JPH08292915A - Integrated circuit device having built-in nonvolatile memory - Google Patents
Integrated circuit device having built-in nonvolatile memoryInfo
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、装置本体を制御するた
めに必要なデータを記憶する不揮発性メモリを備えた不
揮発性メモリ内蔵の集積回路装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an integrated circuit device containing a non-volatile memory, which has a non-volatile memory for storing data necessary for controlling the main body of the device.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、電気的保持手段の不要な不揮発性
メモリを備えている集積回路装置が、様々な機器に使用
されるようになってきた。この集積回路装置では、不揮
発性メモリに格納されたデータを用いて装置本体の制御
が行われる。また、このような集積回路装置の多くは、
1チップ上に構成される。2. Description of the Related Art In recent years, integrated circuit devices having a non-volatile memory that does not require electrical holding means have come to be used in various devices. In this integrated circuit device, the device main body is controlled using the data stored in the non-volatile memory. In addition, many of such integrated circuit devices are
It is constructed on one chip.
【0003】以下、従来の不揮発性メモリ内蔵の集積回
路装置について説明する。A conventional integrated circuit device having a built-in nonvolatile memory will be described below.
【0004】図2は、従来の不揮発性メモリ内蔵の集積
回路装置の構成図である。図2において、51は不揮発
性メモリ、52はCPU、53はアドレス入力端子、5
4はデータ入出力端子、55は読み書き切替制御端子、
56は外部アドレスバス、57は外部データバス、58
は読み書き切替信号線、59は内部アドレスバス、60
は内部データバスである。FIG. 2 is a block diagram of a conventional integrated circuit device containing a nonvolatile memory. In FIG. 2, 51 is a non-volatile memory, 52 is a CPU, 53 is an address input terminal, 5
4 is a data input / output terminal, 55 is a read / write switching control terminal,
56 is an external address bus, 57 is an external data bus, 58
Is a read / write switching signal line, 59 is an internal address bus, and 60
Is an internal data bus.
【0005】不揮発性メモリ51は、装置本体の制御に
用いるデータを格納する。CPU52は、不揮発性メモ
リ51に格納されているデータを用いて装置本体の制御
を行う。データのやりとりには、内部アドレスバス59
及び内部データバス60が用いられる。The non-volatile memory 51 stores data used for controlling the apparatus body. The CPU 52 controls the apparatus body using the data stored in the non-volatile memory 51. An internal address bus 59 is used for exchanging data.
And the internal data bus 60 is used.
【0006】アドレス入力端子53は、外部アドレスバ
ス56を介して不揮発性メモリ51に接続されている。
データ入力端子54は、外部データバス57を介して不
揮発性メモリ51に接続されている。アドレス入力端子
53及びデータ入出力端子54により、不揮発性メモリ
51に対して外部からのデータの書き込み及び外部への
データの読み出しを行うことができる。The address input terminal 53 is connected to the non-volatile memory 51 via an external address bus 56.
The data input terminal 54 is connected to the nonvolatile memory 51 via the external data bus 57. The address input terminal 53 and the data input / output terminal 54 can write data to the nonvolatile memory 51 from the outside and read data from the outside.
【0007】読み書き切替制御端子55には、不揮発性
メモリ51をデータ読み出し状態に切り替える信号(デ
ータ読み出し設定信号と称する)または不揮発性メモリ
51をデータ書き込み状態に切り替える信号(データ書
き込み設定信号と称する)が入力され、入力された信号
は、読み書き切替信号線58を介して不揮発性メモリ5
1に伝達される。The read / write switching control terminal 55 has a signal for switching the nonvolatile memory 51 to a data reading state (referred to as a data reading setting signal) or a signal for switching the nonvolatile memory 51 to a data writing state (referred to as a data writing setting signal). Is input, and the input signal is input to the nonvolatile memory 5 via the read / write switching signal line 58.
1 is transmitted.
