JPH0831367B2 - 静磁波素子用磁気回路および静磁波素子 - Google Patents
静磁波素子用磁気回路および静磁波素子Info
- Publication number
- JPH0831367B2 JPH0831367B2 JP1237981A JP23798189A JPH0831367B2 JP H0831367 B2 JPH0831367 B2 JP H0831367B2 JP 1237981 A JP1237981 A JP 1237981A JP 23798189 A JP23798189 A JP 23798189A JP H0831367 B2 JPH0831367 B2 JP H0831367B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetostatic wave
- wave device
- magnetic circuit
- hole piece
- magnetic
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- Control Of Motors That Do Not Use Commutators (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [産業上の利用分野] 本発明は静磁波素子用磁気回路、特には静磁気素子と
組合せて用いた場合に磁場の均一性のすぐれたものとな
る磁気回路およびこれを用いてなる静磁波素子に関する
ものである。
組合せて用いた場合に磁場の均一性のすぐれたものとな
る磁気回路およびこれを用いてなる静磁波素子に関する
ものである。
[従来の技術] 周波数100MHzから数10GHzのマイクロ波帯で使用され
る静磁波素子については例えば第4図に示したようにガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネット(以下GGGと略記す
る)基板上に式Y3Fe5O12で示されるYIGの磁性膜をエピ
タキシャル成長させて得た磁性材料面にメアンダ型の2
つのアルミニウム電極を形成し、これに外部磁界のもと
に静磁波信号を入力させたものが公知とされており、こ
の磁気回路は第5図に示したようにヨークに周波数可変
用コイルを設け、ホールピースの間に高周波チューナブ
ルフィルターを挿入したものが用いられている。
る静磁波素子については例えば第4図に示したようにガ
ドリニウム・ガリウム・ガーネット(以下GGGと略記す
る)基板上に式Y3Fe5O12で示されるYIGの磁性膜をエピ
タキシャル成長させて得た磁性材料面にメアンダ型の2
つのアルミニウム電極を形成し、これに外部磁界のもと
に静磁波信号を入力させたものが公知とされており、こ
の磁気回路は第5図に示したようにヨークに周波数可変
用コイルを設け、ホールピースの間に高周波チューナブ
ルフィルターを挿入したものが用いられている。
[発明が解決しようとする課題] しかし、この公知の静磁波素子用磁気回路ではホール
ピースのギャップにおける磁場の均一性がわるく、磁性
材料が大型となると磁気特性がわるくなるために設計通
りの特性が得られないという問題点がある。
ピースのギャップにおける磁場の均一性がわるく、磁性
材料が大型となると磁気特性がわるくなるために設計通
りの特性が得られないという問題点がある。
[課題を解決するための手段] 本発明はこのような課題を解決した静磁波素子用磁気
回路およびこれを用いた静磁波素子に関するもので、こ
れはヨークとホールピースを有し、ホールピースの外周
にコイルを巻いた静磁波素子用磁気回路であって、該ホ
ールピースの最大径(D1)が8mm〜15mmであり、ギャッ
プでのホールピース径(D2)が8mm≦D2≦D1でギャップ
長が1〜3mmであることを特徴とする静磁波素子用磁気
回路および磁気回路としてこれを用いてなる静磁波素子
に関するものである。
回路およびこれを用いた静磁波素子に関するもので、こ
れはヨークとホールピースを有し、ホールピースの外周
にコイルを巻いた静磁波素子用磁気回路であって、該ホ
ールピースの最大径(D1)が8mm〜15mmであり、ギャッ
プでのホールピース径(D2)が8mm≦D2≦D1でギャップ
長が1〜3mmであることを特徴とする静磁波素子用磁気
回路および磁気回路としてこれを用いてなる静磁波素子
に関するものである。
すなわち、本発明者らは磁場の均一性がよく、磁気特
性のすぐれた静磁波素子用磁気回路を開発すべく種々検
討した結果、ヨークとホールピースを有している上記磁
気回路において、このホールピースにコイルを巻くとホ
ールピースのギャップの磁場を広くとっても均一な磁場
を得ることができるので、これを用いた静磁波素子につ
いては設計通りの特性値を得ることができるようになる
ということを見出して本発明を完成した。
性のすぐれた静磁波素子用磁気回路を開発すべく種々検
討した結果、ヨークとホールピースを有している上記磁
気回路において、このホールピースにコイルを巻くとホ
ールピースのギャップの磁場を広くとっても均一な磁場
を得ることができるので、これを用いた静磁波素子につ
いては設計通りの特性値を得ることができるようになる
ということを見出して本発明を完成した。
以下にこれをさらに詳述する。
[作 用] 本発明の静磁波素子用磁気回路は第1図に示したよう
にして構成される。
にして構成される。
