JPH08242010A - Solar cell module - Google Patents
Solar cell moduleInfo
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- JPH08242010A JPH08242010A JP7043906A JP4390695A JPH08242010A JP H08242010 A JPH08242010 A JP H08242010A JP 7043906 A JP7043906 A JP 7043906A JP 4390695 A JP4390695 A JP 4390695A JP H08242010 A JPH08242010 A JP H08242010A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、光入射面側に防湿層を
設けた透明プラスチックフィルム(フッ素樹脂系フィル
ムを除く)を被覆材として使用する太陽電池モジュール
に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a solar cell module which uses a transparent plastic film (excluding a fluororesin film) having a moisture-proof layer on the light incident surface side as a covering material.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、環境問題に対する意識の高まりか
ら環境汚染がなくクリーンなエネルギー源として太陽電
池が注目され、有用なエネルギー資源としての太陽エネ
ルギー利用の面から鋭意研究され実用化が進んでいる。
太陽電池には様々な形態があり、その代表的なものとし
て、結晶シリコン太陽電池,多結晶シリコン太陽電池,
非晶質シリコン太陽電池,銅インジウムセレナイド太陽
電池,化合物半導体太陽電池等が知られている。この中
で薄膜結晶太陽電池,非晶質シリコン太陽電池,化合物
半導体太陽電池は比較的低コストであり、また大面積化
が可能であるため、各方面で活発に研究開発が行われて
いる。またこれらの太陽電池の中でも、導体金属基板上
にシリコンを堆積し、更にその上に透明導電層を形成し
た非晶質シリコン太陽電池を代表する薄膜太陽電池は軽
量であり、また耐衝撃性やフレキシブル性に富んでいる
ので、太陽電池における将来のモジュール形態として有
望視されている。2. Description of the Related Art In recent years, solar cells have attracted attention as a clean energy source free from environmental pollution due to increasing awareness of environmental problems, and earnest research and practical application have been made from the viewpoint of utilizing solar energy as a useful energy resource. .
There are various forms of solar cells, and typical ones are crystalline silicon solar cells, polycrystalline silicon solar cells,
Amorphous silicon solar cells, copper indium selenide solar cells, compound semiconductor solar cells, etc. are known. Among them, the thin film crystal solar cell, the amorphous silicon solar cell, and the compound semiconductor solar cell are relatively low in cost and can have a large area, and therefore, research and development are actively conducted in various fields. In addition, among these solar cells, a thin film solar cell typifying an amorphous silicon solar cell in which silicon is deposited on a conductive metal substrate and a transparent conductive layer is further formed on the conductive metal substrate is lightweight, and has impact resistance and Due to its high flexibility, it is promising as a future module form for solar cells.
【0003】ところが上記の薄膜太陽電池ではガラス基
板上にシリコンを堆積する場合と異なり、光入射側表面
を透明な被覆材で覆って太陽電池を保護する必要があ
る。この表面被覆材としては耐候性の高いフッ素樹脂フ
ィルムやフッ素樹脂塗料等の透明なフッ化物重合体薄膜
やその他の耐候性の高いプラスチックフィルムが使用さ
れている。耐候性に富んだプラスチックが使用される理
由は、劣化による光透過率の減少に起因する太陽電池モ
ジュールの変換効率の低下を少なく抑えることができる
ためである。特開平5−283727号公報では、水分
の影響により太陽電池の出力の低下を防止するため、フ
ッ素樹脂フィルムの少なくとも一方の面に透明な無機化
合物でコーティングし、防湿性を向上させた太陽電池モ
ジュールを提案している。しかしここで使用されるフッ
素フィルムは非常に高価であり、太陽電池のコストが下
がらない原因の一つであり、またコーティングする無機
化合物うち、例えば酸化珪素をスパッタ法でコーティン
グすると、生成する無機化合物の薄膜層は濃い褐色であ
り、太陽光線をカットしてしまい、光透過率の減少に起
因する太陽電池モジュールの変換効率は低下してしまう
欠点があった。However, unlike the case of depositing silicon on a glass substrate in the above-mentioned thin film solar cell, it is necessary to protect the solar cell by covering the light incident side surface with a transparent coating material. As this surface coating material, a transparent fluoropolymer thin film such as a fluororesin film or a fluororesin paint having high weather resistance, or another plastic film having high weather resistance is used. The reason why the plastic having high weather resistance is used is that it is possible to suppress a decrease in conversion efficiency of the solar cell module caused by a decrease in light transmittance due to deterioration. Japanese Patent Laid-Open No. 5-283727 discloses a solar cell module in which at least one surface of a fluororesin film is coated with a transparent inorganic compound in order to prevent a decrease in output of the solar cell due to the influence of moisture, thereby improving moisture resistance. Is proposed. However, the fluorine film used here is extremely expensive, which is one of the reasons that the cost of the solar cell does not decrease. In addition, among the inorganic compounds to be coated, for example, the inorganic compounds produced when silicon oxide is coated by the sputtering method. The thin film layer has a dark brown color, which cuts off sunlight and has a drawback that the conversion efficiency of the solar cell module is reduced due to the decrease in light transmittance.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は上記の
問題点すなわち、透明性を低下させ変換効率を落とすこ
となく、同時に防湿性を高度に高める事により、大変高
価なフッ素樹脂フィルム以外の耐候性のあるプラスチッ
ク素材を被覆材として使った太陽電池モジュールを提供
する事にある。SUMMARY OF THE INVENTION The object of the present invention is to solve the above-mentioned problems, namely, to improve the moisture-proof property at the same time without lowering the transparency and the conversion efficiency, and to obtain a material other than a very expensive fluororesin film. It is intended to provide a solar cell module using a weather resistant plastic material as a covering material.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、導電性基体、
裏面電極、半導体層、透明電極層および集電電極を主体
として構成される光起電力素子を含む太陽電池セルの光
入射面を被覆するプラスチックフィルム(フッ素樹脂系
フィルムを除く)の片面または両面に、真空薄膜形成技
術によって、けい素酸化物と、金属フッ化物及びまたは
マグネシウム酸化物からなる薄膜層を形成してなる太陽
電池モジュールによって達成できる。更に具体的に本発
明を説明する。太陽電池モジュールは、裏面補強板/接
着剤によって設けられた並列化された光起電力素子/薄
膜層を積層したプラスチックフィルム/プラスチックフ
ィルムを主たる構成要素とするものである。なお、光入
射側とは反対側に薄膜層を積層したプラスチックフィル
ムで表面被覆をした太陽電池モジュールてあっても、光
入射側に薄膜層を積層したプラスチックフィルムを使用
してもよい。もちろん、両側に薄膜層を積層したプラス
チックフィルムで太陽電池を被覆することも可能であ
る。The present invention provides a conductive substrate,
On one or both sides of a plastic film (excluding fluororesin film) that covers the light incident surface of a photovoltaic cell including a photovoltaic element mainly composed of a back electrode, a semiconductor layer, a transparent electrode layer, and a collector electrode This can be achieved by a solar cell module in which a thin film layer made of silicon oxide and metal fluoride and / or magnesium oxide is formed by a vacuum thin film forming technique. The present invention will be described more specifically. The solar cell module is mainly composed of a back reinforcing plate / a photovoltaic film arranged in parallel by an adhesive / a plastic film laminated with thin film layers / a plastic film. In addition, a solar cell module whose surface is coated with a plastic film having a thin film layer laminated on the side opposite to the light incident side, or a plastic film having a thin film layer laminated on the light incident side may be used. Of course, it is also possible to coat the solar cell with a plastic film having thin film layers laminated on both sides.
【0006】プラスチッックフィルムの表面の片面また
は両面に薄膜層を積層することにより、外部からの水分
の侵入を抑え、太陽電池の出力低下を低減することが可
能となる。従って高湿度雰囲気での光照射でも太陽電池
の出力は安定して得ることができる。本発明に使用する
光起電力素子は既に公知の非晶質シリコンや化合物半導
体などから公知の方法で製造された素子を用いる。裏面
補強板としてはステンレス,アルミニウム板などの金属
板が主として使用されるが、光入射面と同様に薄膜層を
有する耐候性のあるプラスチック素材を使用することも
できる。By laminating a thin film layer on one side or both sides of the surface of the plastic film, it is possible to suppress the intrusion of moisture from the outside and reduce the decrease in the output of the solar cell. Therefore, the output of the solar cell can be stably obtained even by light irradiation in a high humidity atmosphere. As the photovoltaic element used in the present invention, an element manufactured by a known method from a known amorphous silicon or a compound semiconductor is used. A metal plate such as a stainless steel plate or an aluminum plate is mainly used as the back reinforcing plate, but a weather-resistant plastic material having a thin film layer like the light incident surface can also be used.
【0007】接着層は酢酸ビニルエチレン共重合体(E
VA)樹脂、アイオノマー樹脂、エチレンエチルアクリ
レート共重合体(EEA)樹脂、エチレンメタアクリル
酸ランダム共重合体(EMAA)樹脂、エチレンアクリ
ル酸共重合体(EAA)樹脂、エチレンメチルメタアク
リレート共重合体(EMMA)樹脂、エチレンメチルア
クリレート共重合体(EMA)樹脂、その他接着性ポリ
オレフィン樹脂が使用できる。耐候性、透明性の点でE
VA樹脂、アイオノマー樹脂が好ましい。耐候性のある
プラスチックフィルムとしては、ポレエチレンテレフタ
レート,ポリカーボネート,ポレエチレン−2,6−ナ
フタレンジカルボキシレート,ポリサルフォン,ポリア
クリレート,ポリエーテルサルフォン,ポリアリレー
ト,ポリエーテルイミド,ポリアリルサルフォンのフィ
ルムが使用できる。またそれらのフィルムに混入及び/
または塗布される紫外線吸収剤としては特に限定はない
が、サリチル酸系紫外線吸収剤,ベンゾフェノン系紫外
線吸収剤,ベンゾトリアゾール系紫外線吸収剤,シアノ
アクリレート系紫外線吸収剤、紫外線安定剤,ヒンダー
ドアミン系光安定剤等が挙げられるがこれに限定されな
い。The adhesive layer is a vinyl acetate ethylene copolymer (E
VA) resin, ionomer resin, ethylene ethyl acrylate copolymer (EEA) resin, ethylene methacrylic acid random copolymer (EMAA) resin, ethylene acrylic acid copolymer (EAA) resin, ethylene methyl methacrylate copolymer ( EMMA) resin, ethylene methyl acrylate copolymer (EMA) resin, and other adhesive polyolefin resin can be used. E in terms of weather resistance and transparency
VA resin and ionomer resin are preferable. As the weather resistant plastic film, there are films of polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyethylene-2,6-naphthalene dicarboxylate, polysulfone, polyacrylate, polyether sulfone, polyarylate, polyetherimide and polyallyl sulfone. Can be used. Also mixed with those films and /
The applied UV absorber is not particularly limited, but salicylic acid-based UV absorber, benzophenone-based UV absorber, benzotriazole-based UV absorber, cyanoacrylate-based UV absorber, UV stabilizer, hindered amine-based light stabilizer However, the present invention is not limited to this.
【0008】本発明に使用する薄膜層を得る方法として
は、耐候性のあるプラスチックフィルムの表面に真空薄
膜形成技術をもちいてけい素酸化物と、金属フッ化物及
びまたはマグネシウム酸化物類とからなる薄膜層を積層
する。薄膜層を構成するけい素酸化物はSiOx(xは
1.0より大きく,2.0未満)が挙げられ、SiO,
Si2O3,Si3O4はこの中に含まれる。SiOxのう
ちのxは1.0より大きく,2.0未満の範囲が望まし
く、特にxは1.8より大きく,2.0未満の範囲が望
ましい。薄膜層を形成する金属のフッ化物の例としては
フッ化ベリリウム,フッ化マグネシウム,フッ化カルシ
ウム,フッ化ストロンチウム,フッ化バリウム,フッ化
アルミニウム,フッ化リチウム,フッ化ナトリウム,フ
ッ化カリウム,フッ化ルビジウム,フッ化セシウム,フ
ッ化フランシウム,等が挙げられる。特に、アルカリ土
類金属のフッ化物が優れ、その中でもフッ化マグネシウ
ム,フッ化カルシウムが特に優れている。As a method for obtaining the thin film layer used in the present invention, a vacuum thin film forming technique is used on the surface of a plastic film having weather resistance, and it is composed of silicon oxide, metal fluoride and / or magnesium oxide. Laminate thin film layers. Examples of the silicon oxide forming the thin film layer include SiOx (x is greater than 1.0 and less than 2.0).
Si 2 O 3 and Si 3 O 4 are included in this. In SiOx, x is preferably in the range of more than 1.0 and less than 2.0, and particularly preferably in the range of more than 1.8 and less than 2.0. Examples of metal fluorides that form the thin film layer include beryllium fluoride, magnesium fluoride, calcium fluoride, strontium fluoride, barium fluoride, aluminum fluoride, lithium fluoride, sodium fluoride, potassium fluoride, fluorine. Rubidium iodide, cesium fluoride, francium fluoride, etc. are mentioned. In particular, alkaline earth metal fluorides are excellent, and magnesium fluoride and calcium fluoride are particularly excellent.
【0009】薄膜層を構成するマグネシウム酸化物の例
としては酸化マグネシウム及びフォルステライトやステ
アタイトと呼称される酸化マグネシウムと二酸化けい素
との共酸化物,酸化マグネシウムと金属フッ化物との複
合化合物が挙げられる。金属フッ化物がアルカリ土類金
属のフッ化物の場合、薄膜層ではSiOx(xは1.0
より大きく,2.0未満)とアルカリ土類金属のフッ化
物とが化合、又はSiOx(xは1.0より大きく,
2.0未満)にアルカリ土類金属のフッ化物とマグネシ
ウム酸化物が化合している。つまり薄膜層は、SiOx
(xは1.0より大きく,2.0未満)−アルカリ土類
金属のフッ化物の化合物、又はSiOx(xは1.0よ
り大きく,2.0未満)−アルカリ土類金属のフッ化物
−マグネシウム酸化物の化合物からなる。Examples of the magnesium oxide constituting the thin film layer include magnesium oxide, forsterite, stearite, a co-oxide of magnesium oxide and silicon dioxide, and a complex compound of magnesium oxide and metal fluoride. Can be mentioned. When the metal fluoride is an alkaline earth metal fluoride, SiOx (x is 1.0
Larger than less than 2.0) and a fluoride of an alkaline earth metal, or SiOx (x is larger than 1.0,
(Less than 2.0), a combination of an alkaline earth metal fluoride and magnesium oxide. That is, the thin film layer is SiOx.
(X is greater than 1.0 and less than 2.0) -Alkaline earth metal fluoride compound, or SiOx (x is greater than 1.0 and less than 2.0) -Alkaline earth metal fluoride- It consists of a compound of magnesium oxide.
【0010】SiOx(xは1.0より大きく,2.0
未満)−金属フッ化物の薄膜層は防湿性,光透過性共に
優れているが特に光透過性に優れ、又SiOx(xは
1.0より大きく,2.0未満)−金属フッ化物−酸化
マグネシウムの薄膜層も防湿性,光透過性共に優れてい
るが特に防湿性に優れている。薄膜層を構成するSiO
x(xは1.0より大きく,2.0未満)と金属フッ化
物の組成比は、それぞれ98〜80モル%及び2〜20
モル%の範囲が望ましく、特にそれぞれ95〜90モル
%及び5〜10モル%の範囲が望ましい。またこれにマ
グネシウム酸化物を含む場合は、SiOx(xは1.0
より大きく,2.0未満)、金属フッ化物、及びマグネ
シウム酸化物の組成比が、それぞれ97.5〜80モル
%:2〜19.5モル%:0.5〜18モル%の範囲が
望ましく、特に93〜88モル%:5〜10モル%:2
〜17モル%の範囲が望ましい。SiOx (x is greater than 1.0 and 2.0
The metal thin film layer is excellent in both moisture resistance and light transmittance, but is particularly excellent in light transmittance, and SiOx (x is larger than 1.0 and less than 2.0) -metal fluoride-oxidized. The thin film layer of magnesium is also excellent in moisture resistance and light transmission, but particularly excellent in moisture resistance. SiO that constitutes the thin film layer
The composition ratio of x (x is greater than 1.0 and less than 2.0) and the metal fluoride is 98 to 80 mol% and 2 to 20, respectively.
The ranges of mol% are desirable, and the ranges of 95 to 90 mol% and 5 to 10 mol% are particularly desirable. When it contains magnesium oxide, SiOx (x is 1.0
It is preferable that the composition ratios of the metal fluoride and the magnesium oxide are 97.5 to 80 mol%: 2 to 19.5 mol%: 0.5 to 18 mol%, respectively. , Especially 93 to 88 mol%: 5 to 10 mol%: 2
The range of -17 mol% is desirable.
【0011】プラスチックフィルム上に積層される薄膜
層の原料は金属酸化物,金属フッ化物,金属,有機金属
化合物等の無機化合物,有機化合物の単独または混合物
の何れでも構わない。特に、けい素酸化物と金属フッ化
物の混合物、またはけい素酸化物,金属フッ化物及び二
酸化けい素と酸化マグネシウムの共酸化物の混合物を原
料とし、真空蒸着等により直接プラスチックフィルム上
に薄膜層を形成する方法が望ましい。その原料の組成比
は、けい素酸化物と金属フッ化物の場合、けい素酸化
物:金属フッ化物=98〜70モル%:2〜30モル%
の範囲が望ましい。特に好ましくは、けい素酸化物:金
属フッ化物=95〜85モル%:5〜15モル%の範囲
である。またけい素酸化物,金属フッ化物及び二酸化け
い素と酸化マグネシウムの共酸化物の混合物の場合は、
けい素酸化物:金属フッ化物:二酸化けい素と酸化マグ
ネシウムの共酸化物=97.5〜70モル%: 2〜2
9.5モル%:0.5〜28モル%の範囲が望ましい。
特に好ましくは、けい素酸化物:金属フッ化物:二酸化
けい素と酸化マグネシウムの共酸化物=95〜90モル
%:4.5〜9.5モル%:0.5〜5.5モル%の範
囲である。The raw material for the thin film layer laminated on the plastic film may be an inorganic compound such as a metal oxide, a metal fluoride, a metal or an organic metal compound, or an organic compound alone or in a mixture. In particular, a mixture of silicon oxide and metal fluoride or a mixture of silicon oxide, metal fluoride and a co-oxide of silicon dioxide and magnesium oxide is used as a raw material, and a thin film layer is directly formed on the plastic film by vacuum deposition or the like. A method of forming is desirable. The composition ratio of the raw materials is, in the case of silicon oxide and metal fluoride, silicon oxide: metal fluoride = 98 to 70 mol%: 2 to 30 mol%.
The range of is desirable. Particularly preferably, silicon oxide: metal fluoride = 95 to 85 mol%: 5 to 15 mol%. In the case of silicon oxide, metal fluoride and a mixture of silicon dioxide and magnesium oxide co-oxide,
Silicon oxide: Metal fluoride: Silicon dioxide and magnesium oxide co-oxide = 97.5-70 mol%: 2-2
9.5 mol%: The range of 0.5 to 28 mol% is desirable.
Particularly preferably, silicon oxide: metal fluoride: cooxide of silicon dioxide and magnesium oxide = 95 to 90 mol%: 4.5 to 9.5 mol%: 0.5 to 5.5 mol%. It is a range.
【0012】原料として用いるけい素酸化物の例として
は、けい素と二酸化けい素の混合物,一酸化けい素単
体、及びけい素と二酸化けい素と一酸化けい素の混合物
が挙げられる。けい素酸化物をけい素(Si)と二酸化
けい素(SiO2)の混合物として用いる場合、その時
の組成比は基本的には等モルが好ましいが、Si:Si
O2=40〜60モル%:60〜40モル%の範囲なら
よい。また原料として用いるけい素酸化物が、Si、S
iO、SiO2の混合物である場合は、Si:SiO2
をほぼ等モルにすれば良く、(Si+SiO2):Si
Oの比率は特に限定されない。Examples of the silicon oxide used as a raw material include a mixture of silicon and silicon dioxide, a simple substance of silicon monoxide, and a mixture of silicon, silicon dioxide and silicon monoxide. When a silicon oxide is used as a mixture of silicon (Si) and silicon dioxide (SiO 2 ), the composition ratio at that time is basically preferably equimolar, but Si: Si
O 2 = 40-60 mol%: It should be in the range of 60-40 mol%. The silicon oxide used as a raw material is Si or S.
In the case of a mixture of iO and SiO 2 , Si: SiO 2
Should be approximately equimolar, and (Si + SiO 2 ): Si
The ratio of O is not particularly limited.
【0013】プラスチックフィルムに薄膜層を形成する
真空薄膜形成技術の方式としては巻き取り連続方式,枚
葉方式どちらでもよく、また形成する方法としては、特
に制限はなく、真空蒸着,イオンプレーティング,スパ
ッタリング等のPVD方式や,プラズマCVD,マイク
ロウエーブCVDなどのCVD方式を用いる事ができ
る。さらに真空蒸着の加熱方法としては、その蒸着中に
スプラッシュと呼称される蒸着飛沫が発生しなければ又
支障なく取り除ける程度少なければ特に制限はなく、高
周波誘導加熱、抵抗加熱、電子線加熱などの従来公知の
加熱方法を用いることができる。この蒸着飛沫が多量に
発生すると、飛沫が蒸着フィルム上に異物として残り、
後工程である乳剤塗工工程や露光工程,現像工程等で問
題が多く発生する。真空蒸着の蒸発源としては一般的な
ルツボ方式でもかまわないが、異なる昇華点,融点の物
質が常時均一に真空蒸着できる特開平1−252768
及び特開平2−277774に示される蒸発原料を連続
的に供給排出する方式が望ましい。A vacuum thin film forming technique for forming a thin film layer on a plastic film may be either a continuous winding system or a single-wafer system, and the forming method is not particularly limited, and vacuum deposition, ion plating, A PVD method such as sputtering or a CVD method such as plasma CVD or microwave CVD can be used. Further, the heating method for vacuum vapor deposition is not particularly limited as long as it does not cause vapor deposition droplets called splash during vapor deposition and is small enough to be removed without trouble, and conventional methods such as high frequency induction heating, resistance heating, and electron beam heating are used. A known heating method can be used. When a large amount of this vapor deposition droplet is generated, the droplet remains as a foreign substance on the vapor deposition film,
Many problems occur in the emulsion coating process, the exposure process, and the development process, which are the subsequent processes. A general crucible system may be used as an evaporation source for vacuum vapor deposition, but substances having different sublimation points and melting points can always be vapor-deposited uniformly in JP-A-1-252768.
Also, the method of continuously supplying and discharging the evaporation raw material as shown in JP-A-2-277774 is desirable.
【0014】このけい素酸化物と金属フッ化物の混合
物、またはけい素酸化物,金属フッ化物及び二酸化けい
素と酸化マグネシウムの共酸化物の混合物を原料とし真
空蒸着する時の真空度は、1×10-4torrから5×
10-3torrの範囲内が望ましい。高真空度の場合、
原料の組成がそのまま薄膜層の組成に反映させることが
できるが、反対に低真空度の場合は、原料の組成に比
べ、薄膜層の組成は酸素原子過多(高酸化度)になる。
これは蒸着中の蒸着粒子と酸素原子の反応と考えられ
る。また、膜構造的には高真空度の場合は高密度な薄膜
層が得られ、反対に低真空度の場合は低密度な膜になる
と推定されている。上記範囲内の真空度を用い、上記組
成の原料を用いる事により、薄膜層として望ましい組成
比を得る事ができる。The degree of vacuum when vacuum-depositing the mixture of silicon oxide and metal fluoride or the mixture of silicon oxide, metal fluoride and co-oxide of silicon dioxide and magnesium oxide is 1 5 × from 10 −4 torr
It is preferably within the range of 10 −3 torr. For high vacuum,
Although the composition of the raw material can be directly reflected on the composition of the thin film layer, on the contrary, when the degree of vacuum is low, the composition of the thin film layer has excess oxygen atoms (high degree of oxidation) as compared with the composition of the raw material.
This is considered to be a reaction between the vapor deposition particles and oxygen atoms during vapor deposition. In terms of film structure, it is presumed that a high-density thin film layer can be obtained when the degree of vacuum is high, while a low-density film is obtained when the degree of vacuum is low. By using the degree of vacuum within the above range and using the raw material having the above composition, a desired composition ratio for the thin film layer can be obtained.
【0015】また上記以外の薄膜層の積層方法としては
金属または有機金属化合物のような金属を含む化合物を
酸化またはフッ化させながら真空蒸着する方法、また金
属フッ化物をプラスチックフィルム上に蒸着層として形
成させ後工程でその蒸着層を酸化処理する方法があげら
れる。酸化処理の方法としてはプラスチックフィルムの
使用可能温度範囲内で処理を行う方法なら特に限定され
ず、蒸着中の酸素ガス導入法、放電処理法、酸素プラズ
マ法、熱酸化法等があげられる。薄膜層の厚さは使用す
るプラスチックフィルムに合わせて選定されるが、本発
明においては片面あたり50〜2500オングストロー
ムが望ましい。特に300〜1200オングストローム
が望ましい。また、積層される薄膜層は、最終的に得ら
れる層の必要機能が得られていれば、2重積層や多重積
層でも構わない。すなわち、積層を2回以上に分けて行
ってもよく、その時異種類の金属フッ化物を積層しても
構わない。As a method of laminating thin film layers other than the above, a method of vacuum vapor deposition while oxidizing or fluorinating a metal or a compound containing a metal such as an organometallic compound, or a metal fluoride as a vapor deposition layer on a plastic film is used. There is a method of forming the film and then subjecting the vapor-deposited layer to an oxidation treatment in a subsequent step. The method of oxidation treatment is not particularly limited as long as it is a method of performing treatment within the usable temperature range of the plastic film, and examples thereof include an oxygen gas introduction method during vapor deposition, a discharge treatment method, an oxygen plasma method, and a thermal oxidation method. The thickness of the thin film layer is selected according to the plastic film used, but in the present invention, it is preferably 50 to 2500 angstroms per side. Particularly, 300 to 1200 angstrom is desirable. Further, the laminated thin film layers may be double laminated layers or multiple laminated layers as long as the required function of the finally obtained layer is obtained. That is, the stacking may be performed twice or more, and different kinds of metal fluorides may be stacked at that time.
【0016】本発明の太陽電池モジュールの作製方法の
一例としては、裏面補強板に接着シートで挟んだ光起電
力素子を載せ、プラスチックフィルムをかぶせ、減圧下
で1Kg/cm2程度の圧力を加えて、所定時間加熱し
てラミネートして作製する方法がとられる。本発明の薄
膜層を積層したプラスチックフィルムの接着層として
は、酢酸ビニル−エチレン共重合体、ポリビニルブチラ
ール、シリコーン樹脂、エポキシ樹脂、フッ素化ポリイ
ミド樹脂、アクリル樹脂、ポリエステル樹脂等の透明な
樹脂を主成分とする接着剤を使用する。上記接着剤に
は、架橋剤が含有され、接着剤が光劣化を抑制するため
に、紫外線吸収剤が含有されていることが望ましい。As an example of the method for producing the solar cell module of the present invention, a photovoltaic element sandwiched between adhesive sheets is placed on a back reinforcing plate, covered with a plastic film, and a pressure of about 1 kg / cm 2 is applied under reduced pressure. Then, a method of heating and laminating for a predetermined time to manufacture is adopted. As the adhesive layer of the plastic film in which the thin film layers of the present invention are laminated, a transparent resin such as vinyl acetate-ethylene copolymer, polyvinyl butyral, silicone resin, epoxy resin, fluorinated polyimide resin, acrylic resin, polyester resin is mainly used. Use an adhesive as a component. It is desirable that the adhesive contains a cross-linking agent and an ultraviolet absorber in order to suppress photodegradation of the adhesive.
【0017】さらに、太陽電池モジュールの光電変換効
率の低下を少なくするために、上記接着剤層の光透過率
は400nm以上の波長域で80%以上であることが望
ましい。また、入射光の反射によるロスを少なくするた
めに接着剤の屈折率は1.4〜2.0の範囲であること
が好ましい。本発明の太陽電池モジュールに用いる光起
電力素子としては、一例として、導電性基体/裏面電極
/光電変換部材としての半導体層/透明電極層/集電電
極からなるものである。裏面電極層は導電性基体で兼ね
ることもできる。導電性基体としては、例えばステンレ
ススチール,アルミニウム,銅,チタン,カーボンシー
ト,亜鉛メッキ鋼板等,及び導電層が形成してあるポリ
イミド,ポリエステル,ポレエチレンナフタレート,エ
ポキシ等の樹脂フィルムやセラミック等が挙げられる。Further, in order to reduce the decrease in photoelectric conversion efficiency of the solar cell module, the light transmittance of the adhesive layer is preferably 80% or more in the wavelength range of 400 nm or more. In addition, the refractive index of the adhesive is preferably in the range of 1.4 to 2.0 in order to reduce the loss due to reflection of incident light. The photovoltaic element used in the solar cell module of the present invention is, for example, composed of a conductive substrate / back surface electrode / semiconductor layer as a photoelectric conversion member / transparent electrode layer / collecting electrode. The back electrode layer can also serve as a conductive substrate. As the conductive substrate, for example, stainless steel, aluminum, copper, titanium, carbon sheet, galvanized steel plate, etc., and resin film or ceramic such as polyimide, polyester, poly (ethylene naphthalate), epoxy having a conductive layer are formed. Can be mentioned.
【0018】半導体層としては、例えば非晶質シリコ
ン,結晶シリコン,銅インジウムセレナイド等の化合物
半導体が好適に用いられ、半導体層の構成としては、p
in接合,pn接合,ショットキー型接合が用いられ
る。非晶質シリコンを用いる場合は、例えばシランガス
などを用いてプラズマCVDにより形成し、多結晶シリ
コンの場合は、例えば溶融シリコンのシート化あるいは
非結晶シリコンの熱処理により形成する。CuInSe
2/CdSの場合は、例えば電子ビーム蒸着,抵抗加熱
蒸着,高周波誘導加熱蒸着やスパッタリング,イオンプ
レーティング,電析(電解液の電気分解による析出)な
どの方法で形成する。また特開平1−252768及び
特開平2−277774に示される蒸発原料を連続的に
供給排出する方式の抵抗加熱方式でも構わない。A compound semiconductor such as amorphous silicon, crystalline silicon, or copper indium selenide is preferably used as the semiconductor layer, and the semiconductor layer is composed of p
In-junction, pn-junction, and Schottky junction are used. When amorphous silicon is used, it is formed by plasma CVD using, for example, silane gas, and when it is polycrystalline silicon, it is formed by sheeting of molten silicon or heat treatment of amorphous silicon. CuInSe
In the case of 2 / CdS, it is formed by a method such as electron beam vapor deposition, resistance heating vapor deposition, high frequency induction heating vapor deposition or sputtering, ion plating, and electrodeposition (deposition by electrolytic decomposition of electrolytic solution). Further, the resistance heating method of the method of continuously supplying and discharging the evaporation raw material as shown in JP-A-1-252768 and JP-A-2-277774 may be used.
【0019】また半導体層は少なくとも裏面電極層と透
明導電層にサンドイッチされた構造になっている。裏面
電極には、金属層あるいは金属酸化物層、あるいは金属
層と金属酸化物層の複合層が用いられる。金属層の材質
としては例えばTi,Cr,Mo,W,Al,Ag,N
i,Cu,Au等が用いられ、金属酸化物層としてはZ
nO,TiO2,SnO2等が採択される。上記金属層お
よび金属酸化物層の形成方法としては、例えば電子ビー
ム蒸着,抵抗加熱蒸着,高周波誘導加熱蒸着やスパッタ
リング,イオンプレーティング,電析(電解液の電気分
解による析出)などの方法で形成する。また特開平1−
252768及び特開平2−277774に示される蒸
発原料を連続的に供給排出する方式の抵抗加熱方式でも
構わない。The semiconductor layer has a structure sandwiched at least by the back electrode layer and the transparent conductive layer. A metal layer, a metal oxide layer, or a composite layer of a metal layer and a metal oxide layer is used for the back electrode. As the material of the metal layer, for example, Ti, Cr, Mo, W, Al, Ag, N
i, Cu, Au, etc. are used, and Z is used as the metal oxide layer.
nO, TiO 2 , SnO 2, etc. are adopted. As the method for forming the metal layer and the metal oxide layer, for example, electron beam vapor deposition, resistance heating vapor deposition, high frequency induction heating vapor deposition, sputtering, ion plating, electrodeposition (deposition by electrolysis of electrolytic solution), or the like is used. To do. Also, Japanese Patent Laid-Open No. 1-
252768 and JP-A-2-277774 may employ a resistance heating method of continuously supplying and discharging the evaporation raw material.
【0020】透明電極層に用いる材料としては、例えば
In2O3,SnO2,In2O2−SnO2(ITO),Z
nO,TiO2,Cd2SnO4,高濃度不純物をドープ
した結晶性半導体層等があり、その形成方法としては、
例えば電子ビーム蒸着,抵抗加熱蒸着,高周波誘導加熱
蒸着やスパッタリング,イオンプレーティング,電析
(電解液の電気分解による析出)などの方法で形成す
る。また特開平1−252768及び特開平2−277
774に示される蒸発原料を連続的に供給排出する方式
の抵抗加熱方式でも構わない。 電子ビーム蒸着,抵抗
加熱蒸着,高周波誘導加熱蒸着やスパッタリング,イオ
ンプレーティング,スプレー法,CVD法,不純物拡散
法などの方法で形成する。また特開平1−252768
及び特開平2−277774に示される蒸発原料を連続
的に供給排出する方式の抵抗加熱方式でも構わない。The material used for the transparent electrode layer is, for example, In 2 O 3 , SnO 2 , In 2 O 2 —SnO 2 (ITO), Z.
There are nO, TiO 2 , Cd 2 SnO 4 , crystalline semiconductor layers doped with high-concentration impurities, and the like.
For example, it is formed by a method such as electron beam evaporation, resistance heating evaporation, high frequency induction heating evaporation, sputtering, ion plating, and electrodeposition (deposition by electrolysis of an electrolytic solution). Further, JP-A-1-252768 and JP-A-2-277
A resistance heating method of continuously supplying and discharging the evaporation material shown by 774 may be used. It is formed by methods such as electron beam evaporation, resistance heating evaporation, high frequency induction heating evaporation and sputtering, ion plating, spraying, CVD, and impurity diffusion. Also, Japanese Patent Laid-Open No. 1-252768
Alternatively, the resistance heating method shown in JP-A-2-277774, which continuously supplies and discharges the evaporation source, may be used.
【0021】光起電力素子は、まず導電性基体に、裏面
電極層,半導体層,透明電極層を順次形成した後、集電
電極を形成して作製する。集電用グリッド電極の材料と
しては、例えばTi,Cr,Mo,W,Al,Ag,N
i,Cu,Sn,Au,Pd等の金属及び銀ペースト等
の導電性ペーストが用いられる。グリッド電極の形成方
法には、例えばマスクパターンを用いたスパッタリン
グ,イオンプレーティング,抵抗加熱,高周波誘導加
熱,CVDの蒸着方法あるいは全面に金属層を蒸着した
後にエッチングしてパターニングする方法,光CVDに
より直接グリッド電極パターンを形成する方法,グリッ
ド電極パターンのネガパターンのマスクを形成した後に
メッキによりを形成する方法,導電性ペーストを印刷し
て形成する方法等がある。グリッド電極材に銀を使用し
ない場合にはグリッド電極と集電バスバーを接着する導
電性接着剤に銀ペーストが用いられる。A photovoltaic element is manufactured by first forming a back electrode layer, a semiconductor layer, and a transparent electrode layer on a conductive substrate, and then forming a collector electrode. Examples of the material for the current collecting grid electrode include Ti, Cr, Mo, W, Al, Ag, N
A metal such as i, Cu, Sn, Au, or Pd, and a conductive paste such as a silver paste are used. The grid electrode can be formed by, for example, sputtering using a mask pattern, ion plating, resistance heating, high frequency induction heating, a CVD deposition method, or a method in which a metal layer is deposited on the entire surface and then etched and patterned, or photo CVD. There are a method of directly forming a grid electrode pattern, a method of forming by plating after forming a mask of a negative pattern of the grid electrode pattern, a method of forming a conductive paste by printing, and the like. When silver is not used for the grid electrode material, silver paste is used as a conductive adhesive that bonds the grid electrode and the current collecting bus bar.
【0022】導電性ペーストは、通常、例えば銀,金,
銅,ニッケル,カーボン等の微粉末金属をバインダーポ
リマーに分散させたものが使用される。バインダーポリ
マーとしては、例えばポリエステル,エポキシ,アクリ
ル,アルキッド,ポリビニルアセテート,ゴム,ウレタ
ン,フェノール等の樹脂がある。本発明の太陽電池モジ
ュールの背面材としては必要に応じて、例えば各種絶縁
性樹脂、セラミックス,ガラス,絶縁被覆した金属基板
アルミニウムラミネートフィルム,けい素酸化物と、金
属フッ化物及びまたはマグネシウム酸化物類とからなる
薄膜層を形成したポレエチレンテレフタレート,ポリカ
ーボネート,ポレエチレン−2,6−ナフタレンジカル
ボキシレート,ポリサルフォン,ポリアクリレート,ポ
リエーテルサルフォン,ポリアリレート,ポリエーテル
イミド,ポリアリルサルフォン,フッ素樹脂フィルムな
どが用いられる。The conductive paste is usually, for example, silver, gold,
A fine powder metal such as copper, nickel or carbon dispersed in a binder polymer is used. Examples of the binder polymer include resins such as polyester, epoxy, acrylic, alkyd, polyvinyl acetate, rubber, urethane and phenol. As the backing material of the solar cell module of the present invention, if necessary, for example, various insulating resins, ceramics, glass, an insulating laminated metal substrate aluminum laminate film, silicon oxide, and metal fluorides and / or magnesium oxides. Polyethylene terephthalate, polycarbonate, polyethylene-2,6-naphthalene dicarboxylate, polysulfone, polyacrylate, polyether sulfone, polyarylate, polyetherimide, polyallyl sulfone, fluororesin film Are used.
【0023】[0023]
【発明の効果】本発明による蒸着薄膜層を施したプラス
チックフィルムの水蒸気透過度は10分の1に減少した
にも関わらず、光透過率の劣化は全く観測されず、太陽
電池セルの光入射面を被覆する材料としては理想的なも
のであった。[Effects of the Invention] Although the water vapor permeability of the plastic film provided with the vapor-deposited thin film layer according to the present invention was reduced to 1/10, no deterioration of the light transmittance was observed and the light incident on the solar cell was not observed. It was an ideal material for coating surfaces.
【0024】[0024]
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳しく説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。 (光透過率測定方法):400nmにおける光透過率を
分光光度計(日本分光社製,U−best30)を用
い、リファレンスを空気とし透過率を測定した。 (防湿性測定方法):ASTM F 1249に準拠
し、米国モダンコントロールズ社のPERMATRAN
−W−TWINを用いて水蒸気透過率を測定した。この
値が小さいほど、防湿性は優れている。 (太陽電池出力試験):作成された太陽電池モジュール
に対して、100mW/cm2の光照射を行い、起電力
出力を測定した。 (暴露試験):表面被覆された太陽電池モジュールを環
境試験機を用いて、AM1.5 100mW/cm2の
光を照射しながら、低温−40℃〜高温85℃、相対湿
度85%の条件で温湿度サイクルを10サイクル行い、
試験後の光起電力素子にAM1.5 100mW/cm
2の光照射を行い、起電力出力を測定した。 実施例1 厚さ25μの紫外線吸収剤練り込みポリエチレンテレフ
タレート(テトロンHB 帝人株式会社製)に特開平1
−252768に示される蒸発原料を連続的に供給排出
する方式の抵抗加熱方式の真空蒸着機を用い、一酸化け
い素とフッ化マグネシウムの90モル%対10モル%の
混合物を蒸着し、600オングストロームの薄膜を積層
させた。The present invention will be described in more detail with reference to the following examples, but the present invention is not limited thereto. (Light transmittance measuring method): The light transmittance at 400 nm was measured using a spectrophotometer (U-best30, manufactured by JASCO Corporation) with air as a reference. (Measurement method for moisture resistance): PERMATRAN manufactured by Modern Controls Inc. of the United States according to ASTM F 1249
The water vapor transmission rate was measured using -W-TWIN. The smaller this value, the better the moisture resistance. (Solar cell output test): The prepared solar cell module was irradiated with light of 100 mW / cm 2, and the electromotive force output was measured. (Exposure test): Under the conditions of low temperature -40 ° C to high temperature 85 ° C and relative humidity 85% while irradiating the surface-coated solar cell module with light of AM1.5 100 mW / cm 2 using an environmental tester. 10 cycles of temperature and humidity cycle
AM1.5 100mW / cm for photovoltaic device after test
The light irradiation of 2 was performed and the electromotive force output was measured. Example 1 Polyethylene terephthalate (manufactured by Tetoron HB Teijin Limited) having a thickness of 25 μm and kneaded with an ultraviolet absorber was used in JP-A-1.
Using a resistance heating type vacuum vapor deposition machine of the type which continuously supplies and discharges the evaporation raw material shown in -252768, a mixture of 90 mol% to 10 mol% of silicon monoxide and magnesium fluoride is vapor-deposited, and 600 angstrom Thin films were laminated.
【0025】このフィルムについて光透過率と防湿性を
測定した。結果を表1に示す。次に非晶質シリコン(a
−Si)の光起電力素子を作成した。洗浄した0.15
厚のステンレス基体にスパッタリング法を用いて、裏面
電極として、Al膜厚500nm、ZnO膜厚500n
mを順次形成した。次にプラズマCVD法により、Si
H4とPH3とH2からn型a−Si層を、SiH4とH 2
からi型a−Si層を、SiH4とBF3とH2からp型
微結晶μc−Si層を形成し、n層膜厚15nm/i層
膜厚400nm/p層膜厚10nm/n層膜厚10nm
/i層膜厚80nm/p層膜厚10nmの積層構成の半
導体層を形成した次に透明電極としてITOターゲット
をスパッタリングし、ITO膜700nmを形成した。This film has light transmittance and moisture resistance.
It was measured. Table 1 shows the results. Next, amorphous silicon (a
-Si) photovoltaic element was prepared. Washed 0.15
Back side of thick stainless steel substrate using sputtering method
As an electrode, Al film thickness 500 nm, ZnO film thickness 500 n
m were sequentially formed. Next, by the plasma CVD method, Si
HFourAnd PH3And H2From n-type a-Si layer to SiHFourAnd H 2
From i-type a-Si layer to SiHFourAnd BF3And H2To p-type
A microcrystalline μc-Si layer is formed, and the thickness of the n layer is 15 nm / i layer
Film thickness 400 nm / p layer film thickness 10 nm / n layer film thickness 10 nm
/ Half of laminated structure with i-layer thickness 80 nm / p-layer thickness 10 nm
After forming the conductor layer, an ITO target as a transparent electrode
Was sputtered to form an ITO film having a thickness of 700 nm.
【0026】ついで銀ペースト(東洋インキ製造株式会
社製 レックスボンドT−700)をスクリーン印刷機
で格子状に印刷した後、125℃で熱処理して集電電極
を形成し、非晶質シリコン光起電力素子を作成した。前
記、一酸化けい素とフッ化マグネシウムを積層した紫外
線吸収剤練り込みポリエチレンテレフタレートから所定
の大きさを切り出し、太陽電池モジュールの被覆材とし
て使用した。透明な接着剤として、架橋剤と紫外線吸収
剤を添加し成形したシート状EVAを用いた。背面材と
しては絶縁処理した亜鉛鋼板を用いた。Then, a silver paste (Lexbond T-700 manufactured by Toyo Ink Mfg. Co., Ltd.) was printed in a grid pattern by a screen printing machine and then heat-treated at 125 ° C. to form a collector electrode. A power device was created. A predetermined size was cut out from the polyethylene terephthalate kneaded with the ultraviolet absorber, in which silicon monoxide and magnesium fluoride were laminated, and used as a coating material for a solar cell module. As a transparent adhesive, a sheet-shaped EVA formed by adding a crosslinking agent and an ultraviolet absorber was used. An insulating treated zinc steel plate was used as the back material.
【0027】前記方法で作成した光起電力素子を所定の
出力が得られるように直並列接続した後に、紫外線吸収
剤練り込みポリエチレンテレフタレートフィルムの薄膜
層が、接着剤EVA102に接触するように配置して、
光入射から薄膜層を形成した紫外線吸収剤練り込みポリ
エチレンテレフタレートフィルム/EVA/光起電力素
子/EVA/絶縁処理した亜鉛鋼版を順に重ねた後、真
空ラミネーターにいれ、1Torr程度に真空排気して
大気圧の圧力をかけた状態で、140℃30分間加熱し
て太陽電池の表面被覆を施した。但し、太陽電池の出力
端子はあらかじめ背面材の亜鉛鋼板に出力端子用の孔を
開けておいて、取り出しておいた。The photovoltaic elements produced by the above method were connected in series and in parallel so as to obtain a predetermined output, and then the thin film layer of the polyethylene terephthalate film mixed with the ultraviolet absorber was arranged so as to contact the adhesive EVA 102. hand,
Ultraviolet absorbent kneaded polyethylene terephthalate film / EVA / photovoltaic element / EVA / insulating treated zinc steel plate laminated in this order from the light incident layer, then put in a vacuum laminator and evacuated to about 1 Torr The surface coating of the solar cell was performed by heating at 140 ° C. for 30 minutes under the atmospheric pressure. However, the output terminal of the solar cell was taken out by making a hole for the output terminal in the zinc steel plate of the back material in advance.
【0028】得られた表面被覆された太陽電池モジュー
ルについて太陽電池出力試験を行った。次に暴露試験を
行った。結果を表1に示す。 実施例2 厚さ12μの紫外線吸収剤練り込みポリエチレンナフタ
レート(テオネックス帝人株式会社製)に特開平1−2
52768号公報に示される蒸発原料を連続的に供給排
出する方式の抵抗加熱方式の真空蒸着機を用い、けい素
と二酸化けい素とフッ化カルシウムとフォルステライト
(混合比:45モル%/45モル%/8モル%/2モル
%の混合物を蒸着し、600オングストロームの薄膜を
積層させた。A solar cell output test was carried out on the obtained surface-coated solar cell module. Next, an exposure test was conducted. The results are shown in Table 1. Example 2 Polyethylene naphthalate (manufactured by Teonex Teijin Limited) having a thickness of 12 μm and kneaded with an ultraviolet absorber was added to JP-A 1-2.
Japanese Laid-Open Patent Publication No. 52768 discloses a vacuum evaporation machine of a resistance heating system that continuously supplies and discharges evaporation materials, and uses silicon, silicon dioxide, calcium fluoride, and forsterite (mixing ratio: 45 mol% / 45 mol). % / 8 mol% / 2 mol% mixture was evaporated to deposit a 600 angstrom thin film.
【0029】このフィルムについて光透過率と防湿性を
測定した。結果を表1に示す。太陽電池のモジュール化
や表面被覆の方法については実施例1と同様に行った。
得られた表面被覆された太陽電池モジュールについて太
陽電池出力試験を行った。次に暴露試験を行った。結果
を表1に示す。 比較例1 実施例1の一酸化けい素とフッ化マグネシウムの混合物
を真空蒸着は行わないで、後は実施例1全く同様に行っ
た。結果を表1に示す。 比較例2 実施例1の紫外線吸収剤練り込みポリエチレンテレフタ
レートを用い、一酸化けい素とフッ化マグネシウムの混
合物を真空蒸着の代わりに、一酸化けい素だけを600
オングストロームの薄膜をスパッタリングした。後は実
施例1全く同様に行った。結果を表1に示す。The light transmittance and moisture resistance of this film were measured. The results are shown in Table 1. The method of modularizing the solar cell and the surface coating were the same as in Example 1.
A solar cell output test was performed on the obtained surface-coated solar cell module. Next, an exposure test was conducted. The results are shown in Table 1. Comparative Example 1 The mixture of silicon monoxide and magnesium fluoride of Example 1 was not vacuum-deposited, and the same procedure was followed as in Example 1. The results are shown in Table 1. Comparative Example 2 Using the polyethylene terephthalate kneaded with the ultraviolet absorbent of Example 1, a mixture of silicon monoxide and magnesium fluoride was vacuum-deposited in place of vacuum vapor deposition.
An angstrom thin film was sputtered. The rest was the same as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【0030】比較例3 実施例1の紫外線吸収剤練り込みポリエチレンテレフタ
レートの代わりにフッ素樹脂フィルムであるETFEフ
ッ素樹脂フィルム(ダイキン製)を、また一酸化けい素
とフッ化マグネシウムの混合物を真空蒸着の代わりに、
一酸化けい素だけを600オングストロームの薄膜をス
パッタリングした。後は実施例1全く同様に行った。結
果を表1に示す。Comparative Example 3 An ETFE fluororesin film (made by Daikin) which is a fluororesin film was used in place of the polyethylene terephthalate kneaded with the ultraviolet absorbent of Example 1, and a mixture of silicon monoxide and magnesium fluoride was vacuum-deposited. instead of,
Only silicon monoxide was sputtered into a 600 angstrom thin film. The rest was the same as in Example 1. The results are shown in Table 1.
【0031】[0031]
【表1】 [Table 1]
Claims (5)
極層および集電電極を主体として構成される光起電力素
子を含む太陽電池セルの光入射面を被覆するプラスチッ
クフィルム(フッ素樹脂系フィルムを除く)の片面また
は両面に、真空薄膜形成技術によって、けい素酸化物
と、金属フッ化物及びまたはマグネシウム酸化物とから
なる薄膜層を形成してなる太陽電池モジュール。1. A plastic film (a fluororesin-based resin film) covering a light incident surface of a solar cell including a photovoltaic element mainly composed of a conductive substrate, a back electrode, a semiconductor layer, a transparent electrode layer and a current collecting electrode. A solar cell module having a thin film layer formed of silicon oxide and metal fluoride and / or magnesium oxide formed on one or both sides (excluding the film) by a vacuum thin film forming technique.
マグネシウム,フッ化カルシウムから選ばれる一種また
は二種以上である請求項1記載の太陽電池モジュール。2. The solar cell module according to claim 1, wherein the metal fluoride constituting the thin film layer is one or more selected from magnesium fluoride and calcium fluoride.
酸化マグネシウム,酸化マグネシウムと二酸化けい素と
の共酸化物及び酸化マグネシウムと金属フッ化物との複
合化合物から選ばれる一種または二種以上である請求項
1記載の太陽電池モジュール。3. A magnesium oxide constituting a thin film layer,
The solar cell module according to claim 1, which is one or more selected from the group consisting of magnesium oxide, a co-oxide of magnesium oxide and silicon dioxide, and a complex compound of magnesium oxide and metal fluoride.
クフィルムがポレエチレンテレフタレート,ポリカーボ
ネート,ポレエチレン−2,6−ナフタレンジカルボキ
シレート,ポリサルフォン,ポリアクリレート,ポリエ
ーテルサルフォン,ポリアリレート,ポリエーテルイミ
ド,ポリアリルサルフォンである請求項1記載の太陽電
池モジュール。4. A plastic film constituting a solar cell module is made of poly (ethylene terephthalate), polycarbonate, poly (ethylene-2,6-naphthalene dicarboxylate), polysulfone, polyacrylate, polyether sulfone, polyarylate, polyetherimide, polyallyl. The solar cell module according to claim 1, which is a sulfone.
クフィルムが紫外線吸収剤が混入及び/または塗布され
ている請求項1ないし4いずれか記載の太陽電池モジュ
ール。5. The solar cell module according to claim 1, wherein the plastic film forming the solar cell module is mixed and / or coated with an ultraviolet absorber.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP04390695A JP3293391B2 (en) | 1995-03-03 | 1995-03-03 | Solar cell module |
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