JPH08304553A - 半導体検出素子モジュール及び半導体検出素子モジュールの製造方法 - Google Patents
半導体検出素子モジュール及び半導体検出素子モジュールの製造方法Info
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- JPH08304553A JPH08304553A JP10534295A JP10534295A JPH08304553A JP H08304553 A JPH08304553 A JP H08304553A JP 10534295 A JP10534295 A JP 10534295A JP 10534295 A JP10534295 A JP 10534295A JP H08304553 A JPH08304553 A JP H08304553A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 両側面に電極が形成された複数の半導体素子
の電極が対向するように一列に配設される半導体検出素
子モジュールに関し、各半導体素子間で放電がなく、性
能の劣化がなく、外部に機械的強度の電極が露出しない
半導体検出素子モジュールを提供することを目的とす
る。 【構成】 各半導体素子１０の下面に、少なくとも電極
１２,１３が形成された側面より突出する絶縁性の基板
１４を取付け、各半導体素子１０の基板１４どうしを突
合せて一列に配設するとともに、半導体１０の数を偶数
とし、両端の電極を他の電極に比べて外部衝撃に対して
損傷を受けにくい電極とする。
の電極が対向するように一列に配設される半導体検出素
子モジュールに関し、各半導体素子間で放電がなく、性
能の劣化がなく、外部に機械的強度の電極が露出しない
半導体検出素子モジュールを提供することを目的とす
る。 【構成】 各半導体素子１０の下面に、少なくとも電極
１２,１３が形成された側面より突出する絶縁性の基板
１４を取付け、各半導体素子１０の基板１４どうしを突
合せて一列に配設するとともに、半導体１０の数を偶数
とし、両端の電極を他の電極に比べて外部衝撃に対して
損傷を受けにくい電極とする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、両側面に電極が形成さ
れた複数の半導体素子の前記電極が対向するように一列
に配設される半導体検出素子モジュール(module)及びそ
の製造方法に関する。
れた複数の半導体素子の前記電極が対向するように一列
に配設される半導体検出素子モジュール(module)及びそ
の製造方法に関する。
【０００２】例えば、X線,γ線,β線等の放射線を用い
た医療用撮像装置や医療用スキャン装置において、近
年、検出器が小型になる等の理由により、半導体を用い
た検出器に関して種々の提案が行なわれている。
た医療用撮像装置や医療用スキャン装置において、近
年、検出器が小型になる等の理由により、半導体を用い
た検出器に関して種々の提案が行なわれている。
【０００３】特に、医療用スキャン装置においては、多
チャンネルの検出器が必要である。本発明は、多チャン
ネルの半導体検出器に好適な半導体検出素子モジュール
に関する。
チャンネルの検出器が必要である。本発明は、多チャン
ネルの半導体検出器に好適な半導体検出素子モジュール
に関する。
【０００４】
【従来の技術】次に、図面を用いて従来の半導体検出素
子モジュールを説明する。図４は従来の半導体検出素子
モジュールの斜視図、図５は図４におけるA方向矢視
図、図６は図４における半導体素子の斜視図である。
子モジュールを説明する。図４は従来の半導体検出素子
モジュールの斜視図、図５は図４におけるA方向矢視
図、図６は図４における半導体素子の斜視図である。
【０００５】先ず、図６を用いて、半導体素子１の構成
を説明する。図において、２は例えば、CdTe等の半導体
本体、３は半導体本体２の一方の側面に蒸着等の方法に
より形成され、信号を取り出すための信号(シグナル)電
極、４は半導体本体２の他方の側面に蒸着等の方法によ
り形成され、バイアス電圧が印加されるバイアス電極で
ある。
を説明する。図において、２は例えば、CdTe等の半導体
本体、３は半導体本体２の一方の側面に蒸着等の方法に
より形成され、信号を取り出すための信号(シグナル)電
極、４は半導体本体２の他方の側面に蒸着等の方法によ
り形成され、バイアス電圧が印加されるバイアス電極で
ある。
【０００６】次に、図４及び図６を用いて、図４に示す
半導体素子をモジュールにした場合の構成を説明する。
これらの図において、各半導体素子１は例えば、絶縁シ
ート５を介して一列に配設されている。そして、絶縁シ
ート５を介して対向する隣接する二つの半導体素子１の
電極は、一方の電極が信号電極３ならば、他方の電極は
バイアス電極４である。
半導体素子をモジュールにした場合の構成を説明する。
これらの図において、各半導体素子１は例えば、絶縁シ
ート５を介して一列に配設されている。そして、絶縁シ
ート５を介して対向する隣接する二つの半導体素子１の
電極は、一方の電極が信号電極３ならば、他方の電極は
バイアス電極４である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記構成の半
導体モジュールにおいては、下記のような問題点があ
る。
導体モジュールにおいては、下記のような問題点があ
る。
【０００８】(1) 隣接半導体素子１間で、絶縁シート５
を介して配設される。モジュールの各半導体素子１の小
ピッチ化を行なおうとすると、充分な厚さの絶縁シート
５を用いることができず、絶縁シート５の絶縁破壊が発
生し、隣接する半導体素子１間で放電する恐れがある。
を介して配設される。モジュールの各半導体素子１の小
ピッチ化を行なおうとすると、充分な厚さの絶縁シート
５を用いることができず、絶縁シート５の絶縁破壊が発
生し、隣接する半導体素子１間で放電する恐れがある。
【０００９】(2) 半導体素子１は絶縁シート５を介して
一列の配設される。よって、半導体素子１を一列に整列
する際に、図４において、矢印B方向、即ち、各半導体
素子１の各電極３,４に略垂直な圧縮応力が作用する。
電極３,４に応力が作用すると、電極-半導体界面の状態
変化が起こり、暗電流増加等の性能劣化を引き起こす。
一列の配設される。よって、半導体素子１を一列に整列
する際に、図４において、矢印B方向、即ち、各半導体
素子１の各電極３,４に略垂直な圧縮応力が作用する。
電極３,４に応力が作用すると、電極-半導体界面の状態
変化が起こり、暗電流増加等の性能劣化を引き起こす。
【００１０】(3) 信号電極３及びバイアス電極４は、同
一金属,同一接合法とは限らない。よって、外部衝撃に
対する耐性も異なる。一方、図４に示す従来の半導体モ
ジュールの半導体素子１の配列では、一方の端部の電極
と他方の端部の電極は異なり、必ず弱い方の電極が外部
に露出してしまう問題点がある。
一金属,同一接合法とは限らない。よって、外部衝撃に
対する耐性も異なる。一方、図４に示す従来の半導体モ
ジュールの半導体素子１の配列では、一方の端部の電極
と他方の端部の電極は異なり、必ず弱い方の電極が外部
に露出してしまう問題点がある。
【００１１】本発明は、上記問題点に鑑みてなされたも
ので、その目的は、各半導体素子間で性能の劣化がない
半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提
供することにある。
ので、その目的は、各半導体素子間で性能の劣化がない
半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法を提
供することにある。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決する半導
体素子モジュールの発明は、両側面に電極が形成された
複数の半導体素子の前記電極が対向するように一列に配
設される半導体検出素子モジュールにおいて、前記各半
導体素子の下面に、少なくとも前記電極が形成された側
面より突出する絶縁性の基板を取付け、前記各半導体素
子の基板どうしを突合せて一列に配設するものである。
体素子モジュールの発明は、両側面に電極が形成された
複数の半導体素子の前記電極が対向するように一列に配
設される半導体検出素子モジュールにおいて、前記各半
導体素子の下面に、少なくとも前記電極が形成された側
面より突出する絶縁性の基板を取付け、前記各半導体素
子の基板どうしを突合せて一列に配設するものである。
【００１３】ここで、半導体素子間の放電を防止する点
で、前記半導体素子の電極と、対向する隣接半導体素子
の電極とは、同時極性であることが望ましい。また、機
外部衝撃に対する耐性のため、前記半導体素子の数は偶
数であり、両端の電極は、他の電極に比べて外部衝撃に
対して損傷を受けにくい電極であることが望ましい。
で、前記半導体素子の電極と、対向する隣接半導体素子
の電極とは、同時極性であることが望ましい。また、機
外部衝撃に対する耐性のため、前記半導体素子の数は偶
数であり、両端の電極は、他の電極に比べて外部衝撃に
対して損傷を受けにくい電極であることが望ましい。
【００１４】また、上記課題を解決する半導体モジュー
ルの製造方法は、両側面に電極が形成された複数の半導
体素子を各半導体素子の電極が対向するように一列に配
設されてなる半導体検出素子モジュールの製造方法にお
いて、各半導体素子の下面に、少なくとも電極が形成さ
れた側面より突出する絶縁性の基板を取付ける工程と、
前記各半導体素子の基板どうしを突合せて一列に配設す
る工程とからなるものである。
ルの製造方法は、両側面に電極が形成された複数の半導
体素子を各半導体素子の電極が対向するように一列に配
設されてなる半導体検出素子モジュールの製造方法にお
いて、各半導体素子の下面に、少なくとも電極が形成さ
れた側面より突出する絶縁性の基板を取付ける工程と、
前記各半導体素子の基板どうしを突合せて一列に配設す
る工程とからなるものである。
【００１５】ここで、半導体素子間の放電を防止する点
で、各半導体素子の基板どうしを突合せて一列に配設す
る工程において、半導体素子の電極と、対向する隣接半
導体素子の電極とは、同時極性とすることが望ましい。
で、各半導体素子の基板どうしを突合せて一列に配設す
る工程において、半導体素子の電極と、対向する隣接半
導体素子の電極とは、同時極性とすることが望ましい。
【００１６】また、機外部衝撃に対する耐性のため、半
導体素子の数は偶数であり、両端の電極は、他の電極に
比べて外部衝撃に対して損傷を受けにくい電極であるこ
とが望ましい。
導体素子の数は偶数であり、両端の電極は、他の電極に
比べて外部衝撃に対して損傷を受けにくい電極であるこ
とが望ましい。
【００１７】
【作用】本発明の半導体検出素子モジュール及び半導体
検出素子モジュールの製造方法において、少なくとも電
極が形成された側面より突出する基板どうしを突合せて
一列に配設したことにより、電極に応力が作用しないの
で、電極-半導体界面の状態変化が起こらず、暗電流増
加等の性能劣化もなくなる。
検出素子モジュールの製造方法において、少なくとも電
極が形成された側面より突出する基板どうしを突合せて
一列に配設したことにより、電極に応力が作用しないの
で、電極-半導体界面の状態変化が起こらず、暗電流増
加等の性能劣化もなくなる。
【００１８】また、対向する隣接半導体素子の電極は、
同電位であるので、隣接半導体素子間の放電がなくな
る。更に、半導体素子の数は偶数とし、両端の電極を他
の電極に比べて外部衝撃に対して損傷を受けにくい電極
としたことにより、他の電極保護を行なうことができ
る。
同電位であるので、隣接半導体素子間の放電がなくな
る。更に、半導体素子の数は偶数とし、両端の電極を他
の電極に比べて外部衝撃に対して損傷を受けにくい電極
としたことにより、他の電極保護を行なうことができ
る。
【００１９】
【実施例】次に図面を用いて本発明の一実施例を説明す
る。図１は本発明の一実施例の半導体検出素子モジュー
ルの斜視図、図２は図１におけるC方向矢視図、図３は
図１における半導体素子セルの斜視図である。
る。図１は本発明の一実施例の半導体検出素子モジュー
ルの斜視図、図２は図１におけるC方向矢視図、図３は
図１における半導体素子セルの斜視図である。
【００２０】先ず、図１及び図２を用いて本実施例の半
導体検出素子モジュールの全体構成を説明する。半導体
素子１０において、CdTe(テルル化カドミウム)等の半導
体本体１１の一方の側面には、材質がAu(金)で、信号を
取り出すための信号(シグナル)電極１２が、他方の側面
には、材質がIn(インジウム)で、バイアス電圧が印加さ
れるバイアス電極１３がそれぞれ形成されている。
導体検出素子モジュールの全体構成を説明する。半導体
素子１０において、CdTe(テルル化カドミウム)等の半導
体本体１１の一方の側面には、材質がAu(金)で、信号を
取り出すための信号(シグナル)電極１２が、他方の側面
には、材質がIn(インジウム)で、バイアス電圧が印加さ
れるバイアス電極１３がそれぞれ形成されている。
【００２１】半導体素子１０の下面には、電極１２,１
３が形成された側面に突出する絶縁性の基板(例えば、
セラミック基板)１４がシリコン接着剤によって、固着
されている。
３が形成された側面に突出する絶縁性の基板(例えば、
セラミック基板)１４がシリコン接着剤によって、固着
されている。
【００２２】そして、対向する隣接半導体素子１０の電
極が同じ電極(同電位)であるように、各半導体素子１０
の基板１４どうしを突合せて一列に配設し、半導体検出
素子モジュールが形成されている。
極が同じ電極(同電位)であるように、各半導体素子１０
の基板１４どうしを突合せて一列に配設し、半導体検出
素子モジュールが形成されている。
【００２３】尚、本実施例においては、半導体素子１０
の個数を偶数個(6個)で一つのモジュールを形成し、モ
ジュールの両端の電極が、外部衝撃に強いバイアス電極
１３となるようにした。
の個数を偶数個(6個)で一つのモジュールを形成し、モ
ジュールの両端の電極が、外部衝撃に強いバイアス電極
１３となるようにした。
【００２４】また、図３に示すように、基板１４の前面
にはバイアス用のランド(端子)１４ａが形成され、背面
には、信号用のランド(端子)１４ｂが形成されている。
１４ｃは一端部がランド１４ａに接続され、他端部は半
導体素子１０のバイアス電極１３近傍まで延出するバイ
アスラインである。そして、バイアスライン１４ｃとバ
イアス電極１３とは、導電性の接着剤やワイヤボンディ
ング等の手法により、電気的に接続されている。
にはバイアス用のランド(端子)１４ａが形成され、背面
には、信号用のランド(端子)１４ｂが形成されている。
１４ｃは一端部がランド１４ａに接続され、他端部は半
導体素子１０のバイアス電極１３近傍まで延出するバイ
アスラインである。そして、バイアスライン１４ｃとバ
イアス電極１３とは、導電性の接着剤やワイヤボンディ
ング等の手法により、電気的に接続されている。
【００２５】１４ｄは一端部がランド１４ｂに接続さ
れ、他端部は半導体素子１０の信号電極１２近傍まで延
出する信号ラインである。そして、信号ライン１４ｄと
信号電極１２とは、導電性の接着剤やワイヤボンディン
グ等の手法により、電気的に接続されている。
れ、他端部は半導体素子１０の信号電極１２近傍まで延
出する信号ラインである。そして、信号ライン１４ｄと
信号電極１２とは、導電性の接着剤やワイヤボンディン
グ等の手法により、電気的に接続されている。
【００２６】次に、上記構成の半導体検出素子モジュー
ルの製造方法を説明する。 (1) 各半導体素子１０の下面に、基板１４を取付ける。 (2) 各半導体素子１０の基板どうし１４を突合せて一列
に配設する。
ルの製造方法を説明する。 (1) 各半導体素子１０の下面に、基板１４を取付ける。 (2) 各半導体素子１０の基板どうし１４を突合せて一列
に配設する。
【００２７】上記構成によれば、電極が形成された側面
より突出する基板１４どうしを突合せて一列に配設した
ことにより、電極１２,１３に応力が作用しないので、
電極-半導体本体１１との界面の状態変化が起こらず、
暗電流増加等の性能劣化もなくなる。
より突出する基板１４どうしを突合せて一列に配設した
ことにより、電極１２,１３に応力が作用しないので、
電極-半導体本体１１との界面の状態変化が起こらず、
暗電流増加等の性能劣化もなくなる。
【００２８】また、対向する隣接半導体素子１０の電極
は、同電位であるので、隣接半導体素子間の放電がなく
なる。更に、モジュールを構成する半導体素子１０の個
数を偶数とし、両端の電極を外部衝撃に対して損傷を受
けにくいバイアス電極１３としたことにより、外部衝撃
に対して弱い他方の電極である信号電極１２の保護を行
なうことができる。
は、同電位であるので、隣接半導体素子間の放電がなく
なる。更に、モジュールを構成する半導体素子１０の個
数を偶数とし、両端の電極を外部衝撃に対して損傷を受
けにくいバイアス電極１３としたことにより、外部衝撃
に対して弱い他方の電極である信号電極１２の保護を行
なうことができる。
【００２９】尚、本発明は上記実施例に限定するもので
はない。上記実施例では、半導体素子１０の電極が形成
された側面,前面及び背面より突出する基板１４を用い
たが、これに限定するものではなく、少なくとも半導体
素子１０の電極が形成された側面より突出する形状であ
れば、基板１４どうしを突合せて一列に配設する際に、
電極１２,１３に応力が作用しないことが可能となる。
はない。上記実施例では、半導体素子１０の電極が形成
された側面,前面及び背面より突出する基板１４を用い
たが、これに限定するものではなく、少なくとも半導体
素子１０の電極が形成された側面より突出する形状であ
れば、基板１４どうしを突合せて一列に配設する際に、
電極１２,１３に応力が作用しないことが可能となる。
【００３０】更に、本実施例は、シンチレータ検出素子
(X線-光電変換素子)にも適用可能である。
(X線-光電変換素子)にも適用可能である。
【００３１】
【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、少な
くとも電極が形成された側面より突出する基板どうしを
突合せて一列に配設したことにより、電極に応力が作用
しないので、電極-半導体界面の状態変化が起こらず、
暗電流増加等の性能劣化もなくなる。
くとも電極が形成された側面より突出する基板どうしを
突合せて一列に配設したことにより、電極に応力が作用
しないので、電極-半導体界面の状態変化が起こらず、
暗電流増加等の性能劣化もなくなる。
【００３２】また、対向する隣接半導体素子の電極は、
同電極であるので、隣接半導体素子間の放電がなくな
る。更に、半導体素子の数は偶数とし、両端の電極を外
部衝撃に対して損傷を受けにくい電極としたことによ
り、他の電極保護を行なうことができる。
同電極であるので、隣接半導体素子間の放電がなくな
る。更に、半導体素子の数は偶数とし、両端の電極を外
部衝撃に対して損傷を受けにくい電極としたことによ
り、他の電極保護を行なうことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の一実施例の半導体検出素子モジュール
の斜視図である。
の斜視図である。
【図２】図１におけるC方向矢視図である。
【図３】図１における半導体素子セルの斜視図である。
【図４】従来の半導体検出素子モジュールの斜視図であ
る。
る。
【図５】図４におけるA方向矢視図である。
【図６】図４における半導体素子の斜視図である。
１０ 半導体素子 １１ 半導体素子本体 １２ 信号電極 １３ バイアス電極 １４ 基板
Claims (4)
- 【請求項１】 両側面に電極が形成された複数の半導体
素子の前記電極が対向するように一列に配設される半導
体検出素子モジュールにおいて、 前記各半導体素子の下面に、少なくとも前記電極が形成
された側面より突出する絶縁性の基板を取付け、 前記各半導体素子の基板どうしを突合せて一列に配設す
ることを特徴とする半導体検出素子モジュール。 - 【請求項２】 前記半導体素子の電極と、対向する隣接
半導体素子の電極とは、同じ極性であることを特徴とす
る請求項１記載の半導体検出素子モジュール。 - 【請求項３】 前記半導体素子の数は偶数であり、 両端の電極は、他の電極に比べて外部衝撃に対して損傷
を受けにくい電極であることを特徴とする請求項１又は
２記載の半導体検出素子モジュール。 - 【請求項４】 両側面に電極が形成された複数の半導体
素子を各半導体素子の電極が対向するように一列に配設
されてなる半導体検出素子モジュールの製造方法におい
て、 各半導体素子の下面に、少なくとも電極が形成された側
面より突出する絶縁性の基板を取付ける工程と、 前記各半導体素子の基板どうしを突合せて一列に配設す
る工程とからなることを特徴とする半導体検出素子モジ
ュールの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10534295A JPH08304553A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 半導体検出素子モジュール及び半導体検出素子モジュールの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10534295A JPH08304553A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 半導体検出素子モジュール及び半導体検出素子モジュールの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08304553A true JPH08304553A (ja) | 1996-11-22 |
Family
ID=14405070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10534295A Pending JPH08304553A (ja) | 1995-04-28 | 1995-04-28 | 半導体検出素子モジュール及び半導体検出素子モジュールの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08304553A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6914626B2 (en) | 2000-02-21 | 2005-07-05 | Hewlett Packard Development Company, L.P. | Location-informed camera |
| US7454090B2 (en) | 2000-02-21 | 2008-11-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Augmentation of sets of image recordings |
-
1995
- 1995-04-28 JP JP10534295A patent/JPH08304553A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6914626B2 (en) | 2000-02-21 | 2005-07-05 | Hewlett Packard Development Company, L.P. | Location-informed camera |
| US7454090B2 (en) | 2000-02-21 | 2008-11-18 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Augmentation of sets of image recordings |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20031216 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |