JPH08296800A - Distributing method of ultra-high purity gas minimally stopping corrosion - Google Patents

Distributing method of ultra-high purity gas minimally stopping corrosion

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JPH08296800A
JPH08296800A JP7341860A JP34186095A JPH08296800A JP H08296800 A JPH08296800 A JP H08296800A JP 7341860 A JP7341860 A JP 7341860A JP 34186095 A JP34186095 A JP 34186095A JP H08296800 A JPH08296800 A JP H08296800A
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Japan
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gas
distribution network
liquid
high purity
less
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JP7341860A
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Japanese (ja)
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Masao Kimura
木村昌夫
Toshiyuki Tsukamoto
塚本俊之
Kohei Taruya
樽谷浩平
Jean-Marie Friedt
− マリー・フリート ジャン
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LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
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Air Liquide SA
LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude
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    • B08CLEANING
    • B08BCLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
    • B08B9/00Cleaning hollow articles by methods or apparatus specially adapted thereto 
    • B08B9/02Cleaning pipes or tubes or systems of pipes or tubes
    • B08B9/027Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages
    • B08B9/032Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing
    • B08B9/0321Cleaning the internal surfaces; Removal of blockages by the mechanical action of a moving fluid, e.g. by flushing using pressurised, pulsating or purging fluid
    • B08B9/0323Arrangements specially designed for simultaneous and parallel cleaning of a plurality of conduits
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F17STORING OR DISTRIBUTING GASES OR LIQUIDS
    • F17DPIPE-LINE SYSTEMS; PIPE-LINES
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    • F17D1/02Pipe-line systems for gases or vapours
    • F17D1/04Pipe-line systems for gases or vapours for distribution of gas
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To minimize contamination in distribution of ultra high purity gas, by wet-cleaning a gas distribution network and then performing liquid drying with a specific H2 O desorbing liquid drying agent during distribution of the ultra high purity gas used for treatment of electronic material. SOLUTION: In distribution of ultra high purity gas, prior to the distribution process, cleaning liquid 25 is first supplied to a distribution network for cleaning from a pump 24 for cleaning. Then, the gas distribution network is liquid-dried with a H2 O desorbing liquid drying agent selected from a group comprising acetone dimethylacetal, 2-2 dichloropropane, 2-2 dibromopropane, mixtures thereof, and an equivalent. Next, the distribution network is purged with dry inert high purity gas comprising less than 1 ppm of any impurity, is exhausted at a pressure which is lower than 5×10<4> Pa with an operation of a vacuum pump 19, and then is exposed to atmosphere containing high purity corrosive gas.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、電子部材専用
[electronic specialty]の超高純度ガスの分配に関す
る。特には、この発明は、超高純度ガスの分配における
腐蝕の最小化に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to distribution of ultra-high purity gas exclusively for electronic members. In particular, this invention relates to minimizing corrosion in the distribution of ultra high purity gases.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子材料の処理に用いられる超高純度の
化学薬品、特に化学ガスの使用は、電子装置の製造にお
いて許容し得る製品歩留まり、製品再生産性および高品
質を達成するための重要な要因であることが知られてい
る。近年の評論については、例えば、M. Liehr and G.
W. Rubloff, J. Vac, Sci, Technol. B 12, 2727 (199
4) を参照されたい。これは、参照することによりここ
に組み込まれる。
The use of ultra high purity chemicals, especially chemical gases, used in the processing of electronic materials is important for achieving acceptable product yield, product reproducibility and high quality in the manufacture of electronic devices. It is known to be a factor. For recent reviews, see, for example, M. Liehr and G.
W. Rubloff, J. Vac, Sci, Technol. B 12, 2727 (199
See 4). This is incorporated herein by reference.

【0003】そのような化学ガスの製造および精製工程
において高純度が達成されたとしても、装置ネットワー
ク(ガス分配ネットワークとも呼ぶ)を通してそれらを
使用箇所まで搬送する間に容易に汚染が生じることが知
られている。この装置ネットワークには、当該分野にお
ける通常の技術を有する者に公知の他の構成装置[comp
onent ]と共に、ウェハー製造において源(例えば、ガ
スシリンダ)と使用箇所(例えば、プロセスリアクタ
ー)との間に介在すべき長大な配管並びに圧力および流
速を制御する多くの構成装置(例えば、減圧器、バル
ブ、マス−フロー制御器、フィルター、精製器等)が含
まれ得る。
Even though high purities have been achieved in the production and purification processes of such chemical gases, it is known that contamination can easily occur during their transport through the equipment network (also called the gas distribution network) to the point of use. Has been. This device network includes other component devices known to those of ordinary skill in the art [comp
onent], along with lengthy piping to intervene between the source (eg, gas cylinder) and point of use (eg, process reactor) in wafer fabrication and many components (eg, pressure reducers, etc.) that control pressure and flow rate. Valves, mass-flow controllers, filters, purifiers, etc.) may be included.

【0004】この問題は、ガス分配ネットワークの接触
表面[communication surface ]を含む露出表面と腐蝕
反応によって容易に反応する腐蝕性ガス類、例えばハロ
ゲン含有ガス類の場合に特に影響がある。このような腐
蝕反応は、粒状汚染を生じ得るだけではなく、ガスの吸
着−脱着特性およびそのようにして変質した表面上の不
純物を完全に変化させる。最終的には、腐蝕現象は漏洩
や可動部分の動作不良を引き起こすことがある。これ
は、ガス分配装置の安全性および有効性に影響する。
This problem is especially affected in the case of corrosive gases, such as halogen-containing gases, which readily react with the exposed surfaces, including the communication surfaces of the gas distribution network, by a corrosion reaction. Such corrosion reactions can not only give rise to particulate contamination, but also completely change the adsorption-desorption properties of the gas and the impurities thus modified on the surface. Ultimately, the corrosion phenomenon can lead to leakage and malfunction of moving parts. This affects the safety and effectiveness of the gas distributor.

【0005】このような腐蝕反応は、例え少量であった
としても、水分の存在が関与することが知られている。
腐蝕性ガス類のH2 O濃度が、現状で、典型的には 1p
pm(1 part per million)を下回る[例えば、Miyaza
ki et al., Bull. Chem. Soc. Japan 66, 3508 (1993);
66, 969 (1993) を参照]ものであったとしても、腐蝕
反応は、ガス分配ネットワークの接触表面上に吸着して
いる水分が関与するメカニズムによってしばしば発生す
る。
It is known that such corrosion reaction involves the presence of water even if the amount is small.
The H 2 O concentration of corrosive gases is currently 1 p
below pm (1 part per million) [eg Miyaza
ki et al., Bull. Chem. Soc. Japan 66, 3508 (1993);
66, 969 (1993)], the corrosion reaction often occurs by a mechanism involving water adsorbed on the contact surface of the gas distribution network.

【0006】使用箇所に搬送される超清浄電子部材専用
ガス類[ultra clean electronic specialty gases]の
純度における現在の目標は、揮発性不純物について 1な
いし100ppb(parts per billion )、立方フィート
当り 1粒子[particulate ]未満の粒子密度(標準条件
下)および存在する金属元素について 100ppt(part
s per trillion)未満の金属濃度の範囲である。
The current goals for the purity of ultra clean electronic specialty gases transported to the point of use are 1 to 100 ppb (parts per billion) for volatile impurities and 1 particle per cubic foot [ For particle densities less than particulate] (under standard conditions) and existing metallic elements, 100 ppt (part
s per trillion) less than the metal concentration range.

【0007】上述の想定純度範囲における微小腐蝕の主
要なメカニズムは、電子部材専門ガスに露出される物質
表面から、吸着している分子、特に、環境中に広く存在
し、表面に特に強い吸着エネルギーを供給する水分を完
全に除去することが困難であることに起因している。
The main mechanism of micro-corrosion in the above-mentioned assumed purity range is that molecules adsorbed from the surface of the substance exposed to the gas specialized for electronic members, especially those existing widely in the environment, have a particularly strong adsorption energy on the surface. This is because it is difficult to completely remove the water supplied.

【0008】腐蝕性電子部材専用ガスの多くは、それら
が高純度、すなわちH2 O濃度が 1ppm未満であった
としても、このような吸着分子、特に金属性表面に吸着
しているH2 Oと、触媒的に活性化された化学反応によ
って反応する傾向がある。この触媒的に活性化された化
学反応は、想定濃度における腐蝕および揮発性もしくは
固形副生物の形成を促進し、同時に固形粒子の形成も促
進する。
Most of the gases for exclusive use of corrosive electronic members have high purity, that is, even if the H 2 O concentration is less than 1 ppm, such adsorbed molecules, particularly H 2 O adsorbed on the metallic surface, are present. With a tendency to react by catalytically activated chemical reactions. This catalytically activated chemical reaction promotes corrosion and the formation of volatile or solid by-products at the assumed concentrations, and at the same time the formation of solid particles.

【0009】ガス分配ネットワークを浄化するために行
なわれる通常の方法は、ガス分配ネットワークの内部も
しくは接触表面に存在する全ての不純物をパージするた
めに、超高純度不活性ガス(例えば、 1ppbよりも高
い純度を有する窒素もしくはアルゴン)を流すことであ
る。しかしながら、この方法は、強く吸着している分
子、例えば、固体表面に吸着しているH2 O分子に対し
ては不十分である。不活性ガスの連続的な加圧−減圧サ
イクルを用い、かつ強く吸着している分子種の熱脱着を
誘発するために表面を加熱することにより、このパージ
方法を改良し、その時間を短縮しようとする試みがなさ
れている。しかしながら、これらの減圧−加圧パージサ
イクルは、微細オリフィスを通してのポンピングが有効
ではないため、デッドスペースを示す部位では有効では
ない。
The usual practice for purifying a gas distribution network is to purify all impurities present inside or on the contact surface of the gas distribution network by purifying an ultra-high purity inert gas (eg, less than 1 ppb). Flow of nitrogen or argon with high purity). However, this method is insufficient for strongly adsorbed molecules, such as H 2 O molecules adsorbed on the solid surface. Improve this purging method and reduce its time by using a continuous pressure-vacuum cycle of an inert gas and by heating the surface to induce thermal desorption of strongly adsorbed species. Attempts have been made to However, these vacuum-pressure purge cycles are not effective at sites exhibiting dead space, as pumping through the fine orifices is not effective.

