JPH08249894A - Read-out circuit for data from read only memory, write-in circuit for data to read only memory and write-in method for data to read only memory - Google Patents

Read-out circuit for data from read only memory, write-in circuit for data to read only memory and write-in method for data to read only memory

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JPH08249894A
JPH08249894A JP4972895A JP4972895A JPH08249894A JP H08249894 A JPH08249894 A JP H08249894A JP 4972895 A JP4972895 A JP 4972895A JP 4972895 A JP4972895 A JP 4972895A JP H08249894 A JPH08249894 A JP H08249894A
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JP
Japan
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address
data
read
memory
random access
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Withdrawn
Application number
JP4972895A
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Japanese (ja)
Inventor
Hidetoshi Shirasawa
英俊 白沢
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Filing date
Publication date
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Publication of JPH08249894A publication Critical patent/JPH08249894A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To make data read-out speed compatible with data transmission speed by providing plural read only memories in a read-out circuit and reading out alternately divided and written data. CONSTITUTION: An address counter is set to 16 bits and one word of a ROM is set to 8 bits, and four ROMs 103a-103d are provided. When Q0 and Q1 of an address counter 101 are both 'H', the ROM 103 is accessed making an output signal of an output enable generation section 102a as active. Therefore, an enable repeating frequency is made one fourth of a clock, data read out from each ROM are taken in a D-FF 104 by the clock, and data converted to parallel to series by loading respectively to a shift register 105 by the same enable signal is outputted from an output terminal SD0. On the other hand, in writing data, transferring data of plural buffer RAMs is controlled by setting of SW, s RAM address switching section, and a RAMCS separating section, and the order of writing data in a ROM is automatically set.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は読出し専用メモリ(以
下、ROMと略記する)からのデータ読出し回路、RO
Mへのデータ書込み回路及びROMへのデータ書込み方
法に係り、特に、データの読出し速度と伝送路上のデー
タ速度との整合を考慮したROMからのデータ読出し回
路、該読出し回路に整合したデータ書込み回路及びデー
タ書込み方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data read circuit for a read only memory (hereinafter abbreviated as ROM), RO.
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a data writing circuit for M and a method for writing data to a ROM, and in particular, a data reading circuit from a ROM in consideration of matching between a data reading speed and a data speed on a transmission line, and a data writing circuit matching the reading circuit. And a data writing method.

【0002】例えば、伝送システムの試験を行なう時、
データを予めROMに書き込んでおき、該書き込んだデ
ータを読み出して試験データとして使用することによ
り、大量の試験データを簡単に生成することができる。
又、データの内容やフォーマットを変えて試験する際に
は、ROMに格納するデータの書き替えや、ROMの交
換によって任意のデータに対する試験を容易に実現する
ことができる。従って、上記のような試験においてRO
Mに書き込んだデータを伝送システムに送信するという
方法が広く用いられている。
For example, when testing a transmission system,
A large amount of test data can be easily generated by writing the data in the ROM in advance and reading the written data and using it as the test data.
Further, when a test is performed by changing the content or format of the data, the test for arbitrary data can be easily realized by rewriting the data stored in the ROM or exchanging the ROM. Therefore, in the above test, RO
The method of transmitting the data written in M to the transmission system is widely used.

【0003】ところで、伝送システムにおける伝送速度
の高速化は著しいものがあり、ROMの動作速度も向上
はしているものの、伝送速度との間に不整合が生じてい
る。この不整合をROMの高速化によって解消しようと
すれば、その開発に過大な努力を注ぐ必要があり、又、
この努力によって伝送速度に整合しうる動作速度を有す
るROMが実現されたとしても非常に高価なものになる
と考えられ、経済的に試験装置を実現することは無理に
なる。
By the way, the transmission speed in the transmission system is remarkably increased, and although the operating speed of the ROM is also improved, there is a mismatch with the transmission speed. In order to eliminate this inconsistency by speeding up the ROM, it is necessary to devote excessive efforts to its development.
Even if a ROM having an operating speed that can match the transmission speed is realized by this effort, it will be very expensive, and it is impossible to economically realize the test apparatus.

【0004】従って、許容される価格で提供されるRO
Mを採用して、それからのデータの読出し方によって上
記の不整合を解決することが望まれる。又、ROMから
のデータ読出し回路によって上記の不整合を解決しよう
とすれば読出し方に対する制約が生じ、これによってR
OMへのデータ書込み方にも制約が生ずる。この書込み
における制約は試験データの作成者の負担を増加させる
ことになるので、読出し回路の開発と併せて、ROMへ
のデータ書込み回路及びその方法の開発が必要になる。
Therefore, the RO provided at an acceptable price
It is desirable to employ M and resolve the above inconsistencies by the way the data is read from it. Further, if the above-mentioned inconsistency is to be solved by the data read circuit from the ROM, there is a restriction on the read method, which causes R
There are restrictions on how to write data to the OM. This restriction in writing increases the burden on the creator of test data, so that it is necessary to develop a data writing circuit for ROM and a method therefor together with the development of a reading circuit.

【0005】[0005]

【従来の技術】図51は、従来のROMからの読出し回
路の例である。図51において、101はアドレス・カ
ウンタ、103はデータを格納しているROM、105
はD型フリップ・フロップ(以下、D−FFと略記す
る)である。ここでは、アドレス・カウンタは16ビッ
ト、ROMの1ワードは8ビットとして例示している。
2. Description of the Related Art FIG. 51 shows an example of a conventional read circuit from a ROM. In FIG. 51, 101 is an address counter, 103 is a ROM storing data, and 105
Is a D-type flip-flop (hereinafter abbreviated as D-FF). Here, the address counter is illustrated as 16 bits, and one word in the ROM is illustrated as 8 bits.

【0006】図52は、従来のROMからのデータ読出
し回路のタイムチャートである。以下、図51と図52
とによって従来のROMからのデータ読出し回路の動作
を説明する。
FIG. 52 is a time chart of a conventional data read circuit from a ROM. Hereinafter, FIG. 51 and FIG.
The operation of the conventional data reading circuit from the ROM will be described with reference to FIGS.

【0007】アドレス・カウンタの出力Q0〜Q15を
ROMのアドレスとし、クロック(以下、CKと略記す
る)の立上りでROMの出力をD−FFに取り込んで、
8ビット並列に送出する。従って、各ワードの同一ビッ
トで一つの試験データを形成するようにしておけば、8
種類の試験データを同時に出力できる。
The outputs Q0 to Q15 of the address counter are used as the addresses of the ROM, and the output of the ROM is taken into the D-FF at the rising edge of the clock (hereinafter abbreviated as CK).
Send 8 bits in parallel. Therefore, if one test data is formed by the same bit of each word, 8
It can output different types of test data at the same time.

【0008】図53は、従来のROMライタの構成であ
る。図53において、201はデータの書込みを制御す
るパソコン、301はRS−232Cポート、302は
12ボルト系から5ボルト系へのレベル変換部、303
は調歩同期インタフェース受信部(以下、SIO受信部
と略記する)、304は発振器、305は論理和(以
下、ORと略記する)回路、306は中央制御ユニット
(以下、CPUと略記する)、307はエッジ検出部、
308はスイッチ(以下、SWと略記する)、309は
プル・アップ抵抗である。310aは第一のデコーダ
(以下、デコーダ1と略記する。後述の第nのデコーダ
も同様にデコーダnと略記する)、310bはデコーダ
2、310cはデコーダ3で,310a乃至310cは
入出力空間のアドレス・デコーダとして使用されてい
る。311は読出しレジスタ(以下、Rレジスタと略記
する)、312は書込みレジスタ(以下Wレジスタと略
記する)、313は読出し/書込みレジスタ(以下、R
/Wレジスタと略記する)である。又、314aはデコ
ーダ4、314bはデコーダ5で、314a及び314
bはメモリ空間のアドレス・デコーダとして使用されて
いる。317は書込みプログラムを格納しているプログ
ラムROM、318は書込みデータを一旦格納するラン
ダム・アクセス・メモリ(以下、バッファRAMと略記
する)、401はデータを書き込む対象のターゲットR
OMである。尚、図53において300番台の符号を付
した要素によってROMライタが構成される。又、RO
Mライタの機能には、パソコンからROMライタへのデ
ータ転送機能、ターゲットROMへの書込み機能、ベリ
ファイ機能、チェックサム機能、ターゲットROMから
パソコンへのロード機能があるが、本発明はパソコンか
らROMライタへのデータ転送機能、ターゲットROM
への書込み機能に関するものであるので、ベリファイ機
能以下の機能を実現する構成は図示を省略している。
FIG. 53 shows the structure of a conventional ROM writer. In FIG. 53, 201 is a personal computer for controlling data writing, 301 is an RS-232C port, 302 is a level conversion unit from 12 volt system to 5 volt system, 303
Is an asynchronous interface receiver (hereinafter abbreviated as SIO receiver), 304 is an oscillator, 305 is a logical sum (hereinafter abbreviated as OR) circuit, 306 is a central control unit (hereinafter abbreviated as CPU), 307 Is the edge detector,
308 is a switch (hereinafter abbreviated as SW), and 309 is a pull-up resistor. Reference numeral 310a is a first decoder (hereinafter abbreviated as decoder 1. The nth decoder described later is also abbreviated as decoder n), 310b is a decoder 2, 310c is a decoder 3, and 310a to 310c are input / output spaces. Used as an address decoder. 311 is a read register (hereinafter abbreviated as R register), 312 is a write register (hereinafter abbreviated as W register), and 313 is a read / write register (hereinafter R).
/ W register). Also, 314a is a decoder 4, 314b is a decoder 5, and 314a and 314 are decoders.
b is used as an address decoder in the memory space. Reference numeral 317 is a program ROM storing a write program, 318 is a random access memory (hereinafter abbreviated as buffer RAM) for temporarily storing write data, and 401 is a target R to which data is written.
OM. Incidentally, the ROM writer is constituted by the elements denoted by reference numerals in the 300s in FIG. Also, RO
The functions of the M writer include a data transfer function from the personal computer to the ROM writer, a write function to the target ROM, a verify function, a checksum function, and a load function from the target ROM to the personal computer. Data transfer function, target ROM
Since it is related to the write function to, the configuration for realizing the function following the verify function is omitted in the drawing.

【0009】図54は、従来のROMライタにおけるデ
ータ転送時のフローチャート、図55は従来のROMラ
イタにおけるデータ書込みのフローチャートである。以
下、図53を参照しながら、図54と図55とによって
従来のROMライタの動作を説明する。
FIG. 54 is a flowchart for data transfer in a conventional ROM writer, and FIG. 55 is a flowchart for data writing in a conventional ROM writer. The operation of the conventional ROM writer will be described below with reference to FIGS. 54 and 55 with reference to FIG.

【0010】先ず、パソコンからROMライタへデータ
を転送する場合には、図53のSWを開放にしてエッジ
検出部とRレジスタとに“H”を供給しておく。 C1.パソコンからRS−232Cポートを介してデー
タが送られてくる度にCPUに割り込み要求をあげる。
CPUは割り込みを許可した後、Rレジスタの割り込み
ステータス・レジスタを読み出してSIO受信割り込み
の発生か否か判断する。SIO受信割り込みでない場合
(No)には元に戻って、次の割り込み要求を待つ。 C2.ステップC1でSIO受信割り込みと判断した場
合(Yes)には、RレジスタのSIO受信バッファを
読み出す。 C3.ステップC2で読んだ情報がアドレス情報である
か否かを判断する。 C4.ステップC3でアドレス情報であると判断した場
合(Yes)には、その情報をR/Wレジスタのアドレ
ス・バッファに書込み、次のSIO受信割り込みが発生
するまで待つ。
First, when data is transferred from the personal computer to the ROM writer, SW in FIG. 53 is opened and "H" is supplied to the edge detector and the R register. C1. Every time data is sent from the personal computer through the RS-232C port, an interrupt request is sent to the CPU.
After enabling the interrupt, the CPU reads the interrupt status register of the R register and determines whether or not the SIO reception interrupt is generated. If it is not the SIO reception interrupt (No), it returns to the original state and waits for the next interrupt request. C2. If the SIO reception interrupt is determined in step C1 (Yes), the SIO reception buffer of the R register is read. C3. It is determined whether the information read in step C2 is address information. C4. If it is determined in step C3 that the information is address information (Yes), the information is written in the address buffer of the R / W register and waits until the next SIO reception interrupt occurs.

【0011】その後のSIO受信情報は、ROMに書き
込むべきデータ、チェックサム情報であるが、これらの
情報量は業界標準として存在するフォーマットによって
決まっている。例えば、インテルのHEXフォーマット
の場合にはアドレス情報の後は32バイトのデータ情報
と1バイトのチェックサム情報である。これらの判断は
プロクラムROMに格納されているプログラムによって
行なわれる。 C5.ステップC3において、SIO受信情報がアドレ
ス情報ではない場合(No)には、データであるか否か
を判断する。 C6.ステップC5でデータであると判断した場合(Y
es)には、R/Wレジスタのアドレス・バッファに書
き込まれている値を読み出す。 C7.ステップC6で読み出した値をバッファRAMに
アクセスする番地として、受信したデータをバッファR
AMに書き込む。 C8.ステップC6で読んだアドレスが最終アドレスか
否かを判断する。最終アドレスであると判断した場合
(Yes)には、データの転送を終了する。 C9.ステップC8で最終アドレスではないと判断した
場合(No)には、R/Wレジスタのアドレス・バッフ
ァのアドレスを更新して、次の受信情報を待つ。 C10.ステップC5において、受信情報がデータでは
ないと判断した場合(No)には、受信情報はチェック
サム情報であるので、チェックサムを行なって次の受信
情報を待つ。次の情報はアドレス情報であるので、再び
上記の動作に入る。そして、C8で最終アドレスである
と判断するまで上記の動作を繰り返して行なう。
The subsequent SIO reception information is the data to be written in the ROM and the checksum information, but the amount of these information is determined by the format existing as the industry standard. For example, in the case of the HEX format of Intel, the address information is followed by 32 bytes of data information and 1 byte of checksum information. These judgments are made by the program stored in the program ROM. C5. In step C3, if the SIO reception information is not address information (No), it is determined whether or not it is data. C6. When it is determined that the data is data in step C5 (Y
In es), the value written in the address buffer of the R / W register is read. C7. The received data is stored in the buffer R using the value read in step C6 as an address for accessing the buffer RAM.
Write to AM. C8. It is determined whether the address read in step C6 is the final address. If it is determined that the address is the final address (Yes), the data transfer ends. C9. If it is determined in step C8 that it is not the final address (No), the address of the address buffer of the R / W register is updated and the next reception information is waited for. C10. If it is determined in step C5 that the received information is not data (No), the received information is the checksum information, so the checksum is performed and the next received information is waited for. Since the next information is address information, the above operation is started again. Then, the above operation is repeated until the final address is judged at C8.

【0012】次にターゲットROMへのデータの書込み
は次のようにして行なわれる。この場合には、SWを閉
じてエッジ検出部とRレジスタに“L”を供給してCP
Uに割り込みを上げる。 D1.CPUはRレジスタの割り込みステータス・レジ
スタを読出してSW割り込みの発生を判断する。SW割
り込みが発生していない場合(No)には、元に戻って
SW割り込みの発生を待つ。 D2.ステップD1にてSW割り込みが発生したと判断
した場合(Yes)には、CPUはRレジスタのSW状
態レジスタを読出し、SWが“L”であるか否かを判断
する。SWが“L”でない場合(No)にはD1に戻っ
てSW割り込みの発生を待つ。
Next, writing of data to the target ROM is performed as follows. In this case, close the SW and supply "L" to the edge detector and R register
Interrupt U. D1. The CPU reads the interrupt status register of the R register and determines the occurrence of the SW interrupt. If the SW interrupt has not occurred (No), it returns to the original state and waits for the occurrence of the SW interrupt. D2. When it is determined in step D1 that the SW interrupt has occurred (Yes), the CPU reads the SW status register of the R register and determines whether SW is "L". When SW is not "L" (No), the process returns to D1 and waits for the generation of the SW interrupt.

【0013】SW割り込みが発生したと判断した場合
(Yes)には、ターゲットROMへの書込みモードで
あるので、書込み動作に入る。 D3.バッファRAMへのアクセス番地RAMADに0
000番地(ヘキサ表現)をセットする。 D4.バッファRAMのRAMAD番地の内容を読出し
てCPUのレジスタ等に格納する。 D5.WレジスタのI/O空間のDXビットに“H”を
書き込んでターゲットROMへの書込みをイネーブルに
する。 D6.デコーダ5の出力によりバッファRAMのチップ
セレクト(以下、CSと略記する)をディスエイブルに
して、ステップD4で読み出したバッファRAMの番地
と同じ番地に、ステップ4で一時格納したデータををタ
ーゲットROMに書き込む。 D7.WレジスタのI/O空間のDXビットに“L”を
書き込んでバッファRAMへの書込みをイネーブルにす
る。 D8.最終アドレスまで書き込んだか否かを判断する。
最終アドレスである場合(Yes)には、書込み動作を
終了する。 D9.最終アドレスまで書き込んでいない場合(No)
には、バッファRAMへのアクセス番地を1番地進めて
更新し、ステップD4に戻る。
When it is determined that the SW interrupt has occurred (Yes), the write operation is started because it is the write mode to the target ROM. D3. Access address to buffer RAM 0 in RAMAD
Set address 000 (hexadecimal expression). D4. The contents of the RAMAD address of the buffer RAM are read out and stored in the CPU register or the like. D5. "H" is written in the DX bit of the I / O space of the W register to enable writing to the target ROM. D6. The output of the decoder 5 disables the chip select (hereinafter abbreviated as CS) of the buffer RAM, and the data temporarily stored in step 4 is stored in the target ROM at the same address as the buffer RAM read in step D4. Write. D7. "L" is written to the DX bit of the I / O space of the W register to enable writing to the buffer RAM. D8. It is determined whether the data has been written up to the final address.
If it is the final address (Yes), the write operation is ended. D9. When not writing to the final address (No)
, The access address to the buffer RAM is advanced by 1 and updated, and the process returns to step D4.

【0014】[0014]

【発明が解決しようとする課題】従来のROMからのデ
ータ読出し回路においては、ROMから読み出されたデ
ータがそのまま出力されるので、例えば伝送システムの
試験の場合には、ROMからのデータ読出し速度が伝送
システムの伝送速度以上でなければ、伝送システム側か
ら期待されるデータを送出できないことになる。ところ
で、ROMからのデータ読出しの高速化と伝送システム
の高速化を比較すると、伝送システムの方が著しく高速
化されている。従って、従来のROMからのデータ読出
し回路では伝送システムの試験データの送出には適合で
きないという問題が生じている。
In the conventional data reading circuit from the ROM, the data read from the ROM is output as it is. If is not higher than the transmission speed of the transmission system, the data expected from the transmission system side cannot be transmitted. By the way, comparing the speed of reading data from the ROM with the speed of the transmission system, the speed of the transmission system is significantly higher. Therefore, there is a problem that the conventional data reading circuit from the ROM cannot be adapted to the transmission of the test data of the transmission system.

【0015】又、従来のROMライタにおいては、バッ
ファRAMに逐次的に書き込んだデータを順次ターゲッ
トROMに書き込むようになっている。ところで、上記
のようなROMからのデータ読出し回路における問題を
解決しようとすると、ROMへの書込み方に制約が生じ
て、データの書込みに関して設計者の負担を増加させる
ことは想像に難くない。
Further, in the conventional ROM writer, the data sequentially written in the buffer RAM is sequentially written in the target ROM. By the way, when trying to solve the problem in the data read circuit from the ROM as described above, it is not difficult to imagine that the way of writing to the ROM is restricted and the burden on the designer is increased in writing the data.

【0016】本発明は、かかる問題に対処すべく、デー
タの読出し速度と伝送路上のデータ速度との整合を考慮
したROMからのデータ読出し回路、該読出し回路に整
合したデータ書込み回路及びその方法を提供することを
目的とする。
In order to cope with such a problem, the present invention provides a data read circuit from a ROM, a data write circuit matched with the read circuit, and a method therefor in consideration of matching between the data read speed and the data speed on the transmission path. The purpose is to provide.

【0017】[0017]

【課題を解決するための手段】図1は、本発明の第一の
発明の第一の実施例である。図1において、101はア
ドレス・カウンタ、102aはROMからのデータ出力
を制御する出力イネーブル生成部である。103aは第
一のROM(以下、慣例に従ってROM0と略記す
る)、103bは第二のROM(以下、慣例に従ってR
OM1と略記する。又、第(m+1)のROM(mは0
及び正の整数)はROMnと略記する)、103cはR
OM2、103dはROM3である。同様に、104−
n(nは0及び正の整数)はD−FFn、105−n
(nは0及び正の整数)はシフトレジスタnである。
FIG. 1 is a first embodiment of the first invention of the present invention. In FIG. 1, 101 is an address counter, and 102a is an output enable generation unit that controls data output from the ROM. Reference numeral 103a denotes a first ROM (hereinafter, abbreviated as ROM0 according to a convention), and 103b denotes a second ROM (hereinafter, R0 according to a convention).
It is abbreviated as OM1. In addition, the (m + 1) th ROM (m is 0
And a positive integer) are abbreviated as ROMn), and 103c is R.
OM2 and 103d are ROM3. Similarly, 104-
n (n is 0 and a positive integer) is D-FFn, 105-n
(N is 0 and a positive integer) is the shift register n.

【0018】図1の構成の特徴は、四のROMを備え、
アドレス・カウンタのカウント値の下2桁の“0”、
“1”の組合せによって各々のROMにアクセスできる
アドレスを区分し、各々のROMの出力イネーブルの繰
り返し周波数を図51の構成の1/4に落とし、各々の
ROMからの読出しデータをクロックによってD−FF
に取り込み、該D−FFに取り込んだデータをシフトレ
ジスタによって並列・直列変換して送出する点にある。
The structure of FIG. 1 is characterized by including four ROMs,
The last two digits of the count value of the address counter, "0",
Addresses that can access each ROM are divided by a combination of "1", the repetition frequency of output enable of each ROM is reduced to 1/4 of the configuration of FIG. 51, and the read data from each ROM is D- by a clock. FF
In the D-FF, and the data taken in the D-FF are converted into parallel / serial data by a shift register and transmitted.

【0019】図19は、本発明の第二の発明の第一の実
施例である。図19において、201はデータの書込み
を制御するパソコン、301はRS−232Cポート、
302は12ボルト系から5ボルト系へのレベル変換
部、303は、304は発振器、305は論理和回路
(以下、ORと略記する)、306はCPU、307は
エッジ検出部、308a乃至308─3は各々SW1、
SW2、SW3、309a乃至309─3は各々プル・
アップ抵抗1、プル・アップ抵抗2、プル・アップ抵抗
3である。310aはデコーダ1、310bはデコーダ
2、310cはデコーダ3で,310a乃至310cは
入出力空間のアドレス・デコーダとして使用されてい
る。311は読出しレジスタ(以下、Rレジスタと略記
する)、312は書込みレジスタ(以下Wレジスタと略
記する)、313は読出し/書込みレジスタ(以下、R
/Wレジスタと略記する)である。又、314aはデコ
ーダ4、314bはデコーダ5で、314a及び314
bはメモリ空間のアドレス・デコーダとして使用されて
いる。315は複数(図1の場合には4)備えるRAM
のアドレスを切り替えるアドレス切替部、316は複数
(図1の場合には4)備えるRAMのCSを分離するR
AMCS分離部、317は書込みプログラムを格納して
いるプログラムROM、318a乃至318dは各々バ
ッファRAM0、バッファRAM1、バッファRAM
2、バッファRAM3、401はデータを書き込む対象
のターゲットROMである。尚、図18において300
番台の符号を付した要素によってROMライタが構成さ
れる。又、ROMライタの機能には、パソコンからRO
Mライタへのデータ転送機能、ターゲットROMへの書
込み機能、ベリファイ機能、チェックサム機能、ターゲ
ットROMからパソコンへのロード機能があるが、本発
明はパソコンからROMライタへのデータ転送機能、タ
ーゲットROMへの書込み機能に関するものであるの
で、ベリファイ機能以下の機能を実現する構成は図示を
省略している。
FIG. 19 shows a first embodiment of the second invention of the present invention. In FIG. 19, 201 is a personal computer for controlling data writing, 301 is an RS-232C port,
302 is a level conversion unit from 12 volt system to 5 volt system, 303 is an oscillator, 304 is an OR circuit (hereinafter abbreviated as OR), 306 is a CPU, 307 is an edge detection unit, and 308a to 308- 3 is SW1, respectively
SW2, SW3, 309a through 309-3 are each pulled
An up resistor 1, a pull up resistor 2 and a pull up resistor 3. Reference numeral 310a is a decoder 1, 310b is a decoder 2, 310c is a decoder 3, and 310a to 310c are used as address decoders in the input / output space. 311 is a read register (hereinafter abbreviated as R register), 312 is a write register (hereinafter abbreviated as W register), and 313 is a read / write register (hereinafter R).
/ W register). Also, 314a is a decoder 4, 314b is a decoder 5, and 314a and 314 are decoders.
b is used as an address decoder in the memory space. 315 is a RAM provided with a plurality (4 in the case of FIG. 1)
The address switching unit 316 for switching the address of R is for separating CS of RAM provided with a plurality (4 in the case of FIG. 1) R
AMCS separation unit, 317 is a program ROM storing a write program, and 318a to 318d are buffer RAM0, buffer RAM1 and buffer RAM, respectively.
2. The buffer RAMs 3 and 401 are target ROMs for writing data. In addition, in FIG.
A ROM writer is configured by the elements with reference numerals of the series. Also, the ROM writer's function is
Although there is a data transfer function to the M writer, a write function to the target ROM, a verify function, a checksum function, and a load function from the target ROM to the personal computer, the present invention has a data transfer function from the personal computer to the ROM writer and the target ROM. Since it is related to the write function of, the configuration for realizing the function following the verify function is omitted in the drawing.

【0020】図19の構成の特徴は、複数備えたバッフ
ァRAMへのデータの転送を、複数備えたSWの設定
と、RAMアドレス切替部、RAMCS分離部で制御し
て、図1の構成に適用するROMへのデータの書込み順
序を設計者が意識しなくても、ROMへのデータ書込み
ができるようにした点である。
The feature of the configuration shown in FIG. 19 is applied to the configuration shown in FIG. The point is that data can be written in the ROM without the designer having to be aware of the order of writing data in the ROM.