【0008】以上のように構成された不揮発性メモリ内
蔵の集積回路装置について、その動作を説明する。The operation of the integrated circuit device with a built-in non-volatile memory configured as described above will be described.
【0009】いま、不揮発性メモリ51に対して外部か
らのデータの書き込み及び外部へのデータの読み出しが
可能な状態であるとする。Now, assume that the nonvolatile memory 51 is in a state in which external data writing and external data reading are possible.
【0010】このとき、読み書き切替制御端子55から
データ書き込み設定信号が入力されると、この信号は読
み書き切替信号線58を介して不揮発性メモリ51に伝
達され、不揮発性メモリ51はデータ書き込み状態にな
る。この状態では、アドレス入力端子53から入力され
たアドレスデータが指定する不揮発性メモリ51のアド
レスに、データ入出力端子54から入力されたデータを
書き込むことができる。At this time, when a data write setting signal is input from the read / write switching control terminal 55, this signal is transmitted to the non-volatile memory 51 via the read / write switching signal line 58, and the non-volatile memory 51 enters the data writing state. Become. In this state, the data input from the data input / output terminal 54 can be written to the address of the nonvolatile memory 51 designated by the address data input from the address input terminal 53.
【0011】また、読み書き切替制御端子55からデー
タ読み出し設定信号が入力されると、この信号は読み書
き切替信号線58を介して不揮発性メモリ51に伝達さ
れ、不揮発性メモリ51はデータ読み出し状態になる。
この状態では、アドレス入力端子53から入力されたア
ドレスデータが指定する不揮発性メモリ51のアドレス
のデータを、データ入出力端子54から読み出すことが
できる。When a data read setting signal is input from the read / write switching control terminal 55, this signal is transmitted to the non-volatile memory 51 via the read / write switching signal line 58, and the non-volatile memory 51 enters the data read state. .
In this state, the data of the address of the non-volatile memory 51 designated by the address data input from the address input terminal 53 can be read from the data input / output terminal 54.
【0012】通常の動作状態においては、CPU52
は、内部アドレスバス59を介して不揮発性メモリ51
内のアドレスを指定し、内部データバス60を介して指
定したアドレスのデータを読み出し、そのデータに従っ
て動作を行う。In a normal operation state, the CPU 52
Is stored in the nonvolatile memory 51 via the internal address bus 59.
The internal address is designated, the data of the designated address is read out through the internal data bus 60, and the operation is performed according to the data.
【0013】[0013]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
不揮発性メモリ内蔵の集積回路装置には、以下のような
問題がある。However, the conventional integrated circuit device containing the non-volatile memory has the following problems.
【0014】不揮発性メモリに記憶されているデータ
は、部外者に読み出されると困る場合がある。このデー
タは集積回路装置の制御を司るものであるため、読み出
したデータを解読することにより集積回路装置の構成及
び挙動を細部にわたって知ることができるからである。
集積回路装置の構成及び挙動は重要な機密事項である場
合が多く、したがって、不揮発性メモリに記憶されてい
るデータは、部外者には読み出すことができないように
なっていることが好ましい。The data stored in the non-volatile memory may be troublesome if read by an outsider. This data controls the integrated circuit device, and therefore the configuration and behavior of the integrated circuit device can be known in detail by decoding the read data.
The configuration and behavior of the integrated circuit device are often important confidential matters, and therefore it is preferable that the data stored in the non-volatile memory cannot be read by an outsider.
【0015】ところが、図2に示したような従来の不揮
発性メモリ内蔵の集積回路装置では、不揮発性メモリ5
1をデータの書き込み及び読み出しが可能な状態にする
だけで、誰でも、不揮発性メモリ51に記憶されている
データを容易に読み出すことができてしまう。すなわ
ち、集積回路装置の構成及び挙動に関する機密を保持で
きないという問題があった。However, in the conventional integrated circuit device containing a non-volatile memory as shown in FIG. 2, the non-volatile memory 5 is used.
