JPH08288067A - Thin film electroluminescent element - Google Patents
Thin film electroluminescent elementInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜型エレクトロルミ
ネッセンス素子に関し、さらに詳しくは、低電圧印加
で、高輝度でかつ鋭いスペクトルで鮮明な色を発光する
薄膜型エレクトロルミネッセンス素子に関するものであ
る。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a thin film type electroluminescent element, and more particularly to a thin film type electroluminescent element which emits a bright color with high brightness and a sharp spectrum when a low voltage is applied.
【０００２】[0002]
【従来の技術】エレクトロルミネッセンス素子は、自己
発光のため視認性が高く、また完全固体素子であること
から、耐衝撃性に優れるという特長を有しており、現
在、無機蛍光体であるＺｎＳ：Ｍｎを発光材料として用
いたエレクトロルミネッセンス素子が広く使用されてい
る。しかしながら、この無機蛍光体を発光材料として用
いたエレクトロルミネッセンス素子は、発光させるため
の印加電圧が２００Ｖ近く必要なため、駆動方法が複雑
になるという問題があった。2. Description of the Related Art Electroluminescent devices have high visibility because they are self-luminous, and since they are completely solid devices, they have excellent impact resistance. At present, ZnS which is an inorganic phosphor: Electroluminescent devices using Mn as a light emitting material are widely used. However, the electroluminescent element using this inorganic phosphor as a light emitting material has a problem that the driving method becomes complicated because an applied voltage for emitting light needs to be close to 200V.
【０００３】一方、有機薄膜型エレクトロルミネッセン
ス素子は、印加電圧を大幅に低下させることができるこ
とから、各種材料を用いたものが検討され、たとえば発
光材料としてビス（８−ヒドロキシキノリノ）アルミニ
ウムを用い、２５Ｖ以下の低電圧印加で高輝度の発光が
得られる薄膜型エレクトロルミネッセンス素子が開発さ
れている（特開昭５９−１９４３９３号公報）。この有
機薄膜型エレクトロルミネッセンス素子は、基板上に前
面電極、ホール注入層、発光層および背面電極を順次形
成した積層型のものであるが、発光スペクトルの幅が広
いため、色の鮮やかさに劣り、単一の赤、緑および青と
いった色の三原色を正確に実現することがむつかしいと
いう問題があった。On the other hand, organic thin-film electroluminescent elements are considered to use various materials because the applied voltage can be greatly reduced. For example, bis (8-hydroxyquinolino) aluminum is used as a light emitting material. , A thin film type electroluminescence element capable of emitting light with high brightness by applying a low voltage of 25 V or less has been developed (JP-A-59-194393). This organic thin film type electroluminescence element is a laminated type in which a front electrode, a hole injection layer, a light emitting layer and a back electrode are sequentially formed on a substrate, but since the width of the emission spectrum is wide, the vividness of the color is poor. However, there is a problem that it is difficult to accurately realize the three primary colors of a single color such as red, green and blue.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記のよう
な従来のエレクトロルミネッセンス素子の問題点を解決
し、低電圧印加で、高輝度でかつ鋭いスペクトルで鮮明
な色を発光する薄膜型エレクトロルミネッセンス素子を
提供することを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention solves the above-mentioned problems of the conventional electroluminescence device and applies a low voltage to a thin film type electroluminescent device which emits a clear color with high brightness and a sharp spectrum. An object is to provide a luminescent element.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明者は、上記課題を
解決するため鋭意研究を重ねた結果、希土類カルボン酸
塩を発光材料として用いるときは、低電圧印加で、高輝
度でかつ鋭いスペクトルで鮮明な色を発光する薄膜型エ
レクトロルミネッセンス素子が得られることを見出し、
本発明を完成するにいたった。そして、この薄膜型エレ
クトロルミネッセンス素子は、基板上に前面電極、ホー
ル注入層、発光層および背面電極を順次形成する積層型
のエレクトロルミネッセンス素子とすることができる。As a result of intensive studies to solve the above problems, the present inventor has found that when a rare earth carboxylate is used as a light emitting material, a low voltage is applied, a high brightness and a sharp spectrum are obtained. Found that a thin-film electroluminescent device that emits a clear color can be obtained with
The present invention has been completed. The thin film type electroluminescent element can be a laminated type electroluminescent element in which a front electrode, a hole injection layer, a light emitting layer and a back electrode are sequentially formed on a substrate.
