JPH0828616B2 - Amplifier circuit - Google Patents
Amplifier circuitInfo
- Publication number
- JPH0828616B2 JPH0828616B2 JP1140451A JP14045189A JPH0828616B2 JP H0828616 B2 JPH0828616 B2 JP H0828616B2 JP 1140451 A JP1140451 A JP 1140451A JP 14045189 A JP14045189 A JP 14045189A JP H0828616 B2 JPH0828616 B2 JP H0828616B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- transistor
- current
- collector
- current control
- pnp transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Landscapes
- Amplifiers (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、無線通信機器等に用いられる増幅回路に関
するものである。TECHNICAL FIELD The present invention relates to an amplifier circuit used in a wireless communication device or the like.
従来の技術 増幅器では、電圧，温度等の変動に対して安定した出力
が得られることが必要となされる。このために各種の対
策が講じられている。以下、第８図を参照して従来の増
幅器について説明する。Prior art amplifiers are required to obtain stable output with respect to fluctuations in voltage, temperature, and the like. To this end, various measures have been taken. A conventional amplifier will be described below with reference to FIG.
第８図において、801は増幅用トランジスタ、802は増
幅用トランジスタ801へ信号を渡す前段増幅器、803は前
段増幅器802のコレクタ電流を制御する検出電流制御用P
nPトランジスタ、804はダイオード、805は検出電流制御
用PnPトランジスタ803のベースバイアスを設定する可変
抵抗器、806はダイオード、807はツェナーダイオード、
808は電流制限のための抵抗、809はダイオード804,806
と、可変抵抗器805と、ツェナーダイオード807に流れる
電流を設定する抵抗、810は電流検出用抵抗、811は高周
波出力信号を阻止するインダクタ、812は容量、813,814
は結合容量、815は増幅用トランジスタ801のベースバイ
アスを設定するベースバイアス端子、816は電流端子で
ある。In FIG. 8, 801 is an amplifying transistor, 802 is a pre-stage amplifier that passes a signal to the amplifying transistor 801, and 803 is a detection current control P that controls the collector current of the pre-stage amplifier 802.
nP transistor, 804 is a diode, 805 is a variable resistor that sets the base bias of the detection current control PnP transistor 803, 806 is a diode, 807 is a zener diode,
808 is a resistor for current limit, 809 is a diode 804,806
, A variable resistor 805 and a resistor that sets the current flowing through the Zener diode 807, 810 is a current detection resistor, 811 is an inductor that blocks a high frequency output signal, 812 is a capacitance, and 813, 814.
Is a coupling capacitance, 815 is a base bias terminal for setting the base bias of the amplifying transistor 801, and 816 is a current terminal.
以上のような構成において、以下その動作について説
明する。The operation of the above configuration will be described below.
可変抵抗器805によって検出電流制御用PnPトランジス
タ803のベース電圧を設定している場合において、電源
電圧の変動や温度の変化によって増幅用トランジスタ80
1のコレクタ電流が増し、出力が増すと、電流検出用抵
抗810による電圧降下が大きくなり、電源端子816と検出
電流制御用PnPトランジスタ803のベース間の電圧が、ダ
イオード804と可変抵抗器805で決められている電圧と等
しくなるように検出電流制御用PnPトランジスタ803のベ
ース・エミッタ間電圧が下がり、前段増幅器802のコレ
クタ電流を減少させるため、前段増幅器802の出力が低
下し、増幅用トランジスタ801の入力電力が減少し、そ
の出力が一定になる方向に動作する。増幅用トランジス
タ801のコレクタ電流が減少した場合は、前記コレクタ
電流が増加した場合と逆の動作を行い、前段増幅器802
の出力を増加させて、出力一定の方向に動作する。When the base voltage of the detection current control PnP transistor 803 is set by the variable resistor 805, the amplification transistor 80 is affected by the fluctuation of the power supply voltage or the temperature change.
When the collector current of 1 increases and the output increases, the voltage drop due to the current detection resistor 810 increases, and the voltage between the power supply terminal 816 and the base of the detection current control PnP transistor 803 is increased by the diode 804 and the variable resistor 805. The base-emitter voltage of the detection current control PnP transistor 803 decreases so as to be equal to the predetermined voltage, and the collector current of the pre-stage amplifier 802 decreases, so the output of the pre-stage amplifier 802 decreases and the amplifying transistor 801 It operates in the direction that its input power decreases and its output becomes constant. When the collector current of the amplifying transistor 801 decreases, the operation opposite to that when the collector current of the amplifying transistor 801 increases is performed.
The output is increased to operate in a constant output direction.
発明が解決しようとする課題 しかし、以上のような構成では部品の温度特性、例え
ばダイオード804,806の流れる電流の変化による電圧変
動、増幅用トランジスタ801の直流電流増幅率のばらつ
き等のために、増幅用トランジスタ801の出力変動がみ
られ、また、増幅用トランジスタ801の直流電流増幅率
の変動が大きい場合には増幅用トランジスタ801のベー
スバイアス供給を調整する必要があるという課題を有し
ていた。However, in the above-described configuration, the temperature characteristics of the components, for example, voltage fluctuations due to changes in the current flowing through the diodes 804 and 806, variations in the direct current amplification factor of the amplifying transistor 801, etc. When the output of the transistor 801 fluctuates, and when the DC current amplification factor of the amplifying transistor 801 fluctuates greatly, there is a problem that the base bias supply of the amplifying transistor 801 needs to be adjusted.
