JPH08279539A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

Info

Publication number
JPH08279539A
JPH08279539A JP7084080A JP8408095A JPH08279539A JP H08279539 A JPH08279539 A JP H08279539A JP 7084080 A JP7084080 A JP 7084080A JP 8408095 A JP8408095 A JP 8408095A JP H08279539 A JPH08279539 A JP H08279539A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
power supply
semiconductor integrated
integrated circuit
pad
contact
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7084080A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Hiyouzou
正彦 兵三
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Electric Corp
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP7084080A priority Critical patent/JPH08279539A/en
Publication of JPH08279539A publication Critical patent/JPH08279539A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)
  • Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)

Abstract

PURPOSE: To detect easily whether all probes for power supply (GND) come into contact with a power pad part or not. CONSTITUTION: A power pad part 37 has a first part 31 and a second part 33, which are insulated from each other, the part 31 is connected with a power wiring 26 and the part 33 is connected with a detection circuit 36 in such a way that it does not come into contact with the part 31 and the wiring 26. A power supply probe comes into contact with the pad part 37 in a region 71. By pressing the power supply probe on the pad part 37, the probe comes into contact with either of the parts 31 and 33. Accordingly, whether a power supply is supplied from a power unit to the wiring 26 via the probe or not can be detected by investigating whether the power supply is supplied from the power unit to the part 33 by the circuit 36.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明はウェハ状態での半導体
集積回路の試験において、試験装置からの電源が半導体
集積回路に印加されているかどうかを検出する回路を内
蔵した半導体集積回路に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit having a built-in circuit for detecting whether or not a power source from a test device is applied to the semiconductor integrated circuit when testing the semiconductor integrated circuit in a wafer state. .

【0002】[0002]

【従来の技術】図10は従来の半導体集積回路の試験の
概要を示す概念図である。半導体集積回路18はウェハ
状態でテストが行われている。
2. Description of the Related Art FIG. 10 is a conceptual diagram showing an outline of a test of a conventional semiconductor integrated circuit. The semiconductor integrated circuit 18 is tested in a wafer state.

【0003】半導体試験装置1は電源ユニット2、GN
Dユニット3、信号ユニット4を備えている。また、イ
ンタフェースボード5は電源層6、GND層7、信号層
8,9,10を備えている。電源層6は電源ユニット2
に、GND層7はGNDユニット3に、信号層8,9,
10は信号ユニット4に、それぞれ接続されている。
The semiconductor test apparatus 1 includes a power supply unit 2 and a GN.
The D unit 3 and the signal unit 4 are provided. Further, the interface board 5 includes a power supply layer 6, a GND layer 7, and signal layers 8, 9, 10. The power supply layer 6 is the power supply unit 2
In addition, the GND layer 7 is connected to the GND unit 3 and the signal layers 8, 9,
10 are connected to the signal unit 4, respectively.

【0004】電源用プローブ針11,12は電源層6に
よって、GND用プローブ針13,14はGND層7に
よって、それぞれ共通して接続されている。電源ユニッ
ト2及びGNDユニット3の出力低インピーダンスを低
下させるためである。また、信号用プローブ針15,1
6,17は信号層8,9,10に、それぞれ接続されて
いる。プローブ針11〜17は通常インタフェースボー
ド5に樹脂で固定されており、一般的には両者を合わせ
てプローブカードと称している。
The power supply probe needles 11 and 12 are connected in common by a power supply layer 6, and the GND probe needles 13 and 14 are connected in common by a GND layer 7. This is to reduce the output low impedance of the power supply unit 2 and the GND unit 3. In addition, the signal probe needles 15 and 1
Reference numerals 6 and 17 are connected to the signal layers 8, 9 and 10, respectively. The probe needles 11 to 17 are usually fixed to the interface board 5 with resin, and in general, both are referred to as a probe card.

【0005】ウェハ状態にある半導体集積回路18は、
電源用パッド19,20、GND用パッド21,22、
信号用パッド23,24,25、電源配線26、GND
配線27、信号配線28,29,30を備えている。半
導体集積回路(特にロジック用半導体集積回路)の電源
(GND)用のパッドはこのように通常は複数設けられ
る。電源用パッド19,20は電源配線26に、GND
用パッド21,22はGND配線27に、それぞれ共通
して接続されている。また、信号用パッド23,24,
25は、信号配線28,29,30にそれぞれ接続され
ている。
The semiconductor integrated circuit 18 in the wafer state is
Power supply pads 19 and 20, GND pads 21 and 22,
Signal pads 23, 24, 25, power supply wiring 26, GND
The wiring 27 and the signal wirings 28, 29 and 30 are provided. A plurality of pads for the power supply (GND) of the semiconductor integrated circuit (in particular, the semiconductor integrated circuit for logic) are usually provided in this way. The power supply pads 19 and 20 are connected to the power supply wiring 26 by GND.
The pads 21 and 22 are commonly connected to the GND wiring 27, respectively. In addition, the signal pads 23, 24,
25 is connected to the signal wirings 28, 29 and 30, respectively.

【0006】テストにおいては、半導体集積回路18の
各パッドにプローブ針を接触させて電源(GND)及び
信号が供給される。電源用パッド19,20にはそれぞ
れ電源用プローブ針11,12が押し当てられ、GND
用パッド21,22にはそれぞれGND用プローブ針1
3,14が押し当てられ、信号用パッド23,24,2
5にはそれぞれ信号用プローブ針15,16,17が押
し当てられる。
In the test, a probe needle is brought into contact with each pad of the semiconductor integrated circuit 18 to supply power (GND) and a signal. Power supply probe needles 11 and 12 are pressed against the power supply pads 19 and 20, respectively,
GND probe needles 1 are attached to the pads 21 and 22, respectively.
3, 14 are pressed, and the signal pads 23, 24, 2
Signal probe needles 15, 16 and 17 are respectively pressed against 5.

【0007】すべての電源(GND)用プローブ針11
〜14が半導体集積回路18の電源(GND)用パッド
19〜22のそれぞれに接触していなければ、電源配線
26と電源ユニット2間、及びGND配線27とGND
ユニット3間の電流の経路が減少する。従って、電源
(GND)用プローブ針11〜14において生じる抵抗
が大きくなり、ここでの電圧降下(いわゆる「浮き上が
り」)が大きくなる現象が生じる。そしてこの現象が生
じると、電源(GND)ユニット2(3)で設定した電
位は電源(GND)用パッド19〜22に正しく伝わら
ない。
All power source (GND) probe needles 11
To 14 are not in contact with the power supply (GND) pads 19 to 22 of the semiconductor integrated circuit 18, respectively, between the power supply wiring 26 and the power supply unit 2, and between the GND wiring 27 and the GND.
The current path between the units 3 is reduced. Therefore, the resistance generated in the probe needles 11 to 14 for the power supply (GND) becomes large, and the phenomenon in which the voltage drop (so-called “lifting”) here becomes large occurs. When this phenomenon occurs, the potential set by the power supply (GND) unit 2 (3) is not correctly transmitted to the power supply (GND) pads 19 to 22.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】もしも電源用プローブ
針11のみが電源ユニット2に接続されているのであれ
ば、電源用プローブ針11と電源用パッド19との接触
/非接触は容易に検出できる。接触していれば電源ユニ
ット2から電流を引き抜いたときに電流が流れ、非接触
であれば電流が流れないことから検出できる。GND用
プローブ針13のみがGNDユニット3に接続されてい
る場合も同様にして、GND用プローブ針13とGND
用パッド21との接触/非接触は容易に検出できる。
If only the power supply probe needle 11 is connected to the power supply unit 2, the contact / non-contact between the power supply probe needle 11 and the power supply pad 19 can be easily detected. . It can be detected because the current flows when the current is drawn from the power supply unit 2 if it is in contact, and the current does not flow if it is not in contact. Similarly, when only the GND probe needle 13 is connected to the GND unit 3, the GND probe needle 13 and the GND probe needle 13 are connected to the GND unit 3.
The contact / non-contact with the pad 21 can be easily detected.

