JPH08273172A - Optical pickup device and method therefor - Google Patents

Optical pickup device and method therefor

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JPH08273172A
JPH08273172A JP6802095A JP6802095A JPH08273172A JP H08273172 A JPH08273172 A JP H08273172A JP 6802095 A JP6802095 A JP 6802095A JP 6802095 A JP6802095 A JP 6802095A JP H08273172 A JPH08273172 A JP H08273172A
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JP
Japan
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light
objective lens
optical
received
polarization
Prior art date
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Application number
JP6802095A
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Japanese (ja)
Inventor
Masahiko Nakayama
昌彦 中山
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Ricoh Co Ltd
Original Assignee
Ricoh Co Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH08273172A publication Critical patent/JPH08273172A/en
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Abstract

PURPOSE: To realize on optical pickup device and method capable of reducing the track detecting error due to the deviation of an optical axis. CONSTITUTION: An optical disk 5 is irradiated by the luminous flux from a semiconductor laser 1 through in order of a collimate lens 2, a polarized light separating element 3, an objective lens 4, and a substrate 9 being a refractive index ellipsoid with uniaxial anisotropy such as the optical anisotropy having the main axis in the thickness direction. After the reflected light is passed through the substrate 9 and the objective lens 4, the component perpendicular to the polarization direction X of the semiconductor laser is separated by the polarized light separating element 3, then the light is received by a photodetector 6. Since the reflected light S is received on the position separated from a dividing line 8 on the light receiving surface 7, the track detecting error is reduced even when the deviation ▵S of the optical axis occurs.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光ピックアップ装置お
よび方法、より詳細には、光軸ずれによるトラック検出
誤差の軽減を目的とした光ディスク装置の光ピックアッ
プ装置および光ディスクに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an optical pickup device and method, and more particularly to an optical pickup device and an optical disc for an optical disc device for reducing a track detection error due to an optical axis shift.

【0002】[0002]

【従来の技術】図10は、従来の光ピックアップ装置の
一例を説明するための図で、図10(a)は要部構成
図、図10(b)は図10(a)のB−B矢視図、図1
0(c)は光軸ずれが起きた時の受光面の詳細図であ
る。この例は、半導体レーザ21から放射された光束が
コリメートレンズ22で略平行光にされ、ビームスプリ
ッタ23を介し、対物レンズ24により光ディスク25
上に微小なスポットとして照射され、これにより、光デ
ィスク25上に情報の記録、或いは、該光ディスク25
上の情報の再生等を行なうもので、光ディスク25から
反射された光を、対物レンズ24、ビームスプリッタ2
3を介して、2分割受光素子26で受光し、2つの受光
面27a,27bにより構成された2分割受光素子26
の受光面27から出力される信号により、トラッキング
エラーを検出する方式のものである。
2. Description of the Related Art FIGS. 10A and 10B are views for explaining an example of a conventional optical pickup device. FIG. 10A is a main part configuration diagram, and FIG. 10B is a BB line in FIG. 10A. Arrow view, Figure 1
0 (c) is a detailed view of the light receiving surface when the optical axis shift occurs. In this example, the light flux emitted from the semiconductor laser 21 is made into substantially parallel light by a collimator lens 22, passes through a beam splitter 23, and an optical disk 25 by an objective lens 24.
The information is recorded on the optical disc 25 or the optical disc 25 is irradiated with it as a minute spot.
The above information is reproduced, and the light reflected from the optical disc 25 is reflected by the objective lens 24 and the beam splitter 2.
The light is received by the two-divided light receiving element 26 via the light receiving element 3 and the two-divided light receiving element 26 is composed of two light receiving surfaces 27a and 27b.
The tracking error is detected by the signal output from the light receiving surface 27 of the.

【0003】また、この例は、受光面27a,および、
27bから出力される信号をそのまま27a,および、
27bで表わすと、トラッキングエラー信号TEは、T
E=27a−27bと表わすことができ(この信号TE
の検出方法は、プッシュプル法と呼ばれ、一般的に広く
用いられている)、この信号TEを用いて、主に対物レ
ンズ24を移動させ、これにより、レーザビーム(光束
の微少なスポット)が光ディスク25上の所定のトラッ
クを正確に追跡(トラッキング)できるようにしたもので
ある。
Further, in this example, the light receiving surface 27a, and
The signal output from 27b is the same as 27a, and
When represented by 27b, the tracking error signal TE is T
E = 27a-27b (this signal TE
The detection method is called a push-pull method and is widely used.) This signal TE is mainly used to move the objective lens 24, whereby a laser beam (a minute spot of light flux) is generated. Is designed to accurately track a predetermined track on the optical disk 25.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】図11は、図10に示
した例において、光軸ずれが起きた時のトラッキングエ
ラー信号TEを説明するための図である。図10に示し
た例において、半導体レーザ21,コリメートレンズ2
2,ビームスプリッタ23,2分割受光素子26等が固
定されている光ピックアップ本体の送り誤差のために、
対物レンズ24が光ピックアップ本体に対して200〜
400μm程度もずれてしまうことがあり(このずれ
は、一般的に光軸ずれと呼ばれている)、この光軸ずれ
がない時は、図10(b)に示すように、受光面27に
おいて、光ディスク25からの反射光Sの中心は、受光
面27の分割線28上にあり、図11(a)に示すよう
に、トラッキングエラー信号TEは、各トラック上で0
になる。
FIG. 11 is a diagram for explaining the tracking error signal TE when the optical axis shift occurs in the example shown in FIG. In the example shown in FIG. 10, the semiconductor laser 21 and the collimator lens 2
2, due to a feed error of the optical pickup main body to which the beam splitter 23, the two-divided light receiving element 26, etc. are fixed,
The objective lens 24 is 200 to 200
There is a case where the deviation is about 400 μm (this deviation is generally called an optical axis deviation). When this optical axis deviation does not occur, as shown in FIG. The center of the reflected light S from the optical disk 25 is on the dividing line 28 of the light receiving surface 27, and the tracking error signal TE is 0 on each track as shown in FIG.
become.

