JPH08233747A - Method and apparatus for inspecting defect - Google Patents

Method and apparatus for inspecting defect

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Publication number
JPH08233747A
JPH08233747A JP3744295A JP3744295A JPH08233747A JP H08233747 A JPH08233747 A JP H08233747A JP 3744295 A JP3744295 A JP 3744295A JP 3744295 A JP3744295 A JP 3744295A JP H08233747 A JPH08233747 A JP H08233747A
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JP
Japan
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image
light
reflected
inspection
mirror
Prior art date
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Pending
Application number
JP3744295A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Toshikazu Tsutsui
俊和 筒井
Original Assignee
Mitsubishi Electric Corp
三菱電機株式会社
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Electric Corp, 三菱電機株式会社 filed Critical Mitsubishi Electric Corp
Priority to JP3744295A priority Critical patent/JPH08233747A/en
Publication of JPH08233747A publication Critical patent/JPH08233747A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To obtain method and apparatus for detecting an abnormality or defect in a pattern formed on a wafer in which correct information of defect can be obtained using a plurality of means. CONSTITUTION: Light projected from a projector 1 is captured by a multifunction mirror 10 having a first function for passing an incident light through the multifunction mirror 10 and projecting the light perpendicularly to an object. The multifunction mirror 10 has a second function for reflecting the incident light toward a predetermined position and the object is irradiated obliquely with the reflected light through a reflector 11 and the like. When the object is irradiated from two different directions, regular reflection image and scattering image can be detected, respectively, by means of identical apparatus. The information of the regular reflection image and scattering image is synthesized thus performing highly accurate defect inspection.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】この発明は、ウェハ基板若しくは
ウェハ基板上に形成された半導体装置等の欠陥を検出す
る欠陥検査装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a defect inspection apparatus for detecting a defect in a wafer substrate or a semiconductor device formed on the wafer substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置を形成する際に、半導体基板
であるウェハ基板(シリコン基板)に付着している種々
の異物の存在は、そのウェハ基板上に配線等のパターン
を形成する際に、パターン欠陥、配線間短絡、断線等を
引き起こす原因となる。従って、種々の異物を早期発見
し、除去すること、若しくは欠陥発生工程を特定し、欠
陥発生を抑制するために対策を打ち管理する必要があ
る。そのために、種々の異物を発見する手段として欠陥
検査装置がある。
2. Description of the Related Art When a semiconductor device is formed, the presence of various foreign substances adhering to a wafer substrate (silicon substrate), which is a semiconductor substrate, causes the formation of patterns such as wiring on the wafer substrate. This may cause pattern defects, short circuits between wires, disconnection, etc. Therefore, it is necessary to detect and remove various foreign substances at an early stage, or to specify a defect occurrence process and manage the countermeasures in order to suppress the defect occurrence. Therefore, there is a defect inspection device as a means for finding various foreign substances.

【0003】例えば、図6は、一般に用いられている欠
陥検査装置(KLA社−2310)の概念図であり、図
において、1は被検査物の平面部に対して垂直に光を照
射する投光器、2a、2bは入射する光を平行光に変化
させるレンズ、3はミラーの一種であり、平板からなる
ものであり、その一面は入射する光を透過させ、裏面は
入射する光を反射させる特徴を持っている。4a、4
b、4cは入射する光を平行光から集束光に変化させる
レンズ、5は被検査物であるウェハ基板6を設置するス
テージ、7は光を被検査物に照射することで得られた反
射像を検知するイメージセンサ、8は上記イメージセン
サ7によって検知された情報を計算処理する計算機部、
9は上記計算機部によって得た計算結果を記憶するメモ
リー部をそれぞれ示している。
For example, FIG. 6 is a conceptual diagram of a commonly used defect inspection apparatus (KLA-2310). In the figure, 1 is a projector for irradiating light perpendicularly to a plane portion of an object to be inspected. 2a and 2b are lenses for changing incident light into parallel light, and 3 is a kind of mirror, which is made of a flat plate, one surface of which transmits incident light and the other surface of which reflects incident light. have. 4a, 4
Reference numerals b and 4c are lenses for changing incident light from parallel light to focused light, 5 is a stage on which a wafer substrate 6 as an inspection object is set, and 7 is a reflection image obtained by irradiating the inspection object with light. An image sensor for detecting the information, 8 is a computer unit for calculating the information detected by the image sensor 7,
Reference numerals 9 denote memory units for storing the calculation results obtained by the computer unit.

【0004】次に、この従来の欠陥検査装置によって一
つの反射像を得る方法について述べる。まず、欠陥検査
装置の位置調整可能なステージ5に被検査物であるウェ
ハ基板6をセットする。次に、投光器1から光を照射
し、ミラー3を介してその透過光をレンズ4aに入射さ
せて、この入射光を集束させることでウェハ基板6の検
査位置6aに垂直光を照射する。次に、検査位置6aに
光を照射することによって得られた反射像をミラー3の
裏面において反射させ、反射像をレンズ4b、2b、4
cを順次介することによって最終的に反射像をイメージ
センサ7に取り込む。イメージセンサ7において上記反
射像を画像として読み取り、この情報を計算機部8を介
してメモリー部9に記憶する。以上が一つの反射像を得
るために必要な工程であり、以降この一連の工程を反射
像の受像工程として略記することにする。
Next, a method for obtaining one reflection image by this conventional defect inspection apparatus will be described. First, the wafer substrate 6, which is the object to be inspected, is set on the stage 5 of the defect inspection apparatus whose position can be adjusted. Next, light is emitted from the projector 1, the transmitted light is incident on the lens 4a through the mirror 3, and the incident light is focused to irradiate the inspection position 6a of the wafer substrate 6 with vertical light. Next, the reflected image obtained by irradiating the inspection position 6a with light is reflected on the back surface of the mirror 3, and the reflected image is reflected by the lenses 4b, 2b, and 4.
The reflected image is finally taken into the image sensor 7 by sequentially passing through c. The image sensor 7 reads the reflected image as an image and stores this information in the memory unit 9 via the computer unit 8. The above is the steps necessary to obtain one reflection image, and hereinafter, this series of steps will be abbreviated as the reflection image receiving step.