【0009】しかし通常の半導体集積回路18は電源
(GND)用パッドを複数備えており、従ってこれらに
対応するプローブ針も複数設けられる。そして既述のよ
うに、電源及びGNDの低インピーダンス化のため電源
層6及びGND層7によってプローブ針はそれぞれ共通
して接続されているので、これらの少なくとも1本がパ
ッドに接触していれば、電源(GND)ユニット2
(3)から電流を引き抜いたときに電流が流れる。従っ
て、従来の技術では全ての電源(GND)用プローブ針
11〜14が電源(GND)用パッド19〜22のそれ
ぞれに接触しているかどうかは、半導体試験装置1によ
って検出することができないという問題点があった。
However, the ordinary semiconductor integrated circuit 18 is provided with a plurality of power source (GND) pads, and accordingly, a plurality of probe needles corresponding thereto are also provided. As described above, the probe needles are connected in common by the power supply layer 6 and the GND layer 7 in order to reduce the impedance of the power supply and GND, so that at least one of them is in contact with the pad. , Power supply (GND) unit 2
The current flows when the current is drawn from (3). Therefore, according to the conventional technique, it is impossible for the semiconductor test apparatus 1 to detect whether or not all the power supply (GND) probe needles 11 to 14 are in contact with the power supply (GND) pads 19 to 22, respectively. There was a point.

【0010】この発明は上記の問題点を解決するために
なされたもので、電源(GND)用パッドが複数設けら
れている半導体集積回路において、これらに対応する全
ての電源(GND)用プローブが電源パッド部に接触し
ているか否かを容易に検出することができる技術を提供
することを目的としている。
The present invention has been made to solve the above problems, and in a semiconductor integrated circuit having a plurality of power supply (GND) pads, all the power supply (GND) probes corresponding thereto are provided. It is an object of the present invention to provide a technique capable of easily detecting whether or not it is in contact with a power supply pad section.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】この発明のうち請求項1
にかかるものは、所定の電源を受けるための複数の電源
パッド部を備え、前記電源パッド部に対応して各々所定
の方向に延設された電源供給プローブが前記電源パッド
部の所定の領域に同時に押し当てられることにより、前
記所定の電源が電源配線に供給されてテストが行われる
半導体集積回路である。そして出力端と、前記電源パッ
ド部に対応して設けられた入力端とを有する導通検出回
路を更に備え、各々の前記電源パッド部は、互いに絶縁
された第1部分と第2部分を有し、前記第1部分及び前
記第2部分の各々が、前記所定の領域と重複する第1重
複領域及び第2重複領域を含み、前記第1部分は前記電
源配線に共通して接続され、各々の前記第2部分は対応
する前記入力端へ接続され、前記出力端は前記第2部分
と前記電源供給プローブとの接触の有無を検出する信号
を出力する。
[Means for Solving the Problems] Claim 1 of the present invention
According to the present invention, a plurality of power supply pad portions for receiving a predetermined power source are provided, and power supply probes extending in predetermined directions respectively corresponding to the power supply pad portions are provided in predetermined areas of the power supply pad portions. This is a semiconductor integrated circuit in which the predetermined power source is supplied to the power source wiring to be tested by being pressed simultaneously. Further, a conduction detecting circuit having an output end and an input end provided corresponding to the power supply pad portion is further provided, and each power supply pad portion has a first portion and a second portion which are insulated from each other. , The first portion and the second portion each include a first overlapping region and a second overlapping region overlapping the predetermined region, the first portion being commonly connected to the power supply wiring, The second part is connected to the corresponding input end, and the output end outputs a signal for detecting whether or not the second part is in contact with the power supply probe.

【0012】この発明のうち請求項2にかかるものは、
請求項1記載の半導体集積回路であって、前記第1部分
及び第2部分は互いに噛み合う鋸歯状を呈する。
According to claim 2 of the present invention,
The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the first portion and the second portion have saw-tooth shapes that mesh with each other.

【0013】この発明のうち請求項3にかかるものは、
請求項1記載の半導体集積回路であって、前記第1の部
分は凹型を呈し、前記第2の部分は前記第1の部分に挿
入される杵状部を含み、前記杵状部の延びる方向は、各
々の前記電源パッド部に対応した前記所定の方向と一致
する。
According to claim 3 of the present invention,
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the first portion has a concave shape, the second portion includes a punch-shaped portion that is inserted into the first portion, and a direction in which the punch-shaped portion extends. Corresponds to the predetermined direction corresponding to each of the power supply pad portions.

【0014】この発明のうち請求項4にかかるものは、
請求項1記載の半導体集積回路であって、前記第1部分
は前記所定の領域よりも小さな径の穴を有し、前記第2
部分は前記穴によって囲まれる。
According to claim 4 of the present invention,
The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the first portion has a hole having a diameter smaller than that of the predetermined region,
The part is surrounded by the hole.

【0015】この発明のうち請求項5にかかるものは、
請求項1記載の半導体集積回路であって、前記導通検出
回路は、2値論理で動作する論理素子を更に有し、前記
論理素子は前記入力端に与えられた電圧を論理信号とし
て受け、前記論理信号の論理積を前記出力端に出力す
る。
According to claim 5 of the present invention,
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the conduction detection circuit further includes a logic element that operates in binary logic, the logic element receiving the voltage applied to the input terminal as a logic signal, A logical product of logical signals is output to the output terminal.

【0016】この発明のうち請求項6にかかるものは、
請求項5記載の半導体集積回路であって、前記導通検出
回路は前記所定の電源と相補的な論理を与える他の電源
と前記入力端との間に接続された抵抗を更に有する。
According to claim 6 of the present invention,
6. The semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein the conduction detection circuit further has a resistor connected between the input terminal and another power supply that provides a logic complementary to the predetermined power supply.

【0017】この発明のうち請求項7にかかるものは、
請求項6記載の半導体集積回路であって、前記導通検出
回路は、前記抵抗と前記他の電源との間に設けられたス
イッチを更に備える。
According to claim 7 of the present invention,
The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein the conduction detection circuit further includes a switch provided between the resistor and the other power supply.

