JP3307155B2 - High frequency filter design method and high frequency filter - Google Patents

High frequency filter design method and high frequency filter

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JP3307155B2
JP3307155B2 JP12268095A JP12268095A JP3307155B2 JP 3307155 B2 JP3307155 B2 JP 3307155B2 JP 12268095 A JP12268095 A JP 12268095A JP 12268095 A JP12268095 A JP 12268095A JP 3307155 B2 JP3307155 B2 JP 3307155B2
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秀憲 湯川
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Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、主としてVHF帯、
UHF帯、マイクロ波帯、およびミリ波帯で用いられる
高周波フィルタの広帯域化に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION The present invention mainly relates to a VHF band,
The present invention relates to widening the bandwidth of a high-frequency filter used in the UHF band, the microwave band, and the millimeter wave band.

【0002】[0002]

【従来の技術】図34〜35はS.Herbert, “ Microstr
ip Interdigital Filter Design ,”Microwave Journal
,pp.187-188, Nov.1990、あるいは、J.A.G.Malherbe,
“ Microwave Transmission Line Filters”, ARTECH H
OUSE, INC, pp.111-130, 1979.に示され従来の高周波フ
ィルタの設計手順を示す図であり、図34は設計フロ
ー、図35は原形低域通過フィルタの回路、図36はイ
ンタディジタル形帯域通過フィルタの等価回路である。
図35において、Ci’(i=1,3)およびLi’(i=2,4)は
原形低域通過フィルタの素子、G0’は電源インピーダ
ンス、G5’は負荷インピーダンス、gi (i=0,1,…,
5)はフィルタの伝達関数によって定まる係数である。
また、図36において、Li (i=1,…,4)は並列インダ
クタンス、Ji,i+1 (i,=1,2,3)はJインバータ、δ0
およびδ5はインピーダンス変成比である。LiおよびJ
i,i+1はθ=π/2となる周波数近傍で図36(b)お
よび(c)に示す分布定数線路の等価回路で表される。
2. Description of the Related Art FIGS. 34 to 35 show S. Herbert, "Microstr.
ip Interdigital Filter Design, ”Microwave Journal
, pp. 187-188, Nov. 1990, or JAGMalherbe,
“Microwave Transmission Line Filters”, ARTECH H
OUSE, INC, pp.111-130, 1979. is a diagram showing the design procedure of a conventional high-frequency filter. FIG. 34 is a design flow, FIG. 35 is a circuit of a low-pass filter, and FIG. It is an equivalent circuit of a bandpass filter.
In FIG. 35, Ci '(i = 1,3) and Li' (i = 2,4) are the elements of the original low-pass filter, G0 'is the power supply impedance, G5' is the load impedance, and gi (i = 0,3). 1,…,
5) is a coefficient determined by the transfer function of the filter.
In FIG. 36, Li (i = 1,..., 4) is a parallel inductance, Ji, i + 1 (i, = 1,2,3) is a J inverter, and δ0
And δ5 are the impedance transformation ratios. Li and J
i and i + 1 are near the frequency where θ = π / 2 and are represented by equivalent circuits of the distributed constant lines shown in FIGS. 36 (b) and (c).

【0003】次に設計手順について説明する。まず初め
に、所望の通過帯域幅、通過帯域内リップル、共振器の
段数、および、伝達関数として用いるチェビシェフ級数
の係数から原形低域通過フィルタの素子値を決定する.
次に、原形低域通過フィルタに対して周波数変換を行
い、さらに、Jインバータを導入して図36(a)に示
す帯域通過フィルタの等価回路に変換する。このときJ
インバータおよび並列インダクタンスを、図36(b),
(c)に示すように、フィルタの中心周波数近傍において
近似的に電気長θの先端短絡スタブを用いた分布定数形
等価回路に置き換える。従来のインタディジタル形帯域
通過フィルタの設計は、この分布定数形等価回路を用い
て行われる。
Next, the design procedure will be described. First, the element value of the original low-pass filter is determined from the desired pass band width, the ripple in the pass band, the number of resonator stages, and the coefficient of the Chebyshev series used as the transfer function.
Next, frequency conversion is performed on the original low-pass filter, and a J-inverter is introduced to convert it into an equivalent circuit of the band-pass filter shown in FIG. At this time J
The inverter and the parallel inductance are shown in FIG.
As shown in (c), the filter is replaced with a distributed constant type equivalent circuit using a tip short-circuit stub having an electrical length θ approximately near the center frequency of the filter. A conventional interdigital band-pass filter is designed using this distributed constant type equivalent circuit.

【0004】高周波フィルタは一般に分布定数線路の共
振器により構成され、図36の等価回路により周波数特
性を比較的精度よく計算できる。図36による従来の高
周波フィルタの反射特性は、中心周波数から離れた周波
数では図36(b),(c)の近似による誤差が大きくなるた
め、特に通過帯域が広い場合には図37に実線で示すよ
うに通過帯域端で反射損が大きくなる。
A high-frequency filter is generally constituted by a resonator having a distributed constant line, and the frequency characteristics can be calculated relatively accurately by an equivalent circuit shown in FIG. The reflection characteristic of the conventional high-frequency filter shown in FIG. 36 has a large error due to the approximation of FIGS. 36 (b) and (c) at frequencies away from the center frequency. As shown, the reflection loss increases at the pass band edge.

【0005】また、図38〜40は、R.E.Collin, “ F
oundations for Microwave Engineering ”, McGraw-Hi
ll, Inc, pp.639-642, 1979. 、あるいは、特開平6ー
216608に示された従来の別の高周波フィルタの設
計手順を示す図であり、図38は設計フロー、図39は
原形低域通過フィルタの回路、図40と図41は導波管
形帯域通過フィルタの等価回路である。図39におい
て、Ci’(i=1,3,…,11)およびLi’、(i=2,4,…,10)
は原形低域通過フィルタの素子、G0’は電源インピー
ダンス、G5’は負荷インピーダンス、gi 、(i=0,1,
…,12)はフィルタの伝達関数によって定まる係数であ
る。また、図40(a)において、Li (i=1,2,…,1
1)は直列インダクタンス、 Ci (i=1,2,…,11)は直
列キャパシタンス、Ki,i+1 (i,=1,2,3)はKインバー
タである。θ=πとなる周波数近傍において、Ki,j
は図40(b)に示す並列サセプタンスBi,jによって
表される。Bi,jはたとえば誘導性アイリスによって実
現される。また、LiとCiからなる直列共振回路は、電
気長θiの導波管回路で表される。
FIGS. 38 to 40 show RECollin, “F
oundations for Microwave Engineering ”, McGraw-Hi
ll, Inc., pp. 639-642, 1979. or another conventional high-frequency filter design procedure disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-216608. FIG. 38 is a design flow, and FIG. FIGS. 40 and 41 are equivalent circuits of a waveguide band-pass filter. In FIG. 39, Ci '(i = 1,3, ..., 11) and Li', (i = 2,4, ..., 10)
Is the element of the original low-pass filter, G0 'is the source impedance, G5' is the load impedance, gi, (i = 0,1,
.., 12) are coefficients determined by the transfer function of the filter. In FIG. 40A, Li (i = 1, 2,..., 1
1) is a series inductance, Ci (i = 1,2, ..., 11) is a series capacitance, and Ki, i + 1 (i, = 1,2,3) is a K inverter. In the vicinity of the frequency where θ = π, Ki, j
Is represented by a parallel susceptance Bi, j shown in FIG. Bi, j is realized, for example, by an inductive iris. A series resonance circuit composed of Li and Ci is represented by a waveguide circuit having an electrical length θi.

【0006】次に設計手順について説明する。まず初め
に、所望の通過帯域幅、通過帯域内リップル、共振器の
段数、および、伝達関数として用いるチェビシェフ関数
を級数展開したときの係数から原形低域通過フィルタの
素子値を決定する。次に、原形低域通過フィルタに対し
て周波数変換を行い、さらに、Kインバータを導入して
図40(a)に示す帯域通過フィルタの等価回路に変換
する。このとき、フィルタの中心周波数近傍において、
図40(a),(b)に示すようにKi,j を並列サセ
プタンスBi,jによって、また、LiとCiからなる直列
共振回路を電気長θiの導波管回路によって近似するこ
とにより、導波管形帯域通過フィルタを図41に示す分
布定数形等価回路で表わす。従来の導波管形帯域通過フ
ィルタの設計は、この分布定数形等価回路を用いて行わ
れる。
Next, the design procedure will be described. First, the element value of the original low-pass filter is determined from a desired pass bandwidth, ripple in the pass band, the number of resonator stages, and a coefficient obtained by series expansion of a Chebyshev function used as a transfer function. Next, frequency conversion is performed on the original low-pass filter, and further, a K inverter is introduced to convert to an equivalent circuit of the band-pass filter shown in FIG. At this time, near the center frequency of the filter,
As shown in FIGS. 40 (a) and (b), Ki, j is derived by approximating the parallel susceptance Bi, j, and approximating the series resonant circuit composed of Li and Ci by the waveguide circuit having the electrical length θi. The waveguide type bandpass filter is represented by a distributed constant type equivalent circuit shown in FIG. A conventional waveguide bandpass filter is designed using this distributed constant type equivalent circuit.

【0007】図41による従来の導波管形帯域通過フィ
ルタの反射特性は、図36のフィルタの場合と同様に中
心周波数から離れた周波数では図40(b),(c)の
近似による誤差が大きくなるため、特に通過帯域が広い
場合には図42に実線で示すように通過帯域端で反射損
が大きくなる。特に、導波管形帯域通過フィルタでは周
波数変化に対する導波管管内波長の分散性が大きく、周
波数変化に対する電気長変化の割合が大きいため、スト
リップ線路を用いたフィルタに比べて通過帯域端におけ
る反射特性の劣化が顕著になる。
The reflection characteristic of the conventional waveguide band-pass filter shown in FIG. 41 shows that the error due to the approximation shown in FIGS. In particular, when the pass band is wide, the reflection loss increases at the end of the pass band as shown by the solid line in FIG. In particular, in a waveguide band-pass filter, the dispersion of the wavelength in the waveguide with respect to the frequency change is large, and the ratio of the electrical length change to the frequency change is large. Deterioration of characteristics becomes remarkable.

【0008】さらに、図43、44は、R.E.Collin,
“ Foundations for Microwave Engineering ”, McGra
w-Hill, Inc, pp.343-360, 1979. に示された従来のイ
ンピーダンス変成器の設計手順を示す図であり、図43
は設計フロー、図44は等価回路である。図44におい
て、Zi (i=1,2,…,4)は分布定数線路の特性インピー
ダンス、Z0は入力線路の特性インピーダンス、ZL’は
出力線路の特性インピーダンス、θは分布定数線路の電
気長である。
FIGS. 43 and 44 show RECollin,
“Foundations for Microwave Engineering”, McGra
FIG. 43 is a diagram showing a design procedure of a conventional impedance transformer shown in w-Hill, Inc., pp. 343-360, 1979.
Is a design flow, and FIG. 44 is an equivalent circuit. In FIG. 44, Zi (i = 1, 2,..., 4) is the characteristic impedance of the distributed constant line, Z0 is the characteristic impedance of the input line, ZL 'is the characteristic impedance of the output line, and θ is the electrical length of the distributed constant line. is there.

【0009】次に、設計手順について説明する。まず初
めにインピーダンス変成器の段数を規定し、図44の等
価回路を用いてインピーダンス変成器の反射係数の式を
求める。各分布定数線路の電気長を等しく設定し、且
つ、隣接する分布定数線路間の接続面における反射が十
分小さいとすると、反射係数は三角関数を用いた多項式
に展開される。このとき、通過帯域内の反射係数は、通
過帯域幅、通過帯域内リップルの数と大きさを規定すれ
ば、チェビシェフ関数を用いて精度よく表される。チェ
ビシェフ関数は三角関数による展開が可能であり、これ
を図44の等価回路から求まる反射係数の多項式と比較
することによりインピーダンス変成器の各分布定数線路
の特性インピーダンスが求まる。このとき、分布定数線
路の線路長は中心周波数において電気長θがπ/2とな
るように設定する。
Next, the design procedure will be described. First, the number of stages of the impedance transformer is defined, and the expression of the reflection coefficient of the impedance transformer is obtained using the equivalent circuit of FIG. Assuming that the electric length of each distributed constant line is set equal and that the reflection at the connection surface between adjacent distributed constant lines is sufficiently small, the reflection coefficient is expanded into a polynomial using a trigonometric function. At this time, the reflection coefficient in the pass band is accurately expressed using the Chebyshev function if the pass band width and the number and magnitude of the ripples in the pass band are defined. The Chebyshev function can be expanded by a trigonometric function, and the characteristic impedance of each distributed constant line of the impedance transformer can be obtained by comparing the Chebyshev function with a polynomial of the reflection coefficient obtained from the equivalent circuit of FIG. At this time, the line length of the distributed constant line is set so that the electrical length θ is π / 2 at the center frequency.

【0010】実際のインピーダンス変成器においては、
特性インピーダンスの異なる隣接分布定数線路間の接続
部において導体幅等の物理的なステップを生じるため、
この不連続によりサセプタンスを生じる。このサセプタ
ンスは分布定数線路の電気長を等価的に変化させる働き
があり、通常の設計ではこの電気長変化分を含めたトー
タルの電気長が設計中心周波数でπ/2となるように分
布定数線路の物理長を決定する。しかしながら、このサ
セプタンスによる電気長は分布定数線路の電気長と周波
数変化率が異なるため、不連続のサセプタンス分を含む
等価回路によるインピーダンス変成器の反射係数は、中
心周波数から離れた周波数ではチェビシェフ関数からず
れる。従って、図44による従来のインピーダンス変成
器の反射特性は、図36および図41のフィルタの場合
と同様に中心周波数から離れた周波数では図45に実線
で示すように通過帯域端で反射損が大きくなる。
In an actual impedance transformer,
Since physical steps such as conductor width occur at the connection between adjacent distributed constant lines with different characteristic impedances,
This discontinuity causes a susceptance. This susceptance has the function of equivalently changing the electric length of the distributed constant line. In a normal design, the distributed constant line is so controlled that the total electric length including this electric length change becomes π / 2 at the design center frequency. Determine the physical length of However, since the electrical length due to this susceptance differs in frequency from the electrical length of the distributed constant line, the reflection coefficient of the impedance transformer based on the equivalent circuit including the discontinuous susceptance component is based on the Chebyshev function at frequencies away from the center frequency. Shift. Accordingly, the reflection characteristic of the conventional impedance transformer shown in FIG. 44 shows that the reflection loss is large at the pass band edge as shown by the solid line in FIG. 45 at a frequency away from the center frequency as in the case of the filters of FIGS. Become.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】従来の高周波フィルタ
の設計方法および高周波フィルタは以上のようであるの
で、設計の中心周波数から離れた周波数においては物理
形状に対応した等価回路による反射特性が伝達関数から
求まる理想的な反射特性から劣化し、従って、広帯域に
わたって反射の小さな特性が得られないという問題点が
あった。
Since the conventional high-frequency filter design method and high-frequency filter are as described above, at a frequency distant from the center frequency of the design, the reflection characteristic of the equivalent circuit corresponding to the physical shape is reduced by the transfer function. However, there has been a problem that the characteristic of reflection is deteriorated from the ideal reflection characteristic obtained from the above, and therefore, a characteristic of low reflection over a wide band cannot be obtained.

【0012】この発明は上記のような問題点を解決する
ためになされたもので、広帯域にわたって反射を小さく
できる設計法、およびこの設計法を用いて、広帯域にわ
たって反射の小さな高周波フィルタを得ることを目的と
する。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and it is an object of the present invention to provide a design method capable of reducing reflection over a wide band and to obtain a high-frequency filter having small reflection over a wide band by using this design method. Aim.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】第1の発明に係わる高周
波フィルタの設計方法は、複数の伝送線路形共振器と、
上記共振器間を相互に結合させる共振器間結合手段と、
上記共振器と入出力線路とを相互に結合させる入出力結
合手段とを備えた高周波フィルタの設計方法において、
上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸法、
および上記入出力結合手段の寸法を決定するパラメータ
の数以上の数だけ周波数を選択し、上記選択した周波数
において上記高周波フィルタの通過特性あるいは反射特
性が所望の値に近づくように上記共振器の共振器長、上
記共振器間結合手段の寸法、および上記入出力結合手段
の寸法を決定したものである。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a method for designing a high-frequency filter, comprising the steps of:
Inter-resonator coupling means for coupling the resonators to each other;
In a method for designing a high-frequency filter including input / output coupling means for mutually coupling the resonator and the input / output line,
Resonator length of the resonator, dimensions of the inter-resonator coupling means,
And selecting frequencies equal to or more than the number of parameters for determining the size of the input / output coupling means, and adjusting the resonance of the resonator so that the pass characteristic or the reflection characteristic of the high frequency filter approaches a desired value at the selected frequency. The length of the device, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined.