【０００６】本発明の薄膜型エレクトロルミネッセンス
素子は、交流駆動型および直流駆動型のいずれにも適用
することができるが、以下の説明は図１を参照して直流
駆動型について行う。The thin film type electroluminescent element of the present invention can be applied to both an AC drive type and a DC drive type, but the following description will be made for the DC drive type with reference to FIG.
【０００７】図１において、１は基板であり、この基板
１は透明なガラス、プラスチックまたは石英などによっ
て形成されている。２は前面電極であり、この前面電極
２は基板１上に形成され、ＩＴＯ、ＳｎＯ2 またはＺｎ
Ｏなどを用いることによって透明もしくは半透明に形成
されている。そして、この前面電極２の膜厚は通常５０
〜１０００ｎｍ程度であるが、透明性を考慮すると５０
〜３００ｎｍ程度が特に好ましい。In FIG. 1, reference numeral 1 denotes a substrate, which is made of transparent glass, plastic, quartz or the like. 2 is a front electrode, and this front electrode 2 is formed on the substrate 1 and is made of ITO, SnO 2 or Zn.
It is formed transparent or semi-transparent by using O or the like. The thickness of the front electrode 2 is usually 50.
It is about 1000 nm, but it is 50 when transparency is taken into consideration.
It is particularly preferably about 300 nm.
【０００８】３はホール注入層であり、このホール注入
層３はホール輸送物質からなり、前面電極２から注入さ
れたホール（正孔）を発光層４に輸送する作用をするも
のである。上記のホール輸送物質としては、たとえばフ
タロシアニン誘導体または芳香族アミンなどが好適に用
いられるが、特に１，１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルア
ミノフェニル）−４−フェニル−シクロヘキサン、１，
１−ビス（４−ジ−ｐ−トリルアミノフェニル）シクロ
ヘキサン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル（１，
１’−ビフェニル）４，４’−ジアミン、４，４−ビス
（４−ジメチルアミノ−２−メチルフェニル）フェニル
メタンなどの芳香族アミンが好ましい。Reference numeral 3 denotes a hole injecting layer, which is made of a hole transporting material and has a function of transporting holes injected from the front electrode 2 to the light emitting layer 4. As the hole-transporting substance, for example, a phthalocyanine derivative or an aromatic amine is preferably used, but especially 1,1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) -4-phenyl-cyclohexane, 1,
1-bis (4-di-p-tolylaminophenyl) cyclohexane, N, N, N ', N'-tetraphenyl (1,
Aromatic amines such as 1'-biphenyl) 4,4'-diamine and 4,4-bis (4-dimethylamino-2-methylphenyl) phenylmethane are preferred.
【０００９】発光層４の発光材料としては希土類カルボ
ン酸塩が用いられる。本発明は、上記のように希土類カ
ルボン酸塩を発光材料として用いたことに特徴がある
が、その希土類カルボン酸塩は、特に制限されることな
く、その希土類元素としては、たとえばセリウム、テル
ビウム、サマリウム、ユーロピウム、ホルミニウム、プ
ラセオジム、エルビウム、ツリウムなどが用いられる。
また、そのカルボン酸としては、特に限定されることは
なく、各種のものを用いることができるが、発光輝度を
より一層高めるには、たとえば安息香酸、アニス酸、ト
ルイル酸、桂皮酸、ナフトエ酸などの芳香族カルボン酸
を用いることが特に好ましい。上記希土類カルボン酸塩
の合成方法としては、たとえば、エム．ディー．テイラ
ー（Ｍ．Ｄ．Ｔａｙｌｏｒ）らによる水溶液中でのイオ
ン交換反応〔Ｊ．Ｉｎｏｒｇ．Ｎｕｃｌ．Ｃｈｅｍ．，
３０，１５０３−１５１１（１９６８）〕、ピー．エ
ヌ．カプール（Ｐ．Ｎ．Ｋａｐｏｏｒ）らによる非極性
溶媒中でのイソプロポキシドの脱離反応〔Ｓｙｎｔｈ．
Ｒｅａｃｔ．Ｉｎｏｒｇ．Ｍｅｔ．−Ｏｒｇ．Ｃｈｅ
ｍ．，Ｖｏｌ．１７，５０７−５２３（１９８７）〕な
どを採用することができるが、これらに限られることは
ない。As a light emitting material for the light emitting layer 4, a rare earth carboxylate is used. The present invention is characterized by using the rare earth carboxylate as a light emitting material as described above, the rare earth carboxylate is not particularly limited, as the rare earth element, for example, cerium, terbium, Samarium, europium, holmium, praseodymium, erbium, thulium, etc. are used.
