JPH08262246A - 光集積回路、光回路導波路デバイス、並びに有機膜の配向、選択成長および製膜方法 - Google Patents
光集積回路、光回路導波路デバイス、並びに有機膜の配向、選択成長および製膜方法Info
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- JPH08262246A JPH08262246A JP6084795A JP6084795A JPH08262246A JP H08262246 A JPH08262246 A JP H08262246A JP 6084795 A JP6084795 A JP 6084795A JP 6084795 A JP6084795 A JP 6084795A JP H08262246 A JPH08262246 A JP H08262246A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 伝搬損失の低い光集積回路、電場印加効率が
高く、ノイズの少ない光回路デバイスおよびデバイスサ
イズを小さくして集積度を上げ、ファイバなどの外部デ
バイスとの光結合も光電変換により容易に行うことので
きるマトリクス光スイッチ、並びにそれらを実現するこ
とのできる方法を提供する。 【構成】 導波路ネットワークをパッシブ導波路で構成
し、機能部分に機能性材料を用いた光集積回路、透明電
極を用いた光回路デバイス、透明電極と非線形光学材料
からなる機能部分を用いた光スイッチ、入出力光を光電
変換素子で変換するマトリクス光スイッチ、所望の領域
に機能性材料を選択的に気相成長させた光集積回路もし
くは光回路デバイス、並びに有機膜を凹部壁面に選択成
長させる有機膜成長法および有機ＣＶＤまたはＭＬＤを
複数の領域に分割されたチャンバを用いて行う有機膜製
膜方法。
高く、ノイズの少ない光回路デバイスおよびデバイスサ
イズを小さくして集積度を上げ、ファイバなどの外部デ
バイスとの光結合も光電変換により容易に行うことので
きるマトリクス光スイッチ、並びにそれらを実現するこ
とのできる方法を提供する。 【構成】 導波路ネットワークをパッシブ導波路で構成
し、機能部分に機能性材料を用いた光集積回路、透明電
極を用いた光回路デバイス、透明電極と非線形光学材料
からなる機能部分を用いた光スイッチ、入出力光を光電
変換素子で変換するマトリクス光スイッチ、所望の領域
に機能性材料を選択的に気相成長させた光集積回路もし
くは光回路デバイス、並びに有機膜を凹部壁面に選択成
長させる有機膜成長法および有機ＣＶＤまたはＭＬＤを
複数の領域に分割されたチャンバを用いて行う有機膜製
膜方法。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、光集積回路、光回路導
波路デバイス、並びに有機膜の配向、選択成長および製
膜方法に関する。
波路デバイス、並びに有機膜の配向、選択成長および製
膜方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】情報処理や通信の分野では、配線の光化
が急激に進み、今後光化された並列プロセッサ、光ＡＴ
Ｍや Fiber to the Homeなどの光技術の浸透が進展して
行くと予想される。そして、この場合、導波路デバイス
を始めとする各種光集積回路が必要となる。
が急激に進み、今後光化された並列プロセッサ、光ＡＴ
Ｍや Fiber to the Homeなどの光技術の浸透が進展して
行くと予想される。そして、この場合、導波路デバイス
を始めとする各種光集積回路が必要となる。
【０００３】これらの実現のために、非線形光学導波路
を用いた光集積回路、マトリクス光スイッチ、光スイッ
チなどの各種光回路デバイスや、さらにはこれらを製造
するために必要な有機膜の選択成長法、配向成長法、有
機製膜方法などが提案され、開発されつつある。しかし
ながら、これらの従来の技術においては、それぞれ以下
のような問題がある。
を用いた光集積回路、マトリクス光スイッチ、光スイッ
チなどの各種光回路デバイスや、さらにはこれらを製造
するために必要な有機膜の選択成長法、配向成長法、有
機製膜方法などが提案され、開発されつつある。しかし
ながら、これらの従来の技術においては、それぞれ以下
のような問題がある。
【０００４】Ａ．非線形光学導波路を用いた光集積回路 従来は、導波路のコアの形成に非線形光学材料を用いて
いたため、伝搬損失を０．５dB／cm程度にまでしか低下
させることができなかった。 Ｂ．光回路デバイス 従来は、駆動電極による吸収ロスの低減のため、電極を
コアから離す必要があり、電場印加効率を高くすること
ができなかった。
いたため、伝搬損失を０．５dB／cm程度にまでしか低下
させることができなかった。 Ｂ．光回路デバイス 従来は、駆動電極による吸収ロスの低減のため、電極を
コアから離す必要があり、電場印加効率を高くすること
ができなかった。
【０００５】特に、グレーティング型デバイスや反射型
デバイスでは、電極による反射がノイズになるので、大
きな問題であった。 Ｃ．マトリクス光スイッチ 従来は、１．３および１．５μｍ帯の光を直接入力し、
スイッチングを行っていた。そのため、デバイスサイズ
が大きくなって集積度が上がらなかったり、ファイバな
どの外部デバイスとの光結合がネックになるなどの問題
があった。
デバイスでは、電極による反射がノイズになるので、大
きな問題であった。 Ｃ．マトリクス光スイッチ 従来は、１．３および１．５μｍ帯の光を直接入力し、
スイッチングを行っていた。そのため、デバイスサイズ
が大きくなって集積度が上がらなかったり、ファイバな
どの外部デバイスとの光結合がネックになるなどの問題
があった。
【０００６】Ｄ．有機膜の選択成長法、配向成長法およ
び有機製膜方法 従来は、平坦基板への下地膜形成や表面処理を行うこと
が主体であり、配向成長の自由度が十分ではなかった。
また、ＣＶＤやＭＬＤにおいてガス圧の調整を独立に行
うことができにくく、製膜の安定性に問題があった。特
に、ＭＬＤでは、ガスの入れ換えに時間がかかり、製膜
速度が遅くなってしまうという問題があった。
び有機製膜方法 従来は、平坦基板への下地膜形成や表面処理を行うこと
が主体であり、配向成長の自由度が十分ではなかった。
また、ＣＶＤやＭＬＤにおいてガス圧の調整を独立に行
うことができにくく、製膜の安定性に問題があった。特
に、ＭＬＤでは、ガスの入れ換えに時間がかかり、製膜
速度が遅くなってしまうという問題があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記の如き
従来技術の問題点を解決することを課題とするものであ
って、その目的は以下の通りである。 Ａ．非線形光学導波路を用いた光集積回路 基本的なネットワークをパッシブ導波路で形成し、必要
な箇所にのみ非線形光学材料や光アンプ材料を配置する
ことにより、伝搬損失の低い光集積回路を実現する。
従来技術の問題点を解決することを課題とするものであ
って、その目的は以下の通りである。 Ａ．非線形光学導波路を用いた光集積回路 基本的なネットワークをパッシブ導波路で形成し、必要
な箇所にのみ非線形光学材料や光アンプ材料を配置する
ことにより、伝搬損失の低い光集積回路を実現する。
【０００８】Ｂ．光回路デバイス 透明電極を用い、かつ、その屈折率効果を極力小さくす
ることにより、電場印加効率が高く、ノイズの少ないグ
レーティング型デバイスや反射型デバイスなどの光回路
デバイスを実現する。 Ｃ．マトリクス光スイッチ 入出力でＥ／Ｏ（電気／光）もしくはＯ／Ｅ（光／電
気）変換を行い、スイッチング時の波長として短波長を
用いることによりデバイスサイズを小さくし、集積度を
上げる。また、ファイバなどの外部デバイスとの光結合
も、光電変換により容易に行うことができるようにす
る。
ることにより、電場印加効率が高く、ノイズの少ないグ
レーティング型デバイスや反射型デバイスなどの光回路
デバイスを実現する。 Ｃ．マトリクス光スイッチ 入出力でＥ／Ｏ（電気／光）もしくはＯ／Ｅ（光／電
気）変換を行い、スイッチング時の波長として短波長を
用いることによりデバイスサイズを小さくし、集積度を
上げる。また、ファイバなどの外部デバイスとの光結合
も、光電変換により容易に行うことができるようにす
る。
【０００９】Ｄ．有機膜の選択成長法、配向成長法およ
び有機製膜方法 凹凸基板の壁面の配向や、その壁面への下地膜形成や表
面処理により、配向成長の自由度を向上させる。また、
チャンバを複数の領域に分割し、各分子ガスをそれぞれ
の領域に閉じ込め、基板または領域を移動させることに
より、ＣＶＤやＭＬＤのガス圧の制御を容易にし、か
つ、製膜速度を速くする。
び有機製膜方法 凹凸基板の壁面の配向や、その壁面への下地膜形成や表
面処理により、配向成長の自由度を向上させる。また、
チャンバを複数の領域に分割し、各分子ガスをそれぞれ
の領域に閉じ込め、基板または領域を移動させることに
より、ＣＶＤやＭＬＤのガス圧の制御を容易にし、か
つ、製膜速度を速くする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、上記課
題を解決するため、導波路ネットワークをパッシブ導波
路で構成し、機能部分のクラッド部またはコア部に機能
性材料を選択的に配置したことを特徴とする光集積回路
が提供される。図１および図２に、それぞれ、本発明の
光集積回路の構造の一例を示す。図１は、導波路ネット
ワークをパッシブ導波路で構成し、機能部分のクラッド
部１に機能性材料を選択的に配置した構造である。光ス
イッチの分岐、交叉部およびマッハツェンダ光変調器の
アーム部に２次または３次非線形光学材料を配置すると
電圧による光制御が可能になる。図２は、導波路ネット
ワークをパッシブ導波路で構成し、機能部分のコア部２
に機能性材料を選択的に配置した構造である。光スイッ
チの分岐、交叉部またはマッハツェンダ光変調器のアー
ム部に２次または３次非線形光学材料を配置すると電圧
による光制御が可能になる。かかる構成により、光スイ
ッチ、光変調器、波長変換、チューナブルフィルタなど
の機能をパッシブ導波路ネットワークに付与することが
できる。３次非線形光学材料を用いた場合は、電気のか
わりに光による光制御が可能になる。
題を解決するため、導波路ネットワークをパッシブ導波
路で構成し、機能部分のクラッド部またはコア部に機能
性材料を選択的に配置したことを特徴とする光集積回路
が提供される。図１および図２に、それぞれ、本発明の
光集積回路の構造の一例を示す。図１は、導波路ネット
ワークをパッシブ導波路で構成し、機能部分のクラッド
部１に機能性材料を選択的に配置した構造である。光ス
イッチの分岐、交叉部およびマッハツェンダ光変調器の
アーム部に２次または３次非線形光学材料を配置すると
電圧による光制御が可能になる。図２は、導波路ネット
ワークをパッシブ導波路で構成し、機能部分のコア部２
に機能性材料を選択的に配置した構造である。光スイッ
チの分岐、交叉部またはマッハツェンダ光変調器のアー
ム部に２次または３次非線形光学材料を配置すると電圧
による光制御が可能になる。かかる構成により、光スイ
ッチ、光変調器、波長変換、チューナブルフィルタなど
の機能をパッシブ導波路ネットワークに付与することが
できる。３次非線形光学材料を用いた場合は、電気のか
わりに光による光制御が可能になる。
【００１１】さらに、機能性材料として希土類ドープ材
料や蛍光性材料を用いれば、光アンプ機能や導波路レー
ザ機能を付与することもできる。また、上記のような構
成とすることにより、上記機能に限定されず、吸収によ
るアテネータ、選択的偏光吸収による偏光子などの種々
の機能を付加することもできる。機能性材料の配置は、
図１に示されているように、コアの上下左右やコアの上
左右またはコアの左右だけを囲むように配置したり、コ
ア間だけに配置するなどの種々の態様で行うことができ
る。
料や蛍光性材料を用いれば、光アンプ機能や導波路レー
ザ機能を付与することもできる。また、上記のような構
成とすることにより、上記機能に限定されず、吸収によ
るアテネータ、選択的偏光吸収による偏光子などの種々
の機能を付加することもできる。機能性材料の配置は、
図１に示されているように、コアの上下左右やコアの上
左右またはコアの左右だけを囲むように配置したり、コ
ア間だけに配置するなどの種々の態様で行うことができ
る。
【００１２】ここで、導波路コアやクラッドの形成に
は、有機ＣＶＤ、電場アシストＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重
合、蒸着、有機ＭＢＤ、有機ＭＢＥなどの気相成長法を
適用することができる。なお、図３および図４に示すよ
うに、パッシブ導波路のクラッド部１に形成された非線
形材料からなる機能部分への光の洩れを大きくし、機能
性の向上を図るために、コア部２を光の進行方向に沿っ
て少しずつ狭め、また少しずつ広げるという構成にして
もよい。
は、有機ＣＶＤ、電場アシストＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重
合、蒸着、有機ＭＢＤ、有機ＭＢＥなどの気相成長法を
適用することができる。なお、図３および図４に示すよ
うに、パッシブ導波路のクラッド部１に形成された非線
形材料からなる機能部分への光の洩れを大きくし、機能
性の向上を図るために、コア部２を光の進行方向に沿っ
て少しずつ狭め、また少しずつ広げるという構成にして
もよい。
【００１３】上記の如き本発明により、伝搬損失が低
く、機能性に富む光集積回路が実現できる。本発明によ
れば、また、新規な構造を有する光回路デバイスが提供
される。図５〜８に、それぞれ、本発明の光回路デバイ
スの電極構造の例を示す。図５および７には、透明電極
３をクラッド層１上に形成した後、次いでコア層２を形
成した構造を示す。図６および８には、透明電極３をコ
ア層２上に形成した後、クラッド層１を形成した構造を
示す。あるいは、図示していないが、透明電極をクラッ
ド層上に形成した後コア層を形成し、さらに透明電極を
形成した構造、透明電極を形成した後コア層またはクラ
ッド層を形成した構造、または透明電極を形成した後コ
ア層を形成し、さらに透明電極を形成した構造などがあ
る。さらには、光路上またはその付近にのみ透明電極を