【0018】この発明のうち請求項8にかかるものは、
請求項1記載の半導体集積回路であって、前記導通検出
回路は、前記入力端に対応して直列に設けられたフリッ
プフロップを更に有し、前記フリップフロップのそれぞ
れは、対応する前記入力端に接続されたD入力端と、ク
ロックが与えられるT入力端と、前記クロックに従って
自身の前記D入力端に与えられた値を出力するQ出力端
とを含み、前記フリップフロップの最終段の前記Q出力
端は前記出力端に接続される。
According to claim 8 of the present invention,
The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the conduction detection circuit further includes a flip-flop provided in series corresponding to the input end, and each of the flip-flops is connected to the corresponding input end. The connected Q input terminal, a T input terminal to which a clock is applied, and a Q output terminal that outputs a value applied to the D input terminal of itself according to the clock; The output end is connected to the output end.

【0019】なお各請求項において、「電源」とは実施
例における「電源」のみならず「GND」をも含めた概
念である。
In each claim, "power supply" is a concept including "GND" as well as "power supply" in the embodiments.

【0020】[0020]

【作用】この発明のうち請求項1にかかる半導体集積回
路においては、電源供給プローブは電源パッド部の所定
の領域に押し当てられるため、第1重複領域における電
源供給プローブの接触の有無は、第2重複領域の接触の
有無によって検知することができる。そして第2重複領
域は第2部分に含まれており、第2部分が導通検出回路
の入力端に接続されているので、導通検出回路の出力端
から得られる信号によって、電源供給プローブが電源パ
ッド部に接触しているか否かを判別することができる。
In the semiconductor integrated circuit according to claim 1 of the present invention, since the power supply probe is pressed against a predetermined region of the power supply pad portion, it is determined whether the power supply probe is in contact with the first overlap region. It can be detected by the presence or absence of contact between the two overlapping areas. The second overlapping region is included in the second portion, and the second portion is connected to the input end of the continuity detection circuit. Therefore, the signal supplied from the output end of the continuity detection circuit causes the power supply probe to move to the power supply pad. It is possible to determine whether or not the part is in contact.

【0021】この発明のうち請求項2にかかる半導体集
積回路においては、第1部分及び第2部分が対向する長
さが大きくなる。
In the semiconductor integrated circuit according to claim 2 of the present invention, the length at which the first portion and the second portion face each other becomes large.

【0022】この発明のうち請求項3にかかる半導体集
積回路においては、所定の領域は電源供給プローブの延
設された方向へのずれが生じ易いが、杵状部がその方向
に延びているので当該ずれに対しても第1重複領域及び
第2重複領域を確保することが容易である。
In the semiconductor integrated circuit according to claim 3 of the present invention, the predetermined region is likely to be displaced in the direction in which the power supply probe is extended, but since the punch portion is extended in that direction. It is easy to secure the first overlapping area and the second overlapping area even with respect to the shift.

【0023】この発明のうち請求項4にかかる半導体集
積回路においては、第1重複領域の大きさが確保され
る。
In the semiconductor integrated circuit according to claim 4 of the present invention, the size of the first overlapping region is ensured.

【0024】この発明のうち請求項5にかかる半導体集
積回路においては、全ての第2部分に所定の電源が与え
られた場合と、一つでも所定の電源が与えられない第2
部分が存在した場合とで、出力端の与える信号の値が異
なる。
In the semiconductor integrated circuit according to claim 5 of the present invention, a case where a predetermined power source is applied to all the second parts and a second case where even one of the second parts is not supplied with the predetermined power source
The value of the signal given by the output terminal is different from when the portion exists.

【0025】この発明のうち請求項6にかかる半導体集
積回路においては、電源供給プローブが押し当ててられ
ていない電源パッド部の第2部分が接続された入力端に
は、抵抗を介して他の電源が与えられる。
In the semiconductor integrated circuit according to claim 6 of the present invention, the input end to which the second portion of the power supply pad portion, to which the power supply probe is not pressed, is connected, is connected to another input via a resistor. Power is supplied.

【0026】この発明のうち請求項7にかかる半導体集
積回路においては、電源供給プローブと電源パッド部と
の接触の有無を検出する場合のみスイッチをONさせ
る。
In the semiconductor integrated circuit according to the seventh aspect of the present invention, the switch is turned on only when the presence / absence of contact between the power supply probe and the power supply pad portion is detected.

【0027】この発明のうち請求項8にかかる半導体集
積回路においては、まず電源供給プローブを電源パッド
部に押し当て、接触の有無をフリップフロップに記憶さ
せる。その後、クロックによって順次フリップフロップ
の信号が伝搬する。
In the semiconductor integrated circuit according to the eighth aspect of the present invention, first, the power supply probe is pressed against the power supply pad portion, and the presence or absence of contact is stored in the flip-flop. After that, the signals of the flip-flops are sequentially propagated by the clock.

【0028】[0028]

【実施例】【Example】

実施例1:図1は実施例1を示す概略図である。従来技
術における電源用パッド19,20の代わりに電源パッ
ド部37,38が設けられている。電源パッド部37は
互いに絶縁された第1部分31と第2部分33とを有
し、電源パッド部38は互いに絶縁された第1部分32
と第2部分34とを有している。そして第1部分31,
32は共通して電源配線26に接続されている。一方、
第2部分33,34は第1部分31,32及び電源配線
26と接触しないように検出用回路36に接続されてい
る。
Example 1 FIG. 1 is a schematic diagram showing Example 1. Power supply pad portions 37 and 38 are provided instead of the power supply pads 19 and 20 in the prior art. The power pad portion 37 has a first portion 31 and a second portion 33 which are insulated from each other, and the power pad portion 38 has a first portion 32 which is insulated from each other.
And a second portion 34. And the first part 31,
32 is commonly connected to the power supply wiring 26. on the other hand,
The second portions 33 and 34 are connected to the detection circuit 36 so as not to contact the first portions 31 and 32 and the power supply wiring 26.

【0029】例えば電源パッド部37,38及び電源配
線26は上層のアルミ配線によって形成される。そして
検出用回路36には下層のアルミ配線が接続され、第2
部分33,34はそれぞれスルーホール35a,35b
を介して下層のアルミ配線に接続される。図1において
下層のアルミ配線にはハッチングが施されている。
For example, the power supply pad portions 37, 38 and the power supply wiring 26 are formed by aluminum wiring in the upper layer. The lower aluminum wiring is connected to the detection circuit 36,
The portions 33 and 34 are through holes 35a and 35b, respectively.
Is connected to the aluminum wiring in the lower layer via. In FIG. 1, the lower aluminum wiring is hatched.

【0030】図1において、領域71,72は電源用プ
ローブ針11,12が接触する部分を示している。つま
り電源用プローブ針11は電源パッド部37に押し当て
られることにより、第1部分31及び第2部分33のい
ずれとも接触する。つまり領域71は第1部分31及び
第2部分33とそれぞれ第1の重複領域71a及び第2
の重複領域71bを共有することになる。同様にして電
源用プローブ針12は電源パッド部38に押し当てられ
ることにより、第1部分32及び第2部分34のいずれ
とも接触し、領域72は第1部分32及び第2部分34
とそれぞれ第1の重複領域72a及び第2の重複領域7
2bを共有することになる。
In FIG. 1, regions 71 and 72 indicate portions where the power source probe needles 11 and 12 are in contact. That is, when the power supply probe needle 11 is pressed against the power supply pad portion 37, it makes contact with both the first portion 31 and the second portion 33. That is, the area 71 includes the first portion 31 and the second portion 33, and the first overlapping area 71a and the second portion 33, respectively.
The overlapping area 71b is shared. Similarly, when the power supply probe needle 12 is pressed against the power supply pad portion 38, the power supply probe needle 12 comes into contact with both the first portion 32 and the second portion 34, and the area 72 is in the first portion 32 and the second portion 34.
And the first overlapping area 72a and the second overlapping area 7 respectively.
2b will be shared.