【0005】しかし、光軸ずれがあると、図10(c)
に示すように、受光面27上の光ディスク25からの反
射光Sの中心は、受光面27の分割線28からΔSずれ
てしまい、図11(b)に示すように、例えば、対物レ
ンズ24を移動することにより、nトラックでトラッキ
ングしようとしても、n+1トラック側へΔSだけずれ
てしまい、トラッキングエラー信号TEは、トラック上
で0にならなくなってしまう。このように、光軸ずれが
あると、トラッキングエラー信号TEにオフセットが発
生し、その結果、トラック検出誤差(図11(b)で示
した例におけるΔS)が発生してしまうという問題があ
った。
However, if there is an optical axis shift, FIG.
As shown in FIG. 11, the center of the reflected light S from the optical disc 25 on the light receiving surface 27 deviates from the dividing line 28 of the light receiving surface 27 by ΔS, and as shown in FIG. Due to the movement, even if an attempt is made to perform tracking on n tracks, the tracking error signal TE is shifted to the n + 1 track side by ΔS, and the tracking error signal TE does not become 0 on the tracks. As described above, when the optical axis is displaced, an offset occurs in the tracking error signal TE, and as a result, a track detection error (ΔS in the example shown in FIG. 11B) occurs. .

【0006】上述のような問題に対し、例えば、特公平
4−3013号公報には、情報記録媒体(光ディスク)
上の複数のトラックが回析格子の作用をすることを用
い、トラックずれ検出用の受光面(受光素子)を光検出
器の0次回折光と±1次回折光の干渉領域内に配置し、
前記受光面をトラック方向に対して軸対称な形状で、か
つ、トラック追従時や、ディスクの傾きによって生じる
反射光の光軸ずれの最大移動量分だけ、前記干渉領域よ
り狭くした領域内に配置したもの、すなわち、プッシュ
プル法の光軸ずれによるトラック検出誤差を小さくする
ために、光検出器の受光範囲を限定したものが提示され
ている。しかし、この例は、トラックずれ検出用の受光
面を光検出器の限定された範囲内に配置しなければなら
ず、光検出器の製造に手間が掛ることが懸念される。
To solve the above problems, for example, Japanese Patent Publication No. 4-3013 discloses an information recording medium (optical disk).
By using the fact that the above plurality of tracks act as a diffraction grating, the light receiving surface (light receiving element) for detecting track deviation is arranged in the interference region of the 0th order diffracted light and the ± 1st order diffracted light of the photodetector,
The light-receiving surface has an axially symmetrical shape with respect to the track direction, and is arranged in an area narrower than the interference area by the maximum movement amount of the optical axis shift of the reflected light caused by the track following or the tilt of the disk. In order to reduce the track detection error due to the shift of the optical axis in the push-pull method, the one in which the light receiving range of the photodetector is limited is proposed. However, in this example, the light receiving surface for detecting the track deviation has to be arranged within the limited range of the photodetector, and there is a concern that it takes time to manufacture the photodetector.

【0007】本発明は、上述のごとき実情に鑑みてなさ
れたもので、光軸ずれによるトラック検出誤差を軽減す
ることが可能な光ピックアップ装置および光ディスクを
実現することを目的になされたものである。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object thereof is to realize an optical pickup device and an optical disk capable of reducing a track detection error due to an optical axis shift. .

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、半導体レーザから放射された光束を偏光
分離素子及び対物レンズを通して光ディスク上に照射
し、該光ディスクからの反射光を前記対物レンズ及び前
記偏光分離素子を通して受光素子で受光し、該受光素子
の出力に応じて前記光ディスク上のスポットのトラッキ
ングを行なう光ピックアップ装置において、(1)光学
的異方性が厚み方向に主軸を有する一軸異方性の屈折率
楕円体である基板を有し、前記半導体レーザから放射さ
れた光束を前記偏光分離素子、前記対物レンズ、前記基
板の順に通して前記光ディスク上に照射し、該光ディス
クからの反射光を前記基板、前記対物レンズの順に通し
た後、前記偏光分離素子で前記半導体レーザの偏光方向
と直交する成分を分離し、該分離光を前記受光素子で受
光すること、或いは、(2)偏光素子と、光学的異方性
が厚み方向に主軸を有する一軸異方性の屈折率楕円体で
ある基板を有し、前記半導体レーザから放射された光束
を前記偏光分離素子、前記偏光素子、前記対物レンズ、
前記基板の順に通して前記光ディスク上に照射し、該光
ディスクからの反射光を前記基板、前記対物レンズ、前
記偏光素子の順に通した後、前記偏光分離素子で前記半
導体レーザの偏光方向と直交する成分を分離し、該分離
光を前記受光素子で受光すること、或いは、(3)前記
半導体レーザから放射された光束を前記偏光分離素子、
前記対物レンズの順に通して、光学的異方性が厚み方向
に主軸を有する一軸異方性の屈折率楕円体である基板か
らなる光ディスク上に照射し、該光ディスクからの反射
光を前記対物レンズ、前記偏光素子の順に通した後、前
記偏光分離素子で前記半導体レーザの偏光方向と直交す
る成分を分離し、該分離光を前記受光素子で受光するこ
と、或いは、(4)前記半導体レーザから放射された光
束を前記偏光分離素子、偏光素子、前記対物レンズの順
に通して、光学的異方性が厚み方向に主軸を有する一軸
異方性の屈折率楕円体である基板からなる光ディスク上
に照射し、該光ディスクからの反射光を前記対物レン
ズ、前記偏光素子の順に通した後、前記偏光分離素子で
前記半導体レーザの偏光方向と直交する成分を分離し、
該分離光を前記受光素子で受光することを特徴としたも
のである。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention irradiates a light beam emitted from a semiconductor laser onto an optical disc through a polarization separation element and an objective lens, and reflects light reflected from the optical disc. In an optical pickup device for receiving a light through a light receiving element through an objective lens and the polarization separation element and tracking a spot on the optical disc according to the output of the light receiving element, (1) the optical anisotropy has a main axis in the thickness direction. The optical disc, which has a substrate that is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid, and irradiates the optical flux through the polarization separation element, the objective lens, and the substrate onto the optical disc. After passing the reflected light from the substrate and the objective lens in this order, a component orthogonal to the polarization direction of the semiconductor laser is separated by the polarization separation element. Then, the separated light is received by the light receiving element, or (2) a polarizing element and a substrate which is a uniaxial anisotropic refractive index ellipsoid having a principal axis in the thickness direction. A light beam emitted from the semiconductor laser, the polarization separation element, the polarization element, the objective lens,
After irradiating the optical disc through the substrate in this order, and passing the reflected light from the optical disc through the substrate, the objective lens, and the polarizing element in this order, the polarization separating element is orthogonal to the polarization direction of the semiconductor laser. The components are separated and the separated light is received by the light receiving element, or (3) the light beam emitted from the semiconductor laser is the polarization separating element,
Through the order of the objective lenses, an optical disc made of a substrate which is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid whose optical anisotropy has a principal axis in the thickness direction is irradiated, and the reflected light from the optical disc is irradiated onto the optical disc. After passing through the polarizing element in this order, a component orthogonal to the polarization direction of the semiconductor laser is separated by the polarization separating element, and the separated light is received by the light receiving element, or (4) from the semiconductor laser The radiated light flux is passed through the polarization separation element, the polarization element, and the objective lens in this order, and the optical anisotropy is formed on a substrate which is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid having a principal axis in the thickness direction. After irradiating, the reflected light from the optical disc is passed through the objective lens and the polarization element in this order, and then the polarization separation element separates a component orthogonal to the polarization direction of the semiconductor laser,
The separated light is received by the light receiving element.