【0010】金属性表面をパージする間に 120℃で熱ベ
ーキングを行なう別の試みがなされている。そのような
方法は、パージガスのバックグラウンドレベルまで到達
する時間を大幅に短縮することが知られている。例え
ば、約10ないし約 200mの長さの微小リークのないガス
分配ネットワークを通して超高純度(不純物< 1pp
b)の窒素もしくはアルゴンを毎分 0.1−10標準リット
ルで流す場合には、数時間で 1ppbの純度を得ること
ができる。しかしながら、電気研磨ステンレススチール
表面上でのH2 Oの熱脱着には数工程を要し、最後の一
工程は 400−450 ℃のオーダーの温度で起こることが知
られている。そのような温度を実際に適用することは困
難である。したがって、より低いベーキング温度(例え
ば、実用上の理由からしばしば 120℃)を適用した場合
には、金属表面からは吸着水分は完全にはなくならな
い。さらに、熱ベーキングは、安全性、規制上または材
料安定性の理由から、幾つかの環境下では実際には適用
することができない。
Another attempt has been made to perform a thermal bake at 120 ° C. while purging a metallic surface. Such methods are known to significantly reduce the time to reach background levels of purge gas. For example, ultra-high purity (impurities <1 pp) through micro leak-free gas distribution network of length of about 10 to about 200 m.
Purity of 1 ppb can be obtained in a few hours when b) nitrogen or argon is flowed at 0.1-10 standard liters per minute. However, it takes several steps to thermal desorption of of H 2 O on electropolishing stainless steel surfaces, one last step is known to occur at temperatures of the order of 400-450 ° C.. Practical application of such temperatures is difficult. Thus, when lower baking temperatures (eg, 120 ° C. for practical reasons) are applied, metal surfaces do not completely free adsorbed moisture. Moreover, thermal baking is not practically applicable under some circumstances for safety, regulatory or material stability reasons.

【0011】例えば多数の減圧−加圧サイクルを用い、
または超高純度ガスの流速を増加させることによって、
ガス分配ネットワークのパージ方法を改良しようとする
別の試みがなされている。これは、発生する不純物およ
び粒子の初期濃度を減少させることが可能であるが、バ
ックグラウンドレベルに到達するために要する時間が常
に非常に長く、すなわち、約40sccmの流速で約40
分、30sccmの流速で約15分を要する。
For example, using a number of vacuum-pressurization cycles,
Or by increasing the flow rate of ultra high purity gas,
Other attempts have been made to improve the method of purging gas distribution networks. This can reduce the initial concentration of impurities and particles generated, but the time it takes to reach background levels is always very long, i.e. about 40 sccm at a flow rate of about 40 sccm.
It takes about 15 minutes at a flow rate of 30 sccm.

【0012】他にも、吸着水分と反応することが報告さ
れているDMP(アセトンジメチルアセタール)、DC
P(2,2-ジクロロプロパン)もしくはDBP(ジブロモ
プロパン)のような気相の化学的乾燥剤(K. Tatenuma
et al., J. Vac. Sci. Technol. A11, 1719 (1993); K.
Tatenuma et al., Bunseki 223, 393 (1993) )または
フルオロカーボン液と混合した液体としての化学的乾燥
剤(公開 5-140777 )が用いられている。
In addition, DMP (acetone dimethyl acetal), which has been reported to react with adsorbed moisture, DC
Gas phase chemical desiccants such as P (2,2-dichloropropane) or DBP (dibromopropane) (K. Tatenuma
et al., J. Vac. Sci. Technol. A11, 1719 (1993); K.
Tatenuma et al., Bunseki 223, 393 (1993)) or a chemical desiccant (publication 5-140777) as a liquid mixed with a fluorocarbon liquid is used.

【0013】湿式洗浄はこれらの液体に可溶の分子種を
除去し、または下記湿式乾燥以前に表面上に存在し得る
分子種もしくは粒子を希釈もしくは液体の機械的な摩擦
によって除去する。このように、ガス分配ネットワーク
の種々の構成装置のガス接触表面を湿式洗浄することに
より、表面不純物(分子もしくは粒子)が除去される。
Wet cleaning removes these liquid-soluble molecular species, or dilutes or mechanically rubs the liquid any molecular species or particles that may be present on the surface prior to the following wet drying. Thus, by wet cleaning the gas contact surfaces of the various components of the gas distribution network, surface impurities (molecules or particles) are removed.

【0014】腐蝕によって誘発される表面の変質は、表
面と電子部材専用ガス(ESG)およびその不純物の両
者との吸着エネルギーに影響を及ぼし、そのため使用箇
所でガスの成分が変動するという結果を招く。さらに、
そのようなガス分配ネットワークを稼動する上では、い
かなる水分もしくは空気の侵入をも防止し、あるいはこ
れが生じた場合には侵入した分子を除去できることが必
須である。
Corrosion-induced surface alteration affects the adsorption energies of the surface and both the electronic component gas (ESG) and its impurities, resulting in variations in the gas composition at the point of use. . further,
In operating such a gas distribution network, it is essential to prevent the ingress of any moisture or air, or to remove the invading molecules if this occurs.

【0015】[0015]

【発明が解決しようとする課題】したがって、この発明
の目的は、表面、特には深いデッドスペース部位または
実際的な条件、有害な条件もしくは規制の条件のために
熱脱着のための加熱が不可能であるものをより効果的に
乾燥させる他の技術を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION It is therefore an object of the present invention to prevent heating for thermal desorption due to surfaces, especially deep dead space sites or practical, detrimental or regulatory conditions. It is to provide another technique for drying what is more effectively.

【0016】また、この発明は、上記揮発性不純物もし
くは粒子状不純物による腐食および微小汚染の源を抑制
することにより、分配ネットワークに電子部材専用ガス
を導入する前に吸着分子、特にH2 Oを除去する方法を
提供することをも目的とする。
Further, according to the present invention, by suppressing the source of corrosion and minute contamination due to the above-mentioned volatile impurities or particulate impurities, adsorbed molecules, especially H 2 O, can be adsorbed before introducing the gas exclusively for electronic members into the distribution network. It is also intended to provide a method of removal.

【0017】さらに、この発明は、超高純度ガスの分配
における腐蝕を最小限に止める方法を提供することをも
目的とする。
A further object of the invention is to provide a method of minimizing corrosion in the distribution of ultra high purity gases.

【0018】さらにまた、この発明は、超高純度ガスの
分配における腐蝕によって生じる汚染および粒子を最小
化する方法を提供することをも目的とする。
A further object of the present invention is to provide a method for minimizing contamination and particles caused by corrosion in the distribution of ultra high purity gases.

【0019】さらに、この発明は、超高純度ガスの分配
における腐蝕を最小化する方法を実施するための装置を
提供することをも目的とする。
It is a further object of the invention to provide an apparatus for carrying out a method for minimizing corrosion in the distribution of ultra high purity gas.

【0020】[0020]

【課題を解決するための手段】前記目的は、(a)ガス
分配ネットワークまたは少なくともそれらの一部を湿式
洗浄剤で湿式洗浄し、かつ(b)前記ガス分配ネットワ
ークまたは前記少なくともそれらの一部を、アセトンジ
メチルアセタール(ジメトキシプロパンとも呼ばれる)
(DMP)、2,2-ジクロロプロパン(DCP)、2,2-ジ
ブロモプロパン(DBP)、それらの混合物およびそれ
らの等価物からなる群より選択されるH2 O脱着液体乾
燥剤で液性乾燥する、ことを包含する、超高純度ガスの
ガス分配ネットワークまたはそれらの一部における腐蝕
を減少させる方法によって達成される。
The objects are: (a) wet cleaning the gas distribution network or at least a portion thereof with a wet cleaner, and (b) cleaning the gas distribution network or at least a portion thereof. , Acetone dimethyl acetal (also called dimethoxypropane)
Liquid drying with a H 2 O desorption liquid desiccant selected from the group consisting of (DMP), 2,2-dichloropropane (DCP), 2,2-dibromopropane (DBP), mixtures thereof and their equivalents. And a method of reducing corrosion in a gas distribution network of ultrapure gases, or portions thereof.

【0021】また、前記目的は、ガス分配ネットワーク
またはそれらの一部をH2 O脱着液体乾燥剤で液性乾燥
するための手段を具備する超高純度ガスの搬送装置によ
って達成される。
The above objects are also achieved by an ultrapure gas delivery system comprising means for liquid drying the gas distribution network or parts thereof with a H 2 O desorbing liquid desiccant.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】この発明による方法は、(a)ガ
ス分配ネットワークまたは少なくともそれらの一部を湿
式洗浄剤で湿式洗浄し、かつ(b)前記ガス分配ネット
ワークまたは前記少なくともそれらの一部を、アセトン
ジメチルアセタール(ジメトキシプロパンとも呼ばれ
る)(DMP)、2,2-ジクロロプロパン(DCP)、2,
2-ジブロモプロパン(DBP)、それらの混合物および
それらの等価物からなる群より選択されるH2 O脱着液
体乾燥剤で液性乾燥する、ことを包含する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION The method according to the invention comprises: (a) wet cleaning the gas distribution network or at least a part thereof with a wet cleaner, and (b) the gas distribution network or at least a part thereof. , Acetone dimethyl acetal (also called dimethoxypropane) (DMP), 2,2-dichloropropane (DCP), 2,
Liquid drying with a H 2 O desorbing liquid desiccant selected from the group consisting of 2-dibromopropane (DBP), mixtures thereof and their equivalents.

【0023】この発明は、金属表面および他の構成表面
上に吸着された水分の改良された除去に基づく、腐蝕が
減少した超高純度ガスの分配を提供する。
The present invention provides for the distribution of ultra high purity gases with reduced corrosion based on the improved removal of moisture adsorbed on metal surfaces and other constituent surfaces.

【0024】この発明の方法は、シリンダバルブに起因
する腐蝕の問題に特に適している。これは、シリンダバ
ルブ中に吸着された分子種の熱脱着が安全性および規制
を考慮することで妨げられるためである。
The method of the present invention is particularly suited to the problem of corrosion due to cylinder valves. This is because thermal desorption of molecular species adsorbed in the cylinder valve is hindered by safety and regulatory considerations.