【0031】電源用プローブ針11が電源パッド部37
に押し当てられ、第1部分31に接触しているのであれ
ば、第2部分33にも接触していることになる。従っ
て、電源用プローブ針11を経由して電源ユニット2か
ら電源が電源配線26に供給されているか否かは、第2
部分33に電源ユニット2から電源が供給されているか
否かを調べることによって検出することができる。同様
にして電源用プローブ針12を経由して電源ユニット2
から電源が電源配線26に供給されているか否かは、第
2部分34に電源ユニット2から電源が供給されている
か否かを調べることによって検出することができる。そ
して検出用回路36は第2部分33,34に電源が供給
されているか否かを調べることができる。
The power supply probe needle 11 is connected to the power supply pad portion 37.
If it is pressed against the first portion 31 and is in contact with the first portion 31, it is also in contact with the second portion 33. Therefore, whether or not the power is being supplied from the power supply unit 2 to the power supply wiring 26 via the power supply probe needle 11 is the second.
This can be detected by checking whether or not the power is supplied from the power supply unit 2 to the portion 33. Similarly, the power supply unit 2 is passed through the power supply probe needle 12.
Whether or not the power is being supplied to the power supply wiring 26 from can be detected by checking whether or not the power is supplied from the power supply unit 2 to the second portion 34. Then, the detection circuit 36 can check whether or not power is supplied to the second portions 33 and 34.

【0032】図2は検出用回路36の構成及びその周辺
の接続関係を示す回路図である。検出用回路36は2入
力AND回路と、抵抗R1,R2とを備えている。AN
D回路は第2部分33,34に与えられた電位を入力
し、これらを論理信号として扱い、その論理積を検出用
回路出力パッド39へ出力する。
FIG. 2 is a circuit diagram showing the configuration of the detection circuit 36 and the connection relation of the periphery thereof. The detection circuit 36 includes a 2-input AND circuit and resistors R1 and R2. AN
The D circuit inputs the potentials given to the second portions 33 and 34, treats them as logic signals, and outputs the logical product to the detection circuit output pad 39.

【0033】電源用プローブ針11,12のいずれもが
それぞれ領域71,72に押し当てられている場合、第
2部分33,34のいずれにも論理“1”に対応する電
位が与えられる。よって検出用回路出力パッド39には
論理“1”が与えられる。
When both the power source probe needles 11 and 12 are pressed against the regions 71 and 72, respectively, the potential corresponding to the logic "1" is applied to both the second portions 33 and 34. Therefore, a logic "1" is given to the detection circuit output pad 39.

【0034】しかし、電源用プローブ針11,12のい
ずれか一つでも非接触となっていた場合、例えば電源用
プローブ針11が電源パッド部37に接触しており、電
源用プローブ針12が電源パッド部38に接触していな
かった場合には、検出用回路出力パッド39には論理
“0”が与えられる。これは第2部分33には電源が供
給されるものの、第2部分34には電源が供給されない
からである。
However, if any one of the power source probe needles 11 and 12 is not in contact, for example, the power source probe needle 11 is in contact with the power source pad portion 37, and the power source probe needle 12 is in the power source. When the pad portion 38 is not in contact, the detection circuit output pad 39 is given a logic "0". This is because power is supplied to the second portion 33, but power is not supplied to the second portion 34.

【0035】ここで抵抗R1,R2は、それぞれ第2部
分33,34に電源が供給されなかった場合に、フロー
ティングを回避して論理“0”を与える機能を有する。
そのために抵抗R1は第2部分33とGNDとの間に、
抵抗R2は第2部分34とGNDとの間に、それぞれ接
続されている。
Here, the resistors R1 and R2 have a function of avoiding floating and giving a logic "0" when power is not supplied to the second portions 33 and 34, respectively.
Therefore, the resistor R1 is provided between the second portion 33 and GND,
The resistor R2 is connected between the second portion 34 and GND.

【0036】このように、複数の電源用プローブ針1
1,12のうちの1本でも電源パッド部37,38に接
触していなければ検出用回路出力パッド39には論理
“0”が与えられる。つまり全ての電源用プローブ針が
電源パッド部に接触している場合のみ検出用回路出力パ
ッド39には論理“1”が与えられ、この場合とそうで
ない場合とを容易に検出することができる。
Thus, the plurality of power source probe needles 1
If even one of the power supply pads 1 and 12 is not in contact with the power supply pad portions 37 and 38, a logic "0" is given to the detection circuit output pad 39. In other words, the logic "1" is given to the detection circuit output pad 39 only when all of the power supply probe needles are in contact with the power supply pad portion, and this case and the other case can be easily detected.

【0037】上記の説明においては電源用プローブ針1
1,12に関してのみ説明したが、同様にしてGND用
プローブ針13,14の接触/非接触を検出することが
できる。但しこの場合には検出用回路36はAND回路
に代えてOR回路を備え、抵抗R1,R2のそれぞれの
一端には共通して論理“1”に対応する電位を供給する
必要がある。
In the above description, the power supply probe needle 1
Although only 1 and 12 have been described, contact / non-contact of the GND probe needles 13 and 14 can be detected in the same manner. However, in this case, the detection circuit 36 needs to include an OR circuit in place of the AND circuit, and to commonly supply the potential corresponding to the logic "1" to one end of each of the resistors R1 and R2.

【0038】なお、従来の技術において問題となってい
るのは電源(GND)の供給に関するものであり、信号
ユニット4からの供給は問題となっていない。従って信
号用パッド23,24,25を第1部分及び第2部分に
分割する必要はない。これらはそれぞれ信号配線28,
29,30に接続され、例えば図1に示されるように信
号配線28は内部ロジックに接続される。この際、電源
配線26との接触を避けるために信号配線28を下層の
アルミ配線で作製することができる。信号用プローブ1
5が信号用パッド23に押し当てられることにより、両
者は領域73において接触する。
The problem in the prior art is the supply of the power supply (GND), and the supply from the signal unit 4 is not a problem. Therefore, it is not necessary to divide the signal pads 23, 24, 25 into the first portion and the second portion. These are signal wiring 28,
29 and 30, and the signal line 28 is connected to an internal logic as shown in FIG. 1, for example. At this time, in order to avoid contact with the power supply wiring 26, the signal wiring 28 can be made of aluminum wiring in the lower layer. Signal probe 1
When 5 is pressed against the signal pad 23, the two come into contact with each other in the area 73.

【0039】実施例2:実施例2は電源パッド部37の
変形を提供する。図1に示された電源パッド部37の構
成では、電源用プローブ針11の位置精度、接触時の針
圧により、領域71がずれ、第1部分31には接触する
が、第2部分33には接触しないという場合が考えられ
る。即ち第1の重複領域71aは存在するが、第2の重
複領域71bは存在しない場合があるという問題が残
る。実施例2はかかる問題をも解消するものである。
Example 2 Example 2 provides a modification of the power pad section 37. In the configuration of the power supply pad portion 37 shown in FIG. 1, the region 71 is displaced due to the positional accuracy of the power supply probe needle 11 and the needle pressure at the time of contact, and the region 71 comes into contact with the second portion 33. There is a possibility that they will not touch. That is, there remains a problem that the first overlapping area 71a exists but the second overlapping area 71b does not exist. The second embodiment also solves this problem.