【0009】[0009]

【作用】[Action]

(1)半導体レーザからの光束を、対物レンズと光ディ
スクの間に配置した基板を介して光ディスクに照射し、
該光ディスクからの反射光を前記基板を介して2分割受
光素子で受光することにより、受光面上の分割線から離
れた位置に反射光がより強調されて照射されるように、
トラッキングエラー信号のオフセットの発生を小さくす
る。 (2)(1)の構成に加えて、対物レンズの前に光束に
位相差を与える偏光素子を配置することにより、受光素
子に照射される反射光を(1)よりもさらに限定された
位置に照射するようにし、(1)よりもさらにトラッキ
ングエラー信号のオフセットの発生を小さくする。 (3)光ディスクに光学的異方性が厚み方向に主軸を有
する一軸異方性の屈折率楕円体である材料を用いること
により、前記基板を使用することなく、前記基板を使用
した時と同等の作用をさせる。
(1) The optical disc is irradiated with the light flux from the semiconductor laser through a substrate arranged between the objective lens and the optical disc,
The reflected light from the optical disc is received by the two-divided light receiving element via the substrate, so that the reflected light is radiated with emphasis on the position apart from the dividing line on the light receiving surface.
Reduces the occurrence of tracking error signal offset. (2) In addition to the configuration of (1), by disposing a polarizing element that gives a phase difference to the light beam in front of the objective lens, the reflected light emitted to the light receiving element is positioned at a position more limited than that of (1). And the occurrence of the tracking error signal offset is made smaller than that in (1). (3) By using a material which is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid having a principal axis in the thickness direction for the optical disc, the same as when using the substrate without using the substrate To act.

【0010】[0010]

【実施例】図1は、請求項1の発明の実施例を説明する
ための図で、図1(a)は要部構成図、図1(b)は図
1(a)のB−B矢視図、図1(c)は光軸ずれが起き
た時の受光面の詳細図で、図中、1は半導体レーザ(L
D)、2はコリメートレンズ、3は偏光ビームスプリッ
タ(P偏光を略100%透過、S偏光を略100%反射
させる素子)、4は対物レンズ、5は光ディスク、6は
2分割受光素子(PD)、9は光学的異方性が厚み方向
に主軸を有する一軸異方性の屈折率楕円体である基板
(以下、基板という)である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS FIG. 1 is a diagram for explaining an embodiment of the invention of claim 1, FIG. 1 (a) is a main part configuration diagram, and FIG. 1 (b) is BB of FIG. 1 (a). FIG. 1 (c) is a detailed view of the light-receiving surface when the optical axis shift occurs, where 1 is a semiconductor laser (L
D), 2 is a collimating lens, 3 is a polarization beam splitter (an element that transmits approximately 100% of P-polarized light and reflects approximately 100% of S-polarized light), 4 is an objective lens, 5 is an optical disk, and 6 is a two-divided light receiving element (PD ) And 9 are substrates (hereinafter referred to as substrates) which are uniaxially anisotropic refractive index ellipsoids having a principal axis in the thickness direction.

【0011】半導体レーザ1から放射された光束は、コ
リメートレンズ2,偏光ビームスプリッタ3,対物レン
ズ4,基板9を経て光ディスク5に照射され、光ディス
ク5から反射された光は、基板9,対物レンズ4,偏光
ビームスプリッタ3を経て2分割受光素子6に入射す
る。この場合、半導体レーザ1からの収束光は、光学的
異方性が厚み方向に主軸を持つ一軸異方性の屈折率楕円
体である基板9に入射し、該基板9への入射角θが大き
く、かつ、半導体レーザ1(LD)の偏光方向と平行あ
るいは直交しない方向の光束が楕円偏光となり、光ディ
スク5に照射される。光ディスク5からの反射光は、前
記基板9を介して更に前述の楕円偏光が進み、対物レン
ズ4及び偏光分離素子3を介して2分割受光素子6に入
射される。
The light beam emitted from the semiconductor laser 1 is applied to the optical disk 5 through the collimator lens 2, the polarization beam splitter 3, the objective lens 4 and the substrate 9, and the light reflected from the optical disk 5 is the substrate 9 and the objective lens. 4, and enters the two-divided light receiving element 6 through the polarization beam splitter 3. In this case, the convergent light from the semiconductor laser 1 is incident on the substrate 9 which is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid whose optical anisotropy has the main axis in the thickness direction, and the incident angle θ on the substrate 9 is A large light beam in a direction parallel or not orthogonal to the polarization direction of the semiconductor laser 1 (LD) becomes elliptically polarized light and is irradiated onto the optical disc 5. The reflected light from the optical disk 5 is further propagated through the substrate 9 into the above-mentioned elliptically polarized light, and is incident on the two-divided light receiving element 6 via the objective lens 4 and the polarization separation element 3.