【0025】この発明は、少なくとも(バルブのよう
な)最も腐蝕しやすいガス分配ネットワークの一部を湿
式洗浄し、少なくともガス分配ネットワークのガス接触
表面の前記部分を、吸着した水分と反応し、かつ好まし
くは金属表面上に付着した粒子残留物および揮発性分子
のいずれをも実質的に残さないH2 O脱着液体乾燥剤に
露出することにより液性乾燥することを包含する。この
発明の液性乾燥は、吸着したH2 Oを優先的に除去し、
かつ表面に対する強い相互作用を示す粒子残留物および
揮発性分子のいずれをも残さない液体化学薬品を用い
て、室温で非常に効果的に完結させることができる。後
者は、液性乾燥工程の後に、減圧−加圧サイクルの下で
容易にパージされる。
The present invention wet-cleans at least a portion of the most corrosive gas distribution network (such as a valve), at least said portion of the gas contacting surface of the gas distribution network reacts with adsorbed moisture, and Preferably it includes liquid drying by exposure to a H 2 O desorbing liquid desiccant which leaves substantially no particulate residue and volatile molecules deposited on the metal surface. The liquid drying of this invention preferentially removes adsorbed H 2 O,
And it can be completed very effectively at room temperature with liquid chemistries that leave behind neither particle residues nor volatile molecules that show strong interactions with the surface. The latter is easily purged under a vacuum-pressurization cycle after the liquid drying step.

【0026】この発明の一態様においては、前記液体乾
燥剤にはDMP(アセトンジメチルアセタール)、DC
P(2,2-ジクロロプロパン)またはDBP(ジブロモプ
ロパン)が含まれる。しかしながら、当該分野における
熟練者に周知の他のH2 O脱着液体乾燥剤をこの発明に
従って用いることができる。これらの分子の湿式洗浄お
よび乾燥特性を合わせるために、純粋な液体を用いるこ
とが最も好ましい。
In one embodiment of the present invention, the liquid desiccant is DMP (acetone dimethyl acetal), DC
P (2,2-dichloropropane) or DBP (dibromopropane) is included. However, other H 2 O desorption liquid desiccants well known to those skilled in the art can be used in accordance with this invention. Most preferably, pure liquids are used to combine the wet cleaning and drying properties of these molecules.

【0027】その後、好ましくは超高純度不活性ガスを
用いる加圧−減圧サイクルパージによって残留副生物の
パージを行なうことが好ましい。この超高純度不活性ガ
スは、好ましくは乾燥しており、好ましくは不純物の含
有量が 1ppm未満であるものである。好ましくはその
後、好ましくは 5×104 パスカル未満の圧力で排出工程
を実施する。上記方法は、前記表面を電子部材専用ガ
ス、特にHBr等の腐食性ガスもしくは周囲空気に晒す
前に行なわれる。
After that, it is preferable to purge residual by-products by pressurization-depressurization cycle purging, preferably using an ultra-high purity inert gas. The ultra-high purity inert gas is preferably dry and preferably has an impurity content of less than 1 ppm. Preferably thereafter, the discharging step is carried out, preferably at a pressure below 5 × 10 4 Pascals. The above method is performed before exposing the surface to a gas dedicated to electronic members, in particular a corrosive gas such as HBr or ambient air.

【0028】高純度液体、例えば、DI水、アルコール
類、アセトン、その他による湿式洗浄により、これらの
液体に可溶の分子種が除去される。これはまた、希釈も
しくは液体の機械的な摩擦によって、上記湿式乾燥以前
にガス接触表面上にたまたま存在することがある分子種
および粒子を除去する。
Wet cleaning with high-purity liquids such as DI water, alcohols, acetone, etc. removes molecular species soluble in these liquids. It also removes molecular species and particles that may happen to be present on the gas contact surface prior to the wet drying by mechanical rubbing of the diluent or liquid.

【0029】この工程は、ガス分配ネットワークまたは
それらの一部が思いがけなく空気に晒される場合、例え
ば、シリンダ接続の間、または修理もしくは構成装置交
換のためにネットワークを開放し、水分が表面に吸着さ
れる場合に特に有用である。吸着H2 Oの存在は、腐蝕
反応を促進する。このような偶然による腐蝕の有害な効
果は、上記液性乾燥工程とその前の湿式洗浄工程との組
み合わせにより(湿式洗浄と液性乾燥との間に高純度不
活性ガスを用いるパージまたは減圧−加圧サイクルを用
いて、もしくは用いることなく)、有効かつ実質的に抑
制することができる。
This process opens the network when gas distribution networks or parts of them are inadvertently exposed to air, for example during cylinder connection or for repair or component replacement, and moisture is adsorbed to the surface. It is especially useful when The presence of adsorbed H 2 O promotes the corrosion reaction. The deleterious effect of such accidental corrosion is due to the combination of the liquid drying step and the wet cleaning step before it (purging or decompression using a high-purity inert gas between wet cleaning and liquid drying). It can be effectively and substantially suppressed with or without the use of a pressure cycle.

【0030】この発明の別の態様においては、同様の湿
式洗浄および液性乾燥手順を、ESGをこれに露出され
た構成装置からパージした直後であって、それを例え非
常に簡単にでもあっても空気に晒す前に、好ましく適用
することができる。これは、空気に露出した後に生起す
る、残留吸着ESGとH2 O分子との反応によって生じ
得る望ましくない腐蝕を抑制するために行なわれる。実
際、吸着分子間の反応は触媒的に再び活性化され、腐
蝕、粒子および望ましくない表面分子の形成につながる
表面反応を促進する。
In another aspect of the present invention, a similar wet cleaning and liquid drying procedure was performed immediately after purging the ESG from the components exposed to it, even though very simply. Can also be preferably applied before exposure to air. This is done to prevent unwanted corrosion that may occur due to the reaction of the residual adsorbed ESG with H 2 O molecules that occurs after exposure to air. In fact, the reaction between the adsorbed molecules is catalytically reactivated and promotes surface reactions leading to corrosion, particles and the formation of unwanted surface molecules.

【0031】この発明のさらに別の態様においては、湿
式洗浄および液性乾燥のサイクルが繰り返し行なわれ
る。この一連の流れは、表面をESGに露出する前後、
特に表面が空気に晒されている場合に特に有効である。
In yet another aspect of the present invention, the cycle of wet cleaning and liquid drying is repeated. This series of flow is before and after exposing the surface to ESG,
It is especially effective when the surface is exposed to air.

【0032】この発明の方法、特に工程(a)および
(b)の組み合わせの適切な使用法の中でも、(a)
(例え最少時間であっても)空気に晒し、かつ(b)ガ
ス分配ネットワークを通してESGを流す前、以前に使
用することが意図されている。
Among the suitable uses of the process according to the invention, in particular of the combination of steps (a) and (b), are (a)
It is intended for use before exposure to air (even for a minimum amount of time) and (b) before flushing the ESG through the gas distribution network.

【0033】この発明は、金属表面および他の表面上に
吸着した水分の改良された除去に基づく、腐蝕の発生が
減少し、もしくは腐蝕が発生しない電子部材専用ガス分
配方法、すなわち、揮発物質反応副生物が減少し、かつ
粒子が減少した電子部材専用ガス分配方法を提供する。
この発明の方法は、シリンダバルブに起因する腐蝕の問
題に特に適している。これは、シリンダバルブ内に吸着
した分子種の熱脱着が安全性および規制を考慮すること
で妨げられているためである。
The present invention is a gas distribution method exclusively for electronic components, ie, volatile reaction, which is based on the improved removal of moisture adsorbed on metal surfaces and other surfaces, with reduced or no corrosion generation. Provided is a gas distribution method exclusively for electronic members, in which by-products are reduced and particles are reduced.
The method of the present invention is particularly suitable for corrosion problems due to cylinder valves. This is because thermal desorption of the molecular species adsorbed in the cylinder valve is hindered by considering safety and regulation.

【0034】この発明の方法は、任意に、まず前記分配
ネットワークまたはそれらの一部を、好ましくは不純物
の含量が 1ppm未満であり、より好ましくは水蒸気の
含量が 1ppm未満である乾燥不活性高純度ガスでパー
ジすることを含む。パージおよびパージガスの排出の
後、通常、分配ネットワークを空にして大気圧以下[su
b-ambient pressure]とする。これら 2つの第1工程で
は、 5×104 パスカル未満の圧力に到達し、排出される
ガス中の不純物含量がパージのために注入された不活性
ガスの不純物含量と同じになるまで繰り返す。(必要な
だけ繰り返される)これらの工程は、「反復加圧−減圧
[cycled pressure-vacuum]」パージとして知られてい
る。これら 2つの任意工程の後、ガス分配ネットワーク
を上に示す通りに湿式洗浄し、液性乾燥させる。湿式洗
浄は、DI水、アルコール類、アセトンまたは当該技術
分野の熟練者に周知の他の同様の洗浄剤のような高純度
液体を用いて行なわれる。この発明による方法のこの工
程において用いられる湿式洗浄剤は、金属性表面、特に
ステンレススチール表面の洗浄に適した高純度洗浄剤で
あるべきである。ここで、高純度洗浄剤とは、それらが
純粋に(または他の洗浄剤もしくは溶媒と混合して)用
いられた場合に、処理表面上の固形残留物を実質的に残
さない洗浄剤、すなわち、固形残留物の含量がリットル
当り 1mg未満であり、好ましくはリットル当り10-6
未満である洗浄剤を意味する。
The process of the invention optionally comprises first of all said distribution networks or parts thereof, dry inert high purity, wherein the content of impurities is less than 1 ppm, more preferably the content of water vapor is less than 1 ppm. Including purging with gas. After purging and purging gas purge, the distribution network is usually emptied to below atmospheric pressure [su
b-ambient pressure]. These two first steps are repeated until a pressure of less than 5 × 10 4 Pascal is reached and the content of impurities in the discharged gas is the same as that of the inert gas injected for purging. These steps (repeated as often as necessary) are known as "cycled pressure-vacuum" purges. After these two optional steps, the gas distribution network is wet washed and liquid dried as shown above. Wet cleaning is performed with high purity liquids such as DI water, alcohols, acetone or other similar cleaning agents known to those skilled in the art. The wet cleaning agent used in this step of the method according to the invention should be a high-purity cleaning agent suitable for cleaning metallic surfaces, in particular stainless steel surfaces. Here, high-purity cleaning agents are cleaning agents that, when used purely (or mixed with other cleaning agents or solvents), leave substantially no solid residue on the treated surface. , The content of solid residue is less than 1 mg per liter, preferably 10 -6 g per liter
Means a cleaning agent that is less than.

【0035】湿式洗浄(液)剤の注入は、図1および2
を用いて以下に開示されるような適当な手段によってな
される。この注入は、シリンジを用いて人の手によって
行なうか、あるいはポンプを用い、キャピラリチューブ
を介して自動的に行なうことができる。
Wet cleaning (liquid) agent injection is shown in FIGS.
By means of suitable means as disclosed below. This injection can be performed manually by using a syringe, or automatically using a pump through a capillary tube.

