JPH08240911A - Radiation sensitive resin composition - Google Patents

Radiation sensitive resin composition

Info

Publication number
JPH08240911A
JPH08240911A JP7042742A JP4274295A JPH08240911A JP H08240911 A JPH08240911 A JP H08240911A JP 7042742 A JP7042742 A JP 7042742A JP 4274295 A JP4274295 A JP 4274295A JP H08240911 A JPH08240911 A JP H08240911A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acid
polymer
meth
radiation
weight
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP7042742A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tsutomu Shimokawa
努 下川
Makoto Sugiura
誠 杉浦
Masayuki Endo
昌之 遠藤
Nobuo Bessho
信夫 別所
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Japan Synthetic Rubber Co Ltd filed Critical Japan Synthetic Rubber Co Ltd
Priority to JP7042742A priority Critical patent/JPH08240911A/en
Publication of JPH08240911A publication Critical patent/JPH08240911A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Abstract

PURPOSE: To obtain a radiation sensitive resin compsn. hardly causing a change in the dimensions of a pattern and having superior focus latitude and heat resistant transparency by using a polymer contg. specified units each having a carboxyl group, a radiation sensitive acid generating compd. and a compd. having an acid-crosslinkable group. CONSTITUTION: This radiation sensitive resin compsn. contains a polymer contg. structural units each having at least one carboxyl group represented by formula I, an acid generating compd. which generates an acid when irradiated and a crosslinkable compd. having one or more groups which are crosslinked by the generated acid. In the formula I, each of R<1> -R<4> is H, 1-10C alkyl, 6-20C aryl, carboxyl or a group represented by formula II, III, IV, etc., and at least one of R<1> -R<4> is a group represented by the formula II, III, IV, etc. In the formula II-IV, each of n1-n3 is an integer of 1-5.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は感放射線性樹脂組成物に
関し、詳しくは紫外線、遠紫外線、X線、電子線、分子
線、γ線、シンクロトロン放射線、プロトンビーム等の
放射線に感応するネガ型レジストとして好適な感放射線
性樹脂組成物に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a radiation-sensitive resin composition, and more specifically, to negatives sensitive to radiation such as ultraviolet rays, deep ultraviolet rays, X-rays, electron beams, molecular beams, γ rays, synchrotron radiation, and proton beams. A radiation-sensitive resin composition suitable as a mold resist.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体産業の分野では、高集積化
の進行とともにパターンの微細化が要求されており、そ
のため、さらに解像度の高いパターンを形成することの
できるレジストの開発が盛んに行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, in the field of semiconductor industry, miniaturization of patterns has been required with the progress of high integration. Therefore, development of resists capable of forming patterns with higher resolution has been actively conducted. ing.

【0003】そして、ネガ型レジストとしては、ポリヒ
ドロキシスチレンやノボラック樹脂をベースに、放射線
を受けることにより酸を発生する酸発生化合物と、メチ
ロールメラミン、アルコキシメラミン等の架橋剤とが添
加されてなる化学増幅型ネガ型レジストが開発されてい
る。しかしながら、これらの化学増幅型ネガ型レジスト
は、例えば工程上の理由により、放射線を照射してか
ら、その後に行われる加熱処理(以下「PEB処理」と
もいう。)を行うまでの間の時間を変えたり、あるいは
PEB処理の加熱温度を変えることによって、得られる
パターンの寸法が著しく変化するという問題が指摘され
ている。更に、これらの化学増幅型ネガ型レジストは、
加熱処理を行うことにより変色するため、液晶カラーフ
ィルターの保護膜やマイクロレンズ等の光学材料に使用
することができないという欠点がある。
As the negative resist, an acid generating compound which generates an acid by receiving radiation and a cross-linking agent such as methylol melamine and alkoxy melamine are added based on polyhydroxystyrene or novolac resin. A chemically amplified negative resist has been developed. However, for these chemically amplified negative resists, for example, due to process reasons, the time between irradiation and subsequent heat treatment (hereinafter also referred to as “PEB treatment”) is performed. It has been pointed out that the size of the obtained pattern is remarkably changed by changing the temperature or the heating temperature of the PEB process. Furthermore, these chemically amplified negative resists are
There is a drawback that it cannot be used as an optical material such as a protective film of a liquid crystal color filter or a microlens because the color changes due to heat treatment.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、以上のよう
な事情に基づいてなされたものであって、その目的は、
放射線を照射してからPEB処理を行うまでの時間の長
さや、PEB処理の加熱温度の如何によらず、得られる
パターンの寸法の変化が小さく、優れたフォーカス許容
性および耐熱透明性を有する感放射線性樹脂組成物を提
供することにある。本発明の他の目的は、感度が高く、
優れた保存安定性を有し、しかも、解像度および残膜率
が高く、耐熱性、基板との密着性に優れたパターンを形
成することができる感放射線性樹脂組成物を提供するこ
とにある。
The present invention has been made based on the above circumstances, and its purpose is to:
Regardless of the length of time from the irradiation of radiation to the PEB treatment or the heating temperature of the PEB treatment, the dimensional change of the obtained pattern is small, and it has excellent focus tolerance and heat-resistant transparency. It is to provide a radioactive resin composition. Another object of the present invention is high sensitivity,
It is an object of the present invention to provide a radiation-sensitive resin composition having excellent storage stability, high resolution and high residual film rate, and capable of forming a pattern having excellent heat resistance and adhesion to a substrate.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明の感放射線性樹脂
組成物は、下記式(1)で表されるカルボキシル基含有
構造単位を含む重合体よりなる(A)成分と、放射線を
受けることにより酸を発生する酸発生化合物よりなる
(B)成分と、前記(B)成分より発生した酸の作用に
より架橋されうる基を少なくとも1個以上有する化合物
よりなる(C)成分とを含有することを特徴とする。
The radiation-sensitive resin composition of the present invention receives a component (A) composed of a polymer containing a carboxyl group-containing structural unit represented by the following formula (1) and radiation. Component (B) comprising an acid-generating compound which generates an acid by the above, and component (C) comprising a compound having at least one group capable of being crosslinked by the action of the acid generated from the component (B). Is characterized by.

【0006】[0006]

【化2】 Embedded image

【0007】以下、本発明の感放射線性樹脂組成物につ
いて具体的に説明する。本発明の感放射線性樹脂組成物
は、特定の重合体よりなる(A)成分と、放射線を受け
ることにより酸を発生する酸発生化合物よりなる(B)
成分と、この(B)成分から発生した酸の作用により架
橋されうる基を少なくとも1個以上有する化合物(以
下、「架橋性化合物」という。)よりなる(C)成分と
を含有してなるものである。
The radiation-sensitive resin composition of the present invention will be specifically described below. The radiation-sensitive resin composition of the present invention comprises a component (A) composed of a specific polymer and an acid-generating compound (B) which generates an acid upon receiving radiation.
What contains the component and the (C) component which consists of a compound (henceforth a "crosslinkable compound") which has at least one group which can be crosslinked by the action of the acid generated from this (B) component. Is.

【0008】<(A)成分>(A)成分として用いられ
る重合体(以下、「特定重合体」という。)は、上記式
(1)で表されるカルボキシル基含有構造単位(以下、
「特定カルボキシル基含有構造単位」という。)を必須
の構造単位として有するものであり、この特定カルボキ
シル基含有構造単位のみを繰り返し単位として有する重
合体であっても、特定カルボキシル基含有構造単位と他
の構造単位とを有する重合体であってもよい。
<Component (A)> The polymer (hereinafter referred to as “specific polymer”) used as the component (A) is a carboxyl group-containing structural unit represented by the above formula (1) (hereinafter, referred to as “specific polymer”).
It is referred to as "a specific carboxyl group-containing structural unit". ) As an essential structural unit, even a polymer having only this specific carboxyl group-containing structural unit as a repeating unit is a polymer having a specific carboxyl group-containing structural unit and another structural unit. May be.

【0009】特定カルボキシル基含有構造単位は、下記
式(4)で表される単量体(以下、「特定単量体」とい
う。)の重合性二重結合が開裂したものである。
The specific carboxyl group-containing structural unit is obtained by cleaving the polymerizable double bond of the monomer represented by the following formula (4) (hereinafter referred to as "specific monomer").

【0010】[0010]

【化3】 Embedded image

【0011】上記特定単量体の具体例としては、3−ブ
テン酸、4−ペンテン酸、イタコン酸等の式(2a)で
表される基を有する不飽和カルボン酸類または不飽和ジ
カルボン酸類;(メタ)アクリロイルオキシ酢酸、3−
(メタ)アクリロイルオキシプロピオン酸、2−(メ
タ)アクリロイルオキシプロピオン酸、4−(メタ)ア
クリロイルオキシブタン酸等の式(2b)で表される基
を有するヒドロキシ脂肪酸の(メタ)アクリレート類;
4−(メタ)アクリロイルオキシ安息香酸、3−(メ
タ)アクリロイルオキシ安息香酸、2−(メタ)アクリ
ロイルオキシ安息香酸、4−(メタ)アクリロイルオキ
シフタル酸、3−(メタ)アクリロイルオキシフタル
酸、4−(メタ)アクリロイルオキシイソフタル酸、5
−(メタ)アクリロイルオキシイソフタル酸、2−(メ
タ)アクリロイルオキシテレフタル酸等の式(2c)で
表される基を有する芳香族ヒドロキシカルボン酸の(メ
タ)アクリレート類;コハク酸モノ(2−(メタ)アク
リロイルオキシ)エチル、フタル酸モノ(2−(メタ)
アクリロイルオキシ)エチル、イソフタル酸モノ(2−
(メタ)アクリロイルオキシ)エチル、テレフタル酸モ
ノ(2−(メタ)アクリロイルオキシ)エチル、テトラ
ヒドロフタル酸モノ(2−(メタ)アクリロイルオキ
シ)エチル、テトラヒドロイソフタル酸モノ(2−(メ
タ)アクリロイルオキシ)エチル、テトラヒドロテレフ
タル酸モノ(2−(メタ)アクリロイルオキシ)エチル
等の式(2d)で表される基を有するジカルボン酸のモ
ノ(メタ)アクリロイルオキシエチルエステル類;
Specific examples of the specific monomer include unsaturated carboxylic acids or unsaturated dicarboxylic acids having a group represented by the formula (2a) such as 3-butenoic acid, 4-pentenoic acid and itaconic acid; (Meth) acryloyloxyacetic acid, 3-
(Meth) acrylates of hydroxy fatty acid having a group represented by the formula (2b) such as (meth) acryloyloxypropionic acid, 2- (meth) acryloyloxypropionic acid, and 4- (meth) acryloyloxybutanoic acid;
4- (meth) acryloyloxybenzoic acid, 3- (meth) acryloyloxybenzoic acid, 2- (meth) acryloyloxybenzoic acid, 4- (meth) acryloyloxyphthalic acid, 3- (meth) acryloyloxyphthalic acid, 4- (meth) acryloyloxyisophthalic acid, 5
-(Meth) acryloyloxyisophthalic acid, 2- (meth) acryloyloxyterephthalic acid, and the like (meth) acrylates of an aromatic hydroxycarboxylic acid having a group represented by the formula (2c); succinic acid mono (2- ( (Meth) acryloyloxy) ethyl, phthalic acid mono (2- (meth))
Acryloyloxy) ethyl, isophthalic acid mono (2-
(Meth) acryloyloxy) ethyl, terephthalic acid mono (2- (meth) acryloyloxy) ethyl, tetrahydrophthalic acid mono (2- (meth) acryloyloxy) ethyl, tetrahydroisophthalic acid mono (2- (meth) acryloyloxy) Mono (meth) acryloyloxyethyl esters of dicarboxylic acids having a group represented by formula (2d) such as ethyl and tetrahydroterephthalic acid mono (2- (meth) acryloyloxy) ethyl;

【0012】4−(4’−ビニルベンジルオキシ)安息
香酸、4−(3’−ビニルベンジルオキシ)安息香酸、
4−(2’−ビニルベンジルオキシ)安息香酸、4−
(3’−ビニルベンジルオキシ)フェニル酢酸、4−
(3’−ビニルベンジルオキシ)フェニル酢酸、4−
(2’−ビニルベンジルオキシ)フェニル酢酸、フタル
酸モノ−4’−ビニルベンジル、フタル酸モノ−3’−
ビニルベンジル、フタル酸モノ−2’−ビニルベンジ
ル、イソフタル酸モノ−4’−ビニルベンジル、イソフ
タル酸モノ−3’−ビニルベンジル、イソフタル酸モノ
−2’−ビニルベンジル、テトラヒドロフタル酸モノ−
4’−ビニルベンジル、テトラヒドロフタル酸モノ−
3’−ビニルベンジル、テトラヒドロフタル酸モノ−
2’−ビニルベンジル、コハク酸モノ−4−ビニルベン
ジル、コハク酸モノ−3−ビニルベンジル、コハク酸モ
ノ−2−ビニルベンジル、1,2,3−ベンゼントリカ
ルボン酸モノ−4’−ビニルベンジル、1,2,4−ベ
ンゼントリカルボン酸モノ−4’−ビニルベンジル、
1,3,5−ベンゼントリカルボン酸モノ−4’−ビニ
ルベンジル、1,2,3−ベンゼントリカルボン酸モノ
−3’−ビニルベンジル、1,2,4−ベンゼントリカ
ルボン酸モノ−3’−ビニルベンジル、1,3,5−ベ
ンゼントリカルボン酸モノ−3’−ビニルベンジル、
1,2,3−ベンゼントリカルボン酸モノ−2’−ビニ
ルベンジル、1,2,4−ベンゼントリカルボン酸モノ
−2’−ビニルベンジル、1,3,5−ベンゼントリカ
ルボン酸モノ−2’−ビニルベンジル等の式(2e)で
表される基を有するビニルベンジルエーテルまたはビニ
ルベンジルエステル類;イタコン酸のモノメチル、モノ
エチル、モノプロピル、モノ−i−プロピル、モノブチ
ル、モノ−sec−ブチル、モノ−tert−ブチル等
の式(2f)で表される基およびカルボキシル基を有す
る不飽和カルボン酸のモノアルキルエステルが挙げられ
る。
4- (4'-vinylbenzyloxy) benzoic acid, 4- (3'-vinylbenzyloxy) benzoic acid,
4- (2'-vinylbenzyloxy) benzoic acid, 4-
(3'-Vinylbenzyloxy) phenylacetic acid, 4-
(3'-Vinylbenzyloxy) phenylacetic acid, 4-
(2'-Vinylbenzyloxy) phenylacetic acid, phthalic acid mono-4'-vinylbenzyl, phthalic acid mono-3'-
Vinylbenzyl, mono-2'-vinylbenzyl phthalate, mono-4'-vinylbenzyl isophthalate, mono-3'-vinylbenzyl isophthalate, mono-2'-vinylbenzyl isophthalate, tetrahydrophthalic acid mono-
4'-Vinylbenzyl, tetrahydrophthalic acid mono-
3'-Vinylbenzyl, tetrahydrophthalic acid mono-
2'-vinylbenzyl, mono-4-vinylbenzyl succinate, mono-3-vinylbenzyl succinate, mono-2-vinylbenzyl succinate, mono-4'-vinylbenzyl 1,2,3-benzenetricarboxylic acid, 1,4,4-benzenetricarboxylic acid mono-4′-vinylbenzyl,
1,3,5-benzenetricarboxylic acid mono-4'-vinylbenzyl, 1,2,3-benzenetricarboxylic acid mono-3'-vinylbenzyl, 1,2,4-benzenetricarboxylic acid mono-3'-vinylbenzyl , 3,3,5-benzenetricarboxylate mono-3′-vinylbenzyl,
1,2,3-benzenetricarboxylic acid mono-2'-vinylbenzyl, 1,2,4-benzenetricarboxylic acid mono-2'-vinylbenzyl, 1,3,5-benzenetricarboxylic acid mono-2'-vinylbenzyl Vinyl benzyl ether or vinyl benzyl ester having a group represented by formula (2e) such as; monomethyl, monoethyl, monopropyl, mono-i-propyl, monobutyl, mono-sec-butyl, mono-tert-itaconic acid. Examples thereof include monoalkyl esters of unsaturated carboxylic acids having a group represented by the formula (2f) such as butyl and a carboxyl group.

【0013】これらの中では、不飽和ジカルボン酸類と
しては、イタコン酸;不飽和ジカルボン酸のモノエステ
ル類としては、イタコン酸のモノメチル、モノエチル、
モノプロピル若しくはモノ−i−プロピル、モノブチル
エステル;ヒドロキシ脂肪酸のメタクリレートまたはア
クリレート類としては、(メタ)アクリロイルオキシ酢
酸、3−(メタ)アクリロイルオキシプロピオン酸また
は2−(メタ)アクリロイルオキシプロピオン酸;芳香
族ヒドロキシカルボン酸のメタクリレートまたはアクリ
レート類としては、4−(メタ)アクリロイルオキシ安
息香酸;ジカルボン酸のモノメタクリロイルオキシエチ
ルエステルまたはモノアクリロイルオキシエチルエステ
ル類としては、コハク酸モノ(2−(メタ)アクリロイ
ルオキシ)エチル、フタル酸モノ(2−(メタ)アクリ
ロイルオキシ)エチルまたはテトラヒドロテレフタル酸
モノ(2−(メタ)アクリロイルオキシ)エチル;カル
ボキシル基含有ビニルベンジルエーテルまたはエステル
類としては、4−(4’−ビニルベンジルオキシ)安息
香酸、4−(4’−ビニルベンジルオキシ)フェニル酢
酸、フタル酸モノ−4’−ビニルベンジル、コハク酸モ
ノ−4−ビニルベンジル、1,2,3−ベンゼントリカ
ルボン酸モノ−4’−ビニルベンジル、1,2,4−ベ
ンゼントリカルボン酸モノ−4’−ビニルベンジルまた
は1,3,5−ベンゼントリカルボン酸モノ−4’−ビ
ニルベンジルをそれぞれ好ましいものとして挙げること
ができる。特定重合体は、これらの特定単量体の重合性
二重結合が開裂した構造単位を1種または2種以上有す
るものであってもよい。
Of these, unsaturated dicarboxylic acids are itaconic acid; unsaturated dicarboxylic acid monoesters are itaconic acid monomethyl, monoethyl,
Monopropyl or mono-i-propyl, monobutyl ester; as methacrylates or acrylates of hydroxy fatty acid, (meth) acryloyloxyacetic acid, 3- (meth) acryloyloxypropionic acid or 2- (meth) acryloyloxypropionic acid; As the methacrylate or acrylate of aromatic hydroxycarboxylic acid, 4- (meth) acryloyloxybenzoic acid; as the monomethacryloyloxyethyl ester or monoacryloyloxyethyl ester of dicarboxylic acid, succinic acid mono (2- (meth)) is used. Acryloyloxy) ethyl, mono (2- (meth) acryloyloxy) ethyl phthalate or mono (2- (meth) acryloyloxy) ethyl tetrahydroterephthalate; carboxyl group-containing vinyl Examples of the rubenzyl ethers or esters include 4- (4′-vinylbenzyloxy) benzoic acid, 4- (4′-vinylbenzyloxy) phenylacetic acid, mono-4′-vinylbenzyl phthalate, and mono-4 succinate. -Vinylbenzyl, 1,4,3-benzenetricarboxylic acid mono-4'-vinylbenzyl, 1,2,4-benzenetricarboxylic acid mono-4'-vinylbenzyl or 1,3,5-benzenetricarboxylic acid mono-4 '-Vinylbenzyl can be mentioned as a preferred one. The specific polymer may have one or more structural units in which the polymerizable double bonds of these specific monomers are cleaved.

【0014】特定重合体においては、透明性、アルカリ
溶解度の調整、耐熱性、耐水性、耐溶媒性、密着性等の
改善を目的として、特定カルボキシル基含有構造単位と
共に他の構造単位を有していてもよい。他の構造単位と
しては、特定単量体と共重合可能な共重合性単量体(以
下、単に「共重合性単量体」という。)、例えば不飽和
酸無水物、エポキシ基含有不飽和化合物、またはその他
のラジカル重合性化合物の重合性二重結合が開裂した構
造単位を挙げることができる。
The specific polymer has another structural unit in addition to the specific carboxyl group-containing structural unit for the purpose of improving transparency, alkali solubility adjustment, heat resistance, water resistance, solvent resistance, adhesion and the like. May be. Other structural units include copolymerizable monomers (hereinafter simply referred to as “copolymerizable monomers”) copolymerizable with a specific monomer, such as unsaturated acid anhydrides and epoxy group-containing unsaturated compounds. A structural unit in which a polymerizable double bond of a compound or other radically polymerizable compound is cleaved can be mentioned.

【0015】上記不飽和酸無水物の具体例としては、無
水マレイン酸、無水イタコン酸、無水シトラコン酸、無
水ムコン酸、3−ビニルフタル酸無水物、4−ビニルフ
タル酸無水物、メチル−5−ノルボルネン2,3−ジカ
ルボン酸無水物、5−ノルボルネン−2,3−ジカルボ
ン酸無水物、3,4,5,6−テトラヒドロフタル酸無
水物、cis−1,2,3,6−テトラヒドロフタル酸
無水物、ジメチルテトラヒドロ無水フタル酸等を挙げる
ことができる。
Specific examples of the unsaturated acid anhydrides include maleic anhydride, itaconic anhydride, citraconic anhydride, muconic anhydride, 3-vinylphthalic anhydride, 4-vinylphthalic anhydride and methyl-5-norbornene. 2,3-dicarboxylic anhydride, 5-norbornene-2,3-dicarboxylic anhydride, 3,4,5,6-tetrahydrophthalic anhydride, cis-1,2,3,6-tetrahydrophthalic anhydride And dimethyltetrahydrophthalic anhydride.

【0016】上記エポキシ基含有不飽和化合物の具体例
としては、グリシジル(メタ)アクリレート、α−エチ
ルグリシジル(メタ)アクリレート、α−n−プロピル
グリシジル(メタ)アクリレート、α−n−ブチルグリ
シジル(メタ)アクリレート、3,4−エポキシブチル
(メタ)アクリレート、3,4−エポキシヘプチル(メ
タ)アクリレート、α−エチル−6,7−エポキシヘプ
チル(メタ)アクリレート等のエポキシ基含有(メタ)
アクリレート類;アリルグリシジルエーテル、2−ビニ
ルシクロヘキセンオキサイド、3−ビニルシクロヘキセ
ンオキサイド、4−ビニルシクロヘキセンオキサイド等
のエポキシ基含有不飽和脂肪族化合物類;ビニルグリシ
ジルエーテル、2−ビニルベンジルグリシジルエーテ
ル、3−ビニルベンジルグリシジルエーテル、4−ビニ
ルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−2−ビニ
ルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−3−ビニ
ルベンジルグリシジルエーテル、α−メチル−4−ビニ
ルベンジルグリシジルエーテル、2,3−ジグリシジル
オキシメチルスチレン、2,4−ジグリシジルオキシメ
チルスチレン、2,5−ジグリシジルオキシメチルスチ
レン、2,6−ジグリシジルオキシメチルスチレン、
2,3,4−トリグリシジルオキシメチルスチレン、
2,3,5−トリグリシジルオキシメチルスチレン、
2,3,6−トリグリシジルオキシメチルスチレン、
3,4,5−トリグリシジルオキシメチルスチレン、
2,4,6−トリグリシジルオキシメチルスチレン等の
グリシジルエーテル類を挙げることができる。
Specific examples of the epoxy group-containing unsaturated compound include glycidyl (meth) acrylate, α-ethylglycidyl (meth) acrylate, α-n-propylglycidyl (meth) acrylate and α-n-butylglycidyl (meth). ) Epoxy group-containing (meth) such as acrylate, 3,4-epoxybutyl (meth) acrylate, 3,4-epoxyheptyl (meth) acrylate, α-ethyl-6,7-epoxyheptyl (meth) acrylate
Acrylates; epoxy group-containing unsaturated aliphatic compounds such as allyl glycidyl ether, 2-vinylcyclohexene oxide, 3-vinylcyclohexene oxide, 4-vinylcyclohexene oxide; vinylglycidyl ether, 2-vinylbenzylglycidyl ether, 3-vinyl Benzyl glycidyl ether, 4-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-2-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-3-vinyl benzyl glycidyl ether, α-methyl-4-vinyl benzyl glycidyl ether, 2,3-diglycidyl Oxymethylstyrene, 2,4-diglycidyloxymethylstyrene, 2,5-diglycidyloxymethylstyrene, 2,6-diglycidyloxymethylstyrene,
2,3,4-triglycidyloxymethylstyrene,
2,3,5-triglycidyloxymethylstyrene,
2,3,6-triglycidyloxymethylstyrene,
3,4,5-triglycidyloxymethylstyrene,
Examples thereof include glycidyl ethers such as 2,4,6-triglycidyloxymethylstyrene.

【0017】上記その他のラジカル重合性化合物の具体
例としては、スチレン、α−メチルスチレン、2−メチ
ルスチレン、3−メチルスチレン、4−メチルスチレ
ン、ブタジエン、2,3−ジメチルブタジエン、イソプ
レン等のオレフィン類;p−メトキシスチレン、p−t
ert−ブトキシスチレン、クロロメチルスチレン等の
置換スチレン類;(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)
アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸プロピル、(メ
タ)アクリル酸−i−プロピル、(メタ)アクリル酸ブ
チル、(メタ)アクリル酸−sec−ブチル、(メタ)
アクリル酸−tert−ブチル、(メタ)アクリル酸−
2−エチルヘキシル、(メタ)アクリル酸ラウリル、
(メタ)アクリル酸ドデシル、(メタ)アクリル酸ジシ
クロペンタニル、(メタ)アクリル酸イソボロニル、
(メタ)アクリル酸シクロヘキシル、(メタ)アクリル
酸−2−メチルシクロヘキシル、(メタ)アクリル酸ジ
シクロヘキシル、(メタ)アクリル酸アダマンチル、
(メタ)アクリル酸アリル、(メタ)アクリル酸プロパ
ギル、(メタ)アクリル酸フェニル、(メタ)アクリル
酸ナフチル、(メタ)アクリル酸アントラセニル、(メ
タ)アクリル酸シクロペンチル、(メタ)アクリル酸フ
リル、(メタ)アクリル酸テトラヒドロフリル、(メ
タ)アクリル酸ピラニル、(メタ)アクリル酸ベンジ
ル、(メタ)アクリル酸フェネシル、(メタ)アクリル
酸クレシル、(メタ)アクリル酸−1,1,1−トリフ
ルオロエチル、(メタ)アクリル酸パーフルオロエチ
ル、(メタ)アクリル酸パーフルオロ−n−プロピル、
(メタ)アクリル酸パーフルオロ−i−プロピル、(メ
タ)アクリル酸トリフェニルメチル、(メタ)アクリル
酸クミル等の(メタ)アクリル酸エステル類;(メタ)
アクリル酸アミド、(メタ)アクリル酸−N,N−ジメ
チルアミド、(メタ)アクリル酸−N,N−ジプロピル
アミド、(メタ)アクリル酸アニリド等の(メタ)アク
リル酸アミド類;アクリロニトリル、アクロレイン、メ
タクリロニトリル、塩化ビニル、塩化ビニリデン、N−
ビニルピロリドン、酢酸ビニル等の化合物を挙げること
ができる。
Specific examples of the above other radically polymerizable compounds include styrene, α-methylstyrene, 2-methylstyrene, 3-methylstyrene, 4-methylstyrene, butadiene, 2,3-dimethylbutadiene and isoprene. Olefins; p-methoxystyrene, pt
Substituted styrenes such as ert-butoxystyrene, chloromethylstyrene; methyl (meth) acrylate, (meth)
Ethyl acrylate, propyl (meth) acrylate, i-propyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, sec-butyl (meth) acrylate, (meth)
Acrylic acid-tert-butyl, (meth) acrylic acid-
2-ethylhexyl, lauryl (meth) acrylate,
Dodecyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate,
Cyclohexyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, dicyclohexyl (meth) acrylate, adamantyl acrylate (meth),
Allyl (meth) acrylate, propargyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, naphthyl (meth) acrylate, anthracenyl (meth) acrylate, cyclopentyl (meth) acrylate, furyl (meth) acrylate, ( Tetrahydrofuryl (meth) acrylate, pyranyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, phenesyl (meth) acrylate, cresyl (meth) acrylate, 1,1,1-trifluoroethyl (meth) acrylate , (Meth) acrylate perfluoroethyl, (meth) acrylate perfluoro-n-propyl,
(Meth) acrylates such as perfluoro-i-propyl (meth) acrylate, triphenylmethyl (meth) acrylate, cumyl (meth) acrylate;
(Meth) acrylic acid amides such as acrylic acid amide, (meth) acrylic acid-N, N-dimethylamide, (meth) acrylic acid-N, N-dipropylamide, (meth) acrylic acid anilide; acrylonitrile, acrolein , Methacrylonitrile, vinyl chloride, vinylidene chloride, N-
Examples thereof include compounds such as vinylpyrrolidone and vinyl acetate.

【0018】これらの中では、不飽和酸無水物として
は、無水マレイン酸、無水イタコン酸または無水シトラ
コン酸;エポキシ基含有不飽和化合物としては、グリシ
ジル(メタ)アクリレート、m−ビニルベンジルグリシ
ジルエーテルまたはp−ビニルベンジルグリシジルエー
テル;その他のラジカル重合性化合物としては、スチレ
ン、α−メチルスチレン、p−tert−ブトキシスチ
レン、ブタジエン、(メタ)アクリル酸メチル、(メ
タ)アクリル酸−tert−ブチル、(メタ)アクリル
酸ジシクロペンタニル、(メタ)アクリル酸ベンジルま
たはN−ビニルピロリドンを好ましいものとして挙げる
ことができる。これらの共重合性単量体は単独でまたは
2種類以上を組み合わせて用いることができる。
Among them, the unsaturated acid anhydride is maleic anhydride, itaconic anhydride or citraconic anhydride; the epoxy group-containing unsaturated compound is glycidyl (meth) acrylate, m-vinylbenzyl glycidyl ether or p-vinylbenzyl glycidyl ether; other radically polymerizable compounds include styrene, α-methylstyrene, p-tert-butoxystyrene, butadiene, methyl (meth) acrylate, -tert-butyl (meth) acrylate, ( Preference is given to dicyclopentanyl methacrylate, benzyl (meth) acrylate or N-vinylpyrrolidone. These copolymerizable monomers can be used alone or in combination of two or more kinds.

【0019】特定重合体における他の構造単位の割合
は、90重量%以下、特に80重量%以下であることが
好ましい。この割合が90重量%を超える場合には、当
該重合体は、特定カルボキシル基含有構造単位の割合が
小さいものとなるため、アルカリ溶解度が低下し、しか
も、十分な架橋密度が得られず、感度や残膜率が低下す
る場合がある。
The proportion of other structural units in the specific polymer is preferably 90% by weight or less, and particularly preferably 80% by weight or less. When this ratio exceeds 90% by weight, the polymer has a small ratio of the specific carboxyl group-containing structural unit, so that the alkali solubility is lowered, and moreover, sufficient crosslink density cannot be obtained, and the sensitivity is lowered. And the residual film rate may decrease.

【0020】特定重合体は、通常、特定単量体、または
特定単量体と共重合性単量体とを、重合溶媒中でラジカ
ル重合することにより製造される。また、必要に応じ
て、特定単量体および共重合性単量体の官能基を保護し
た状態でこれらを重合し、その後、脱保護処理を行って
もよい。
The specific polymer is usually produced by radical polymerization of a specific monomer or a specific monomer and a copolymerizable monomer in a polymerization solvent. In addition, if necessary, these may be polymerized in a state where the functional groups of the specific monomer and the copolymerizable monomer are protected, and then deprotection treatment may be performed.

【0021】特定重合体を製造するために用いられる重
合溶媒としては、例えばメチルアルコール、エチルアル
コール、プロピルアルコール、ブチルアルコール等のア
ルコール類;テトラヒドロフラン、ジオキサン等の環状
エーテル類;ベンゼン、トルエン、キシレン等の芳香族
炭化水素類;N,N−ジメチルホルムアミド、N−メチ
ル−2−ピロリドン等のアミド系プロトン性極性溶媒;
酢酸エチル、酢酸ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル
等のエステル類;3−メトキシプロピオン酸メチル、2
−メトキシプロピオン酸メチル、3−メトキシプロピオ
ン酸エチル、2−メトキシプロピオン酸エチル、3−エ
トキシプロピオン酸エチル、2−エトキシプロピオン酸
エチル等のアルコキシエステル類;エチレングリコール
ジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエー
テル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチ
レングリコールメチルエチルエーテル、プロピレングリ
コールジメチルエーテル、ジプロピレングリコールジメ
チルエーテル等の(ジ)グリコールジアルキルエステル
類;エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレン
グリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコール
モノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチル
エーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、
プロピレングリコールモノエチルエーテル、ジプロピレ
ングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコ
ールモノエチルエーテル等の(ジ)グリコールモノアル
キルエーテル類;プロピレングリコールモノメチルエー
テルアセテート、カルビトールアセテート、エチルセロ
ソルブアセテート等のグリコールモノアルキルエーテル
エステル類;シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、
メチルイソブチルケトン、2−ヘプタノン等のケトン類
を挙げることができる。これらの重合溶媒は単独でまた
は2種類以上を組み合わせて用いることができる。
Examples of the polymerization solvent used for producing the specific polymer include alcohols such as methyl alcohol, ethyl alcohol, propyl alcohol and butyl alcohol; cyclic ethers such as tetrahydrofuran and dioxane; benzene, toluene, xylene and the like. Aromatic hydrocarbons; amide-based protic polar solvents such as N, N-dimethylformamide and N-methyl-2-pyrrolidone;
Esters such as ethyl acetate, butyl acetate, isoamyl acetate, ethyl lactate; methyl 3-methoxypropionate, 2
-Alkoxy esters such as methyl methoxypropionate, ethyl 3-methoxypropionate, ethyl 2-methoxypropionate, ethyl 3-ethoxypropionate, ethyl 2-ethoxypropionate; ethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol dimethyl ether, diethylene glycol diethyl ether, (Di) glycol dialkyl esters such as diethylene glycol methyl ethyl ether, propylene glycol dimethyl ether, dipropylene glycol dimethyl ether; ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, propylene glycol monomethyl ether,
(Di) glycol monoalkyl ethers such as propylene glycol monoethyl ether, dipropylene glycol monomethyl ether, dipropylene glycol monoethyl ether; glycol monoalkyl ether esters such as propylene glycol monomethyl ether acetate, carbitol acetate, ethyl cellosolve acetate Cyclohexanone, methyl ethyl ketone,
Examples thereof include ketones such as methyl isobutyl ketone and 2-heptanone. These polymerization solvents can be used alone or in combination of two or more kinds.

【0022】重合溶媒と反応原料との割合は特に限定さ
れるものではないが、通常、反応原料100重量部に対
して重合溶媒20〜1000重量部である。
The ratio of the polymerization solvent and the reaction raw material is not particularly limited, but is usually 20 to 1000 parts by weight of the polymerization solvent with respect to 100 parts by weight of the reaction raw material.

【0023】ラジカル重合のための重合開始剤として
は、例えば2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、
2,2’−アゾビス−(2,4−メチルバレロニトリ
ル)、2,2’−アゾビス(4−メトキシ−2,4−ジ
メチルバレロニトリル)等のアゾ化合物、ベンゾイルパ
ーオキシド、ラウロイルパーオキシド、tert−ブチ
ルパーオキシピバレート、1,1−ビス−(tert−
ブチルパーオキシ)シクロヘキサン等の有機過酸化物ま
たは過酸化水素を挙げることができる。過酸化物を重合
開始剤として使用する場合には、これと還元剤とを組み
合わせてレドックス系重合開始剤として使用してもよ
い。
Examples of the polymerization initiator for radical polymerization include 2,2'-azobisisobutyronitrile,
Azo compounds such as 2,2′-azobis- (2,4-methylvaleronitrile) and 2,2′-azobis (4-methoxy-2,4-dimethylvaleronitrile), benzoyl peroxide, lauroyl peroxide, tert. -Butyl peroxypivalate, 1,1-bis- (tert-
There may be mentioned organic peroxides such as butylperoxy) cyclohexane or hydrogen peroxide. When a peroxide is used as a polymerization initiator, it may be used as a redox polymerization initiator in combination with a reducing agent.

【0024】特定重合体は、そのポリスチレン換算重量
平均分子量が、通常、1000〜20000、好ましく
は2000〜70000のものである。ポリスチレン換
算重量平均分子量が1000未満の特定重合体を用いる
場合には、得られるパターンの形状が不良なものとなっ
たり、パターンの残膜率が低下したり、パターンの耐熱
性が低下したりする場合がある。一方、ポリスチレン換
算重量平均分子量が20000を超える特定重合体を用
いる場合には、当該感放射線性樹脂組成物の塗布性が不
良なものとなったり、現像性が低下したり、また、得ら
れるパターンの形状が不良なものとなったりする場合が
ある。
The specific polymer has a polystyrene-converted weight average molecular weight of usually 1,000 to 20,000, preferably 2,000 to 70,000. When a specific polymer having a polystyrene-reduced weight average molecular weight of less than 1000 is used, the shape of the obtained pattern becomes poor, the residual film rate of the pattern decreases, or the heat resistance of the pattern decreases. There are cases. On the other hand, when a specific polymer having a polystyrene-reduced weight average molecular weight of more than 20,000 is used, the radiation-sensitive resin composition may have poor coatability or developability, and the resulting pattern The shape of may become defective.

【0025】<(B)成分>(B)成分である放射線を
受けることにより酸を発生する酸発生化合物としては、
例えばトリクロロメチル−s−トリアジン類、ジアリー
ルヨードニウム塩類、トリアリールスルホニウム塩類等
を用いることができる。
<Component (B)> As the acid-generating compound which generates an acid upon receiving the radiation which is the component (B),
For example, trichloromethyl-s-triazines, diaryliodonium salts, triarylsulfonium salts and the like can be used.

【0026】上記トリクロロメチル−s−トリアジン類
としては、例えばトリス(2,4,6−トリクロロメチ
ル)−s−トリアジン、2−フェニル−ビス(4,6−
トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−クロ
ロフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s
−トリアジン、2−(3−クロロフェニル)−ビス
(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−
(2−クロロフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメ
チル)−s−トリアジン、2−(4−メトキシフェニ
ル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリア
ジン、2−(3−メトキシフェニル)−ビス(4,6−
トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メト
キシフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−
s−トリアジン、2−(4−メチルチオフェニル)−ビ
ス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2
−(3−メチルチオフェニル)−ビス(4,6−トリク
ロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メチルチオ
フェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−
トリアジン、2−(4−メトキシナフチル)−ビス
(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−
(3−メトキシナフチル)−ビス(4,6−トリクロロ
メチル)−s−トリアジン、2−(2−メトキシナフチ
ル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリア
ジン、2−(4−メトキシ−β−スチリル)−ビス
(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−
(3−メトキシ−β−スチリル)−ビス(4,6−トリ
クロロメチル)−s−トリアジン、2−(2−メトキシ
−β−スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)
−s−トリアジン、2−(3,4,5−トリメトキシ−
β−スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−
s−トリアジン、2−(4−メチルチオ−β−スチリ
ル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリア
ジン、2−(3−メチルチオ−β−スチリル)−ビス
(4,6−トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−
(3−メチルチオ−β−スチリル)−ビス(4,6−ト
リクロロメチル)−s−トリアジン等が挙げられる。
Examples of the trichloromethyl-s-triazines include tris (2,4,6-trichloromethyl) -s-triazine and 2-phenyl-bis (4,6-).
Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s
-Triazine, 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2-
(2-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxyphenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3-methoxyphenyl) ) -Bis (4,6-
Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methoxyphenyl) -bis (4,6-trichloromethyl)-
s-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2
-(3-Methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-
Triazine, 2- (4-methoxynaphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2-
(3-methoxynaphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methoxynaphthyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methoxy) -Β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2-
(3-Methoxy-β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (2-methoxy-β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl)
-S-triazine, 2- (3,4,5-trimethoxy-
β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl)-
s-Triazine, 2- (4-methylthio-β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine, 2- (3-methylthio-β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) ) -S-Triazine, 2-
(3-Methylthio-β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and the like can be mentioned.

【0027】上記ジアリールヨードニウム塩類として
は、例えばジフェニルヨードニウムテトラフルオロボレ
ート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロホスホネ
ート、ジフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロメタンスル
ホナート、ジフェニルヨードニウムトリフルオロアセテ
ート、ジフェニルヨードニウム−p−トルエンスルホナ
ート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムテト
ラフルオロボレート、4−メトキシフェニルフェニルヨ
ードニウムヘキサフルオロホスホネート、4−メトキシ
フェニルフェニルヨードニウムヘキサフルオロアルセネ
ート、4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリ
フルオロメタンスルホナート、4−メトキシフェニルフ
ェニルヨードニウムトリフルオロアセテート、4−メト
キシフェニルフェニルヨードニウム−p−トルエンスル
ホナート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨー
ドニウムテトラフルオロボレート、ビス(4−tert
−ブチルフェニル)ヨードニウムヘキサフルオロアルセ
ネート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨード
ニウムトリフルオロメタンスルホナート、ビス(4−t
ert−ブチルフェニル)ヨードニウムトリフルオロア
セテート、ビス(4−tert−ブチルフェニル)ヨー
ドニウム−p−トルエンスルホナート等が挙げられる。
Examples of the diaryliodonium salts include, for example, diphenyliodonium tetrafluoroborate, diphenyliodonium hexafluorophosphonate, diphenyliodonium hexafluoroarsenate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium-p-toluenesulfone. Nato, 4-methoxyphenylphenyliodonium tetrafluoroborate, 4-methoxyphenylphenyliodonium hexafluorophosphonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium hexafluoroarsenate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium Li trifluoroacetate, 4-methoxyphenyl phenyl iodonium -p- toluenesulfonate, bis (4-tert- butylphenyl) iodonium tetrafluoroborate, bis (4-tert
-Butylphenyl) iodonium hexafluoroarsenate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium trifluoromethanesulfonate, bis (4-t
ert-butylphenyl) iodonium trifluoroacetate, bis (4-tert-butylphenyl) iodonium-p-toluenesulfonate and the like.

【0028】上記トリアリールスルホニウム塩類として
は、例えばトリフェニルスルホニウムテトラフルオロボ
レート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロホス
ホネート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロア
ルセネート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメ
タンスルホナート、トリフェニルスルホニウムトリフル
オロアセテート、トリフェニルスルホニウム−p−トル
エンスルホナート、4−メトキシフェニルジフェニルス
ルホニウムテトラフルオロボレート、4−メトキシフェ
ニルジフェニルスルホニウムヘキサフルオロホスホネー
ト、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムヘキ
サフルオロアルセネート、4−メトキシフェニルジフェ
ニルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート、4
−メトキシフェニルジフェニルスルホニウムトリフルオ
ロアセテート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホ
ニウム−p−トルエンスルホナート、4−フェニルチオ
フェニルジフェニルテトラフルオロボレート、4−フェ
ニルチオフェニルジフェニルヘキサフルオロホスホネー
ト、4−フェニルチオフェニルジフェニルヘキサフルオ
ロアルセネート、4−フェニルチオフェニルジフェニル
トリフルオロメタンスルホナート、4−フェニルチオフ
ェニルジフェニルトリフルオロアセテート、4−フェニ
ルチオフェニルジフェニル−p−トルエンスルホナート
等が挙げられる。
Examples of the above triarylsulfonium salts include triphenylsulfonium tetrafluoroborate, triphenylsulfonium hexafluorophosphonate, triphenylsulfonium hexafluoroarsenate, triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, triphenylsulfonium trifluoroacetate Phenylsulfonium-p-toluenesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium tetrafluoroborate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluorophosphonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium hexafluoroarsenate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate Four
-Methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium-p-toluenesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenyltetrafluoroborate, 4-phenylthiophenyldiphenylhexafluorophosphonate, 4-phenylthiophenyldiphenylhexafluoro Examples thereof include arsenate, 4-phenylthiophenyldiphenyltrifluoromethanesulfonate, 4-phenylthiophenyldiphenyltrifluoroacetate, 4-phenylthiophenyldiphenyl-p-toluenesulfonate and the like.

【0029】これらの化合物のうち、トリクロロメチル
−s−トリアジン類としては、2−(3−クロロフェニ
ル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリア
ジン、2−(4−メトキシフェニル)−ビス(4,6−
トリクロロメチル)−s−トリアジン、2−(4−メチ
ルチオフェニル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)
−s−トリアジン、2−(4−メトキシ−β−スチリ
ル)−ビス(4,6−トリクロロメチル)−s−トリア
ジンまたは2−(4−メトキシナフチル)−ビス(4,
6−トリクロロメチル)−s−トリアジン;ジアリール
ヨードニウム塩類としては、ジフェニルヨードニウムト
リフルオロアセテート、ジフェニルヨードニウムトリフ
ルオロメタンスルホナート、4−メトキシフェニルフェ
ニルヨードニウムトリフルオロメタンスルホナートまた
は4−メトキシフェニルフェニルヨードニウムトリフル
オロアセテート;トリアリールスルホニウム塩類として
は、トリフェニルスルホニウムトリフルオロメタンスル
ホナート、トリフェニルスルホニウムトリフルオロアセ
テート、4−メトキシフェニルジフェニルスルホニウム
トリフルオロメタンスルホナート、4−メトキシフェニ
ルジフェニルスルホニウムトリフルオロアセテート、4
−フェニルチオフェニルジフェニルトリフルオロメタン
スルホナートまたは4−フェニルチオフェニルジフェニ
ルトリフルオロアセテートをそれぞれ好ましいものとし
て挙げることができる。
Among these compounds, trichloromethyl-s-triazines include 2- (3-chlorophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine and 2- (4-methoxyphenyl)-. Screw (4,6-
Trichloromethyl) -s-triazine, 2- (4-methylthiophenyl) -bis (4,6-trichloromethyl)
-S-triazine, 2- (4-methoxy-β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine or 2- (4-methoxynaphthyl) -bis (4.
6-trichloromethyl) -s-triazine; diaryliodonium salts include diphenyliodonium trifluoroacetate, diphenyliodonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoromethanesulfonate or 4-methoxyphenylphenyliodonium trifluoroacetate; Examples of the triarylsulfonium salts include triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, triphenylsulfonium trifluoroacetate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate, 4-methoxyphenyldiphenylsulfonium trifluoroacetate, 4
-Phenylthiophenyldiphenyltrifluoromethanesulfonate or 4-phenylthiophenyldiphenyltrifluoroacetate can each be mentioned as preferred.

【0030】(B)成分の使用割合は、(A)成分10
0重量部に対して、0.001〜30重量部、特に、
0.01〜10重量部であることが好ましい。(B)成
分の使用割合が(A)成分100重量部に対して0.0
01重量部未満の場合には、放射線を受けることにより
発生する酸の量が少ないため、(A)成分の分子の架橋
が十分に進まず、現像処理後における残膜率、得られる
パターンの耐熱性、耐薬品性、基板との密着性等が低下
する場合がある。一方、(B)成分の使用割合が(A)
成分100重量部に対して30重量部を超える場合に
は、当該組成物は、感度の低いものとなりやすい。
The proportion of the component (B) used is 10 parts of the component (A).
0.001 to 30 parts by weight relative to 0 parts by weight, particularly,
It is preferably 0.01 to 10 parts by weight. The use ratio of the component (B) is 0.0 with respect to 100 parts by weight of the component (A).
If the amount is less than 01 parts by weight, the amount of acid generated by receiving radiation is small, so that the crosslinking of the molecules of the component (A) does not proceed sufficiently, the residual film rate after development processing, and the heat resistance of the obtained pattern. Properties, chemical resistance, adhesion to the substrate, etc. may decrease. On the other hand, the proportion of the component (B) used is (A)
If the amount exceeds 30 parts by weight based on 100 parts by weight of the component, the composition tends to have low sensitivity.

【0031】<(C)成分>(C)成分である架橋性化
合物の具体例としては、メラミン樹脂、ベンゾグアナミ
ン樹脂、グリコールウリル樹脂、尿素樹脂、アルコキシ
メチル化メラミン樹脂、アルコキシメチル化ベンゾグア
ナミン樹脂、アルコキシメチル化グリコールウリル樹
脂、アルコキシメチル化尿素樹脂等を挙げることができ
る。上記アルコキシメチル化メラミン樹脂、アルコキシ
メチル化ベンゾグアナミン樹脂、アルコキシメチル化グ
リコールウリル樹脂およびアルコキシメチル化尿素樹脂
は、それぞれメチロール化メラミン樹脂、メチロール化
ベンゾグアナミン樹脂、メチロール化グリコールウリル
樹脂およびメチロール化尿素樹脂のメチロール基をアル
コキシメチル基に変換することにより得られる。このア
ルコキシメチル基の種類については特に限定されるもの
ではなく、例えばメトキシメチル基、エトキシメチル
基、プロポキシメチル基、ブトキシメチル基等を挙げる
ことができる。これらの樹脂のうち、アルコキシメチル
化メラミン樹脂およびアルコキシメチル化ベンゾグアナ
ミン樹脂が好ましい架橋性化合物として挙げられる。ま
た、架橋性化合物としては、サイメル300、同30
1、同303、同370、同325、同327、同70
1、同266、同267、同238、同1141、同2
72、同202、同1156、同1158、同112
3、同1170、同1174、同UFR65、同300
(以上、三井サイアナミッド(株)製)、ニカラックM
x−750、同Mx−032、同Mx−706、同Mx
−708、同Mx−40、同Mx−31、同Ms−1
1、同Mw−30(以上、三和ケミカル(株)製)等の
商品名で市販されているものを好ましく使用することが
できる。これらの架橋性化合物は、単独でまたは2種類
以上を組み合わせて用いることができる。
<Component (C)> Specific examples of the crosslinkable compound which is the component (C) include melamine resin, benzoguanamine resin, glycoluril resin, urea resin, alkoxymethylated melamine resin, alkoxymethylated benzoguanamine resin, and alkoxy. Examples thereof include methylated glycoluril resin and alkoxymethylated urea resin. The above-mentioned alkoxymethylated melamine resin, alkoxymethylated benzoguanamine resin, alkoxymethylated glycoluril resin and alkoxymethylated urea resin are methylol melamine resin, methylol benzoguanamine resin, methylol glycoluril resin and methylol urea resin. Obtained by converting the group to an alkoxymethyl group. The kind of the alkoxymethyl group is not particularly limited, and examples thereof include a methoxymethyl group, an ethoxymethyl group, a propoxymethyl group and a butoxymethyl group. Of these resins, alkoxymethylated melamine resins and alkoxymethylated benzoguanamine resins are mentioned as preferred crosslinkable compounds. As the crosslinkable compounds, Cymel 300 and 30
1, the same 303, the same 370, the same 325, the same 327, the same 70
1, the same 266, the same 267, the same 238, the same 1141, the same 2
72, 202, 1156, 1158, 112
3, Same 1170, Same 1174, Same UFR65, Same 300
(Above, Mitsui Cyanamid Co., Ltd.), Nikarac M
x-750, Mx-032, Mx-706, Mx
-708, Mx-40, Mx-31, Ms-1
1, those commercially available under the trade name of the same Mw-30 (above, manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) can be preferably used. These crosslinkable compounds can be used alone or in combination of two or more kinds.

【0032】(C)成分の使用割合は、(A)成分10
0重量部に対して1〜100重量部、特に5〜50重量
部であることが好ましい。(C)成分の使用割合が
(A)成分100重量部に対して1重量部未満の場合に
は、系の架橋が不十分となるため、パターンを形成する
こと自体が困難となる場合がある。一方、(C)成分の
使用割合が(A)成分100重量部に対して100重量
部を超える場合には、当該組成物全体のアルカリ溶解性
が過大となって、現像処理後における残膜率が低下する
方向となる。
The proportion of component (C) used is 10 parts of component (A).
It is preferably 1 to 100 parts by weight, particularly 5 to 50 parts by weight, relative to 0 parts by weight. If the proportion of the component (C) used is less than 1 part by weight relative to 100 parts by weight of the component (A), the crosslinking of the system may be insufficient, which may make it difficult to form a pattern. . On the other hand, when the proportion of the component (C) used exceeds 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (A), the alkali solubility of the composition as a whole becomes excessive, and the residual film rate after the development processing is increased. Will decrease.

【0033】<その他の成分>本発明の感放射線性樹脂
組成物には、増感剤が含有されていてもよい。この増感
剤としては、例えば3−位および/または7−位に置換
基を有するクマリン類、フラボン類、ジベンザルアセト
ン類、ジベンザルシクロヘキサン類、カルコン類、キサ
ンテン類、チオキサンテン類、ポルフィリン類、フタロ
シアニン類、アクリジン類、アントラセン類等を用いる
ことができる。増感剤の使用割合は、(A)成分100
重量部に対して、30重量部以下、好ましくは0.1〜
20重量部以下である。
<Other Components> The radiation-sensitive resin composition of the present invention may contain a sensitizer. Examples of the sensitizer include coumarins having a substituent at the 3-position and / or the 7-position, flavones, dibenzalacetones, dibenzalcyclohexanes, chalcones, xanthenes, thioxanthenes, Porphyrins, phthalocyanines, acridines, anthracenes and the like can be used. The proportion of the sensitizer used is 100 for the component (A).
30 parts by weight or less, preferably 0.1 to 30 parts by weight
It is 20 parts by weight or less.

【0034】本発明の感放射線性樹脂組成物において
は、主としてパターンの耐熱性や密着性、または組成物
の塗布性の向上を図ることを目的として、エポキシ基を
分子内に2個以上含有する化合物を添加することができ
る。このエポキシ基を分子内に2個以上含有する化合物
としては、ビスフェノールA型エポキシ樹脂、ビスフェ
ノールF型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型エポ
キシ樹脂、クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、環式
脂肪族エポキシ樹脂、脂肪族ポリグリシジルエーテル等
を挙げることができる。
The radiation-sensitive resin composition of the present invention contains two or more epoxy groups in the molecule mainly for the purpose of improving the heat resistance and adhesion of the pattern or the coating property of the composition. Compounds can be added. Examples of the compound containing two or more epoxy groups in the molecule include bisphenol A type epoxy resin, bisphenol F type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin, cresol novolac type epoxy resin, cycloaliphatic epoxy resin, aliphatic poly Examples thereof include glycidyl ether.

【0035】これらの市販品を示せば、ビスフェノール
A型エポキシ樹脂としては、エピコート1001、同1
002、同1003、同1004、同1007、同10
09、同1010、同828(以上、油化シェルエポキ
シ(株)製)等を、ビスフェノールF型エポキシ樹脂と
しては、エピコート807(油化シェルエポキシ(株)
製)等を、フェノールノボラック型エポキシ樹脂として
は、エピコート152、同154(以上、油化シェルエ
ポキシ(株)製)、EPPN201、同202(以上、
日本化薬(株)製)等を、クレゾールノボラック型エポ
キシ樹脂としては、EOCN−102、EOCN−10
3S、EOCN−104S、EOCN−1020、EO
CN−1025、EOCN−1027(以上、日本化薬
(株)製)、エピコート180S75(油化シェルエポ
キシ(株)製)等を、環式脂肪族エポキシ樹脂として
は、CY175、CY177、CY179(以上、CI
BA−GEIGY A.G製)、ERL−4234、E
RL−4299、ERL−4221、ERL−4206
(以上、U.C.C社製)、ショーダイン509(昭和
電工(株)製)、アラルダイトCY−182、同CY−
192、同CY−184(以上、CIBA−GEIGY
A.G製)、エピクロン200、同400(以上、大
日本インキ工業(株)製)、エピコート871、同87
2(以上、油化シェルエポキシ(株)製)、ED−56
61、ED−5662(以上、セラニーズコーティング
(株)製)等を、脂肪族ポリグリシジルエーテルとして
は、エポライト100MF(共栄社油脂化学工業(株)
製)、エピオールTMP(日本油脂(株)製)等を挙げ
ることができる。
The bisphenol A type epoxy resins are commercially available as Epicoat 1001 and 1
002, 1003, 1004, 1007, 10
09, 1010, 828 (all manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.) are available as Epicoat 807 (Okaka Shell Epoxy Co., Ltd.) as bisphenol F type epoxy resins.
Manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd., EPPN201, 202 (above).
Nippon Kayaku Co., Ltd. and the like are used as cresol novolac type epoxy resins, EOCN-102, EOCN-10.
3S, EOCN-104S, EOCN-1020, EO
CN-1025, EOCN-1027 (all manufactured by Nippon Kayaku Co., Ltd.), Epicoat 180S75 (manufactured by Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), and the like as a cycloaliphatic epoxy resin are CY175, CY177, CY179 (or more. , CI
BA-GEIGY A. G), ERL-4234, E
RL-4299, ERL-4221, ERL-4206
(Above, manufactured by U.C.C.), Shoredyne 509 (manufactured by Showa Denko KK), Araldite CY-182, and CY-.
192, CY-184 (above, CIBA-GEIGY
A. G), Epicron 200, 400 (above, Dainippon Ink and Chemicals, Inc.), Epicoat 871, 87.
2 (above, Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.), ED-56
61, ED-5662 (above, manufactured by Celanese Coating Co., Ltd.), and the like, as an aliphatic polyglycidyl ether, Epolite 100MF (Kyoeisha Oil and Fat Chemical Co., Ltd.)
Manufactured by Nippon Oil & Fats Co., Ltd., and the like.

【0036】これらのうち好ましいものとしては、ビス
フェノールA型エポキシ樹脂、フェノールノボラック型
エポキシ樹脂およびクレゾールノボラック型エポキシ樹
脂が挙げられる。
Among these, preferred are bisphenol A type epoxy resin, phenol novolac type epoxy resin and cresol novolac type epoxy resin.

【0037】以上、例示した化合物の大部分は高分子量
体であるが、この化合物の分子量は、特に制限されるも
のではなく、例えばビスフェノールAまたはビスフェノ
ールFのグリシジルエーテル等の低分子量体等を使用す
ることもできる。このようなエポキシ基を分子内に2個
以上含有する化合物の使用割合は、(A)成分100重
量部に対して、通常、100重量部以下、好ましくは5
0重量部以下である。
Most of the compounds exemplified above are high molecular weight compounds, but the molecular weight of this compound is not particularly limited, and for example, low molecular weight compounds such as glycidyl ether of bisphenol A or bisphenol F are used. You can also do it. The proportion of such a compound containing two or more epoxy groups in the molecule is usually 100 parts by weight or less, preferably 5 parts by weight, relative to 100 parts by weight of the component (A).
It is 0 parts by weight or less.

【0038】また、本発明の感放射線性樹脂組成物にお
いては、塗布性の改善(例えばストリエーションの防
止)や、現像性の改良を行うために、界面活性剤を添加
することができる。界面活性剤としては、ポリオキシエ
チレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリ
ルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等の
ポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエ
チレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレン
ノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリー
ルエーテル類、ポリエチレングリコールジラウレート、
ポリエチレングリコールジステアレート等のポリエチレ
ングリコールジアルキルエステル類の如きノニオン系界
面活性剤;エフトップEF301、同EF303、同E
F352(以上、新秋田化成(株)製)、メガファック
F171、同F172、同F173(以上、大日本イン
キ工業(株)製)、フロラードFC430、同FC43
1(以上、住友スリーエム(株)製)、アサヒガードA
G710、サーフロンS−382、SC−101、SC
−102、SC−103、SC−104、SC−10
5、SC−106(以上、旭硝子(株)製)等の商品名
で市販されている弗素系界面活性剤;オルガノシロキサ
ンポリマーKP341(信越化学工業(株)製)、アク
リル酸系またはメタクリル酸系(共)重合体ポリフロー
No.57、95(共栄油脂化学工業(株)製)等の商
品名で市販されているその他の界面活性剤を用いること
ができる。
Further, in the radiation-sensitive resin composition of the present invention, a surfactant can be added in order to improve the coatability (for example, prevention of striation) and the developability. Examples of the surfactant include polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene oleyl ether, polyoxyethylene octylphenyl ether, polyoxyethylene nonylphenyl ether and other polyoxyethylene. Aryl ethers, polyethylene glycol dilaurate,
Nonionic surfactants such as polyethylene glycol dialkyl esters such as polyethylene glycol distearate; Ftop EF301, EF303, E
F352 (above, manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd.), Megafac F171, F172, F173 (above manufactured by Dainippon Ink and Chemicals), Florard FC430, FC43
1 (above, Sumitomo 3M Limited), Asahi Guard A
G710, Surflon S-382, SC-101, SC
-102, SC-103, SC-104, SC-10
5, SC-106 (above, manufactured by Asahi Glass Co., Ltd.) and other commercially available fluorine-based surfactants; organosiloxane polymer KP341 (manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.), acrylic acid-based or methacrylic acid-based (Co) Polymer Polyflow No. 57, 95 (manufactured by Kyoei Yushi Kagaku Kogyo Co., Ltd.) and other commercially available surfactants can be used.

【0039】これらの界面活性剤の使用割合は、組成物
中における固形分100重量部に対して、通常、2重量
部以下、好ましくは1重量部以下である。
The ratio of these surfactants to be used is usually 2 parts by weight or less, preferably 1 part by weight or less, relative to 100 parts by weight of the solid content in the composition.

【0040】また、本発明の感放射線性樹脂組成物にお
いては、基板との密着性を改良するために、シランカッ
プリング剤等の接着助剤を添加することができ、耐熱性
を改良することを目的として多価アクリレート等の不飽
和化合物などを添加することもできる。更に、本発明の
感放射線性樹脂組成物においては、必要に応じて、帯電
防止剤、保存安定剤、ハレーション防止剤、消泡剤、顔
料、熱酸発生剤等を添加することもできる。
In addition, in the radiation-sensitive resin composition of the present invention, an adhesion aid such as a silane coupling agent can be added to improve the adhesion to the substrate, and the heat resistance can be improved. For this purpose, an unsaturated compound such as polyvalent acrylate may be added. Further, in the radiation-sensitive resin composition of the present invention, an antistatic agent, a storage stabilizer, an antihalation agent, an antifoaming agent, a pigment, a thermal acid generator, etc. may be added, if necessary.

【0041】<パターンの形成>本発明の感放射線性樹
脂組成物を用いることにより、例えば次のようにしてパ
ターンを形成することができる。先ず、感放射線性樹脂
組成物を、例えばその固形分の濃度が5〜60重量%と
なるよう溶剤に溶解し、これを孔径0.2〜10μm程
度のフィルターで濾過することにより組成物溶液を調製
する。そして、この組成物溶液をシリコンウェハー等の
基板の表面に塗布し、プリベークを行うことにより溶剤
を除去して感放射線性樹脂組成物の塗膜を形成する。次
いで、形成された塗膜に対して放射線照射処理を行った
後、PEB処理を行う。その後、現像処理を行って放射
線未照射部分を除去することによりパターンが形成され
る。
<Formation of Pattern> By using the radiation-sensitive resin composition of the present invention, a pattern can be formed, for example, as follows. First, the radiation-sensitive resin composition is dissolved in a solvent so that the solid content thereof is 5 to 60% by weight, and the composition solution is obtained by filtering the solution with a filter having a pore size of 0.2 to 10 μm. Prepare. Then, the composition solution is applied to the surface of a substrate such as a silicon wafer and prebaked to remove the solvent to form a coating film of the radiation-sensitive resin composition. Then, the formed coating film is subjected to radiation irradiation treatment and then PEB treatment. After that, a pattern is formed by performing a development process to remove the unirradiated portion.

【0042】以上において、組成物溶液を調製するため
の溶剤としては、前述の特定重合体を製造するために用
いられる重合溶媒として例示したものと同様のものを用
いることができる。さらに、必要に応じて、ベンジルエ
チルエーテル、ジヘキシルエーテル、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ル、アセトニルアセトン、イソホロン、カプロン酸、カ
プリル酸、1−オクタノール、1−ノナノール、ベンジ
ルアルコール、酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ
酸ジエチル、マレイン酸ジエチル、γ−ブチロラクト
ン、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、フェニルセロソル
ブアセテタート、カルビトールアセテート等の高沸点溶
剤を添加することもできる。
In the above, as the solvent for preparing the composition solution, the same solvents as those exemplified as the above-mentioned polymerization solvent used for producing the specific polymer can be used. Further, if necessary, benzyl ethyl ether, dihexyl ether, diethylene glycol monomethyl ether, diethylene glycol monoethyl ether, diethylene glycol monobutyl ether, acetonyl acetone, isophorone, caproic acid, caprylic acid, 1-octanol, 1-nonanol, benzyl alcohol, It is also possible to add a high boiling point solvent such as benzyl acetate, ethyl benzoate, diethyl oxalate, diethyl maleate, γ-butyrolactone, ethylene carbonate, propylene carbonate, phenyl cellosolve acetate and carbitol acetate.

【0043】組成物溶液を基板に塗布する方法として
は、回転塗布法、流し塗布法、ロール塗布法等の各種の
方法を採用することができる。プリベークの条件は、例
えば加熱温度が50〜150℃、加熱時間が30秒間〜
600秒間である。が挙げられる。放射線照射処理に使
用される放射線としては、波長365nmのi線、43
6nmのg線等の紫外線、波長248nmのKrFエキ
シマレーザー、波長193nmのArFエキシマレーザ
ー等の遠紫外線、シンクロトロン放射線等のX線あるい
は電子線等の荷電粒子線が挙げられる。
As the method of applying the composition solution to the substrate, various methods such as a spin coating method, a flow coating method and a roll coating method can be adopted. The prebaking conditions include, for example, a heating temperature of 50 to 150 ° C. and a heating time of 30 seconds.
It is 600 seconds. Is mentioned. As the radiation used for the radiation treatment, i-rays with a wavelength of 365 nm, 43
Examples thereof include ultraviolet rays such as 6 nm g-ray, far ultraviolet rays such as KrF excimer laser having a wavelength of 248 nm and ArF excimer laser having a wavelength of 193 nm, and charged particle beams such as X-rays such as synchrotron radiation and electron rays.

【0044】現像処理に用いられる現像液としては、例
えば、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム、硅酸ナトリ
ウム、メタ硅酸ナトリウム、アンモニア水、エチルアミ
ン、n−プロピルアミン、ジエチルアミン、ジ−n−プ
ロピルアミン、トリエチルアミン、メチルジエチルアミ
ン、ジメチルエタノールアミン、トリエタノールアミ
ン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラエ
チルアンモニウムヒドロキシド、コリン、ピロール、ピ
ペリジン、1,8−ジアザビシクロ(5.4.0)−7
−ウンデセン、1,5−ジアザビシクロ(4.3.0)
−5−ノナン等が溶解されてなるアルカリ水溶液を用い
ることができる。また、このアルカリ水溶液に、水溶性
有機溶媒、例えばメタノール、エタノール等のアルコー
ル類や、界面活性剤が適量添加されてなるものを使用す
ることもできる。現像処理時間は、例えば10〜300
秒間であり、現像方法としては、液盛り法、ディッピン
グ法、揺動浸漬法等を利用することができる。
The developer used in the developing treatment is, for example, sodium hydroxide, sodium carbonate, sodium silicate, sodium metasilicate, aqueous ammonia, ethylamine, n-propylamine, diethylamine, di-n-propylamine, Triethylamine, methyldiethylamine, dimethylethanolamine, triethanolamine, tetramethylammonium hydroxide, tetraethylammonium hydroxide, choline, pyrrole, piperidine, 1,8-diazabicyclo (5.4.0) -7
-Undecene, 1,5-diazabicyclo (4.3.0)
An alkaline aqueous solution obtained by dissolving -5-nonane or the like can be used. It is also possible to use a water-soluble organic solvent, for example, alcohols such as methanol and ethanol, or a surfactant added to this alkaline aqueous solution in an appropriate amount. The development processing time is, for example, 10 to 300.
It is a second, and as a developing method, a puddle method, a dipping method, a rocking dipping method, or the like can be used.

【0045】[0045]

【実施例】以下、本発明の感放射線性樹脂組成物の実施
例について説明するが、本発明はこれらに限定されるも
のではない。また、以下において、重合体のポリスチレ
ン換算重量平均分子量は、東ソー(株)製のGPCクロ
マトグラフHLC−8020を用いて測定し、重合体に
おける構造単位の割合は、日本電子(株)製の 1H−N
MR分光器EX−90を用いて測定した。
EXAMPLES Examples of the radiation-sensitive resin composition of the present invention will be described below, but the present invention is not limited thereto. Further, in the following, the polystyrene-reduced weight average molecular weight of the polymer is measured using a GPC chromatograph HLC-8020 manufactured by Tosoh Corporation, and the ratio of the structural unit in the polymer is 1 manufactured by JEOL Ltd. H-N
It was measured using an MR spectrometer EX-90.

【0046】〔特定重合体の合成〕 〈合成例1〉攪拌機、冷却管、窒素導入管および温度計
を装着したセパラブルフラスコ内に、特定単量体として
イタコン酸モノブチル30.0g、共重合性単量体とし
てスチレン70.0g、重合開始剤としてN,N’−ア
ゾビスイソブチロニトリル6.0gおよび重合溶媒とし
てプロピレングリコールモノメチルエーテル100.0
gを仕込み、このセパラブルフラスコ内を30分間窒素
ガスでパージした後、このセパラブルフラスコを油浴に
浸し、内温を80℃に保ち、攪拌しながら6時間重合を
行うことにより、重合体溶液を得た。この重合体溶液を
ヘキサン10リットル中に注ぐことにより重合体を沈殿
させ、さらに、テトラヒドロフラン/ヘキサンを用いて
再沈殿による精製を2回行い、その後、25℃で12時
間減圧乾燥することにより、白色の粉末の重合体(A
1)を得た。この重合体(A1)における特定カルボキ
シル基含有構造単位は、式(1)において、R1 および
3 が水素原子、R2 が−CH2 COOC4 9 で表さ
れる基、R4 がカルボキシル基のものである。また、重
合体(A1)のポリスチレン換算重量平均分子量は0.
93×104であり、重合体(A1)におけるイタコン
酸モノブチルに由来する構造単位とスチレンに由来する
構造単位との割合は、重量比で77:23であった。
[Synthesis of Specific Polymer] <Synthesis Example 1> In a separable flask equipped with a stirrer, a cooling tube, a nitrogen introducing tube and a thermometer, 30.0 g of monobutyl itaconic acid as a specific monomer, copolymerizable 70.0 g of styrene as a monomer, 6.0 g of N, N′-azobisisobutyronitrile as a polymerization initiator, and 100.0 of propylene glycol monomethyl ether as a polymerization solvent.
After charging g, purging the inside of the separable flask with nitrogen gas for 30 minutes, the separable flask was immersed in an oil bath, the internal temperature was kept at 80 ° C., and polymerization was carried out for 6 hours while stirring to give a polymer. A solution was obtained. The polymer solution was poured into 10 liters of hexane to precipitate the polymer, which was further purified by reprecipitation using tetrahydrofuran / hexane twice, and then dried under reduced pressure at 25 ° C. for 12 hours to give a white color. Powdered polymer (A
1) was obtained. The specific carboxyl group-containing structural unit in this polymer (A1) is a group represented by the formula (1) in which R 1 and R 3 are hydrogen atoms, R 2 is a group represented by —CH 2 COOC 4 H 9 , and R 4 is a carboxyl group. It is the base. Further, the polystyrene reduced weight average molecular weight of the polymer (A1) is 0.
It was 93 × 10 4 , and the weight ratio of the structural unit derived from monobutyl itaconate to the structural unit derived from styrene in the polymer (A1) was 77:23.

【0047】〈合成例2〉攪拌機、冷却管、窒素導入管
および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特定
単量体としてコハク酸モノ(2−メタクリロイルオキ
シ)エチル60.0g、共重合性単量体としてメタクリ
ル酸メチル40.0g、重合開始剤としてN,N’−ア
ゾビスイソブチロニトリル3.0g、および重合溶媒と
してプロピレングリコールモノメチルエーテル200.
0gを仕込み、それ以外は合成例1と同様にして白色の
粉末の重合体(A2)を得た。この重合体(A2)にお
ける特定カルボキシル基含有構造単位は、式(1)にお
いて、R1 およびR3 が水素原子、R2 がメチル基、R
4 が−COO−(CH 2 2 −COOHで表される基の
ものである。また、重合体(A2)のポリスチレン換算
重量平均分子量は3.87×104であり、重合体(A
2)におけるコハク酸モノ(2−メタクリロイルオキ
シ)エチルに由来する構造単位とメタクリル酸メチルに
由来する構造単位との割合は、重量比で58:42であ
った。
<Synthesis Example 2> Stirrer, cooling pipe, nitrogen introducing pipe
And in a separable flask equipped with a thermometer
Monosuccinic acid mono (2-methacryloyloxy)
6) Ethyl 60.0 g, methacrylic acid as a copolymerizable monomer
Methyl acetate 40.0 g, N, N'-a as a polymerization initiator
With 3.0 g of zobisisobutyronitrile and a polymerization solvent
Then propylene glycol monomethyl ether 200.
0 g was charged, otherwise the same as in Synthesis Example 1
A powdery polymer (A2) was obtained. In this polymer (A2)
The specific carboxyl group-containing structural unit in the formula (1) is
And R1And R3Is a hydrogen atom, R2Is a methyl group, R
FourIs -COO- (CH 2)2Of the group represented by -COOH
Things. Also, the polystyrene conversion of the polymer (A2)
Weight average molecular weight is 3.87 × 10FourAnd the polymer (A
2) Succinic acid mono (2-methacryloyloxy)
Si) To the structural unit derived from ethyl and methyl methacrylate
The ratio with the derived structural unit is 58:42 by weight.
It was.

【0048】〈合成例3〉攪拌機、冷却管、窒素導入管
および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特定
単量体としてフタル酸モノ(2−メタクリロイルオキ
シ)エチル60.0g、共重合性単量体としてメタクリ
ル酸メチル40.0g、重合開始剤としてN,N’−ア
ゾビスイソブチロニトリル3.0g、および重合溶媒と
してプロピレングリコールモノメチルエーテル200.
0gを仕込み、それ以外は合成例1と同様にして白色の
粉末の重合体(A3)を得た。この重合体(A3)にお
ける特定カルボキシル基含有構造単位は、式(1)にお
いて、R1 およびR3 が水素原子、R2 がメチル基、R
4 が下記化4で表される基のものである。
<Synthesis Example 3> In a separable flask equipped with a stirrer, a cooling tube, a nitrogen introducing tube and a thermometer, 60.0 g of mono (2-methacryloyloxy) ethyl phthalate as a specific monomer, copolymerizable 40.0 g of methyl methacrylate as a monomer, 3.0 g of N, N′-azobisisobutyronitrile as a polymerization initiator, and propylene glycol monomethyl ether 200.
A polymer (A3) was obtained as a white powder in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 0 g was charged. The specific carboxyl group-containing structural unit in this polymer (A3) has the same formula (1) as R 1 and R 3 are hydrogen atoms, R 2 is a methyl group, and R 2 is a methyl group.
4 is a group represented by the following chemical formula 4.

【0049】[0049]

【化4】 [Chemical 4]

【0050】また、重合体(A3)のポリスチレン換算
重量平均分子量は3.06×104であり、重合体(A
3)におけるフタル酸モノ(2−メタクリロイルオキ
シ)エチルに由来する構造単位とメタクリル酸メチルに
由来する構造単位との割合は、重量比で57:43であ
った。
The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polymer (A3) was 3.06 × 10 4 , and the polymer (A3)
The ratio of the structural unit derived from mono (2-methacryloyloxy) ethyl phthalate to the structural unit derived from methyl methacrylate in 3) was 57:43 by weight.

【0051】〈合成例4〉攪拌機、冷却管、窒素導入管
および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特定
単量体としてテトラヒドロフタル酸モノ(2−メタクリ
ロイルオキシ)エチル60.0g、共重合性単量体とし
てメタクリル酸メチル40.0g、重合開始剤として
N,N’−アゾビスイソブチロニトリル3.0g、およ
び重合溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエー
テル200.0gを仕込み、それ以外は合成例1と同様
にして白色の粉末の重合体(A4)を得た。この重合体
(A4)における特定カルボキシル基含有構造単位は、
式(1)において、R1 およびR3 が水素原子、R2
メチル基、R4 が下記化5で表される基のものである。
<Synthesis Example 4> In a separable flask equipped with a stirrer, a cooling tube, a nitrogen introducing tube and a thermometer, 60.0 g of mono (2-methacryloyloxy) ethyl tetrahydrophthalate was copolymerized as a specific monomer. 40.0 g of methyl methacrylate as a polymerizable monomer, 3.0 g of N, N′-azobisisobutyronitrile as a polymerization initiator, and 200.0 g of propylene glycol monomethyl ether as a polymerization solvent were charged. A white powdery polymer (A4) was obtained in the same manner as in 1. The specific carboxyl group-containing structural unit in this polymer (A4) is
In the formula (1), R 1 and R 3 are hydrogen atoms, R 2 is a methyl group, and R 4 is a group represented by the following chemical formula 5.

【0052】[0052]

【化5】 Embedded image

【0053】また、重合体(A4)のポリスチレン換算
重量平均分子量は2.81×104であり、重合体(A
4)におけるテトラヒドロフタル酸モノ(2−メタクリ
ロイルオキシ)エチルに由来する構造単位とメタクリル
酸メチルに由来する構造単位との割合は、重量比で6
0:40であった。
The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polymer (A4) was 2.81 × 10 4 , and the polymer (A4)
The ratio of the structural unit derived from mono (2-methacryloyloxy) ethyl tetrahydrophthalate to the structural unit derived from methyl methacrylate in 4) is 6 by weight.
It was 0:40.

【0054】〈合成例5〉攪拌機、冷却管、窒素導入管
および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特定
単量体として4−(4’−ビニルベンジルオキシ)安息
香酸60.0g、共重合性単量体としてメタクリル酸ベ
ンジル40.0g、重合開始剤としてN,N’−アゾビ
スイソブチロニトリル10.0g、および重合溶媒とし
てプロピレングリコールモノメチルエーテル100.0
gを仕込み、それ以外は合成例1と同様にして白色の粉
末の重合体(A5)を得た。この重合体(A5)におけ
る特定カルボキシル基含有構造単位は、式(1)におい
て、R1 、R2 およびR3 が水素原子、R4 が下記化6
で表される基のものである。
Synthesis Example 5 In a separable flask equipped with a stirrer, a cooling tube, a nitrogen introducing tube and a thermometer, 60.0 g of 4- (4'-vinylbenzyloxy) benzoic acid as a specific monomer was added. Benzyl methacrylate 40.0 g as a polymerizable monomer, N, N'-azobisisobutyronitrile 10.0 g as a polymerization initiator, and propylene glycol monomethyl ether 100.0 as a polymerization solvent.
g was charged, and otherwise the same as in Synthesis Example 1 to obtain a white powder polymer (A5). Specific carboxyl group-containing structural unit in the polymer (A5), in formula (1), R 1, R 2 and R 3 are hydrogen atoms, R 4 is represented by the following Chemical Formula 6
Is a group represented by.

【0055】[0055]

【化6】 [Chemical 6]

【0056】また、重合体(A5)のポリスチレン換算
重量平均分子量は1.54×104であり、重合体(A
5)における4−(4’−ビニルベンジルオキシ)安息
香酸に由来する構造単位とメタクリル酸ベンジルに由来
する構造単位との割合は、重量比で50:50であっ
た。
The polystyrene-reduced weight average molecular weight of the polymer (A5) was 1.54 × 10 4 , and the polymer (A5)
The ratio of the structural unit derived from 4- (4′-vinylbenzyloxy) benzoic acid to the structural unit derived from benzyl methacrylate in 5) was 50:50 by weight.

【0057】〈合成例6〉攪拌機、冷却管、窒素導入管
および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特定
単量体として4−(4’−ビニルベンジルオキシ)フェ
ニル酢酸60.0g、共重合性単量体としてメタクリル
酸ベンジル40.0g、重合開始剤としてN,N’−ア
ゾビスイソブチロニトリル10.0g、および重合溶媒
としてプロピレングリコールモノメチルエーテル10
0.0gを仕込み、それ以外は合成例1と同様にして白
色の粉末の重合体(A6)を得た。この重合体(A6)
における特定カルボキシル基含有構造単位は、式(1)
において、R1 、R2 およびR3 が水素原子、R4 が下
記化7で表される基のものである。
<Synthesis Example 6> 60.0 g of 4- (4'-vinylbenzyloxy) phenylacetic acid as a specific monomer was placed in a separable flask equipped with a stirrer, a cooling tube, a nitrogen introducing tube and a thermometer. 40.0 g of benzyl methacrylate as a polymerizable monomer, 10.0 g of N, N'-azobisisobutyronitrile as a polymerization initiator, and propylene glycol monomethyl ether 10 as a polymerization solvent.
A white powdery polymer (A6) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 0.0 g was charged. This polymer (A6)
The specific carboxyl group-containing structural unit in is represented by the formula (1)
In the formula, R 1 , R 2 and R 3 are hydrogen atoms and R 4 is a group represented by the following chemical formula 7.

【0058】[0058]

【化7】 [Chemical 7]

【0059】また、重合体(A6)のポリスチレン換算
重量平均分子量は1.67×104であり、重合体(A
6)における4−(4’−ビニルベンジルオキシ)フェ
ニル酢酸に由来する構造単位とメタクリル酸ベンジルに
由来する構造単位との割合は、重量比で53:47であ
った。
The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polymer (A6) was 1.67 × 10 4 ,
The ratio of the structural unit derived from 4- (4′-vinylbenzyloxy) phenylacetic acid to the structural unit derived from benzyl methacrylate in 6) was 53:47 by weight.

【0060】〈合成例7〉攪拌機、冷却管、窒素導入管
および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特定
単量体としてフタル酸モノ−4’−ビニルベンジル6
0.0g、共重合性単量体としてメタクリル酸ベンジル
40.0g、重合開始剤としてN,N’−アゾビスイソ
ブチロニトリル10.0g、および重合溶媒としてプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル100.0gを仕
込み、それ以外は合成例1と同様にして白色の粉末の重
合体(A7)を得た。この重合体(A7)における特定
カルボキシル基含有構造単位は、式(1)において、R
1 、R2 およびR3 が水素原子、R4 が下記化8で表さ
れる基のものである。
<Synthesis Example 7> Mono-4′-vinylbenzyl phthalate 6 as a specific monomer was placed in a separable flask equipped with a stirrer, a cooling tube, a nitrogen introducing tube and a thermometer.
Charge 0.0 g, benzyl methacrylate 40.0 g as a copolymerizable monomer, N, N′-azobisisobutyronitrile 10.0 g as a polymerization initiator, and propylene glycol monomethyl ether 100.0 g as a polymerization solvent. A white powdery polymer (A7) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except for the above. The specific carboxyl group-containing structural unit in this polymer (A7) is represented by R in the formula (1).
1 , R 2 and R 3 are hydrogen atoms, and R 4 is a group represented by the following chemical formula 8.

【0061】[0061]

【化8】 Embedded image

【0062】また、重合体(A7)のポリスチレン換算
重量平均分子量は2.33×104であり、重合体(A
7)におけるフタル酸モノ−4’−ビニルベンジルに由
来する構造単位とメタクリル酸ベンジルに由来する構造
単位との割合は、重量比で57:43であった。
The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polymer (A7) was 2.33 × 10 4 ,
The ratio of the structural unit derived from mono-4′-vinylbenzyl phthalate to the structural unit derived from benzyl methacrylate in 7) was 57:43 by weight.

【0063】〈合成例8〉攪拌機、冷却管、窒素導入管
および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特定
単量体としてコハク酸モノ−4−ビニルベンジル60.
0g、共重合性単量体としてメタクリル酸メチル40.
0g、重合開始剤としてN,N’−アゾビスイソブチロ
ニトリル10.0g、および重合溶媒としてプロピレン
グリコールモノメチルエーテル100.0gを仕込み、
それ以外は合成例1と同様にして白色の粉末の重合体
(A8)を得た。この重合体(A8)における特定カル
ボキシル基含有構造単位は、式(1)において、R1
2 およびR3 が水素原子、R4 が下記化9で表される
基のものである。
<Synthesis Example 8> Mono-4-vinylbenzyl succinate 60.60 as a specific monomer was placed in a separable flask equipped with a stirrer, a cooling tube, a nitrogen introducing tube and a thermometer.
0 g, methyl methacrylate 40. as a copolymerizable monomer.
0 g, 10.0 g of N, N′-azobisisobutyronitrile as a polymerization initiator, and 100.0 g of propylene glycol monomethyl ether as a polymerization solvent were charged,
Otherwise in the same manner as in Synthesis Example 1, a white powder polymer (A8) was obtained. The specific carboxyl group-containing structural unit in this polymer (A8) has the same structure as R 1 in the formula (1),
R 2 and R 3 are hydrogen atoms, and R 4 is a group represented by the following chemical formula 9.

【0064】[0064]

【化9】 [Chemical 9]

【0065】また、重合体(A8)のポリスチレン換算
重量平均分子量は1.22×104であり、重合体(A
8)におけるコハク酸モノ−4−ビニルベンジルに由来
する構造単位とメタクリル酸メチルに由来する構造単位
との割合は、重量比で55:45であった。
The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polymer (A8) was 1.22 × 10 4 , and the polymer (A8)
The ratio of the structural unit derived from mono-4-vinylbenzyl succinate to the structural unit derived from methyl methacrylate in 8) was 55:45 by weight.

【0066】〈合成例9〉攪拌機、冷却管、窒素導入管
および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特定
単量体としてコハク酸モノ−4−ビニルベンジル60.
0g、共重合性単量体として酢酸−4−ビニルベンジル
40.0g、重合開始剤としてN,N’−アゾビスイソ
ブチロニトリル10.0g、および重合溶媒としてプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル100.0gを仕
込み、それ以外は合成例1と同様にして白色の粉末の重
合体(A9)を得た。この重合体(A9)における特定
カルボキシル基含有構造単位は、重合体(A8)のもの
と同一である。また、重合体(A9)のポリスチレン換
算重量平均分子量は2.22×104であり、重合体
(A9)におけるコハク酸モノ−4−ビニルベンジルに
由来する構造単位と酢酸−4−ビニルベンジルに由来す
る構造単位との割合は、重量比で58:42であった。
<Synthesis Example 9> Mono-4-vinylbenzyl succinate 60.60 as a specific monomer was placed in a separable flask equipped with a stirrer, a cooling tube, a nitrogen introducing tube and a thermometer.
0 g, 4-vinylbenzyl acetate 40.0 g as a copolymerizable monomer, N, N′-azobisisobutyronitrile 10.0 g as a polymerization initiator, and propylene glycol monomethyl ether 100.0 g as a polymerization solvent. A white powdery polymer (A9) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except for charging. The specific carboxyl group-containing structural unit in this polymer (A9) is the same as that of the polymer (A8). The polystyrene reduced weight average molecular weight of the polymer (A9) is 2.22 × 10 4 , and the structural unit derived from mono-4-vinylbenzyl succinate and the 4-vinylbenzyl acetate are in the polymer (A9). The ratio with the derived structural unit was 58:42 by weight.

【0067】〈合成例10〉攪拌機、冷却管、窒素導入
管および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特
定単量体としてコハク酸モノ−4−ビニルベンジル6
0.0g、共重合性単量体として4−ビニルベンジルグ
リシジルエーテル40.0g、重合開始剤としてN,
N’−アゾビスイソブチロニトリル10.0g、および
重合溶媒としてプロピレングリコールモノメチルエーテ
ル100.0gを仕込み、それ以外は合成例1と同様に
して白色の粉末の重合体(A10)を得た。この重合体
(A10)における特定カルボキシル基含有構造単位
は、重合体(A8)のものと同一である。また、重合体
(A10)のポリスチレン換算重量平均分子量は2.2
2×10 4 であり、重合体(A10)におけるコハク酸
モノ−4−ビニルベンジルに由来する構造単位と4−ビ
ニルベンジルグリシジルエーテルに由来する構造単位と
の割合は、重量比で64:36であった。
<Synthesis Example 10> Stirrer, cooling pipe, nitrogen introduction
In a separable flask equipped with a tube and thermometer,
Mono-4-vinylbenzyl succinate 6 as constant monomer
0.0 g, 4-vinylbenzyl group as a copolymerizable monomer
40.0 g of lysidyl ether, N as a polymerization initiator,
10.0 g of N'-azobisisobutyronitrile, and
Propylene glycol monomethyl ether as a polymerization solvent
100.0 g of the raw material was charged, and otherwise the same as in Synthesis Example 1.
Thus, a white powder polymer (A10) was obtained. This polymer
Specific carboxyl group-containing structural unit in (A10)
Are the same as those of the polymer (A8). Also the polymer
The polystyrene reduced weight average molecular weight of (A10) is 2.2.
2 x 10 FourAnd succinic acid in the polymer (A10)
Structural units derived from mono-4-vinylbenzyl and 4-bi
Structural units derived from nylbenzyl glycidyl ether and
Was 64:36 by weight.

【0068】〈合成例11〉攪拌機、冷却管、窒素導入
管および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特
定単量体としてコハク酸モノ−4−ビニルベンジル6
0.0g、共重合性単量体としてメタクリル酸ベンジル
40.0g、重合開始剤としてN,N’−アゾビスイソ
ブチロニトリル10.0g、および重合溶媒としてプロ
ピレングリコールモノメチルエーテル100.0gを仕
込み、それ以外は合成例1と同様にして白色の粉末の重
合体(A11)を得た。この重合体(A11)における
特定カルボキシル基含有構造単位は、重合体(A8)の
ものと同一である。また、重合体(A11)のポリスチ
レン換算重量平均分子量は2.22×10 4 であり、重
合体(A11)におけるコハク酸モノ−4−ビニルベン
ジルに由来する構造単位とメタクリル酸ベンジルに由来
する構造単位との割合は、重量比で55:45であっ
た。
<Synthesis Example 11> Stirrer, cooling tube, nitrogen introduction
In a separable flask equipped with a tube and thermometer,
Mono-4-vinylbenzyl succinate 6 as constant monomer
0.0 g, benzyl methacrylate as a copolymerizable monomer
40.0 g, N, N'-azobisiso as a polymerization initiator
Butyronitrile (10.0 g) and professional solvent for polymerization
Prepare 100.0 g of pyrene glycol monomethyl ether
Except that the weight of the white powder was the same as in Synthesis Example 1.
A coalescence (A11) was obtained. In this polymer (A11)
The specific carboxyl group-containing structural unit is a polymer (A8)
It is the same as the one. In addition, the polymer (A11)
Len equivalent weight average molecular weight is 2.22 × 10 FourAnd is heavy
Mono-4-vinylben succinate in coalesced (A11)
Structural unit derived from zir and derived from benzyl methacrylate
The ratio with the structural unit is 55:45 by weight.
Was.

【0069】〈合成例12〉攪拌機、冷却管、窒素導入
管および温度計を装着したセパラブルフラスコ内に、特
定単量体としてコハク酸モノ−4−ビニルベンジル6
0.0g、共重合性単量体としてメタクリル酸ジシクロ
ヘキシル40.0g、重合開始剤としてN,N’−アゾ
ビスイソブチロニトリル10.0g、および重合溶媒と
してプロピレングリコールモノメチルエーテル100.
0gを仕込み、それ以外は合成例1と同様にして白色の
粉末の重合体(A12)を得た。この重合体(A12)
における特定カルボキシル基含有構造単位は、重合体
(A8)のものと同一である。また、重合体(A12)
のポリスチレン換算重量平均分子量は1.22×10 4
であり、重合体(A12)におけるコハク酸モノ−4−
ビニルベンジルに由来する構造単位とメタクリル酸ジシ
クロヘキシルに由来する構造単位との割合は、重量比で
55:45であった。
<Synthesis Example 12> Stirrer, cooling tube, nitrogen introduction
In a separable flask equipped with a tube and thermometer,
Mono-4-vinylbenzyl succinate 6 as constant monomer
0.0 g, dicyclomethacrylate as copolymerizable monomer
Hexyl 40.0 g, N, N'-azo as polymerization initiator
With 10.0 g of bisisobutyronitrile and a polymerization solvent
And propylene glycol monomethyl ether 100.
0 g was charged, otherwise the same as in Synthesis Example 1
A powdery polymer (A12) was obtained. This polymer (A12)
The specific carboxyl group-containing structural unit in is a polymer
It is the same as that of (A8). Further, the polymer (A12)
Polystyrene-converted weight average molecular weight is 1.22 × 10 Four
And succinic acid mono-4-in the polymer (A12)
Structural units derived from vinylbenzyl and dimethacrylate
The ratio with the structural unit derived from chlorhexyl is the weight ratio.
It was 55:45.

【0070】〈比較用重合体の合成例〉攪拌機、冷却
管、窒素導入管および温度計を装着したセパラブルフラ
スコ内に、単量体として4−ビニル安息香酸100.0
g、重合開始剤としてN,N’−アゾビスイソブチロニ
トリル10.0g、および重合溶媒としてプロピレング
リコールモノメチルエーテル200.0gを仕込み、そ
れ以外は合成例1と同様にして白色の粉末の比較用重合
体(A13)を得た。この比較用重合体(A13)のポ
リスチレン換算重量平均分子量は2.55×104 であ
った。
<Synthesis Example of Polymer for Comparison> 4-vinylbenzoic acid 100.0 as a monomer was placed in a separable flask equipped with a stirrer, a cooling tube, a nitrogen introducing tube and a thermometer.
g, N, N′-azobisisobutyronitrile 10.0 g as a polymerization initiator, and propylene glycol monomethyl ether 200.0 g as a polymerization solvent. Other than that, the same procedure as in Synthesis Example 1 was performed to compare white powders. A polymer (A13) was obtained. The polystyrene reduced weight average molecular weight of this comparative polymer (A13) was 2.55 × 10 4 .

【0071】〈実施例1〉(A)成分として重合体(A
1)100重量部と、(B)成分として2−(4−メト
キシ−β−スチリル)−ビス(4,6−トリクロロメチ
ル)−s−トリアジン2重量部と、(C)成分としてヘ
キサメトキシメチロールメラミン樹脂である「サイメル
300(三井サイアナミッド(株)製)」20重量部と
を、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテー
トに固形分濃度が30重量%となるように溶解させた
後、孔径0.2μmのメンブランフィルターで濾過する
ことにより、本発明の感放射線性樹脂組成物溶液(R
1)を得た。
Example 1 As the component (A), the polymer (A
1) 100 parts by weight, 2- (4-methoxy-β-styryl) -bis (4,6-trichloromethyl) -s-triazine 2 parts by weight as the component (B), and hexamethoxymethylol as the component (C). After dissolving 20 parts by weight of "Cymel 300 (manufactured by Mitsui Cyanamid Co., Ltd.)", which is a melamine resin, in propylene glycol monomethyl ether acetate so that the solid content concentration becomes 30% by weight, a membrane having a pore size of 0.2 μm is obtained. By filtering with a filter, the radiation-sensitive resin composition solution (R
1) was obtained.

【0072】〈実施例2〜12〉実施例1において、
(A)成分として重合体(A1)の代わりにそれぞれ重
合体(A2)〜重合体(A12)を用いたこと以外は同
様にして本発明の感放射線性樹脂組成物溶液(R2)〜
感放射線性樹脂組成物溶液(R12)を得た。
<Examples 2 to 12> In Example 1,
Radiation-sensitive resin composition solution (R2) of the present invention in the same manner except that the polymer (A2) to polymer (A12) are used instead of the polymer (A1) as the component (A), respectively.
A radiation sensitive resin composition solution (R12) was obtained.

【0073】〈実施例13〉(A)成分として重合体
(A9)100重量部と、(B)成分としてトリフェニ
ルスルホニウムトリフルオロメタンスルホナート10重
量部と、(C)成分としてヘキサメトキシメチロールメ
ラミン樹脂である「サイメル300」20重量部と、増
感剤として9−ヒドロキシメチルアントラセン5重量部
とを混合することにより、本発明の感放射線性樹脂組成
物溶液(R13)を得た。
Example 13 100 parts by weight of the polymer (A9) as the component (A), 10 parts by weight of triphenylsulfonium trifluoromethanesulfonate as the component (B), and hexamethoxymethylolmelamine resin as the component (C). The radiation-sensitive resin composition solution (R13) of the present invention was obtained by mixing 20 parts by weight of "CYMEL 300" which is the above and 5 parts by weight of 9-hydroxymethylanthracene as a sensitizer.

【0074】〈実施例14〜16〉実施例14におい
て、(A)成分として重合体(A9)の代わりに、重合
体(A10)、重合体(A11)、重合体(A12)を
用いたこと以外は、同様にして本発明の感放射線性樹脂
組成物溶液(R14)〜感放射線性樹脂組成物(R1
6)を得た。
<Examples 14 to 16> In Example 14, the polymer (A10), the polymer (A11), and the polymer (A12) were used as the component (A) instead of the polymer (A9). Other than the above, the radiation-sensitive resin composition solution (R14) to the radiation-sensitive resin composition (R1) of the present invention are similarly prepared.
6) was obtained.

【0075】〈比較例1〉実施例1において、重合体
(A1)の代わりに比較用重合体(A13)を用いたこ
と以外は同様にして比較用の感放射線性樹脂組成物溶液
(R17)を得た。
Comparative Example 1 A comparative radiation sensitive resin composition solution (R17) was prepared in the same manner as in Example 1 except that the comparative polymer (A13) was used in place of the polymer (A1). Got

【0076】これらの組成物溶液を用いて、下記の方法
によりパターンを形成し、感放射線性樹脂組成物の性能
評価を下記の項目について行った。
Using these composition solutions, patterns were formed by the following method, and the performance of the radiation sensitive resin composition was evaluated for the following items.

【0077】(1)パターン形成:上記の組成物溶液の
各々を用い、直径が4インチのシリコン基板上にスピン
コート法により厚みが2.0μmとなるように塗布し、
ホットプレート上で90℃で2分間プリベークを行うこ
とにより塗膜を形成した。次いで、この塗膜に対して、
NSR1505i6A縮小投影露光機((株)ニコン
製、NA=0.45,λ=365nm)により最適焦点
深度で放射線照射処理を行った後、ホットプレート上で
80℃で2分間PEB処理を行った。次いで、2.38
重量%テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を
用い、25℃で1分間現像処理を行い、水で洗浄して乾
燥することにより、パターンを形成した。
(1) Pattern formation: Each of the above composition solutions was applied onto a silicon substrate having a diameter of 4 inches by a spin coating method so as to have a thickness of 2.0 μm,
A coating film was formed by prebaking at 90 ° C. for 2 minutes on a hot plate. Then, for this coating,
After performing radiation irradiation treatment with an NSR1505i6A reduction projection exposure machine (manufactured by Nikon Corporation, NA = 0.45, λ = 365 nm) at an optimum depth of focus, PEB treatment was performed on a hot plate at 80 ° C. for 2 minutes. Then 2.38
A pattern was formed by performing development processing at 25 ° C. for 1 minute using an aqueous solution of tetramethylammonium hydroxide by weight, washing with water and drying.

【0078】(2)感放射線性樹脂組成物の性能評価: 〔感度〕上記のパターン形成工程において、放射線の照
射時間を変えて放射線照射処理を行うことにより、2.
0μmライン・アンド・スペース(L/S)パターンの
投影像が形成される条件において、そのパターン線幅が
2.0μmとなるのに必要な照射時間(以下、「最適放
射線照射時間」という。)を求めた。 〔解像度〕最適放射線照射時間で放射線照射処理を行う
ことにより形成されたパターンについて、解像されてい
る最小のスペースパターンの寸法を走査型電子顕微鏡を
用いて測定した。 〔現像性〕形成されたパターンを走査型電子顕微鏡によ
り観察し、ライン部分の表面荒れ、スペース部分の現像
残り(スカム)の有無を調べ、これらが生じていないも
のを○、生じているものを×として評価した。
(2) Performance Evaluation of Radiation Sensitive Resin Composition: [Sensitivity] In the above pattern forming step, the irradiation time of the radiation is changed to perform the radiation irradiation treatment.
The irradiation time required for the pattern line width to be 2.0 μm under the condition that a projected image of a 0 μm line-and-space (L / S) pattern is formed (hereinafter referred to as “optimum radiation irradiation time”). I asked. [Resolution] With respect to the pattern formed by performing the radiation irradiation treatment at the optimum radiation irradiation time, the dimension of the smallest space pattern that was resolved was measured using a scanning electron microscope. [Developability] The formed pattern is observed by a scanning electron microscope to check the surface roughness of the line part and the presence or absence of undeveloped residue (scum) in the space part. It was evaluated as x.

【0079】〔パターン形状〕最適放射線照射時間で放
射線照射処理を行うことにより形成されたパターンにつ
いて、その断面形状を走査型電子顕微鏡により観察し、
図1(イ)に示すように、パターン1の上面2の幅とパ
ターン1の下面3の幅とが実質上同一である場合を○、
図1(ロ)に示すように、パターン1の上面2の幅がパ
ターン1の下面3の幅より小さい場合を△、図1(ハ)
に示すように、パターン1の下面3の幅がパターン1の
上面2の幅より小さい場合を×として評価した。 〔残膜率〕現像処理後におけるパターンの膜厚d1を測
定し、初期の塗膜の膜厚dに対する膜厚d1の比率(d
1/d)×100を算出し、この比率が90以上である
場合を○、70以上90未満である場合を△、70以下
である場合を×として評価した。
[Pattern shape] The cross-sectional shape of the pattern formed by performing the radiation irradiation treatment for the optimum radiation irradiation time is observed with a scanning electron microscope,
When the width of the upper surface 2 of the pattern 1 and the width of the lower surface 3 of the pattern 1 are substantially the same as shown in FIG.
When the width of the upper surface 2 of the pattern 1 is smaller than the width of the lower surface 3 of the pattern 1 as shown in FIG.
When the width of the lower surface 3 of the pattern 1 is smaller than the width of the upper surface 2 of the pattern 1 as shown in FIG. [Residual film rate] The film thickness d1 of the pattern after the development treatment was measured, and the ratio of the film thickness d1 to the film thickness d of the initial coating film (d
1 / d) × 100 was calculated, and when the ratio was 90 or more, it was evaluated as ◯, when it was 70 or more and less than 90, it was evaluated as Δ, and when it was 70 or less, it was evaluated as x.

【0080】〔放射線照射後におけるPEB処理を行う
までの放置依存性〕上記のパターン形成工程において、
放射線照射処理を行ってから2時間放置した後にPEB
処理を行ったこと以外は同様にしてパターンを形成し、
この場合における最適放射線照射時間Edを求め、放射
線照射処理直後に加熱処理を行ったときの最適放射線照
射時間Eに対する変化率{(E−Ed)/E}×100
(%)を算出し、変化率が20%未満である場合を○、
20%以上30%未満である場合を△、30%以上であ
る場合を×として評価した。 〔PEB温度依存性〕上記のパターン形成工程におい
て、90℃および100℃でPEB処理を行ったこと以
外は同様にしてパターンを形成し、これらの場合におけ
る最適放射線照射時間E90およびE100 を求め、90℃
でPEB処理を行ったときの最適放射線照射時間E90
対する100℃でPEB処理を行ったときの最適放射線
照射時間E100 の変化率{(E90−E100 )/E90}×
100(%)を算出し、変化率が20%未満である場合
を○、20%以上30%未満である場合を△、30%以
上である場合を×として評価した。 〔フォーカス許容性〕上記のパターン形成工程におい
て、放射線照射時間を最適放射線照射時間に固定し、N
SR1505i6A縮小投影露光機の焦点深度を変えて
放射線照射処理を行ったこと以外は同様にしてパターン
を形成し、パターンの断面形状が良好で、かつパターン
の寸法が1.8〜2.2μmとなるときの焦点深度を求
め、焦点深度が4.0μm以上である場合を○、3.9
μm以下である場合を×として評価した。
[Dependency of leaving after radiation irradiation until PEB treatment] In the above pattern forming step,
PEB after leaving for 2 hours after radiation treatment
A pattern is formed in the same manner except that the treatment is performed,
In this case, the optimum radiation irradiation time Ed is obtained, and the change rate with respect to the optimum radiation irradiation time E when the heat treatment is performed immediately after the radiation irradiation processing {(E-Ed) / E} × 100
(%) Is calculated, and if the change rate is less than 20%,
The case of 20% or more and less than 30% was evaluated as Δ, and the case of 30% or more was evaluated as x. [PEB Temperature Dependence] In the above pattern forming step, a pattern is formed in the same manner except that PEB treatment is performed at 90 ° C. and 100 ° C., and optimum radiation irradiation times E 90 and E 100 in these cases are obtained. , 90 ℃
Change rate of the optimum radiation irradiation time E 100 when the PEB processing is performed at 100 ° C. with respect to the optimum radiation irradiation time E 90 when the PEB processing is performed at {(E 90 −E 100 ) / E 90 } ×
100 (%) was calculated, and when the rate of change was less than 20%, it was evaluated as ◯, when it was 20% or more and less than 30%, it was evaluated as Δ, and when it was 30% or more, it was evaluated as x. [Focus Tolerance] In the above pattern forming step, the radiation irradiation time is fixed to the optimum radiation irradiation time, and N
A pattern is formed in the same manner except that the radiation depth is changed by changing the depth of focus of the SR1505i6A reduction projection exposure machine, the pattern has a good cross-sectional shape, and the pattern has a dimension of 1.8 to 2.2 μm. When the depth of focus is 4.0 μm or more, ◯ is calculated as 3.9.
When it was less than μm, it was evaluated as x.

【0081】〔耐熱透明性〕上記のパターン形成工程に
おいて、シリコン基板の代わりに、ガラス基板(コーニ
ング(株)製、#7059)を用いたこと以外は同様に
してパターンを形成した。このパターンが形成された基
板を200℃のクリーンオーブン中で2時間加熱処理し
た。この加熱処理された基板について、波長380〜7
80nmにおける光線透過率を測定し、光線透過率の最
も低い値が90%以上である場合を○、89%以下であ
る場合を×として評価した。 〔耐溶剤性〕上記のパターン形成工程において、シリコ
ン基板の代わりに、ガラス基板(コーニング(株)製、
#7059)を用いたこと以外は同様にしてパターンを
形成した。このパターンが形成された基板を4つに分割
し、ぞれぞれアセトン、イソプロピルアルコール、乳酸
エチルおよびジメチルスルホキシドに1分間浸漬した
後、パターンの膜厚を測定し、浸漬する前の膜厚に対し
て90%以上である場合を○、89%以下である場合を
×として評価した。以上結果を表1に示す。
[Heat Resistant Transparency] In the above pattern forming step, a pattern was formed in the same manner except that a glass substrate (# 7059 manufactured by Corning Inc.) was used instead of the silicon substrate. The substrate on which this pattern was formed was heat-treated in a clean oven at 200 ° C. for 2 hours. For this heat-treated substrate, wavelengths of 380-7
The light transmittance at 80 nm was measured, and the case where the lowest value of the light transmittance was 90% or more was evaluated as ◯, and the case where it was 89% or less was evaluated as x. [Solvent resistance] In the above pattern forming step, instead of the silicon substrate, a glass substrate (manufactured by Corning Inc.,
A pattern was formed in the same manner except that # 7059) was used. The substrate on which this pattern was formed was divided into 4 parts, and each was immersed in acetone, isopropyl alcohol, ethyl lactate and dimethylsulfoxide for 1 minute, and then the film thickness of the pattern was measured. On the other hand, 90% or more was evaluated as ◯, and 89% or less was evaluated as x. The above results are shown in Table 1.

【0082】[0082]

【表1】 [Table 1]

【0083】上記表1の耐溶剤性の欄において、Aはア
セトン、Iはイソプロピルアルコール、Eは乳酸エチ
ル、Dはジメチルスルホキシドを示す。
In the solvent resistance column of Table 1 above, A is acetone, I is isopropyl alcohol, E is ethyl lactate, and D is dimethyl sulfoxide.

【0084】実施例1〜16で得られた感放射線性樹脂
組成物溶液(R1)〜感放射線性樹脂組成物溶液(R1
6)を、25℃で3か月間保存し、上記の性能評価を行
ったところ、表1に示す結果と同等の結果が得られ、こ
れらの感放射線性樹脂組成物は、優れた保存安定性を有
するものであることが確認された。
Radiation-sensitive resin composition solution (R1) obtained in Examples 1 to 16 to radiation-sensitive resin composition solution (R1)
When 6) was stored at 25 ° C. for 3 months and the above performance evaluation was performed, the same results as those shown in Table 1 were obtained, and these radiation-sensitive resin compositions have excellent storage stability. Was confirmed to have

【0085】[0085]

【発明の効果】本発明の感放射線性樹脂組成物は、放射
線を照射してからPEB処理を行うまでの時間の長さ
や、PEB処理の加熱温度の如何によらず、得られるパ
ターンの寸法の変化が小さく、優れたフォーカス許容性
および耐熱透明性を有するものである。また、本発明の
感放射線性樹脂組成物は、感度が高く、優れた保存安定
性を有し、しかも、解像度および残膜率が高く、耐熱
性、基板との密着性に優れたパターンを形成することが
できる。さらに、本発明の感放射線性樹脂組成物は、液
晶カラーフィルターの保護膜、マイクロレンズ等の光学
材料、半導体集積回路、LCD用TFT回路、集積回路
作成用マスク等を製造するためのレジストとして好適に
用いることがてきる。
INDUSTRIAL APPLICABILITY The radiation-sensitive resin composition of the present invention has a dimension of a pattern obtained regardless of the length of time from the irradiation of radiation to the PEB treatment and the heating temperature of the PEB treatment. The change is small, and the focus tolerance and the heat-resistant transparency are excellent. Further, the radiation-sensitive resin composition of the present invention forms a pattern having high sensitivity, excellent storage stability, high resolution and high residual film rate, and excellent heat resistance and adhesion to a substrate. can do. Further, the radiation-sensitive resin composition of the present invention is suitable as a resist for producing a protective film for a liquid crystal color filter, an optical material such as a microlens, a semiconductor integrated circuit, a TFT circuit for LCD, a mask for making an integrated circuit, and the like. Can be used for.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】実施例の感放射線性樹脂組成物の性能評価にお
いて使用した、パターンの評価用断面形状モデルを示す
説明図である。
FIG. 1 is an explanatory view showing a cross-sectional shape model for evaluating a pattern used in performance evaluation of a radiation-sensitive resin composition of an example.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 パターン 2 上面 3 下面 4 基板 1 pattern 2 upper surface 3 lower surface 4 substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 別所 信夫 東京都中央区築地2丁目11番24号 日本合 成ゴム株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Nobuo Bessho 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Japan Synthetic Rubber Co., Ltd.

Claims (1)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記式(1)で表されるカルボキシル基
含有構造単位を含む重合体よりなる(A)成分と、 放射線を受けることにより酸を発生する酸発生化合物よ
りなる(B)成分と、 前記(B)成分より発生した酸の作用により架橋されう
る基を少なくとも1個以上有する化合物よりなる(C)
成分とを含有することを特徴とする感放射線性樹脂組成
物。 【化1】
1. A component (A) consisting of a polymer containing a structural unit containing a carboxyl group represented by the following formula (1), and a component (B) consisting of an acid generating compound which generates an acid when exposed to radiation. A compound having at least one group capable of being crosslinked by the action of an acid generated from the component (B) (C)
A radiation-sensitive resin composition, comprising: Embedded image
JP7042742A 1995-03-02 1995-03-02 Radiation sensitive resin composition Withdrawn JPH08240911A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7042742A JPH08240911A (en) 1995-03-02 1995-03-02 Radiation sensitive resin composition

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP7042742A JPH08240911A (en) 1995-03-02 1995-03-02 Radiation sensitive resin composition

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH08240911A true JPH08240911A (en) 1996-09-17

Family

ID=12644479

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP7042742A Withdrawn JPH08240911A (en) 1995-03-02 1995-03-02 Radiation sensitive resin composition

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH08240911A (en)

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000080124A (en) * 1998-08-27 2000-03-21 Hyundai Electronics Ind Co Ltd Photoresist monomer, photoresist copolymer and preparation thereof, photoresist composition, photoresist pattern formation method, and semiconductor device
US6074801A (en) * 1997-08-27 2000-06-13 Nec Corporation Negative type photoresist composition used for light beam with short wavelength and method of forming pattern using the same
US6140010A (en) * 1997-08-27 2000-10-31 Nec Corporation Negative type photoresist composition used for light beam with short wavelength and method of forming pattern using the same
JP2002040656A (en) * 2000-07-19 2002-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd Negative resist composition for electron beam or x-ray
WO2004079453A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-16 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist material for liquid immersion exposure process and method of forming resist pattern with the resist material
JP2018120103A (en) * 2017-01-25 2018-08-02 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method
JP2018120102A (en) * 2017-01-25 2018-08-02 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method

Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6074801A (en) * 1997-08-27 2000-06-13 Nec Corporation Negative type photoresist composition used for light beam with short wavelength and method of forming pattern using the same
US6140010A (en) * 1997-08-27 2000-10-31 Nec Corporation Negative type photoresist composition used for light beam with short wavelength and method of forming pattern using the same
JP2000080124A (en) * 1998-08-27 2000-03-21 Hyundai Electronics Ind Co Ltd Photoresist monomer, photoresist copolymer and preparation thereof, photoresist composition, photoresist pattern formation method, and semiconductor device
JP2002040656A (en) * 2000-07-19 2002-02-06 Fuji Photo Film Co Ltd Negative resist composition for electron beam or x-ray
WO2004079453A1 (en) * 2003-03-04 2004-09-16 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Resist material for liquid immersion exposure process and method of forming resist pattern with the resist material
KR100702730B1 (en) * 2003-03-04 2007-04-03 도쿄 오카 고교 가부시키가이샤 Resist material for liquid immersion exposure process and method of forming resist pattern with the resist material
JP2018120103A (en) * 2017-01-25 2018-08-02 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method
JP2018120102A (en) * 2017-01-25 2018-08-02 東京応化工業株式会社 Resist composition and resist pattern forming method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3650985B2 (en) Negative-type radiation-sensitive resin composition and pattern production method
JP3258014B2 (en) Positive radiation-sensitive mixture and recording material produced using the same
TWI236578B (en) Chemically amplified positive resist composition
JPH06118656A (en) Reflection preventing film and resist pattern forming method
JP4686367B2 (en) Positive photosensitive composition and pattern forming method using the same
JP4711018B2 (en) Chemically amplified resist composition
JP3644243B2 (en) Radiation sensitive resin composition, color filter and liquid crystal display element
JP2002363225A (en) Polymer for chemically amplified resist and chemically amplified resist composition containing the same
JPH04162040A (en) Positive type photo-resist composition
JPH11271977A (en) Photoresist composition
WO2006121162A1 (en) Process for producing radiation-sensitive resin composition
JPH1172917A (en) Negative photoresist composition and method for forming pattern by using the same
JP2002006501A (en) Chemical amplification resist composition
JPH1010733A (en) Negative radiation sensitive resin composition
JPH08240911A (en) Radiation sensitive resin composition
US6171749B1 (en) Negative-working chemical-amplification photoresist composition
JPH06110199A (en) Antireflection film and formation of resist pattern
JPH05255216A (en) Radiation-sensitive mixture containing polymeric binder having alpha,beta-unsaturated carboxamide unit
JPH0375751A (en) Photosensitive mixture
JPH1055069A (en) Radiation sensitive resin composition
JP3944979B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP4069497B2 (en) Radiation sensitive resin composition
JP2001272781A (en) Positive type radiation sensitive resin composition
JP3424225B2 (en) Radiation-sensitive resin composition and coating formed therefrom
US7129023B2 (en) Photoresist polymer and photoresist composition containing the same

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20020507