JPH08264444A - 回路パターンの製造方法及び装置とこの方法による集積回路 - Google Patents
回路パターンの製造方法及び装置とこの方法による集積回路Info
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- JPH08264444A JPH08264444A JP7063665A JP6366595A JPH08264444A JP H08264444 A JPH08264444 A JP H08264444A JP 7063665 A JP7063665 A JP 7063665A JP 6366595 A JP6366595 A JP 6366595A JP H08264444 A JPH08264444 A JP H08264444A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 製作が困難でありかつ変更が不可能な回路用
のマスクを用いることなく、少ない製造工程で強固な回
路パターンを形成することができる回路パターンの製造
方法及び装置とこの方法による集積回路を提供する。 【構成】 真空チャンバー２２内に金属プラズマを形成
し、電界により金属プラズマから金属イオンビーム３８
を発生させるイオンビーム発生装置２０と、磁界により
金属イオンビームを細く絞る電子レンズ１２と、偏向電
界により金属イオンビームを偏向させ基板１の所定位置
に照射する偏向装置１４とを備え、これにより基板１上
に導電性金属膜２を形成する。
のマスクを用いることなく、少ない製造工程で強固な回
路パターンを形成することができる回路パターンの製造
方法及び装置とこの方法による集積回路を提供する。 【構成】 真空チャンバー２２内に金属プラズマを形成
し、電界により金属プラズマから金属イオンビーム３８
を発生させるイオンビーム発生装置２０と、磁界により
金属イオンビームを細く絞る電子レンズ１２と、偏向電
界により金属イオンビームを偏向させ基板１の所定位置
に照射する偏向装置１４とを備え、これにより基板１上
に導電性金属膜２を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、金属イオンビームによ
る回路パターンの製造方法及び装置とこの方法による集
積回路に関する。
る回路パターンの製造方法及び装置とこの方法による集
積回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】ネガティブのホトレジスト、例えばＫＴ
ＦＲ（Kodak Thin Film Resist）は、紫外線等の光を当
てると連鎖状に繋がって重合し、現像処理によりその部
分だけを容易に除去できることが知られている。この特
性を利用し、光の代わりに電子ビームを用いることによ
り、製作が困難でありかつ変更が不可能な回路用のマス
クを用いることなく、集積回路の回路パターンを製造す
ることができる。
ＦＲ（Kodak Thin Film Resist）は、紫外線等の光を当
てると連鎖状に繋がって重合し、現像処理によりその部
分だけを容易に除去できることが知られている。この特
性を利用し、光の代わりに電子ビームを用いることによ
り、製作が困難でありかつ変更が不可能な回路用のマス
クを用いることなく、集積回路の回路パターンを製造す
ることができる。
【０００３】図４は、電子ビームを用いた回路パターン
の製造原理図である。まず、シリコンウエハ（Ｓｉ）の
表面を酸化してＳｉＯ2 とし、その表面に配線用アルミ
ニウムを真空蒸着し、更にその上にホトレジスト（例え
ば、ＫＴＦＲ）を一定の厚さで塗布したものを準備す
る。次いで、（Ａ）電子ビームでホトレジスト上に任意
の回路パターンを露光し、（Ｂ）これを現像してホトレ
ジストの電子ビーム露光部を除去し、（Ｃ）更に、ホト
レジストの開口部を通して適当な薬品によりアルミニウ
ムをエッチングして除去し、（Ｄ）更にホトレジストを
溶剤で除去することにより、所望の回路パターンをもっ
た集積回路を製造することができる。
の製造原理図である。まず、シリコンウエハ（Ｓｉ）の
表面を酸化してＳｉＯ2 とし、その表面に配線用アルミ
ニウムを真空蒸着し、更にその上にホトレジスト（例え
ば、ＫＴＦＲ）を一定の厚さで塗布したものを準備す
る。次いで、（Ａ）電子ビームでホトレジスト上に任意
の回路パターンを露光し、（Ｂ）これを現像してホトレ
ジストの電子ビーム露光部を除去し、（Ｃ）更に、ホト
レジストの開口部を通して適当な薬品によりアルミニウ
ムをエッチングして除去し、（Ｄ）更にホトレジストを
溶剤で除去することにより、所望の回路パターンをもっ
