JPH08321663A - 外部共振波長可変半導体レーザーの作動方法 - Google Patents
外部共振波長可変半導体レーザーの作動方法Info
- Publication number
- JPH08321663A JPH08321663A JP15097195A JP15097195A JPH08321663A JP H08321663 A JPH08321663 A JP H08321663A JP 15097195 A JP15097195 A JP 15097195A JP 15097195 A JP15097195 A JP 15097195A JP H08321663 A JPH08321663 A JP H08321663A
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- Japan
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- semiconductor laser
- oscillation
- optical path
- wavelength
- bandpass filter
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 外部共振波長可変半導体レーザーシステムの
残留モード除去 【構成】 外部共振光路内に揺動自在にバンドパスフィ
ルターを配置する。バンドパスフィルターの角度変更に
よって発振波長を変更する際に，半導体レーザーの印加
電流を発振しきい値付近あるいはそれ以下に低減する。
そして，再び所定の印加電流に戻す。 【効果】 半導体レーザー内の元の残留モードがキャン
セルされるため，変更後の発振波長はモードホッピング
が極めて少ない急峻なスペクトルとなる。
残留モード除去 【構成】 外部共振光路内に揺動自在にバンドパスフィ
ルターを配置する。バンドパスフィルターの角度変更に
よって発振波長を変更する際に，半導体レーザーの印加
電流を発振しきい値付近あるいはそれ以下に低減する。
そして，再び所定の印加電流に戻す。 【効果】 半導体レーザー内の元の残留モードがキャン
セルされるため，変更後の発振波長はモードホッピング
が極めて少ない急峻なスペクトルとなる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は光通信に使用される各種
部品の波長特性評価試験等の光源に使用される外部共振
波長可変半導体レーザーの作動方法に関する。
部品の波長特性評価試験等の光源に使用される外部共振
波長可変半導体レーザーの作動方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】外部共振光路内にバンドパスフィルター
を揺動自在に配置し，半導体レーザーを作動させ，傾い
たバンドパスフィルターの透過波長を共振波長として発
振させる。外部共振光路長やバンドパスフィルターの傾
き角度そして半導体レーザー固有の発振特性により急峻
な発振スペクトルが決定される。半導体レーザーの自然
放出光をカットすべく，出力光路側に外部共振光路系を
配置した方式を本出願人は提案している。
を揺動自在に配置し，半導体レーザーを作動させ，傾い
たバンドパスフィルターの透過波長を共振波長として発
振させる。外部共振光路長やバンドパスフィルターの傾
き角度そして半導体レーザー固有の発振特性により急峻
な発振スペクトルが決定される。半導体レーザーの自然
放出光をカットすべく，出力光路側に外部共振光路系を
配置した方式を本出願人は提案している。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】外部共振光路内のバン
ドパスフィルターを角度変更して波長チューニングする
と，変更前の発振波長に影響され，チューニング波長は
少しずれて設定波長に一致しない。半導体レーザーの活
性領域内に変更前のモード成分が残留しているためであ
る。
ドパスフィルターを角度変更して波長チューニングする
と，変更前の発振波長に影響され，チューニング波長は
少しずれて設定波長に一致しない。半導体レーザーの活
性領域内に変更前のモード成分が残留しているためであ
る。
【０００４】
【課題を解決するための手段】バンドパスフィルターや
回折格子などを外部共振光路内に配置した波長可変半導
体レーザーに於いて，バンドパスフィルター等の傾き角
度を，希望する発振波長に設定し，半導体レーザーへの
印加電流をその発振しきい値電流付近まで一旦低減する
か，あるいはしきい値以下まで落とし，再び印加電流を
所定の発振電流値に戻す。半導体レーザーの残留モード
をキャンセルするため，波長再現性の優れた波長可変半
導体レーザーを提供できる。
回折格子などを外部共振光路内に配置した波長可変半導
体レーザーに於いて，バンドパスフィルター等の傾き角
度を，希望する発振波長に設定し，半導体レーザーへの
印加電流をその発振しきい値電流付近まで一旦低減する
か，あるいはしきい値以下まで落とし，再び印加電流を
