JPH08316702A - High-frequency filter and impedance transformer - Google Patents
High-frequency filter and impedance transformerInfo
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- JPH08316702A JPH08316702A JP12268095A JP12268095A JPH08316702A JP H08316702 A JPH08316702 A JP H08316702A JP 12268095 A JP12268095 A JP 12268095A JP 12268095 A JP12268095 A JP 12268095A JP H08316702 A JPH08316702 A JP H08316702A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】この発明は、主としてVHF帯、
UHF帯、マイクロ波帯、およびミリ波帯で用いられる
高周波フィルタおよびインピーダンス変成器の広帯域化
に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention is mainly applied to VHF band,
The present invention relates to widening the frequency range of high-frequency filters and impedance transformers used in the UHF band, microwave band, and millimeter wave band.
【0002】[0002]
【従来の技術】図34〜35はS.Herbert, “ Microstr
ip Interdigital Filter Design ,”Microwave Journal
,pp.187-188, Nov.1990、あるいは、J.A.G.Malherbe,
“ Microwave Transmission Line Filters”, ARTECH H
OUSE, INC, pp.111-130, 1979.に示され従来の高周波フ
ィルタの設計手順を示す図であり、図34は設計フロ
ー、図35は原形低域通過フィルタの回路、図36はイ
ンタディジタル形帯域通過フィルタの等価回路である。
図35において、Ci’(i=1,3)およびLi’(i=2,4)は
原形低域通過フィルタの素子、G0’は電源インピーダ
ンス、G5’は負荷インピーダンス、gi (i=0,1,…,
5)はフィルタの伝達関数によって定まる係数である。
また、図36において、Li (i=1,…,4)は並列インダ
クタンス、Ji,i+1 (i,=1,2,3)はJインバータ、δ0
およびδ5はインピーダンス変成比である。LiおよびJ
i,i+1はθ=π/2となる周波数近傍で図36(b)お
よび(c)に示す分布定数線路の等価回路で表される。2. Description of the Related Art FIGS. 34-35 are published by S. Herbert, "Microstr.
ip Interdigital Filter Design, ”Microwave Journal
, pp.187-188, Nov.1990, or JAGMalherbe,
“Microwave Transmission Line Filters”, ARTECH H
OUSE, INC, pp.111-130, 1979. It is a figure which shows the design procedure of the conventional high frequency filter, FIG. 34 is a design flow, FIG. 35 is a circuit of a prototype low pass filter, FIG. Is an equivalent circuit of a bandpass filter.
In FIG. 35, Ci '(i = 1,3) and Li' (i = 2,4) are elements of the original low-pass filter, G0 'is a source impedance, G5' is a load impedance, and gi (i = 0,4). 1, ...,
5) is a coefficient determined by the transfer function of the filter.
Further, in FIG. 36, Li (i = 1, ..., 4) is a parallel inductance, Ji, i + 1 (i, = 1,2,3) is a J inverter, and δ0.
And δ5 are impedance transformation ratios. Li and J
i and i + 1 are represented by the equivalent circuit of the distributed constant line shown in FIGS. 36B and 36C in the vicinity of the frequency where θ = π / 2.
【0003】次に設計手順について説明する。まず初め
に、所望の通過帯域幅、通過帯域内リップル、共振器の
段数、および、伝達関数として用いるチェビシェフ級数
の係数から原形低域通過フィルタの素子値を決定する.
次に、原形低域通過フィルタに対して周波数変換を行
い、さらに、Jインバータを導入して図36(a)に示
す帯域通過フィルタの等価回路に変換する。このときJ
インバータおよび並列インダクタンスを、図36(b),
(c)に示すように、フィルタの中心周波数近傍において
近似的に電気長θの先端短絡スタブを用いた分布定数形
等価回路に置き換える。従来のインタディジタル形帯域
通過フィルタの設計は、この分布定数形等価回路を用い
て行われる。Next, the design procedure will be described. First, the element value of the original low-pass filter is determined from the desired passband width, ripple in the passband, the number of resonator stages, and the coefficient of the Chebyshev series used as the transfer function.
Next, frequency conversion is performed on the original low-pass filter, and further, a J inverter is introduced to convert it into the equivalent circuit of the band-pass filter shown in FIG. At this time J
The inverter and parallel inductance are shown in Fig. 36 (b),
As shown in (c), it is replaced with a distributed constant type equivalent circuit using a tip short-circuited stub with an electrical length of approximately in the vicinity of the center frequency of the filter. A conventional interdigital bandpass filter is designed by using this distributed constant type equivalent circuit.
【0004】高周波フィルタは一般に分布定数線路の共
振器により構成され、図36の等価回路により周波数特
性を比較的精度よく計算できる。図36による従来の高
周波フィルタの反射特性は、中心周波数から離れた周波
数では図36(b),(c)の近似による誤差が大きくなるた
め、特に通過帯域が広い場合には図37に実線で示すよ
うに通過帯域端で反射損が大きくなる。The high frequency filter is generally composed of a resonator of a distributed constant line, and the frequency characteristic can be calculated relatively accurately by the equivalent circuit of FIG. The reflection characteristic of the conventional high-frequency filter shown in FIG. 36 has a large error due to the approximation of FIGS. 36 (b) and 36 (c) at frequencies away from the center frequency. As shown, the reflection loss increases at the pass band edge.
【0005】また、図38〜40は、R.E.Collin, “ F
oundations for Microwave Engineering ”, McGraw-Hi
ll, Inc, pp.639-642, 1979. 、あるいは、特開平6ー
216608に示された従来の別の高周波フィルタの設
計手順を示す図であり、図38は設計フロー、図39は
原形低域通過フィルタの回路、図40と図41は導波管
形帯域通過フィルタの等価回路である。図39におい
て、Ci’(i=1,3,…,11)およびLi’、(i=2,4,…,10)
は原形低域通過フィルタの素子、G0’は電源インピー
ダンス、G5’は負荷インピーダンス、gi 、(i=0,1,
…,12)はフィルタの伝達関数によって定まる係数であ
る。また、図40(a)において、Li (i=1,2,…,1
1)は直列インダクタンス、 Ci (i=1,2,…,11)は直
列キャパシタンス、Ki,i+1 (i,=1,2,3)はKインバー
タである。θ=πとなる周波数近傍において、Ki,j
は図40(b)に示す並列サセプタンスBi,jによって
表される。Bi,jはたとえば誘導性アイリスによって実
現される。また、LiとCiからなる直列共振回路は、電
気長θiの導波管回路で表される。38 to 40 show RECollin, "F
soundations for Microwave Engineering ”, McGraw-Hi
ll, Inc, pp.639-642, 1979. or another conventional high-frequency filter design procedure shown in Japanese Patent Laid-Open No. 6-216608, FIG. 38 is a design flow, and FIG. 39 is a prototype low-frequency filter. The circuit of the band pass filter, and FIGS. 40 and 41 are equivalent circuits of the waveguide band pass filter. In FIG. 39, Ci '(i = 1,3, ..., 11) and Li', (i = 2,4, ..., 10)
Is the element of the original low-pass filter, G0 'is the source impedance, G5' is the load impedance, gi, (i = 0,1,
..., 12) are the coefficients determined by the transfer function of the filter. Further, in FIG. 40 (a), Li (i = 1,2, ..., 1
1) is a series inductance, Ci (i = 1,2, ..., 11) is a series capacitance, and Ki, i + 1 (i, = 1,2,3) is a K inverter. In the vicinity of the frequency where θ = π, Ki, j
Is represented by the parallel susceptance Bi, j shown in FIG. Bi, j is realized, for example, by an inductive iris. Further, the series resonant circuit composed of Li and Ci is represented by a waveguide circuit having an electrical length of θi.
【0006】次に設計手順について説明する。まず初め
に、所望の通過帯域幅、通過帯域内リップル、共振器の
段数、および、伝達関数として用いるチェビシェフ関数
を級数展開したときの係数から原形低域通過フィルタの
素子値を決定する。次に、原形低域通過フィルタに対し
て周波数変換を行い、さらに、Kインバータを導入して
図40(a)に示す帯域通過フィルタの等価回路に変換
する。このとき、フィルタの中心周波数近傍において、
図40(a),(b)に示すようにKi,j を並列サセ
プタンスBi,jによって、また、LiとCiからなる直列
共振回路を電気長θiの導波管回路によって近似するこ
とにより、導波管形帯域通過フィルタを図41に示す分
布定数形等価回路で表わす。従来の導波管形帯域通過フ
ィルタの設計は、この分布定数形等価回路を用いて行わ
れる。Next, the design procedure will be described. First, the element value of the original low-pass filter is determined from the desired pass band width, the ripple in the pass band, the number of resonator stages, and the coefficient when the Chebyshev function used as the transfer function is expanded in series. Next, frequency conversion is performed on the original low-pass filter, and a K inverter is further introduced to convert the equivalent circuit of the band-pass filter shown in FIG. At this time, near the center frequency of the filter,
As shown in FIGS. 40 (a) and 40 (b), Ki, j is approximated by a parallel susceptance Bi, j, and a series resonant circuit composed of Li and Ci is approximated by a waveguide circuit having an electrical length θi. The waveband type bandpass filter is represented by the distributed constant type equivalent circuit shown in FIG. The conventional waveguide type bandpass filter is designed using this distributed constant type equivalent circuit.
【0007】図41による従来の導波管形帯域通過フィ
ルタの反射特性は、図36のフィルタの場合と同様に中
心周波数から離れた周波数では図40(b),(c)の
近似による誤差が大きくなるため、特に通過帯域が広い
場合には図42に実線で示すように通過帯域端で反射損
が大きくなる。特に、導波管形帯域通過フィルタでは周
波数変化に対する導波管管内波長の分散性が大きく、周
波数変化に対する電気長変化の割合が大きいため、スト
リップ線路を用いたフィルタに比べて通過帯域端におけ
る反射特性の劣化が顕著になる。The reflection characteristic of the conventional waveguide type band pass filter shown in FIG. 41 has an error due to the approximation of FIGS. 40 (b) and 40 (c) at a frequency away from the center frequency as in the case of the filter shown in FIG. Since it becomes large, the reflection loss becomes large at the end of the pass band as shown by the solid line in FIG. 42 especially when the pass band is wide. In particular, the waveguide bandpass filter has a large dispersion of the wavelength in the waveguide with respect to the frequency change, and the ratio of the change in the electrical length with respect to the frequency change is large. The deterioration of the characteristics becomes remarkable.
【0008】さらに、図43、44は、R.E.Collin,
“ Foundations for Microwave Engineering ”, McGra
w-Hill, Inc, pp.343-360, 1979. に示された従来のイ
ンピーダンス変成器の設計手順を示す図であり、図43
は設計フロー、図44は等価回路である。図44におい
て、Zi (i=1,2,…,4)は分布定数線路の特性インピー
ダンス、Z0は入力線路の特性インピーダンス、ZL’は
出力線路の特性インピーダンス、θは分布定数線路の電
気長である。Further, FIGS. 43 and 44 show RECollin,
“Foundations for Microwave Engineering”, McGra
43 is a diagram showing a design procedure of the conventional impedance transformer shown in w-Hill, Inc, pp.343-360, 1979.
Is a design flow, and FIG. 44 is an equivalent circuit. In FIG. 44, Zi (i = 1,2, ..., 4) is the characteristic impedance of the distributed constant line, Z0 is the characteristic impedance of the input line, ZL 'is the characteristic impedance of the output line, and θ is the electrical length of the distributed constant line. is there.
【0009】次に、設計手順について説明する。まず初
めにインピーダンス変成器の段数を規定し、図44の等
価回路を用いてインピーダンス変成器の反射係数の式を
求める。各分布定数線路の電気長を等しく設定し、且
つ、隣接する分布定数線路間の接続面における反射が十
分小さいとすると、反射係数は三角関数を用いた多項式
に展開される。このとき、通過帯域内の反射係数は、通
過帯域幅、通過帯域内リップルの数と大きさを規定すれ
ば、チェビシェフ関数を用いて精度よく表される。チェ
ビシェフ関数は三角関数による展開が可能であり、これ
を図44の等価回路から求まる反射係数の多項式と比較
することによりインピーダンス変成器の各分布定数線路
の特性インピーダンスが求まる。このとき、分布定数線
路の線路長は中心周波数において電気長θがπ/2とな
るように設定する。Next, the design procedure will be described. First, the number of stages of the impedance transformer is specified, and the equation of the reflection coefficient of the impedance transformer is obtained using the equivalent circuit of FIG. If the electric lengths of the distributed constant lines are set equal and the reflection at the connection surface between the adjacent distributed constant lines is sufficiently small, the reflection coefficient is expanded to a polynomial using a trigonometric function. At this time, the reflection coefficient in the pass band is accurately expressed using the Chebyshev function if the pass band width and the number and magnitude of ripples in the pass band are specified. The Chebyshev function can be expanded by a trigonometric function, and the characteristic impedance of each distributed constant line of the impedance transformer can be obtained by comparing this with the polynomial of the reflection coefficient obtained from the equivalent circuit of FIG. At this time, the line length of the distributed constant line is set so that the electrical length θ becomes π / 2 at the center frequency.
【0010】実際のインピーダンス変成器においては、
特性インピーダンスの異なる隣接分布定数線路間の接続
部において導体幅等の物理的なステップを生じるため、
この不連続によりサセプタンスを生じる。このサセプタ
ンスは分布定数線路の電気長を等価的に変化させる働き
があり、通常の設計ではこの電気長変化分を含めたトー
タルの電気長が設計中心周波数でπ/2となるように分
布定数線路の物理長を決定する。しかしながら、このサ
セプタンスによる電気長は分布定数線路の電気長と周波
数変化率が異なるため、不連続のサセプタンス分を含む
等価回路によるインピーダンス変成器の反射係数は、中
心周波数から離れた周波数ではチェビシェフ関数からず
れる。従って、図44による従来のインピーダンス変成
器の反射特性は、図36および図41のフィルタの場合
と同様に中心周波数から離れた周波数では図45に実線
で示すように通過帯域端で反射損が大きくなる。In an actual impedance transformer,
Since a physical step such as the conductor width occurs at the connection between adjacent distributed constant lines with different characteristic impedances,
This discontinuity causes susceptance. This susceptance has the function of changing the electrical length of the distributed constant line equivalently. In normal design, the total electrical length including this change in electrical length is π / 2 at the design center frequency. Determine the physical length of. However, since the electrical length due to this susceptance differs from the electrical length of the distributed constant line in the rate of frequency change, the reflection coefficient of an impedance transformer with an equivalent circuit including discontinuous susceptance is calculated from the Chebyshev function at frequencies away from the center frequency. It shifts. Therefore, the reflection characteristic of the conventional impedance transformer according to FIG. 44 has a large reflection loss at the pass band edge as shown by the solid line in FIG. 45 at frequencies away from the center frequency as in the case of the filters of FIGS. 36 and 41. Become.
【0011】[0011]
【発明が解決しようとする課題】従来の高周波フィルタ
およびインピーダンス変成器は以上のように構成されて
いるので、設計の中心周波数から離れた周波数において
は物理形状に対応した等価回路による反射特性が伝達関
数から求まる理想的な反射特性から劣化し、従って、広
帯域にわたって反射の小さな特性が得られないという問
題点があった。Since the conventional high-frequency filter and impedance transformer are configured as described above, the reflection characteristic by the equivalent circuit corresponding to the physical shape is transmitted at the frequency away from the designed center frequency. There is a problem in that the ideal reflection characteristic obtained from the function deteriorates, and thus a characteristic of small reflection cannot be obtained over a wide band.
【0012】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、広帯域にわたって反射を小さく
できる設計法、およびこの設計法を用いて、広帯域にわ
たって反射の小さな高周波フィルタおよびインピーダン
ス変成器を得ることを目的とする。The present invention has been made to solve the above problems, and a design method capable of reducing reflection over a wide band, and a high frequency filter and impedance transformer having a small reflection over a wide band by using this design method. Aim to get.
【0013】[0013]
【課題を解決するための手段】第1の発明に係わる高周
波フィルタは、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタにおいて、上記共振器の共振器
長、上記共振器間結合手段の寸法、および上記入出力結
合手段の寸法を決定するパラメータの数以上の数だけ周
波数を選択し、上記選択した周波数において上記高周波
フィルタの通過特性あるいは反射特性が所望の値に近づ
くように上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段
の寸法、および上記入出力結合手段の寸法を決定したも
のである。A high frequency filter according to a first aspect of the present invention includes a plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators, and the resonator and the input / output. In a high-frequency filter provided with an input / output coupling means for coupling a line to each other, the resonator length of the resonator, the dimension of the inter-resonator coupling means, and the number of parameters determining the dimension of the input / output coupling means. The frequencies are selected by the above number, and the resonator length of the resonator, the dimension of the inter-resonator coupling means, and the upper frequency are selected so that the pass characteristic or the reflection characteristic of the high frequency filter approaches a desired value at the selected frequency. The size of the input / output coupling means is determined.
【0014】また、第2の発明に係わる高周波フィルタ
は、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器間を相互に
結合させる共振器間結合手段と、上記共振器と入出力線
路とを相互に結合させる入出力結合手段とを備えた高周
波フィルタにおいて、上記高周波フィルタの通過帯域内
に上記共振器内の電波の周波数の関数としてのチェビシ
ェフ関数の傾き零点を複数設定し、上記複数の傾き零点
に対応する周波数を反射零周波数あるいは反射極大周波
数として規定し、上記反射零周波数あるいは上記反射極
大周波数において反射が極小あるいは極大となるように
上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸法、
および上記入出力間結合手段の寸法を決定したものであ
る。In the high frequency filter according to the second invention, a plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators, and the resonator and the input / output line are mutually connected. In a high frequency filter having an input / output coupling means for coupling to a plurality of gradient zero points, a plurality of gradient zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter. Is defined as the reflection zero frequency or the reflection maximum frequency, and the resonator length of the resonator and the inter-resonator coupling means are set so that the reflection becomes minimum or maximum at the reflection zero frequency or the reflection maximum frequency. Size,
The dimensions of the input / output coupling means are determined.
【0015】また、第3の発明に係わる高周波フィルタ
は、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器間を相互に
結合させる共振器間結合手段と、上記共振器と入出力線
路とを相互に結合させる入出力結合手段とを備えた高周
波フィルタにおいて、上記高周波フィルタの通過帯域内
に上記共振器内の電波の周波数の関数としてのチェビシ
ェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点に対応す
る周波数を反射零周波数として規定し、上記反射零周波
数において反射が極小となるように上記共振器の共振器
長、上記共振器間結合手段の寸法、および上記入出力間
結合手段の寸法を決定したものである。In the high frequency filter according to the third invention, a plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators, and the resonator and the input / output line are mutually connected. A high-frequency filter having an input / output coupling means for coupling to a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator within the pass band of the high-frequency filter, corresponding to the plurality of zero points. Is defined as the reflection zero frequency, and the resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. It was done.
【0016】また、第4の発明に係わる高周波フィルタ
は、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器間を相互に
結合させる共振器間結合手段と、上記共振器と入出力線
路とを相互に結合させる入出力結合手段とを備えた高周
波フィルタにおいて、上記高周波フィルタの通過帯域内
に上記共振器内の電波の周波数の関数としてのチェビシ
ェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点に対応す
る周波数を反射零周波数として規定し、上記反射零周波
数において反射が極小となるように上記共振器の共振器
長、上記共振器間結合手段の寸法、および上記入出力間
結合手段の寸法を決定し、上記寸法を用いて得られる上
記高周波フィルタの反射特性のうち、理想的なチェビシ
ェフ形フィルタの特性より反射の大きな周波数を選び、
上記反射の大きな周波数および上記反射零周波数におい
て反射が所定の大きさ以下となるように上記共振器の共
振器長、上記共振器間結合手段の寸法、および上記入出
力間結合手段の寸法を決定したものである。In the high frequency filter according to the fourth aspect of the present invention, a plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators, and the resonator and the input / output line are mutually connected. A high-frequency filter having an input / output coupling means for coupling to a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator within the pass band of the high-frequency filter, corresponding to the plurality of zero points. Is defined as the reflection zero frequency, and the resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. Then, of the reflection characteristics of the high frequency filter obtained by using the above dimensions, select a frequency with a larger reflection than the characteristics of the ideal Chebyshev type filter,
The resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined so that the reflection is equal to or less than a predetermined magnitude at the high reflection frequency and the zero reflection frequency. It was done.
【0017】また、第5の発明に係わる高周波フィルタ
は、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器間を相互に
結合させる共振器間結合手段と、上記共振器と入出力線
路とを相互に結合させる入出力結合手段とを備えた高周
波フィルタにおいて、上記高周波フィルタの通過帯域内
に上記共振器内の電波の周波数の関数としてのチェビシ
ェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大点に対
応する周波数を反射極大周波数として規定し、上記反射
極大周波数において反射が所定の極大値となるように上
記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸法、お
よび上記入出力間結合手段の寸法を決定したものであ
る。In the high frequency filter according to the fifth aspect of the invention, a plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators, and the resonator and the input / output line are mutually connected. In the high-frequency filter having an input / output coupling means for coupling to, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high-frequency filter, and the plurality of maximum points are set. Is defined as the reflection maximum frequency, and the resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the input-output coupling are set so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. The dimensions of the means are determined.
