JPH0832108A - 光半導体素子の製造方法 - Google Patents
光半導体素子の製造方法Info
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- JPH0832108A JPH0832108A JP15829194A JP15829194A JPH0832108A JP H0832108 A JPH0832108 A JP H0832108A JP 15829194 A JP15829194 A JP 15829194A JP 15829194 A JP15829194 A JP 15829194A JP H0832108 A JPH0832108 A JP H0832108A
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- semiconductor layer
- light emitting
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 複雑な処理を必要とすることなく、外部取り
出し効率が大幅に向上し、高効率の光半導体素子及びそ
の製造方法を提供することである。 【構成】 一導電型半導体層と、逆導電型半導体層とを
有する光半導体素子の製造方法において、前記一導電型
半導体層上に選択的にレジスト膜を形成し、該レジスト
膜を熱変形させ、前記一導電型半導体層に対して選択的
にエッチングする。 【効果】 半導体基板毎にドライ、ウエットエッチング
処理をするために複雑な複数エッチングと結晶成長を必
要をせず、再現性よく順メサ形状若しくはドーム形状レ
ンズが形成され、光を有効に取り出すことができ、量産
性に優れる。
出し効率が大幅に向上し、高効率の光半導体素子及びそ
の製造方法を提供することである。 【構成】 一導電型半導体層と、逆導電型半導体層とを
有する光半導体素子の製造方法において、前記一導電型
半導体層上に選択的にレジスト膜を形成し、該レジスト
膜を熱変形させ、前記一導電型半導体層に対して選択的
にエッチングする。 【効果】 半導体基板毎にドライ、ウエットエッチング
処理をするために複雑な複数エッチングと結晶成長を必
要をせず、再現性よく順メサ形状若しくはドーム形状レ
ンズが形成され、光を有効に取り出すことができ、量産
性に優れる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光半導体素子の製造方
法に関し、特に、発光素子の表面に光取り出し用のドー
ム形状若しくは順メサ形状のレンズを載置し、光の外部
取り出し効率を向上させた光半導体素子の製造方法に関
する。
法に関し、特に、発光素子の表面に光取り出し用のドー
ム形状若しくは順メサ形状のレンズを載置し、光の外部
取り出し効率を向上させた光半導体素子の製造方法に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、発光ダイオード（ＬＥＤ）の高効
率化、高信頼性により屋内のみならず屋外でも各種表示
装置や伝送方式に幅広く使用されている。また、一方で
は省電力の点から、いっそうの高効率化が求められてい
る。ＬＥＤの高効率化は内部発光効率の向上、また素子
内部での光吸収、内部反射を低減させた外部発光効率の
向上により実現されている。従来の一般的なＬＥＤは図
６に示すように、ペレット表面が全面発光する面発光型
であり、結晶成長からペレット化する製造工程は至って
簡単であり、そのため安価で製造することができる。
率化、高信頼性により屋内のみならず屋外でも各種表示
装置や伝送方式に幅広く使用されている。また、一方で
は省電力の点から、いっそうの高効率化が求められてい
る。ＬＥＤの高効率化は内部発光効率の向上、また素子
内部での光吸収、内部反射を低減させた外部発光効率の
向上により実現されている。従来の一般的なＬＥＤは図
６に示すように、ペレット表面が全面発光する面発光型
であり、結晶成長からペレット化する製造工程は至って
簡単であり、そのため安価で製造することができる。
【０００３】しかしながら、従来の一般的なＬＥＤは、
図６のように、屈折率の大きな半導体結晶を用いている
ために発光部で発光した光は空気や樹脂との界面で臨界
角以上になると全反射してしまい有効な光を取り出すこ
とができないという欠点があった。
図６のように、屈折率の大きな半導体結晶を用いている
ために発光部で発光した光は空気や樹脂との界面で臨界
角以上になると全反射してしまい有効な光を取り出すこ
とができないという欠点があった。