た集積回路を製造することができる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した従来
の回路パターンの製造手段は、アルミニウムの蒸着、ホ
トレジストの塗布、電子ビームの露光、アルミニウムの
エッチング、ホトレジストの除去、等の多数の製造工程
を必要とする問題点があった。また、かかる手段により
製造された回路パターンは、蒸着によりアルミニウムが
ＳｉＯ2 の表面に接合されているだけのため、アルミニ
ウムとＳｉＯ2 と結合が弱く、アルミニウムが剥離して
欠陥を生じる場合があった。
の回路パターンの製造手段は、アルミニウムの蒸着、ホ
トレジストの塗布、電子ビームの露光、アルミニウムの
エッチング、ホトレジストの除去、等の多数の製造工程
を必要とする問題点があった。また、かかる手段により
製造された回路パターンは、蒸着によりアルミニウムが
ＳｉＯ2 の表面に接合されているだけのため、アルミニ
ウムとＳｉＯ2 と結合が弱く、アルミニウムが剥離して
欠陥を生じる場合があった。
【０００５】本発明は、かかる問題点を解決するために
創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、製
作が困難でありかつ変更が不可能な回路用のマスクを用
いることなく、少ない製造工程で強固な回路パターンを
形成することができる回路パターンの製造方法及び装置
とこの方法による集積回路を提供することにある。
創案されたものである。すなわち、本発明の目的は、製
作が困難でありかつ変更が不可能な回路用のマスクを用
いることなく、少ない製造工程で強固な回路パターンを
形成することができる回路パターンの製造方法及び装置
とこの方法による集積回路を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、真空チ
ャンバー内に金属プラズマを形成し、電界により金属プ
ラズマから金属イオンビームを発生させ、磁界により金
属イオンビームを細く絞り、偏向電界により金属イオン
ビームを偏向させて基板の所定位置に照射し、これによ
り基板上に導電性金属膜を形成する、ことを特徴とする
回路パターンの製造方法が提供される。本発明の好まし
い実施例によれば、真空チャンバー内を真空に保持し、
アノードとカソードとの間に真空アーク放電を発生させ
てカソード物質の金属プラズマを形成し、この状態で真
空チャンバー内の真空度を１０-5〜１０-6Torrに保ち、
磁場により金属プラズマを一時的に封じ込め、電界によ
り金属プラズマから金属イオンビームを発生させる。
ャンバー内に金属プラズマを形成し、電界により金属プ
ラズマから金属イオンビームを発生させ、磁界により金
属イオンビームを細く絞り、偏向電界により金属イオン
ビームを偏向させて基板の所定位置に照射し、これによ
り基板上に導電性金属膜を形成する、ことを特徴とする
回路パターンの製造方法が提供される。本発明の好まし
い実施例によれば、真空チャンバー内を真空に保持し、
アノードとカソードとの間に真空アーク放電を発生させ
てカソード物質の金属プラズマを形成し、この状態で真
空チャンバー内の真空度を１０-5〜１０-6Torrに保ち、
磁場により金属プラズマを一時的に封じ込め、電界によ
り金属プラズマから金属イオンビームを発生させる。
【０００７】また、本発明によれば、真空チャンバー内
に金属プラズマを形成し、電界により金属プラズマから
金属イオンビームを発生させるイオンビーム発生装置
と、磁界により金属イオンビームを細く絞る電子レンズ
と、偏向電界により金属イオンビームを偏向させ基板の
所定位置に照射する偏向装置と、を備え、これにより基
板上に導電性金属膜を形成する、ことを特徴とする回路
パターンの製造装置が提供される。本発明の好ましい実
施例によれば、前記偏向装置は、金属イオンビームに直
交して対向する２対の電極板と、該２対の電極板の間に
偏向電界を形成して金属イオンビームを偏向させて基板
上を走査する走査制御装置と、を有する。また、前記イ
オンビーム発生装置は、仕切り板で第１チャンバーと第
２チャンバーに区分された真空容器と、第１チャンバー
内に配置され負に印加されるカソードと、該カソードに
対向する位置の前記仕切り板に設けられ第１貫通孔を有
する第１アノードと、カソードと第１貫通孔を結ぶ軸線
上の第２チャンバー壁に設けられ第２貫通孔を有する第
２アノードと、該第２アノードに隣接してカソードと反
対側に設けられ金属プラズマから金属イオンビームを発
生させるイオンビーム抽出電極と、を備える。
に金属プラズマを形成し、電界により金属プラズマから
金属イオンビームを発生させるイオンビーム発生装置