Anyone can easily read the data stored in the non-volatile memory 51 simply by setting 1 to a state in which data can be written and read. That is, there is a problem that confidentiality regarding the configuration and behavior of the integrated circuit device cannot be maintained.
【0016】以上のような問題に鑑み、本発明は、不揮
発性メモリのデータを外部から読み出すことを禁止する
ことができる不揮発性メモリ内蔵の集積回路装置を提供
することを目的とする。In view of the above problems, it is an object of the present invention to provide an integrated circuit device with a built-in non-volatile memory, which can prohibit the reading of data in the non-volatile memory from the outside.
【0017】[0017]
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
め、本発明は、不揮発性メモリに記憶されているデータ
の読み出しを禁止する信号が一旦入力されると、不揮発
性メモリをデータ読み出し可能状態にする信号が入力さ
れても該信号を不揮発性メモリに出力させないようにす
るものである。In order to achieve the above object, the present invention can read data from a non-volatile memory once a signal for prohibiting reading of data stored in the non-volatile memory is input. Even if a signal for setting the state is input, the signal is not output to the nonvolatile memory.
【0018】具体的に請求項1の発明が講じた解決手段
は、装置本体を制御するために必要なデータを記憶する
不揮発性メモリを備えた不揮発性メモリ内蔵の集積回路
装置を対象とし、前記不揮発性メモリに記憶されている
データの読み出しを禁止する信号が外部から入力される
と読み出し禁止情報を保持すると共に、前記不揮発性メ
モリに記憶されているデータが消去されるまで前記読み
出し禁止情報を保持し続ける情報保持手段と、前記不揮
発性メモリをデータ読み出し可能状態にする信号が外部
から入力されると、前記情報保持手段が前記読み出し禁
止情報を保持しているか否かを判定し、保持している場
合には入力された信号を前記不揮発性メモリに出力しな
い一方、保持していない場合には入力された信号を前記
不揮発性メモリに出力する読み出し禁止制御回路とを備
えている構成とするものである。Specifically, the solving means devised by the invention of claim 1 is directed to an integrated circuit device having a built-in non-volatile memory having a non-volatile memory for storing data necessary for controlling the main body of the device. When a signal for prohibiting the reading of the data stored in the non-volatile memory is input from the outside, the read prohibiting information is held and the read prohibiting information is stored until the data stored in the non-volatile memory is erased. When an information holding unit that keeps holding and a signal that makes the nonvolatile memory in a data readable state are input from the outside, it is determined whether or not the information holding unit holds the read prohibition information, and the information is held. If not, the input signal is not output to the nonvolatile memory, while if it is not held, the input signal is output to the nonvolatile memory. It is an arrangement and a read-inhibiting control circuit for force.
【0019】請求項2の発明は、請求項1の発明の構成
に、前記情報保持手段は、前記不揮発性メモリに記憶さ
れているデータが消去されるまでは初期化できない不揮
発性メモリレジスタよりなる構成を付加するものであるAccording to a second aspect of the present invention, in the structure of the first aspect, the information holding means comprises a non-volatile memory register that cannot be initialized until the data stored in the non-volatile memory is erased. To add configuration
【0020】[0020]
【作用】請求項1の発明の構成により、不揮発性メモリ
に記憶されているデータの読み出しを禁止する信号が外
部から入力されると、情報保持手段は読み出し禁止情報
を保持する。この後、不揮発性メモリをデータ読み出し
可能状態にする信号が入力されても、読み出し禁止制御
回路は、前記情報保持手段が読み出し禁止情報を保持し
ているために、この信号を不揮発性メモリに出力しな
い。このために、不揮発性メモリはデータ読み出し可能
状態にならない。しかも、情報保持手段は、不揮発性メ
モリに記憶されているデータが消去されるまで前記読み
出し禁止情報を保持し続けるので、不揮発性メモリに記
憶されているデータの機密は保持される。According to the first aspect of the invention, when the signal for prohibiting the reading of the data stored in the non-volatile memory is inputted from the outside, the information holding means holds the reading prohibition information. After that, even if a signal that makes the nonvolatile memory ready for data reading is input, the read prohibition control circuit outputs this signal to the nonvolatile memory because the information holding unit holds the read prohibition information. do not do. Therefore, the non-volatile memory does not enter the data readable state. Moreover, since the information holding means keeps holding the read prohibition information until the data stored in the non-volatile memory is erased, the confidentiality of the data stored in the non-volatile memory is held.