【0018】また、第6の発明に係わる高周波フィルタ
は、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器間を相互に
結合させる共振器間結合手段と、上記共振器と入出力線
路とを相互に結合させる入出力結合手段とを備えた高周
波フィルタにおいて、上記高周波フィルタの通過帯域内
に上記共振器内の電波の周波数の関数としてのチェビシ
ェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大点に対
応する周波数を反射極大周波数として規定し、上記反射
極大周波数において反射が所定の極大値となるように上
記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸法、お
よび上記入出力間結合手段の寸法を決定し、上記寸法を
用いて得られる上記高周波フィルタの反射特性のうち、
理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より反射の大き
な周波数を選び、上記反射の大きな周波数および上記反
射極大周波数において反射が所定の大きさ以下となるよ
うに上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸
法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定したもの
である。In the high frequency filter according to the sixth aspect of the invention, a plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators, and the resonator and the input / output line are mutually connected. In the high-frequency filter having an input / output coupling means for coupling to, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high-frequency filter, and the plurality of maximum points are set. Is defined as the reflection maximum frequency, and the resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the input-output coupling are set so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. Of the reflection characteristics of the high-frequency filter obtained by determining the dimensions of the means, using the dimensions,
A frequency with a large reflection is selected based on the characteristics of an ideal Chebyshev filter, and the resonator length of the resonator and the distance between the resonators are set so that the reflection has a predetermined value or less at the large reflection frequency and the reflection maximum frequency. The dimensions of the coupling means and the dimensions of the input / output coupling means are determined.
【0019】また、第7の発明に係わる高周波フィルタ
は、導波管から成る複数の空胴共振器と上記空胴共振器
相互の結合手段および入出力結合手段としてのサセプタ
ンス素子とを備えた導波管形の高周波フィルタにおい
て、上記導波管形の高周波フィルタの通過帯域内に上記
導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の零
点を複数設定し、上記複数の零点の上記管内波長に対応
する周波数を反射零周波数として規定し、上記反射零周
波数において反射が極小となるように上記共振器の共振
器長、上記サセプタンス素子値、および上記サセプタン
ス素子の寸法を決定したものである。A high frequency filter according to a seventh aspect of the present invention is a high frequency filter including a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide and coupling means for coupling the cavity resonators and a susceptance element as an input / output coupling means. In the wave tube type high frequency filter, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the in-tube wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide type high frequency filter, and the in-tube wavelengths of the plurality of zero points are set. The corresponding frequency is defined as the reflection zero frequency, and the resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the dimension of the susceptance element are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency.
【0020】また、第8の発明に係わる高周波フィルタ
は、導波管から成る複数の空胴共振器と上記空胴共振器
相互の結合手段および入出力結合手段としてのサセプタ
ンス素子とを備えた導波管形の高周波フィルタにおい
て、上記導波管形の高周波フィルタの通過帯域内に上記
導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の零
点を複数設定し、上記複数の零点の上記管内波長に対応
する周波数を反射零周波数として規定し、上記反射零周
波数において反射が極小となるように上記共振器の共振
器長、上記サセプタンス素子値、および上記サセプタン
ス素子の寸法を決定し、上記寸法を用いて得られる上記
導波管形フィルタの反射特性のうち、理想的なチェビシ
ェフ形フィルタの特性より反射の大きな周波数を選び、
上記反射の大きな周波数および上記反射零周波数におい
て反射が所定の大きさ以下となるように上記共振器の共
振器長、上記サセプタンス素子値、および上記サセプタ
ンス素子の寸法を決定したものである。A high frequency filter according to an eighth aspect of the present invention is a high frequency filter including a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide and coupling means for coupling the cavity resonators and a susceptance element as an input / output coupling means. In the wave tube type high frequency filter, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the in-tube wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide type high frequency filter, and the in-tube wavelengths of the plurality of zero points are set. The corresponding frequency is defined as the reflection zero frequency, and the resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the dimensions of the susceptance element are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency, and the above dimensions are used. Of the reflection characteristics of the above-mentioned waveguide type filter obtained as a result, select a frequency with larger reflection than the characteristic of the ideal Chebyshev type filter,
The resonator length of the resonator, the value of the susceptance element, and the dimensions of the susceptance element are determined so that the reflection becomes equal to or less than a predetermined magnitude at the high reflection frequency and the reflection zero frequency.
【0021】また、第9の発明に係わる高周波フィルタ
は、導波管から成る複数の空胴共振器と上記空胴共振器
相互の結合手段および入出力結合手段としてのサセプタ
ンス素子とを備えた導波管形の高周波フィルタにおい
て、上記導波管形の高周波フィルタの通過帯域内に上記
導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の極
大点を複数設定し、上記複数の極大点の上記管内波長に
対応する周波数を反射極大周波数として規定し、上記反
射極大周波数において反射が所定の極大値となるように
上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子値、およ
び上記サセプタンス素子の寸法を決定したものである。A high frequency filter according to a ninth aspect of the present invention is a high frequency filter including a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide and coupling means for coupling the cavity resonators and a susceptance element as an input / output coupling means. In a wave tube type high frequency filter, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the in-tube wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide type high frequency filter, and the maximum points of the plurality of maximum points are in the tube. The frequency corresponding to the wavelength is defined as the reflection maximum frequency, and the resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the dimension of the susceptance element are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. It is a thing.
【0022】また、第10の発明に係わる高周波フィル
タは、導波管から成る複数の空胴共振器と上記空胴共振
器相互の結合手段および入出力結合手段としてのサセプ
タンス素子とを備えた導波管形の高周波フィルタにおい
て、上記導波管形の高周波フィルタの通過帯域内に上記
導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の極
大点を複数設定し、上記複数の極大点の上記管内波長に
対応する周波数を反射極大周波数として規定し、上記反
射極大周波数において反射が所定の極大値となるように
上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子値、およ
び上記サセプタンス素子の寸法を決定し、上記寸法を用
いて得られる上記導波管形フィルタの反射特性のうち、
理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より反射の大き
な周波数を選び、上記反射の大きな周波数および上記反
射極大周波数において反射が所定の大きさ以下となるよ
うに上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子値、
および上記サセプタンス素子の寸法を決定したものであ
る。A high frequency filter according to a tenth aspect of the present invention is a conductor provided with a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide and coupling means for coupling the cavity resonators and a susceptance element as an input / output coupling means. In a wave tube type high frequency filter, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the in-tube wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide type high frequency filter, and the maximum points of the plurality of maximum points are in the tube. The frequency corresponding to the wavelength is defined as the reflection maximum frequency, and the resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the dimension of the susceptance element are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. , Of the reflection characteristics of the waveguide filter obtained using the above dimensions,
A frequency with a large reflection is selected based on the characteristics of an ideal Chebyshev filter, and the resonator length of the resonator and the susceptance element value are set so that the reflection has a predetermined value or less at the large reflection frequency and the reflection maximum frequency. ,
And the dimensions of the susceptance element.
【0023】また、第11の発明に係わる高周波フィル
タは、請求項7〜10のいずれか1項に記載の高周波フ
ィルタにおいて、サセプタンス素子を誘導性アイリスあ
るいは誘導性ポストとしたものである。A high frequency filter according to the eleventh aspect of the present invention is the high frequency filter according to any one of claims 7 to 10, wherein the susceptance element is an inductive iris or an inductive post.
【0024】また、第12の発明に係わる高周波フィル
タは、請求項7〜11のいずれか1項に記載の高周波フ
ィルタにおいて、共振器の数をN、フィルタの中心周波
数における等価回路素子値から決定されるi番目のサセ
プタンス素子のサセプタンス値をB0iとしたとき、i番
目のサセプタンス素子のサセプタンス値Biを次式で与
えられる範囲に設定したものである。 1<Bi/B0i<1.2 (1≦i≦0.2N, N≦i≦N+1) 0.8<Bi/B0i<1 (0.2N<i≦0.4, 0.8N≦i<N) 0.9<Bi/B0i≦1 (0.4N<i<0.8N)A high frequency filter according to the twelfth invention is the high frequency filter according to any one of claims 7 to 11, wherein the number of resonators is N and the equivalent circuit element value at the center frequency of the filter is determined. When the susceptance value of the i-th susceptance element is B0i, the susceptance value Bi of the i-th susceptance element is set in the range given by the following equation. 1 <Bi / B0i <1.2 (1 ≦ i ≦ 0.2N, N ≦ i ≦ N + 1) 0.8 <Bi / B0i <1 (0.2N <i ≦ 0.4, 0.8N ≦ i < N) 0.9 <Bi / B0i ≦ 1 (0.4N <i <0.8N)
【0025】また、第13の発明に係わるインピーダン
ス変成器は、複数の略1/4波長の伝送線路と、上記伝
送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線路と
入出力線路との間のインピーダンスステップとを備えた
インピーダンス変成器において、上記伝送線路の線路
長、および特性インピーダンスを決定するパラメータの
数以上の数の周波数を選択し、上記選択した周波数にお
いて上記インピーダンス変成器の通過特性あるいは反射
特性が所望の値に近づくように上記伝送線路の線路長、
および特性インピーダンスを決定したものである。The impedance transformer according to the thirteenth aspect of the present invention is a plurality of transmission lines of about 1/4 wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line. In the impedance transformer provided with, select the line length of the transmission line, and the frequency of the number of parameters or more to determine the characteristic impedance, the pass characteristics or reflection characteristics of the impedance transformer at the selected frequency. The line length of the above-mentioned transmission line so as to approach the desired value,
And the characteristic impedance is determined.
【0026】また、第14の発明に係わるインピーダン
ス変成器は、複数の略1/4波長の伝送線路と、上記伝
送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線路と
入出力線路との間のインピーダンスステップとを備えた
インピーダンス変成器において、上記インピーダンス変
成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数の関
数としてのチェビシェフ関数の傾き零点を複数設定し、
上記複数の傾き零点に対応する周波数を反射零周波数あ
るいは反射極大周波数として規定し、上記反射零周波数
あるいは上記反射極大周波数において反射が極小値ある
いは所定の極大値となるように上記伝送線路の線路長、
および特性インピーダンスを決定したものである。The impedance transformer according to the fourteenth aspect of the present invention is a plurality of transmission lines of about ¼ wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line. In an impedance transformer having and, a plurality of slope zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set in the pass band of the impedance transformer,
The frequency corresponding to the plurality of zero slopes is defined as the reflection zero frequency or the reflection maximum frequency, and the line length of the transmission line is set so that the reflection has a minimum value or a predetermined maximum value at the reflection zero frequency or the reflection maximum frequency. ,
And the characteristic impedance is determined.
【0027】また、第15の発明に係わるインピーダン
ス変成器は、複数の略1/4波長の伝送線路と、上記伝
送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線路と
入出力線路との間のインピーダンスステップとを備えた
インピーダンス変成器において、上記インピーダンス変
成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数の関
数としてのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記
複数の零点に対応する周波数を反射零周波数として規定
し、上記反射零周波数において反射が極小となるように
上記伝送線路の線路長、および特性インピーダンスを決
定したものである。The impedance transformer according to the fifteenth aspect of the present invention is a plurality of transmission lines of about ¼ wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line. In an impedance transformer including and, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set in the pass band of the impedance transformer, and the frequencies corresponding to the plurality of zero points are reflected to zero. It is defined as a frequency, and the line length and the characteristic impedance of the transmission line are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency.
【0028】また、第16の発明に係わるインピーダン
ス変成器は、複数の略1/4波長の伝送線路と、上記伝
送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線路と
入出力線路との間のインピーダンスステップとを備えた
インピーダンス変成器において、上記インピーダンス変
成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数の関
数としてのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記
複数の零点に対応する周波数を反射零周波数として規定
し、上記反射零周波数において反射が極小となるように
上記伝送線路の線路長、および特性インピーダンスを決
定し、上記寸法を用いて得られる上記インピーダンス変
成器の反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形変成器
の特性より反射の大きな周波数を選び、上記反射の大き
な周波数および上記反射零周波数において反射が所定の
大きさ以下となるように上記伝送線路の線路長、および
特性インピーダンスを決定したものである。The impedance transformer according to the sixteenth aspect of the invention is a plurality of transmission lines of about 1/4 wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line. In an impedance transformer including and, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set in the pass band of the impedance transformer, and the frequencies corresponding to the plurality of zero points are reflected to zero. It is specified as a frequency, and the line length of the transmission line and the characteristic impedance are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency, and the ideal one of the reflection characteristics of the impedance transformer obtained by using the dimensions is ideal. Select a frequency with a large reflection from the characteristics of the Chebyshev transformer, and Reflected at the reflection zero frequency is obtained by determining the line length, and the characteristic impedance of the transmission line so as not to exceed a predetermined magnitude.
【0029】また、第17の発明に係わるインピーダン
ス変成器は、複数の略1/4波長の伝送線路と、上記伝
送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線路と
入出力線路との間のインピーダンスステップとを備えた
インピーダンス変成器において、上記インピーダンス変
成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数の関
数としてのチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上
記複数の極大点に対応する周波数を反射極大周波数とし
て規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の極
大値となるように上記伝送線路の線路長、および特性イ
ンピーダンスを決定したものである。The impedance transformer according to the seventeenth aspect of the present invention is a plurality of transmission lines of about 1/4 wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line. In an impedance transformer with and, by setting a plurality of local maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line in the pass band of the impedance transformer, the frequency corresponding to the plurality of local maximum points. It is defined as the reflection maximum frequency, and the line length and the characteristic impedance of the transmission line are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency.
【0030】また、第18の発明に係わるインピーダン
ス変成器は、複数の略1/4波長の伝送線路と、上記伝
送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線路と
入出力線路との間のインピーダンスステップとを備えた
インピーダンス変成器において、上記インピーダンス変
成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数の関
数としてのチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上
記複数の極大点に対応する周波数を反射極大周波数とし
て規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の極
大値となるように上記伝送線路の線路長、および特性イ
ンピーダンスを決定し、上記寸法を用いて得られる上記
インピーダンス変成器の反射特性のうち、理想的なチェ
ビシェフ形変成器の特性より反射の大きな周波数を選
び、上記反射の大きな周波数および上記反射極大周波数
において反射が所定の大きさ以下となるように上記伝送
線路の線路長、および特性インピーダンスを決定したも
のである。The impedance transformer according to the eighteenth aspect of the present invention is a plurality of transmission lines of about ¼ wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line. In an impedance transformer with and, by setting a plurality of local maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line in the pass band of the impedance transformer, the frequency corresponding to the plurality of local maximum points. It is defined as the reflection maximum frequency, the line length of the transmission line and the characteristic impedance are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency, and the reflection characteristic of the impedance transformer obtained by using the above dimensions is obtained. Of the above, select a frequency with a larger reflection than the characteristics of an ideal Chebyshev transformer, It reflected in frequency and the reflection maximum frequency is obtained by determining the line length, and the characteristic impedance of the transmission line so as not to exceed a predetermined magnitude.
【0031】また、第19の発明に係わるインピーダン
ス変成器は、複数の略1/4波長の導波管と上記導波管
間の高さ方向あるいは幅方向のステップと、上記導波管
と入出力導波管との間の高さ方向あるいは幅方向のステ
ップとを備えた導波管形のインピーダンス変成器におい
て、上記インピーダンス変成器の通過帯域内に上記導波
管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の零点を
複数設定し、上記複数の零点の上記管内波長に対応する
周波数を反射零周波数として規定し、上記反射零周波数
において反射が極小となるように上記導波管の軸長、お
よび、高さあるいは幅を決定したものである。The impedance transformer according to the nineteenth aspect of the present invention comprises a plurality of substantially quarter wavelength waveguides and steps in the height direction or the width direction between the waveguides and the waveguides. In a waveguide-type impedance transformer with steps in the height or width direction between it and the output waveguide, in a passband of the impedance transformer as a function of the waveguide wavelength in the waveguide. A plurality of Chebyshev function zeros are set, a frequency corresponding to the in-tube wavelengths of the plurality of zeros is defined as a reflection zero frequency, and the axial length of the waveguide is set so that reflection is minimized at the reflection zero frequency, and , The height or width is determined.
【0032】また、第20の発明に係わるインピーダン
ス変成器は、複数の略1/4波長の導波管と上記導波管
間の高さ方向あるいは幅方向のステップと、上記導波管
と入出力導波管との間の高さ方向あるいは幅方向のステ
ップとを備えた導波管形のインピーダンス変成器におい
て、上記インピーダンス変成器の通過帯域内に上記導波
管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の零点を
複数設定し、上記複数の零点の上記管内波長に対応する
周波数を反射零周波数として規定し、上記反射零周波数
において反射が極小となるように上記導波管の軸長、お
よび、高さあるいは幅を決定し、上記寸法を用いて得ら
れる上記導波管形のインピーダンス変成器の反射特性の
うち、理想的なチェビシェフ形変成器の特性より反射の
大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数および上
記反射零周波数において反射が所定の大きさ以下となる
ように上記導波管の軸長、および、高さあるいは幅を決
定したものである。An impedance transformer according to the twentieth aspect of the present invention is a plurality of substantially quarter wavelength waveguides and steps in the height direction or width direction between the waveguides, and the waveguides. In a waveguide-type impedance transformer with steps in the height or width direction between it and the output waveguide, in a passband of the impedance transformer as a function of the waveguide wavelength in the waveguide. A plurality of zero points of the Chebyshev function are set, a frequency corresponding to the in-tube wavelength of the plurality of zero points is defined as a reflection zero frequency, and the axial length of the waveguide is set so that the reflection has a minimum at the reflection zero frequency, and , The height or width is determined, and of the reflection characteristics of the waveguide type impedance transformer obtained by using the above dimensions, the frequency with larger reflection is selected than the characteristic of the ideal Chebyshev transformer. , The axial length of the waveguide as reflected in large frequency and the reflection zero frequency of the reflection is less than or equal to a predetermined size, and is obtained by determining the height or width.
【0033】また、第21の発明に係わるインピーダン
ス変成器は、複数の略1/4波長の導波管と上記導波管
間の高さ方向あるいは幅方向のステップと、上記導波管
と入出力導波管との間の高さ方向あるいは幅方向のステ
ップとを備えた導波管形のインピーダンス変成器におい
て、上記インピーダンス変成器の通過帯域内に上記導波
管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の極大点
を複数設定し、上記複数の極大点の上記管内波長に対応
する周波数を反射極大周波数として規定し、上記反射極
大周波数において反射が所定の極大値となるように上記
導波管の軸長、および、高さあるいは幅を決定したもの
である。The impedance transformer according to the twenty-first aspect of the present invention comprises a plurality of substantially quarter wavelength waveguides and steps in the height direction or the width direction between the waveguides and the waveguides. In a waveguide-type impedance transformer with steps in the height or width direction between it and the output waveguide, in a passband of the impedance transformer as a function of the waveguide wavelength in the waveguide. A plurality of maximum points of the Chebyshev function are set, a frequency corresponding to the in-tube wavelength of the plurality of maximum points is defined as a reflection maximum frequency, and the waveguide is set so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. The axis length and height or width of the are determined.
【0034】また、第22の発明に係わるインピーダン
ス変成器は、複数の略1/4波長の導波管と上記導波管
間の高さ方向あるいは幅方向のステップと、上記導波管
と入出力導波管との間の高さ方向あるいは幅方向のステ
ップとを備えた導波管形のインピーダンス変成器におい
て、上記インピーダンス変成器の通過帯域内に上記導波
管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の極大点
を複数設定し、上記複数の極大点の上記管内波長に対応
する周波数を反射極大周波数として規定し、上記反射極
大周波数において反射が所定の極大値となるように上記
導波管の軸長、および、高さあるいは幅を決定し、上記
寸法を用いて得られる上記導波管形のインピーダンス変
成器の反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形変成器
の特性より反射の大きな周波数を選び、上記反射の大き
な周波数および上記反射極大周波数において反射が所定
の大きさ以下となるように上記導波管の軸長、および、
高さあるいは幅を決定したものである。The impedance transformer according to the twenty-second aspect of the present invention comprises a plurality of substantially quarter-wavelength waveguides and steps in the height direction or width direction between the waveguides, and the waveguides. In a waveguide-type impedance transformer with steps in the height or width direction between it and the output waveguide, in a passband of the impedance transformer as a function of the waveguide wavelength in the waveguide. A plurality of maximum points of the Chebyshev function are set, a frequency corresponding to the in-tube wavelength of the plurality of maximum points is defined as a reflection maximum frequency, and the waveguide is set so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. Of the reflection characteristics of the waveguide type impedance transformer obtained by using the above-mentioned dimensions by determining the axial length and height or width of the Select Kina frequency, the axial length of the waveguide as reflected in large frequency and the reflection maximum frequency of the reflection is less than or equal to a predetermined size, and,
It determines the height or width.
【0035】[0035]
【作用】第1の発明においては、設計パラメータとして
の共振器の共振器長、共振器間結合手段の寸法、および
入出力結合手段の寸法を決定するパラメータの数以上の
数だけ周波数を選択し、上記選択した周波数において上
記高周波フィルタの通過特性あるいは反射特性が所望の
値に近づくように上記共振器の共振器長、上記共振器間
結合手段の寸法、および上記入出力結合手段の寸法を決
定するので、中心周波数のみでなく選択した上記周波数
の範囲内の複数の周波数を用いて上記パラメータの数以
上の条件式が設定され、最適化手法等により通過帯域が
広い場合でも所望の反射特性の得られる上記設計パラメ
ータの値を決定できる。According to the first aspect of the present invention, the frequency is selected by at least the number of parameters for determining the resonator length of the resonator as the design parameter, the dimension of the inter-resonator coupling means, and the dimension of the input / output coupling means. , The resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined so that the pass characteristic or the reflection characteristic of the high frequency filter approaches a desired value at the selected frequency. Therefore, not only the center frequency but also a plurality of frequencies within the range of the selected frequency is used to set the conditional expression of the number of parameters or more, and even when the pass band is wide by the optimization method, the desired reflection characteristic The values of the design parameters obtained can be determined.
