JPH08260145A - Production of plastic substrate having conductive layer - Google Patents

Production of plastic substrate having conductive layer

Info

Publication number
JPH08260145A
JPH08260145A JP7062921A JP6292195A JPH08260145A JP H08260145 A JPH08260145 A JP H08260145A JP 7062921 A JP7062921 A JP 7062921A JP 6292195 A JP6292195 A JP 6292195A JP H08260145 A JPH08260145 A JP H08260145A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
sputtering
conductive layer
glow discharge
plastic substrate
curl
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP7062921A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
武 ▲よし▼見
Takeshi Yoshimi
Kazuhiro Noda
和裕 野田
Tetsushi Deguchi
哲志 出口
Kinya Saikai
欣也 西海
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Gunze Ltd
Original Assignee
Gunze Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Gunze Ltd filed Critical Gunze Ltd
Priority to JP7062921A priority Critical patent/JPH08260145A/en
Publication of JPH08260145A publication Critical patent/JPH08260145A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Coating Of Shaped Articles Made Of Macromolecular Substances (AREA)
  • Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

PURPOSE: To provide a process for producing a plastic substrate having a conductive layer contributing to a decrease in curling which arises at the plastic substrate while assuring electrical conductivity and moistureproof performance. CONSTITUTION: A base body 11 consisting of a PPS film is set on a base body holder 2 and a target object 12 consisting of a chromium plate is set on a target electrode 3. While a sputtering chamber 4 is evacuated by operating a vacuum pump 5, argon is sealed from a rare gas sealing section 6 into this chamber. Sputtering by a high-frequency glow discharge system is first executed by operating a high-frequency glow discharge device 7 while the internal pressure of the sputtering chamber 4 is regulated to 2×10<-3> Torr. In succession, sputtering by a direct glow discharge system is executed by operating a direct glow discharge device 8.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、非導電性プラスチック
フィルムに金属をスパッタリングすることによって導電
層を有したプラスチック基板を製造する方法に関する。
FIELD OF THE INVENTION The present invention relates to a method for producing a plastic substrate having a conductive layer by sputtering a metal on a non-conductive plastic film.

【0002】[0002]

【従来の技術】非導電性のプラスチックフィルム上に導
電性の金属や金属酸化物の膜を形成する技術が知られて
おり、このようにして製造されたプラスチック基板は、
タッチパネルを初め各種電子部品の材料として用いられ
ている。この導電層を形成する方法としては、金属(金
属酸化物)をスパッタリングや蒸着する手法が用いられ
る。
2. Description of the Related Art A technique for forming a conductive metal or metal oxide film on a non-conductive plastic film is known, and a plastic substrate manufactured in this manner is
It is used as a material for various electronic components including touch panels. As a method of forming this conductive layer, a method of sputtering or vapor depositing a metal (metal oxide) is used.

【0003】スパッタリングは、金属や金属酸化物等の
ターゲット物体を、希ガス中で放電により加速されたイ
オンでたたいてターゲット物体の粒子をはね飛ばし、こ
れを基体(プラスチックフィルム)の上に付着させるも
のであって、蒸着法等と比べて、形成されたターゲット
物体の膜と基体との密着性が良好で、幅広い範囲の金属
や金属酸化物等をターゲット物体として用いることので
きることから比較的よく利用されているが、最近の液晶
パネルとかタッチパネルの需要の増大に伴ってその利用
頻度も更に高まっている。
In sputtering, a target object such as a metal or a metal oxide is hit with ions accelerated by electric discharge in a rare gas to fly off particles of the target object, which are then deposited on a substrate (plastic film). Compared to the vapor deposition method, etc., the adhesion between the formed target object film and the substrate is better, and a wide range of metals and metal oxides can be used as the target object. It is being used frequently, but with the recent increase in demand for liquid crystal panels and touch panels, the frequency of its use is increasing.

【0004】スパッタリング時の放電には、直流グロー
放電方式と高周波グロー放電方式とがあり、各々が有す
る特徴によって使い分けられているが、導電性プラスチ
ック基板の製造においては、設備が比較的安価でスパッ
タリング速度の速い直流グロー放電方式が多く用いられ
ている。
There are a direct current glow discharge method and a high frequency glow discharge method for discharge during sputtering, which are used depending on the characteristics of each, but in the production of conductive plastic substrates, the equipment is relatively inexpensive and sputtering is performed. A fast direct current glow discharge method is often used.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】ところが、このように
プラスチックフィルムに金属をスパッタリングして導電
層を有したプラスチック基板を製造する現場において、
製造したプラスチック基板にカールが発生するという問
題が生じており、当該プラスチック基板を用いて次の作
業を行うのに不都合が生じている。例えば、プラスチッ
ク基板を所定の寸法に切ったり貼り合わせたりする際
に、フィルムがカールしているとその作業性が極めて悪
くなる。特に、薄いプラスチックフィルムに金属をスパ
ッタリングする場合には、フィルムに生ずるカールが大
きく、問題が顕著である。
However, in the field where the metal is sputtered on the plastic film to manufacture the plastic substrate having the conductive layer, as described above,
There is a problem that the manufactured plastic substrate is curled, and it is inconvenient to carry out the next operation using the plastic substrate. For example, when a plastic substrate is cut into a predetermined size or is stuck together, if the film is curled, the workability thereof becomes extremely poor. In particular, when metal is sputtered on a thin plastic film, the curl generated in the film is large and the problem is remarkable.

【0006】このようなカールを低減するために、プラ
スチックフィルムに形成する導電層の厚さを薄くすると
いう手段をとることも考えられる。しかし、導電層を薄
く形成すると、導電性が損われたり、ゴミなどによって
導電層にピンホールが発生したり、導電層の防湿性能が
低下するといった新たな問題が生じるため、すぐれた解
決手段ということはできない。
In order to reduce such curl, it is conceivable to take measures to reduce the thickness of the conductive layer formed on the plastic film. However, if the conductive layer is thinly formed, new problems such as loss of conductivity, occurrence of pinholes in the conductive layer due to dust, etc., and deterioration of the moisture-proof performance of the conductive layer occur, and therefore it is an excellent solution. It is not possible.