The carboxylic acid is not particularly limited and various ones can be used. To further enhance the emission brightness, for example, benzoic acid, anisic acid, toluic acid, cinnamic acid, naphthoic acid are used. It is particularly preferred to use aromatic carboxylic acids such as As a method for synthesizing the above-mentioned rare earth carboxylate, for example, M. Dee. Ion exchange reaction in an aqueous solution by Taylor Taylor et al. [J. Inorg. Nucl. Chem. ，
30, 1503-1511 (1968)], p. N. The elimination reaction of isopropoxide in a non-polar solvent by PN Kapoor et al. [Synth.
React. Inorg. Met. -Org. Che
m. , Vol. 17, 507-523 (1987)] and the like, but the invention is not limited thereto.
【００１０】５は背面電極であり、この背面電極５の形
成には、たとえば金、アルミニウム、マグネシウム、イ
ンジウムなどの金属が単独であるいは合金として用いら
れる。そして、この背面電極５の膜厚は通常５０〜２０
０ｎｍ程度が好ましい。なお、薄膜型エレクトロルミネ
ッセンスによっては、前記の前面電極２を金属の電極と
し、背面電極５を透明または半透明の電極とすることも
可能である。Reference numeral 5 denotes a back electrode. To form the back electrode 5, a metal such as gold, aluminum, magnesium or indium is used alone or as an alloy. The thickness of the back electrode 5 is usually 50 to 20.
About 0 nm is preferable. Depending on the thin film electroluminescence, the front electrode 2 may be a metal electrode and the back electrode 5 may be a transparent or semitransparent electrode.
【００１１】６は電源であり、上記前面電極２と背面電
極５とはこの電源６に接続され、それによって素子が駆
動できるようになっている。Reference numeral 6 denotes a power source, and the front electrode 2 and the back electrode 5 are connected to the power source 6 so that the element can be driven.
【００１２】上記構成からなる薄膜型エレクトロルミネ
ッセンスは、たとえば、次のような手順で作製される。
まず、基板１に前面電極２を蒸着法またはスパッタ法な
どで薄膜状に形成する。つぎに、この前面電極２の上面
にホール輸送物質を薄膜化してホール注入層３を形成す
る。この時の薄膜化は、たとえば蒸着法により次の条件
で行われる。The thin film type electroluminescence having the above structure is manufactured, for example, by the following procedure.
First, the front electrode 2 is formed in a thin film on the substrate 1 by a vapor deposition method or a sputtering method. Next, the hole injection layer 3 is formed by thinning the hole transport material on the upper surface of the front electrode 2. The thinning at this time is performed, for example, by the vapor deposition method under the following conditions.
【００１３】 ボート加熱条件 ： ５０℃〜４００℃ 真 空 度 ： １０-5Ｐａ〜１０-3Ｐａ 基 板 温 度 ： −５０℃〜＋２００℃ 膜 厚 ： １００ｎｍ〜５０００ｎｍBoat heating conditions: 50 ° C. to 400 ° C. Trueness: 10 −5 Pa to 10 −3 Pa Base plate temperature: −50 ° C. to + 200 ° C. Film thickness: 100 nm to 5000 nm
【００１４】つぎに、上記ホール注入層３の上面に発光
材料を薄膜化して発光層４を形成する。この発光層４を
形成する際の薄膜化方法としては、スピンコート法、キ
ャスト法、ＬＢ（ラングミュアーブロジェット）法、蒸
着法などを採用できるが、均一な膜形成を行うには、蒸
着法が特に好ましい。そして、上記発光層４の上面に背
面電極５を蒸着法またはスパッタ法などで薄膜状に形成
する。Next, the light emitting material is thinned on the upper surface of the hole injection layer 3 to form the light emitting layer 4. A spin coating method, a casting method, an LB (Langmuir-Blodgett) method, a vapor deposition method, or the like can be adopted as a thinning method for forming the light emitting layer 4, but the vapor deposition method is used to form a uniform film. Is particularly preferable. Then, the back electrode 5 is formed in a thin film on the upper surface of the light emitting layer 4 by a vapor deposition method or a sputtering method.