【0036】この湿式洗浄工程の所用時間は、通常、約
1分ないし最大で 1時間である。配管および他の構成装
置が新しい(例えば、以前に用いられたことがない)場
合には、通常、それらを湿式洗浄する必要はない。幾ら
かの粒子または凝集可能な分子が既に付着しているもの
と考えられる場合でも、約 1分ないし約 2分間湿式洗浄
を行なえば十分である。分配ネットワーク配管および/
またはネットワークの他の構成装置が以前に既に用いら
れている場合には、通常、約 5ないし約30分間、好まし
くは約10分間それらを洗浄することをお勧めする。
The time required for this wet cleaning step is usually about
One minute or up to an hour. If the tubing and other components are new (eg, never used before), it is usually not necessary to wet clean them. A wet wash of about 1 to about 2 minutes is sufficient, even if some particles or agglutinable molecules are considered to be already attached. Distribution network piping and /
Alternatively, if other components of the network have already been used previously, it is usually recommended to wash them for about 5 to about 30 minutes, preferably about 10 minutes.

【0037】もちろん、この洗浄は、配管、バルブ、マ
スフロー制御器等に適用可能である。新規もしくは既に
存在するガス分配ネットワークに対しては、ネットワー
クの内面が空気に接触する度にこの発明による方法を適
用するよう助言する。例えば、プラント内においてシリ
ンダに電子部材専用ガスが充填された場合には、充填工
程の最後に、この明細書中で説明されるようにバルブを
洗浄/乾燥することをお勧めする。顧客のプラント内で
シリンダが搬送される場合にもまた、前記バルブおよび
前記シリンダにこの明細書中に開示される方法、特に工
程(a)および(b)を適用することをお勧めする。ま
た、ガスキャビネットが空になり、シリンダが引き出さ
れる場合にも、同様の方法を適用するべきである。湿式
洗浄工程(a)と液性乾燥工程(b)との間の不活性ガ
スを用いるパージは、通常任意である。
Of course, this cleaning can be applied to pipes, valves, mass flow controllers and the like. For new or existing gas distribution networks, it is advised to apply the method according to the invention each time the inner surface of the network contacts the air. For example, if the cylinder is filled with electronic component gas in the plant, it is recommended to clean / dry the valve at the end of the filling process as described herein. It is also advisable to apply the method disclosed herein, in particular steps (a) and (b), to said valves and said cylinders when the cylinders are transported in the customer's plant. A similar method should also be applied when the gas cabinet is empty and the cylinder is pulled out. Purging with an inert gas between the wet cleaning step (a) and the liquid drying step (b) is usually optional.

【0038】湿式洗浄工程(a)の後には、吸着分子と
反応し、かつ金属もしくは他の表面上に付着する粒状残
留物および揮発性分子を残すことのない化学薬品に露出
することによる、ガス分配ネットワークのガス接触表面
の液性乾燥を含む工程が続く。この湿式乾燥工程は、分
配ネットワークを通して流れる電子部材専用ガスの水に
よる分解の触媒反応を防止することを狙っている。この
発明による液性乾燥は、好ましくは吸着したH2 Oを除
去し、かつ粒状残留物も揮発性残留物(液体/蒸気)も
残さないが、吸着水分に対しては化学的に活性である液
体化学薬品を用いて、室温で有効に完結させることがで
きる。(粒状残留物がないとは、液体が、リットル当り
通常 1mg未満、好ましくは10-6g未満の粒子しか含ま
ないことを意味する)。これらの液体化学薬品は、液性
乾燥の後に、減圧−加圧サイクルの下で容易にパージさ
れる。
After the wet cleaning step (a), the gas by exposure to chemicals that react with the adsorbed molecules and leave no particulate residue and volatile molecules deposited on the metal or other surface. Followed by a step involving liquid drying of the gas contacting surface of the distribution network. This wet-drying process aims to prevent the catalytic reaction of the decomposition of the gas for exclusive use of electronic components flowing through the distribution network by water. Liquid drying according to the invention preferably removes adsorbed H 2 O and leaves no particulate or volatile residues (liquid / vapor), but is chemically active towards adsorbed moisture. It can be effectively completed at room temperature with liquid chemicals. (Free of particulate residue means that the liquid usually contains less than 1 mg, preferably less than 10 −6 g of particles per liter). These liquid chemicals are easily purged under vacuum-pressure cycles after liquid drying.

【0039】この液性乾燥の所用時間は、好ましくは約
1分ないし約20分間である。分配ネットワークの装置ま
たは配管が新しく、かつその内面の粗さが 5×10-6
(Ra< 5×10-6m)未満である場合には、通常、約 1
分ないし約 2分で十分である。しかしながら、装置、配
管もしくはネットワークが新しくなく、および/または
表面の粗さRaが 5×10-6mよりも大きい場合には、通
常、約10分以上乾燥剤で処理することをお勧めする。
The time required for this liquid drying is preferably about
1 to about 20 minutes. New distribution network equipment or piping with internal roughness of 5 × 10 -6 m
When it is less than (Ra <5 × 10 −6 m), it is usually about 1
Minutes to about 2 minutes is sufficient. However, if the equipment, piping or network is not new and / or the surface roughness Ra is greater than 5 × 10 −6 m, it is usually recommended to treat with a desiccant for about 10 minutes or more.

【0040】この発明によると、H2 O脱着液体乾燥剤
は、DMP(アセトンジメチルアセタール)、CDP
(2,2-ジクロロプロパン)もしくはDBP(2,2-ジブロ
モプロパン)、それらの混合物およびそれらの等価物か
らなる群より選択される。ここで、等価物とは、吸着水
分と反応することが可能であって、かつ金属もしくは他
の表面に付着する粒状残留物および揮発性分子のいずれ
をも実質的に残さない液体であって、分配ネットワーク
を通して流れる電子部材専用ガスの水による分解の触媒
反応を阻止することをその機能とする液体であると定義
される。これらの分子の湿式洗浄特性および化学的乾燥
特性を合わせるために、純粋な液体を用いることが最も
好ましい。
According to the present invention, the H 2 O desorption liquid desiccant is DMP (acetone dimethyl acetal), CDP.
(2,2-dichloropropane) or DBP (2,2-dibromopropane), mixtures thereof and their equivalents. Here, the equivalent is a liquid capable of reacting with adsorbed moisture and substantially leaving neither a particulate residue nor a volatile molecule attached to a metal or other surface, It is defined as a liquid whose function is to prevent the catalytic reaction of the decomposition of the gas for exclusive use of electronic components flowing through the distribution network by water. Most preferably, pure liquids are used to combine the wet cleaning and chemical drying properties of these molecules.

【0041】この発明の一面によると、上記3種の乾燥
液(DMP、DCPもしくはDBP)が、上に開示され
る湿式洗浄工程の後に用いられる場合には極めて有効で
あり、他のH2 O脱着液体乾燥剤の他の分子が同じよう
に成功裡に用いることができるかどうかを正確に予測す
ることは不可能であることが予期せず見出されている。
しかしながら、他のH2 O脱着液が適しているか否かの
決定を試みることは、当該分野における熟練者の技術の
範囲内である。
According to one aspect of the present invention, the above-mentioned three kinds of drying liquids (DMP, DCP or DBP) are extremely effective when used after the wet cleaning step disclosed above, and other H 2 O. It has been unexpectedly found that it is not possible to accurately predict whether other molecules of desorbed liquid desiccants could be used as successfully as well.
However, it is within the skill of one in the art to try to determine if other H 2 O desorption solutions are suitable.

【0042】通常その後に、好ましくは、不純物の含量
が好ましくは 1ppm未満である超高純度不活性ガスを
用いる加圧−減圧サイクルパージによって、残留副生物
のパージを行なう。
Usually after that, residual by-products are purged, preferably by a pressure-vacuum cycle purge with an ultrapure inert gas, preferably having an impurity content of less than 1 ppm.

【0043】この発明の特に好ましい態様においては、
湿式洗浄および液性乾燥工程が終了した後であり、かつ
ESGが搬送される前に、窒素、アルゴン、ヘリウムの
ような不活性ガスまたは水素のような活性ガスを用い
て、ガス分配ネットワークをパージする。パージの所用
時間は、約 1分ないし約10分の間で変化し、好ましくは
2ないし 5分間である。このパージに用いられるガスは
もちろん極めて純粋、すなわち、標準状態の温度および
圧力において揮発性不純物 100ppb未満およびリット
ル当り 1粒子未満であるべきである。(上記ガスを用い
るこのパージは、通常、減圧と交互に行なわれる)。次
いで、ESGをガス分配ネットワークに導入する。この
発明の目的のためには、ESGは腐蝕性ガスまたは幾ら
かの腐蝕性を有し、もしくは腐蝕性が疑われる電子部材
専用ガスを意味する。もちろん、本質的に上述の通りに
処理されるガス分配ネットワークまたはその一部は、腐
蝕性ガスもしくは(N2 のような)他のガスのいずれを
も流すために用いられる。この方法は、ガス分配ネット
ワークに腐蝕性ガスをさらに流すか流さないかにかかわ
らず、本質的に、腐蝕を減少させるための様々な処理工
程を含む。
In a particularly preferred embodiment of this invention,
Purge the gas distribution network with an inert gas such as nitrogen, argon, helium or an active gas such as hydrogen after the wet cleaning and liquid drying steps are completed and before the ESG is transported. To do. The purging time varies from about 1 minute to about 10 minutes, and is preferably
2 to 5 minutes. The gas used for this purging should, of course, be very pure, ie less than 100 ppb of volatile impurities and less than 1 particle per liter at standard conditions of temperature and pressure. (This purging with the above gases is usually alternating with depressurization). The ESG is then introduced into the gas distribution network. For purposes of this invention, ESG means a corrosive gas or a gas dedicated to electronic components that has or is suspected of being corrosive. Of course, a gas distribution network, or part thereof, treated essentially as described above, is used to flow either corrosive gases or other gases (such as N 2 ). The method essentially involves various processing steps to reduce corrosion, with or without further flow of corrosive gas through the gas distribution network.

【0044】この発明の他の態様においては、I.C.
製造のような製造プロセスのためにESGを流した後、
この発明の湿式洗浄および液性乾燥工程(a)および
(b)を、分配ネットワークからESGをパージした直
後であって、簡単であってもネットワークを空気に晒す
前に、さらに実施する。これは、空気暴露の後に生じる
残留吸着ESGとH2 O分子との間の望まざる化学反応
の発生を減少させる。実際、そのような吸着分子間の反
応は触媒的に再び活性化され、腐蝕につながる表面反応
を促進する。
In another aspect of the invention, I.S. C.
After flowing the ESG for a manufacturing process such as manufacturing,
The wet-cleaning and liquid-drying steps (a) and (b) of the present invention are further carried out immediately after purging the distribution network with ESG, but simply before exposing the network to air. This reduces the occurrence of undesired chemical reactions between residual adsorbed ESG and H 2 O molecules that occur after air exposure. In fact, the reaction between such adsorbed molecules is catalytically reactivated and promotes surface reactions leading to corrosion.

