JPH08233883A - Electric field sensor - Google Patents

Electric field sensor

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JPH08233883A
JPH08233883A JP7035283A JP3528395A JPH08233883A JP H08233883 A JPH08233883 A JP H08233883A JP 7035283 A JP7035283 A JP 7035283A JP 3528395 A JP3528395 A JP 3528395A JP H08233883 A JPH08233883 A JP H08233883A
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electric field
field sensor
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Abstract

PURPOSE: To improve frequency characteristics and obtain sufficient reliability. CONSTITUTION: The sensor consists of a light source 11 for transmitting light to an electric field sensor head 1 as an input light, a photodetector 13 for detecting an output light output from the electric field sensor head 1, the electric field sensor head 1 and optical fibers 16, 17. The electric field sensor head 1 has a crystal substrate 20, branching interference-type optical waveguide elements 21, 22, 23, 24 formed on the crystal substrate 20, modulation electrodes 25, 26 arranged in the vicinity of the optical waveguide elements 21, 22, 23, 24 and an elastic body 10 attached to at least, a part of the crystal substrate 20.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、空間の電界強度を測定
する電界センサに関し、特に高電界用の電界センサに関
する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electric field sensor for measuring electric field strength in space, and more particularly to an electric field sensor for high electric field.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、インバータエアコン等の電気器機
による電磁妨害波によって、コンピュータシステム等の
装置が誤動作を起こす現象が問題となっている、これら
のEMC(電磁電気両立性)試験や誤動作に対する対策
を講じるめに、装置から放射する電磁妨害波もしくは装
置に侵入する電磁妨害波を性格に測定する必要がある。
2. Description of the Related Art In recent years, there has been a problem that a device such as a computer system malfunctions due to an electromagnetic interference wave caused by an electric device such as an inverter air conditioner. Countermeasures against these EMC (electromagnetic compatibility) tests and malfunctions. Therefore, it is necessary to measure the electromagnetic interference wave radiated from the device or the electromagnetic interference wave entering the device.

【0003】特に、最近では電磁パルスの時間領域にお
ける測定、放射電磁界を理論的に求める測定が重要とな
っている。このような背景に基づき分岐干渉光導波路型
の電界センサヘッドとレベル測定装置との間を光ファイ
バによって結ぶ電界センサが検討されている。
In particular, recently, measurement of electromagnetic pulses in the time domain and measurement of theoretically determining a radiation electromagnetic field have become important. Based on such a background, an electric field sensor in which a branch interference optical waveguide type electric field sensor head and a level measuring device are connected by an optical fiber has been studied.

【0004】このような電界センサでは、電界センサヘ
ッドに光ファイバを経由して無変調の光信号を入力し、
ダイポールアンテナで検出した電界レベルで光変調し光
ファイバによりレベル測定装置に伝送している。
In such an electric field sensor, an unmodulated optical signal is input to the electric field sensor head via an optical fiber,
The light is modulated by the electric field level detected by the dipole antenna and transmitted to the level measuring device through the optical fiber.

【0005】図4に示すように、分岐干渉光導波路型の
電界センサヘッド100は、電気光学効果を示す結晶基
板120と、この結晶基板120上に形成した分岐干渉
型光導波路素子と、分岐干渉型光導波路素子の近傍に設
けたダイポールアンテナ形状の変調用電極125、12
6とを有している。
As shown in FIG. 4, a branch interference optical waveguide type electric field sensor head 100 has a crystal substrate 120 exhibiting an electro-optical effect, a branch interference optical waveguide element formed on the crystal substrate 120, and a branch interference. Type dipole antenna-shaped modulation electrodes 125, 12 provided near the optical waveguide element
6.

【0006】分岐干渉型光導波路素子は、2本の位相シ
フト光導波路123、124と、2本の位相シフト光導
波路123、124の一端側に接続されている入射光導
波路121と、2本の位相シフト光導波路123、12
4の他端側に接続されている出力光導波路122とを有
している。
The branch interference type optical waveguide device includes two phase shift optical waveguides 123 and 124, an incident optical waveguide 121 connected to one end of the two phase shift optical waveguides 123 and 124, and two optical waveguides. Phase shift optical waveguides 123, 12
4 and the output optical waveguide 122 connected to the other end side.