【0007】本発明は、このような課題に鑑み、導電性
や防湿性能を確保しつつ、プラスチック基板に生じるカ
ールを低減することのできる導電層を有したプラスチッ
ク基板の製造方法を提供することを目的とするものであ
る。
In view of the above problems, the present invention provides a method of manufacturing a plastic substrate having a conductive layer capable of reducing curl generated in the plastic substrate while ensuring conductivity and moistureproof performance. It is intended.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、請求項1記載の発明は、希ガス中で放電により金属
をスパッタリングして非導電性プラスチックフィルム上
に導電層を形成するプラスチック基板の製造方法であっ
て、導電層側が外側になる向きにプラスチックフィルム
をカールさせるような導電層を形成する条件の下でスパ
ッタリングを行う第1のスパッタリングステップと、導
電層側が内側になる向きにプラスチックフィルムをカー
ルさせるような導電層を形成する条件の下でスパッタリ
ングを行う第2のスパッタリングステップと、を備える
ことを特徴としている。
In order to achieve the above object, the invention according to claim 1 provides a plastic substrate in which a conductive layer is formed on a non-conductive plastic film by sputtering a metal by discharge in a rare gas. A manufacturing method, the first sputtering step of performing sputtering under the condition of forming a conductive layer so that the plastic film is curled in a direction in which the conductive layer side is on the outside, and a plastic film in which the conductive layer side is inward. A second sputtering step in which sputtering is performed under the condition of forming a conductive layer that curls.

【0009】また、請求項2記載の発明は、請求項1記
載の発明に対して、第1のスパッタリングステップで
は、高周波グロー放電によってスパッタリングを行い、
第2のスパッタリングステップでは、直流グロー放電に
よってスパッタリングを行うことを特徴としている。ま
た、請求項3記載の発明は、請求項1記載の発明に対し
て、金属は、ニッケル又はタンタルであって、第1のス
パッタリングステップでは、所定圧力よりも低い低動作
圧に調整された希ガス中でスパッタリングを行い、第2
のスパッタリングステップでは、所定圧力よりも高い高
動作圧に調整された希ガス中でスパッタリングを行うこ
とを特徴としている。
Further, in the invention described in claim 2, in contrast to the invention described in claim 1, in the first sputtering step, sputtering is performed by high frequency glow discharge,
The second sputtering step is characterized in that sputtering is performed by direct current glow discharge. Further, the invention according to claim 3 is different from the invention according to claim 1, in which the metal is nickel or tantalum, and in the first sputtering step, a rare operating pressure lower than a predetermined pressure is adjusted. Sputtering in gas, second
The sputtering step is characterized by performing sputtering in a rare gas adjusted to a high operating pressure higher than a predetermined pressure.

【0010】[0010]

【作用】本発明者等は、スパッタリングによって導電層
を有したプラスチック基板を製造する方法について研究
を行う中において、金属をスパッタリングして製造した
プラスチック基板にはカールが生じやすいが、金属酸化
物をスパッタリングして製造したプラスチック基板には
あまりカールが生じないという事実や、金属をスパッタ
リングして製造したプラスチック基板のカールの向きや
程度は、スパッタリング時の条件によって左右されると
いう事実を発見した。
The present inventors, while conducting research on a method for producing a plastic substrate having a conductive layer by sputtering, tend to curl a plastic substrate produced by sputtering a metal, but It was discovered that the plastic substrate produced by sputtering does not curl so much and that the direction and degree of curl of the plastic substrate produced by sputtering metal depend on the conditions during sputtering.

【0011】即ち、クロムやチタンをはじめとする多く
の金属については、直流グロー放電方式によってスパッ
タリングを行うと導電層側を外側にしてカール(以下、
アウトカールと記載する)し、高周波グロー放電方式に
よってスパッタリングを行うと導電層側を内側にしてカ
ールする(以下、インカールと記載する)傾向を示すこ
とがわかった。
That is, for many metals such as chromium and titanium, when the sputtering is performed by the direct current glow discharge method, the curl (hereinafter
It has been found that a tendency to curl with the conductive layer side facing inward (hereinafter, referred to as incurl) is obtained by performing sputtering by the high frequency glow discharge method.

【0012】更に、ニッケルやタンタルについては、グ
ロー放電の方式にかかわらず、スパッタリング時の動作
圧が4〜5×10-3Torr程度の所定圧力より高いか
低いかによってカールする向きが変わり、この所定圧力
より低い低動作圧に調整された希ガス中でスパッタリン
グを行うとアウトカールとなり、この所定圧力より高い
高動作圧に調整された希ガス中でスパッタリングを行う
とインカールする傾向を示すことがわかった。
Further, for nickel and tantalum, the curling direction changes depending on whether the operating pressure during sputtering is higher or lower than a predetermined pressure of about 4 to 5 × 10 −3 Torr, regardless of the glow discharge method. When the sputtering is performed in a rare gas adjusted to a low operating pressure lower than a predetermined pressure, the curl becomes outcurl, and when the sputtering is performed in a rare gas adjusted to a high operating pressure higher than the predetermined pressure, the curl tends to incur. all right.

【0013】このように、スパッタリング時の条件によ
ってカールの向きや程度が左右される理由について、詳
しいところはまだわかっていないが、スパッタリング時
の条件によって、プラスチックフィルム上に形成される
金属の結晶構造に違いが生じること、或は形成される金
属結晶の粒子同士の間隔に違いが生じることによって、
導電層がプラスチックフィルムを伸長させてアウトカー
ルを生じさせる場合と、導電層がプラスチックフィルム
を収縮させてインカールを生じさせる場合とがあるもの
と推測される。
Although the details of the reason why the direction and degree of curl depend on the sputtering conditions are not known yet, the crystal structure of the metal formed on the plastic film depends on the sputtering conditions. Difference or the difference in the spacing between the formed metal crystal particles,
It is presumed that there are cases where the conductive layer stretches the plastic film to cause out curl, and where the conductive layer contracts the plastic film to cause in curl.

【0014】本発明者等は、このような現象に着目し
て、スパッタリング時において、形成される導電層が互
いに相反する向きへカールさせるような条件下でのスパ
ッタリングを組み合わせることにより、プラスチック基
板に生じるカールを低減させることができることを見い
出し、本発明に到った。請求項1記載の発明によれば、
第1のスパッタリングステップにより形成される導電層
はプラスチックフィルムをアウトカールさせようとし、
第2のスパッタリングステップにより形成される導電層
はプラスチックフィルムをインカールさせようとする。
The inventors of the present invention focused on such a phenomenon, and by combining the sputtering under the condition that the formed conductive layers curl in opposite directions at the time of sputtering, a plastic substrate is formed. The inventors have found that curl that occurs can be reduced, and arrived at the present invention. According to the invention of claim 1,
The conductive layer formed by the first sputtering step attempts to outcurl the plastic film,
The conductive layer formed by the second sputtering step tends to incur the plastic film.

【0015】そして、この相反する向きへカールさせよ
うとする導電層の作用が相殺されることにより、プラス
チック基板のカールが低減される。また、第1のスパッ
タリングステップと第2のスパッタリングステップで形
成された各導電層は積層されており、導電層全体の厚み
は、各導電層の厚みを合わせたものとなる。
Then, the effects of the conductive layers that try to curl in opposite directions are offset, and the curl of the plastic substrate is reduced. Further, the conductive layers formed in the first sputtering step and the second sputtering step are stacked, and the total thickness of the conductive layers is the sum of the thicknesses of the conductive layers.