【0045】この発明のさらに別の態様においては、 2
サイクル以上の湿式洗浄(例えば、最初にDI水(より
揮発性が低い)等を用い、次いでアセトンもしくはアル
コール(より揮発性が高い)等を用いる)並びに少なく
とも 1サイクルの湿式乾燥が行なわれる。この一連の流
れは、ガス分配ネットワークのガス接触表面をESGに
暴露する前後の両者、特には、この表面が空気に暴露さ
れている場合に特に有効である。
In yet another embodiment of this invention, 2
More than one cycle of wet washing (eg first using DI water (less volatile) etc., then acetone or alcohol (more volatile) etc.) and at least one cycle of wet drying. This sequence of flows is particularly effective both before and after exposing the gas contacting surface of the gas distribution network to ESG, especially when the surface is exposed to air.

【0046】この発明の方法の多くの適当な使用の中で
も、(a)(最小時間であっても)空気に暴露し、かつ
(b)ガス分配システムもしくはその一部を通してES
Gを流す前、以前での使用を狙っている。
Among the many suitable uses of the method of the invention are (a) exposure to air (even for a minimum time) and (b) ES through a gas distribution system or part thereof.
Before shedding G, she is aiming to use it before.

【0047】上記プロセスは、ガス分配ネットワーク全
体に適用することができる。しかしながら、最も重大な
部分は、バルブ構造またはマスフロー制御器、圧力調節
器等の他の構成装置に見出されるようなデッドスペース
を含む部分である。したがって、この発明は、ガス分配
ネットワーク中のそのような構成装置を特に指向する。
The above process can be applied to the entire gas distribution network. However, the most critical part is the part that contains dead space as found in valve structures or other components such as mass flow controllers, pressure regulators and the like. Therefore, the present invention is particularly directed to such components in gas distribution networks.

【0048】この発明の湿式洗浄および/または液性乾
燥工程を実施可能なガス分配ネットワークは、バルブ構
造中に含まれるデッドスペースのために多少複雑なもの
である。したがって、この発明はまた、最小限度のデッ
ドスペースを有し、この発明の方法が実施可能なガス分
配ネットワークを指向する。
The gas distribution network capable of carrying out the wet cleaning and / or liquid drying process of the present invention is somewhat complicated due to the dead space contained in the valve structure. Accordingly, the present invention is also directed to a gas distribution network with minimal dead space and in which the method of the present invention can be practiced.

【0049】この発明の方法を実施するための装置は、
ガス分配ネットワークを湿式洗浄するための手段および
ガス分配ネットワークをH2 O脱着液剤で液性乾燥する
ための手段を含む。
The apparatus for carrying out the method of the invention is
Means for wet cleaning the gas distribution network and means for liquid drying the gas distribution network with H 2 O desorbent.

【0050】この発明の装置の一態様によると、湿式洗
浄および/または液体乾燥剤は、図1および2に示され
るシリンジタイプの導入システムを用いて人の手でガス
分配ネットワークに導入することができる。
According to one aspect of the apparatus of the present invention, the wet cleaning and / or liquid desiccant can be manually introduced into the gas distribution network using the syringe type introduction system shown in FIGS. it can.

【0051】この発明の装置の好ましい態様において
は、湿式洗浄および/または液体乾燥剤の循環はキャピ
ラリ管を用いることにより達成され、図1に示されるよ
うに、好ましい稼働方法として循環ポンプを具備する。
図1の装置は、この発明の方法を実施するガス分配ネッ
トワークの構成装置内に存在する深いデッドスペースに
到達するように設計され、機械的に活性化された液体循
環システムを提供する。このシステムは、液流を与える
ポンプ、微細デッドスペースを与えるキャピラリ導入口
−排出口ライン、並びに清浄な液体の取扱いと接続時お
よび分断時に最少限の空気暴露を許容する組立体を基礎
とする。図1の装置は、以下でさらに記述する。
In a preferred embodiment of the apparatus of the present invention, the wet cleaning and / or the circulation of the liquid desiccant is achieved by using a capillary tube, and as shown in FIG. 1, it is equipped with a circulation pump as a preferable operation method. .
The apparatus of Figure 1 provides a mechanically activated liquid circulation system designed to reach deep dead spaces present within the components of a gas distribution network implementing the method of the present invention. The system is based on a pump that provides liquid flow, a capillary inlet-outlet line that provides fine dead space, and an assembly that allows minimal air exposure when handling and connecting and disconnecting clean liquid. The device of FIG. 1 is described further below.

【0052】図1のシリンダバルブヘッドは、シリンダ
バルブ 1、ダイヤフラム 2、スプリング 3、スピンドル
4、ジフロン[Diflon]、テフロン[Teflon]等のポリ
マー封止剤 5、シリンダバルブポート 6、シリンダから
のガス流(例えばHBr) 7、シリンダバルブの排出口
8、ポリマーパッキング 9並びに継手およびコネクタ10
を具備する。
The cylinder valve head shown in FIG. 1 includes a cylinder valve 1, a diaphragm 2, a spring 3 and a spindle.
4, polymer sealant such as diflon [Diflon], Teflon [Teflon] 5, cylinder valve port 6, gas flow from cylinder (eg HBr) 7, cylinder valve outlet
8, polymer packing 9 and fittings and connectors 10
It is equipped with.

【0053】シリンダバルブヘッド組立体は、キャピラ
リ管11全長および“T”型雄コネクタ12の第1端部と液
通[fluid communication ]がある。湿式洗浄および/
または液体乾燥剤導入口20用の三方ダイヤフラムバルブ
の第1端部は、“T”型雄コネクタ12の第2端部と液通
がある。我々は、真空気密性、非反応性および非ガス放
出性金属−金属結合剤としてセラミックセメントを用い
た。
The cylinder valve head assembly is in fluid communication with the entire length of the capillary tube 11 and the first end of the "T" type male connector 12. Wet cleaning and /
Alternatively, the first end of the three-way diaphragm valve for liquid desiccant inlet 20 is in fluid communication with the second end of the "T" type male connector 12. We used ceramic cement as a vacuum tight, non-reactive and non-gas releasing metal-metal binder.

【0054】液体ポンプ24は、湿式洗浄および/または
液体洗浄剤導入口20用の三方ダイヤフラムバルブの第2
端部と液通している。液体ポンプ24は、さらに、 0.1μ
mフィルタ26および湿式洗浄剤または液体乾燥剤25と液
通がある。
The liquid pump 24 is a second three-way diaphragm valve for the wet cleaning and / or liquid cleaning agent inlet 20.
It is in fluid communication with the end. The liquid pump 24 has a
There is fluid communication with the m filter 26 and the wet cleaner or liquid desiccant 25.

【0055】湿式洗浄および/または液体乾燥剤導入口
20用の三方ダイヤフラムバルブの第3端部はダイヤフラ
ムバルブ21と液通があり、このバルブ21はさらに 0.1μ
mフィルタ22および乾燥ガス導入口23に連通している。
乾燥ガス導入口23は、パージガス(通常、洗浄工程と乾
燥工程との間に用いられる不活性もしくは反応性ガス)
の導入に用いられる。
Wet cleaning and / or liquid desiccant inlet
The third end of the three-way diaphragm valve for 20 has fluid communication with the diaphragm valve 21, which is 0.1 μm further.
The m filter 22 and the dry gas inlet 23 communicate with each other.
The dry gas inlet 23 is a purge gas (usually an inert or reactive gas used between the cleaning step and the drying step).
Used to introduce.

【0056】“T”型雄コネクタ12の第3端部は、無潤
滑式真空ポンプ19による排出のための三方ダイヤフラム
バルブ14、湿度計18による水分監視のための三方ダイヤ
フラムバルブ15、使用後の生成物を回収するための回収
手段(図示せず)に接続する、湿式洗浄および/または
液性乾燥のためのダイヤフラムバルブ16および排気ライ
ン17と順次液通している。
The third end of the "T" type male connector 12 has a three-way diaphragm valve 14 for discharging with a non-lubricated vacuum pump 19, a three-way diaphragm valve 15 for monitoring moisture with a hygrometer 18, and a The diaphragm valve 16 and the exhaust line 17 for wet cleaning and / or liquid drying, which are connected to a recovery means (not shown) for recovering the product, are sequentially in fluid communication.

【0057】図1の装置の運転は以下の通りに行なう: 1. シリンダバルブを閉鎖する; 2. バルブ16を開放して、バルブ14、15、20および21を
閉鎖する; 3. シリンダバルブにキャピラリ管を挿入する; 4. コネクタ10によって装置をシリンダバルブ排出口 8
に接続する; 5. バルブ20を開放してポンプ24(自動)もしくはシリ
ンジ(手動)を稼働させ、キャピラリ管を通して洗浄液
25をシリンダバルブに給送する; 6. 排出液体の色もしくはpHを監視する; 7. 排出液体が無色もしくはpH 7になるまで洗浄を続
ける; 8. 洗浄後、乾燥化学薬品を充填した容器に交換して乾
燥化学薬品をシリンダバルブ内に導入する; 9. 乾燥化学薬品導入後、ポンプ24を停止させてバルブ2
0を閉鎖する; 10. バルブ21を開放して乾燥ガスを導入し、排気ライン
で液体が観察されなくなるまでラインのパージを行な
う; 11. 完全に乾燥させる[dry-down]のに要する時間が非
常に短い場合には、バルブ16、21を閉鎖し、バルブ14を
開放して、真空ポンプ19によってシリンダバルブを空に
する; 12. バルブ14を閉鎖し、バルブ16、21を開放して、乾燥
ガスによってシリンダバルブをパージする; 13. バルブ15を開放し、バルブ16を閉鎖して、湿度計に
よって乾燥ガス中の水分濃度を監視する; 14. 水分濃度 1ppm未満(< 1ppm)までシリンダ
バルブの完全乾燥を続ける; 15. 装置のコネクタ10を分断し、シリンダバルブ内に少
量の乾燥剤を導入して、シリンダバルブにブラインドキ
ャップを装着する。
The operation of the apparatus of FIG. 1 is carried out as follows: 1. Close the cylinder valve; 2. Open valve 16 and close valves 14, 15, 20 and 21; Insert the capillary tube; 4. Connect the device with the connector 10 to the cylinder valve outlet 8
5. Open valve 20 to activate pump 24 (automatic) or syringe (manual), and wash solution through the capillary tube.
25 to the cylinder valve; 6. Monitor the color or pH of the discharged liquid; 7. Continue cleaning until the discharged liquid is colorless or pH 7; 8. After cleaning, in a container filled with dry chemicals Replace and introduce dry chemical into cylinder valve; 9. After dry chemical introduced, stop pump 24 and valve 2
Close 0; 10. Open valve 21 to introduce dry gas and purge the line until no more liquid is observed in the exhaust line; 11. Time required for complete dry-down If very short, close valves 16 and 21, open valve 14 and empty cylinder valve by vacuum pump 19; 12. Close valve 14 and open valves 16 and 21; Purge the cylinder valve with dry gas; 13. Open valve 15, close valve 16 and monitor the moisture concentration in the dry gas with a hygrometer; 14. Cylinder valve until moisture concentration less than 1ppm (<1ppm) Continue to dry completely; 15. Disconnect the connector 10 of the device, introduce a small amount of desiccant into the cylinder valve, and install a blind cap on the cylinder valve.