【0007】結晶基板120上には、2本の位相シフト
光導波路123、124の近傍に変調用電極125、1
26が設けられている。
On the crystal substrate 120, the modulation electrodes 125 and 1 are provided in the vicinity of the two phase shift optical waveguides 123 and 124.
26 are provided.

【0008】電界センサヘッド100は、入射導波路1
21に光ファイバ116を介して光源11が接続され、
出力導波路122に光ファイバ117を介して光検出器
113および計測器114が接続されている。変調用電
極126、126のそれぞれにはダイポールアンテナ1
35が接続されている。
The electric field sensor head 100 includes an incident waveguide 1
21 is connected to the light source 11 via the optical fiber 116,
The photodetector 113 and the measuring instrument 114 are connected to the output waveguide 122 via an optical fiber 117. The dipole antenna 1 is provided on each of the modulation electrodes 126, 126.
35 is connected.

【0009】分岐干渉光導波路型の電界センサヘッドで
は、ダイポールアンテナ135と、2本の位相シフト光
導波路123、124の近傍に設けた変調用電極12
5、126とによって、ダイポールアンテナ135で検
出した電界レベルを変調用電極125、126を介して
2本の位相シフト光導波路123、124の電気光学効
果による屈折率の変化が互いに逆となり、それによる位
相の変化が互いに逆となるために合波した光の強度が変
化することになる。
In the branch interference optical waveguide type electric field sensor head, the modulation electrode 12 provided near the dipole antenna 135 and the two phase shift optical waveguides 123 and 124.
5 and 126, the electric field level detected by the dipole antenna 135 becomes opposite to each other due to the electro-optic effect of the two phase shift optical waveguides 123 and 124 via the modulation electrodes 125 and 126. Since the changes in phase are opposite to each other, the intensity of the combined light changes.

【0010】さらに、図5に示すように、図4に示した
ダイポールアンテナ135を基板120上に形成するこ
とによって、電界センサヘッド100は小形になり、狭
い空間での測定が可能となるとともに、高電界の測定に
も応用されるに至った。
Further, as shown in FIG. 5, by forming the dipole antenna 135 shown in FIG. 4 on the substrate 120, the electric field sensor head 100 becomes compact and measurement in a narrow space becomes possible. It has also been applied to the measurement of high electric fields.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、基板1
20上にダイポールアンテナ135を形成した電界セン
サヘッド100は、小形であるものの電界測定において
良好な周波数特性が得られず、測定結果の信頼性に改善
の余地を残している。
However, the substrate 1
Although the electric field sensor head 100 in which the dipole antenna 135 is formed on the antenna 20 is small, good frequency characteristics cannot be obtained in electric field measurement, and there is room for improvement in reliability of measurement results.

【0012】それ故に、本発明の課題は、ダイポールア
ンテナを結晶基板上に形成した小形の電界センサヘッド
における周波数特性を改善し、十分な信頼性をもつ電界
センサを提供することにある。
Therefore, an object of the present invention is to improve the frequency characteristics of a small-sized electric field sensor head having a dipole antenna formed on a crystal substrate and provide an electric field sensor having sufficient reliability.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】本発明によれば、電界セ
ンサヘッドと、該電界センサヘッドに光を入力光として
伝送する光源と、前記電界センサヘッドから出力される
出力光を検出する光検出器と、前記電界センサヘッド、
前記光源及び前記光検出器のそれぞれを相互に接続した
光ファイバとを含み、前記電界センサヘッドは、結晶基
板と、該結晶基板上に形成した分岐干渉型光導波路素子
と、該分岐干渉型光導波路素子の近傍に配置したダイポ
ールアンテナ形状の変調用電極と、前記結晶基板の少な
くとも一部に付設した弾性体とを有していることを特徴
とする電界センサが得られる。
According to the present invention, an electric field sensor head, a light source for transmitting light to the electric field sensor head as input light, and a light detector for detecting output light output from the electric field sensor head. And an electric field sensor head,
The electric field sensor head includes an optical fiber in which the light source and the photodetector are connected to each other, and the electric field sensor head includes a crystal substrate, a branch interference optical waveguide element formed on the crystal substrate, and the branch interference optical waveguide. An electric field sensor having a dipole antenna-shaped modulation electrode arranged in the vicinity of a waveguide element and an elastic body attached to at least a part of the crystal substrate can be obtained.

【0014】また、本発明によれば、前記分岐干渉型光
導波路素子は、前記結晶基板上に形成した入力光導波路
と、該入力光導波路より分岐した2本の位相シフト光導
波路と、前記2本の位相シフト光導波路が結合する出力
光導波路とを有し、前記2本の位相シフト光導波路の近
傍に前記変調電極が配置されていることを特徴とする電
界センサが得られる。
Further, according to the present invention, the branch interference type optical waveguide device includes an input optical waveguide formed on the crystal substrate, two phase shift optical waveguides branched from the input optical waveguide, and An electric field sensor having an output optical waveguide to which two phase shift optical waveguides are coupled, and the modulation electrode being arranged in the vicinity of the two phase shift optical waveguides.

【0015】また、本発明によれば、前記分岐干渉型光
導波路素子は、前記結晶基板上に形成した入力光導波路
と、該入力光導波路より分岐した2本の位相シフト光導
波路と、該2本の位相シフト光導波路の先端に配置した
光反射部とを有し、前記光源は、該光源からの光を入力
光として前記電界センサヘッドに伝送するとともに前記
電界センサヘッドからの出力光を前記光検出器に伝送す
るよう付設した光方向性分離器を有していることを特徴
とする電界センサ。
Further, according to the present invention, the branch interference type optical waveguide device includes an input optical waveguide formed on the crystal substrate, two phase shift optical waveguides branched from the input optical waveguide, and A light reflecting portion arranged at the tip of the phase shift optical waveguide of the present invention, wherein the light source transmits the light from the light source as input light to the electric field sensor head and outputs the output light from the electric field sensor head. An electric field sensor having an optical directional separator attached to transmit to a photodetector.

【0016】また、本発明によれば、前記2本の位相シ
フト光導波路と平行な前記結晶基板の側面に弾性体を付
設したことを特徴とする電界センサが得られる。
Further, according to the present invention, there is obtained an electric field sensor characterized in that an elastic body is attached to a side surface of the crystal substrate parallel to the two phase shift optical waveguides.

【0017】また、本発明によれば、前記弾性体はエポ
キシ樹脂、シリコーン樹脂、ゴム、またはポリエステル
樹脂のうちのひとつを選択して用いることを特徴とする
電界センサが得られる。
Also, according to the present invention, there is provided an electric field sensor characterized in that one of epoxy resin, silicone resin, rubber or polyester resin is selected and used as the elastic body.

【0018】[0018]

【作用】分岐干渉光導波路型の電界センサヘッドの動作
原理は、従来例で述べたように、電界を変調用電極を介
して位相シフト光導波路に印加し、その結果生じる電気
光学効果による屈曲率の変化を通して光の強度に変調す
るものである。
The principle of operation of the electric field sensor head of the branch interference optical waveguide type is that, as described in the conventional example, an electric field is applied to the phase shift optical waveguide via the modulation electrode, and the bending rate due to the electro-optical effect resulting therefrom is obtained. The light intensity is modulated through the change of.

【0019】電界センサヘッドを構成する結晶基板に弾
性体を付設することにより、電界センサの周波数特性が
大幅に改善される。
By attaching an elastic body to the crystal substrate constituting the electric field sensor head, the frequency characteristic of the electric field sensor is significantly improved.

【0020】[0020]

【実施例】以下、本発明に電界センサを図面に基づき説
明する。図1は、本発明による電気センサの第1実施例
であり、いわゆる透過型の電界センサヘッドに具現化し
たものである。図2は、本発明による電界センサの第2
実施例であって、いわゆる反射型の電界センサヘッドに
具現化したものである。上記各電界センサはそれぞれに
特徴があるが、その機能は基本的に同じである。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An electric field sensor according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of an electric sensor according to the present invention, which is embodied in a so-called transmission type electric field sensor head. FIG. 2 shows a second electric field sensor according to the present invention.
This is an embodiment and is embodied in a so-called reflection type electric field sensor head. Each of the above electric field sensors has its own characteristics, but its function is basically the same.