【０００４】そこで、この内部反射を低減し高効率化を
実現した例としては、図５に示すようなＬＥＤペレット
の光取り出し面を半球状にしたドーム型赤外ＬＥＤ（日
立評論 1983 No.10 P49-P52 、特公昭５８−３２５１
７）が開示されている。
実現した例としては、図５に示すようなＬＥＤペレット
の光取り出し面を半球状にしたドーム型赤外ＬＥＤ（日
立評論 1983 No.10 P49-P52 、特公昭５８−３２５１
７）が開示されている。
【０００５】このドーム型赤外ＬＥＤの構造では、ペレ
ットのドーム形状の中心部に発光部があり、この発光部
で発光した光のほとんどがペレットの半球状界面に対し
て臨界角内に入射する。そのためペレット界面で全反射
されることなくペレット外部に有効に光が取り出され発
光効率の高いＬＥＤが得られている。
ットのドーム形状の中心部に発光部があり、この発光部
で発光した光のほとんどがペレットの半球状界面に対し
て臨界角内に入射する。そのためペレット界面で全反射
されることなくペレット外部に有効に光が取り出され発
光効率の高いＬＥＤが得られている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示したドーム型のＬＥＤでは、発光部がペレットのドー
ムの中心に位置し、ペレット内部の光を有効に取り出す
ことができるが、このようなドーム型の形状を得るため
には選択的に結晶成長とエッチングを繰り返すことが必
要となるため製造工程が複雑となる。更に、素子分離後
にペレット表面を個々のペレットごとに半球状に加工し
なければならないため、製造工程が増加し、かつ、複雑
なものとなってしまう。以上から、量産性の点で劣るた
め、製造コストが増大してしまった。
示したドーム型のＬＥＤでは、発光部がペレットのドー
ムの中心に位置し、ペレット内部の光を有効に取り出す
ことができるが、このようなドーム型の形状を得るため
には選択的に結晶成長とエッチングを繰り返すことが必
要となるため製造工程が複雑となる。更に、素子分離後
にペレット表面を個々のペレットごとに半球状に加工し
なければならないため、製造工程が増加し、かつ、複雑
なものとなってしまう。以上から、量産性の点で劣るた
め、製造コストが増大してしまった。
【０００７】本発明は上記事情に鑑みて成されたもので
あり、その目的とするところは、複雑な処理を必要とす
ることなく、外部取り出し効率が大幅に向上し、高効率
の光半導体素子の製造方法を提供することである。
あり、その目的とするところは、複雑な処理を必要とす
ることなく、外部取り出し効率が大幅に向上し、高効率
の光半導体素子の製造方法を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに本発明の特徴は、一導電型半導体層と、逆導電型半
導体層とを有する光半導体素子の製造方法において、前
記一導電型半導体層上に選択的にレジスト膜を形成し、
該レジスト膜を熱変形させ、前記一導電型半導体層に対
して選択的にエッチングすることである。
めに本発明の特徴は、一導電型半導体層と、逆導電型半
導体層とを有する光半導体素子の製造方法において、前
記一導電型半導体層上に選択的にレジスト膜を形成し、
該レジスト膜を熱変形させ、前記一導電型半導体層に対
して選択的にエッチングすることである。
【０００９】ここで、前記一導電型半導体層に対して選
択的にエッチングする場合には、前記一導電型半導体層
の光を取り出す側に１個または複数個のドーム形状また
は順メサ形状のレンズを形成することが好ましい。
択的にエッチングする場合には、前記一導電型半導体層
の光を取り出す側に１個または複数個のドーム形状また
は順メサ形状のレンズを形成することが好ましい。
【００１０】また、前記一導電型半導体層の光を取り出
す側に１個または複数個のドーム形状または順メサ形状
のレンズを形成する場合は、前記レジスト膜と前記一導
電型半導体層とを交互にドライエッチングを行うことが
好ましく、更に、その後に該ドライエッチングされた一
導電型半導体層にウエットエッチングを行うことが、よ
り滑らかな半円状を作製することができるという点で好
ましい。
す側に１個または複数個のドーム形状または順メサ形状
のレンズを形成する場合は、前記レジスト膜と前記一導
電型半導体層とを交互にドライエッチングを行うことが
好ましく、更に、その後に該ドライエッチングされた一
導電型半導体層にウエットエッチングを行うことが、よ
り滑らかな半円状を作製することができるという点で好
ましい。