【0016】従って、第1のスパッタリングステップを
行う回数と第2のスパッタリングステップを行う回数と
を適当に組み合わせることにより、導電層の厚みを自由
に調整できると共に、カールを低減することができる。
また、請求項2記載の発明によれば、第1のスパッタリ
ングステップで、高周波グロー放電によってスパッタリ
ングを行うことにより形成された導電層は、プラスチッ
クフィルムをアウトカールさせようとする。
Therefore, by appropriately combining the number of times the first sputtering step is performed and the number of times the second sputtering step is performed, the thickness of the conductive layer can be freely adjusted and curl can be reduced.
According to the second aspect of the invention, the conductive layer formed by performing the sputtering by the high frequency glow discharge in the first sputtering step tends to outcurl the plastic film.

【0017】一方、第2のスパッタリングステップで、
直流グロー放電によってスパッタリングを行うことによ
り形成された導電層は、プラスチックフィルムをインカ
ールさせようとする。また、請求項3記載の発明によれ
ば、第1のスパッタリングステップで、所定圧力より低
い低動作圧に調整された希ガス中でスパッタリングを行
うことにより形成されたニッケル或はタンタルの導電層
は、プラスチックフィルムをアウトカールさせようとす
る。
On the other hand, in the second sputtering step,
The conductive layer formed by sputtering by direct current glow discharge tends to incur the plastic film. Further, according to the invention of claim 3, in the first sputtering step, the conductive layer of nickel or tantalum formed by sputtering in a rare gas adjusted to a low operating pressure lower than a predetermined pressure is formed. , Try to outcurl the plastic film.

【0018】一方、第2のスパッタリングステップで、
所定圧力よりも高い高動作圧に調整された希ガス中でス
パッタリングを行うことにより形成されたニッケル或は
タンタルの導電層は、プラスチックフィルムをインカー
ルさせようとする。
On the other hand, in the second sputtering step,
The conductive layer of nickel or tantalum formed by sputtering in a rare gas adjusted to a high operating pressure higher than a predetermined pressure tends to incur the plastic film.

【0019】[0019]

【実施例】以下、本発明の導電層を有したプラスチック
基板の製造方法の実施例について具体的に説明する。 (実施例1)図1は、本実施例で用いるスパッタリング
装置の概略構成図である。図に示すように、スパッタリ
ング装置1は、基体11を装着する基体ホルダ2及びタ
ーゲット物体12を装着するターゲット電極3を備えた
スパッタリング槽4と、スパッタリング槽4を高真空ま
で排気することのできる真空ポンプ5と、スパッタリン
グ槽4に所望の圧力で希ガスを封入することのできる希
ガス封入部6と、基体11とターゲット物体12との間
に高周波電圧を印加して高周波グロー放電を行う高周波
グロー放電デバイス7と、基体11とターゲット物体1
2との間に直流電圧を印加して直流グロー放電を行う直
流グロー放電デバイス8等から構成されている。
EXAMPLES Examples of the method for producing a plastic substrate having a conductive layer according to the present invention will be specifically described below. (Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a sputtering apparatus used in this embodiment. As shown in the figure, the sputtering apparatus 1 includes a sputtering chamber 4 including a substrate holder 2 for mounting a substrate 11 and a target electrode 3 for mounting a target object 12, and a vacuum capable of exhausting the sputtering chamber 4 to a high vacuum. A high-frequency glow in which a high-frequency voltage is applied between a pump 5, a rare-gas filling portion 6 capable of filling a rare gas at a desired pressure in a sputtering tank 4, a base 11 and a target object 12 to perform high-frequency glow discharge. Discharge device 7, base 11 and target object 1
It is composed of a DC glow discharge device 8 for applying a DC voltage between the two and DC glow discharge.

【0020】基体11としては、厚さ3.5μm,大き
さ10mm×100mmの透明ポリフェニルサルファイ
ト(PPS)フィルムを表面処理(溶剤等で洗浄)した
ものを用いた。このフィルムの基体11は厚さが極めて
薄くそのままでは取扱いが難しいので、まず、これを支
持する支持フィルム13を容易に剥離ができるよう貼り
合わせた後、基体ホルダ2にセットした。支持フィルム
13としては、厚さ50μmのポリエチレンテレフタレ
ート(PET)フィルムを用いた。また、ターゲット物
体12としてはクロム(Cr)板を用い、これをターゲ
ット電極3上にセットした。
The substrate 11 used was a transparent polyphenylsulfite (PPS) film having a thickness of 3.5 μm and a size of 10 mm × 100 mm, which was surface-treated (washed with a solvent or the like). Since the base 11 of this film is extremely thin and difficult to handle as it is, the support film 13 for supporting the film was first attached so as to be easily peeled off, and then set on the base holder 2. As the support film 13, a polyethylene terephthalate (PET) film having a thickness of 50 μm was used. A chromium (Cr) plate was used as the target object 12 and was set on the target electrode 3.

【0021】そして、真空ポンプ5を作動させてスパッ
タリング槽4から排気しつつ、希ガス封入部6からアル
ゴンを封入してスパッタリング槽4内の内圧を2×10
-3Torrに調整しながら、先ず高周波グロー放電デバ
イス7を作動させて高周波グロー放電方式によるスパッ
タリングを行い、引き続き直流グロー放電デバイス8を
作動させて、直流グロー放電方式によるスパッタリング
を行った。
Then, the vacuum pump 5 is operated to evacuate the sputtering tank 4, and argon is sealed from the rare gas sealing portion 6 so that the internal pressure in the sputtering tank 4 becomes 2 × 10.
While adjusting to -3 Torr, first, the high frequency glow discharge device 7 was operated to perform sputtering by the high frequency glow discharge system, and then the direct current glow discharge device 8 was operated to perform sputtering by the direct current glow discharge system.

【0022】高周波グロー放電は、2kwの印加電力で
162秒間放電し、直流グロー放電は、1kwの印加電
力で162秒間放電した。そして、スパッタリング終了
後、基体11をスパッタリング槽4から取り出し、支持
フィルム13を剥離して導電層付きプラスチック基板を
製造した。そして、製造した導電層付きプラスチック基
板について、導電層となる金属膜の膜厚を測定し、金属
膜の状態も調べた。また、図2に示すカール長測定器2
0を用いてカール長を測定した。
The high-frequency glow discharge was discharged with an applied power of 2 kw for 162 seconds, and the direct current glow discharge was discharged with an applied power of 1 kw for 162 seconds. After the completion of sputtering, the substrate 11 was taken out of the sputtering tank 4 and the support film 13 was peeled off to manufacture a plastic substrate with a conductive layer. Then, with respect to the manufactured plastic substrate with a conductive layer, the thickness of the metal film to be the conductive layer was measured, and the state of the metal film was also examined. Further, the curl length measuring device 2 shown in FIG.
0 was used to measure the curl length.