配置し、その他の部分には金属電極を配置し、また引き
出し部およびパッド部に金属電極を付設してもよい。こ
れにより、回路の電極抵抗の低減を図ることができる。
く、機能性に富む光集積回路が実現できる。本発明によ
れば、また、新規な構造を有する光回路デバイスが提供
される。図５〜８に、それぞれ、本発明の光回路デバイ
スの電極構造の例を示す。図５および７には、透明電極
３をクラッド層１上に形成した後、次いでコア層２を形
成した構造を示す。図６および８には、透明電極３をコ
ア層２上に形成した後、クラッド層１を形成した構造を
示す。あるいは、図示していないが、透明電極をクラッ
ド層上に形成した後コア層を形成し、さらに透明電極を
形成した構造、透明電極を形成した後コア層またはクラ
ッド層を形成した構造、または透明電極を形成した後コ
ア層を形成し、さらに透明電極を形成した構造などがあ
る。さらには、光路上またはその付近にのみ透明電極を
配置し、その他の部分には金属電極を配置し、また引き
出し部およびパッド部に金属電極を付設してもよい。こ
れにより、回路の電極抵抗の低減を図ることができる。
【００１４】ここで、透明電極は、必ずしも可視領域で
透明である必要はなく、使用波長（例えば、０．８μｍ
帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯）で透明であればよ
い。透明電極は、例えば、酸化すず、すず添加の酸化イ
ンジウム、酸化亜鉛などの金属酸化物、シリコン、シリ
コンカーバイトなどのシリコン系材料、ガリウム砒素、
ガリウムアルミ砒素、カドミウムテルライド、カドミウ
ムサルファイドなどの化合物半導体、導電性ポリマなど
の材料を用いて構成することができる。
透明である必要はなく、使用波長（例えば、０．８μｍ
帯、１．３μｍ帯、１．５μｍ帯）で透明であればよ
い。透明電極は、例えば、酸化すず、すず添加の酸化イ
ンジウム、酸化亜鉛などの金属酸化物、シリコン、シリ
コンカーバイトなどのシリコン系材料、ガリウム砒素、
ガリウムアルミ砒素、カドミウムテルライド、カドミウ
ムサルファイドなどの化合物半導体、導電性ポリマなど
の材料を用いて構成することができる。
【００１５】ここでも、導波路コアやクラッドの形成に
は、有機ＣＶＤ、電場アシストＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重
合、蒸着、有機ＭＢＤ、有機ＭＢＥなどの気相成長法を
適用することができる。特に、透明電極形成後の非線形
光学材料の膜の形成には、かかる気相成長法を用いるの
が極めて有効である。上記の如き本発明により、電場印
加効率が高くかつ伝搬損失の低い光回路デバイスが実現
できる。
は、有機ＣＶＤ、電場アシストＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重
合、蒸着、有機ＭＢＤ、有機ＭＢＥなどの気相成長法を
適用することができる。特に、透明電極形成後の非線形
光学材料の膜の形成には、かかる気相成長法を用いるの
が極めて有効である。上記の如き本発明により、電場印
加効率が高くかつ伝搬損失の低い光回路デバイスが実現
できる。
【００１６】本発明は、また、新規な構造のグレーティ
ング型デバイスや反射型デバイスを提供する。図９およ
び図１０に、本発明に係るグレーティング型光スイッチ
の例を示す。図９に示すように、クラッド１上にグレー
ティング状の透明電極Ｉを形成し、その上に非線形光学
材料からなるコア２を形成し、さらにグレーティング状
または平板状の透明電極IIを形成し、さらにクラッド１
を形成してある。電極Ｉと電極IIの間に電圧を印加し、
これによりコアの屈折率変化を誘起させ、光路を切り換
える。あるいは、クラッド上１に平板状またはグレーテ
ィング状の透明電極Ｉを形成し、その上に非線形光学材
料からなるコア２を形成し、さらにグレーティング状の
透明電極IIを形成し、さらにクラッド１を形成し、電極
ＩとIIの間での電圧印加によりコアの屈折率変化を誘起
させ、光路を切り換えることもできる。ここで、電圧無
印加時における電極の影響を低減するためには、電極を
できるだけ薄くし（例えば、５０００Å以下）、また電
極Ｉの屈折率と非線形光学材料のコアの屈折率、および
電極IIの屈折率とクラッドの屈折率をできるだけ近づけ
る（例えば、屈折率差０．０１以下）ことが望ましい。
ング型デバイスや反射型デバイスを提供する。図９およ
び図１０に、本発明に係るグレーティング型光スイッチ
の例を示す。図９に示すように、クラッド１上にグレー
ティング状の透明電極Ｉを形成し、その上に非線形光学
材料からなるコア２を形成し、さらにグレーティング状
または平板状の透明電極IIを形成し、さらにクラッド１
を形成してある。電極Ｉと電極IIの間に電圧を印加し、
これによりコアの屈折率変化を誘起させ、光路を切り換
える。あるいは、クラッド上１に平板状またはグレーテ
ィング状の透明電極Ｉを形成し、その上に非線形光学材
料からなるコア２を形成し、さらにグレーティング状の
透明電極IIを形成し、さらにクラッド１を形成し、電極
ＩとIIの間での電圧印加によりコアの屈折率変化を誘起
させ、光路を切り換えることもできる。ここで、電圧無
印加時における電極の影響を低減するためには、電極を
できるだけ薄くし（例えば、５０００Å以下）、また電
極Ｉの屈折率と非線形光学材料のコアの屈折率、および
電極IIの屈折率とクラッドの屈折率をできるだけ近づけ
る（例えば、屈折率差０．０１以下）ことが望ましい。
【００１７】また、クラッド上に櫛形透明電極Ｉおよび
IIを形成し、その上に非線形光学材料からなるコアを形
成し、さらにクラッドを形成した構造とし、櫛形電極Ｉ
とIIの間での電圧印加によりコアの屈折率変化を誘起さ
せて光路を切り換えることもできる。ここで、電圧無印
加時における電極の影響を低減するためには、電極をで
きるだけ薄くし（例えば、５０００Å以下）、また電極
ＩおよびIIの屈折率と非線形光学材料のコアの屈折率を
できるだけ近づける（例えば、屈折率差０．０１以下）
ことが望ましい。
IIを形成し、その上に非線形光学材料からなるコアを形
成し、さらにクラッドを形成した構造とし、櫛形電極Ｉ
とIIの間での電圧印加によりコアの屈折率変化を誘起さ
せて光路を切り換えることもできる。ここで、電圧無印
加時における電極の影響を低減するためには、電極をで
きるだけ薄くし（例えば、５０００Å以下）、また電極
ＩおよびIIの屈折率と非線形光学材料のコアの屈折率を
できるだけ近づける（例えば、屈折率差０．０１以下）
ことが望ましい。
【００１８】また、クラッド上に非線形光学材料からな
るコアを形成し、その上に櫛形透明電極ＩおよびIIを形
成し、さらにクラッドを形成し、電極ＩとIIの間での電
圧印加によりコアの屈折率変化を誘起させて光路を切り
換えることもできる。ここでも、電圧無印加時における
電極の影響を低減するためには、電極をできるだけ薄く
し（例えば、５０００Å以下）、また電極ＩおよびIIの
屈折率と非線形光学材料のコアの屈折率をできるだけ近
づける（例えば、屈折率差０．０１以下）ことが望まし
い。
るコアを形成し、その上に櫛形透明電極ＩおよびIIを形
成し、さらにクラッドを形成し、電極ＩとIIの間での電
圧印加によりコアの屈折率変化を誘起させて光路を切り
換えることもできる。ここでも、電圧無印加時における
電極の影響を低減するためには、電極をできるだけ薄く
し（例えば、５０００Å以下）、また電極ＩおよびIIの
屈折率と非線形光学材料のコアの屈折率をできるだけ近
づける（例えば、屈折率差０．０１以下）ことが望まし
い。
【００１９】また、非線形光学材料からなるクラッド上
に櫛形透明電極ＩおよびIIを形成し、その上にコアを形
成し、さらに非線形光学材料からなるクラッドを形成
し、櫛形電極ＩとIIの間での電圧印加によりクラッドの
屈折率変化を誘起させて光路を切り換えることもでき
る。ここでも、電圧無印加時における電極の影響を低減
するためには、電極をできるだけ薄くし（例えば、５０
００Å以下）、また電極ＩおよびIIの屈折率と非線形光
学材料のコアの屈折率をできるだけ近づける（例えば、
屈折率差０．０１以下）ことが望ましい。
に櫛形透明電極ＩおよびIIを形成し、その上にコアを形
成し、さらに非線形光学材料からなるクラッドを形成
し、櫛形電極ＩとIIの間での電圧印加によりクラッドの
屈折率変化を誘起させて光路を切り換えることもでき
る。ここでも、電圧無印加時における電極の影響を低減
するためには、電極をできるだけ薄くし（例えば、５０
００Å以下）、また電極ＩおよびIIの屈折率と非線形光
学材料のコアの屈折率をできるだけ近づける（例えば、
屈折率差０．０１以下）ことが望ましい。
【００２０】また、非線形光学材料からなるクラッド上
にコアを形成し、その上に櫛形透明電極ＩおよびIIを形
成し、さらに非線形光学材料からなるクラッドを形成
し、櫛形電極ＩとIIの間での電圧印加によりクラッドの
屈折率変化を誘起させて光路を切り換えることもでき
る。ここでも、、電圧無印加時における電極の影響を低
減するためには、電極をできるだけ薄くし（例えば、５
０００Å以下）、また電極ＩおよびIIの屈折率と非線形
光学材料のコアの屈折率をできるだけ近づける（例え
ば、屈折率差０．０１以下）ことが望ましい。
にコアを形成し、その上に櫛形透明電極ＩおよびIIを形
成し、さらに非線形光学材料からなるクラッドを形成
し、櫛形電極ＩとIIの間での電圧印加によりクラッドの
屈折率変化を誘起させて光路を切り換えることもでき
る。ここでも、、電圧無印加時における電極の影響を低
減するためには、電極をできるだけ薄くし（例えば、５
０００Å以下）、また電極ＩおよびIIの屈折率と非線形
光学材料のコアの屈折率をできるだけ近づける（例え
ば、屈折率差０．０１以下）ことが望ましい。
【００２１】さらに、図１０に示すように、非線形光学
材料からなるクラッド１上に櫛形透明電極ＩおよびIIを
形成し、その上にコア２を形成し、さらに櫛形透明電極
IIIおよびIVを形成し、さらに非線形光学材料からなる
クラッド１を形成し、櫛形電極ＩとIIの間および／また
は IIIとIVの間での電圧印加によりクラッドの屈折率変
化を誘起させて光路を切り換えることもできる。ここ
で、電圧無印加時における電極の影響を低減するために
は、電極をできるだけ薄くし（例えば、５０００Å以
下）、また電極ＩおよびIIの屈折率とコアの屈折率およ
び／または電極 IIIおよびIVの屈折率と非線形光学クラ
ッドの屈折率をできるだけ近づける（例えば、屈折率差
０．０１以下）ことが望ましい。
材料からなるクラッド１上に櫛形透明電極ＩおよびIIを
形成し、その上にコア２を形成し、さらに櫛形透明電極
IIIおよびIVを形成し、さらに非線形光学材料からなる
クラッド１を形成し、櫛形電極ＩとIIの間および／また
は IIIとIVの間での電圧印加によりクラッドの屈折率変
化を誘起させて光路を切り換えることもできる。ここ
で、電圧無印加時における電極の影響を低減するために
は、電極をできるだけ薄くし（例えば、５０００Å以
下）、また電極ＩおよびIIの屈折率とコアの屈折率およ
び／または電極 IIIおよびIVの屈折率と非線形光学クラ
ッドの屈折率をできるだけ近づける（例えば、屈折率差
０．０１以下）ことが望ましい。
【００２２】また、上記の櫛形電極を用いたクラッドＥ
Ｏの例において、櫛形電極の代わりにグレーティング状
の透明電極を形成し、クラッド層を介して対向電極を設
け、それらの間での電圧印加によりクラッドの屈折率変
化を誘起させて光路を切り換えることもできる。さら
に、上記のすべての例において、グレーティング状電極
の数を１つにするかまたは櫛形電極の数を１対とするこ
とにより反射型光スイッチを実現することができる。
Ｏの例において、櫛形電極の代わりにグレーティング状
の透明電極を形成し、クラッド層を介して対向電極を設
け、それらの間での電圧印加によりクラッドの屈折率変
化を誘起させて光路を切り換えることもできる。さら
に、上記のすべての例において、グレーティング状電極
の数を１つにするかまたは櫛形電極の数を１対とするこ
とにより反射型光スイッチを実現することができる。
【００２３】ここでも、導波路コアやクラッドの形成に
は、有機ＣＶＤ、電場アシストＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重
合、蒸着、有機ＭＢＤ、有機ＭＢＥなどの気相成長法を
適用することができる。本発明は、また、新規な構造の
マトリクス光スイッチを提供する。図１１および図１２
には、入力光を光電変換素子（Ｏ／Ｅ素子）で電気に変
換し、その電気信号により光信号を発生させ、これを光
導波路に導入し、マトリクス光スイッチでスイッチング
し、その光をＯ／Ｅ素子で電気に変換し、その電気信号
により光信号を発生させ、この光信号を出力するマトリ
クス光スイッチの例を示す。図１１は、光信号の発生を
ＬＤの直接変調により行う例である。例えば、１．３μ
ｍの光が入射され、ＰＤで光電変換され、これによりＬ
Ｄを駆動し、０．８μｍの光を導波路に導入する。この
光をマトリクス光スイッチで切り換え、ＰＤで光電変換
し、これによりＬＤを駆動させ、１．３μｍの光を放出
する。これにより、マトリクス光スイッチのサイズが縮
小される。図１２は、光信号の発生をモノリシックに組
み込んだ電気光学変調器により行う例である。
は、有機ＣＶＤ、電場アシストＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重
合、蒸着、有機ＭＢＤ、有機ＭＢＥなどの気相成長法を
適用することができる。本発明は、また、新規な構造の
マトリクス光スイッチを提供する。図１１および図１２
には、入力光を光電変換素子（Ｏ／Ｅ素子）で電気に変
換し、その電気信号により光信号を発生させ、これを光
導波路に導入し、マトリクス光スイッチでスイッチング
し、その光をＯ／Ｅ素子で電気に変換し、その電気信号
により光信号を発生させ、この光信号を出力するマトリ
クス光スイッチの例を示す。図１１は、光信号の発生を
ＬＤの直接変調により行う例である。例えば、１．３μ
ｍの光が入射され、ＰＤで光電変換され、これによりＬ
Ｄを駆動し、０．８μｍの光を導波路に導入する。この
光をマトリクス光スイッチで切り換え、ＰＤで光電変換
し、これによりＬＤを駆動させ、１．３μｍの光を放出
する。これにより、マトリクス光スイッチのサイズが縮
小される。図１２は、光信号の発生をモノリシックに組
み込んだ電気光学変調器により行う例である。
【００２４】また、上記において、Ｏ／Ｅ変換を、ハイ
ブリッドに搭載した光電変換デバイスにより行うことも
できるし、また半導体基板または基板上に成長した半導
体膜に形成された光電変換デバイスにより行うこともで
きる。本発明は、さらに、有機膜の選択成長により得ら
れる光集積回路および光回路デバイスを提供する。
ブリッドに搭載した光電変換デバイスにより行うことも
できるし、また半導体基板または基板上に成長した半導
体膜に形成された光電変換デバイスにより行うこともで
きる。本発明は、さらに、有機膜の選択成長により得ら
れる光集積回路および光回路デバイスを提供する。
【００２５】図１３および図１４に、所望の機能性材料
成長領域に機能性材料が成長しやすくなる膜を配置する
かまたはそのような表面処理を施し、クラッド層または
コア層の一部に機能性材料を選択的に気相成長させた光
集積回路もしくは光回路デバイスの例を示す。例えば、
図１３に示す方向性結合器の中間部５や図１４に示すマ
ッハツェンダ変調器のアーム部６や光スイッチの交叉部
７などに、図１５に示すような蒸着装置により、同図に
一例を示すようなポリアゾメチン系材料を選択成長させ
る例である（特願平３−１３２４４８号参照）。このよ
うな材料は、ＳｉＯ2 の上に選択的に成長する傾向があ
るため、図１３および１４に示すように、所望の領域に
ＳｉＯ2 膜を設けておくことにより、成長が可能となる
（イ、ロ）。また、逆にＳｉのような成長しにくい膜を
設けることにより、それ以外の領域で成長させることも
できる（ハ、ニ）。
成長領域に機能性材料が成長しやすくなる膜を配置する
かまたはそのような表面処理を施し、クラッド層または
コア層の一部に機能性材料を選択的に気相成長させた光
集積回路もしくは光回路デバイスの例を示す。例えば、
図１３に示す方向性結合器の中間部５や図１４に示すマ
ッハツェンダ変調器のアーム部６や光スイッチの交叉部
７などに、図１５に示すような蒸着装置により、同図に
一例を示すようなポリアゾメチン系材料を選択成長させ
る例である（特願平３−１３２４４８号参照）。このよ
うな材料は、ＳｉＯ2 の上に選択的に成長する傾向があ
るため、図１３および１４に示すように、所望の領域に
ＳｉＯ2 膜を設けておくことにより、成長が可能となる
（イ、ロ）。また、逆にＳｉのような成長しにくい膜を
設けることにより、それ以外の領域で成長させることも
できる（ハ、ニ）。
【００２６】所望の成長領域に機能性材料が成長しやす
くなる膜を配置しまたはそのような表面処理を施し、所
望の成長領域以外に機能性材料が成長しにくくなる膜を
配置しまたはそのような表面処理を施してもよい
（ホ）。さらに、機能性材料が成長しやすくなる膜また
は表面処理により、機能性材料膜の配向性を制御するこ
ともできる（ヘ）。これは、例えば、図１６および１７
に示すようなＳｉＯ2 の斜め蒸着膜（特願平４−４８９
６１号参照）やラビング膜によって、可能となる。
くなる膜を配置しまたはそのような表面処理を施し、所
望の成長領域以外に機能性材料が成長しにくくなる膜を
配置しまたはそのような表面処理を施してもよい
（ホ）。さらに、機能性材料が成長しやすくなる膜また
は表面処理により、機能性材料膜の配向性を制御するこ
ともできる（ヘ）。これは、例えば、図１６および１７
に示すようなＳｉＯ2 の斜め蒸着膜（特願平４−４８９
６１号参照）やラビング膜によって、可能となる。
【００２７】成長領域はどこであってもよいが、例え
ば、方向性結合器デバイスのクラッド部、導波路間ギャ
ップ部もしくはコア部、マッハツェンダデバイスのクラ
ッド部もしくはコア部、交差型もしくは分岐型デバイス
のクラッド部もしくはコア部などが代表例として挙げら
れる。ここでも、導波路コアやクラッドの形成には、有
機ＣＶＤ、電場アシストＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重合、蒸
着、有機ＭＢＤ、有機ＭＢＥなどの気相成長法を適用す
ることができる。
ば、方向性結合器デバイスのクラッド部、導波路間ギャ
ップ部もしくはコア部、マッハツェンダデバイスのクラ
ッド部もしくはコア部、交差型もしくは分岐型デバイス
のクラッド部もしくはコア部などが代表例として挙げら
れる。ここでも、導波路コアやクラッドの形成には、有
機ＣＶＤ、電場アシストＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重合、蒸
着、有機ＭＢＤ、有機ＭＢＥなどの気相成長法を適用す
ることができる。
【００２８】本発明は、また、有機膜の配向成長法を提
供する。図１８〜２０は、ポリマ膜にエッチング、切
削、レーザアブレーションなどで凹部を形成し、凹部壁
面に露出したポリマの配向により、有機膜を選択配向成
長させる有機膜成長法の例（図１８）（ここでは、一方
の壁面が膜成長しにくい層で覆われている）、膜の凹部
壁面に有機膜が成長しやすくなる膜を配置しまたはその
ような表面処理を施すことにより、有機膜を選択成長さ
せる例（図１９）、および有機膜が成長しやすくなる膜
の配置または表面処理により、さらに有機膜の配向性を
制御する例（図２０）（この例では、左壁面に処理を行
い、左側からから右側へ膜成長指せている）である。
供する。図１８〜２０は、ポリマ膜にエッチング、切
削、レーザアブレーションなどで凹部を形成し、凹部壁
面に露出したポリマの配向により、有機膜を選択配向成
長させる有機膜成長法の例（図１８）（ここでは、一方
の壁面が膜成長しにくい層で覆われている）、膜の凹部
壁面に有機膜が成長しやすくなる膜を配置しまたはその
ような表面処理を施すことにより、有機膜を選択成長さ
せる例（図１９）、および有機膜が成長しやすくなる膜
の配置または表面処理により、さらに有機膜の配向性を
制御する例（図２０）（この例では、左壁面に処理を行
い、左側からから右側へ膜成長指せている）である。
【００２９】ここでも、導波路コアやクラッドの形成に
は、有機ＣＶＤ、電場アシストＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重
合、蒸着、有機ＭＢＤ、有機ＭＢＥなどの気相成長法を
適用することができる。本発明は、さらに、有機製膜方
法を提供する。図２１は、有機ＣＶＤ、ＭＬＤなどによ
る気相製膜が迅速に行える方法の例である。チャンバを
複数の領域に分割し、各領域において分子ガスを導入す
るとともに、他の領域との境界付近で排出して、他の領
域よりこの分子ガスの濃度が高くなるように設定し、こ
のチャンバ内で基板８を移動させるかまたは上記領域を
基板に対して移動させ、基板上に有機膜を成長させる。
これにより、分子ガスを入れ換えることなく、高速で各
ガスに基板表面をさらすことができ、膜の成長を高速化
することができる。このような方法に用いることのでき
る分子ガスとしては、例えば、特願平３−１３２４４８
号や特願平３−２３９５５９号に記載されたようなもの
がある。
は、有機ＣＶＤ、電場アシストＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重
合、蒸着、有機ＭＢＤ、有機ＭＢＥなどの気相成長法を
適用することができる。本発明は、さらに、有機製膜方
法を提供する。図２１は、有機ＣＶＤ、ＭＬＤなどによ
る気相製膜が迅速に行える方法の例である。チャンバを
複数の領域に分割し、各領域において分子ガスを導入す
るとともに、他の領域との境界付近で排出して、他の領
域よりこの分子ガスの濃度が高くなるように設定し、こ
のチャンバ内で基板８を移動させるかまたは上記領域を
基板に対して移動させ、基板上に有機膜を成長させる。
これにより、分子ガスを入れ換えることなく、高速で各
ガスに基板表面をさらすことができ、膜の成長を高速化
することができる。このような方法に用いることのでき
る分子ガスとしては、例えば、特願平３−１３２４４８
号や特願平３−２３９５５９号に記載されたようなもの
がある。
【００３０】
【発明の効果】以上に述べたように、本発明により、下
記の如き優れた効果が得られる。 Ａ．基本的なネットワークはパッシブ導波路で形成し、
必要な箇所にのみ非線形光学材料や光アンプ材料を配置
することにより、伝搬損失の低い光集積回路を実現す
る。
記の如き優れた効果が得られる。 Ａ．基本的なネットワークはパッシブ導波路で形成し、
必要な箇所にのみ非線形光学材料や光アンプ材料を配置
することにより、伝搬損失の低い光集積回路を実現す
る。
【００３１】Ｂ．透明電極を用い、かつ、その屈折率効
果を極力小さくすることにより、電場印加効率が高く、
ノイズの少ないグレーティング型デバイスや反射型デバ
イスなどの光回路デバイスを実現する。 Ｃ．入出力においてＥ／ＯもしくはＯ／Ｅ変換を行い、
スイッチング時の波長として短波長を用いることによ
り、デバイスサイズを小さくし、集積度を上げ、またフ
ァイバなど外部デバイスとの光結合を光電変換により容
易に行えるようにする。
果を極力小さくすることにより、電場印加効率が高く、
ノイズの少ないグレーティング型デバイスや反射型デバ
イスなどの光回路デバイスを実現する。 Ｃ．入出力においてＥ／ＯもしくはＯ／Ｅ変換を行い、
スイッチング時の波長として短波長を用いることによ
り、デバイスサイズを小さくし、集積度を上げ、またフ
ァイバなど外部デバイスとの光結合を光電変換により容
易に行えるようにする。
【００３２】Ｄ．凹凸基板の壁面のポリマの配向または
その壁面への下地膜形成や表面処理により、有機膜の配
向成長の自由度を向上させる。また、チャンバを複数の
領域に分割し、各分子ガスをそれぞれの領域に閉じ込
め、基板または領域を移動させることにより有機ＣＶＤ
やＭＬＤにおけるガス圧の制御を容易にし、かつ製膜速
度を速くする。
その壁面への下地膜形成や表面処理により、有機膜の配
向成長の自由度を向上させる。また、チャンバを複数の
領域に分割し、各分子ガスをそれぞれの領域に閉じ込
め、基板または領域を移動させることにより有機ＣＶＤ
やＭＬＤにおけるガス圧の制御を容易にし、かつ製膜速
度を速くする。
【図１】本発明の光集積回路の構造の一例の模式図。
【図２】本発明の光集積回路の構造の他の例の模式図。
【図３】図１の光集積回路に用いる導波路の構造の一例
の模式図。
の模式図。
【図４】図１の光集積回路に用いる導波路の構造の他の
例の模式図。
例の模式図。
【図５】本発明の光回路デバイスの電極構造の一例の模
式図。
式図。
【図６】本発明の光回路デバイスの電極構造の他の例の
模式図。
模式図。
【図７】本発明の光回路デバイスの電極構造の他の例の
模式図。
模式図。
【図８】本発明の光回路デバイスの電極構造の他の例の
模式図。
模式図。
【図９】本発明のグレーティング型光スイッチの一例の
模式図。
模式図。
【図１０】本発明のグレーティング型光スイッチの他の
例の模式図。
例の模式図。
【図１１】本発明のマトリクス光スイッチの一例の模式
図。
図。
【図１２】本発明のマトリクス光スイッチの他の例の模
式図。
式図。
【図１３】本発明の光集積回路もしくは光回路デバイス
の一例の模式図。
の一例の模式図。
【図１４】本発明の光集積回路もしくは光回路デバイス
の他の例の模式図。
の他の例の模式図。
【図１５】本発明に有用な機能材料の気相成長に用いる
蒸着装置の一例の模式図。
蒸着装置の一例の模式図。
【図１６】本発明に有用な機能材料の配向成長のための
ＳｉＯ2 斜め蒸着膜の一例の模式図。
ＳｉＯ2 斜め蒸着膜の一例の模式図。
【図１７】本発明に有用な機能材料の配向成長のための
ＳｉＯ2 斜め蒸着膜の他の例の模式図。
ＳｉＯ2 斜め蒸着膜の他の例の模式図。
【図１８】本発明の有機膜の配向成長法の一例を説明す
るための模式図。
るための模式図。
【図１９】本発明の有機膜の配向成長法の他の例を説明
するための模式図。
するための模式図。
【図２０】本発明の有機膜の配向成長法の他の例を説明
するための模式図。
するための模式図。
【図２１】本発明の有機製膜方法を説明するための模式
図。
図。
１…クラッド ２…コア ３…透明電極 ４…金属電極 Ｉ、II、III 、IV…透明電極 ５…方向性結合器の中間部 ６…マッハツェンダ変調器のアーム部 ７…光スイッチの交叉部 ８…基板
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｆ 1/35 ５０３ Ｇ０２Ｂ 6/12 Ｍ (72)発明者 辰浦 智 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 石塚 剛 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 塚本 浩司 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 青木 重憲 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内 (72)発明者 本吉 勝貞 神奈川県川崎市中原区上小田中1015番地 富士通株式会社内
Claims (49)
- 【請求項１】 導波路ネットワークをパッシブ導波路で
構成し、機能部分のクラッド部に機能性材料を選択的に
配置したことを特徴とする光集積回路。 - 【請求項２】 導波路ネットワークをパッシブ導波路で
構成し、機能部分のコア部に機能性材料を選択的に配置
したことを特徴とする光集積回路。 - 【請求項３】 機能部分が光スイッチ、光変調器、波長
変換素子およびチューナブルフィルタから選ばれ、機能
性材料が２次または３次の非線形光学材料である請求項
１または２記載の光集積回路。 - 【請求項４】 非線形光学材料の少なくとも一部が気相
成長法により得られたものである請求項３記載の光集積
回路。 - 【請求項５】 気相成長法が有機ＣＶＤ、電場アシスト
ＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重合、蒸着、有機ＭＢＤおよび有
機ＭＢＥから選ばれたものである請求項４記載の光集積
回路。 - 【請求項６】 機能部分が光アンプであり、機能性材料
が希土類ドープ材料および蛍光性材料から選ばれる請求