【００１１】また、前記選択的に除去して、残ったレジ
ストの形状は、円形、又は正方形が好ましい。
ストの形状は、円形、又は正方形が好ましい。
【００１２】また、前記レジスト膜と前記発光部とを交
互にドライエッチングを行う場合には、熱変形させたレ
ジストと発光部の半導体材料が同じエッチングレート
(1:1)になるようなガス条件が好ましい。
互にドライエッチングを行う場合には、熱変形させたレ
ジストと発光部の半導体材料が同じエッチングレート
(1:1)になるようなガス条件が好ましい。
【００１３】
【作用】本発明は、半導体基板上のｐｎ接合を有する発
光素子の光を取り出す側にレジストを塗布し、露光装置
で感光させ、その後現像液で発光部ごとに選択的に除去
する。レジストは高温でベークし、熱変形させ所定の形
状を得る。
光素子の光を取り出す側にレジストを塗布し、露光装置
で感光させ、その後現像液で発光部ごとに選択的に除去
する。レジストは高温でベークし、熱変形させ所定の形
状を得る。
【００１４】所定のレジスト形状を形成した半導体基板
をＲＩＥ装置内に載置し、半導体をエッチングするとガ
スと、レジストをエッチングするガスを交互に流しなが
ら、半導体とレジストをドライエッチングする。
をＲＩＥ装置内に載置し、半導体をエッチングするとガ
スと、レジストをエッチングするガスを交互に流しなが
ら、半導体とレジストをドライエッチングする。
【００１５】ここで得られた形状は階段状であるので、
ドライエッチング終了後ウエットエッチング液でエッチ
ングし、滑らかなドーム形状を得る。発光部に対して必
要な部分にドーム形状を形成することで外部に有効に光
を取り出すことができる。
ドライエッチング終了後ウエットエッチング液でエッチ
ングし、滑らかなドーム形状を得る。発光部に対して必
要な部分にドーム形状を形成することで外部に有効に光
を取り出すことができる。
【００１６】また、半導体基板毎にドライ及びウエット
エッチング処理してドーム形状を得ることができるため
量産性に優れる。
エッチング処理してドーム形状を得ることができるため
量産性に優れる。
【００１７】
【実施例】本発明に係る一実施例について図面を参照し
ながら説明する。
ながら説明する。
【００１８】本実施例ではＧａＰ（ガリウムリン）ＬＥ
Ｄについて説明する。
Ｄについて説明する。
【００１９】図２(a) は、ｎ型ＧａＰ基板１上に発光部
が配列されたウエハの断面図である。このウエハは、ｎ
型ＧａＰ基板１と、該ｎ型ＧａＰ基板１上に積層された
ｎ型成長層３と、該ｎ型成長層上３に積層されたｐ型成
長層５と、前記ｎ型ＧａＰ基板１下部及びｐ型成長層５
上部に備えられた電極７及び９とから構成されている。
このｐ型成長層上部の電極９は適当な間隔を有して備え
られている。
が配列されたウエハの断面図である。このウエハは、ｎ
型ＧａＰ基板１と、該ｎ型ＧａＰ基板１上に積層された
ｎ型成長層３と、該ｎ型成長層上３に積層されたｐ型成
長層５と、前記ｎ型ＧａＰ基板１下部及びｐ型成長層５
上部に備えられた電極７及び９とから構成されている。
このｐ型成長層上部の電極９は適当な間隔を有して備え
られている。
【００２０】このウエハについて本発明の光半導体素子
の製造方法を適用し、ＬＥＤを作製する。
の製造方法を適用し、ＬＥＤを作製する。
【００２１】（１）まず、ｐ型成長層５上部側の発光部
にレジスト膜を塗布し、９０℃（８０℃から１００℃で
もよい）で２０分間（１５分間から２５分間でもよい）
プリベークする（図２(b) ）。
にレジスト膜を塗布し、９０℃（８０℃から１００℃で
もよい）で２０分間（１５分間から２５分間でもよい）
プリベークする（図２(b) ）。
【００２２】（２）次に、レジストを露光装置で感光さ
せ、その後、現像液で発光部毎に選択的に除去する（図
２(c),(d) ）。前記選択的に除去して、残ったレジスト
の形状は、(c) の場合は、直径１０μｍ（３ [μm]から
２０ [μm]でもよい）の円形、又は、一辺８μｍ（３
[μm]から２０ [μm]でもよい）の正方形が好ましい。
せ、その後、現像液で発光部毎に選択的に除去する（図
２(c),(d) ）。前記選択的に除去して、残ったレジスト
の形状は、(c) の場合は、直径１０μｍ（３ [μm]から
２０ [μm]でもよい）の円形、又は、一辺８μｍ（３
[μm]から２０ [μm]でもよい）の正方形が好ましい。
【００２３】ここで、図２(c) は第１の実施例として、
電極９の間の発光面に本発明を適用した例であり、図２
(d) は、第２の実施例として、電極９の周囲の発光面に
本発明を適用した例である。