本発明は上記問題を解決するもので、温度、電源電
圧、直流電流増幅率、負荷インピーダンス等の変動に対
して出力変動が小さい、電流検出形の補正回路を具備し
た増幅回路を提供することを目的とするものである。The present invention solves the above problems, and provides an amplifier circuit including a current detection type correction circuit, which has a small output variation with respect to variations in temperature, power supply voltage, DC current amplification factor, load impedance, and the like. It is intended.
課題を解決するための手段 本発明は、検出電流制御用PnPトランジスタのベース
電圧の設定にウィルソン形カレントミラー回路の電圧基
準用トランジスタのベース電圧を使用し、また、ウィル
ソン形カレントミラー回路とツェナーダイオードとに流
れる電流を定電流源回路で一定とし、検出電流制御用Pn
Pトランジスタのコレクタ出力電流を前段増幅器のコレ
クタ電流、あるいは増幅用トランジスタ自身のベース電
流に供給することにより、上記目的を達成するものであ
る。Means for Solving the Problems The present invention uses a base voltage of a voltage reference transistor of a Wilson current mirror circuit for setting a base voltage of a detection current control PnP transistor, and a Wilson current mirror circuit and a Zener diode. The current flowing to and is made constant by the constant current source circuit, and the detection current control Pn
The above object is achieved by supplying the collector output current of the P transistor to the collector current of the pre-stage amplifier or the base current of the amplifying transistor itself.
作用 本発明は、ウィルソン形カレントミラー回路の抵抗値
を調整することにより検出電流制御用PnPトランジスタ
のベースバイアス電圧およびその温度特性が設定できる
ことを利用し、電流検出用抵抗より増幅用トランジスタ
のコレクタ電流の変動分を検出して検出電流制御PnPト
ランジスタのベース・エミッタ間電圧を変化させて、そ
のコレクタ電流を増幅用トランジスタの前段の前段増幅
器のコレクタ電流あるいは増幅用トランジスタ自身への
ベースバイアス電流へ供給することにより、電源電圧、
トランジスタの直流電流増幅率，温度，あるいは負荷イ
ンピーダンス等の変動に対する増幅用トランジスタの出
力変動を小さくするという作用を有する。Action The present invention utilizes the fact that the base bias voltage of the PnP transistor for detection current control and its temperature characteristic can be set by adjusting the resistance value of the Wilson current mirror circuit. Detection current control by changing the base-emitter voltage of the PnP transistor and supplying the collector current to the collector current of the pre-stage amplifier before the amplification transistor or the base bias current to the amplification transistor itself. Power supply voltage,
It has the effect of reducing fluctuations in the output of the amplifying transistor with respect to fluctuations in the DC current amplification factor, temperature, load impedance, etc.
実施例 以下、図面を参照しながら本発明の第１の実施例につ
いて説明する。First Embodiment A first embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.
第１図は本発明の第１の実施例における増幅回路の回
路図である。第１図において、101は増幅用トランジス
タ、102は増幅用トランジスタ101のベースバイアス抵
抗、103は前段増幅器121のコレクタ電流を与える電流制
御用PnPトランジスタ、104,105は電圧基準用トランジス
タである。106はnPnトランジスタで、抵抗107,108,109
とともにウィルソン形カレントミラー回路110を構成
し、検出電流制御用PnPトランジスタ103のベースバイア
スを与える。111は検出電流制御用PnPトランジスタ103
のベース・エミッタ間電圧を補償するダイオード、112
は一定電圧を与えるツェナーダイオード、113はツェナ
ーダイオード112,ダイオード111,ウィルソン形カレント
ミラー回路110に流れる電流を一定にする定電流源回
路、114は電流検出用抵抗、115は高周波信号を阻止する
インダクタ、116と117はそれぞれ信号入力端子118と信
号出力端子119の結合容量、120は電源端子、121は増幅
用トランジスタ101の前段の前段増幅器である。FIG. 1 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to the first embodiment of the present invention. In FIG. 1, 101 is an amplifying transistor, 102 is a base bias resistor of the amplifying transistor 101, 103 is a current controlling PnP transistor that gives a collector current of the pre-stage amplifier 121, and 104 and 105 are voltage reference transistors. 106 is an nPn transistor, and resistors 107, 108, 109
Together with this, a Wilson type current mirror circuit 110 is constituted, and a base bias of the detection current control PnP transistor 103 is given. 111 is a PnP transistor 103 for detection current control
Diode for compensating the base-emitter voltage of
Is a Zener diode that gives a constant voltage, 113 is a constant current source circuit that makes the current flowing through the Zener diode 112, diode 111, and Wilson current mirror circuit 110 constant, 114 is a current detection resistor, and 115 is an inductor that blocks high-frequency signals , 116 and 117 are coupling capacitors of the signal input terminal 118 and the signal output terminal 119, respectively, 120 is a power supply terminal, and 121 is a pre-stage amplifier before the amplifying transistor 101.