【0036】第2の発明においては、高周波フィルタの
通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の関数として
のチェビシェフ関数の傾き零点を複数設定し、上記複数
の傾き零点に対応する周波数を反射零周波数あるいは反
射極大周波数として規定し、上記反射零周波数あるいは
上記反射極大周波数において反射が極小あるいは極大と
なるように設計パラメータとしての共振器長、共振器間
結合手段の寸法、および入出力間結合手段の寸法を決定
するので、通過帯域端での反射の増加や反射零周波数の
ずれは少なく、最適化手法等により上記通過帯域内のす
べての周波数においてチェビシェフ関数による理想特性
に近い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの
値を決定できる。In the second invention, a plurality of slope zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and frequencies corresponding to the plurality of slope zero points are reflected. It is specified as zero frequency or maximum reflection frequency, and the resonator length, dimensions of interresonator coupling means, and input-output coupling are designed so that the reflection becomes minimum or maximum at the reflection zero frequency or reflection maximum frequency. Since the size of the means is determined, the increase of reflection at the pass band edge and the deviation of the reflection zero frequency are small, and the desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the above pass band by the optimization method etc. The values of the above design parameters obtained can be determined.
【0037】第3の発明においては、高周波フィルタの
通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の関数として
のチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零
点に対応する周波数を反射零周波数として規定し、上記
反射零周波数において反射が極小となるように設計パラ
メータとしての共振器長、共振器間結合手段の寸法、お
よび入出力間結合手段の寸法を決定したので、最小限の
周波数を用いた最適化手法等により上記通過帯域内のす
べての周波数においてチェビシェフ関数による理想特性
に近い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの
値を決定できる。In the third invention, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and frequencies corresponding to the plurality of zero points are reflected zero frequencies. Since the resonator length, the dimensions of the coupling means between resonators, and the dimensions of the coupling means between input and output are determined as design parameters so that the reflection becomes a minimum at the reflection zero frequency, the minimum frequency By the optimization method used, the values of the above-mentioned design parameters for obtaining desired reflection characteristics close to the ideal characteristics by the Chebyshev function can be determined at all frequencies within the pass band.
【0038】第4の発明においては、高周波フィルタの
通過帯域内に共振器内の電波の周波数の関数としてのチ
ェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点に
対応する周波数を反射零周波数として規定し、上記反射
零周波数において反射が極小値となるように設計パラメ
ータとしての共振器長、共振器間結合手段の寸法、およ
び入出力間結合手段の寸法を決定し、上記寸法を用いて
得られる上記高周波フィルタの反射特性のうち、理想的
なチェビシェフ形フィルタの特性より反射の大きな周波
数を選び、上記反射の大きな周波数および上記反射零周
波数において反射が所定の大きさ以下となるように上記
共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸法、およ
び上記入出力間結合手段の寸法を決定したので、複数回
の最適化がされ、最小限の周波数を用いた最適化手法等
により上記通過帯域内のすべての周波数においてチェビ
シェフ関数による理想特性に非常に近い所望の反射特性
の得られる上記設計パラメータの値を決定できる。In the fourth invention, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and frequencies corresponding to the plurality of zero points are set as reflection zero frequencies. The resonator length, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined as design parameters so that the reflection has a minimum value at the reflection zero frequency, and the obtained values are obtained using the above dimensions. Of the reflection characteristics of the high-frequency filter, a frequency having a larger reflection than that of an ideal Chebyshev-type filter is selected, and the resonance is set so that the reflection has a predetermined value or less at the large reflection frequency and the reflection zero frequency. Since the resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined, optimization is performed a plurality of times, The optimization method or the like using a frequency of the small limit can determine the value of the design parameters obtained of the desired reflection characteristics very close to the ideal characteristics of Chebyshev function at all frequencies within the passband.
【0039】第5の発明においては、高周波フィルタの
通過帯域内に共振器内の電波の周波数の関数としてのチ
ェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大
点に対応する周波数を反射極大周波数として規定し、上
記反射極大周波数において反射が所定の極大値となるよ
うに設計パラメータとしての共振器長、共振器間結合手
段の寸法、および入出力間結合手段の寸法を決定したの
で、最小限の周波数を用いた最適化手法等により上記通
過帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ関数に
よる理想特性に近い所望の反射特性の得られる上記設計
パラメータの値を決定できる。In the fifth invention, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and the frequencies corresponding to the plurality of maximum points are reflected maximum. Since the resonator length, interresonator coupling means dimensions, and input / output coupling means dimensions are determined as design parameters so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency, the minimum It is possible to determine the value of the design parameter that gives a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band by an optimization method using a limit frequency.
【0040】第6の発明においては、高周波フィルタの
通過帯域内に共振器内の電波の周波数の関数としてのチ
ェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大
点に対応する周波数を反射極大周波数として規定し、上
記反射極大周波数において反射が所定の極大値となるよ
うに設計パラメータとしての共振器長、共振器間結合手
段の寸法、および入出力間結合手段の寸法を決定し、上
記寸法を用いて得られる上記高周波フィルタの反射特性
のうち、理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より反
射の大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数およ
び上記反射極大周波数において反射が所定の大きさ以下
となるように上記共振器の共振器長、上記共振器間結合
手段の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定
したので、複数回の最適化がされ、最小限の周波数を用
いた最適化手法等により上記通過帯域内のすべての周波
数においてチェビシェフ関数による理想特性に非常に近
い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの値を
決定できる。In the sixth invention, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and the frequencies corresponding to the plurality of maximum points are reflected maximum. The resonator length, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input-output coupling means are determined as design parameters so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. Among the reflection characteristics of the high-frequency filter obtained by using, a frequency with larger reflection is selected than the characteristic of an ideal Chebyshev-type filter, and the reflection becomes less than a predetermined magnitude at the frequency of large reflection and the reflection maximum frequency. Since the resonator length of the resonator, the dimension of the coupling means between the resonators, and the dimension of the coupling means between the input and output are determined as described above, Optimization has been performed, and the values of the above-mentioned design parameters that can obtain the desired reflection characteristics that are very close to the ideal characteristics by the Chebyshev function at all frequencies within the passband can be determined by the optimization method using the minimum frequency. .
【0041】第7の発明においては、導波管形フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点の
上記管内波長に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に設計パラメータとしての共振器長、サセプタンス素子
値、およびサセプタンス素子の寸法を決定したので、電
気長の周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対し
ても、最小限の周波数を用いた最適化手法等により上記
通過帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ関数
による理想特性に近い所望の反射特性の得られる上記設
計パラメータの値を決定できる。In the seventh invention, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the waveguide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide filter, and the zero points correspond to the waveguide wavelengths of the zero points. Is defined as the reflection zero frequency, and the resonator length, susceptance element value, and susceptance element dimensions as design parameters are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. Even for a particularly large waveguide filter, the above-mentioned design parameters by which the desired reflection characteristics close to the ideal characteristics by the Chebyshev function can be obtained at all frequencies within the pass band by the optimization method using the minimum frequency etc. The value of can be determined.
【0042】第8の発明においては、導波管形フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点の
上記管内波長に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に設計パラメータとしての共振器長、サセプタンス素子
値、およびサセプタンス素子の寸法を決定し、上記寸法
を用いて得られる上記導波管形フィルタの反射特性のう
ち、理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より反射の
大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数および上
記反射零周波数において反射が所定の大きさ以下となる
ように上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子
値、および上記サセプタンス素子の寸法を決定したの
で、複数回の最適化がされ、電気長の周波数変化の特に
大きい導波管形フィルタに対しても、最小限の周波数を
用いた最適化手法等により上記通過帯域内のすべての周
波数においてチェビシェフ関数による理想特性に非常に
近い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの値
を決定できる。In the eighth invention, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the in-tube wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide filter to correspond to the in-tube wavelengths of the plurality of zero points. Is defined as the reflection zero frequency, and the resonator length, susceptance element value, and susceptance element dimensions as design parameters are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. Of the reflection characteristics of the waveguide type filter, a frequency having a larger reflection than that of an ideal Chebyshev type filter is selected so that the reflection has a predetermined magnitude or less at the frequency of the large reflection and the reflection zero frequency. Since the resonator length of the resonator, the value of the susceptance element, and the dimension of the susceptance element have been determined, it is possible to optimize multiple times. Therefore, even for a waveguide filter with a large change in the frequency of the electrical length, it is very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies within the above passband by the optimization method using the minimum frequency. It is possible to determine the values of the above-mentioned design parameters that give the desired reflection characteristics.
【0043】第9の発明においては、導波管形フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大
点の上記管内波長に対応する周波数を反射極大周波数と
して規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の
極大値となるように設計パラメータとしての共振器長、
サセプタンス素子値、およびサセプタンス素子の寸法を
決定したので、電気長の周波数変化の特に大きい導波管
形フィルタに対しても、最小限の周波数を用いた最適化
手法等により上記通過帯域内のすべての周波数において
チェビシェフ関数による理想特性に近い所望の反射特性
の得られる上記設計パラメータの値を決定できる。In the ninth invention, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the guide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide filter, and the guide wavelengths of the plurality of maximum points are set. The frequency corresponding to is defined as the reflection maximum frequency, and the resonator length as a design parameter so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency,
Since the value of the susceptance element and the dimensions of the susceptance element are determined, even in the case of a waveguide filter with a large change in the electrical length with respect to frequency, it is possible to optimize all values in the pass band by the optimization method using the minimum frequency. It is possible to determine the values of the above-mentioned design parameters that give desired reflection characteristics close to the ideal characteristics by the Chebyshev function at the frequency of.
【0044】第10の発明においては、導波管形フィル
タの通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としての
チェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極
大点の上記管内波長に対応する周波数を反射極大周波数
として規定し、上記反射極大周波数において反射が所定
の極大値となるように設計パラメータとしての共振器
長、サセプタンス素子値、およびサセプタンス素子の寸
法を決定し、上記寸法を用いて得られる上記導波管形フ
ィルタの反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形フィ
ルタの特性より反射の大きな周波数を選び、上記反射の
大きな周波数および上記反射極大周波数において反射が
所定の大きさ以下となるように上記共振器の共振器長、
上記サセプタンス素子値、および上記サセプタンス素子
の寸法を決定したので、複数回の最適化がされ、電気長
の周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対して
も、最小限の周波数を用いた最適化手法等により上記通
過帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ関数に
よる理想特性に非常に近い所望の反射特性の得られる上
記設計パラメータの値を決定できる。In the tenth invention, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the guide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide filter, and the guide wavelengths of the plurality of maximum points are set. The frequency corresponding to the above is defined as the reflection maximum frequency, and the resonator length, the susceptance element value, and the dimension of the susceptance element as design parameters are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. Among the reflection characteristics of the above-mentioned waveguide type filter obtained by using, a frequency having a larger reflection than that of an ideal Chebyshev type filter is selected, and the reflection has a predetermined magnitude at the large reflection frequency and the maximum reflection frequency. The resonator length of the resonator as follows,
Since the value of the susceptance element and the dimension of the susceptance element are determined, the optimization is performed multiple times, and even for a waveguide filter in which the frequency change of the electrical length is particularly large, the optimum using the minimum frequency is used. It is possible to determine the values of the above-mentioned design parameters by which the desired reflection characteristics very close to the ideal characteristics by the Chebyshev function are obtained at all frequencies within the pass band by means of the optimization method.
【0045】第11の発明においては、第7〜第10の
いずれかの発明におけるサセプタンス素子として誘導性
アイリスあるいは誘導性ポストを用いたので、上記誘導
性アイリスのアイリス幅あるいは上記誘導性ポストの
数、直径、または、間隔を調整することで所望のサセプ
タンス値が容易に得られ、かつ、耐電力性に優れたもの
が得られる。In the eleventh invention, since the inductive iris or the inductive post is used as the susceptance element in any of the seventh to tenth inventions, the iris width of the inductive iris or the number of the inductive posts is used. The desired susceptance value can be easily obtained by adjusting the diameter, the diameter, or the interval, and the excellent susceptance value can be obtained.
【0046】第12の発明においては、第7〜第11の
いずれかの発明における共振器の数をN、フィルタの中
心周波数における等価回路素子値から決定されるi番目
のサセプタンス素子のサセプタンス値をB0iとしたと
き、i番目のサセプタンス素子のサセプタンス値Bi
を、 1<Bi/B0i<1.2 (1≦i≦0.2N, N≦i≦N+1) 0.8<Bi/B0i<1 (0.2N<i≦0.4, 0.8N≦i<N) 0.9<Bi/B0i≦1 (0.4N<i<0.8N) で与えられる範囲に設定したので、通過帯域が広い場合
でも上記通過帯域内のすべての周波数においてチェビシ
ェフ関数による理想特性に近い所望の反射特性が得られ
る。In the twelfth invention, the number of resonators in any one of the seventh to eleventh inventions is N, and the susceptance value of the i-th susceptance element determined from the equivalent circuit element value at the center frequency of the filter. B0i, the susceptance value Bi of the i-th susceptance element
1 <Bi / B0i <1.2 (1 ≦ i ≦ 0.2N, N ≦ i ≦ N + 1) 0.8 <Bi / B0i <1 (0.2N <i ≦ 0.4, 0.8N ≦ Since i <N) 0.9 <Bi / B0i ≦ 1 (0.4N <i <0.8N), the Chebyshev function is set at all frequencies within the pass band even if the pass band is wide. A desired reflection characteristic close to the ideal characteristic can be obtained.
【0047】第13の発明においては、設計パラメータ
としての伝送線路の線路長、および特性インピーダンス
を決定するパラメータの数以上の数の周波数を選択し、
上記選択した周波数において上記インピーダンス変成器
の通過特性あるいは反射特性が所望の値に近づくように
上記伝送線路の線路長、および特性インピーダンスを決
定したので、中心周波数のみでなく選択した上記周波数
の範囲内の複数の周波数を用いて上記パラメータの数以
上の条件式が設定され、最適化手法等により通過帯域が
広い場合でも所望の反射特性の得られる上記設計パラメ
ータの値を決定できる。In the thirteenth invention, the line length of the transmission line as a design parameter and the number of frequencies equal to or more than the number of parameters for determining the characteristic impedance are selected,
Since the line length of the transmission line and the characteristic impedance are determined so that the pass characteristic or the reflection characteristic of the impedance transformer approaches the desired value at the selected frequency, not only the center frequency but also within the selected frequency range. Conditional expressions equal to or more than the number of parameters are set by using a plurality of frequencies, and the value of the design parameter with which desired reflection characteristics can be obtained can be determined by an optimization method even when the pass band is wide.
【0048】第14の発明においては、インピーダンス
変成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の傾き零点を複数設定
し、上記複数の傾き零点に対応する周波数を反射零周波
数あるいは反射極大周波数として規定し、上記反射零周
波数あるいは上記反射極大周波数において反射が極小値
あるいは所定の極大値となるように設計パラメータとし
ての伝送線路の線路長、および特性インピーダンスを決
定したので、最適化手法等により上記通過帯域内のすべ
ての周波数においてチェビシェフ関数による理想特性に
近い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの値
を決定できる。In the fourteenth aspect, a plurality of slope zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set in the pass band of the impedance transformer, and frequencies corresponding to the plurality of slope zero points are set. It is defined as the reflection zero frequency or the reflection maximum frequency, and the line length of the transmission line as a design parameter and the characteristic impedance are determined so that the reflection has a minimum value or a predetermined maximum value at the reflection zero frequency or the reflection maximum frequency. Therefore, it is possible to determine the value of the above-mentioned design parameter by which the desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function is obtained at all frequencies within the pass band by an optimization method or the like.
【0049】第15の発明においては、インピーダンス
変成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上
記複数の零点に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に設計パラメータとしての伝送線路の線路長、および特
性インピーダンスを決定したので、最小限の周波数を用
いた最適化手法等により上記通過帯域内のすべての周波
数においてチェビシェフ関数による理想特性に近い所望
の反射特性の得られる上記設計パラメータの値を決定で
きる。In the fifteenth aspect, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set in the pass band of the impedance transformer, and the frequencies corresponding to the plurality of zero points are reflected to zero. Since the line length of the transmission line as a design parameter and the characteristic impedance are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency, the pass band is determined by the optimization method using the minimum frequency. It is possible to determine the values of the above-mentioned design parameters at which desired reflection characteristics close to the ideal characteristics by the Chebyshev function are obtained at all frequencies within.
【0050】第16の発明においては、インピーダンス
変成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上
記複数の零点に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に設計パラメータとしての伝送線路の線路長、および特
性インピーダンスを決定し、上記寸法を用いて得られる
上記インピーダンス変成器の反射特性のうち、理想的な
チェビシェフ形変成器の特性より反射の大きな周波数を
選び、上記反射の大きな周波数および上記反射零周波数
において反射が所定の大きさ以下となるように上記伝送
線路の軸長および高さを決定したので、複数回の最適化
がされ、最小限の周波数を用いた最適化手法等により上
記通過帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ関
数による理想特性に非常に近い所望の反射特性の得られ
る上記設計パラメータの値を決定できる。In the sixteenth invention, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set in the pass band of the impedance transformer, and the frequencies corresponding to the plurality of zero points are reflected to zero. Defined as the frequency, the line length of the transmission line as a design parameter so as to minimize the reflection at the reflection zero frequency, and the characteristic impedance is determined, and among the reflection characteristics of the impedance transformer obtained by using the above dimensions. , Select a frequency with a large reflection from the characteristics of an ideal Chebyshev transformer, and set the axial length and height of the transmission line so that the reflection becomes less than a predetermined value at the large reflection frequency and the zero reflection frequency. Since it was decided, the optimization is performed multiple times, and by using the optimization method using the minimum frequency, etc. The value of the design parameters obtained of the desired reflection characteristics very close to the ideal characteristics of Chebyshev function at the frequency of Te can be determined.
【0051】第17の発明においては、インピーダンス
変成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、
上記複数の極大点に対応する周波数を反射極大周波数と
して規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の
極大値となるように設計パラメータとしての伝送線路の
線路長、および特性インピーダンスを決定したので、最
小限の周波数を用いた最適化手法等により上記通過帯域
内のすべての周波数においてチェビシェフ関数による理
想特性に近い所望の反射特性の得られる上記設計パラメ
ータの値を決定できる。In the seventeenth invention, a plurality of local maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set in the pass band of the impedance transformer.
The frequency corresponding to the plurality of maximum points is defined as the reflection maximum frequency, and the line length of the transmission line as a design parameter and the characteristic impedance are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. It is possible to determine the value of the above-mentioned design parameter that obtains a desired reflection characteristic close to an ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies within the pass band by an optimization method using the minimum frequency.
【0052】第18の発明においては、インピーダンス
変成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、
上記複数の極大点に対応する周波数を反射極大周波数と
して規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の
極大値となるように設計パラメータとしての伝送線路の
線路長、および特性インピーダンスを決定し、上記寸法
を用いて得られる上記インピーダンス変成器の反射特性
のうち、理想的なチェビシェフ形変成器の特性より反射
の大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数および
上記反射極大周波数において反射が所定の大きさ以下と
なるように上記伝送線路の線路長、および特性インピー
ダンスを決定したので、複数回の最適化がされ、最小限
の周波数を用いた最適化手法等により上記通過帯域内の
すべての周波数においてチェビシェフ関数による理想特
性に非常に近い所望の反射特性の得られる上記設計パラ
メータの値を決定できる。In the eighteenth invention, a plurality of local maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set in the pass band of the impedance transformer.
The frequency corresponding to the plurality of maximum points is defined as the reflection maximum frequency, the line length of the transmission line as a design parameter is determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency, and the characteristic impedance is determined. Of the reflection characteristics of the impedance transformer obtained by using dimensions, a frequency with a larger reflection is selected than the characteristic of an ideal Chebyshev transformer, and the reflection has a predetermined magnitude at the large reflection frequency and the maximum reflection frequency. Since the line length and characteristic impedance of the transmission line were determined as shown below, it was optimized multiple times, and the Chebyshev at all frequencies within the pass band was optimized by the optimization method using the minimum frequency. Determine the values of the above design parameters that give the desired reflection characteristics that are very close to the ideal characteristics by the function. Kill.
【0053】第19の発明においては、インピーダンス
変成器の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数とし
てのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の
零点の上記管内波長に対応する周波数を反射零周波数と
して規定し、上記反射零周波数において反射が極小とな
るように設計パラメータとしての導波管の軸長、およ
び、高さあるいは幅を決定したので、ステップによるサ
セプタンスの周波数変化の特に大きい導波管形インピー
ダンス変成器に対しても、最小限の周波数を用いた最適
化手法等により上記通過帯域内のすべての周波数におい
てチェビシェフ関数による理想特性に近い所望の反射特
性の得られる上記設計パラメータの値を決定できる。In the nineteenth aspect, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the guide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the impedance transformer, and the frequencies corresponding to the guide wavelength of the plurality of zero points. Is defined as the reflection zero frequency, and the axial length and height or width of the waveguide as design parameters are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. Even for large waveguide impedance transformers, the above-mentioned design that obtains the desired reflection characteristics close to the ideal characteristics by the Chebyshev function at all frequencies within the pass band by the optimization method using the minimum frequency etc. You can determine the value of the parameter.
【0054】第20の発明においては、インピーダンス
変成器の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数とし
てのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の
零点の上記管内波長に対応する周波数を反射零周波数と
して規定し、上記反射零周波数において反射が極小とな
るように設計パラメータとしての導波管の軸長、およ
び、高さあるいは幅を決定し、上記寸法を用いて得られ
る上記導波管形インピーダンス変成器の反射特性のう
ち、理想的なチェビシェフ形変成器の特性より反射の大
きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数および上記
反射零周波数において反射が所定の大きさ以下となるよ
うに上記導波管の軸長、および、高さあるいは幅を決定
したので、複数回の最適化がされ、ステップによるサセ
プタンスの周波数変化の特に大きい導波管形インピーダ
ンス変成器に対しても、最小限の周波数を用いた最適化
手法等により上記通過帯域内のすべての周波数において
チェビシェフ関数による理想特性に非常に近い所望の反
射特性の得られる上記設計パラメータの値を決定でき
る。In the twentieth invention, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the guide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the impedance transformer, and the frequencies corresponding to the guide wavelength of the plurality of zero points. Is defined as the reflection zero frequency, the axial length and height or width of the waveguide as design parameters are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency, and the above-mentioned guide obtained using the above dimensions is determined. Of the reflection characteristics of the wave tube type impedance transformer, select a frequency with a larger reflection than the ideal Chebyshev transformer characteristic so that the reflection becomes less than a predetermined magnitude at the above reflection large frequency and the reflection zero frequency. Since the axial length and height or width of the above-mentioned waveguide was determined, the optimization was performed multiple times, and the frequency change of the susceptance due to steps was changed. Even for a particularly large waveguide impedance transformer, the desired reflection characteristics very close to the ideal characteristics due to the Chebyshev function can be obtained at all frequencies within the pass band by the optimization method using the minimum frequency. It is possible to determine the values of the above-mentioned design parameters that are set.