【0040】図3は実施例2の構造を示す平面図であ
る。電源パッド部37を構成する第1部分31、第2部
分33はいずれも櫛状(鋸歯状)を呈し、互いに噛み合
って配置されている。かかる構造によって第1部分31
及び第2部分33の対向する長さが大きくなる。
FIG. 3 is a plan view showing the structure of the second embodiment. The first portion 31 and the second portion 33 that form the power supply pad portion 37 each have a comb shape (sawtooth shape) and are arranged so as to mesh with each other. With this structure, the first portion 31
And the opposing length of the second portion 33 is increased.

【0041】そのため、電源用プローブ針11が電源パ
ッド部37に対して領域711 ,712 ,713 のいず
れで接触しても第1部分31及び第2部分33の両方に
接触する。従って、電源用プローブ針11が接触する領
域71の位置精度が高くなくても実施例1と同様の効果
を得ることができる。
Therefore, even if the power supply probe needle 11 contacts the power supply pad portion 37 in any of the regions 71 1 , 71 2 and 71 3 , it contacts both the first portion 31 and the second portion 33. Therefore, the same effect as that of the first embodiment can be obtained even if the position accuracy of the region 71 in contact with the power supply probe needle 11 is not high.

【0042】もちろん、実施例2は電源パッド部38に
も適用することができるし、GND用プローブ針が接触
するGNDパッド部としても適用することができる。
Of course, the second embodiment can be applied to the power supply pad portion 38 and also to the GND pad portion with which the GND probe needle comes into contact.

【0043】実施例3:実施例3も電源パッド部37の
変形を提供する。図3に示された電源パッド部37の構
成は、領域71の自由度を高めているものの、例えば領
域713 のように、電源パッド部37の中心近傍に位置
しても、第1部分31よりも第2部分33へより多く重
なる場合がある。
Third Embodiment: The third embodiment also provides a modification of the power supply pad portion 37. Although the structure of the power supply pad portion 37 shown in FIG. 3 increases the degree of freedom of the region 71, even if the power supply pad portion 37 is located near the center of the power supply pad portion 37, as in the region 71 3 , the first portion 31 is not formed. The second portion 33 may be overlapped more than the second portion 33.

【0044】この様な場合には電源配線26への電源の
供給に際して実効的な電流の経路が狭くなる。そのため
電源用プローブ針11と電源配線26との間の抵抗成分
が従来よりも大きくなり、電圧降下が大きくなる。これ
では電源ユニット2で設定した電位が電源配線26に正
しく伝わらない。実施例3ははかかる問題を解消するも
のである。
In such a case, the effective current path becomes narrow when the power is supplied to the power supply wiring 26. Therefore, the resistance component between the power supply probe needle 11 and the power supply wiring 26 becomes larger than in the conventional case, and the voltage drop becomes large. With this, the potential set in the power supply unit 2 is not correctly transmitted to the power supply wiring 26. The third embodiment solves this problem.

【0045】図4は実施例3の構造を示す平面図であ
る。電源パッド部37を構成する第1部分31は穴31
cを有しており、第2部分33は穴31に囲まれて設け
られている。穴31cの径は領域71よりも小さく設計
される。このため、電源用プローブ針11が穴31cの
近傍に接触さえすれば、領域714 のようにその中心が
第2部分33の中心と一致した場合でも、領域715
ように一致しない場合でも、電源用プローブ針11は第
1部分31に多く接触することになる。従って、第2部
分33の大きさを領域71に比べて十分小さくすること
により、電源用プローブ針11から電源配線26への電
流の経路を従来の技術と比較して遜色のないものとする
ことができ、電源ユニット2で設定した電位を電源配線
26に正しく伝達することができる。
FIG. 4 is a plan view showing the structure of the third embodiment. The first portion 31 forming the power supply pad portion 37 has a hole 31.
c, and the second portion 33 is provided surrounded by the hole 31. The diameter of the hole 31c is designed to be smaller than the area 71. Therefore, if the power supply probe 11 need only contact in the vicinity of the holes 31c, even if the center as regions 71 4 coincides with the center of the second portion 33, even if they do not match as area 71 5 The power supply probe needle 11 is in contact with the first portion 31 a lot. Therefore, by making the size of the second portion 33 sufficiently smaller than that of the region 71, the current path from the power supply probe needle 11 to the power supply wiring 26 is comparable to the conventional technique. Therefore, the potential set by the power supply unit 2 can be correctly transmitted to the power supply wiring 26.

【0046】実施例4:実施例4も電源パッド部37の
変形を提供する。図5は実施例4の背景の概略を示す平
面図である。電源用プローブ針、GND用プローブ針、
信号用プローブ針はプローブ針42として総称されてい
る。また、電源用パッド、GND用パッド、信号用パッ
ドはパッド44として総称されている。
Fourth Embodiment: The fourth embodiment also provides a modification of the power supply pad portion 37. FIG. 5 is a plan view showing the outline of the background of the fourth embodiment. Power supply probe needle, GND probe needle,
The signal probe needles are collectively referred to as probe needles 42. The power supply pad, the GND pad, and the signal pad are collectively referred to as a pad 44.

【0047】一般的にはインタフェースボード5に樹脂
で固定されているので、プローブ針42の根元の直径は
パッド44のサイズに比べて大きい。従って、連続して
並んでいる複数のパッド44に対応する全てのプローブ
針42を図5の上下方向に平行にして配置することは不
可能である。
Generally, since the interface board 5 is fixed with resin, the diameter of the root of the probe needle 42 is larger than the size of the pad 44. Therefore, it is impossible to arrange all the probe needles 42 corresponding to the plurality of pads 44 that are continuously arranged in parallel with each other in the vertical direction of FIG.

【0048】このため図5に示されるように複数のパッ
ド44が連続して並んでいる場合、一般的には中央付近
のパッド44に対するプローブ針42は図5の上下方向
にほぼ平行な配置でインタフェースボード5に樹脂で固
定される。そして、中央から遠ざかるにつれてプローブ
針42は図5の上下方向に対して傾斜して固定されるす
る。例えば左端のパッド44に対するプローブ針は図5
の左上から右下への方向に沿ってインタフェースボード
に樹脂で固定される(右端のパッドに対するプローブ針
42は逆方向に傾斜する)。
Therefore, when a plurality of pads 44 are continuously arranged as shown in FIG. 5, the probe needle 42 with respect to the pad 44 near the center is generally arranged substantially parallel to the vertical direction of FIG. It is fixed to the interface board 5 with resin. Then, the probe needle 42 is fixed while being inclined with respect to the vertical direction of FIG. 5 as it goes away from the center. For example, the probe needle for the leftmost pad 44 is shown in FIG.
Is fixed to the interface board with resin along the direction from the upper left to the lower right (the probe needle 42 with respect to the pad at the right end is inclined in the opposite direction).