上記構成において、以下その動作について説明する。
まず、ウィルソン形カレントミラー回路110は、ツェナ
ーダイオード112により電源電圧が変動しても、定電流
源回路113で流れる電流を一定に保ち、かつ一定の端子
間電圧で動作し、検出電流制御用PnPトランジスタ103の
ベースバイアスを設定する。この状態で電源端子120と
検出電流制御用PnPトランジスタ103のベース間の電圧は
電流検出用抵抗114での電圧降下と検出電流制御用PnPト
ランジスタ103のベース・エミッタ間電圧の和であり、
それは、ダイオード111の順方向電圧と、抵抗107での電
圧降下と、nPnトランジスタ106のベース・エミッタ間電
圧の和と等しい。増幅用トランジスタ101の直流電流増
幅率のばらつき、電源電圧の変動、温度変化、あるいは
負荷インピーダンスの変動等によって増幅用トランジス
タ101のコレクタ電流が増加した場合、電流検出用抵抗1
14での電圧降下が増加し、電源端子120と検出電流制御
用PnPトランジスタ103のベース間の電圧が、ダイオード
111とウィルソン形カレントミラー回路110で決められて
いる電圧と等しくなるように検出電流制御用PnPトラン
ジスタ103のベース・エミッタ間電圧が減少し、前段増
幅器121のコレクタ電流を減少させるため前段増幅器121
の出力が低下し、増幅用トランジスタ101の入力電力が
減少し、その出力を一定にする方向に動作する。また、
抵抗107,108,109の値を調整することにより、検出電流
制御用PnPトランジスタ103のベース電圧の設定とベース
電圧の温度特性を設定することができるため本回路の温
度特性の制御も行うことができる。増幅用トランジスタ
101のコレクタ電流が減少した場合は、前記コレクタ電
流が増加した場合の逆の動作で出力を一定にする方向に
動作する。The operation of the above configuration will be described below.
First, the Wilson current mirror circuit 110 keeps the current flowing in the constant current source circuit 113 constant even when the power supply voltage fluctuates by the Zener diode 112, operates at a constant terminal voltage, and detects PnP for detection current control. Set the base bias of the transistor 103. In this state, the voltage between the power supply terminal 120 and the base of the detection current control PnP transistor 103 is the sum of the voltage drop at the current detection resistor 114 and the base-emitter voltage of the detection current control PnP transistor 103,
It is equal to the sum of the forward voltage of the diode 111, the voltage drop across the resistor 107, and the base-emitter voltage of the nPn transistor 106. If the collector current of the amplifying transistor 101 increases due to variations in the DC current amplification factor of the amplifying transistor 101, fluctuations in power supply voltage, temperature changes, fluctuations in load impedance, etc., the current detection resistor 1
The voltage drop at 14 increases, and the voltage between the power supply terminal 120 and the base of the detection current control PnP transistor 103 becomes a diode.
111 and the Wilson-type current mirror circuit 110, the base-emitter voltage of the detection current control PnP transistor 103 is reduced to be equal to the voltage determined by the current mirror circuit 110, and the collector current of the pre-stage amplifier 121 is reduced to reduce the pre-stage amplifier 121.
Output decreases, the input power of the amplifying transistor 101 decreases, and the output is made constant. Also,
By adjusting the values of the resistors 107, 108, and 109, the base voltage of the detection current control PnP transistor 103 and the temperature characteristic of the base voltage can be set, so that the temperature characteristic of this circuit can also be controlled. Amplification transistor
When the collector current of 101 decreases, it operates in the direction opposite to that when the collector current increases to make the output constant.
以上本実施例によれば、検出電流制御用PnPトランジ
スタ103のベース電圧の設定にウィルソン形カレントミ
ラー回路110を使用し、前段増幅器121のコレクタ電流を
検出電流制御用PnPトランジスタ103のコレクタから与え
ることにより、検出電流制御用PnPトランジスタ103のベ
ース電圧の温度特性が設定でき、出力変動を小さくする
ことができる。According to the present embodiment, the Wilson current mirror circuit 110 is used to set the base voltage of the detection current control PnP transistor 103, and the collector current of the pre-stage amplifier 121 is supplied from the collector of the detection current control PnP transistor 103. Thereby, the temperature characteristic of the base voltage of the detection current control PnP transistor 103 can be set, and the output fluctuation can be reduced.
次に本発明の第２の実施例について説明する。 Next, a second embodiment of the present invention will be described.
第１の実施例の構成と異なる点は、ツェナーダイオー
ド112を、互いに順方向に接続した複数のダイオードに
変更した点である。The difference from the configuration of the first embodiment is that the Zener diode 112 is changed to a plurality of diodes connected in the forward direction.
上記構成の場合の動作は、第１の実施例の動作と同じ
である。The operation in the case of the above configuration is the same as that of the first embodiment.
本実施例によれば、ツェナーダイオード112を必要と
することなく、複数のダイオードの順方向電圧を利用す
ることで一定電圧が得られる。この場合特に定電流源回
路113による、一定端子間電圧を保つ効果は大きい。According to this embodiment, a constant voltage can be obtained by using the forward voltages of a plurality of diodes without the need for the Zener diode 112. In this case, the constant current source circuit 113 is particularly effective in maintaining a constant terminal voltage.
次に本発明の第３の実施例について説明する。 Next, a third embodiment of the present invention will be described.