【0055】第21の発明においては、インピーダンス
変成器の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数とし
てのチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数
の極大点の上記管内波長に対応する周波数を反射極大周
波数として規定し、上記反射極大周波数において反射が
所定の極大値となるように設計パラメータとしての導波
管の軸長、および、高さあるいは幅を決定したので、ス
テップによるサセプタンスの周波数変化の特に大きい導
波管形インピーダンス変成器に対しても、最小限の周波
数を用いた最適化手法等により上記通過帯域内のすべて
の周波数においてチェビシェフ関数による理想特性に近
い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの値を
決定できる。In the twenty-first aspect of the invention, a plurality of local maximum points of the Chebyshev function as a function of the internal wavelength of the waveguide are set in the pass band of the impedance transformer to correspond to the internal wavelengths of the multiple maximum points. Frequency is defined as the reflection maximum frequency, and the axial length and height or width of the waveguide as design parameters are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. Even for a waveguide type impedance transformer with a particularly large frequency change, the desired reflection characteristics close to the ideal characteristics due to the Chebyshev function at all frequencies within the pass band by the optimization method using the minimum frequency. The values of the above design parameters obtained can be determined.
【0056】第22の発明においては、インピーダンス
変成器の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数とし
てのチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数
の極大点の上記管内波長に対応する周波数を反射極大周
波数として規定し、上記反射極大周波数において反射が
所定の極大値となるように設計パラメータとしての導波
管の軸長、および、高さあるいは幅を決定し、上記寸法
を用いて得られる上記導波管形インピーダンス変成器の
反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形変成器の特性
より反射の大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波
数および上記反射極大周波数において反射が所定の大き
さ以下となるように上記導波管の軸長、および、高さあ
るいは幅を決定したので、ステップによるサセプタンス
の周波数変化の特に大きい導波管形インピーダンス変成
器に対しても、最小限の周波数を用いた最適化手法等に
より上記通過帯域内のすべての周波数においてチェビシ
ェフ関数による理想特性に非常に近い所望の反射特性の
得られる上記設計パラメータの値を決定できる。In the twenty-second aspect, a plurality of local maximum points of the Chebyshev function as a function of the internal wavelength of the waveguide are set in the pass band of the impedance transformer, and the maximum internal points correspond to the internal wavelengths of the multiple maximum points. Frequency is defined as the reflection maximum frequency, and the axial length and height or width of the waveguide as design parameters are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency, and the above dimensions are used. Of the reflection characteristics of the waveguide type impedance transformer obtained as described above, a frequency with a larger reflection is selected than the characteristic of the ideal Chebyshev transformer, and the reflection has a predetermined magnitude at the large reflection frequency and the maximum reflection frequency. Since the axial length and height or width of the above-mentioned waveguide are determined so as to be equal to or less than the above, the characteristic of the frequency change of the susceptance due to the step is determined. Even for large waveguide impedance transformers, the desired reflection characteristics very close to the ideal characteristics due to the Chebyshev function can be obtained at all frequencies within the pass band by optimization methods using the minimum frequency. The values of the above design parameters can be determined.
【0057】[0057]
実施例1.図1はこの発明の一実施例を示す概略構成
図、図2は内導体パターンの形状を示す図であり、図に
おいて、1a、1bは誘電体基板、2aは誘電体基板1
aの一方の面全面に導体膜を密着して形成された外導
体、3、6、および、7は誘電体基板1aの他方の面に
導体膜を密着して形成された内導体、9は誘電体基板1
a、1b、外導体2a、2b、および、内導体3を貫通
する貫通孔の内周面に外導体2a、2b、および、内導
体3と連続する導体膜を密着して形成されるスルーホー
ル、30は誘電体基板1a、1bと外導体2a、2bと
内導体3とで構成されるストリップ線路共振器、60は
誘電体基板1a、1bと外導体2a、2bと内導体6と
で構成されるストリップ線路の入力線路、70は誘電体
基板1a、1bと外導体2a、2bと内導体7とで構成
されるストリップ線路の出力線路、P1は入力端、P2
は出力端である。誘電体基板1aと1bは、内導体3、
6、および、7を挟み込むように重ね合わされている。
複数の内導体3はそれぞれ長さが略1/4波長に設定さ
れており、一端がスルーホール9により外導体2a、2
bに接続され短絡されている。このため、共振器30は
一端短絡他端開放の1/4波長共振器となっている。複
数の共振器30は全てが平行に配置され、隣接するもの
同志は交互に逆w側の一端がスルーホール9によって短
絡されている。Example 1. FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the shape of an inner conductor pattern. In the figure, 1a and 1b are dielectric substrates, 2a is a dielectric substrate 1
a is an outer conductor formed by adhering a conductor film to the entire surface of one side of a, 3, 6 and 7 are inner conductors formed by adhering a conductor film to the other surface of the dielectric substrate 1a, and 9 is Dielectric substrate 1
a, 1b, outer conductors 2a, 2b, and a through hole penetrating through the inner conductor 3, the outer conductors 2a, 2b, and a through hole formed by closely adhering a conductor film continuous with the inner conductor 3 to the inner peripheral surface of the through hole. , 30 is a strip line resonator composed of dielectric substrates 1a and 1b, outer conductors 2a and 2b, and inner conductor 3, and 60 is composed of dielectric substrates 1a and 1b, outer conductors 2a and 2b, and inner conductor 6. A stripline input line, 70 is a stripline output line composed of dielectric substrates 1a and 1b, outer conductors 2a and 2b, and inner conductor 7, P1 is an input end, and P2 is
Is an output terminal. The dielectric substrates 1a and 1b are composed of the inner conductor 3,
6 and 7 are overlapped so as to sandwich them.
The length of each of the plurality of inner conductors 3 is set to about 1/4 wavelength, and one end of each of the plurality of inner conductors 3 is provided with a through hole 9 to form the outer conductors 2a,
It is connected to b and short-circuited. Therefore, the resonator 30 is a quarter-wave resonator in which one end is short-circuited and the other end is open. All of the plurality of resonators 30 are arranged in parallel, and adjacent ones are alternately short-circuited at one end on the opposite w side by the through hole 9.
【0058】次に、動作について説明する。隣接する共
振器30は短絡端と開放端が対向するように配置されて
いるため、相互に電界により結合する。その結合量は内
導体3の間隔あるいは内導体3の幅によって調整され
る。Next, the operation will be described. Since the adjacent resonators 30 are arranged such that the short-circuited end and the open end face each other, they are coupled to each other by an electric field. The amount of coupling is adjusted by the distance between the inner conductors 3 or the width of the inner conductors 3.
【0059】今、内導体3それぞれの長さが1/4波長
付近で所定長さに設定され、全ての共振器30が同一の
周波数、例えばf0で共振しているものとすれば、その
周波数f0では、共振状態にある共振器6は相互に強く
結合しており、入力線路60への入射波初段の共振器3
0へ導かれ、隣接する共振器へ電界により結合すること
を繰り返して出力線路70より出力される。しかしなが
ら、f0以外の周波数では、共振器30相互の結合は非
常に弱く、入力線路60への入射波はその電力のほとん
どが反射される。このように、図1および図2に示した
ストリップ線路フィルタは帯域通過フィルタとしての機
能を有する。Now, assuming that the length of each of the inner conductors 3 is set to a predetermined length in the vicinity of a quarter wavelength and all the resonators 30 resonate at the same frequency, for example, f0, that frequency. At f0, the resonators 6 in the resonance state are strongly coupled to each other, and the resonator 3 at the first stage of the incident wave to the input line 60 is
It is guided to 0 and is repeatedly coupled to the adjacent resonator by the electric field, and is output from the output line 70. However, at frequencies other than f0, the coupling between the resonators 30 is very weak, and most of the power of the incident wave on the input line 60 is reflected. As described above, the stripline filter shown in FIGS. 1 and 2 has a function as a bandpass filter.
【0060】次に、設計手順のフローを図3について説
明する。まず、ステップ1において、原形低域通過フィ
ルタから変形され集中定数素子で構成された理想的なチ
ェビシェフ特性を有する帯域通過フィルタと図1のフィ
ルタの物理形状に応じて決定された分布定数形の等価回
路をフィルタの通過帯域の中心周波数において比較し、
設計パラメータとしての共振器間隔、共振器幅、およ
び、共振器長の初期設計を行う。ステップ1は図34〜
図36に示す従来の設計手順と同様である。このとき、
図1のフィルタにおいて隣接する2つの共振器のみを取
り出したペア共振器は、図4に示すような分布定数線路
から成る等価回路で表される。図4において10は電気
長θの先端短絡スタブの等価回路、11は電気長θの線
路の等価回路である。図4の等価回路を組み合わせて用
いることにより、図1のフィルタは図36に示すのと同
様の分布定数線路形等価回路で表される。Next, the flow of the design procedure will be described with reference to FIG. First, in step 1, a bandpass filter having an ideal Chebyshev characteristic formed by a lumped constant element modified from the original lowpass filter and the equivalent of the distributed constant type determined according to the physical shape of the filter of FIG. Compare the circuits at the center frequency of the pass band of the filter,
Initial design of the resonator spacing, the resonator width, and the resonator length as design parameters is performed. Step 1 is shown in FIG.
It is similar to the conventional design procedure shown in FIG. At this time,
A pair resonator in which only two adjacent resonators are taken out in the filter of FIG. 1 is represented by an equivalent circuit composed of distributed constant lines as shown in FIG. In FIG. 4, 10 is an equivalent circuit of a tip short-circuit stub having an electrical length θ, and 11 is an equivalent circuit of a line having an electrical length θ. By using the equivalent circuits of FIG. 4 in combination, the filter of FIG. 1 can be represented by a distributed constant line type equivalent circuit similar to that shown in FIG.
【0061】次に、ステップ2において、設計パラメー
タの数以上の周波数を選択し、図5に示すように、これ
らの周波数における挿入損あるいは反射損を規定する。
図5は、図1のフィルタの所望の通過および反射特性を
示す図であり、図において、f1〜f13は選択した周波
数である。規定する通過損と反射損のレベルを同様にす
るため、通過帯域の周波数f2〜f10では反射損、通過
帯域外の周波数f1およびf11〜f13では通過損をそれ
ぞれ規定している。Next, in step 2, frequencies above the number of design parameters are selected, and as shown in FIG. 5, the insertion loss or reflection loss at these frequencies is defined.
FIG. 5 is a diagram showing desired pass and reflection characteristics of the filter of FIG. 1, where f1 to f13 are selected frequencies. In order to make the levels of the specified pass loss and reflection loss the same, the reflection loss is defined at frequencies f2 to f10 in the pass band, and the pass loss is defined at frequencies f1 and f11 to f13 outside the pass band.
【0062】最後に、ステップ3において、上記分布定
数線路形等価回路によるフィルタの特性計算を行い、周
波数f2〜f10における反射損の値と、周波数f1および
f11〜f13における挿入損が所望の値となるように、等
価回路のパラメータを最適化する。最適化により得られ
たパラメータから共振器間隔、共振器幅、および、共振
器長が求まる。Finally, in step 3, the characteristics of the filter by the distributed constant line type equivalent circuit are calculated, and the reflection loss value at the frequencies f2 to f10 and the insertion loss at the frequencies f1 and f11 to f13 are set to desired values. The parameters of the equivalent circuit are optimized so that The resonator spacing, the resonator width, and the resonator length are obtained from the parameters obtained by the optimization.
【0063】以上のように、図3の設計手順による実施
例は、通過帯域内の複数の周波数において反射損を所望
の値に規定しているため、通過帯域が広い場合でも通過
帯域端での反射の増加は少なく、通過帯域全体に渡って
良好な特性が得られる。As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 3, the reflection loss is defined to be a desired value at a plurality of frequencies within the pass band. Therefore, even when the pass band is wide, the reflection loss is small. There is little increase in reflection and good properties are obtained over the entire pass band.
【0064】また、周波数をパラメータの数以上選択し
ているため関係式がパラメータの数以上得られ、最適化
の際に、等価回路による特性計算結果が所望の特性に近
づく可能性が高い。Further, since the frequency is selected by the number of parameters or more, the relational expression is obtained by the number of parameters or more, and it is highly possible that the characteristic calculation result by the equivalent circuit approaches the desired characteristic upon optimization.
【0065】実施例2.図6は、この発明の他の実施例
の設計手順を示すフローであり、ステップ2において、
通過帯域内にチェビシェフ特性の反射零および極大周波
数を選択し、図7に示すように、これらの周波数におけ
る反射損を規定した場合である。図7は、図1のフィル
タの所望の反射特性を示す図であり、図において、f
1、f3、f5、および、f7は反射零周波数であり、次の
第2式で与えられる。Example 2. FIG. 6 is a flow chart showing the design procedure of another embodiment of the present invention.
This is a case where the zero reflection and the maximum frequency of the Chebyshev characteristic are selected in the pass band and the reflection loss at these frequencies is specified as shown in FIG. FIG. 7 is a diagram showing a desired reflection characteristic of the filter shown in FIG.
1, f3, f5, and f7 are reflection zero frequencies and are given by the following second equation.
【0066】[0066]
【数1】 [Equation 1]
【0067】また、f2、f4、および、f6は反射極大
周波数であり、次の第3式で与えられる。Further, f2, f4, and f6 are reflection maximum frequencies, which are given by the following third equation.
【0068】[0068]
【数2】 [Equation 2]
【0069】このように、図6の設計手順による実施例
は、通過帯域内の全ての反射零周波数を規定しているた
め、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の増加
や反射零周波数のずれは少なく、通過帯域全体に渡って
チェビシェフ関数による理想的な反射特性が得られる。As described above, the embodiment according to the design procedure of FIG. 6 defines all the reflection zero frequencies within the pass band, and therefore, even when the pass band is wide, the reflection at the end of the pass band is increased or the reflection zero is reduced. There is little frequency shift, and ideal Chebyshev function reflection characteristics can be obtained over the entire pass band.
【0070】なお、反射零および極大周波数の数はパラ
メータの総数より少ないため、全てのパラメータを最適
化の際の変数として指定できないが、例えば、共振器間
隔のみを変数に指定し、他のパラメータにつては共振器
間隔の変化により各共振器の共振周波数と特性インピー
ダンスが変化しないように共振器長と共振器幅を補正す
ることで、良好な反射特性を実現できる。Since the number of zero reflections and the maximum frequency is less than the total number of parameters, all parameters cannot be specified as variables during optimization. For example, only the resonator spacing is specified as a variable and other parameters are specified. On the other hand, good reflection characteristics can be realized by correcting the resonator length and the resonator width so that the resonance frequency and the characteristic impedance of each resonator do not change due to the change of the resonator spacing.
【0071】従って、図6の設計手順による実施例は、
図3の場合と同様に、広帯域なストリップ線路フィルタ
を得ることができる他に、少数の周波数に対して反射損
を規定するだけで反射特性の良好なものが得られるとい
う利点を有する。Therefore, the embodiment according to the design procedure of FIG.
Similar to the case of FIG. 3, in addition to being able to obtain a wideband stripline filter, it has the advantage that good reflection characteristics can be obtained by only defining the reflection loss for a small number of frequencies.
【0072】実施例3.図8は、この発明の他の実施例
の設計手順を示すフローであり、ステップ2において、
通過帯域内にチェビシェフ特性の反射零周波数を選択
し、図9に示すように、これらの周波数における反射損
を規定した場合である。図9は図1のフィルタの所望の
反射特性であり、図において、f1、f3、f5、およ
び、f7は反射零周波数であり、図7の場合と同様に第
2式で与えられる。Example 3. FIG. 8 is a flow showing a design procedure of another embodiment of the present invention.
This is the case where the reflection zero frequencies of the Chebyshev characteristic are selected in the pass band and the reflection loss at these frequencies is specified as shown in FIG. FIG. 9 shows a desired reflection characteristic of the filter shown in FIG. 1. In the figure, f1, f3, f5, and f7 are reflection zero frequencies, which are given by the second equation as in the case of FIG.
【0073】このように、図8の設計手順による実施例
は、通過帯域内の全ての反射零周波数を規定しているた
め、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の増加
や反射零周波数のずれは少なく、通過帯域全体に渡って
チェビシェフ関数による理想的な反射特性が得られる。As described above, since the embodiment according to the design procedure of FIG. 8 defines all reflection zero frequencies within the pass band, even if the pass band is wide, the increase in reflection at the end of the pass band and the reflection zero will occur. There is little frequency shift, and ideal Chebyshev function reflection characteristics can be obtained over the entire pass band.
【0074】なお、反射零周波数の数は共振器の数と同
一となるため、全てのパラメータを最適化の際の変数と
して指定できないが、共振器間隔のみを変数に指定し、
他のパラメータにつては共振器間隔の変化により各共振
器の共振周波数と特性インピーダンスが変化しないよう
に共振器長と共振器幅を補正することで、良好な反射特
性を実現できる。Since the number of reflection zero frequencies is the same as the number of resonators, all parameters cannot be specified as variables in optimization, but only the resonator spacing is specified as a variable.
With respect to other parameters, good reflection characteristics can be realized by correcting the resonator length and the resonator width so that the resonance frequency and the characteristic impedance of each resonator do not change due to the change of the resonator spacing.
【0075】従って、図8の設計手順による実施例は、
図3の場合と同様に、広帯域なストリップ線路フィルタ
を得ることができる他に、さらに少数の周波数に対して
反射損を規定するだけで反射特性の良好なものが得られ
るという利点を有する。Therefore, the embodiment according to the design procedure of FIG.
Similar to the case of FIG. 3, in addition to being able to obtain a wideband stripline filter, it has an advantage that a good reflection characteristic can be obtained only by defining reflection loss for a smaller number of frequencies.
【0076】実施例4.図10は、この発明の他の実施
例の設計手順を示すフローであり、ステップ2におい
て、通過帯域内にチェビシェフ特性の反射極大周波数を
選択し、図11に示すように、これらの周波数における
反射損を規定した場合である。図11は図1のフィルタ
の所望の反射特性であり、図において、f2、f4、およ
び、f6は反射極大周波数であり、図7の場合と同様に
式(2)で与えられる。Example 4. FIG. 10 is a flow chart showing the design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, the reflection maximum frequencies of the Chebyshev characteristic are selected in the pass band, and as shown in FIG. 11, reflection at these frequencies is performed. This is the case when the loss is specified. FIG. 11 shows a desired reflection characteristic of the filter shown in FIG. 1. In the figure, f2, f4, and f6 are reflection maximum frequencies, which are given by the equation (2) as in the case of FIG.
【0077】このように、図10の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射極大周波数を規定してい
るため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の
増加や反射極大周波数のずれは少なく、通過帯域全体に
渡ってチェビシェフ関数による理想的な反射特性に近い
特性が得られる。ただし、この場合、最適化によって得
られた等価回路パラメータを用いた反射特性は、図11
に示すように規定した極大値より大きな最大値を持つこ
とがあり、注意を要する。As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 10, since all reflection maximum frequencies within the pass band are specified, even if the pass band is wide, the reflection at the end of the pass band and the reflection maximum are increased. The frequency shift is small, and a characteristic close to the ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band. However, in this case, the reflection characteristic using the equivalent circuit parameter obtained by the optimization is shown in FIG.
Note that the maximum value may be larger than the specified maximum value as shown in.
【0078】なお、反射極大周波数の数は共振器の数よ
り1少ないため、全てのパラメータを最適化の際の変数
として指定できないが、共振器間隔のみを変数に指定
し、他のパラメータにつては共振器間隔の変化により各
共振器の共振周波数と特性インピーダンスが変化しない
ように共振器長と共振器幅を補正することで、良好な反
射特性を実現できる。Since the number of reflection maximum frequencies is one less than the number of resonators, all parameters cannot be specified as variables for optimization, but only the resonator spacing is specified as a variable and other parameters are specified. A good reflection characteristic can be realized by correcting the resonator length and the resonator width so that the resonance frequency and the characteristic impedance of each resonator do not change due to the change of the resonator spacing.
【0079】従って、図10の設計手順による実施例
は、図3の場合と同様に、広帯域なストリップ線路フィ
ルタを得ることができる他に、最小限の数の周波数に対
して反射損を規定するだけで反射特性の良好なものが得
られるという利点を有する。Therefore, as in the case of FIG. 3, the embodiment according to the design procedure of FIG. 10 can obtain a wide band strip line filter and also defines the reflection loss for a minimum number of frequencies. This has the advantage that a good reflection property can be obtained by itself.
【0080】実施例5.図12は、この発明の他の実施
例の設計手順を示すフローであり、図10の実施例に対
して、さらに、ステップ4において、ステップ3までで
得られた反射特性を理想的なチェビシェフ特性の反射特
性と比較し、理想特性より反射の大きな周波数を選択
し、この周波数ににおける反射損を新たな拘束条件とし
た場合である。新たな周波数は例えば図13のf8、お
よびf9のように与えられる。Example 5. FIG. 12 is a flow chart showing the design procedure of another embodiment of the present invention. Further, in addition to the embodiment of FIG. 10, in step 4, the reflection characteristics obtained up to step 3 are ideal Chebyshev characteristics. This is a case in which a frequency having a larger reflection than the ideal characteristic is selected as compared with the reflection characteristic of, and the reflection loss at this frequency is set as a new constraint condition. The new frequencies are given as, for example, f8 and f9 in FIG.
【0081】ステップ5において、f2、f4、f6、f
8、および、f9の反射損を拘束条件として、再び最適化
い、得られたパラメータから共振器間隔、共振器幅、お
よび、共振器長を求める。In step 5, f2, f4, f6, f
It is optimized again with the reflection loss of 8 and f9 as constraint conditions, and the resonator spacing, the resonator width, and the resonator length are obtained from the obtained parameters.
【0082】このように、図12の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射極大周波数を規定してい
るため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の
増加や反射極大周波数のずれは少なく、さらに、複数回
の最適化を行うため、通過帯域全体に渡ってチェビシェ
フ関数による理想的な反射特性が得られる。As described above, the embodiment according to the design procedure of FIG. 12 defines all reflection maximum frequencies within the pass band, so that even if the pass band is wide, the increase in reflection at the end of the pass band and the reflection maximum. Since the frequency shift is small and the optimization is performed a plurality of times, ideal Chebyshev function reflection characteristics can be obtained over the entire pass band.
【0083】なお、反射極大周波数の数は共振器の数よ
り1少ないため、全てのパラメータを最適化の際の変数
として指定できないが、共振器間隔のみを変数に指定
し、他のパラメータにつては共振器間隔の変化により各
共振器の共振周波数と特性インピーダンスが変化しない
ように共振器長と共振器幅を補正することで、良好な反
射特性を実現できる。Since the number of reflection maximum frequencies is one less than the number of resonators, all parameters cannot be specified as variables for optimization, but only the resonator spacing is specified as a variable and other parameters are specified. A good reflection characteristic can be realized by correcting the resonator length and the resonator width so that the resonance frequency and the characteristic impedance of each resonator do not change due to the change of the resonator spacing.
【0084】従って、図12の設計手順による実施例
は、図3の場合と同様に、広帯域なストリップ線路フィ
ルタを得ることができる他に、少ないの数の周波数に対
して反射損を規定するだけで反射特性の良好なものが得
られるという利点を有する。Therefore, the embodiment according to the design procedure of FIG. 12 can obtain a wide band strip line filter as in the case of FIG. 3, and only specifies the reflection loss for a small number of frequencies. Has an advantage that a good reflection characteristic can be obtained.
【0085】なお、上記実施例の説明においては、ステ
ップ2において、通過帯域内にチェビシェフ特性の反射
極大周波数を選択する場合について示したが、ステップ
2において、通過帯域内にチェビシェフ特性の反射零周
波数を選択しても同様に通過帯域全体に渡ってチェビシ
ェフ関数による理想的な反射特性が得られる。In the description of the above embodiment, the case where the reflection maximum frequency of the Chebyshev characteristic is selected in the pass band in step 2 has been described, but in step 2, the reflection zero frequency of the Chebyshev characteristic is selected in the pass band. Even if is selected, an ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band.
【0086】実施例6.図14はこの発明の他の実施例
を示す概略構成図であり、図において、12は方形導波
管、13は誘導性アイリス、14は両端を誘導性アイリ
ス13によって仕切られた空胴共振器、P1は入力端、
P2は出力端である。空胴共振器14は両端が略短絡の
1/2波長共振器となっている。Example 6. FIG. 14 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention. In the figure, 12 is a rectangular waveguide, 13 is an inductive iris, and 14 is a cavity resonator whose both ends are partitioned by the inductive iris 13. , P1 is the input end,
P2 is an output terminal. The cavity resonator 14 is a half-wave resonator whose both ends are substantially short-circuited.
【0087】次に、動作について説明する。隣接する空
胴共振器14は誘導性アイリス13を介して相互に結合
し、結合量は誘導性アイリス13の大きさによって調整
される。Next, the operation will be described. Adjacent cavity resonators 14 are coupled to each other via inductive iris 13, and the amount of coupling is adjusted by the size of inductive iris 13.
【0088】今、空胴共振器14それぞれの長さが1/
2波長付近で所定長さに設定され、全ての空胴共振器1
4が同一の周波数、例えばf0で共振しているものとす
れば、その周波数f0では、共振状態にある空胴共振器
14は相互に強く結合しており、入力端P1への入射波
は初段の空胴共振器14へ導かれ、隣接する共振器へ主
として磁界により結合することを繰り返して出力端P2
より出力される。しかしながら、f0以外の周波数で
は、空胴共振器14相互の結合は非常に弱く、入力端P
1への入射波はその電力のほとんどが反射される。この
ように、図14に示した導波管形フィルタは帯域通過フ
ィルタとしての機能を有する。Now, the length of each cavity resonator 14 is 1 /
It is set to a predetermined length near two wavelengths, and all cavity resonators 1
Assuming that 4 resonates at the same frequency, for example, f0, at that frequency f0, the cavity resonators 14 in the resonance state are strongly coupled to each other, and the incident wave to the input end P1 is the first stage. Is guided to the cavity resonator 14 and is coupled to the adjacent resonator mainly by the magnetic field, and the output terminal P2
Will be output. However, at frequencies other than f0, the coupling between the cavity resonators 14 is very weak, and the input end P
Most of the electric power of the incident wave on 1 is reflected. Thus, the waveguide filter shown in FIG. 14 has a function as a bandpass filter.
【0089】次に、設計手順のフローを図15について
説明する。まず、ステップ1において、原形低域通過フ
ィルタから変形され集中定数素子で構成された理想的な
チェビシェフ特性を有する帯域通過フィルタと図14の
フィルタの物理形状に応じて決定された分布定数形の等
価回路をフィルタの通過帯域の中心周波数において比較
し、設計パラメータとしての共振器長、および、誘導性
アイリスのサセプタンス値の初期設計を行う。ステップ
1は図38〜図41に示す従来の設計手順と同様であ
る。このとき、図14のフィルタにおける誘導性アイリ
ス13の等価回路は、図16に示すような並列サセプタ
ンスBaによって表される。ここで、並列サセプタンス
Baは誘導性アイリスの間隔dおよび導波管管内波長の
関数となる。なお、誘導性ポストの等価回路は図17に
示すようになり、誘導性アイリスの代わりに用いること
が可能である。図16の関係を用いると、図14のフィ
ルタは図41の分布定数形等価回路で表される。Next, the flow of the design procedure will be described with reference to FIG. First, in step 1, the bandpass filter having an ideal Chebyshev characteristic which is modified from the original lowpass filter and is composed of lumped constant elements, and the distribution constant type equivalent determined according to the physical shape of the filter of FIG. The circuits are compared at the center frequency of the pass band of the filter, and the resonator length as a design parameter and the susceptance value of the inductive iris are initially designed. Step 1 is similar to the conventional design procedure shown in FIGS. 38 to 41. At this time, the equivalent circuit of the inductive iris 13 in the filter of FIG. 14 is represented by the parallel susceptance Ba as shown in FIG. Here, the parallel susceptance Ba is a function of the spacing d of the inductive iris and the wavelength in the waveguide. The equivalent circuit of the inductive post is as shown in FIG. 17 and can be used instead of the inductive iris. Using the relationship of FIG. 16, the filter of FIG. 14 is represented by the distributed constant type equivalent circuit of FIG.
【0090】次に、ステップ2において、図18に示す
ように通過帯域内に導波管管内波長の関数としてのチェ
ビシェフ関数の零点を設定し、上記複数の零点の上記管
内波長に対応する周波数を反射零周波数として規定し、
これらの周波数における反射損を規定する。図18に実
線で示す特性は図14のフィルタの所望の反射特性であ
る。図において、f1〜f11は反射零周波数であり、対
応する導波管管内波長λgpは次の第4式で与えられる。Next, in step 2, as shown in FIG. 18, zero points of the Chebyshev function as a function of the waveguide internal wavelength are set in the pass band, and the frequencies corresponding to the internal wavelengths of the plurality of zeros are set. It is defined as the reflection zero frequency,
It defines the return loss at these frequencies. The characteristic indicated by the solid line in FIG. 18 is the desired reflection characteristic of the filter of FIG. In the figure, f1 to f11 are reflection zero frequencies, and the corresponding waveguide internal wavelength λgp is given by the following equation (4).
【0091】[0091]
【数3】 (Equation 3)
【0092】ここで、ω■p/ω■1は原形低域通過フィ
ルタの反射零周波数、λg0は中心周波数における管内波
長、λg1およびλg2はそれぞれ通過帯域下限および上限
における管内波長である。Here, ωp / ω1 is the reflection zero frequency of the original low-pass filter, λg0 is the guide wavelength at the center frequency, and λg1 and λg2 are the guide wavelengths at the lower and upper limits of the pass band, respectively.
【0093】最後に、ステップ3において、上記分布定
数線路形等価回路によるフィルタの特性計算を行い、周
波数f1〜f11における反射損の値が所望の値となるよ
うに、等価回路のパラメータを最適化する。最適化によ
り得られたパラメータから空胴共振器長および誘導性ア
イリスの寸法が求まる。このとき最適化により得られた
i番目の誘導性アイリスのサセプタンス値Biは、初期
設計におけるサセプタンス値をB0i、共振器の段数をN
とすると、次の第1式の範囲で求まる。Finally, in step 3, the characteristics of the filter using the distributed constant line type equivalent circuit are calculated, and the parameters of the equivalent circuit are optimized so that the reflection loss values at the frequencies f1 to f11 are desired values. To do. From the parameters obtained by the optimization, the cavity length and the size of the inductive iris can be obtained. At this time, the susceptance value Bi of the i-th inductive iris obtained by optimization is the susceptance value B0i in the initial design and N is the number of resonator stages.
Then, it can be obtained within the range of the following first equation.
【0094】 1<Bi/B0i<1.2 (1≦i≦0.2N, N≦i≦N+1) 0.8<Bi/B0i<1 (0.2N<i≦0.4, 0.8N≦i<N) 0.9<Bi/B0i≦1 (0.4N<i<0.8N)1 <Bi / B0i <1.2 (1 ≦ i ≦ 0.2N, N ≦ i ≦ N + 1) 0.8 <Bi / B0i <1 (0.2N <i ≦ 0.4, 0.8N ≦ i <N) 0.9 <Bi / B0i ≦ 1 (0.4N <i <0.8N)
【0095】このように、図15の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射零周波数を規定している
ため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の増
加や反射零周波数のずれは少なく、通過帯域全体に渡っ
てチェビシェフ関数による理想的な反射特性が得られ
る。As described above, since the embodiment according to the design procedure of FIG. 15 defines all reflection zero frequencies within the pass band, even if the pass band is wide, the reflection at the end of the pass band is increased or the reflection zero is reduced. There is little frequency shift, and ideal Chebyshev function reflection characteristics can be obtained over the entire pass band.
【0096】なお、反射零周波数の数は共振器の数と同
一となるため、全てのパラメータを最適化の際の変数と
して指定できないが、例えば、誘導性アイリス13のサ
セプタンス値のみを変数に指定し、他のパラメータにつ
ては誘導性アイリス13のサセプタンス値の変化により
各共振器の共振周波数が変化しないように共振器長を補
正することで、良好な反射特性を実現できる。Since the number of reflection zero frequencies is the same as the number of resonators, all parameters cannot be specified as variables for optimization, but for example, only the susceptance value of the inductive iris 13 is specified as a variable. However, with respect to other parameters, by correcting the resonator length so that the resonance frequency of each resonator does not change due to the change in the susceptance value of the inductive iris 13, good reflection characteristics can be realized.
【0097】従って、図15の設計手順による実施例
は、広帯域な導波管形フィルタを得ることができ、さら
に少数の周波数に対して反射損を規定するだけで反射特
性の良好なものが得られるという利点を有する。Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 15, a broadband waveguide filter can be obtained, and a reflection characteristic can be improved by only defining the reflection loss for a small number of frequencies. Has the advantage that
【0098】また、上記実施例6を実施例5に適用して
再度の最適化を行なうこともでき、最小限の周波数を用
いた最適化手法等により上記通過帯域内のすべての周波
数においてチェビシェフ関数による理想特性に非常に近
い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの値を
決定できる。It is also possible to apply the sixth embodiment to the fifth embodiment to perform the optimization again, and the Chebyshev function is applied to all frequencies in the pass band by the optimization method using the minimum frequency. It is possible to determine the value of the above-mentioned design parameter that gives a desired reflection characteristic very close to the ideal characteristic of
【0099】実施例7.図19は、この発明の他の実施
例の設計手順を示すフローであり、ステップ2におい
て、通過帯域内に初期設計による特性から反射極大周波
数を選択し、図20に示すように、これらの周波数にお
ける反射損を規定した場合である。、図20において、
f1〜f6は選択した反射極大周波数であり、実線は、f
1〜f6における反射損を規定して最適化を行った後の反
射特性である。初期設計から得られた波線の特性に比
べ、反射特性が大きく改善されている。Example 7. FIG. 19 is a flow chart showing the design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, the reflection maximum frequencies are selected from the characteristics of the initial design within the pass band, and as shown in FIG. This is the case when the reflection loss in is defined. , In FIG.
f1 to f6 are the selected reflection maximum frequencies, and the solid line is f
It is the reflection characteristic after the reflection loss in 1 to f6 is defined and optimized. Compared with the characteristic of the wavy line obtained from the initial design, the reflection characteristic is greatly improved.
【0100】このように、図19の設計手順による実施
例は、通過帯域内の複数の周波数で反射極大値を規定し
ているため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反
射の増加は少なく、通過帯域全体に渡って所望の反射損
が得られる。ただし、この場合、最適化によって得られ
た等価回路パラメータを用いた反射特性は、規定した極
大値より大きな最大値を持つことがあり、この場合は実
施例5に示したのと同様の最適化を行う必要がある。As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 19, since the reflection maximum value is defined at a plurality of frequencies within the pass band, even if the pass band is wide, the reflection at the end of the pass band does not increase. A small reflection loss can be obtained over the entire pass band. However, in this case, the reflection characteristic using the equivalent circuit parameter obtained by the optimization may have a maximum value larger than the specified maximum value. In this case, the same optimization as that shown in the fifth embodiment is performed. Need to do.
【0101】なお、反射極大周波数の数は最大でも共振
器の数より1少ないため、全てのパラメータを最適化の
際の変数として指定できないが、例えば、誘導性アイリ
ス13のサセプタンス値のみを変数に指定し、他のパラ
メータについては誘導性アイリス13のサセプタンス値
の変化により各共振器の共振周波数が変化しないように
共振器長を補正することで、良好な反射特性を実現でき
る。Since the maximum number of reflection maximum frequencies is one less than the number of resonators, all parameters cannot be specified as variables for optimization. For example, only the susceptance value of the inductive iris 13 is used as a variable. Good reflection characteristics can be realized by specifying the other parameters and correcting the resonator length so that the resonance frequency of each resonator does not change due to the change in the susceptance value of the inductive iris 13.
【0102】従って、図19の設計手順による実施例
は、図15の場合と同様に、広帯域な導波管形フィルタ
を得ることができる他に、最小限の数の周波数に対して
反射損を規定するだけで反射特性の良好なものが得られ
るという利点を有する。Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 19, a broadband waveguide filter can be obtained as in the case of FIG. 15, and reflection loss is caused for a minimum number of frequencies. It has an advantage that a good reflection property can be obtained only by defining.
【0103】実施例8.図21はこの発明の他の実施例
を示す概略構成図であり、図において、1は誘電体基
板、2は誘電体基板1の一方の面全面に導体膜を密着し
て形成された外導体、15は誘電体基板1の他方の面に
導体膜を密着して形成されたストリップ導体、16は誘
電体基板1、外導体2、および、内導体15から成るマ
イクロストリップ線路、17はマイクロストリップ線路
16の一部を構成する1/4波長線路、P1は入力端、
P2は出力端である。ここで、4つの1/4波長線路1
7は出力端P2側に近いものほど線路幅が広く設定され
ている。Example 8. FIG. 21 is a schematic configuration diagram showing another embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a dielectric substrate, 2 is an outer conductor formed by closely adhering a conductor film on one entire surface of the dielectric substrate 1. , 15 is a strip conductor formed by closely adhering a conductor film to the other surface of the dielectric substrate 1, 16 is a microstrip line including the dielectric substrate 1, the outer conductor 2, and the inner conductor 15, and 17 is a microstrip. 1/4 wavelength line forming a part of the line 16, P1 is an input end,
P2 is an output terminal. Here, four 1/4 wavelength lines 1
The line width of 7 is set to be wider as it is closer to the output terminal P2 side.
【0104】次に、動作について説明する。1/4波長
線路17は出力端P2側に近いものほど線路幅が広く設
定されているため、隣接するもの同士の接続面には線路
幅の不連続が存在する。この不連続では、不連続の大き
さに応じた反射が生じる。Next, the operation will be described. Since the one-quarter wavelength line 17 is set to have a wider line width as it is closer to the output end P2 side, there is a line width discontinuity on the connection surface between adjacent ones. In this discontinuity, reflection occurs according to the size of the discontinuity.
【0105】今、全ての1/4波長線路17の線路長が
所定の周波数f0において1/4波長となるように設定
されているものとすると、入力端P1から入射した周波
数f0の電波は最初の不連続で一部反射する。最初の不
連続を通過した電波は2番目の1/4波長線路17を通
って2番目の不連続で一部がまた反射する。しかし、1
/4波長線路17の線路長がf0において1/4波長に
設定されているため、2番目の不連続で反射した反射波
は、1番目の不連続に戻った時には1番目の不連続で最
初に反射した反射波に比べて位相が180度すなわち1
/2波長分遅れる。従って、これら2つの反射波はお互
いに打ち消し合い、不連続の相対的な大きさを調整すれ
ば入力端P1へは全く戻って行かなくできる。3番目以
降の不連続についても同様の原理により相互の反射を打
ち消すことが可能であるため、線路幅が狭くインピーダ
ンスの高い入力端P1からの入射は、周波数がf0の場
合にはほとんど反射せず、線路幅が広くインピーダンス
の低い出力端P2から取り出される。このように、図2
1に示したストリップ線路はインピーダンス変成器とし
ての機能を有する。Now, assuming that the line lengths of all the 1/4 wavelength lines 17 are set to be 1/4 wavelength at a predetermined frequency f0, the radio wave of the frequency f0 incident from the input end P1 is initially Partly reflected due to the discontinuity of. The radio wave that has passed through the first discontinuity passes through the second quarter wavelength line 17 and is partially reflected again at the second discontinuity. However, 1
Since the line length of the / 4 wavelength line 17 is set to ¼ wavelength at f0, the reflected wave reflected at the second discontinuity is the first at the first discontinuity when returning to the first discontinuity. The phase is 180 degrees, that is, 1
/ Delay by two wavelengths. Therefore, these two reflected waves cancel each other out, and by adjusting the relative magnitude of the discontinuity, it is possible to never return to the input end P1. For the third and subsequent discontinuities, mutual reflection can be canceled by the same principle. Therefore, the incident from the input end P1 with a narrow line width and high impedance hardly reflects when the frequency is f0. , Is output from the output terminal P2 having a wide line width and a low impedance. Thus, FIG.
The strip line shown in 1 has a function as an impedance transformer.
【0106】次に、設計手順のフローを図22について
説明する。まず、ステップ1において、1/4波長線路
間の不連続によるサセプタンスの周波数特性を考慮しな
い従来の設計手順に従って、設計パラメータとしての1
/4波長線路の線路長および特性インピーダンスの初期
設計を行う。ステップ1は図43、図44に示す従来の
設計手順と同様である。このとき、図21のインピーダ
ンス変成器において隣接する2つの1/4波長線路17
間の不連続は、図23に示すような並列サセプタンスで
表される。図23においてB12は不連続による並列サセ
プタンス、Z1、Z2は両端の1/4波長線路17の特性イ
ンピーダンスである。図23の等価回路を組み合わせて
用いることにより、図21のフィルタは図44に示すの
と同様の等価回路で表される。Next, the flow of the design procedure will be described with reference to FIG. First, in step 1, 1 is set as a design parameter according to a conventional design procedure that does not consider the frequency characteristic of the susceptance due to the discontinuity between the quarter wavelength lines.
Initial design of line length and characteristic impedance of / 4 wavelength line. Step 1 is the same as the conventional design procedure shown in FIGS. 43 and 44. At this time, two adjacent quarter-wave lines 17 in the impedance transformer of FIG.
The discontinuity between is represented by a parallel susceptance as shown in FIG. In FIG. 23, B12 is a parallel susceptance due to discontinuity, and Z1 and Z2 are characteristic impedances of the ¼ wavelength line 17 at both ends. By using the equivalent circuits of FIG. 23 in combination, the filter of FIG. 21 can be represented by an equivalent circuit similar to that shown in FIG.
【0107】次に、ステップ2において、設計パラメー
タの数以上の周波数を選択し、図5に示すように、これ
らの周波数における挿入損あるいは反射損を規定する。
図24は、図21のインピーダンス変成器の所望の通過
および反射特性を示す図であり、図において、f1〜f1
3は選択した周波数である。ここでは、挿入損より周波
数特性の大きな反射損を規定している。Next, in step 2, frequencies higher than the number of design parameters are selected, and as shown in FIG. 5, the insertion loss or reflection loss at these frequencies is specified.
FIG. 24 is a diagram showing desired passage and reflection characteristics of the impedance transformer of FIG. 21, in which f1 to f1 are shown.
3 is the selected frequency. Here, a reflection loss having a frequency characteristic larger than the insertion loss is specified.
【0108】最後に、ステップ3において、上記等価回
路によるフィルタの特性計算を行い、周波数f1〜f13
における反射損の値が所望の値となるように、等価回路
のパラメータである1/4波長線路の電気長および特性
インピーダンスを最適化する。最適化により得られたパ
ラメータから、1/4波長線路の線路長および線路幅を
求める。Finally, in step 3, the characteristics of the filter are calculated by the equivalent circuit, and the frequencies f1 to f13 are calculated.
The electrical length and the characteristic impedance of the 1/4 wavelength line, which are the parameters of the equivalent circuit, are optimized so that the value of the reflection loss at is a desired value. From the parameters obtained by the optimization, the line length and line width of the quarter wavelength line are obtained.