【0012】図2乃至図4は、図1に示した例におい
て、受光素子(PD)6が受光する光量を説明するため
のグラフで、rは半導体レーザ1から放射された光が上
記経路を経て受光素子6に到達する割合、すなわち、光
量比、αは受光素子6上におけるLD初期偏光方向Xに
対する方位角、θは基板9に入射する光の入射角であ
る。基板9の異常光線に対する屈折率をne、常光線に
対する屈折率をno、異常光線に対する屈折率neと常光
線に対する屈折率noとの差をΔ(=ne−no)、基板
9の厚さをt(mm)とすると、図2は、Δ=0.00
06,t=1.2の時の、図3は、Δ=0.0012,t
=1.2の時の、図4は、Δ=0.0018,t=1.2
の時の各入射角θにおける方位角αと光量比rの関係を
示したもので、図2〜図4に示したいずれの例において
も、各入射角θにおける光量比rは、方位角α=45
°,135°,225°,315°で最大となり、方位
角α=0°(360°),90°,180°,270°
で最小(r=0)となる。
FIGS. 2 to 4 are graphs for explaining the amount of light received by the light receiving element (PD) 6 in the example shown in FIG. 1. r is the light emitted from the semiconductor laser 1 in the above path. After that, the ratio of reaching the light receiving element 6, that is, the light amount ratio, α is the azimuth angle with respect to the LD initial polarization direction X on the light receiving element 6, and θ is the incident angle of light incident on the substrate 9. The refractive index n e for extraordinary ray of the substrate 9, the refractive index with respect to ordinary rays n o, the difference between the refractive index n o for the refractive index n e and the ordinary ray for the extraordinary ray Δ (= n e -n o) , When the thickness of the substrate 9 is t (mm), Δ = 0.00 in FIG.
FIG. 3 shows that when 06, t = 1.2, Δ = 0.0012, t
= 1.2, FIG. 4 shows Δ = 0.0018, t = 1.2.
The relationship between the azimuth angle α and the light amount ratio r at each incident angle θ at the time of is shown. In any of the examples shown in FIGS. 2 to 4, the light amount ratio r at each incident angle θ is equal to the azimuth angle α. = 45
Maximum at °, 135 °, 225 °, 315 °, azimuth α = 0 ° (360 °), 90 °, 180 °, 270 °
Is minimum (r = 0).

【0013】基板9の材質としては、KDP(リン酸二
水素カリウム)、ADP(リン酸二水素アンモニウ
ム)、方解石、サファイヤ、ZnS、LN、水晶、ポリ
カーボネート等が好適である。例えば、基板9として水
晶を用いる場合、水晶の前記屈折率の差Δ1は0.008
9なので、図2〜図4に示した例と同様の結果を得るた
めの水晶の基板の厚さt1を求めると、図2に示した例
と同様の結果を得るためには、t1=0.0006/0.
0089×1.2=0.08(mm)となり、図3に示し
た例と同様の結果を得るためには、t1=0.0012/
0.0089×1.2=0.16(mm)となり、図4に
示した例と同様の結果を得るためには、t1=0.001
8/0.0089×1.2=0.24(mm)となる。
Suitable materials for the substrate 9 are KDP (potassium dihydrogen phosphate), ADP (ammonium dihydrogen phosphate), calcite, sapphire, ZnS, LN, quartz, polycarbonate, and the like. For example, when a crystal is used as the substrate 9, the difference Δ 1 in the refractive index of the crystal is 0.008.
Therefore, if the thickness t 1 of the quartz substrate for obtaining the same result as in the example shown in FIGS. 2 to 4 is obtained, t 1 is obtained in order to obtain the same result as in the example shown in FIG. = 0.0006 / 0.
0089 × 1.2 = 0.08 (mm), and in order to obtain the same result as the example shown in FIG. 3, t 1 = 0.0012 /
Since 0.0089 × 1.2 = 0.16 (mm), in order to obtain the same result as the example shown in FIG. 4, t 1 = 0.001
It is 8 / 0.0089 × 1.2 = 0.24 (mm).

【0014】また、基板9としてポリカーボネートを用
いる場合、ポリカーボネートの前記屈折率の差Δ2は約
0.0006なので、ポリカーボネートの基板の厚さt2
が1.2mmの時、図2に示した例と同様の結果が得ら
れる。
When polycarbonate is used as the substrate 9, since the difference Δ 2 in refractive index of polycarbonate is about 0.0006, the thickness t 2 of the substrate of polycarbonate is t 2.
When is 1.2 mm, the same result as the example shown in FIG. 2 is obtained.

【0015】図1(a)に示したように、半導体レーザ
1から放射された光束は、コリメートレンズ2で略平行
光となり、偏光分離素子である偏光ビームスプリッタ3
にP偏光で入射し、略100%の光束が対物レンズ4に
入射し収束光となる。対物レンズ4からの収束光は、基
板9に入射し、前述のように、基板9への入射角θが大
きく、すなわち、θ=25〜30°、かつ、LD初期偏
光方向Xと平行、あるいは直交しない方位角α、すなわ
ち、α=0°(360°),90°,180°,270
°以外の光束が楕円偏光となり、光ディスク5に照射さ
れる。光ディスク5からの反射光は基板9を介し、前述
の部分的な楕円偏光化がさらに進み、対物レンズ4を介
して偏光ビームスプリッタ3により、S偏光成分、つま
り楕円偏光の進んだ部分のみが反射され2分割受光素子
6に入射する。
As shown in FIG. 1 (a), the light beam emitted from the semiconductor laser 1 becomes substantially parallel light by the collimator lens 2, and the polarization beam splitter 3 which is a polarization separation element.
Is incident on the objective lens 4 as P-polarized light. The convergent light from the objective lens 4 enters the substrate 9, and as described above, the incident angle θ on the substrate 9 is large, that is, θ = 25 to 30 °, and parallel to the LD initial polarization direction X, or Non-orthogonal azimuth angle α, that is, α = 0 ° (360 °), 90 °, 180 °, 270
Light beams other than ° become elliptically polarized light, and are irradiated onto the optical disc 5. The light reflected from the optical disk 5 is further partially elliptically polarized through the substrate 9 and is reflected by the polarization beam splitter 3 through the objective lens 4 to reflect only the S-polarized component, that is, the elliptically polarized light. It is incident on the two-divided light receiving element 6.

