JPH0824900B2 - 液供給管 - Google Patents
液供給管Info
- Publication number
- JPH0824900B2 JPH0824900B2 JP61190842A JP19084286A JPH0824900B2 JP H0824900 B2 JPH0824900 B2 JP H0824900B2 JP 61190842 A JP61190842 A JP 61190842A JP 19084286 A JP19084286 A JP 19084286A JP H0824900 B2 JPH0824900 B2 JP H0824900B2
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- pipe
- supply pipe
- cleaning
- liquid supply
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- Weting (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は液供給管に関する。更に詳細には、本発明は
液中に浸漬される管の部分にリーク孔の穿設された液供
給管に関する。
液中に浸漬される管の部分にリーク孔の穿設された液供
給管に関する。
［従来の技術］ 半導体素子の性能と信頼性を向上させるためには洗浄
処理が大きな鍵を握っている。半導体の表面は非常に敏
感であるので、素子表面の汚染を最小にすることによっ
て素子の特性の安定性・再現性が著しく改善される。こ
のため、ウエハ製造工程中に半導体表面に付着する汚染
物が完成製品中に残らないように、拡散，酸化,CVD,蒸
着等の工程前に汚染物を注意深く除去しなければならな
い。
処理が大きな鍵を握っている。半導体の表面は非常に敏
感であるので、素子表面の汚染を最小にすることによっ
て素子の特性の安定性・再現性が著しく改善される。こ
のため、ウエハ製造工程中に半導体表面に付着する汚染
物が完成製品中に残らないように、拡散，酸化,CVD,蒸
着等の工程前に汚染物を注意深く除去しなければならな
い。
表面の汚染物は一般的に、分子状，イオン状，原子状
に分類することができる。
に分類することができる。
分子状汚染物としては、ワックス，レジン，ホトレジ
スト，油，有機溶剤の残滓等が挙げられる。指紋による
脂肪もこの部類に入る。分子状汚染物は基板表面に弱い
静電気で付着している。有機物による汚染は、特に表面
に敏感なMOS構造において、プロトンの移動による分極
とイオン性のドリフトを起こす。水に不溶性の有機物が
付着していると、基板表面が撥水性となり、このため、
吸着しているイオン性あるいは金属の汚染物の除去を困
難にする。
スト，油，有機溶剤の残滓等が挙げられる。指紋による
脂肪もこの部類に入る。分子状汚染物は基板表面に弱い
静電気で付着している。有機物による汚染は、特に表面
に敏感なMOS構造において、プロトンの移動による分極
とイオン性のドリフトを起こす。水に不溶性の有機物が
付着していると、基板表面が撥水性となり、このため、
吸着しているイオン性あるいは金属の汚染物の除去を困
難にする。
イオン状汚染物は物理的あるいは化学的に吸着してい
るが、物理的に吸着しているイオンより、化学吸着して
いるイオンのほうが除去が困難である。これを除去する
には化学反応を利用しなければならない。イオン状汚染
物のなかではNa+等のアルカリイオンが特に有害であ
り、BT処理により閾値電圧のドリフト，反転層の形成，
表面の漏れ電流の発生を引き起こす。
るが、物理的に吸着しているイオンより、化学吸着して
いるイオンのほうが除去が困難である。これを除去する
には化学反応を利用しなければならない。イオン状汚染
物のなかではNa+等のアルカリイオンが特に有害であ
り、BT処理により閾値電圧のドリフト，反転層の形成，
表面の漏れ電流の発生を引き起こす。
原子状汚染物はAu,Ag,Cuのような重金属を挙げること
ができる。これらは結晶欠陥に偏析してpn接合耐圧を低
下させ、また少数のキャリアのライフタイム，表面伝
導，その他の素子パラメータに影響を及ぼす。これらを
除去するには、金属を溶解する液を用いてイオン化し、
再び表面に沈着しないようにする。
ができる。これらは結晶欠陥に偏析してpn接合耐圧を低
下させ、また少数のキャリアのライフタイム，表面伝
導，その他の素子パラメータに影響を及ぼす。これらを
除去するには、金属を溶解する液を用いてイオン化し、
再び表面に沈着しないようにする。
一般に、前記の３種類のタイプの汚染物が全て基板表
面に付着している。従って、まず、表面を覆って撥水性
にしている大きな有機物の残滓を除去し、次いで、残り
の有機物，イオン状および原子状汚染物を除去しなけれ
ばならない。
面に付着している。従って、まず、表面を覆って撥水性
にしている大きな有機物の残滓を除去し、次いで、残り
の有機物，イオン状および原子状汚染物を除去しなけれ
ばならない。
このような半導体素子またはシリコンウエハは従来、
洗浄液を使用することからなるウエット洗浄と呼ばれる
化学的方法により洗浄されてきた。
洗浄液を使用することからなるウエット洗浄と呼ばれる
化学的方法により洗浄されてきた。
洗浄液は水だけでもよいが、洗浄効果を高めるため
に、半導体素子またはウエハに悪影響を及ぼさない種類
の薬剤類を使用できる。
に、半導体素子またはウエハに悪影響を及ぼさない種類
の薬剤類を使用できる。
例えば、アセトン，イソプロピルアルコール，エチル
アルコール，オルトーキシレン，四塩化炭素，テトラク
ロルエチレン，トリクレン，メチルアルコール等の溶剤
類を使用できる。
アルコール，オルトーキシレン，四塩化炭素，テトラク
ロルエチレン，トリクレン，メチルアルコール等の溶剤
類を使用できる。
酸洗浄の洗浄液としては、硫酸，硝酸，フッ酸，塩
酸，過酸化水素，アンモニア等がある。硫酸は脱水作用
が強く、有機物の汚染の除去に効果がある。硝酸，塩酸
あるいはこれらの混合液（王水）は重金属の除去に用い
られる。フッ酸は酸化Si膜の除去に用いられる。
酸，過酸化水素，アンモニア等がある。硫酸は脱水作用
が強く、有機物の汚染の除去に効果がある。硝酸，塩酸
あるいはこれらの混合液（王水）は重金属の除去に用い
られる。フッ酸は酸化Si膜の除去に用いられる。
このような種々の汚染物に対する洗浄能力の違いか
ら、これらの洗浄液を適当に組合せて使用することが大
きな洗浄効果を生む。
ら、これらの洗浄液を適当に組合せて使用することが大
きな洗浄効果を生む。
例えば、H2O/H2O2/NH4OHの5:1:1から7:2:1（容積比）
の混合液は水酸化アンモニウの溶解作用と過酸化水素の
酸化力を用いて有機物の汚染を除去する。水酸化アンモ
ニウは、またCu,Ni,Agのような金属を除去する機能もあ
る。更にH2O/H2O2/HClの6:1:1から8:2:1（容積比）の混
合液は重金属の除去に効果があり、これら重金属を可溶
性のイオンにして溶液中からの再沈着を防ぐ。
の混合液は水酸化アンモニウの溶解作用と過酸化水素の
酸化力を用いて有機物の汚染を除去する。水酸化アンモ
ニウは、またCu,Ni,Agのような金属を除去する機能もあ
る。更にH2O/H2O2/HClの6:1:1から8:2:1（容積比）の混
合液は重金属の除去に効果があり、これら重金属を可溶
性のイオンにして溶液中からの再沈着を防ぐ。
洗浄液は適切な温度に加温して使用すると洗浄効果が
一層高くなる。例えば、過酸化水素を含む洗浄液はいず
れも温度75−85℃程度で使用すると申し分のない洗浄効
果が得られる。
一層高くなる。例えば、過酸化水素を含む洗浄液はいず
れも温度75−85℃程度で使用すると申し分のない洗浄効
果が得られる。
更に、洗浄液中に空気等を吹き込んで、液に機械的振
動を与えると洗浄効果が一層高まることがある。
動を与えると洗浄効果が一層高まることがある。
［発明が解決しようとする問題点］ 処理槽に洗浄液を供給する従来の機構を第３図に示
す。
す。
第３図に示されるように、液供給管１の供給口部３は
処理槽15の洗浄液５中に浸漬されている。このような場
合、ヒータ７で洗浄液を加熱したり、あるいは、バブリ
ング管９から液中に空気を吹き込んだりすると、洗浄液
が供給管１内を逆流することがある。
処理槽15の洗浄液５中に浸漬されている。このような場
合、ヒータ７で洗浄液を加熱したり、あるいは、バブリ
ング管９から液中に空気を吹き込んだりすると、洗浄液
が供給管１内を逆流することがある。
加熱洗浄液の蒸気が管内を遡上し、秤量タンク11の下
に配設される開閉バルブ13に達する。その後、この部分
で結露することにより、バルブ部分が処理槽に比較して
負圧となる為、洗浄液が吸い上げられて管内を逆流す
る。この逆流には毛細管現象も加わり一層過大となる。
に配設される開閉バルブ13に達する。その後、この部分
で結露することにより、バルブ部分が処理槽に比較して
負圧となる為、洗浄液が吸い上げられて管内を逆流す
る。この逆流には毛細管現象も加わり一層過大となる。
その結果、液面レベルが低下し、十分な洗浄が行われ
ないことがあり、製品不良の原因となっていた。
ないことがあり、製品不良の原因となっていた。
また、供給管内に空気等の気泡が混入していると、供
給管側から気泡が洗浄液内に混入することがある。この
気泡がウエハの表面に付着すると洗浄効果を低下させる
等の悪影響を及ぼす。
給管側から気泡が洗浄液内に混入することがある。この
気泡がウエハの表面に付着すると洗浄効果を低下させる
等の悪影響を及ぼす。
これらの不都合を避けるために、供給口部３が液面レ
ベルより高くなるように液供給管を取付ると、供給液が
周囲に飛散して危険である。
ベルより高くなるように液供給管を取付ると、供給液が
周囲に飛散して危険である。
［発明の目的］ 従って、本発明の目的は液中に浸漬しても液が逆流せ
ず、また、管内にある気泡を液中に混入させないように
した液供給管を提供することである。
ず、また、管内にある気泡を液中に混入させないように
した液供給管を提供することである。
［問題点を解決するための手段］ 前記の問題点を解決し、あわせて本発明の目的を達成
するための手段として、この発明は、洗浄またはウエッ
トエッチング処理を行うための処理槽に所定の処理液を
供給する管であり、この管の、処理槽内の処理液中に浸
漬される部分に、管の内径1/2以下の直径のリーク孔を
複数個穿設し、この複数のリーク孔を互いに対向するよ
うに、かつ、千鳥状に配置させることを特徴とする液供
給管を提供する。
するための手段として、この発明は、洗浄またはウエッ
トエッチング処理を行うための処理槽に所定の処理液を
供給する管であり、この管の、処理槽内の処理液中に浸
漬される部分に、管の内径1/2以下の直径のリーク孔を
複数個穿設し、この複数のリーク孔を互いに対向するよ
うに、かつ、千鳥状に配置させることを特徴とする液供
給管を提供する。
［作用］ 前記のように、本発明の液供給管は液中に浸漬される
部分に複数個のリーク孔が穿設されている。
部分に複数個のリーク孔が穿設されている。
その為、負圧または毛細管現象等により管内を逆流し
ようとする液はこのリーク孔より漏出され、処理槽内へ
戻されてしまう。
ようとする液はこのリーク孔より漏出され、処理槽内へ
戻されてしまう。
同様に、液供給管内の気泡等もこのリーク孔から漏出
され処理液中には混入されない。
され処理液中には混入されない。
その結果、処理槽内の液面のレベルを常に一定に維持
することができるばかりか、槽内のウエハ等の被処理物
に気泡などが付着する恐れもないので、極めて高い洗浄
またはエッチング効果が期待できる。
することができるばかりか、槽内のウエハ等の被処理物
に気泡などが付着する恐れもないので、極めて高い洗浄
またはエッチング効果が期待できる。
かくして、半導体素子の製造歩留りを高めることがで
きる。更には、半導体製造のスループットを向上させる
こともできる。
きる。更には、半導体製造のスループットを向上させる
こともできる。
［実施例］ 以下、図面を参照しながら本発明の液供給管の一実施
例について更に詳細に説明する。
例について更に詳細に説明する。
第１図は本発明の液供給管の供給口部付近の断面図で
あり、第２図は本発明の液供給管を処理槽に浸漬させた
状態を示す一部切欠斜視図である。
あり、第２図は本発明の液供給管を処理槽に浸漬させた
状態を示す一部切欠斜視図である。
第１図に示されるように、本発明の液供給管の供給口
部20付近には複数個のリーク孔22が穿設されている。
部20付近には複数個のリーク孔22が穿設されている。
リーク孔の直径は管の内径の1/2以下が好ましい。1/2
未満が特に好ましい。1/2よりも大きいと、管の上方部
分のリーク孔から液が一方的に漏出してしまい、下方部
分にまで行き渡らないことがあり好ましくない。
未満が特に好ましい。1/2よりも大きいと、管の上方部
分のリーク孔から液が一方的に漏出してしまい、下方部
分にまで行き渡らないことがあり好ましくない。
またリーク孔は管の片側のみに集中させず、対向配置
で、しかも千鳥状に配置させることが好ましい。
で、しかも千鳥状に配置させることが好ましい。
このように構成することにより、局部的に数箇所のリ
ーク孔のみから液が吹き出すことなく、供給管の内側と
外側のリーク孔より管の外周面に沿って液が穏やかに供
給される。
ーク孔のみから液が吹き出すことなく、供給管の内側と
外側のリーク孔より管の外周面に沿って液が穏やかに供
給される。
管内を逆流しようとする液は管内を多少遡上すること
はあっても、リーク孔より再び槽内へ漏出され、液面レ
ベル以上に逆流することは殆どない。また管内の気泡も
液面に近い上方部分のリーク孔より逐次脱気され、液内
を浮遊することなく直ちに大気中に放散されるので、液
中のウエハなどに付着する恐れはない。
はあっても、リーク孔より再び槽内へ漏出され、液面レ
ベル以上に逆流することは殆どない。また管内の気泡も
液面に近い上方部分のリーク孔より逐次脱気され、液内
を浮遊することなく直ちに大気中に放散されるので、液
中のウエハなどに付着する恐れはない。
第２図に示されるように、リーク孔は管の液中浸漬部
分、すなわち、液面レベル以下に配設される。しかし、
所望により、液面レベルよりも極僅かに上の位置に配設
することもできる。
分、すなわち、液面レベル以下に配設される。しかし、
所望により、液面レベルよりも極僅かに上の位置に配設
することもできる。
液面レベルよりも上の部分にリーク孔が存在すれば、
管内は大気と等圧になるので、管内が負圧になることは
絶対にない。従って、逆流してきた液あるいは蒸発して
きた蒸気は全て、この大気に向かって開口されているリ
ーク孔から処理槽に戻される。この場合、液面レベルよ
りも上の管内には常に空気が存在することとなるが、液
を供給する際、空気はこの液面レベルよりも上にあるリ
ーク孔から排出されてしまう。
管内は大気と等圧になるので、管内が負圧になることは
絶対にない。従って、逆流してきた液あるいは蒸発して
きた蒸気は全て、この大気に向かって開口されているリ
ーク孔から処理槽に戻される。この場合、液面レベルよ
りも上の管内には常に空気が存在することとなるが、液
を供給する際、空気はこの液面レベルよりも上にあるリ
ーク孔から排出されてしまう。
液供給管の材質自体は本発明の必須要件ではない。従
って、この管は例えば、ステンレスまたは塩化ビニール
などで構成できる。その他の材料も使用できる。このよ
うな材料は当業者に周知である。
って、この管は例えば、ステンレスまたは塩化ビニール
などで構成できる。その他の材料も使用できる。このよ
うな材料は当業者に周知である。
本発明の液供給管は第３図に示されるような、従来の
液供給機構の開閉バルブおよび秤量タンクに接続して使
用できることは当業者に明らかである。その他の液供給
機構においても使用できることは説明するまでもない。
液供給機構の開閉バルブおよび秤量タンクに接続して使
用できることは当業者に明らかである。その他の液供給
機構においても使用できることは説明するまでもない。
以上、本発明の液供給管を洗浄処理について説明して
きたが、この管はエッチング処理用の槽および液につい
ても全く同等に使用できる。また、これら以外の処理槽
および処理液についても均等に使用できる。
きたが、この管はエッチング処理用の槽および液につい
ても全く同等に使用できる。また、これら以外の処理槽
および処理液についても均等に使用できる。
［発明の効果］ 以上説明したように、本発明の液供給管は液中に浸漬
される部分に複数個のリーク孔が穿設されている。その
為、負圧または毛細管現象等により管内を逆流しようと
する液はこのリーク孔より漏出され、処理槽内へ戻され
てしまう。
される部分に複数個のリーク孔が穿設されている。その
為、負圧または毛細管現象等により管内を逆流しようと
する液はこのリーク孔より漏出され、処理槽内へ戻され
てしまう。
同様に、液供給管内の気泡等もこのリーク孔から漏出
され処理液中には混入されない。
され処理液中には混入されない。
その結果、処理槽内の液面のレベルを常に一定に維持
することができるばかりか、槽内のウエハ等の被処理物
に気泡などが付着する恐れもないので、極めて高い洗浄
またはエッチング効果が期待できる。
することができるばかりか、槽内のウエハ等の被処理物
に気泡などが付着する恐れもないので、極めて高い洗浄
またはエッチング効果が期待できる。
かくして、半導体素子の製造歩留りを高めることがで
きる。更には、半導体製造のスループットを向上させる
こともできる。
きる。更には、半導体製造のスループットを向上させる
こともできる。
第１図は本発明の液供給管の供給口部付近の断面図であ
り、第２図は本発明の液供給管を処理槽に浸漬させた状
態を示す一部切欠斜視図であり、第３図は処理槽に洗浄
液を供給する従来の機構の説明図である。 １……液供給管,3……供給口部,5……洗浄液,7……ヒー
タ,9……バブリング管,11……秤量タンク,13……開閉バ
ルブ,15……処理槽,20……液供給管の供給口部,22……
リーク孔
り、第２図は本発明の液供給管を処理槽に浸漬させた状
態を示す一部切欠斜視図であり、第３図は処理槽に洗浄
液を供給する従来の機構の説明図である。 １……液供給管,3……供給口部,5……洗浄液,7……ヒー
タ,9……バブリング管,11……秤量タンク,13……開閉バ
ルブ,15……処理槽,20……液供給管の供給口部,22……
リーク孔
Claims (2)
- 【請求項１】洗浄またはウエットエッチング処理を行う
ための処理槽に所定の処理液を加圧せず重力落下により
供給する管であり、この管の処理槽内の処理液中に浸漬
される部分に、管の内径の1/2以下の直径のリーク孔を
複数個穿設し、リーク孔は同一円周上に１個だけ穿設さ
れており、この複数のリーク孔を互いに対向するよう
に、かつ、千鳥状に配置させることを特徴とする液供給
管。 - 【請求項２】リーク孔の直径は管の内径の1/2未満であ
る特許請求の範囲第１項に記載の液供給管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61190842A JPH0824900B2 (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 液供給管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61190842A JPH0824900B2 (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 液供給管 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6349284A JPS6349284A (ja) | 1988-03-02 |
| JPH0824900B2 true JPH0824900B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=16264677
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61190842A Expired - Lifetime JPH0824900B2 (ja) | 1986-08-14 | 1986-08-14 | 液供給管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0824900B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH07214014A (ja) * | 1994-01-28 | 1995-08-15 | Ishikawa Seisakusho:Kk | 洗浄装置 |
Family Cites Families (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS48102471A (ja) * | 1972-04-12 | 1973-12-22 |
-
1986
- 1986-08-14 JP JP61190842A patent/JPH0824900B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS6349284A (ja) | 1988-03-02 |
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