【0109】以上のように、図22の設計手順による図
21の実施例は、通過帯域内の複数の周波数において反
射損を所望の値に規定しているため、通過帯域が広い場
合でも通過帯域端での反射の増加は少なく、通過帯域全
体に渡って良好な特性が得られる。As described above, in the embodiment of FIG. 21 according to the design procedure of FIG. 22, the reflection loss is defined to be a desired value at a plurality of frequencies within the pass band. Therefore, even if the pass band is wide, There is little increase in reflection at the edges and good performance is obtained over the entire pass band.
【0110】また、周波数をパラメータの数以上選択し
ているため関係式がパラメータの数以上得られ、最適化
の際に、等価回路による特性計算結果が所望の特性に近
づく可能性が高い。Further, since the frequency is selected in the number of parameters or more, the relational expression is obtained in the number of parameters or more, and it is highly possible that the characteristic calculation result by the equivalent circuit approaches the desired characteristic during optimization.
【0111】実施例9.図25は、この発明の他の実施
例の設計手順を示すフローであり、ステップ2におい
て、通過帯域内にチェビシェフ特性の反射零および極大
周波数を選択し、図26に示すように、これらの周波数
における反射損を規定した場合である。図26は、図2
1のインピーダンス変成器の所望の反射特性と、規定す
る周波数および反射損を示す図である。図において、f
1、f3、f5、および、f7は反射零周波数、f2、f4、
および、f6は反射極大周波数であり、従来の場合と同
様に求められる。Example 9. FIG. 25 is a flow chart showing the design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, the reflection zero and the maximum frequency of the Chebyshev characteristic are selected in the pass band, and as shown in FIG. This is the case when the reflection loss in is defined. 26 is the same as FIG.
It is a figure which shows the desired reflection characteristic of the impedance transformer of No. 1, and the frequency and reflection loss which prescribe | regulate. In the figure, f
1, f3, f5, and f7 are reflection zero frequencies, f2, f4,
Also, f6 is a reflection maximum frequency, which is obtained in the same manner as in the conventional case.
【0112】このように、図25の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射零および極大周波数を規
定しているため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端で
の反射の増加は少なく、通過帯域全体に渡ってチェビシ
ェフ関数による理想的な反射特性が得られる。As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 25, all reflection zeros and maximum frequencies in the pass band are defined. Therefore, even when the pass band is wide, the reflection at the end of the pass band does not increase. It is possible to obtain an ideal reflection characteristic by the Chebyshev function over the entire pass band.
【0113】なお、反射零および極大周波数の数はパラ
メータの総数より少ないため、全てのパラメータを最適
化の際の変数として指定できないが、例えば、1/4波
長線路17の特性インピーダンスのみを変数に指定し、
特性インピーダンスの変化に対応して、不連続すなわち
並列サセプタンス間の位相差が変化しないように、1/
4波長線路17の電気長を従属的に補正することで、良
好な反射特性を実現できる。Since the number of zero reflections and the maximum frequency is less than the total number of parameters, it is impossible to specify all parameters as variables for optimization. For example, only the characteristic impedance of the quarter wavelength line 17 is used as a variable. Specify,
Corresponding to changes in the characteristic impedance, the phase difference between the discontinuity, that is, the parallel susceptance does not change.
By correcting the electrical length of the four-wavelength line 17 in a dependent manner, good reflection characteristics can be realized.
【0114】従って、図25の設計手順による実施例
は、図22の場合と同様に、広帯域なストリップ線路形
インピーダンス変成器を得ることができる他に、少数の
周波数に対して反射損を規定するだけで反射特性の良好
なものが得られるという利点を有する。Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 25, as in the case of FIG. 22, a broadband stripline impedance transformer can be obtained, and reflection loss is defined for a small number of frequencies. This has the advantage that a good reflection property can be obtained by itself.
【0115】実施例10.図27は、この発明の他の実
施例の設計手順を示すフローであり、ステップ2におい
て、通過帯域内にチェビシェフ特性の反射零周波数を選
択し、図28に示すように、これらの周波数における反
射損を規定した場合である。図28は図21のインピー
ダンス変成器の所望の反射特性と、規定する周波数およ
び反射損を示す図である。図において、f1、f3、f
5、および、f7は反射零周波数であり、従来の場合と同
様に求められる。Example 10. FIG. 27 is a flow chart showing the design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, reflection zero frequencies of Chebyshev characteristic are selected in the pass band, and as shown in FIG. 28, reflection at these frequencies is performed. This is the case when the loss is specified. FIG. 28 is a diagram showing desired reflection characteristics of the impedance transformer of FIG. In the figure, f1, f3, f
5 and f7 are reflection zero frequencies, which are obtained as in the conventional case.
【0116】このように、図27の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射零周波数を規定している
ため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の増
加や反射零周波数のずれは少なく、通過帯域全体に渡っ
てチェビシェフ関数による理想的な反射特性が得られ
る。As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 27, since all reflection zero frequencies within the pass band are specified, even if the pass band is wide, the increase in reflection at the pass band edge or the reflection zero is generated. There is little frequency shift, and ideal Chebyshev function reflection characteristics can be obtained over the entire pass band.
【0117】なお、反射零周波数の数は1/4波長線路
の数と同一となるため、全てのパラメータを最適化の際
の変数として指定できないが、例えば、1/4波長線路
17の特性インピーダンスのみを変数に指定し、特性イ
ンピーダンスの変化に対応して、不連続すなわち並列サ
セプタンス間の位相差が変化しないように、1/4波長
線路17の電気長を従属的に補正することで、良好な反
射特性を実現できる。Since the number of reflection zero frequencies is the same as the number of quarter-wave lines, all parameters cannot be specified as variables for optimization. For example, the characteristic impedance of the quarter-wave line 17 is not specified. By specifying only as a variable and correcting the electrical length of the 1/4 wavelength line 17 in a dependent manner so that the phase difference between the discontinuities, that is, the parallel susceptance does not change in response to the change in the characteristic impedance, it is good. It is possible to realize various reflection characteristics.
【0118】従って、図27の設計手順による実施例
は、図25の場合と同様に、広帯域なストリップ線路形
インピーダンス変成器を得ることができる他に、さらに
少数の周波数に対して反射損を規定するだけで反射特性
の良好なものが得られるという利点を有する。Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 27, as in the case of FIG. 25, a broadband stripline impedance transformer can be obtained, and reflection loss is defined for a smaller number of frequencies. There is an advantage that a good reflection characteristic can be obtained only by
【0119】実施例11.図29は、この発明の他の実
施例の設計手順を示すフローであり、ステップ2におい
て、通過帯域内にチェビシェフ特性の反射極大周波数を
選択し、図30に示すように、これらの周波数における
反射損を規定した場合である。図29は図21のインピ
ーダンス変成器の所望の反射特性と、規定する周波数お
よび反射損を示す図である。図において、f2、f4、お
よび、f6は反射零周波数であり、従来の場合と同様に
求められる。Example 11. FIG. 29 is a flow chart showing the design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, the reflection maximum frequencies of the Chebyshev characteristic are selected in the pass band, and as shown in FIG. 30, reflection at these frequencies is performed. This is the case when the loss is specified. FIG. 29 is a diagram showing desired reflection characteristics of the impedance transformer of FIG. 21, prescribed frequencies and reflection loss. In the figure, f2, f4, and f6 are reflection zero frequencies, which are obtained as in the conventional case.
【0120】このように、図29の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射極大周波数を規定してい
るため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の
増加や反射極大周波数のずれは少なく、通過帯域全体に
渡ってチェビシェフ関数による理想的な反射特性に近い
特性が得られる。ただし、この場合、最適化によって得
られた等価回路パラメータを用いた反射特性は、図30
に示すように規定した極大値より大きな最大値を持つこ
とがあり、注意を要する。As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 29, since all reflection maximum frequencies within the pass band are specified, even if the pass band is wide, the increase in reflection at the end of the pass band and the reflection maximum are obtained. The frequency shift is small, and a characteristic close to the ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band. However, in this case, the reflection characteristic using the equivalent circuit parameter obtained by the optimization is shown in FIG.
Note that the maximum value may be larger than the specified maximum value as shown in.
【0121】なお、反射極大周波数の数は1/4波長線
路の数より1少ないため、全てのパラメータを最適化の
際の変数として指定できないが、例えば、1/4波長線
路17の特性インピーダンスのみを変数に指定し、特性
インピーダンスの変化に対応して、不連続すなわち並列
サセプタンス間の位相差が変化しないように、1/4波
長線路17の電気長を従属的に補正することで、良好な
反射特性を実現できる。Since the number of reflection maximum frequencies is one less than the number of quarter wavelength lines, all parameters cannot be specified as variables for optimization. For example, only the characteristic impedance of quarter wavelength line 17 is specified. Is designated as a variable, and the electrical length of the ¼ wavelength line 17 is dependently corrected so that the phase difference between the parallel susceptances does not change in response to the change in the characteristic impedance. A reflective characteristic can be realized.
【0122】従って、図29の設計手順による実施例
は、図25の場合と同様に、広帯域なストリップ線路形
インピーダンス変成器を得ることができる他に、最小限
の数の周波数に対して反射損を規定するだけで反射特性
の良好なものが得られるという利点を有する。Therefore, as in the case of FIG. 25, the embodiment according to the design procedure of FIG. 29 can obtain a wideband stripline impedance transformer and also has a reflection loss for a minimum number of frequencies. It has an advantage that a good reflection property can be obtained only by defining
【0123】実施例12.図31は、この発明の他の実
施例の設計手順を示すフローであり、図29の実施例に
対して、さらに、ステップ4において、ステップ3まで
で得られた反射特性を理想的なチェビシェフ特性の反射
特性と比較し、理想特性より反射の大きな周波数を選択
し、この周波数ににおける反射損を新たな拘束条件とし
た場合である。新たな周波数は例えば図32のf8、お
よびf9のように与えられる。Example 12. FIG. 31 is a flow chart showing the design procedure of another embodiment of the present invention. In addition to the embodiment of FIG. 29, in step 4, the reflection characteristics obtained up to step 3 are converted into ideal Chebyshev characteristics. This is a case in which a frequency having a larger reflection than the ideal characteristic is selected as compared with the reflection characteristic of, and the reflection loss at this frequency is set as a new constraint condition. New frequencies are given, for example, as f8 and f9 in FIG.
【0124】ステップ5において、f2、f4、f6、f
8、および、f9の反射損を拘束条件として、再び最適化
い、得られたパラメータから1/4波長線路の線路長お
よび線路幅を求める。In step 5, f2, f4, f6, f
The line length and line width of the ¼ wavelength line are obtained from the obtained parameters by optimizing again with the reflection loss of 8 and f9 as constraint conditions.
【0125】このように、図31の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射極大周波数を規定してい
るため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の
増加や反射極大周波数のずれは少なく、さらに、複数回
の最適化を行うため、通過帯域全体に渡ってチェビシェ
フ関数による理想的な反射特性が特性が得られる。As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 31, since all reflection maximum frequencies within the pass band are specified, even if the pass band is wide, the increase in reflection at the end of the pass band and the reflection maximum. Since the frequency shift is small and the optimization is performed a plurality of times, ideal Chebyshev function reflection characteristics can be obtained over the entire pass band.
【0126】なお、反射極大周波数の数は1/4波長線
路の数より1少ないため、全てのパラメータを最適化の
際の変数として指定できないが、例えば、1/4波長線
路17の特性インピーダンスのみを変数に指定し、特性
インピーダンスの変化に対応して、不連続すなわち並列
サセプタンス間の位相差が変化しないように、1/4波
長線路17の電気長を従属的に補正することで、良好な
反射特性を実現できる。Since the number of reflection maximum frequencies is one less than the number of quarter wavelength lines, all parameters cannot be specified as variables for optimization. For example, only the characteristic impedance of quarter wavelength line 17 is specified. Is designated as a variable, and the electrical length of the ¼ wavelength line 17 is dependently corrected so that the phase difference between the parallel susceptances does not change in response to the change in the characteristic impedance. A reflective characteristic can be realized.
【0127】従って、図31の設計手順による実施例
は、図25の場合と同様に、広帯域なストリップ線路形
インピーダンス変成器を得ることができる他に、少ない
数の周波数に対して反射損を規定するだけで反射特性の
良好なものが得られるという利点を有する。Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 31, as in the case of FIG. 25, a broadband stripline impedance transformer can be obtained, and reflection loss is defined for a small number of frequencies. There is an advantage that a good reflection characteristic can be obtained only by
【0128】実施例13.図33は、この発明の他の実
施例の概略構成図であり、方形導波管によるインピーダ
ンス変成器を示す図である。図において、18は方形導
波管、19は1/4波長導波管、P1は入力端、P2は
出力端である。4つの1/4波長導波管19は出力端P
2側に近いものほど高さが高く設定されている。Example 13. FIG. 33 is a schematic configuration diagram of another embodiment of the present invention and is a diagram showing an impedance transformer using a rectangular waveguide. In the figure, 18 is a rectangular waveguide, 19 is a quarter wavelength waveguide, P1 is an input end, and P2 is an output end. The four quarter-wave waveguides 19 are output terminals P
The closer to the second side, the higher the height is set.
【0129】次に、動作について説明する。1/4波長
導波管19は出力端P2側に近いものほど導波管高さが
高く設定されているため、隣接するもの同士の接続面に
は導波管高さの不連続が存在する。この不連続では、不
連続の大きさに応じた反射が生じる。Next, the operation will be described. Since the height of the 1/4 wavelength waveguide 19 is set to be closer to the output end P2 side, the height of the waveguide is discontinuous on the connecting surface between adjacent waveguides. . In this discontinuity, reflection occurs according to the size of the discontinuity.
【0130】今、全ての1/4波長導波管19の長さが
所定の周波数f0において管内波長で1/4波長となる
ように設定されているものとすると、入力端P1から入
射した周波数f0の電波は最初の不連続で一部反射す
る。最初の不連続を通過した電波は2番目の1/4波長
導波管19を通って2番目の不連続で一部がまた反射す
る。しかし、1/4波長導波管19の線路長がf0にお
いて1/4波長に設定されているため、2番目の不連続
で反射した反射波は、1番目の不連続に戻った時には1
番目の不連続で最初に反射した反射波に比べて位相が1
80度すなわち1/2波長分遅れる。従って、これら2
つの反射波はお互いに打ち消し合い、不連続の相対的な
大きさを調整すれば入力端P1へは全く戻って行かなく
できる。3番目以降の不連続についても同様の原理によ
り相互の反射を打ち消すことが可能であるため、導波管
高さが低くインピーダンスの低い入力端P1からの入射
は、周波数がf0の場合にはほとんど反射せず、導波管
高さが高くインピーダンスの高い出力端P2から取り出
される。このように、図33に示した導波管回路はイン
ピーダンス変成器としての機能を有する。Now, assuming that the lengths of all the 1/4 wavelength waveguides 19 are set to be the 1/4 wavelength as the guide wavelength at the predetermined frequency f0, the frequency incident from the input end P1. The radio wave of f0 is partially reflected at the first discontinuity. The radio wave passing through the first discontinuity passes through the second quarter-waveguide 19 and is partially reflected again at the second discontinuity. However, since the line length of the 1/4 wavelength waveguide 19 is set to 1/4 wavelength at f0, the reflected wave reflected at the second discontinuity is 1 when returning to the first discontinuity.
Phase 1 compared to the first reflected wave at the th discontinuity
It is delayed by 80 degrees, that is, 1/2 wavelength. Therefore, these two
The two reflected waves cancel each other out, and by adjusting the relative size of the discontinuity, it is possible to completely return to the input terminal P1. For the third and subsequent discontinuities, mutual reflections can be canceled by the same principle. Therefore, the incidence from the input end P1 having a low waveguide height and a low impedance is almost zero when the frequency is f0. It is taken out from the output end P2 which is not reflected and has a high waveguide height and high impedance. As described above, the waveguide circuit shown in FIG. 33 has a function as an impedance transformer.
【0131】一般に、導波管の管内波長は周波数に対し
て分散性を有するため、導波管の電気長は管内波長の逆
数には比例するが、周波数には比例しない。図33のイ
ンピーダンス変成器においても、理想反射特性として用
いるチェビシェフ関数は管内波長の関数として考える必
要がある。Generally, since the waveguide wavelength of the waveguide has a dispersibility with respect to the frequency, the electrical length of the waveguide is proportional to the reciprocal of the waveguide wavelength, but not proportional to the frequency. Also in the impedance transformer of FIG. 33, the Chebyshev function used as the ideal reflection characteristic needs to be considered as a function of the guide wavelength.
【0132】図21に係わる実施例8〜12におけるチ
ェビシェフ関数の傾き零の周波数の代わりにチェビシェ
フ関数の傾き零の管内波長を用いることにより、図33
のインピーダンス変成器は実施例8〜12に示したもの
と同様の設計手順が適用可能であり、広帯域なものを実
現できる。By using the guide wavelength of the Chebyshev function with zero slope in place of the frequency with zero slope of the Chebyshev function in Embodiments 8 to 12 according to FIG.
The impedance transformer can be applied with the same design procedure as that shown in Examples 8 to 12, and can realize a wide band.
【0133】なお、実施例1〜7で示した高周波フィル
タは共振器の数が4段あるいは11段の場合について示
したが、1〜3段、5〜10段、あるいは12段以上で
あってもよく、実施例と同様の利点および効果を奏す
る。Although the high frequency filters shown in Examples 1 to 7 have four or eleven resonators, the number of resonators is one to three, five to ten, or twelve or more. The same advantages and effects as those of the embodiment can be obtained.
【0134】また、実施例8〜13で示したインピーダ
ンス変成器は1/4波長線路あるいは導波管の数が4段
の場合について示したが、1〜3段あるいは5段以上で
あってもよく、実施例と同様の利点および効果を奏す
る。Further, the impedance transformers shown in Examples 8 to 13 have been described for the case where the number of quarter-wave lines or waveguides is four, but even if the number of stages is one to three or five or more. Often, the same advantages and effects as those of the embodiment are obtained.
【0135】さらに、以上の実施例では、伝達関数とし
てチェビシェフ関数を用いる場合について示したが、例
えばベッセル関数や楕円関数等、通過帯域内に複数の零
点あるいは極大、極小点を設定できる関数であれば、同
様に本発明の高周波フィルタあるいはインピーダンス変
成器に用いた設計手順を適用できることはいうまでもな
い。Further, in the above embodiments, the case where the Chebyshev function is used as the transfer function has been shown, but any function capable of setting a plurality of zero points or maximum and minimum points in the pass band, such as Bessel function and elliptic function, is shown. It goes without saying that the design procedure used for the high frequency filter or the impedance transformer of the present invention can be similarly applied.
【0136】[0136]
【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、中心周波数のみでなく選択した周波数の範囲内の複
数の周波数を用いて設計パラメータの数以上の条件式が
設定され、最適化手法等により通過帯域が広い場合でも
所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの値を決
定でき、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィルタが
得られる効果がある。As described above, according to the first aspect of the present invention, not only the center frequency but also a plurality of frequencies within the selected frequency range are used to set the conditional expressions equal to or more than the number of design parameters, and the optimum Even if the pass band is wide, the values of the above-mentioned design parameters by which the desired reflection characteristics can be obtained can be determined by the optimization method, etc., and a high-frequency filter with small reflection over a wide band can be obtained.
【0137】また、請求項2の発明によれば、最適化手
法等により通過帯域内のすべての周波数においてチェビ
シェフ関数による理想特性に近い所望の反射特性の得ら
れる設計パラメータの値を決定でき、広帯域に亙って反
射の小さい高周波フィルタが得られる効果がある。According to the second aspect of the present invention, the value of the design parameter that can obtain a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function can be determined at all frequencies in the pass band by the optimization method, etc. Therefore, there is an effect that a high-frequency filter with small reflection can be obtained.
【0138】また、請求項3の発明によれば、最小限の
周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内のすべて
の周波数においてチェビシェフ関数による理想特性に近
い所望の反射特性の得られる設計パラメータの値を決定
でき、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィルタが得
られる効果がある。According to the third aspect of the present invention, a design parameter that obtains a desired reflection characteristic close to an ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band by an optimization method using the minimum frequency or the like. The value of can be determined, and a high-frequency filter with small reflection over a wide band can be obtained.
【0139】また、請求項4の発明によれば、最小限の
周波数を用いた最適化手法等により複数回の最適化がさ
れ、通過帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ
関数による理想特性に非常に近い所望の反射特性の得ら
れる設計パラメータの値を決定でき、広帯域に亙って反
射の小さい高周波フィルタが得られる効果がある。Further, according to the invention of claim 4, optimization is performed a plurality of times by an optimization method using the minimum frequency, and the ideal characteristic by the Chebyshev function is very high at all frequencies in the pass band. It is possible to determine the value of a design parameter that can obtain a desired reflection characteristic close to that, and it is possible to obtain a high-frequency filter with small reflection over a wide band.
【0140】また、請求項5の発明によれば、最小限の
周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内のすべて
の周波数においてチェビシェフ関数による理想特性に非
常に近い所望の反射特性の得られる設計パラメータの値
を決定でき、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィル
タが得られる効果がある。According to the invention of claim 5, a desired reflection characteristic very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function can be obtained at all frequencies in the pass band by an optimization method using the minimum frequency. The value of the design parameter can be determined, and a high-frequency filter with small reflection over a wide band can be obtained.
【0141】また、請求項6の発明によれば、最小限の
周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内のすべて
の周波数においてチェビシェフ関数による理想特性に非
常に近い所望の反射特性の得られる設計パラメータの値
を決定でき、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィル
タが得られる効果がある。According to the invention of claim 6, a desired reflection characteristic very close to an ideal characteristic by the Chebyshev function can be obtained at all frequencies in the pass band by an optimization method using the minimum frequency. The value of the design parameter can be determined, and a high-frequency filter with small reflection over a wide band can be obtained.
【0142】また、請求項7の発明によれば、電気長の
周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対しても、
最小限の周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内
のすべての周波数においてチェビシェフ関数による理想
特性に近い所望の反射特性の得られる設計パラメータの
値を決定できるので、広帯域に亙って反射の小さい高周
波フィルタが得られる効果がある。Further, according to the invention of claim 7, even for a waveguide type filter in which the frequency variation of the electrical length is particularly large,
It is possible to determine the value of the design parameter that gives the desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band by using the optimization method using the minimum frequency, so that There is an effect that a small high frequency filter can be obtained.
【0143】また、請求項8の発明によれば、電気長の
周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対しても、
最小限の周波数を用いた最適化手法等により複数回の最
適化がされ、通過帯域内のすべての周波数においてチェ
ビシェフ関数による理想特性に非常に近い所望の反射特
性の得られる設計パラメータの値を決定でき、広帯域に
亙って反射の小さい高周波フィルタが得られる効果があ
る。Further, according to the invention of claim 8, even for a waveguide type filter in which the frequency variation of the electrical length is particularly large,
It is optimized multiple times by the optimization method using the minimum frequency, etc., and the value of the design parameter that obtains the desired reflection characteristic very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function is determined at all frequencies in the pass band. Therefore, there is an effect that a high frequency filter having a small reflection over a wide band can be obtained.
【0144】また、請求項9の発明によれば、電気長の
周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対しても、
最小限の周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内
のすべての周波数においてチェビシェフ関数による理想
特性に近い所望の反射特性の得られる設計パラメータの
値を決定でき、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィ
ルタが得られる効果がある。Further, according to the invention of claim 9, even for the waveguide type filter in which the frequency variation of the electrical length is particularly large,
It is possible to determine the design parameter value that gives the desired reflection characteristics close to the ideal characteristics by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band by optimization methods using the minimum frequency, and the reflection is small over a wide band. There is an effect that a high frequency filter can be obtained.
【0145】また、請求項10の発明によれば、電気長
の周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対して
も、最小限の周波数を用いた最適化手法等により複数回
の最適化がされ、通過帯域内のすべての周波数において
チェビシェフ関数による理想特性に非常に近い所望の反
射特性の得られる設計パラメータの値を決定できるの
で、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィルタが得ら
れる効果がある。Further, according to the invention of claim 10, even with respect to the waveguide type filter in which the frequency change of the electrical length is particularly large, the optimization can be performed a plurality of times by the optimization method using the minimum frequency. It is possible to determine the value of the design parameter that obtains the desired reflection characteristic that is very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band, so that it is possible to obtain a high-frequency filter with small reflection over a wide band. is there.
【0146】また、請求項11の発明によれば、請求項
7〜10のいずれかの発明におけるサセプタンス素子と
して誘導性アイリスあるいは誘導性ポストを用いたの
で、上記誘導性アイリスのアイリス幅あるいは上記誘導
性ポストの数、直径、または、間隔を調整することで所
望のサセプタンス値が容易に得られ、かつ、耐電力性に
優れたものが得られるので、広帯域に亙って反射の小さ
い高周波フィルタが得られる効果がある。According to the eleventh aspect of the invention, since the inductive iris or inductive post is used as the susceptance element in any of the seventh to tenth aspects of the invention, the iris width of the inductive iris or the inductive iris. The desired susceptance value can be easily obtained by adjusting the number, diameter, or spacing of the flexible posts, and a high susceptance value can be obtained, so a high-frequency filter with small reflection over a wide band can be obtained. There is an effect to be obtained.
【0147】また、請求項12の発明によれば、通過帯
域が広い場合でも上記通過帯域内のすべての周波数にお
いてチェビシェフ関数による理想特性に近い所望の反射
特性が得られるので、広帯域に亙って反射の小さい高周
波フィルタが得られる効果がある。According to the twelfth aspect of the present invention, even if the pass band is wide, desired reflection characteristics close to the ideal characteristics by the Chebyshev function can be obtained at all frequencies within the pass band, so that over a wide band. There is an effect that a high-frequency filter with small reflection can be obtained.
【0148】また、請求項13の発明によれば、中心周
波数のみでなく選択した周波数の範囲内の複数の周波数
を用いて設計パラメータの数以上の条件式が設定され、
最適化手法等により通過帯域が広い場合でも所望の反射
特性の得られる上記設計パラメータの値を決定でき、広
帯域に亙って反射の小さいインピーダンス変成器が得ら
れる効果がある。According to the thirteenth aspect of the present invention, not only the center frequency but also a plurality of frequencies within the selected frequency range are used to set the conditional expressions equal to or more than the number of design parameters.
Even if the pass band is wide by an optimization method or the like, it is possible to determine the value of the above-mentioned design parameter that can obtain a desired reflection characteristic, and it is possible to obtain an impedance transformer having a small reflection over a wide band.
【0149】また、請求項14の発明によれば、最適化
手法等により通過帯域内のすべての周波数においてチェ
ビシェフ関数による理想特性に近い所望の反射特性の得
られる設計パラメータの値を決定でき、広帯域に亙って
反射の小さいインピーダンス変成器が得られる効果があ
る。According to the fourteenth aspect of the present invention, it is possible to determine the value of the design parameter that gives a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band by the optimization method or the like, and the wide band can be determined. Therefore, there is an effect that an impedance transformer with small reflection can be obtained.
【0150】また、請求項15の発明によれば、最小限
の周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内のすべ
ての周波数においてチェビシェフ関数による理想特性に
近い所望の反射特性の得られる設計パラメータの値を決
定でき、広帯域に亙って反射の小さいインピーダンス変
成器が得られる効果がある。According to the fifteenth aspect of the present invention, a design parameter that obtains a desired reflection characteristic close to an ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band by an optimization method using the minimum frequency or the like. The value of can be determined, and an impedance transformer with small reflection over a wide band can be obtained.
【0151】また、請求項16の発明によれば、最小限
の周波数を用いた最適化手法等により複数回の最適化が
され、通過帯域内のすべての周波数においてチェビシェ
フ関数による理想特性に非常に近い所望の反射特性の得
られる設計パラメータの値を決定でき、広帯域に亙って
反射の小さいインピーダンス変成器が得られる効果があ
る。According to the sixteenth aspect of the present invention, the optimization is performed a plurality of times by the optimization method using the minimum frequency, and the ideal characteristic by the Chebyshev function is very high at all frequencies in the pass band. It is possible to determine the value of a design parameter that can obtain a desired reflection characteristic close to the impedance, and to obtain an impedance transformer having a small reflection over a wide band.
【0152】また、請求項17の発明によれば、最小限
の周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内のすべ
ての周波数においてチェビシェフ関数による理想特性に
近い所望の反射特性の得られる設計パラメータの値を決
定でき、広帯域に亙って反射の小さいインピーダンス変
成器が得られる効果がある。According to the seventeenth aspect of the present invention, a design parameter that obtains a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band by the optimization method using the minimum frequency or the like. The value of can be determined, and an impedance transformer with small reflection over a wide band can be obtained.
【0153】また、請求項18の発明によれば、最小限
の周波数を用いた最適化手法等により複数回の最適化が
され、通過帯域内のすべての周波数においてチェビシェ
フ関数による理想特性に非常に近い所望の反射特性の得
られる設計パラメータの値を決定でき、広帯域に亙って
反射の小さいインピーダンス変成器が得られる効果があ
る。According to the eighteenth aspect of the present invention, the optimization is performed a plurality of times by the optimization method using the minimum frequency, and the ideal characteristic by the Chebyshev function is very high at all frequencies in the pass band. It is possible to determine the value of a design parameter that can obtain a desired reflection characteristic close to the impedance, and to obtain an impedance transformer having a small reflection over a wide band.
【0154】また、請求項19の発明によれば、ステッ
プによるサセプタンスの周波数変化の特に大きい導波管
形インピーダンス変成器に対しても、最小限の周波数を
用いた最適化手法等により通過帯域内のすべての周波数
においてチェビシェフ関数による理想特性に近い所望の
反射特性の得られる設計パラメータの値を決定でき、広
帯域に亙って反射の小さいインピーダンス変成器が得ら
れる効果がある。According to the nineteenth aspect of the invention, even for the waveguide type impedance transformer in which the frequency change of the susceptance due to the step is particularly large, the optimization method using the minimum frequency or the like can be used in the pass band. It is possible to determine the value of the design parameter that obtains a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies of, and it is possible to obtain an impedance transformer having a small reflection over a wide band.
【0155】また、請求項20の発明によれば、ステッ
プによるサセプタンスの周波数変化の特に大きい導波管
形インピーダンス変成器に対しても、最小限の周波数を
用いた最適化手法等により複数回の最適化がされ、通過
帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ関数によ
る理想特性に非常に近い所望の反射特性の得られる設計
パラメータの値を決定でき、広帯域に亙って反射の小さ
いインピーダンス変成器が得られる効果がある。According to the twentieth aspect of the invention, even for the waveguide type impedance transformer in which the frequency change of the susceptance due to the step is particularly large, the plurality of times are set by the optimization method using the minimum frequency. Optimized to determine the value of the design parameter that gives the desired reflection characteristic that is very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band, and an impedance transformer with low reflection can be obtained over a wide band. It is effective.
【0156】また、請求項21の発明によれば、ステッ
プによるサセプタンスの周波数変化の特に大きい導波管
形インピーダンス変成器に対しても、最小限の周波数を
用いた最適化手法等により通過帯域内のすべての周波数
においてチェビシェフ関数による理想特性に近い所望の
反射特性の得られる設計パラメータの値を決定でき、広
帯域に亙って反射の小さいインピーダンス変成器が得ら
れる効果がある。According to the twenty-first aspect of the invention, even for the waveguide type impedance transformer in which the frequency change of the susceptance due to the step is particularly large, the optimization method using the minimum frequency or the like can be used in the pass band. It is possible to determine the value of the design parameter that obtains a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies of, and it is possible to obtain an impedance transformer having a small reflection over a wide band.
【0157】また、請求項22の発明によれば、ステッ
プによるサセプタンスの周波数変化の特に大きい導波管
形インピーダンス変成器に対しても、最小限の周波数を
用いた最適化手法等により複数回の最適化がされ、通過
帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ関数によ
る理想特性に非常に近い所望の反射特性の得られる上記
設計パラメータの値を決定でき、広帯域に亙って反射の
小さいインピーダンス変成器が得られる効果がある。According to the twenty-second aspect of the invention, even for the waveguide type impedance transformer in which the frequency change of the susceptance due to the step is particularly large, the plurality of times are obtained by the optimization method using the minimum frequency. By optimizing, it is possible to determine the values of the above design parameters that give the desired reflection characteristics that are very close to the ideal characteristics by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band, and the impedance transformer with small reflection over a wide band can be obtained. There is an effect to be obtained.
【図1】 この発明の実施例1による高周波フィルタを
示す概略構成図である。FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a high frequency filter according to a first embodiment of the present invention.
【図2】 この発明の実施例1による高周波フィルタの
内導体パターンを示す図である。FIG. 2 is a diagram showing an inner conductor pattern of the high frequency filter according to the first embodiment of the present invention.
【図3】 この発明の実施例1による高周波フィルタの
設計手順を示す図である。FIG. 3 is a diagram showing a procedure for designing a high frequency filter according to the first embodiment of the present invention.
【図4】 この発明の実施例1による高周波フィルタの
共振器の等価回路を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of the resonator of the high-frequency filter according to the first embodiment of the present invention.
【図5】 この発明の実施例1による高周波フィルタの
特性を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing characteristics of the high frequency filter according to the first embodiment of the present invention.
【図6】 この発明の実施例2による高周波フィルタの
設計手順を示す図である。FIG. 6 is a diagram showing a design procedure of a high frequency filter according to a second embodiment of the present invention.
【図7】 この発明の実施例2による高周波フィルタの
特性を示す図である。FIG. 7 is a diagram showing characteristics of a high frequency filter according to a second embodiment of the present invention.
【図8】 この発明の実施例3による高周波フィルタの
設計手順を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing a design procedure of a high frequency filter according to a third embodiment of the present invention.
【図9】 この発明の実施例3による高周波フィルタの
特性を示す図である。FIG. 9 is a diagram showing characteristics of a high frequency filter according to a third embodiment of the present invention.
【図10】 この発明の実施例4による高周波フィルタ
の設計手順を示す図である。FIG. 10 is a diagram showing a design procedure of a high frequency filter according to a fourth embodiment of the present invention.
【図11】 この発明の実施例4による高周波フィルタ
の特性を示す図である。FIG. 11 is a diagram showing characteristics of a high frequency filter according to a fourth embodiment of the present invention.
【図12】 この発明の実施例5による高周波フィルタ
の設計手順を示す図である。FIG. 12 is a diagram showing a design procedure of a high frequency filter according to a fifth embodiment of the present invention.
【図13】 この発明の実施例5による高周波フィルタ
の特性を示す図である。FIG. 13 is a diagram showing characteristics of a high frequency filter according to a fifth embodiment of the present invention.
【図14】 この発明の実施例6による高周波フィルタ
の構成図である。FIG. 14 is a configuration diagram of a high frequency filter according to a sixth embodiment of the present invention.
【図15】 この発明の実施例6による高周波フィルタ
の設計手順を示す図である。FIG. 15 is a diagram showing a design procedure of a high frequency filter according to a sixth embodiment of the present invention.
【図16】 この発明の実施例6による高周波フィルタ
のサセプタンス素子を説明する図である。FIG. 16 is a diagram illustrating a susceptance element for a high frequency filter according to a sixth embodiment of the present invention.
【図17】 この発明の実施例6による高周波フィルタ
のサセプタンス素子を説明する図である。FIG. 17 is a diagram illustrating a susceptance element of a high frequency filter according to a sixth embodiment of the present invention.
【図18】 この発明の実施例6による高周波フィルタ
の反射特性を示す図である。FIG. 18 is a diagram showing a reflection characteristic of a high frequency filter according to a sixth embodiment of the present invention.
【図19】 この発明の実施例7による高周波フィルタ
の設計手順を示す図である。FIG. 19 is a diagram showing a design procedure for a high-frequency filter according to embodiment 7 of the present invention.
【図20】 この発明の実施例7による高周波フィルタ
の特性である。FIG. 20 is a characteristic of the high frequency filter according to the seventh embodiment of the present invention.
【図21】 この発明の実施例8によるインピーダンス
変成器の概略構成を示す図である。FIG. 21 is a diagram showing a schematic configuration of an impedance transformer according to Example 8 of the present invention.
【図22】 この発明の実施例8によるインピーダンス
変成器の設計手順を示す図である。FIG. 22 is a diagram showing a design procedure of the impedance transformer according to the eighth embodiment of the present invention.
【図23】 この発明の実施例8によるインピーダンス
変成器の不連続を示す図である。FIG. 23 is a diagram showing the discontinuity of the impedance transformer according to the eighth embodiment of the present invention.
【図24】 この発明の実施例8によるインピーダンス
変成器の特性を示す図である。FIG. 24 is a diagram showing characteristics of an impedance transformer according to Example 8 of the present invention.
【図25】 この発明の実施例9によるインピーダンス
変成器の設計手順を示す図である。FIG. 25 is a diagram showing a design procedure of an impedance transformer according to a ninth embodiment of the present invention.
【図26】 この発明の実施例9によるインピーダンス
変成器の特性を示す図である。FIG. 26 is a diagram showing characteristics of the impedance transformer according to the ninth embodiment of the present invention.
【図27】 この発明の実施例10によるインピーダン
ス変成器の設計手順を示す図である。FIG. 27 is a diagram showing a design procedure of the impedance transformer according to the tenth embodiment of the present invention.
【図28】 この発明の実施例10によるインピーダン
ス変成器の特性を示す図である。FIG. 28 is a diagram showing characteristics of the impedance transformer according to the tenth embodiment of the present invention.
【図29】 この発明の実施例11によるインピーダン
ス変成器の設計手順を示す図である。FIG. 29 is a diagram showing a design procedure of the impedance transformer according to the eleventh embodiment of the present invention.
【図30】 この発明の実施例11によるインピーダン
ス変成器の特性を示す図である。FIG. 30 is a diagram showing characteristics of the impedance transformer according to the eleventh embodiment of the present invention.
【図31】 この発明の実施例12によるインピーダン
ス変成器の設計手順を示す図である。FIG. 31 is a diagram showing a design procedure for an impedance transformer according to a twelfth embodiment of the present invention.
【図32】 この発明の実施例12によるインピーダン
ス変成器の特性を示す図である。FIG. 32 is a diagram showing characteristics of the impedance transformer according to the twelfth embodiment of the present invention.
【図33】 この発明の実施例13によるインピーダン
ス変成器の構成を示す斜視図である。FIG. 33 is a perspective view showing a configuration of an impedance transformer according to Embodiment 13 of the present invention.
【図34】 従来の高周波フィルタの設計手順を示す図
である。FIG. 34 is a diagram showing a design procedure of a conventional high frequency filter.
【図35】 従来の高周波フィルタの設計手順を説明す
るための原形低域通過フィルタの回路図である。FIG. 35 is a circuit diagram of an original low-pass filter for explaining a conventional high-frequency filter design procedure.
【図36】 従来の高周波フィルタの等価回路を示す図
である。FIG. 36 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional high frequency filter.
【図37】 従来の高周波フィルタの特性を示す図であ
る。FIG. 37 is a diagram showing characteristics of a conventional high frequency filter.
【図38】 従来の高周波フィルタの設計手順を示す図
である。FIG. 38 is a diagram showing a design procedure of a conventional high frequency filter.
【図39】 従来の高周波フィルタの設計手順を説明す
るための原形低域通過フィルタの回路図である。FIG. 39 is a circuit diagram of an original low-pass filter for explaining a conventional high-frequency filter design procedure.
【図40】 従来の高周波フィルタの等価回路を示す図
である。FIG. 40 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional high frequency filter.
【図41】 従来の高周波フィルタの等価回路を示す図
である。FIG. 41 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional high frequency filter.
【図42】 従来の高周波フィルタの特性を示す図であ
る。FIG. 42 is a diagram showing characteristics of a conventional high frequency filter.
【図43】 従来のインピーダンス変成器の設計手順を
示す図である。FIG. 43 is a diagram showing a design procedure of a conventional impedance transformer.
【図44】 従来のインピーダンス変成器の等価回路を
示す図である。FIG. 44 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional impedance transformer.
【図45】 従来例のインピーダンス変成器の特性を示
す図である。FIG. 45 is a diagram showing characteristics of an impedance transformer of a conventional example.
1 誘電体基板、2 外導体、3、6、7 内導体、9
スルーホール、12 方形導波管、13 誘導性アイ
リス、14 空胴共振器、15 ストリップ導体、16
マイクロストリップ線路、17 1/4波長線路、1
8 方形導波管、19 1/4波長導波管、30 スト
リップ線路共振器、60 入力線路、70 出力線路。1 dielectric substrate, 2 outer conductor, 3, 6, 7 inner conductor, 9
Through hole, 12 rectangular waveguide, 13 inductive iris, 14 cavity resonator, 15 strip conductor, 16
Microstrip line, 17 1/4 wavelength line, 1
8 rectangular waveguide, 19 1/4 wavelength waveguide, 30 strip line resonator, 60 input line, 70 output line.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 湯川 秀憲 鎌倉市大船五丁目1番1号 三菱電機株式 会社電子システム研究所内 (72)発明者 浅尾 英喜 鎌倉市大船五丁目1番1号 三菱電機株式 会社電子システム研究所内 (72)発明者 浦崎 修治 鎌倉市大船五丁目1番1号 三菱電機株式 会社電子システム研究所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of front page (72) Hidenori Yukawa 5-1-1, Ofuna, Kamakura-shi Electronic Systems Research Laboratories, Mitsubishi Electric Corporation (72) Hideki Asao 5-1-1, Ofuna, Kamakura-shi Mitsubishi Electric Corporation Electronic Systems Laboratory (72) Inventor Shuji Urasaki 5-1, 1-1 Ofuna, Kamakura-shi Mitsubishi Electric Corporation Electronic Systems Laboratory
Claims (22)
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタにおいて、上記共振器の共振器
長、上記共振器間結合手段の寸法、および上記入出力結
合手段の寸法を決定するパラメータの数以上の数だけ周
波数を選択し、上記選択した周波数において上記高周波
フィルタの通過特性あるいは反射特性が所望の値に近づ
くように上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段
の寸法、および上記入出力結合手段の寸法を決定したこ
とを特徴とする高周波フィルタ。1. A plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for coupling the resonators to each other, and input / output coupling means for coupling the resonator and the input / output lines to each other. In the high frequency filter, the frequency is selected by a number equal to or more than the number of parameters that determine the resonator length of the resonator, the dimension of the inter-resonator coupling means, and the dimension of the input / output coupling means, and at the selected frequency. The resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined so that the pass characteristic or the reflection characteristic of the high frequency filter approaches a desired value. High frequency filter.
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタにおいて、上記高周波フィルタの
通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の関数として
のチェビシェフ関数の傾き零点を複数設定し、上記複数
の傾き零点に対応する周波数を反射零周波数あるいは反
射極大周波数として規定し、上記反射零周波数あるいは
上記反射極大周波数において反射が極小あるいは極大と
なるように上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手
段の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定し
たことを特徴とする高周波フィルタ。2. A plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for coupling the resonators to each other, and input / output coupling means for coupling the resonator and the input / output lines to each other. In the high frequency filter, a plurality of slope zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and frequencies corresponding to the plurality of slope zero points are reflected zero frequency or reflection. It is defined as the maximum frequency, and the resonator length of the resonator, the dimension of the inter-resonator coupling means, and the input / output coupling means of the resonator so that the reflection becomes minimum or maximum at the reflection zero frequency or the reflection maximum frequency. A high-frequency filter characterized in that its dimensions are determined.