と、磁界により金属イオンビームを細く絞る電子レンズ
と、偏向電界により金属イオンビームを偏向させ基板の
所定位置に照射する偏向装置と、を備え、これにより基
板上に導電性金属膜を形成する、ことを特徴とする回路
パターンの製造装置が提供される。本発明の好ましい実
施例によれば、前記偏向装置は、金属イオンビームに直
交して対向する２対の電極板と、該２対の電極板の間に
偏向電界を形成して金属イオンビームを偏向させて基板
上を走査する走査制御装置と、を有する。また、前記イ
オンビーム発生装置は、仕切り板で第１チャンバーと第
２チャンバーに区分された真空容器と、第１チャンバー
内に配置され負に印加されるカソードと、該カソードに
対向する位置の前記仕切り板に設けられ第１貫通孔を有
する第１アノードと、カソードと第１貫通孔を結ぶ軸線
上の第２チャンバー壁に設けられ第２貫通孔を有する第
２アノードと、該第２アノードに隣接してカソードと反
対側に設けられ金属プラズマから金属イオンビームを発
生させるイオンビーム抽出電極と、を備える。
【０００８】更に、本発明によれば、シリコンウエハ
（Ｓｉ）の表面を酸化してＳｉＯ2 とした基板と、該基
板上に形成された導電性金属膜とからなる、ことを特徴
とする集積回路が提供される。本発明の好ましい実施例
によれば、前記金属膜は、アルミニウム（Ａｌ）、銅
（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）のい
ずれかからなる。
（Ｓｉ）の表面を酸化してＳｉＯ2 とした基板と、該基
板上に形成された導電性金属膜とからなる、ことを特徴
とする集積回路が提供される。本発明の好ましい実施例
によれば、前記金属膜は、アルミニウム（Ａｌ）、銅
（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）のい
ずれかからなる。
【０００９】
【作用】上述した本発明の方法及び装置によれば、イオ
ンビーム発生装置により金属イオンビームを発生させ、
電子レンズによる磁界により金属イオンビームを細く絞
り、偏向装置による偏向電界により金属イオンビームを
偏向させ基板の所定位置に照射するので、基板上に直接
所望の回路パターンをもつ導電性金属を形成することが
できる。
ンビーム発生装置により金属イオンビームを発生させ、
電子レンズによる磁界により金属イオンビームを細く絞
り、偏向装置による偏向電界により金属イオンビームを
偏向させ基板の所定位置に照射するので、基板上に直接
所望の回路パターンをもつ導電性金属を形成することが
できる。
【００１０】従って、従来のようにアルミニウムの蒸
着、ホトレジストの塗布、電子ビームの露光、アルミニ
ウムのエッチング、ホトレジストの除去、等の多数の製
造工程を必要とせず、表面を酸化してＳｉＯ2 としたシ
リコンウエハ（Ｓｉ）を基板として準備し、その表面に
金属イオンビームを照射する単一工程だけで、集積回路
を製造することができる。また、この集積回路は、基板
上に金属プラズマが打ち込まれて所定の位置に回路パタ
ーンが形成されるので、回路用のマスクを用いることな
く自由に回路変更ができ、かつ少ない製造工程で強固な
回路パターンを形成することができる。
着、ホトレジストの塗布、電子ビームの露光、アルミニ
ウムのエッチング、ホトレジストの除去、等の多数の製
造工程を必要とせず、表面を酸化してＳｉＯ2 としたシ
リコンウエハ（Ｓｉ）を基板として準備し、その表面に
金属イオンビームを照射する単一工程だけで、集積回路
を製造することができる。また、この集積回路は、基板
上に金属プラズマが打ち込まれて所定の位置に回路パタ
ーンが形成されるので、回路用のマスクを用いることな
く自由に回路変更ができ、かつ少ない製造工程で強固な
回路パターンを形成することができる。
【００１１】
【実施例】以下、本発明の好ましい実施例を図面を参照
して説明する。図１は、本発明による回路パターンの製
造装置の全体構成図である。この図に示すように、本発
明の回路パターン製造装置１０は、真空チャンバー２２
内に金属プラズマを形成し、電界により金属プラズマか
ら金属イオンビーム３８を発生させるイオンビーム発生
装置２０と、磁界により金属イオンビーム３８を細く絞
る電子レンズ１２と、偏向電界により金属イオンビーム
３８を偏向させ基板１の所定位置に照射する偏向装置１
４と、を備えている。
して説明する。図１は、本発明による回路パターンの製
造装置の全体構成図である。この図に示すように、本発
明の回路パターン製造装置１０は、真空チャンバー２２
内に金属プラズマを形成し、電界により金属プラズマか
ら金属イオンビーム３８を発生させるイオンビーム発生
装置２０と、磁界により金属イオンビーム３８を細く絞
る電子レンズ１２と、偏向電界により金属イオンビーム
３８を偏向させ基板１の所定位置に照射する偏向装置１
４と、を備えている。
【００１２】電子レンズ１２は、一種のコイルであり、
金属イオンビーム３８に強い磁界をかけて金属イオンビ
ーム３８を細く絞るようになっている。図に示すよう
に、電子レンズ１２は、複数備えるのがよいが、単一で
あってもよい。偏向装置１４は、金属イオンビーム３８
に直交して対向する２対の電極板１５と、２対の電極板
１５の間に偏向電界を形成して金属イオンビーム３８を
偏向させて基板１上を走査する走査制御装置１６と、を
有する。また、基板１は、金属イオンビーム３８に直交
する方向に移動可能な移動台１７に取付けられ、この移
動台１７を駆動装置１８により移動するようになってい
る。更に、図１に示すように、電子レンズ１２、偏向装
置１４、移動台１７、駆動装置１８、等は真空チャンバ
ー１１内に格納されている。
金属イオンビーム３８に強い磁界をかけて金属イオンビ
ーム３８を細く絞るようになっている。図に示すよう
に、電子レンズ１２は、複数備えるのがよいが、単一で
あってもよい。偏向装置１４は、金属イオンビーム３８
に直交して対向する２対の電極板１５と、２対の電極板
１５の間に偏向電界を形成して金属イオンビーム３８を
偏向させて基板１上を走査する走査制御装置１６と、を
有する。また、基板１は、金属イオンビーム３８に直交
する方向に移動可能な移動台１７に取付けられ、この移
動台１７を駆動装置１８により移動するようになってい
る。更に、図１に示すように、電子レンズ１２、偏向装
置１４、移動台１７、駆動装置１８、等は真空チャンバ
ー１１内に格納されている。
【００１３】上述した構成により、図３に例示するよう
に、移動台１７を駆動装置１８で移動させて基板１を所
望の位置に保持し、偏向装置１６により２対の電極板１
５の間に偏向電界を形成し、この偏向電界により金属イ
オンビーム３８を偏向させ基板１の所定位置に照射する
ことができる。
に、移動台１７を駆動装置１８で移動させて基板１を所
望の位置に保持し、偏向装置１６により２対の電極板１
５の間に偏向電界を形成し、この偏向電界により金属イ
オンビーム３８を偏向させ基板１の所定位置に照射する
ことができる。
【００１４】図２は、イオンビーム発生装置２０の構成
図である。この図において、イオンビーム発生装置２０
は、仕切り板２１で第１チャンバー２２と第２チャンバ
ー２３に区分された真空容器２４と、第１チャンバー２
２内に配置され負に印加されるカソード２７と、カソー
ド２７に対向する位置の仕切り板２１に設けられ第１貫
通孔２５を有する第１アノード２６と、カソード２７と
第１貫通孔２５を結ぶ軸線Ｚ上の第２チャンバー壁に設
けられ第２貫通孔２４ａを有する第２アノード２８と、
第２アノード２８に隣接してカソードと反対側に設けら
れ金属プラズマから金属イオンビーム３８を発生させる
イオンビーム抽出電極３７と、を備えている。なお、こ
こで第２アノード２８をイオンビーム抽出電極３７の第
１電極（電源２９ｂの正電圧の印加される電極）に代用
してもよい。
図である。この図において、イオンビーム発生装置２０
は、仕切り板２１で第１チャンバー２２と第２チャンバ
ー２３に区分された真空容器２４と、第１チャンバー２
２内に配置され負に印加されるカソード２７と、カソー
ド２７に対向する位置の仕切り板２１に設けられ第１貫
通孔２５を有する第１アノード２６と、カソード２７と
第１貫通孔２５を結ぶ軸線Ｚ上の第２チャンバー壁に設
けられ第２貫通孔２４ａを有する第２アノード２８と、
第２アノード２８に隣接してカソードと反対側に設けら
れ金属プラズマから金属イオンビーム３８を発生させる
イオンビーム抽出電極３７と、を備えている。なお、こ
こで第２アノード２８をイオンビーム抽出電極３７の第
１電極（電源２９ｂの正電圧の印加される電極）に代用
してもよい。
【００１５】第１チャンバー２２と第２チャンバー２３
は、図示しない真空装置によりそれぞれ独立に真空排気
され、これにより、アークプラズマ３２の発生時にカソ
ードが蒸発して金属イオンが発生する第１チャンバー２
２よりも第２チャンバー２３の圧力が低くなるように差
動排気するようになっている。
は、図示しない真空装置によりそれぞれ独立に真空排気
され、これにより、アークプラズマ３２の発生時にカソ
ードが蒸発して金属イオンが発生する第１チャンバー２
２よりも第２チャンバー２３の圧力が低くなるように差
動排気するようになっている。
【００１６】また、図２に示すように、このイオンビー