項１または２記載の光集積回路。 - 【請求項７】 クラッド層上に透明電極を形成し、次い
でコア層を形成したことを特徴とする光回路導波路デバ
イス。 - 【請求項８】 コア層上に透明電極を形成し、次いでク
ラッド層を形成したことを特徴とする光回路導波路デバ
イス。 - 【請求項９】 クラッド層上に透明電極を形成し、次い
でコア層を形成した後、さらに透明電極を形成したこと
を特徴とする光回路導波路デバイス。 - 【請求項１０】 透明電極を形成し、次いでコア層を形
成したことを特徴とする光回路導波路デバイス。 - 【請求項１１】 透明電極を形成し、次いでクラッド層
を形成したことを特徴とする光回路導波路デバイス。 - 【請求項１２】 透明電極を形成し、次いでコア層を形
成した後、さらに透明電極を形成したことを特徴とする
光回路導波路デバイス。 - 【請求項１３】 光回路導波路デバイスの光路上または
その付近に透明電極が配置され、その他の部分には金属
電極が配置され、またその引き出し部およびパッド部に
金属電極が付設されている請求項７〜１２のいずれかに
記載の光回路導波路デバイス。 - 【請求項１４】 透明電極が酸化すず、すず添加の酸化
インジウム、酸化亜鉛などの金属酸化物、シリコン、シ
リコンカーバイトなどのシリコン系材料、ガリウム砒
素、ガリウムアルミ砒素、カドミウムテルライド、カド
ミウムサルファイドなどの化合物半導体、および導電性
ポリマから選ばれた材料からなる請求項７〜１３のいず
れかに記載の光回路導波路デバイス。 - 【請求項１５】 クラッド上にグレーティング状の透明
電極Ｉを形成し、その上に非線形光学材料からなるコア
を形成し、次いでグレーティング状または平板状の透明
電極IIを形成した後、さらにクラッドを形成してなり、
電極ＩとIIの間への電圧印加によりコアの屈折率変化を
誘起させて光路を切り換えるようにしたことを特徴とす
る光スイッチ。 - 【請求項１６】 クラッド上に平板状またはグレーティ
ング状の透明電極Ｉを形成し、その上に非線形光学材料
からなるコアを形成し、次いでグレーティング状の透明
電極IIを形成した後、さらにクラッドを形成してなり、
電極ＩとIIの間への電圧印加によりコアの屈折率変化を
誘起させて光路を切り換えるようにしたことを特徴とす
る光スイッチ。 - 【請求項１７】 クラッド上に櫛形透明電極ＩおよびII
を形成し、その上に非線形光学材料からなるコアを形成
した後、さらにクラッドを形成してなり、電極ＩとIIの
間への電圧印加によりコアの屈折率変化を誘起させて光
路を切り換えるようにしたことを特徴とする光スイッ
チ。 - 【請求項１８】 クラッド上に非線形光学材料からなる
コアを形成し、その上に櫛形透明電極ＩおよびIIを形成
した後、さらにクラッドを形成してなり、電極ＩとIIの
間への電圧印加によりコアの屈折率変化を誘起させて光
路を切り換えるようにしたことを特徴とする光スイッ
チ。 - 【請求項１９】 非線形光学材料からなるクラッド上に
櫛形透明電極ＩおよびIIを形成し、その上にコアを形成
した後、さらに非線形光学材料からなるクラッドを形成
してなり、電極ＩとIIの間への電圧印加によりコアの屈
折率変化を誘起させて光路を切り換えるようにしたこと
を特徴とする光スイッチ。 - 【請求項２０】 非線形光学材料からなるクラッド上に
コアを形成し、その上に櫛形透明電極ＩおよびIIを形成
した後、さらに非線形光学材料からなるクラッドを形成
してなり、電極ＩとIIの間への電圧印加によりクラッド
の屈折率変化を誘起させて光路を切り換えるようにした
ことを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項２１】 非線形光学材料からなるクラッド上に
櫛形透明電極ＩおよびIIを形成し、その上にコアを形成
し、次いで櫛形透明電極 IIIおよびIVを形成した後、さ
らに非線形光学材料からなるクラッドを形成してなり、
電極ＩとIIの間および／または電極 IIIとIVの間への電
圧印加によりクラッドの屈折率変化を誘起させて光路を
切り換えるようにしたことを特徴とする光スイッチ。 - 【請求項２２】 櫛形透明電極に代えてグレーティング
状の透明電極を形成し、クラッド層を介して対向電極を
設け、これらの透明電極と対向電極の間への電圧印加に
よりクラッドの屈折率変化を誘起させて光路を切り換え
るようにした請求項１７〜２１のいずれかに記載の光ス
イッチ。 - 【請求項２３】 グレーティング状透明電極が１個のみ
存在するか、または櫛形透明電極が１対で存在する請求
項１５〜２２のいずれかに記載の反射型光スイッチ。 - 【請求項２４】 クラッド上に形成されたグレーティン
グ状透明電極とコアの屈折率差、クラッド上に形成され
た櫛形透明電極とコアの屈折率差、コア上に形成された
グレーティング状透明電極とクラッドの屈折率差、また
はコア上に形成された櫛形透明電極とクラッドの屈折率
差が０．０１以内である請求項１５〜２３のいずれかに
記載の光スイッチ。 - 【請求項２５】 グレーティング状透明電極または櫛形
透明電極の厚さが５０００Å以下である請求項１５〜２
３のいずれかに記載の光スイッチ。 - 【請求項２６】 非線形光学材料の少なくとも一部が気
相成長法により得られたものである請求項１５〜２３の
いずれかに記載の光スイッチ。 - 【請求項２７】 気相成長法が有機ＣＶＤ、電場アシス
トＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重合、蒸着、有機ＭＢＤおよび
有機ＭＢＥから選ばれたものである請求項２６記載の光
スイッチ。 - 【請求項２８】 入力光を光電変換素子（Ｏ／Ｅ素子）
で電気に変換し、その電気信号により光信号を発生さ
せ、これを光導波路に導入し、マトリクス光スイッチで
スイッチングし、その光をＯ／Ｅ素子で電気に変換し、
その電気信号により光信号を発生させ、その光信号を出
力することを特徴とするマトリクス光スイッチ。 - 【請求項２９】 光信号の発生がＬＤの直接変調で行わ
れる請求項２８記載のマトリクス光スイッチ。 - 【請求項３０】 光信号の発生が基板にモノリシックに
組み込んだ電気光学変調器アレイで行われる請求項２８
記載のマトリクス光スイッチ。 - 【請求項３１】 Ｏ／Ｅ変換がハイブリッドに搭載した
光電変換デバイスで行われる請求項２８記載のマトリク
ス光スイッチ。 - 【請求項３２】 Ｏ／Ｅ変換が半導体基板または基板上
に成長した半導体膜に形成された光電変換デバイスで行
われる請求項２８記載のマトリクス光スイッチ。 - 【請求項３３】 入力光の波長とスイッチングされる光
の波長とが、および／または出力光の波長とスイッチン
グされる光の波長とが異なる請求項２８記載のマトリク
ス光スイッチ。 - 【請求項３４】 所望の機能性材料成長領域に機能性材
料が成長しやすくなる膜を配置するかまたはそのような
表面処理を施し、クラッド層またはコア層の一部に機能
性材料を選択的に気相成長させたことを特徴とする光集
積回路または光回路デバイス。 - 【請求項３５】 所望の機能性材料成長領域以外の領域
に機能性材料が成長しにくくなる膜を配置するかまたは
そのような表面処理を施し、クラッド層またはコア層の