【0021】図1に示すように、第1実施例の電界セン
サは、透過型の電界センサヘッド1と、この電界センサ
ヘッド1の入力側に入力光ファイバ16を介して接続さ
れている光源11と、出力側に出力光ファイバ17を介
して接続されている光検出器13および計測器14とを
有している。
As shown in FIG. 1, the electric field sensor of the first embodiment has a transmission type electric field sensor head 1 and a light source 11 connected to the input side of the electric field sensor head 1 via an input optical fiber 16. And a photodetector 13 and a measuring instrument 14 which are connected to the output side via an output optical fiber 17.

【0022】電界センサヘッド1は、電気光学効果を示
す結晶基板20と、この結晶基板20上に形成した分岐
干渉型光導波路素子と、分岐干渉型光導波路素子の近傍
に設けたダイポールアンテナ形状の変調用電極25、2
6とを有している。ここで、分岐干渉型光導波路素子の
近傍とは、変調用電極25、26の上及び横をも含んで
いる。
The electric field sensor head 1 has a crystal substrate 20 showing an electro-optical effect, a branch interference type optical waveguide element formed on the crystal substrate 20, and a dipole antenna shape provided in the vicinity of the branch interference type optical waveguide element. Modulating electrodes 25, 2
6. Here, the vicinity of the branch interference type optical waveguide device includes the top and the side of the modulation electrodes 25 and 26.

【0023】分岐干渉型光導波路素子は、結晶基板20
上に形成した2本の位相シフト光導波路23、24と、
2本の位相シフト光導波路23、24の一端側に接続さ
れている入射光導波路21と、2本の位相シフト光導波
路23、24の他端側に接続されている出力光導波路2
2とを有している。
The branch interference type optical waveguide device comprises a crystal substrate 20.
The two phase shift optical waveguides 23 and 24 formed above,
The incident optical waveguide 21 connected to one end side of the two phase shift optical waveguides 23 and 24 and the output optical waveguide 2 connected to the other end side of the two phase shift optical waveguides 23 and 24
And 2.

【0024】入射導波路21には入力光ファイバ16を
介して光源11が接続され、出力導波路22には出力光
ファイバ17を介して光検出器13および計測器14が
接続されている。
The light source 11 is connected to the incident waveguide 21 via the input optical fiber 16, and the photodetector 13 and the measuring instrument 14 are connected to the output waveguide 22 via the output optical fiber 17.

【0025】第1実施例の透過型電界センサヘッド1
は、z軸方向に垂直に切り出したニオブ酸リチウム結晶
の結晶基板20を用ている。結晶基板20の表面には入
射光導波路21、その入力光導波路21より分岐する2
本の位相シフト光導波路23、24、さらにその2本の
位相シフト光導波路23、24が結合する出力光導波路
22を形成する。これら2本の位相シフト光導波路2
3、24の近傍に変調用電極25、26を配置してい
る。結晶基板20の少なくとも一部には弾性体10とし
てエポキシ樹脂が付設されている。弾性体10は、エポ
キシ樹脂のほか、シリコーン樹脂、ゴム、又はポリエス
テル樹脂などが用いることができる。第1実施例ではエ
ポキシ樹脂が2本の位相シフト光導波路23、24と平
行な結晶基板20の両側面に付設されている。
The transmission type electric field sensor head 1 of the first embodiment.
Uses a crystal substrate 20 of lithium niobate crystal cut out perpendicularly to the z-axis direction. An incident optical waveguide 21 is provided on the surface of the crystal substrate 20, and 2 is branched from the input optical waveguide 21.
The phase shift optical waveguides 23 and 24, and the output optical waveguide 22 to which the two phase shift optical waveguides 23 and 24 are coupled are formed. These two phase shift optical waveguides 2
Modulation electrodes 25 and 26 are arranged in the vicinity of 3 and 24. An epoxy resin is attached as an elastic body 10 to at least a part of the crystal substrate 20. For the elastic body 10, silicone resin, rubber, polyester resin, or the like can be used in addition to epoxy resin. In the first embodiment, epoxy resin is attached to both side surfaces of the crystal substrate 20 parallel to the two phase shift optical waveguides 23 and 24.