【0021】[0021]

【作用】図2は、第一の発明の第一の実施例のタイムチ
ャートである。図1においては、アドレス・カウンタは
16ビット、ROMの1ワードは8ビットである場合を
例示している。従って、アドレス・カウンタのカウント
出力はQ0からQ15の16ビットである。このうち、
Q0とQ1とを出力イネーブル生成部に供給して、Q0
とQ1とが共に“H”の時に“H”出力をROMに供給
してROMの出力イネーブル信号をデアクティブとす
る。これが図2のROMXOEである。従って、ROM
XOEの繰り返し周波数はCKの繰り返し周波数の1/
4になる。
FIG. 2 is a time chart of the first embodiment of the first invention. In FIG. 1, the address counter is 16 bits and one word in the ROM is 8 bits. Therefore, the count output of the address counter is 16 bits from Q0 to Q15. this house,
Q0 and Q1 are supplied to the output enable generation unit to generate Q0
When both Q1 and Q1 are "H", the "H" output is supplied to the ROM to deactivate the output enable signal of the ROM. This is the ROMXOE of FIG. Therefore, ROM
The repetition frequency of XOE is 1 / the repetition frequency of CK.
4.

【0022】一方、各々のROMのアドレスはA0から
A15の16ビットであるが、A0とA1は各々のRO
Mに固有の値、即ち、ROM0においては“A0、A1
“=“0、0”、ROM1においては“0、1”、RO
M2においては“1、0”、ROM3においては“1、
1”に固定している。従って、ROMm(mは0〜3)
では(4i+m)番地(iは0及び正の整数)だけにア
クセスが可能になっている。具体的には、ROM0の場
合には0、4、8、・・・の番地にのみアクセスが可
能、ROM1の場合には1、5、9、・・・の番地のみ
にアクセス可能、ROM2の場合には2、6、10、・
・・の番地のみにアクセス可能、ROM3の場合には
3、7、11、・・・の番地のみにアクセス可能であ
る。これを示したのが図2のROM0アドレスからRO
M3アドレスである。但し、図2のROMmアドレス
(m=0〜3)ではヘキサ表現でアドレスを表示してい
る。そして、各々のROMから読み出されたデータのL
SBがD−FF0に、MSBがD−FF7にとうい風に
順次取り込まれる。この後、出力イネーブル生成部が生
成するXOEと同じ信号によって、D−FF0に取り込
まれたデータがシフトレジスタ0に、D−FF1に取り
込まれたデータがシフトレジスタ1に、・・・、D−F
F7に取り込まれたデータがシフトレジスタ7にという
ようにロードされ、クロックによってシフトされて直列
データ出力端子(以下SDOと略記する)から出力され
る。従ってシフトレジスタ0の出力からはROM0の0
番地、ROM1の1番地、ROM2の2番地、ROM3
の3番地、ROM0の4番地、・・・のデータのLSB
が順次出力される。一般的に表現すれば、シフトレジス
タn(n=0〜7)の出力からは、ROM0の0番地、
ROM1の1番地、ROM2の2番地、ROM3の3番
地、ROM0の4番地、・・・のデータの第(n+1)
ビット目が順次出力される。これが、図2のD0乃至D
7である。但し、図2のDnにおいては、アドレスはヘ
キサ表現で示している。
On the other hand, the address of each ROM is 16 bits from A0 to A15, but A0 and A1 are each RO.
A value unique to M, that is, "A0, A1 in ROM0
“=“ 0,0 ”,“ 0,1 ”in ROM1, RO
M1, "1, 0", ROM3, "1,
It is fixed to 1 ". Therefore, ROMm (m is 0 to 3)
In, only the address (4i + m) (i is 0 and a positive integer) can be accessed. Specifically, in the case of ROM0, only the addresses 0, 4, 8, ... Can be accessed, in the case of ROM1, only the addresses 1, 5, 9, ... Can be accessed, and in the ROM2. In case of 2, 6, 10, ...
.. can be accessed only, and in the case of the ROM 3, only addresses 3, 7, 11, ... Can be accessed. This is indicated by RO from the ROM0 address in FIG.
It is an M3 address. However, in the ROMm address (m = 0 to 3) of FIG. 2, the address is displayed in hexadecimal representation. Then, the L of the data read from each ROM
The SB is sequentially taken into the D-FF0 and the MSB is taken into the D-FF7 sequentially. Thereafter, by the same signal as XOE generated by the output enable generation unit, the data captured in D-FF0 is stored in the shift register 0, the data captured in D-FF1 is stored in the shift register 1, ..., D- F
The data fetched by F7 is loaded into the shift register 7, and so on, is shifted by the clock, and is output from the serial data output terminal (hereinafter abbreviated as SDO). Therefore, from the output of shift register 0
Address, No. 1 of ROM1, No. 2 of ROM2, ROM3
No. 3 address, No. 4 address of ROM0, ... LSB of data
Are sequentially output. Generally speaking, from the output of the shift register n (n = 0 to 7),
No. 1 of ROM1, No. 2 of ROM2, No. 3 of ROM3, No. 4 of ROM0, ...
Bits are sequentially output. This is D0 to D in FIG.
7 However, in Dn of FIG. 2, the address is shown in hexadecimal.

【0023】従って、各々のROMからの読出しは、図
51の構成の場合に比較して1/4の速度でよいことに
なり、ROM自体の最高読出し速度が伝送速度の1/4
以上であれば、ROMからの読出し速度と伝送速度とを
整合させることができる。
Therefore, reading from each ROM can be performed at a speed of 1/4 as compared with the case of the configuration of FIG. 51, and the maximum read speed of the ROM itself is 1/4 of the transmission speed.
If it is above, the reading speed from ROM and the transmission speed can be matched.

【0024】図20は、第二の発明の第一の実施例にお
けるSWの設定内容例である。三のSWがあるが、SW
3とSW1、SW2とは役割が異なる。即ち、SW3で
“H”が設定されている時にはパソコンからバッファR
AMへのデータ転送モード、(この場合にはSW1とS
W2の設定は無視される(Don’t Care))S
W3が“L”に設定されている時にはSW1とSW2の
設定によって、四のバッファRAMのいずれからデータ
をROMに書き込むかを、RAMCS分離部によって図
20の表に示したように制御し、各々のバッファRAM
のA0、A1にはCPUが出力するアドレス情報のA
0、A1を与える。
FIG. 20 shows an example of SW setting contents in the first embodiment of the second invention. There are three SWs, but SW
3 and SW1 and SW2 have different roles. That is, when "H" is set in SW3, the buffer R is sent from the personal computer.
Data transfer mode to AM, (in this case SW1 and S
W2 setting is ignored (Don't Care)) S
When W3 is set to "L", the RAMCS separation unit controls which of the four buffer RAMs to write data to the ROM by the setting of SW1 and SW2, as shown in the table of FIG. Buffer RAM
A0 and A1 of the address information A output by the CPU
0 and A1 are given.

【0025】一方、四のバッファRAMへのデータ転送
モードの時には、CPUが出力するアドレス情報の内A
0、A1、A14、A15の値によってどのバッファR
AMのCSをアクティブにするかをRAMCS分離部で
制御し、各々のバッファRAMのA0、A1にはCPU
が出力するアドレス情報のA14とA15を与える。
On the other hand, in the data transfer mode to the four buffer RAMs, the address information A output from the CPU is A
Which buffer R depending on the value of 0, A1, A14, A15
The RAMCS separation unit controls whether or not to activate the CS of AM, and the CPU is used for A0 and A1 of each buffer RAM.
Gives A14 and A15 of the address information output by.

【0026】これによって、ターゲットROMに書き込
むべきデータが各々のバッファRAM0からバッファR
AM3に順次格納され、SW1とSW2の設定の組合せ
によって決まるバッファRAMのみからターゲットRO
Mにデータが書き込まれる。従って、ターゲットROM
をバッファRAM0からバッファRAM3に対応して取
り替えて、各々のバッファRAMからターゲットROM
にデータを書き込めば、全てのデータを四のターゲット
ROMに書き込むことができ、データを書き込んだ四の
ROMを図1の構成の読出し回路に接続すれば、図2の
タイムチャートに従ってデータを読み出して送出するこ
とができる。そして、四のターゲットROMに対してど
のアドレスのデータを書き込むべきかはRAMアドレス
切替部とRAMアドレス分離部の制御に従えばよいの
で、設計者はアドレスについて意識する必要がなくな
り、設計者の負荷の低減が可能になると同時に、人為的
な過誤によるアドレスの誤りを解消することができる。
As a result, the data to be written in the target ROM is transferred from the respective buffer RAM0 to the buffer R.
The target RO is stored only in the buffer RAM that is sequentially stored in AM3 and is determined by the combination of the settings of SW1 and SW2.
Data is written to M. Therefore, the target ROM
Corresponding to the buffer RAM0 to the buffer RAM3, and replace each buffer RAM with the target ROM.
All the data can be written to the four target ROMs by writing the data to the target ROM. If the four ROMs with the written data are connected to the read circuit having the configuration of FIG. 1, the data can be read according to the time chart of FIG. Can be sent out. The address of the data to be written to the four target ROMs may be controlled by the RAM address switching unit and the RAM address separating unit, so that the designer does not need to be aware of the address, and the load on the designer is reduced. Can be reduced, and at the same time, address errors due to human error can be eliminated.

【0027】[0027]

【実施例】図3は、本発明の第一の発明の第一の実施例
における出力イネーブル生成部の例で、図3(イ)は回
路構成、図3(ロ)はタイムチャートである。
FIG. 3 is an example of an output enable generator in the first embodiment of the first aspect of the present invention. FIG. 3 (a) is a circuit configuration and FIG. 3 (b) is a time chart.

【0028】図3(イ)において、102a−1は論理
反転のあるAND回路(以下、NAND回路と略記す
る)、102a−2はD−FFである。NAND回路の
入力端子にはアドレス・カウンタのカウント値のLSB
側2ビットであるQ0とQ1が入力されており、該Q
0、Q1のNANDがD−FFのデータ端子Dに供給さ
れ、該D−FFのCK端子にはCKの反転が供給されて
いる。
In FIG. 3A, 102a-1 is an AND circuit (hereinafter abbreviated as a NAND circuit) having logical inversion, and 102a-2 is a D-FF. The input terminal of the NAND circuit has the LSB of the count value of the address counter.
The two bits on the side, Q0 and Q1, are input.
The NANDs of 0 and Q1 are supplied to the data terminal D of the D-FF, and the inverted CK is supplied to the CK terminal of the D-FF.

【0029】アドレス・カウンタのカウント値0〜9の
範囲でタイムチャートを示しているが、上記の構成にな
っているので、Q0とQ1が共に“H”の時にD−FF
に“L”が取り込まれ、該D−FFの反転出力端子XQ
はこの時に“H”を出力する。この出力XOEがROM
0からROM3のXOEに供給されて、ROMからの読
み出しを制御する。図3に示した通り、XOEにはアド
レス・カウンタのカウント値の4個に1個の割合でパル
スが現れるので、各々のROMから読み出す回数は図5
1の場合の1/4になる。又、既に説明したように、R
OM0からROM3のアドレスの下2桁A0、A1は各
々のROMに固有な値に固定されている。このため、各
々のROMに書き込みが行なわれるアドレスも図51の
場合の1/4になっている。従って、図1のROM0か
らROM3は図51のROMに比較して1/4の速度で
動作できれば、伝送速度に整合することが可能になる。
The time chart is shown in the range of count values 0 to 9 of the address counter. However, since it has the above-mentioned configuration, when both Q0 and Q1 are "H", the D-FF
"L" is taken in and the inverted output terminal XQ of the D-FF
Outputs "H" at this time. This output XOE is ROM
0 is supplied to the XOE of the ROM 3 to control reading from the ROM. As shown in FIG. 3, a pulse appears in the XOE at a rate of 1 in 4 of the count value of the address counter, so the number of times of reading from each ROM is as shown in FIG.
It becomes 1/4 of the case of 1. Also, as already explained, R
The last two digits A0 and A1 of the address from OM0 to ROM3 are fixed to values unique to each ROM. For this reason, the address to be written in each ROM is also 1/4 of that in the case of FIG. Therefore, if the ROM0 to ROM3 in FIG. 1 can operate at a speed 1/4 that of the ROM in FIG. 51, it becomes possible to match the transmission speed.

【0030】図1においては、四のROMを備え、各々
のROMのアドレスの下2桁A0とA1を固有の値に設
定し、アドレス・カウンタのカウント値のLSB2ビッ
トQ0とQ1の組み合わせによって読み出しを制御する
例を示したが、各々のROMのアドレスのLSB側p桁
(pは正の整数)を固有の値に設定し、アドレス・カウ
ンタのカウント値のLSB側p桁の組み合わせによって
読み出しを制御するようにして、2p のROMを備えて
図1と同様な回路を構成すれば、ROMの読み出し速度
を伝送速度の1/2p に縮減できる。
In FIG. 1, four ROMs are provided, the last two digits A0 and A1 of the address of each ROM are set to a unique value, and read out by a combination of the LSB2 bits Q0 and Q1 of the count value of the address counter. However, the p-digit on the LSB side (p is a positive integer) of the address of each ROM is set to a unique value, and the reading is performed by the combination of the p-digit on the LSB side of the count value of the address counter. If the circuit similar to that shown in FIG. 1 is configured to include the 2 p ROM so as to be controlled, the read speed of the ROM can be reduced to 1/2 p of the transmission speed.

【0031】図4は、本発明の第一の発明の第二の実施
例である。図4において、101はアドレス・カウン
タ、102bはROMからのデータ出力を制御する出力
イネーブル生成部である。103aはROM0、103
bはROM1、103cはROM2、103−7はRO
M7である。同様に、104−n(図4では、nは0及
び7以下の整数)はD−FFn、105−n(図4で
は、nは0及び7以下の整数)はシフトレジスタnであ
る。又、106aと106bとは使用するROMの個数
を設定するためのSW1とSW2、107aはプル・ア
ップ抵抗1、107bはプル・アップ抵抗2、108
a、108b、108c、・・、108eは、アドレス
・カウンタのカウント値の下3桁によって各々のROM
にアクセスするアドレスを決定するアドレス切替部であ
る。
FIG. 4 shows a second embodiment of the first invention of the present invention. In FIG. 4, 101 is an address counter, and 102b is an output enable generation unit that controls data output from the ROM. 103a is ROM0, 103
b is ROM1, 103c is ROM2, and 103-7 is RO
It is M7. Similarly, 104-n (n is an integer of 0 and 7 or less in FIG. 4) is D-FFn, and 105-n (n is an integer of 0 and 7 or less in FIG. 4) is a shift register n. Further, 106a and 106b are SW1 and SW2 for setting the number of ROMs to be used, 107a is a pull-up resistor 1 and 107b is a pull-up resistor 2, 108.
a, 108b, 108c, ..., 108e are ROMs depending on the last three digits of the count value of the address counter.
Is an address switching unit that determines an address to access the.

【0032】図4の構成の特徴は、図1の構成と同様に
出力イネーブル生成部においてアドレス・カウンタのカ
ウント値のLSB側3ビットによってROMからの読み
出しを制御する機能を備えつつ、アドレス切替部におい
てアドレス・カウンタのLSB3ビットによって各々の
ROMにアクセス可能なアドレスを任意に設定し、SW
1とSW2の設定で使用するROMの個数を指定しする
機能を提供することにある。
The feature of the configuration of FIG. 4 is that, like the configuration of FIG. 1, the output enable generation unit has a function of controlling reading from the ROM by 3 bits of the LSB side of the count value of the address counter, and the address switching unit. In, the address which can access each ROM is arbitrarily set by the LSB3 bit of the address counter, and SW
It is to provide a function of designating the number of ROMs to be used by setting 1 and SW2.

【0033】図5は、本発明の第一の発明の第二の実施
例における出力イネーブル生成部の例で、図5(イ)は
回路構成、図5(ロ)はタイムチャートである。図5
(イ)において、102b−1、102b−2はそれぞ
れNAND回路、102b−1乃至102b−3はそれ
ぞれD−FF、102b−6は2to4デコーダ(以
下、2:4DECと略記する)、102b−7乃至10
2b−10はそれぞれAND回路、102b−11はO
R回路である。ここで2:4DECとは、二の入力のレ
ベルの組み合わせによって四の出力端子の内一の出力端
子に“H”を出力する回路であって、例えば、図5
(イ)の102b−6においては“00”と記載してあ
る出力端子にはSW1とSW2の設定が双方共に“L”
の時に“H”が出力される。
FIG. 5 shows an example of the output enable generator in the second embodiment of the first aspect of the present invention. FIG. 5 (a) is a circuit configuration and FIG. 5 (b) is a time chart. Figure 5
In (a), 102b-1 and 102b-2 are NAND circuits, 102b-1 to 102b-3 are D-FFs, 102b-6 is a 2to4 decoder (hereinafter abbreviated as 2: 4DEC), and 102b-7. Through 10
2b-10 is an AND circuit, 102b-11 is O
It is an R circuit. Here, the 2: 4DEC is a circuit that outputs “H” to one of the four output terminals depending on the combination of the levels of the two inputs.
In (b) 102b-6, the output terminals described as "00" have both SW1 and SW2 set to "L".
At the time of, "H" is output.

【0034】図5(イ)において、AND回路102b
−7乃至AND回路102b−10の一方の入力端子に
2:4DECの出力が与えられ、該AND回路102b
−7乃至AND回路102b−10のもう一方の入力端
子には、それぞれ、CK、Q0をCKの反転でD−FF
102b−3に取り込んだ時の反転出力(図5(ロ)の
XQ1)、Q0とQ1のNAND(図5(ロ)のX0・
1)をCKの反転でD−FF102b−4にとりこんだ
時の反転出力(図5(ロ)のXQ2)、Q0とQ1とQ
2のNAND(図5(ロ)のX0・1・2)をCKの反
転でD−FF102b−5にとりこんだ時の反転出力
(図5(ロ)のXQ3)が与えられている。従って、O
R回路102b−11からは、SW1とSW2の設定が
“00”の時にCKが、“01”の時にXQ1が、“1
0”の時にXQ2が、“11”の時にXQ3が出力さ
れ、ROMからの出力を制御する。ここで、CKの周波
数を1とすれば、XQ1、XQ2、XQ3の周波数はそ
れぞれ1/2、1/4、1/8になる。これは、一のR
OMを備える場合にはSW1とSW2の設定を“00”
にし、二のROMを備える場合にはSW1とSW2の設
定を“01”にし、四のROMを備える場合にはSW1
とSW2の設定を“10”にし、八のROMを備える時
にはSW1とSW2の設定を“11”に設定すればよい
ということである。これをまとめたものが図6の、第一
の発明の第二の実施例におけるSW1、SW2の設定と
使用するROMの個数との対応である。
In FIG. 5A, the AND circuit 102b.
The output of 2: 4DEC is given to one input terminal of the AND circuit 102b-10 and the AND circuit 102b-10.
-7 to the other input terminal of the AND circuit 102b-10, CK and Q0 are respectively D-FF by inverting CK.
Inversion output (XQ1 in FIG. 5B) when taken into 102b-3, NAND of Q0 and Q1 (X0.
Inversion output when 1) is taken into D-FF102b-4 by CK inversion (XQ2 in FIG. 5B), Q0, Q1 and Q
An inverted output (XQ3 of FIG. 5B) when the NAND of 2 (X0.1.2 of FIG. 5B) is taken into the D-FF 102b-5 by CK inversion is given. Therefore, O
From the R circuit 102b-11, CK is set when SW1 and SW2 are set to "00", and XQ1 is set to "1" when set to "01".
XQ2 is output when it is "0" and XQ3 is output when it is "11" to control the output from the ROM. Here, if the frequency of CK is 1, the frequencies of XQ1, XQ2, and XQ3 are 1/2, respectively. It becomes 1/4 and 1/8. This is one R
If equipped with OM, set SW1 and SW2 to "00"
If two ROMs are provided, set SW1 and SW2 to "01", and if four ROMs are provided, SW1
It means that the setting of SW2 and SW2 should be set to "10", and the setting of SW1 and SW2 should be set to "11" when eight ROMs are provided. FIG. 6 shows the correspondence between the settings of SW1 and SW2 in the second embodiment of the first invention and the number of ROMs used.

【0035】図7から図14は、本発明の第一の発明の
第二の実施例におけるアドレス切替部の例(その1)か
ら本発明の第一の発明の第二の実施例におけるアドレス
切替部の例(その8)で、図7の構成はROM0のA
0、A1、A2を決める回路、図8の構成はROM1の
A0、A1、A2を決める回路、・・・、図14の構成
はROM7のA0、A1、A2を決める回路である。
FIGS. 7 to 14 show an example (part 1) of the address switching unit in the second embodiment of the first invention of the present invention to the address switching in the second embodiment of the first invention of the present invention. In the example of the part (8), the configuration of FIG.
A circuit for determining 0, A1, A2, a circuit for determining A0, A1, A2 of the ROM 1 ..., A circuit for determining A0, A1, A2 of the ROM 7 is shown in FIG.

【0036】図7から図14は類似の構成であるので、
図7についてのみ説明すると、108a−1乃至108
a−13はAND回路、108a−13は2:4DE
C、108a−14乃至108a−16はOR回路であ
る。そして、十二のAND回路は4つずつのグループに
なっており、全てのグループにおいて四のAND回路の
一方の入力端子に2:4DECの出力が重複なく与えら
れている。又、第一のグループではアドレス・カウンタ
のQ0が一のAND回路のもう一方の入力端子に供給さ
れ、“L”が残り三のAND回路のもう一方の入力端子
に与えられており、第二のグループではQ1が二のAN
D回路のもう一方の入力端子に供給され、“L”が残り
二のAND回路のもう一方の入力端子に与えられてお
り、第三のグループでは、Q2が三のAND回路のもう
一方の入力端子に供給され、“L”が残り一のAND回
路のもう一方の入力端子に与えられている。図8から図
14の構成においては、第一のグループの残り三のAN
D回路、第二のグループの残り二のAND回路、第三の
グループの残り一のAND回路のもう一方の入力端子に
与えられるレベルが、全て異なる組み合わせで与えられ
るようになっている。
Since FIGS. 7 to 14 have similar configurations,
Referring only to FIG. 7, 108a-1 to 108a
a-13 is an AND circuit, 108a-13 is 2: 4 DE
C, 108a-14 to 108a-16 are OR circuits. The twelve AND circuits are arranged in groups of four, and the output of 2: 4DEC is applied to one input terminal of the four AND circuits in all groups without duplication. In the first group, Q0 of the address counter is supplied to the other input terminal of the one AND circuit, and "L" is supplied to the other input terminals of the remaining three AND circuits. In the group, Q1 is the second AN
It is supplied to the other input terminal of the D circuit and "L" is given to the other input terminal of the remaining two AND circuits. In the third group, Q2 is the other input of the three AND circuit. It is supplied to the terminal and "L" is applied to the other input terminal of the other AND circuit. In the configurations of FIGS. 8 to 14, the remaining three ANs of the first group
The levels given to the other input terminals of the D circuit, the remaining two AND circuits of the second group, and the remaining one AND circuit of the third group are all given in different combinations.

【0037】図15は、第一の発明の第二の実施例にお
けるアドレス切替部の動作を示す表で、図7乃至図14
に示したアドレス切替部の動作をまとめたものである。
今、SW2、SW1の設定が“00”の時には、どのR
OMのアドレスの下3桁A0、A1、A2もアドレス・
カウンタのカウント値のLSB3桁Q0、Q1、Q2に
等しくなる。これは、どのROMに対しても同時にアク
セスすることを意味しており、この場合には例えばRO
M0だけを実装すればROM0から全てのデータを読み
出すことができる。そして、上に述べたように、この時
の読み出し速度はCKの速度に等しくなる。
FIG. 15 is a table showing the operation of the address switching unit in the second embodiment of the first invention, and FIGS.
This is a summary of the operation of the address switching unit shown in FIG.
Now, when the setting of SW2 and SW1 is "00", which R
The last three digits of OM address A0, A1, A2 are also addresses.
It becomes equal to the LSB three digits Q0, Q1, Q2 of the count value of the counter. This means that all ROMs are accessed simultaneously, and in this case, for example, RO
If only M0 is mounted, all data can be read from ROM0. Then, as described above, the read speed at this time becomes equal to the CK speed.

【0038】次に、SW2、SW1の設定が“01”の
時には、偶数番目のROMのアドレスのA0は“0”、
奇数番目のROMのA0は“1”に固定され、どのRO
MにおいてもアドレスA1、A2はアドレス・カウンタ
のカウント値Q1、Q2に等しくなる。これは、偶数番
目のROMにはアドレスのLSBが“0”の時のみアク
セスでき、奇数番目のROMにはアドレスのLSBが
“1”の時のみアクセスできることを意味しており、こ
の場合には例えばROM0とROM1のみを実装すれば
全てのデータをこれら二のROMから読み出すことがで
きる。そして、上に述べたように、この時の読み出し速
度はCKの1/2になる。
Next, when the setting of SW2 and SW1 is "01", the address A0 of the even-numbered ROM is "0",
A0 of odd-numbered ROM is fixed to "1", which RO
Also in M, the addresses A1 and A2 are equal to the count values Q1 and Q2 of the address counter. This means that even-numbered ROMs can be accessed only when the LSB of the address is "0", and odd-numbered ROMs can be accessed only when the LSB of the address is "1". For example, if only ROM0 and ROM1 are mounted, all data can be read from these two ROMs. Then, as described above, the read speed at this time is 1/2 of CK.

