JPH08287485A

JPH08287485A - 複合光学装置

Info

Publication number: JPH08287485A
Application number: JP11008295A
Authority: JP
Inventors: Tadashi Taniguchi; 正谷口
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1995-04-11
Filing date: 1995-04-11
Publication date: 1996-11-01

Abstract

(57)【要約】【目的】光信号検出特性が良好なレーザカプラなどの
複合光学装置を提供する。【構成】レーザカプラにおけるフォトダイオードＩＣ
１の光信号検出用のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ
２をそれぞれ六分割型に構成する。レーザカプラを製造
した後にその光信号検出特性を測定し、その結果に応じ
てフォトダイオードＰＤ１のフォトダイオードＡ１〜Ａ
６のうちから選択されたフォトダイオードの出力端子間
およびフォトダイオードＰＤ２のフォトダイオードＢ１
〜Ｂ６のうちから選択されたフォトダイオードの出力端
子間を電気的に接続し、フォトダイオードＰＤ１および
ＰＤ２の分割中心線ＡＸ１を平行移動させる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は、複合光学装置に関
し、例えば、いわゆるレーザカプラに適用して好適なも
のである。

【０００２】

【従来の技術】光ディスクの読み取り用の光ピックアッ
プにおいては、良好な光信号検出特性を得るために、図
６に示すように、半導体レーザなどの光源Ｓとフォトダ
イオードなどの光検出器Ｄとは、光分岐用のミラーＭに
関して互いに鏡像関係になるように配置される必要があ
る。このため、この光ピックアップの組み立て時には、
光源Ｓと光検出器ＤとがミラーＭに関して互いに鏡像関
係になるように位置調整された後、互いの位置がずれな
いように接着固定される。この接着時に光源Ｓと光検出
器Ｄとの位置ずれが生じ、それが許容量を超えたときに
は、光信号検出特性が劣化して不良となるが、この位置
ずれを調整することはできないため、不良を修復するこ
とはできない。この位置ずれの原因には、位置調整ミス
のほか、接着に用いられる接着剤の硬化収縮などがあ
り、いずれも完全に除去することは本質的に困難なもの
である。このため、有限の不良率が必ず存在する。

【０００３】ところで、近年、レーザカプラと呼ばれる
複合光学装置を用いた光ピックアップが提案され、すで
に実用化されているが、この場合について上述の問題を
改めて説明すると、次の通りである。

【０００４】まず、レーザカプラについて説明する。図
７に、例えば超小型ＣＤプレーヤの光ピックアップに用
いられている従来のレーザカプラを示す。

【０００５】図７に示すように、このレーザカプラにお
いては、フォトダイオードＩＣ１０１上に、マイクロプ
リズム１０２と、フォトダイオード１０３上に半導体レ
ーザ１０４を載せた、いわゆるＬＯＰ（Laser on Photo
diode)チップとが互いに隣接して実装されている。ここ
で、マイクロプリズム１０２は例えば紫外線硬化樹脂系
の接着剤によりフォトダイオードＩＣ１０１上に接着固
定されており、ＬＯＰチップは例えば銀ペーストにより
フォトダイオードＩＣ１０１のダイパッド（図示せず）
上に接着固定されている。

【０００６】フォトダイオードＩＣ１０１は、光信号検
出用の一対のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２のほ
か、これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の出
力電流信号の電流−電圧（Ｉ−Ｖ）変換アンプや演算処
理部（いずれも図示せず）などがＩＣ化されたものであ
る。また、フォトダイオード１０３は、半導体レーザ１
０４のリア側の端面からの光出力をモニターし、それに
よってフロント側の端面からの光出力をモニターするた
めのものである。

【０００７】マイクロプリズム１０２は、光入射面とな
る斜面１０２ａ、上面１０２ｂ、底面１０２ｃ、端面１
０２ｄおよび端面１０２ｅを有する。そして、斜面１０
２ａにはハーフミラー（図示せず）が形成され、上面１
０２ｂには全反射膜（図示せず）が形成され、ＬＯＰチ
ップ側の端面１０２ｄは鏡面に構成され、ＬＯＰチップ
と反対側の端面１０２ｅには光吸収膜（図示せず）が形
成されている。