【0023】カール長測定器20は、高さ130mmの
垂直に立てられたステンレス板21と、このステンレス
板21の下端を支持する固定台22からなっている。カ
ール長の測定方法は、導電層付きプラスチック基板の一
端を、カール長測定器20のステンレス板21の上端に
両面テープで貼付けて、これを吊り下げる。このとき、
導電層付きプラスチック基板のカールの外側の面をステ
ンレス板21に向けて貼付ける。この状態で、該プラス
チック基板の下端とステンレス板21との距離を測定し
て、これをカール長とする。これらの測定結果は、下記
表1に示されている通りである。
The curl length measuring device 20 is composed of a vertically standing stainless plate 21 having a height of 130 mm and a fixing table 22 for supporting the lower end of the plate 21. To measure the curl length, one end of the plastic substrate with a conductive layer is attached to the upper end of the stainless plate 21 of the curl length measuring device 20 with a double-sided tape, and this is hung. At this time,
The plastic substrate with a conductive layer is attached so that the outer surface of the curl faces the stainless steel plate 21. In this state, the distance between the lower end of the plastic substrate and the stainless steel plate 21 is measured, and this is taken as the curl length. The results of these measurements are as shown in Table 1 below.

【0024】[0024]

【表1】 金属膜の状態は、極めて平滑であって、ゴミ等によるピ
ンホールも全く観察されなかった。また、導電層付きプ
ラスチック基板に若干のカールは生じているものの、こ
の程度のカールは、例えばインクジェットプリンタのヘ
ッドの電気回路部材として用いる場合においても実用上
全く支障がないことを確認した。
[Table 1] The state of the metal film was extremely smooth, and pinholes due to dust or the like were not observed at all. Further, although some curl has occurred in the plastic substrate with a conductive layer, it has been confirmed that such a curl has no problem in practical use even when used as an electric circuit member of a head of an inkjet printer.

【0025】(実施例2)本実施例の導電層付きプラス
チック基板の製造方法は、実施例1と同様であるが、基
体11としてPPSフィルムの代わりに厚さ12.5μ
mのポリイミドフィルム(東レ・デュポン社製,商品
名:カプトン50H)を用いた点と、スパッタリング時
における高周波グロー放電と直流グロー放電の順序を入
れ換えた点、即ち、スパッタリング時に、先ず直流グロ
ー放電デバイス8を作動させて直流グロー放電を行った
後、高周波グロー放電デバイス7を作動させて高周波グ
ロー放電を行った点が異なっている。
(Embodiment 2) The manufacturing method of the plastic substrate with the conductive layer of this embodiment is the same as that of the embodiment 1, except that the substrate 11 has a thickness of 12.5 μ instead of the PPS film.
m polyimide film (manufactured by Toray DuPont Co., Ltd., trade name: Kapton 50H) and that the order of the high frequency glow discharge and the direct current glow discharge at the time of sputtering was exchanged, that is, the direct current glow discharge device at the time of sputtering. 8 is operated to perform direct current glow discharge, and then the high frequency glow discharge device 7 is operated to perform high frequency glow discharge.

【0026】そして、製造した導電層付きプラスチック
基板について、実施例1と同様に、金属膜の膜厚、金属
膜の状態、カール長等をチェックした。測定結果は表1
に示す通りであって、金属膜の状態は極めて平滑であ
り、ゴミ等によるピンホールも全く観察されなかった。 (実施例3)本実施例の導電層付きプラスチック基板の
製造方法は、実施例1と同様であるが、ターゲット物体
12としてクロム板の代わりにチタン(Ti)板を用い
た点と、スパッタリング時における高周波グロー放電と
直流グロー放電の順序を入れ換えて、先ず直流グロー放
電デバイス8を作動させて直流グロー放電を行った後に
高周波グロー放電デバイス7を作動させて高周波グロー
放電を行った点が異なっている。
With respect to the manufactured plastic substrate with a conductive layer, the thickness of the metal film, the state of the metal film, the curl length, etc. were checked in the same manner as in Example 1. The measurement results are shown in Table 1.
The state of the metal film was extremely smooth, and no pinhole due to dust was observed. (Example 3) The method for manufacturing the plastic substrate with a conductive layer of this example is the same as that of Example 1, except that a titanium (Ti) plate is used as the target object 12 instead of a chrome plate, and during sputtering. The order of the high frequency glow discharge and the direct current glow discharge is reversed, and the direct current glow discharge device 8 is first operated to perform direct current glow discharge, and then the high frequency glow discharge device 7 is operated to perform high frequency glow discharge. There is.

【0027】そして、製造した導電層付きプラスチック
基板について、実施例1と同様に、金属膜の膜厚、金属
膜の状態、カール長等をチェックした。測定結果は表1
に示す通りであって、金属膜の状態は極めて平滑であ
り、ゴミ等によるピンホールも全く観察されなかった。
なお、本実施例では、直流グロー放電によるスパッタリ
ング修了後に、一旦、基体11を取り出して、カールの
状態をチェックした。その結果は、表1で括弧付で示し
ているようにカール長27mmのインカールが見られ
た。
With respect to the manufactured plastic substrate with a conductive layer, the film thickness of the metal film, the state of the metal film, the curl length, etc. were checked in the same manner as in Example 1. The measurement results are shown in Table 1.
The state of the metal film was extremely smooth, and no pinhole due to dust was observed.
In this example, the substrate 11 was once taken out and the curl state was checked after the completion of the sputtering by the DC glow discharge. As a result, an incurl having a curl length of 27 mm was observed as shown in parentheses in Table 1.

【0028】(比較例1)実施例1と同様に導電層付き
プラスチック基板を製造したが、ここでは、直流グロー
放電方式によるスパッタリングのみ、或は高周波グロー
放電方式のスパッタリングのみを行うことによって製造
した。そして、製造した導電層付きプラスチック基板に
ついて、実施例1と同様に、金属膜の膜厚、金属膜の状
態、カール長等をチェックした。その測定結果は表1に
示す。また、金属膜には、ゴミによると思われるピンホ
ールが観察された。
(Comparative Example 1) A plastic substrate with a conductive layer was manufactured in the same manner as in Example 1, but here, it was manufactured by performing only DC glow discharge type sputtering or high frequency glow discharge type sputtering. . Then, with respect to the manufactured plastic substrate with a conductive layer, the film thickness of the metal film, the state of the metal film, the curl length and the like were checked in the same manner as in Example 1. The measurement results are shown in Table 1. In addition, pinholes that were probably due to dust were observed in the metal film.