【0039】又、SW2、SW1の設定が“10”の時
には、ROM0とROM4のアドレスのLSB2ビット
は“00”に固定され、ROM1とROM5のアドレス
のLSB2ビットは“01”に固定され、ROM2とR
OM6のアドレスのLSB2ビットは“10”に固定さ
れ、ROM3とROM7のLSB2ビットは“11”に
固定され、アドレスA2はアドレス・カウンタのカウン
ト値Q2に等しくなる。これは、ROM0とROM4は
アドレスのLSB2ビットが“00”の時のみアクセス
でき、ROM1とROM5はアドレスのLSB2ビット
が“01”の時のみアクセスでき、ROM2とROM6
はアドレスのLSB2ビットが“10”の時のみアクセ
スでき、ROM3とROM7はLSB2ビットが“1
1”の時のみアクセスできることを意味する。即ち、こ
の場合は図1の構成の動作と全く同じ動作が実現するも
のであり、例えばROM0からROM3を実装すれば、
全てのデータをこれら四のROMから読み出すことがで
きる。そして、すでに述べたように、この時の読み出し
速度はCKの1/4になる。
When the setting of SW2 and SW1 is "10", the LSB2 bit of the addresses of ROM0 and ROM4 is fixed to "00", the LSB2 bit of the addresses of ROM1 and ROM5 is fixed to "01", and ROM2 is set. And R
The LSB2 bit of the address of OM6 is fixed to "10", the LSB2 bit of ROM3 and ROM7 is fixed to "11", and the address A2 becomes equal to the count value Q2 of the address counter. This means that ROM0 and ROM4 can be accessed only when the LSB2 bit of the address is "00", ROM1 and ROM5 can be accessed only when the LSB2 bit of the address is "01", and ROM2 and ROM6.
Can be accessed only when the LSB2 bit of the address is "10", and ROM3 and ROM7 have the LSB2 bit set to "1".
1 "means that access is possible only. That is, in this case, exactly the same operation as the configuration of FIG. 1 is realized. For example, if ROM0 to ROM3 are mounted,
All data can be read from these four ROMs. Then, as described above, the reading speed at this time is 1/4 of CK.

【0040】最後に、SW2とSW1の設定が“11”
の時には、ROM0のアドレスのLSB3ビットは“0
00”、ROM1のアドレスのLSB3ビットは“00
1”、ROM2のアドレスのLSB3ビットは“01
0”、・・・、ROM7のアドレスのLSB3ビットは
“111”に固定される。従って、各々のROMにはア
ドレス・カウンタのカウント値のLSB3ビットが該固
定された値に等しい時のみアクセスすることができる。
即ち、この場合にはROM0からROM7に交互にアク
セスするので、ROM0からROM7を実装すれば、こ
れら八のROMから全てのデータを読み出すことができ
る。
Finally, the setting of SW2 and SW1 is "11".
In case of, the LSB3 bit of the address of ROM0 is "0".
00 ", the LSB 3 bits of the address of ROM1 are" 00 "
1 ", the LSB 3 bit of the address of ROM2 is" 01 "
0 ", ..., The LSB3 bit of the address of the ROM7 is fixed to" 111 ". Therefore, each ROM is accessed only when the LSB3 bit of the count value of the address counter is equal to the fixed value. be able to.
That is, in this case, the ROM0 to the ROM7 are alternately accessed, so that by mounting the ROM0 to the ROM7, all the data can be read from these eight ROMs.

【0041】即ち、図4の構成によれば、SWの設定に
よってデータを読み出すべきROMの個数を指定できる
ので、ROMの読み出し速度が決まっていて、伝送速度
が種々存在する場合にも、柔軟に対応することが可能に
なる。
That is, according to the configuration of FIG. 4, the number of ROMs from which data is to be read can be specified by setting the SW, so that the ROM read speed is fixed and flexible even when there are various transmission speeds. It becomes possible to respond.

【0042】ここでは、説明を具体的にするために、二
のSWの設定の組み合わせによって使用するROMの最
大個数を1、2、4、8のいずれかに指定し、アドレス
切替部によって各々のROMのアドレスのLSB側3ビ
ットを異なる値に指定する例を説明したが、SWは二に
限定されるものではなく、又、使用するROMの最大個
数も8に限定されるものではない。例えば、三のSWで
設定する場合には使用するROMの最大個数は16とな
り、この場合には各々のROMのアドレスのLSB側4
ビットを異なる値に指定するようにすればよい。一般的
には、p(pは正の整数)のSWで設定する場合には、
使用できるROMの最大個数は2p+1 となり、この場合
には各々のROMのアドレスのLSB側(p+1)ビッ
トを異なる値に指定するようにすればよい。
Here, in order to make the description more concrete, the maximum number of ROMs to be used is designated as one of 1, 2, 4, and 8 by the combination of the settings of the two SWs, and the respective addresses are switched by the address switching unit. Although the example in which the 3 bits on the LSB side of the ROM address are designated to different values has been described, the SW is not limited to two, and the maximum number of ROMs used is not limited to eight. For example, the maximum number of ROMs used is 16 when setting with three SWs, and in this case, the LSB side of each ROM address is 4
The bits may be specified as different values. Generally, when setting with SW of p (p is a positive integer),
The maximum number of ROMs that can be used is 2 p + 1. In this case, the LSB side (p + 1) bit of each ROM address may be designated to a different value.

【0043】図16は、本発明の第一の発明の第三の実
施例である。図16において、101はアドレス・カウ
ンタ、102aはROMからのデータ出力を制御する出
力イネーブル生成部である。103aはROM0、10
3bはROM1、103cはROM2、103dはRO
M3である。同様に、104a、104b、104c、
・・、104eはD−FF、105a、105b、10
5c、・・、105eはシフトレジスタである。又、1
09aはアドレス・カウンタのMSB2ビットに1を加
算する+1ADDER、109bはアドレス・カウンタ
のMSB2ビットに2を加算する+2ADDER、10
9cはアドレス・カウンタのMSB2ビットに3を加算
する+3ADDER、110はアドレス・カウンタのカ
ウント値のMSB2ビットの組み合わせによって四の出
力端子のいずれかに“H”を出力する2:4DEC、1
11a、111b、111c、・・、111eはデータ
並び替え回路である。
FIG. 16 shows a third embodiment of the first invention of the present invention. In FIG. 16, reference numeral 101 is an address counter, and 102a is an output enable generation unit that controls data output from the ROM. 103a is ROM0, 10
3b is ROM1, 103c is ROM2, and 103d is RO
It is M3. Similarly, 104a, 104b, 104c,
.., 104e are D-FFs, 105a, 105b, 10
Reference numerals 5c, ..., 105e are shift registers. Also, 1
09a is + 1ADDER for adding 1 to the MSB2 bit of the address counter, 109b is + 2ADDER for adding 2 to the MSB2 bit of the address counter, 10
9c is +3 ADDER that adds 3 to the MSB2 bit of the address counter, and 110 is a 4: 4 DEC which outputs "H" to one of the four output terminals depending on the combination of the MSB2 bit of the count value of the address counter.
11a, 111b, 111c, ..., 111e are data rearrangement circuits.

【0044】図16の構成の特徴は、アドレス・カウン
タのカウント値のMSB2ビットに0又は1又は2又は
3を加算した値をそれぞれROM0、ROM1、ROM
2、ROM3のアドレスのLSB2ビットとすることに
よって、複数のROMからデータを読み出す場合に各々
のROMにおいてアクセスしない領域を残さないように
し、データ並び替え回路においてアドレス・カウンタの
MSB2ビットのレベルの組み合わせによってROMか
ら読み出されるデータを直列変換する順序を変えること
により、送出されるデータの順序は図1の構成の場合と
同じに保つ点にある。
The feature of the configuration of FIG. 16 is that the values obtained by adding 0 or 1 or 2 or 3 to the MSB2 bit of the count value of the address counter are ROM0, ROM1 and ROM respectively.
2. By setting the LSB 2 bits of the address of the ROM 3, when reading data from a plurality of ROMs, an area that is not accessed in each ROM is not left, and the combination of the level of the MSB 2 bits of the address counter in the data rearrangement circuit By changing the order of serial conversion of the data read from the ROM, the order of the data to be sent out is kept the same as in the case of the configuration of FIG.

【0045】図17は、本発明の第一の発明の第三の実
施例におけるROMアクセス・アドレスの決定方法を説
明する図で、アドレス・カウンタのカウント値のMSB
2ビットに0、1、2、3を加算してROMのアドレス
のLSB2ビットに変換して四のROMにどういう風に
アクセスするかを具体的に示したものである。そのため
に、ヘキサ表現でアドレスを表示するのが通常である
が、ここではバイナリ表現で表示し、しかも、直観的な
理解のために4ビット毎に間隙を開けて表示している。
FIG. 17 is a diagram for explaining the method of determining the ROM access address in the third embodiment of the first aspect of the present invention, which is the MSB of the count value of the address counter.
It specifically shows how 0, 1, 2, 3 is added to 2 bits to be converted into 2 bits of LSB of the address of the ROM to access the 4 ROMs. For this reason, addresses are usually displayed in hexadecimal notation, but here, they are displayed in binary notation, and for the sake of intuitive understanding, they are displayed at intervals of 4 bits.

【0046】図17の表の最も左の欄はアドレス・カウ
ンタのカウント値16ビットで、左がMSB側、右がL
SB側である。従って、最も右の2ビットがQ15、Q
14であり、最も左の2ビットがQ1、Q0である。
又、表の真ん中の欄は変換されたアドレス14ビット
で、最も左がA13、右の2ビットがA1、A0であ
る。そして、右の欄は変換されたアドレスがいずれのR
OMのアドレスであるかを明示するための、対応するR
OMである。
The leftmost column of the table of FIG. 17 shows the count value of the address counter of 16 bits, the left is the MSB side, and the right is L.
It is the SB side. Therefore, the rightmost two bits are Q15 and Q
14 and the leftmost two bits are Q1 and Q0.
In the middle column of the table, the converted address is 14 bits, the leftmost is A13, and the rightmost 2 bits are A1 and A0. And in the right column, the R
Corresponding R to specify whether it is the address of OM
OM.

【0047】アドレス・カウンタは、ヘキサ表現で00
00からFFFFまでのカウントを行なう(以降、本文
において、例えば、0000hと表示したらヘキサ表現
によるものとする。それはバイナリ表現では00000
00000000000に対応する)。
The address counter is 00 in hex representation.
Counting from 00 to FFFF is performed (hereinafter, in the text, for example, when displayed as 0000h, it is regarded as hexadecimal expression. That is 00000 in binary expression.
Corresponding to 0000000000).

【0048】この間、0000hから3FFFh(バイ
ナリ表現では0011111111111111)まで
は、Q15とQ14は“00”である。この間では、R
OM0のA1とA0はQ15とQ14の“00”に0を
加算して決定されるので“00”に固定され、ROM1
のA1とA0は“00”に1(“01”)を加算される
ので“01”に固定され、ROM2のA1とA0は“0
0”に2(“10”)を加算されるので“10”に固定
され、ROM3のA1とA0は“00”に3(“1
1”)を加算されるので“11”に固定される。従っ
て、変換されたアドレスの内A1とA0が“00”にな
るアドレスはROM0にアクセスするアドレス、A1と
A0が“01”になるアドレスはROM1にアクセスす
るアドレス、A1とA0が“10”になるアドレスはR
OM2にアクセスするアドレス、A1とA0が“11”
になるアドレスはROM3にアクセスするアドレスとな
る。この0と1の組合せは四のカウント値ごとに順に繰
り返すので、四のROMに均等にアクセスが行なわれ
る。
During this period, Q15 and Q14 are "00" from 0000h to 3FFFh (0011111111111111 in binary representation). During this period, R
A1 and A0 of OM0 are determined by adding 0 to "00" of Q15 and Q14, so they are fixed to "00" and ROM1
A1 and A0 are fixed to "01" because 1 ("01") is added to "00", and A1 and A0 of ROM2 are "0".
Since 2 (“10”) is added to 0 ”, it is fixed to“ 10 ”, and A1 and A0 of the ROM 3 are 3 (“ 1 ”to“ 00 ”).
1)) is added and fixed to "11". Therefore, among the converted addresses, the addresses where A1 and A0 are "00" are the addresses for accessing ROM0, and A1 and A0 are "01". The address is the address to access ROM1, and the address where A1 and A0 are "10" is R
Address for accessing OM2, A1 and A0 are "11"
Is the address for accessing the ROM3. Since the combination of 0 and 1 is repeated in sequence for each count value of 4, the ROMs of 4 are evenly accessed.

【0049】次に、アドレス・カウンタのカウント値が
4000h(0100000000000000)から
7FFFh(0111111111111111)まで
は、Q15とQ14は“01”である。この間では、R
OM0のA1とA0はQ15とQ14の“01”に0を
加算して決定されるので“01”に固定され、ROM1
のA1とA0は“01”に1(“01”)を加算される
ので“10”に固定され、ROM2のA1とA0は“0
1”に2(“10”)を加算されるので“11”に固定
され、ROM3のA1とA0は“01”に3(“1
1”)を加算されるので“00”に固定される。従っ
て、変換されたアドレスの内A1とA0が“00”にな
るアドレスはROM3にアクセスするアドレス、A1と
A0が“01”になるアドレスはROM0にアクセスす
るアドレス、A1とA0が“10”になるアドレスはR
OM1にアクセスするアドレス、A1とA0が“11”
になるアドレスはROM2にアクセスするアドレスとな
る。この0と1の組合せは四のカウント値ごとに順に繰
り返すので、四のROMに均等にアクセスが行なわれ
る。そして重要なのは、A1とA0の0と1の組合せに
対応するROMが3FFFhまでとは異なっている点で
ある。これがどのような効果をもたらすかは、図17の
表をもう少し解析すれば判ることになる。
Next, when the count value of the address counter is 4000h (010000000000000000) to 7FFFh (0111111111111111), Q15 and Q14 are "01". During this period, R
A1 and A0 of OM0 are determined by adding 0 to "01" of Q15 and Q14, so they are fixed to "01", and ROM1
A1 and A0 of "2" are fixed to "10" because 1 ("01") is added to "01", and A1 and A0 of ROM2 are "0".
Since 2 (“10”) is added to 1 ”, it is fixed to“ 11 ”, and A1 and A0 of the ROM 3 are 3 (“ 1 ”to“ 01 ”).
1)) is added and fixed to "00". Therefore, among the converted addresses, the addresses where A1 and A0 are "00" are the addresses for accessing the ROM3, and A1 and A0 are "01". The address is the address to access ROM0, and the address where A1 and A0 are "10" is R
Address for accessing OM1, A1 and A0 are "11"
Is the address for accessing the ROM2. Since the combination of 0 and 1 is repeated in sequence for each count value of 4, the ROMs of 4 are evenly accessed. What is important is that the ROM corresponding to the combination of 0 and 1 of A1 and A0 is different from the ROM up to 3FFFh. What kind of effect this brings will be understood by further analyzing the table of FIG.

【0050】次に、アドレス・カウンタのカウント値が
8000h(1000000000000000)から
BFFFh(1011111111111111)まで
は、Q15とQ14は“10”になる。この間は、同様
にして、ROM0のA1とA0は“10”に、ROM1
のA1とA0は“11”に、ROM2のA1とA0は
“00”にROM3のA1とA0は“01”に固定され
るので、変換されたアドレスの内A1とA0が“00”
になるアドレスはROM2にアクセスするアドレス、A
1とA0が“01”になるアドレスはROM3にアクセ
スするアドレス、A1とA0が“10”になるアドレス
はROM0にアクセスするアドレス、A1とA0が“1
1”になるアドレスはROM1にアクセスするアドレス
となる。この0と1の組合せは四のカウント値ごとに順
に繰り返すので、四のROMに均等にアクセスが行なわ
れる。ここでも、A1とA0の0と1の組合せに対応す
るROMが3FFFh、7FFFhまでのいずれとも異
なっている。
Next, when the count value of the address counter is 8000h (1000000000000000) to BFFFh (10111111111111111), Q15 and Q14 are "10". During this period, similarly, A1 and A0 of ROM0 are set to "10", and ROM1
A1 and A0 of ROM2 are fixed to "11", A1 and A0 of ROM2 are fixed to "00", and A1 and A0 of ROM3 are fixed to "01". Therefore, A1 and A0 of the converted addresses are "00".
Is the address to access ROM2, A
Addresses where 1 and A0 are "01" are addresses that access ROM3, addresses where A1 and A0 are "10" are addresses that access ROM0, and A1 and A0 are "1".
The address that becomes "1" is the address that accesses ROM 1. Since the combination of 0 and 1 is repeated in sequence for each count value of 4, the four ROMs are accessed evenly. Again, 0 of A1 and A0 The ROMs corresponding to the combinations 1 and 3 are different from both 3FFFh and 7FFFh.

【0051】同様にして、アドレス・カウンタのカウン
ト値がC000(1100000000000000)
からFFFFh(1111111111111111)
までは、変換されたアドレスの内A1とA0が“00”
になるアドレスはROM1にアクセスするアドレス、A
1とA0が“01”になるアドレスはROM2にアクセ
スするアドレス、A1とA0が“10”になるアドレス
はROM3にアクセスするアドレス、A1とA0が“1
1”になるアドレスはROM0にアクセスするアドレス
となる。ここでも、A1とA0の0と1の組合せに対応
するROMが3FFFh、7FFFh、BFFFhまで
のいずれとも異なっている。
Similarly, the count value of the address counter is C000 (1100000000000000).
To FFFFh (1111111111111111)
Up to, A1 and A0 of the converted address are "00"
Is the address to access ROM1, A
Addresses where 1 and A0 are "01" are addresses that access ROM2, addresses where A1 and A0 are "10" are addresses that access ROM3, and A1 and A0 are "1".
The address that becomes "1" is the address that accesses ROM0. Again, the ROM corresponding to the combination of 0 and 1 of A1 and A0 is different from any of 3FFFh, 7FFFh, and BFFFh.

【0052】これでアドレス・カウンタのカウントは一
巡を終えるが、カウント値が全カウント値の1/4を通
過する度にA1とA0の0、1の組合せとアクセスでき
るROMとの対応が輪環の順に変化していることが判
る。
This completes the count of the address counter, but each time the count value passes 1/4 of the total count value, the correspondence between the combination of 0 and 1 of A1 and A0 and the accessible ROM is circular. It can be seen that the order has changed.

【0053】もし、アドレス・カウンタの全てのカウン
ト値について、ROMのアクセス・アドレスのLSB2
ビットが、例えば、“00”がROM0に、“01”が
ROM1に、“10”がROM2に、“11”がROM
3に固定される場合には、各々のROMが有するアドレ
スの1/4にしかアクセスできないことになる。これ
は、四のROMには連続する四アドレスの内各々のRO
Mに対応して決まっているアドレスにデータを書き込ん
でおかないと、読出しを必要とする全てのデータを読み
出すことができないことを意味する。即ち、四のROM
はいずれも格納する情報量の4倍に対応するアドレスを
持っていなければならず、伝送速度に整合させるためと
はいえ、経済的ではない。
If all the count values of the address counter are LSB2 of the access address of the ROM
Bits are, for example, "00" in ROM0, "01" in ROM1, "10" in ROM2, "11" in ROM
When fixed to 3, only 1/4 of the address of each ROM can be accessed. This is because each of the four ROMs has four consecutive addresses
This means that all the data that needs to be read cannot be read unless the data is written to the address determined in correspondence with M. That is, four ROMs
Each has to have an address corresponding to four times the amount of information to be stored, which is not economical even though it matches the transmission speed.

【0054】しかし、図16の構成によれば、アドレス
・カウンタのカウント値によってROMのアクセス・ア
ドレスのLSB2ビットの0、1のパターンに対して対
応するROMが輪環の順に変わるので、いずれのROM
においてもアクセスできないアドレスが存在しなくな
る。従って、ROMのアドレスの使用効率が、図16の
場合には、一挙に4倍になる。
However, according to the configuration of FIG. 16, the ROM corresponding to the pattern of 0 and 1 of the LSB 2 bits of the access address of the ROM changes depending on the count value of the address counter. ROM
There will be no inaccessible addresses even in. Therefore, in the case of FIG. 16, the use efficiency of the ROM address is quadrupled all at once.

【0055】このようにして、ROMのアドレスの使用
効率が向上する反面、アドレス・カウンタのカウントの
歩進につれてROMへのアクセスの順番が変化するの
で、ROMから読み出される順にデータを送出するので
は、期待される順序にデータが送出されなくなる。この
問題を解決するのが図16におけるデータ並び替え回路
111a乃至111eである。これら八のデータ並び替
え回路は全て同じ構成である。
In this way, while the efficiency of use of the addresses of the ROM is improved, the order of access to the ROM changes as the count of the address counter progresses. , Data will not be sent in the expected order. The data rearranging circuits 111a to 111e in FIG. 16 solve this problem. These eight data rearrangement circuits all have the same configuration.

【0056】図18は、本発明の第一の発明の第三の実
施例におけるデータ並び替え回路の例である。図18に
おいて、111−1乃至111−16はAND回路、1
11−17乃至111−20はOR回路である。そし
て、4個ずつ組になったAND回路の第一の入力端子に
は図16における2:4DECの出力が一定の順番に供
給されており、該4個ずつ組になったAND回路の第二
の入力端子にはROM0からROM3から読み出された
データが輪環の順で供給されている。該4個ずつ組にな
ったAND回路の全部で四の出力端子はOR回路の入力
端子に接続されており、該OR回路の出力がD−FFの
DD、DC、DB、DA端子へと導かれる。ここでは、
2:4DECの出力を4個ずつ組になったAND回路に
一定の順番で供給するようにしているが、ROM0から
ROM3の出力データを4個ずつ組になったAND回路
に一定の順番で供給することも可能で、この場合には
2:4DECの出力を4個ずつ組になったAND回路に
輪環の順で供給すればよい。
FIG. 18 shows an example of the data rearrangement circuit in the third embodiment of the first invention of the present invention. In FIG. 18, 111-1 to 111-16 are AND circuits, 1
11-17 to 111-20 are OR circuits. The output of the 2: 4 DEC in FIG. 16 is supplied to the first input terminal of the AND circuit in groups of four in a fixed order, and the second input of the AND circuit in groups of four is provided. The data read from the ROM0 to the ROM3 are supplied to the input terminal in the order of the ring. All four output terminals of the four AND circuits are connected to the input terminals of the OR circuit, and the output of the OR circuit is led to the DD, DC, DB and DA terminals of the D-FF. Get burned. here,
The output of 2: 4DEC is supplied to a set of four AND circuits in a fixed order, but the output data of ROM0 to ROM3 is supplied to a set of four AND circuits in a fixed order. In this case, the output of the 2: 4 DEC may be supplied to the AND circuit in groups of four in the ring order.

【0057】さて、2:4DECの入力はアドレス・カ
ウンタのMSB2ビットであるQ15とQ14であるの
で、これらの組合せによって4個ずつ組になったAND
回路においてROM0からROM3の出力がDDからD
Aの出力に導かれる。図18の回路を解析すれば、アド
レス・カウンタのカウント値のMSB2ビットが“0
0”の時にはDDにはROM0、DCにはROM1、D
BにはROM2、DAにはROM3の出力が導かれ、ア
ドレス・カウンタのカウント値のMSB2ビットが“0
1”の時にはDDにはROM3、DCにはROM0、D
BにはROM1、DAにはROM2の出力が導かれ、ア
ドレス・カウンタのカウント値のMSB2ビットが“1
0”の時にはDDにはROM2、DCにはROM3、D
BにはROM0、DAにはROM1の出力が導かれ、ア
ドレス・カウンタのカウント値のMSB2ビットが“1
1”の時にはDDにはROM1、DCにはROM2、D
BにはROM3、DAにはROM0の出力が導かれると
いう結果を容易に得ることができる。
Since the input of the 2: 4 DEC is Q15 and Q14, which are the MSB2 bits of the address counter, four ANDs are formed by combining them.
The output of ROM0 to ROM3 is DD to D in the circuit
It is led to the output of A. When the circuit of FIG. 18 is analyzed, the MSB2 bit of the count value of the address counter is “0”.
When it is 0 ", ROM0 is in DD, ROM1 and D are in DC.
The output of ROM2 is led to B and the output of ROM3 to DA, and the MSB2 bit of the count value of the address counter is "0".
When it is 1 ", ROM is 3 for DD, ROM0, D for DC
The output of ROM1 is led to B and the output of ROM2 is led to DA, and the MSB2 bit of the count value of the address counter is "1".
When it is 0 ", the ROM is DD2 and the DC is ROM3 and D.
The output of ROM0 is led to B and the output of ROM1 to DA, and the MSB2 bit of the count value of the address counter is "1".
When 1 ”, the ROM is DD1 and the DC is ROM2 and D
The result that the output of ROM3 is led to B and the output of ROM0 is led to DA can be easily obtained.

【0058】従って、アドレス・カウンタのMSB2ビ
ットが“00”の間は、各々のシフトレジスタのDDに
はROM0の出力データを構成するビット、各々のシフ
トレジスタのDCにはROM1の出力データを構成する
ビット、各々のシフトレジスタのDBにはROM2の出
力データを構成するビット、各々のシフトレジスタのD
AにはROM3の出力データを構成するビットがロード
されるので、ロードされたビットをSDOから出力すれ
ば、シフトレジスタn(nは0及び7以下の整数)の出
力からはROM0からR0M3の出力データのDnビッ
トが順序よく送出される。
Therefore, while the MSB2 bit of the address counter is "00", the bits of the output data of the ROM0 are configured in the DD of each shift register, and the output data of the ROM1 is configured in the DC of each shift register. The bits that make up the output data of the ROM 2 in the DB of each shift register, and the D of each shift register.
Since bits constituting the output data of ROM3 are loaded into A, if the loaded bits are output from SDO, the output of shift register n (n is an integer of 0 and 7 or less) is output from ROM0 to R0M3. The Dn bits of data are sent out in order.

【0059】アドレス・カウンタのカウント値のMSB
2ビットが“01”の間は、DDにはROM3、DCに
はROM0、DBにはROM1、DAにはROM2の出
力データが対応するので、シフトレジスタnの出力から
はROM3、ROM0、ROM1、ROM2の順序で出
力データのDnビットが送出される。
MSB of count value of address counter
While the 2 bits are “01”, the output data of ROM3 corresponds to DD, ROM0 corresponds to DC, ROM1 corresponds to DB, and ROM2 corresponds to DA. Therefore, the output of shift register n corresponds to ROM3, ROM0, ROM1, Dn bits of output data are sent out in the order of ROM2.