【0049】以上のような配置のプローブ針42をパッ
ド44に接触させた場合、図5の上下方向にほぼ平行な
配置のプローブ針42はパッド44に対し、接触時の針
圧の増加に伴って、領域78から領域79へと下方向に
接触部分が移動する。また図5の左上から右下への方向
に沿って配置されたプローブ針42はパッド44に対
し、接触時の針圧の増加に伴って、領域76から領域7
7へと右下方向に接触部分が移動する。すなわちプロー
ブ針42の配置される方向によって、それがパッド44
と接触する領域の移動方向が異なる。これらの様子は図
5において拡大して示されている。太い矢印はプローブ
針42がパッド44と接触する領域の移動方向を示して
いる。
When the probe needle 42 arranged as described above is brought into contact with the pad 44, the probe needle 42 arranged substantially parallel to the vertical direction in FIG. Then, the contact portion moves downward from the area 78 to the area 79. Further, the probe needle 42 arranged along the direction from the upper left to the lower right in FIG.
The contact portion moves to 7 in the lower right direction. That is, depending on the direction in which the probe needle 42 is arranged, the pad 44
The moving direction of the area in contact with is different. These states are shown enlarged in FIG. The thick arrow indicates the moving direction of the region where the probe needle 42 contacts the pad 44.

【0050】図6及び図7は実施例4の構造を示す平面
図である。図6及び図7のそれぞれにおいて電源パッド
部37を構成する第1部分31は凹型31d,31eを
有している。凹型31d,31eはそれぞれ領域76か
ら領域77へ向かう方向及び領域78から領域79へ向
かう方向に沿っている。そして、これら凹型31d,3
1eへと杵状の第2部分33が挿入されている。
6 and 7 are plan views showing the structure of the fourth embodiment. In each of FIG. 6 and FIG. 7, the first portion 31 forming the power supply pad portion 37 has concave molds 31d and 31e. The concave molds 31d and 31e are along the direction from the area 76 to the area 77 and the direction from the area 78 to the area 79, respectively. And these concave molds 31d, 3
The second part 33 having a pestle shape is inserted into 1e.

【0051】図6及び図7に示された構造を有する電源
パッド部37は、それぞれ図5における左端及び中央の
パッド44へ適用される。これにより、第2部分33は
プローブ針42が接触する領域の移動に対して平行に重
なるように配置することができる。
The power supply pad portion 37 having the structure shown in FIGS. 6 and 7 is applied to the leftmost and central pads 44 in FIG. 5, respectively. As a result, the second portion 33 can be arranged so as to overlap in parallel with the movement of the region where the probe needle 42 contacts.

【0052】このため、図6及び図7に示されるよう
に、領域76から領域77へ、或いは領域78から領域
79へと向かう方向へプローブ針42が移動しても、常
に電源用プローブ針42の接触/非接触を第2部分33
によって検出することができる。また第2部分33の大
きさをプローブ針42が接触する領域76〜79の面積
に比べて十分小さくすることにより、プローブ針42の
接触部分から電源配線26への電流の経路を従来のパッ
ドと比較しても遜色のないものとすることができる。
Therefore, as shown in FIGS. 6 and 7, even if the probe needle 42 moves in the direction from the area 76 to the area 77 or from the area 78 to the area 79, the power source probe needle 42 is always present. Contact / non-contact of the second part 33
Can be detected by. Further, by making the size of the second portion 33 sufficiently smaller than the area of the regions 76 to 79 in contact with the probe needle 42, the current path from the contact portion of the probe needle 42 to the power supply wiring 26 is made to be a conventional pad. Even if they are compared, they can be comparable.

【0053】実施例5:実施例5は検出用回路36の変
形を提供する。図2に示された構成では検出用回路36
において、第2部分33,34はそれぞれ抵抗R1,R
2を介して接地されていた。そのため第2部分33,3
4の論理状態が“1”になったときにはこれらの抵抗R
1,R2に電流が流れる。電源用プローブ針11,12
が正しく電源パッド部37,38に接触していれば、抵
抗R1,R2を介して接地へ電源ユニット2から電流が
流れ続けることになる。
Embodiment 5: Embodiment 5 provides a modification of the detection circuit 36. In the configuration shown in FIG. 2, the detection circuit 36
, The second portions 33 and 34 are connected to the resistors R1 and R, respectively.
It was grounded through 2. Therefore, the second part 33,3
When the logic state of 4 becomes "1", these resistors R
A current flows through 1 and R2. Power supply probe needles 11, 12
If the power supply pads 37 and 38 are correctly contacted with, the current will continue to flow from the power supply unit 2 to the ground via the resistors R1 and R2.

【0054】このような電流は、半導体集積回路の本来
の機能として有する微小なスタンバイ電流を測定するこ
とを妨げたり、半導体集積回路の消費電力を不必要に増
大させるという問題がある。実施例5は係る問題をも解
決することができる。
Such a current has a problem that it hinders the measurement of a minute standby current which is an original function of the semiconductor integrated circuit, or unnecessarily increases the power consumption of the semiconductor integrated circuit. The fifth embodiment can solve such a problem.

【0055】図8は実施例5にかかる検出用回路36の
構成を示す回路図である。図8に示された構成は、図2
に示された構成に対し、スイッチ40a,40bを追加
したものである。スイッチ40a,40bはそれぞれ抵
抗R1,R2と接地との間に設けられている。
FIG. 8 is a circuit diagram showing the structure of the detection circuit 36 according to the fifth embodiment. The configuration shown in FIG.
Switches 40a and 40b are added to the configuration shown in FIG. The switches 40a and 40b are provided between the resistors R1 and R2 and the ground, respectively.

【0056】これらのスイッチ40a,40bはプロー
ブ針の接触の検出を実施するときのみオン状態にして抵
抗R1,R2を接地し、実施例1と同様の効果を得るこ
とができる。その他のテストまたは実使用状態において
はスイッチ40a,40bをオフ状態にして抵抗R1,
R2と接地とを切り離し、スタンバイ電流の測定を妨げ
ることも、不要な電力の消費も回避することができる。
These switches 40a and 40b are turned on only when detecting the contact of the probe needle, and the resistors R1 and R2 are grounded to obtain the same effect as that of the first embodiment. In other tests or in actual use, the switches 40a and 40b are turned off and the resistors R1 and
It is possible to separate R2 from ground and prevent the standby current from being measured, and avoid unnecessary power consumption.

【0057】実施例6:実施例6も検出用回路36の変
形を提供する。図2に示された構成では第2部分33,
34のいずれが論理状態“0”となっても検出用回路出
力パッド39は“0”を出力する。従って、電源用プロ
ーブ針11,12のうちのいずれが非接触であるのかを
判別することができない。実施例6は係る問題をも解決
することができる。
Embodiment 6 Embodiment 6 also provides a modification of the detection circuit 36. In the configuration shown in FIG. 2, the second portion 33,
The detection circuit output pad 39 outputs "0" regardless of which of the 34 is in the logical state "0". Therefore, it is not possible to determine which of the power supply probe needles 11 and 12 is non-contact. The sixth embodiment can solve such a problem as well.