ム発生装置２０は、第１チャンバー２２及び第２チャン
バー２３内に発生するプラズマを少なくとも一時的に封
じ込める磁場を発生させる磁場発生装置３０を更に備え
ている。磁場発生装置３０は、マルチカスプ磁場を形成
するための複数の永久磁石３０ａと、その両側に設けら
れたミラー磁場を形成するための空心コイル３０ｂ、３
０ｃとからなり、これらの２つの磁場により、第１チャ
ンバー２２及び第２チャンバー２３内にプラズマ閉じ込
め空間を形成するようになっている。
ム発生装置２０は、第１チャンバー２２及び第２チャン
バー２３内に発生するプラズマを少なくとも一時的に封
じ込める磁場を発生させる磁場発生装置３０を更に備え
ている。磁場発生装置３０は、マルチカスプ磁場を形成
するための複数の永久磁石３０ａと、その両側に設けら
れたミラー磁場を形成するための空心コイル３０ｂ、３
０ｃとからなり、これらの２つの磁場により、第１チャ
ンバー２２及び第２チャンバー２３内にプラズマ閉じ込
め空間を形成するようになっている。
【００１７】イオンビーム発生装置２０は更に、カソー
ド２７と第１アノード２６及び第２アノード２８の間に
放電を起こさせるための直流電源装置４０と、イオンビ
ーム抽出電極３７に電圧を印加するための金属イオンビ
ーム抽出電源３９ａ、３９ｂと、を備えている。
ド２７と第１アノード２６及び第２アノード２８の間に
放電を起こさせるための直流電源装置４０と、イオンビ
ーム抽出電極３７に電圧を印加するための金属イオンビ
ーム抽出電源３９ａ、３９ｂと、を備えている。
【００１８】上述した装置は以下のように使用される。
まず、真空チャンバー２２、２３内を真空（例えば１０
-2〜１０-4Torr) に保持し、アノード２６とカソード２
７との間に真空アーク放電３１を発生させてカソード物
質の金属プラズマを形成し、この状態で真空チャンバー
２２、２３内の真空度を１０-5〜１０-6Torrに保ち、磁
場発生装置３０による磁場により金属プラズマ３２を一
時的に封じ込め、イオンビーム抽出電極３７による電界
により金属プラズマ３２から金属イオンビーム３８を発
生させる。
まず、真空チャンバー２２、２３内を真空（例えば１０
-2〜１０-4Torr) に保持し、アノード２６とカソード２
７との間に真空アーク放電３１を発生させてカソード物
質の金属プラズマを形成し、この状態で真空チャンバー
２２、２３内の真空度を１０-5〜１０-6Torrに保ち、磁
場発生装置３０による磁場により金属プラズマ３２を一
時的に封じ込め、イオンビーム抽出電極３７による電界
により金属プラズマ３２から金属イオンビーム３８を発
生させる。
【００１９】次いで、電子レンズ１２による磁界により
金属イオンビーム３８を細く絞り、偏向装置１４による
偏向電界により金属イオンビーム３８を偏向させて基板
１の所定位置に照射し、これにより基板１上に導電性金
属膜２を形成することができる。
金属イオンビーム３８を細く絞り、偏向装置１４による
偏向電界により金属イオンビーム３８を偏向させて基板
１の所定位置に照射し、これにより基板１上に導電性金
属膜２を形成することができる。
【００２０】図３に例示するように、基板１は、シリコ
ンウエハ（Ｓｉ）の表面を酸化してＳｉＯ2 としたもの
であり、導電性金属膜２は、基板１上に形成された導電
性金属膜とからなる。この金属膜は、アルミニウム（Ａ
ｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）のいずれかからなる、ことが好ましい。すなわち、
カソード２７にアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チ
タン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いることに
より、これらの金属からなるイオンビーム３８を発生さ
せ、基板１上にこれらの金属からなる膜を形成すること
ができる。
ンウエハ（Ｓｉ）の表面を酸化してＳｉＯ2 としたもの
であり、導電性金属膜２は、基板１上に形成された導電
性金属膜とからなる。この金属膜は、アルミニウム（Ａ
ｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（Ｔｉ
Ｎ）のいずれかからなる、ことが好ましい。すなわち、
カソード２７にアルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チ
タン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）等を用いることに
より、これらの金属からなるイオンビーム３８を発生さ
せ、基板１上にこれらの金属からなる膜を形成すること
ができる。
【００２１】上述したように、本発明の方法及び装置に
よれば、イオンビーム発生装置により金属イオンビーム
を発生させ、電子レンズによる磁界により金属イオンビ
ームを細く絞り、偏向装置による偏向電界により金属イ
オンビームを偏向させ基板の所定位置に照射するので、
基板上に直接所望の回路パターンをもつ導電性金属を形
成することができる。
よれば、イオンビーム発生装置により金属イオンビーム
を発生させ、電子レンズによる磁界により金属イオンビ
ームを細く絞り、偏向装置による偏向電界により金属イ
オンビームを偏向させ基板の所定位置に照射するので、
基板上に直接所望の回路パターンをもつ導電性金属を形
成することができる。
【００２２】従って、従来のようにアルミニウムの蒸
着、ホトレジストの塗布、電子ビームの露光、アルミニ
ウムのエッチング、ホトレジストの除去、等の多数の製
造工程を必要とせず、表面を酸化してＳｉＯ2 としたシ
リコンウエハ（Ｓｉ）を基板として準備し、その表面に
金属イオンビームを照射する単一工程だけで、集積回路
を製造することができる。また、この集積回路は、基板
上に金属プラズマが打ち込まれて所定の位置に回路パタ
ーンが形成されるので、回路用のマスクを用いることな
く自由に回路変更ができ、かつ少ない製造工程で強固な
回路パターンを形成することができる。
着、ホトレジストの塗布、電子ビームの露光、アルミニ
ウムのエッチング、ホトレジストの除去、等の多数の製
造工程を必要とせず、表面を酸化してＳｉＯ2 としたシ
リコンウエハ（Ｓｉ）を基板として準備し、その表面に
金属イオンビームを照射する単一工程だけで、集積回路
を製造することができる。また、この集積回路は、基板
上に金属プラズマが打ち込まれて所定の位置に回路パタ
ーンが形成されるので、回路用のマスクを用いることな
く自由に回路変更ができ、かつ少ない製造工程で強固な
回路パターンを形成することができる。
【００２３】なお、本発明は上述した実施例に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できるこ
とは勿論である。
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々変更できるこ
とは勿論である。
【００２４】
【発明の効果】上述したように本発明の回路パターンの
製造方法及び装置とこの方法による集積回路は、製作が
困難でありかつ変更が不可能な回路用のマスクを用いる
ことなく、少ない製造工程で強固な回路パターンを形成
することができる、等の優れた効果を有する。
製造方法及び装置とこの方法による集積回路は、製作が
困難でありかつ変更が不可能な回路用のマスクを用いる
ことなく、少ない製造工程で強固な回路パターンを形成
することができる、等の優れた効果を有する。
【図１】本発明による回路パターンの製造装置の全体構
成図である。
成図である。
【図２】本発明のイオンビーム発生装置の構成図であ
る。
る。
【図３】図１の部分構成図である。
【図４】従来の電子ビームを用いた回路パターンの製造
原理図である。
原理図である。
１ 基板 ２ 導電性金属膜 １０ 回路パターン製造装置 １１ 真空チャンバー １２ 電子レンズ １４ 偏向装置 １５ 電極板 １６ 走査制御装置 １７ 移動台 １８ 駆動装置 ２０ イオンビーム発生装置 ２１ 仕切り板 ２２ 第１チャンバー ２３ 第２チャンバー ２４ 真空容器 ２５ 開口孔 ２６ 第１アノード ２７ カソード ２８ 第２アノード ３０ 磁場発生装置 ３１ グロー放電 ３２ アークプラズマ ３７ イオンビーム抽出電極系 ３８ 金属イオンビーム ３９ イオンビーム抽出電源 ４０ 電源装置
Claims (7)
- 【請求項１】 真空チャンバー内に金属プラズマを形成
し、電界により金属プラズマから金属イオンビームを発
生させ、磁界により金属イオンビームを細く絞り、偏向
電界により金属イオンビームを偏向させて基板の所定位
置に照射し、これにより基板上に導電性金属膜を形成す
る、ことを特徴とする回路パターンの製造方法。 - 【請求項２】 真空チャンバー内を真空に保持し、アノ
ードとカソードとの間に真空アーク放電を発生させてカ
ソード物質の金属プラズマを形成し、この状態で真空チ
ャンバー内の真空度を１０-5〜１０-6Torrに保ち、磁場
により金属プラズマを一時的に封じ込め、電界により金
属プラズマから金属イオンビームを発生させる、ことを
特徴とする請求項１に記載の回路パターンの製造方法。 - 【請求項３】 真空チャンバー内に金属プラズマを形成
し、電界により金属プラズマから金属イオンビームを発