電極９の間の発光面に本発明を適用した例であり、図２
(d) は、第２の実施例として、電極９の周囲の発光面に
本発明を適用した例である。
【００２４】（３）次に、レジストを１８０℃（１６０
℃から２００℃でもよい）で１０分間（５分間から１５
分間でもよい）ポストベークし、熱変形させて所定のド
ーム型（半球状）にする（図２(e),(f) ）。
℃から２００℃でもよい）で１０分間（５分間から１５
分間でもよい）ポストベークし、熱変形させて所定のド
ーム型（半球状）にする（図２(e),(f) ）。
【００２５】（４）図３(a) は前記熱変形させて半球状
にしたレジストの拡大図である。以降、説明を容易にす
るため、この半球状にしたレジストの拡大図を用いて説
明を行うことにする。
にしたレジストの拡大図である。以降、説明を容易にす
るため、この半球状にしたレジストの拡大図を用いて説
明を行うことにする。
【００２６】この半球状のレジストを有するウエハをＲ
ＩＥ装置にてエッチングを行う。ここで用いられるＲＩ
Ｅ装置は図４に示すように、平行平板電極１３を有する
反応室１１は、エッチングガスを導入する配管１５、更
にマスフローコントローラ１７を介してガスボンベ（図
示せず）に接続されている。また、反応室１１はドライ
ポンプ１９、ターボ分子ポンプ２１により排気され、真
空度はバルブ２５により調整される。平行平板電極板１
３へは高周波電力（13.56[Hz])が整合器を介して供給さ
れる。
ＩＥ装置にてエッチングを行う。ここで用いられるＲＩ
Ｅ装置は図４に示すように、平行平板電極１３を有する
反応室１１は、エッチングガスを導入する配管１５、更
にマスフローコントローラ１７を介してガスボンベ（図
示せず）に接続されている。また、反応室１１はドライ
ポンプ１９、ターボ分子ポンプ２１により排気され、真
空度はバルブ２５により調整される。平行平板電極板１
３へは高周波電力（13.56[Hz])が整合器を介して供給さ
れる。
【００２７】次に、この電極板上にウエハを載置し、ｐ
型成長層に対して反応室圧力１[Pa]（0.5[Pa] から 2[P
a]でもよい）、ガス BCl3 ：Cl2 ＝100:20[sccm]（80:1
0[sccm] から120:30[sccm]でもよい）、高周波電力200
[W]（150[W]から250[W]でもよい）、90[sec.]（60[se
c.]から120[sec.] でもよい）（図３(b),(d) ）、ま
た、レジストに対しては反応室圧力15[Pa]（10[Pa]から
20[Pa]でもよい）、ガス O2=100[sccm]（80[sccm]から1
20[sccm] でもよい）、高周波電力600[W]（550[W]から6
50[W]でもよい）で40[sec.]（30[sec.]から50[sec.]で
もよい）で交互にエッチングを複数回繰り返す（図３
(c),(e) ）。
型成長層に対して反応室圧力１[Pa]（0.5[Pa] から 2[P
a]でもよい）、ガス BCl3 ：Cl2 ＝100:20[sccm]（80:1
0[sccm] から120:30[sccm]でもよい）、高周波電力200
[W]（150[W]から250[W]でもよい）、90[sec.]（60[se
c.]から120[sec.] でもよい）（図３(b),(d) ）、ま
た、レジストに対しては反応室圧力15[Pa]（10[Pa]から
20[Pa]でもよい）、ガス O2=100[sccm]（80[sccm]から1
20[sccm] でもよい）、高周波電力600[W]（550[W]から6
50[W]でもよい）で40[sec.]（30[sec.]から50[sec.]で
もよい）で交互にエッチングを複数回繰り返す（図３
(c),(e) ）。
【００２８】ここで、交互にエッチングを複数回繰り返
し、出来上がった断面の形状は階段状になるため（図３
(f) ）、ウエットエッチング液（例えば GaP系材料では
王水系、GaAs系では硫酸＋過酸化水素水系）でエッチン
グし、滑らかな形状にする（図３(g））。ここで、熱変
形させたレジストと発光部の半導体材料が同じエッチン
グレート(1:1) になるようなガス条件があればなお好ま
しい。この条件で垂直方向のエッチングを行えば前項の
熱変形したレジスト形状を反映した形状が発光部表面に
形成されたドライエッチング工程の簡素化及びウエット
エッチング工程が省略される。
し、出来上がった断面の形状は階段状になるため（図３
(f) ）、ウエットエッチング液（例えば GaP系材料では
王水系、GaAs系では硫酸＋過酸化水素水系）でエッチン