【0029】(比較例2)実施例2と同様に導電層付き
プラスチック基板を製造したが、ここでは、直流グロー
放電方式によるスパッタリングのみ、或は高周波グロー
放電方式のスパッタリングのみを行うことによって製造
した。そして、製造した導電層付きプラスチック基板に
ついて、実施例1と同様に、金属膜の膜厚、金属膜の状
態、カール長等をチェックした。その測定結果は表1に
示す。また、金属膜には、ゴミによると思われるピンホ
ールが観察された。
(Comparative Example 2) A plastic substrate with a conductive layer was manufactured in the same manner as in Example 2, but here, it was manufactured by performing only the sputtering by the direct current glow discharge method or only the sputtering by the high frequency glow discharge method. . Then, with respect to the manufactured plastic substrate with a conductive layer, the film thickness of the metal film, the state of the metal film, the curl length and the like were checked in the same manner as in Example 1. The measurement results are shown in Table 1. In addition, pinholes that were probably due to dust were observed in the metal film.

【0030】(実施例4)本実施例の導電層付きプラス
チック基板の製造方法は、スパッタリング装置1を用
い、基体11として厚さ3.5μm,大きさ10mm×
100mmの透明PPSフィルムを用い、減圧下でアル
ゴンを封入しながらグロー放電を行うことによってスパ
ッタリングを行う点は実施例1と同様であるが、ターゲ
ット物体12としてニッケル(Ni)板を用い、高周波
グロー放電方式のみで行い、低動作圧と高動作圧の2つ
の動作圧を組み合わせてスパッタリングを行う点が異な
っている。
(Embodiment 4) In the method for manufacturing a plastic substrate with a conductive layer according to this embodiment, the sputtering apparatus 1 is used, and the substrate 11 has a thickness of 3.5 μm and a size of 10 mm ×.
As in Example 1, a 100 mm transparent PPS film was used to perform sputtering by glow discharge while enclosing argon under reduced pressure, but a nickel (Ni) plate was used as the target object 12, and a high frequency glow was used. The difference is that only the discharge method is used, and sputtering is performed by combining two operating pressures, a low operating pressure and a high operating pressure.

【0031】即ち、本実施例では、スパタリング時に、
先ずスパッタリング槽4の内圧を2×10-3Torrに
調整して高周波グロー放電デバイス7を作動させ、引き
続きスパッタリング槽4の内圧を6×10-3Torrに
調整して高周波グロー放電デバイス7を作動させた(印
加電力は2kw,グロー放電時間は各々162秒)。そ
して、製造した導電層付きプラスチック基板について、
実施例1と同様に、金属膜の膜厚、金属膜の状態、カー
ル長等をチェックした。測定結果は、下記表2に示す。
That is, in this embodiment, at the time of sputtering,
First, the internal pressure of the sputtering tank 4 is adjusted to 2 × 10 −3 Torr to operate the high frequency glow discharge device 7, and then the internal pressure of the sputtering tank 4 is adjusted to 6 × 10 −3 Torr to operate the high frequency glow discharge device 7. (Applied power is 2 kW, glow discharge time is 162 seconds each). And for the manufactured plastic substrate with a conductive layer,
In the same manner as in Example 1, the thickness of the metal film, the state of the metal film, the curl length, etc. were checked. The measurement results are shown in Table 2 below.

【0032】[0032]

【表2】 金属膜の状態は、極めて平滑であって、ゴミ等によるピ
ンホールも全く観察されなかった。また、導電層付きプ
ラスチック基板のカールは小さく実用上支障ない程度で
あった。 (実施例5)本実施例の導電層付きプラスチック基板の
製造方法は、実施例4と同様であるが、基体11として
PPSフィルムの代わりに厚さ12.5μmのポリイミ
ドフィルム(東レ・デュポン社製,商品名:カプトン5
0H)を用いた点と、ターゲット物体12としてニッケ
ル板の代わりにタンタル(Ta)板を用いた点と、スパ
ッタリング時に高周波グロー放電方式の代わりに直流グ
ロー放電方式を用い、低動作圧と高動作圧の順序を入れ
換えた点、即ち、スパッタリング時に、先ずスパッタリ
ング槽4の内圧を高動作圧(6×10-3Torr)に調
整して直流グロー放電デバイス8を作動させた後、スパ
ッタリング槽4の内圧を低動作圧(2×10-3Tor
r)に調整して直流グロー放電デバイス8を作動させた
点が異なっている。
[Table 2] The state of the metal film was extremely smooth, and pinholes due to dust or the like were not observed at all. Further, the curl of the plastic substrate with the conductive layer was small and was not a problem in practical use. (Example 5) The manufacturing method of the plastic substrate with a conductive layer of this example is the same as that of Example 4, except that the substrate 11 is replaced with a PPS film and a polyimide film having a thickness of 12.5 μm (manufactured by Toray DuPont) , Product name: Kapton 5
0H), a tantalum (Ta) plate was used as the target object 12 instead of a nickel plate, and a DC glow discharge method was used instead of the high frequency glow discharge method at the time of sputtering to obtain a low operating pressure and high operation. At the point where the order of pressure is changed, that is, at the time of sputtering, first, the internal pressure of the sputtering tank 4 is adjusted to a high operating pressure (6 × 10 −3 Torr) to operate the DC glow discharge device 8, and then the sputtering tank 4 is operated. Low internal pressure (2 × 10 -3 Tor)
The difference is that the DC glow discharge device 8 is operated after adjusting to r).

【0033】そして、製造した導電層付きプラスチック
基板について、実施例4と同様に、金属膜の膜厚、金属
膜の状態、カール長等をチェックした。測定結果は表2
に示す。金属膜の状態は極めて平滑であり、ゴミ等によ
るピンホールも全く観察されなかった。 (比較例3)実施例4と同様に導電層付きプラスチック
基板を製造したが、ここでは、低動作圧(2×10-3
orr)での高周波グロー放電方式のスパッタリングの
み、或は高動作圧(6×10-3Torr)での高周波グ
ロー放電方式のスパッタリングのみを行った。
Then, with respect to the manufactured plastic substrate with a conductive layer, the film thickness of the metal film, the state of the metal film, the curl length and the like were checked in the same manner as in Example 4. Table 2 shows the measurement results
Shown in The state of the metal film was extremely smooth, and no pinholes due to dust were observed. (Comparative Example 3) A plastic substrate with a conductive layer was produced in the same manner as in Example 4, except that a low operating pressure (2 x 10 -3 T) was used.
or high frequency glow discharge type sputtering at orr) or high frequency glow discharge type sputtering at high operating pressure (6 × 10 −3 Torr).