【0058】より容易な接続および自動運転という利点
を有するこの発明の別の態様が図2に開示されている。
ここで、従来のガスシリンダの稼働条件の下で空気に暴
露されるバルブおよびコネクタ部は、無潤滑性ポンプを
用いて排気する。液体洗浄剤および液体乾燥剤は、それ
ぞれ、液体(大気圧)を取り巻く圧力とバルブおよびそ
のコネクタ部内に存在するものの圧力との差によって駆
動されるジェットとして導入する。
Another aspect of the invention, which has the advantage of easier connection and autonomous operation, is disclosed in FIG.
Here, the valve and the connector portion exposed to air under the operating condition of the conventional gas cylinder are exhausted by using a non-lubricating pump. The liquid detergent and the liquid desiccant are introduced as jets driven by the difference between the pressure surrounding the liquid (atmospheric pressure) and that present in the valve and its connector part, respectively.

【0059】図2に示される装置の稼働は以下の通りに
行なう: (I)湿式洗浄プロセス 1. シリンダバルブ 101を閉鎖する。
The operation of the apparatus shown in FIG. 2 is carried out as follows: (I) Wet cleaning process 1. Cylinder valve 101 is closed.

【0060】2. 高圧容器 114に洗浄液を入れ、キャッ
プを閉鎖する。
2. Fill the high-pressure container 114 with the cleaning liquid and close the cap.

【0061】3. 高圧容器 114の残りの空間に高圧( 1.
1−10×105 Pa)乾燥ガスを導入し、ゲージ 116によ
って圧力をチェックする。
3. The high pressure (1.
1-10 × 10 5 Pa) Dry gas is introduced and the pressure is checked by gauge 116.

【0062】4. シリンジ 121に乾燥化学剤 122を収容
する。
4. Syringe 121 contains dry chemical 122.

【0063】5. バルブ 117、 118、 124、 125、 12
6、 132および 133を閉鎖する。
5. Valves 117, 118, 124, 125, 12
Close 6, 132 and 133.

【0064】6. コネクタ 110によって装置をシリンダ
バルブ排出口 108に接続する。
6. Connector 110 connects device to cylinder valve outlet 108.

【0065】7. ポンプ 135を稼働させ、バルブ 133お
よび 125を開放してシリンダバルブの排気を行なう。
7. The pump 135 is operated, the valves 133 and 125 are opened, and the cylinder valve is exhausted.

【0066】8. 真空ゲージが 5×104 Pa未満を示す
までシリンダバルブの排気を行なった後、バルブ 125を
閉鎖する。
8. After exhausting the cylinder valve until the vacuum gauge shows less than 5 × 10 4 Pa, the valve 125 is closed.

【0067】9. バルブ 117を開放し、シリンダバルブ
内に圧縮( 1.1−10×105 Pa)洗浄液を導入する。
9. Open the valve 117 and introduce a compressed (1.1-10 × 10 5 Pa) cleaning liquid into the cylinder valve.

【0068】10. 洗浄液を導入した後、バルブ 117を閉
鎖する。
10. After introducing the cleaning liquid, the valve 117 is closed.

【0069】11. 洗浄液を0.01−15分間維持する。11. Hold the wash solution for 0.01-15 minutes.

【0070】12. バルブ 125を開放し、ライン 127を介
して使用済洗浄液を排出し、シリンダバルブの排気を行
なう(まだポンプは稼働している)。
12. Open valve 125, drain spent cleaning liquid via line 127 and evacuate cylinder valve (pump still running).

【0071】13. 真空ゲージが 5×104 Pa未満を示す
までシリンダバルブの排気を行なった後、バルブ 125を
閉鎖する。
13. After exhausting the cylinder valve until the vacuum gauge shows less than 5 × 10 4 Pa, the valve 125 is closed.

【0072】14. (使用済洗浄液が無色もしくはpH 7
になるまで)バルブ排気−洗浄液充填サイクル(工程 9
−13)を 1回以上繰り返す。
14. (The used cleaning solution is colorless or has a pH of 7
Valve exhaust-cleaning liquid filling cycle (Step 9
Repeat -13) once or more.

【0073】15. 洗浄後、バルブ 117を閉鎖し、洗浄液
の供給を停止する。
15. After cleaning, the valve 117 is closed and the supply of cleaning liquid is stopped.

【0074】16. ライン 127を介してシリンダバルブの
排気を行なう。
16. Evacuate the cylinder valve via line 127.

【0075】17. バルブの排気後、バルブ 125および 1
33を閉鎖する。
17. After exhausting the valves, valves 125 and 1
Close 33.

【0076】(II)湿式化学乾燥プロセス 18. 湿式洗浄後、バルブ 132および 126を開放してシリ
ンダバルブの排気を行なう。
(II) Wet Chemical Drying Process 18. After wet cleaning, the valves 132 and 126 are opened and the cylinder valve is evacuated.

【0077】19. シリンダバルブの排気後、バルブ 126
を閉鎖する。
19. After exhausting the cylinder valve, the valve 126
To close.

【0078】20. バルブ 118を開放し、シリンダバルブ
内に 1.1−10×105 Paの乾燥ガスを導入する。
20. Open the valve 118 and introduce dry gas of 1.1-10 × 10 5 Pa into the cylinder valve.

【0079】21. 乾燥ガス導入後、バルブ 118を閉鎖す
る。
21. After introducing the dry gas, the valve 118 is closed.

【0080】22. バルブ 126を開放し、真空ゲージが 5
×104 Pa未満を示すまでシリンダバルブの排気を行な
う。
22. Open the valve 126 and set the vacuum gauge to 5
Exhaust the cylinder valve until it shows less than × 10 4 Pa.

【0081】23. 排気−乾燥ガス充填サイクル(工程19
−22)を 1−10回繰り返して、シリンダバルブ内に残存
する洗浄液を除去する。
23. Exhaust-dry gas fill cycle (step 19
Repeat -22) 1-10 times to remove the cleaning liquid remaining in the cylinder valve.

【0082】24. 上記繰り返しサイクルの後、バルブ 1
18を閉鎖し、バルブ 126を開放してシリンダバルブの排
気を行なう。
24. After the above repeating cycle, valve 1
18 is closed and valve 126 is opened to exhaust the cylinder valve.

【0083】25. シリンダバルブの排気後、バルブ 126
を閉鎖する。
25. After exhausting the cylinder valve, the valve 126
To close.

【0084】26. バルブ 124を開放し、微細チューブを
介してシリンダバルブ内に乾燥化学剤 122を導入する。
26. Open valve 124 and introduce dry chemistry 122 into the cylinder valve through a fine tube.

【0085】27. シリンダバルブ内に乾燥化学剤 122を
0.01−10分間維持する。
27. Dry chemical agent 122 is put in the cylinder valve.
Hold for 0.01-10 minutes.

【0086】28. バルブ 126を開放し、真空ゲージが 5
×104 Pa未満を示すまでシリンダバルブの排気を行な
う。
28. Open the valve 126 and set the vacuum gauge to 5
Exhaust the cylinder valve until it shows less than × 10 4 Pa.

【0087】29. バルブ 126を閉鎖する。29. Close valve 126.

【0088】30. 排気−乾燥化学剤充填サイクル(工程
25−28)を数回( 2−20)繰り返してシリンダバルブ内
の水分を除去する。
30. Exhaust-dry chemical fill cycle (process
Repeat steps 25-28 several times (2-20) to remove water from the cylinder valve.

【0089】31. 上記繰り返しサイクルの後、バルブ 1
24を閉鎖し、バルブ 126を開放してシリンダバルブの排
気を行なう。
31. After the above repeated cycle, valve 1
24 is closed and valve 126 is opened to exhaust the cylinder valve.

【0090】32. シリンダバルブの排気後、バルブ 126
を閉鎖する。
32. After exhausting the cylinder valve, the valve 126
To close.

【0091】33. バルブ 118を開放し、シリンダバルブ
内に 1.1−10×105 Paの乾燥ガスを導入する。
33. The valve 118 is opened, and 1.1-10 × 10 5 Pa of dry gas is introduced into the cylinder valve.

【0092】34. 乾燥ガスを導入した後、バルブ 118を
閉鎖する。
34. After introducing the dry gas, the valve 118 is closed.

【0093】35. バルブ 126を開放し、真空ゲージが 5
×104 Pa未満を示すまでシリンダバルブの排気を行な
う。
35. Open the valve 126 and set the vacuum gauge to 5
Exhaust the cylinder valve until it shows less than × 10 4 Pa.

【0094】36. 排気−乾燥ガス充填サイクル(工程32
−35)を10回を越える回数繰り返して、シリンダバルブ
内の水分および炭化水素を除去する。
36. Exhaust-dry gas fill cycle (step 32
-35) is repeated more than 10 times to remove water and hydrocarbons in the cylinder valve.

【0095】37. 水分濃度 1ppm未満(< 1ppm)
および炭水化物濃度 100ppm未満(< 100ppm)に
なるまで上記サイクルを繰り返す。
37. Moisture concentration less than 1 ppm (<1 ppm)
And the above cycle is repeated until the carbohydrate concentration is less than 100 ppm (<100 ppm).

【0096】38. 上記不純物がそのレベルに達した後、
開口バルブ 118を具備するコネクタ 110の出口から乾燥
ガスを吹き込みながら装置のコネクタ 110を分断し、そ
の後直ちにブラインドキャップを装着する。
38. After the above impurities reach that level,
While blowing dry gas from the outlet of the connector 110 equipped with the opening valve 118, the connector 110 of the apparatus is cut off, and immediately thereafter, the blind cap is attached.

【0097】以上のように、この発明は、汚染および粒
子が最少化された超高純度ガスのガス分配ネットワーク
のおける腐蝕を減少させる方法を提供する。この方法
は、ネットワーク中に存在する揮発物質および他の不純
物の他に、ガス分配システムのガス接触表面に吸着した
2 Oを実質的に除去するために、湿式洗浄剤の使用
と、乾燥剤で分配ネットワークを液性乾燥させることを
包含する。吸着H2 Oの除去は、結果として粒子、汚染
物質および腐蝕の発生を招く専用ガスとの不所望の反応
を減少させる。
As described above, the present invention provides a method for reducing corrosion and corrosion in a gas distribution network of ultra-high purity gas with minimized particles. This method, in addition to the volatile substances and other impurities present in the network, in order to substantially remove the H 2 O adsorbed to the gas contact surface of the gas distribution system, the use of wet cleaning agent, drying agent And liquid drying the distribution network at. Removal of adsorbed H 2 O reduces undesired reactions with dedicated gases that result in the generation of particles, contaminants and corrosion.

【0098】その後、分配ネットワークを、好ましく
は、不純物の各々について 1ppmよりも良好な純度を
有する乾燥ガスでパージし、次いで排気し、続いて超高
純度腐蝕性ガスまたは空気のいずれか、あるいはその両
者に暴露する。このように、この発明は、使用箇所への
超高純度ガスの改良された搬送方法であって、腐蝕が最
少化された方法を提供する。
Thereafter, the distribution network is preferably purged with a dry gas having a purity of better than 1 ppm for each of the impurities and then evacuated, followed by either ultra-high purity corrosive gas or air, or its Expose to both. Thus, the present invention provides an improved method of delivering ultra high purity gas to the point of use with minimal corrosion.

【0099】[0099]

【実施例】この発明およびこの発明の利点をさらに説明
するために、実施例を以下に示す。これらは説明するこ
とのみを意図するものであり、決して限定することを意
図するものではない。
The following examples are provided to further illustrate the present invention and its advantages. These are intended to be illustrative only and not in any way limiting.

【0100】例 1 この発明の例として、シリンダバルブを通してガスシリ
ンダから回収したHBrを分析した。
Example 1 As an example of this invention, HBr recovered from a gas cylinder through a cylinder valve was analyzed.

【0101】通常の真空サイクルパージを用いる稼働条
件下では、シリンダバルブポートおよびサンプリングの
ための短い金属配管を通してガスを流した場合には、図
3に示すように、非常に大きな粒子カウント率が観測さ
れる。また、バルブポートおよび配管の両者の金属性表
面には、緑または赤味がかった表面生成物の形成により
着色が視認される。化学分析により、表面に臭化鉄水和
物が形成されたことが明らかとなった。上記挙動は、空
気に暴露された金属部分上に吸着された水分の存在に関
連するものと信じられる。この吸着水分は、HBrと反
応して上記腐蝕および粒状形態の不純物を生成する。
Under normal operating conditions using a vacuum cycle purge, a very large particle count rate was observed when the gas was flowed through the cylinder valve port and a short metal pipe for sampling, as shown in FIG. To be done. Also, the metallic surfaces of both the valve ports and the piping are visible due to the formation of green or reddish surface products. Chemical analysis revealed the formation of iron bromide hydrate on the surface. The above behavior is believed to be related to the presence of water adsorbed on the metal parts exposed to air. The adsorbed water reacts with HBr to produce the above-mentioned corrosion and impurities in the form of particles.

【0102】例えば、より多くの回数の減圧−加圧サイ
クルを用い、あるいはHBrの流速もしくは流動時間を
増加させることによってラインのパージ手順を改良する
ことで、図3に示すように、腐蝕の程度および生成する
粒子の濃度が減少する。
As shown in FIG. 3, the degree of corrosion can be improved, for example, by using a higher number of vacuum-pressurization cycles or by improving the line purge procedure by increasing the flow rate or flow time of HBr. And the concentration of particles produced is reduced.

【0103】対照的に、少なくともバルブ内部およびそ
の出口部分を湿式洗浄剤、例えば、DI水、またはアセ
トンもしくはIPAで湿式洗浄し、次いでH2 O脱着液
体乾燥剤で液性乾燥させ、液性乾燥後に残留ガスの真空
パージを行なうことを包含するこの発明の方法を用いる
ことで、図4および5のグラフに示すように、バルブ開
放の直後に、汚染が減少した搬送および粒子が減少した
ガスの他に、表面腐蝕を本質的に完全になくすことが可
能となる。
In contrast, at least the interior of the valve and its outlet portion are wet washed with a wet cleaner such as DI water, or acetone or IPA, and then liquid dried with a H 2 O desorption liquid desiccant and then liquid dried. Using the method of the present invention, which includes a subsequent vacuum purge of residual gas, as shown in the graphs of FIGS. 4 and 5, immediately after valve opening, the reduced pollutant transport and the reduced particle count of the gas are reduced. In addition, it is possible to eliminate surface corrosion essentially completely.

【0104】例 2 シリンダバルブの腐蝕の程度は、DI水を用いる浸出法
とそれに続くすすぎ溶液の化学分析を適用することによ
って正確に測定することができる(Hattori etal., Jp
n. J. Appl. Phys. 33, 2100 (1994) 、これは参照する
ことによりここに組み込まれる)。一定容量の浸出溶液
中の金属濃度は、腐蝕の程度、すなわち可溶性腐蝕生成
物の容積に比例する。
Example 2 The degree of corrosion of cylinder valves can be accurately measured by applying a leaching method with DI water followed by chemical analysis of the rinse solution (Hattori et al., Jp.
n. J. Appl. Phys. 33, 2100 (1994), which is incorporated herein by reference). The metal concentration in a given volume of leach solution is proportional to the extent of corrosion, ie the volume of soluble corrosion products.

【0105】この方法によって、バルブが通常通り使用
されている場合、すなわち、シリンダ接続部の真空サイ
クルパージの後に、そのシリンダバルブが周囲雰囲気に
暴露されている場合、相当腐蝕が発生していることが見
出された。しかしながら、この発明の方法を適用した場
合、すなわち、DI水もしくはIPAによって予備湿式
洗浄を行ない、次いでH2 O脱着液体乾燥剤を用いる液
性乾燥を行なうことによって、空気暴露の際の腐蝕は本
質的に無視し得るものであり、図5のグラフに示すよう
に、検出することができなかった。
By this method, considerable corrosion will occur if the valve is used normally, that is, if the cylinder valve is exposed to the ambient atmosphere after a vacuum cycle purge of the cylinder connection. Was found. However, when the method of the present invention is applied, that is, by performing pre-wet cleaning with DI water or IPA, and then liquid drying using a H 2 O desorbing liquid desiccant, corrosion upon exposure to air is essential. However, it could not be detected as shown in the graph of FIG.

【0106】例 3 ジクロロシラン(DCS)は通常用いられる他の腐蝕性
ガスである。金属浸出試験によって明らかなように(図
6)、バルブおよびシリンダ接続部を空気に暴露し、次
いで真空サイクルパージを行なった後にDCSを流した
バルブは、顕著に着色した。
Example 3 Dichlorosilane (DCS) is another commonly used corrosive gas. As revealed by metal leaching tests (FIG. 6), the valves exposed to air and then DCS flushed after vacuum cycle purging had noticeably colored valves.

【0107】対称的に、この発明が用いられた場合、す
なわち、DI水もしくはIPAで予備湿式洗浄し、続い
てH2 O除去液体乾燥剤で液性乾燥させ、その後上記と
同時間DCSを流した場合には、腐蝕は本質的に検出で
きなかった(図6)。
Symmetrically, when this invention is used, ie, pre-wet washed with DI water or IPA, followed by liquid drying with a H 2 O-removing liquid desiccant, followed by DCS flush for the same time. Corrosion was essentially undetectable (Fig. 6).

【0108】この発明の範囲および精神を離れることな
く、この発明を種々修飾し、かつ変更することは当該分
野の熟練者には明白であろう。また、この発明は、ここ
に示される態様に不当に限定されるものでないことは理
解されるべきである。
Various modifications and alterations of this invention will become apparent to those skilled in the art without departing from the scope and spirit of this invention. It should also be understood that this invention is not unreasonably limited to the embodiments shown herein.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】この発明の方法を実施するための装置の一態様
を示す図。
FIG. 1 shows an embodiment of an apparatus for carrying out the method of the invention.

【図2】この発明の方法を実施するための装置の他の態
様を示す図。
FIG. 2 shows another embodiment of an apparatus for carrying out the method of the invention.

【図3】シリンダバルブを通してガスシリンダから放出
された粒子を示すグラフ。
FIG. 3 is a graph showing particles emitted from a gas cylinder through a cylinder valve.

【図4】この発明に従って液性乾燥させたシリンダバル
ブを通してガスシリンダから放出された粒子を示すグラ
フ。
FIG. 4 is a graph showing particles emitted from a gas cylinder through a cylinder valve that has been liquid dried according to the present invention.

【図5】この発明による液性乾燥を行なう前後のHBr
シリンダバルブからDI水に浸出した総金属を比較して
示すグラフ。
FIG. 5: HBr before and after liquid drying according to the present invention
The graph which compares and shows the total metal leached from the cylinder valve to DI water.

【図6】この発明による液性乾燥を行なう前後のDCS
シリンダバルブをすすいだDI水に浸出した総金属を比
較して示す図。
FIG. 6: DCS before and after performing liquid drying according to the present invention
The figure which compares and shows the total metal leached in DI water which rinsed the cylinder valve.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、 101…シリンダバルブ、 2、 102…ダイヤフラム、
3、 103…スプリング、 4、 104…スピンドル、 5、 10
5…ポリマー封止剤、 6、 106…シリンダバルブポー
ト、 7、 107…シリンダからのガス流、 8、 108…シリ
ンダバルブの排出口、 9、 109…ポリマーパッキング、
10、 110…継手およびコネクタ、11…キャピラリ管、12
…T型雄コネクタ、14、15、20…三方ダイヤフラムバル
ブ、16、21…ダイヤフラムバルブ、17…排気ライン、18
…湿度計、19、 135…無潤滑式ポンプ、22、26… 0.1μ
mフィルタ、23…乾燥ガス導入口、24…液体ポンプ、25
…湿式洗浄剤または液体乾燥剤、 111…十字型雄コネク
タ、 112、 119…乾燥ガス(1.1−10×105 Pa)導入
口、 113…チェックバルブ、 114…高圧容器、 115…洗
浄液、 116…圧力ゲージ、 117、 124、 126、 132…空
気二方バルブ、 118、125、 133…空気三方バルブ、 12
0… 0.1μmフィルタ、 121…シリンジ、 122…乾燥化
学薬品、 123…微細チューブ(内径:0.01− 1mm)、
127…使用済洗浄液の排出ライン、 128…液体トラッ
プ、 129…使用済洗浄液、 130…使用済洗浄液廃棄用バ
ルブ、 131…真空支援N2 サイクルパージライン、 134
…真空ゲージ
1, 101 ... Cylinder valve, 2, 102 ... Diaphragm,
3, 103 ... Spring, 4, 104 ... Spindle, 5, 10
5 ... Polymer sealant, 6, 106 ... Cylinder valve port, 7, 107 ... Gas flow from cylinder, 8, 108 ... Cylinder valve outlet, 9, 109 ... Polymer packing,
10, 110… Fittings and connectors, 11… Capillary tubes, 12
… T-type male connector, 14, 15, 20… Three-way diaphragm valve, 16,21… Diaphragm valve, 17… Exhaust line, 18
… Hygrometer, 19, 135… Non-lubricated pump, 22, 26… 0.1μ
m filter, 23 ... Dry gas inlet, 24 ... Liquid pump, 25
... Wet cleaning liquid or liquid desiccant, 111 ... Male cross connector, 112, 119 ... Dry gas (1.1-10 × 10 5 Pa) inlet, 113 ... Check valve, 114 ... High pressure container, 115 ... Cleaning liquid, 116 ... Pressure gauge, 117, 124, 126, 132… Air two-way valve, 118, 125, 133… Air three-way valve, 12
0 ... 0.1 μm filter, 121 ... Syringe, 122 ... Dry chemical, 123 ... Fine tube (inner diameter: 0.01-1 mm),
127 ... Used cleaning liquid discharge line, 128 ... Liquid trap, 129 ... Used cleaning liquid, 130 ... Used cleaning liquid disposal valve, 131 ... Vacuum assisted N 2 cycle purge line, 134
... vacuum gauge

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 // B01J 4/02 B01J 4/02 A (72)発明者 塚本俊之 茨城県牛久市柏田町南2−7−19、シャル ム優101号 (72)発明者 樽谷浩平 茨城県つくば市小野川14−31 (72)発明者 ジャン − マリー・フリート 東京都中央区新川1−28−7、隅田リバ ー・サイド・タワー 1401号─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification number Reference number within the agency FI Technical indication location // B01J 4/02 B01J 4/02 A (72) Inventor Toshiyuki Tsukamoto Minami Kashidacho, Ushiku City, Ibaraki Prefecture 2-7-19, Sharm Yu No. 101 (72) Inventor Kohei Tarutani 14-31 Onogawa, Tsukuba City, Ibaraki Prefecture (72) Inventor Jean-Marie Fleet 1-28-7 Shinkawa, Chuo-ku, Tokyo Sumida River・ Side Tower 1401

Claims (18)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 超高純度ガスのガス分配ネットワークま
たは該分配ネットワークの一部における腐蝕を減少させ
る方法であって、 (a)ガス分配ネットワークまたは少なくともそれらの
一部を湿式洗浄剤で湿式洗浄し、 (b)該ガス分配ネットワークまたは該少なくともそれ
らの一部を、アセトンジメチルアセタール(DMP)、
2,2-ジクロロプロパン(DCP)、2,2-ジブロモプロパ
ン(DBP)、それらの混合物およびそれらの等価物か
らなる群より選択されるH2 O脱着液体乾燥剤で液性乾
燥し、 (c)該分配ネットワークまたは該少なくともそれらの
一部を、不純物の含量が 1ppm未満である乾燥高純度
ガスでパージし、 (d)該分配ネットワークまたは該少なくともそれらの
一部を、 5×104 Pa未満の圧力で排気し、 (e)該分配ネットワークまたは該少なくともそれらの
一部を、超高純度腐蝕性ガスもしくは空気を含む雰囲気
に暴露する、ことを包含する方法。
1. A method for reducing corrosion in a gas distribution network of ultra-high purity gas or a portion of the distribution network, comprising: (a) wet cleaning the gas distribution network or at least a portion thereof with a wet cleaner. (B) the gas distribution network or at least a portion thereof, acetone dimethyl acetal (DMP),
Liquid drying with a H 2 O desorption liquid desiccant selected from the group consisting of 2,2-dichloropropane (DCP), 2,2-dibromopropane (DBP), mixtures thereof and their equivalents; ) Purging the distribution network or at least a part thereof with a dry high-purity gas having an impurity content of less than 1 ppm, (d) reducing the distribution network or at least a part thereof to less than 5 × 10 4 Pa Evacuation at a pressure of (e), and (e) exposing the distribution network or at least a portion thereof to an atmosphere containing ultra-high purity corrosive gas or air.
【請求項2】 湿式洗浄の工程を約 1分ないし約 1時間
行なう請求項1記載の方法。
2. The method of claim 1, wherein the wet cleaning step is carried out for about 1 minute to about 1 hour.
【請求項3】 以前に使用されたことのない構成装置も
しくはそれらの一部を本質的に具備する超高純度ガスの
分配ネットワークを用い、前記湿式洗浄工程を約 1分な
いし約 2分間行なう請求項2記載の方法。
3. The wet cleaning step is carried out for about 1 minute to about 2 minutes using an ultrapure gas distribution network essentially comprising previously unused components or parts thereof. Item 2. The method according to Item 2.
【請求項4】 以前に少なくとも一度使用された構成装
置もしくはそれらの一部を本質的に具備する超高純度ガ
スの分配ネットワークを用い、前記湿式洗浄工程を約 5
分ないし30分間行なう請求項2記載の方法。
4. The wet cleaning step is carried out using an ultrapure gas distribution network essentially comprising components that have been used at least once previously or parts thereof.
3. The method according to claim 2, which is carried out for 1 to 30 minutes.
【請求項5】 工程(b)の液性乾燥を約 1分ないし20
分間行なう請求項1記載の方法。
5. The liquid drying in step (b) is performed for about 1 minute to 20 minutes.
The method according to claim 1, which is performed for a minute.
【請求項6】 以前に使用されたことのない構成装置も
しくはそれらの一部を本質的に具備し、かつそれらの内
部表面の粗さRaが 5×10-6m未満である超高純度ガス
の分配ネットワークを用い、前記液性乾燥工程を約 1分
ないし 2分間行なう請求項5記載の方法。
6. Ultra-high purity gas essentially comprising previously unused components or parts thereof, the roughness Ra of their internal surfaces being less than 5 × 10 −6 m. 6. The method of claim 5, wherein said liquid drying step is carried out for about 1 to 2 minutes using a distribution network of
【請求項7】 以前に少なくとも一度使用された構成装
置もしくはそれらの一部を本質的に具備する超高純度ガ
スの分配ネットワークを用い、前記液性乾燥工程を約10
分間以上行なう請求項5記載の方法。
7. A liquid network of ultra-high purity gas essentially comprising components or parts thereof that have been used at least once before, and said liquid drying step comprising about 10 times.
The method according to claim 5, which is carried out for not less than a minute.
【請求項8】 内部表面の粗さRaが 5×10-6mを越え
る構成装置もしくはそれらの一部を本質的に具備する超
高純度ガスの分配ネットワークを用い、前記液性乾燥工
程を約10分間以上行なう請求項5記載の方法。
8. The liquid-drying step is carried out by using a distribution network of an ultra-high purity gas, which essentially comprises a constituent device having an internal surface roughness Ra of more than 5 × 10 −6 m or a part thereof. The method according to claim 5, which is performed for 10 minutes or more.
【請求項9】 前記湿式洗浄剤が、粒子状物質の含量が
リットル当り 1mg未満の液体である請求項1記載の方
法。
9. The method of claim 1, wherein the wet cleaner is a liquid having a particulate matter content of less than 1 mg per liter.
【請求項10】 前記湿式洗浄剤が、粒子状物質の含量
がリットル当り10-6g未満の液体である請求項1記載の
方法。
10. The method of claim 1, wherein the wet detergent is a liquid having a particulate matter content of less than 10 −6 g per liter.
【請求項11】 前記湿式洗浄剤が、蒸留水、イソプロ
ピルアルコール、アセトンおよびそれらの混合物を含む
群から選択される請求項1記載の方法。
11. The method of claim 1, wherein the wet cleaner is selected from the group comprising distilled water, isopropyl alcohol, acetone and mixtures thereof.
【請求項12】 工程(c)の前に工程(a)および
(b)を繰り返すことをさらに含む請求項1記載の方
法。
12. The method of claim 1, further comprising repeating steps (a) and (b) before step (c).
【請求項13】 工程(d)と(e)との間で、不活性
ガスまたは反応性ガスでガス分配ネットワークまたはそ
れらの一部をパージすることを包含する請求項1記載の
方法。
13. The method according to claim 1, comprising purging the gas distribution network or parts thereof with an inert gas or a reactive gas between steps (d) and (e).
【請求項14】 前記不活性ガスまたは反応性ガスが、
窒素、アルゴン、ヘリウムおよび水素を含む群から選択
される請求項13記載の方法。
14. The inert gas or reactive gas is
14. The method of claim 13 selected from the group comprising nitrogen, argon, helium and hydrogen.
【請求項15】 前記不活性ガスまたは反応性ガスが、
標準状態の温度および圧力の下で、 100ppb未満の揮
発性不純物およびリットル当り 1個未満の粒子を含有す
る請求項13または14のいずれか1項に記載の方法。
15. The inert gas or reactive gas is
15. A process according to any one of claims 13 or 14 containing less than 100 ppb of volatile impurities and less than 1 particle per liter under standard conditions of temperature and pressure.
【請求項16】 前記ガス分配ネットワークが少なくと
も1つのシリンダバルブを含む請求項1記載の方法。
16. The method of claim 1, wherein the gas distribution network comprises at least one cylinder valve.
【請求項17】 前記シリンダバルブを、その内部表面
と周囲空気とを接触させる前後に、少なくとも工程
(a)および(b)に処する請求項16記載の方法。
17. The method of claim 16 wherein said cylinder valve is subjected to at least steps (a) and (b) before and after contacting its interior surface with ambient air.
【請求項18】 工程(e)において、ガス分配ネット
ワークまたはそれらの一部を周囲空気に暴露する前に、
ガス分配ネットワークまたはそれらの一部を高純度不活
性ガスでパージすることをさらに包含する請求項1記載
の方法。
18. In step (e), prior to exposing the gas distribution network or part thereof to ambient air,
The method of claim 1 further comprising purging the gas distribution network or portions thereof with a high purity inert gas.
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