【0060】同様に、アドレス・カウンタのカウント値
のMSB2ビットが“01”の間は、DDにはROM
2、DCにはROM3、DBにはROM0、DAにはR
OM1の出力データが対応するので、シフトレジスタn
の出力からはROM2、ROM3、ROM0、ROM1
の順序で出力データのDnビットが送出され、アドレス
・カウンタのカウント値のMSB2ビットが“11”の
間はDDにはROM1、DCにはROM2、DBにはR
OM3、DAにはROM0の出力データが対応するの
で、シフトレジスタnの出力からはROM1、ROM
2、ROM3、ROM0の順序で出力データのDnビッ
トが送出される。
Similarly, while the MSB2 bit of the count value of the address counter is "01", the ROM is in the DD.
2, ROM3 for DC, ROM0 for DB, R for DA
Since the output data of OM1 corresponds, the shift register n
From the output of, ROM2, ROM3, ROM0, ROM1
The Dn bits of the output data are transmitted in this order, and while the MSB2 bit of the count value of the address counter is "11", ROM1 is in DD, ROM2 is in DC, and R is in DB.
Since the output data of ROM0 corresponds to OM3 and DA, the output of shift register n shows ROM1 and ROM.
2, Dn bits of output data are sent out in the order of ROM3, ROM0.

【0061】上記の送出順序は図17に示した、アドレ
ス・カウンタのカウント値と対応するROMの関係と全
く同じである。即ち、シフトレジスタnからは、アドレ
ス・カウンタのカウント値の順にROMの出力データの
Dnビットが出力されることになり、送出されるデータ
は図1の構成の場合と同じになる。
The above-mentioned transmission order is exactly the same as the relationship between the count value of the address counter and the corresponding ROM shown in FIG. That is, the shift register n outputs Dn bits of the output data of the ROM in the order of the count value of the address counter, and the transmitted data is the same as that in the case of the configuration of FIG.

【0062】図16は、アドレス・カウンタのカウント
値のMSB2ビットに加算演算をしてROMのアクセス
・アドレスのLSB2ビットを生成するので、四のRO
Mを備えているが、MSBqビット(qは正の整数)に
0から(2q −1)を加算演算してROMのアクセス・
アドレスのLSBqビットを生成するようにすれば、2
q のROMからデータを読み出すことができるようにな
る。この時には、データ並び替え回路は2q のデータの
順番を輪環の順に並び替えるものとし、該並び替え回路
を2q 備える必要がある。従って、図16では2:4D
ECを適用して輪環の順に並び替えを行なったが、この
場合にはq:2q DECを適用する必要がある。
In FIG. 16, since the MSB2 bit of the count value of the address counter is added and the LSB2 bit of the access address of the ROM is generated, the RO of 4 is obtained.
Is provided with the M, MSBq bit (q is a positive integer) ROM access by add operations from 0 to (2 q -1)
If the LSBq bits of the address are generated, 2
Data can be read from the ROM of q . At this time, the data rearrangement circuit rearranges the order of the 2 q data in the ring order, and it is necessary to provide the rearrangement circuit with 2 q . Therefore, in FIG. 16, 2: 4D
EC was applied to rearrange the rings in order, but in this case, it is necessary to apply q: 2 q DEC.

【0063】これまでは、ROMからのデータ読出しに
おいて、ROMの読出し速度と伝送速度との整合を実現
する技術について説明してきた。この技術の基本は、複
数のROMに格納したデータを読み出すことによって、
一のROMに許容される読出しのための時間を伝送の周
期より長くすることである。しかし、複数のROMにデ
ータを分割して格納する場合には、格納しているアドレ
スの順序と読出しでアクセスするアドレスの順序が対応
していないと、送出データは期待されるデータとは異な
るものになるという問題が生ずる。
Up to now, the technique for realizing the matching between the reading speed of the ROM and the transmission speed in reading the data from the ROM has been described. The basis of this technology is to read data stored in multiple ROMs,
The read time allowed for one ROM is longer than the transmission cycle. However, when data is divided and stored in multiple ROMs, if the order of the stored addresses does not correspond to the order of the addresses to be accessed for reading, the transmitted data will differ from the expected data. The problem arises that

【0064】この問題を解決するのが本発明の第二の発
明である、書込み方法及び書込み回路である。既に作用
の項で、本発明の第二の発明の第一の実施例について、
図19から図23を用いて、ROMライタに四のバッフ
ァRAMを備え、RAMアドレス切替部とRAMCS分
離部とによって自動的に四のROMに書き込むべきデー
タを分割して四のバッファRAMに転送し、その内指定
されたバッファRAMのデータをROMに書き込むこと
の概要を説明した。ここでは、更に詳細な説明を行な
う。
A second method of the present invention, which solves this problem, is a writing method and a writing circuit. Already in the section of action, for the first embodiment of the second invention of the present invention,
With reference to FIGS. 19 to 23, the ROM writer is provided with four buffer RAMs, and the RAM address switching unit and the RAMCS separating unit automatically divides the data to be written in the four ROMs and transfers the data to the four buffer RAMs. The outline of writing the data of the designated buffer RAM to the ROM has been explained. Here, a more detailed description will be given.

【0065】図21は、本発明の第二の発明の第一の実
施例におけるデコーダ5の例である。図21において、
314b−1はメモリ区間にアクセスする時にアクティ
ブ“L”になるメモリ・リクエストXMREQによって
イネーブルにされて、CPUが出力するアドレスの00
00hからFFFFhをデコードして“H”を出力する
と共に、該アドレスの0000hから3FFFhをデコ
ードして“H”を出力する機能を有するアドレス・デコ
ーダ、314b−2はSW3が1の時に該アドレスデコ
ーダの前者の出力を選択し、該SW3が0の時に該アド
レス・デコーダの後者の出力を選択して図23に示すR
AMCS分離部への信号をアクティブにするセレクタで
ある。
FIG. 21 shows an example of the decoder 5 in the first embodiment of the second invention of the present invention. In FIG. 21,
314b-1 is enabled by the memory request XMREQ that becomes active “L” when accessing the memory section, and the address 00 of the CPU outputs
The address decoder 314b-2 has a function of decoding 00h to FFFFh and outputting "H", and decoding 0000h to 3FFFh of the address and outputting "H". 23 is selected and the latter output of the address decoder is selected when SW3 is 0.
It is a selector that activates a signal to the AMCS separation unit.

【0066】即ち、図21の構成は、SW3が1でパソ
コンからRAMへデータを転送する状態の時にはCPU
が出力する全アドレスにわたってRAMのCSをアクテ
ィブにしうる信号を出力し、SW3が0でRAMからR
OMへデータを書き込む時にはCPUが出力する全アド
レスのうち1/4だけについてRAMのCSをアクティ
ブにする機能を備えている。
That is, in the configuration of FIG. 21, the CPU is operated when SW3 is 1 and data is transferred from the personal computer to the RAM.
Outputs a signal that can activate the CS of the RAM over all the addresses output by the
When writing data to the OM, it has a function of activating the CS of the RAM for only 1/4 of all the addresses output by the CPU.

【0067】図22は、本発明の第二の発明の第一の実
施例におけるRAMアドレス切替部の例である。図22
において、315−1及び315−2は一方が反転入力
になっているAND回路、315−3及び315−4は
AND回路、3155及び315−6はOQ回路であ
る。そして、該AND回路315−1、315─2の反
転しない入力端子にはCPUが出力するアドレスの内L
SBの2ビットであるA0とA1が供給され、該該AN
D回路315−1、315─2の反転入力端子にはSW
3が設定するレベル信号が供給される。又、該AND回
路315−3、315−4の一方の入力端子にはCPU
が出力するアドレスの内MSBの2ビットであるA14
とA15が供給され、該該AND回路315−3、31
5−4のもう一方の入力端子にはSW3が設定するレベ
ル信号が供給される。又、AND回路315−1と31
5−3の出力のORをとって各々のRAMのA0とし、
AND回路315−2と315−4の出力のORをとっ
て各々のRAMのA1とするようになっている。従っ
て、転送モードでSW3が“H”である時には、CPU
が出力するA14がRAMのA0となり、CPUが出力
するA15がRAMのA1となり、書込みモードでSW
3が“L”である時には、CPUが出力するA0がRA
MのA0となり、CPUが出力するA1がRAMのA1
になる。これが何を意味するのかは、RAMCS分離部
の説明の後に説明する。
FIG. 22 shows an example of the RAM address switching unit in the first embodiment of the second invention of the present invention. FIG.
, 315-1 and 315-2 are AND circuits, one of which is an inverting input, 315-3 and 315-4 are AND circuits, and 3155 and 315-6 are OQ circuits. Then, L of the addresses output from the CPU is input to the non-inverted input terminals of the AND circuits 315-1 and 315-2.
The two bits of SB, A0 and A1, are supplied to the AN.
SW is connected to the inverting input terminal of the D circuits 315-1 and 315-2.
The level signal set by 3 is supplied. Further, a CPU is connected to one of the input terminals of the AND circuits 315-3 and 315-4.
A14 which is 2 bits of MSB of the address output by
And A15 are supplied to the AND circuits 315-3 and 31.
A level signal set by SW3 is supplied to the other input terminal of 5-4. Also, AND circuits 315-1 and 31
The output of 5-3 is ORed to be A0 of each RAM,
The outputs of the AND circuits 315-2 and 315-4 are ORed to be A1 of each RAM. Therefore, when SW3 is "H" in the transfer mode, the CPU
A14 output by RAM becomes A0 of RAM, A15 output by CPU becomes A1 of RAM, and SW in write mode
When 3 is "L", A0 output from the CPU is RA
It becomes A0 of M, and A1 output by CPU is A1 of RAM.
become. What this means will be described after the description of the RAMCS separator.

【0068】図23は、本発明の第二の発明の第一の実
施例におけるRAMCS分離部の例である。図23にお
いて、316a−1は一方が反転入力になっているAN
D回路、316a−2は4:16DEC、316a−3
乃至316a−6はOR回路、316a−7は2:4D
EC、316a−8乃至316a−11はOR回路、3
16a−12乃至316a−15はAND回路である。
そして、該4:16DECはSW3が“H”の時にイネ
ーブルとなり、CPUが出力するアドレスの内A0、A
1、A14、A15の組合せによって16の出力端子の
内一の端子に“H”を出力する。又、該2:4DECは
SW3が“L”の時にイネーブルとなり、SW1とSW
2が設定するレベル信号の組合せによって4の出力端子
の内一の端子に“H”を出力する。
FIG. 23 shows an example of the RAMCS separating section in the first embodiment of the second invention of the present invention. In FIG. 23, one of 316a-1 has an inverted input AN
D circuit, 316a-2 is 4:16 DEC, 316a-3
To 316a-6 are OR circuits, 316a-7 are 2: 4D
ECs 316a-8 to 316a-11 are OR circuits, 3
16a-12 to 316a-15 are AND circuits.
Then, the 4:16 DEC is enabled when SW3 is "H", and A0, A out of the addresses output by the CPU
"H" is output to one of the 16 output terminals by the combination of 1, A14 and A15. Further, the 2: 4 DEC is enabled when SW3 is "L", and SW1 and SW
"H" is output to one of the output terminals of 4 according to the combination of the level signals set by 2.

【0069】先ず、SW3が“H”の時にはCPUが出
力する全アドレスに対してデコーダ5から“1”が供給
されるので、Wレジスタが“L”の時、即ち、RAMへ
のアクセスが指定されている時にOR回路316a−8
乃至316a−11の出力がAND回路316a−12
乃至316a−15を通過できる。又、SW3が“H”
の時には、4:16DECがイネーブルであり、CPU
が出力するアドレスの内A0、A1、A14、A15の
0、1のパターンによって決まる出力端子に“H”が出
力されて、該“H”はOR回路316a3乃至316a
−6のいずれかとOR回路316a−8乃至316a−
11のいずれかを介してAND回路316a−12乃至
316a−15の何れかに導かれる。例えば、“000
0”、“0101”、“1010”、“1111”の時
にはAND回路316a−12からRAM0にCSが出
力される。この時、RAMアドレス切替部からは、CP
Uが出力するアドレスの内A14がRAMにA0として
供給され、CPUが出力するアドレスの内A15がRA
MのA1として供給される。つまり、“0000”の時
にはRAM0のA1、A0が“00”となるアドレスに
データが転送され、“0101”の時にはRAM0のA
1、A0が“01”となるアドレスにデータが転送さ
れ、“1010”の時にはRAM0のA1、A0が“1
0”となるアドレスにデータが転送され、“1111”
の時にはRAM0のA1、A0が“11”となるアドレ
スにデータが転送される。具体的に示すと、アドレスが
0000hのデータはRAM0の0番地に、4001h
のデータはRAM0の1番地に、8002hのデータは
RAM0の2番地に、C003hのデータはRAM0の
3番地に、0004のデータはRAM0の4番地に、4
005のデータはRAM0の5番地に、BFFEのデー
タはRAM0の6番地に、C007のデータはRAM0
の7番地に、・・・、FFFhのデータはRAM0の3
FFFhに転送される。このようにRAM0に転送され
るデータのアドレスは、図17において「対応するRO
Mの欄」にROM0と記載されているアドレスに一致し
ている。即ち、図16の構成においてROM0から読み
出すデータがRAM0に転送される。
First, when SW3 is "H", "1" is supplied from the decoder 5 to all the addresses output by the CPU. Therefore, when the W register is "L", that is, access to the RAM is designated. OR circuit 316a-8
To outputs 316a-11 to AND circuits 316a-12.
Through 316a-15. SW3 is "H"
4:16 DEC is enabled and CPU
"H" is output to the output terminal determined by the 0, 1 pattern of A0, A1, A14, A15 of the addresses output by the OR circuits 316a3 to 316a.
-6 and any of the OR circuits 316a-8 to 316a-
It is led to any one of the AND circuits 316a-12 to 316a-15 via any one of 11. For example, "000
When 0, “0101”, “1010”, and “1111”, the AND circuit 316a-12 outputs CS to RAM 0. At this time, the RAM address switching unit outputs CP.
A14 of the addresses output by U is supplied to RAM as A0, and A15 of the addresses output by the CPU is RA.
Supplied as A1 of M. That is, when "0000", the data is transferred to the address where A1 and A0 of RAM0 are "00", and when "0101", the A of RAM0 is A.
Data is transferred to an address where 1 and A0 are "01", and when "1010", A1 and A0 of RAM0 are "1".
Data is transferred to the address that becomes 0 "and" 1111 "
At this time, data is transferred to the address where A1 and A0 of RAM0 are "11". Specifically, the data at the address 0000h is stored in the address 0 of RAM0 at 4001h.
Data in RAM0 at address 1, 8002h data in RAM0 at address 2, C003h data in RAM0 at address 3, 0004 data in RAM0 at address 4
The data of 005 is at address 5 of RAM0, the data of BFFE is at address 6 of RAM0, and the data of C007 is RAM0.
No. 7 of ..., the data of FFFh is 3 of RAM0
It is transferred to FFFh. The address of the data thus transferred to the RAM0 is "corresponding RO" in FIG.
It matches the address described as ROM0 in the “M column”. That is, the data read from the ROM0 in the configuration of FIG. 16 is transferred to the RAM0.

【0070】一方、SW3を“L”にすると、4:16
DECはディスエイブルになり、2:4DECがイネー
ブルになる。この時、SW1とSW2を“00”に設定
すると、2:4DECの出力によりCSが出されるのは
RAM0に限定される。しかも、デコーダ5の出力によ
り全アドレスの内0000hから3FFFhの間におい
てRAMへのアクセス時(Wレジスタが“L”)のみに
RAM0にCSが出される。この時、RAMアドレス切
替部からは、CPUが出力するアドレスの内A0がRA
MのA0として供給され、CPUが出力するアドレスの
内A1がRAMのA1として供給される。つまり、この
時にはRAM0からターゲットROMに若いアドレスの
順にデータが書き込まれる。この関係がRAM1以降に
ついても同様でなることは容易に確認できる。即ち、図
22のRAMアドレス切替部と図23のRAMCS分離
部によって、図16の構成においてROM0から読み出
すべきデータが、読み出すべき順番にターゲットROM
に書き込まれる。
On the other hand, when SW3 is set to "L", 4:16
DEC is disabled and 2: 4 DEC is enabled. At this time, if SW1 and SW2 are set to "00", the CS output by the 2: 4 DEC output is limited to the RAM0. Moreover, the output of the decoder 5 outputs CS to the RAM0 only during access to the RAM (W register is "L") between 0000h and 3FFFh of all addresses. At this time, from the RAM address switching unit, A0 of the addresses output by the CPU is RA
It is supplied as A0 of M, and A1 of the addresses output by the CPU is supplied as A1 of RAM. That is, at this time, data is written from RAM0 to the target ROM in the order of younger addresses. It can be easily confirmed that this relationship is the same for the RAM 1 and thereafter. That is, the data to be read from the ROM0 in the configuration of FIG. 16 is read by the RAM address switching unit of FIG. 22 and the RAMCS separation unit of FIG.
Is written to.

【0071】同様に、図19の構成において、SW1と
S2を“01”に設定すればRAM1に転送されたデー
タがターゲットROMに書き込まれ、“10”の設定で
RAM2のデータがターゲットROMに書き込まれ、
“11”の設定でRAM3のデータがターゲットROM
に書き込まれる。この時のRAM1乃至RAM3のアド
レスとターゲットROMのアドレスとの関係は、上記の
RAM0のアドレスとターゲットROMのアドレスとの
関係と同じである。即ち、図22のRAMアドレス切替
部と図23のRAMCS分離部によって、図16の構成
における四のROMから読み出すべき順序で、四のター
ゲットROMにデータを書き込むことができる。
Similarly, in the configuration of FIG. 19, if SW1 and S2 are set to "01", the data transferred to RAM1 is written to the target ROM, and the data of RAM2 is written to the target ROM by setting "10". And
When set to "11", the data in RAM3 is the target ROM
Is written to. The relationship between the addresses of RAM1 to RAM3 and the address of the target ROM at this time is the same as the relationship between the address of RAM0 and the address of the target ROM. That is, the RAM address switching unit of FIG. 22 and the RAMCS separating unit of FIG. 23 can write data to the four target ROMs in the order in which they should be read from the four ROMs in the configuration of FIG.

【0072】従って、図16の構成で使用する四のRO
Mにデータを書き込む際に、設計者が何れのROMに、
どのような順序でデータを書き込むかを意識する必要が
なくなる。これにより、設計者の負担を軽減できるばか
りでなく、人為的な過誤による書込みアドレスの誤りを
避けることが可能になる。
Therefore, the four ROs used in the configuration of FIG.
When writing data to M, in which ROM the designer
There is no need to be aware of the order in which data is written. This not only reduces the burden on the designer, but also avoids an error in the write address due to a human error.

【0073】ここでは、具体的に説明するために、バッ
ファRAMの個数を予め四に決めて説明したが、本発明
の技術はバッファRAMの個数を四に限定するものでは
ない。一般的に、2p のバッファRAMを使用する場
合、下記のようにすればよい。先ず、RAMアドレス切
替部においては、転送モードの時にはCPUが指定する
アドレスのMSB側pビットをRAMのLSB側pビッ
トとして与え、書込みモードの時にはCPUが指定する
アドレスのLSB側pビットをRAMのLSB側pビッ
トとして与えるようにする。次に、RAMCS分離部に
おいては、転送モードの時にはCPUが指定するアドレ
スのMSB側pビットとLSB側pビットの“L”、
“H”の組み合わせによって2p のバッファRAMへの
アクセスを交互に可能とし、書込みモードの時にはpの
SWの設定の組み合わせによって2pのバッファRAM
の内一のバッファRAMのみにアクセス可能にする。こ
のために、図23における4:16DECの代わりに
(2p):22pDECを適用し、2:4DECの代わり
にp:2p DECを適用する。又、デコーダ5は000
0hからFFFFhをデコードして出力する端子と、0
000hからFFFFhの1/2p をデコードして出力
する端子を備えるようにする。
Although the number of buffer RAMs has been previously set to four for the sake of specific description, the technique of the present invention does not limit the number of buffer RAMs to four. Generally, when a 2 p buffer RAM is used, the following may be done. First, in the RAM address switching section, the MSB side p bit of the address designated by the CPU is given as the LSB side p bit of the RAM in the transfer mode, and the LSB side p bit of the address designated by the CPU is written in the RAM in the write mode. It is given as p bits on the LSB side. Next, in the RAMCS separation unit, in the transfer mode, the MSB side p bit of the address designated by the CPU and the LSB side p bit of "L",
Access to the 2 p buffer RAM is enabled alternately by the combination of "H", and in the write mode, the 2 p buffer RAM is combined by the combination of the p SW settings.
Only one of the buffer RAMs is accessible. For this, 4 in Figure 23: 16DEC instead of (2p): 2 applying the 2p DEC, 2: p instead of 4DEC: applying a 2 p DEC. Also, the decoder 5 is 000
A terminal for decoding and outputting FFFFh from 0h;
A terminal for decoding and outputting 1/2 p of 000h to FFFFh is provided.

【0074】しかし、図19の構成においては、指定さ
れたバッファRAMに格納されているデータを一のRO
Mに書き込むものであるために、四のROM全てにデー
タを書き込むためには、SWの設定を変えながら同じ作
業を4回繰り返す必要がある。
However, in the configuration of FIG. 19, the data stored in the designated buffer RAM is converted into one RO.
Since the data is written in M, it is necessary to repeat the same work four times while changing the setting of SW in order to write data in all four ROMs.

【0075】図24は、本発明の第二の発明の第二の実
施例で、上記の問題を解決して、一度に四のROMにデ
ータを書き込む技術を提供するものである。図24にお
いて、201はデータの書込みを制御するパソコン、3
01はRS−232Cポート、302は12ボルト系か
ら5ボルト系へのレベル変換部、303は、304は発
振器、305はOR回路、306はCPU、307はエ
ッジ検出部、308はSW、309はプル・アップ抵抗
1である。310aはデコーダ1、310bはデコーダ
2、310cはデコーダ3で,310a乃至310cは
入出力空間のアドレス・デコーダとして使用されてい
る。311はRレジスタ、312はWレジスタ、313
はR/Wレジスタである。又、314aはデコーダ4、
314bはデコーダ5で、314a及び314bはメモ
リ空間のアドレス・デコーダとして使用されている。3
15は複数(この場合には4)備えるRAMのアドレス
を切り替えるアドレス切替部、316bは複数(この場
合には4)備えるRAMのCSを分離するRAMCS分
離部、317は書込みプログラムを格納しているプログ
ラムROM、318a乃至318dは各々バッファRA
M0、バッファRAM1、バッファRAM2、バッファ
RAM3、401aはターゲットROM0、401dは
ターゲットROM3である。尚、図24において300
番台の符号を付した要素によってROMライタが構成さ
れる。又、ROMライタの機能には、パソコンからRO
Mライタへのデータ転送機能、ターゲットROMへの書
込み機能、ベリファイ機能、チェックサム機能、ターゲ
ットROMからパソコンへのロード機能があるが、本発
明はパソコンからROMライタへのデータ転送機能、タ
ーゲットROMへの書込み機能に関するものであるの
で、ベリファイ機能以下の機能を実現する構成は図示を
省略している。
FIG. 24 is a second embodiment of the second invention of the present invention, which provides a technique for solving the above problems and writing data in four ROMs at a time. In FIG. 24, 201 is a personal computer for controlling data writing, 3
01 is an RS-232C port, 302 is a level converting unit from 12 volt system to 5 volt system, 303 is an oscillator, 304 is an oscillator, 305 is an OR circuit, 306 is a CPU, 307 is an edge detecting unit, 308 is SW, 309 is It is a pull-up resistor 1. Reference numeral 310a is a decoder 1, 310b is a decoder 2, 310c is a decoder 3, and 310a to 310c are used as address decoders in the input / output space. 311 is an R register, 312 is a W register, 313
Is an R / W register. Also, 314a is the decoder 4,
314b is a decoder 5 and 314a and 314b are used as address decoders in the memory space. Three
Reference numeral 15 is an address switching unit that switches the addresses of a plurality (4 in this case) of RAMs, 316b is a RAMCS separation unit that separates CSs of a plurality (4 in this case) of RAMs, and 317 stores a write program. The program ROMs 318a to 318d are buffer RAs, respectively.
M0, buffer RAM1, buffer RAM2, and buffer RAM3, 401a are target ROM0, and 401d is target ROM3. Incidentally, in FIG.
A ROM writer is configured by the elements with reference numerals of the series. Also, the ROM writer's function is
Although there is a data transfer function to the M writer, a write function to the target ROM, a verify function, a checksum function, and a load function from the target ROM to the personal computer, the present invention has a data transfer function from the personal computer to the ROM writer and the target ROM. Since it is related to the write function of, the configuration for realizing the function following the verify function is omitted in the drawing.

【0076】図24の構成の特徴は、四のバッファRA
Mにデータを振り分けて格納した後、各々のバッファR
AMのデータを別々の四のROMに書き込む点にある。
このために、図24の構成においては、図19の構成に
適用したのと同じ構成のRAMアドレス切替部(図2
2)とデコーダ5(図21)と、図19に適用したのと
は異なるRAMCS分離部とを適用し、新たにROMC
S分離部を設けている。
The feature of the configuration of FIG. 24 is that it has four buffer RAs.
After distributing the data to M and storing it, each buffer R
The point is that AM data is written to four separate ROMs.
Therefore, in the configuration of FIG. 24, the RAM address switching unit (FIG. 2) having the same configuration as that applied to the configuration of FIG.
2), the decoder 5 (FIG. 21), and a RAMCS separation unit different from that applied in FIG.
An S separation unit is provided.