【0016】図2〜図4に示したグラフからわかるよう
に、2分割受光素子の受光面7には、図1(b)に示し
たように、LD初期偏光方向Xに対して方位角αが概ね
45°,135°,225°,315°の方向の4ケ所
に光ディスク5からの反射光の一部Sが照射され、受光
面7a、および、受光面7bから出力される信号を各々
7a、および7bとすると、トラッキングエラー信号T
E=7a−7bを得ることができる。
As can be seen from the graphs shown in FIGS. 2 to 4, the light receiving surface 7 of the two-divided light receiving element has an azimuth angle α with respect to the LD initial polarization direction X as shown in FIG. Are irradiated with a part S of the reflected light from the optical disk 5 at four positions in the directions of approximately 45 °, 135 °, 225 °, and 315 °, and the signals output from the light receiving surface 7a and the light receiving surface 7b are respectively 7a. , And 7b, the tracking error signal T
E = 7a-7b can be obtained.

【0017】この発明により、図1(c)に示したよう
に、受光面7の分割線上8には光ディスク5からの反射
光Sをほとんど受光しないため、光軸ずれ△Sがあって
も受光面7aと受光面7bの出力の差は小さく、トラッ
キングエラー信号TEのオフセットの発生を小さくする
ことができる。
According to the present invention, as shown in FIG. 1 (c), almost no reflected light S from the optical disk 5 is received on the dividing line 8 of the light receiving surface 7, so that even if there is an optical axis deviation ΔS, it is received. The difference between the outputs of the surface 7a and the light receiving surface 7b is small, and the occurrence of offset of the tracking error signal TE can be reduced.

【0018】図5は、請求項2の発明の実施例を説明す
るための図で、図5(a)は要部構成図、図5(b)は
図5(a)のB−B矢視図、図5(c)は光軸ずれが起
きた時の受光面の詳細図で、図1で示した例の構成に加
えて、光束に45°の位相差を与えるλ/8板(偏光素
子)10を偏光ビームスプリッタ3と対物レンズ4との
間に配置し、さらに、光ディスク5を該光ディスク5の
トラック方向TがLD初期偏光方向Xに対して45°の
角度をなすように配置し、2分割受光素子6を該2分割
受光素子6の分割線8がLD初期偏光方向Xに対して4
5°の角度をなすように配置したものである。
FIG. 5 is a diagram for explaining an embodiment of the invention of claim 2, FIG. 5 (a) is a main part configuration diagram, and FIG. 5 (b) is a BB arrow of FIG. 5 (a). FIG. 5C is a detailed view of the light-receiving surface when the optical axis shift occurs. In addition to the configuration of the example shown in FIG. 1, a λ / 8 plate () which gives a phase difference of 45 ° to the light flux ( (Polarizing element) 10 is arranged between the polarizing beam splitter 3 and the objective lens 4, and the optical disc 5 is arranged so that the track direction T of the optical disc 5 forms an angle of 45 ° with the LD initial polarization direction X. And the split line 8 of the two-divided light receiving element 6 is 4 with respect to the LD initial polarization direction X.
It is arranged so as to form an angle of 5 °.

【0019】図6および図7は、図5に示した例におい
て、受光素子(PD)6が受光する光量を説明するため
のグラフで、図6は、前記屈折率の差Δ=0.000
6、基板9の厚さt=1.2mmの時の、図7は、Δ=
0.0012、t=1.2の時の各入射角θにおける方位
角αと光量比rの関係を示したものである。図6に示し
た例では、各入射角θにおける光量比rは、方位角α=
135°,315°で最大となり、方位角α=45°,
225°で最小となる。また、図7に示した例では、入
射角θ=30°を除く各入射角θにおける光量比rは、
方位角α=135°,315°で最大となり、方位角α
=45°,225°で最小となる。
FIGS. 6 and 7 are graphs for explaining the amount of light received by the light receiving element (PD) 6 in the example shown in FIG. 5, and FIG. 6 shows the difference in refractive index Δ = 0.000.
6, when the thickness t of the substrate 9 = 1.2 mm, Δ =
It shows the relationship between the azimuth angle α and the light amount ratio r at each incident angle θ when 0.0012 and t = 1.2. In the example shown in FIG. 6, the light amount ratio r at each incident angle θ is equal to the azimuth angle α =
Maximum at 135 ° and 315 °, azimuth α = 45 °,
It becomes a minimum at 225 °. Further, in the example shown in FIG. 7, the light amount ratio r at each incident angle θ except the incident angle θ = 30 ° is
Azimuth α = 135 °, maximum at 315 °, azimuth α
It becomes the minimum at = 45 ° and 225 °.

【0020】基板9の材質としては、図1に示した例と
同様のものが好適であるが、例えば、基板7として水晶
を用いる場合、図1に示した例と同様の計算により、図
6および図7に示した例と同様の結果を得るための水晶
の基板の厚さt1は、各々t1=0.008(mm)およ
び0.24(mm)となる。また、基板9としてポリカ
ーボネートを用いる場合、図1に示した例と同様の計算
により、図6に示した例と同様の結果を得るためのポリ
カーボネートの基板の厚さt2は1.2mmとなる。
As the material of the substrate 9, the same material as in the example shown in FIG. 1 is suitable. For example, when quartz is used as the substrate 7, the same calculation as in the example shown in FIG. And, the thickness t 1 of the quartz substrate for obtaining the same result as the example shown in FIG. 7 is t 1 = 0.008 (mm) and 0.24 (mm), respectively. Further, when polycarbonate is used as the substrate 9, the thickness t 2 of the polycarbonate substrate for obtaining the same result as in the example shown in FIG. 6 is 1.2 mm by the same calculation as in the example shown in FIG. .