第1図は本発明の静磁波素子用磁気回路の縦断面図を
示したものであり、このものは角形のヨークの中央部上
下にホールピースが突状に形成されており、この下側の
ホールピースにコイルが巻かれている。
示したものであり、このものは角形のヨークの中央部上
下にホールピースが突状に形成されており、この下側の
ホールピースにコイルが巻かれている。
このヨーク・ホールピースはいずれも純鉄で作られた
ものとすればよいが、このホールピースの最大径(D1)
は8〜15mmとし、ギャップ中央部から半径方向への距離
(r)は1〜3mmとすればよく、ギャップを形成するホ
ールピースの径(D2)は8mm≦D2≦D1となるようにすれ
ばよい。
ものとすればよいが、このホールピースの最大径(D1)
は8〜15mmとし、ギャップ中央部から半径方向への距離
(r)は1〜3mmとすればよく、ギャップを形成するホ
ールピースの径(D2)は8mm≦D2≦D1となるようにすれ
ばよい。
本発明の静磁波素子用磁気回路を上記したように構成
し、このホールピースの最大径(D1)、ギャップを形成
するホールピース径(D2)、ギャップ中央から半径方向
への距離(r)を上記のように設定すると、ギャップ中
央部から半径方向への距離(r)とギャップ巻磁場強度
の関係は均一な磁場強度となるし、この磁気回路を静磁
波素子と組合わせるとこの静磁波素子は設計通りの挿入
損失値を与えるという有利性が与えられる。
し、このホールピースの最大径(D1)、ギャップを形成
するホールピース径(D2)、ギャップ中央から半径方向
への距離(r)を上記のように設定すると、ギャップ中
央部から半径方向への距離(r)とギャップ巻磁場強度
の関係は均一な磁場強度となるし、この磁気回路を静磁
波素子と組合わせるとこの静磁波素子は設計通りの挿入
損失値を与えるという有利性が与えられる。
なお、この静磁波素子に用いられる磁性材料は式(YG
dGa)8O12で示されるガーネット単結晶基板上に、式(L
aYFeGa)8O12で示される磁性膜をエピタキシヤル成長さ
せたものとすることがよい。
dGa)8O12で示されるガーネット単結晶基板上に、式(L
aYFeGa)8O12で示される磁性膜をエピタキシヤル成長さ
せたものとすることがよい。
[実施例] つぎに本発明の実施例、比較例をあげる。
実施例1 ヨーク、ホールピースを純鉄製のものとし、第1図に
示したような磁気回路を作り、このギャップを形成する
ホールピース径(D2)を6mmφ,7mmφ,8mmφ,9mmφ,10mm
φと変化させてギャップ中央部から半径方向への距離
(rmm)におけるギャップ間の磁場強度を測定したとこ
ろ、第2図に示したとおりの結果が得られ、これらはい
ずれも磁場強度が均一の値を示すことが確認された。
示したような磁気回路を作り、このギャップを形成する
ホールピース径(D2)を6mmφ,7mmφ,8mmφ,9mmφ,10mm
φと変化させてギャップ中央部から半径方向への距離
(rmm)におけるギャップ間の磁場強度を測定したとこ
ろ、第2図に示したとおりの結果が得られ、これらはい
ずれも磁場強度が均一の値を示すことが確認された。
実施例2 ヨーク、ホールピースを純鉄製のものとし、ホールピ
ースの最大径(D1)を12mmφ、ギャップ長を2mm、ギャ
ップを形成するホールピース径(D2)を9mmφとし、こ
れを式(YGdGa)8O12で示されるガーネット単結晶基板
上に式(LaYFeGa)8O12で示される磁性膜をエピタキシ
ヤル成長させて得た磁性材料上にアルミニウム電極とマ
イクロ波信号入力電極と出力電極を第4図に示したよう
に搭載して作った静磁波素子と組合わせてこの静磁波素
子の周波数(GHz)と挿入損失(dB)との関係をしらべ
たところ、このものは第3図に示したとおりの結果を示
し、設計値通りの挿入損失を示した。
ースの最大径(D1)を12mmφ、ギャップ長を2mm、ギャ
ップを形成するホールピース径(D2)を9mmφとし、こ
れを式(YGdGa)8O12で示されるガーネット単結晶基板
上に式(LaYFeGa)8O12で示される磁性膜をエピタキシ
ヤル成長させて得た磁性材料上にアルミニウム電極とマ
イクロ波信号入力電極と出力電極を第4図に示したよう
に搭載して作った静磁波素子と組合わせてこの静磁波素
子の周波数(GHz)と挿入損失(dB)との関係をしらべ
たところ、このものは第3図に示したとおりの結果を示
し、設計値通りの挿入損失を示した。
しかし、比較のためにこの静磁波素子に組合わせる磁
気回路を公知の第5図に示したものとし、このホールピ
ースの径を6mmとしてこのものの周波数(GHz)と挿入損
失(dB)との関係をしらべたところ、このものは第3図
に示したように設計値とは異なる値を示した。
気回路を公知の第5図に示したものとし、このホールピ
ースの径を6mmとしてこのものの周波数(GHz)と挿入損
失(dB)との関係をしらべたところ、このものは第3図
に示したように設計値とは異なる値を示した。
[発明の効果] 本発明は静磁波素子用磁気回路およびこれを用いた静
磁波素子に関するものであり、これはヨークとホールピ
ースを有し、ホールピースの外周にコイルを巻いた静磁
波素子用磁気回路であって、該ホールピースの最大径
(D1)が8mm〜15mmであり、ギャップでのホールピース
径(D2)が8mm≦D2≦D1でギャップ長が1〜3mmであるこ
とを特徴とする磁気回路およびこれを用いた静磁波素子