第２図は本発明の第３の実施例における増幅回路の回
路図である。第２図において、第１の実施例の構成と異
なる点は、検出電流制御用PnPトランジスタ103のエミッ
タ電流検出用抵抗114とインダクタ115の接続点に接続さ
れ、さらに容量201を設けた点である。FIG. 2 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to the third embodiment of the present invention. In FIG. 2, the point different from the configuration of the first embodiment is that the emitter current detection resistor 114 of the detection current control PnP transistor 103 is connected to the connection point of the inductor 115, and a capacitance 201 is further provided. .
上記構成においての基本動作は、第１の実施例と同じ
であるため、その説明は割愛する。The basic operation in the above configuration is the same as that of the first embodiment, and therefore its explanation is omitted.
本実施例によれば、検出電流制御用PnPトランジスタ1
03のエミッタでは、出力信号成分がインダクタ115と容
量201によって阻止されるためエミッタ電圧が出力信号
の影響を受けないと言う効果がある。According to this embodiment, the detection current control PnP transistor 1
In the emitter of 03, since the output signal component is blocked by the inductor 115 and the capacitor 201, the emitter voltage is not affected by the output signal.
次に本発明の第４の実施例について説明する。 Next, a fourth embodiment of the present invention will be described.
第３図は本発明の第４の実施例における増幅回路の回
路図である。第３図において、第１の実施例の構成と異
なる点は、検出電流制御用PnPトランジスタ103のコレク
タ電流を増幅するnPnトランジスタ301を設けている点で
ある。FIG. 3 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to the fourth embodiment of the present invention. In FIG. 3, the difference from the configuration of the first embodiment is that an nPn transistor 301 that amplifies the collector current of the detection current control PnP transistor 103 is provided.
上記構成において、前段増幅器121のコレクタ電流をn
Pnトランジスタ301で与えていること以外の動作は本発
明第１の実施例と同じである。In the above configuration, the collector current of the preamplifier 121 is
The operation other than that of the Pn transistor 301 is the same as that of the first embodiment of the present invention.
本実施例によれば、検出電流制御用PnPトランジスタ1
03の電流容量が小さい場合においてもnPnトランジスタ3
01で直流増幅するので前段増幅器121のコレクタ電流を
十分与えることができる。According to this embodiment, the detection current control PnP transistor 1
NPn transistor 3 even when the current capacity of 03 is small
Since DC amplification is performed at 01, a sufficient collector current of the pre-stage amplifier 121 can be given.
以下、図面を参照しながら本発明の第５の実施例につ
いて説明する。Hereinafter, a fifth embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
第４図は本発明の第５の実施例における増幅回路の回
路図である。第４図において、101は増幅用トランジス
タ、102は増幅用トランジスタ101のベースバイアス抵
抗、103は増幅用トランジスタ101のベースバイアスを与
える検出電流制御用PnPトランジスタ、104,105は電圧基
準用トランジスタである。106はnPnトランジスタで、抵
抗107,108,109と共にウィルソン形カレントミラー回路1
10を構成し、検出電流制御用PnPトランジスタ103のベー
スバイアスを与える。111は検出電流制御用PnPトランジ
スタ103のベース・エミッタ間電圧を補償するためのダ
イオード、112は一定電圧を与えるためのツェナーダイ
オード、113はツェナーダイオード112,ダイオード111,
ウィルソン形カレントミラー回路110に流れる電流を一
定にする定電流源回路、114は電流検出用抵抗、115は高
周波信号を阻止するためのインダクタ、116と117はそれ
ぞれ信号入力端子118と信号出力端子119の結合容量、12
0は電源端子である。FIG. 4 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to the fifth embodiment of the present invention. In FIG. 4, 101 is an amplifying transistor, 102 is a base bias resistor of the amplifying transistor 101, 103 is a detection current control PnP transistor that gives a base bias of the amplifying transistor 101, and 104 and 105 are voltage reference transistors. 106 is an nPn transistor, together with resistors 107, 108, 109 Wilson type current mirror circuit 1
10 is provided, and a base bias of the detection current control PnP transistor 103 is given. 111 is a diode for compensating the base-emitter voltage of the detection current control PnP transistor 103, 112 is a Zener diode for giving a constant voltage, 113 is a Zener diode 112, a diode 111,
A constant current source circuit that keeps the current flowing in the Wilson current mirror circuit 110 constant, 114 is a resistor for current detection, 115 is an inductor for blocking high frequency signals, and 116 and 117 are signal input terminal 118 and signal output terminal 119, respectively. Coupling capacity, 12
0 is a power supply terminal.