【0034】そして、製造した導電層付きプラスチック
基板について、実施例4と同様に、金属膜の膜厚、金属
膜の状態、カール長等をチェックした。その測定結果は
表2に示す。 (比較例4)実施例4と同様に導電層付きプラスチック
基板を製造したが、ここでは、低動作圧の値として2×
10-3Torrの代わりに0.7×10-3Torrを、
或は高動作圧の値として6×10-3Torrの代わりに
9.5×10-3Torrを用いた。
Then, with respect to the manufactured plastic substrate with a conductive layer, the film thickness of the metal film, the state of the metal film, the curl length and the like were checked in the same manner as in Example 4. The measurement results are shown in Table 2. (Comparative Example 4) A plastic substrate with a conductive layer was manufactured in the same manner as in Example 4, but here, the value of the low operating pressure was 2 x.
The 0.7 × 10 -3 Torr in place of 10 -3 Torr,
Alternatively, as the value of the high operating pressure, 9.5 × 10 -3 Torr was used instead of 6 × 10 -3 Torr.

【0035】そして、製造した導電層付きプラスチック
基板について、実施例4と同様に、金属膜の膜厚、金属
膜の状態、カール長等をチェックした。その測定結果は
表4に示す。 [考察]以上のような実施例及び比較例の測定結果等か
ら、以下のように考察することができる。
Then, with respect to the manufactured plastic substrate with a conductive layer, the film thickness of the metal film, the state of the metal film, the curl length and the like were checked in the same manner as in Example 4. The measurement results are shown in Table 4. [Discussion] From the measurement results and the like of the examples and comparative examples as described above, the following can be considered.

【0036】表1における比較例1,2のカールの向き
から、クロムやチタンにおいては、直流グロー放電の場
合はインカール、高周波グロー放電の場合はアウトカー
ルを生じる傾向を示すことがわかる。また、表2におけ
る比較例3のカールの向きから、ニッケルにおいては、
2×10-3の低動作圧ではアウトカール、6×10-3
高動作圧ではインカールを生じる傾向を示すことがわか
る。
From the curl directions of Comparative Examples 1 and 2 in Table 1, it is found that chromium and titanium tend to cause incurl in the case of direct current glow discharge and outcurl in the case of high frequency glow discharge. Further, from the curl direction of Comparative Example 3 in Table 2, in the case of nickel,
It can be seen that a low operating pressure of 2 × 10 −3 tends to cause outcurl, and a high operating pressure of 6 × 10 −3 tends to cause incurl.

【0037】また、表1において、実施例1〜3のカー
ル長はいずれも、比較例1,2のカール長と比べて大き
く低減している。これより、クロム,チタンの何れの場
合においても、直流グロー放電と高周波グロー放電とを
組み合わせることによってカール長を低減できること、
また、直流グロー放電と高周波グロー放電の順序はどち
らが先でもよいことがわかる。
Further, in Table 1, the curl lengths of Examples 1 to 3 are all significantly smaller than those of Comparative Examples 1 and 2. From this, it is possible to reduce the curl length by combining the direct current glow discharge and the high frequency glow discharge in both cases of chromium and titanium.
Further, it can be seen that either the direct current glow discharge or the high frequency glow discharge may be performed first.

【0038】また、表2において、実施例4のカール長
は比較例3のカール長と比べて大きく低減している。ま
た、実施例5においても、小さなカール長を得ているこ
とから、ニッケル及びタンタルにおいて、低動作圧と高
動作圧のスパッタリングを組合せることによりカール長
を低減できることがわかる。ここで、直流グロー放電と
高周波グロー放電のいずれの場合においても効果がある
こと、また低動作圧と高動作圧の順序はどちらが先でも
よいことがわかる。但し、操作上から見ると、低動作圧
を先に行う方が操作性がよいと考えられる。
Further, in Table 2, the curl length of Example 4 is greatly reduced as compared with the curl length of Comparative Example 3. In addition, since the small curl length is obtained also in Example 5, it is understood that the curl length can be reduced by combining sputtering of low operating pressure and high operating pressure for nickel and tantalum. Here, it is understood that the effect is obtained in both cases of the DC glow discharge and the high frequency glow discharge, and that the order of the low operating pressure and the high operating pressure may come first. However, from the viewpoint of operation, it is considered that the operability is better when the low operating pressure is applied first.

【0039】また、表2において、実施例4と比べて比
較例4でカール長が大きくなっているが、これは、実施
例4のように低動作圧と高動作圧を組み合わせてスパッ
タリングを行う場合、動作圧の範囲は1〜9×10-3
orrの範囲で行うこと、即ち、低動作圧の値として1
〜4×10-3Torrの範囲が適当であり、高動作圧の
値として5〜9×10-3Torrの範囲が適当であるこ
とを示唆している。
Further, in Table 2, the curl length is larger in Comparative Example 4 than in Example 4, but this is performed by combining a low operating pressure and a high operating pressure as in Example 4. In this case, the operating pressure range is 1-9 × 10 -3 T
Perform in the range of orr, that is, 1 as the value of low operating pressure
Range to 4 × 10 -3 Torr are suitable, the range of 5 to 9 × 10 -3 Torr as the value of the high operating pressure suggests that it is appropriate.

【0040】また、表1及び表2において、金属膜の膜
厚は、1回放電の場合はいずれも0.1μm、2回放電
の場合はいずれも0.2μmとなっており、放電の回数
に比例している。以上、本発明の実施例について説明し
たが、本発明は、上記実施例に記載された内容に限定さ
れることものではない。
Further, in Tables 1 and 2, the film thickness of the metal film is 0.1 μm in both cases of single discharge and 0.2 μm in case of double discharge. Is proportional to. Although the embodiments of the present invention have been described above, the present invention is not limited to the contents described in the above embodiments.

【0041】例えば、アルミニウム,パラジウム,金,
銀,銅,白金等の金属においても、比較例1,2と同様
に、直流グロー放電の場合はインカール、高周波グロー
放電の場合はアウトカールの傾向を示すので、これらの
金属についても実施例1〜3と同様に実施することがで
きる。但しクロムやチタンの場合は特にカールが発生し
やすいので、本発明によるカール低減効果も顕著に表れ
るが、他の金属の場合は、クロムやチタンほど効果が顕
著ではないと考えられる。
For example, aluminum, palladium, gold,
Similar to Comparative Examples 1 and 2, metals such as silver, copper, and platinum show a tendency of incurl in the case of DC glow discharge and outcurl in the case of high-frequency glow discharge. It can be carried out in the same manner as described above. However, in the case of chromium or titanium, curling is particularly likely to occur, and therefore the curl reducing effect according to the present invention is remarkable, but in the case of other metals, the effect is not so remarkable as that of chromium or titanium.