というものであるが、この磁気回路はホールピース自体
にコイルを巻いたもので、ホールピースのギャップの磁
場を広くとっても均一な磁場を得ることができるので、
これを静磁波素子と組合わせるとこの静磁波素子の挿入
損失を低くすることができ、静磁波素子を設計値通りの
特性値を得るものとすることができるという有利性が与
えられる。
磁波素子に関するものであり、これはヨークとホールピ
ースを有し、ホールピースの外周にコイルを巻いた静磁
波素子用磁気回路であって、該ホールピースの最大径
(D1)が8mm〜15mmであり、ギャップでのホールピース
径(D2)が8mm≦D2≦D1でギャップ長が1〜3mmであるこ
とを特徴とする磁気回路およびこれを用いた静磁波素子
というものであるが、この磁気回路はホールピース自体
にコイルを巻いたもので、ホールピースのギャップの磁
場を広くとっても均一な磁場を得ることができるので、
これを静磁波素子と組合わせるとこの静磁波素子の挿入
損失を低くすることができ、静磁波素子を設計値通りの
特性値を得るものとすることができるという有利性が与
えられる。
第1図は本発明の静磁波素子用磁気回路の縦断面図、第
2図は実施例における本発明の静磁波素子用磁気回路と
静磁波素子を組合せたもののギャップ中央部からの半径
方向の距離(rmm)とギャップ間磁場強度(KG)との関
係グラフ、第3図は実施例と比較例における静磁波素子
用磁気回路と静磁波素子を組合せたものの周波数と挿入
損失との関係グラフ、第4図は従来公知の静磁波素子の
斜視図、第5図は従来公知の静磁波素子用磁気回路の縦
断面図を示したものである。
2図は実施例における本発明の静磁波素子用磁気回路と
静磁波素子を組合せたもののギャップ中央部からの半径
方向の距離(rmm)とギャップ間磁場強度(KG)との関
係グラフ、第3図は実施例と比較例における静磁波素子
用磁気回路と静磁波素子を組合せたものの周波数と挿入
損失との関係グラフ、第4図は従来公知の静磁波素子の
斜視図、第5図は従来公知の静磁波素子用磁気回路の縦
断面図を示したものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 辻 利博 福井県武生市北府2丁目1番5号 信越化 学工業株式会社武生工場内 (56)参考文献 特開 平1−191502(JP,A) 実開 昭60−59505(JP,U)
Claims (3)
- 【請求項1】ヨークとホールピースを有し、ホールピー
スの外周にコイルを巻いた静磁波素子用磁気回路であっ
て、該ホールピースの最大径(D1)が8mm〜15mmであ
り、ギャップでのホールピース径(D2)が8mm≦D2≦D1
でギャップ長が1〜3mmであることを特徴とする静磁波
素子用磁気回路。 - 【請求項2】磁気回路として請求項1に記載の磁気回路
を用いてなる静磁波素子。 - 【請求項3】磁性材料が式(YGdGa)8O12で示されるガ
ーネット単結晶基板上に式(LaYFeGa)8O12で示される
磁性膜をエピタキシャル成長させたものである請求項2
に記載の静磁波素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1237981A JPH0831367B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 静磁波素子用磁気回路および静磁波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP1237981A JPH0831367B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 静磁波素子用磁気回路および静磁波素子 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH03101104A JPH03101104A (ja) | 1991-04-25 |
JPH0831367B2 true JPH0831367B2 (ja) | 1996-03-27 |
Family
ID=17023345
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP1237981A Expired - Lifetime JPH0831367B2 (ja) | 1989-09-13 | 1989-09-13 | 静磁波素子用磁気回路および静磁波素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH0831367B2 (ja) |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6059505U (ja) * | 1983-09-30 | 1985-04-25 | アンリツ株式会社 | ビツタ形電磁石 |
JP2694440B2 (ja) * | 1988-01-27 | 1997-12-24 | 日立金属株式会社 | 磁気装置 |
-
1989
- 1989-09-13 JP JP1237981A patent/JPH0831367B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH03101104A (ja) | 1991-04-25 |
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