【００１５】[0015]
【実施例】つぎに、実施例を挙げて本発明をより具体的
に説明する。ただし、本発明はそれらの実施例のみに限
定されるものではない。EXAMPLES Next, the present invention will be described more specifically with reference to examples. However, the present invention is not limited to only those examples.
【００１６】実施例１ ５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのガラス製基板上に、ＩＴ
Ｏ（酸化インジウムスズ）を蒸着法にて５０ｎｍの厚さ
に成膜して前面電極を形成し、その前面電極を形成した
基板を蒸着装置〔日本真空技術（株）製〕の基板ホルダ
ーに固定し、モリブデン製の抵抗加熱ボートにＮ，Ｎ，
Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル（１，１’−ビフェニル）
４，４’−ジアミンを２００ｍｇ入れ、別の抵抗加熱ボ
ートに桂皮酸ユーロピウムを２５０ｍｇ入れ、真空槽を
１０-4Ｐａまで減圧した。Example 1 IT was mounted on a glass substrate of 50 mm × 50 mm × 1 mm.
O (Indium tin oxide) is deposited to a thickness of 50 nm by a vapor deposition method to form a front electrode, and the substrate on which the front electrode is formed is fixed to a substrate holder of a vapor deposition apparatus (manufactured by Nippon Vacuum Technology Co., Ltd.). The molybdenum resistance heating boat with N, N,
N ', N'-tetraphenyl (1,1'-biphenyl)
200 mg of 4,4′-diamine was placed, 250 mg of europium cinnamate was placed in another resistance heating boat, and the vacuum chamber was depressurized to 10 −4 Pa.
【００１７】つぎに、上記Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラ
フェニル（１，１’−ビフェニル）４，４’−ジアミン
を入れた抵抗加熱ボートを２１０℃まで加熱し、上記
Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラフェニル（１，１’−ビフ
ェニル）４，４’−ジアミンを蒸着速度１．０ｎｍ／ｓ
ｅｃでガラス製基板上の前面電極上に蒸着して、膜厚１
００ｎｍのホール注入層を形成した。このときの基板温
度は室温であった。Next, the resistance heating boat containing the N, N, N ', N'-tetraphenyl (1,1'-biphenyl) 4,4'-diamine is heated to 210 ° C. to obtain the N, N. , N ′, N′-tetraphenyl (1,1′-biphenyl) 4,4′-diamine was deposited at a deposition rate of 1.0 nm / s.
ec to vapor-deposit on the front electrode on the glass substrate to obtain a film thickness of 1
A hole injection layer of 00 nm was formed. At this time, the substrate temperature was room temperature.
【００１８】ついで、桂皮酸ユーロピウムを入れた抵抗
加熱ボートを１４０℃まで加熱し、桂皮酸ユーロピウム
を蒸着速度１．０ｎｍ／ｓｅｃで上記のホール注入層上
に蒸着して、膜厚１００ｎｍの発光層を形成した。この
ときの基板温度は室温であった。Then, a resistance heating boat containing europium cinnamate was heated to 140 ° C., and europium cinnamate was vapor-deposited on the above hole injection layer at a vapor deposition rate of 1.0 nm / sec to form a light-emitting layer having a thickness of 100 nm. Was formed. At this time, the substrate temperature was room temperature.
【００１９】上記のようにしてホール注入層および発光
層を形成した基板を真空槽より取り出し、上記発光層上
にステンレススチール製のマスクを設置した後、再び蒸
着装置内に入れて基板ホルダーに固定し、モリブデン製
の抵抗加熱ボートに金１ｇを入れて、真空槽を２×１０
-4Ｐａまで減圧した。その後、上記抵抗加熱ボートを１
４００℃まで加熱し、金を蒸着速度１０ｎｍ／ｓｅｃで
発光層上に蒸着して、膜厚１００ｎｍの背面電極を発光
層上に形成することによって、薄膜型エレクトロルミネ
ッセンス素子を作製した。The substrate on which the hole injection layer and the light emitting layer have been formed as described above is taken out from the vacuum chamber, a mask made of stainless steel is placed on the light emitting layer, and then placed again in the vapor deposition apparatus and fixed to the substrate holder. Then, put 1 g of gold into a molybdenum resistance heating boat and set the vacuum chamber to 2 × 10.