一部に機能性材料を選択的に気相成長させたことを特徴
とする光集積回路または光回路デバイス。 - 【請求項３６】 所望の機能性材料成長領域に機能性材
料が成長しやすくなる膜を配置するかまたはそのような
表面処理を施し、前記機能性材料成長領域以外の領域に
機能性材料が成長しにくくなる膜を配置するかまたはそ
のような表面処理を施し、クラッド層またはコア層の一
部に機能性材料を選択的に気相成長させたことを特徴と
する光集積回路または光回路デバイス。 - 【請求項３７】 機能性材料が成長しやすくなる膜また
は表面処理により、さらに機能性材料膜の配向性が制御
される請求項３４〜３６のいずれかに記載の光集積回路
または光回路デバイス。 - 【請求項３８】 機能性材料が成長しやすくなる膜が誘
電体の斜め蒸着膜である請求項３７記載の光集積回路ま
たは光回路デバイス。 - 【請求項３９】 機能性材料が成長しやすくなる膜がラ
ビング膜である請求項３７記載の光集積回路または光回
路デバイス。 - 【請求項４０】 所望の機能性材料成長領域が、方向性
結合器デバイスのクラッド部、導波路間ギャップ部もし
くはコア部、マッハツェンダデバイスのクラッド部もし
くはコア部、または交差型もしくは分岐型デバイスのク
ラッド部もしくはコア部である請求項３４〜３９のいず
れかに記載の光集積回路または光回路デバイス。 - 【請求項４１】 ポリマ膜に凹部を形成し、この凹部の
壁面に露出したポリマの配向により有機膜を選択配向成
長させることを特徴とする有機膜成長法。 - 【請求項４２】 ポリマ膜の凹部がエッチング、切削お
よびレーザアブレーションから選ばれる手段により形成
される請求項４１記載の有機膜成長法。 - 【請求項４３】 膜の凹部壁面に有機膜が成長しやすく
なる膜を配置するかまたはそのような表面処理を施すこ
とにより、有機膜を選択成長させることを特徴とする有
機膜成長法。 - 【請求項４４】 有機膜が成長しやすくなる膜または表
面処理により、さらに有機膜の配向性が制御される請求
項４３記載の有機膜成長法。 - 【請求項４５】 有機膜の少なくとも一部が気相成長法
により形成される請求項４１〜４４のいずれかに記載の
有機膜成長法。 - 【請求項４６】 気相成長法が有機ＣＶＤ、電場アシス
トＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重合、蒸着、有機ＭＢＤおよび
有機ＭＢＥから選ばれたものである請求項４５記載の有
機膜成長法。 - 【請求項４７】 有機ＣＶＤまたはＭＬＤを行う際に、
チャンバを複数の領域に分割し、各領域において分子ガ
スを導入するとともに、他の領域との境界付近で排出し
て、他の領域より前記分子ガスの濃度が高くなるように
設定し、このチャンバ内で基板を移動させるかまたは上
記領域を基板に対して移動させ、基板上に有機膜を成長
させることを特徴とする有機膜の製膜方法。 - 【請求項４８】 有機膜の少なくとも一部が気相成長法
により形成される請求項４７記載の有機膜の製膜方法。 - 【請求項４９】 気相成長法が有機ＣＶＤ、電場アシス
トＣＶＤ、ＭＬＤ、蒸着重合、蒸着、有機ＭＢＤおよび
有機ＭＢＥから選ばれたものである請求項４８記載の有
機膜の製膜方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084795A JPH08262246A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 光集積回路、光回路導波路デバイス、並びに有機膜の配向、選択成長および製膜方法 |
| US08/618,154 US5818983A (en) | 1992-03-06 | 1996-03-19 | Optical integrated circuit, optical circuit waveguide device and process for oriented, selective growth and formation of organic film |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6084795A JPH08262246A (ja) | 1995-03-20 | 1995-03-20 | 光集積回路、光回路導波路デバイス、並びに有機膜の配向、選択成長および製膜方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08262246A true JPH08262246A (ja) | 1996-10-11 |
Family
ID=13154183
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6084795A Withdrawn JPH08262246A (ja) | 1992-03-06 | 1995-03-20 | 光集積回路、光回路導波路デバイス、並びに有機膜の配向、選択成長および製膜方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08262246A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6343171B1 (en) | 1998-10-09 | 2002-01-29 | Fujitsu Limited | Systems based on opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making |
| CN102141653A (zh) * | 2011-02-21 | 2011-08-03 | 华为技术有限公司 | 机械式光开关及机械式光开关选择光路的方法 |
| CN110375652A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-10-25 | 合肥工业大学 | 可提高光束稳定性的长距离多自由度激光测量系统 |
-
1995
- 1995-03-20 JP JP6084795A patent/JPH08262246A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6343171B1 (en) | 1998-10-09 | 2002-01-29 | Fujitsu Limited | Systems based on opto-electronic substrates with electrical and optical interconnections and methods for making |
| CN102141653A (zh) * | 2011-02-21 | 2011-08-03 | 华为技术有限公司 | 机械式光开关及机械式光开关选择光路的方法 |
| CN110375652A (zh) * | 2019-08-28 | 2019-10-25 | 合肥工业大学 | 可提高光束稳定性的长距离多自由度激光测量系统 |
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