【0077】図25は、本発明の第二の発明の第二の実
施例におけるRAMCS分離部の例である。図25にお
いて、316b−1は一方が反転入力となっているAN
D回路、316b−2は、図23において細い罫線で囲
んだ、4:16DEC316a−2、四のOR回路31
6a−3、316a−4、316a−5、316a−6
から構成される回路、316b−3乃至316b−12
はD−FF、316b−13乃至316b−25はAN
D回路、316b−26はアドレス・カウンタのカウン
ト値3FFFhをデコードするデコーダ、316b−2
7は一方が反転入力になっているAND回路、316b
−28乃至316b−31はJK−フリップ・フロップ
(以下、JK−FFと略記する)、316b−32乃至
316b−35はOR回路、316b−36乃至316
b−39はAND回路である。そして、AND回路31
6b−22乃至316b−25から四のパッファRAM
に対するCSが出力され、AND回路316b−36乃
至316b−39から後述するROMCS分離部に対し
てP0CS、P1CS、P2CS、P3CSなる信号が
出力される。
FIG. 25 shows an example of the RAMCS separating section in the second embodiment of the second invention of the present invention. In FIG. 25, one of 316b-1 is an inverting input AN
The D circuit 316b-2 is a 4:16 DEC 316a-2 surrounded by a thin ruled line in FIG.
6a-3, 316a-4, 316a-5, 316a-6
316b-3 to 316b-12
Is D-FF, 316b-13 to 316b-25 is AN
The D circuit 316b-26 is a decoder 316b-2 for decoding the count value 3FFFh of the address counter.
7 is an AND circuit, one of which is an inverting input, 316b
-28 to 316b-31 are JK-flip-flops (hereinafter abbreviated as JK-FF), 316b-32 to 316b-35 are OR circuits, 316b-36 to 316.
b-39 is an AND circuit. Then, the AND circuit 31
6b-22 to 316b-25 to 4 puffer RAM
Is output, and the AND circuits 316b-36 to 316b-39 output signals P0CS, P1CS, P2CS, and P3CS to the ROMCS separation unit described later.

【0078】図26は、本発明の第二の発明の第二の実
施例におけるROMCS分離部の例である。図26にお
いて、319−1乃至319−4はAND回路、319
−5は一方が反転入力になっているAND回路である。
そして、AND回路319−1乃至319−4の一方の
入力端子に前記P0CS、P1CS、P2CS、P3C
Sが供給され、該AND回路319−1乃至319−4
のもう一方の入力端子にSWの状態の反転信号とWレジ
スタの状態を示す信号とのANDが供給され、該四のA
ND回路から四のターゲットROMを選択するCSが出
力される。
FIG. 26 shows an example of the ROMCS separation section in the second embodiment of the second invention of the present invention. In FIG. 26, 319-1 to 319-4 are AND circuits and 319.
-5 is an AND circuit, one of which is an inverting input.
The P0CS, P1CS, P2CS, and P3C are connected to one input terminals of the AND circuits 319-1 to 319-4.
S is supplied to the AND circuits 319-1 to 319-4.
AND of the inverted signal of the SW state and the signal indicating the state of the W register is supplied to the other input terminal of the
CS for selecting four target ROMs is output from the ND circuit.

【0079】先ず、SWが“H”の時には、回路316
b−2がイネーブルになって、CPUが出力するアドレ
スのA0、A1、A14、A15の1、0のパターンが
“0000”、“0101”、“1010”、“111
1”の時にOR回路316b−32に“1”が出力さ
れ、“0001”、“0110”、“1011”、“1
100”の時にOR回路316b−33に“1”が出力
され、“0010”、“0111”、“1000”、
“1101”の時にOR回路316b−34に“1”が
出力され、“0011”、“0100”、“100
1”、“1110”の時にOR回路316b−35に
“1”が出力される。一方、SWが“H”の時にはCP
Uが出力する全アドレスに対してデコーダ5から“1”
が供給されるので、Wレジスタが“L”の時、即ち、R
AMへのアクセスが指定されている時にOR回路316
b−32乃至316b−35の出力がAND回路316
b−22乃至316b−25を通過できる。即ち、この
時の図25の構成の動作は、図23の構成においてSW
3が“1”の時の動作と全く同じである。従って、アド
レスの内A0、A1、A14、A15の“0”と“1”
の組合せによるパターンが“0000”、“010
1”、“1010”、“1111”の時にはAND回路
316b−22からRAM0にCSが出力される。この
時、RAMアドレス切替部からは、CPUが出力するア
ドレスの内A14がRAMにA0として供給され、CP
Uが出力するアドレスの内A15がRAMのA1として
供給される。つまり、“0000”の時にはRAM0の
A1、A0が“00”となるアドレスにデータが転送さ
れ、“0101”の時にはRAM0のA1、A0が“0
1”となるアドレスにデータが転送され、“1010”
の時にはRAM0のA1、A0が“10”となるアドレ
スにデータが転送され、“1111”の時にはRAM0
のA1、A0が“11”となるアドレスにデータが転送
される。具体的に示すと、アドレスが0000hのデー
タはRAM0の0番地に、4001hのデータはRAM
0の1番地に、8002hのデータはRAM0の2番地
に、C003hのデータはRAM0の3番地に、000
4のデータはRAM0の4番地に、4005のデータは
RAM0の5番地に、BFFEのデータはRAM0の6
番地に、C007のデータはRAM0の7番地に、・・
・、FFFhのデータはRAM0の3FFFh番地に転
送される。このようにRAM0に転送されるデータのア
ドレスは、図17において「対応するROMの欄」にR
OM0と記載されているアドレスに一致している。即
ち、図16の構成においてROM0から読み出すべきデ
ータが図24の構成においてRAM0に転送される。同
様にして、アドレスのA15、A14、A1、A0の
“0”、“1”の組合せによるパターンが“000
1”、“0110”、“1011”、“1100”の時
には、図16の構成においてROM1から読み出すべき
データが図24の構成においてRAM1に転送され、ア
ドレスのA15、A14、A1、A0の“0”、“1”
の組合せによるパターンが“0010”、“011
1”、“1000”、“1101”の時には、図16の
構成においてROM2から読み出すべきデータが図24
の構成においてRAM2に転送され、アドレスのA1
5、A14、A1、A0の“0”、“1”の組合せによ
るパターンが“0011”、“0100”、“100
1”、“1110”の時には、図16の構成においてR
OM3から読み出すべきデータが図24の構成において
RAM3に転送される。
First, when SW is "H", the circuit 316
When b-2 is enabled, the patterns of A0, A1, A14, A15 1, 0 of the address output by the CPU are "0000", "0101", "1010", "111".
When it is "1", "1" is output to the OR circuit 316b-32, and "0001", "0110", "1011", "1" are output.
When it is 100, "1" is output to the OR circuit 316b-33, and "0010", "0111", "1000",
When "1101", "1" is output to the OR circuit 316b-34, and "0011", "0100", "100" is output.
When it is "1" or "1110", "1" is output to the OR circuit 316b-35. On the other hand, when SW is "H", CP
Decoder 5 outputs "1" for all addresses output by U
Is supplied, when the W register is "L", that is, R
OR circuit 316 when access to AM is specified
The outputs of b-32 to 316b-35 are AND circuits 316.
b-22 to 316b-25 can be passed. That is, the operation of the configuration of FIG. 25 at this time is the same as that of the configuration of FIG.
The operation is exactly the same as when 3 is "1". Therefore, "0" and "1" of A0, A1, A14, A15 of the address
The pattern according to the combination of "0000" and "010"
In the case of 1 ”,“ 1010 ”,“ 1111 ”, CS is output from the AND circuit 316b-22 to RAM0.At this time, the RAM address switching unit supplies A14 to the RAM as A0 of the addresses output by the CPU. And CP
Of the addresses output by U, A15 is supplied as A1 of RAM. That is, when "0000", the data is transferred to the address where A1 and A0 of RAM0 are "00", and when "0101", A1 and A0 of RAM0 are "0".
Data is transferred to the address that becomes 1 "and" 1010 "
In the case of, data is transferred to the address where A1 and A0 of RAM0 are "10", and in the case of "1111", RAM0 is
The data is transferred to the address where A1 and A0 of "11". Specifically, the data at address 0000h is at address 0 of RAM0, and the data at address 4001h is in RAM.
0 at address 1, 8002h data at RAM0 address 2, C003h data at RAM0 address 3, 000
The data of 4 is in the address 4 of RAM0, the data of 4005 is the address 5 of RAM0, and the data of BFFE is 6 in the RAM0.
Address, the data of C007 is at address 7 of RAM0, ...
The data of FFFh is transferred to the address 3FFFh of RAM0. The address of the data thus transferred to the RAM0 is R in the "corresponding ROM column" in FIG.
It matches the address described as OM0. That is, the data to be read from the ROM0 in the configuration of FIG. 16 is transferred to the RAM0 in the configuration of FIG. Similarly, the pattern of the combination of the addresses A15, A14, A1, and A0 of "0" and "1" is "000".
In the case of 1 ”,“ 0110 ”,“ 1011 ”, and“ 1100 ”, the data to be read from the ROM1 in the configuration of FIG. 16 is transferred to the RAM1 in the configuration of FIG. 24, and the addresses A15, A14, A1, and A0 are“ 0 ”. "," 1 "
The pattern by the combination of "0010" and "011
In the case of 1 ”,“ 1000 ”, and“ 1101 ”, the data to be read from the ROM 2 in the configuration of FIG.
Is transferred to RAM2 and the address A1
5, the patterns of combinations of "0" and "1" of A14, A1, and A0 are "0011", "0100", and "100".
When 1 ”and“ 1110 ”, R in the configuration of FIG.
The data to be read from the OM3 is transferred to the RAM3 in the configuration of FIG.

【0080】そして、SWが“1”である間はD−FF
316b−3とD−FF316b−4及びAND回路3
16b−13よりなる微分回路、D−FF316b−5
とD−FF316b−6及びAND回路316b−18
よりなる微分回路、D−FF316b−7とD−FF3
16b−8及びAND回路316b−19よりなる微分
回路、D−FF316b−9とD−FF316b−10
及びAND回路316b−20よりなる微分回路、D−
FF316b−11とD−FF316b−12及びAN
D回路316b−21よりなる微分回路の出力は“L”
に保たれているので、JK−FF316b−28乃至3
16b−31のQ出力は“L”に保たれており、P0C
S乃至P3CSも“L”に固定されている。図26に示
す如く、ターゲットROMのCSはP0CS乃至P3C
Sが“H”の時に出力されるので、SWが“1”でバッ
ファRAMにデータを転送している間はターゲットRO
MにはCSは出力されない。
Then, while SW is "1", D-FF
316b-3 and D-FF 316b-4 and AND circuit 3
Differentiating circuit composed of 16b-13, D-FF316b-5
And D-FF 316b-6 and AND circuit 316b-18
Differentiating circuit consisting of D-FF316b-7 and D-FF3
16b-8 and a differential circuit composed of an AND circuit 316b-19, D-FF316b-9 and D-FF316b-10.
And a differentiation circuit composed of an AND circuit 316b-20, D-
FF316b-11, D-FF316b-12 and AN
The output of the differentiation circuit composed of the D circuit 316b-21 is "L".
Since it is maintained at JK-FF316b-28 to 3
Q output of 16b-31 is kept at "L", P0C
S to P3CS are also fixed to "L". As shown in FIG. 26, the target ROM CS is P0CS to P3C.
It is output when S is "H", so while SW is "1" and data is being transferred to the buffer RAM, the target RO
CS is not output to M.

【0081】ここで、SWが“0”に設定されると、図
24の構成はターゲットROMへのデータ書込みモード
となる。この時には、図25において回路316b−2
がディスエイブルになり、デコーダ5からはアドレス・
カウンタの出力の内0000hから3FFFhの範囲を
デコードした“1”が供給されるようになる。従って、
アドレスが3FFFhまでで、Wレジスタが“L”の時
にRAMにCSが出される。この時、いずれのRAMに
CSを出力するのかを決定するのが図25のAND回路
316b−1と回路316b−2を除いた部分で、いず
れのROMにCSを出力するのかを決定するのが図25
の上記の部分と図26のROMCS分離部である。
Here, when SW is set to "0", the configuration of FIG. 24 becomes a data write mode to the target ROM. At this time, the circuit 316b-2 in FIG.
Is disabled and the address from the decoder 5
"1" obtained by decoding the range of 0000h to 3FFFh of the output of the counter is supplied. Therefore,
CS is issued to the RAM when the address is up to 3FFFh and the W register is "L". At this time, it is the portion excluding the AND circuit 316b-1 and the circuit 316b-2 of FIG. 25 that determines which RAM the CS is output to, and which ROM the CS is output is determined. Figure 25
26 and the ROMCS separation unit of FIG. 26.

【0082】図27は、図25の構成のタイムチャート
で、バッファRAMからターゲットROMにデータを書
き込む場合の手順を示す。SWが“L”に設定される
と、その立ち下がりをD−FF316b−3とD−FF
316b−4及びAND回路316b−13よりなる微
分回路が検出して、AND回路316b−13が図27
の「316b−13出力」に示すパルスを出力する。従
って、JK−FF316b−28のQ出力は“H”に固
定される。この時、アドレス・カウンタのカウント値が
3FFFhに達するまではAND回路316b−27は
“L”を保っているので、JK−FF316b−29乃
至316b−31のQ出力は“L”に固定されたままで
いる。即ち、この間にはRAM0にのみアクセスが可能
で、RAM1乃至RAM3にはアクセスできない。一
方、この間にデコーダ5からはメモリ空間へのアクセス
を許容するXMREQ(アクティブ“L”)とアドレス
000hから3FFFhをデコードした“H”のAND
が出力されるので、その出力は図27の「デコーダ5出
力」のようになる。該デコーダ5の出力とWレジスタの
状態の反転信号とのANDとOR回路316b−32の
出力とから、RAM0のCSとして図27の「RAM0
CS」に示すような信号が供給される。この間、他のバ
ッファRAMにはアクセスできないので、RAM1から
RAM3にはCSは出力されない(図27においては、
RAM0CSとRAM1CSのみを図示している)。そ
して、RAM0のアドレスのA1とA0とにはアドレス
・カウンタのA1とA0が供給されるようになっている
ので、XRDの“L”のパルスによって先ずRAM0の
0000h番地のデータを読み出す。一方、JK−FF
316b−28のQ出力とデコーダ5の出力のANDに
より、P0CSが図27の如く出力され、JK−FF3
16b−29乃至316b−31のQ出力とデコーダ5
の出力とのANDにより、この間ではP1CSからP3
CSは“L”に固定される。該P0CSと、SWの状態
の反転信号とWレジスタの状態の信号とのANDとによ
ってROM0のCSが生成される。この時XWRの
“L”のパルスでROM0の000h番地に、先にRA
M0の0000h番地から読み出したデータが書き込ま
れる。同様にして、RAM0の番地に順々にアクセスし
てデータを読出し、ROM0の該データを読み出したの
と同じ番地にデータを書き込んでゆくという動作を繰り
返し、3FFFh番地までを終了する。これで、RAM
0に転送した全データのROM0への書込みが終了す
る。
FIG. 27 is a time chart of the configuration of FIG. 25, showing the procedure for writing data from the buffer RAM to the target ROM. When SW is set to "L", the falling edge of D-FF316b-3 and D-FF
The differential circuit composed of 316b-4 and the AND circuit 316b-13 detects and the AND circuit 316b-13 is detected in FIG.
The pulse shown in “316b-13 output” of is output. Therefore, the Q output of the JK-FF316b-28 is fixed at "H". At this time, since the AND circuits 316b-27 keep "L" until the count value of the address counter reaches 3FFFh, the Q outputs of the JK-FFs 316b-29 to 316b-31 are fixed at "L". Up to That is, during this period, only RAM0 can be accessed, and RAM1 to RAM3 cannot be accessed. On the other hand, in the meantime, the AND of the XMREQ (active “L”) which permits access to the memory space from the decoder 5 and the “H” which is obtained by decoding 3FFFh from the addresses 000h.
Is output, the output becomes like "decoder 5 output" in FIG. The AND of the output of the decoder 5 and the inverted signal of the state of the W register and the output of the OR circuit 316b-32 are used as CS of RAM0, "RAM0 of FIG.
A signal such as "CS" is provided. During this period, the other buffer RAMs cannot be accessed, so CS is not output from RAM1 to RAM3 (in FIG. 27,
Only RAM0CS and RAM1CS are shown). Since the address counters A1 and A0 of the RAM0 are supplied to the address counters A1 and A0, the data at the address 0000h of the RAM0 is first read by the "L" pulse of XRD. On the other hand, JK-FF
By ANDing the Q output of 316b-28 and the output of the decoder 5, P0CS is output as shown in FIG. 27, and JK-FF3
Q outputs 16b-29 to 316b-31 and decoder 5
AND with the output of P1CS to P3
CS is fixed to "L". The CS of ROM0 is generated by the P0CS and the AND of the inverted signal of the SW state and the signal of the W register state. At this time, the pulse of XWR "L" is sent to the address 000h of ROM0 and RA
The data read from the address 0000h of M0 is written. Similarly, the operation of sequentially accessing the addresses of the RAM0 to read the data and writing the data to the same address of the ROM0 that the data is read is repeated, and the operations up to the address 3FFFh are completed. With this, RAM
Writing of all the data transferred to 0 to ROM0 is completed.

【0083】アドレスが3FFFhの時には、3FFF
hをデコードするデコーダ316b−26から“H”が
出力され、これとXWRの“L”のパルスとのANDを
とることによって図27の「316b−27」のような
“H”のパルスが生成される。この時には、JK−FF
316b−28のQ出力とROM0CSは共に“H”で
あるので、AND回路316b−27の出力が“H”の
時だけNAND回路316b−14が“L”になる。こ
の立ち下がりをD−FF316b−5とD−FF316
b−6及びAND回路316b−18によって構成され
る微分回路が検出し、図27の「316b−18」に示
す“H”のパルスが生成される。これがJK−FF31
6b−28のK端子に供給されるので、該JK−FF3
16b−28のQ出力は“L”になって固定され、同時
に、図27の「316b−18」に示す“H”のパルス
がJK−FF316b−29のJ端子に供給されるの
で、該JK−FF316b−29のQ出力は“H”に固
定される。従って、RAM0とROM0へのアクセスは
禁止され、代わって、RAM1とROM1へのアクセス
が可能になる。この時には、RAM2、RAM3、RO
M2、ROM3へのアクセスも禁止されたままであるの
で、RAM1とROM1のみがアクセス可能である。そ
して、AND回路316b−1の出力とJK−FF31
6b−29とのANDでRAM1のCSが生成され、デ
コーダ5の出力とJK−FF316b−29とのAND
でP1CSが生成される。このP1CSと、SWの状態
の反転信号とWレジスタの状態とのANDとによってR
OM1に対するCSであるROM1CSが生成される。
この時に、RAM1から読み出してROM1に書き込む
動作は、先に説明したRAM0からROM0に書き込む
時と同じである。このようにして、RAM1の0000
h番地から3FFF番地のデータがROM1に書き込ま
れる。
When the address is 3FFFh, 3FFF
"H" is output from the decoder 316b-26 that decodes h, and an "H" pulse such as "316b-27" in FIG. 27 is generated by ANDing this with the "L" pulse of XWR. To be done. At this time, JK-FF
Since the Q output of 316b-28 and ROM0CS are both "H", the NAND circuit 316b-14 becomes "L" only when the output of the AND circuit 316b-27 is "H". This fall is caused by D-FF316b-5 and D-FF316.
The differential circuit configured by b-6 and the AND circuit 316b-18 detects and generates the "H" pulse indicated by "316b-18" in FIG. This is JK-FF31
Since it is supplied to the K terminal of 6b-28, the JK-FF3
The Q output of 16b-28 is fixed at "L" and is fixed, and at the same time, the "H" pulse shown in "316b-18" of FIG. 27 is supplied to the J terminal of JK-FF316b-29. The Q output of -FF316b-29 is fixed to "H". Therefore, access to RAM0 and ROM0 is prohibited, and instead, access to RAM1 and ROM1 becomes possible. At this time, RAM2, RAM3, RO
Since access to M2 and ROM3 is still prohibited, only RAM1 and ROM1 can be accessed. Then, the output of the AND circuit 316b-1 and the JK-FF31
6b-29 is ANDed to generate CS of RAM1, and the output of the decoder 5 is ANDed with JK-FF316b-29.
P1CS is generated at. This P1CS and AND of the inverted signal of the SW state and the state of the W register R
ROM1CS which is CS for OM1 is generated.
At this time, the operation of reading from the RAM1 and writing to the ROM1 is the same as the above-described operation of writing from the RAM0 to the ROM0. In this way, 0000 of RAM1
Data from addresses h to 3FFF are written in the ROM 1.

【0084】図27には、以降の説明に対応する信号を
表示してはいないが、先と同様に、ROM1の3FFF
h番地にデータが書き込まれた時に、NAND回路31
6b−15から“L”のパルスが出力される結果、JK
−FF316b−29がリセットされると同時にJK−
FF316b−30がセットされ、RAM2とROM2
のみにアクセスが可能な状態に変わり、RAM2からR
OM2にデータが書き込まれる。そして、ROM2の3
FFFh番地にデータが書き込まれた時に、NAND回
路316b−16から“L”のパルスが出力される結
果、JK−FF316b−30がリセットされると同時
にJK−FF316b−31がセットされ、RAM3と
ROM3のみにアクセスが可能な状態に変わり、RAM
3からROM3にデータが書き込まれる。更に、ROM
3の3FFFh番地にデータが書き込まれた時に、NA
ND回路316b−17から“L”のパルスが出力され
る結果、JK−FF316b−31がリセットされて、
全てのRAMとROMへのアクセスが禁止されて、四の
RAMから四のROMへのデータの書込みが全て終了す
る。
In FIG. 27, signals corresponding to the following description are not displayed, but similarly to the above, the 3FFF of the ROM 1 is used.
When the data is written in the address h, the NAND circuit 31
6b-15 outputs "L" pulse, resulting in JK
-JK-when FF316b-29 is reset
FF316b-30 is set, RAM2 and ROM2
Only RAM can be accessed and RAM2
Data is written to OM2. And 3 of ROM2
When the data is written in the address FFFh, the NAND circuit 316b-16 outputs the "L" pulse, so that the JK-FF316b-30 is reset and the JK-FF316b-31 is set, and the RAM3 and the ROM3 are set. Only the RAM can be accessed.
Data is written from 3 to ROM3. Furthermore, ROM
When data is written to the 3rd 3FFFh address, NA
As a result of the "L" pulse being output from the ND circuit 316b-17, the JK-FF 316b-31 is reset,
Access to all RAMs and ROMs is prohibited, and writing of data from all four RAMs to all four ROMs is completed.

【0085】従って、図22のRAMアドレス切替部と
図25のRAMCS分離部と図26のROMCS分離部
を適用した図24の構成によって、図16の構成におい
て四のROMから読み出すべき順番に一致した順番で四
のRAMへのデータの転送が可能になると共に、該四の
RAMから異なる四のROMへのデータの書込みが可能
になる。
Therefore, with the configuration of FIG. 24 to which the RAM address switching unit of FIG. 22, the RAMCS separating unit of FIG. 25, and the ROMCS separating unit of FIG. 26 are applied, the order of reading from the four ROMs in the configuration of FIG. 16 matches. Data can be transferred to the four RAMs in order, and data can be written from the four RAMs to four different ROMs.

【0086】これにより、ターゲットROMへのデータ
の書込み順序を設計者が意識しなくてもよいという利点
に加えて、ターゲットROMを取替えながら書込み動作
を行なうという作業を必要とせず、一度に四のターゲッ
トROMにデータを書き込むことができる。
Thus, in addition to the advantage that the designer does not need to be aware of the order of writing the data to the target ROM, the work of performing the write operation while replacing the target ROM is not required, and it is possible to perform four operations at a time. Data can be written to the target ROM.

【0087】ここでは、具体的に説明するために、バッ
ファRAMの個数とターゲットROMの個数を、それぞ
れ、予め四に決めて説明したが、本発明の技術はバッフ
ァRAMとターゲットROMの個数を各々四に限定する
ものではない。一般的に、2 p のバッファRAMにデー
タを転送し、該2p のバッファRAMから2p のターゲ
ットROMにデータを書き込む場合、下記のようにすれ
ばよい。先ず、RAMアドレス切替部においては、転送
モードの時にはCPUが指定するアドレスのMSB側p
ビットをRAMのLSB側pビットとして与え、書込み
モードの時にはCPUが指定するアドレスのLSB側p
ビットをRAMのLSB側pビットとして与えるように
する。次に、RAMCS分離部においては、転送モード
の時にはCPUが指定するアドレスのMSB側pビット
とLSB側pビットの“L”、“H”の組み合わせによ
って2p のバッファRAMへのアクセスを交互に可能と
し、書込みモードの時には2p のバッファRAMの内一
のバッファRAMのみにアクセス可能にする。このため
には、図25における回路316b−2の代わりにCP
Uが指定するアドレスのMSB側pビットとLSB側p
ビットの“L”、“H”の組み合わせから2p 通りの
“H”を出力する回路を適用し、図25では(22
1)の微分回路と22 のJK−FFを適用して書込み時
にアクセス可能とするバッファRAMを選択した回路
を、(2p +1)の微分回路と2p のJK−FFを図2
5の構成と同様に鎖状に接続し、図25におけるデコー
ダ316b−26の代わりに、FFFFhの1/2pを
デコードするデコーダを適用する。又、デコーダ5は0
000hからFFFFhをデコードして出力する端子
と、0000hからFFFFhの1/2p をデコードし
て出力する端子を備えるようにする。
Here, for the sake of concrete description,
The number of target RAMs and the number of target ROMs are
However, the technique of the present invention is not limited to the buffer.
Limit the number of RAM and target ROM to four each
Not a thing. Generally two pBuffer RAM
Transfer the datapFrom the buffer RAM of 2pThe target
To write data to the ROM, please follow the steps below.
I just need. First, in the RAM address switching unit, transfer
In the mode, the MSB side p of the address specified by the CPU
Write the bit as p-bit on the LSB side of RAM
In the mode, the LSB side p of the address specified by the CPU
Give bits as p bits in LSB side of RAM
I do. Next, in the RAMCS separation unit, the transfer mode
In case of, the MSB side p bit of the address specified by the CPU
And the combination of p-bit "L" and "H" on the LSB side
2pIt is possible to alternately access the buffer RAM of
2 in write modepOne of the buffer RAMs
Only the buffer RAM of is accessible. For this reason
Instead of the circuit 316b-2 in FIG.
MSB side p bit and LSB side p of the address specified by U
2 from the combination of bit "L" and "H"pOn the street
A circuit for outputting "H" is applied, and (22+
Differentiation circuit of 1) and 22When writing by applying JK-FF
Circuit that selects the buffer RAM that enables access to the memory
To (2p+1) differentiator and 2pJK-FF of Figure 2
In the same manner as in the configuration of No. 5, connecting in a chain,
Instead of 316b-26, 1 / 2p of FFFFh
Apply a decoder to decode. Also, the decoder 5 is 0
A terminal that decodes and outputs FFFFh from 000h
And 0000h to 1/2 of FFFFhpDecode
Be equipped with a terminal to output.