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタにおいて、上記高周波フィルタの
通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の関数として
のチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零
点に対応する周波数を反射零周波数として規定し、上記
反射零周波数において反射が極小となるように上記共振
器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸法、および上
記入出力間結合手段の寸法を決定したことを特徴とする
高周波フィルタ。3. A plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for coupling the resonators to each other, and input / output coupling means for coupling the resonator and the input / output lines to each other. In the high frequency filter, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and the frequency corresponding to the plurality of zero points is defined as a reflection zero frequency, A high frequency filter characterized in that the resonator length of the resonator, the dimension of the inter-resonator coupling means, and the dimension of the input / output coupling means are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency.
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタにおいて、上記高周波フィルタの
通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の関数として
のチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零
点に対応する周波数を反射零周波数として規定し、上記
反射零周波数において反射が極小となるように上記共振
器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸法、および上
記入出力間結合手段の寸法を決定し、上記寸法を用いて
得られる上記高周波フィルタの反射特性のうち、理想的
なチェビシェフ形フィルタの特性より反射の大きな周波
数を選び、上記反射の大きな周波数および上記反射零周
波数において反射が所定の大きさ以下となるように上記
共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸法、およ
び上記入出力間結合手段の寸法を決定したことを特徴と
する高周波フィルタ。4. A plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for coupling the resonators to each other, and input / output coupling means for coupling the resonator and the input / output lines to each other. In the high frequency filter, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and the frequency corresponding to the plurality of zero points is defined as a reflection zero frequency, The resonator length of the resonator, the dimension of the inter-resonator coupling means, and the dimension of the input / output coupling means are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency, and the dimension is obtained by using the dimension. Of the reflection characteristics of the high frequency filter, select a frequency with a larger reflection than the ideal Chebyshev type filter characteristics, and A high frequency filter characterized in that a resonator length of the resonator, a dimension of the inter-resonator coupling means, and a dimension of the input / output coupling means are determined so as to be not more than a predetermined size.
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタにおいて、上記高周波フィルタの
通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の関数として
のチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の
極大点に対応する周波数を反射極大周波数として規定
し、上記反射極大周波数において反射が所定の極大値と
なるように上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手
段の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定し
たことを特徴とする高周波フィルタ。5. A plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for coupling the resonators to each other, and input / output coupling means for coupling the resonator and the input / output lines to each other. In the high frequency filter, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and a frequency corresponding to the plurality of maximum points is specified as a reflection maximum frequency. The resonator length of the resonator, the dimension of the inter-resonator coupling means, and the dimension of the input-output coupling means are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. High frequency filter to do.
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタにおいて、上記高周波フィルタの
通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の関数として
のチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の
極大点に対応する周波数を反射極大周波数として規定
し、上記反射極大周波数において反射が所定の極大値と
なるように上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手
段の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定
し、上記寸法を用いて得られる上記高周波フィルタの反
射特性のうち、理想的なチェビシェフ形フィルタの特性
より反射の大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波
数および上記反射極大周波数において反射が所定の大き
さ以下となるように上記共振器の共振器長、上記共振器
間結合手段の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法
を決定したことを特徴とする高周波フィルタ。6. A plurality of transmission line type resonators, inter-resonator coupling means for coupling the resonators to each other, and input / output coupling means for coupling the resonator and the input / output lines to each other. In the high frequency filter, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and a frequency corresponding to the plurality of maximum points is specified as a reflection maximum frequency. Then, the resonator length of the resonator, the dimension of the inter-resonator coupling means, and the dimension of the input-output coupling means are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency, and the dimension is set to Of the reflection characteristics of the high-frequency filter obtained by using the above, select a frequency with a larger reflection than that of an ideal Chebyshev-type filter, A high frequency filter, characterized in that the resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined so that the reflection becomes equal to or less than a predetermined magnitude at the wave number.
空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段として
のサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィル
タにおいて、上記導波管形の高周波フィルタの通過帯域
内に上記導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ
関数の零点を複数設定し、上記複数の零点の上記管内波
長に対応する周波数を反射零周波数として規定し、上記
反射零周波数において反射が極小となるように上記共振
器の共振器長、上記サセプタンス素子値、および上記サ
セプタンス素子の寸法を決定したことを特徴とする高周
波フィルタ。7. A waveguide type high frequency filter comprising a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide and a coupling means for coupling the cavity resonators and a susceptance element as an input / output coupling means. A plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the in-tube wavelength of the waveguide are set in the pass band of the wave tube type high frequency filter, and a frequency corresponding to the in-tube wavelength of the plurality of zero points is defined as a reflection zero frequency. A high-frequency filter characterized in that the resonator length of the resonator, the value of the susceptance element, and the dimension of the susceptance element are determined so that the reflection becomes minimum at the reflection zero frequency.
空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段として
のサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィル
タにおいて、上記導波管形の高周波フィルタの通過帯域
内に上記導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ
関数の零点を複数設定し、上記複数の零点の上記管内波
長に対応する周波数を反射零周波数として規定し、上記
反射零周波数において反射が極小となるように上記共振
器の共振器長、上記サセプタンス素子値、および上記サ
セプタンス素子の寸法を決定し、上記寸法を用いて得ら
れる上記導波管形の高周波フィルタの反射特性のうち、
理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より反射の大き
な周波数を選び、上記反射の大きな周波数および上記反
射零周波数において反射が所定の大きさ以下となるよう
に上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子値、お
よび上記サセプタンス素子の寸法を決定したことを特徴
とする高周波フィルタ。8. A waveguide type high frequency filter comprising a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide and a susceptance element as a coupling means for the cavity resonators and an input / output coupling means. A plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the in-tube wavelength of the waveguide are set in the pass band of the wave tube type high frequency filter, and a frequency corresponding to the in-tube wavelength of the plurality of zero points is defined as a reflection zero frequency. , The resonator length of the resonator, the value of the susceptance element, and the dimensions of the susceptance element are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency, and the high-frequency wave of the waveguide type obtained by using the dimensions is determined. Of the reflection characteristics of the filter,
A frequency with a large reflection is selected based on the characteristics of an ideal Chebyshev filter, and the resonator length of the resonator and the susceptance element value are set so that the reflection becomes a predetermined value or less at the large reflection frequency and the zero reflection frequency. And a dimension of the susceptance element is determined.
空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段として
のサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィル
タにおいて、上記導波管形の高周波フィルタの通過帯域
内に上記導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ
関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大点の上記管
内波長に対応する周波数を反射極大周波数として規定
し、上記反射極大周波数において反射が所定の極大値と
なるように上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素
子値、および上記サセプタンス素子の寸法を決定したこ
とを特徴とする高周波フィルタ。9. A waveguide type high frequency filter comprising a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide and coupling means for coupling said cavity resonators and a susceptance element as an input / output coupling means. Multiple maximum points of the Chebyshev function as a function of the waveguide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the wave tube type high frequency filter, and the frequency corresponding to the waveguide wavelength of the plurality of maximum points is set as the reflection maximum frequency. A high-frequency filter characterized in that the resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the dimensions of the susceptance element are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency.
記空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段とし
てのサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィ
ルタにおいて、上記導波管形の高周波フィルタの通過帯
域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチェビシェ
フ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大点の上記
管内波長に対応する周波数を反射極大周波数として規定
し、上記反射極大周波数において反射が所定の極大値と
なるように上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素
子値、および上記サセプタンス素子の寸法を決定し、上
記寸法を用いて得られる上記導波管形の高周波フィルタ
の反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形フィルタの
特性より反射の大きな周波数を選び、上記反射の大きな
周波数および上記反射極大周波数において反射が所定の
大きさ以下となるように上記共振器の共振器長、上記サ
セプタンス素子値、および上記サセプタンス素子の寸法
を決定したことを特徴とする高周波フィルタ。10. A waveguide type high frequency filter comprising a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide and a coupling means for coupling the cavity resonators and a susceptance element as an input / output coupling means. Multiple maximum points of the Chebyshev function as a function of the waveguide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the wave tube type high frequency filter, and the frequency corresponding to the waveguide wavelength of the plurality of maximum points is set as the reflection maximum frequency. The resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the dimensions of the susceptance element are determined so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. Of the reflection characteristics of the wave tube type high-frequency filter, select a frequency with a larger reflection than the ideal Chebyshev type filter, and A high frequency filter characterized in that the resonator length of the resonator, the value of the susceptance element, and the dimension of the susceptance element are determined so that the reflection becomes equal to or less than a predetermined magnitude at the maximum emission frequency.
るいは誘導性ポストであることを特徴とする請求項7〜
10のいずれか1項に記載の高周波フィルタ。11. The susceptance element is an inductive iris or an inductive post.
10. The high frequency filter according to any one of 10.
数における等価回路素子値から決定されるi番目のサセ
プタンス素子のサセプタンス値をB0iとしたとき、i番
目のサセプタンス素子のサセプタンス値Biを次式で与
えられる範囲に設定したことを特徴とする請求項7〜1
1のいずれか1項に記載の高周波フィルタ。 1<Bi/B0i<1.2 (1≦i≦0.2N, N≦i≦N+1) 0.8<Bi/B0i<1 (0.2N<i≦0.4, 0.8N≦i<N) 0.9<Bi/B0i≦1 (0.4N<i<0.8N)12. When the number of resonators is N and the susceptance value of the i-th susceptance element determined from the equivalent circuit element value at the center frequency of the filter is B0i, the susceptance value Bi of the i-th susceptance element is The range set according to the formula is set.
The high frequency filter according to any one of 1. 1 <Bi / B0i <1.2 (1 ≦ i ≦ 0.2N, N ≦ i ≦ N + 1) 0.8 <Bi / B0i <1 (0.2N <i ≦ 0.4, 0.8N ≦ i < N) 0.9 <Bi / B0i ≦ 1 (0.4N <i <0.8N)
記伝送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線
路と入出力線路との間のインピーダンスステップとを備
えたインピーダンス変成器において、上記伝送線路の線
路長、および特性インピーダンスを決定するパラメータ
の数以上の数の周波数を選択し、上記選択した周波数に
おいて上記インピーダンス変成器の通過特性あるいは反
射特性が所望の値に近づくように上記伝送線路の線路
長、および特性インピーダンスを決定したことを特徴と
するインピーダンス変成器。13. An impedance transformer comprising a plurality of transmission lines of about ¼ wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line, wherein the transmission is performed. Select a frequency that is equal to or greater than the number of parameters that determine the line length and the characteristic impedance of the line, and that the transmission characteristic or the reflection characteristic of the impedance transformer approaches the desired value at the selected frequency. An impedance transformer characterized in that the line length and the characteristic impedance are determined.
記伝送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線
路と入出力線路との間のインピーダンスステップとを備
えたインピーダンス変成器において、上記インピーダン
ス変成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数
の関数としてのチェビシェフ関数の傾き零点を複数設定
し、上記複数の傾き零点に対応する周波数を反射零周波
数あるいは反射極大周波数として規定し、上記反射零周
波数あるいは上記反射極大周波数において反射が極小値
あるいは所定の極大値となるように上記伝送線路の線路
長、および特性インピーダンスを決定したことを特徴と
するインピーダンス変成器。14. An impedance transformer comprising a plurality of transmission lines of about ¼ wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line, wherein the impedance transformer comprises: Within the pass band of the transformer, a plurality of slope zeros of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set, and the frequency corresponding to the plurality of slope zeros is defined as a reflection zero frequency or a reflection maximum frequency, An impedance transformer characterized in that the line length and the characteristic impedance of the transmission line are determined so that the reflection has a minimum value or a predetermined maximum value at the reflection zero frequency or the reflection maximum frequency.
記伝送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線
路と入出力線路との間のインピーダンスステップとを備
えたインピーダンス変成器において、上記インピーダン
ス変成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数
の関数としてのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、
上記複数の零点に対応する周波数を反射零周波数として
規定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよ
うに上記伝送線路の線路長、および特性インピーダンス
を決定したことを特徴とするインピーダンス変成器。15. An impedance transformer comprising a plurality of transmission lines of about ¼ wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line. Within the pass band of the transformer, set multiple zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line,
An impedance transformer characterized in that a frequency corresponding to the plurality of zero points is defined as a reflection zero frequency, and a line length and a characteristic impedance of the transmission line are determined so that reflection is minimized at the reflection zero frequency.
記伝送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線
路と入出力線路との間のインピーダンスステップとを備
えたインピーダンス変成器において、上記インピーダン
ス変成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数
の関数としてのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、
上記複数の零点に対応する周波数を反射零周波数として
規定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよ
うに上記伝送線路の線路長、および特性インピーダンス
を決定し、上記寸法を用いて得られる上記インピーダン
ス変成器の反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形変
成器の特性より反射の大きな周波数を選び、上記反射の
大きな周波数および上記反射零周波数において反射が所
定の大きさ以下となるように上記伝送線路の線路長、お
よび特性インピーダンスを決定したことを特徴とするイ
ンピーダンス変成器。16. An impedance transformer comprising a plurality of transmission lines of about ¼ wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and an input / output line. Within the pass band of the transformer, set multiple zero points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line,
The frequency corresponding to the plurality of zeros is defined as a reflection zero frequency, and the line length of the transmission line and the characteristic impedance are determined so that the reflection has a minimum at the reflection zero frequency, and the size is obtained by using the above dimensions. Of the reflection characteristics of the impedance transformer, select a frequency with a larger reflection than the characteristics of an ideal Chebyshev transformer, and perform the above-mentioned transmission so that the reflection becomes a predetermined magnitude or less at the frequency of the above reflection and the reflection zero frequency. An impedance transformer characterized in that the line length of the line and the characteristic impedance are determined.
記伝送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線
路と入出力線路との間のインピーダンスステップとを備
えたインピーダンス変成器において、上記インピーダン
ス変成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数
の関数としてのチェビシェフ関数の極大点を複数設定
し、上記複数の極大点に対応する周波数を反射極大周波
数として規定し、上記反射極大周波数において反射が所
定の極大値となるように上記伝送線路の線路長、および
特性インピーダンスを決定したことを特徴とするインピ
ーダンス変成器。17. An impedance transformer comprising a plurality of transmission lines of about ¼ wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line, wherein the impedance transformer comprises: Multiple maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set in the pass band of the transformer, and the frequency corresponding to the plurality of maximum points is specified as the reflection maximum frequency. In the impedance transformer, the line length and the characteristic impedance of the transmission line are determined so that the reflection has a predetermined maximum value.
記伝送線路間のインピーダンスステップと、上記伝送線
路と入出力線路との間のインピーダンスステップとを備
えたインピーダンス変成器において、上記インピーダン
ス変成器の通過帯域内に上記伝送線路内の電波の周波数
の関数としてのチェビシェフ関数の極大点を複数設定
し、上記複数の極大点に対応する周波数を反射極大周波
数として規定し、上記反射極大周波数において反射が所
定の極大値となるように上記伝送線路の線路長、および
特性インピーダンスを決定し、上記寸法を用いて得られ
る上記インピーダンス変成器の反射特性のうち、理想的
なチェビシェフ形変成器の特性より反射の大きな周波数
を選び、上記反射の大きな周波数および上記反射極大周
波数において反射が所定の大きさ以下となるように上記
伝送線路の線路長、および特性インピーダンスを決定し
たことを特徴とするインピーダンス変成器。18. An impedance transformer comprising a plurality of transmission lines of about 1/4 wavelength, an impedance step between the transmission lines, and an impedance step between the transmission line and the input / output line, wherein the impedance transformer comprises: Multiple maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the transmission line are set in the pass band of the transformer, the frequencies corresponding to the multiple maximum points are specified as the reflection maximum frequencies, and the reflection maximum frequencies are set. In the reflection characteristics of the impedance transformer obtained by determining the line length of the transmission line and the characteristic impedance so that the reflection has a predetermined maximum value in, and using the above dimensions, the ideal Chebyshev transformer Select a frequency with large reflection based on the characteristics, and reflect at the frequency with large reflection and the maximum frequency with reflection. An impedance transformer characterized in that the line length and the characteristic impedance of the transmission line are determined so that the transmission line has a predetermined size or less.
波管間の高さ方向あるいは幅方向のステップと、上記導
波管と入出力導波管との間の高さ方向あるいは幅方向の
ステップとを備えた導波管形のインピーダンス変成器に
おいて、上記インピーダンス変成器の通過帯域内に上記
導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の零
点を複数設定し、上記複数の零点の上記管内波長に対応
する周波数を反射零周波数として規定し、上記反射零周
波数において反射が極小となるように上記導波管の軸
長、および、高さあるいは幅を決定したことを特徴とす
るインピーダンス変成器。19. A plurality of substantially quarter wavelength waveguides and steps in the height direction or width direction between the waveguides, and a height direction between the waveguides and the input / output waveguides. Alternatively, in a waveguide type impedance transformer having steps in the width direction, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the waveguide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the impedance transformer, The frequency corresponding to the in-tube wavelength of the zero point of is defined as the reflection zero frequency, and the axial length and height or width of the waveguide are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. And an impedance transformer.
波管間の高さ方向あるいは幅方向のステップと、上記導
波管と入出力導波管との間の高さ方向あるいは幅方向の
ステップとを備えた導波管形のインピーダンス変成器に
おいて、上記インピーダンス変成器の通過帯域内に上記
導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の零
点を複数設定し、上記複数の零点の上記管内波長に対応
する周波数を反射零周波数として規定し、上記反射零周
波数において反射が極小となるように上記導波管の軸
長、および、高さあるいは幅を決定し、上記寸法を用い
て得られる上記導波管形のインピーダンス変成器の反射
特性のうち、理想的なチェビシェフ形変成器の特性より
反射の大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数お
よび上記反射零周波数において反射が所定の大きさ以下
となるように上記導波管の軸長、および、高さあるいは
幅を決定したことを特徴とするインピーダンス変成器。20. A plurality of substantially quarter wavelength waveguides and steps in a height direction or a width direction between the waveguides, and a height direction between the waveguides and the input / output waveguides. Alternatively, in a waveguide type impedance transformer having steps in the width direction, a plurality of zero points of the Chebyshev function as a function of the waveguide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the impedance transformer, The frequency corresponding to the in-tube wavelength of the zero point is defined as the reflection zero frequency, and the axial length and height or width of the waveguide are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. Among the reflection characteristics of the above-mentioned waveguide type impedance transformer obtained by using, a frequency with a larger reflection is selected than the characteristic of an ideal Chebyshev type transformer, and the frequency of the above reflection and the zero frequency of the reflection are selected. In the impedance transformer, the axial length and height or width of the waveguide are determined so that the reflection becomes equal to or less than a predetermined value.
波管間の高さ方向あるいは幅方向のステップと、上記導
波管と入出力導波管との間の高さ方向あるいは幅方向の
ステップとを備えた導波管形のインピーダンス変成器に
おいて、上記インピーダンス変成器の通過帯域内に上記
導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の極
大点を複数設定し、上記複数の極大点の上記管内波長に
対応する周波数を反射極大周波数として規定し、上記反
射極大周波数において反射が所定の極大値となるように
上記導波管の軸長、および、高さあるいは幅を決定した
ことを特徴とするインピーダンス変成器。21. A plurality of substantially quarter wavelength waveguides and steps in a height direction or a width direction between the waveguides, and a height direction between the waveguides and the input / output waveguides. Alternatively, in a waveguide type impedance transformer having a step in the width direction, a plurality of local maximum points of the Chebyshev function as a function of the waveguide wavelength of the waveguide are set in the passband of the impedance transformer, The frequency corresponding to the in-tube wavelength of a plurality of maximum points is defined as the reflection maximum frequency, and the axial length of the waveguide and the height or width are set so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. Impedance transformer characterized by the decision.
波管間の高さ方向あるいは幅方向のステップと、上記導
波管と入出力導波管との間の高さ方向あるいは幅方向の
ステップとを備えた導波管形のインピーダンス変成器に
おいて、上記インピーダンス変成器の通過帯域内に上記
導波管の管内波長の関数としてのチェビシェフ関数の極
大点を複数設定し、上記複数の極大点の上記管内波長に
対応する周波数を反射極大周波数として規定し、上記反
射極大周波数において反射が所定の極大値となるように
上記導波管の軸長、および、高さあるいは幅を決定し、
上記寸法を用いて得られる上記導波管形のインピーダン
ス変成器の反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形変
成器の特性より反射の大きな周波数を選び、上記反射の
大きな周波数および上記反射極大周波数において反射が
所定の大きさ以下となるように上記導波管の軸長、およ
び、高さあるいは幅を決定したことを特徴とするインピ
ーダンス変成器。22. A plurality of substantially quarter wavelength waveguides and steps in a height direction or a width direction between the waveguides, and a height direction between the waveguides and the input / output waveguides. Alternatively, in a waveguide type impedance transformer having a step in the width direction, a plurality of local maximum points of the Chebyshev function as a function of the waveguide wavelength of the waveguide are set in the passband of the impedance transformer, The frequency corresponding to the in-tube wavelength of a plurality of maximum points is defined as the reflection maximum frequency, and the axial length of the waveguide and the height or width are set so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. Decide,
Among the reflection characteristics of the waveguide type impedance transformer obtained by using the above dimensions, a frequency with a larger reflection than the characteristic of an ideal Chebyshev transformer is selected, and at the large frequency of the reflection and the maximum reflection frequency. An impedance transformer characterized in that the axial length and the height or width of the waveguide are determined so that the reflection becomes equal to or less than a predetermined magnitude.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN112199822A (en) * | 2020-09-14 | 2021-01-08 | 国家电网有限公司 | External penalty function algorithm for seeking optimal system impedance value |
US11322816B2 (en) | 2017-06-26 | 2022-05-03 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Feeding device |
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1995
- 1995-05-22 JP JP12268095A patent/JP3307155B2/en not_active Expired - Fee Related
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US11322816B2 (en) | 2017-06-26 | 2022-05-03 | Huawei Technologies Co., Ltd. | Feeding device |
CN112199822A (en) * | 2020-09-14 | 2021-01-08 | 国家电网有限公司 | External penalty function algorithm for seeking optimal system impedance value |
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