上記構成において、以下その動作について説明する。
まずウィルソン形カレントミラー回路110は、ツェナー
ダイオード112により電源電圧が変動しても、定電流源
回路113で流れる電流を一定に保ちかつ一定の端子間電
圧で動作し、検出電流制御用PnPトランジスタ103のベー
スバイアスとその温度特性を設定する。この状態で電源
端子120と検出電流制御用PnPトランジスタ103のベース
間の電圧は電流検出用抵抗114での電圧降下と検出電流
制御用PnPトランジスタ103のベース・エミッタ間電圧の
和であり、それは、ダイオード111の順方向電圧と、抵
抗107での電圧降下と、nPnトランジスタ106のベース・
エミッタ間電圧の和と等しい。増幅用トランジスタ101
の直流電流増幅率のばらつき、電源電圧の変動、温度変
化、あるいは負荷インピーダンスの変動等によって増幅
用トランジスタ101のコレクタ電流が増加した場合、電
流検出用抵抗114での電圧降下が増加し、電源端子120と
検出電流制御用PnPトランジスタ103のベース間の電圧
が、ダイオード111とウィルソン形カレントミラー回路1
10で決められている電圧と等しくなるように検出電流制
御用PnPトランジスタ103のベース・エミッタ間電圧が減
少し、増幅用トランジスタ101のベースバイアス電流を
減少させるために、増幅用トランジスタ101のコレクタ
電流の増加を抑制し、出力を一定にする方向に動作す
る。また、抵抗107,108,109の値を調整することによ
り、増幅用トランジスタ101のコレクタ電流の設定と、
検出電流制御用PnPトランジスタのベース電圧の設定と
その温度特性を設定することができるため、本回路の温
度特性の制御も行うことができる。増幅用トランジスタ
101のコレクタ電流が減少した場合は、前記コレクタ電
流が増加した場合の逆の動作で電流の減少を抑制し、出
力を一定にする方向に動作する。The operation of the above configuration will be described below.
First, the Wilson current mirror circuit 110 keeps the current flowing in the constant current source circuit 113 constant and operates at a constant terminal voltage even if the power supply voltage changes due to the Zener diode 112, and operates the detection current control PnP transistor 103. Set the base bias and its temperature characteristics. In this state, the voltage between the power supply terminal 120 and the base of the detection current control PnP transistor 103 is the sum of the voltage drop at the current detection resistor 114 and the base-emitter voltage of the detection current control PnP transistor 103. The forward voltage of the diode 111, the voltage drop across the resistor 107, and the base voltage of the nPn transistor 106.
It is equal to the sum of the emitter-to-emitter voltages. Amplifying transistor 101
When the collector current of the amplifying transistor 101 increases due to variations in the DC current amplification factor, fluctuations in the power supply voltage, changes in temperature, fluctuations in load impedance, etc., the voltage drop at the current detection resistor 114 increases and the power supply terminal The voltage between 120 and the base of the detection current control PnP transistor 103 depends on the diode 111 and the Wilson current mirror circuit 1
The collector-current of the amplifying transistor 101 is reduced in order to reduce the base-emitter voltage of the detection current control PnP transistor 103 so as to be equal to the voltage determined by 10, and to reduce the base bias current of the amplifying transistor 101. It works in the direction of suppressing the increase of the output and keeping the output constant. Further, by adjusting the values of the resistors 107, 108, 109, setting of the collector current of the amplifying transistor 101,
Since the base voltage of the detection current control PnP transistor and its temperature characteristic can be set, the temperature characteristic of this circuit can also be controlled. Amplification transistor
When the collector current of 101 decreases, the reverse operation of the case of increasing the collector current suppresses the decrease of the current and operates in the direction of keeping the output constant.
以上本実施例によれば、検出電流制御用PnPトランジ
スタ103のベース電圧の設定にウィルソン形カレントミ
ラー回路110を使用し、増幅用トランジスタ101のベース
バイアスを検出電流制御用PnPトランジスタ103のコレク
タから与えることにより、検出電流制御用PnPトランジ
スタ103のベース電圧の温度特拙が設定でき、増幅用ト
ランジスタ101のコレクタ電流の変動を小さく抑え、出
力変動を小さくすることができる。According to the present embodiment, the Wilson current mirror circuit 110 is used to set the base voltage of the detection current control PnP transistor 103, and the base bias of the amplification transistor 101 is given from the collector of the detection current control PnP transistor 103. As a result, the temperature characteristic of the base voltage of the detection current controlling PnP transistor 103 can be set, the fluctuation of the collector current of the amplifying transistor 101 can be suppressed small, and the output fluctuation can be reduced.
次に本発明の第６の実施例について説明する。 Next, a sixth embodiment of the present invention will be described.
第５の実施例の構成と異なる点は、ツェナーダイオー
ド112を、互いに順方向に接続された複数のダイオード
に変更した点である。The difference from the configuration of the fifth embodiment is that the Zener diode 112 is changed to a plurality of diodes connected in the forward direction.
上記構成の場合の動作は、第５の実施例の動作と同じ
であるため、その説明は割愛する。The operation in the case of the above configuration is the same as the operation of the fifth embodiment, and therefore its explanation is omitted.
本実施例によれば、ツェナーダイオードを必要とする
ことなく、複数のダイオードの順方向電圧を利用するこ
とで一定電圧が得られる。この場合特に定電源回路113
による、一定端子間電圧を保つ効果は大きい。According to the present embodiment, a constant voltage can be obtained by using the forward voltage of a plurality of diodes without the need for Zener diodes. In this case, especially the constant power circuit 113
Has a great effect of maintaining a constant voltage between terminals.
次に本発明の第７の実施例について説明する。 Next, a seventh embodiment of the present invention will be described.
第５図は本発明の第７の実施例における増幅回路の回
路図である。第５図において第５の実施例の構成と異な
る点は、検出電流制御用PnPトランジスタ103のエミッタ
が電流検出用抵抗114とインダクタ115の接続点に接続さ
れ、さらに容量201を設けた点である。FIG. 5 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to the seventh embodiment of the present invention. 5 is different from that of the fifth embodiment in that the emitter of the detection current control PnP transistor 103 is connected to the connection point of the current detection resistor 114 and the inductor 115, and a capacitance 201 is further provided. .