【0026】次の第2実施例の電界センサを図2を参照
して説明する。なお、図1で説明した第1実施例の電界
センサと同じ部分については同じ符号を付して説明す
る。図2に示すように、第2実施例の電界センサは、反
射型透過型の電界センサヘッド2と、この電界センサヘ
ッド2の入力側に入力光ファイバ16を介して接続され
ている光源11と、光源11に光ファイバ18を介して
接続されている光検出器13および計測器14とを有し
ている。
A second embodiment of the electric field sensor will be described with reference to FIG. The same parts as those of the electric field sensor according to the first embodiment described with reference to FIG. As shown in FIG. 2, the electric field sensor of the second embodiment includes a reflection type transmission type electric field sensor head 2 and a light source 11 connected to the input side of the electric field sensor head 2 via an input optical fiber 16. , A light detector 13 and a measuring instrument 14 which are connected to the light source 11 via an optical fiber 18.

【0027】電界センサヘッド2は、電気光学効果を示
す結晶基板20と、この結晶基板20上に形成した分岐
干渉型光導波路素子と、分岐干渉型光導波路素子の近傍
に設けたダイポールアンテナ形状の変調用電極25、2
6と、光反射部30とを有している。
The electric field sensor head 2 has a crystal substrate 20 exhibiting an electro-optical effect, a branch interference type optical waveguide element formed on the crystal substrate 20, and a dipole antenna shape provided near the branch interference type optical waveguide element. Modulating electrodes 25, 2
6 and the light reflection part 30.

【0028】分岐干渉型光導波路素子は、2本の位相シ
フト光導波路23、24と、2本の位相シフト光導波路
23、24の一端側に接続されている入射光導波路21
とを有している。2本の位相シフト光導波路23、24
の近傍には変調用電極25、26が設けられている。
The branch interference type optical waveguide device includes two phase shift optical waveguides 23 and 24 and an incident optical waveguide 21 connected to one end side of the two phase shift optical waveguides 23 and 24.
And have. Two phase shift optical waveguides 23 and 24
Modulation electrodes 25 and 26 are provided in the vicinity of.

【0029】反射型透過型の電界センサヘッド2は、z
軸方向に垂直に切り出したニオブ酸リチウム結晶の結晶
基板20を用いている。結晶基板20上には入力光導波
路221、この入力光導波路21より分岐する2本の位
相シフト光導波路23、24、さらにその2本の位相シ
フト光導波路23、24の他端に光反射部30を配置し
ている。結晶基板20の少なくとも一部には弾性体10
としてエポキシ樹脂が付設されている。第2実施例では
エポキシ樹脂が2本の位相シフト光導波路23、24と
平行な結晶基板20の両側面に付設されている。
The reflection type transmission type electric field sensor head 2 has a z
A crystal substrate 20 of a lithium niobate crystal cut out perpendicularly to the axial direction is used. On the crystal substrate 20, an input optical waveguide 221, two phase shift optical waveguides 23 and 24 branched from the input optical waveguide 21, and a light reflecting portion 30 at the other ends of the two phase shift optical waveguides 23 and 24. Are arranged. At least a part of the crystal substrate 20 has an elastic body 10
Epoxy resin is attached as. In the second embodiment, epoxy resin is attached to both side surfaces of the crystal substrate 20 parallel to the two phase shift optical waveguides 23 and 24.

【0030】光源11には、その光源11からの光を入
力光として電界センサヘッド2に伝送するとともにその
電界センサヘッド2からの出力光を光検出器13に伝送
する光方向性分離器31を有している。光方向性分離器
31は、光源11からの光と電界センサヘッド2からの
出力光とを分離する。
The light source 11 is provided with an optical directional separator 31 for transmitting light from the light source 11 as input light to the electric field sensor head 2 and transmitting output light from the electric field sensor head 2 to the photodetector 13. Have The light direction separator 31 separates the light from the light source 11 and the output light from the electric field sensor head 2.