【0042】また、上記実施例1〜3においては、スパ
ッタリング槽4内の内圧を2×10 -3Torrに調整し
て行ったが、一般的な動作圧10-2〜10-4Torrに
おいて、同様に実施することができる。また、上記実施
例1〜3においては、高周波グロー放電と直流グロー放
電とを各1回づつ行う例、実施例2〜5においては、低
動作圧と高動作圧とで各1回づつ放電を行う例を示した
が、金属膜を更に厚く形成する場合は、放電回数を増や
して繰り返して行うことにより、0.5μm程度の厚さ
までの金属膜は容易に形成することができる。
Further, in the above-mentioned first to third embodiments, the spa
The internal pressure in the tattering tank 4 is 2 × 10 -3Adjust to Torr
The general operating pressure was 10-2-10-FourTo Torr
Then, it can be implemented in the same manner. In addition, the above
In Examples 1-3, high frequency glow discharge and direct current glow discharge
In each of Examples 2 to 5 in which the electric power is applied once,
An example has been shown in which the discharge is performed once for each of the operating pressure and the high operating pressure.
However, when forming a thicker metal film, increase the number of discharges.
Repeatedly, the thickness of about 0.5μm
The metal film up to can be easily formed.

【0043】また、上記実施例1〜5の基体11として
一般的に用いることのできるプラスチックフィルムの厚
さは約250μm以下であって、厚さが1〜100μm
(特に1.5〜50μm)程度の薄く柔軟なプラスチッ
クフィルムにおいては、カール低減効果が顕著であると
考えられる。またプラスチックフィルムの材質として
は、耐熱性や寸法安定性に優れたものが望ましく、例え
ば、ポリプロピレン,ポリエチレンフタレート,ポリア
ミド(芳香族,脂肪族),ポリカーボネート,ポリエー
テルスルホン,ポリアリレート,ポリエーテルケトン,
ポリパラキシリレン,ポリフェンレンスルフィド,ポリ
パラバン酸,熱可塑性ポリイミド,熱硬化性ポリイミ
ド,熱硬化性ポリアミドイミドを挙げることができ、こ
の中でもポリエチレンフタレート,ポリエーテルスルホ
ン,ポリエーテルケトン,ポリアリレート,ポリイミド
は耐熱性,寸法安定性に優れ、薄いフィルムを得ること
ができる点で好ましい材質である。
The thickness of the plastic film which can be generally used as the substrate 11 of Examples 1 to 5 is about 250 μm or less, and the thickness is 1 to 100 μm.
It is considered that the curl reducing effect is remarkable in a thin and flexible plastic film (especially about 1.5 to 50 μm). The material of the plastic film is preferably one having excellent heat resistance and dimensional stability. For example, polypropylene, polyethylene phthalate, polyamide (aromatic or aliphatic), polycarbonate, polyether sulfone, polyarylate, polyether ketone,
Examples thereof include polyparaxylylene, polyphenene sulfide, polyparabanic acid, thermoplastic polyimide, thermosetting polyimide, and thermosetting polyamide-imide. Among them, polyethylene phthalate, polyether sulfone, polyether ketone, polyarylate, polyimide Is a preferable material because it has excellent heat resistance and dimensional stability, and a thin film can be obtained.

【0044】これらのプラスチックフィルムは、未処理
のまま用いてもよいが、物理的方法(ゴミ等の除去)、
物理化学的方法(溶剤,水等による洗浄、コロナ放
電)、化学的方法(表面酸化、化学薬品による表面粗
化)によって表面処理して用いるのが望ましい。また、
上記実施例1〜5においては、希ガスとしてアルゴンを
用いる例を示したが、この他にクリプトン,ヘリウム等
を用いても同様に実施することができる。
These plastic films may be used as they are without treatment, but they may be treated by a physical method (removal of dust, etc.),
It is desirable to perform surface treatment by a physicochemical method (cleaning with a solvent, water, etc., corona discharge) or a chemical method (surface oxidation, surface roughening with a chemical). Also,
In the above-mentioned Examples 1 to 5, an example in which argon is used as the rare gas has been shown, but krypton, helium, or the like may be used in the same manner as above.

【0045】また、上記実施例1〜5においては、1回
のグロー放電時間を162秒としたが、このグロー放電
時間は、実験を通して、必要な金属膜の厚さ、印加電力
の大きさ、カールの程度等に応じて、1〜3分程度の範
囲の中で適当な値に定めるのがよい。また、繰り返しグ
ロー放電する際の各回の放電時間は互いに異なってもよ
い。
Further, in the above-mentioned Examples 1 to 5, the glow discharge time for one time was set to 162 seconds, but this glow discharge time was determined by experimenting with the required thickness of the metal film, the magnitude of the applied power, It is preferable to set an appropriate value within a range of about 1 to 3 minutes depending on the degree of curling. Further, the discharge time of each time when the glow discharge is repeated may be different from each other.

【0046】また、上記実施例1〜5においては、高周
波グロー放電の印加電力を2kw、直流グロー放電の印
加電力を1kwとしたが、一般的な高周波グロー放電の
印加電力である0.2〜3kw程度(0.5〜2kwが
効率的)、及び一般的な直流グロー放電の印加電力であ
る0.2〜10kw程度(0.5〜5kwが効率的)
で、同様に実施することができる。
In the first to fifth embodiments, the applied power of the high frequency glow discharge is set to 2 kw and the applied power of the direct current glow discharge is set to 1 kw. About 3 kW (0.5 to 2 kW is efficient), and about 0.2 to 10 kW (0.5 to 5 kW is efficient), which is the applied power of general DC glow discharge.
Then, it can be implemented similarly.

【0047】[0047]

【発明の効果】本発明の導電層を有したプラスチック基
板の製造方法によれば、スパッタリング時に、高周波グ
ロー放電と直流グロー放電とを組み合わせることによっ
て、或は、低動作圧と高動作圧とを組み合わせることに
よって、形成される導電層の性能(即ち導電性や非透湿
性)を確保しながら、プラスチック基板のカールを低減
することができる。
According to the method of manufacturing a plastic substrate having a conductive layer of the present invention, a low operating pressure and a high operating pressure can be achieved by combining high frequency glow discharge and direct current glow discharge during sputtering. By combining them, it is possible to reduce the curl of the plastic substrate while ensuring the performance of the formed conductive layer (that is, conductivity and moisture impermeable).