所定の発振電流値に戻す。半導体レーザーの残留モード
をキャンセルするため，波長再現性の優れた波長可変半
導体レーザーを提供できる。
【０００５】
【作用】第１図の外部共振光路内でバンドパスフィルタ
ー２は急峻なスペクトル（半値巾はｎｍ単位）を透過さ
せる。半導体レーザー１の非出力側端面から放射された
光は，レンズとバンドパスフィルター２を通過し，ミラ
ー３にて反射され，同じ光路を逆方向に進み，半導体レ
ーザー１を通過し，ハーフミラー４にて一部反射され，
再び半導体レーザー１に戻る。ハーフミラー４とミラー
３との間の光路が外部共振光路となる。発振スペクトル
の急峻性はこの外部共振光路長に比例する。バンドパス
フィルターの角度を変更すると発振スペクトルは変化す
る。この変更後に，元の発振モードの残留影響を阻止す
べく，本発明では半導体レーザーへの印加電流を発振し
きい値付近あるいはそれ以下（ゼロを含む）に一旦減少
する。その後に所定の発振電流を半導体レーザーに印加
して，急峻でモードホッピングのないスペクトルを発振
させる。
ー２は急峻なスペクトル（半値巾はｎｍ単位）を透過さ
せる。半導体レーザー１の非出力側端面から放射された
光は，レンズとバンドパスフィルター２を通過し，ミラ
ー３にて反射され，同じ光路を逆方向に進み，半導体レ
ーザー１を通過し，ハーフミラー４にて一部反射され，
再び半導体レーザー１に戻る。ハーフミラー４とミラー
３との間の光路が外部共振光路となる。発振スペクトル
の急峻性はこの外部共振光路長に比例する。バンドパス
フィルターの角度を変更すると発振スペクトルは変化す
る。この変更後に，元の発振モードの残留影響を阻止す
べく，本発明では半導体レーザーへの印加電流を発振し
きい値付近あるいはそれ以下（ゼロを含む）に一旦減少
する。その後に所定の発振電流を半導体レーザーに印加
して，急峻でモードホッピングのないスペクトルを発振
させる。
【０００６】
【実施例】半導体レーザー１の非出力側端面ファセット
（facet)に反射防止処理を施し，レンズ，揺動自在なバ
ンドパスフィルター２，ミラー３とを順次配置する。出
力光路側にはレンズとハーフミラー４を配置し，このハ
ーフミラー４とミラー３とで外部共振光路を形成する。
ＬＤ駆動回路５から印加される電流値と光出力の関係を
示す第２図により，発振しきい値（λ0)以下では半導体
レーザー1 は発振せず，それ以上では比例することが理
解される。フィルタ制御回路６は，バンドパスフィルタ
ー２の傾き角度を制御するもので，角度センサーや揺動
手段等から構成される。平行光路に対するバンドパスフ
ィルターの角度と透過波長の関係式は，フィルタ制御回
路６に予め入力されている。ある角度のバンドパスフィ
ルター２を別の角度に変更して透過波長を変更する際
に，バンドパスフィルター２をフィルタ制御回路６にて
変更し，外部共振光路内の光を一旦消滅する。変更前の
残留モードをキャンセルするためである。外部共振光路
内の光を消滅するためには，第２図の出力特性を有する
半導体レーザーでは，発振しきい値（λ0) 付近まで印
加電流を低減するか，あるいは発振しきい値以下（印加
電流がゼロも含む）に低減する。
（facet)に反射防止処理を施し，レンズ，揺動自在なバ
ンドパスフィルター２，ミラー３とを順次配置する。出
力光路側にはレンズとハーフミラー４を配置し，このハ
ーフミラー４とミラー３とで外部共振光路を形成する。
ＬＤ駆動回路５から印加される電流値と光出力の関係を
示す第２図により，発振しきい値（λ0)以下では半導体
レーザー1 は発振せず，それ以上では比例することが理
解される。フィルタ制御回路６は，バンドパスフィルタ
ー２の傾き角度を制御するもので，角度センサーや揺動
手段等から構成される。平行光路に対するバンドパスフ
ィルターの角度と透過波長の関係式は，フィルタ制御回
路６に予め入力されている。ある角度のバンドパスフィ
ルター２を別の角度に変更して透過波長を変更する際
に，バンドパスフィルター２をフィルタ制御回路６にて
変更し，外部共振光路内の光を一旦消滅する。変更前の
残留モードをキャンセルするためである。外部共振光路
内の光を消滅するためには，第２図の出力特性を有する
半導体レーザーでは，発振しきい値（λ0) 付近まで印
加電流を低減するか，あるいは発振しきい値以下（印加
電流がゼロも含む）に低減する。
【０００７】
【発明の効果】要するに，本発明はバンドパスフィルタ
ーなどを外部共振光路内に配置した波長可変半導体レー
ザーに於いて，バンドパスフィルター２の傾き角度を希
望する発振波長に設定し，外部共振光路内の光を一時的
に消滅し，その後に所定の光パワーレベルまで回復させ
るため，半導体レーザー１の残留モードはキャンセルさ
れ，モードホップが少ない急峻な発振波長をえることが
できる。
ーなどを外部共振光路内に配置した波長可変半導体レー
ザーに於いて，バンドパスフィルター２の傾き角度を希
望する発振波長に設定し，外部共振光路内の光を一時的
に消滅し，その後に所定の光パワーレベルまで回復させ
るため，半導体レーザー１の残留モードはキャンセルさ