【0014】また、第2の発明に係わる高周波フィルタ
の設計方法は、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記高周波
フィルタの通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の傾き零点を複数設定
し、上記複数の傾き零点に対応する周波数を反射零周波
数あるいは反射極大周波数として規定し、上記反射零周
波数あるいは上記反射極大周波数において反射が極小あ
るいは極大となるように上記共振器の共振器長、上記共
振器間結合手段の寸法、および上記入出力間結合手段の
寸法を決定したものである。
A method of designing a high-frequency filter according to a second aspect of the present invention is a method of designing a high-frequency filter, comprising: a plurality of transmission line resonators; inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators; And a input / output coupling means for mutually coupling the filter and the input / output coupling means, wherein a plurality of slope zeros of a Chebyshev function as a function of a frequency of a radio wave in the resonator are set in a pass band of the high frequency filter. The frequency corresponding to the plurality of slope zeros is defined as a reflection zero frequency or a reflection maximum frequency, and the resonator length of the resonator so that the reflection becomes a minimum or a maximum at the reflection zero frequency or the reflection maximum frequency. The dimensions of the resonator coupling means and the dimensions of the input / output coupling means are determined.

【0015】また、第3の発明に係わる高周波フィルタ
の設計方法は、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記高周波
フィルタの通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上
記複数の零点に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸
法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定したもの
である。
In a third aspect of the present invention, there is provided a method for designing a high-frequency filter, comprising: a plurality of transmission line resonators; inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators; In the method of designing a high-frequency filter comprising input and output coupling means for mutually coupling the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator in the pass band of the high-frequency filter, a plurality of zeros, A frequency corresponding to the plurality of zeros is defined as a reflection zero frequency, and the length of the resonator of the resonator, the dimensions of the coupling means between the resonators, and the input / output between the input and output are set so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. The dimensions of the coupling means are determined.

【0016】また、第4の発明に係わる高周波フィルタ
の設計方法は、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記高周波
フィルタの通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上
記複数の零点に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸
法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定し、上記
寸法を用いて得られる上記高周波フィルタの反射特性の
うち、理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より反射
の大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数および
上記反射零周波数において反射が所定の大きさ以下とな
るように上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段
の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定した
ものである。
A method of designing a high-frequency filter according to a fourth aspect of the present invention is a method of designing a high-frequency filter, comprising: a plurality of transmission line resonators; inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators; In the method of designing a high-frequency filter comprising input and output coupling means for mutually coupling the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator in the pass band of the high-frequency filter, a plurality of zeros, A frequency corresponding to the plurality of zeros is defined as a reflection zero frequency, and the length of the resonator of the resonator, the dimensions of the coupling means between the resonators, and the input / output between the input and output are set so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. The size of the coupling means is determined, and among the reflection characteristics of the high-frequency filter obtained using the above-mentioned dimensions, a frequency having a larger reflection than that of an ideal Chebyshev filter is selected. The resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means such that the reflection is less than or equal to a predetermined magnitude at the large reflection frequency and the zero reflection frequency. It has been decided.

【0017】また、第5の発明に係わる高周波フィルタ
の設計方法は、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記高周波
フィルタの通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、
上記複数の極大点に対応する周波数を反射極大周波数と
して規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の
極大値となるように上記共振器の共振器長、上記共振器
間結合手段の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法
を決定したものである。
In a fifth aspect of the present invention, there is provided a method for designing a high-frequency filter, comprising: a plurality of transmission line resonators; inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators; In the method for designing a high-frequency filter including input / output coupling means for mutually coupling the maximum and the minimum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator, within a pass band of the high-frequency filter. ,
The frequency corresponding to the plurality of local maximum points is defined as a reflective local maximum frequency, and the resonator length of the resonator, the dimension of the resonator-to-resonator coupling means, such that the reflection at the reflective local maximum frequency has a predetermined local maximum value, and The dimensions of the input / output coupling means are determined.

【0018】また、第6の発明に係わる高周波フィルタ
の設計方法は、複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記高周波
フィルタの通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、
上記複数の極大点に対応する周波数を反射極大周波数と
して規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の
極大値となるように上記共振器の共振器長、上記共振器
間結合手段の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法
を決定し、上記寸法を用いて得られる上記高周波フィル
タの反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形フィルタ
の特性より反射の大きな周波数を選び、上記反射の大き
な周波数および上記反射極大周波数において反射が所定
の大きさ以下となるように上記共振器の共振器長、上記
共振器間結合手段の寸法、および上記入出力間結合手段
の寸法を決定したものである。
A method for designing a high-frequency filter according to a sixth aspect of the present invention is a method of designing a high-frequency filter, comprising: a plurality of transmission line resonators; inter-resonator coupling means for mutually coupling the resonators; In the method for designing a high-frequency filter including input / output coupling means for mutually coupling the maximum and the minimum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator, within a pass band of the high-frequency filter. ,
The frequency corresponding to the plurality of local maximum points is defined as a reflective local maximum frequency, and the resonator length of the resonator, the dimension of the resonator-to-resonator coupling means, such that the reflection at the reflective local maximum frequency has a predetermined local maximum value, and Determine the size of the input / output coupling means, and select a frequency having a large reflection from the characteristics of the ideal Chebyshev filter among the reflection characteristics of the high-frequency filter obtained using the size, The resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined so that the reflection is equal to or less than a predetermined magnitude at the reflection maximum frequency.

【0019】また、第7の発明に係わる高周波フィルタ
の設計方法は、導波管から成る複数の空胴共振器と上記
空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段として
のサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィル
タの設計方法において、上記導波管形の高周波フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点の
上記管内波長に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子値、お
よび上記サセプタンス素子の寸法を決定したものであ
る。
A method for designing a high-frequency filter according to a seventh aspect of the present invention is a method of designing a high-frequency filter comprising: a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide; and a susceptance element serving as a coupling means for the cavity resonators and an input / output coupling means. In the method for designing a waveguide type high frequency filter provided, a plurality of zeros of a Chebyshev function as a function of a guide wavelength of the waveguide are set in a pass band of the waveguide type high frequency filter, and the plurality of zeros are set. The frequency corresponding to the guide wavelength at the zero point is defined as the reflection zero frequency, and the resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the dimensions of the susceptance element are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. It was done.

【0020】また、第8の発明に係わる高周波フィルタ
の設計方法は、導波管から成る複数の空胴共振器と上記
空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段として
のサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィル
タの設計方法において、上記導波管形の高周波フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点の
上記管内波長に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子値、お
よび上記サセプタンス素子の寸法を決定し、上記寸法を
用いて得られる上記導波管形フィルタの反射特性のう
ち、理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より反射の
大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数および上
記反射零周波数において反射が所定の大きさ以下となる
ように上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子
値、および上記サセプタンス素子の寸法を決定したもの
である。
Further, a method of designing a high-frequency filter according to an eighth aspect of the present invention is a method of designing a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide and a susceptance element as a means for coupling the cavity resonators to each other and an input / output coupling means. In the method for designing a waveguide type high frequency filter provided, a plurality of zeros of a Chebyshev function as a function of a guide wavelength of the waveguide are set in a pass band of the waveguide type high frequency filter, and the plurality of zeros are set. The frequency corresponding to the guide wavelength at the zero point is defined as the reflection zero frequency, and the resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the dimensions of the susceptance element are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. Then, among the reflection characteristics of the waveguide filter obtained using the above dimensions, a frequency having a larger reflection than that of an ideal Chebyshev filter is selected. Resonator length of the resonator as reflected in large frequency and the reflection zero frequency of the reflection is less than or equal to a predetermined size, the susceptance element value, and is obtained by determining the dimension of the susceptance elements.

【0021】また、第9の発明に係わる高周波フィルタ
の設計方法は、導波管から成る複数の空胴共振器と上記
空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段として
のサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィル
タの設計方法において、上記導波管形の高周波フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大
点の上記管内波長に対応する周波数を反射極大周波数と
して規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の
極大値となるように上記共振器の共振器長、上記サセプ
タンス素子値、および上記サセプタンス素子の寸法を決
定したものである。
A ninth aspect of the present invention provides a method of designing a high-frequency filter, comprising: a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide; and a susceptance element serving as a coupling means between the cavity resonators and an input / output coupling means. In the method for designing a waveguide-type high-frequency filter provided, a plurality of local maximum points of Chebyshev function as a function of the guide wavelength of the waveguide are set in a pass band of the waveguide-type high-frequency filter. The frequency corresponding to the guide wavelength of the maximum point of the tube is defined as the reflection maximum frequency, the resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the susceptance so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. The dimensions of the element are determined.

【0022】また、第10の発明に係わる高周波フィル
タの設計方法は、導波管から成る複数の空胴共振器と上
記空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段とし
てのサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィ
ルタの設計方法において、上記導波管形の高周波フィル
タの通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としての
チェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極
大点の上記管内波長に対応する周波数を反射極大周波数
として規定し、上記反射極大周波数において反射が所定
の極大値となるように上記共振器の共振器長、上記サセ
プタンス素子値、および上記サセプタンス素子の寸法を
決定し、上記寸法を用いて得られる上記導波管形フィル
タの反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形フィルタ
の特性より反射の大きな周波数を選び、上記反射の大き
な周波数および上記反射極大周波数において反射が所定
の大きさ以下となるように上記共振器の共振器長、上記
サセプタンス素子値、および上記サセプタンス素子の寸
法を決定したものである。
A tenth aspect of the present invention provides a method for designing a high-frequency filter, comprising: a plurality of cavity resonators each comprising a waveguide; and a susceptance element serving as a coupling means for the cavity resonators and an input / output coupling means. In the method for designing a waveguide-type high-frequency filter provided, a plurality of local maximum points of Chebyshev function as a function of the guide wavelength of the waveguide are set in a pass band of the waveguide-type high-frequency filter. The frequency corresponding to the guide wavelength of the maximum point of the tube is defined as the reflection maximum frequency, the resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the susceptance so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. The dimensions of the element are determined, and among the reflection characteristics of the waveguide type filter obtained using the above dimensions, the reflection characteristics are more than those of the ideal Chebyshev type filter. The resonator length of the resonator, the susceptance element value, and the dimensions of the susceptance element were determined so that the reflection was not more than a predetermined magnitude at the large reflection frequency and the maximum reflection frequency. Things.

【0023】また、第11の発明に係わる高周波フィル
タの設計方法は、請求項7〜10のいずれか1項に記載
の高周波フィルタの設計方法において、共振器の数を
N、フィルタの中心周波数における等価回路素子値から
決定されるi番目のサセプタンス素子のサセプタンス値
をB0iとしたとき、i番目のサセプタンス素子のサセプ
タンス値Biを次式で与えられる範囲に設定したもので
ある。 1<Bi/B0i<1.2 (1≦i≦0.2N, N≦i≦N+1) 0.8<Bi/B0i<1 (0.2N<i≦0.4N, 0.8N≦i<N) 0.9<Bi/B0i≦1 (0.4N<i<0.8N)
A high frequency filter designing method according to an eleventh aspect of the present invention is the high frequency filter designing method according to any one of claims 7 to 10, wherein the number of resonators is N and the center frequency of the filter is N. When the susceptance value of the i-th susceptance element determined from the equivalent circuit element value is B0i, the susceptance value Bi of the i-th susceptance element is set to a range given by the following equation. 1 <Bi / B0i <1.2 (1 ≦ i ≦ 0.2N, N ≦ i ≦ N + 1) 0.8 <Bi / B0i <1 (0.2N <i ≦ 0.4N, 0.8N ≦ i < N) 0.9 <Bi / B0i ≦ 1 (0.4N <i <0.8N)

【0024】また、第12の発明に係わる高周波フィル
タは、請求項7〜11のいずれか1項に記載の高周波フ
ィルタの設計方法により構成された高周波フィルタであ
って、サセプタンス素子が誘導性アイリスあるいは誘導
性ポストであることを特徴とするものである。
According to a twelfth aspect of the present invention, there is provided a high frequency filter configured by the method for designing a high frequency filter according to any one of claims 7 to 11, wherein the susceptance element is an inductive iris or It is an inductive post.

【0025】[0025]

【作用】第1の発明においては、設計パラメータとして
の共振器の共振器長、共振器間結合手段の寸法、および
入出力結合手段の寸法を決定するパラメータの数以上の
数だけ周波数を選択し、上記選択した周波数において上
記高周波フィルタの通過特性あるいは反射特性が所望の
値に近づくように上記共振器の共振器長、上記共振器間
結合手段の寸法、および上記入出力結合手段の寸法を決
定するので、中心周波数のみでなく選択した上記周波数
の範囲内の複数の周波数を用いて上記パラメータの数以
上の条件式が設定され、最適化手法等により通過帯域が
広い場合でも所望の反射特性の得られる上記設計パラメ
ータの値を決定できる。
According to the first aspect of the present invention, the frequencies are selected by the number of parameters which are equal to or greater than the number of parameters for determining the resonator length of the resonator, the dimension of the inter-resonator coupling means, and the dimension of the input / output coupling means as design parameters. The resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined so that the pass characteristic or the reflection characteristic of the high frequency filter approaches a desired value at the selected frequency. Therefore, not only the center frequency but also a plurality of frequencies within the selected frequency range are used to set a conditional expression equal to or more than the number of the above parameters. The value of the obtained design parameter can be determined.

【0026】第2の発明においては、高周波フィルタの
通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の関数として
のチェビシェフ関数の傾き零点を複数設定し、上記複数
の傾き零点に対応する周波数を反射零周波数あるいは反
射極大周波数として規定し、上記反射零周波数あるいは
上記反射極大周波数において反射が極小あるいは極大と
なるように設計パラメータとしての共振器長、共振器間
結合手段の寸法、および入出力間結合手段の寸法を決定
するので、通過帯域端での反射の増加や反射零周波数の
ずれは少なく、最適化手法等により上記通過帯域内のす
べての周波数においてチェビシェフ関数による理想特性
に近い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの
値を決定できる。
In the second invention, a plurality of slope zeros of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high frequency filter, and the frequencies corresponding to the plurality of slope zeros are reflected. A resonator length, dimensions of coupling means between resonators, and coupling between input and output, which are defined as a zero frequency or a reflection maximum frequency, and are design parameters so that reflection is minimum or maximum at the reflection zero frequency or the reflection maximum frequency. Since the size of the means is determined, the increase in reflection at the end of the pass band and the deviation of the reflection zero frequency are small, and the desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all the frequencies in the pass band by an optimization method or the like. Can be determined.

【0027】第3の発明においては、高周波フィルタの
通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の関数として
のチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零
点に対応する周波数を反射零周波数として規定し、上記
反射零周波数において反射が極小となるように設計パラ
メータとしての共振器長、共振器間結合手段の寸法、お
よび入出力間結合手段の寸法を決定したので、最小限の
周波数を用いた最適化手法等により上記通過帯域内のす
べての周波数においてチェビシェフ関数による理想特性
に近い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの
値を決定できる。
In the third invention, a plurality of zeros of a Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in a pass band of the high frequency filter, and a frequency corresponding to the plurality of zeros is set to a reflection zero frequency. And the dimensions of the resonator length, dimensions of the coupling means between resonators, and dimensions of the coupling means between the input and output are determined so that the reflection is minimized at the reflection zero frequency. The value of the design parameter that can obtain the desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the passband can be determined by the used optimization technique or the like.

【0028】第4の発明においては、高周波フィルタの
通過帯域内に共振器内の電波の周波数の関数としてのチ
ェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点に
対応する周波数を反射零周波数として規定し、上記反射
零周波数において反射が極小値となるように設計パラメ
ータとしての共振器長、共振器間結合手段の寸法、およ
び入出力間結合手段の寸法を決定し、上記寸法を用いて
得られる上記高周波フィルタの反射特性のうち、理想的
なチェビシェフ形フィルタの特性より反射の大きな周波
数を選び、上記反射の大きな周波数および上記反射零周
波数において反射が所定の大きさ以下となるように上記
共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸法、およ
び上記入出力間結合手段の寸法を決定したので、複数回
の最適化がされ、最小限の周波数を用いた最適化手法等
により上記通過帯域内のすべての周波数においてチェビ
シェフ関数による理想特性に非常に近い所望の反射特性
の得られる上記設計パラメータの値を決定できる。
In the fourth invention, a plurality of zeros of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in a pass band of the high-frequency filter, and a frequency corresponding to the plurality of zeros is defined as a reflection zero frequency. The length of the resonator, the dimensions of the coupling means between the resonators, and the dimensions of the coupling means between the input and output are determined so that the reflection becomes a minimum value at the reflection zero frequency. Among the reflection characteristics of the high-frequency filter, a frequency having a large reflection is selected from the characteristics of an ideal Chebyshev-type filter, and the resonance is performed so that the reflection is equal to or less than a predetermined magnitude at the large reflection frequency and the zero reflection frequency. Since the resonator length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input-output coupling means were determined, optimization was performed a plurality of times, The optimization method or the like using a frequency of the small limit can determine the value of the design parameters obtained of the desired reflection characteristics very close to the ideal characteristics of Chebyshev function at all frequencies within the passband.