【0058】図9は実施例6にかかる検出用回路36の
構成を示す回路図である。第2部分33,34はそれぞ
れ抵抗R1,R2を介して接地されている。更に、第2
部分33,34はそれぞれフリップフロップ41,42
のD入力端に接続されている。フリップフロップ41,
42は順次直列に接続されている。即ちフリップフロッ
プ41のQ出力端はフリップフロップ42のD入力端に
接続されている。そしてフリップフロップ42のQ出力
端は検出用回路出力パッド39に接続されている。フリ
ップフロップ41,42のT入力端には共通してトリガ
クロックCLKが与えられる。
FIG. 9 is a circuit diagram showing the structure of the detection circuit 36 according to the sixth embodiment. The second portions 33 and 34 are grounded via the resistors R1 and R2, respectively. Furthermore, the second
The parts 33 and 34 are flip-flops 41 and 42, respectively.
It is connected to the D input terminal of. Flip-flop 41,
42 are sequentially connected in series. That is, the Q output terminal of the flip-flop 41 is connected to the D input terminal of the flip-flop 42. The Q output terminal of the flip-flop 42 is connected to the detection circuit output pad 39. The trigger clock CLK is commonly applied to the T input terminals of the flip-flops 41 and 42.

【0059】まず電源用プローブ11,12を電源パッ
ド部37,38に押し当て、接触の有無を第2部分3
3,34によってそれぞれフリップフロップ41,42
に記憶させる。その後、トリガクロックCLKによって
順次フリップフロップ41,42の信号を検出用回路出
力パッド39へと伝搬させる。この伝搬の際には抵抗R
1,R2は不要であるので実施例5のようにスイッチ4
0a,40bを設けても良い。
First, the power supply probes 11 and 12 are pressed against the power supply pad portions 37 and 38, and the presence or absence of contact is checked by the second portion 3.
Flip-flops 41 and 42, respectively
To memorize. After that, the signals of the flip-flops 41 and 42 are sequentially propagated to the detection circuit output pad 39 by the trigger clock CLK. During this propagation, the resistance R
Since switches 1 and R2 are unnecessary, the switch 4 is used as in the fifth embodiment.
0a and 40b may be provided.

【0060】検出用回路出力パッド39へは順次に電源
用プローブ12,11の接触/非接触を検出することが
できるので、それぞれ別個に接触/非接触を検出するこ
とができる。
Since the contact / non-contact of the power supply probes 12 and 11 can be sequentially detected on the detection circuit output pad 39, the contact / non-contact can be detected separately.

【0061】[0061]

【発明の効果】この発明のうち請求項1にかかる半導体
集積回路によれば、複数の電源供給プローブが対応する
電源パッド部に押し当てられているか否かが容易に判断
できる。
According to the semiconductor integrated circuit of the first aspect of the present invention, it is possible to easily determine whether or not the plurality of power supply probes are pressed against the corresponding power supply pad portions.

【0062】この発明のうち請求項2及び請求項3にか
かる半導体集積回路によれば、所定の領域の自由度が高
くなり、電源供給プローブの位置決めが正確でなくても
請求項1の効果を得ることができる。
According to the semiconductor integrated circuit of the second and third aspects of the present invention, the degree of freedom of the predetermined region is increased, and the effect of the first aspect can be obtained even if the positioning of the power supply probe is not accurate. Obtainable.

【0063】この発明のうち請求項4にかかる半導体集
積回路によれば、電源配線への電流経路を狭めることな
く、所定の領域の自由度を高くして請求項1の効果を得
ることができる。
According to the semiconductor integrated circuit of the fourth aspect of the present invention, the effect of the first aspect can be obtained by increasing the degree of freedom of a predetermined region without narrowing the current path to the power supply wiring. .

【0064】この発明のうち請求項5にかかる半導体集
積回路によれば、一つでも電源供給プローブが押し当て
てられていない電源パッド部が存在すればこれを検出す
ることができる。
According to the semiconductor integrated circuit of the fifth aspect of the present invention, even if there is at least one power supply pad portion to which the power supply probe is not pressed, it can be detected.

【0065】この発明のうち請求項6にかかる半導体集
積回路によれば、入力端のフローティングを防止して、
出力端の与える信号を用いて正しく電源供給プローブと
電源パッド部との接触の有無を検出することができる。
According to the semiconductor integrated circuit of the sixth aspect of the present invention, the floating of the input terminal is prevented,
It is possible to correctly detect the presence / absence of contact between the power supply probe and the power supply pad section by using the signal provided by the output terminal.

【0066】この発明のうち請求項7にかかる半導体集
積回路によれば、実使用状態や他のテストを行う際にス
イッチをOFFさせて、スタンバイ電流を測定すること
ができ、不要な消費電力を抑制することができる。
According to the semiconductor integrated circuit of the seventh aspect of the present invention, the standby current can be measured by turning off the switch when the actual use condition or other tests are performed, and unnecessary power consumption is reduced. Can be suppressed.

【0067】この発明のうち請求項8にかかる半導体集
積回路によれば、電源供給プローブと電源パッド部との
接触の有無が、各電源パッド部毎に検出される。
According to the semiconductor integrated circuit of the eighth aspect of the present invention, the presence / absence of contact between the power supply probe and the power supply pad section is detected for each power supply pad section.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 実施例1を示す概略図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a first embodiment.

【図2】 実施例1を示す回路図である。FIG. 2 is a circuit diagram showing a first embodiment.

【図3】 実施例2の構造を示す平面図である。FIG. 3 is a plan view showing the structure of the second embodiment.

【図4】 実施例3の構造を示す平面図である。FIG. 4 is a plan view showing the structure of the third embodiment.

【図5】 実施例4の背景の概略を示す平面図である。FIG. 5 is a plan view showing the outline of the background of Example 4;

【図6】 実施例4の構造を示す平面図である。6 is a plan view showing the structure of Example 4. FIG.

【図7】 実施例4の構造を示す平面図である。FIG. 7 is a plan view showing the structure of the fourth embodiment.

【図8】 実施例5の構成を示す回路図である。FIG. 8 is a circuit diagram showing a configuration of a fifth embodiment.

【図9】 実施例6の構成を示す回路図である。FIG. 9 is a circuit diagram showing a configuration of a sixth embodiment.

【図10】 従来の半導体集積回路の試験の概要を示す
概念図である。
FIG. 10 is a conceptual diagram showing an outline of a conventional semiconductor integrated circuit test.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

26 電源配線、31,32 第1部分、31c 穴、
31d,31e 凹型、33,34 第2部分、37,
38 電源パッド部、40a,40b スイッチ、4
1,42 フリップフロップ、71〜79領域、71
a,72a 第1の重複領域、71b,72b 第2の
重複領域、R1,R2 抵抗、CLK トリガクロッ
ク。
26 power wiring, 31, 32 first part, 31c hole,
31d, 31e concave type, 33, 34 second portion, 37,
38 power supply pad section, 40a, 40b switch, 4
1,42 flip-flops, 71 to 79 areas, 71
a, 72a First overlapping area, 71b, 72b Second overlapping area, R1, R2 resistors, CLK Trigger clock.