【0088】上では、読み出したい順序と同じ順序でR
OMにデータを書き込む回路について説明した。しか
し、これらの回路は標準的なROMライタにかなりの改
造を加えて初めて実現できるものである。
In the above, R is read in the same order as the desired read order.
The circuit for writing data to the OM has been described. However, these circuits can be realized only after a considerable modification of the standard ROM writer.

【0089】以下においては、小規模な改造で同じ機能
を実現する技術について説明する。それは、ハード的に
改造されたROMライタと同じ機能を、プログラムRO
Mに格納するプログラムの変更によって実現するもので
ある。
A technique for realizing the same function by a small-scale modification will be described below. It has the same function as a ROM writer that has been modified in terms of hardware
This is realized by changing the program stored in M.

【0090】図28は、本発明の第二の発明の第三の実
施例である。図28において、201はデータの書込み
を制御するパソコン、301はRS−232Cポート、
302は12ボルト系から5ボルト系へのレベル変換
部、303はSIO受信部、304は発振器、305は
OR回路、306はCPU、307はエッジ検出部、3
08a乃至308cはそれぞれSW1、SW2、SW
3、309a乃至309cはそれぞれプル・アップ抵抗
1、プル・アップ抵抗2、プル・アップ抵抗3である。
310aはデコーダ1、310bはデコーダ2、310
cはデコーダ3で,310a乃至310cは入出力空間
のアドレス・デコーダとして使用されている。311は
Rレジスタ、312はWレジスタ、313はR/Wレジ
スタである。又、314aはデコーダ4、314bはデ
コーダ5で、314a及び314bはメモリ空間のアド
レス・デコーダとして使用されている。317は書込み
プログラムを格納しているプログラムROM、318は
書込みデータを一旦格納するバッファRAM、401は
データを書き込む対象のターゲットROMである。尚、
図28において300番台の符号を付した要素によって
ROMライタが構成される。又、ROMライタの機能に
は、パソコンからROMライタへのデータ転送機能、タ
ーゲットROMへの書込み機能、ベリファイ機能、チェ
ックサム機能、ターゲットROMからパソコンへのロー
ド機能があるが、本発明はパソコンからROMライタへ
のデータ転送機能、ターゲットROMへの書込み機能に
関するものであるので、ベリファイ機能以下の機能を実
現する構成は図示を省略している。
FIG. 28 shows the third embodiment of the second invention of the present invention. In FIG. 28, 201 is a personal computer for controlling data writing, 301 is an RS-232C port,
302 is a level conversion unit from 12 volt system to 5 volt system, 303 is an SIO receiving unit, 304 is an oscillator, 305 is an OR circuit, 306 is a CPU, 307 is an edge detection unit, 3
08a to 308c are SW1, SW2, and SW, respectively
3, 309a to 309c are a pull-up resistor 1, a pull-up resistor 2 and a pull-up resistor 3, respectively.
310a is the decoder 1, 310b is the decoder 2, 310
Reference numeral c is a decoder 3, and 310a to 310c are used as address decoders of the input / output space. 311 is an R register, 312 is a W register, and 313 is an R / W register. Further, 314a is used as a decoder 4, 314b is used as a decoder 5, and 314a and 314b are used as address decoders in a memory space. Reference numeral 317 is a program ROM that stores a write program, 318 is a buffer RAM that temporarily stores write data, and 401 is a target ROM to which data is written. still,
In FIG. 28, the ROM writer is configured by the elements with the numbers in the 300s. The functions of the ROM writer include a data transfer function from the personal computer to the ROM writer, a write function to the target ROM, a verify function, a checksum function, and a load function from the target ROM to the personal computer. Since it relates to the data transfer function to the ROM writer and the write function to the target ROM, the configuration for realizing the function below the verify function is omitted.

【0091】図28の構成の特徴は、従来のROMライ
タがSWを1個(CPUに対する割り込みを制御して転
送モードと書込みモードを選択する)備えているのに対
して、SWを3個備えて転送モードと書込みモードの選
択(SW3が行なう)、バッファRAMに格納されてい
るデータの内ターゲットROMに書き込むべきデータの
アドレスの指定(SW1とSW2が行なう)を行なえる
ようにした上、プログラムROMに格納するプログラム
を変更して、図19の構成と同じ機能を実現する点にあ
る。
The configuration of FIG. 28 is characterized in that the conventional ROM writer has one SW (controls an interrupt to the CPU to select a transfer mode and a write mode), but has three SWs. The transfer mode and the write mode (performed by SW3) and the address of the data to be written in the target ROM among the data stored in the buffer RAM (performed by SW1 and SW2). The point is that the program stored in the ROM is changed to realize the same function as the configuration of FIG.

【0092】図29乃至図40は、本発明の第二の発明
の第三の実施例におけるROM書込みフローチャートで
ある。以下、図29乃至図40の符号の順にROMへの
書込み動作について説明する。 A1.CPUがSW割り込みの発生を確認する。SW割
り込みが発生していない場合(No)には、元に戻って
SW割り込みの発生を待つ。 A2.ステップA1においてSW割り込みが発生したと
判断した場合(Yes)には、SW3が“L”であるか
否かを判断する。SW3が“L”でない場合(No)に
は、書込みモードではないのでA1に戻ってSW割り込
みを待つ。 A3.ステップA2においてSW3が“L”であると判
断した場合(Yes)には、SW1とSW2の状態を読
む。 A4.SW1とSW2の状態が“00”であるか否かを
判断する。 A5.“00”であると判断した場合(YES)には、
RAMのアドレスRAMADに0000hをセットす
る。 A6.バッファRAMのRAMAD番地(今は0000
h番地)に格納されているデータを読む。 A7.WRレジスタのI/O空間のDXビットに“H”
を書き込んで、ROMをイネーブルにする。 A8.バッファRAMにセットされているアドレスRA
MAD(今は0000h)のA15とA14の状態を読
む。 A9.RAMのアドレスのA15とA14が“00”で
あるか否かを判断する。 A10.ステップA9においてRAMのアドレスのA1
5とA14が“00”であると判断した場合(Yes)
には、ステップA6で読んだデータをターゲットROM
に書き込む。この場合のROMの番地は、図17におけ
る「変換されたアドレス」の第一行であるので、000
0hである。即ち、RAMAD番地にデータを書き込
む。 A11.WRレジスタのI/O空間のDXビットに
“L”を書き込んで、RAMをイネーブルにする。 A12.RAMのアドレスRAMADが3FFChに達
したか否かを判断する。 A13.ステップA12においてRAMADが3FFC
hに達していないと判断した場合(No)には、RAM
ADに4を加算した値を代入してステップA6に戻る。
29 to 40 are ROM writing flowcharts in the third embodiment of the second invention of the present invention. Hereinafter, the write operation to the ROM will be described in the order of reference numerals in FIGS. A1. The CPU confirms the occurrence of the SW interrupt. If the SW interrupt has not occurred (No), it returns to the original state and waits for the occurrence of the SW interrupt. A2. When it is determined in step A1 that the SW interrupt has occurred (Yes), it is determined whether SW3 is "L". If SW3 is not "L" (No), the mode is not the write mode, and therefore the process returns to A1 to wait for the SW interrupt. A3. When it is determined that SW3 is "L" in step A2 (Yes), the states of SW1 and SW2 are read. A4. It is determined whether the states of SW1 and SW2 are "00". A5. If it is determined to be “00” (YES),
0000h is set in the RAM address RAMAD. A6. RAMAD address of buffer RAM (currently 0000
Read the data stored in address h). A7. “H” in DX bit of I / O space of WR register
To enable the ROM. A8. Address RA set in buffer RAM
Read the status of A15 and A14 of MAD (0000h now). A9. It is determined whether or not the RAM addresses A15 and A14 are "00". A10. RAM address A1 in step A9
When it is determined that 5 and A14 are "00" (Yes)
The target ROM with the data read in step A6.
Write in. Since the address of the ROM in this case is the first line of the "converted address" in FIG.
It is 0h. That is, the data is written in the RAMAD address. A11. "L" is written in the DX bit of the I / O space of the WR register to enable the RAM. A12. It is determined whether or not the RAM address RAMAD reaches 3FFCh. A13. RAMAD is 3 FFC in step A12
If it is determined that the number has not reached h (No), the RAM
The value obtained by adding 4 to AD is substituted, and the process returns to step A6.

【0093】ステップA6からステップA13において
行なったことは、図17の表において0000h番地か
ら3FFFh番地までの間のROM0に書き込むべきデ
ータが格納されている番地(ここでは0000h番地を
頭とする4番地おきの番地)のデータをROM0に書き
込むことである。 A14.ステップA12においてRAMADが3FFC
hに達したと判断した場合(Yes)には、RAMAD
に5を加算した値を代入してステップA6に戻る。
What is done in steps A6 to A13 is that the address in the table of FIG. 17 where the data to be written in the ROM0 between the addresses 0000h and 3FFFh is stored (here, the address 0000h is the 4th address). The data of every address is written in the ROM0. A14. RAMAD is 3 FFC in step A12
If it is determined that the value has reached h (Yes), RAMAD
The value obtained by adding 5 to is substituted, and the process returns to step A6.

【0094】これは、図17において、ROM0に書き
込むべきデータを格納しているアドレスが3FFCh番
地の次には4001h番地であることに対応するもので
ある。そして、A9に至ると、RAMのアドレスのA1
5とA14が“00”ではないと判断されるので、A1
5にジャンプする。 A15.RAMのアドレスのA15とA14が“01”
であるか否かを判断する。 A16.ステップA15において“01”であると判断
した場合(Yes)には、RAMAD番地に格納されて
いるデータをROM0に書き込む。今の場合には、書き
込むべきROMのアドレスは000000000000
01番地、即ち、(0001h−4000h)番地であ
るので、(RAMAD−4000h)に書込みを行な
う。 A17.WRレジスタのI/O空間のDXビットに
“L”を書き込んで、RAMをイネーブルにする。 A18.RAMADが7FFDhに達したか否かを判断
する。 A19.ステップA18においてRAMADが7FFD
hに達していないと判断した場合(No)には、RAM
ADに4を加算した値を代入してステップA6に戻る。
This corresponds to that in FIG. 17, the address storing the data to be written in the ROM0 is the address 4001h next to the address 3FFCh. Then, when it reaches A9, the RAM address A1
5 and A14 are judged not to be "00", so A1
Jump to 5. A15. RAM addresses A15 and A14 are "01"
Or not. A16. If it is determined to be "01" in step A15 (Yes), the data stored in the RAMAD address is written in the ROM0. In this case, the ROM address to be written is 000000000000.
Since it is the address 01, that is, the address (0001h-4000h), the data is written in (RAMAD-4000h). A17. "L" is written in the DX bit of the I / O space of the WR register to enable the RAM. A18. It is determined whether RAMAD has reached 7FFDh. A19. RAMAD is 7 FFD in step A18
If it is determined that the number has not reached h (No), the RAM
The value obtained by adding 4 to AD is substituted, and the process returns to step A6.

【0095】ステップA6乃至ステップA9とステップ
A15乃至ステップA19で行なったことは、図17に
おいて4001h番地から7FFDh番地までの間のR
OM0に書き込むべきデータをROM0に書き込むこと
である。 A20.ステップA18においてRAMADが7FFD
h番地に達したと判断した場合(Yes)には、RAM
ADに5を加算した値を代入してステップA6に戻る。
What has been done in steps A6 to A9 and steps A15 to A19 is that R from address 4001h to address 7FFDh in FIG.
The data to be written in OM0 is written in ROM0. A20. RAMAD is 7 FFD in step A18
If it is determined that the address has been reached at address h (Yes), RAM
The value obtained by adding 5 to AD is substituted, and the process returns to step A6.

【0096】これは、ROM0に書き込むべきデータは
7FFDh番地の次には8002h番地に格納されてい
るからである。そして、この場合にはRAMのアドレス
のA15とA14は“10”になっているので、ステッ
プA9からステップA15にジャンプし、ステップA1
5からステップA21にジャンプする。 A21.RAMのアドレスのA15とA14が“10”
であるか否かを判断する。 A22.ステップA15において“01”であると判断
した場合(Yes)には、RAMAD番地に格納されて
いるデータをROM0に書き込む。今の場合には、RO
Mに書き込むアドレスは0000000000001
0、即ち、(80002h−8000h)であるので、
(RAMAD−8000h)番地に書込みを行なう。 A23.WRレジスタのI/O空間のDXビットに
“L”を書き込んで、RAMをイネーブルにする。 A24.RAMADがBFFEhに達したか否かを判断
する。 A25.ステップA18においてRAMADがBFFE
hに達していないと判断した場合(No)には、RAM
ADに4を加算した値を代入してステップA6に戻る。
This is because the data to be written in the ROM0 is stored in the address 8002h next to the address 7FFDh. In this case, since the RAM addresses A15 and A14 are "10", the process jumps from step A9 to step A15, and then step A1.
Jump from step 5 to step A21. A21. RAM addresses A15 and A14 are "10"
Or not. A22. If it is determined to be "01" in step A15 (Yes), the data stored in the RAMAD address is written in the ROM0. In the present case, RO
The address to write to M is 0000000000001
0, that is, (80002h-8000h),
Write to address (RAMAD-8000h). A23. "L" is written in the DX bit of the I / O space of the WR register to enable the RAM. A24. It is determined whether RAMAD has reached BFFEh. A25. RAMAD is BFFE in step A18
If it is determined that the number has not reached h (No), the RAM
The value obtained by adding 4 to AD is substituted, and the process returns to step A6.

【0097】ステップA6乃至ステップA9とステップ
A15JステップA21乃至ステップA25で行なった
ことは、図17において8002h番地からBFFEh
番地までの間のROM0に書き込むべきデータをROM
0に書き込むことである。 A26.ステップA24においてRAMADがBFFE
h番地に達したと判断した場合(Yes)には、RAM
ADに5を加算した値を代入してステップA6に戻る。
The steps A6 to A9 and the step A15J, the steps A21 to A25, are the same as those from the address 8002h to BFFEh in FIG.
The data to be written in ROM0 up to the address is stored in ROM
Write to 0. A26. RAMAD is BFFE in step A24
If it is determined that the address has been reached at address h (Yes), RAM
The value obtained by adding 5 to AD is substituted, and the process returns to step A6.

【0098】これは、ROM0に書き込むべきデータは
BFFEh番地の次にはC003h番地に格納さている
からである。そして、この場合にはRAMのアドレスの
A15とA14は“11”になっているので、ステップ
A9からステップA15にジャンプし、ステップA15
からステップA21にジャンプし、ステップ21からス
テップA27にジャンプする。ここでは、RAMのアド
レスのA15とA14が“11”になっているのは自明
であるから、“11”の検定はしない。 A27.RAMAD番地に格納されているデータをRO
M0に書き込む。今の場合には、ROMに書き込むべき
アドレスは00000000000011、即ち、(C
003h−C000h)番地であるので、(RAMAD
−C000h)番地に書込みを行なう。 A28.WRレジスタのI/O空間のDXビットに
“L”を書き込んで、RAMをイネーブルにする。 A29.RAMADがFFFFhに達したか否かを判断
する。 A30.ステップA18においてRAMADがFFFF
hに達していないと判断した場合(No)には、RAM
ADに4を加算した値を代入してステップA6に戻る。
This is because the data to be written in the ROM0 is stored in the address C003h next to the address BFFEh. In this case, since the RAM addresses A15 and A14 are "11", the process jumps from step A9 to step A15, and then step A15.
To step A21, and from step 21 to step A27. Here, since it is obvious that the RAM addresses A15 and A14 are "11", the "11" test is not performed. A27. The data stored in the RAMAD address is RO
Write to M0. In the present case, the address to be written in the ROM is 00000000000011, that is, (C
003h-C000h), so (RAMAD
-Write at address C000h). A28. "L" is written in the DX bit of the I / O space of the WR register to enable the RAM. A29. It is determined whether RAMAD has reached FFFFh. A30. RAMAD is FFFF in step A18
If it is determined that the number has not reached h (No), the RAM
The value obtained by adding 4 to AD is substituted, and the process returns to step A6.

【0099】ステップA6乃至ステップA9とステップ
A15とステップA21とステップA27乃至ステップ
A30で行なったことは、図17においてC003h番
地以降のROM0に書き込むべきデータをROM0に書
き込むことである。そして、ステップA29においてR
AMADがFFFFh番地に達したと判断した場合(Y
es)には、ROM0に書き込むべきデータを全て書き
込んでいるので、ROM0への書込みは終了である。
What is done in steps A6 to A9, step A15, step A21 and steps A27 to A30 is to write the data to be written in the ROM0 at the address C003h and thereafter in FIG. Then, in step A29, R
When it is determined that AMAD has reached FFFFh (Y
In es), all the data to be written in the ROM0 has been written, so the writing in the ROM0 is completed.

【0100】さて、ステップA4においてSW1とSW
2の状態が“00”ではないと判断した場合(No)に
は、ステップA31にジャンプする。以降は、ROM1
からROM3への書込みルーチンで、上記のルーチンと
類似しているので、ステップ毎の説明は省略して、概要
のみに止めたい。 A31.SW1とSW2の状態が“01”であるか否か
を判断する。
Now, in step A4, SW1 and SW
When it is determined that the state of 2 is not "00" (No), the process jumps to step A31. After that, ROM1
Since this is a routine for writing data from the ROM to the ROM 3 and is similar to the above routine, the explanation for each step will be omitted and only the outline will be described. A31. It is determined whether the states of SW1 and SW2 are "01".

【0101】ステップA31においてSW1とSW2の
状態が“01”であると判断した場合には、ROM1へ
の書込みが行なわれる。ROM1の場合には、0001
h番地に最初のデータが格納されているので、RAMA
Dには0001hをセットして書込みを開始する。そし
て、RAMのアドレスのA15とA14が“00”であ
る範囲では0001h番地を頭に4番地おきに3FFD
番地まで書込み、RAMのアドレスのA15とA14が
“01”の範囲では4002h番地を頭に4番地おきに
7FFEh番地まで書込み、RAMのアドレスのA15
とA14が“10”の範囲では8003h番地を頭に4
番地おきにBFFFh番地までを書込み、RAMのアド
レスのA15とA14が“11”の範囲ではC000h
番地を頭に4番地おきにFFFCh番地まで書き込ん
で、ROM1への書込みを終了する。ここまでが、ステ
ップA31からステップA57までにおいて行なわれ
る。この間、アドレス・カウンタのカウント値とROM
のアドレスの変換はROM0における変換と同じ規則で
行なう。 A58.SW1とSW2の状態が“10”であるか否か
を判断する。
When it is determined in step A31 that the states of SW1 and SW2 are "01", writing to ROM1 is performed. In the case of ROM1, 0001
Since the first data is stored in address h, RAMA
0001h is set in D and writing is started. Then, in the range where the RAM addresses A15 and A14 are “00”, the address is 0001h at the head and every 4th address is 3FFD.
Write to address, and if RAM addresses A15 and A14 are in the range of "01", write every 4th address up to 7FFEh beginning with address 4002h, and RAM address A15
And in the range of A14 is "10", 4 at the address 8003h
Write up to BFFFh every other address, and C000h when RAM addresses A15 and A14 are "11".
Writing up to the address FFFCh every 4th address starting from the address, the writing to the ROM 1 is completed. Up to this point, steps A31 to A57 are performed. During this time, the count value of the address counter and the ROM
The address conversion is performed according to the same rules as the conversion in ROM0. A58. It is determined whether the states of SW1 and SW2 are "10".

【0102】ステップA58においてSW1とSW2の
状態が“10”であると判断した場合には、ROM2へ
の書込みが行なわれる。ROM2の場合には、0002
h番地に最初のデータが格納されているので、RAMA
Dには0002hをセットして書込みを開始する。そし
て、RAMのアドレスのA15とA14が“00”であ
る範囲では0002h番地を頭に4番地おきに3FFE
番地まで書込み、RAMのアドレスのA15とA14が
“01”の範囲では4003h番地を頭に4番地おきに
7FFFh番地まで書込み、RAMのアドレスのA15
とA14が“10”の範囲では8000h番地を頭に4
番地おきにBFFCh番地までを書込み、RAMのアド
レスのA15とA14が“11”の範囲ではC001h
番地を頭に4番地おきにFFFDh番地まで書き込ん
で、ROM2への書込みを終了する。ここまでが、ステ
ップA58からステップA84までにおいて行なわれ
る。この間、アドレス・カウンタのカウント値とROM
のアドレスの変換はROM0における変換と同じ規則で
行なう。 A85.SW1とSW2の状態が“11”であるか否か
を判断する。
When it is determined in step A58 that the states of SW1 and SW2 are "10", writing to ROM2 is performed. In the case of ROM2, 0002
Since the first data is stored in address h, RAMA
0002h is set in D and writing is started. Then, in the range where the RAM addresses A15 and A14 are “00”, the address is 0002h, and every 4th address is 3FFE.
Write to the address, and if the RAM addresses A15 and A14 are in the range of "01", write to the address 4003h at every fourth address up to the address 7FFFh and write to the RAM address A15.
And A14 is in the range of "10", 4 at the address 8000h
Write up to BFFCh every other address, and if the RAM addresses A15 and A14 are "11", C001h
Writing to the FFFDh address every 4th address starting from the address, the writing to the ROM 2 is completed. Up to this point, steps A58 to A84 are performed. During this time, the count value of the address counter and the ROM
The address conversion is performed according to the same rules as the conversion in ROM0. A85. It is determined whether the states of SW1 and SW2 are "11".

【0103】ステップA84においてSW1とSW2の
状態が“11”であると判断した場合には、ROM3へ
の書込みが行なわれる。ROM3の場合には、0003
h番地に最初のデータが格納されているので、RAMA
Dには0003hをセットして書込みを開始する。そし
て、RAMのアドレスのA15とA14が“00”であ
る範囲では0003h番地を頭に4番地おきに3FFF
番地まで書込み、RAMのアドレスのA15とA14が
“01”の範囲では4000h番地を頭に4番地おきに
7FFCh番地まで書込み、RAMのアドレスのA15
とA14が“10”の範囲では8001h番地を頭に4
番地おきにBFFDh番地までを書込み、RAMのアド
レスのA15とA14が“11”の範囲ではC002h
番地を頭に4番地おきにFFFEh番地まで書き込ん
で、ROM3への書込みを終了する。ここまでが、ステ
ップA85からステップA110までにおいて行なわれ
る。この間、アドレス・カウンタのカウント値とROM
のアドレスの変換はROM0における変換と同じ規則で
行なう。
When it is determined in step A84 that the states of SW1 and SW2 are "11", writing to the ROM3 is performed. In the case of ROM3, 0003
Since the first data is stored in address h, RAMA
0003h is set in D and writing is started. Then, in the range where the RAM addresses A15 and A14 are "00", the address is 0003h and the third address is 3FFF.
Write to the address, and if the RAM addresses A15 and A14 are in the range of "01", write 4000h address to every 4th address up to 7FFCh address, and RAM address A15.
And when A14 is in the range of "10", 4 at the address 8001h
Write up to BFFDh every other address, and if the RAM addresses A15 and A14 are "11", C002h
Writing up to FFFEh every 4th address starting from the address, the writing to the ROM 3 is completed. Up to this point, steps A85 to A110 are performed. During this time, the count value of the address counter and the ROM
The address conversion is performed according to the same rules as the conversion in ROM0.

【0104】これでROM0からROM3に全てデータ
が書き込まれる。即ち、図27の構成で、図29乃至図
40において説明したプログラムをプログラムROMに
書き込んでおくことにより、SW1とSW2の設定を変
えながらROM0からROM3の各々に分割してデータ
を書き込むことができる。これにより、設計者の負担を
軽減し、人為的な過誤をさけることができると共に、標
準的なROMライタのハード的な改造を小規模にするこ
とができる。
Now, all the data is written from ROM0 to ROM3. That is, in the configuration of FIG. 27, by writing the program described in FIGS. 29 to 40 in the program ROM, it is possible to write data separately from ROM0 to ROM3 while changing the settings of SW1 and SW2. . As a result, the burden on the designer can be reduced, human error can be avoided, and the hardware modification of the standard ROM writer can be made small.