【0029】第5の発明においては、高周波フィルタの
通過帯域内に共振器内の電波の周波数の関数としてのチ
ェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大
点に対応する周波数を反射極大周波数として規定し、上
記反射極大周波数において反射が所定の極大値となるよ
うに設計パラメータとしての共振器長、共振器間結合手
段の寸法、および入出力間結合手段の寸法を決定したの
で、最小限の周波数を用いた最適化手法等により上記通
過帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ関数に
よる理想特性に近い所望の反射特性の得られる上記設計
パラメータの値を決定できる。
In the fifth invention, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high-frequency filter, and the frequencies corresponding to the plurality of maximum points are reflected by the reflection maximum. Since the length of the resonator, the dimensions of the resonator-to-resonator coupling means, and the dimensions of the input-output coupling means were determined as design parameters so that the reflection would have a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency, the minimum The value of the design parameter that can obtain a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies within the passband can be determined by an optimization method using a limited frequency or the like.

【0030】第6の発明においては、高周波フィルタの
通過帯域内に共振器内の電波の周波数の関数としてのチ
ェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大
点に対応する周波数を反射極大周波数として規定し、上
記反射極大周波数において反射が所定の極大値となるよ
うに設計パラメータとしての共振器長、共振器間結合手
段の寸法、および入出力間結合手段の寸法を決定し、上
記寸法を用いて得られる上記高周波フィルタの反射特性
のうち、理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より反
射の大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数およ
び上記反射極大周波数において反射が所定の大きさ以下
となるように上記共振器の共振器長、上記共振器間結合
手段の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定
したので、複数回の最適化がされ、最小限の周波数を用
いた最適化手法等により上記通過帯域内のすべての周波
数においてチェビシェフ関数による理想特性に非常に近
い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの値を
決定できる。
In the sixth invention, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the frequency of the radio wave in the resonator are set in the pass band of the high-frequency filter, and the frequencies corresponding to the plurality of maximum points are reflected by the reflection maximum. The resonator length, the dimension of the resonator coupling means, and the dimension of the input / output coupling means are determined as design parameters so that the reflection has a predetermined maximum value at the reflection maximum frequency. From among the reflection characteristics of the high-frequency filter obtained by using the above, a frequency having a large reflection is selected from the characteristics of an ideal Chebyshev-type filter, and the reflection is equal to or less than a predetermined magnitude at the large reflection frequency and the maximum reflection frequency. Since the length of the resonator, the dimensions of the inter-resonator coupling means, and the dimensions of the input / output coupling means are determined as described above, The optimization is performed, and the value of the above-mentioned design parameter which can obtain the desired reflection characteristic very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function can be determined at all the frequencies in the above-mentioned passband by an optimization technique using the minimum frequency. .

【0031】第7の発明においては、導波管形フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点の
上記管内波長に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に設計パラメータとしての共振器長、サセプタンス素子
値、およびサセプタンス素子の寸法を決定したので、電
気長の周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対し
ても、最小限の周波数を用いた最適化手法等により上記
通過帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ関数
による理想特性に近い所望の反射特性の得られる上記設
計パラメータの値を決定できる。
In the seventh invention, a plurality of zeros of the Chebyshev function as a function of the guide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide filter, and the zeros correspond to the guide wavelengths of the plurality of zeros. Is defined as the zero reflection frequency, and the resonator length, the susceptance element value, and the dimensions of the susceptance element as design parameters are determined so that the reflection is minimized at the zero reflection frequency. Especially for a large waveguide type filter, the above-mentioned design parameters for obtaining a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies within the above passband by an optimization method using the minimum frequency and the like. Can be determined.

【0032】第8の発明においては、導波管形フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点の
上記管内波長に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に設計パラメータとしての共振器長、サセプタンス素子
値、およびサセプタンス素子の寸法を決定し、上記寸法
を用いて得られる上記導波管形フィルタの反射特性のう
ち、理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より反射の
大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数および上
記反射零周波数において反射が所定の大きさ以下となる
ように上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子
値、および上記サセプタンス素子の寸法を決定したの
で、複数回の最適化がされ、電気長の周波数変化の特に
大きい導波管形フィルタに対しても、最小限の周波数を
用いた最適化手法等により上記通過帯域内のすべての周
波数においてチェビシェフ関数による理想特性に非常に
近い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの値
を決定できる。
In the eighth invention, a plurality of zeros of the Chebyshev function as a function of the guide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide filter, and the zeros correspond to the guide wavelengths of the plurality of zeros. Is defined as the zero reflection frequency, the resonator length as a design parameter, the susceptance element value, and the dimensions of the susceptance element are determined so that the reflection is minimized at the zero reflection frequency, and is obtained using the above dimensions. Of the reflection characteristics of the waveguide type filter, a frequency having a large reflection is selected from the characteristics of an ideal Chebyshev type filter, and the reflection is set to a predetermined value or less at the large reflection frequency and the zero reflection frequency. Since the resonator length of the resonator, the value of the susceptance element, and the dimensions of the susceptance element were determined, optimization was performed multiple times. Therefore, even for a waveguide type filter having a particularly large change in frequency of the electrical length, it is very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all the frequencies in the passband by an optimization method using the minimum frequency or the like. It is possible to determine the value of the above-mentioned design parameter that obtains a desired reflection characteristic.

【0033】第9の発明においては、導波管形フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大
点の上記管内波長に対応する周波数を反射極大周波数と
して規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の
極大値となるように設計パラメータとしての共振器長、
サセプタンス素子値、およびサセプタンス素子の寸法を
決定したので、電気長の周波数変化の特に大きい導波管
形フィルタに対しても、最小限の周波数を用いた最適化
手法等により上記通過帯域内のすべての周波数において
チェビシェフ関数による理想特性に近い所望の反射特性
の得られる上記設計パラメータの値を決定できる。
In the ninth aspect, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the guide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide filter, and the guide wavelengths of the plurality of maximum points are set. Is defined as the reflection maximum frequency, the resonator length as a design parameter so that the reflection at the reflection maximum frequency has a predetermined maximum value,
Since the value of the susceptance element and the dimensions of the susceptance element were determined, even in the case of a waveguide type filter with a particularly large change in the frequency of the electrical length, all of the values within the above passband were determined by the optimization method using the minimum frequency. It is possible to determine the value of the above-mentioned design parameter at which a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function is obtained at the frequency of.

【0034】第10の発明においては、導波管形フィル
タの通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としての
チェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極
大点の上記管内波長に対応する周波数を反射極大周波数
として規定し、上記反射極大周波数において反射が所定
の極大値となるように設計パラメータとしての共振器
長、サセプタンス素子値、およびサセプタンス素子の寸
法を決定し、上記寸法を用いて得られる上記導波管形フ
ィルタの反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形フィ
ルタの特性より反射の大きな周波数を選び、上記反射の
大きな周波数および上記反射極大周波数において反射が
所定の大きさ以下となるように上記共振器の共振器長、
上記サセプタンス素子値、および上記サセプタンス素子
の寸法を決定したので、複数回の最適化がされ、電気長
の周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対して
も、最小限の周波数を用いた最適化手法等により上記通
過帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ関数に
よる理想特性に非常に近い所望の反射特性の得られる上
記設計パラメータの値を決定できる。
In the tenth aspect, a plurality of maximum points of the Chebyshev function as a function of the guide wavelength of the waveguide are set in the pass band of the waveguide filter, and the guide wavelengths of the plurality of maximum points are set. Is defined as the reflection maximum frequency, the resonator length as a design parameter, the susceptance element value, and the dimensions of the susceptance element are determined so that the reflection at the reflection maximum frequency becomes a predetermined maximum value, and the dimensions of the susceptance element are determined. Of the reflection characteristics of the waveguide filter obtained by using the above, a frequency having a large reflection is selected from the characteristics of the ideal Chebyshev type filter, and the reflection has a predetermined magnitude at the large reflection frequency and the maximum reflection frequency. The resonator length of the resonator as follows,
Since the susceptance element value and the dimensions of the susceptance element are determined, optimization is performed a plurality of times. It is possible to determine the values of the design parameters that can obtain the desired reflection characteristics very close to the ideal characteristics based on the Chebyshev function at all the frequencies in the passband by a conversion technique or the like.

【0035】第11の発明においては、第7〜第10の
いずれかの発明における共振器の数をN、フィルタの中
心周波数における等価回路素子値から決定されるi番目
のサセプタンス素子のサセプタンス値をB0iとしたと
き、i番目のサセプタンス素子のサセプタンス値Bi
を、 1<Bi/B0i<1.2 (1≦i≦0.2N, N≦i≦N+1) 0.8<Bi/B0i<1 (0.2N<i≦0.4N, 0.8N≦i<N) 0.9<Bi/B0i≦1 (0.4N<i<0.8N) で与えられる範囲に設定したので、通過帯域が広い場合
でも上記通過帯域内のすべての周波数においてチェビシ
ェフ関数による理想特性に近い所望の反射特性が得られ
る。
In the eleventh aspect, the number of resonators in any of the seventh to tenth aspects is N, and the susceptance value of the i-th susceptance element determined from the equivalent circuit element value at the center frequency of the filter is B0i, the susceptance value Bi of the i-th susceptance element
1 <Bi / B0i <1.2 (1 ≦ i ≦ 0.2N, N ≦ i ≦ N + 1) 0.8 <Bi / B0i <1 (0.2N <i ≦ 0.4N, 0.8N ≦ i <N) 0.9 <Bi / B0i ≦ 1 (0.4N <i <0.8N) Therefore, even if the passband is wide, the Chebyshev function is performed at all frequencies within the passband. The desired reflection characteristics close to the ideal characteristics are obtained.

【0036】第12の発明においては、第7〜第11の
いずれかの発明における高周波フィルタの設計方法によ
り構成され、サセプタンス素子として誘導性アイリスあ
るいは誘導性ポストを用いたので、上記誘導性アイリス
のアイリス幅あるいは上記誘導性ポストの数、直径、ま
たは、間隔を調整することで所望のサセプタンス値が容
易に得られ、かつ、耐電力性に優れたものが得られる。
According to the twelfth aspect of the invention, the high frequency filter is designed by the method of any of the seventh to eleventh aspects and the inductive iris or the inductive post is used as the susceptance element. By adjusting the iris width or the number, diameter, or interval of the inductive posts, a desired susceptance value can be easily obtained, and an excellent power resistance can be obtained.

【0037】[0037]

【実施例】実施例1. 図1はこの発明の一実施例を示す概略構成図、図2は内
導体パターンの形状を示す図であり、図において、1
a、1bは誘電体基板、2aは誘電体基板1aの一方の
面全面に導体膜を密着して形成された外導体、3、6、
および、7は誘電体基板1aの他方の面に導体膜を密着
して形成された内導体、9は誘電体基板1a、1b、外
導体2a、2b、および、内導体3を貫通する貫通孔の
内周面に外導体2a、2b、および、内導体3と連続す
る導体膜を密着して形成されるスルーホール、30は誘
電体基板1a、1bと外導体2a、2bと内導体3とで
構成されるストリップ線路共振器、60は誘電体基板1
a、1bと外導体2a、2bと内導体6とで構成される
ストリップ線路の入力線路、70は誘電体基板1a、1
bと外導体2a、2bと内導体7とで構成されるストリ
ップ線路の出力線路、P1は入力端、P2は出力端であ
る。誘電体基板1aと1bは、内導体3、6、および、
7を挟み込むように重ね合わされている。複数の内導体
3はそれぞれ長さが略1/4波長に設定されており、一
端がスルーホール9により外導体2a、2bに接続され
短絡されている。このため、共振器30は一端短絡他端
開放の1/4波長共振器となっている。複数の共振器3
0は全てが平行に配置され、隣接するもの同志は交互に
逆側の一端がスルーホール9によって短絡されている。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a schematic diagram showing an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a diagram showing the shape of an inner conductor pattern.
a and 1b are dielectric substrates, and 2a is an outer conductor formed by closely attaching a conductive film to one entire surface of the dielectric substrate 1a.
Reference numeral 7 denotes an inner conductor formed by closely attaching a conductive film to the other surface of the dielectric substrate 1a. Reference numeral 9 denotes a through-hole passing through the dielectric substrates 1a and 1b, the outer conductors 2a and 2b, and the inner conductor 3. A through-hole 30 is formed by closely adhering a conductor film continuous with the outer conductors 2a and 2b and the inner conductor 3 on the inner peripheral surface of the inner conductor 3. Numerals 30 denote the dielectric substrates 1a and 1b, the outer conductors 2a and 2b, and the inner conductor 3. And 60 is a dielectric substrate 1
a, 1b, the outer conductors 2a, 2b and the inner conductor 6 are input lines of a strip line, 70 is a dielectric substrate 1a, 1
b, outer conductors 2a and 2b, and an inner conductor 7, an output line of a strip line, P1 is an input terminal, and P2 is an output terminal. The dielectric substrates 1a and 1b include inner conductors 3, 6, and
7 are sandwiched therebetween. Each of the plurality of inner conductors 3 has a length set to approximately 1 / wavelength, and one end is connected to the outer conductors 2 a and 2 b by a through hole 9 and short-circuited. For this reason, the resonator 30 is a quarter-wavelength resonator in which one end is short-circuited and the other end is open. Multiple resonators 3
0 are all arranged in parallel, and adjacent ones are alternately short-circuited at opposite ends by through holes 9.

【0038】次に、動作について説明する。隣接する共
振器30は短絡端と開放端が対向するように配置されて
いるため、相互に電界により結合する。その結合量は内
導体3の間隔あるいは内導体3の幅によって調整され
る。
Next, the operation will be described. Since the adjacent resonators 30 are arranged so that the short-circuit end and the open end face each other, they are mutually coupled by an electric field. The amount of coupling is adjusted by the distance between the inner conductors 3 or the width of the inner conductors 3.

【0039】今、内導体3それぞれの長さが1/4波長
付近で所定長さに設定され、全ての共振器30が同一の
周波数、例えばf0で共振しているものとすれば、その
周波数f0では、共振状態にある共振器30は相互に強
く結合しており、入力線路60への入射波初段の共振器
30へ導かれ、隣接する共振器へ電界により結合するこ
とを繰り返して出力線路70より出力される。しかしな
がら、f0以外の周波数では、共振器30相互の結合は
非常に弱く、入力線路60への入射波はその電力のほと
んどが反射される。このように、図1および図2に示し
たストリップ線路フィルタは帯域通過フィルタとしての
機能を有する。
Now, assuming that the length of each of the inner conductors 3 is set to a predetermined length in the vicinity of 1/4 wavelength, and that all the resonators 30 resonate at the same frequency, for example, f0, At f0, the resonators 30 in the resonance state are strongly coupled to each other, are guided to the resonator 30 at the first stage of the incident wave to the input line 60, and are repeatedly coupled to the adjacent resonator by the electric field, thereby repeating the output line. 70. However, at frequencies other than f0, the coupling between the resonators 30 is very weak, and most of the power of the incident wave on the input line 60 is reflected. Thus, the stripline filters shown in FIGS. 1 and 2 have a function as a bandpass filter.

【0040】次に、設計手順のフローを図3について説
明する。まず、ステップ1において、原形低域通過フィ
ルタから変形され集中定数素子で構成された理想的なチ
ェビシェフ特性を有する帯域通過フィルタと図1のフィ
ルタの物理形状に応じて決定された分布定数形の等価回
路をフィルタの通過帯域の中心周波数において比較し、
設計パラメータとしての共振器間隔、共振器幅、およ
び、共振器長の初期設計を行う。ステップ1は図34〜
図36に示す従来の設計手順と同様である。このとき、
図1のフィルタにおいて隣接する2つの共振器のみを取
り出したペア共振器は、図4に示すような分布定数線路
から成る等価回路で表される。図4において10は電気
長θの先端短絡スタブの等価回路、11は電気長θの線
路の等価回路である。図4の等価回路を組み合わせて用
いることにより、図1のフィルタは図36に示すのと同
様の分布定数線路形等価回路で表される。
Next, the flow of the design procedure will be described with reference to FIG. First, in step 1, the equivalent of a band-pass filter having ideal Chebyshev characteristics, which is formed from a lumped-constant element and is deformed from the original low-pass filter, and a distributed constant type determined according to the physical shape of the filter of FIG. Compare the circuit at the center frequency of the passband of the filter,
An initial design of the resonator interval, resonator width, and resonator length as design parameters is performed. Step 1 is shown in FIG.
This is the same as the conventional design procedure shown in FIG. At this time,
A pair resonator obtained by taking out only two adjacent resonators in the filter of FIG. 1 is represented by an equivalent circuit including distributed constant lines as shown in FIG. In FIG. 4, reference numeral 10 denotes an equivalent circuit of a short-circuit stub having an electrical length θ, and reference numeral 11 denotes an equivalent circuit of a line having an electrical length θ. By using the equivalent circuit of FIG. 4 in combination, the filter of FIG. 1 is represented by a distributed constant line equivalent circuit similar to that shown in FIG.

【0041】次に、ステップ2において、設計パラメー
タの数以上の周波数を選択し、図5に示すように、これ
らの周波数における挿入損あるいは反射損を規定する。
図5は、図1のフィルタの所望の通過および反射特性を
示す図であり、図において、f1〜f13は選択した周波
数である。規定する通過損と反射損のレベルを同様にす
るため、通過帯域の周波数f2〜f10では反射損、通過
帯域外の周波数f1およびf11〜f13では通過損をそれ
ぞれ規定している。
Next, in step 2, frequencies higher than the number of design parameters are selected, and insertion loss or reflection loss at these frequencies is defined as shown in FIG.
FIG. 5 is a diagram showing desired pass and reflection characteristics of the filter of FIG. 1, wherein f1 to f13 are selected frequencies. In order to make the specified levels of the pass loss and the reflection loss the same, the reflection loss is specified at frequencies f2 to f10 in the pass band, and the pass loss is specified at frequencies f1 and f11 to f13 outside the pass band.

【0042】最後に、ステップ3において、上記分布定
数線路形等価回路によるフィルタの特性計算を行い、周
波数f2〜f10における反射損の値と、周波数f1および
f11〜f13における挿入損が所望の値となるように、等
価回路のパラメータを最適化する。最適化により得られ
たパラメータから共振器間隔、共振器幅、および、共振
器長が求まる。
Finally, in step 3, the characteristics of the filter are calculated using the distributed constant line type equivalent circuit, and the values of the reflection loss at the frequencies f2 to f10 and the insertion loss at the frequencies f1 and f11 to f13 are set to the desired values. Optimize the parameters of the equivalent circuit. The resonator interval, resonator width, and resonator length are obtained from the parameters obtained by the optimization.

【0043】以上のように、図3の設計手順による実施
例は、通過帯域内の複数の周波数において反射損を所望
の値に規定しているため、通過帯域が広い場合でも通過
帯域端での反射の増加は少なく、通過帯域全体に渡って
良好な特性が得られる。
As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 3, the reflection loss is specified to a desired value at a plurality of frequencies in the pass band. The increase in reflection is small, and good characteristics are obtained over the entire pass band.

【0044】また、周波数をパラメータの数以上選択し
ているため関係式がパラメータの数以上得られ、最適化
の際に、等価回路による特性計算結果が所望の特性に近
づく可能性が高い。
In addition, since the frequency is selected more than the number of parameters, the relational expression can be obtained more than the number of parameters. At the time of optimization, there is a high possibility that the characteristic calculation result by the equivalent circuit approaches the desired characteristic.

【0045】実施例2. 図6は、この発明の他の実施例の設計手順を示すフロー
であり、ステップ2において、通過帯域内にチェビシェ
フ特性の反射零および極大周波数を選択し、図7に示す
ように、これらの周波数における反射損を規定した場合
である。図7は、図1のフィルタの所望の反射特性を示
す図であり、図において、f1、f3、f5、および、f7
は反射零周波数であり、次の第2式で与えられる。
Embodiment 2 FIG. FIG. 6 is a flowchart showing a design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, reflection zero and a maximum frequency of Chebyshev characteristics are selected in a pass band, and as shown in FIG. This is a case where the reflection loss in the above is defined. FIG. 7 is a diagram showing desired reflection characteristics of the filter of FIG. 1, where f1, f3, f5, and f7 are shown.
Is the reflection zero frequency and is given by the following second equation.

【0046】[0046]

【数1】 (Equation 1)

【0047】また、f2、f4、および、f6は反射極大
周波数であり、次の第3式で与えられる。
Further, f2, f4 and f6 are reflection maximum frequencies and are given by the following third equation.

【0048】[0048]

【数2】 (Equation 2)

【0049】このように、図6の設計手順による実施例
は、通過帯域内の全ての反射零周波数を規定しているた
め、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の増加
や反射零周波数のずれは少なく、通過帯域全体に渡って
チェビシェフ関数による理想的な反射特性が得られる。
As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 6, since all the reflection zero frequencies within the pass band are defined, even if the pass band is wide, the increase of the reflection at the end of the pass band and the reflection zero are prevented. The frequency shift is small, and an ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band.

【0050】なお、反射零および極大周波数の数はパラ
メータの総数より少ないため、全てのパラメータを最適
化の際の変数として指定できないが、例えば、共振器間
隔のみを変数に指定し、他のパラメータにつては共振器
間隔の変化により各共振器の共振周波数と特性インピー
ダンスが変化しないように共振器長と共振器幅を補正す
ることで、良好な反射特性を実現できる。
Since the number of reflection zeros and maximum frequencies is smaller than the total number of parameters, not all parameters can be specified as variables for optimization. For example, only the resonator interval is specified as a variable and other parameters are specified. As for, good reflection characteristics can be realized by correcting the resonator length and the resonator width so that the resonance frequency and the characteristic impedance of each resonator do not change due to the change in the resonator spacing.

【0051】従って、図6の設計手順による実施例は、
図3の場合と同様に、広帯域なストリップ線路フィルタ
を得ることができる他に、少数の周波数に対して反射損
を規定するだけで反射特性の良好なものが得られるとい
う利点を有する。
Therefore, the embodiment according to the design procedure of FIG.
As in the case of FIG. 3, in addition to being able to obtain a broadband stripline filter, there is an advantage that a filter having good reflection characteristics can be obtained only by defining the reflection loss for a small number of frequencies.

【0052】実施例3. 図8は、この発明の他の実施例の設計手順を示すフロー
であり、ステップ2において、通過帯域内にチェビシェ
フ特性の反射零周波数を選択し、図9に示すように、こ
れらの周波数における反射損を規定した場合である。図
9は図1のフィルタの所望の反射特性であり、図におい
て、f1、f3、f5、および、f7は反射零周波数であ
り、図7の場合と同様に第2式で与えられる。
Embodiment 3 FIG. FIG. 8 is a flowchart showing a design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, reflection zero frequencies having Chebyshev characteristics are selected in a pass band, and reflections at these frequencies are selected as shown in FIG. This is the case where the loss is specified. FIG. 9 shows the desired reflection characteristics of the filter of FIG. 1, where f1, f3, f5 and f7 are the zero reflection frequencies and are given by the second equation as in the case of FIG.

【0053】このように、図8の設計手順による実施例
は、通過帯域内の全ての反射零周波数を規定しているた
め、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の増加
や反射零周波数のずれは少なく、通過帯域全体に渡って
チェビシェフ関数による理想的な反射特性が得られる。
As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 8, since all the reflection zero frequencies within the pass band are defined, even if the pass band is wide, the increase in the reflection at the end of the pass band and the reflection zero are prevented. The frequency shift is small, and an ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band.

【0054】なお、反射零周波数の数は共振器の数と同
一となるため、全てのパラメータを最適化の際の変数と
して指定できないが、共振器間隔のみを変数に指定し、
他のパラメータにつては共振器間隔の変化により各共振
器の共振周波数と特性インピーダンスが変化しないよう
に共振器長と共振器幅を補正することで、良好な反射特
性を実現できる。
Since the number of reflected zero frequencies is the same as the number of resonators, not all parameters can be specified as variables for optimization, but only the resonator spacing is specified as a variable.
As for other parameters, good reflection characteristics can be realized by correcting the resonator length and the resonator width so that the resonance frequency and the characteristic impedance of each resonator do not change due to the change in the resonator interval.

【0055】従って、図8の設計手順による実施例は、
図3の場合と同様に、広帯域なストリップ線路フィルタ
を得ることができる他に、さらに少数の周波数に対して
反射損を規定するだけで反射特性の良好なものが得られ
るという利点を有する。
Therefore, the embodiment according to the design procedure of FIG.
As in the case of FIG. 3, in addition to being able to obtain a broadband stripline filter, there is an advantage that a filter having good reflection characteristics can be obtained only by defining the reflection loss for a smaller number of frequencies.

【0056】実施例4. 図10は、この発明の他の実施例の設計手順を示すフロ
ーであり、ステップ2において、通過帯域内にチェビシ
ェフ特性の反射極大周波数を選択し、図11に示すよう
に、これらの周波数における反射損を規定した場合であ
る。図11は図1のフィルタの所望の反射特性であり、
図において、f2、f4、および、f6は反射極大周波数
であり、図7の場合と同様に式(2)で与えられる。
Embodiment 4 FIG. FIG. 10 is a flowchart showing a design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, reflection maximum frequencies having Chebyshev characteristics are selected in a pass band, and reflection frequencies at these frequencies are selected as shown in FIG. This is the case where the loss is specified. FIG. 11 shows the desired reflection characteristics of the filter of FIG.
In the figure, f2, f4, and f6 are reflection maximum frequencies, and are given by equation (2) as in the case of FIG.

【0057】このように、図10の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射極大周波数を規定してい
るため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の
増加や反射極大周波数のずれは少なく、通過帯域全体に
渡ってチェビシェフ関数による理想的な反射特性に近い
特性が得られる。ただし、この場合、最適化によって得
られた等価回路パラメータを用いた反射特性は、図11
に示すように規定した極大値より大きな最大値を持つこ
とがあり、注意を要する。
As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 10, since all the reflection maximum frequencies within the pass band are defined, even if the pass band is wide, the reflection at the end of the pass band is increased or the reflection maximum is increased. The frequency shift is small, and characteristics close to ideal reflection characteristics by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band. However, in this case, the reflection characteristics using the equivalent circuit parameters obtained by the optimization are as shown in FIG.
Note that the maximum value may be larger than the specified maximum value as shown in FIG.

【0058】なお、反射極大周波数の数は共振器の数よ
り1少ないため、全てのパラメータを最適化の際の変数
として指定できないが、共振器間隔のみを変数に指定
し、他のパラメータにつては共振器間隔の変化により各
共振器の共振周波数と特性インピーダンスが変化しない
ように共振器長と共振器幅を補正することで、良好な反
射特性を実現できる。
Since the number of reflection maximum frequencies is one less than the number of resonators, not all parameters can be specified as variables for optimization. However, only the resonator spacing is specified as a variable, and other parameters are specified. By correcting the resonator length and the resonator width so that the resonance frequency and the characteristic impedance of each resonator do not change due to the change in the resonator spacing, good reflection characteristics can be realized.

【0059】従って、図10の設計手順による実施例
は、図3の場合と同様に、広帯域なストリップ線路フィ
ルタを得ることができる他に、最小限の数の周波数に対
して反射損を規定するだけで反射特性の良好なものが得
られるという利点を有する。
Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 10, as in the case of FIG. 3, a broadband stripline filter can be obtained, and the reflection loss is defined for a minimum number of frequencies. Alone has the advantage that good reflection characteristics can be obtained.

【0060】実施例5. 図12は、この発明の他の実施例の設計手順を示すフロ
ーであり、図10の実施例に対して、さらに、ステップ
4において、ステップ3までで得られた反射特性を理想
的なチェビシェフ特性の反射特性と比較し、理想特性よ
り反射の大きな周波数を選択し、この周波数ににおける
反射損を新たな拘束条件とした場合である。新たな周波
数は例えば図13のf8、およびf9のように与えられ
る。
Embodiment 5 FIG. FIG. 12 is a flow chart showing the design procedure of another embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 10, in step 4, the reflection characteristics obtained up to step 3 are replaced with ideal Chebyshev characteristics. In this case, a frequency having a higher reflection than the ideal characteristic is selected as compared with the reflection characteristic, and the reflection loss at this frequency is set as a new constraint condition. The new frequency is given, for example, as f8 and f9 in FIG.

【0061】ステップ5において、f2、f4、f6、f
8、および、f9の反射損を拘束条件として、再び最適化
い、得られたパラメータから共振器間隔、共振器幅、お
よび、共振器長を求める。
In step 5, f2, f4, f6, f
Using the reflection loss of 8 and f9 as a constraint condition, optimization is performed again, and the resonator spacing, resonator width, and resonator length are obtained from the obtained parameters.

【0062】このように、図12の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射極大周波数を規定してい
るため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の
増加や反射極大周波数のずれは少なく、さらに、複数回
の最適化を行うため、通過帯域全体に渡ってチェビシェ
フ関数による理想的な反射特性が得られる。
As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 12, since all the reflection maximum frequencies within the pass band are defined, even if the pass band is wide, the reflection at the end of the pass band is increased or the reflection maximum is reduced. Since the frequency shift is small and the optimization is performed a plurality of times, an ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band.

【0063】なお、反射極大周波数の数は共振器の数よ
り1少ないため、全てのパラメータを最適化の際の変数
として指定できないが、共振器間隔のみを変数に指定
し、他のパラメータにつては共振器間隔の変化により各
共振器の共振周波数と特性インピーダンスが変化しない
ように共振器長と共振器幅を補正することで、良好な反
射特性を実現できる。
Since the number of reflection maximum frequencies is one less than the number of resonators, not all parameters can be specified as variables for optimization. However, only the resonator spacing is specified as a variable, and other parameters are specified. By correcting the resonator length and the resonator width so that the resonance frequency and the characteristic impedance of each resonator do not change due to the change in the resonator spacing, good reflection characteristics can be realized.

【0064】従って、図12の設計手順による実施例
は、図3の場合と同様に、広帯域なストリップ線路フィ
ルタを得ることができる他に、少ないの数の周波数に対
して反射損を規定するだけで反射特性の良好なものが得
られるという利点を有する。
Therefore, the embodiment according to the design procedure of FIG. 12 can obtain a wide band strip line filter as well as the case of FIG. 3, and only defines the reflection loss for a small number of frequencies. Has an advantage that a material having good reflection characteristics can be obtained.

【0065】なお、上記実施例の説明においては、ステ
ップ2において、通過帯域内にチェビシェフ特性の反射
極大周波数を選択する場合について示したが、ステップ
2において、通過帯域内にチェビシェフ特性の反射零周
波数を選択しても同様に通過帯域全体に渡ってチェビシ
ェフ関数による理想的な反射特性が得られる。
In the description of the above embodiment, the case where the reflection maximum frequency of the Chebyshev characteristic is selected in the pass band in step 2 has been described. In step 2, the reflection zero frequency of the Chebyshev characteristic is selected in the pass band. Even if is selected, an ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be similarly obtained over the entire pass band.

【0066】実施例6. 図14はこの発明の他の実施例を示す概略構成図であ
り、図において、12は方形導波管、13は誘導性アイ
リス、14は両端を誘導性アイリス13によって仕切ら
れた空胴共振器、P1は入力端、P2は出力端である。
空胴共振器14は両端が略短絡の1/2波長共振器とな
っている。
Embodiment 6 FIG. FIG. 14 is a schematic structural view showing another embodiment of the present invention, in which 12 is a rectangular waveguide, 13 is an inductive iris, and 14 is a cavity resonator having both ends partitioned by an inductive iris 13. , P1 are input terminals, and P2 is an output terminal.
The cavity resonator 14 is a half-wavelength resonator with both ends substantially short-circuited.

【0067】次に、動作について説明する。隣接する空
胴共振器14は誘導性アイリス13を介して相互に結合
し、結合量は誘導性アイリス13の大きさによって調整
される。
Next, the operation will be described. Adjacent cavity resonators 14 are mutually coupled via the inductive iris 13, and the amount of coupling is adjusted by the size of the inductive iris 13.

【0068】今、空胴共振器14それぞれの長さが1/
2波長付近で所定長さに設定され、全ての空胴共振器1
4が同一の周波数、例えばf0で共振しているものとす
れば、その周波数f0では、共振状態にある空胴共振器
14は相互に強く結合しており、入力端P1への入射波
は初段の空胴共振器14へ導かれ、隣接する共振器へ主
として磁界により結合することを繰り返して出力端P2
より出力される。しかしながら、f0以外の周波数で
は、空胴共振器14相互の結合は非常に弱く、入力端P
1への入射波はその電力のほとんどが反射される。この
ように、図14に示した導波管形フィルタは帯域通過フ
ィルタとしての機能を有する。
Now, the length of each of the cavity resonators 14 is 1 /
A predetermined length is set near two wavelengths, and all cavity resonators 1 are set.
Assuming that the resonators 4 resonate at the same frequency, for example, f0, the cavity resonators 14 in resonance at the frequency f0 are strongly coupled to each other, and the incident wave to the input terminal P1 is in the first stage. Of the output terminal P2.
Output. However, at frequencies other than f0, the coupling between the cavity resonators 14 is very weak, and the input end P
The incident wave to 1 reflects most of its power. Thus, the waveguide filter shown in FIG. 14 has a function as a band-pass filter.