【0021】図5(a)に示したように、半導体レーザ
1から放射された光束は、図1に示した例と同様な過程
を経て、偏光ビームスプリッタ3からλ/8偏光板10
に入射し、ここで45°の位相差が与えられる。45°
の位相差が与えられた光束は、対物レンズ4を経て基板
9に入射し、前述のように、方位角αが45°と225
°の光束は位相差が小さくなり、すなわち、楕円偏光が
直線偏光に近づき、方位角αが135°と315°の光
束は位相差がさらに大きくなって、すなわち、楕円偏光
がさらに進んで、光ディスク5に照射される。
As shown in FIG. 5A, the light beam emitted from the semiconductor laser 1 goes through the same process as in the example shown in FIG.
At a phase difference of 45 °. 45 °
The light flux to which the phase difference of 2 is given enters the substrate 9 through the objective lens 4, and as described above, the azimuth angles α are 45 ° and 225 °.
The phase difference of the light beam of 90 ° becomes small, that is, the elliptically polarized light approaches the linearly polarized light, and the light beams of azimuth angles α of 135 ° and 315 ° have the larger phase difference, that is, the elliptically polarized light further advances, It is irradiated to 5.

【0022】光ディスク5からの反射光は、基板9,対
物レンズ4,λ/8板10を介し、偏光ビームスプリッ
タ3によりS偏光成分が2分割受光素子6の方向に反射
されて、2分割受光素子6に入射し、図6および図7に
示したグラフからわかるように、受光面7上の反射光S
は、方位角αが概ね135°と315°の方向のものが
強調される。
The reflected light from the optical disk 5 passes through the substrate 9, the objective lens 4 and the λ / 8 plate 10, and the S-polarized light component is reflected by the polarization beam splitter 3 toward the two-divided light receiving element 6 to receive the two-divided light. As reflected from the graphs shown in FIGS. 6 and 7, the reflected light S on the light-receiving surface 7 is incident on the element 6.
Is emphasized when the azimuth angle α is approximately 135 ° and 315 °.

【0023】この発明により、図5(b)に示したよう
に、光ディスク5上のトラックはLD初期偏光方向Xに
対して45°傾いており、2分割受光素子6も光ディス
ク5上のトラック方向Tと分割線8が一致するように、
すなわち、LD初期偏光方向Xに対して45°傾いてい
るので、反射光Sは、図1に示した例よりも分割線8か
らさらに離れた位置が強調されて照射されており、図5
(c)に示したように、光軸ずれ△Sがあってもトラッ
キングエラー信号TEのオフセットの発生を図1に示し
た例よりもさらに小さくすることができる。
According to the present invention, as shown in FIG. 5B, the track on the optical disk 5 is inclined by 45 ° with respect to the LD initial polarization direction X, and the two-divided light receiving element 6 is also in the track direction on the optical disk 5. So that T and dividing line 8 match
That is, since the LD is inclined by 45 ° with respect to the initial polarization direction X, the reflected light S is emitted while being emphasized at a position farther from the dividing line 8 than in the example shown in FIG.
As shown in (c), even if there is an optical axis shift ΔS, the occurrence of offset of the tracking error signal TE can be made smaller than that in the example shown in FIG.

【0024】図8は、請求項3の発明の実施例を説明す
るための要部構成図で、図中、15は図1に示した例の
基板9と同じ材質、すなわち、光学的異方性が厚み方向
に主軸を有する一軸異方性の屈折率楕円体を用いた光デ
ィスクである。この例は、光ディスク15に前記基板9
の機能を持たせたもので、光ディスク15は、例えば、
ポリカーボネートを用いて作ることが可能で、その場
合、2分割受光素子6上には、図2で示したような光量
比を得ることができる。
FIG. 8 is a main part configuration diagram for explaining an embodiment of the invention of claim 3, in which 15 is the same material as the substrate 9 of the example shown in FIG. 1, that is, an optically anisotropic material. An optical disc using a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid having a principal axis in the thickness direction. In this example, the optical disc 15 is mounted on the substrate 9
The optical disc 15 has, for example,
It can be made of polycarbonate, in which case the light quantity ratio as shown in FIG. 2 can be obtained on the two-divided light receiving element 6.

【0025】この発明により、図1に示した例と対比す
るとわかるように、図1に示した例における基板9を用
いることなく、図1に示した例と同等の効果を得ること
ができる。
According to the present invention, as can be seen by comparison with the example shown in FIG. 1, the same effect as that of the example shown in FIG. 1 can be obtained without using the substrate 9 in the example shown in FIG.

【0026】図9は、請求項4の発明の実施例を説明す
るための要部構成図で、15は図5に示した例の基板9
と同じ材質を用いた光ディスクである。この例は、光デ
ィスク15に前記基板9の機能を持たせたもので、光デ
ィスク15は、例えば、ポリカーボネートを用いて作る
ことが可能で、その場合、2分割受光素子6上には、図
6で示したような光量比を得ることができる。
FIG. 9 is a schematic view of the essential portions for explaining the embodiment of the invention of claim 4, and 15 is the substrate 9 of the example shown in FIG.
It is an optical disc using the same material as. In this example, an optical disk 15 is provided with the function of the substrate 9, and the optical disk 15 can be made of, for example, polycarbonate. The light quantity ratio as shown can be obtained.

【0027】この発明により、図5に示した例と対比す
るとわかるように、図5に示した例における基板9を用
いることなく、図5に示した例と同等の効果を得ること
ができる。
According to the present invention, as can be seen by comparison with the example shown in FIG. 5, the same effect as that of the example shown in FIG. 5 can be obtained without using the substrate 9 in the example shown in FIG.