【0048】そして、プラスチック基板のカールを低減
することにより、これを用いて次の工程を行う際の作業
性が向上する。特に、薄いプラスチック基板を製造する
際におけるカール低減の効果が顕著であるので、インク
ジェットプリンタのヘッドの電気回路部材に用いるプラ
スチック基板など、今後の需要が見込まれる分野での実
用的効果が大きい。
By reducing the curl of the plastic substrate, the workability in carrying out the next step using the plastic substrate is improved. In particular, since the curl reduction effect is remarkable when a thin plastic substrate is manufactured, it has a great practical effect in a field in which future demand is expected, such as a plastic substrate used for an electric circuit member of an inkjet printer head.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の実施例に係るスパッタリング装置の概
略構成図である。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a sputtering apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例に係るカール長測定器の斜視図
である。
FIG. 2 is a perspective view of a curl length measuring device according to an embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 スパッタリング装置 4 スパッタリング槽 7 高周波グロー放電デバイス 8 直流グロー放電デバイス 11 基体 12 ターゲット物体 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Sputtering apparatus 4 Sputtering tank 7 High frequency glow discharge device 8 DC glow discharge device 11 Base 12 Target object

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H01B 13/00 503 H01B 13/00 503A // H01B 5/14 5/14 Z (72)発明者 西海 欣也 滋賀県守山市森川原町163番地 グンゼ株 式会社滋賀研究所内─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical display location H01B 13/00 503 H01B 13/00 503A // H01B 5/14 5/14 Z (72) Inventor Kinkai Saikai 163 Morikawara-cho, Moriyama-shi, Shiga Gunge Co., Ltd. Shiga Research Institute

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 希ガス中で放電により金属をスパッタリ
ングして非導電性プラスチックフィルム上に導電層を形
成するプラスチック基板の製造方法であって、 導電層側が外側になる向きに前記プラスチックフィルム
をカールさせるような導電層を形成する条件の下でスパ
ッタリングを行う第1のスパッタリングステップと、 導電層側が内側になる向きに前記プラスチックフィルム
をカールさせるような導電層を形成する条件の下でスパ
ッタリングを行う第2のスパッタリングステップと、 を備えることを特徴とする導電層を有したプラスチック
基板の製造方法。
1. A method of manufacturing a plastic substrate in which a conductive layer is formed on a non-conductive plastic film by sputtering a metal in a rare gas by electric discharge, wherein the plastic film is curled so that the conductive layer side faces outward. The first sputtering step in which the conductive layer is formed so as to form a conductive layer, and the sputtering is performed under the condition in which the conductive layer is formed so as to curl the plastic film in such a manner that the conductive layer side faces inward. A method of manufacturing a plastic substrate having a conductive layer, comprising: a second sputtering step.
【請求項2】 前記第1のスパッタリングステップで
は、高周波グロー放電によってスパッタリングを行い、 前記第2のスパッタリングステップでは、直流グロー放
電によってスパッタリングを行うことを特徴とする請求
項1記載の導電層を有したプラスチック基板の製造方
法。
2. The conductive layer according to claim 1, wherein in the first sputtering step, sputtering is performed by high frequency glow discharge, and in the second sputtering step, sputtering is performed by direct current glow discharge. For manufacturing a finished plastic substrate.
【請求項3】 請求項1記載の導電性プラスチック基板
の製造方法において、 前記金属は、ニッケル又はタンタルであって、 第1のスパッタリングステップでは、所定圧力よりも低
い低動作圧に調整された希ガス中でスパッタリングを行
い、 第2のスパッタリングステップでは、前記所定圧力より
も高い高動作圧に調整された希ガス中でスパッタリング
を行うことを特徴とする請求項1記載の導電層を有した
プラスチック基板の製造方法。
3. The method for manufacturing a conductive plastic substrate according to claim 1, wherein the metal is nickel or tantalum, and in the first sputtering step, a rare operating pressure lower than a predetermined pressure is adjusted. The plastic having a conductive layer according to claim 1, wherein the sputtering is performed in a gas, and in the second sputtering step, the sputtering is performed in a rare gas whose operating pressure is higher than the predetermined pressure. Substrate manufacturing method.
JP7062921A 1995-03-22 1995-03-22 Production of plastic substrate having conductive layer Pending JPH08260145A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7062921A JPH08260145A (en) 1995-03-22 1995-03-22 Production of plastic substrate having conductive layer

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7062921A JPH08260145A (en) 1995-03-22 1995-03-22 Production of plastic substrate having conductive layer

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08260145A true JPH08260145A (en) 1996-10-08

Family

ID=13214218

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7062921A Pending JPH08260145A (en) 1995-03-22 1995-03-22 Production of plastic substrate having conductive layer

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08260145A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7565880B2 (en) 2002-12-18 2009-07-28 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma CVD apparatus, and method for forming film and method for forming semiconductor device using the same

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7565880B2 (en) 2002-12-18 2009-07-28 Sharp Kabushiki Kaisha Plasma CVD apparatus, and method for forming film and method for forming semiconductor device using the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO1998041999A1 (en) Electronic component
JP2007243122A (en) Film forming method of shield film by sputtering and formed shield film
WO2004073971A1 (en) A method of manufacturing a laminated structure
JPH08260145A (en) Production of plastic substrate having conductive layer
JP4646580B2 (en) Method for producing composite film and surface modification method for resin film
JP2024019570A (en) strain gauge
JPH11191500A (en) Glow discharge electrode and treatment method by glow discharge plasma
WO2022071101A1 (en) Electrode
JP4510967B2 (en) Conductive light selective transmission sheet
JP3751805B2 (en) Method for forming metal thin film
JP2016153214A (en) Conductive film and electromagnetic shield sheet using the same
JPH08332697A (en) Metal polymer film
JPS62222518A (en) Manufacture of transparent conductive film
JP3331308B2 (en) Plasma treatment method for organic substrate and method for forming metal layer on organic substrate
JP2006077286A (en) Method for producing vacuum thin film, vacuum thin film/base material-stacked product, and metal layer/base material-stacked product
JP3834078B2 (en) Thin film formation method
JP3826756B2 (en) Electromagnetic shielding film
WO2024111533A1 (en) Wiring board and manufacturing method therefor
JP4279606B2 (en) Film plating material manufacturing method and manufacturing apparatus
JPH0971859A (en) Polymer base body coated with noble metal film and its production
JPH05217800A (en) Manufacture of film capacitor component
WO2007145379A1 (en) Composite electromagnetic shielding material and process for producing the same
JP2002025853A (en) Method for manufacturing laminated film capacitor
JPH118153A (en) Manufacture of high-molecular thin film and capacitor
JP2022106507A (en) Strain gauge