【0069】次に、設計手順のフローを図15について
説明する。まず、ステップ1において、原形低域通過フ
ィルタから変形され集中定数素子で構成された理想的な
チェビシェフ特性を有する帯域通過フィルタと図14の
フィルタの物理形状に応じて決定された分布定数形の等
価回路をフィルタの通過帯域の中心周波数において比較
し、設計パラメータとしての共振器長、および、誘導性
アイリスのサセプタンス値の初期設計を行う。ステップ
1は図38〜図41に示す従来の設計手順と同様であ
る。このとき、図14のフィルタにおける誘導性アイリ
ス13の等価回路は、図16に示すような並列サセプタ
ンスBaによって表される。ここで、並列サセプタンス
Baは誘導性アイリスの間隔dおよび導波管管内波長の
関数となる。なお、誘導性ポストの等価回路は図17に
示すようになり、誘導性アイリスの代わりに用いること
が可能である。図16の関係を用いると、図14のフィ
ルタは図41の分布定数形等価回路で表される。
Next, the flow of the design procedure will be described with reference to FIG. First, in step 1, the equivalent of a band-pass filter having ideal Chebyshev characteristics, which is formed from a lumped-constant element and is deformed from the original low-pass filter, and a distributed constant form determined according to the physical shape of the filter in FIG. The circuit is compared at the center frequency of the pass band of the filter, and the initial design of the resonator length as a design parameter and the susceptance value of the inductive iris is performed. Step 1 is the same as the conventional design procedure shown in FIGS. At this time, the equivalent circuit of the inductive iris 13 in the filter of FIG. 14 is represented by the parallel susceptance Ba as shown in FIG. Here, the parallel susceptance Ba is a function of the spacing d of the inductive iris and the wavelength in the waveguide. The equivalent circuit of the inductive post is as shown in FIG. 17 and can be used in place of the inductive iris. Using the relationship of FIG. 16, the filter of FIG. 14 is represented by a distributed constant type equivalent circuit of FIG.

【0070】次に、ステップ2において、図18に示す
ように通過帯域内に導波管管内波長の関数としてのチェ
ビシェフ関数の零点を設定し、上記複数の零点の上記管
内波長に対応する周波数を反射零周波数として規定し、
これらの周波数における反射損を規定する。図18に実
線で示す特性は図14のフィルタの所望の反射特性であ
る。図において、f1〜f11は反射零周波数であり、対
応する導波管管内波長λgpは次の第4式で与えられる。
Next, in step 2, as shown in FIG. 18, zero points of the Chebyshev function as a function of the wavelength in the waveguide are set in the pass band, and the frequencies of the plurality of zeros corresponding to the wavelengths in the waveguide are set. Defined as the reflected zero frequency,
The reflection loss at these frequencies is defined. The characteristic shown by the solid line in FIG. 18 is a desired reflection characteristic of the filter of FIG. In the figure, f1 to f11 are zero reflection frequencies, and the corresponding wavelength λgp in the waveguide is given by the following fourth equation.

【0071】[0071]

【数3】 (Equation 3)

【0072】ここで、ω´/ω´は原形低域通過フ
ィルタの反射零周波数、λg0は中心周波数における管内
波長、λg1およびλg2はそれぞれ通過帯域下限および上
限における管内波長である。
Here, ω p ′ / ω 1 ′ is the reflection zero frequency of the original low-pass filter, λg0 is the guide wavelength at the center frequency, and λg1 and λg2 are the guide wavelengths at the lower and upper limits of the pass band, respectively.

【0073】最後に、ステップ3において、上記分布定
数線路形等価回路によるフィルタの特性計算を行い、周
波数f1〜f11における反射損の値が所望の値となるよ
うに、等価回路のパラメータを最適化する。最適化によ
り得られたパラメータから空胴共振器長および誘導性ア
イリスの寸法が求まる。このとき最適化により得られた
i番目の誘導性アイリスのサセプタンス値Biは、初期
設計におけるサセプタンス値をB0i、共振器の段数をN
とすると、次の第1式の範囲で求まる。
Finally, in step 3, the characteristics of the filter are calculated using the distributed constant line type equivalent circuit, and the parameters of the equivalent circuit are optimized so that the value of the reflection loss at the frequencies f1 to f11 becomes a desired value. I do. From the parameters obtained by the optimization, the cavity length and the size of the inductive iris are determined. At this time, the susceptance value Bi of the i-th inductive iris obtained by the optimization is such that the susceptance value in the initial design is B0i and the number of resonator stages is N.
Then, it is obtained within the range of the following first equation.

【0074】 1<Bi/B0i<1.2 (1≦i≦0.2N, N≦i≦N+1) 0.8<Bi/B0i<1 (0.2N<i≦0.4N, 0.8N≦i<N) 0.9<Bi/B0i≦1 (0.4N<i<0.8N)1 <Bi / B0i <1.2 (1 ≦ i ≦ 0.2N, N ≦ i ≦ N + 1) 0.8 <Bi / B0i <1 (0.2N <i ≦ 0.4N, 0.8N ≦ i <N) 0.9 <Bi / B0i ≦ 1 (0.4N <i <0.8N)

【0075】このように、図15の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射零周波数を規定している
ため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の増
加や反射零周波数のずれは少なく、通過帯域全体に渡っ
てチェビシェフ関数による理想的な反射特性が得られ
る。
As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 15, since all the reflection zero frequencies in the pass band are defined, even if the pass band is wide, the increase of the reflection at the end of the pass band or the reflection zero is not required. The frequency shift is small, and an ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band.

【0076】なお、反射零周波数の数は共振器の数と同
一となるため、全てのパラメータを最適化の際の変数と
して指定できないが、例えば、誘導性アイリス13のサ
セプタンス値のみを変数に指定し、他のパラメータにつ
いては誘導性アイリス13のサセプタンス値の変化によ
り各共振器の共振周波数が変化しないように共振器長を
補正することで、良好な反射特性を実現できる。
Since the number of reflected zero frequencies is the same as the number of resonators, not all parameters can be specified as variables for optimization. For example, only the susceptance value of the inductive iris 13 is specified as a variable. As for other parameters, good reflection characteristics can be realized by correcting the resonator length so that the resonance frequency of each resonator does not change due to a change in the susceptance value of the inductive iris 13.

【0077】従って、図15の設計手順による実施例
は、広帯域な導波管形フィルタを得ることができ、さら
に少数の周波数に対して反射損を規定するだけで反射特
性の良好なものが得られるという利点を有する。
Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 15, a wide band waveguide filter can be obtained, and a filter having good reflection characteristics can be obtained only by defining the reflection loss for a small number of frequencies. Has the advantage of being

【0078】また、上記実施例6を実施例5に適用して
再度の最適化を行なうこともでき、最小限の周波数を用
いた最適化手法等により上記通過帯域内のすべての周波
数においてチェビシェフ関数による理想特性に非常に近
い所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの値を
決定できる。
Further, the sixth embodiment can be applied to the fifth embodiment to perform the optimization again. The Chebyshev function can be performed at all the frequencies in the pass band by an optimization method using the minimum frequency or the like. , The value of the above-mentioned design parameter can be determined so as to obtain a desired reflection characteristic very close to the ideal characteristic.

【0079】実施例7. 図19は、この発明の他の実施例の設計手順を示すフロ
ーであり、ステップ2において、通過帯域内に初期設計
による特性から反射極大周波数を選択し、図20に示す
ように、これらの周波数における反射損を規定した場合
である。、図20において、f1〜f6は選択した反射極
大周波数であり、実線は、f1〜f6における反射損を規
定して最適化を行った後の反射特性である。初期設計か
ら得られた波線の特性に比べ、反射特性が大きく改善さ
れている。
Embodiment 7 FIG. FIG. 19 is a flowchart showing the design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, the maximum reflection frequency is selected from the characteristics of the initial design in the pass band, and as shown in FIG. This is a case where the reflection loss in the above is defined. 20, f1 to f6 are the selected reflection maximum frequencies, and the solid line is the reflection characteristic after optimizing the reflection loss at f1 to f6. The reflection characteristics are greatly improved as compared with the characteristics of the wavy line obtained from the initial design.

【0080】このように、図19の設計手順による実施
例は、通過帯域内の複数の周波数で反射極大値を規定し
ているため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反
射の増加は少なく、通過帯域全体に渡って所望の反射損
が得られる。ただし、この場合、最適化によって得られ
た等価回路パラメータを用いた反射特性は、規定した極
大値より大きな最大値を持つことがあり、この場合は実
施例5に示したのと同様の最適化を行う必要がある。
As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 19, since the reflection maximum value is defined at a plurality of frequencies in the pass band, the reflection at the end of the pass band does not increase even if the pass band is wide. A desired reflection loss can be obtained over the entire pass band. However, in this case, the reflection characteristic using the equivalent circuit parameter obtained by the optimization sometimes has a maximum value larger than the specified maximum value. In this case, the optimization similar to that shown in the fifth embodiment is performed. Need to do.

【0081】なお、反射極大周波数の数は最大でも共振
器の数より1少ないため、全てのパラメータを最適化の
際の変数として指定できないが、例えば、誘導性アイリ
ス13のサセプタンス値のみを変数に指定し、他のパラ
メータについては誘導性アイリス13のサセプタンス値
の変化により各共振器の共振周波数が変化しないように
共振器長を補正することで、良好な反射特性を実現でき
る。
Since the number of reflection maximum frequencies is at most one less than the number of resonators, not all parameters can be specified as variables for optimization. For example, only the susceptance value of the inductive iris 13 is used as a variable. By specifying the other parameters and correcting the resonator length so that the resonance frequency of each resonator does not change due to a change in the susceptance value of the inductive iris 13, good reflection characteristics can be realized.

【0082】従って、図19の設計手順による実施例
は、図15の場合と同様に、広帯域な導波管形フィルタ
を得ることができる他に、最小限の数の周波数に対して
反射損を規定するだけで反射特性の良好なものが得られ
るという利点を有する。
Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 19, as in the case of FIG. 15, a broadband waveguide filter can be obtained, and in addition to the reflection loss for a minimum number of frequencies. There is an advantage that good reflection characteristics can be obtained only by specifying.

【0083】実施例8. 図21はこの発明の他の実施例を示す概略構成図であ
り、図において、1は誘電体基板、2は誘電体基板1の
一方の面全面に導体膜を密着して形成された外導体、1
5は誘電体基板1の他方の面に導体膜を密着して形成さ
れたストリップ導体、16は誘電体基板1、外導体2、
および、内導体15から成るマイクロストリップ線路、
17はマイクロストリップ線路16の一部を構成する1
/4波長線路、P1は入力端、P2は出力端である。こ
こで、4つの1/4波長線路17は出力端P2側に近い
ものほど線路幅が広く設定されている。
Embodiment 8 FIG. FIG. 21 is a schematic diagram showing another embodiment of the present invention. In the drawing, reference numeral 1 denotes a dielectric substrate, and 2 denotes an outer conductor formed by closely attaching a conductive film to one entire surface of the dielectric substrate 1. , 1
5 is a strip conductor formed by closely attaching a conductive film to the other surface of the dielectric substrate 1, 16 is the dielectric substrate 1, the outer conductor 2,
And a microstrip line composed of the inner conductor 15,
Reference numeral 17 denotes a part of the microstrip line 16.
/ 4 wavelength line, P1 is an input terminal, and P2 is an output terminal. Here, the four quarter wavelength lines 17 are set to have wider line widths closer to the output end P2 side.

【0084】次に、動作について説明する。1/4波長
線路17は出力端P2側に近いものほど線路幅が広く設
定されているため、隣接するもの同士の接続面には線路
幅の不連続が存在する。この不連続では、不連続の大き
さに応じた反射が生じる。
Next, the operation will be described. Since the line width of the quarter wavelength line 17 is set wider as it is closer to the output end P2 side, there is a discontinuity in the line width on the connection surface between adjacent lines. In this discontinuity, reflection occurs according to the magnitude of the discontinuity.

【0085】今、全ての1/4波長線路17の線路長が
所定の周波数f0において1/4波長となるように設定
されているものとすると、入力端P1から入射した周波
数f0の電波は最初の不連続で一部反射する。最初の不
連続を通過した電波は2番目の1/4波長線路17を通
って2番目の不連続で一部がまた反射する。しかし、1
/4波長線路17の線路長がf0において1/4波長に
設定されているため、2番目の不連続で反射した反射波
は、1番目の不連続に戻った時には1番目の不連続で最
初に反射した反射波に比べて位相が180度すなわち1
/2波長分遅れる。従って、これら2つの反射波はお互
いに打ち消し合い、不連続の相対的な大きさを調整すれ
ば入力端P1へは全く戻って行かなくできる。3番目以
降の不連続についても同様の原理により相互の反射を打
ち消すことが可能であるため、線路幅が狭くインピーダ
ンスの高い入力端P1からの入射は、周波数がf0の場
合にはほとんど反射せず、線路幅が広くインピーダンス
の低い出力端P2から取り出される。このように、図2
1に示したストリップ線路はインピーダンス変成器とし
ての機能を有する。
Now, assuming that the line lengths of all quarter-wavelength lines 17 are set to be 1/4 wavelength at a predetermined frequency f0, the radio wave of frequency f0 incident from the input terminal P1 will Partly reflected at the discontinuity of. The radio wave passing through the first discontinuity passes through the second quarter wavelength line 17 and is partially reflected again at the second discontinuity. However, 1
Since the line length of the 波長 wavelength line 17 is set to 1 / wavelength at f 0, the reflected wave reflected at the second discontinuity returns to the first discontinuity and then returns to the first discontinuity at the first discontinuity. Phase is 180 degrees, that is, 1
/ 2 wavelengths. Therefore, these two reflected waves cancel each other out, and if the relative magnitude of the discontinuity is adjusted, it is possible to prevent the reflected wave from returning to the input terminal P1 at all. For the third and subsequent discontinuities, mutual reflection can be canceled by the same principle. Therefore, the incidence from the input terminal P1 having a narrow line width and high impedance is hardly reflected when the frequency is f0. , From the output terminal P2 having a wide line width and a low impedance. Thus, FIG.
1 has a function as an impedance transformer.

【0086】次に、設計手順のフローを図22について
説明する。まず、ステップ1において、1/4波長線路
間の不連続によるサセプタンスの周波数特性を考慮しな
い従来の設計手順に従って、設計パラメータとしての1
/4波長線路の線路長および特性インピーダンスの初期
設計を行う。ステップ1は図43、図44に示す従来の
設計手順と同様である。このとき、図21のインピーダ
ンス変成器において隣接する2つの1/4波長線路17
間の不連続は、図23に示すような並列サセプタンスで
表される。図23においてB12は不連続による並列サセ
プタンス、Z1、Z2は両端の1/4波長線路17の特性
インピーダンスである。図23の等価回路を組み合わせ
て用いることにより、図21のフィルタは図44に示す
のと同様の等価回路で表される。
Next, the flow of the design procedure will be described with reference to FIG. First, in step 1, according to a conventional design procedure that does not consider the frequency characteristics of susceptance due to discontinuity between quarter-wavelength lines, 1
Initially design the line length and characteristic impedance of the 波長 wavelength line. Step 1 is the same as the conventional design procedure shown in FIGS. At this time, in the impedance transformer shown in FIG.
The discontinuity between them is represented by a parallel susceptance as shown in FIG. In FIG. 23, B12 is a parallel susceptance due to discontinuity, and Z1 and Z2 are characteristic impedances of the quarter wavelength lines 17 at both ends. By using the equivalent circuit of FIG. 23 in combination, the filter of FIG. 21 is represented by the same equivalent circuit as that shown in FIG.

【0087】次に、ステップ2において、設計パラメー
タの数以上の周波数を選択し、図5に示すように、これ
らの周波数における挿入損あるいは反射損を規定する。
図24は、図21のインピーダンス変成器の所望の通過
および反射特性を示す図であり、図において、f1〜f1
3は選択した周波数である。ここでは、挿入損より周波
数特性の大きな反射損を規定している。
Next, in step 2, frequencies equal to or more than the number of design parameters are selected, and insertion loss or reflection loss at these frequencies is defined as shown in FIG.
FIG. 24 is a diagram showing desired transmission and reflection characteristics of the impedance transformer shown in FIG. 21, where f1 to f1 are shown.
3 is the selected frequency. Here, a reflection loss having a larger frequency characteristic than the insertion loss is defined.

【0088】最後に、ステップ3において、上記等価回
路によるフィルタの特性計算を行い、周波数f1〜f13
における反射損の値が所望の値となるように、等価回路
のパラメータである1/4波長線路の電気長および特性
インピーダンスを最適化する。最適化により得られたパ
ラメータから、1/4波長線路の線路長および線路幅を
求める。
Finally, in step 3, the filter characteristics are calculated by the equivalent circuit, and the frequencies f1 to f13 are calculated.
The electrical length and characteristic impedance of the 波長 wavelength line, which are the parameters of the equivalent circuit, are optimized so that the value of the reflection loss at becomes the desired value. From the parameters obtained by the optimization, the line length and line width of the 波長 wavelength line are obtained.

【0089】以上のように、図22の設計手順による図
21の実施例は、通過帯域内の複数の周波数において反
射損を所望の値に規定しているため、通過帯域が広い場
合でも通過帯域端での反射の増加は少なく、通過帯域全
体に渡って良好な特性が得られる。
As described above, in the embodiment of FIG. 21 according to the design procedure of FIG. 22, the reflection loss is specified to a desired value at a plurality of frequencies within the pass band. The increase in reflection at the edges is small, and good characteristics are obtained over the entire pass band.

【0090】また、周波数をパラメータの数以上選択し
ているため関係式がパラメータの数以上得られ、最適化
の際に、等価回路による特性計算結果が所望の特性に近
づく可能性が高い。
Further, since the frequency is selected more than the number of parameters, the relational expression can be obtained more than the number of parameters. At the time of optimization, there is a high possibility that the characteristic calculation result by the equivalent circuit approaches the desired characteristic.

【0091】実施例9. 図25は、この発明の他の実施例の設計手順を示すフロ
ーであり、ステップ2において、通過帯域内にチェビシ
ェフ特性の反射零および極大周波数を選択し、図26に
示すように、これらの周波数における反射損を規定した
場合である。図26は、図21のインピーダンス変成器
の所望の反射特性と、規定する周波数および反射損を示
す図である。図において、f1、f3、f5、および、f7
は反射零周波数、f2、f4、および、f6は反射極大周
波数であり、従来の場合と同様に求められる。
Embodiment 9 FIG. FIG. 25 is a flow chart showing a design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, reflection zero and maximum frequency of Chebyshev characteristic are selected in a pass band, and these frequencies are selected as shown in FIG. This is a case where the reflection loss in the above is defined. FIG. 26 is a diagram showing desired reflection characteristics of the impedance transformer of FIG. 21 and prescribed frequencies and reflection losses. In the figure, f1, f3, f5 and f7
Is a reflection zero frequency, and f2, f4, and f6 are reflection maximum frequencies, which can be obtained as in the conventional case.

【0092】このように、図25の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射零および極大周波数を規
定しているため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端で
の反射の増加は少なく、通過帯域全体に渡ってチェビシ
ェフ関数による理想的な反射特性が得られる。
As described above, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 25, since all the reflection zeros and the maximum frequencies in the pass band are defined, even if the pass band is wide, the reflection at the end of the pass band does not increase. At least, an ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band.

【0093】なお、反射零および極大周波数の数はパラ
メータの総数より少ないため、全てのパラメータを最適
化の際の変数として指定できないが、例えば、1/4波
長線路17の特性インピーダンスのみを変数に指定し、
特性インピーダンスの変化に対応して、不連続すなわち
並列サセプタンス間の位相差が変化しないように、1/
4波長線路17の電気長を従属的に補正することで、良
好な反射特性を実現できる。
Since the number of reflection zeros and the maximum frequency is smaller than the total number of parameters, not all parameters can be designated as variables for optimization. For example, only the characteristic impedance of the 波長 wavelength line 17 is used as a variable. Specify,
In response to the change in the characteristic impedance, the discontinuity, that is, the phase difference between the parallel susceptances does not change.
By correcting the electrical length of the four-wavelength line 17 subordinately, good reflection characteristics can be realized.

【0094】従って、図25の設計手順による実施例
は、図22の場合と同様に、広帯域なストリップ線路形
インピーダンス変成器を得ることができる他に、少数の
周波数に対して反射損を規定するだけで反射特性の良好
なものが得られるという利点を有する。
Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 25, as in the case of FIG. 22, a broadband stripline type impedance transformer can be obtained, and the return loss is defined for a small number of frequencies. Alone has the advantage that good reflection characteristics can be obtained.

【0095】実施例10. 図27は、この発明の他の実施例の設計手順を示すフロ
ーであり、ステップ2において、通過帯域内にチェビシ
ェフ特性の反射零周波数を選択し、図28に示すよう
に、これらの周波数における反射損を規定した場合であ
る。図28は図21のインピーダンス変成器の所望の反
射特性と、規定する周波数および反射損を示す図であ
る。図において、f1、f3、f5、および、f7は反射零
周波数であり、従来の場合と同様に求められる。
Embodiment 10 FIG. FIG. 27 is a flowchart showing a design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, reflection zero frequencies having Chebyshev characteristics are selected in a pass band, and reflections at these frequencies are selected as shown in FIG. This is the case where the loss is specified. FIG. 28 is a diagram showing desired reflection characteristics of the impedance transformer of FIG. 21 and prescribed frequencies and reflection losses. In the figure, f1, f3, f5 and f7 are reflection zero frequencies, which can be obtained in the same manner as in the conventional case.

【0096】このように、図27の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射零周波数を規定している
ため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の増
加や反射零周波数のずれは少なく、通過帯域全体に渡っ
てチェビシェフ関数による理想的な反射特性が得られ
る。
As described above, in the embodiment based on the design procedure of FIG. 27, all the reflection zero frequencies within the pass band are defined, so that even if the pass band is wide, the increase of the reflection at the end of the pass band and the reflection zero are prevented. The frequency shift is small, and an ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band.

【0097】なお、反射零周波数の数は1/4波長線路
の数と同一となるため、全てのパラメータを最適化の際
の変数として指定できないが、例えば、1/4波長線路
17の特性インピーダンスのみを変数に指定し、特性イ
ンピーダンスの変化に対応して、不連続すなわち並列サ
セプタンス間の位相差が変化しないように、1/4波長
線路17の電気長を従属的に補正することで、良好な反
射特性を実現できる。
Since the number of reflected zero frequencies is the same as the number of quarter-wave lines, not all parameters can be designated as variables for optimization. Only the variable is designated as a variable, and the electrical length of the 1/4 wavelength line 17 is subordinately corrected so that the discontinuity, that is, the phase difference between the parallel susceptances does not change in response to the change in the characteristic impedance. Reflection characteristics can be realized.

【0098】従って、図27の設計手順による実施例
は、図25の場合と同様に、広帯域なストリップ線路形
インピーダンス変成器を得ることができる他に、さらに
少数の周波数に対して反射損を規定するだけで反射特性
の良好なものが得られるという利点を有する。
Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 27, as in the case of FIG. 25, a wideband stripline type impedance transformer can be obtained, and the reflection loss is defined for a smaller number of frequencies. There is an advantage that a reflection characteristic can be obtained simply by performing the above operation.

【0099】実施例11. 図29は、この発明の他の実施例の設計手順を示すフロ
ーであり、ステップ2において、通過帯域内にチェビシ
ェフ特性の反射極大周波数を選択し、図30に示すよう
に、これらの周波数における反射損を規定した場合であ
る。図29は図21のインピーダンス変成器の所望の反
射特性と、規定する周波数および反射損を示す図であ
る。図において、f2、f4、および、f6は反射零周波
数であり、従来の場合と同様に求められる。
Embodiment 11 FIG. FIG. 29 is a flowchart showing a design procedure of another embodiment of the present invention. In step 2, reflection maximum frequencies having Chebyshev characteristics are selected in a pass band, and reflection frequencies at these frequencies are selected as shown in FIG. This is the case where the loss is specified. FIG. 29 is a diagram showing desired reflection characteristics of the impedance transformer of FIG. 21 and prescribed frequencies and reflection losses. In the figure, f2, f4, and f6 are the zero reflection frequencies, which are obtained in the same manner as in the conventional case.

【0100】このように、図29の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射極大周波数を規定してい
るため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の
増加や反射極大周波数のずれは少なく、通過帯域全体に
渡ってチェビシェフ関数による理想的な反射特性に近い
特性が得られる。ただし、この場合、最適化によって得
られた等価回路パラメータを用いた反射特性は、図30
に示すように規定した極大値より大きな最大値を持つこ
とがあり、注意を要する。
As described above, in the embodiment based on the design procedure of FIG. 29, since all the reflection maximum frequencies within the pass band are defined, even if the pass band is wide, the increase of the reflection at the end of the pass band or the reflection maximum. The frequency shift is small, and characteristics close to ideal reflection characteristics by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band. However, in this case, the reflection characteristics using the equivalent circuit parameters obtained by the optimization are as shown in FIG.
Note that the maximum value may be larger than the specified maximum value as shown in FIG.

【0101】なお、反射極大周波数の数は1/4波長線
路の数より1少ないため、全てのパラメータを最適化の
際の変数として指定できないが、例えば、1/4波長線
路17の特性インピーダンスのみを変数に指定し、特性
インピーダンスの変化に対応して、不連続すなわち並列
サセプタンス間の位相差が変化しないように、1/4波
長線路17の電気長を従属的に補正することで、良好な
反射特性を実現できる。
Since the number of reflected maximum frequencies is one less than the number of quarter-wave lines, not all parameters can be specified as variables for optimization. Is designated as a variable, and the electrical length of the 4 wavelength line 17 is subordinately corrected so that the discontinuity, that is, the phase difference between the parallel susceptances does not change in response to the change in the characteristic impedance. Reflection characteristics can be realized.

【0102】従って、図29の設計手順による実施例
は、図25の場合と同様に、広帯域なストリップ線路形
インピーダンス変成器を得ることができる他に、最小限
の数の周波数に対して反射損を規定するだけで反射特性
の良好なものが得られるという利点を有する。
Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 29, as in the case of FIG. 25, a broadband stripline impedance transformer can be obtained, and the return loss for a minimum number of frequencies can be obtained. Satisfactorily has the advantage that a reflection characteristic is good.

【0103】実施例12. 図31は、この発明の他の実施例の設計手順を示すフロ
ーであり、図29の実施例に対して、さらに、ステップ
4において、ステップ3までで得られた反射特性を理想
的なチェビシェフ特性の反射特性と比較し、理想特性よ
り反射の大きな周波数を選択し、この周波数における反
射損を新たな拘束条件とした場合である。新たな周波数
は例えば図32のf8、およびf9のように与えられる。
Embodiment 12 FIG. FIG. 31 is a flow chart showing the design procedure of another embodiment of the present invention. In the embodiment of FIG. 29, further, in step 4, the reflection characteristics obtained up to step 3 are converted to ideal Chebyshev characteristics. In this case, a frequency having higher reflection than the ideal characteristic is selected as compared with the reflection characteristic, and the reflection loss at this frequency is set as a new constraint condition. The new frequency is given, for example, as f8 and f9 in FIG.

【0104】ステップ5において、f2、f4、f6、f
8、および、f9の反射損を拘束条件として、再び最適化
し、得られたパラメータから1/4波長線路の線路長お
よび線路幅を求める。
In step 5, f2, f4, f6, f
With the reflection loss of 8 and f9 as a constraint, optimization is performed again, and the line length and line width of the 1/4 wavelength line are obtained from the obtained parameters.

【0105】このように、図31の設計手順による実施
例は、通過帯域内の全ての反射極大周波数を規定してい
るため、通過帯域が広い場合でも通過帯域端での反射の
増加や反射極大周波数のずれは少なく、さらに、複数回
の最適化を行うため、通過帯域全体に渡ってチェビシェ
フ関数による理想的な反射特性が特性が得られる。
As described above, in the embodiment based on the design procedure shown in FIG. 31, all the reflection maximum frequencies within the pass band are defined, so that even if the pass band is wide, the reflection at the end of the pass band is increased or the reflection maximum is increased. Since the frequency shift is small and the optimization is performed a plurality of times, an ideal reflection characteristic by the Chebyshev function can be obtained over the entire pass band.

【0106】なお、反射極大周波数の数は1/4波長線
路の数より1少ないため、全てのパラメータを最適化の
際の変数として指定できないが、例えば、1/4波長線
路17の特性インピーダンスのみを変数に指定し、特性
インピーダンスの変化に対応して、不連続すなわち並列
サセプタンス間の位相差が変化しないように、1/4波
長線路17の電気長を従属的に補正することで、良好な
反射特性を実現できる。
Since the number of reflected maximum frequencies is one less than the number of quarter wavelength lines, not all parameters can be specified as variables for optimization. For example, only the characteristic impedance of the quarter wavelength line 17 Is designated as a variable, and the electrical length of the 4 wavelength line 17 is subordinately corrected so that the discontinuity, that is, the phase difference between the parallel susceptances does not change in response to the change in the characteristic impedance. Reflection characteristics can be realized.

【0107】従って、図31の設計手順による実施例
は、図25の場合と同様に、広帯域なストリップ線路形
インピーダンス変成器を得ることができる他に、少ない
数の周波数に対して反射損を規定するだけで反射特性の
良好なものが得られるという利点を有する。
Therefore, in the embodiment according to the design procedure of FIG. 31, as in the case of FIG. 25, a wideband stripline impedance transformer can be obtained, and the reflection loss is defined for a small number of frequencies. There is an advantage that a reflection characteristic can be obtained simply by performing the above operation.

【0108】実施例13. 図33は、この発明の他の実施例の概略構成図であり、
方形導波管によるインピーダンス変成器を示す図であ
る。図において、18は方形導波管、19は1/4波長
導波管、P1は入力端、P2は出力端である。4つの1
/4波長導波管19は出力端P2側に近いものほど高さ
が高く設定されている。
Embodiment 13 FIG. FIG. 33 is a schematic configuration diagram of another embodiment of the present invention,
It is a figure which shows the impedance transformer by a square waveguide. In the figure, 18 is a rectangular waveguide, 19 is a 1/4 wavelength waveguide, P1 is an input terminal, and P2 is an output terminal. Four one
The height of the 波長 wavelength waveguide 19 is set higher as it is closer to the output end P2 side.

【0109】次に、動作について説明する。1/4波長
導波管19は出力端P2側に近いものほど導波管高さが
高く設定されているため、隣接するもの同士の接続面に
は導波管高さの不連続が存在する。この不連続では、不
連続の大きさに応じた反射が生じる。
Next, the operation will be described. The waveguide height of the 1/4 wavelength waveguide 19 is set higher as it is closer to the output end P2 side, so that there is a discontinuity in the waveguide height at the connection surface between adjacent waveguides. . In this discontinuity, reflection occurs according to the magnitude of the discontinuity.

【0110】今、全ての1/4波長導波管19の長さが
所定の周波数f0において管内波長で1/4波長となる
ように設定されているものとすると、入力端P1から入
射した周波数f0の電波は最初の不連続で一部反射す
る。最初の不連続を通過した電波は2番目の1/4波長
導波管19を通って2番目の不連続で一部がまた反射す
る。しかし、1/4波長導波管19の線路長がf0にお
いて1/4波長に設定されているため、2番目の不連続
で反射した反射波は、1番目の不連続に戻った時には1
番目の不連続で最初に反射した反射波に比べて位相が1
80度すなわち1/2波長分遅れる。従って、これら2
つの反射波はお互いに打ち消し合い、不連続の相対的な
大きさを調整すれば入力端P1へは全く戻って行かなく
できる。3番目以降の不連続についても同様の原理によ
り相互の反射を打ち消すことが可能であるため、導波管
高さが低くインピーダンスの低い入力端P1からの入射
は、周波数がf0の場合にはほとんど反射せず、導波管
高さが高くインピーダンスの高い出力端P2から取り出
される。このように、図33に示した導波管回路はイン
ピーダンス変成器としての機能を有する。
Now, assuming that the lengths of all the 1/4 wavelength waveguides 19 are set to be 1/4 of the guide wavelength at a predetermined frequency f0, the frequency incident from the input terminal P1 is assumed. The radio wave of f0 is partially reflected at the first discontinuity. The radio wave passing through the first discontinuity passes through the second quarter wavelength waveguide 19 and is partially reflected again at the second discontinuity. However, since the line length of the 1/4 wavelength waveguide 19 is set to 1/4 wavelength at f0, the reflected wave reflected at the second discontinuity returns to 1 at the time of returning to the first discontinuity.
1st phase compared to the first reflected wave at the second discontinuity
It is delayed by 80 degrees, that is, 波長 wavelength. Therefore, these two
The two reflected waves cancel each other out, and if the relative magnitude of the discontinuity is adjusted, the reflected waves can never return to the input terminal P1. For the third and subsequent discontinuities, mutual reflection can be canceled by the same principle. Therefore, incidence from the input terminal P1 having a low waveguide height and low impedance is almost impossible when the frequency is f0. The light is not reflected and is taken out from the output end P2 where the waveguide height is high and the impedance is high. As described above, the waveguide circuit shown in FIG. 33 has a function as an impedance transformer.

【0111】一般に、導波管の管内波長は周波数に対し
て分散性を有するため、導波管の電気長は管内波長の逆
数には比例するが、周波数には比例しない。図33のイ
ンピーダンス変成器においても、理想反射特性として用
いるチェビシェフ関数は管内波長の関数として考える必
要がある。
In general, since the guide wavelength of a waveguide has dispersibility with respect to frequency, the electrical length of the waveguide is proportional to the reciprocal of the guide wavelength, but not proportional to the frequency. Also in the impedance transformer of FIG. 33, it is necessary to consider the Chebyshev function used as the ideal reflection characteristic as a function of the guide wavelength.

【0112】図21に係わる実施例8〜12におけるチ
ェビシェフ関数の傾き零の周波数の代わりにチェビシェ
フ関数の傾き零の管内波長を用いることにより、図33
のインピーダンス変成器は実施例8〜12に示したもの
と同様の設計手順が適用可能であり、広帯域なものを実
現できる。
By using the guide wavelength of the Chebyshev function with a zero gradient instead of the frequency with a zero gradient of the Chebyshev function in the eighth to twelfth embodiments according to FIG.
Is applicable to the same design procedure as that shown in Embodiments 8 to 12, and can realize a wide band.