【0021】請求項2の発明の構成により、不揮発性メ
モリに記憶されているデータが消去されるまでは初期化
できない不揮発性メモリレジスタが、前記情報保持手段
として用いられる。According to the second aspect of the present invention, the non-volatile memory register that cannot be initialized until the data stored in the non-volatile memory is erased is used as the information holding means.
【0022】[0022]
【実施例】図1は、本発明の実施例に係る不揮発性メモ
リ内蔵の集積回路装置の構成図である。図1において、
11は読み出し禁止制御回路、12は不揮発性メモリレ
ジスタ、13は読み書き切替制御端子、14は読み出し
禁止制御端子、15は第1の読み書き切替信号線、16
は第2の読み書き切替信号線、17は第1の読み出し禁
止信号線、18は第2の読み出し禁止信号線、51は不
揮発性メモリ、52はCPU、53はアドレス入力端
子、54はデータ入出力端子、56は外部アドレスバ
ス、57は外部データバス、59は内部アドレスバス、
60は内部データバスである。1 is a block diagram of an integrated circuit device having a built-in nonvolatile memory according to an embodiment of the present invention. In FIG.
11 is a read prohibition control circuit, 12 is a non-volatile memory register, 13 is a read / write switching control terminal, 14 is a read prohibition control terminal, 15 is a first read / write switching signal line, 16
Is a second read / write switching signal line, 17 is a first read inhibit signal line, 18 is a second read inhibit signal line, 51 is a non-volatile memory, 52 is a CPU, 53 is an address input terminal, and 54 is data input / output. Terminal, 56 is an external address bus, 57 is an external data bus, 59 is an internal address bus,
Reference numeral 60 is an internal data bus.
【0023】不揮発性メモリ51、CPU52、アドレ
ス入力端子53、データ入出力端子54、外部アドレス
バス56、外部データバス57、内部アドレスバス5
9、及び内部データバス60は、図2に示した従来の不
揮発性メモリ内蔵の集積回路装置におけるものと同様の
ものである。Nonvolatile memory 51, CPU 52, address input terminal 53, data input / output terminal 54, external address bus 56, external data bus 57, internal address bus 5
9 and the internal data bus 60 are the same as those in the conventional integrated circuit device with a built-in nonvolatile memory shown in FIG.
【0024】不揮発性メモリレジスタ12は、読み出し
禁止制御端子14から読み出し禁止信号が入力される
と、読み出し禁止情報を保持する。不揮発性メモリレジ
スタ12は不揮発性メモリのデータが消去されるまでは
初期化されないので、この読み出し禁止情報は不揮発性
メモリ51のデータが消去されるまで保持される。読み
出し禁止制御回路11は、不揮発性メモリレジスタ12
が読み出し禁止情報を保持しているか否かにより、読み
書き切替制御端子13から入力されるデータ読み出し設
定信号を不揮発性メモリ51に伝達するか否かを判断
し、制御する。The nonvolatile memory register 12 holds the read prohibition information when the read prohibition signal is inputted from the read prohibition control terminal 14. Since the non-volatile memory register 12 is not initialized until the data in the non-volatile memory is erased, this read prohibition information is held until the data in the non-volatile memory 51 is erased. The read prohibition control circuit 11 includes a nonvolatile memory register 12
Determines whether or not to transmit the data read setting signal input from the read / write switching control terminal 13 to the non-volatile memory 51 depending on whether or not the read prohibition information is held.
