memory may be applied and the cycle of the write address counter and the read address counter may be set to 67. Similarly,
The other three data memories having capacities of 80 bytes, 93 bytes, and 106 bytes are applied, and the cycle period of each pair of the corresponding write address counter and read address counter is 80, 93,
It may be 106. Although writing and reading are not synchronized, even in this case, the operation is almost the same as that of the above embodiment.

【0066】図5は、この場合のタイミングチャートを
参考のために示したものであり、メモリ容量等は異なる
が図4と同一の符号を用いて示したものである。
FIG. 5 shows the timing chart in this case for reference, and is shown using the same reference numerals as those in FIG. 4 although the memory capacity and the like are different.

【0067】なお、上記実施例の説明及び一般的な説明
では、データメモリのメモリ容量として必要最少限のも
のを示したが、これに多少のオフセット(数バイト)を
設けても良い。特許請求の範囲では、データメモリのメ
モリ容量として必要最少限のものを適用した表現を用い
ているが、かかる表現は多少のオフセットを有する場合
をも含むものとする。
Although the minimum required memory capacity of the data memory has been shown in the above description of the embodiments and the general description, some offset (several bytes) may be provided. In the claims, the expression in which the minimum necessary amount of the memory capacity of the data memory is applied is used, but such expression also includes the case where there is some offset.

【0068】また、上記実施例においては、入力セル信
号及び出力セル信号(多重信号)が1バイト(8ビッ
ト)パラレルのものを示したが、他のビット数のパラレ
ル信号であってもまたシリアル信号であっても本発明を
適用することができる。この場合にも、上記一般的の表
現が成り立つ。
Further, in the above embodiment, the input cell signal and the output cell signal (multiplexed signal) are parallel one byte (8 bits). However, even if the parallel signal has another bit number, it is serial. The present invention can be applied even to a signal. In this case as well, the above general expression holds.

【0069】さらに、本発明の多重化回路は、ATM網
の伝送装置における多重化回路を意識してなされたもの
であるが、その用途が限定されないことは勿論である。
Further, although the multiplexing circuit of the present invention is made in consideration of the multiplexing circuit in the transmission device of the ATM network, it is needless to say that its application is not limited.

【0070】本発明は、各データメモリのメモリ容量を
異なるようにさせている点、及び、書込みアドレス信号
及び読出しアドレス信号を図4に示すように発生させて
いる点に特徴を有し、書込みアドレス信号や読出しアド
レス信号の発生手段は、図4に示すように発生できるも
のであれば上記実施例のものに限定されない。例えば、
ソフトウェア的に発生させても良い。
The present invention is characterized in that the memory capacities of the respective data memories are made different and that the write address signal and the read address signal are generated as shown in FIG. The means for generating the address signal and the read address signal are not limited to those in the above-mentioned embodiment as long as they can be generated as shown in FIG. For example,
It may be generated by software.

【0071】[0071]

【発明の効果】以上のように、本発明によれば、多重信
号における各系列の信号期間は定まっているので、その
期間だけ各系列のデータメモリからデータを読み出せば
良いことや、読出しが終了したデータメモリのエリアは
ただちに書込みエリアにすることができること等に基づ
いて、各データメモリの容量を必要最少限に選定すると
共にそのアクセスを制御するようにしたので、従来より
全体としてのメモリ容量が少ない小形化等に寄与できる
多重化回路を実現することができる。
As described above, according to the present invention, since the signal period of each series in the multiplexed signal is fixed, the data can be read from the data memory of each series only during that period, and the reading can be performed. Based on the fact that the area of the completed data memory can be immediately used as a write area, etc., the capacity of each data memory is selected to be the minimum necessary and its access is controlled. It is possible to realize a multiplex circuit that can contribute to miniaturization and the like with a small number of components.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例の構成を示すブロック図である。FIG. 1 is a block diagram illustrating a configuration of an embodiment.

【図2】従来の構成を示すブロック図である。FIG. 2 is a block diagram showing a conventional configuration.

【図3】従来の各部タイミングチャートである。FIG. 3 is a conventional timing chart of each part.

【図4】実施例の各部タイミングチャートである。FIG. 4 is a timing chart of each part of the embodiment.

【図5】実施例とは異なるバイト数を有するセルを取り
扱う回路の各部タイミングチャートである。
FIG. 5 is a timing chart of each part of a circuit that handles a cell having a different number of bytes from that of the embodiment.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

130…セレクタ回路、131〜134…データメモ
リ、135〜138…読出しアドレスカウンタ、139
…セル内バイト位置計数用カウンタ、140…入力伝送
路選択用カウンタ、141…デコード回路、142〜1
45…書込みアドレスカウンタ。
130 ... Selector circuit, 131-134 ... Data memory, 135-138 ... Read address counter, 139
... counter for byte position in cell, 140 ... counter for input transmission path selection, 141 ... decoding circuit, 142-1
45 ... Write address counter.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04Q 3/00 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Office reference number FI technical display location H04Q 3/00

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 n個の入力系列からの入力信号を長さが
mの情報収容単位毎に多重して出力する多重化回路にお
いて、 各入力系列からの入力信号を格納する各入力系列に対応
したn個のデータメモリであって、k(kは1〜n)番
目のデータメモリは(1+k/n)×mの容量を有する
n個の2ポート構成のデータメモリと、 上記各データメモリにそれぞれ対応して設けられた、対
応する上記データメモリの容量分の書込みアドレス信号
を常時発生するn個の書込みアドレス発生手段と、 上記各データメモリにそれぞれ対応して設けられた、対
応する上記データメモリの容量分の読出しアドレス信号
を上記書込みアドレス信号のn倍の速度で発生すると共
に、その発生期間が情報収容単位の1周期をn等分した
うちの自己に定まっている1/n周期期間であるn個の
読出しアドレス発生手段と、 上記各データメモリから読み出された信号を読出し動作
に同期して選択する選択手段とを有することを特徴とす
る多重化回路。
1. A multiplexing circuit for multiplexing and outputting input signals from n input sequences for each information accommodating unit of length m, corresponding to each input sequence storing the input signal from each input sequence. Among the n data memories, the k-th (k is 1 to n) data memory is the n-port data memory having a capacity of (1 + k / n) × m, and each of the data memories is N write address generating means, which are provided corresponding to each other, for constantly generating write address signals for the capacity of the corresponding data memory, and the corresponding data provided corresponding to each of the data memories. A read address signal corresponding to the capacity of the memory is generated at a speed n times that of the write address signal, and the generation period thereof is determined by dividing itself into n equal parts of one cycle of the information accommodating unit. Multiplexing circuit, characterized in that it comprises n number of the read address generating means is a cycle duration, and selection means for selecting and synchronizing the signal read from the respective data memory read operation.
【請求項2】 上記k番目のデータメモリの(1+k/
n)×mで定まるメモリ容量が、そのアクセス単位量の
小数倍である場合には、メモリ容量をその小数を切り上
げた値にすることを特徴とする請求項1に記載の多重化
回路。
2. The (1 + k /) of the k-th data memory
The multiplexing circuit according to claim 1, wherein when the memory capacity determined by (n) × m is a decimal multiple of the access unit amount, the memory capacity is set to a value obtained by rounding up the decimal.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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US8035026B2 (en) 2003-08-26 2011-10-11 Kyocera Corporation Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and methods for manufacturing the same
US8519256B2 (en) 2003-08-26 2013-08-27 Kyocera Corporation Thermoelectric material, thermoelectric element, thermoelectric module and method for manufacturing the same

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