【0113】なお、実施例1〜7で示した高周波フィル
タは共振器の数が4段あるいは11段の場合について示
したが、1〜3段、5〜10段、あるいは12段以上で
あってもよく、実施例と同様の利点および効果を奏す
る。
Although the high-frequency filters shown in the first to seventh embodiments have the case where the number of resonators is four or eleven, the number is one to three, five to ten, or twelve or more. The same advantages and effects as those of the embodiment can be obtained.

【0114】また、実施例8〜13で示したインピーダ
ンス変成器は1/4波長線路あるいは導波管の数が4段
の場合について示したが、1〜3段あるいは5段以上で
あってもよく、実施例と同様の利点および効果を奏す
る。
Although the impedance transformers of the eighth to thirteenth embodiments have been described in connection with the case where the number of quarter wavelength lines or waveguides is four, even if the number of stages is one to three or five or more. Often, the same advantages and effects as those of the embodiment can be obtained.

【0115】さらに、以上の実施例では、伝達関数とし
てチェビシェフ関数を用いる場合について示したが、例
えばベッセル関数や楕円関数等、通過帯域内に複数の零
点あるいは極大、極小点を設定できる関数であれば、同
様に本発明の高周波フィルタあるいはインピーダンス変
成器に用いた設計手順を適用できることはいうまでもな
い。
Further, in the above-described embodiment, the case where the Chebyshev function is used as the transfer function has been described. However, any function such as a Bessel function or an elliptic function that can set a plurality of zeros, local maximums, and local minimums in the passband is used. For example, it goes without saying that the design procedure used for the high-frequency filter or the impedance transformer of the present invention can be similarly applied.

【0116】[0116]

【発明の効果】以上のように、請求項1の発明によれ
ば、中心周波数のみでなく選択した周波数の範囲内の複
数の周波数を用いて設計パラメータの数以上の条件式が
設定され、最適化手法等により通過帯域が広い場合でも
所望の反射特性の得られる上記設計パラメータの値を決
定でき、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィルタが
得られる効果がある。
As described above, according to the first aspect of the present invention, not only the center frequency but also a plurality of frequencies within the range of the selected frequency are used to set conditional expressions equal to or more than the number of design parameters, and It is possible to determine the value of the above-mentioned design parameter that can obtain a desired reflection characteristic even when the pass band is wide by a conversion method or the like, and it is possible to obtain a high-frequency filter with small reflection over a wide band.

【0117】また、請求項2の発明によれば、最適化手
法等により通過帯域内のすべての周波数においてチェビ
シェフ関数による理想特性に近い所望の反射特性の得ら
れる設計パラメータの値を決定でき、広帯域に亙って反
射の小さい高周波フィルタが得られる効果がある。
According to the second aspect of the present invention, it is possible to determine the value of the design parameter by which the desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function is obtained at all the frequencies in the pass band by the optimization method or the like. Thus, there is an effect that a high-frequency filter with small reflection can be obtained.

【0118】また、請求項3の発明によれば、最小限の
周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内のすべて
の周波数においてチェビシェフ関数による理想特性に近
い所望の反射特性の得られる設計パラメータの値を決定
でき、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィルタが得
られる効果がある。
According to the third aspect of the present invention, a design parameter for obtaining a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all frequencies in the pass band by an optimization method using the minimum frequency or the like. Can be determined, and there is an effect that a high-frequency filter with small reflection over a wide band can be obtained.

【0119】また、請求項4の発明によれば、最小限の
周波数を用いた最適化手法等により複数回の最適化がさ
れ、通過帯域内のすべての周波数においてチェビシェフ
関数による理想特性に非常に近い所望の反射特性の得ら
れる設計パラメータの値を決定でき、広帯域に亙って反
射の小さい高周波フィルタが得られる効果がある。
According to the fourth aspect of the present invention, the optimization is performed a plurality of times by the optimization method using the minimum frequency and the like, and the ideal characteristic by the Chebyshev function at all the frequencies in the pass band is very low. It is possible to determine the value of the design parameter that can obtain a close desired reflection characteristic, and there is an effect that a high-frequency filter with small reflection can be obtained over a wide band.

【0120】また、請求項5の発明によれば、最小限の
周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内のすべて
の周波数においてチェビシェフ関数による理想特性に非
常に近い所望の反射特性の得られる設計パラメータの値
を決定でき、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィル
タが得られる効果がある。
According to the fifth aspect of the present invention, a desired reflection characteristic very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function can be obtained at all the frequencies in the pass band by an optimization method using the minimum frequency. The value of the design parameter can be determined, and there is an effect that a high-frequency filter with small reflection over a wide band can be obtained.

【0121】また、請求項6の発明によれば、最小限の
周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内のすべて
の周波数においてチェビシェフ関数による理想特性に非
常に近い所望の反射特性の得られる設計パラメータの値
を決定でき、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィル
タが得られる効果がある。
According to the sixth aspect of the present invention, a desired reflection characteristic very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function can be obtained at all frequencies in the pass band by an optimization method using the minimum frequency or the like. The value of the design parameter can be determined, and there is an effect that a high-frequency filter with small reflection over a wide band can be obtained.

【0122】また、請求項7の発明によれば、電気長の
周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対しても、
最小限の周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内
のすべての周波数においてチェビシェフ関数による理想
特性に近い所望の反射特性の得られる設計パラメータの
値を決定できるので、広帯域に亙って反射の小さい高周
波フィルタが得られる効果がある。
According to the seventh aspect of the present invention, even for a waveguide type filter having a particularly large change in the frequency of the electric length,
The optimization method using the minimum frequency can determine the value of the design parameter that obtains the desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all the frequencies in the pass band, so that the reflection There is an effect that a small high-frequency filter can be obtained.

【0123】また、請求項8の発明によれば、電気長の
周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対しても、
最小限の周波数を用いた最適化手法等により複数回の最
適化がされ、通過帯域内のすべての周波数においてチェ
ビシェフ関数による理想特性に非常に近い所望の反射特
性の得られる設計パラメータの値を決定でき、広帯域に
亙って反射の小さい高周波フィルタが得られる効果があ
る。
According to the eighth aspect of the present invention, even for a waveguide type filter having a particularly large change in the frequency of the electric length,
Optimization is performed several times by the optimization method using the minimum frequency, etc., and the design parameter value that obtains the desired reflection characteristic very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function is determined at all the frequencies in the passband. Thus, there is an effect that a high-frequency filter with small reflection can be obtained over a wide band.

【0124】また、請求項9の発明によれば、電気長の
周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対しても、
最小限の周波数を用いた最適化手法等により通過帯域内
のすべての周波数においてチェビシェフ関数による理想
特性に近い所望の反射特性の得られる設計パラメータの
値を決定でき、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィ
ルタが得られる効果がある。
Further, according to the ninth aspect of the present invention, a waveguide type filter having a particularly large frequency change in electric length is also applicable.
By the optimization method using the minimum frequency, etc., it is possible to determine the value of the design parameter that obtains the desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function at all the frequencies in the pass band, and the reflection is small over a wide band. There is an effect that a high frequency filter can be obtained.

【0125】また、請求項10の発明によれば、電気長
の周波数変化の特に大きい導波管形フィルタに対して
も、最小限の周波数を用いた最適化手法等により複数回
の最適化がされ、通過帯域内のすべての周波数において
チェビシェフ関数による理想特性に非常に近い所望の反
射特性の得られる設計パラメータの値を決定できるの
で、広帯域に亙って反射の小さい高周波フィルタが得ら
れる効果がある。
According to the tenth aspect of the present invention, even for a waveguide type filter having a particularly large change in the frequency of the electrical length, optimization can be performed a plurality of times by an optimization method using the minimum frequency. Then, at all frequencies within the pass band, it is possible to determine the value of the design parameter that obtains the desired reflection characteristic very close to the ideal characteristic by the Chebyshev function, so that the effect of obtaining a high-frequency filter with small reflection over a wide band can be obtained. is there.

【0126】また、請求項11の発明によれば、通過帯
域が広い場合でも上記通過帯域内のすべての周波数にお
いてチェビシェフ関数による理想特性に近い所望の反射
特性が得られるので、広帯域に亙って反射の小さい高周
波フィルタが得られる効果がある。
According to the eleventh aspect of the present invention, even if the pass band is wide, a desired reflection characteristic close to the ideal characteristic by the Chebyshev function can be obtained at all the frequencies within the pass band, and therefore, over a wide band. There is an effect that a high-frequency filter with small reflection can be obtained.

【0127】また、請求項12の発明によれば、サセプ
タンス素子として誘導性アイリスあるいは誘導性ポスト
を用いたので、上記誘導性アイリスのアイリス幅あるい
は上記誘導性ポストの数、直径、または、間隔を調整す
ることで所望のサセプタンス値が容易に得られ、かつ、
耐電力性に優れたものが得られるので、広帯域に亙って
反射の小さい高周波フィルタが得られる効果がある。
According to the twelfth aspect of the present invention, since the inductive iris or the inductive post is used as the susceptance element, the iris width of the inductive iris or the number, the diameter, or the interval of the inductive post is reduced. The desired susceptance value can be easily obtained by adjusting, and
Since a filter excellent in power durability can be obtained, there is an effect that a high-frequency filter with small reflection over a wide band can be obtained.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 この発明の実施例1による高周波フィルタを
示す概略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram showing a high-frequency filter according to Embodiment 1 of the present invention.

【図2】 この発明の実施例1による高周波フィルタの
内導体パターンを示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing an inner conductor pattern of the high-frequency filter according to Embodiment 1 of the present invention.

【図3】 この発明の実施例1による高周波フィルタの
設計手順を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a design procedure of a high-frequency filter according to Embodiment 1 of the present invention.

【図4】 この発明の実施例1による高周波フィルタの
共振器の等価回路を示す図である。
FIG. 4 is a diagram showing an equivalent circuit of a resonator of the high-frequency filter according to Embodiment 1 of the present invention.

【図5】 この発明の実施例1による高周波フィルタの
特性を示す図である。
FIG. 5 is a diagram illustrating characteristics of the high-frequency filter according to the first embodiment of the present invention.

【図6】 この発明の実施例2による高周波フィルタの
設計手順を示す図である。
FIG. 6 is a diagram showing a design procedure of a high-frequency filter according to Embodiment 2 of the present invention.

【図7】 この発明の実施例2による高周波フィルタの
特性を示す図である。
FIG. 7 is a diagram showing characteristics of a high-frequency filter according to Embodiment 2 of the present invention.

【図8】 この発明の実施例3による高周波フィルタの
設計手順を示す図である。
FIG. 8 is a diagram showing a design procedure of a high-frequency filter according to Embodiment 3 of the present invention.

【図9】 この発明の実施例3による高周波フィルタの
特性を示す図である。
FIG. 9 is a diagram illustrating characteristics of a high-frequency filter according to Embodiment 3 of the present invention.

【図10】 この発明の実施例4による高周波フィルタ
の設計手順を示す図である。
FIG. 10 is a diagram showing a design procedure of a high-frequency filter according to Embodiment 4 of the present invention.

【図11】 この発明の実施例4による高周波フィルタ
の特性を示す図である。
FIG. 11 is a diagram showing characteristics of a high-frequency filter according to Embodiment 4 of the present invention.

【図12】 この発明の実施例5による高周波フィルタ
の設計手順を示す図である。
FIG. 12 is a diagram showing a design procedure of a high frequency filter according to Embodiment 5 of the present invention.

【図13】 この発明の実施例5による高周波フィルタ
の特性を示す図である。
FIG. 13 is a diagram showing characteristics of a high frequency filter according to Embodiment 5 of the present invention.

【図14】 この発明の実施例6による高周波フィルタ
の構成図である。
FIG. 14 is a configuration diagram of a high-frequency filter according to Embodiment 6 of the present invention.

【図15】 この発明の実施例6による高周波フィルタ
の設計手順を示す図である。
FIG. 15 is a diagram showing a design procedure of a high-frequency filter according to Embodiment 6 of the present invention.

【図16】 この発明の実施例6による高周波フィルタ
のサセプタンス素子を説明する図である。
FIG. 16 is a diagram illustrating a susceptance element of a high-frequency filter according to Embodiment 6 of the present invention.

【図17】 この発明の実施例6による高周波フィルタ
のサセプタンス素子を説明する図である。
FIG. 17 is a diagram illustrating a susceptance element of a high-frequency filter according to Embodiment 6 of the present invention.

【図18】 この発明の実施例6による高周波フィルタ
の反射特性を示す図である。
FIG. 18 is a diagram showing reflection characteristics of a high frequency filter according to Embodiment 6 of the present invention.

【図19】 この発明の実施例7による高周波フィルタ
の設計手順を示す図である。
FIG. 19 is a diagram showing a design procedure of a high-frequency filter according to Embodiment 7 of the present invention.

【図20】 この発明の実施例7による高周波フィルタ
の特性である。
FIG. 20 shows characteristics of the high-frequency filter according to Embodiment 7 of the present invention.

【図21】 この発明の実施例8によるインピーダンス
変成器の概略構成を示す図である。
FIG. 21 is a diagram showing a schematic configuration of an impedance transformer according to Embodiment 8 of the present invention.

【図22】 この発明の実施例8によるインピーダンス
変成器の設計手順を示す図である。
FIG. 22 is a diagram showing a design procedure of the impedance transformer according to the eighth embodiment of the present invention.

【図23】 この発明の実施例8によるインピーダンス
変成器の不連続を示す図である。
FIG. 23 is a diagram showing discontinuity of an impedance transformer according to Embodiment 8 of the present invention.

【図24】 この発明の実施例8によるインピーダンス
変成器の特性を示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing characteristics of the impedance transformer according to the eighth embodiment of the present invention.

【図25】 この発明の実施例9によるインピーダンス
変成器の設計手順を示す図である。
FIG. 25 is a diagram showing a design procedure of the impedance transformer according to the ninth embodiment of the present invention.

【図26】 この発明の実施例9によるインピーダンス
変成器の特性を示す図である。
FIG. 26 is a diagram showing characteristics of the impedance transformer according to the ninth embodiment of the present invention.

【図27】 この発明の実施例10によるインピーダン
ス変成器の設計手順を示す図である。
FIG. 27 is a diagram showing a design procedure of the impedance transformer according to the tenth embodiment of the present invention.

【図28】 この発明の実施例10によるインピーダン
ス変成器の特性を示す図である。
FIG. 28 is a diagram showing characteristics of the impedance transformer according to the tenth embodiment of the present invention.

【図29】 この発明の実施例11によるインピーダン
ス変成器の設計手順を示す図である。
FIG. 29 is a diagram showing a design procedure of the impedance transformer according to the eleventh embodiment of the present invention.

【図30】 この発明の実施例11によるインピーダン
ス変成器の特性を示す図である。
FIG. 30 is a diagram showing characteristics of the impedance transformer according to Embodiment 11 of the present invention.

【図31】 この発明の実施例12によるインピーダン
ス変成器の設計手順を示す図である。
FIG. 31 is a diagram showing a design procedure of the impedance transformer according to the twelfth embodiment of the present invention.

【図32】 この発明の実施例12によるインピーダン
ス変成器の特性を示す図である。
FIG. 32 is a diagram showing characteristics of the impedance transformer according to the twelfth embodiment of the present invention.

【図33】 この発明の実施例13によるインピーダン
ス変成器の構成を示す斜視図である。
FIG. 33 is a perspective view showing a configuration of an impedance transformer according to Embodiment 13 of the present invention.

【図34】 従来の高周波フィルタの設計手順を示す図
である。
FIG. 34 is a diagram showing a design procedure of a conventional high-frequency filter.

【図35】 従来の高周波フィルタの設計手順を説明す
るための原形低域通過フィルタの回路図である。
FIG. 35 is a circuit diagram of an original low-pass filter for describing a design procedure of a conventional high-frequency filter.

【図36】 従来の高周波フィルタの等価回路を示す図
である。
FIG. 36 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional high-frequency filter.

【図37】 従来の高周波フィルタの特性を示す図であ
る。
FIG. 37 is a diagram illustrating characteristics of a conventional high-frequency filter.

【図38】 従来の高周波フィルタの設計手順を示す図
である。
FIG. 38 is a diagram showing a procedure for designing a conventional high-frequency filter.

【図39】 従来の高周波フィルタの設計手順を説明す
るための原形低域通過フィルタの回路図である。
FIG. 39 is a circuit diagram of an original low-pass filter for describing a design procedure of a conventional high-frequency filter.

【図40】 従来の高周波フィルタの等価回路を示す図
である。
FIG. 40 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional high-frequency filter.

【図41】 従来の高周波フィルタの等価回路を示す図
である。
FIG. 41 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional high-frequency filter.

【図42】 従来の高周波フィルタの特性を示す図であ
る。
FIG. 42 is a diagram illustrating characteristics of a conventional high-frequency filter.

【図43】 従来のインピーダンス変成器の設計手順を
示す図である。
FIG. 43 is a diagram showing a design procedure of a conventional impedance transformer.

【図44】 従来のインピーダンス変成器の等価回路を
示す図である。
FIG. 44 is a diagram showing an equivalent circuit of a conventional impedance transformer.