【０００８】この場合、光信号検出用のフォトダイオー
ドＰＤ１およびＰＤ２としては、四分割型のものが用い
られている。すなわち、図８に示すように、フォトダイ
オードＰＤ１は互いに分離して設けられた４個のフォト
ダイオードＡ１〜Ａ４、フォトダイオードＰＤ２は互い
に分離して設けられた４個のフォトダイオードＢ１〜Ｂ
４を有する。これらのフォトダイオードＡ１〜Ａ４およ
びフォトダイオードＢ１〜Ｂ４は、それらの分割中心線
ＡＸに関して対称に配置されている。そして、この分割
中心線ＡＸがこれらのフォトダイオードＰＤ１およびＰ
Ｄ２の光軸である。

【０００９】次に、上述のように構成されたレーザカプ
ラの動作について図９を参照しながら説明する。ここ
で、このレーザカプラにおいては、マイクロプリズム１
０２の斜面１０２ａに設けられたハーフミラーが図６に
示す光分岐用のミラーＭに相当する。この場合、このハ
ーフミラーに関する半導体レーザ１０４の鏡像点Ｐは、
前後のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の光学的な
中点である。

【００１０】図９に示すように、半導体レーザ１０４の
フロント側の端面から出射されたレーザ光Ｌは、マイク
ロプリズム１０２の斜面１０２ａ上のハーフミラー（図
示せず）で反射された後、対物レンズＯＬにより集光さ
れ、信号の読み取りを行う光ディスクＤに入射する。こ
の光ディスクＤで反射されたレーザ光Ｌは、マイクロプ
リズム１０２の斜面１０２ａ上のハーフミラー（図示せ
ず）を通ってこのマイクロプリズム１０２の内部に入
る。このマイクロプリズム１０２の内部に入った光のう
ちの半分（５０％）の光はフォトダイオードＰＤ１に入
射し、残りの半分（５０％）の光はこのフォトダイオー
ドＰＤ１上に形成されたハーフミラー（図示せず）とマ
イクロプリズム１０２の上面１０２ｂとで順次反射され
てフォトダイオードＰＤ２に入射する。

【００１１】この場合、レーザ光Ｌが光ディスクＤの記
録面上に焦点を結んでいるときに、鏡像点Ｐの前後のフ
ォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２上のレーザ光Ｌのス
ポットサイズが同じになるように設計されているが（図
１０および図１１参照）、光ディスクＤが変位して焦点
位置が記録面からずれると、これらのフォトダイオード
ＰＤ１およびＰＤ２上のレーザ光Ｌのスポットサイズは
互いに異なってくる。そこで、フォトダイオードＰＤ１
からの出力信号とフォトダイオードＰＤ２からの出力信
号との差を焦点位置のずれに対応させると、フォーカス
エラー信号を検出することができる。そして、このフォ
ーカスエラー信号のゼロ点が、焦点位置が光ディスクＤ
の記録面に一致した点、つまりジャストフォーカス点に
対応し、このフォーカスエラー信号がゼロとなるように
フォーカスサーボ系にフィードバックを与える。このよ
うにして、ジャストフォーカス状態が維持され、光ディ
スクＤの再生が支障なく行われることになる。なお、図
８において、フォーカスエラー信号は（Ａ１＋Ａ２＋Ｂ
３＋Ｂ４）−（Ａ３＋Ａ４＋Ｂ１＋Ｂ２）により形成さ
れる。

【００１２】次に、上述のレーザカプラの製造方法につ
いて説明する。

【００１３】まず、図１２に示すように、所定のウエー
ハプロセスによりフォトダイオードＩＣウエーハ１１４
を製造する。符号１１４ａは一つのフォトダイオードＩ
Ｃに相当するチップ領域を示す。

【００１４】次に、図１３に示すように、フォトダイオ
ードＩＣウエーハ１１４の各チップ領域１１４ａの所定
の実装部上でＬＯＰチップを位置調整し、銀ペースト
（図示せず）により接着して実装する。この後、所定の
キュア処理を行う。

【００１５】次に、図１４に示すように、フォトダイオ
ードＩＣウエーハ１１４の複数個、例えば１０個のチッ
プ領域１１４ａ毎に、これらのチップ領域１１４ａにま
たがる長さのバー状のマイクロプリズム１０２を紫外線
硬化樹脂系の接着剤（図示せず）を用いて仮留めする。
この後、キュア処理を行う。すなわち、紫外線照射によ
り接着剤を硬化させる。

【００１６】次に、フォトダイオードＩＣウエーハ１１
４の裏面を延伸シート（図示せず）に貼り付けた後、図
１５に示すように、図示省略した所定のダイサー（ダイ
シング装置）によりバー状のマイクロプリズム１０２を
ハーフカットする。