【0105】以上の動作を要約すると、「転送モードの
時には、CPUが出力するアドレスが指定するランダム
・アクセス・メモリのアドレスにデータを格納し、書込
みモードの時には、第二、第三の設定状態に対応したラ
ンダム・アクセス・メモリのアドレスを最初に指定し
て、該指定したランダム・アクセス・メモリのアドレス
に格納されているデータを読み出して読出し専用メモリ
の指定したアドレスに該読み出したデータを書込み、該
指定アドレスが所定値に達するまでアドレスを4番地ず
つ進めながらランダム・アクセス・メモリからの読出し
と読出し専用メモリへの書込みを行ない、該指定アドレ
スが所定値に達した時には始点アドレスを5番地進め、
ランダム・アクセス・メモリの該指定アドレスからデー
タを読み出して読出し専用メモリの指定アドレスに該読
み出したデータを書込み、該指定アドレスが次の所定値
に達するまで指定アドレスを4番地ずつ進めながらラン
ダム・アクセス・メモリからの読出しと読出し専用メモ
リへの書込みを行ない、該指定アドレスが次の所定値に
達した時には指定アドレスを5番地進め、ランダム・ア
クセス・メモリの該指定アドレスからデータを読み出し
て読出し専用メモリの指定アドレスに該読み出したデー
タを書き込むという動作を指定アドレスが最終アドレス
になるまで行ない、該指定アドレスが最終アドレスに達
した時には書込みターゲットとなる読出し専用メモリを
交換して、第二、第三の設定状態を異なる状態に変え、
該設定状態に対応するランダム・アクセス・メモリのア
ドレスを最初に設定して、以降は上記を繰り返す」とい
うことになる。
To summarize the above operation, "in the transfer mode, data is stored in the address of the random access memory designated by the address output by the CPU, and in the write mode, the second and third setting states are set. First, the address of the random access memory corresponding to is specified, the data stored at the specified address of the random access memory is read, and the read data is written to the specified address of the read-only memory. , Read from the random access memory and write to the read-only memory while advancing the address by 4 addresses until the specified address reaches the specified value. When the specified address reaches the specified value, the start point address is 5 addresses. Proceed,
Random access while reading data from the specified address of the random access memory, writing the read data to the specified address of the read-only memory, and advancing the specified address by 4 addresses until the specified address reaches the next predetermined value.・ Reading from the memory and writing to the read-only memory, advance the specified address by 5 when the specified address reaches the next specified value, and read the data from the specified address of the random access memory and read only The operation of writing the read data to the specified address of the memory is performed until the specified address reaches the final address, and when the specified address reaches the final address, the read-only memory that is the write target is replaced, and Change the three setting states to different states,
The address of the random access memory corresponding to the set state is first set, and the above is repeated thereafter. "

【0106】そして、上記においては、バッファRAM
に転送したデータを、二の設定状態の組み合わせによっ
て異なる四のターゲットROMに交互に書き込むという
具体的な例によって説明したが、一般的には次のように
すればバッファRAMに転送したデータを2p のターゲ
ットROMに交互に書き込むことができる。即ち、転送
モードの時には、CPUが出力するアドレスが指定する
ランダム・アクセス・メモリのアドレスにデータを格納
し、書込みモードの時には、pの設定状態の組み合わせ
の一に対応したランダム・アクセス・メモリのアドレス
を最初に指定して、該指定したランダム・アクセス・メ
モリのアドレスに格納されているデータを読み出して読
出し専用メモリの指定したアドレスに該読み出したデー
タを書込み、該指定アドレスが所定値に達するまでアド
レスを2p 番地ずつ進めながらランダム・アクセス・メ
モリからの読出しと読出し専用メモリへの書込みを行な
い、該指定アドレスが所定値に達した時には指定アドレ
スを(2p +1) 番地進め、ランダム・アクセス・メ
モリの該指定アドレスからデータを読み出して読出し専
用メモリの指定アドレスに該読み出したデータを書込
み、該指定アドレスが次の所定値に達するまで指定アド
レスを2p 番地ずつ進めながらランダム・アクセス・メ
モリからの読出しと読出し専用メモリへの書込みを行な
い、該指定アドレスが次の所定値に達した時には指定ア
ドレスを(2p +1)番地進め、ランダム・アクセス・
メモリの該指定アドレスからデータを読み出して読出し
専用メモリの指定アドレスに該読み出したデータを書き
込むという動作を指定アドレスが最終アドレスになるま
で行ない、該指定アドレスが最終アドレスに達した時に
は書込みターゲットとなる読出し専用メモリを交換し
て、pの設定状態の組み合わせを異なる組み合わせに変
え、該設定状態の組み合わせに対応するランダム・アク
セス・メモリのアドレスを最初に設定して、以降は上記
を繰り返すようにすればよい。
In the above, the buffer RAM
The specific example in which the data transferred to the target RAM are alternately written to four different target ROMs depending on the combination of the two setting states has been described. However, in general, the data transferred to the buffer RAM can be written as follows. The target ROM of p can be written alternately. That is, in the transfer mode, the data is stored in the address of the random access memory specified by the address output by the CPU, and in the write mode, the data of the random access memory corresponding to one of the combinations of the setting states of p is stored. By first designating an address, the data stored at the designated address of the random access memory is read and the read data is written at the designated address of the read-only memory, and the designated address reaches a predetermined value. While advancing the address by 2 p each, reading from the random access memory and writing to the read-only memory are performed, and when the specified address reaches a predetermined value, the specified address is set to (2 p +1) Advanced address advances the random access memory the data read by reading the data at the specified address of the read-only memory from the designated address of the write, the designated address is by 2 p address specified address until a next predetermined value However, reading from the random access memory and writing to the read-only memory are performed, and when the specified address reaches the next predetermined value, the specified address is advanced to the address (2 p +1) and the random access
The operation of reading the data from the specified address of the memory and writing the read data to the specified address of the read-only memory is performed until the specified address reaches the final address, and when the specified address reaches the final address, it becomes the write target. Replace the read-only memory, change the combination of the setting states of p to a different combination, set the address of the random access memory corresponding to the combination of the setting states first, and repeat the above. Good.

【0107】図41は、本発明の第二の発明の第四の実
施例である。図41において、201はデータの書込み
を制御するパソコン、301はRS−232Cポート、
302は12ボルト系から5ボルト系へのレベル変換
部、303はSIO受信部、304は発振器、305は
OR回路、306はCPU、307はエッジ検出部、3
08はSW、309はプル・アップ抵抗である。310
aはデコーダ1、310bはデコーダ2、310cはデ
コーダ3で,310a乃至310cは入出力空間のアド
レス・デコーダとして使用されている。311はRレジ
スタ、312はWレジスタ、313はR/Wレジスタで
ある。又、314aはデコーダ4、314bはデコーダ
5で、314a及び314bはメモリ空間のアドレス・
デコーダとして使用されている。317は書込みプログ
ラムを格納しているプログラムROM、318は書込み
データを一旦格納するバッファRAM、320はOR回
路、401a、401dはそれぞれデータを書き込む対
象のターゲットROM1、ターゲットROM3である。
尚、図40において300番台の符号を付した要素によ
ってROMライタが構成される。又、ROMライタの機
能には、パソコンからROMライタへのデータ転送機
能、ターゲットROMへの書込み機能、ベリファイ機
能、チェックサム機能、ターゲットROMからパソコン
へのロード機能があるが、本発明はパソコンからROM
ライタへのデータ転送機能、ターゲットROMへの書込
み機能に関するものであるので、ベリファイ機能以下の
機能を実現する構成は図示を省略している。
FIG. 41 shows the fourth embodiment of the second invention of the present invention. In FIG. 41, 201 is a personal computer for controlling data writing, 301 is an RS-232C port,
302 is a level conversion unit from 12 volt system to 5 volt system, 303 is an SIO receiving unit, 304 is an oscillator, 305 is an OR circuit, 306 is a CPU, 307 is an edge detection unit, 3
Reference numeral 08 is SW and 309 is a pull-up resistor. 310
a is a decoder 1, 310b is a decoder 2, 310c is a decoder 3, and 310a to 310c are used as address decoders of an input / output space. 311 is an R register, 312 is a W register, and 313 is an R / W register. Further, 314a is a decoder 4, 314b is a decoder 5, 314a and 314b are addresses of a memory space.
It is used as a decoder. Reference numeral 317 is a program ROM that stores a write program, 318 is a buffer RAM that temporarily stores write data, 320 is an OR circuit, and 401a and 401d are target ROM1 and target ROM3 to which data is to be written, respectively.
Note that, in FIG. 40, the ROM writer is configured by the elements with reference numerals in the 300s. The functions of the ROM writer include a data transfer function from the personal computer to the ROM writer, a write function to the target ROM, a verify function, a checksum function, and a load function from the target ROM to the personal computer. ROM
Since it relates to the data transfer function to the writer and the write function to the target ROM, the configuration for realizing the function below the verify function is omitted in the figure.

【0108】図41の構成の特徴は、図27の構成がS
Wを3個備えているのに対して、SWを1個備えて転送
モードと書込みモードの選択を行ない、RAMのアドレ
スのA15、A14、A1、A0の組み合わせによって
バッファRAMに格納されているデータの内ターゲット
ROMに書き込むべきデータのアドレスの指定を行なえ
るようにした上、プログラムROMに格納するプログラ
ムを変更して、図24の構成と同じ機能を実現する点に
ある。このために、Wレジスタの出力を4ビットとして
四のROMのCSを指定できるようにし、バッファRA
MのCSを指定するために該Wレジスタの四の出力のO
Rをとる構成にしている。
The feature of the configuration of FIG. 41 is that the configuration of FIG.
Data is stored in the buffer RAM according to the combination of the RAM addresses A15, A14, A1, and A0, while one SW is provided to select the transfer mode and the write mode, while three W are provided. Among them, the address of the data to be written in the target ROM can be specified, and the program stored in the program ROM is changed to realize the same function as the configuration of FIG. For this purpose, the output of the W register is set to 4 bits so that the CSs of the four ROMs can be specified, and the buffer RA
O of the four outputs of the W register to specify the CS of M
It is configured to take R.

【0109】図42乃至図50は、本発明の第二の発明
の第三の実施例におけるROM書き込みのフローチャー
トである。以下、図42乃至図50の符号の純にROM
への書き込み動作について説明する。 B1.SW割込みが発生したか否かを判断する。SW割
込みが発生していないと判断した場合(No)には、元
に戻ってSW割込みを待つ。 B2.ステップ1でSW割込みが発生したと判断した場
合(Yes)には、RAMのアドレスRAMADに00
00hをセットする。 B3.バッファRAMのRAMAD番地に格納してある
データを読む。 B4.RAMのアドレスのA15、A14、A1、A0
の状態を読む。 B5.RAMのアドレスのA15、A14、A1、A0
が“0000”であるか否かを判断する。 B6.RAMのアドレスのA15、A14、A1、A0
が“0000”であると判断した場合(Yes)には、
本発明の第二の発明の第二の実施例において説明したよ
うにROM0への書き込み指定なので、WRレジスタの
I/O空間のD0ビットに“H”を書き込んで、ROM
0をイネーブルにする。 B7.RAMAD番地に格納されているデータをROM
0に書き込む。書き込むべきアドレスは図17に従って
変換されたアドレスで、この場合にはRAMADであ
る。 B8.WRレジスタのI/O空間のD0ビットに“L”
を書き込んでRAMをイネーブルにする。 B9.RAMADに1を加算した値を代入してステップ
B3に戻る。
42 to 50 are flow charts of ROM writing in the third embodiment of the second invention of the present invention. 42 to 50 are pure ROMs
The write operation to the memory will be described. B1. Determine whether a SW interrupt has occurred. When it is determined that the SW interrupt has not occurred (No), the process returns to the original state and waits for the SW interrupt. B2. When it is determined in step 1 that the SW interrupt has occurred (Yes), 00 is set in the address RAMAD of the RAM.
Set 00h. B3. Read the data stored in the RAMAD address of the buffer RAM. B4. RAM addresses A15, A14, A1, A0
Read the state of. B5. RAM addresses A15, A14, A1, A0
Is "0000" or not. B6. RAM addresses A15, A14, A1, A0
When it is determined that is “0000” (Yes),
As described in the second embodiment of the second invention of the present invention, since the writing to the ROM0 is designated, "H" is written to the D0 bit of the I / O space of the WR register, and the ROM is written.
Enable 0. B7. The data stored in the RAMAD address is stored in the ROM
Write to 0. The address to be written is the address converted according to FIG. 17, which is RAMAD in this case. B8. "L" in D0 bit of I / O space of WR register
To enable the RAM. B9. The value obtained by adding 1 to RAMAD is substituted, and the process returns to step B3.

【0110】そして、ステップB3、ステップB4、ス
テップB5と進む。この時にはA15、A14、A1、
A0の状態は“0001”であるので、B5からB1
0、B15、B20を経由してB26にジャンプし、B
26で“0001”であると判断してB27に移行す
る。 B27.RAMのアドレスのA15、A14、A1、A
0が“0001”であると判断した場合(Yes)に
は、本発明の第二の発明の第二の実施例において説明し
たようにROM1への書き込み指定なので、WRレジス
タのI/O空間のD1ビットに“H”を書き込んで、R
OM1をイネーブルにする。 B28.RAMAD番地に格納されているデータをRO
M1に書き込む。この場合のROMのアドレスはRAM
ADである。 B29.WRレジスタのI/O空間のD1ビットに
“L”を書き込んでRAMをイネーブルにする。 B30.RAMADに1を加算した値を代入してステッ
プB3に戻る。
Then, the process proceeds to step B3, step B4 and step B5. At this time, A15, A14, A1,
Since the state of A0 is "0001", B5 to B1
Jump to B26 via 0, B15, B20, B
In step 26, it is determined that the value is "0001", and the process proceeds to B27. B27. RAM addresses A15, A14, A1, A
When it is determined that 0 is “0001” (Yes), since the writing to the ROM 1 is designated as described in the second embodiment of the second aspect of the invention, the I / O space of the WR register is Write "H" to D1 bit
Enable OM1. B28. The data stored in the RAMAD address is RO
Write to M1. In this case, the ROM address is RAM
It is AD. B29. "L" is written in the D1 bit of the I / O space of the WR register to enable the RAM. B30. The value obtained by adding 1 to RAMAD is substituted, and the process returns to step B3.

【0111】そして、ステップB3、ステップB4、ス
テップB5と進む。この時にはA15、A14、A1、
A0の状態は“0010”であるので、B5からB1
0、B15、B20、B26、B31、B36、B41
を経由してB46にジャンプし、B46で“0010”
であると判断してB47に移行する。 B47.RAMのアドレスのA15、A14、A1、A
0が“0010”であると判断した場合(Yes)に
は、本発明の第二の発明の第二の実施例において説明し
たようにROM2への書き込み指定なので、WRレジス
タのI/O空間のD2ビットに“H”を書き込んで、R
OM2をイネーブルにする。 B48.RAMAD番地に格納されているデータをRO
M2のRAMAD番地に書き込む。 B49.WRレジスタのI/O空間のD2ビットに
“L”を書き込んでRAMをイネーブルにする。 B50.RAMADに1を加算した値を代入してステッ
プB3に戻る。
Then, the process proceeds to step B3, step B4 and step B5. At this time, A15, A14, A1,
Since the state of A0 is "0010", B5 to B1
0, B15, B20, B26, B31, B36, B41
Jump to B46 via B, and at B46 "0010"
Then, the process proceeds to B47. B47. RAM addresses A15, A14, A1, A
When it is determined that 0 is “0010” (Yes), since the writing to the ROM 2 is designated as described in the second embodiment of the second invention of the present invention, the I / O space of the WR register is Write "H" to D2 bit and
Enable OM2. B48. The data stored in the RAMAD address is RO
Write to RAMAD address of M2. B49. "L" is written in the D2 bit of the I / O space of the WR register to enable the RAM. B50. The value obtained by adding 1 to RAMAD is substituted, and the process returns to step B3.

【0112】そして、ステップB3、ステップB4、ス
テップB5と進む。この時にはA15、A14、A1、
A0の状態は“0011”であるので、B5からB1
0、B15、B20、B26、B31、B36、B4
1、B46、B51、B56、B61を経由してB66
にジャンプし、B66で“0011”であると判断して
B66に移行する。 B66.RAMのアドレスのA15、A14、A1、A
0が“0011”であると判断した場合(Yes)に
は、本発明の第二の発明の第二の実施例において説明し
たようにROM3への書き込み指定なので、WRレジス
タのI/O空間のD3ビットに“H”を書き込んで、R
OM3をイネーブルにする。 B67.WRレジスタのI/O空間のD3ビットに
“H”を書き込んでROM3をイネーブルにする。 B68.RAMAD番地に格納されているデータをRO
M3のRAMAD番地に書き込む。 B69.WRレジスタのI/O空間のD3ビットに
“L”を書き込んでRAMをイネーブルにする。 B70.RAMADに1を加算した値0004hを代入
してステップB3に戻る。
Then, the process proceeds to step B3, step B4 and step B5. At this time, A15, A14, A1,
Since the state of A0 is "0011", B5 to B1
0, B15, B20, B26, B31, B36, B4
1, B46, B51, B56, B61 to B66
Jump to B66, and at B66, it is judged to be "0011", and the process proceeds to B66. B66. RAM addresses A15, A14, A1, A
When it is determined that 0 is “0011” (Yes), since the writing to the ROM 3 is designated as described in the second embodiment of the second aspect of the invention, the I / O space of the WR register is Write "H" to D3 bit, and
Enable OM3. B67. "H" is written in the D3 bit of the I / O space of the WR register to enable the ROM3. B68. The data stored in the RAMAD address is RO
Write to RAMAD address of M3. B69. "L" is written in the D3 bit of the I / O space of the WR register to enable the RAM. B70. The value 0004h obtained by adding 1 to RAMAD is substituted, and the process returns to step B3.

【0113】そして、ステップB3、ステップB4、ス
テップB5と進む。この時にはA15、A14、A1、
A0の状態は“0000”であるので、B5の判断の
後、ステップB6を経由してB7に移行する。 B7.RAMのアドレス0004hに格納されているデ
ータをROM1のRAMAD番地に書き込む。
Then, the process proceeds to step B3, step B4 and step B5. At this time, A15, A14, A1,
Since the state of A0 is "0000", after the determination of B5, the process proceeds to B7 via step B6. B7. The data stored in the RAM at address 0004h is written to the RAMAD address of the ROM1.

【0114】そして、ステップB8、ステップB9と進
み、ステップB9ではRAMADに1を加算した値00
05hを代入してステップB3に戻る。この時にはA1
5、A14、A1、A0の状態は“0001”であるの
で、結局ステップB26までジャンプし、RAMの00
05h番地のデータをROM1に書き込む。
Then, the process proceeds to step B8 and step B9, and in step B9, the value 00 obtained by adding 1 to RAMAD is set.
Substitute 05h and return to step B3. At this time A1
Since the states of 5, A14, A1 and A0 are "0001", the process jumps to step B26 and 00 of RAM
The data at address 05h is written in ROM1.

【0115】同様にして、RAMの0006h番地のデ
ータをROM2に、0007h番地のデータをROM3
に書き込むという動作が行なわれる。即ち、図42乃至
図50のフローチャートに従えば、図17の表のアドレ
ス・カウンタのカウント値の順にRAMからターゲット
ROM0乃至ターゲットROM3にデータが書き込まれ
る。
Similarly, the data at the address 0006h in the RAM is stored in the ROM 2, and the data at the address 0007h in the ROM 3 is stored.
The operation of writing to is performed. That is, according to the flowcharts of FIGS. 42 to 50, data is written from the RAM to the target ROM0 to the target ROM3 in the order of the count values of the address counters in the table of FIG.

【0116】これでROM0からROM3に全てデータ
が書き込まれる。即ち、図41の構成で、図42乃至図
50において説明したプログラムをプログラムROMに
書き込んでおくことにより、ROM0からROM3の各
々に分割してデータを書き込むことができる。これによ
り、設計者の負担を軽減し、人為的な過誤をさけること
ができ、更に、ROMへの書き込みの途中でSWの操作
やROMの取替えを行なう必要がなくなる上に、標準的
なROMライタのハード的な改造を小規模にすることが
できる。
All data is now written from ROM0 to ROM3. That is, with the configuration of FIG. 41, by writing the program described in FIGS. 42 to 50 in the program ROM, data can be written separately in each of ROM0 to ROM3. As a result, the burden on the designer can be reduced, human error can be avoided, and it is not necessary to operate the SW or replace the ROM during the writing to the ROM, and the standard ROM writer can be used. You can make small-scale hardware modifications.

【0117】以上を要約すると、「転送モードの時に
は、CPUが出力するアドレスが指定するランダム・ア
クセス・メモリのアドレスに転送されるデータを格納
し、書込みモードの時には、CPUが指定するランダム
・アクセス・メモリのアドレスを最初の番地に設定し、
該ランダム・アクセス・メモリの該アドレスに格納され
ているデータを読み出し、該指定アドレスのMSB2ビ
ットとLSB2ビットの“L”、“H”の組み合わせを
検定し、該検定された組み合わせに対応する読出し専用
メモリに該読み出したデータを書込み、指定するランダ
ム・アクセス・メモリのアドレスを1番地進め、ランダ
ム・アクセス・メモリの該アドレスに格納されているデ
ータを読出し、該指定アドレスのMSB2ビットとLS
B2ビットの“L”、“H”の組み合わせを検定し、該
検定された組み合わせに対応する読出し専用メモリに該
読み出したデータを書込み、ランダム・アクセス・メモ
リの最終アドレスに達するまで指定するランダム・アク
セス・メモリのアドレスを1番地進め、ランダム・アク
セス・メモリの該アドレスに格納されているデータを読
み出し、該指定アドレスのMSB2ビットとLSB2ビ
ットの“L”、“H”の組み合わせを検定し、該検定さ
れた組み合わせに対応する読出し専用メモリに該読み出
したデータを書き込む」ということになる。
To summarize the above, "in the transfer mode, the data to be transferred is stored at the address of the random access memory specified by the address output by the CPU, and in the write mode, the random access specified by the CPU is stored.・ Set the memory address to the first address,
The data stored at the address of the random access memory is read, the combination of MSB2 bit and LSB2 bit of "L" and "H" of the designated address is tested, and the read corresponding to the tested combination. The read data is written to the dedicated memory, the address of the designated random access memory is advanced to the first address, the data stored at that address of the random access memory is read, and the MSB2 bit and LS of the designated address are read.
B2 bit "L", "H" combination is tested, the read data is written to the read-only memory corresponding to the tested combination, and specified until the final address of the random access memory is reached. The address of the access memory is advanced to the first address, the data stored in the address of the random access memory is read, and the combination of MSB2 bit and LSB2 bit of "L" and "H" of the specified address is tested. The read data is written in the read-only memory corresponding to the verified combination. "

【0118】従って、一般的にバッファRAMに転送し
たデータを重複なしに2p のターゲットROMに連続的
に書き込むには、転送モードの時には、CPUが出力す
るアドレスが指定するランダム・アクセス・メモリのア
ドレスに転送されるデータを格納し、書込みモードの時
には、CPUが指定するランダム・アクセス・メモリの
アドレスを最初の番地に設定し、該ランダム・アクセス
・メモリの該アドレスに格納されているデータを読み出
し、該指定アドレスのMSBpビットとLSBpビット
の“L”、“H”の組み合わせを検定し、該検定された
組み合わせに対応する読出し専用メモリに該読み出した
データを書込み、指定するランダム・アクセス・メモリ
のアドレスを1番地進め、ランダム・アクセス・メモリ
の該アドレスに格納されているデータを読出し、該指定
アドレスのMSBpビットとLSBpビットの“L”、
“H”の組み合わせを検定し、該検定された組み合わせ
に対応する読出し専用メモリに該読み出したデータを書
込み、ランダム・アクセス・メモリの最終アドレスに達
するまで指定するランダム・アクセス・メモリのアドレ
スを1番地進め、ランダム・アクセス・メモリの該アド
レスに格納されているデータを読み出し、該指定アドレ
スのMSBpビットとLSBpビットの“L”、“H”
の組み合わせを検定し、該検定された組み合わせに対応
する読出し専用メモリに該読み出したデータを書き込む
用にすればよい。
Therefore, generally, in order to continuously write the data transferred to the buffer RAM to the 2 p target ROM without duplication, in the transfer mode, the random access memory specified by the address output by the CPU is used. The data transferred to the address is stored, and in the write mode, the address of the random access memory designated by the CPU is set to the first address, and the data stored at the address of the random access memory is set. Random access for reading and testing the combination of MSBp bit and LSBp bit “L” and “H” of the designated address, writing the read data to the read-only memory corresponding to the tested combination, and designating The memory address is advanced to the first address and the address of the random access memory is updated. It reads the data that is, of MSBp bit and LSBp bit of the designated address "L",
The combination of "H" is verified, the read data is written in the read-only memory corresponding to the verified combination, and the address of the random access memory which is specified until the final address of the random access memory is reached is set to 1 The address is advanced, the data stored in the address of the random access memory is read, and the MSBp bit and the LSBp bit of the designated address are “L” and “H”.
The above combination may be tested and the read data may be written in the read-only memory corresponding to the tested combination.

【0119】[0119]

【発明の効果】以上詳述した如く、本発明により、伝送
速度に比較して低速のROMを用いても、ROMの読み
出し速度と伝送速度との整合をとることが可能になり、
又、上記整合をとるためにROMへの書き込み順序に制
約が生ずる問題を、ROMライタのハード的な改造又は
ソフト的な変更によって解決することができるようにな
る。
As described in detail above, according to the present invention, it is possible to match the read speed of the ROM with the transmission speed even if a ROM having a lower speed than the transmission speed is used.
Further, it becomes possible to solve the problem that the order of writing to the ROM is restricted in order to achieve the above matching by modifying the ROM writer in terms of hardware or software.

【0120】前者は、例えば、伝送システムの試験シス
テムの経済化に貢献し、後者は該試験システムの経済化
と共に、試験データ作成上の設計者の負担軽減、人為的
過誤の回避に貢献する。
The former contributes to the economicization of the test system of the transmission system, for example, and the latter contributes to the economicization of the test system and at the same time, to reduce the load on the designer in preparing the test data and avoid human error.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 第一の発明の第一の実施例。FIG. 1 shows a first embodiment of the first invention.

【図2】 第一の発明の第一の実施例のタイムチャー
ト。
FIG. 2 is a time chart of the first embodiment of the first invention.

【図3】 第一の発明の第一の実施例における出力イネ
ーブル生成部の例。
FIG. 3 is an example of an output enable generation unit in the first embodiment of the first invention.

【図4】 第一の発明の第二の実施例。FIG. 4 is a second embodiment of the first invention.

【図5】 第一の発明の第二の実施例における出力イネ
ーブル生成部の例。
FIG. 5 is an example of an output enable generation unit in the second embodiment of the first invention.

【図6】 第一の発明の第二の実施例におけるSW1、
SW2の設定と使用するROMの個数との対応
FIG. 6 shows SW1 in the second embodiment of the first invention,
Correspondence between SW2 settings and the number of ROMs used

【図7】 第一の発明の第二の実施例におけるアドレス
切替部の例(その1)。
FIG. 7 is an example (1) of an address switching unit in the second embodiment of the first invention.

【図8】 第一の発明の第二の実施例におけるアドレス
切替部の例(その2)。
FIG. 8 is an example (No. 2) of the address switching unit in the second embodiment of the first invention.

【図9】 第一の発明の第二の実施例におけるアドレス
切替部の例(その3)。
FIG. 9 is an example (3) of the address switching unit in the second embodiment of the first invention.

【図10】 第一の発明の第二の実施例におけるアドレ
ス切替部の例(その4)。
FIG. 10 is an example (No. 4) of the address switching unit in the second embodiment of the first invention.

【図11】 第一の発明の第二の実施例におけるアドレ
ス切替部の例(その5)。
FIG. 11 is an example (5) of the address switching unit in the second embodiment of the first invention.

【図12】 第一の発明の第二の実施例におけるアドレ
ス切替部の例(その6)。
FIG. 12 is an example (6) of the address switching unit in the second embodiment of the first invention.

【図13】 第一の発明の第二の実施例におけるアドレ
ス切替部の例(その7)。
FIG. 13 is an example (No. 7) of the address switching unit in the second embodiment of the first invention.

【図14】 第一の発明の第二の実施例におけるアドレ
ス切替部の例(その8)。
FIG. 14 is an example (No. 8) of the address switching unit in the second embodiment of the first invention.

【図15】 第一の発明の第二の実施例におけるアドレ
ス切替部の動作を説明する表。
FIG. 15 is a table for explaining the operation of the address switching unit in the second embodiment of the first invention.

【図16】 第一の発明の第三の実施例。FIG. 16 shows a third embodiment of the first invention.

【図17】 第一の発明の第三の実施例におけるROM
アクセス・アドレスの決定方法を説明する図。
FIG. 17 is a ROM in the third embodiment of the first invention.
The figure explaining the determination method of an access address.

【図18】 第一の発明の第三の実施例におけるデータ
並び替え回路の例。
FIG. 18 is an example of a data rearrangement circuit in the third embodiment of the first invention.

【図19】 第二の発明の第一の実施例。FIG. 19 shows a first embodiment of the second invention.

【図20】 第二の発明の第一の実施例におけるSWの
設定内容例。
FIG. 20 shows an example of SW setting contents in the first embodiment of the second invention.

【図21】 第二の発明の第一の実施例におけるデコー
ダ5の例。
FIG. 21 shows an example of the decoder 5 in the first embodiment of the second invention.

【図22】 第二の発明の第一の実施例におけるRAM
アドレス切替部の例。
FIG. 22 is a RAM according to the first embodiment of the second invention.
Example of address switching unit.

【図23】 第二の発明の第一の実施例におけるRAM
CS分離部の例。
FIG. 23 is a RAM according to the first embodiment of the second invention.
Example of CS separation unit.

【図24】 第二の発明の第二の実施例。FIG. 24 is a second embodiment of the second invention.

【図25】 第二の発明の第二の実施例におけるRAM
CS分離部の例。
FIG. 25 is a RAM according to a second embodiment of the second invention.
Example of CS separation unit.

【図26】 第二の発明の第二の実施例におけるROM
CS分離部の例。
FIG. 26 is a ROM in the second embodiment of the second invention.
Example of CS separation unit.

【図27】 第二の発明の第二の実施例において、バッ
ファRAMからターゲットROMにデータを書き込む時
のタイムチャート。
FIG. 27 is a time chart when writing data from the buffer RAM to the target ROM in the second embodiment of the second invention.

【図28】 第二の発明の第三の実施例。FIG. 28 shows a third embodiment of the second invention.

【図29】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その1)。
FIG. 29 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Writing flowchart (1).

【図30】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その2)。
FIG. 30. ROM in the third embodiment of the second invention
Writing flowchart (2).

【図31】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その3)。
FIG. 31 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Writing flowchart (3).

【図32】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その4)。
FIG. 32 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Writing flowchart (4).

【図33】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その5)。
FIG. 33 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Writing flowchart (5).

【図34】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その6)。
FIG. 34 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Writing flowchart (6).

【図35】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その7)。
FIG. 35 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Writing flowchart (7).

【図36】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その8)。
FIG. 36 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Writing flowchart (part 8).

【図37】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その9)。
FIG. 37 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Writing flowchart (9).

【図38】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その10)。
FIG. 38 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Writing flowchart (10).

【図39】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その11)。
FIG. 39 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Write flowchart (11).

【図40】 第二の発明の第三の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その12)。
FIG. 40 is a ROM in the third embodiment of the second invention.
Writing flowchart (12).

【図41】 第二の発明の第四の実施例。FIG. 41 shows a fourth embodiment of the second invention.

【図42】 第二の発明の第四の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その1)。
FIG. 42 is a ROM in the fourth embodiment of the second invention.
Writing flowchart (1).

【図43】 第二の発明の第四の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その2)。
FIG. 43 is a ROM in the fourth embodiment of the second invention.
Writing flowchart (2).

【図44】 第二の発明の第四の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その3)。
FIG. 44 is a ROM in the fourth embodiment of the second invention.
Writing flowchart (3).

【図45】 第二の発明の第四の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その4)。
FIG. 45 is a ROM of the fourth embodiment of the second invention.
Writing flowchart (4).

【図46】 第二の発明の第四の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その5)。
FIG. 46 is a ROM of the fourth embodiment of the second invention.
Writing flowchart (5).

【図47】 第二の発明の第四の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その6)。
FIG. 47 is a ROM of the fourth embodiment of the second invention.
Writing flowchart (6).

【図48】 第二の発明の第四の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その7)。
FIG. 48 is a ROM in the fourth embodiment of the second invention.
Writing flowchart (7).

【図49】 第二の発明の第四の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その8)。
FIG. 49 is a ROM in the fourth embodiment of the second invention.
Writing flowchart (part 8).

【図50】 第二の発明の第四の実施例におけるROM
書込みフローチャート(その9)。
FIG. 50 is a ROM in the fourth embodiment of the second invention.
Writing flowchart (9).

【図51】 従来のROMからのデータ読出し回路の
例。
FIG. 51 shows an example of a conventional data read circuit from a ROM.

【図52】 従来のROMからのデータ読出し回路のタ
イムチャート。
FIG. 52 is a time chart of a conventional data read circuit from a ROM.

【図53】 従来のROMライタの構成。FIG. 53 is a configuration of a conventional ROM writer.

【図54】 従来のROMライタにおけるデータ転送時
のフローチャート。
FIG. 54 is a flowchart for data transfer in a conventional ROM writer.

【図55】 従来のROMライタにおけるデータ書込み
のフローチャート。
FIG. 55 is a flowchart of data writing in a conventional ROM writer.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 アドレス・カウンタ 102a 出力イネーブル生成部 103a 第一のROM(ROM0) 103b 第二のROM(ROM1) 103c 第三のROM(ROM2) 103d 第四のROM(ROM3) 104a 第一のD型フリップ・フロップ(D−FF
0) 104b 第二のD型フリップ・フロップ(D−FF
1) 104c 第三のD型フリップ・フロップ(D−FF
2) 104d 第四のD型フリップ・フロップ(D−FF
3) 104e 第八のD型フリップ・フロップ(D−FF
7) 105a 第一のシフトレジスタ(シフトレジスタ0) 105b 第二のシフトレジスタ(シフトレジスタ1) 105c 第三のシフトレジスタ(シフトレジスタ2) 105d 第四のシフトレジスタ(シフトレジスタ3) 105e 第八のシフトレジスタ(シフトレジスタ7)
101 Address Counter 102a Output Enable Generation Unit 103a First ROM (ROM0) 103b Second ROM (ROM1) 103c Third ROM (ROM2) 103d Fourth ROM (ROM3) 104a First D flip-flop (D-FF
0) 104b Second D-type flip-flop (D-FF)
1) 104c Third D-type flip-flop (D-FF)
2) 104d Fourth D-type flip-flop (D-FF)
3) 104e Eighth D-type flip-flop (D-FF)
7) 105a first shift register (shift register 0) 105b second shift register (shift register 1) 105c third shift register (shift register 2) 105d fourth shift register (shift register 3) 105e eighth Shift register (shift register 7)

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 アドレス・カウンタのLSB側pビット
(pは正の整数)の論理積信号をクロックでフリップ・
フロップに読み込んだ信号を、2p 個の読出し専用メモ
リに出力制御信号として供給する出力イネーブル生成部
と、 アドレスのLSB側pビットは“L”、“H”の組合せ
が重複しないように固定的に設定され、アドレスの内上
記LSB側pビット以外のビットには該アドレス・カウ
ンタの対応するビットを供給される2p 個の読出し専用
メモリとを備えることを特徴とする読出し専用メモリか
らのデータ読出し回路。
1. An LSB-side p-bit (p is a positive integer) logical product signal of an address counter is flipped by a clock.
The output enable generator that supplies the signal read into the flop to the 2 p read-only memories as an output control signal and the LSB side p bit of the address are fixed so that the combination of “L” and “H” does not overlap. Data from the read-only memory, which is set to 2 p read-only memories to which bits corresponding to the address counter are supplied to bits other than the LSB side p bits of the address. Readout circuit.
【請求項2】 pの設定信号の“L”、“H”の組み合
わせの各々に対応して特定の出力レベルとなる2p の信
号によって、アドレス・カウンタのクロックと等しい周
波数からクロックの1/2p+1 の周波数まで2p+1 の周
波数の内一の周波数の信号を選択して、2p+1 のROM
に出力イネーブル信号を供給する出力イネーブル生成部
と、 該pの設定信号の“L”、“H”の組み合わせの各々に
対応して特定のレベルとなる2p の信号によって、該ア
ドレス・カウンタのLSB側(p+1)ビットの各々の
ビットと“L”と“H”とから選択した信号を該2p+1
のROMのアドレスのLSB側(p+1)ビットとして
供給する2p+1 のアドレス切替部と、 アドレスのLSB側pビットは該アドレス切替部の出力
によって設定され、アドレスの内上記LSB側pビット
以外のビットには該アドレス・カウンタの対応するビッ
トを供給される2p+1 の読出し専用メモリとを備えるこ
とを特徴とする読出し専用メモリからのデータ読出し回
路。
2. A 2 p signal having a specific output level corresponding to each combination of “L” and “H” of the setting signal of p is changed from a frequency equal to the clock of the address counter to 1 / clock of the clock. until 2 p + 1 of the frequency by selecting one of the frequency of the signal of the 2 p + 1 frequency, 2 p + 1 of the ROM
An output enable generation section for supplying an output enable signal to the address counter, and a 2 p signal which becomes a specific level corresponding to each combination of “L” and “H” of the setting signal of p . The signal selected from each bit of the LSB side (p + 1) bits and "L" and "H" is added to the 2p + 1
2 p + 1 address switching unit to be supplied as the LSB side (p + 1) bits of the ROM address, and the LSB side p bits of the address are set by the output of the address switching unit, and other than the above LSB side p bits of the address. A read-only memory of 2 p + 1 to which the corresponding bit of the address counter is supplied.
【請求項3】 アドレス・カウンタのLSB側pビット
の論理積信号をクロックでフリップ・フロップに読み込
んだ信号を、2p 個の読出し専用メモリに出力制御信号
として供給する出力イネーブル生成部と、 該アドレス・カウンタのMSB側pビットに0から(p
−1)を加算した値をpの読み出し専用メモリのアドレ
スのLSB側pビットとして重複しないように供給する
pの加算回路と、 アドレスのLSB側pビットは該四の加算回路から供給
され、アドレスの内上記LSB側pビット以外のビット
には該アドレス・カウンタのLSB側pビットとMSB
側pビットとを除くビットを供給されるpの読出し専用
メモリとを備えることを特徴とする読出し専用メモリか
らのデータ読出し回路。
3. An output enable generation unit for supplying a signal obtained by reading a logical product signal of p bits on the LSB side of an address counter to a flip-flop with a clock as an output control signal to 2 p read-only memories, 0 to (p
-1) is added as the LSB side p bits of the p read-only memory address so as not to overlap, and the LSB side p bits of the address are supplied from the four addition circuits. In the bits other than the above-mentioned LSB-side p-bit, the LSB-side p-bit of the address counter and the MSB
A read-only memory of p supplied with bits excluding the side p bits.
【請求項4】 請求項3記載の読み出し専用メモリから
のデータ読み出し回路において、 前記アドレス・カウンタのMSB側pビットの“L”、
“H”の組み合わせに対応して特定の出力レベルとなる
p の信号によって、前記pの読出し専用メモリから読
み出されたデータのを輪環の順に並べ替えるデータ並び
替え回路を、データを形成するビット数毎にを備えるこ
とを特徴とする読み出し専用メモリからのデータ読み出
し回路。
4. The data read circuit from the read-only memory according to claim 3, wherein the MSB side p bit of the address counter is “L”,
A data rearrangement circuit that rearranges the data read from the p read-only memory in the ring order by the 2 p signal having a specific output level corresponding to the combination of “H” forms the data. A data read circuit from a read-only memory, which is provided for each number of bits.
【請求項5】 第一の設定によって、パソコンからラン
ダム・アクセス・メモリへのデータの転送モードと、該
ランダム・アクセス・メモリからターゲットとなる読み
出し専用メモリへのデータの書き込みモードとを指定
し、 該転送モードの時には、転送されるデータを中央処理ユ
ニットが指定するランダム・アクセス・メモリのアドレ
スに格納し、該書き込みモードの時には中央処理ユニッ
トが指定するランダム・アクセス・メモリのアドレスに
格納されているデータを読み出し専用メモリの対応する
アドレスに書き込む読み出し専用メモリへのデータ書き
込み回路において、 転送モードの時には、該中央処理ユニットが出力するア
ドレスのMSB側pビットを2p のランダム・アクセス
・メモリのアドレスのLSB側pビットとして供給し、
書込みモードの時には、該中央処理ユニットが出力する
LSB側pビットを2p のランダム・アクセス・メモリ
のLSB側pビットとして供給するRAMアドレス切替
部と、 転送モードの時には、該中央処理ユニットが出力するア
ドレスのMSB側pビットとLSB側pビットの
“L”、“H”の組み合わせの各々に対応して特定のレ
ベルとなる22pの信号によって2p のランダム・アクセ
ス・メモリへのアクセスを交互に可能にし、書込みモー
ドの時には、pの設定状態の組み合わせに対応して特定
のレベルとなる2p の信号の内一の信号によって2p
ランダム・アクセス・メモリの内一のランダム・アクセ
ス・メモリへのアクセスを可能にするRAMCS分離部
と、 アドレス・カウンタのカウント値の内、該RAMCS分
離部がランダム・アクセス・メモリにチップ・セレクト
信号を出力することができるカウント値の範囲を決定す
るデコーダとを備えることを特徴とする読出し専用メモ
リへのデータ書込み回路。
5. The first setting specifies a data transfer mode from a personal computer to a random access memory and a data write mode from the random access memory to a target read-only memory, In the transfer mode, the transferred data is stored in the address of the random access memory designated by the central processing unit, and in the write mode, it is stored in the address of the random access memory designated by the central processing unit. In the data write circuit for writing the read data to the corresponding address of the read only memory, in the transfer mode, the MSB side p bit of the address output by the central processing unit is stored in the 2 p random access memory. Supplied as p-bit on LSB side of address ,
A RAM address switching unit that supplies the LSB side p bits output by the central processing unit as the LSB side p bits of the 2 p random access memory in the write mode, and the central processing unit outputs in the transfer mode. Access to the random access memory of 2 p by a 2 2p signal that becomes a specific level corresponding to each combination of the MSB side p bit and the LSB side p bit of “L” and “H”. Random access of one of the 2 p random access memories by the signal of one of the 2 p signals, which enables alternately and becomes a specific level corresponding to the combination of the setting states of the p in the write mode. -A RAMCS separation unit that enables access to the memory and the RAMCS separation unit that is random among the count values of the address counter A data write circuit for a read-only memory, comprising a decoder for determining a range of count values capable of outputting a chip select signal to the access memory.
【請求項6】 第一の設定によって、パソコンからラン
ダム・アクセス・メモリへのデータの転送モードと、該
ランダム・アクセス・メモリからターゲットとなる読み
出し専用メモリへのデータの書き込みモードとを指定
し、 該転送モードの時には中央処理ユニットが出力するアド
レスが指定するランダム・アクセス・メモリのアドレス
に転送されるデータを格納し、該書き込みモードの時に
は中央処理ユニットが出力するアドレスが指定するラン
ダム・アクセス・メモリのアドレスに格納されているデ
ータを読み出し専用メモリの対応するアドレスに書き込
む読み出し専用メモリへのデータ書き込み回路におい
て、 転送モードの時には、該中央処理ユニットが出力するア
ドレスのMSB側pビットを2p のランダム・アクセス
・メモリのアドレスのLSB側pビットとして供給し、
書込みモードの時には、該中央処理ユニットが出力する
LSB側pビットを2p のランダム・アクセス・メモリ
のLSB側pビットとして供給するRAMアドレス切替
部と、 転送モードの時には、アドレス・カウンタのカウント値
のMSB側pビットとLSB側pビットの“L”、
“H”の組み合わせに対応して特定のレベルになる22p
の信号によって2p のランダム・アクセス・メモリへの
アクセスを交互に可能にし、書込みモードの時には、2
p の内一のランダム・アクセス・メモリへのアクセスを
交互に可能にすると共に、後述するROMCS分離部に
対してチップ・セレクト信号を生成するための信号を供
給するRAMCS分離部と、 アドレス・カウンタのカウント値の内、該RAMCS分
離部がランダム・アクセス・メモリにチップ・セレクト
信号を出力することができるカウント値の範囲を決定す
るデコーダと、 書込みモードの時に、該RAMCS分離部が出力するチ
ップ・セレクト信号生成のための信号を受けて、書込み
レジスタの状態とによって該チップ・セレクト信号生成
のための信号を読出し専用メモリのチップ・セレクト信
号として出力するROMCS分離部とを備えることを特
徴とする読出し専用メモリからのデータ読出し回路。
6. The first setting specifies a data transfer mode from a personal computer to a random access memory and a data write mode from the random access memory to a target read-only memory, In the transfer mode, the data to be transferred is stored in the address of the random access memory designated by the address output by the central processing unit, and in the write mode, the random access memory designated by the address output by the central processing unit is stored. In a data write circuit to a read-only memory that writes the data stored in the memory address to the corresponding address of the read-only memory, in the transfer mode, the MSB side p bit of the address output by the central processing unit is set to 2 p Random access memory Is supplied as the LSB side p bit less,
A RAM address switching unit that supplies the LSB side p bits output from the central processing unit as the LSB side p bits of the 2 p random access memory in the write mode, and the count value of the address counter in the transfer mode. MSB side p-bit and LSB side p-bit "L",
It becomes a specific level corresponding to the combination of "H" 2 2p
Signal enables alternate access to the 2 p random access memory, and 2 in the write mode.
A RAMCS separation unit for supplying a signal for generating a chip select signal to a ROMCS separation unit, which will be described later, while alternately enabling access to one random access memory of p , and an address counter. A decoder that determines the count value range in which the RAMCS separation unit can output the chip select signal to the random access memory among the count values of the above, and a chip that the RAMCS separation unit outputs during the write mode. A ROMCS separation unit that receives a signal for generating a select signal and outputs the signal for generating the chip select signal as a chip select signal of a read-only memory depending on the state of the write register. Data read circuit from read-only memory.
【請求項7】 第一の設定によって、パソコンからラン
ダム・アクセス・メモリへのデータの転送モードと、該
ランダム・アクセス・メモリからターゲットとなる読み
出し専用メモリへのデータの書き込みモードとを指定
し、 該転送モードの時には中央処理ユニットが出力するアド
レスが指定するランダム・アクセス・メモリのアドレス
に転送されるデータを格納し、該書き込みモードの時に
は中央処理ユニットが出力するアドレスが指定するラン
ダム・アクセス・メモリのアドレスに格納されているデ
ータを読み出し専用メモリの対応するアドレスに書き込
む読み出し専用メモリへのデータ書き込み方法におい
て、 転送モードの時には、 中央処理ユニットが出力するアドレスが指定するランダ
ム・アクセス・メモリのアドレスに転送されるデータを
格納し、 書き込みモードの時には、 pの設定状態の組み合わせの一の組み合わせに対応した
ランダム・アクセス・メモリのアドレスを最初に指定し
て、該指定したランダム・アクセス・メモリのアドレス
に格納されているデータを読み出して読み出し専用メモ
リの指定したアドレスに該読み出したデータを書き込
み、 該指定アドレスが所定値に達するまで指定アドレスを2
p 番地ずつ進めながらランダム・アクセス・メモリから
の読み出しと読み出し専用メモリへの書き込みを行な
い、 該指定アドレスが所定値に達した時には指定アドレスを
(2p +1)番地進め、ランダム・アクセス・メモリの
該指定アドレスからデータを読み出して読出し専用メモ
リの指定アドレスに該読み出したデータを書き込み、 該指定アドレスが次の所定値に達するまで指定アドレス
を2p 番地ずつ進めながらランダム・アクセス・メモリ
からの読み出しと読み出し専用メモリへの書き込みを行
ない、 該指定アドレスが次の所定値に達した時には指定アドレ
スを(2p +1)番地進め、ランダム・アクセス・メモ
リの該指定アドレスからデータを読み出して読出し専用
メモリの指定アドレスに該読み出したデータを書き込む
という動作を指定アドレスが最終の所定値に達するまで
行ない、 該指定アドレスが最終の所定値に達した時には書き込み
ターゲットとなる読み出し専用メモリを交換し、pの設
定状態の組み合わせを異なる組み合わせに変え、該組み
合わせに対応するランダム・アクセス・メモリのアドレ
スを最初に設定して、以降は上記を繰り返すことを特徴
とする読み出し専用メモリへのデータ書き込み方法。
7. The first setting specifies a data transfer mode from a personal computer to a random access memory and a data write mode from the random access memory to a target read-only memory, In the transfer mode, the data to be transferred is stored in the address of the random access memory designated by the address output by the central processing unit, and in the write mode, the random access memory designated by the address output by the central processing unit is stored. In the method of writing data to the read-only memory, which writes the data stored in the memory address to the corresponding address of the read-only memory, in the transfer mode, the random access memory of the random access memory specified by the address output by the central processing unit is specified. Forwarded to the address Data is stored, and in the write mode, the address of the random access memory corresponding to one combination of the setting states of p is designated first, and stored in the specified address of the random access memory. Stored data is read and the read data is written to a specified address of the read-only memory, and the specified address is set to 2
Reading from the random access memory and writing to the read-only memory are performed while advancing by p addresses, and when the specified address reaches a predetermined value, the specified address is advanced by (2 p +1) address and the random access memory Read data from the specified address, write the read data to the specified address of the read-only memory, and read from the random access memory while advancing the specified address by 2 p until the specified address reaches the next specified value. When the designated address reaches the next predetermined value, the designated address is advanced to the address (2 p +1) and the data is read from the designated address of the random access memory to read-only memory. Operation to write the read data to the specified address The process is performed until the designated address reaches the final predetermined value, and when the designated address reaches the final predetermined value, the read-only memory as the write target is exchanged, and the combination of the setting states of p is changed to a different combination. A method for writing data to a read-only memory, which comprises first setting an address of a corresponding random access memory and then repeating the above.
【請求項8】 第一の設定によって、パソコンからラン
ダム・アクセス・メモリへのデータの転送モードと、該
ランダム・アクセス・メモリからターゲットとなる読み
出し専用メモリへのデータの書き込みモードとを指定
し、 該転送モードの時には中央処理ユニットが出力するアド
レスが指定するランダム・アクセス・メモリのアドレス
に転送されるデータを格納し、該書き込みモードの時に
は中央処理ユニットが出力するアドレスが指定するラン
ダム・アクセス・メモリのアドレスに格納されているデ
ータを読み出し専用メモリの対応するアドレスに書き込
む読み出し専用メモリへのデータ書き込み方法におい
て、 転送モードの時には、 中央処理ユニットが出力するアドレスが指定するランダ
ム・アクセス・メモリのアドレスに転送されるデータを
格納し、 書き込みモードの時には、 指定するランダム・アクセス・メモリのアドレスを最初
の番地に設定して、ランダム・アクセス・メモリの該ア
ドレスに格納されているデータを読み出し、該指定アド
レスのMSB側pビットとLSB側pビットの“L”、
“H”の組み合わせを検定し、該検定された組み合わせ
に対応する読み出し専用メモリに該読み出したデータを
書き込み、 指定するランダム・アクセス・メモリのアドレスを1番
地進め、ランダム・アクセス・メモリの該アドレスに格
納されているデータを読み出し、該指定アドレスのMS
B側pビットとLSB側pビットの“L”、“H”の組
み合わせを検定し、該検定された組み合わせに対応する
読み出し専用メモリに該読み出したデータを書き込み、 ランダム・アクセス・メモリの最終アドレスに達するま
で指定するランダム・アクセス・メモリのアドレスを1
番地進め、ランダム・アクセス・メモリの該アドレスに
格納されているデータを読み出し、該指定アドレスのM
SB側pビットとLSB側pビットの“L”、“H”の
組み合わせを検定し、該検定された組み合わせに対応す
る読み出し専用メモリに該読み出したデータを書き込む
ことを特徴とする読み出し専用メモリへのデータ書き込
み方法。
8. The first setting specifies a data transfer mode from a personal computer to a random access memory and a data write mode from the random access memory to a target read-only memory, In the transfer mode, the data to be transferred is stored in the address of the random access memory designated by the address output by the central processing unit, and in the write mode, the random access memory designated by the address output by the central processing unit is stored. In the method of writing data to the read-only memory, which writes the data stored in the memory address to the corresponding address of the read-only memory, in the transfer mode, the random access memory of the random access memory specified by the address output by the central processing unit is specified. Forwarded to the address When data is stored and in write mode, the address of the specified random access memory is set to the first address, the data stored at that address of the random access memory is read, and the MSB of the specified address is read. “L” of p-side bit and LSB-side p-bit,
The combination of “H” is verified, the read data is written to the read-only memory corresponding to the verified combination, the address of the designated random access memory is advanced by 1, and the address of the random access memory is advanced. Read the data stored in the
The combination of "L" and "H" of the B-side p-bit and the LSB-side p-bit is tested, the read data is written to the read-only memory corresponding to the tested combination, and the final address of the random access memory Address of random access memory to specify until
The address is advanced, the data stored at the address of the random access memory is read, and M of the designated address is read.
To a read-only memory characterized by testing a combination of "L" and "H" of the p-bit on the SB side and the p-bit on the LSB, and writing the read data to a read-only memory corresponding to the tested combination Data writing method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100737913B1 (en) * 2005-10-04 2007-07-10 삼성전자주식회사 Read method of semiconductor memory device

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100737913B1 (en) * 2005-10-04 2007-07-10 삼성전자주식회사 Read method of semiconductor memory device
US7571276B2 (en) 2005-10-04 2009-08-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Read operation for semiconductor memory devices

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