【図45】 従来例のインピーダンス変成器の特性を示
す図である。
FIG. 45 is a diagram showing characteristics of a conventional impedance transformer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 誘電体基板、2 外導体、3、6、7 内導体、9
スルーホール、12 方形導波管、13 誘導性アイ
リス、14 空胴共振器、15 ストリップ導体、16
マイクロストリップ線路、17 1/4波長線路、1
8 方形導波管、19 1/4波長導波管、30 スト
リップ線路共振器、60 入力線路、70 出力線路。
1 dielectric substrate, 2 outer conductor, 3, 6, 7 inner conductor, 9
Through hole, 12 rectangular waveguide, 13 inductive iris, 14 cavity, 15 strip conductor, 16
Microstrip line, 17 1/4 wavelength line, 1
8 rectangular waveguide, 19 1/4 wavelength waveguide, 30 stripline resonator, 60 input lines, 70 output lines.

フロントページの続き (72)発明者 湯川 秀憲 鎌倉市大船五丁目1番1号 三菱電機株 式会社 電子システム研究所内 (72)発明者 浅尾 英喜 鎌倉市大船五丁目1番1号 三菱電機株 式会社 電子システム研究所内 (72)発明者 浦崎 修治 鎌倉市大船五丁目1番1号 三菱電機株 式会社 電子システム研究所内 (56)参考文献 小西良弘,マイクロ波回路の基礎とそ の応用,総合電子出版社,平成2年,p p.367−373 R.E.Collon,FOUNDA TIONS FOR MICROWAV E ENGINEERING,米国,M cGraw−Hill,1992,pp. 343−360,587−642 (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) H01P 1/203 H01P 1/207 Continued on the front page (72) Inventor Hidenori Yukawa 5-1-1, Ofuna, Kamakura-shi Mitsubishi Electric Corporation In-house Electronic Systems Research Laboratory (72) Inventor Hideki Asao 5-1-1, Ofuna, Kamakura-shi Mitsubishi Electric Corporation Inside the Electronic Systems Laboratory (72) Inventor Shuji Urasaki 5-1-1, Ofuna, Kamakura City Mitsubishi Electric Corporation Inside the Electronic Systems Laboratory (56) References Yoshihiro Konishi, Fundamentals of microwave circuits and their applications, General Electronic Publishing Co., Ltd., 1990, p.p. 367-373 R.C. E. FIG. Collon, FOUNDA TIONS FOR MICROWAVE ENGINEERING, USA, McGraw-Hill, 1992, pp. 343-360, 587-642 (58) Fields investigated (Int. Cl. 7 , DB name) H01P 1/203 H01P 1 / 207

Claims (12)

(57)【特許請求の範囲】(57) [Claims] 【請求項1】 複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記共振器
の共振器長、上記共振器間結合手段の寸法、および上記
入出力結合手段の寸法を決定するパラメータの数以上の
数だけ周波数を選択し、上記選択した周波数において上
記高周波フィルタの通過特性あるいは反射特性が所望の
値に近づくように上記共振器の共振器長、上記共振器間
結合手段の寸法、および上記入出力結合手段の寸法を決
定したことを特徴とする高周波フィルタの設計方法。
1. A plurality of transmission line resonators and said resonator
Resonator-to-resonator coupling means for coupling between the resonators, and the resonator
And an input / output coupling means for mutually coupling
A method for designing a high-frequency filter comprising:
Resonator length, dimensions of the inter-resonator coupling means, and
More than the number of parameters that determine the dimensions of the
Number of frequencies, and select
The pass or reflection characteristics of the high frequency filter
The length of the resonators and the distance between the resonators so as to approach the value
Determine the dimensions of the coupling means and the dimensions of the input / output coupling means.
A method for designing a high-frequency filter, characterized in that:
【請求項2】 複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記高周波
フィルタの通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の傾き零点を複数設定
し、上記複数の傾き零点に対応する周波数を反射零周波
数あるいは反射極大周波数として規定し、上記反射零周
波数あるいは上記反射極大周波数において反射が極小あ
るいは極大となるように上記共振器の共振器長、上記共
振器間結合手段の寸法、および上記入出力間結合手段の
寸法を決定したことを特徴とする高周波フィルタの設計
方法。
2. A plurality of transmission line resonators and said resonator
Resonator-to-resonator coupling means for coupling between the resonators, and the resonator
And an input / output coupling means for mutually coupling
The method for designing a high-frequency filter provided
Within the pass band of the filter,
Set multiple slope zeros of Chebyshev function as function
And the frequencies corresponding to the plurality of slope zeros are reflected zero frequencies.
Number or the reflection maximum frequency
The reflection is extremely small at the wave number or the above reflection maximum frequency.
Or the maximum length of the resonator so that
The dimensions of the coupling means between the vibrators and the
Design of high-frequency filter characterized by its dimensions
Method.
【請求項3】 複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記高周波
フィルタの通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上
記複数の零点に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸
法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定したこと
を特徴とする高周波フィルタの設計方法。
3. A plurality of transmission line resonators, and said resonator
Resonator-to-resonator coupling means for coupling between the resonators, and the resonator
And an input / output coupling means for mutually coupling
The method for designing a high-frequency filter provided
Within the pass band of the filter,
Set multiple Chebyshev function zeros as a function
The frequencies corresponding to multiple zeros are defined as reflected zero frequencies.
So that the reflection is minimized at the reflection zero frequency.
The length of the resonator and the dimensions of the coupling means between the resonators
And the dimensions of the input / output coupling means are determined.
A method for designing a high-frequency filter, characterized in that:
【請求項4】 複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させ る共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記高周波
フィルタの通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の零点を複数設定し、上
記複数の零点に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段の寸
法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定し、上記
寸法を用いて得られる上記高周波フィルタの反射特性の
うち、理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より反射
の大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数および
上記反射零周波数において反射が所定の大きさ以下とな
るように上記共振器の共振器長、上記共振器間結合手段
の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法を決定した
ことを特徴とする高周波フィルタの設計方法。
4. A plurality of transmission line resonators and said resonator
A coupling between the resonators means Ru bound to each other between said cavity
And an input / output coupling means for mutually coupling
The method for designing a high-frequency filter provided
Within the pass band of the filter,
Set multiple Chebyshev function zeros as a function
The frequencies corresponding to multiple zeros are defined as reflected zero frequencies.
So that the reflection is minimized at the reflection zero frequency.
The length of the resonator and the dimensions of the coupling means between the resonators
And the dimensions of the input / output coupling means are determined.
The reflection characteristics of the high-frequency filter obtained using the dimensions
Of which, reflection is more than ideal Chebyshev type filter characteristics
The frequency of the large reflection
At the zero reflection frequency, the reflection is less than a predetermined magnitude.
The resonator length of the resonator and the resonator coupling means
And the dimensions of the input / output coupling means were determined.
A method for designing a high-frequency filter, characterized in that:
【請求項5】 複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記高周波
フィルタの通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、
上記複数の極大点に対応する周波数を反射極大周波数と
して規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の
極大値となるように上記共振器の共振器長、上記共振器
間結合手段の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法
を決定したことを特徴とする高周波フィルタの設計方
法。
5. A plurality of transmission line resonators and said resonator
Resonator-to-resonator coupling means for coupling between the resonators, and the resonator
And an input / output coupling means for mutually coupling
The method for designing a high-frequency filter provided
Within the pass band of the filter,
Set multiple Chebyshev function maxima as functions,
The frequencies corresponding to the plurality of maximum points are defined as the reflection maximum frequency.
At the reflection maximum frequency,
The resonator length of the resonator so that the maximum value is obtained,
Dimensions of the coupling means and the dimensions of the input / output coupling means
Of designing a high frequency filter characterized by determining
Law.
【請求項6】 複数の伝送線路形共振器と、上記共振器
間を相互に結合させる共振器間結合手段と、上記共振器
と入出力線路とを相互に結合させる入出力結合手段とを
備えた高周波フィルタの設計方法において、上記高周波
フィルタの通過帯域内に上記共振器内の電波の周波数の
関数としてのチェビシェフ関数の極大点を複数設定し、
上記複数の極大点に対応する周波数を反射極大周波数と
して規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の
極大値となるように上記共振器の共振器長、上記共振器
間結合手段の寸法、および上記入出力間結合手段の寸法
を決定し、上記寸法を用いて得られる上記高周波フィル
タの反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形フィルタ
の特性より反射の大きな周波数を選び、上記反射の大き
な周波数および上記反射極大周波数において反射が所定
の大きさ以下とな るように上記共振器の共振器長、上記
共振器間結合手段の寸法、および上記入出力間結合手段
の寸法を決定したことを特徴とする高周波フィルタの設
計方法。
6. A plurality of transmission line resonators and said resonator
Resonator-to-resonator coupling means for coupling between the resonators, and the resonator
And an input / output coupling means for mutually coupling
The method for designing a high-frequency filter provided
Within the pass band of the filter,
Set multiple Chebyshev function maxima as functions,
The frequencies corresponding to the plurality of maximum points are defined as the reflection maximum frequency.
At the reflection maximum frequency,
The resonator length of the resonator so that the maximum value is obtained,
Dimensions of the coupling means and the dimensions of the input / output coupling means
And the high frequency filter obtained using the above dimensions
Ideal Chebyshev filter among the reflection characteristics
Select a frequency with a large reflection from the characteristics of
Reflection at specified frequency and reflection maximum frequency
The resonator length of the size follows Do the resonator so that the above
Size of coupling means between resonators and coupling means between input and output
The size of the high-frequency filter is determined.
Metering method.
【請求項7】 導波管から成る複数の空胴共振器と上記
空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段として
のサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィル
タの設計方法において、上記導波管形の高周波フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点の
上記管内波長に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子値、お
よび上記サセプタンス素子の寸法を決定したことを特徴
とする高周波フィルタの設計方法。
7. A plurality of cavity resonators each comprising a waveguide and said cavity resonator.
As coupling means for cavity cavities and input / output coupling means
Waveguide type high frequency filter with susceptance element
In the method of designing a filter, the waveguide type high frequency filter
Within the passband of the waveguide as a function of the guide wavelength of the waveguide.
A plurality of zeros of the Ebyshev function are set, and the
The frequency corresponding to the above tube wavelength is defined as the reflection zero frequency.
So that the reflection is minimized at the reflection zero frequency.
The resonator length of the resonator, the susceptance element value, and
And the dimensions of the susceptance element are determined
Method of designing a high-frequency filter.
【請求項8】 導波管から成る複数の空胴共振器と上記
空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段として
のサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィル
タの設計方法において、上記導波管形の高周波フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の零点を複数設定し、上記複数の零点の
上記管内波長に対応する周波数を反射零周波数として規
定し、上記反射零周波数において反射が極小となるよう
に上記共振器の共振器長、上記サセプタンス素子値、お
よび上記サセプタンス素子の寸法を決定し、上記寸法を
用いて得られる上記導波管形の高周波フィルタの反射特
性のうち、理想的なチェビシェフ形フィルタの特性より
反射の大きな周波数を選び、上記反射の大きな周波数お
よび上記反射零周波数において反射が所定の大きさ以下
となるように上記共振器の共振器長、上記サセプタンス
素子値、および上記サセプタンス素子の寸法を決定した
ことを特徴とする高周波フィルタの設計方法。
8. A plurality of cavity resonators each comprising a waveguide,
As coupling means for cavity cavities and input / output coupling means
Waveguide type high frequency filter with susceptance element
In the method of designing a filter, the waveguide type high frequency filter
Within the passband of the waveguide as a function of the guide wavelength of the waveguide.
A plurality of zeros of the Ebyshev function are set, and the
The frequency corresponding to the above tube wavelength is defined as the reflection zero frequency.
So that the reflection is minimized at the reflection zero frequency.
The resonator length of the resonator, the susceptance element value, and
And the dimensions of the susceptance element, and
Reflection characteristics of the above waveguide type high frequency filter obtained by using
Of the ideal Chebyshev filters
Select a frequency with a large reflection,
And the reflection is equal to or less than the specified magnitude at the above-mentioned zero reflection frequency.
So that the resonator length of the resonator and the susceptance
The element value and the dimensions of the susceptance element were determined
A method for designing a high-frequency filter, characterized in that:
【請求項9】 導波管から成る複数の空胴共振器と上記
空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段として
のサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィル
タの設計方法において、上記導波管形の高周波フィルタ
の通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としてのチ
ェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極大
点の上記管内波長に対応する周波数を反射極大周波数と
して規定し、上記反射極大周波数において反射が所定の
極大値となるように上記共振器の共振器長、上記サセプ
タンス素子値、および上記サセプタンス素子の寸法を決
定したことを特徴とする高周波フィルタの設計方法。
9. A plurality of cavity resonators each comprising a waveguide, and
As coupling means for cavity cavities and input / output coupling means
Waveguide type high frequency filter with susceptance element
In the method of designing a filter, the waveguide type high frequency filter
Within the passband of the waveguide as a function of the guide wavelength of the waveguide.
Set multiple maximum points of the Ebyshev function, and
The frequency corresponding to the above-mentioned guide wavelength of the point is defined as the reflection maximum frequency.
At the reflection maximum frequency,
The resonator length of the resonator and the susceptor so that the maximum value is obtained.
Of the susceptance element and the dimensions of the susceptance element.
A method for designing a high-frequency filter, characterized in that:
【請求項10】 導波管から成る複数の空胴共振器と上
記空胴共振器相互の結合手段および入出力結合手段とし
てのサセプタンス素子とを備えた導波管形の高周波フィ
ルタの設計方法において、上記導波管形の高周波フィル
タの通過帯域内に上記導波管の管内波長の関数としての
チェビシェフ関数の極大点を複数設定し、上記複数の極
大点の上記管内波長に対応する周波数を反射極大周波数
として規定し、上記反射極大周波数において反射が所定
の極大値となるように上記共振器の共振器長、上記サセ
プタンス素子値、および上記サセプタンス素子の寸法を
決定し、上記寸法を用いて得られる上記導波管形の高周
波フィルタの反射特性のうち、理想的なチェビシェフ形
フィルタの特性より反射の大きな周波数を選び、上記反
射の大きな周波数および上記反射極大周波数において反
射が所定の大きさ以下となるように上記共振器の共振器
長、上記サセプタンス素子値、および上記サセプタンス
素子の寸法を決定したことを特徴とする高周波フィルタ
の設計方法。
10. A plurality of cavity resonators comprising a waveguide and an upper cavity resonator.
As means for coupling the cavity resonators to each other and for input / output coupling
Waveguide-type high-frequency filter with all susceptance elements
In the design method of the filter, the waveguide type high frequency
Within the passband of the waveguide as a function of the guide wavelength of the waveguide.
Set multiple maximum points of the Chebyshev function, and
The frequency corresponding to the above-mentioned guide wavelength is the maximum reflection frequency.
The reflection is specified at the maximum reflection frequency.
The resonator length of the resonator and the susceptor
The value of the susceptance element and the dimensions of the susceptance element
Determine and obtain the high circumference of the waveguide shape obtained using the above dimensions
Ideal Chebyshev type of reflection characteristics of wave filter
Select a frequency with a large reflection from the characteristics of the filter.
At the high frequency of
The resonator of the above-described resonator so that the radiation is less than a predetermined size.
Length, susceptance element value, and susceptance
A high-frequency filter characterized in that the dimensions of the element are determined.
Design method.
【請求項11】 共振器の数をN、フィルタの中心周波
数における等価回路素子値から決定されるi番目のサセ
プタンス素子のサセプタンス値をB0iとしたとき、i番
目のサセプタンス素子のサセプタンス値Biを次式で与
えられる範囲に設定したことを特徴とする請求項7〜1
0のいずれか1項に記載の高周波フィルタの設計方法。 1<Bi/B0i<1.2 (1≦i≦0.2N, N≦i≦N+1) 0.8<Bi/B0i<1 (0.2N<i≦0.4N, 0.8N≦i<N) 0.9<Bi/B0i≦1 (0.4N<i<0.8N)
11. The number of resonators is N, the center frequency of the filter
I-th subset determined from the equivalent circuit element value in the number
When the susceptance value of the punctance element is B0i,
The susceptance value Bi of the eye susceptance element is given by the following equation.
2. The method according to claim 1, wherein the predetermined range is set.
0. The method for designing a high-frequency filter according to any one of 0 to 0. 1 <Bi / B0i <1.2 (1 ≦ i ≦ 0.2N, N ≦ i ≦ N + 1) 0.8 <Bi / B0i <1 (0.2N <i ≦ 0.4N, 0.8N ≦ i < N) 0.9 <Bi / B0i ≦ 1 (0.4N <i <0.8N)
【請求項12】 請求項7〜11のいずれか1項に記載
の高周波フィルタの設計方法により構成された高周波フ
ィルタであって、サセプタンス素子が誘導性アイリスあ
るいは誘導性ポストであることを特徴とする高周波フィ
ルタ。
12. The method according to claim 7, wherein :
High-frequency filter configured by the high-frequency filter design method of
The susceptance element is an inductive iris
Or high-frequency filters characterized by inductive posts.
Ruta.
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