─────────────────────────────────────────────────────
─────────────────────────────────────────────────── ───

【手続補正書】[Procedure amendment]

【提出日】平成7年4月24日[Submission date] April 24, 1995

【手続補正1】[Procedure Amendment 1]

【補正対象書類名】図面[Document name to be corrected] Drawing

【補正対象項目名】図1[Name of item to be corrected] Figure 1

【補正方法】変更[Correction method] Change

【補正内容】[Correction content]

【図1】 FIG.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 所定の電源を受けるための複数の電源パ
ッド部を備え、前記電源パッド部に対応して各々所定の
方向に延設された電源供給プローブが前記電源パッド部
の所定の領域に同時に押し当てられることにより、前記
所定の電源が電源配線に供給されてテストが行われる半
導体集積回路であって、 出力端と、前記電源パッド部に対応して設けられた入力
端とを有する導通検出回路を更に備え、 各々の前記電源パッド部は、互いに絶縁された第1部分
と第2部分を有し、 前記第1部分及び前記第2部分の各々が、前記所定の領
域と重複する第1重複領域及び第2重複領域を含み、 前記第1部分は前記電源配線に共通して接続され、 各々の前記第2部分は対応する前記入力端へ接続され、 前記出力端は前記第2部分と前記電源供給プローブとの
接触の有無を検出する信号を出力する、半導体集積回
路。
1. A plurality of power supply pad portions for receiving a predetermined power supply, each of which has a power supply probe extending in a predetermined direction corresponding to the power supply pad portion in a predetermined region of the power supply pad portion. A semiconductor integrated circuit in which a predetermined power source is supplied to a power source wiring to be tested by being pressed simultaneously, and a conduction having an output terminal and an input terminal provided corresponding to the power source pad section. A detection circuit is further provided, each of the power supply pad portions has a first portion and a second portion which are insulated from each other, and each of the first portion and the second portion overlaps with the predetermined region. A first overlapping region and a second overlapping region, the first portion is commonly connected to the power supply line, each second portion is connected to the corresponding input end, and the output end is the second portion. And the power supply probe A semiconductor integrated circuit that outputs a signal that detects the presence or absence of contact with a substrate.
【請求項2】 前記第1部分及び第2部分は互いに噛み
合う鋸歯状を呈する請求項1記載の半導体集積回路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the first portion and the second portion have a saw-tooth shape which meshes with each other.
【請求項3】 前記第1の部分は凹型を呈し、 前記第2の部分は前記第1の部分に挿入される杵状部を
含み、 前記杵状部の延びる方向は、各々の前記電源パッド部に
対応した前記所定の方向と一致する、請求項1記載の半
導体集積回路。
3. The first portion has a concave shape, the second portion includes a punch-shaped portion inserted into the first portion, and a direction in which the punch-shaped portion extends extends in each of the power pads. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the semiconductor integrated circuit corresponds to the predetermined direction corresponding to a part.
【請求項4】 前記第1部分は前記所定の領域よりも小
さな径の穴を有し、前記第2部分は前記穴によって囲ま
れた請求項1記載の半導体集積回路。
4. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the first portion has a hole having a diameter smaller than that of the predetermined region, and the second portion is surrounded by the hole.
【請求項5】 前記導通検出回路は、2値論理で動作す
る論理素子を更に有し、 前記論理素子は前記入力端に与えられた電圧を論理信号
として受け、前記論理信号の論理積を前記出力端に出力
する、請求項1記載の半導体集積回路。
5. The conduction detection circuit further includes a logic element that operates in binary logic, the logic element receiving a voltage applied to the input terminal as a logic signal, and performing a logical product of the logic signals. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, which outputs to an output terminal.
【請求項6】 前記導通検出回路は前記所定の電源と相
補的な論理を与える他の電源と前記入力端との間に接続
された抵抗を更に有する請求項5記載の半導体集積回
路。
6. The semiconductor integrated circuit according to claim 5, wherein the continuity detecting circuit further includes a resistor connected between the input terminal and another power supply that provides a logic complementary to the predetermined power supply.
【請求項7】 前記導通検出回路は、前記抵抗と前記他
の電源との間に設けられたスイッチを更に備える請求項
6記載の半導体集積回路。
7. The semiconductor integrated circuit according to claim 6, wherein the conduction detection circuit further includes a switch provided between the resistor and the other power supply.
【請求項8】 前記導通検出回路は、前記入力端に対応
して直列に設けられたフリップフロップを更に有し、 前記フリップフロップのそれぞれは、対応する前記入力
端に接続されたD入力端と、クロックが与えられるT入
力端と、前記クロックに従って自身の前記D入力端に与
えられた値を出力するQ出力端とを含み、 前記フリップフロップの最終段の前記Q出力端は前記出
力端に接続された請求項1記載の半導体集積回路。
8. The conduction detection circuit further includes a flip-flop provided in series corresponding to the input end, each of the flip-flops having a D input end connected to the corresponding input end. A T input terminal to which a clock is applied, and a Q output terminal that outputs a value given to the D input terminal of itself according to the clock, wherein the Q output terminal of the final stage of the flip-flop is connected to the output terminal. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, which is connected.
JP7084080A 1995-04-10 1995-04-10 Semiconductor integrated circuit Pending JPH08279539A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7084080A JPH08279539A (en) 1995-04-10 1995-04-10 Semiconductor integrated circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7084080A JPH08279539A (en) 1995-04-10 1995-04-10 Semiconductor integrated circuit

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08279539A true JPH08279539A (en) 1996-10-22

Family

ID=13820518

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7084080A Pending JPH08279539A (en) 1995-04-10 1995-04-10 Semiconductor integrated circuit

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08279539A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11714123B2 (en) 2020-09-02 2023-08-01 United Semiconductor Japan Co., Ltd. Probe position monitoring structure and method of monitoring position of probe

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11714123B2 (en) 2020-09-02 2023-08-01 United Semiconductor Japan Co., Ltd. Probe position monitoring structure and method of monitoring position of probe

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7420229B2 (en) Failure analysis vehicle for yield enhancement with self test at speed burnin capability for reliability testing
KR20070074606A (en) Interface apparatus for semiconductor device tester
US20080180116A1 (en) Systems and methods for defect testing of externally accessible integrated circuit interconnects
JPH01112179A (en) Circuit board inspection instrument
TWI793179B (en) Resistance measuring device, substrate inspection device, and resistance measuring method
Gillis et al. Delay test of chip I/Os using LSSD boundary scan
US20030067314A1 (en) Testing arrangement and testing method
JPH08279539A (en) Semiconductor integrated circuit
JP2000162277A (en) Semiconductor integrated circuit
US7538558B2 (en) Failure detection apparatus and failure detection method for a semiconductor apparatus
TW201842339A (en) Electrical connecting apparatus
JP2005072375A (en) Semiconductor integrated circuit
JPH01276735A (en) Integrated circuit element wafer
JP2007067008A (en) Probing method for semiconductor inspection
US20240036074A1 (en) Method for accurate pad contact testing
JPH0250452A (en) Prober
CN107367681B (en) Probe card module
JP3588052B2 (en) Boundary scan test circuit
EP1248953A1 (en) A printed circuit assembly with configurable boundary scan paths
JP3645748B2 (en) Solder defect inspection device
JPH04199836A (en) Semiconductor device test probe card
KR100490495B1 (en) Method of manufacturing a semiconductor device, and semiconductor device manufactured thereby
US20030107035A1 (en) Semiconductor chip
KR200145298Y1 (en) Semiconductor chip with pad for probe confirmation
JPH0613441A (en) Inspection and measurement of semiconductor integrated circuit device