JPH08298039A - Sealed contact material and its manufacture, and manufacture of sealed contact and its use - Google Patents
Sealed contact material and its manufacture, and manufacture of sealed contact and its useInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は封入接点材料とその
製造方法、そして封入接点の製造方法と使用方法に関
し、更に詳しくは、開閉動作時における接触抵抗のばら
つきが小さく、動作寿命特性が優れており、しかも安価
に製造することができる封入接点材料に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an encapsulated contact material, a method for manufacturing the encapsulated contact material, and a method for manufacturing and using the encapsulated contact. More specifically, the contact resistance variation during opening / closing operation is small and the operating life characteristics are excellent. And an encapsulated contact material that can be manufactured at low cost.
【0002】[0002]
【従来の技術】リードスイッチなどに使用されている封
入接点は、ガラスなどでつくられている封入容器の中
に、封入接点材料が例えばN2ガスなどと一緒に密封さ
れた構造になっている。従来、封入接点材料としては、
接点基材を例えばFe−Ni合金などで構成し、その表
面をRh,Ruなどで被覆して接点被覆層として機能さ
せるものが多用されてきた。これは、RhやRuなどが
電気伝導性に優れ、高硬度でかつ高融点の材料であり、
また耐摩耗性も優れているからである。2. Description of the Related Art A sealed contact used in a reed switch or the like has a structure in which a sealed contact material is sealed together with N 2 gas in a sealed container made of glass or the like. . Conventionally, as the encapsulated contact material,
It has been widely used that the contact base material is made of, for example, an Fe—Ni alloy, and the surface thereof is coated with Rh, Ru or the like to function as a contact coating layer. This is a material such as Rh and Ru having excellent electric conductivity, high hardness and high melting point,
Moreover, it is also excellent in wear resistance.
【0003】上記した従来の封入接点材料においては、
接点基材の表面に、まず、Ag,Au,Cuなどの金属
を例えば電気めっき法でめっきして中間層を形成し、更
にその上に、Rh,Ruなどをめっきして接点被覆層を
形成することにより製造されていた。この中間層は、接
点基材と接点被覆層との密着性を高めたり、また接点の
開閉動作時に、接点被覆層のRh,Ruなどが接点基材
に拡散してくることを防止するために設けられている。In the above-mentioned conventional encapsulated contact material,
First, a metal such as Ag, Au, or Cu is plated on the surface of the contact base material by, for example, an electroplating method to form an intermediate layer, and then Rh, Ru or the like is plated thereon to form a contact coating layer. Was manufactured by This intermediate layer enhances the adhesion between the contact base material and the contact coating layer, and prevents Rh, Ru, etc. of the contact coating layer from diffusing into the contact base material at the time of opening / closing the contact. It is provided.
【0004】しかしながら、上記した封入接点材料は、
高価なRhやRuなどを使用しているのでその材料コス
トは高くなり、経済性の点で問題視されている。そのた
め、最近では、接点基材には依然として従来と同じよう
にFe−Ni合金などを使用し、接点被覆層には、Mo
やWまたはその合金のような高融点材料を使用すること
により、材料コストを低減した封入接点材料が提案され
ている。However, the above-mentioned encapsulated contact material is
Since expensive Rh, Ru, etc. are used, the material cost becomes high, and this is regarded as a problem in terms of economy. Therefore, recently, Fe-Ni alloy or the like is still used for the contact base material as in the conventional case, and Mo is used for the contact coating layer.
Encapsulated contact materials with reduced material cost have been proposed by using high melting point materials such as W and W or their alloys.
【0005】この封入接点材料は、接点被覆層に要求さ
れる特性のうち、高融点,高硬度,高い導電性という点
では優れている。しかしながら、この材料は次のような
挙動を示すことが明らかになりつつある。すなわち、例
えば接点被覆層がWからなる材料の場合、10Hzで開閉
動作を反復させる接点使用試験を行うと、接触抵抗のば
らつきが大きくなり、またしばしば、接点被覆層にアー
ク放電の集中発生が認められることがある。封入接点材
料の接触抵抗のばらつきが大きくなると、封入接点の開
閉動作時における接触抵抗の変動が起こりやすくなるだ
けではなく、封入接点の発熱量が増加する。その結果、
封入接点の動作寿命は短くなり、しかもその動作寿命そ
れ自体のばらつきも大きくなって、実使用時における信
頼性の低下を招くことになる。Among the properties required for the contact coating layer, this encapsulated contact material is excellent in terms of high melting point, high hardness and high conductivity. However, it is becoming clear that this material behaves as follows. That is, for example, in the case where the contact coating layer is made of W, a contact use test in which the switching operation is repeated at 10 Hz causes a large variation in contact resistance, and often the occurrence of concentrated arc discharge in the contact coating layer is recognized. May be When the variation in the contact resistance of the enclosed contact material increases, not only the contact resistance tends to fluctuate during the opening / closing operation of the enclosed contact, but also the amount of heat generated by the enclosed contact increases. as a result,
The operating life of the enclosed contact is shortened, and the variation of the operating life itself is increased, resulting in deterioration of reliability in actual use.
【0006】このような問題は、Mo,Wまたはその合
金から成る接点被覆層の場合、その耐摩耗性が充分とは
いえず、またアーク特性を劣化させるためであると考え
られる。更に、Mo,Wまたはその合金は、いずれも、
大気中で酸化されやすく、表面に電気絶縁性の酸化膜が
形成されやすいからであると考えられる。すなわち、こ
の材料の場合、それを封入容器内に密封する前工程にお
ける大気中でのハンドリング時に、接点被覆層(Moや
W)の表面には、既に前記酸化膜が形成されていること
もあるからである。また、封入に先だって行われる接点
基材端部のガラス封止部を表面酸化するときに、同時に
接点被覆層も酸化されてその表面に酸化膜が形成される
こともあるからである。It is considered that such a problem is because the contact coating layer made of Mo, W or an alloy thereof does not have sufficient wear resistance and deteriorates the arc characteristics. Furthermore, Mo, W or their alloys are all
It is considered that this is because it is easily oxidized in the atmosphere and an electrically insulating oxide film is easily formed on the surface. That is, in the case of this material, the oxide film may already be formed on the surface of the contact coating layer (Mo or W) at the time of handling in air in the previous step of sealing it in the enclosure. Because. Also, when the surface of the glass sealing portion at the end of the contact base material is oxidized prior to the encapsulation, the contact coating layer may also be oxidized at the same time to form an oxide film on the surface.
【0007】このような酸化膜を顕微鏡観察すると、酸
化物粒子が接点被覆層の表面に分布した状態で酸化膜に
なっている。表面がこのような状態になっている封入接
点材料が封入されている封入接点の開閉動作を反復する
と、前記した酸化物粒子が、ミクロな意味で実際に接触
している個所、すなわち、接点被覆層の相互接触部に分
散,移動して集中するという現象が認められる。このよ
うなことから、接点被覆層に酸化膜が形成されている材
料の場合には、上記したような動作寿命特性の低下が引
き起こされるものと考えられる。When such an oxide film is observed under a microscope, it is an oxide film in a state where oxide particles are distributed on the surface of the contact coating layer. When the opening / closing operation of the encapsulated contact in which the encapsulated contact material whose surface is in such a state is encapsulated is repeated, the above-mentioned oxide particles are in actual contact with each other in a microscopic sense, that is, the contact coating. The phenomenon of dispersion, movement and concentration at the mutual contact parts of the layers is observed. From this, it is considered that in the case of a material in which an oxide film is formed in the contact coating layer, the above-mentioned deterioration of operating life characteristics is caused.
【0008】ところで、封入接点は、通常、電圧(電
流)を印加した状態で開閉動作が行われる。しかしなが
ら、通常、電気製品の使用時には負荷側に断線などを発
生することもあり、その場合には、電圧(電流)が印加
されていない状態で封入接点の開閉動作が進むことにな
る。例えば、発光ダイオードと封入接点が接続されてい
た場合、その発光ダイオードの寿命がつきたことなどに
より断線したとしても、封入接点は、無負荷状態で開閉
動作を反復することになる。[0008] By the way, the enclosed contact is normally opened and closed while a voltage (current) is applied. However, normally, when an electric product is used, a disconnection or the like may occur on the load side. In that case, the opening / closing operation of the enclosed contact proceeds in the state where no voltage (current) is applied. For example, when the light emitting diode and the encapsulated contact are connected, even if the light emitting diode is disconnected due to the life of the light emitting diode, the encapsulated contact repeats the opening / closing operation in the unloaded state.
【0009】とくにリードスイッチの場合、無負荷状態
になってもスイッチの開閉用マグネットが作動すること
で、その封入接点は無負荷状態の開閉動作を余儀なくさ
れる可能性は大である。接点被覆層が、Mo,Wまたは
その合金から成る前記した封入接点材料が封入されてい
る封入接点の場合、上記した無負荷状態での開閉動作を
反復すると接触抵抗は上昇し、スイッチとしての安定性
や信頼性に劣るという問題がある。とくに、封入接点材
料の接点被覆層の表面に酸化膜が形成されている場合に
は、前記した問題が起こりやすい。In particular, in the case of a reed switch, there is a great possibility that the enclosed contact of the reed switch is forced to open and close in the unloaded state by the activation of the switch opening and closing magnet. In the case where the contact coating layer is an encapsulated contact in which the encapsulated contact material made of Mo, W or an alloy thereof is encapsulated, the contact resistance rises when the above-mentioned opening / closing operation in the no-load state is repeated and the stability as a switch becomes stable. There is a problem of poor reliability and reliability. In particular, when the oxide film is formed on the surface of the contact coating layer of the encapsulated contact material, the above-mentioned problem is likely to occur.
【0010】接点被覆層が、W,Moまたはその合金で
形成されている封入接点材料における上記した問題を解
決するために、本発明者らは、接点基材の表面を、M
o,W,Re,NbまたはTaを主成分とする材料で被
覆して接点被覆層とし、更にその上に、Ru,Rh,P
d,Os,Ir,Pt,Ag,Auのような材料から成
る難酸化性の導電薄層を形成した封入接点材料を開発
し、それを特願平4−19885号として既に出願し
た。In order to solve the above-mentioned problems in the encapsulated contact material in which the contact coating layer is formed of W, Mo or an alloy thereof, the present inventors have made the surface of the contact base material M
o, W, Re, Nb or Ta as a main component is coated to form a contact coating layer, and further Ru, Rh, P
We have developed an encapsulating contact material having a non-oxidizing conductive thin layer made of a material such as d, Os, Ir, Pt, Ag, Au, and have already filed it as Japanese Patent Application No. 4-19885.
【0011】この封入接点材料の場合、接点被覆層の表
面に難酸化性の導電薄層が形成されているので、封入容
器に封入するときに生起していた酸化膜の形成という問
題は起こりづらくなる。そのため、この封入接点材料は
初期接触抵抗のばらつきが小さくなる。しかしながら、
この封入接点材料は初期接触抵抗のばらつきが小さいと
はいえ、初期動作を経たのちの動作寿命を一層延ばすと
いう要請からすると耐溶着性や耐アーク性は必ずしも満
足すべきものではなく、そのため、前記特性を一層向上
させることが求められていた。このような要請に応える
封入接点材料として、本発明者らは、Mo,Zr,N
b,Hf,Ta,Wの群から選ばれる少なくとも1種の
高融点金属をマトリックスとし、ここに、Li,K,C
e,Cs,Ba,Sr,Ca,Na,Y,La,Sc,
Th,Rbの群から選ばれる少なくとも1種、またはそ
れらの酸化物が含有されている材料で接点基材の表面を
被覆して接点被覆層を形成した封入接点材料や、また、
上記接点被覆層に、更に、Mg,Pb,Sn,Zn,B
i,Ag,Cd,Al,Si,Zr,Ti,Co,T
a,Fe,Mn,Cr,などを微量添加して成る封入接
点材料を開発し、それを特願平6−39114号として
既に出願した。In the case of this encapsulated contact material, since a non-oxidizing conductive thin layer is formed on the surface of the contact coating layer, the problem of the formation of an oxide film that has occurred when encapsulating in the encapsulation container is unlikely to occur. Become. Therefore, this encapsulated contact material has a small variation in initial contact resistance. However,
Although this encapsulated contact material has a small variation in initial contact resistance, welding resistance and arc resistance are not necessarily satisfactory from the request of further extending the operating life after initial operation, and therefore the above-mentioned characteristics Was required to be further improved. The present inventors have proposed Mo, Zr, N
At least one refractory metal selected from the group consisting of b, Hf, Ta, W is used as a matrix, and Li, K, C
e, Cs, Ba, Sr, Ca, Na, Y, La, Sc,
An encapsulated contact material in which a contact coating layer is formed by coating the surface of a contact substrate with a material containing at least one selected from the group consisting of Th and Rb, or a material containing an oxide thereof, and
In addition to the contact coating layer, Mg, Pb, Sn, Zn, B
i, Ag, Cd, Al, Si, Zr, Ti, Co, T
We have developed an encapsulated contact material made by adding a small amount of a, Fe, Mn, Cr, etc., and have already applied for it as Japanese Patent Application No. 6-39114.
【0012】この封入接点材料の場合、接点被覆層の上
記マトリックスに含有されているLi,K,Ce,C
s,Ba,Sr,Ca,Na,Y,La,Sc,Th,
Rbなどはいずれも仕事関数が小さい元素であり、これ
らが含有されている接点被覆層では、封入接点の開閉動
作時におけるアーク発生はマクロ的に均一となり、その
結果、下部に位置する接点基材の露出が遅延する。すな
わち、動作寿命は延びる。In the case of this encapsulated contact material, Li, K, Ce, C contained in the above matrix of the contact coating layer.
s, Ba, Sr, Ca, Na, Y, La, Sc, Th,
All of Rb and the like are elements having a small work function, and in the contact coating layer containing these, arc generation during opening / closing operation of the enclosed contact becomes macroscopically uniform, and as a result, the contact base material located below Exposure is delayed. That is, the operating life is extended.
【0013】しかしながら、他方では、ミクロ的には、
アークにより微少な凹凸が接点被覆層の表面全体に形成
され、そのため、この微少な凹凸が接点被覆層相互の接
触面積を変動させたり、また互いに噛みあって開閉不良
を引き起こす現象(ロッキング現象とよばれる)が生
じ、結果として動作寿命の短縮という事態を招くことが
ある。On the other hand, on the other hand, microscopically,
The arc causes minute irregularities to be formed on the entire surface of the contact coating layer.Therefore, the minute irregularities change the contact area between the contact coating layers, or they mesh with each other and cause defective opening and closing. May occur, resulting in a shortened operating life.
【0014】なお、Mg,Pb,Sn,Zn,Bi,A
g,Cd,Al,Si,Zr,Ti,Co,Ta,F
e,Mn,Crなどが更に微量含有されている接点被覆
層の場合には、これら微量成分がLi,K,Ce,C
s,Ba,Sr,Ca,Na,Y,La,Sc,Th,
Rbなどの添加元素と合金化して、これら添加元素の蒸
発などを抑制することにより、開閉動作時における接触
抵抗のばらつきを小さくするという作用効果を確保する
とはいえ、動作寿命特性は、これら微量成分を含まない
材料に比べて顕著に向上するということは期待できな
い。しかも、これら微量成分が含有されている接点被覆
層を有する封入接点材料を組込む封入接点の場合、製造
された封入接点のロット間で動作寿命のばらつきが大き
いという問題、すなわち、品質の安定性がよくないとい
う問題がある。Mg, Pb, Sn, Zn, Bi, A
g, Cd, Al, Si, Zr, Ti, Co, Ta, F
In the case of the contact coating layer that further contains a trace amount of e, Mn, Cr, etc., these trace components are Li, K, Ce, C.
s, Ba, Sr, Ca, Na, Y, La, Sc, Th,
Although alloying with additional elements such as Rb to suppress the evaporation of these additional elements, the operational effect of reducing the variation in contact resistance during opening and closing operations is secured, the operating life characteristics are It cannot be expected that the material will be remarkably improved as compared with the material not containing. Moreover, in the case of the encapsulated contact incorporating the encapsulated contact material having the contact coating layer containing these trace components, the problem that the operating life of the manufactured encapsulated contact varies widely among lots, that is, the quality stability There is a problem that it is not good.
【0015】[0015]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、前記した特
願平6−39114号の封入接点材料に比べて、動作寿
命特性が一層優れており、接触抵抗のばらつきが小さい
封入接点材料の提供を目的とする。また本発明は、製造
ロット間における特性のばらつきが小さく、したがっ
て、動作寿命特性が安定している封入接点材料の提供、
および、RhやRuのような高価な材料の使用量が極力
抑えられているので、製造コストが低廉になる封入接点
材料の提供を目的とする。DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention provides an encapsulated contact material which has more excellent operating life characteristics and a smaller variation in contact resistance than the encapsulated contact material of Japanese Patent Application No. 6-39114 mentioned above. With the goal. Further, the present invention provides an encapsulated contact material in which variations in characteristics between manufacturing lots are small, and thus operating life characteristics are stable,
Moreover, since the amount of expensive materials such as Rh and Ru used is suppressed as much as possible, it is an object of the present invention to provide an encapsulated contact material whose manufacturing cost is low.
【0016】更に、本発明は、接点被覆層の組成,表面
形状,組織が安定になり、もって動作寿命特性が安定化
する封入接点材料の製造方法の提供を目的とする。ま
た、本発明は、例えば封入接点材料の接点被覆層の表面
に酸化膜が形成されている場合であっても、また、無負
荷状態での開閉動作を反復したとしても、接触抵抗の劣
化を生じることのない封入接点の製造方法と使用方法の
提供を目的とする。A further object of the present invention is to provide a method for producing an encapsulated contact material in which the composition, surface shape, and texture of the contact coating layer are stable and the operating life characteristics are stabilized. In addition, the present invention, even when, for example, an oxide film is formed on the surface of the contact coating layer of the encapsulated contact material, or even when the opening / closing operation in the no-load state is repeated, the contact resistance is not deteriorated. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing and using a sealed contact that does not occur.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、接点基材の表面が、Mo,
Zr,Nb,Hf,Ta,Wの群から選ばれる少なくと
も1種を実質的なマトリックスとし、前記マトリックス
に、Zn,Cd,Hg,Al,Ga,In,Tl,G
e,Sn,Pb,As,Sb,Biの群から選ばれる少
なくとも1種が0.5〜50原子%含まれている材料から
成り、かつ、厚みが0.1μm以上である少なくとも1層
の接点被覆層で被覆されていることを特徴とする封入接
点材料(以下、接点材料Aという);接点基材の表面
が、Mo,Zr,Nb,Hf,Wの群から選ばれる少な
くとも1種をマトリックスとし、前記マトリックスに、
Zn,Cd,Hg,Al,Ga,In,Tl,Ge,S
n,Pb,As,Sb,Biの群から選ばれる少なくと
も1種の元素の酸化物が0.1〜50モル%含まれている
材料から成り、かつ、厚みが0.1μm以上である少なく
とも1層の接点被覆層で被覆されていることを特徴とす
る封入接点材料(以下、接点材料Bという);ならび
に、接点基材の表面が、Mo,Zr,Nb,Hf,T
a,Wの群から選ばれる少なくとも1種から成る少なく
とも1層の下層と、Zn,Cd,Hg,Al,Ga,I
n,Tl,Ge,Sn,Pb,As,Sb,Biの群か
ら選ばれる少なくとも1種から成る少なくとも1層の上
層とを有する積層構造を成し、かつ、前記下層および上
層の厚みはいずれも0.1μm以上である少なくとも1層
の接点被覆層で被覆されていることを特徴とする封入接
点材料(以下、接点材料Cという);が提供される。In order to achieve the above object, in the present invention, the surface of the contact base material is Mo,
At least one selected from the group of Zr, Nb, Hf, Ta, W is used as a substantial matrix, and Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, G is added to the matrix.
e, Sn, Pb, As, Sb, Bi of at least one selected from the group of 0.5 to 50 atom% and at least one layer of contact layer having a thickness of 0.1 μm or more Encapsulated contact material characterized by being covered with a coating layer (hereinafter referred to as contact material A); the surface of the contact base material is a matrix of at least one selected from the group of Mo, Zr, Nb, Hf, and W. And in the matrix,
Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, S
At least 1 which is made of a material containing 0.1 to 50 mol% of an oxide of at least one element selected from the group consisting of n, Pb, As, Sb and Bi, and has a thickness of 0.1 μm or more. Encapsulated contact material (hereinafter referred to as contact material B) characterized by being covered with a contact coating layer of a layer; and the surface of the contact base material is Mo, Zr, Nb, Hf, T.
a lower layer of at least one layer selected from the group consisting of a and W, and Zn, Cd, Hg, Al, Ga, I
n, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Bi and at least one layer of at least one layer selected from the group consisting of at least one layer, and the thickness of the lower layer and the upper layer are both Provided is an encapsulated contact material (hereinafter referred to as contact material C), which is coated with at least one contact coating layer having a thickness of 0.1 μm or more.
【0018】また、本発明においては、接点基材の表面
に前記接点材料AまたはBの接点被覆層を、前記接点基
材の温度を300〜900℃に管理して成膜することを
特徴とする封入接点材料の製造方法;および、接点基材
の表面に前記接点材料Cの接点被覆層を、前記下層を形
成するときの接点基材の温度を300〜600℃に管理
して成膜し、更に前記上層を接点基材の温度を50〜6
00℃に管理して成膜することを特徴とする封入接点材
料の製造方法;が提供される。Further, in the present invention, a contact coating layer of the contact material A or B is formed on the surface of the contact base material while controlling the temperature of the contact base material at 300 to 900 ° C. And a contact coating layer of the contact material C is formed on the surface of the contact base material while controlling the temperature of the contact base material when forming the lower layer at 300 to 600 ° C. The temperature of the contact base material is 50 to 6 as the upper layer.
A method for producing an encapsulated contact material, which comprises depositing a film while controlling the temperature at 00 ° C.
【0019】更に、本発明においては、封入接点材料を
不活性ガスとともに封入容器に封入したのち封入接点材
料を放電させることを特徴とする封入接点の製造方法;
および、封入接点材料が不活性ガスとともに密封容器に
封入して成る封入接点の使用に先立ち、または使用中
に、前記封入接点材料を放電させることを特徴とする封
入接点の使用方法;が提供される。Further, according to the present invention, a method of manufacturing an encapsulated contact, which comprises discharging the encapsulated contact material after encapsulating the encapsulated contact material in an enclosure with an inert gas;
And a method of using an encapsulated contact, wherein the encapsulated contact material is discharged prior to or during use of the encapsulated contact, which is encapsulated in an airtight container together with an inert gas. It
【0020】[0020]
【発明の実施の形態】まず、接点材料Aについて説明す
る。この接点材料Aでは、図1で示したように、接点基
材1の表面を被覆して後述する接点被覆層2Aが形成さ
れている。ここで、接点基材1の材料は格別限定される
ものではなく、従来から封入接点の基材材料として用い
られるものであれば何であってもよく、製造コストの低
減ということを考えると、例えば、Fe,Ni,Co,
Ni−Fe,Co−Fe−Nb,Co−Fe−V,Fe
−Ni−Ni−Al−Ti,Fe−Co−Ni,炭素
鋼,リン青銅,洋白,黄銅,ステンレス鋼,Cu−Ni
−Sn,Cu−Tiなどを用いることができる。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION First, the contact material A will be described. In this contact material A, as shown in FIG. 1, the surface of the contact base material 1 is coated to form a contact coating layer 2A described later. Here, the material of the contact base material 1 is not particularly limited, and may be any material conventionally used as a base material of an encapsulated contact, and considering the reduction of manufacturing cost, for example, , Fe, Ni, Co,
Ni-Fe, Co-Fe-Nb, Co-Fe-V, Fe
-Ni-Ni-Al-Ti, Fe-Co-Ni, carbon steel, phosphor bronze, nickel silver, brass, stainless steel, Cu-Ni
-Sn, Cu-Ti, etc. can be used.
【0021】接点被覆層2Aは、Mo,Zr,Nb,H
f,Ta,Wの群から選ばれる少なくとも1種、例え
ば、これら金属の単体や、Hf−Nb,Hf−Ta,H
f−Mo,Hf−Zr,Hf−W,Mo−Nb,Mo−
Ta,Mo−Zr,M−W,Nb−Ta,Nb−W,N
b−Zr,Ta−W,Ta−Zr,W−Zrのような合
金をマトリックス(以下、マトリックス金属という)と
し、このマトリックス金属の中に、Zn,Cd,Hg,
Al,Ga,In,Tl,Ge,Sn,Pb,As,S
b,Biの群から選ばれる少なくとも1種の元素が添加
元素として含有されている材料で構成されている。以
下、これら元素を添加元素という。The contact coating layer 2A is made of Mo, Zr, Nb, H.
At least one selected from the group consisting of f, Ta, and W, for example, simple substances of these metals, Hf-Nb, Hf-Ta, and H.
f-Mo, Hf-Zr, Hf-W, Mo-Nb, Mo-
Ta, Mo-Zr, MW, Nb-Ta, Nb-W, N
An alloy such as b-Zr, Ta-W, Ta-Zr, W-Zr is used as a matrix (hereinafter referred to as matrix metal), and Zn, Cd, Hg,
Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, S
It is composed of a material containing at least one element selected from the group of b and Bi as an additional element. Hereinafter, these elements are referred to as additive elements.
【0022】接点被覆層2Aのマトリックスを構成する
上記マトリックス金属は、いずれも、高融点でありかつ
高硬度であるため、当該接点被覆層の耐摩耗性を高める
働きをする。そして、このマトリックスに含有される上
記添加元素は、開閉動作時における接点被覆層の接触抵
抗を安定化し、耐摩耗性や耐酸化性の向上に貢献する。
このことは、必ずしも明確ではないが、以下の理由に基
づくものと考えられる。Each of the above-mentioned matrix metals forming the matrix of the contact coating layer 2A has a high melting point and a high hardness, and therefore serves to enhance the wear resistance of the contact coating layer. The additive element contained in this matrix stabilizes the contact resistance of the contact coating layer during the opening / closing operation, and contributes to the improvement of wear resistance and oxidation resistance.
Although this is not always clear, it is considered to be based on the following reasons.
【0023】すなわち、上記した添加元素は、マトリッ
クス金属に比べると低融点,低沸点であるので、例えば
封入接点の開閉動作に伴う電力負荷などにより、これら
添加元素はマトリックス内から接点被覆層2Aの表面に
向かって遊動し、接点被覆層2Aの表面に“しみ出し”
てきた前記添加元素が、接触抵抗の安定化やアーク特性
の安定化に寄与するものと考えられる。That is, since the above-mentioned additional elements have a low melting point and a low boiling point as compared with the matrix metal, these additional elements are added from the inside of the matrix to the contact coating layer 2A due to, for example, an electric power load accompanying the opening / closing operation of the enclosed contact. It floats toward the surface and "bleeds" on the surface of the contact coating layer 2A.
It is considered that the above-mentioned added elements contribute to stabilization of contact resistance and stabilization of arc characteristics.
【0024】また、接点被覆層の形成時や封入接点の製
造時に、大気中の酸素が接点被覆層の表面から内部に取
り込まれたとしても、取り込まれたこの酸素は、上記し
た添加元素によって例えば吸着されるものと考えられ
る。すなわち、酸素は添加元素によって捕捉され、その
ため、接点被覆層のマトリックス金属の酸化は抑制さ
れ、その表面には、絶縁性の酸化膜が形成されにくくな
るものと考えられる。Further, even when oxygen in the atmosphere is taken in from the surface of the contact coating layer during formation of the contact coating layer or manufacture of the encapsulated contact, the taken oxygen is, for example, due to the above-mentioned additive element. It is considered to be adsorbed. That is, it is considered that oxygen is trapped by the additional element, so that the oxidation of the matrix metal of the contact coating layer is suppressed and an insulating oxide film is less likely to be formed on the surface thereof.
【0025】したがって、接点被覆層の表面に酸化膜が
形成されている場合の接触抵抗の不安定化という問題は
起こりづらくなり、また前記したアーク特性が安定化す
ることによりロッキング現象の発生も少なくなり、その
結果、動作寿命特性の向上が実現するものと考えられ
る。このようなことからすると、接点被覆層2Aとして
は、上記添加元素の機能を有効に発揮させるために、当
該添加元素は、後述する接点被覆層の形成時にマトリッ
クス金属との間で金属間化合物を生成することなく、マ
トリックス金属内に単体として分散している状態にある
ことが好ましい。Therefore, the problem of destabilization of the contact resistance when an oxide film is formed on the surface of the contact coating layer is unlikely to occur, and the occurrence of the rocking phenomenon is reduced by stabilizing the arc characteristics described above. As a result, it is considered that the improvement of operating life characteristics is realized. From this point of view, in the contact coating layer 2A, in order to effectively exhibit the function of the additional element, the additional element forms an intermetallic compound with the matrix metal at the time of forming the contact coating layer described later. It is preferably in the state of being dispersed as a simple substance in the matrix metal without being generated.
【0026】このような接点被覆層2Aを構成するマト
リックス金属と添加元素との組み合わせとしては、例え
ば、Mo−Bi,Mo−Cd,Mo−Hg,Mo−I
n,Mo−Pb;Nb−Bi,Nb−Hg,Nb−P
b;Ta−Bi,Ta−Hg,W−Bi,W−Cd,W
−Ga,W−Hg,W−In,W−Pb,W−Sb,W
−Sn,W−Zn;などを好適な組み合わせとしてあげ
ることができる。Examples of the combination of the matrix metal and the additional element forming the contact coating layer 2A are Mo-Bi, Mo-Cd, Mo-Hg and Mo-I.
n, Mo-Pb; Nb-Bi, Nb-Hg, Nb-P
b; Ta-Bi, Ta-Hg, W-Bi, W-Cd, W
-Ga, W-Hg, W-In, W-Pb, W-Sb, W
-Sn, W-Zn; and the like can be mentioned as a suitable combination.
【0027】接点被覆層2Aにおける上記添加元素の含
有量は0.5〜50原子%に設定される。この含有量が0.
5原子%より少ない場合には、添加元素の前記した効果
が充分に発揮されず、開閉動作時における接触抵抗は不
安定化する傾向を示し、また50原子%より多く含有せ
しめると、その接点被覆層2Aの電気抵抗は高くなって
導電性の低下が引き起こされる。好ましい含有量は5〜
30原子%であり、とくに好ましくは10〜20原子%
である。The content of the additional element in the contact coating layer 2A is set to 0.5 to 50 atom%. This content is 0.
If it is less than 5 atom%, the above-mentioned effect of the additional element is not sufficiently exhibited, and the contact resistance tends to become unstable during opening and closing operation. The electric resistance of the layer 2A is increased, causing a decrease in conductivity. The preferred content is 5
30 atomic%, particularly preferably 10 to 20 atomic%.
Is.
【0028】また、この接点被覆層2Aの厚みは0.1μ
m以上に設定される。厚みが0.1μmより薄い場合に
は、接点被覆層の耐摩耗性が乏しくなり、封入接点とし
ての満足すべき動作寿命特性が得られなくなるからであ
る。そして、接点被覆層2Aの厚みの上限は、目的とす
る封入接点の使用条件や製造コストなどの観点から適宜
に決められるが、例えば後述する成膜法で成膜する場合
に、その厚みをあまり厚くすると、接点被覆層の表面は
粗面になりやすく、そのため、接触抵抗の増大を招きや
すくなり、また成膜コストの上昇を招く。そのようなこ
とから、接点被覆層2Aの厚みの上限は100μmにす
ることが好ましい。The contact coating layer 2A has a thickness of 0.1 μm.
It is set to m or more. This is because if the thickness is less than 0.1 μm, the contact coating layer has poor wear resistance, and satisfactory operating life characteristics as a sealed contact cannot be obtained. The upper limit of the thickness of the contact coating layer 2A is appropriately determined in view of the intended use condition of the encapsulated contact and the manufacturing cost. However, for example, when the film is formed by the film forming method described later, the thickness is not so much. When the thickness is increased, the surface of the contact coating layer is likely to be rough, which easily causes an increase in contact resistance and an increase in film formation cost. Therefore, the upper limit of the thickness of the contact coating layer 2A is preferably 100 μm.
【0029】この接点被覆層2Aでは、マトリックス金
属に上記添加元素が均一に含有されていてもよいし、ま
た厚み方向で添加元素の濃度勾配が形成されていてもよ
い。厚み方向で添加元素の濃度勾配を形成する場合に
は、接点被覆層2Aの表層側ほど添加元素が高濃度にな
るようにする。逆にいえば、接点基材側ほどマトリック
ス金属は高濃度になっているようにする。In the contact coating layer 2A, the above-mentioned additional element may be uniformly contained in the matrix metal, or a concentration gradient of the additional element may be formed in the thickness direction. When the concentration gradient of the additional element is formed in the thickness direction, the concentration of the additional element is made higher toward the surface layer side of the contact coating layer 2A. Conversely, the matrix metal should have a higher concentration on the contact base material side.
【0030】接点被覆層内にこのような態様の濃度勾配
を形成すると、まず、接点基材1の方には、高融点,高
硬度のマトリックス金属が多量に存在するので封入接点
材料としての強度特性は向上して接点被覆層の構造は確
保されやすくなる。そして、表層側には、前記した効果
を発揮する添加元素の濃度が高いので、例えば、接点被
覆層2Aが酸素と接触してそれを取り込んだとしても、
直ちに当該酸素を捕捉してマトリックス金属それ自体の
酸化と、その酸化反応が内部にまで進行することを抑制
することになり、もって接点被覆層の表面に酸化膜が形
成されにくくなって、開閉動作時における接触抵抗の安
定化が一層好適に実現するからである。When such a concentration gradient is formed in the contact coating layer, first, since a large amount of high melting point and high hardness matrix metal is present in the contact base material 1, the strength as an encapsulated contact material. The characteristics are improved and the structure of the contact coating layer is easily secured. Since the surface layer side has a high concentration of the additive element that exhibits the above-mentioned effect, even if the contact coating layer 2A comes into contact with oxygen and takes in it, for example,
Immediately captures the oxygen and suppresses the oxidation of the matrix metal itself and the progress of the oxidation reaction to the inside, which makes it difficult for an oxide film to be formed on the surface of the contact coating layer, and thus the opening / closing operation. This is because the contact resistance can be stabilized more preferably.
【0031】このような濃度勾配は直線的であってもよ
いが、後述する成膜法で形成することを考えると、段階
的な濃度勾配の方が形成しやすい。例えば、接点基材側
の接点被覆層の部分ではマトリックス金属は51〜10
0原子%(添加元素は0〜49原子%)にし、表層側の
部分では0〜49原子%(添加元素は51から100原
子%)にすればよい。Although such a concentration gradient may be linear, a stepwise concentration gradient is easier to form considering that it is formed by a film forming method described later. For example, the matrix metal is 51 to 10 in the contact coating layer on the contact base material side.
It may be 0 atomic% (additional element is 0 to 49 atomic%), and 0 to 49 atomic% (additive element is 51 to 100 atomic%) in the surface layer side portion.
【0032】なお、接点被覆層2Aに添加元素の上記し
たような濃度勾配を形成する場合でも、当該添加元素の
含有量は、平均値として、前記した0.5〜50原子%に
設定されなければならない。また、前記した組成を有す
る接点被覆層2Aに、更に、酸素を1〜40原子%含有
させると、メカニズムは明らかでないが、封入接点の開
閉動作時に、発生するアークの一様化,均一化が促進さ
れるので好適である。この場合、酸素の含有量が1原子
%より少なくなると上記した効果は乏しくなり、また4
0原子%より多くなると接点被覆層2Aの電気抵抗が高
くなり、導電性の低下が引き起こされるので好ましくな
い。Even when the above-mentioned concentration gradient of the additional element is formed in the contact coating layer 2A, the content of the additional element must be set to 0.5 to 50 atomic% as an average value. I have to. Further, when the contact coating layer 2A having the above-mentioned composition further contains oxygen in an amount of 1 to 40 atomic%, the mechanism is not clear, but the arcs generated during the opening / closing operation of the enclosed contact are made uniform and uniform. It is preferable because it is promoted. In this case, if the oxygen content is less than 1 atomic%, the above effect becomes poor, and
If it is more than 0 atom%, the electric resistance of the contact coating layer 2A becomes high, and the conductivity is lowered, which is not preferable.
【0033】この接点被覆層2Aは、1層であってもよ
いが、複数層を積層して成る積層構造にしてもよい。そ
の理由は、現在広く採用されている各種の成膜法の場
合、成膜された層内には不可避的にピンホールが発生し
てくるが、そのとき、層の厚みをある程度薄くした方が
層内における発生ピンホールの数が少なくなるからであ
る。すなわち、複数の薄い層を積層して接点被覆層2A
を形成すれば、全体のピンホールの数は減少し、接点特
性を向上させることができるからである。The contact coating layer 2A may be a single layer, but may have a laminated structure formed by laminating a plurality of layers. The reason for this is that in the case of various film-forming methods that are widely adopted at present, pinholes inevitably occur in the formed layer, but at that time, it is better to make the layer thinner to some extent. This is because the number of pinholes generated in the layer is reduced. That is, the contact coating layer 2A is formed by laminating a plurality of thin layers.
This is because, by forming the above, the total number of pinholes can be reduced and the contact characteristics can be improved.
【0034】この積層構造の接点被覆層の場合、互いに
重なり合う層は同じ材料であってもよく、また互いに異
なった材料であってもよい。後者の場合は、各層の特性
を相互補完的に機能させることも可能になるので好適で
ある。封入接点材料Aにおいては、接点基材1と接点被
覆層2Aの間に、両者の密着性を高めるために、中間層
を介在させてもよい。その中間層の材料としては、A
g,Al,Auまたはこれらの合金をあげることができ
る。これらは、導電性が良好でまた軟質であるという点
で好適である。In the case of the contact coating layer having this laminated structure, the layers overlapping each other may be made of the same material or different materials. In the latter case, the characteristics of each layer can be made to function in a mutually complementary manner, which is preferable. In the encapsulated contact material A, an intermediate layer may be interposed between the contact base material 1 and the contact coating layer 2A in order to enhance the adhesion therebetween. The material for the intermediate layer is A
Examples thereof include g, Al, Au, and alloys thereof. These are preferable in that they have good conductivity and are soft.
【0035】また、封入接点材料Aにおいて、接点被覆
層2Aの表面を導電性の金属または/および酸化物を主
成分とする材料で被覆して最外層を形成すると、得られ
る封入接点の初期接触抵抗のばらつきを小さくできるの
で好適である。このときの金属としては、例えば、R
u,Rh,Re,Pd,Os,Ir,Pt,Ag,Au
のいずれか1種や、例えば、Ag−Au,Ag−Pd,
Ag−Pt,Ag−Rh,Au−Pd,Au−Pt,A
u−Rh,Ir−Os,Ir−Pt,Ir−Ru,Os
−Pd,Os−Ru,Pd−Pt,Pd−Rh,Rd−
Ru,Pt−Rh,Re−Rh,Re−Ruなどの1種
または2種以上をあげることができる。また、酸化物と
しては、例えば、RuO2,Rh2O3,RhO2,ReO
3,OsO4,IrO2,Ir2O3,などの1種または2
種以上をあげることができる。In the encapsulated contact material A, when the outermost layer is formed by coating the surface of the contact coating layer 2A with a material having a conductive metal or / and an oxide as a main component, the initial contact of the encapsulated contact obtained. This is preferable because the variation in resistance can be reduced. As the metal at this time, for example, R
u, Rh, Re, Pd, Os, Ir, Pt, Ag, Au
Any one of, for example, Ag-Au, Ag-Pd,
Ag-Pt, Ag-Rh, Au-Pd, Au-Pt, A
u-Rh, Ir-Os, Ir-Pt, Ir-Ru, Os
-Pd, Os-Ru, Pd-Pt, Pd-Rh, Rd-
One or more of Ru, Pt-Rh, Re-Rh, Re-Ru and the like can be mentioned. Examples of the oxide include RuO 2 , Rh 2 O 3 , RhO 2 and ReO.
1 , OsO 4 , IrO 2 , Ir 2 O 3 , etc., or 2
You can give more than one seed.
【0036】この最上層の厚みは0.05μm以上にする
ことが好ましい。0.05μmより薄い場合には、上記し
た効果が充分に発揮されないからである。そして、厚み
の上限は格別限定されるものではないが、封入容器に封
入されたときの封入接点材料の相互間隔やサイズ、また
成膜コストの関係から適宜に設定すればよい。概ね、2
0μmを上限とする。The thickness of this uppermost layer is preferably 0.05 μm or more. This is because when the thickness is less than 0.05 μm, the above-mentioned effects are not sufficiently exhibited. The upper limit of the thickness is not particularly limited, but may be appropriately set in consideration of the mutual interval and size of the encapsulated contact material when encapsulated in the encapsulation container and the film formation cost. Roughly 2
The upper limit is 0 μm.
【0037】次に、本発明の接点材料Bについて説明す
る。この接点材料Bの場合には、図2で示したように、
接点被覆層2Bが、前記したマトリックス金属に、Z
n,Cd,Hg,Al,Ga,In,Tl,Ge,S
n,Pb,As,Sb,Biの群から選ばれる少なくと
も1種の元素の酸化物が含有されていることを除いて
は、前記した接点材料Aと変わることはない。Next, the contact material B of the present invention will be described. In the case of this contact material B, as shown in FIG.
The contact coating layer 2B is formed by adding Z to the matrix metal described above.
n, Cd, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, S
The contact material A is the same as the contact material A except that it contains an oxide of at least one element selected from the group consisting of n, Pb, As, Sb, and Bi.
【0038】この場合も、上記酸化物は、上記した各元
素が単体でマトリックス金属に分散している場合と同じ
ように、開閉動作時における接触抵抗を安定化し、接点
被覆層2Bの耐摩耗性,耐酸化性を高め、ロッキング現
象の発生を抑制し、もって動作寿命特性の向上に資す
る。この接点材料Bでは、酸化物の含有量は0.1〜50
モル%に設定される。0.1モル%より少ない場合は、接
触抵抗が不安定になり上記した効果が発揮されにくくな
り、また50モル%より多くなると、接点被覆層2Bの
電気抵抗が高くなって導電性の低下が引き起こされるか
らである。Also in this case, the oxide stabilizes the contact resistance during the opening and closing operation and wear resistance of the contact coating layer 2B, as in the case where the above elements are dispersed alone in the matrix metal. , It increases the oxidation resistance and suppresses the occurrence of rocking phenomenon, which contributes to the improvement of operating life characteristics. In this contact material B, the oxide content is 0.1 to 50.
Set to mol%. When it is less than 0.1 mol%, the contact resistance becomes unstable and the above-mentioned effect is difficult to be exhibited, and when it is more than 50 mol%, the electric resistance of the contact coating layer 2B becomes high and the conductivity is lowered. It is caused.
【0039】この接点被覆層2Bの厚みは、接点材料A
の場合と同じ理由で0.1μm以上に設定されることが必
要で、また厚みの上限は、同様の理由で100μmにす
ることが好ましい。更には、この接点被覆層2Bにも、
接点材料Aの場合と同じように、更に酸素を1〜40原
子%含有させると、接点の開閉動作時に、発生するアー
クの一様化,均一化が促進されるので、動作寿命特性が
向上して好適である。このときの酸素の含有量は、接点
材料Aの場合と同じ理由で上記範囲に設定することが好
ましい。The thickness of the contact coating layer 2B depends on the contact material A
For the same reason as above, it is necessary to set the thickness to 0.1 μm or more, and the upper limit of the thickness is preferably 100 μm for the same reason. Furthermore, in this contact coating layer 2B,
As in the case of the contact material A, if oxygen is further contained in an amount of 1 to 40 atomic%, the arc generated during the opening / closing operation of the contact is promoted to be uniform and uniform, so that the operating life characteristics are improved. Is suitable. The oxygen content at this time is preferably set in the above range for the same reason as in the case of the contact material A.
【0040】また、この接点被覆層2Bは、接点材料A
の場合を同じような理由により、複数層の積層構造であ
ってもよい。そして、接点材料Aの場合と同じように、
接点被覆層2Bと接点基材1の間に、前記したと同じよ
うな材料と厚みから成る中間層が介在していてもよく、
また接点被覆層2Bを被覆して前記したと同じような材
料と厚みから成る最上層が形成されていてもよい。The contact coating layer 2B is made of the contact material A.
For the same reason as above, a laminated structure of a plurality of layers may be used. Then, as in the case of the contact material A,
An intermediate layer having the same material and thickness as described above may be interposed between the contact coating layer 2B and the contact base material 1,
Further, the contact coating layer 2B may be coated to form an uppermost layer having the same material and thickness as those described above.
【0041】次に、本発明の接点材料Cについて説明す
る。この接点材料Cの場合、図3で示したように、接点
基材1の表面を被覆して形成される接点被覆層2Cは、
Mo,Zr,Nb,Hf,Ta,Wの群から選ばれる少
なくとも1種から成る下層2C1と、その上に積層され
ていて、Zn,Cd,Hg,Al,Ga,In,Ti,
Ge,Sn,Pb,As,Sb,Biの群から選ばれる
少なくとも1種から成る上層2C2とから成り、全体と
して積層構造になっている。Next, the contact material C of the present invention will be described. In the case of this contact material C, as shown in FIG. 3, the contact coating layer 2C formed by coating the surface of the contact base material 1 is
A lower layer 2C 1 composed of at least one selected from the group consisting of Mo, Zr, Nb, Hf, Ta and W, and Zn, Cd, Hg, Al, Ga, In, Ti,
The upper layer 2C 2 is made of at least one selected from the group consisting of Ge, Sn, Pb, As, Sb and Bi, and has a laminated structure as a whole.
【0042】そして、この接点被覆層2Cは、前記した
下層2C1と上層2C2との積層構造を基本単位とする1
層のみであってもよく、またこの基本単位の複数個が整
数倍だけ積層された構造になっていてもよい。この接点
被覆層2Cの場合、酸化しやすい金属から成る下層2C
1の表面は、前記したように酸素を捕捉する性質を有す
る元素から成る上層2C2で被覆されているので、大気
中でのハンドリング時や封入接点の製造時にこの接点被
覆層2Cが酸素と接触しても、当該上層2C2で酸素は
捕捉され、前記下層2C1の酸化は抑制され、もって開
閉動作時における接触抵抗のばらつきを誘発する酸化膜
の形成が抑制される。そのため、動作寿命特性は、前記
した接点材料Aの場合よりも向上する。The contact coating layer 2C has, as a basic unit, a laminated structure of the lower layer 2C 1 and the upper layer 2C 2 described above.
It may have only a layer, or may have a structure in which a plurality of the basic units are laminated by an integral multiple. In the case of this contact coating layer 2C, the lower layer 2C made of a metal that is easily oxidized
Since the surface of 1 is covered with the upper layer 2C 2 made of an element having a property of trapping oxygen as described above, the contact coating layer 2C comes into contact with oxygen at the time of handling in the air or at the time of manufacturing a sealed contact. Even so, oxygen is trapped in the upper layer 2C 2 and oxidation of the lower layer 2C 1 is suppressed, and thus formation of an oxide film that induces variation in contact resistance during opening / closing operation is suppressed. Therefore, the operating life characteristics are improved as compared with the case of the contact material A described above.
【0043】ここで、下層2C1,上層2C2はそれぞれ
がいずれも1層構造であってもよいが、前記したよう
に、それぞれは、各層におけるピンホールの発生が少な
くなるということから、複数の薄層を積層して成る積層
構造になっていてもよい。その場合、下層2C1,上層
2C2における各薄層は同じ材料で形成されてもよい
し、また異なった材料で形成されていてもよい。後者の
場合には、各薄層の特性を相互補完的に機能させること
もできるので好適である。Here, each of the lower layer 2C 1 and the upper layer 2C 2 may have a single-layer structure. However, as described above, each of them has a plurality of pinholes because the occurrence of pinholes is reduced. It may have a laminated structure formed by laminating thin layers. In that case, each thin layer in the lower layer 2C 1 and the upper layer 2C 2 may be formed of the same material or different materials. In the latter case, the characteristics of each thin layer can be made to function complementarily to each other, which is preferable.
【0044】下層2C1,上層2C2の厚みは、いずれ
も、0.1μm以上に設定される。その理由は、接点材料
A,Bの接点被覆層2A,2Bの厚みに関して説明した
ときの理由と同じ理由に基づく。また、接点材料A,B
の場合と同じように、接点基材1と下層2C1との間に
同じような中間層を介在させてもよく、更には、上層2
C2の表面に同じような最上層を形成してもよい。The thickness of each of the lower layer 2C 1 and the upper layer 2C 2 is set to 0.1 μm or more. The reason is based on the same reason as the reason explained about the thickness of the contact coating layers 2A and 2B of the contact materials A and B. In addition, contact materials A and B
In the same manner as in the above case, a similar intermediate layer may be interposed between the contact base material 1 and the lower layer 2C 1, and further, the upper layer 2
A similar top layer may be formed on the surface of C 2 .
【0045】このように、本発明の封入接点材料A,
B,Cは、前記した添加元素やその酸化物の働きによっ
て接点被覆層表面の酸化は抑制され、もって、接触抵抗
は小さく、またそのばらつきも小さくなり、封入接点の
動作寿命特性は向上する。また、封入接点では従来有効
に使用されることのなかったW,Zr,Nb,Ta,M
oなどを使用することができ、高価なRh,Ruなどの
使用量を少なくすることができるので安価な封入接点材
料になる。Thus, the encapsulated contact material A of the present invention,
Oxidation of the surface of the contact coating layer of B and C is suppressed by the action of the above-mentioned additional elements and oxides thereof, so that the contact resistance is small and the variation thereof is small, and the operating life characteristics of the encapsulated contact are improved. In addition, W, Zr, Nb, Ta, and M, which have not been used effectively in the conventional encapsulated contacts,
Since, for example, o can be used and the amount of expensive Rh, Ru, etc. used can be reduced, an inexpensive encapsulated contact material can be obtained.
【0046】次に各接点材料A,B,Cの製造方法につ
いて説明する。これらの接点材料A,B,Cはいずれ
も、常用の成膜法により接点基材の表面に前記した各接
点被覆層2A,2B,2Cを形成することによって製造
することができる。すなわち、まず、例えばAr,N
e,Krのような希ガスのイオンを用いたイオンボンバ
ードや電子シャワーによって接点基材の表面洗浄を行
い、ついで、例えば、スパッタリング法,イオンアシス
ト蒸着法,イオンプレーティング法,プラズマCVD法
のような常用の物理蒸着法や化学蒸着法により、洗浄さ
れた接点基材表面に所定の接点被覆層を形成する。Next, a method of manufacturing each contact material A, B, C will be described. Any of these contact materials A, B, C can be manufactured by forming the above-mentioned contact coating layers 2A, 2B, 2C on the surface of the contact base material by a conventional film forming method. That is, first, for example, Ar, N
The surface of the contact base material is cleaned by ion bombardment or electron shower using rare gas ions such as e and Kr, and then, for example, sputtering method, ion assisted vapor deposition method, ion plating method, plasma CVD method, etc. A predetermined contact coating layer is formed on the cleaned surface of the contact base material by a conventional physical vapor deposition method or chemical vapor deposition method.
【0047】この接点被覆層の成膜時に重要な問題は、
接点基材の温度、より厳密にいえば、接点基材の表面温
度を適切に管理することである。一般に、接点基材の表
面温度が低すぎると、そこに成膜される接点被覆層の結
晶化が不充分であったりまた多孔質の柱状組織になった
りして、当該接点被覆層の耐蝕性は低下し、また構成成
分の拡散などが起こってしまう。逆に表面温度が高すぎ
ると、成膜された接点被覆層は粗い柱状組織になり、そ
の表面粗さが大きくなって、接触抵抗の増加,不安定化
をもたらすことになる。このようなことから本発明にお
いては、接点基材の表面に接点被覆層を形成するとき、
接点基材の温度を300〜900℃に管理する。好まし
くは400〜800℃、より好ましくは300〜600
℃である。An important problem in forming this contact coating layer is
To properly control the temperature of the contact base material, more strictly speaking, the surface temperature of the contact base material. Generally, if the surface temperature of the contact base material is too low, the crystallization of the contact coating layer formed on the contact base material will be insufficient, or a porous columnar structure will be formed, resulting in corrosion resistance of the contact coating layer. Will decrease, and diffusion of constituents will occur. On the contrary, when the surface temperature is too high, the formed contact coating layer has a rough columnar structure, and the surface roughness is increased, which causes increase in contact resistance and destabilization. From the above, in the present invention, when the contact coating layer is formed on the surface of the contact base material,
The temperature of the contact base material is controlled at 300 to 900 ° C. Preferably 400-800 ° C, more preferably 300-600
° C.
【0048】ところで、本発明においては、接点被覆層
2A,2B,2Cを構成する成分のうち、Mo,Zr,
Nb,Hf,Ta,Wまたはそれらの合金などはいずれ
も高融点,高沸点であり、他方、Zn,Cd,Hg,A
l,Ga,In,Tl,Ge,Sn,Pb,As,S
b,Biなどの添加元素は、比較的、融点,沸点が低
い。By the way, in the present invention, among the components constituting the contact coating layers 2A, 2B and 2C, Mo, Zr,
Nb, Hf, Ta, W or alloys thereof all have high melting points and high boiling points, while Zn, Cd, Hg, A
1, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, S
Additive elements such as b and Bi have relatively low melting points and boiling points.
【0049】そのため、接点基材の表面に上記成分から
成るある組成または積層構造の接点被覆層を形成したと
きに、接点基材の温度によっては、比較的低融点,低沸
点の上記添加元素の再蒸発が起こることもある。そのよ
うな事態が起こると、接点被覆層の組成は変動してしま
い、製造する接点被覆材料に目的の特性を安定した状態
で付与することができなくなる。Therefore, when a contact coating layer having a composition or a laminated structure composed of the above components is formed on the surface of the contact base material, depending on the temperature of the contact base material, the addition element having a relatively low melting point and a low boiling point may be added. Re-evaporation may occur. When such a situation occurs, the composition of the contact coating layer changes, and it becomes impossible to impart desired characteristics to the contact coating material to be manufactured in a stable state.
【0050】そこで、本発明においては、接点被覆層2
A,2B,2Cの形成に際し、接点基材の温度を次のよ
うに管理する。まず、接点材料A,Bを製造するときに
は、接点基材の温度は300〜900℃に管理される。
温度が300℃より低くなると、前記したように、接点
被覆層2A,2Bは結晶化が不充分であったり、多孔質
の柱状組織になったりし、また600℃より高くする
と、添加元素の再蒸発が起こりやすくなって接点被覆層
2A,2Bの組成が変動するようになり、安定した品質
の封入接点材料の製造に難点が生ずるからである。好ま
しくは400〜800℃、とくに好ましくは300〜6
00℃に管理する。Therefore, in the present invention, the contact coating layer 2
When forming A, 2B, and 2C, the temperature of the contact base material is controlled as follows. First, when manufacturing the contact materials A and B, the temperature of the contact base material is controlled to 300 to 900 ° C.
When the temperature is lower than 300 ° C, as described above, the contact coating layers 2A and 2B are insufficiently crystallized or have a porous columnar structure. This is because evaporation easily occurs and the composition of the contact coating layers 2A and 2B fluctuates, which causes a difficulty in manufacturing a stable quality encapsulated contact material. Preferably 400 to 800 ° C., particularly preferably 300 to 6
Control at 00 ° C.
【0051】なお、この接点材料A,Bにおいて、接点
被覆層2A,2Bに酸素を1〜40原子%含有させたい
場合には、上記した成膜時に、反応系の雰囲気中の酸素
分圧を適当に制御した状態で接点被覆層2A,2Bを形
成すればよい。また、接点被覆層2A,2Bを形成した
のち、例えば大気のような含酸素雰囲気中で加熱しても
よい。When it is desired to make the contact coating layers 2A and 2B contain 1 to 40 atomic% of oxygen in the contact materials A and B, the oxygen partial pressure in the atmosphere of the reaction system is set at the time of the above film formation. The contact coating layers 2A and 2B may be formed in an appropriately controlled state. After forming the contact coating layers 2A and 2B, heating may be performed in an oxygen-containing atmosphere such as air.
【0052】後者の場合でも、接点被覆層2A,2Bの
表面には電気絶縁性の酸化膜は過剰に形成されない。こ
れは、酸素の多くは添加元素によって捕捉され、残余の
酸素が接点被覆層の内部にまで拡散していくためであろ
うと考えられる。この加熱処理時の雰囲気や温度などは
適宜に設定すればよく、例えば大気中では、温度100
〜400℃で5〜36時間程度の加熱処理を行えばよ
い。温度を400℃より高くすると酸化が過度に進行し
やすくなり、また100℃より低くすると処理時間が長
くなって工業的には不利であるからである。Even in the latter case, the electrically insulating oxide film is not excessively formed on the surfaces of the contact coating layers 2A and 2B. It is considered that this is because most of the oxygen is captured by the additional element and the residual oxygen diffuses into the inside of the contact coating layer. The atmosphere and temperature during this heat treatment may be set appropriately. For example, in the atmosphere, the temperature is 100
The heat treatment may be performed at about 400 ° C. for about 5 to 36 hours. This is because if the temperature is higher than 400 ° C., the oxidation tends to proceed excessively, and if it is lower than 100 ° C., the treatment time becomes long and it is industrially disadvantageous.
【0053】また、前記した中間層や最上層は、接点被
覆法の形成に適用する常用の上記成膜法によって形成す
ることができる。次に、接点材料Cの接点被覆層2Cを
形成する場合には、まず、接点基材の温度を300〜9
00℃に管理した状態でその表面に下層2C1を形成す
る。このときの温度が300℃より低くなると、下層2
C1は結晶化が不充分であったり、また多孔質の柱状組
織になったりして耐食性が低下し、更には、構成成分の
拡散などが起こったりしてしまい、逆に900℃より高
くなると、粗い柱状組織になり、その表面粗さが大きく
なって、接触抵抗の増加や不安定化をもたらすようにな
るからである。The above-mentioned intermediate layer and uppermost layer can be formed by the above-mentioned film forming method which is commonly used for forming a contact coating method. Next, when forming the contact coating layer 2C of the contact material C, first, the temperature of the contact base material is set to 300 to 9 ° C.
The lower layer 2C 1 is formed on the surface of the surface under the control of 00 ° C. When the temperature at this time becomes lower than 300 ° C, the lower layer 2
If C 1 has insufficient crystallization, or has a porous columnar structure, the corrosion resistance is deteriorated, and further, diffusion of constituent components may occur. The reason is that a coarse columnar structure is formed and the surface roughness is increased, which causes an increase in contact resistance and destabilization.
【0054】ついで、この下層2C1の上に上層2C2を
形成するときには、接点基材の温度、すなわち、接点基
材とその上に形成されている下層2C1の全体の温度は
50〜500℃に管理される。この温度が50℃より低
くなると、下層2C1との密着性が極端に悪くなって上
層2C2の膜はがれを生ずるようになり、逆に500℃
より高くなると、形成された上層2C2の再蒸発が起こ
り始めるからである。Next, when forming the upper layer 2C 2 on the lower layer 2C 1 , the temperature of the contact base material, that is, the total temperature of the contact base material and the lower layer 2C 1 formed thereon is 50 to 500. Controlled to ℃. When this temperature is lower than 50 ° C., the adhesiveness with the lower layer 2C 1 becomes extremely poor and peeling of the upper layer 2C 2 film occurs, and conversely 500 ° C.
This is because if it becomes higher, re-evaporation of the formed upper layer 2C 2 begins to occur.
【0055】次に、本発明の封入接点の製造方法と使用
方法について説明する。この方法は、封入接点材料が前
記した本発明の接点材料A,B,Cである場合にも適用
できるが、とくに、接点被覆層が酸化しやすい材料で構
成されている接点材料に適用して有効である。まず、製
造方法について説明する。Next, a method of manufacturing and using the encapsulated contact of the present invention will be described. This method can be applied to the case where the encapsulated contact material is the contact material A, B or C of the present invention described above, but is particularly applied to a contact material whose contact coating layer is made of a material which is easily oxidized. It is valid. First, the manufacturing method will be described.
【0056】所定の封入接点材料を常法により封入容器
の中に不活性ガスと一緒に密封して封入接点にしたの
ち、当該封入接点材料を放電させる。この放電方法は格
別限定されるものではないが、封入接点材料の両極に2
00〜3000Vの電圧を印加して1〜100秒間放電
させることが好ましい。このような処置を施すと、開閉
動作時における接触抵抗の増加とそのばらつきが抑制さ
れて動作寿命特性の向上が認められ、またこの封入接点
の開閉動作を無負荷状態で行っても、接触抵抗の劣化が
起こりにくくなる。A predetermined sealed contact material is sealed in a sealed container together with an inert gas into a sealed contact by a conventional method, and then the sealed contact material is discharged. This discharge method is not particularly limited, but it can be applied to both electrodes of the enclosed contact material.
It is preferable to apply a voltage of 00 to 3000 V and discharge for 1 to 100 seconds. If such measures are taken, an increase in contact resistance during opening / closing operation and its variation are suppressed, and an improvement in operating life characteristics is recognized.Also, even if this enclosed contact is opened / closed, no contact resistance is applied. Is less likely to deteriorate.
【0057】上記した現象の根拠は明確ではないが、封
入接点の製造時に接点被覆層の表面に形成されている酸
化膜を構成する酸化物の微粒子が、開閉動作が進行する
過程で、接点材料相互の実際の接触部に集中していく現
象が抑制されたり、また、放電に伴う発生高熱によって
酸化物微粒子が蒸発して接点被膜層の酸化膜の除去が進
むからであると考えられる。Although the grounds for the above-mentioned phenomenon are not clear, the fine particles of the oxide forming the oxide film formed on the surface of the contact coating layer at the time of manufacturing the encapsulated contact cause the contact material to contact with the contact material during the process of opening and closing. It is considered that this is because the phenomenon in which they concentrate at the actual contact portions of each other is suppressed, or the oxide fine particles are evaporated by the high heat generated by the discharge and the oxide film of the contact coating layer is removed.
【0058】次に、本発明の封入接点の使用方法を説明
する。この方法では、製造した封入接点を使用するに先
立ち、前記した場合と同じようにして、封入接点材料を
放電させる。このような処置を施すことにより、仮に封
入接点材料の接点被覆層に酸化膜が形成されていたとし
ても、前記したと同じ理由でこの酸化膜による動作寿命
特性への悪影響は除去されることになる。Next, a method of using the encapsulated contact of the present invention will be described. In this method, the encapsulated contact material is discharged in the same manner as described above before using the manufactured encapsulated contact. By performing such a treatment, even if an oxide film is formed on the contact coating layer of the encapsulated contact material, the adverse effect of the oxide film on the operating life characteristics is eliminated for the same reason as described above. Become.
【0059】また、一旦、使用した後の封入接点に対し
ても、その使用の途中で、上記した放電処理を行えば、
同様の理由で動作寿命特性の向上を実現することができ
ることはいうまでもない。このように、封入接点に関
し、前記した製造方法や使用方法を適用すれば、封入さ
れる封入接点材料の接点被覆層に酸化膜が形成されてい
る場合であっても、それを除去することにより、当該封
入接点に優れた動作寿命特性を発揮させることができ
る。Further, if the above-mentioned discharge treatment is carried out in the middle of the use even for the enclosed contact after being used,
It goes without saying that the improvement of the operating life characteristics can be realized for the same reason. As described above, by applying the above-described manufacturing method and usage method to the encapsulated contact, even if an oxide film is formed on the contact coating layer of the encapsulated contact material to be encapsulated, it is possible to remove the oxide film. It is possible to exhibit excellent operating life characteristics of the enclosed contact.
【0060】[0060]
実施例1〜16,比較例1〜5 次のようにして図1で示した接点材料Aを製造した。ま
ず、52%Ni−Fe合金から成り、縦1mm,横1mmの
板をリードピンの接点基材として用意した。この接点基
材の表面を、アセトンを用いて5分間超音波洗浄し、更
にリン酸電解研磨して表面洗浄を行った。Examples 1 to 16 and Comparative Examples 1 to 5 The contact material A shown in FIG. 1 was manufactured as follows. First, a plate made of 52% Ni-Fe alloy and having a length of 1 mm and a width of 1 mm was prepared as a contact base material for a lead pin. The surface of this contact base material was ultrasonically cleaned with acetone for 5 minutes, and further phosphoric acid electrolytic polishing was performed to clean the surface.
【0061】ついで、接点基材を真空蒸着装置のチャン
バの中にセットし、チャンバ内を2×10-4Pa以下まで
真空排気したのち、真空ポンプのバルブを半開状態にし
て排気コンダクタンスを小さくし、チャンバ内が1×1
0-1PaになるまでArガスを導入した。その後、接点基
材に−400Vの電圧を印加し、チャンバ内の高周波ア
ンテナから0.2kWの高周波を発生させ、Arイオンでイ
オンボンバード処理を行って表面を洗浄した。Then, the contact base material was set in the chamber of the vacuum vapor deposition apparatus, the chamber was evacuated to 2 × 10 -4 Pa or less, and then the valve of the vacuum pump was half-opened to reduce the exhaust conductance. , 1 × 1 in the chamber
Ar gas was introduced until it reached 0 −1 Pa. Then, a voltage of −400 V was applied to the contact base material, a high frequency of 0.2 kW was generated from a high frequency antenna in the chamber, and ion bombardment treatment was performed with Ar ions to clean the surface.
【0062】接点基材1を表1に示した温度に保持し、
チャンバ内にセットした電子ビーム蒸発源から表1で示
した各元素をそれぞれ蒸発させ、堆積速度20Å/sec
で表1に示した組成と厚みを有する接点被覆層2Aを成
膜した。得られた各接点材料につき、下記の仕様で特性
を調べた。 接触抵抗:製造直後の接点材料と、温度430℃のN2
雰囲気中に30分間放置したのちに室温まで冷却した接
点材料とにつき、その広さ1mm×1mmの部分に純Au製
のプローブを接触荷重0.1Nで接触させ、そのときの接
触抵抗(mΩ)を4端子法で測定。測定は、室温下,大
気中で行った。The contact base material 1 was maintained at the temperatures shown in Table 1,
Each element shown in Table 1 was evaporated from the electron beam evaporation source set in the chamber, and the deposition rate was 20Å / sec.
A contact coating layer 2A having the composition and thickness shown in Table 1 was formed. The characteristics of each obtained contact material were examined according to the following specifications. Contact resistance: Contact material immediately after production and N 2 at a temperature of 430 ° C.
After leaving it in the atmosphere for 30 minutes and then cooling it to room temperature, contact the probe made of pure Au with a contact load of 0.1 N to the area of 1 mm x 1 mm, and contact resistance (mΩ) at that time. Is measured by the 4-terminal method. The measurement was performed in the air at room temperature.
【0063】寿命試験:一対の各接点材料を用いてN2
を封入ガスとするリードスイッチを製造した。室温下
で、このリードスイッチに100V,0.5Aの電流を流
しながら40AT(ampare turn)の駆動磁界により1
0Hzで開閉動作を行い、障害発生までの開閉動作の回数
を調べた。 なお、障害発生の時点とは、開閉不良が現れた時点、ま
たはリードスイッチの両極間の抵抗値が1Ω以上になっ
た時点をいう。Life test: N 2 using a pair of contact materials
A reed switch with a sealed gas of was produced. At room temperature, a current of 100V, 0.5A is applied to this reed switch, and the drive magnetic field of 40AT (ampare turn) causes 1
The opening / closing operation was performed at 0 Hz, and the number of opening / closing operations up to the occurrence of a failure was examined. In addition, the time of occurrence of a failure means a time when a failure in opening and closing appears or a time when the resistance value between both electrodes of the reed switch becomes 1Ω or more.
【0064】以上の結果を一括して表1に示した。The above results are collectively shown in Table 1.
【0065】[0065]
【表1】 [Table 1]
【0066】また、実施例2の接点材料を組み込んだリ
ードスイッチと比較例1の接点材料を組み込んだリード
スイッチとにつき、開閉動作の回数と両極間の抵抗値と
の関係を調べた。その結果を図4に示す。参考のため
に、接点被覆層をRhで構成した接点材料を組み込んだ
リードスイッチについても、開閉動作の回数と両極間の
抵抗値との関係を図4に示した。For the reed switch incorporating the contact material of Example 2 and the reed switch incorporating the contact material of Comparative Example 1, the relationship between the number of opening / closing operations and the resistance value between both electrodes was examined. FIG. 4 shows the results. For reference, the relationship between the number of opening / closing operations and the resistance value between both electrodes of a reed switch incorporating a contact material having a contact coating layer made of Rh is also shown in FIG.
【0067】図4中、△印(および▲印)は実施例2の
材料を組み込んだリードスイッチ,○印(および●印)
は比較例1の材料を組み込んだリードスイッチ,□印
(および■印)は参考例の材料を組み込んだリードスイ
ッチの場合をそれぞれ表す。黒塗りの▲印,●印,■印
は、それぞれ開閉不良が現れた時点を示す。表1で示し
た結果から明らかなように、本発明の接点材料は、いず
れも、添加元素を含有しない接点被覆層を有する接点材
料(比較例1,2)に比べて、製造直後および加熱処理
後のいずれの場合であっても、接触抵抗は小さく、動作
寿命特性ははるかに向上している。In FIG. 4, the Δ mark (and ▲ mark) is a reed switch incorporating the material of Example 2, and the ○ mark (and ● mark).
Indicates the case of a reed switch incorporating the material of Comparative Example 1, and the square marks (and ■) indicate the case of the reed switch incorporating the material of the reference example. The black ▲ mark, ● mark, and ■ mark indicate the time points when the opening / closing failure appears. As is clear from the results shown in Table 1, the contact materials of the present invention were both immediately after production and heat treatment, as compared with the contact materials having the contact coating layer containing no additional element (Comparative Examples 1 and 2). In any of the latter cases, the contact resistance is small and the operating life characteristics are much improved.
【0068】添加元素を含有させた場合であっても、そ
の含有量が1原子%より少なくなり、また50原子%よ
り多くなると(比較例3,4)、いずれの場合でも、接
触抵抗は高く動作寿命は短くなっている。このようなこ
とから、添加元素の含有量は1〜50原子%にすべきで
ある。更に、接点被覆層の厚みが0.01μmになると、
動作寿命は極端に短くなっている。したがって、接点被
覆層の厚みは0.1μm以上にすべきである。Even when the additive element is contained, if the content is less than 1 atom% and more than 50 atom% (Comparative Examples 3 and 4), the contact resistance is high in all cases. The operating life is short. Therefore, the content of the additional element should be 1 to 50 atomic%. Furthermore, when the thickness of the contact coating layer is 0.01 μm,
The operating life is extremely short. Therefore, the thickness of the contact coating layer should be 0.1 μm or more.
【0069】また、図4から明らかなように、本発明の
接点材料(実施例2)を組み込んだリードスイッチの抵
抗値は、比較例1の接点材料や参考例の接点材料を組み
込んだリードスイッチの両極間の抵抗値に比べて、ばら
つきが小さく安定している。すなわち、本発明の接点材
料は、接触安定した材料である。また参考例(Rh被
覆)に比べ動作寿命が格段に長いものになっている。As is apparent from FIG. 4, the resistance value of the reed switch incorporating the contact material of the present invention (Example 2) is the same as that of the contact material of Comparative Example 1 or the reference material of Reference Example. Compared with the resistance value between the two electrodes, the variation is small and stable. That is, the contact material of the present invention is a contact-stable material. In addition, the operating life is significantly longer than that of the reference example (Rh coating).
【0070】実施例17〜24,比較例6,7 接点基材の温度を700℃に保持し、チャンバ内の酸素
分圧を調整して、堆積速度20Å/secで表2に示した
組成と厚みの接点被覆層を接点基材に成膜した。得られ
た各接点材料につき、実施例1〜16の場合と同じよう
にして接触抵抗と動作寿命特性を測定した。以上の結果
を一括して表2に示した。Examples 17 to 24, Comparative Examples 6 and 7 The temperature of the contact base material was maintained at 700 ° C., the oxygen partial pressure in the chamber was adjusted, and the composition shown in Table 2 was obtained at a deposition rate of 20 Å / sec. A thick contact coating layer was deposited on the contact substrate. For each contact material obtained, contact resistance and operating life characteristics were measured in the same manner as in Examples 1-16. The above results are collectively shown in Table 2.
【0071】[0071]
【表2】 [Table 2]
【0072】表中、実施例17,18,19,比較例
6,7の接点被覆層は、いずれも、表1で示した実施例
2の接点被覆層に酸素を含有させたものである。そし
て、実施例2とこれらとを比べると明らかなように、接
点被覆層に酸素を含有させると、接触抵抗は若干高くな
るが、動作寿命特性は一層向上していることがわかる。
しかし、酸素の含有量が40原子%より多くなると、接
触抵抗は高くなり、同時に動作寿命特性も低下している
(比較例7)。また、比較例6は実施例2と略同等の特
性を示している。このことは、酸素の含有量が1原子%
未満では酸素を含有させる効果に乏しいことを示してい
る。In the table, the contact coating layers of Examples 17, 18, and 19 and Comparative Examples 6 and 7 are all obtained by adding oxygen to the contact coating layer of Example 2 shown in Table 1. As is clear from comparison between Example 2 and these, it can be seen that when the contact coating layer contains oxygen, the contact resistance is slightly increased, but the operating life characteristics are further improved.
However, when the oxygen content is more than 40 atom%, the contact resistance becomes high and at the same time, the operating life characteristics also deteriorate (Comparative Example 7). In addition, Comparative Example 6 exhibits substantially the same characteristics as Example 2. This means that the oxygen content is 1 atomic%
When the amount is less than the above, the effect of containing oxygen is poor.
【0073】実施例25〜40,比較例8〜10 表3で示した組成と厚みを有する接点被覆層を成膜し、
ついで、接点基材の温度を300℃にまで降温してその
温度を保持した状態で電子ビーム蒸発源から表示の元素
を蒸発させ、接点被覆層の上に表示の厚みの金属層を最
上層として形成した。Examples 25 to 40, Comparative Examples 8 to 10 A contact coating layer having the composition and thickness shown in Table 3 was formed,
Next, the temperature of the contact base material is lowered to 300 ° C., and the indicated element is evaporated from the electron beam evaporation source while maintaining the temperature, and the metal layer of the indicated thickness is used as the uppermost layer on the contact coating layer. Formed.
【0074】得られた各接点材料につき、実施例1〜1
6と同じようにして接触抵抗と動作寿命を測定した。以
上の結果を一括して表3に示した。For each of the obtained contact materials, Examples 1 to 1
The contact resistance and operating life were measured in the same manner as in 6. The above results are collectively shown in Table 3.
【0075】[0075]
【表3】 [Table 3]
【0076】表中、実施例25〜30,比較例8の接点
被覆層は、表1で示した実施例2の接点被覆層の表面に
最外層を形成したものに相当している。これらを比べる
と明らかなように、更に最外層を形成すると、動作寿命
は実施例2の場合よりも一層延びている。しかし、その
厚みが薄くなると(比較例8〜10)、動作寿命の向上
効果は期待できず、最上層の厚みは0.05μm以上にす
ることが好ましいことがわかる。In the table, the contact coating layers of Examples 25 to 30 and Comparative Example 8 correspond to the contact coating layer of Example 2 shown in Table 1 in which the outermost layer is formed. As is clear from comparing these, when the outermost layer is further formed, the operating life is further extended as compared with the case of the second embodiment. However, when the thickness becomes thin (Comparative Examples 8 to 10), the effect of improving the operating life cannot be expected, and it is understood that the thickness of the uppermost layer is preferably 0.05 μm or more.
【0077】実施例41〜52,比較例11,12 実施例1〜16で用いた接点基材を真空蒸着装置のチャ
ンバにセットし、チャンバ内を0.66PaのAr雰囲気に
し、接点基材の温度を400℃に保持した状態で、0.5
kWの直流マグネトロンスパッタ法によって表4に示した
組成と厚みを有する接点被覆層を成膜した。Examples 41 to 52, Comparative Examples 11 and 12 The contact base materials used in Examples 1 to 16 were set in a chamber of a vacuum vapor deposition apparatus, and the inside of the chamber was set to an Ar atmosphere of 0.66 Pa. With the temperature maintained at 400 ° C, 0.5
A contact coating layer having the composition and thickness shown in Table 4 was formed by a kW DC magnetron sputtering method.
【0078】ついで、チャンバ内に酸素を導入し、かつ
そのときの酸素分圧を調整し、またターゲットを変え
て、前記接点被覆層の上に表示の組成と厚みを有する金
属酸化物層を最上層として成膜した。得られた各接点材
料につき、実施例1〜16と同じようにして接触抵抗と
動作寿命特性を測定した。以上の結果を一括して表4に
示した。Then, oxygen is introduced into the chamber, the oxygen partial pressure at that time is adjusted, and the target is changed to form a metal oxide layer having the composition and thickness shown on the contact coating layer. It was formed as an upper layer. The contact resistance and operating life characteristics of each of the obtained contact materials were measured in the same manner as in Examples 1 to 16. The above results are collectively shown in Table 4.
【0079】[0079]
【表4】 [Table 4]
【0080】表4および表1で示した結果を比較すると
明らかなように、接点被覆層の表面に金属酸化物層であ
る最外層を形成しても、動作寿命は延びている。しか
し、その最外層の厚みが0.01μmと薄い比較例11,
12の場合は、上記した効果はあまり顕著に現れていな
い。 実施例53〜56,比較例13,14 実施例2の接点材料を、大気中で表5に示した温度で表
示の時間加熱して表面酸化を行った。得られた加熱処理
品につき、実施例1〜16の場合と同じようにして接触
抵抗と動作寿命特性を測定した。以上の結果を一括して
表5に示した。As is clear from the comparison of the results shown in Tables 4 and 1, even when the outermost layer, which is a metal oxide layer, is formed on the surface of the contact coating layer, the operating life is extended. However, Comparative Example 11, in which the thickness of the outermost layer is as thin as 0.01 μm,
In the case of 12, the above effect is not so remarkable. Examples 53 to 56, Comparative Examples 13 and 14 The contact material of Example 2 was heated in the atmosphere at the temperature shown in Table 5 for the time indicated to perform surface oxidation. The contact resistance and operating life characteristics of the obtained heat-treated product were measured in the same manner as in Examples 1 to 16. The above results are collectively shown in Table 5.
【0081】[0081]
【表5】 [Table 5]
【0082】表5で示した結果から明らかなように、大
気中で接点被覆層に酸化処理を行っても、実施例41〜
52の場合と同じように動作寿命特性は向上している。
その場合、酸化温度が70℃と低い比較例13は、特性
的には実施例2と同等であり、酸化処理を施した効果が
現れていない。一方、酸化温度が500℃と高すぎる比
較例14の場合は、接触抵抗が高くなり過ぎるうえ、動
作寿命も短くなっている。このようなことから大気中で
の酸化処理時の温度は100〜400℃にすることが好
ましい。As is clear from the results shown in Table 5, even if the contact coating layer was oxidized in the atmosphere, the results of Examples 41 to
Similar to the case of No. 52, the operating life characteristics are improved.
In that case, Comparative Example 13, whose oxidation temperature is as low as 70 ° C., is characteristically equivalent to Example 2, and the effect of the oxidation treatment is not exhibited. On the other hand, in the case of Comparative Example 14 in which the oxidation temperature is too high at 500 ° C., the contact resistance becomes too high and the operating life becomes short. Therefore, the temperature during the oxidation treatment in the atmosphere is preferably 100 to 400 ° C.
【0083】実施例57〜76,比較例15〜19 接点基材の温度を表6で示したように調節したことを除
いては、実施例1〜16と同じ条件を採用して図1で示
した接点材料Aを製造した。各接点材料20個につき、
実施例1〜16と同じようにして接触抵抗と動作寿命特
性を測定した。その結果を一括して表6に示した。な
お、動作寿命特性に関しては、平均値と標準偏差を示し
た。Examples 57 to 76, Comparative Examples 15 to 19 Using the same conditions as in Examples 1 to 16 except that the temperature of the contact base material was adjusted as shown in Table 6, FIG. The indicated contact material A was produced. For each 20 contact materials,
The contact resistance and operating life characteristics were measured in the same manner as in Examples 1 to 16. The results are collectively shown in Table 6. Regarding the operating life characteristics, the average value and standard deviation are shown.
【0084】[0084]
【表6】 [Table 6]
【0085】表6から明らかなように、接点基材の温度
を200℃に保持して成膜した比較例材料の場合、実施
例材料に比べて、その動作寿命の平均開閉回数は少な
い。しかも、標準偏差値は著しく高く、寿命はばらつ
き、信頼性に富む材料であるとはいえない。製造後の比
較例材料の接点被覆層を顕微鏡観察したところ、その多
くは大きく剥離しており、接点基材の表面を完全に被覆
しているものは少なかった。As is clear from Table 6, in the case of the comparative example material formed by keeping the temperature of the contact base material at 200 ° C., the average number of opening / closing operations in its operating life is smaller than that of the example material. Moreover, the standard deviation value is extremely high, the life is varied, and it cannot be said that the material is highly reliable. When the contact coating layer of the comparative material after production was observed under a microscope, many of them were largely peeled off, and few of them completely covered the surface of the contact base material.
【0086】一方、実施例材料の場合、接点基材の温度
を700℃に保持して成膜したものは、保持温度200
℃のものに比べれば、接点被覆層は確実に接点基材の表
面を被覆していたが、動作寿命特性は比較例材料に比べ
て若干優れてはいるものの、保持温度300〜600℃
の実施例材料に比べれば劣っている。これは、成膜時に
おける接点基材の温度が高いので、添加元素が再蒸発し
て、マトリックス金属内における含有量にばらつきが生
ずるためであると考えられる。On the other hand, in the case of the materials of the examples, the temperature of the contact base material was maintained at 700 ° C.
Although the contact coating layer surely covered the surface of the contact base material as compared with the one having a temperature of 300 ° C., the holding temperature was 300 to 600 ° C. although the operating life characteristics were slightly superior to those of the comparative example material.
It is inferior to the material of the example. It is considered that this is because the temperature of the contact base material at the time of film formation is high, so that the additional element is re-evaporated and the content in the matrix metal varies.
【0087】このようなことから、成膜時における接点
基材の温度は300〜600℃に管理することが好適で
あることがわかる。 実施例77〜96,比較例20〜24 接点基材を表7で示した温度に保持した状態で、チャン
バ内を0.66Paの(Ar+O2)雰囲気とし、0.5kWの
直流マグネトロンスパッタ法によって、表7で示した組
成と厚みの接点被覆層を成膜した。From the above, it is understood that the temperature of the contact base material during film formation is preferably controlled to 300 to 600 ° C. Examples 77 to 96, Comparative Examples 20 to 24 With the contact base material maintained at the temperatures shown in Table 7, the chamber was set to an atmosphere of 0.66 Pa (Ar + O 2 ) and a DC magnetron sputtering method of 0.5 kW was used. A contact coating layer having the composition and thickness shown in Table 7 was formed.
【0088】得られた接点材料につき、実施例57〜7
6と同じようにして接触抵抗と動作寿命特性の平均開閉
回数と標準偏差を調べた。以上の結果を一括して表7に
示した。Regarding the obtained contact materials, Examples 57 to 7 were used.
In the same manner as in No. 6, the average number of opening / closing operations and the standard deviation of contact resistance and operating life characteristics were examined. The above results are collectively shown in Table 7.
【0089】[0089]
【表7】 [Table 7]
【0090】表7から明らかなように、接点被覆層に酸
素を含有させると、実施例57〜76の材料の場合より
も動作寿命特性が若干向上している。しかし、その場合
でも、成膜時の接点材料の温度を200℃にすると、動
作寿命特性は低下するので、成膜時における接点基材は
300〜600℃の温度に保持することが好適である。As is clear from Table 7, when the contact coating layer contains oxygen, the operating life characteristics are slightly improved as compared with the materials of Examples 57 to 76. However, even in that case, if the temperature of the contact material during film formation is set to 200 ° C., the operating life characteristics deteriorate, so it is preferable to keep the temperature of the contact base material during film formation at 300 to 600 ° C. .
【0091】実施例97〜109,比較例25〜30 実施例1〜16の製造に用いた真空蒸着装置のチャンバ
内に装着されている2個の電子ビーム蒸発源のそれぞれ
に、表8で示したマトリックス金属と添加元素とをセッ
トし、接点基材を表示した温度に(400℃)に保持し
た状態で次のようにして表示した厚みの接点被覆層を形
成した。Examples 97 to 109, Comparative Examples 25 to 30 Table 2 shows the two electron beam evaporation sources mounted in the chamber of the vacuum vapor deposition apparatus used for manufacturing Examples 1 to 16, respectively. The matrix metal and the additional element were set, and the contact coating layer having the thickness shown below was formed in the state where the contact base material was maintained at the indicated temperature (400 ° C.).
【0092】すなわち、マトリックス金属の蒸発に関し
ては、接点被覆層の厚み方向で、接点基材側では100
原子%の濃度となるように蒸発させ、その後は順次蒸発
量を減少させ、接点被覆層の表面ではマトリックス金属
の濃度が0原子%となるようにして蒸発させることによ
り、接点被覆層の厚み方向に濃度勾配をつけた。この過
程で、マトリックス金属の堆積速度は20Å/secと一
定にした。That is, with respect to the evaporation of the matrix metal, the contact coating layer has a thickness of 100 at the contact base material side.
In the thickness direction of the contact coating layer, the contact coating layer is evaporated so that the concentration of the matrix metal becomes 0 atomic% on the surface of the contact coating layer. A concentration gradient was applied to. During this process, the deposition rate of the matrix metal was kept constant at 20Å / sec.
【0093】一方、添加元素に関しては、接点基材側で
0原子%の濃度とし、その後は順次、濃度を増加させ、
接点被覆層の表面では濃度が100原子%となるような
濃度勾配をつけた。このときの堆積速度も20Å/sec
と一定にした。したがって、形成された接点被覆層は、
マトリックス金属に添加元素が含有された組成を有して
いる。しかし、その厚み方向においては、添加元素の濃
度勾配がついている。すなわち、接点基材側では添加元
素は少なく、表層側ほど添加元素が多くなっている。On the other hand, regarding the additive element, the concentration is set to 0 atom% on the contact base material side, and thereafter, the concentration is gradually increased.
A concentration gradient was applied to the surface of the contact coating layer so that the concentration would be 100 atomic%. The deposition rate at this time is also 20Å / sec
And made it constant. Therefore, the formed contact coating layer is
It has a composition in which an additive element is contained in a matrix metal. However, there is a concentration gradient of the additional element in the thickness direction. That is, the additive element is small on the contact base material side, and the additive element is large on the surface layer side.
【0094】この操作を基本操作とし、これを反復して
上記接点被覆層の積層構造を形成した。その積層構造の
数を表8に示した。得られた接点材料につき、実施例5
7〜76と同じようにして接触抵抗と動作寿命特性を測
定した。以上の結果を一括して表8に示した。This operation was used as a basic operation, and this operation was repeated to form a laminated structure of the contact coating layer. The number of the laminated structures is shown in Table 8. About the obtained contact material, Example 5
The contact resistance and operating life characteristics were measured in the same manner as in 7 to 76. The above results are collectively shown in Table 8.
【0095】[0095]
【表8】 [Table 8]
【0096】表8から明らかなように、このように接点
被覆層に添加元素の濃度勾配をつけた場合であっても、
平均動作回数は多くなり、その標準偏差は小さく、動作
寿命特性は優れたものになる。しかし、比較例25〜3
0のように、接点被覆層の厚みが薄くなると、動作寿命
特性の低下が認められるので、その厚みは0.1μm以上
にすべきことがわかる。As is clear from Table 8, even when the contact coating layer is provided with a concentration gradient of the additional element as described above,
The average number of operations increases, the standard deviation is small, and the operating life characteristics are excellent. However, Comparative Examples 25-3
As shown in Fig. 0, when the contact coating layer is thin, the operating life characteristics are deteriorated, so it is understood that the thickness should be 0.1 µm or more.
【0097】実施例110〜120,比較例31,32 接点基材の温度を表9で示したように変化させたことを
除いては、実施例97〜109の場合と同じようにし
て、マトリックス金属と添加元素の濃度勾配をつけた接
点被覆層を成膜した。得られた接点材料につき、実施例
97〜109と同じようにして接触抵抗と動作寿命特性
を測定した。以上の結果を一括して表9に示した。Examples 110 to 120, Comparative Examples 31 and 32 A matrix was formed in the same manner as in Examples 97 to 109 except that the temperature of the contact base material was changed as shown in Table 9. A contact coating layer having a concentration gradient of metal and additive element was formed. The contact resistance and operating life characteristics of the obtained contact material were measured in the same manner as in Examples 97 to 109. The above results are collectively shown in Table 9.
【0098】[0098]
【表9】 [Table 9]
【0099】表9から明らかなように、接点基材の温度
が200℃になると、接触抵抗は大きくなり動作寿命特
性は低下してしまう。また、接点基材の温度が700℃
になると、動作寿命特性の低下傾向が現れている。この
ようなことから、接点基材の温度を300〜600℃に
管理することが好ましい。 実施例121〜133,比較例33〜35 次のようにして図2で示した接点材料Bを製造した。As is clear from Table 9, when the temperature of the contact base material reaches 200 ° C., the contact resistance increases and the operating life characteristics deteriorate. Also, the temperature of the contact base material is 700 ° C.
Then, the operating life characteristics tend to decrease. Therefore, it is preferable to control the temperature of the contact base material at 300 to 600 ° C. Examples 121 to 133, Comparative Examples 33 to 35 The contact material B shown in FIG. 2 was manufactured as follows.
【0100】実施例1〜16で用いた接点基材を真空蒸
着装置のチャンバ内にセットし、チャンバ内を0.66Pa
の(Ar+O2)雰囲気にし、接点基材の温度を400
℃に保持した状態で、0.7kWのRFマグネトロンスパッ
タ法により表10に示した組成と厚みを有する接点被覆
層2Bを成膜した。得られた各接点材料につき、実施例
1〜16と同じようにして接触抵抗と動作寿命特性を測
定した。以上の結果を一括して表10に示した。The contact base material used in Examples 1 to 16 was set in the chamber of the vacuum vapor deposition apparatus, and the inside of the chamber was set to 0.66 Pa.
(Ar + O 2 ) atmosphere and set the temperature of the contact base material to 400
The contact coating layer 2B having the composition and the thickness shown in Table 10 was formed by the RF magnetron sputtering method of 0.7 kW while maintaining the temperature at ℃. The contact resistance and operating life characteristics of each of the obtained contact materials were measured in the same manner as in Examples 1 to 16. The above results are collectively shown in Table 10.
【0101】[0101]
【表10】 [Table 10]
【0102】表10から明らかなように、接点被覆層に
おいて、添加元素の酸化物がマトリックス金属に含有さ
れている場合でも、表1で示した比較例1〜5に比べ
て、動作寿命特性は超かに向上している。しかし、比較
例33,34のように、酸化物の含有量が少なく、また
多くなりすぎると接触抵抗は高くなり、動作寿命特性も
低下してしまう。このようなことからマトリックス金属
への酸化物の含有量は1〜50モル%にすべきである。As is clear from Table 10, even when the oxide of the additional element is contained in the matrix metal in the contact coating layer, the operating life characteristics are better than those of Comparative Examples 1 to 5 shown in Table 1. It has been improved to a superb level. However, as in Comparative Examples 33 and 34, when the oxide content is too small or too large, the contact resistance becomes high and the operating life characteristics also deteriorate. Therefore, the content of oxide in the matrix metal should be 1 to 50 mol%.
【0103】また、製造直後および加熱処理後のいずれ
の場合であっても、実施例の接点材料の接触抵抗は比較
例接点材料のそれに比べて低い値になっている。 実施例134〜145,比較例36,37 実施例121〜133の場合と同様にして接点基材の表
面に表11で示した組成と厚みを有する接点被覆層を成
膜し、ついでターゲットを変え、前記接点被覆層の上
に、0.5kWの直流マグネトロンスパッタ法により、表
11で示した厚みの金属層を最上層として成膜した。Further, the contact resistance of the contact material of the example is lower than that of the contact material of the comparative example both immediately after the production and after the heat treatment. Examples 134 to 145, Comparative Examples 36 and 37 A contact coating layer having the composition and thickness shown in Table 11 was formed on the surface of the contact base material in the same manner as in Examples 121 to 133, and then the target was changed. A metal layer having a thickness shown in Table 11 was formed as an uppermost layer on the contact coating layer by a DC magnetron sputtering method of 0.5 kW.
【0104】得られた各接点材料につき、実施例121
〜133と同じようにして接触抵抗と動作寿命特性を測
定した。以上の結果を一括して表11に示した。For each contact material obtained, Example 121
The contact resistance and operating life characteristics were measured in the same manner as for .about.133. The above results are collectively shown in Table 11.
【0105】[0105]
【表11】 [Table 11]
【0106】実施例146〜155,比較例38,39 実施例121〜133の場合と同様にして接点基材の表
面に表12で示した組成と厚みを有する接点被覆層を成
膜し、ついてターゲットを変え、前記接点被覆層の上
に、0.5kWの直流マグネトロンスパッタ法により、表
12で示した組成と厚みを有する金属酸化物層を最上層
として成膜した。Examples 146 to 155, Comparative Examples 38 and 39 A contact coating layer having the composition and thickness shown in Table 12 was formed on the surface of the contact base material in the same manner as in Examples 121 to 133. The target was changed, and a metal oxide layer having the composition and thickness shown in Table 12 was formed as the uppermost layer on the contact coating layer by a DC magnetron sputtering method of 0.5 kW.
【0107】得られた各接点材料につき、実施例121
〜133と同じようにして接触抵抗と動作寿命特性を測
定した。以上の結果を一括して表12に示した。For each contact material obtained, Example 121
The contact resistance and operating life characteristics were measured in the same manner as for .about.133. The above results are collectively shown in Table 12.
【0108】[0108]
【表12】 [Table 12]
【0109】表11,表12から明らかなように、接点
被覆層の表面に金属層または酸化物被覆層を最外層とし
て形成しても、実施例121〜133のように、そのよ
うな処置を施さない場合に比べて動作寿命が延びてい
る。しかし、その最外層の厚みが薄いと上記した効果は
あまり顕著に現れていない。 実施例156〜170,比較例40〜47 次のようにして、図3に示した接点材料Cを製造した。As is clear from Tables 11 and 12, even if a metal layer or an oxide coating layer is formed as the outermost layer on the surface of the contact coating layer, such treatment is performed as in Examples 121 to 133. The operating life is extended as compared with the case where it is not applied. However, if the thickness of the outermost layer is thin, the above-mentioned effect is not so remarkable. Examples 156 to 170, Comparative Examples 40 to 47 The contact material C shown in FIG. 3 was manufactured as follows.
【0110】実施例1〜16で用いた真空蒸着装置に接
点材料をセットし、接点基材を表13で示した温度(6
00℃)に保持した状態で電子ビーム蒸着源から表示の
金属から成る表示厚みの下層2C1を堆積速度20Å/s
ecで成膜し、ついで接点基材の温度を表示の温度(20
0℃)に設定した状態で、更に前記下層2C1の上に、
表示の元素から成る表示厚みの上層2C2を堆積速度2
0Å/secで成膜して積層構造にして接点被覆層2Cを
形成した。The contact material was set in the vacuum vapor deposition apparatus used in Examples 1 to 16, and the contact base material was heated at the temperature (6
The lower layer 2C 1 of the indicated thickness made of the indicated metal is deposited from the electron beam evaporation source with the deposition rate of 20Å / s.
ec is used to form a film, and then the temperature of the contact base material is displayed (20
0 ° C.), further above the lower layer 2C 1 ,
The upper layer 2C 2 of the indicated thickness composed of the indicated elements is deposited at a deposition rate of 2
A film was formed at 0Å / sec to form a laminated structure to form the contact coating layer 2C.
【0111】得られた接点材料につき、実施例1〜16
と同じようにして接触抵抗と動作寿命特性を測定した。
その結果を一括して表13に示した。Regarding the obtained contact materials, Examples 1 to 16
The contact resistance and operating life characteristics were measured in the same manner as in.
The results are collectively shown in Table 13.
【0112】[0112]
【表13】 [Table 13]
【0113】表13から明らかなように、このような積
層構造にすると、表1で示した実施例1〜16の接点材
料に比べて、平均動作回数は多くなっている。しかし、
表13における比較例材料と実施例材料を比べて明らか
なように、下層2C1,上層2C2のいずれかでも0.1μ
mより薄くなると、平均動作回数は減少ししかもその標
準偏差が大きくなるので、その厚みは0.1μm以上にす
べきである。As is clear from Table 13, with such a laminated structure, the average number of operations is larger than that of the contact materials of Examples 1 to 16 shown in Table 1. But,
As is clear from comparison between the comparative example material and the example material in Table 13, 0.1 μ is obtained in either the lower layer 2C 1 or the upper layer 2C 2.
If the thickness is less than m, the average number of operations decreases and the standard deviation increases, so the thickness should be 0.1 μm or more.
【0114】実施例171〜181,比較例48〜51 実施例1〜16で用いた真空蒸着装置に接点基材をセッ
トし、接点基材を表14で示した温度に保持した状態で
電子ビーム蒸発源から表示した金属を蒸発させて、表示
厚みの下層2C1を堆積速度20Å/secで成膜し、つい
で、接点基材を表示した温度に降温し、その温度に保持
した状態で表示した元素を蒸発させて表示厚みの上層2
C2を堆積速度20Å/secで成膜して積層構造にした。Examples 171-181, Comparative Examples 48-51 The contact base material was set in the vacuum vapor deposition apparatus used in Examples 1-16, and the contact base material was kept at the temperature shown in Table 14 with an electron beam. The indicated metal was evaporated from the evaporation source to form the lower layer 2C 1 of the indicated thickness at a deposition rate of 20 Å / sec, and then the contact base material was cooled to the indicated temperature and kept displayed at that temperature. Upper layer 2 of the indicated thickness by evaporating the elements
C 2 was deposited at a deposition rate of 20Å / sec to form a laminated structure.
【0115】得られた接点材料につき、実施例1〜16
と同じようにして接触抵抗と動作寿命特性を測定した。
その結果を一括して表14に示した。Regarding the obtained contact materials, Examples 1 to 16
The contact resistance and operating life characteristics were measured in the same manner as in.
The results are collectively shown in Table 14.
【0116】[0116]
【表14】 [Table 14]
【0117】表14から明らかなように、上層成膜時の
接点基材の温度と下層成膜時の接点基材の温度の高低に
よって、接点材料の接触抵抗と動作寿命特性は大きく変
動している。例えば、上層成膜時の接点基材の温度に関
しては、実施例171と比較例48を比べると、温度2
00℃のときは温度400℃の場合に比べて接触抵抗は
大きくなり、動作寿命特性が低下している。また、温度
が900℃の場合(比較例49)と温度が800℃の場
合(実施例172)についても同様である。このような
ことから、上層成膜時には、接点基材の温度を400〜
800℃に管理すべきであることがわかる。As is clear from Table 14, the contact resistance and the operating life characteristics of the contact material fluctuate greatly depending on the temperature of the contact base material during the upper layer film formation and the temperature of the contact base material during the lower layer film formation. There is. For example, regarding the temperature of the contact base material at the time of forming the upper layer, comparing Example 171 with Comparative Example 48, a temperature of 2
When the temperature is 00 ° C., the contact resistance is higher than that at the temperature of 400 ° C., and the operating life characteristics are deteriorated. The same applies to the case where the temperature is 900 ° C. (Comparative Example 49) and the case where the temperature is 800 ° C. (Example 172). Therefore, when forming the upper layer, the temperature of the contact base material should be 400 to
It turns out that the temperature should be controlled to 800 ° C.
【0118】また、下層成膜時の接点温度に関しては、
実施例173と比較例50を比べると、温度30℃のと
きは温度50℃の場合に比べて接触抵抗は大きくなり、
動作寿命特性が低下している。また、温度が550℃の
場合(比較例51)と温度が500℃の場合(実施例1
74)についても同様である。従って、下層成膜時に
は、接点基材の温度を50〜500℃に管理すべきこと
がわかる。Regarding the contact temperature at the time of forming the lower layer,
Comparing Example 173 with Comparative Example 50, the contact resistance at the temperature of 30 ° C. is higher than that at the temperature of 50 ° C.
The operating life characteristics are degraded. Further, when the temperature is 550 ° C. (Comparative Example 51) and when the temperature is 500 ° C. (Example 1)
The same applies to 74). Therefore, it is understood that the temperature of the contact base material should be controlled to 50 to 500 ° C. when forming the lower layer.
【0119】実施例182〜189,比較例52〜57 実施例1〜16と同様に、真空蒸着装置に接点材料をセ
ットし、接点基材を表示した温度(400℃)に保持し
た。ついで、実施例97〜109と同じような基本操作
を行い、接点基材の上に、まず表示した組成,厚み,積
層構造の数を有する下層を成膜し、その後、接点基材を
表示した温度(200℃)に降温してその温度に保持
し、前記下層の上に表示した元素から成る表示厚みの上
層を成膜した。ただし、上層成膜時の堆積速度は25Å
/secとした。Examples 182 to 189, Comparative Examples 52 to 57 In the same manner as in Examples 1 to 16, the contact material was set in the vacuum vapor deposition apparatus and the contact base material was held at the indicated temperature (400 ° C.). Then, the same basic operation as in Examples 97 to 109 was performed to first form a lower layer having the indicated composition, thickness, and number of laminated structures on the contact base material, and then display the contact base material. The temperature was lowered to 200 ° C. and maintained at that temperature, and an upper layer of the indicated thickness composed of the indicated elements was formed on the lower layer. However, the deposition rate during upper layer deposition is 25Å
/ Sec.
【0120】したがって、この接点被覆層の場合は、下
層が添加元素の濃度勾配を有する層であり、上層が上記
添加元素から成る層の積層構造になっている。得られた
接点材料につき、実施例1〜16と同じようにして接触
抵抗と動作寿命特性を測定した。以上の結果を一括して
表15に示した。Therefore, in the case of this contact coating layer, the lower layer is a layer having a concentration gradient of the additional element, and the upper layer has a laminated structure of layers made of the above additional element. The contact resistance and operating life characteristics of the obtained contact material were measured in the same manner as in Examples 1 to 16. The above results are collectively shown in Table 15.
【0121】[0121]
【表15】 [Table 15]
【0122】表15から明らかなように、このような構
成の接点材料もまたその動作寿命特性が優れている。そ
して、実施例材料と比較例材料を比べてわかるように、
上層の厚みが薄くなると、平均動作回数は減少し、また
その標準偏差も大きくなって動作寿命特性が低下してい
る。従って、上層の厚みは0.1μm以上にすべきであ
る。As is apparent from Table 15, the contact material having such a structure also has excellent operating life characteristics. And as can be seen by comparing the example material and the comparative example material,
As the thickness of the upper layer becomes thinner, the average number of operations decreases, and the standard deviation also increases, resulting in a decrease in operating life characteristics. Therefore, the thickness of the upper layer should be 0.1 μm or more.
【0123】実施例190〜196,比較例58,59 下層成膜時の接点基材の温度、および上層成膜時の接点
基材の温度を表16で示したように変化させたことを除
いては、実施例182〜189の場合と同様にして接点
被覆層を成膜した。得られた各接点材料につき、実施例
182〜189と同様にして接触抵抗と動作寿命特性を
測定した。以上の結果を一括して表16に示した。Examples 190 to 196, Comparative Examples 58 and 59 Except that the temperature of the contact base material at the time of forming the lower layer and the temperature of the contact base material at the time of forming the upper layer were changed as shown in Table 16. As a result, a contact coating layer was formed in the same manner as in Examples 182 to 189. For each contact material obtained, contact resistance and operating life characteristics were measured in the same manner as in Examples 182-189. The above results are collectively shown in Table 16.
【0124】[0124]
【表16】 [Table 16]
【0125】表16から明らかなように、この場合も、
実施例171〜181の場合と同じように、上層成膜時
には接点基材の温度を300〜600℃に管理し、また
下層成膜時には接点基材の温度を50〜500℃に管理
することにより、接触抵抗を小さくすることができ、ま
た平均動作回数を多くし、しかも標準偏差を小さくする
ことができる。As is clear from Table 16, in this case as well,
As in the case of Examples 171-181, by controlling the temperature of the contact base material to 300 to 600 ° C. during the upper layer film formation and controlling the temperature of the contact base material to 50 to 500 ° C. during the lower layer film formation. The contact resistance can be reduced, the average number of operations can be increased, and the standard deviation can be reduced.
【0126】実施例197〜220,比較例60〜67 まず、実施例1〜16で説明した方法により、各種の接
点材料(リードピン)を製造した。得られた各接点材料
における接点被覆層の表面を顕微鏡観察したところ、サ
イズが数μm程度の酸化物粒子の存在が確認された。Examples 197 to 220, Comparative Examples 60 to 67 First, various contact materials (lead pins) were manufactured by the method described in Examples 1 to 16. Microscopic observation of the surface of the contact coating layer in each of the obtained contact materials confirmed the presence of oxide particles having a size of several μm.
【0127】ついで、各接点材料を封入容器の中にN2
ガスと一緒に密封して封入接点(リードスイッチ)にし
た。得られた封入接点に対し、表17〜表18で示した
条件で放電処理を行った。表中の比較例はいずれも放電
処理を行わない場合である。ついで、封入接点につき下
記の仕様で動作寿命特性を測定した。Next, each contact material was filled with N 2 in an enclosure.
It was sealed together with the gas to form an enclosed contact (reed switch). The obtained encapsulated contacts were subjected to discharge treatment under the conditions shown in Tables 17-18. In each of the comparative examples in the table, the discharge treatment is not performed. Then, the operating life characteristics of the enclosed contact were measured with the following specifications.
【0128】低負荷の寿命試験:封入接点に5Vを印加
し100μAの電流を流しながら、40ATの駆動磁界
により100Hzで開閉動作を反復し、障害発生までの動
作回数を計測。 高負荷の寿命試験:実施例206〜208,実施例21
1を除き、他の封入接点に、室温下において100Vで
0.5Aの電流を流しながら、40ATの駆動磁界により
10Hzで開閉動作を反復し、障害発生までの動作回数を
計測。Life test under low load: While applying 5 V to the enclosed contact and passing a current of 100 μA, the opening / closing operation was repeated at 100 Hz by the driving magnetic field of 40 AT, and the number of operations until failure occurred was measured. High load life test: Examples 206-208, Example 21
Except 1 and other encapsulated contacts, at 100V at room temperature
Repeating the opening and closing operation at 10Hz by the driving magnetic field of 40AT while flowing the current of 0.5A, the number of operations until the failure occurs is measured.
【0129】なお、いずれの寿命試験においても、障害
発生の時点は、開閉不良が生じた時点、または封入接点
の両極間の抵抗値が1Ω以上になった時点のことを指
す。以上の結果を一括して表17〜表18に示した。In any of the life tests, the point of failure refers to the point of time when a switching failure occurs or the resistance value between the two poles of the enclosed contact becomes 1Ω or more. The above results are collectively shown in Tables 17 to 18.
【0130】[0130]
【表17】 [Table 17]
【0131】[0131]
【表18】 [Table 18]
【0132】また、実施例202のリードスイッチと比
較例61のリードスイッチとにつき、前記した低負荷寿
命試験と同様の動作を行わせ、そのときの両極間の抵抗
を測定した。その結果を、動作回数と抵抗値との関係と
して図5に示した。図中、○印は実施例202のリード
スイッチ,□印は比較例61のリードスイッチの場合を
それぞれ示す。The reed switch of Example 202 and the reed switch of Comparative Example 61 were operated in the same manner as in the low load life test described above, and the resistance between the two electrodes at that time was measured. The results are shown in FIG. 5 as the relationship between the number of operations and the resistance value. In the figure, ◯ indicates the case of the reed switch of Example 202, and □ indicates the case of the reed switch of Comparative Example 61.
【0133】表17〜表18で示した結果から明らかな
ように、実施例のように放電処理を施した封入接点は、
比較例の封入接点に比べて、はるかにその動作寿命が長
くなっている。高負荷での動作寿命が安定するために
は、少なくとも低負荷での動作寿命が安定することが必
要であるが、図5から明らかなように、低負荷の寿命試
験で、実施例は比較例に比べ動作回数に対する両極間の
抵抗値が安定している。すなわち、実施例のように、実
使用に先立ち放電処理を行うと、その封入接点を開閉動
作が安定した封入接点にすることができる。As is clear from the results shown in Tables 17 to 18, the encapsulated contacts that were subjected to the discharge treatment as in the examples were
Its operating life is much longer than that of the sealed contact of the comparative example. In order for the operating life under high load to be stable, it is necessary that at least the operating life under low load be stable, but as is clear from FIG. 5, in the life test under low load, the example is a comparative example. The resistance value between the two poles is stable with respect to the number of times of operation. That is, when the discharge process is performed prior to the actual use as in the embodiment, the enclosed contact can be made into an enclosed contact whose opening / closing operation is stable.
【0134】また実施例202の封入接点につき、高負
荷の寿命試験と同様の動作をさせ、そのときの両端間の
抵抗値を測定した。動作回数と抵抗値との関係を図6に
示した。図6から明らかなように実施例202の封入接
点は2000万回レベルまでの動作寿命が得られてい
る。このように本発明方法が適用された封入接点は、低
負荷の場合の寿命試験でも、高負荷の場合の寿命試験で
も封入接点の両極間の抵抗値が安定している。The encapsulated contact of Example 202 was operated in the same manner as in the high load life test, and the resistance value between both ends at that time was measured. The relationship between the number of operations and the resistance value is shown in FIG. As is clear from FIG. 6, the enclosed contact of Example 202 has an operating life of up to 20 million times. As described above, the sealed contact to which the method of the present invention is applied has a stable resistance value between both electrodes of the sealed contact in both the life test under a low load and the life test under a high load.
【0135】なお、以上の実施例では、放電処理を行っ
た後の封入接点につき説明したが、放電処理を行ってい
ない封入接点であっても、その使用に先だって放電処理
を施せば上記実施例で説明した場合と同様の効果が実現
することは当然である。また一旦使用を開始した封入接
点であっても、その使用中に、放電処理を施せば同様の
効果が発現する。In the above embodiments, the encapsulated contact after the electric discharge treatment has been described. However, even if the encapsulated contact is not subjected to the electric discharge treatment, if the electric discharge treatment is applied prior to its use, the above-mentioned embodiment is used. It goes without saying that the same effect as that described in the above item is realized. Further, even if the enclosed contact is once used, the same effect can be obtained by performing a discharge treatment during the use.
【0136】[0136]
【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
封入接点材料は、接触抵抗が低くかつそのばらつきが小
さく、接点動作寿命特性は優れており、また高価な材料
の使用が抑制されているので安価に製造することができ
る。そして本発明の製造方法によれば、接点基材の温度
を適正に管理しているので、成膜される接点被覆層の組
成,表面形状,組織は安定化し、製造ロット間における
特性のばらつきが小さくなる。As is clear from the above description, the encapsulated contact material of the present invention has a low contact resistance and a small variation, excellent contact operation life characteristics, and suppresses the use of expensive materials. Therefore, it can be manufactured at low cost. Further, according to the manufacturing method of the present invention, since the temperature of the contact base material is properly controlled, the composition, surface shape, and structure of the contact coating layer to be formed are stabilized, and variations in characteristics between manufacturing lots are suppressed. Get smaller.
【0137】また、本発明の封入接点の製造方法や使用
方法は、いずれも封入されている封入接点材料に放電処
理を施すので、仮に封入接点材料の表面に酸化膜が形成
されていたとしても、上記放電処理によって酸化膜が除
去され、放電処理後の封入接点の接触抵抗の劣化は抑制
される。Further, in all of the methods of manufacturing and using the encapsulated contact according to the present invention, since the encapsulated contact material that has been encapsulated is subjected to the discharge treatment, even if an oxide film is formed on the surface of the encapsulated contact material. The oxide film is removed by the discharge process, and the deterioration of the contact resistance of the sealed contact after the discharge process is suppressed.
【図1】本発明の接点材料Aを示す断面図である。FIG. 1 is a sectional view showing a contact material A of the present invention.
【図2】本発明の接点材料Bを示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a contact material B of the present invention.
【図3】本発明の接点材料Cを示す断面図である。FIG. 3 is a sectional view showing a contact material C of the present invention.
【図4】実施例2と比較例1の接点材料を組み込んだリ
ードスイッチにおける開閉動作の回数と両極間の抵抗値
との関係を示すグラフである。FIG. 4 is a graph showing the relationship between the number of opening / closing operations and the resistance value between both electrodes in a reed switch incorporating the contact materials of Example 2 and Comparative Example 1.
【図5】実施例202と比較例61のリードスイッチに
おける開閉動作の回数と両極間の抵抗値との関係を示す
グラフである。5 is a graph showing the relationship between the number of times of opening / closing operations and the resistance value between both electrodes in the reed switch of Example 202 and Comparative Example 61. FIG.
【図6】実施例202のリードスイッチにつき、高負荷
による寿命試験を行ったときの動作回数と両極間の抵抗
値との関係を示すグラフである。FIG. 6 is a graph showing the relationship between the number of operations and the resistance value between both electrodes when a life test is performed with a high load for the reed switch of Example 202.
1 接点基材 2A,2B,2C 接点被覆層 2C1 下層 2C2 上層1 Contact base material 2A, 2B, 2C Contact coating layer 2C 1 lower layer 2C 2 upper layer
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大橋 泰和 東京都千代田区丸の内2丁目6番1号 古 河電気工業株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Taiwa Ohashi 2-6-1, Marunouchi, Chiyoda-ku, Tokyo Furukawa Electric Co., Ltd.
Claims (12)
Hf,Ta,Wの群から選ばれる少なくとも1種を実質
的なマトリックスとし、前記マトリックスに、Zn,C
d,Hg,Al,Ga,In,Tl,Ge,Sn,P
b,As,Sb,Biの群から選ばれる少なくとも1種
が0.5〜50原子%含まれている材料から成り、かつ、
厚みが0.1μm以上である少なくとも1層の接点被覆層
で被覆されていることを特徴とする封入接点材料。1. The surface of the contact base material is Mo, Zr, Nb,
At least one selected from the group of Hf, Ta, W is used as a substantial matrix, and Zn, C is added to the matrix.
d, Hg, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, P
b, As, Sb, at least one selected from the group consisting of Bi is composed of a material containing 0.5 to 50 atomic%, and
An encapsulated contact material characterized by being coated with at least one contact coating layer having a thickness of 0.1 μm or more.
Hf,Wの群から選ばれる少なくとも1種をマトリック
スとし、前記マトリックスに、Zn,Cd,Hg,A
l,Ga,In,Tl,Ge,Sn,Pb,As,S
b,Biの群から選ばれる少なくとも1種の元素の酸化
物が0.1〜50モル%含まれている材料から成り、か
つ、厚みが0.1μm以上である少なくとも1層の接点被
覆層で被覆されていることを特徴とする封入接点材料。2. The surface of the contact base material is Mo, Zr, Nb,
At least one selected from the group of Hf and W is used as a matrix, and Zn, Cd, Hg and A are added to the matrix.
1, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, S
At least one contact coating layer made of a material containing 0.1 to 50 mol% of an oxide of at least one element selected from the group consisting of b and Bi, and having a thickness of 0.1 μm or more. Encapsulated contact material characterized by being coated.
Hf,Ta,Wの群から選ばれる少なくとも1種から成
る少なくとも1層の下層と、Zn,Cd,Hg,Al,
Ga,In,Tl,Ge,Sn,Pb,As,Sb,B
iの群から選ばれる少なくとも1種から成る少なくとも
1層の上層とを有する積層構造を成し、かつ、前記下層
および上層の厚みはいずれも0.1μm以上である少なく
とも1層の接点被覆層で被覆されていることを特徴とす
る封入接点材料。3. The surface of the contact base material is Mo, Zr, Nb,
At least one underlayer of at least one selected from the group of Hf, Ta, W, and Zn, Cd, Hg, Al,
Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, As, Sb, B
at least one contact coating layer having a laminated structure having at least one upper layer of at least one selected from the group i, and the thickness of each of the lower layer and the upper layer is 0.1 μm or more. Encapsulated contact material characterized by being coated.
g,Al,Ga,In,Tl,Ge,Sn,Pb,A
s,Sb,Biの群から選ばれる少なくとも1種が表層
側ほど高濃度になるような濃度勾配がつけられている請
求項1の封入接点材料。4. The contact coating layer comprises Zn, Cd, H
g, Al, Ga, In, Tl, Ge, Sn, Pb, A
The encapsulated contact material according to claim 1, wherein a concentration gradient is provided such that at least one selected from the group consisting of s, Sb, and Bi has a higher concentration on the surface side.
%含まれている請求項1または2の封入接点材料。5. The encapsulated contact material according to claim 1, wherein the contact coating layer contains 1 to 40 atomic% of O.
属酸化物から成る最上層で被覆され、その最上層の厚み
は0.05μm以上である請求項1,2または3の封入接
点材料。6. The encapsulated contact material according to claim 1, wherein the surface of the contact coating layer is covered with an uppermost layer made of a metal or a metal oxide, and the thickness of the uppermost layer is 0.05 μm or more.
接点被覆層を、前記接点基材の温度を300〜900℃
に管理して成膜することを特徴とする封入接点材料の製
造方法。7. The contact coating layer according to claim 1 or 2 on the surface of the contact base material, and the temperature of the contact base material is 300 to 900 ° C.
A method for manufacturing an encapsulated contact material, characterized in that the film is controlled and formed.
に管理する請求項7の封入接点材料の製造方法。8. The temperature of the contact base material is 300 to 600 ° C.
The method for manufacturing the encapsulated contact material according to claim 7, wherein
を形成する際に、前記下層を形成するときの接点基材の
温度を300〜600℃に管理し、前記上層を形成する
ときの接点基材の温度を50〜500℃に管理すること
を特徴とする封入接点材料の製造方法。9. When forming the contact coating layer according to claim 3 on the surface of the contact base material, the temperature of the contact base material when forming the lower layer is controlled to 300 to 600 ° C. to form the upper layer. A method for producing an encapsulated contact material, characterized in that the temperature of the contact base material is controlled to 50 to 500 ° C.
温度を400〜800℃に管理する請求項9の封入接点
材料の製造方法。10. The method for producing an encapsulated contact material according to claim 9, wherein the temperature of the contact base material when the lower layer is formed is controlled to 400 to 800 ° C.
封容器に封入したのち封入接点材料を放電させることを
特徴とする封入接点の製造方法。11. A method of manufacturing an encapsulated contact, comprising encapsulating the encapsulated contact material together with an inert gas in a hermetically sealed container and then discharging the encapsulated contact material.
封容器に封入して成る封入接点の使用に先立ち、または
使用中に、前記封入接点材料を放電させことを特徴とす
る封入接点の使用方法。12. A method of using an encapsulated contact, wherein the encapsulated contact material is discharged prior to or during use of the encapsulated contact formed by encapsulating the encapsulated contact material in an airtight container together with an inert gas.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP02446296A JP3154253B2 (en) | 1995-02-10 | 1996-02-09 | Encapsulated contact material and its manufacturing method |
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2316795 | 1995-02-10 | ||
JP7-42171 | 1995-03-01 | ||
JP7-23167 | 1995-03-01 | ||
JP4217195 | 1995-03-01 | ||
JP02446296A JP3154253B2 (en) | 1995-02-10 | 1996-02-09 | Encapsulated contact material and its manufacturing method |
Publications (2)
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JP3154253B2 JP3154253B2 (en) | 2001-04-09 |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2010092880A (en) * | 2009-12-18 | 2010-04-22 | Oki Sensor Device Corp | Reed switch |
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1996
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