上記構成においての動作は、第５の実施例と同じであ
る。The operation in the above configuration is the same as that of the fifth embodiment.
本実施例によれば、検出電流制御用PnPトランジスタ1
03のエミッタでは、出力信号成分がインダクタ115と容
量201によって阻止されるためにエミッタ電圧が出力信
号の影響を受けないという効果がある。According to this embodiment, the detection current control PnP transistor 1
In the emitter of 03, since the output signal component is blocked by the inductor 115 and the capacitor 201, the emitter voltage is not affected by the output signal.
次に本発明の第８の実施例について説明する。 Next, an eighth embodiment of the present invention will be described.
第６図は本発明の第８の実施例における増幅回路の回
路図である。第６図において第５の実施例の構成と異な
る点は、検出電流制御用PnPトランジスタ103のコレクタ
電流を増幅するnPnトランジスタ301を設けている点であ
る。FIG. 6 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to the eighth embodiment of the present invention. 6 is different from that of the fifth embodiment in that an nPn transistor 301 for amplifying the collector current of the detection current control PnP transistor 103 is provided.
上記構成において、増幅用トランジスタ101のベース
バイアス電流をnPnトランジスタ301で与えていること以
外の動作は本発明第５の実施例と同じである。In the above configuration, the operation is the same as that of the fifth embodiment of the present invention except that the base bias current of the amplifying transistor 101 is given by the nPn transistor 301.
本実施例によれば、検出電流制御用PnPトランジスタ1
03の電流容量が小さい場合においてもnPnトランジスタ3
01で直流増幅するので増幅用トランジスタ101のベース
バイアス電流を十分与えることができる。According to this embodiment, the detection current control PnP transistor 1
NPn transistor 3 even when the current capacity of 03 is small
Since the DC amplification is performed at 01, the base bias current of the amplifying transistor 101 can be sufficiently given.
なお、定電流源回路113は例えば第７図のようなカレ
ントミラーを利用した回路を用いることができる。ま
た、第1,第3,第4,第5,第7,第８の実施例では定電流源回
路113を抵抗あるいは可変抵抗器に変更してもよい。さ
らに、抵抗107,108,109は可変抵抗器に変更してもよ
い。さらに、抵抗107,108,109は可変抵抗器に変更して
もよい。As the constant current source circuit 113, for example, a circuit using a current mirror as shown in FIG. 7 can be used. Further, in the first, third, fourth, fifth, seventh and eighth embodiments, the constant current source circuit 113 may be changed to a resistor or a variable resistor. Further, the resistors 107, 108 and 109 may be changed to variable resistors. Further, the resistors 107, 108 and 109 may be changed to variable resistors.
発明の効果 以上のように本発明は、第１に検出電流制御用PnPト
ランジスタのベース電圧の設定に温度特性を制御できる
ウィルソン形カレントミラー回路を利用し、ツェナーダ
イオードとウィルソン形カレントミラー回路に流れる電
流を定電流源回路で制御し、前段増幅器のコレクタ電流
を制御することによって特に温度、電圧変動に対する増
幅用トランジスタの出力変動を小さくできる。本発明
は、第２に検出電流制御用PnPトランジスタのベース電
圧の設定に温度特性を制御できるウィルソン形カレント
ミラー回路を利用し、ツェナーダイオードとウィルソン
形カレントミラー回路に流れる電流を定電流源回路で制
御し、検出電流制御用PnPトランジスタのコレクタから
増幅用トランジスタ自身へベースバイアスを供給し温
度，電圧変動だけではなく特に増幅用トランジスタの直
流電流増幅率の変動を補償することにより、増幅用トラ
ンジスタのコレクタ電流の変動を小さくし、出力変動を
小さくすることができ、その効果は大きい。As described above, according to the present invention, firstly, the Wilson type current mirror circuit capable of controlling the temperature characteristic is used to set the base voltage of the detection current control PnP transistor, and the current flows in the Zener diode and the Wilson type current mirror circuit. By controlling the current with the constant current source circuit and controlling the collector current of the pre-stage amplifier, the output fluctuation of the amplifying transistor with respect to temperature and voltage fluctuations can be made small. Secondly, the present invention utilizes a Wilson type current mirror circuit capable of controlling the temperature characteristic for setting the base voltage of the detection current control PnP transistor, and uses a constant current source circuit to supply the current flowing through the Zener diode and the Wilson type current mirror circuit. By controlling and supplying a base bias from the collector of the detection current control PnP transistor to the amplification transistor itself to compensate not only for temperature and voltage fluctuations but also for fluctuations in the direct current amplification factor of the amplification transistor, The fluctuation of the collector current can be reduced and the fluctuation of the output can be reduced, and the effect is large.
第１図は本発明の第１の実施例における増幅回路の回路
図、第２図は本発明の第３の実施例における増幅回路の
回路図、第３図は本発明の第４の実施例における増幅回
路の回路図、第４図は本発明の第５の実施例における増
幅回路の回路図、第５図は本発明の第７の実施例におけ
る増幅回路の回路図、第６図は本発明の第８の実施例に
おける増幅回路の回路図、第７図は本発明の実施例にお
ける増幅回路中の定電流源回路の例として示したカレン
トミラー回路の回路図、第８図は従来の増幅回路の回路
図である。 101…増幅用トランジスタ、103…検出電流制御用PnPト
ランジスタ、104,105…電圧基準用トランジスタ、106…
nPnトランジスタ、107,108,109…抵抗、110…ウィルソ
ン形カレントミラー回路、111…ダイオード、112…ツェ
ナーダイオード、113…定電流源回路、114…電流検出用
抵抗、115…インダクタ、120…電源端子、121…前段増
幅器、201…容量、301…nPnトランジスタ。1 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to a first embodiment of the present invention, FIG. 2 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to a third embodiment of the present invention, and FIG. 3 is a fourth embodiment of the present invention. FIG. 4 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to a fifth embodiment of the present invention, FIG. 5 is a circuit diagram of an amplifier circuit according to a seventh embodiment of the present invention, and FIG. FIG. 7 is a circuit diagram of a current mirror circuit shown as an example of a constant current source circuit in an amplifier circuit according to an eighth embodiment of the present invention, and FIG. 8 is a conventional circuit diagram of an amplifier circuit according to an eighth embodiment of the present invention. It is a circuit diagram of an amplifier circuit. 101 ... Amplifying transistor, 103 ... Detection current control PnP transistor, 104, 105 ... Voltage reference transistor, 106 ...
nPn transistor, 107, 108, 109 ... Resistor, 110 ... Wilson current mirror circuit, 111 ... Diode, 112 ... Zener diode, 113 ... Constant current source circuit, 114 ... Current detection resistor, 115 ... Inductor, 120 ... Power supply terminal, 121 ... Previous stage Amplifier, 201 ... Capacity, 301 ... nPn transistor.
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 牧本 三夫 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (56)参考文献 特開 昭58−19007（ＪＰ，Ａ) 特開 昭60−77506（ＪＰ，Ａ) 電子情報通信学会全国大会講演論文集Ｖ ｏｌ．1990春季Ｐ．２−386 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Mitsuo Makimoto 1006 Kadoma, Kadoma City, Osaka Prefecture Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. (56) Reference JP-A-58-19007 (JP, A) JP-A-60-77506 (JP, A) Proceedings of IEICE National Convention Vol. 1990 Spring P. 2-386
Claims (8)
続したインダクタと、電源の間に設けた電流検出用抵抗
と、前記第１の増幅用トランジスタのコレクタにエミッ
タ側を接続した検出電流制御用PnPトランジスタと、前
記電源と定電流源回路との間に前記電源側にカソードを
接続したツェナーダイオードと、前記ツェナーダイオー
ドの両端に前記電源側からダイオードとウィルソン形カ
レントミラー回路を直列にして設け前記ウィルソン形カ
レントミラー回路の電圧基準用トランジスタのベースと
前記検出電流制御用PnPトランジスタのベースを接続
し、前記検出電流制御用PnPトランジスタのコレクタ出
力を前記第１の増幅用トランジスタの前段に設けた前段
増幅器の第２の増幅用トランジスタのコレクタへ接続す
ることを特徴とする増幅回路。1. An inductor connected to a collector of a first amplifying transistor, a current detecting resistor provided between a power supply, and a detecting current control having an emitter side connected to a collector of the first amplifying transistor. A PnP transistor, a Zener diode having a cathode connected to the power supply side between the power supply and a constant current source circuit, and a diode and a Wilson current mirror circuit provided in series from the power supply side at both ends of the Zener diode, A pre-stage in which the base of the voltage reference transistor of the Wilson type current mirror circuit and the base of the detection current control PnP transistor are connected, and the collector output of the detection current control PnP transistor is provided in the preceding stage of the first amplification transistor. An amplification circuit characterized in that it is connected to the collector of the second amplification transistor of the amplifier. .
ドの順方向電圧を利用したものであることを特徴とする
請求項１記載の増幅回路。2. The amplifier circuit according to claim 1, wherein the Zener diode utilizes forward voltages of a plurality of diodes.
PnPトランジスタのエミッタが、電流検出用抵抗とイン
ダクタの接続点に接続されたものであることを特徴とす
る請求項１記載の増幅回路。3. A capacitor grounded on one side and for detecting current control
The amplifier circuit according to claim 1, wherein an emitter of the PnP transistor is connected to a connection point of the current detection resistor and the inductor.
増幅用トランジスタのコレクタとの間にnPnトランジス
タを設け、前記検出電流制御用PnPトランジスタのエミ
ッタに前記nPnトランジスタのコレクタが接続され、前
記検出電流制御用PnPトランジスタのコレクタに前記nPn
トランジスタのベースが接続され、前記第２の増幅用ト
ランジスタのコレクタに前記nPnトランジスタのエミッ
タからの出力が接続されたことを特徴とする請求項１記
載の増幅回路。4. An nPn transistor is provided between the detection current control PnP transistor and the collector of the second amplification transistor, and the collector of the nPn transistor is connected to the emitter of the detection current control PnP transistor. The nPn is connected to the collector of the current control PnP transistor.