【0025】図1に示した本発明の実施例に係る不揮発
性メモリ内蔵の集積回路装置について、その動作を説明
する。The operation of the integrated circuit device with a built-in nonvolatile memory according to the embodiment of the present invention shown in FIG. 1 will be described.
【0026】いま、不揮発性メモリ51に対して外部か
らのデータの書き込み及び外部へのデータの読み出しが
可能な状態であるとする。Now, assume that the nonvolatile memory 51 is in a state in which external data writing and external data reading are possible.
【0027】読み出し禁止制御端子14から読み出し禁
止信号が入力されていない間は、不揮発性メモリレジス
タ12は読み出し禁止情報を保持していない。したがっ
て、読み書き切替制御端子13から入力されるデータ書
き込み設定信号及びデータ読み出し設定信号は、第1の
切替制御信号線15を介して読み出し禁止制御回路11
に伝達され、さらにそのまま第2の切替制御信号線16
を介して不揮発性メモリ51に伝達される。すなわち、
従来例と同様に、不揮発性メモリ51に対して、読み出
し状態または書き込み状態の切替が可能となる。不揮発
性メモリ51がデータ書き込み状態のときは、アドレス
入力端子53から入力されたアドレスデータが指定する
不揮発性メモリ51のアドレスに、データ入出力端子5
4から入力されたデータを書き込むことができる。ま
た、不揮発性メモリ51がデータ読み出し状態のとき
は、アドレス入力端子53から入力されたアドレスデー
タが指定する不揮発性メモリ51のアドレスのデータ
を、データ入出力端子54から読み出すことができる。The nonvolatile memory register 12 does not hold the read prohibition information while the read prohibition signal is not input from the read prohibition control terminal 14. Therefore, the data write setting signal and the data read setting signal input from the read / write switching control terminal 13 are read inhibit control circuit 11 via the first switching control signal line 15.
To the second switching control signal line 16 as it is.
Is transmitted to the non-volatile memory 51 via. That is,
Similar to the conventional example, the read state or the write state of the nonvolatile memory 51 can be switched. When the nonvolatile memory 51 is in the data writing state, the data input / output terminal 5 is added to the address of the nonvolatile memory 51 specified by the address data input from the address input terminal 53.
The data input from 4 can be written. When the non-volatile memory 51 is in the data read state, the data of the address of the non-volatile memory 51 designated by the address data input from the address input terminal 53 can be read from the data input / output terminal 54.
【0028】しかし、読み出し禁止制御端子14から読
み出し禁止信号が一旦入力されると、不揮発性メモリレ
ジスタ12は読み出し禁止情報を保持し、この情報を不
揮発性メモリ51のデータが消去されるまで保持し続け
る。このとき、読み書き切替制御端子13からデータ読
み出し設定信号が入力されても、不揮発性メモリ51は
読み出し状態にはならない。However, once the read inhibit signal is input from the read inhibit control terminal 14, the nonvolatile memory register 12 holds the read inhibit information and holds this information until the data in the nonvolatile memory 51 is erased. to continue. At this time, even if a data read setting signal is input from the read / write switching control terminal 13, the nonvolatile memory 51 does not enter the read state.
【0029】なぜならば、入力されたデータ読み出し設
定信号は、第1の切替制御信号線15を介して読み出し
禁止制御回路11には伝達されるが、読み出し禁止制御
回路11は、第2の読み出し禁止信号線18を介して不
揮発性メモリレジスタ12の読み出し禁止情報を読み取
り、この結果、伝達されたデータ読み出し設定信号を不
揮発性メモリ51に出力しないからである。したがっ
て、不揮発性メモリ51にデータを書き込むことはでき
るが、データを読み出すことができなくなる。すなわ
ち、不揮発性メモリ51に記憶されているデータの機密
が保持される。This is because the input data read setting signal is transmitted to the read prohibition control circuit 11 via the first switching control signal line 15, but the read prohibition control circuit 11 receives the second read prohibition signal. This is because the read prohibition information of the non-volatile memory register 12 is read via the signal line 18, and as a result, the transmitted data read setting signal is not output to the non-volatile memory 51. Therefore, although the data can be written in the nonvolatile memory 51, the data cannot be read. That is, the confidentiality of the data stored in the non-volatile memory 51 is maintained.
【0030】通常の動作状態においては、従来例と同様
に、CPU52は、内部アドレスバス59を介して不揮
発性メモリ51内のアドレスを指定し、内部データバス
60を介して指定したアドレスのデータを読み出し、そ
のデータに従って動作を行う。In a normal operation state, the CPU 52 designates an address in the non-volatile memory 51 via the internal address bus 59 and data of the designated address via the internal data bus 60 as in the conventional example. Read out and operate according to the data.
【0031】なお、不揮発性メモリレジスタ12と同等
のレジスタを、不揮発性メモリ51内の領域に設定して
も良い。この場合、読み出し禁止制御端子14は不要と
なり、アドレス入力端子53から前記レジスタのアドレ
スを指定するデータを入力すると共に、データ入出力端
子54から読み出し禁止データを入力すれば良い。A register equivalent to the non-volatile memory register 12 may be set in the area of the non-volatile memory 51. In this case, the read prohibition control terminal 14 becomes unnecessary, and it is sufficient to input the data designating the address of the register from the address input terminal 53 and the read prohibition data from the data input / output terminal 54.
【0032】[0032]
【発明の効果】請求項1の発明に係る不揮発性メモリ内
蔵の集積回路装置によると、不揮発性メモリに記憶され
ているデータの読み出しを禁止する信号が一旦入力され
ると、情報保持手段が読み出し禁止情報を保持し続ける
ために、読み出し禁止制御回路はデータ読み出し可能状
態にする信号が入力されても該信号を不揮発性メモリに
出力しない。このため、不揮発性メモリからのデータ読
み出しを禁止することができ、不揮発性メモリに記憶さ
れているデータの機密保持を実現することができる。According to the integrated circuit device having a built-in non-volatile memory according to the first aspect of the present invention, once the signal for prohibiting the reading of the data stored in the non-volatile memory is input, the information holding means reads the data. In order to continue to hold the prohibition information, the read prohibition control circuit does not output the signal to the nonvolatile memory even when the signal for making the data readable state is input. Therefore, reading of data from the non-volatile memory can be prohibited, and confidentiality of the data stored in the non-volatile memory can be realized.
【0033】請求項2の発明に係る不揮発性メモリ内蔵
の集積回路装置によると、極めて簡易な回路構成を追加
するだけで、不揮発性メモリに記憶されているデータの
機密保持を実現することができる。According to the integrated circuit device with the built-in non-volatile memory according to the second aspect of the present invention, the confidentiality of the data stored in the non-volatile memory can be realized only by adding an extremely simple circuit configuration. .
【図1】本発明の実施例に係る不揮発性メモリ内蔵の集
積回路装置の構成図である。FIG. 1 is a configuration diagram of an integrated circuit device having a nonvolatile memory according to an embodiment of the present invention.
【図2】従来の不揮発性メモリ内蔵の集積回路装置の構
成図である。FIG. 2 is a configuration diagram of a conventional integrated circuit device containing a nonvolatile memory.
11 読み出し禁止制御回路 12 不揮発性メモリレジスタ 13 読み書き切替制御端子 14 読み出し禁止制御端子 15 第1の読み書き切替信号線 16 第2の読み書き切替信号線 17 第1の読み出し禁止信号線 18 第2の読み出し禁止信号線 51 不揮発性メモリ 52 CPU 53 アドレス入力端子 54 データ入出力端子 55 読み書き切替制御端子 56 外部アドレスバス 57 外部データバス 58 読み書き切替信号線 59 内部アドレスバス 60 内部データバス 11 read inhibit control circuit 12 non-volatile memory register 13 read / write switching control terminal 14 read inhibit control terminal 15 first read / write switching signal line 16 second read / write switching signal line 17 first read inhibit signal line 18 second read inhibit Signal line 51 Non-volatile memory 52 CPU 53 Address input terminal 54 Data input / output terminal 55 Read / write switching control terminal 56 External address bus 57 External data bus 58 Read / write switching signal line 59 Internal address bus 60 Internal data bus
Claims (2)
を記憶する不揮発性メモリを備えた不揮発性メモリ内蔵
の集積回路装置であって、 前記不揮発性メモリに記憶されているデータの読み出し
を禁止する信号が外部から入力されると読み出し禁止情
報を保持すると共に、前記不揮発性メモリに記憶されて
いるデータが消去されるまで前記読み出し禁止情報を保
持し続ける情報保持手段と、 前記不揮発性メモリをデータ読み出し可能状態にする信
号が外部から入力されると、前記情報保持手段が前記読
み出し禁止情報を保持しているか否かを判定し、保持し
ている場合には入力された信号を前記不揮発性メモリに
出力しない一方、保持していない場合には入力された信
号を前記不揮発性メモリに出力する読み出し禁止制御回
路とを備えていることを特徴とする不揮発性メモリ内蔵
の集積回路装置。1. An integrated circuit device with a built-in non-volatile memory, comprising a non-volatile memory for storing data required for controlling a device body, wherein reading of data stored in said non-volatile memory is prohibited. And a non-volatile memory, which holds the read prohibition information when the signal to be input from the outside is held, and holds the read prohibition information until the data stored in the non-volatile memory is erased. When a signal for making the data readable state is input from the outside, it is determined whether or not the information holding unit holds the read prohibition information, and if it holds, the input signal is stored in the nonvolatile A read inhibit control circuit that outputs the input signal to the non-volatile memory when not holding it while not outputting to the memory DOO nonvolatile memory integrated circuit device according to claim.
るまでは初期化できない不揮発性メモリレジスタよりな
ることを特徴とする請求項1に記載の不揮発性メモリ内
蔵の集積回路装置。2. The non-volatile memory according to claim 1, wherein the information holding unit includes a non-volatile memory register that cannot be initialized until the data stored in the non-volatile memory is erased. Built-in integrated circuit device.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9500095A JPH08292915A (en) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | Integrated circuit device having built-in nonvolatile memory |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP9500095A JPH08292915A (en) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | Integrated circuit device having built-in nonvolatile memory |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08292915A true JPH08292915A (en) | 1996-11-05 |
Family
ID=14125591
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP9500095A Withdrawn JPH08292915A (en) | 1995-04-20 | 1995-04-20 | Integrated circuit device having built-in nonvolatile memory |
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JP (1) | JPH08292915A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100456734B1 (en) * | 1997-02-27 | 2005-04-06 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Semiconductor device and electronic device |
JP2006350885A (en) * | 2005-06-20 | 2006-12-28 | Renesas Technology Corp | Semiconductor device |
JP2007128319A (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Hitachi Ltd | Universal memory, universal memory module and information processor using same |
-
1995
- 1995-04-20 JP JP9500095A patent/JPH08292915A/en not_active Withdrawn
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100456734B1 (en) * | 1997-02-27 | 2005-04-06 | 세이코 엡슨 가부시키가이샤 | Semiconductor device and electronic device |
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US7822914B2 (en) | 2005-06-20 | 2010-10-26 | Renesas Electronics Corporation | Data protection for non-volatile semiconductor memory using block protection flags |
US7979630B2 (en) | 2005-06-20 | 2011-07-12 | Renesas Electronics Corporation | Data protection for non-volatile semiconductor memory block using block protection flags |
US8156280B2 (en) | 2005-06-20 | 2012-04-10 | Renesas Electronics Corporation | Data protection for non-volatile semiconductor memory using block protection |
JP2007128319A (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-24 | Hitachi Ltd | Universal memory, universal memory module and information processor using same |
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Legal Events
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A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020702 |