【0028】上述の発明において、前記基板9と該基板
の材質を用いた光ディスク15を同時に使用してもよい
ことは言うまでもない。また、偏光ビームスプリッタ3
に対する半導体レーザ1およびコリメートレンズ2と、
2分割受光素子6の位置関係は逆でもさしつかえない
(LD偏光方向Xの向きを90°変えるだけでよい)
し、基板9を対物レンズ4に接着してもよいし、基板9
を光ピックアップ本体に固定してもよいことは容易に理
解できよう。
In the above invention, it goes without saying that the substrate 9 and the optical disk 15 made of the material of the substrate may be used at the same time. In addition, the polarization beam splitter 3
A semiconductor laser 1 and a collimating lens 2 for
The position relationship of the two-divided light receiving element 6 may be reversed (it is only necessary to change the direction of the LD polarization direction X by 90 °).
Then, the substrate 9 may be adhered to the objective lens 4, or the substrate 9
It can be easily understood that the can be fixed to the optical pickup body.

【0029】[0029]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によると、以下のような効果がある。 (1)請求項1及び2に対応する効果:半導体レーザか
らの光束を、対物レンズと光ディスクの間に配置した光
学的異方性が厚み方向に主軸を有する一軸異方性の屈折
率楕円体である基板を介して光ディスクに照射し、該光
ディスクからの反射光を前記基板を介して2分割受光素
子で受光することにより、更には、対物レンズの前に配
置した偏光素子を介して前記光束を光ディスクに照射
し、該光ディスクからの反射光を前記偏光素子を介して
2分割受光素子で受光することにより、対物レンズのあ
る一部分に対応する光束のみをトラック検出用2分割受
光素子に導くことができ、これにより、2分割受光素子
の分割線上の光束の強度を小さくすることができるの
で、光軸ずれによるトラック検出誤差を軽減することが
可能である。 (2)請求項3及び4に対応する効果:光ディスク自体
を前記基板と同じ材質を用いて作ることにより、前記基
板を使用することなく、前記基板を使用した時と同等の
効果を得ることができる。
As is apparent from the above description, the present invention has the following effects. (1) Effects corresponding to Claims 1 and 2: A uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid in which a light beam from a semiconductor laser is arranged between an objective lens and an optical disk and the optical anisotropy has a principal axis in the thickness direction. By irradiating the optical disc through the substrate, which is the optical disc, and receiving the reflected light from the optical disc by the two-division light receiving element through the substrate, the light flux is further transmitted through the polarizing element arranged in front of the objective lens. The optical disc and the reflected light from the optical disc is received by the two-division light receiving element via the polarizing element, so that only the light flux corresponding to a part of the objective lens is guided to the two-division light receiving element for track detection. As a result, the intensity of the light beam on the dividing line of the two-division light receiving element can be reduced, so that it is possible to reduce the track detection error due to the optical axis shift. (2) Effects corresponding to claims 3 and 4: By making the optical disk itself using the same material as the substrate, the same effect as when using the substrate can be obtained without using the substrate. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 請求項1の発明の実施例を説明するための要
部構成図である。
FIG. 1 is a main part configuration diagram for explaining an embodiment of the invention of claim 1;

【図2】 図1に示した例における受光素子が受光する
光量を説明するための図である。
FIG. 2 is a diagram for explaining the amount of light received by a light receiving element in the example shown in FIG.

【図3】 図1に示した例における受光素子が受光する
光量を説明するための図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining the amount of light received by a light receiving element in the example shown in FIG.

【図4】 図1に示した例における受光素子が受光する
光量を説明するための図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining the amount of light received by a light receiving element in the example shown in FIG.

【図5】 請求項2の発明の実施例を説明するための要
部構成図である。
FIG. 5 is a main part configuration diagram for explaining an embodiment of the invention of claim 2;

【図6】 図5に示した例における受光素子が受光する
光量を説明するための図である。
6 is a diagram for explaining the amount of light received by a light receiving element in the example shown in FIG.

【図7】 図5に示した例における受光素子が受光する
光量を説明するための図である。
7 is a diagram for explaining the amount of light received by a light receiving element in the example shown in FIG.

【図8】 請求項3の発明の実施例を説明するための要
部構成図である。
FIG. 8 is a main part configuration diagram for explaining an embodiment of the invention of claim 3;

【図9】 請求項4の発明の実施例を説明するための要
部構成図である。
FIG. 9 is a main part configuration diagram for explaining an embodiment of the invention of claim 4;

【図10】 従来の光ピックアップ装置の一例を説明す
るための要部構成図である。
FIG. 10 is a main part configuration diagram for explaining an example of a conventional optical pickup device.

【図11】 図10に示した例におけるトラッキングエ
ラー信号を説明するための図である。
11 is a diagram for explaining a tracking error signal in the example shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…半導体レーザ、2…コリメートレンズ、3…偏光ビ
ームスプリッタ(偏光分離素子)、4…対物レンズ、5
…光ディスク、6…2分割受光素子、7…受光面、8…
分割線、9…光学的異方性が厚み方向に主軸を有する一
軸異方性の屈折率楕円体である基板、10…λ/8板
(偏光素子)、15…光学的異方性が厚み方向に主軸を
有する一軸異方性の屈折率楕円体である基板を用いた光
ディスク。
1 ... Semiconductor laser, 2 ... Collimating lens, 3 ... Polarizing beam splitter (polarization separating element), 4 ... Objective lens, 5
... Optical disc, 6 ... Two-division light receiving element, 7 ... Light receiving surface, 8 ...
Dividing line, 9 ... Substrate which is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid having a principal axis in the thickness direction, 10 ... λ / 8 plate (polarizing element), 15 ... Optical anisotropy is thickness An optical disc using a substrate which is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid having a principal axis in the direction.