【００１７】次に、バー状のマイクロプリズム１０２、
接着剤およびフォトダイオードＩＣウエーハ１１４をダ
イサーによりフルカットし、最終的に図１６に示すよう
に、各チップ、すなわち各フォトダイオードＩＣ１０１
に分割する。

【００１８】この後、延伸シートの延伸を行って各チッ
プを離間させた状態で、各チップをピックアップし、パ
ッケージングを行う。

【００１９】しかしながら、上述のレーザカプラの製造
方法においては、フォトダイオードＩＣウエーハ１１４
上へのＬＯＰチップの実装時に位置調整ミスが生じた
り、ＬＯＰチップの接着に用いられる接着剤の硬化収縮
が生じたりすることにより、フォトダイオードＰＤ１お
よびＰＤ２の分割中心線ＡＸ、すなわち光軸に対して半
導体レーザ１０４の光軸が図８のｘ方向にずれてしまう
のを避けることができない。このため、レーザカプラの
光信号検出特性が劣化し、その程度が大きいものは不良
となってしまう。

【００２０】

【発明が解決しようとする課題】以上のように、レーザ
カプラを用いた光ピックアップを含む従来の光ピックア
ップにおいては、光信号検出光学系を構成する部品間の
位置ずれに起因する光信号検出特性の劣化を抑えること
は困難であった。

【００２１】したがって、この発明の目的は、光信号検
出特性が良好な複合光学装置を提供することにある。

【００２２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、この発明は、光信号検出用の受光素子と、光信号用
の光源としての発光素子とを有する複合光学装置におい
て、受光素子は発光素子の光軸に垂直な方向に互いに分
離して設けられた複数の受光部を有し、複数の受光部の
うちから選択された受光部間を電気的に接続することに
より受光素子の分割中心線を発光素子の光軸に垂直な方
向に移動させるようにしたことを特徴とするものであ
る。

【００２３】この発明において、典型的には、受光素子
は少なくとも６個以上の受光部を有する。

【００２４】この発明の一実施形態において、受光素子
は６個の受光素子を有する。すなわち、受光素子は、そ
の分割中心線に関して対称な配置で発光素子の光軸に垂
直な方向に互いに分離して順次設けられた第１の受光
部、第２の受光部、第３の受光部、第４の受光部、第５
の受光部および第６の受光部を有する。

【００２５】この場合、受光素子の分割中心線を発光素
子の光軸に垂直な方向に移動させるためには、例えば、
第１の受光部の出力端子と第２の受光部の出力端子との
間および第５の受光部の出力端子と第６の受光部の出力
端子との間をあらかじめ第１の配線および第２の配線に
よりそれぞれ接続しておき、複合光学装置の組み立て後
の光信号検出特性の測定結果に応じて第１の配線または
第２の配線を切断するとともに、第１の配線を切断する
ときには第２の配線を第４の受光部の出力端子に接続
し、第２の配線を切断するときには第１の配線を第３の
受光部の出力端子に接続する。あるいは、複合光学装置
の組み立て後の光信号検出特性の測定結果に応じて第１
の受光部の出力端子と第２の受光部の出力端子と第３の
受光部の出力端子との間または第４の受光部の出力端子
と第５の受光部の出力端子と第６の受光部の出力端子と
の間を配線により接続する。

【００２６】ここで、配線の切断は、例えば、配線の切
断部にレーザ光を照射することにより行うことができ
る。また、配線の形成は、例えば、受光素子が形成され
た基体に収束イオンビーム（ＦＩＢ）を照射することに
より行うことができる。

【００２７】この発明において、受光部間の電気的な接
続は、上述のような配線の接続または形成のほか、受光
素子の各受光部の出力端子に配線を介して接続されたボ
ンディングパッド間をワイヤーボンディングで接続する
ことによっても行うことができる。さらに、この受光部
間の電気的な接続は、受光素子の各受光部の出力端子に
配線を介して接続された端子を複合光学装置の外部に取
り出しておき、これらの端子間をジャンパー線で接続す
ることにより行うようにしてもよい。

【００２８】この発明においては、複合光学装置は、具
体的には、例えばレーザカプラである。

【００２９】

【作用】上述のように構成されたこの発明による複合光
学装置においては、受光素子と発光素子とを位置調整し
て互いに接着固定した後、光信号検出特性を測定する。
そして、この測定結果から、受光素子の分割中心線、す
なわち光軸に対する発光素子の光軸のずれ量を推定す
る。このずれ量が許容量以下であれば問題ないが、この
ずれ量が許容量を超えているときは、このずれ量の大き
さおよびずれの方向に応じて受光素子の複数の受光部の
うちから選択された受光部の出力端子間を電気的に接続
する。これによって、受光素子の分割中心線を発光素子
の光軸に垂直な方向に移動させ、発光素子の光軸とのず
れ量を小さくする。

【００３０】

【実施例】以下、この発明の一実施例について図面を参
照しながら説明する。なお、実施例の全図において、同
一または対応する部分には同一の符号を付す。

【００３１】図１はこの発明の一実施例によるレーザカ
プラを示す断面図、図２はこのレーザカプラにおけるマ
イクロプリズムの接着部の拡大断面図である。この一実
施例によるレーザカプラの斜視図は、図７に示すと同様
である。

【００３２】図１に示すように、この一実施例によるレ
ーザカプラにおいては、フォトダイオードＩＣ１上に、
例えば光学ガラスからなるマイクロプリズム２と、フォ
トダイオード３上に半導体レーザ４を載せたＬＯＰチッ
プとが互いに隣接して実装されている。ここで、マイク
ロプリズム２は後述のように例えば紫外線硬化樹脂系の
接着剤によりフォトダイオードＩＣ１上に接着固定され
ており、ＬＯＰチップは例えば銀ペーストによりフォト
ダイオードＩＣ１のダイパッド（図示せず）上に接着固
定されている。

【００３３】フォトダイオードＩＣ１は、光信号検出用
の一対のフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２のほか、
これらのフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２の出力電
流信号のＩ−Ｖ変換アンプや演算処理部（いずれも図示
せず）などがＩＣ化されたものであり、具体的にはＳｉ
ＩＣ（例えば、バイポーラＩＣ）である。また、フォト
ダイオード３は、半導体レーザ４のリア側の端面からの
光出力をモニターし、それによってフロント側の端面か
らの光出力をモニターするためのものである。なお、フ
ォトダイオード３は例えばＳｉチップからなり、半導体
レーザ４としては例えばＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ半導体
レーザ（発振波長は例えば７８０ｎｍ）が用いられる。

【００３４】図１に示すように、マイクロプリズム２
は、光入射面となる斜面２ａ、上面２ｂ、底面２ｃ、端
面２ｄおよび端面２ｅを有する。そして、斜面２ａには
ハーフミラー５が形成され、上面２ｂには全反射膜６が
形成され、ＬＯＰチップ側の端面２ｄは鏡面に構成さ
れ、ＬＯＰチップと反対側の端面２ｅには光吸収膜７が
形成されている。ここで、ハーフミラー５としては、例
えば誘電体多層膜が用いられ、その反射率は例えば２０
％である。全反射膜６としては、例えば誘電体多層膜が
用いられる。これらの誘電体多層膜は、例えばＺｒＯ、
ＴｉＯ、ＳｉＯ₂などにより形成される。なお、マイク
ロプリズム２の大きさの一例を挙げると、高さ０．６ｍ
ｍ、全長１．５２ｍｍ、幅１．８ｍｍ、上面２ｂの長さ
１．１ｍｍである。

【００３５】図２に示すように、マイクロプリズム２の
底面２ｃの全面に反射防止膜８が形成れ、さらにこの反
射防止膜８上に、ハーフミラー９およびＳｉＯ₂膜１０
が形成されている。一方、フォトダイオードＩＣ１の全
面にパッシベーション膜としてのＳｉＯ₂膜１１が形成
されている。そして、マイクロプリズム２の底面２ｃに
形成されたＳｉＯ₂膜１０が接着剤１２によりフォトダ
イオードＩＣ１上のＳｉＯ₂膜１１に接着されて、マイ
クロプリズム２がフォトダイオードＩＣ１上に実装され
ている。ここで、反射防止膜８としては例えばＣｅＦ₃
膜やＡｌ₂Ｏ₃膜が用いられ、その厚さは例えば１５０
ｎｍ程度である。ハーフミラー９は例えばＺｒＯ、Ｔｉ
Ｏ、ＳｉＯ₂などによる誘電体多層膜により形成され、
その厚さは例えば６００ｎｍ程度である。ＳｉＯ₂膜１
０は接着剤１２によるマイクロプリズム２の接着力を強
化するためのものであり、その厚さは例えば１５０ｎｍ
程度である。また、ＳｉＯ₂膜１１は、フォトダイオー
ドＩＣ１の表面のパッシベーションのほか、接着剤１２
によるマイクロプリズム２の接着力を強化するためのも
のであり、その厚さは例えば５００ｎｍ程度である。接
着剤１２としては、例えば、紫外線硬化樹脂であるシリ
コーン樹脂系の接着剤などが用いられ、その厚さは典型
的には１０μｍ程度である。なお、図１においては、ハ
ーフミラー９およびＳｉＯ₂膜１０の図示は省略されて
いる。