The pressure was reduced to -4 Pa. Then, the resistance heating boat 1
A thin film electroluminescent element was produced by heating to 400 ° C. and depositing gold on the light emitting layer at a vapor deposition rate of 10 nm / sec to form a back electrode having a film thickness of 100 nm on the light emitting layer.
【００２０】上記のようにして作製された薄膜型エレク
トロルミネッセンス素子に背面電極を正極、前面電極を
負極として直流電圧を２０Ｖ印加したところ、電流が
２．０ｍＡ流れ、赤色の発光を得た。このときの発光極
大波長は６１３ｎｍ、発光輝度は６５０ｃｄ／ｍ2 であ
った。そして、ＣＩＥ色度座標（国際照明委員会が定め
た３色表示系の座標）はｘ＝０．６４、ｙ＝０．３５で
あり、鮮明な赤色であった。When a direct current voltage of 20 V was applied to the thin film type electroluminescence device manufactured as described above with the back electrode as the positive electrode and the front electrode as the negative electrode, a current of 2.0 mA flowed and red light emission was obtained. At this time, the maximum emission wavelength was 613 nm and the emission luminance was 650 cd / m 2 . The CIE chromaticity coordinates (coordinates of the three-color display system determined by the International Commission on Illumination) were x = 0.64 and y = 0.35, and the color was vivid red.
【００２１】実施例２ 発光層形成のための発光材料として、桂皮酸ユーロピウ
ムに代えて桂皮酸テルビウムを用いた以外は、実施例１
と同様にして薄膜型エレクトロルミネッセンス素子を作
製した。Example 2 Example 1 was repeated except that terbium cinnamate was used instead of europium cinnamate as the light emitting material for forming the light emitting layer.
A thin film type electroluminescence device was produced in the same manner as in.
【００２２】この薄膜型エレクトロルミネッセンス素子
に背面電極を正極、前面電極を負極として直流電圧を１
５Ｖ印加したところ、電流が１．８ｍＡ流れ、黄緑色の
発光を得た。このときの発光極大波長は５４２ｎｍ、発
光輝度は７２０ｃｄ／ｍ2 であった。そして、ＣＩＥ色
度座標はｘ＝０．３６、ｙ＝０．５４であり、鮮明な黄
緑色であった。A DC voltage of 1 is applied to the thin film type electroluminescence device with the back electrode as a positive electrode and the front electrode as a negative electrode.
When 5 V was applied, a current of 1.8 mA flowed and yellowish green light was emitted. At this time, the maximum emission wavelength was 542 nm and the emission luminance was 720 cd / m 2 . The CIE chromaticity coordinates were x = 0.36 and y = 0.54, and the color was clear yellowish green.
【００２３】実施例３ 発光層形成のための発光材料として、桂皮酸ユーロピウ
ムに代えて桂皮酸セリウムを用いた以外は、実施例１と
同様にして薄膜型エレクトロルミネッセンス素子を作製
した。Example 3 A thin film electroluminescence device was produced in the same manner as in Example 1 except that cerium cinnamate was used instead of europium cinnamate as a light emitting material for forming a light emitting layer.
【００２４】この薄膜型エレクトロルミネッセンス素子
に背面電極を正極、前面電極を負極として直流電圧を３
０Ｖ印加したところ、電流が３．８ｍＡ流れ、青紫色の
発光を得た。このときの発光極大波長は４０２ｎｍ、発
光輝度は２２０ｃｄ／ｍ2 であった。そして、ＣＩＥ色
度座標はｘ＝０．１８、ｙ＝０．０３であり、鮮明な青
紫色であった。A DC voltage of 3 is applied to the thin film type electroluminescence device with the back electrode as a positive electrode and the front electrode as a negative electrode.
When 0 V was applied, a current of 3.8 mA flowed and blue-violet emission was obtained. At this time, the maximum emission wavelength was 402 nm and the emission luminance was 220 cd / m 2 . The CIE chromaticity coordinates were x = 0.18 and y = 0.03, and the color was vivid blue-purple.
【００２５】比較例１ 従来技術に従い、発光層形成のための発光材料として、
桂皮酸ユーロピウムに代えてビス（８−ヒドロキシキノ
リノ）アルミニウムを用いた以外は、実施例１と同様に
して薄膜型エレクトロルミネッセンス素子を作製した。Comparative Example 1 According to the prior art, as a light emitting material for forming a light emitting layer,
A thin film electroluminescence device was produced in the same manner as in Example 1 except that bis (8-hydroxyquinolino) aluminum was used instead of europium cinnamate.
【００２６】この薄膜型エレクトロルミネッセンス素子
に背面電極を正極、前面電極を負極として直流電圧を１
５Ｖ印加したところ、電流が５０ｍＡ流れ、緑色の発光
があったが、その発光は不鮮明なものであった。このと
きの発光状態を数値的に表すと、発光極大波長は５１５
ｎｍ、発光輝度は３４０ｃｄ／ｍ2 であった。そして、
ＣＩＥ色度座標はｘ＝０．３、ｙ＝０．３５であり、色
純度の悪い不鮮明な緑色であった。A DC voltage of 1 is applied to the thin film type electroluminescence device with the back electrode as a positive electrode and the front electrode as a negative electrode.
When a voltage of 5 V was applied, a current flowed at 50 mA and emitted green light, but the light emission was unclear. Numerically expressing the emission state at this time, the maximum emission wavelength is 515.
nm, and the emission brightness was 340 cd / m 2 . And
The CIE chromaticity coordinates were x = 0.3 and y = 0.35, and the color was unclear and unclear green.
【００２７】[0027]
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜型エ
レクトロルミネッセンス素子によれば、低電圧印加で、
赤、青、緑の三原色を高輝度かつ鋭いスペクトルで鮮明
に発光することができることが判明した。このことか
ら、本発明の薄膜型エレクトロルミネッセンス素子を利
用して、カラーディスプレイなどの実現が可能であるこ
とがわかる。As described above, according to the thin film electroluminescence device of the present invention, when a low voltage is applied,
It was found that the three primary colors of red, blue, and green can be vividly emitted with high brightness and a sharp spectrum. From this, it can be seen that a color display or the like can be realized by using the thin film electroluminescent element of the present invention.
【図１】本発明の薄膜型エレクトロルミネッセンス素子
の一例を模式的に示す要部断面図である。FIG. 1 is a cross-sectional view of a main part schematically showing an example of a thin film type electroluminescent element of the present invention.
１ 基板 ２ 前面電極 ３ ホール注入層 ４ 発光層 ５ 背面電極 1 substrate 2 front electrode 3 hole injection layer 4 light emitting layer 5 back electrode
Claims (2)
いたことを特徴とする薄膜型エレクトロルミネッセンス
素子。1. A thin film type electroluminescence device, characterized in that a rare earth carboxylate is used as a light emitting material.
層および背面電極を順次形成した積層型のエレクトロル
ミネッセンス素子であることを特徴とする請求項１記載
の薄膜型エレクトロルミネッセンス素子。2. The thin film electroluminescence device according to claim 1, which is a laminated electroluminescence device in which a front electrode, a hole injection layer, a light emitting layer and a back electrode are sequentially formed on a substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110148A JPH08288067A (en) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | Thin film electroluminescent element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7110148A JPH08288067A (en) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | Thin film electroluminescent element |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08288067A true JPH08288067A (en) | 1996-11-01 |
Family
ID=14528271
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7110148A Withdrawn JPH08288067A (en) | 1995-04-11 | 1995-04-11 | Thin film electroluminescent element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08288067A (en) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100299731B1 (en) * | 1998-03-25 | 2001-09-06 | 김덕중 | Organic light-emitting device comprising chelate metal complexes |
| US7303825B2 (en) | 2003-01-21 | 2007-12-04 | Kyushu Electric Power Co., Inc. | Electroluminescence device |
-
1995
- 1995-04-11 JP JP7110148A patent/JPH08288067A/en not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20020702 |