【0031】第1及び第2の実施例では、ニオブ酸リチ
ウム結晶の、いわゆるz板を使用しているが、x板、y
板でも同様の効果が得られる。
In the first and second embodiments, a so-called z plate made of lithium niobate crystal is used, but x plate and y plate are used.
The same effect can be obtained with a plate.

【0032】図3(a)は従来の電界センサの周波数と
光出力との関係を示す周波数特性図であって、図3
(b)は本発明の電界センサの周波数と光出力との関係
を示す周波数特性図である。
FIG. 3A is a frequency characteristic diagram showing the relationship between the frequency and the optical output of the conventional electric field sensor.
(B) is a frequency characteristic diagram showing the relationship between the frequency and the optical output of the electric field sensor of the present invention.

【0033】図3(a)に示すように、図4に示したダ
イポールアンテナ135を結晶基板120上に形成した
電界センサにおいては、電界センサヘッド100の周波
数特性が特に700kHz付近でフラットにならない。
この現象の詳細な原因解明はその途上にあるが、本発明
者は電気光学効果を示す基板結晶による電圧効果による
共振によるものと推測している。
As shown in FIG. 3A, in the electric field sensor in which the dipole antenna 135 shown in FIG. 4 is formed on the crystal substrate 120, the frequency characteristic of the electric field sensor head 100 does not become flat especially near 700 kHz.
Although the detailed cause of this phenomenon is still being clarified, the present inventor speculates that it is due to the resonance due to the voltage effect due to the substrate crystal exhibiting the electro-optical effect.

【0034】この問題を解決するために、電界センサヘ
ッド1もしくは2を構成する結晶基板20にエポキシ樹
脂等の弾性体10を付設することが効果的である。第1
及び第2実施例に示す電界センサは、図3(a)の周波
数特性に比較して図3(b)の周波数特性が大幅に改善
されていることが理解できるであろう。
In order to solve this problem, it is effective to attach an elastic body 10 such as an epoxy resin to the crystal substrate 20 constituting the electric field sensor head 1 or 2. First
It can be understood that the electric field sensor shown in the second embodiment has the frequency characteristic of FIG. 3B significantly improved as compared with the frequency characteristic of FIG.

【0035】[0035]

【発明の効果】以上、各実施例により説明したように、
本発明の電界センサによれば、ダイポールアンテナを結
晶基板上に形成することによって小形化したものの、周
波数特性の低下を招いた電界センサヘッドに、これを構
成する結晶基板に弾性体を付設して特性の改善を図った
電界センサを提供することによって、狭い空間での測定
や、高電界の測定に高い信頼性をもって対処することが
できるという効果を奏する。
As described above with reference to each embodiment,
According to the electric field sensor of the present invention, although the dipole antenna is miniaturized by forming it on the crystal substrate, the electric field sensor head that causes a decrease in frequency characteristics is provided with an elastic body on the crystal substrate constituting the electric field sensor head. By providing an electric field sensor with improved characteristics, it is possible to perform measurement in a narrow space and measurement of a high electric field with high reliability.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の電界センサの第1実施例を示す構成図
である。
FIG. 1 is a configuration diagram showing a first embodiment of an electric field sensor of the present invention.

【図2】本発明の電界センサの第2実施例を示す構成図
である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a second embodiment of the electric field sensor of the present invention.

【図3】(a)は従来の電界センサの周波数特性図であ
る。(b)は本発明の電界センサの周波数特性図であ
る。
FIG. 3A is a frequency characteristic diagram of a conventional electric field sensor. (B) is a frequency characteristic diagram of the electric field sensor of the present invention.

【図4】従来の電界センサの構成図である。FIG. 4 is a configuration diagram of a conventional electric field sensor.

【図5】従来の電界センサの構成図である。FIG. 5 is a configuration diagram of a conventional electric field sensor.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 透過型の電界センサヘッド 2 反射型の電界センサヘッド 10 弾性体 11、111 光源 13、113 光検出器 14、114 計測器 16、116 入力光ファイバ 17、117 出力光ファイバ 20、120 結晶基板 21、121 入射光導波路 22 出力光導波路 23、24 位相シフト光導波路 25、26、125、126 変調電極 30 光反射部 31 方向性分離器 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transmission type electric field sensor head 2 Reflection type electric field sensor head 10 Elastic body 11,111 Light source 13,113 Photodetector 14,114 Measuring instrument 16,116 Input optical fiber 17,117 Output optical fiber 20,120 Crystal substrate 21 , 121 incident optical waveguide 22 output optical waveguide 23, 24 phase shift optical waveguide 25, 26, 125, 126 modulation electrode 30 light reflecting portion 31 directional separator

Claims (5)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 電界センサヘッドと、該電界センサヘッ
ドに光を入力光として伝送する光源と、前記電界センサ
ヘッドから出力される出力光を検出する光検出器と、前
記電界センサヘッド、前記光源及び前記光検出器のそれ
ぞれを相互に接続した光ファイバとを含み、前記電界セ
ンサヘッドは、結晶基板と、該結晶基板上に形成した分
岐干渉型光導波路素子と、該分岐干渉型光導波路素子の
近傍に配置したダイポールアンテナ形状の変調用電極
と、前記結晶基板の少なくとも一部に付設した弾性体と
を有していることを特徴とする電界センサ。
1. An electric field sensor head, a light source for transmitting light to the electric field sensor head as input light, a photodetector for detecting output light output from the electric field sensor head, the electric field sensor head, and the light source. And an optical fiber in which each of the photodetectors is connected to each other, and the electric field sensor head includes a crystal substrate, a branch interference type optical waveguide element formed on the crystal substrate, and the branch interference type optical waveguide element. An electric field sensor comprising: a dipole antenna-shaped modulation electrode disposed in the vicinity of the crystal substrate; and an elastic body attached to at least a part of the crystal substrate.
【請求項2】 請求項1記載の電界センサにおいて、前
記分岐干渉型光導波路素子は、前記結晶基板上に形成し
た入力光導波路と、該入力光導波路より分岐した2本の
位相シフト光導波路と、前記2本の位相シフト光導波路
が結合する出力光導波路とを有し、前記2本の位相シフ
ト光導波路の近傍に前記変調電極が配置されていること
を特徴とする電界センサ。
2. The electric field sensor according to claim 1, wherein the branch interference type optical waveguide element includes an input optical waveguide formed on the crystal substrate, and two phase shift optical waveguides branched from the input optical waveguide. And an output optical waveguide to which the two phase shift optical waveguides are coupled, and the modulation electrode is arranged in the vicinity of the two phase shift optical waveguides.
【請求項3】 請求項1記載の電界センサにおいて、前
記分岐干渉型光導波路素子は、前記結晶基板上に形成し
た入力光導波路と、該入力光導波路より分岐した2本の
位相シフト光導波路と、該2本の位相シフト光導波路の
先端に配置した光反射部とを有し、前記光源は、該光源
からの光を入力光として前記電界センサヘッドに伝送す
るとともに前記電界センサヘッドからの出力光を前記光
検出器に伝送するよう付設した光方向性分離器を有して
いることを特徴とする電界センサ。
3. The electric field sensor according to claim 1, wherein the branch interference type optical waveguide element includes an input optical waveguide formed on the crystal substrate and two phase shift optical waveguides branched from the input optical waveguide. A light reflecting portion arranged at the tips of the two phase shift optical waveguides, wherein the light source transmits light from the light source as input light to the electric field sensor head and outputs from the electric field sensor head. An electric field sensor comprising an optical directional separator attached to transmit light to the photodetector.
【請求項4】 請求項2又は3記載の電界センサにおい
て、前記2本の位相シフト光導波路と平行な前記結晶基
板の側面に弾性体を付設したことを特徴とする電界セン
サ。
4. The electric field sensor according to claim 2 or 3, wherein an elastic body is attached to a side surface of the crystal substrate parallel to the two phase shift optical waveguides.
【請求項5】 請求項1又は4記載の電界センサにおい
て、前記弾性体はエポキシ樹脂、シリコーン樹脂、ゴ
ム、またはポリエステル樹脂のうちのひとつを選択して
用いることを特徴とする電界センサ。
5. The electric field sensor according to claim 1, wherein the elastic body is selected from epoxy resin, silicone resin, rubber, and polyester resin.
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