【００３６】この場合、フォトダイオードＰＤ１および
ＰＤ２としては、図８に示す従来の例と異なり、六分割
型のものが用いられている。すなわち、図３に示すよう
に、フォトダイオードＰＤ１は互いに分離して設けられ
た６個のフォトダイオードＡ１〜Ａ６、フォトダイオー
ドＰＤ２は互いに分離して設けられた６個のフォトダイ
オードＢ１〜Ｂ６を有する。これらのフォトダイオード
Ａ１〜Ａ６およびフォトダイオードＢ１〜Ｂ６は、それ
らの分割中心線ＡＸ１に関して対称に配置されている。
ここで、フォトダイオードＰＤ１の各部の寸法の一例を
挙げると、その長さは例えば３６０μｍ、フォトダイオ
ードＡ１およびＡ２の幅は例えばそれぞれ５２μｍ、フ
ォトダイオードＡ３、Ａ４、Ａ５およびＡ６の幅は例え
ばそれぞれ９μｍ、フォトダイオードＡ１およびＡ５間
の間隔、フォトダイオードＡ５およびＡ３間の間隔、フ
ォトダイオードＡ３およびＡ４間の間隔、フォトダイオ
ードＡ４およびＡ６間の間隔、フォトダイオードＡ６お
よびＡ２間の間隔はいずれも例えば４μｍである。フォ
トダイオードＰＤ２の各部の寸法も同様である。

【００３７】なお、フォトダイオードＰＤ１のフォトダ
イオードＡ１〜Ａ６およびフォトダイオードＰＤ２のフ
ォトダイオードＢ１〜Ｂ６は、例えばｎ型層中にｐ型層
を形成することにより形成されたｐｎ接合からなるもの
である。この場合、フォトダイオードＰＤ１の各フォト
ダイオードＡ１〜Ａ６間およびフォトダイオードＰＤ２
の各フォトダイオードＢ１〜Ｂ６間のいずれの部分に
も、いわゆるクロストークを防止するためのｎ⁺型層
（「プラグイン」と呼ばれることがある。）が形成され
ていないが、このようにしてもクロストークが生じない
ことは確認されている。

【００３８】この一実施例においては、フォトダイオー
ドＩＣウエーハの製造プロセスにおいて、フォトダイオ
ードＩＣに相当する各チップ領域のフォトダイオードＰ
Ｄ１およびＰＤ２のフォトダイオードＡ１〜Ａ６および
フォトダイオードＢ１〜Ｂ６の各出力端子に接続された
配線（図示せず）のほかに、図４に模式的に示すよう
に、配線１３〜１６をあらかじめ形成しておく。ここ
で、配線１３はフォトダイオードＡ１の出力端子とフォ
トダイオードＡ５の出力端子との間を接続し、配線１４
はフォトダイオードＡ２の出力端子とフォトダイオード
Ａ６の出力端子との間を接続し、配線１５はフォトダイ
オードＢ１の出力端子とフォトダイオードＢ５の出力端
子との間を接続し、配線１６はフォトダイオードＢ２の
出力端子とフォトダイオードＢ６の出力端子との間を接
続している。このとき、フォトダイオードＡ１およびＡ
５の全体から一つの出力が得られ、同様にフォトダイオ
ードＡ２およびＡ６の全体から一つの出力が得られるこ
とから、フォトダイオードＰＤ１は、図８に示すような
四分割型のフォトダイオードＰＤ１と等価である。フォ
トダイオードＰＤ２についても同様である。

【００３９】そして、上述のフォトダイオードＩＣウエ
ーハを用いて、すでに述べた従来のレーザカプラの製造
方法と同様に工程を進め、レーザカプラを製造する。

【００４０】次に、このようにして製造されたレーザカ
プラの光信号検出特性（あるいは光ディスクの変位検出
特性）を測定する。そして、その測定結果から、フォト
ダイオードＰＤ１およびＰＤ２の分割中心線ＡＸ１と半
導体レーザ４の光軸ＡＸ２との間のずれ量を推定する。
このずれ量が許容量以下であれば、他に不良原因がない
ことを条件として、このレーザカプラは良品となる。こ
れに対して、このずれ量が許容量を超えているときは、
次のようにしてそのずれを解消させる。

【００４１】すなわち、いま、図４に示すように、フォ
トダイオードＰＤ１およびＰＤ２の分割中心線ＡＸ１に
対して、半導体レーザ４の光軸ＡＸ２がｘ軸の負側にず
れており、このずれ量はフォトダイオードＡ３〜Ａ６間
およびフォトダイオードＢ３〜Ｂ６間の中心線間距離程
度であるとする。そこで、図５に示すように、フォトダ
イオードＰＤ１のフォトダイオードＡ１およびＡ５間の
配線１３と、フォトダイオードＰＤ２のフォトダイオー
ドＢ１およびＢ５間の配線１５とを、それぞれ切断す
る。この切断は、これらの配線１３、１５の切断部に例
えばＹＡＧレーザにより発生されたレーザ光を照射する
ことにより行う。これらの配線１３、１５の切断の結
果、フォトダイオードＡ１およびＡ５からそれぞれ一つ
の出力が得られるとともに、フォトダイオードＢ１およ
びＢ５からそれぞれ一つの出力が得られるようになる。

【００４２】次に、例えばＦＩＢをフォトダイオードＩ
Ｃ１上に選択的に照射することにより配線１４を延長し
てフォトダイオードＡ４の出力端子に接続する。同様
に、配線１６を延長してフォトダイオードＢ４の出力端
子に接続する。これによって、フォトダイオードＡ２、
Ａ６およびＡ４の出力端子間が互いに接続されてこれら
のフォトダイオードＡ２、Ａ６およびＡ４の全体から一
つの出力が得られるようになる。同様に、フォトダイオ
ードＢ２、Ｂ６およびＢ４の出力端子間が互いに接続さ
れてこれらのフォトダイオードＢ２、Ｂ６およびＢ４の
全体から一つの出力が得られるようになる。

【００４３】このとき、フォトダイオードＰＤ１および
ＰＤ２は、等価的に四分割型となっているが、このとき
の分割中心線ＡＸ１は、フォトダイオードＡ３およびＡ
５間並びにフォトダイオードＢ３およびＢ５間の中心線
の位置に移動している。これによって、フォトダイオー
ドＰＤ１およびＰＤ２の分割中心線ＡＸ１に対する半導
体レーザ４の光軸ＡＸ２のずれはほとんどなくなり、両
者はほぼ一致する（図５参照）。

【００４４】以上のように、この一実施例によれば、い
わばフォトダイオードＰＤ１およびＰＤ２のフォトダイ
オードの出力端子間の配線の切り換えによりフォトダイ
オードＰＤ１およびＰＤ２の分割中心線ＡＸ１に対する
半導体レーザ４の光軸ＡＸ２のずれをほぼ完全になくす
ことができ、これによってレーザカプラの光信号検出特
性を良好にすることができる。そして、フォトダイオー
ドＰＤ１およびＰＤ２の分割中心線ＡＸ１に対する半導
体レーザ４の光軸ＡＸ２のずれに起因するレーザカプラ
の不良率を実質的にゼロとすることができる。

【００４５】以上、この発明の一実施例について具体的
に説明したが、この発明は、上述の実施例に限定される
ものではなく、この発明の技術的思想に基づく各種の変
形が可能である。

【００４６】例えば、上述の一実施例においては、フォ
トダイオードＰＤ１およびＰＤ２の分割中心線ＡＸ１に
対する半導体レーザ４の光軸ＡＸ２のずれ量が各フォト
ダイオードＡ３〜Ａ６間およびフォトダイオードＢ３〜
Ｂ６間の中心線間距離程度であるとしたが、このずれ量
がより大きく、上述の一実施例における程度の分割中心
線ＡＸ１の移動では不十分である場合には、フォトダイ
オードＰＤ１およびＰＤ２として八分割型のもの、ある
いは、それ以上の複数分割型のものを用いればよい。

【００４７】また、上述の一実施例においては、この発
明をレーザカプラに適用した場合について説明したが、
この発明は、レーザカプラ以外の各種の複合光学装置に
適用することが可能である。

【００４８】さらに、上述の一実施例においては、フォ
トダイオードＩＣ１上に一対のフォトダイオードＰＤ１
およびＰＤ２が設けられているが、より一般的には、フ
ォトダイオードＩＣ１上に三つ以上のフォトダイオード
が設けられる場合にも、この発明を適用することが可能
である。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、この発明によれ
ば、受光素子の複数の受光部のうちから選択された受光
部の出力端子間を電気的に接続することにより受光素子
の分割中心線を発光素子の光軸に垂直な方向に移動させ
るようにしているので、光信号検出特性が良好な複合光
学装置を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明の一実施例によるレーザカプラを示す
断面図である。

【図２】この発明の一実施例によるレーザカプラの要部
の拡大断面図である。

【図３】この発明の一実施例によるレーザカプラのフォ
トダイオードＩＣにおけるフォトダイオードのパターン
を示す平面図である。

【図４】この発明の一実施例によるレーザカプラのフォ
トダイオードＩＣの要部を示す平面図である。

【図５】この発明の一実施例によるレーザカプラのフォ
トダイオードＩＣの要部を示す平面図である。

【図６】光ピックアップの一般的な構成を示す略線図で
ある。

【図７】従来のレーザカプラを示す斜視図である。

【図８】従来のレーザカプラのフォトダイオードＩＣに
おけるフォトダイオードのパターンを示す平面図であ
る。

【図９】ＣＤプレーヤの光ピックアップにレーザカプラ
を応用した場合の動作を説明するための略線図である。

【図１０】従来のレーザカプラにおけるレーザ光および
フォトダイオード間の関係を示す略線図である。

【図１１】従来のレーザカプラにおけるフォトダイオー
ド上のレーザ光のスポットを示す平面図である。

【図１２】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。

【図１３】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。

【図１４】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。

【図１５】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。

【図１６】従来のレーザカプラの製造方法を説明するた
めの略線図である。

【符号の説明】

１フォトダイオードＩＣ２マイクロプリズム３フォトダイオード４半導体レーザ５、９ハーフミラーＰＤ１、ＰＤ２フォトダイオードＡＸ１分割中心軸ＡＸ２光軸

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光信号検出用の受光素子と、光信号用の光源としての発光素子とを有する複合光学装
置において、上記受光素子は上記発光素子の光軸に垂直な方向に互い
に分離して設けられた複数の受光部を有し、上記複数の受光部のうちから選択された受光部の出力端
子間を電気的に接続することにより上記受光素子の分割
中心線を上記発光素子の光軸に垂直な方向に移動させる
ようにしたことを特徴とする複合光学装置。
【請求項２】上記受光素子は少なくとも６個以上の受
光部を有することを特徴とする請求項１記載の複合光学
装置。
【請求項３】上記受光素子はその分割中心線に関して
対称な配置で上記発光素子の光軸に垂直な方向に互いに
分離して順次設けられた第１の受光部、第２の受光部、
第３の受光部、第４の受光部、第５の受光部および第６
の受光部を有することを特徴とする請求項１記載の複合
光学装置。
【請求項４】上記第１の受光部の出力端子と上記第２
の受光部の出力端子との間および上記第５の受光部の出
力端子と上記第６の受光部の出力端子との間をあらかじ
め第１の配線および第２の配線によりそれぞれ接続して
おき、上記複合光学装置の組み立て後の光信号検出特性
の測定結果に応じて上記第１の配線または上記第２の配
線を切断するとともに、上記第１の配線を切断するとき
には上記第２の配線を上記第４の受光部の出力端子に接
続し、上記第２の配線を切断するときには上記第１の配
線を上記第３の受光部の出力端子に接続することを特徴
とする請求項３記載の複合光学装置。
【請求項５】上記複合光学装置の組み立て後の光信号
検出特性の測定結果に応じて上記第１の受光部の出力端
子と上記第２の受光部の出力端子と上記第３の受光部の
出力端子との間または上記第４の受光部の出力端子と上
記第５の受光部の出力端子と上記第６の受光部の出力端
子との間を配線により接続することを特徴とする請求項
３記載の複合光学装置。
【請求項６】上記複合光学装置はレーザカプラである
ことを特徴とする請求項１記載の複合光学装置。