2. The amplifier circuit according to claim 1, wherein the base of the transistor is connected, and the output of the emitter of the nPn transistor is connected to the collector of the second amplifying transistor.
インダクタと、電源の間に設けた電流検出用抵抗と、前
記増幅用トランジスタのコレクタにエミッタ側を接続し
た検出電流制御用PnPトランジスタと、前記電源と定電
流源回路との間に前記電源側にカソードを接続したツェ
ナーダイオードと、前記ツェナーダイオードの両端に前
記電源側からダイオードとウィルソン形カレントミラー
回路を直列にして設け、前記ウィルソン形カレントミラ
ー回路の電圧基準用トランジスタのベースと前記検出電
流制御用PnPトランジスタのベースを接続し、前記検出
電流制御用PnPトランジスタのコレクタ出力を第１の増
幅用トランジスタのベースへ接続することを特徴とする
増幅回路。5. An inductor connected to the collector of the amplification transistor, a current detection resistor provided between the power supply, a detection current control PnP transistor having the collector of the amplification transistor connected to the emitter side, and the power supply. A zener diode having a cathode connected to the power source side between the zener diode and a constant current source circuit, and a diode and a Wilson current mirror circuit are provided in series from both sides of the zener diode from the power source side to the Wilson current mirror circuit. Of the voltage reference transistor and the base of the detection current control PnP transistor are connected, and the collector output of the detection current control PnP transistor is connected to the base of the first amplification transistor. .
ドの順方向電圧を利用したものであることを特徴とする
請求項５記載の増幅回路。6. The amplifier circuit according to claim 5, wherein the Zener diode uses forward voltages of a plurality of diodes.
PnPトランジスタのエミッタが、電流検出用抵抗とイン
ダクタの接続点に接続されたものであることを特徴とす
る請求項５記載の増幅回路。7. A capacitor grounded on one side and for detecting current control
The amplifier circuit according to claim 5, wherein the emitter of the PnP transistor is connected to a connection point between the current detection resistor and the inductor.
ランジスタのベースとの間にnPnトランジスタを設け、
前記検出電流制御用PnPトランジスタのエミッタに前記n
Pnトランジスタのコレクタが接続され、前記検出電流制
御用PnPトランジスタのコレクタに前記nPnトランジスタ
のベースが接続され、増幅用トランジスタのベースに前
記nPnトランジスタのエミッタからの出力が接続された
ことを特徴とする請求項５記載の増幅回路。8. An nPn transistor is provided between the detection current control PnP transistor and the base of the amplification transistor,
In the emitter of the detection current control PnP transistor, the n
The collector of the Pn transistor is connected, the collector of the detection current controlling PnP transistor is connected to the base of the nPn transistor, and the output of the emitter of the nPn transistor is connected to the base of the amplifying transistor. The amplifier circuit according to claim 5.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140451A JPH0828616B2 (en) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | Amplifier circuit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1140451A JPH0828616B2 (en) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | Amplifier circuit |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH036109A JPH036109A (en) | 1991-01-11 |
| JPH0828616B2 true JPH0828616B2 (en) | 1996-03-21 |
Family
ID=15268927
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1140451A Expired - Fee Related JPH0828616B2 (en) | 1989-06-01 | 1989-06-01 | Amplifier circuit |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0828616B2 (en) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3359770B2 (en) * | 1995-02-08 | 2002-12-24 | アルプス電気株式会社 | Transistor high frequency power amplifier |
-
1989
- 1989-06-01 JP JP1140451A patent/JPH0828616B2/en not_active Expired - Fee Related
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| 電子情報通信学会全国大会講演論文集Ｖｏｌ．１９９０春季Ｐ．２−３８６ |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH036109A (en) | 1991-01-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6046642A (en) | Amplifier with active bias compensation and method for adjusting quiescent current | |
| US4327319A (en) | Active power supply ripple filter | |
| EP0094485B1 (en) | Differential amplifier with auto bias adjust | |
| JP2853763B2 (en) | Amplifier circuit | |
| US5382919A (en) | Wideband constant impedance amplifiers | |
| JPH0828616B2 (en) | Amplifier circuit | |
| US6218906B1 (en) | Amplifier circuit | |
| US3434066A (en) | Low-distortion bias-controlled transistor amplifier | |
| JPH0828617B2 (en) | Semiconductor amplifier circuit | |
| US4531100A (en) | Amplifier suitable for low supply voltage operation | |
| JPS63184408A (en) | Transistor bias circuit | |
| EP0508711B1 (en) | Transistor direct-coupled amplifier | |
| JPS6019166B2 (en) | push pull power amplifier | |
| US5256983A (en) | Wide band amplifier | |
| JP3562977B2 (en) | Damping circuit | |
| JPH0537530Y2 (en) | ||
| JP3255226B2 (en) | Voltage controlled amplifier | |
| JPH04369907A (en) | High frequency amplifier circuit | |
| JPS6167310A (en) | Agc amplifier circuit | |
| US4145665A (en) | Regulating amplifier | |
| JP3342345B2 (en) | Gain control circuit | |
| JPH02151109A (en) | Semiconductor amplifier circuit | |
| JP2623954B2 (en) | Variable gain amplifier | |
| KR960010058Y1 (en) | If amplification circuit for bs tuner | |
| US5336987A (en) | Voltage stabilizing circuit of switching power supply circuit |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |