JPH08237057A - Surface acoustic wave device and its frequency characteristic adjustment method - Google Patents
Surface acoustic wave device and its frequency characteristic adjustment methodInfo
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- JPH08237057A JPH08237057A JP3865095A JP3865095A JPH08237057A JP H08237057 A JPH08237057 A JP H08237057A JP 3865095 A JP3865095 A JP 3865095A JP 3865095 A JP3865095 A JP 3865095A JP H08237057 A JPH08237057 A JP H08237057A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は、弾性表面波フィルタ等
の弾性表面波装置とその周波数特性調整方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a surface acoustic wave device such as a surface acoustic wave filter and a frequency characteristic adjusting method thereof.
【0002】[0002]
【従来の技術】一般的に弾性表面波装置は、電気信号に
基づいて弾性表面波(Surface Acoustic Wave ;以下、
SAWという)を励振するためのすだれ状のトランスデ
ューサ(Interdigital Transducer ;以下、IDTとい
う)を有している。そのIDTに対する加工によって、
弾性表面波装置に種々の特性と機能がもたらされる。従
来、弾性表面波装置と言えば、主に弾性表面波フィルタ
を示していたが、現在では弾性表面波共振子も多く利用
されるようになり、表面弾性波装置の範囲も広くなって
いる。この他に、弾性表面波コンボルバもIDTを有し
ているので、弾性表面波装置の一つである。2. Description of the Related Art Generally, a surface acoustic wave device uses a surface acoustic wave (Surface Acoustic Wave;
It has an interdigital transducer (hereinafter referred to as IDT) for exciting SAW). By processing the IDT,
Various properties and functions are brought to the surface acoustic wave device. Conventionally, the surface acoustic wave device has mainly been a surface acoustic wave filter, but nowadays, surface acoustic wave resonators are also widely used, and the range of the surface acoustic wave device is wide. In addition to this, the surface acoustic wave convolver also has an IDT and is therefore one of the surface acoustic wave devices.
【0003】図2は、従来の弾性表面波装置を示す構造
図であり、例として弾性表面波共振子が示されている。
この弾性表面波共振子は、LiTaO3 やLiNbO3
等の圧電基板1を有している。圧電基板1上にはアルミ
ニウム或いはアルミニウムを主材料とする薄膜の下敷き
2が形成され、その下敷き2の上に入力端子3及び出力
端子4が形成されている。入力端子3及び出力端子4
は、金の薄膜のボンディングパッドである。入力端子3
及び出力端子4は、下敷き2を介してSAW励振用のI
DT5にそれぞれ接続されている。IDT5は、入力端
子3に接続された電極指5aと出力端子4に接続された
電極指5bとで構成されている。IDT5は下敷き2と
同時に作製されたものであり、そのIDT5の膜厚と材
質は、下敷き2と同じである。IDT5の両側には、反
射器6が形成されている。反射器6もIDT5と同時に
作製され、その反射器6の膜厚と材質はIDT5と同じ
である。反射器6は、アルミニウムパターン7を介して
アース線用金薄膜のボンディングパッド8にそれぞれ接
続されている。用途によっては、反射器6が不要となる
場合もある。使用目的によってIDT5の形状や配置は
様々であり、多少のバリエーションはあるが、他の表面
弾性波装置の構成も図2と基本的に同じ構造である。FIG. 2 is a structural view showing a conventional surface acoustic wave device, and a surface acoustic wave resonator is shown as an example.
This surface acoustic wave resonator is made of LiTaO 3 or LiNbO 3
Etc. have a piezoelectric substrate 1. An underlay 2 of aluminum or a thin film containing aluminum as a main material is formed on a piezoelectric substrate 1, and an input terminal 3 and an output terminal 4 are formed on the underlay 2. Input terminal 3 and output terminal 4
Is a gold thin film bonding pad. Input terminal 3
The output terminal 4 is connected to the I 2 for SAW excitation through the underlay 2.
Each is connected to DT5. The IDT 5 is composed of an electrode finger 5a connected to the input terminal 3 and an electrode finger 5b connected to the output terminal 4. The IDT 5 was produced at the same time as the underlay 2, and the film thickness and material of the IDT 5 are the same as those of the underlay 2. Reflectors 6 are formed on both sides of the IDT 5. The reflector 6 is also manufactured at the same time as the IDT 5, and the film thickness and material of the reflector 6 are the same as those of the IDT 5. The reflectors 6 are each connected to the bonding pad 8 of the gold thin film for the ground wire via the aluminum pattern 7. Depending on the application, the reflector 6 may be unnecessary. The shape and arrangement of the IDT 5 vary depending on the purpose of use, and there are some variations, but the configuration of the other surface acoustic wave device is basically the same as that of FIG.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
弾性表面波装置では、次のような課題があった。一般的
に、各種弾性表面波装置は、特定の周波数帯域において
機能するように設計されている。その周波数帯域の中心
周波数Fc は、電極指5a,5bのピッチ、即ち電極指
間の間隔と、その膜厚と、圧電基板1上のSAWの伝搬
速度とで決まってくる。使用する圧電基板1の種類(例
えば、LiTaO3 ,LiNbO3 、水晶等)とIDT
5の材質が決まってくると、およそ電極間の間隔と、そ
の膜厚も自然に決まってくる。製造工程において、それ
らIDT5の電極指5a,5bの間隔は膜厚より先に決
められるので、最終的に中心周波数Fc を左右するのは
IDT5の膜厚となる。IDT5の膜厚が設計値よりも
厚くなると、SAWの伝搬速度が遅くなり、中心周波数
Fc が低域側に移動する。逆に設計値よりも薄くなる
と、SAWの伝搬速度が速くなり、中心周波数Fc が高
域側に移動する。したがって、所望の中心周波数Fc を
得るためには、IDT5の膜厚をいかに正確に形成でき
るかに、かかっている。However, the conventional surface acoustic wave device has the following problems. Generally, various surface acoustic wave devices are designed to function in a specific frequency band. The center frequency F c of the frequency band, the electrode fingers 5a, 5b of the pitch, i.e. the distance between the electrode fingers, and the thickness thereof come determined by the SAW propagation velocity of the piezoelectric substrate 1. Type of piezoelectric substrate 1 used (eg, LiTaO 3 , LiNbO 3 , crystal, etc.) and IDT
When the material of No. 5 is determined, the interval between the electrodes and the film thickness thereof are also naturally determined. In the manufacturing process, the distance between the electrode fingers 5a and 5b of the IDT 5 is determined before the film thickness, so that the film thickness of the IDT 5 finally influences the center frequency F c . When the film thickness of the IDT 5 becomes thicker than the designed value, the SAW propagation speed becomes slow and the center frequency F c moves to the low frequency side. On the contrary, when the thickness is smaller than the design value, the SAW propagation speed increases, and the center frequency F c moves to the high frequency side. Therefore, in order to obtain the desired center frequency F c , it depends on how accurately the film thickness of the IDT 5 can be formed.
【0005】従来の弾性表面波装置において、IDT5
は蒸着で形成される場合が、ほとんどである。また、ス
パッタリングで形成される場合もある。蒸着でIDT5
を形成した方が、スパッタリングで形成するよりも膜厚
の精度が高い上に膜質もよい。現在、市場に出回ってい
る蒸着機のうちで高性能なものは、5パーセント程度の
精度でIDT5を成膜できる。例えば、36゜YXcu
tのLiTaO3 の圧電基板1上に、主材料をアルミニ
ウムとしたIDT5を形成する場合、その蒸着機を用い
ても所望の中心周波数Fc が835MHzに対して、83
5±2MHzの中心周波数の弾性表面波装置しか得られな
い。この精度が許容される場合はよいが、そうでない場
合には、周波数特性を調整する必要がある。周波数特性
の調整方法には、基本的に二通りの方法がある。即ち、
中心周波数Fc が低域に移動している場合に用いられる
方法か、または中心周波数Fc が高域に移動している場
合に用いられる方法かによって、周波数特性の調整が行
われていた。In the conventional surface acoustic wave device, the IDT5
In most cases, is formed by vapor deposition. It may also be formed by sputtering. IDT5 by vapor deposition
The film quality is higher when the film is formed, and the film quality is higher than when the film is formed by sputtering. Among the vapor deposition machines currently on the market, high performance ones can form an IDT5 film with an accuracy of about 5%. For example, 36 ° YXcu
When the IDT 5 whose main material is aluminum is formed on the piezoelectric substrate 1 of LiTaO 3 of t, the desired center frequency F c is 83 with respect to 835 MHz even if the vapor deposition machine is used.
Only surface acoustic wave devices with a center frequency of 5 ± 2 MHz can be obtained. If this accuracy is acceptable, it is necessary, but if not, the frequency characteristics need to be adjusted. There are basically two methods for adjusting the frequency characteristics. That is,
The frequency characteristic is adjusted depending on whether the method is used when the center frequency F c is moving to the low range or the method used when the center frequency F c is moving to the high range.
【0006】中心周波数Fc が低域に移動している場合
はIDT5の膜厚が設計値よりも厚いので、ドライエッ
チングで膜厚を少しずつ減じ、中心周波数Fc を所望の
値に調整する。中心周波数Fc が高域に移動している場
合、IDT5の膜厚が設計値よりも薄いので、まず、I
DT5上にスパッタリング等で絶縁膜の例えばSiO2
やZnOをやや厚目に堆積する。そして、ドライエッチ
ングまたはウェットエッチングで、その絶縁膜を削り、
中心周波数Fc を所望の値に調整する。ただし、ウェッ
トエッチングの場合、エッチング速度が速いので、ID
T5がエッチングされないような注意が必要である。い
ずれにしても、これら二通りの周波数特性の調整方法に
は手間と時間がかかり、弾性表面波装置のコストの上昇
が避けられなかった。Since the film thickness of the IDT 5 is thicker than the design value when the center frequency F c is moving to the low range, the film thickness is gradually reduced by dry etching to adjust the center frequency F c to a desired value. . When the center frequency F c is moving to a high range, the film thickness of the IDT 5 is thinner than the designed value.
An insulating film such as SiO 2 is formed on the DT 5 by sputtering or the like.
ZnO is deposited to be slightly thicker. Then, the insulating film is removed by dry etching or wet etching,
Adjust the center frequency F c to the desired value. However, in the case of wet etching, since the etching rate is high, ID
Care must be taken that T5 is not etched. In any case, these two methods of adjusting the frequency characteristics take time and effort, and the cost of the surface acoustic wave device is inevitably increased.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】第1の発明は、上記課題
を解決するために、圧電基板上にすだれ状に形成され、
与えられた高周波信号に基づき弾性表面波を励振するト
ランスデューサを備えた弾性表面波装置において、前記
トランスデューサの上に堆積された誘電体膜と、前記誘
電体膜上に形成された電極用金属薄膜とを、設けてい
る。第2の発明は、第1の発明の弾性表面波装置を金属
板または金属薄膜上に搭載し、それら金属板または金属
薄膜と前記電極用金属薄膜との間に可変直流電圧を加え
て静電力を発生させ、前記圧電基板の表面圧力を連続的
に制御するようにしている。第3の発明は、第1の発明
の弾性表面波装置を金属板または金属薄膜に搭載し、そ
れら金属板または金属薄膜と前記電極用金属薄膜との間
に、複数の電圧値から選択された電圧値を出力する電圧
源を接続し、該選択された電圧値に基づく静電力を発生
させて前記圧電基板の表面圧力を段階的に制御するよう
にしている。In order to solve the above-mentioned problems, the first invention is formed on a piezoelectric substrate in a comb shape,
In a surface acoustic wave device including a transducer that excites a surface acoustic wave based on a given high-frequency signal, a dielectric film deposited on the transducer, and an electrode metal thin film formed on the dielectric film. Is provided. According to a second invention, the surface acoustic wave device of the first invention is mounted on a metal plate or a metal thin film, and a variable DC voltage is applied between the metal plate or the metal thin film and the metal thin film for electrodes to generate electrostatic force. Is generated and the surface pressure of the piezoelectric substrate is continuously controlled. According to a third invention, the surface acoustic wave device of the first invention is mounted on a metal plate or a metal thin film, and a plurality of voltage values are selected between the metal plate or the metal thin film and the electrode metal thin film. A voltage source that outputs a voltage value is connected to generate an electrostatic force based on the selected voltage value to control the surface pressure of the piezoelectric substrate stepwise.
【0008】[0008]
【作用】弾性表面波装置の周波数特性である中心周波数
Fc 等は、IDTの膜厚が設計値よりも厚くなると低域
側に移動し、薄くなると高域側に移動する。IDTによ
って励振されたSAWの伝搬速度が変化することが、中
心周波数Fc 等の移動の原因である。即ち、IDTの膜
厚が厚くなると、圧電基板の表面圧力が増加してSAW
の伝搬速度が遅くなり、SAWの伝搬速度に反比例して
中心周波数Fc 等が低域側に移動する。同様に、IDT
の膜厚が薄くなると、圧電基板の表面圧力が減少してS
AWの伝搬速度が速くなり、中心周波数Fc 等が高域側
に移動する。換言すれば、圧電基板におけるSAWの伝
搬する領域の表面圧力が、弾性表面波装置の中心周波数
Fc 等を左右するといっても、過言ではない。第1〜第
3の発明によれば、IDTの上の誘電体膜上に電極用金
属薄まくを設けているので、弾性表面波装置を金属板ま
たは金属薄膜に搭載したとき、該金属板または金属薄膜
と電極用金属膜が一つのコンデンサを構成する。金属板
または金属薄膜と電極用金属膜との間に直流電圧を印加
すると、それらの間には静電力が発生して互いに引き合
う。即ち、圧電基板とIDTには、表面圧力が生じて周
波数特性が変化する。従って、前記課題を解決できるの
である。The center frequency F c or the like, which is the frequency characteristic of the surface acoustic wave device, moves to the low frequency side when the film thickness of the IDT becomes thicker than the design value, and moves to the high frequency side when it becomes thin. The change in the propagation velocity of the SAW excited by the IDT is the cause of the movement of the center frequency F c and the like. That is, as the film thickness of the IDT becomes thicker, the surface pressure of the piezoelectric substrate increases and the SAW
Of the SAW becomes slower, and the center frequency F c or the like moves to the lower frequency side in inverse proportion to the propagation speed of the SAW. Similarly, IDT
When the film thickness of S becomes thin, the surface pressure of the piezoelectric substrate decreases and S
The propagation speed of the AW becomes faster, and the center frequency F c, etc. moves to the high frequency side. In other words, it is no exaggeration to say that the surface pressure of the SAW propagation region of the piezoelectric substrate influences the center frequency F c of the surface acoustic wave device. According to the first to third inventions, since the metal thin film for electrode is provided on the dielectric film on the IDT, when the surface acoustic wave device is mounted on a metal plate or a metal thin film, the metal plate or The metal thin film and the metal film for electrodes form one capacitor. When a DC voltage is applied between the metal plate or the metal thin film and the electrode metal film, an electrostatic force is generated between them to attract each other. That is, the piezoelectric substrate and the IDT are subjected to surface pressure, and the frequency characteristics change. Therefore, the above problem can be solved.
【0009】[0009]
【実施例】第1の実施例 図1(1)〜(3)は、本発明の第1の実施例を示す弾
性表面波共振子の構造図であり、同図(1)は上面図、
同図(2)は同図(1)のA−A断面図、同図(3)は
拡大断面図である。この弾性表面波装置は弾性表面波共
振子であり、材質がLiTaO3 やLiNbO3 等で構
成された圧電基板11を有している。圧電基板11上に
はアルミニウム或いはアルミニウムを主材料とする薄膜
の下敷き12が形成され、その下敷き12の上に入力端
子13及び出力端子14が形成されている。入力端子1
3及び出力端子14は、金の薄膜のボンディングパッド
である。入力端子13及び出力端子14は、下敷き12
を介してすだれ状のSAW励振用のIDT15にそれぞ
れ接続されている。IDT15の膜厚と材質は下敷き1
2と同じである。IDT15の両側には、反射器16が
形成されている。反射器16もIDT15と同時に作製
され、反射器16の膜厚と材質はIDT15と同じであ
る。各反射器16は、アルミニウムパターン17を介し
てアース線用金薄膜のボンディングパッド18にそれぞ
れ接続されている。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First Embodiment FIGS. 1 (1) to 1 (3) are structural views of a surface acoustic wave resonator showing a first embodiment of the present invention. FIG.
FIG. 2B is an AA sectional view of FIG. 1A, and FIG. 3C is an enlarged sectional view. This surface acoustic wave device is a surface acoustic wave resonator, and has a piezoelectric substrate 11 made of a material such as LiTaO 3 or LiNbO 3 . An underlay 12 of aluminum or a thin film containing aluminum as a main material is formed on the piezoelectric substrate 11, and an input terminal 13 and an output terminal 14 are formed on the underlay 12. Input terminal 1
3 and the output terminal 14 are gold thin film bonding pads. The input terminal 13 and the output terminal 14 are the underlay 12
Are connected to the IDTs 15 for comb-shaped SAW excitation via the. The film thickness and material of IDT15 is underlay 1
Same as 2. Reflectors 16 are formed on both sides of the IDT 15. The reflector 16 is also manufactured at the same time as the IDT 15, and the film thickness and material of the reflector 16 are the same as those of the IDT 15. Each reflector 16 is connected to a bonding pad 18 of a gold thin film for a ground wire via an aluminum pattern 17.
【0010】IDT15の電極指の間と上部には、誘電
体膜20である誘電体薄膜或いは圧電体薄膜が、図1の
(2)および(3)のように形成されている。誘電体膜
20の上部には電極用金属薄膜21が形成されている。
IDT15及びアースと薄膜21とは電気的に完全に独
立しているが、電極用金属薄膜21の横には、図示しな
い外部回路と接続するための金薄膜ボンディングパッド
19が設けられている。薄膜21の材料の選択条件とし
ては、密度が低くIDTに不要な表面圧力を加えないも
のが適切である。この選択条件に該当するものには、ア
ルミニウムまたはアルミニウムを主体とした合金等が考
えられる。図3は、図1の製造工程を示す断面図であ
り、この図を参照しつつ、弾性表面波共振子の製造工程
を説明する。A dielectric thin film or a piezoelectric thin film which is the dielectric film 20 is formed between and above the electrode fingers of the IDT 15 as shown in (2) and (3) of FIG. A metal thin film 21 for an electrode is formed on the dielectric film 20.
The IDT 15 and ground and the thin film 21 are completely electrically independent, but a gold thin film bonding pad 19 for connecting to an external circuit (not shown) is provided beside the metal thin film 21 for electrodes. As a selection condition of the material of the thin film 21, it is appropriate that the density is low and unnecessary surface pressure is not applied to the IDT. Aluminum or an alloy mainly composed of aluminum can be considered as a material that meets this selection condition. FIG. 3 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of FIG. 1, and the manufacturing process of the surface acoustic wave resonator will be described with reference to this drawing.
【0011】第1ステップにおいて、圧電基板11上に
図1における下敷き12、IDT15、反射器16、パ
ターン17を成膜して形成する。これらの膜の標準膜厚
は、例えば、1000Åとする。第2ステップにおい
て、下敷き12、IDT15、反射器16、及びパター
ン17の成膜された圧電基板11の上にレジスト22を
全面に塗布する。第3ステップで、マスクパターン23
を通して露光を行う。第4ステップでは不要なレジスト
を除去することで、パターンを形成する。続いて、第5
ステップでは第4ステップで得られた試料の上に、誘電
体膜20の例えばSiO2 、ZnOまたはSi3 N4 を
堆積する。誘電体膜20の膜厚はIDT15の約1.5
〜2.0倍程度であり、該誘電体膜20の成膜方法はス
パッタリング法でよい。第6ステップにおいて、誘電体
膜20の上に電極用金属薄膜21を、蒸着またはスパッ
タリング法等で積層する。次の第7ステップにおいて、
不要なレジスト22のパターン、不要な誘電体膜20、
不要な電極用金属薄膜21をリフトオフで除去すること
により、IDT15の上部にのみに、誘電体膜20とそ
の上の電極用金属薄膜21を形成することができる。第
7ステップの後、入力端子13、出力端子14、アース
線用ボンディングパッド18等が形成される。In the first step, the underlay 12, the IDT 15, the reflector 16 and the pattern 17 shown in FIG. 1 are formed on the piezoelectric substrate 11 by film formation. The standard film thickness of these films is, for example, 1000Å. In the second step, a resist 22 is applied over the entire surface of the underlay 12, the IDT 15, the reflector 16, and the piezoelectric substrate 11 on which the pattern 17 is formed. In the third step, the mask pattern 23
Through. In the fourth step, a pattern is formed by removing unnecessary resist. Then, the fifth
In the step, for example, SiO 2 , ZnO or Si 3 N 4 of the dielectric film 20 is deposited on the sample obtained in the fourth step. The film thickness of the dielectric film 20 is about 1.5 of that of the IDT 15.
It is about 2.0 times, and the method for forming the dielectric film 20 may be a sputtering method. In the sixth step, the electrode thin metal film 21 is laminated on the dielectric film 20 by vapor deposition or sputtering. In the next 7th step,
Unnecessary resist 22 pattern, unnecessary dielectric film 20,
By removing the unnecessary electrode metal thin film 21 by lift-off, the dielectric film 20 and the electrode metal thin film 21 thereon can be formed only on the upper portion of the IDT 15. After the seventh step, the input terminal 13, the output terminal 14, the ground wire bonding pad 18, etc. are formed.
【0012】以上の工程によって図1の弾性表面波共振
子の構造は完成する。ここで、弾性表面波共振子の周波
数特性である中心周波数Fc が、所望の値によりも高い
場合、次のように調整を行う。弾性表面波共振子のチッ
プをパッケージに実装するとき、単独用パッケージの中
でも共用パッケージの中でも、下敷きの金属膜または金
属板が必要である。以下、この金属膜あるいは金属板を
電極用金属膜Bという。弾性表面波共振子の中心周波数
Fc を調整する本実施例において、その電極用金属膜B
と電極用金属薄膜21との間に直流電界が印加されるよ
うに、該電極用金属膜Bと電極用金属薄膜21を外部直
流回路に接続する。図4は、図1と外部直流回路との接
続を示す略図である。電極用金属膜Bと図1の弾性表面
波共振子の電極用金属薄膜21とに、可変電圧直流電圧
源30の電圧を印加すれば、電極用金属膜Bと電極用金
属薄膜21とに電位差が生じる。その結果、電極用金属
膜Bと電極用金属薄膜21との間に静電力が働き、互い
に引き合うようになる。Through the above steps, the structure of the surface acoustic wave resonator shown in FIG. 1 is completed. Here, when the center frequency F c, which is the frequency characteristic of the surface acoustic wave resonator, is higher than a desired value, adjustment is performed as follows. When mounting a surface acoustic wave resonator chip in a package, an underlying metal film or metal plate is required in both a single package and a common package. Hereinafter, this metal film or metal plate is referred to as an electrode metal film B. In this embodiment for adjusting the center frequency F c of the surface acoustic wave resonator, the electrode metal film B is used.
The electrode metal film B and the electrode metal thin film 21 are connected to an external DC circuit so that a DC electric field is applied between the electrode metal film 21 and the electrode metal thin film 21. FIG. 4 is a schematic diagram showing the connection between FIG. 1 and an external DC circuit. When the voltage of the variable voltage DC voltage source 30 is applied to the electrode metal film B and the electrode metal thin film 21 of the surface acoustic wave resonator of FIG. 1, a potential difference is generated between the electrode metal film B and the electrode metal thin film 21. Occurs. As a result, an electrostatic force acts between the electrode metal film B and the electrode metal thin film 21 to attract each other.
【0013】図5は、ステムに搭載した図1の弾性表面
波共振子を示す図であり、図6(1)(2)は、図5の
A−A断面とB−B断面を示す図である。弾性表面波共
振子のチップは電極用金属膜Bとなるステム40に搭載
される。ステム40は入力端子41及び出力端子42を
有している。各端子41,42は、ガラス43で囲われ
てステム40本体とは絶縁されている。入力端子41が
弾性表面波共振子の入力端子13にボンディングワイヤ
44で接続され、出力端子42が弾性表面波共振子の出
力端子14にボンディングワイヤ45で接続されてい
る。一方、弾性表面波共振子のアース線用ボンディング
パッド18は、ボンディングワイヤ46でステム40の
本体に接続され、そのステム40の本体に形成されたア
ース端子47が外部に導出されている。電極用金属薄膜
21を外部に接続するためのボンデイングパッド19
は、ボンディングワイヤ48で直流電圧端子49に接続
され、該直流電圧端子49が図示しない直流電圧源30
に接続されている。直流電圧端子49の周囲もガラス4
3で囲まれ、ステム40とその直流電圧端子49が絶縁
されている。ステム40の上部は金属の蓋50でカバー
され、弾性表面波共振子のチップが密閉される構造であ
る。FIG. 5 is a diagram showing the surface acoustic wave resonator of FIG. 1 mounted on a stem, and FIGS. 6 (1) and 6 (2) are diagrams showing the AA cross section and the BB cross section of FIG. Is. The chip of the surface acoustic wave resonator is mounted on the stem 40 that serves as the metal film B for electrodes. The stem 40 has an input terminal 41 and an output terminal 42. Each terminal 41, 42 is surrounded by glass 43 and insulated from the stem 40 main body. The input terminal 41 is connected to the input terminal 13 of the surface acoustic wave resonator by a bonding wire 44, and the output terminal 42 is connected to the output terminal 14 of the surface acoustic wave resonator by a bonding wire 45. On the other hand, the ground wire bonding pad 18 of the surface acoustic wave resonator is connected to the main body of the stem 40 by the bonding wire 46, and the ground terminal 47 formed on the main body of the stem 40 is led to the outside. Bonding pad 19 for connecting metal thin film 21 for electrodes to the outside
Is connected to a DC voltage terminal 49 by a bonding wire 48, and the DC voltage terminal 49 is connected to a DC voltage source 30 (not shown).
It is connected to the. Glass 4 around the DC voltage terminal 49
Surrounded by 3, the stem 40 and its DC voltage terminal 49 are insulated. The top of the stem 40 is covered with a metal lid 50, and the surface acoustic wave resonator chip is sealed.
【0014】次に、図1、図5及び図6に示された弾性
表面波共振子の動作を説明する。入力端子41を介して
数MHz以上の高周波信号が入力端子13に入力される
と、電気的に該入力端子13に接続された電極指15a
に高周波電圧がかかる。このとき、電極指15aに隣接
して出力端子14に接続された電極指15bには、誘導
的に高周波電圧が発生するが、位相的に遅れているの
で、入力端子13と出力端子14間には電位差が生じ
る。これによって、電極指下の圧電基板11の表面は歪
み、入力信号と同じ周波数のSAWが励振する。SAW
の励振で電極指15aと電極指15bの結合はいっそう
強まり、出力端子14からある帯域の高周波信号が出力
される。出力端子14から出力される高周波信号の帯域
は、励振したSAWの伝搬速度に左右されることは、す
でに述べている。本実施例の重点は、SAWの伝搬速度
を電気的に制御することである。その圧電基板11のS
AWの伝搬する表面の圧力が増すと、該SAWの伝搬速
度は低下し、弾性表面波装置の中心周波数Fc が低域側
に移動する。本実施例では電極用金属薄膜21が可変電
圧直流電圧源30に接続されているので、該電極用金属
薄膜21と電極用金属膜Bとなるステム40の間には駆
動直流電圧が印加される。したがって、電極用金属薄膜
21とステム40の間には静電力が働いて、互いに引き
合うことになる。結果として、弾性表面波共振子のID
T15と圧電基板11が圧力を受けるので、SAWの伝
搬速度が遅くなる。Next, the operation of the surface acoustic wave resonator shown in FIGS. 1, 5 and 6 will be described. When a high frequency signal of several MHz or more is input to the input terminal 13 via the input terminal 41, the electrode fingers 15a electrically connected to the input terminal 13
High frequency voltage is applied to. At this time, a high-frequency voltage is inductively generated in the electrode finger 15b connected to the output terminal 14 adjacent to the electrode finger 15a, but since it is delayed in phase, it is between the input terminal 13 and the output terminal 14. Causes a potential difference. As a result, the surface of the piezoelectric substrate 11 under the electrode fingers is distorted, and SAW having the same frequency as the input signal is excited. SAW
By the excitation, the coupling between the electrode fingers 15a and 15b is further strengthened, and a high frequency signal in a certain band is output from the output terminal 14. It has already been described that the band of the high frequency signal output from the output terminal 14 depends on the propagation speed of the excited SAW. The focus of this embodiment is to electrically control the SAW propagation velocity. S of the piezoelectric substrate 11
When the pressure of the surface on which the AW propagates increases, the propagation velocity of the SAW decreases, and the center frequency F c of the surface acoustic wave device moves to the low frequency side. In this embodiment, since the electrode metal thin film 21 is connected to the variable voltage DC voltage source 30, the drive DC voltage is applied between the electrode metal thin film 21 and the stem 40 which becomes the electrode metal film B. . Therefore, an electrostatic force acts between the metal thin film for electrode 21 and the stem 40 to attract each other. As a result, the ID of the surface acoustic wave resonator
Since T15 and the piezoelectric substrate 11 receive pressure, the SAW propagation speed becomes slow.
【0015】駆動直流電圧が高ければ高いほど、IDT
15にかかる圧力が増し、SAWの伝搬速度もこれに反
比例して下がる。即ち、駆動直流電圧で連続的にSAW
の伝搬速度を下げることにより、弾性表面波共振子の中
心周波数Fc を連続的に低域側に下げることができ、中
心周波数Fc を所望の値にすることができる。以上のよ
うに、本実施例にでは、IDT15の上部に誘電体膜2
0を介して電極用金属薄膜21を備え、図4の電極用金
属膜Bに対応するステム40に弾性表面波共振子を搭載
している。即ち、電極用金属薄膜21とステム40を両
電極とした一つのコンデンサに弾性表面波共振子系が収
められた構成となっている。そのため、電極用金属薄膜
21とステム40間に電位差が生じると静電力で引き合
い、弾性表面波共振子のIDT15に圧力が加わり、I
DT15の膜厚を増加するのと、同様の効果が得られ
る。The higher the driving DC voltage, the higher the IDT
The pressure applied to 15 increases, and the SAW propagation velocity also decreases in inverse proportion to this. That is, the SAW is continuously driven by the driving DC voltage.
By reducing the propagation velocity of, the center frequency F c of the surface acoustic wave resonator can be continuously lowered to the low frequency side, and the center frequency F c can be set to a desired value. As described above, in this embodiment, the dielectric film 2 is formed on the IDT 15.
The metal thin film 21 for electrodes is provided with the surface acoustic wave resonator mounted on the stem 40 corresponding to the metal film B for electrodes in FIG. That is, the surface acoustic wave resonator system is housed in one capacitor having the electrode thin metal film 21 and the stem 40 as both electrodes. Therefore, when a potential difference is generated between the electrode metal thin film 21 and the stem 40, they are attracted by an electrostatic force, and pressure is applied to the IDT 15 of the surface acoustic wave resonator.
The same effect can be obtained by increasing the film thickness of DT15.
【0016】電極用金属膜Bと電極用金属薄膜21の間
の静電力Fは、次の(i)式で表すことができる。 F=−εSV2 /2/d2 ・・・(i) 但し、ε;電極用金属膜Bと電極用金属薄膜21間の誘
電率であり、ほぼ圧電基板11の誘電率に等しい。 S;電極用金属膜Bと電極用金属薄膜21の対向面積で
あり、ほぼ電極用金属薄膜21の面積に等しい。 d;電極用金属膜Bと電極用金属薄膜21の間隔であ
り、ほぼ圧電基板11の厚さに等しい。 V;電極用金属膜Bと電極用金属薄膜21間に印加され
る駆動直流電圧 (i)式中の“−”符号は、静電力Fが吸引力であるこ
とを示している。なお、(i)式については、次の文献
にも示されている。 文献;卯本重郎著、“電磁気学”(昭52)昭晃堂、P.
103 弾性表面波共振子にかかる力は、電極用金属膜Bと電極
用金属薄膜21にかかる駆動直流電圧Vの二乗に比例す
る。即ち、それほど電圧Vが高くなくても、弾性表面波
共振子のIDT15に高い表面圧力をかけることができ
る。その表面圧力Pは、次の(ii)式となる。 P=F/S=−εV2 /2/d2 ・・・(ii) また、励振したSAWの伝搬速度は表面圧力Pに反比例
し、弾性表面波共振子の中心周波数Fc が該伝搬速度に
比例する。つまり、弾性表面波共振子の中心周波数Fc
が表面圧力Pに反比例する。(ii)式により、表面圧力
は駆動直流電圧Vの二乗に比例するので、中心周波数F
c が、電圧Vの二乗に反比例することになる。The electrostatic force F between the electrode metal film B and the electrode metal thin film 21 can be expressed by the following equation (i). F = -εSV 2/2 / d 2 ··· (i) where, epsilon; is the dielectric constant between the electrode metal films B and the electrode metal film 21, substantially equal to the dielectric constant of the piezoelectric substrate 11. S: The facing area of the electrode metal film B and the electrode metal thin film 21, which is almost equal to the area of the electrode metal thin film 21. d: The distance between the electrode metal film B and the electrode metal thin film 21, which is approximately equal to the thickness of the piezoelectric substrate 11. V: Driving DC voltage applied between the electrode metal film B and the electrode metal thin film 21 The symbol "-" in the formula (i) indicates that the electrostatic force F is an attractive force. The formula (i) is also shown in the following document. Reference; Shigeo Umoto, "Electromagnetics" (Sho 52), Shokodo, P.
103 The force applied to the surface acoustic wave resonator is proportional to the square of the driving DC voltage V applied to the electrode metal film B and the electrode metal thin film 21. That is, even if the voltage V is not so high, a high surface pressure can be applied to the IDT 15 of the surface acoustic wave resonator. The surface pressure P is given by the following equation (ii). P = F / S = -εV 2 /2 / d 2 The ··· (ii), the propagation velocity of the excitation the SAW is inversely proportional to the surface pressure P, the center frequency F c is the propagation speed of the surface acoustic wave resonator Proportional to. That is, the center frequency F c of the surface acoustic wave resonator
Is inversely proportional to the surface pressure P. According to the equation (ii), the surface pressure is proportional to the square of the driving DC voltage V, so that the center frequency F
c will be inversely proportional to the square of the voltage V.
【0017】図7(1)(2)は、図1の弾性表面波共
振子の周波数特性を示す図であり、同図(1)は駆動直
流電圧Vと中心周波数の関係、同図(2)は駆動直流電
圧Vによる周波数特性の変動を示している。電極用金属
薄膜21と電極用金属膜B間の電圧Vが零のときの弾性
表面波共振子の中心周波数はF0 であり、弾性表面波共
振子に電圧Vをかける前の中心周波数である。図7
(1)中のF1 は、所望の中心周波数の値であり、V1
はその時の駆動直流電圧の値である。電圧Vは連続的に
可変であるので、中心周波数Fcも連続的に可変であ
る。図7(2)は弾性表面波共振子の挿入損失を示して
いる。駆動直流電圧Vを印加する前の弾性表面波共振子
の周波数特性は、特性曲線60となるが、その電圧V1
を印加すると特性曲線61のようになる。FIGS. 7 (1) and 7 (2) are diagrams showing the frequency characteristics of the surface acoustic wave resonator shown in FIG. 1. FIG. 7 (1) shows the relationship between the driving DC voltage V and the center frequency, and FIG. ) Indicates the variation of the frequency characteristic due to the driving DC voltage V. When the voltage V between the electrode metal thin film 21 and the electrode metal film B is zero, the center frequency of the surface acoustic wave resonator is F 0, which is the center frequency before the voltage V is applied to the surface acoustic wave resonator. . Figure 7
F 1 in (1) is the value of the desired center frequency, and V 1
Is the value of the driving DC voltage at that time. Since the voltage V is continuously variable, the center frequency Fc is also continuously variable. FIG. 7B shows the insertion loss of the surface acoustic wave resonator. Frequency characteristic of the surface acoustic wave resonator before the application of the driving DC voltage V is a characteristic curve 60, the voltages V 1
Is applied, a characteristic curve 61 is obtained.
【0018】理論的には、絶縁破壊等の事故が発生しな
い限り、駆動直流電圧Vが高くなればなるほど、中心周
波数Fc が低下する。ここで、実用的に数ボルトの駆動
直流電圧Vで数メガヘルツの中心周波数Fc を移動させ
ることは可能であり、絶縁破壊が発生する程の電圧V
を、電極用金属膜Bのステム40と電極用金属薄膜21
に印加する必要はない。しかし、図7(1),(2)で
示すように、所望の中心周波数F1 は、必ず直流駆動電
圧Vが零の時の中心周波数F0 以下になるように、弾性
表面波共振子を製造しなくてはならない。つまり、直流
駆動電圧Vで中心周波数Fc を中心周波数F0 より低く
することはできるが、その逆はできない。したがって、
例えばIDT15を蒸着で形成する時に、蒸着機の成膜
精度を考慮して、中心周波数F0 が所望の中心周波数F
1 の値よりも、高いように成膜する必要がある。中心周
波数F0 が中心周波数F1 に近ければ近いほど、直流駆
動電圧Vが低くて済み、圧電基板11に不要な歪みを与
えなくて済む。また、理論的には電極用金属薄膜21と
電極用金属膜B、つまりステム40との間には電流が流
れないので、消費電力はない。即ち、本実施例では、駆
動直流電圧をかけるための、可変電圧直流電圧源30が
必要であるが、弾性表面波共振子の中心周波数Fc を確
実に所望の値F1 に調整することが可能であり、設計の
自由度と製造歩留まりが大きく改善される。特に、高精
度の中心周波数を必要とする弾性表面波共振子には、非
常に有効である。Theoretically, the higher the driving DC voltage V, the lower the center frequency F c unless an accident such as dielectric breakdown occurs. Here, it is possible to move the center frequency F c of several megahertz with a driving DC voltage V of several volts practically, and the voltage V is such that dielectric breakdown occurs.
The stem 40 of the metal film B for electrodes and the metal thin film 21 for electrodes.
Need not be applied to. However, as shown in FIGS. 7A and 7B, the surface acoustic wave resonator is set so that the desired center frequency F 1 is always equal to or lower than the center frequency F 0 when the DC drive voltage V is zero. Must be manufactured. That is, the center frequency F c can be made lower than the center frequency F 0 by the DC drive voltage V, but the reverse is not possible. Therefore,
For example, when the IDT 15 is formed by vapor deposition, the center frequency F 0 is the desired center frequency F 0 in consideration of the film forming accuracy of the vapor deposition machine.
It is necessary to form the film so that it is higher than the value of 1 . The closer the center frequency F 0 is to the center frequency F 1 , the lower the DC drive voltage V is, and unnecessary strain is not applied to the piezoelectric substrate 11. Further, theoretically, since no current flows between the electrode metal thin film 21 and the electrode metal film B, that is, the stem 40, there is no power consumption. That is, in this embodiment, the variable voltage DC voltage source 30 for applying the driving DC voltage is required, but it is possible to surely adjust the center frequency F c of the surface acoustic wave resonator to the desired value F 1. This is possible and greatly improves the design flexibility and the manufacturing yield. In particular, it is very effective for a surface acoustic wave resonator that requires a highly accurate center frequency.
【0019】第2の実施例 本実施例で用いられる弾性表面波共振子は、図1の弾性
表面波共振子と同じ構造であり、図5および図6と同様
のステム40に搭載される。弾性表面波共振子上に形成
された電極用金属薄膜21と電極用金属膜Bに相当する
ステム40は、第1の実施例の可変電圧直流電圧源30
とは異なる階段状電圧を出力する直流電圧源に接続され
ている。図8(1)(2)は、本発明の第2の実施例の
弾性表面波共振子の周波数特性を示す図であり、この図
を参照しつつ、第2の実施例の弾性表面波共振子の周波
数特性調整方法を説明する。直流電圧源は、複数の電圧
から選択した電圧を出力する機能を有し、例えば、図8
の(1)のような周期Tで、駆動電圧V1 ,V2 を出力
する。即ち、時刻tが0とT1 の間(0<t<T1 )の
とき電圧0、時刻tがT1 とT2 の間(T1<t<
T2 )のとき駆動電圧V1 、時刻tがT2 とT3 の間
(T2 <t<T3 )のとき駆動電圧V2 を出力する。こ
のような駆動電圧を弾性表面波共振子の電極用金属薄膜
21に出力することにより、弾性表面波共振子の挿入損
失の周波数特性は図8の(2)ようになり、静電力によ
って弾性表面波共振子の中心周波数Fc が変化する。時
刻tが0とT1 の間(0<t<T1 )においては、周波
数特性が特性曲線80となり、中心周波数はF0 とな
る。時刻tがT1 とT2 の間(T1 <t<T2 )におけ
る周波数特性は特性曲線81となり、中心周波数はF1
となる。時刻tがT2 とT3 の間(T2 <t<T3 )の
とき周波数特性は特性曲線82となり、中心周波数はF
2 となる。 Second Embodiment A surface acoustic wave resonator used in this embodiment has the same structure as the surface acoustic wave resonator shown in FIG. 1 and is mounted on a stem 40 similar to that shown in FIGS. 5 and 6. The stem 40 corresponding to the electrode metal thin film 21 and the electrode metal film B formed on the surface acoustic wave resonator is the variable voltage DC voltage source 30 of the first embodiment.
Is connected to a DC voltage source that outputs a staircase voltage different from. FIGS. 8 (1) and 8 (2) are diagrams showing the frequency characteristics of the surface acoustic wave resonator of the second embodiment of the present invention. The surface acoustic wave resonance of the second embodiment will be described with reference to this figure. A method of adjusting the frequency characteristic of the child will be described. The DC voltage source has a function of outputting a voltage selected from a plurality of voltages.
The drive voltages V1 and V2 are output at the cycle T as shown in (1). That is, when the time t is between 0 and T 1 (0 <t <T 1 ), the voltage is 0, and when the time t is between T 1 and T 2 (T 1 <t <
The driving voltage V 1 is output when T 2 ), and the driving voltage V 2 is output when the time t is between T 2 and T 3 (T 2 <t <T 3 ). By outputting such a driving voltage to the electrode metal thin film 21 of the surface acoustic wave resonator, the frequency characteristic of the insertion loss of the surface acoustic wave resonator becomes as shown in (2) of FIG. The center frequency F c of the wave resonator changes. When the time t is between 0 and T 1 (0 <t <T 1 ), the frequency characteristic becomes the characteristic curve 80, and the center frequency becomes F0. When the time t is between T 1 and T 2 (T 1 <t <T 2 ), the frequency characteristic is a characteristic curve 81, and the center frequency is F 1
Becomes When the time t is between T 2 and T 3 (T 2 <t <T 3 ), the frequency characteristic becomes the characteristic curve 82, and the center frequency is F.
It becomes 2 .
【0020】以上のように、本実施例では、駆動電圧を
制御することで、一つの弾性表面波共振子に、いろいろ
な周波数特性を持たせることが可能となっている。な
お、本発明は、上記実施例に限定されず種々の変形と応
用が可能である。その変形例及び応用例としては、例え
ば次のようなものがある。 (I) 第1及び第2の実施例では、弾性表面波共振子
の例を示しているが、本発明は、IDTを有する全ての
弾性表面波装置の周波数特性を調整することが可能であ
る。よって、特に弾性表面波共振子を用いて帯域フィル
タを構成するときに、弾性表面波共振子同士の共振周波
数と反共振周波数の精度をよく合わすことが、簡単にな
る。また、共振周波数と反共振周波数を制御すること
で、帯域フィルタの帯域幅を広げたり狭めたりすること
も可能である。 (II) 弾性表面波共用器では、分波回路と周波数帯域
の隣接する送信用弾性表面波フィルタと受信用弾性表面
波フィルタが用いられている。各弾性表面波フィルタの
中心周波数Fc は、互いに約30MHz離れている。ここ
で、第2の実施例で説明したような中心周波数の調整方
法を用いれば、送信用弾性表面波フィルタと受信用弾性
表面波フィルタだけで、分波回路の不要な弾性表面波共
用器が構成できる。即ち、送信用弾性表面波フィルタが
正常に作動するときに、受信用弾性表面波フィルタの中
心周波数Fc1を該送信用弾性表面波フィルタに悪影響を
与えない方に移動させ、逆に、受信用弾性表面波フィル
タが正常に作動するとき、送信用弾性表面波フィルタの
中心周波数Fc2を移動させる。このようにすることで分
波回路が不要となると共に、分波回路を用いた場合より
も低損失の弾性表面波共用器を構成することができる。 (III) 第1,第2の実施例では、電極用金属膜Bに相
当する部分をステム40に設定しているが、圧電基板1
1の下側に電極用金属膜を形成しておき、それを電極用
金属膜Bとする構成としてもよい。この場合、ステム材
質の選定の自由度が上がる。As described above, in this embodiment, it is possible to give one surface acoustic wave resonator various frequency characteristics by controlling the driving voltage. The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications and applications are possible. Examples of the modifications and applications are as follows. (I) Although the example of the surface acoustic wave resonator is shown in the first and second embodiments, the present invention can adjust the frequency characteristics of all surface acoustic wave devices having an IDT. . Therefore, particularly when a band-pass filter is configured using surface acoustic wave resonators, it becomes easy to make the resonance frequencies of the surface acoustic wave resonators and the antiresonance frequency of the surface acoustic wave resonators have good accuracy. Further, it is possible to widen or narrow the bandwidth of the bandpass filter by controlling the resonance frequency and the antiresonance frequency. (II) In the surface acoustic wave duplexer, a surface acoustic wave filter for transmission and a surface acoustic wave filter for reception which are adjacent to each other in the frequency band are used. The center frequencies F c of the surface acoustic wave filters are separated from each other by about 30 MHz. Here, if the method of adjusting the center frequency as described in the second embodiment is used, a surface acoustic wave duplexer that does not require a demultiplexing circuit can be obtained by using only the transmitting surface acoustic wave filter and the receiving surface acoustic wave filter. Can be configured. That is, when the surface acoustic wave filter for transmission operates normally, the center frequency F c1 of the surface acoustic wave filter for reception is moved to a direction not adversely affecting the surface acoustic wave filter for transmission, and conversely, for reception. When the surface acoustic wave filter operates normally, the center frequency Fc2 of the transmitting surface acoustic wave filter is moved. By doing so, a demultiplexing circuit becomes unnecessary, and a surface acoustic wave duplexer having a lower loss than in the case of using a demultiplexing circuit can be configured. (III) In the first and second embodiments, the portion corresponding to the electrode metal film B is set in the stem 40, but the piezoelectric substrate 1
It is also possible to form a metal film for electrodes on the lower side of 1 and use it as the metal film B for electrodes. In this case, the degree of freedom in selecting the stem material is increased.
【0021】[0021]
【発明の効果】以上詳細に説明したように、第1〜第3
の発明によれば、IDTの上に誘電体膜と電極用金属膜
とを設けているので、該電極用金属膜と弾性表面波装置
を搭載する金属膜或いは金属板とは、一つのコンデンサ
となる。電極用金属膜と弾性表面波装置を搭載する金属
膜或いは金属板との間に電圧を印加することにより、そ
れらの間に静電引力が発生して圧電基板及びIDTの表
面に圧力がかかり、弾性表面波装置の周波数特性が変化
する。よって、第2の発明のように、可変直流電圧を用
いれば、弾性表面波装置の中心周波数を所望の値にする
ことができる。また、第3の発明のように、段階的に電
圧を変化させれば、一つの弾性表面波装置に異なった周
波数特性を与えることができる。As described in detail above, the first to third aspects
According to the invention, since the dielectric film and the metal film for electrodes are provided on the IDT, the metal film for electrodes and the metal film or metal plate on which the surface acoustic wave device is mounted are one capacitor. Become. By applying a voltage between the metal film for electrodes and the metal film or the metal plate on which the surface acoustic wave device is mounted, an electrostatic attractive force is generated between them and pressure is applied to the surfaces of the piezoelectric substrate and the IDT, The frequency characteristic of the surface acoustic wave device changes. Therefore, as in the second aspect, by using the variable DC voltage, the center frequency of the surface acoustic wave device can be set to a desired value. Further, as in the third invention, by changing the voltage stepwise, different frequency characteristics can be given to one surface acoustic wave device.
【図1】本発明の第1の実施例を示す弾性表面波共振子
の構造図である。FIG. 1 is a structural diagram of a surface acoustic wave resonator showing a first embodiment of the present invention.
【図2】従来の弾性表面波共振子を示す構造図である。FIG. 2 is a structural diagram showing a conventional surface acoustic wave resonator.
【図3】図1の製造工程を示す断面図である。FIG. 3 is a cross-sectional view showing the manufacturing process of FIG.
【図4】図1と外部直流回路との接続を示す図である。FIG. 4 is a diagram showing a connection between FIG. 1 and an external DC circuit.
【図5】ステムに搭載した図1の弾性表面波共振子を示
す図である。5 is a diagram showing the surface acoustic wave resonator of FIG. 1 mounted on a stem.
【図6】図6は、図5の断面図である。FIG. 6 is a cross-sectional view of FIG.
【図7】図1の弾性表面波共振子の周波数特性を示す図
である。FIG. 7 is a diagram showing frequency characteristics of the surface acoustic wave resonator shown in FIG.
【図8】本発明の第2の実施例の弾性表面波共振子の周
波数特性を示す図である。FIG. 8 is a diagram showing frequency characteristics of a surface acoustic wave resonator according to a second embodiment of the present invention.
11 圧電基板 12 下敷き 13 入力端子 14 出力端子 15 IDT 20 誘電体 21 電極用金属膜 30 可変電圧直流電圧源 40 ステム B 電極用金属膜 11 Piezoelectric Substrate 12 Underlay 13 Input Terminal 14 Output Terminal 15 IDT 20 Dielectric 21 Electrode Metal Film 30 Variable Voltage DC Voltage Source 40 Stem B Electrode Metal Film
Claims (3)
られた高周波信号に基づき弾性表面波を励振するトラン
スデューサを備えた弾性表面波装置において、 前記トランスデューサの上に堆積された誘電体膜と、前
記誘電体膜上に形成された電極用金属薄膜とを、設けた
ことを特徴とする弾性表面波装置。1. A surface acoustic wave device comprising a transducer, which is formed in a comb shape on a piezoelectric substrate and excites a surface acoustic wave based on a given high frequency signal, comprising: a dielectric film deposited on the transducer; A surface acoustic wave device comprising: a metal thin film for electrodes formed on the dielectric film.
または金属薄膜上に搭載し、それら金属板または金属薄
膜と前記電極用金属薄膜との間に可変直流電圧を加えて
静電力を発生させ、前記圧電基板の表面圧力を連続的に
制御することを特徴とする弾性表面波装置の周波数特性
調整方法。2. The surface acoustic wave device according to claim 1 is mounted on a metal plate or a metal thin film, and a variable DC voltage is applied between the metal plate or the metal thin film and the metal thin film for electrodes to generate electrostatic force. A method for adjusting frequency characteristics of a surface acoustic wave device, which is characterized in that the surface pressure of the piezoelectric substrate is continuously controlled.
または金属薄膜に搭載し、それら金属板または金属薄膜
と前記電極用金属薄膜との間に、複数の電圧値から選択
された電圧値を出力する電圧源を接続し、該選択された
電圧値に基づく静電力を発生させて前記圧電基板の表面
圧力を段階的に制御することを特徴とする弾性表面波装
置の周波数特性調整方法。3. The surface acoustic wave device according to claim 1 mounted on a metal plate or a metal thin film, and a voltage selected from a plurality of voltage values between the metal plate or the metal thin film and the metal thin film for electrodes. A frequency characteristic adjusting method for a surface acoustic wave device, comprising connecting a voltage source for outputting a value and generating an electrostatic force based on the selected voltage value to control the surface pressure of the piezoelectric substrate stepwise. .
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3865095A JPH08237057A (en) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | Surface acoustic wave device and its frequency characteristic adjustment method |
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JP3865095A JPH08237057A (en) | 1995-02-27 | 1995-02-27 | Surface acoustic wave device and its frequency characteristic adjustment method |
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Publication Number | Publication Date |
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