生させるイオンビーム発生装置と、磁界により金属イオ
ンビームを細く絞る電子レンズと、偏向電界により金属
イオンビームを偏向させ基板の所定位置に照射する偏向
装置と、を備え、これにより基板上に導電性金属膜を形
成する、ことを特徴とする回路パターンの製造装置。 - 【請求項４】 前記偏向装置は、金属イオンビームに直
交して対向する２対の電極板と、該２対の電極板の間に
偏向電界を形成して金属イオンビームを偏向させて基板
上を走査する走査制御装置と、を有する、ことを特徴と
する請求項３に記載の回路パターンの製造装置。 - 【請求項５】 前記イオンビーム発生装置は、仕切り板
で第１チャンバーと第２チャンバーに区分された真空容
器と、第１チャンバー内に配置され負に印加されるカソ
ードと、該カソードに対向する位置の前記仕切り板に設
けられ第１貫通孔を有する第１アノードと、カソードと
第１貫通孔を結ぶ軸線上の第２チャンバー壁に設けられ
第２貫通孔を有する第２アノードと、該第２アノードに
隣接してカソードと反対側に設けられ金属プラズマから
金属イオンビームを発生させるイオンビーム抽出電極
と、を備える、ことを特徴とする請求項３に記載の回路
パターンの製造装置。 - 【請求項６】 シリコンウエハ（Ｓｉ）の表面を酸化し
てＳｉＯ2 とした基板と、該基板上に形成された導電性
金属膜とからなる、ことを特徴とする請求項１乃至３に
より製造された集積回路。 - 【請求項７】 前記金属膜は、アルミニウム（Ａｌ）、
銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、窒化チタン（ＴｉＮ）の
いずれかからなる、ことを特徴とする請求項６に記載の
集積回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06366595A JP3412780B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 回路パターンの製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06366595A JP3412780B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 回路パターンの製造装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08264444A true JPH08264444A (ja) | 1996-10-11 |
| JP3412780B2 JP3412780B2 (ja) | 2003-06-03 |
Family
ID=13235874
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06366595A Expired - Fee Related JP3412780B2 (ja) | 1995-03-23 | 1995-03-23 | 回路パターンの製造装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3412780B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007009303A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Toyohashi Univ Of Technology | プラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及び被処理物 |
| KR101687935B1 (ko) * | 2015-06-24 | 2016-12-19 | 브리티쉬 텔리커뮤니케이션즈 파블릭 리미티드 캄퍼니 | 인쇄된 논리 게이트 |
-
1995
- 1995-03-23 JP JP06366595A patent/JP3412780B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007009303A (ja) * | 2005-07-04 | 2007-01-18 | Toyohashi Univ Of Technology | プラズマ表面処理方法、プラズマ処理装置及び被処理物 |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3412780B2 (ja) | 2003-06-03 |
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