グし、滑らかな形状にする（図３(g））。ここで、熱変
形させたレジストと発光部の半導体材料が同じエッチン
グレート(1:1) になるようなガス条件があればなお好ま
しい。この条件で垂直方向のエッチングを行えば前項の
熱変形したレジスト形状を反映した形状が発光部表面に
形成されたドライエッチング工程の簡素化及びウエット
エッチング工程が省略される。
【００２９】（５）最後にダイザーで各発光部ごとに分
離し、ペレットにする。
離し、ペレットにする。
【００３０】以上のようにして、ドーム型レンズを発光
面に作成することができる。
面に作成することができる。
【００３１】図１中(a) は、第１の実施例として、ドー
ム形状レンズを発光面に無数に形成した例である。
ム形状レンズを発光面に無数に形成した例である。
【００３２】図１中(c) は、第２の実施例として、電極
の周囲をドーム形状にした例である。これは、Gap 系材
料のような抵抗が高い材料では電極９近傍が強く発光す
るため、発光強度の強い部分の光を有効に取り出すため
に、電極の周囲をドーム形状にしたものである。
の周囲をドーム形状にした例である。これは、Gap 系材
料のような抵抗が高い材料では電極９近傍が強く発光す
るため、発光強度の強い部分の光を有効に取り出すため
に、電極の周囲をドーム形状にしたものである。
【００３３】図１中(e) は、上記第１実施例及び第２実
施例を組み合わせたものである。
施例を組み合わせたものである。
【００３４】このように本実施例では、半円型の形状の
ものについて説明したが、これに限らず、レジストを選
択的な除去、及び、熱変形したレジストと発光部の半導
体材料のエッチングレートの割合を調整させることによ
り、様々な形状エッチングすることも可能である。これ
により、様々な用途に、製造コストに応じた光半導体素
子を作製することができる。
ものについて説明したが、これに限らず、レジストを選
択的な除去、及び、熱変形したレジストと発光部の半導
体材料のエッチングレートの割合を調整させることによ
り、様々な形状エッチングすることも可能である。これ
により、様々な用途に、製造コストに応じた光半導体素
子を作製することができる。
【００３５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、発
光面に順メサ形状もしくはドーム形状レンズを１個若し
くは多数個形成することにより、発光層で発光した光が
半導体結晶と樹脂または空気の境界面で全反射すること
なくペレット外部に有効に取り出される。従って、外部
取り出し効率が大幅に向上し、高効率の発光ダイオード
が得られる。
光面に順メサ形状もしくはドーム形状レンズを１個若し
くは多数個形成することにより、発光層で発光した光が
半導体結晶と樹脂または空気の境界面で全反射すること
なくペレット外部に有効に取り出される。従って、外部
取り出し効率が大幅に向上し、高効率の発光ダイオード
が得られる。
【００３６】また、発光面上に熱変形されたレジストサ
イズ及び形状により、発光部のレンズのサイズ、形状が
決定され、また、半導体基板毎にドライ、ウエットエッ
チング処理をするために複雑な複数エッチングと結晶成
長を必要をせず、再現性よく順メサ形状若しくはドーム
形状レンズが形成され、光を有効に取り出すことがで
き、量産性に優れる。
イズ及び形状により、発光部のレンズのサイズ、形状が
決定され、また、半導体基板毎にドライ、ウエットエッ
チング処理をするために複雑な複数エッチングと結晶成
長を必要をせず、再現性よく順メサ形状若しくはドーム
形状レンズが形成され、光を有効に取り出すことがで
き、量産性に優れる。
【図１】(a) は、ドーム形状レンズを発光面に無数に形
成した例であり、(b) はその断面図である。(c) は、電
極の周囲をドーム形状にした例であり、(d) はその断面
図である。(e) は、前記 (a)、(c) を組み合わせた例で
あり、(f) はその断面図である。
成した例であり、(b) はその断面図である。(c) は、電
極の周囲をドーム形状にした例であり、(d) はその断面
図である。(e) は、前記 (a)、(c) を組み合わせた例で
あり、(f) はその断面図である。
【図２】本発明に係る光半導体素子の製造方法を説明す
る図である（前半部）。
る図である（前半部）。
【図３】本発明に係る光半導体素子の製造方法を説明す
る図である（後半部）。
る図である（後半部）。
【図４】本発明を実施するための装置を示した図であ
る。
る。
【図５】従来の光半導体素子を示した図である。
【図６】従来の光半導体素子を示した図である。