れ，モードホップが少ない急峻な発振波長をえることが
できる。
【図１】外部共振光路内のバンドパスフィルターを揺動
自在に配置した説明図である。
自在に配置した説明図である。
【図２】半導体レーザーの印加電流と光出力との関係図
である。
である。
【符号の説明】 １ 半導体レーザー ２ バンドパスフィルター ３ ミラー ４ ハーフミラー ５ ＬＤ駆動回路 ６ フィルタ制御回路
Claims (3)
- 【請求項１】 バンドパスフィルターなどを外部共振光
路内に配置した波長可変半導体レーザーに於いて，バン
ドパスフィルター等の傾き角度を希望する発振波長に設
定し，外部共振光路内の光を一時的に消滅し，その後に
所定の光パワーレベルまで回復させる，外部共振波長可
変半導体レーザーの作動方法。 - 【請求項２】 バンドパスフィルターや回折格子などを
外部共振光路内に配置した波長可変半導体レーザーに於
いて，バンドパスフィルター等の傾き角度を希望する発
振波長に設定し，半導体レーザーへの印加電流をその発
振しきい値電流付近まで一旦低減し，再び印加電流を所
定の発振電流値に戻す，外部共振波長可変半導体レーザ
ーの作動方法。 - 【請求項３】 バンドパスフィルターや回折格子などを
外部共振光路内に配置した波長可変半導体レーザーに於
いて，バンドパスフィルター等の傾き角度を希望する発
振波長に設定し，半導体レーザーへの印加電流をその発
振しきい値電流以下まで一旦低減し，再び印加電流を所
定の発振電流値に戻す，外部共振波長可変半導体レーザ
ーの作動方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15097195A JPH08321663A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 外部共振波長可変半導体レーザーの作動方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15097195A JPH08321663A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 外部共振波長可変半導体レーザーの作動方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08321663A true JPH08321663A (ja) | 1996-12-03 |
Family
ID=15508450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15097195A Pending JPH08321663A (ja) | 1995-05-25 | 1995-05-25 | 外部共振波長可変半導体レーザーの作動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08321663A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1059712A2 (en) * | 1999-06-11 | 2000-12-13 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
| WO2001095445A3 (en) * | 2000-06-02 | 2002-09-19 | Coherent Inc | Optically-pumped semiconductor laser with output coupled to optical fiber |
-
1995
- 1995-05-25 JP JP15097195A patent/JPH08321663A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1059712A2 (en) * | 1999-06-11 | 2000-12-13 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
| EP1059712A3 (en) * | 1999-06-11 | 2001-10-04 | Nec Corporation | Semiconductor laser module |
| WO2001095445A3 (en) * | 2000-06-02 | 2002-09-19 | Coherent Inc | Optically-pumped semiconductor laser with output coupled to optical fiber |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040527 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050222 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20050628 |