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体レーザから放射された光束を偏光
分離素子及び対物レンズを通して光ディスク上に照射
し、該光ディスクからの反射光を前記対物レンズ及び前
記偏光分離素子を通して受光素子で受光し、該受光素子
の出力に応じて前記光ディスク上のスポットのトラッキ
ングを行なう光ピックアップ装置において、光学的異方
性が厚み方向に主軸を有する一軸異方性の屈折率楕円体
である基板を有し、前記半導体レーザから放射された光
束を前記偏光分離素子、前記対物レンズ、前記基板の順
に通して前記光ディスク上に照射し、該光ディスクから
の反射光を前記基板、前記対物レンズの順に通した後、
前記偏光分離素子で前記半導体レーザの偏光方向と直交
する成分を分離し、該分離光を前記受光素子で受光する
ことを特徴とする光ピックアップ装置。
1. A light beam emitted from a semiconductor laser is irradiated onto an optical disk through a polarization separating element and an objective lens, and reflected light from the optical disk is received by a light receiving element through the objective lens and the polarization separating element, and the received light is received. In an optical pickup device for tracking a spot on the optical disk according to the output of an element, the optical anisotropy includes a substrate which is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid having a principal axis in the thickness direction, After the light beam emitted from the laser passes through the polarization separation element, the objective lens, and the substrate in this order to irradiate the optical disc, and the reflected light from the optical disc passes through the substrate and the objective lens in this order,
An optical pickup device, wherein a component orthogonal to a polarization direction of the semiconductor laser is separated by the polarization separating element, and the separated light is received by the light receiving element.
【請求項2】 半導体レーザから放射された光束を偏光
分離素子及び対物レンズを通して光ディスク上に照射
し、該光ディスクからの反射光を前記対物レンズ及び前
記偏光分離素子を通して受光素子で受光し、該受光素子
の出力に応じて前記光ディスク上のスポットのトラッキ
ングを行なう光ピックアップ装置において、偏光素子
と、光学的異方性が厚み方向に主軸を有する一軸異方性
の屈折率楕円体である基板を有し、前記半導体レーザか
ら放射された光束を前記偏光分離素子、前記偏光素子、
前記対物レンズ、前記基板の順に通して前記光ディスク
上に照射し、該光ディスクからの反射光を前記基板、前
記対物レンズ、前記偏光素子の順に通した後、前記偏光
分離素子で前記半導体レーザの偏光方向と直交する成分
を分離し、該分離光を前記受光素子で受光することを特
徴とする光ピックアップ装置。
2. A light beam emitted from a semiconductor laser is irradiated onto an optical disk through a polarization separating element and an objective lens, and reflected light from the optical disk is received by a light receiving element through the objective lens and the polarization separating element, and the received light is received. In an optical pickup device for tracking a spot on the optical disk according to the output of the element, a polarizing element and a substrate whose optical anisotropy is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid having a principal axis in the thickness direction are included. Then, the light beam emitted from the semiconductor laser is the polarization separation element, the polarization element,
After irradiating the optical disc through the objective lens and the substrate in this order, and passing the reflected light from the optical disc through the substrate, the objective lens, and the polarizing element in this order, polarization of the semiconductor laser is performed by the polarization separating element. An optical pickup device, wherein a component orthogonal to the direction is separated, and the separated light is received by the light receiving element.
【請求項3】 半導体レーザから放射された光束を偏光
分離素子及び対物レンズを通して光ディスク上に照射
し、該光ディスクからの反射光を前記対物レンズ及び前
記偏光分離素子を通して受光素子で受光し、該受光素子
の出力に応じて前記光ディスク上のスポットのトラッキ
ングを行なう光ピックアップ装置において、前記半導体
レーザから放射された光束を前記偏光分離素子、前記対
物レンズの順に通して、光学的異方性が厚み方向に主軸
を有する一軸異方性の屈折率楕円体である基板からなる
光ディスク上に照射し、該光ディスクからの反射光を前
記対物レンズ、前記偏光素子の順に通した後、前記偏光
分離素子で前記半導体レーザの偏光方向と直交する成分
を分離し、該分離光を前記受光素子で受光することを特
徴とする光ディスク装置における光ピックアップ方法。
3. A light beam emitted from a semiconductor laser is irradiated onto an optical disk through a polarization separating element and an objective lens, and reflected light from the optical disk is received by a light receiving element through the objective lens and the polarization separating element, and the received light is received. In an optical pickup device for tracking a spot on the optical disc according to the output of an element, a light beam emitted from the semiconductor laser is passed through the polarization separation element and the objective lens in this order, and optical anisotropy is measured in the thickness direction. After irradiating on an optical disk made of a substrate which is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid having a principal axis, the reflected light from the optical disk is passed through the objective lens and the polarization element in this order, and then the polarization separation element An optical disk device characterized in that a component orthogonal to the polarization direction of a semiconductor laser is separated and the separated light is received by the light receiving element. Pickup method in storage.
【請求項4】 半導体レーザから放射された光束を偏光
分離素子及び対物レンズを通して光ディスク上に照射
し、該光ディスクからの反射光を前記対物レンズ及び前
記偏光分離素子を通して受光素子で受光し、該受光素子
の出力に応じて前記光ディスク上のスポットのトラッキ
ングを行なう光ピックアップ装置において、前記半導体
レーザから放射された光束を前記偏光分離素子、偏光素
子、前記対物レンズの順に通して、光学的異方性が厚み
方向に主軸を有する一軸異方性の屈折率楕円体である基
板からなる光ディスク上に照射し、該光ディスクからの
反射光を前記対物レンズ、前記偏光素子の順に通した
後、前記偏光分離素子で前記半導体レーザの偏光方向と
直交する成分を分離し、該分離光を前記受光素子で受光
することを特徴とする光ディスク装置における光ピック
アップ方法。
4. A light beam emitted from a semiconductor laser is irradiated onto an optical disk through a polarization separating element and an objective lens, and reflected light from the optical disk is received by a light receiving element through the objective lens and the polarization separating element, and the received light is received. In an optical pickup device that tracks a spot on the optical disk according to the output of an element, the light beam emitted from the semiconductor laser is passed through the polarization separation element, the polarization element, and the objective lens in this order to obtain an optical anisotropy. Is irradiated onto an optical disk made of a substrate which is a uniaxially anisotropic refractive index ellipsoid having a principal axis in the thickness direction, and reflected light from the optical disk is passed through the objective lens and the polarizing element in this order, and then the polarized light is separated. An element separates a component orthogonal to the polarization direction of the semiconductor laser, and the separated light is received by the light receiving element. Optical pickup method in disk device.
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