１ ｎ型ＧａＰ基板 ３ ｎ型成長層 ５ ｐ型成長層 ７、９ 電極 １１ 反応室 １３ 平行平板電極板 １５ 配管 １７ マスフローコントローラ １９ ドライポンプ ２１ ターボ分子ポンプ ２３ バルブ ２５ バルブ ３１ 光透過層(GaAlAs) ３３ P- GaAlAs層 ３５ P+ GaAlAs層 ３７ SiO2 膜 ３９ n GaAlAs層 ４１ ｐｎ接合 ４３ P+ GaAlAs層 ４５ ｎ型電極 ４７ ｐ型電極 ４９ 配線基板 ５１ 金ワイヤ ５３ n+ GaAlAs層 ５５ P+ -n及び P+ -n+ 接合 ５７ 配線用電極
Claims (3)
- 【請求項１】 一導電型半導体層と、逆導電型半導体層
とを有する光半導体素子の製造方法において、 前記一導電型半導体層上に選択的にレジスト膜を形成
し、 該レジスト膜を熱変形させ、 前記一導電型半導体層に対して選択的にエッチングする
ことを特徴とする光半導体素子の製造方法。 - 【請求項２】 前記一導電型半導体層に対して選択的に
エッチングする場合には、 前記一導電型半導体層の光を取り出す側に１個または複
数個のドーム形状または順メサ形状のレンズを形成する
ことを特徴とする請求項１記載の光半導体素子の製造方
法。 - 【請求項３】 前記一導電型半導体層の光を取り出す側
に１個または複数個のドーム形状または順メサ形状のレ
ンズを形成する場合は、 前記レジスト膜と前記一導電型半導体層とを交互にドラ
イエッチングを行うことを特徴とする請求項２記載の光
半導体素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15829194A JPH0832108A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 光半導体素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15829194A JPH0832108A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 光半導体素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0832108A true JPH0832108A (ja) | 1996-02-02 |
Family
ID=15668401
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15829194A Pending JPH0832108A (ja) | 1994-07-11 | 1994-07-11 | 光半導体素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0832108A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007165515A (ja) * | 2005-12-13 | 2007-06-28 | Showa Denko Kk | 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子 |
| JP2008514028A (ja) * | 2004-09-22 | 2008-05-01 | クリー インコーポレイテッド | レンズ状表面を有する高効率ｉｉｉ族窒化物ｌｅｄ |
-
1994
- 1994-07-11 JP JP15829194A patent/JPH0832108A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008514028A (ja) * | 2004-09-22 | 2008-05-01 | クリー インコーポレイテッド | レンズ状表面を有する高効率ｉｉｉ族窒化物ｌｅｄ |
| US8692267B2 (en) | 2004-09-22 | 2014-04-08 | Cree, Inc. | High efficiency Group III nitride LED with lenticular surface |
| US8878209B2 (en) | 2004-09-22 | 2014-11-04 | Cree, Inc. | High efficiency group III nitride LED with lenticular surface |
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