【0005】この従来の技術に示した欠陥検査装置を用
いて被検査物に対して垂直光を照射した場合、理想的な
パターンが形成されており、被検査物に全く欠陥がない
場合は垂直光のほとんどが正反射し、反射像の画像は明
るくなる。一方、異物や断線等の欠陥が存在する場合
は、異物若しくは断線が存在する箇所において垂直光が
散乱して、この反射像の画像は暗いものとなる。従っ
て、この反射像の受像工程において、投光器1から照射
された光は被検査物の検査位置上に存在する種々の異物
により散乱若しくは干渉し、検知される反射像には明暗
が生じる。従って、これらの明暗の情報を含む反射像に
基づいて欠陥が存在するかどうかを検査することが可能
となる。
When the inspection object is irradiated with vertical light using the defect inspection apparatus shown in the prior art, an ideal pattern is formed, and when there is no defect in the inspection object, the vertical pattern is generated. Most of the light is specularly reflected, and the reflected image becomes bright. On the other hand, when there is a defect such as a foreign substance or a disconnection, vertical light is scattered at the location where the foreign substance or the disconnection exists, and the image of this reflected image becomes dark. Therefore, in the step of receiving the reflected image, the light emitted from the light projector 1 is scattered or interfered by various foreign substances existing on the inspection position of the object to be inspected, and the detected reflected image becomes bright and dark. Therefore, it becomes possible to inspect whether or not there is a defect on the basis of the reflection image including the light and dark information.

【0006】次に、上記のような欠陥検査装置を用いて
行うことが可能な欠陥検査方法の一例について説明す
る。まず、同一ウェハ基板6上に形成された任意の検査
位置において上記反射像の受像工程を行い、この反射像
の明暗を2値化し、この情報を記憶する。次に、任意の
検査位置と同一パターンが存在する別の位置を同様に受
像工程によって検査を行い、別の反射像の明暗に基づい
て2値化した画像情報を得、この情報を記憶する。次
に、得られた反射像に基づく両者の画像を比較する。こ
の画像に差が認められた場合、欠陥が抽出されたことに
なる。また、同一ウェハ基板6上の同一パターンが形成
された別の検査位置においても受像工程によって検査を
行い、先に検査済みの任意の検査位置、若しくは別の位
置から得た画像との比較を行い、非合致部分が存在し、
差があれば欠陥が抽出されたとし、差がなければ欠陥が
なかったと見なす。これを繰り返すことによって被検査
領域の欠陥検査を行うものである。
Next, an example of a defect inspection method which can be performed by using the above-described defect inspection apparatus will be described. First, the reflection image receiving step is performed at an arbitrary inspection position formed on the same wafer substrate 6, the brightness of the reflection image is binarized, and this information is stored. Next, another position where the same pattern as the arbitrary inspection position exists is similarly inspected by the image receiving process, binarized image information is obtained based on the brightness of another reflection image, and this information is stored. Next, the two images based on the obtained reflection image are compared. If a difference is found in this image, it means that a defect has been extracted. In addition, the inspection is also performed in the image receiving process at another inspection position where the same pattern is formed on the same wafer substrate 6, and comparison is performed with an arbitrary inspection position that has been previously inspected or an image obtained from another position. , There is a non-matching part,
If there is a difference, it is considered that the defect is extracted, and if there is no difference, it is considered that there is no defect. By repeating this, the defect inspection of the inspection region is performed.

【0007】また、上記欠陥検査の画像の明暗から2値
化した情報を得るには、例えばイメージセンサ7にCC
D(CHARGE COUPLED DEVICE)カメラを用いる方法があ
る。このCCDカメラの1画素毎に比較する領域の各々
の対応するパターンの明暗の濃度を調べ、このときの濃
淡を256段階に識別し、階調差があるしきい値を越え
ているかどうかで2値化した情報を得、これを比較する
ことで2つの画像に差があった場合に欠陥が生じている
と判断する方法がある(この欠陥検査方法については特
開平3−48141に記載されている)。この方法を用
いた場合、1画素毎に微小な欠陥が生じていた場合に、
1画素内で濃淡が平均化される。従って、1画素の面積
よりも微小な欠陥を検出することが難しい場合があり、
またバックグランドの色調等の影響によって感度が悪く
なり正確な検出ができなくなる場合があった。また、ウ
ェハ基板6をシリコンインゴットからスライスして形成
する段階において、既に均一な厚さのウェハ基板でなか
った場合、若しくはウェハ基板の反り、またはパターン
形成において積層膜の厚さの相違が生じた場合にウェハ
基板の表面に見られる色ムラが存在する場合に、実際に
は欠陥がなくても欠陥があるものとして誤検出される等
の問題があった。
Further, in order to obtain the binarized information from the lightness and darkness of the image of the above defect inspection, for example, the image sensor 7 is CC
There is a method of using a D (CHARGE COUPLED DEVICE) camera. The density of light and dark of the corresponding pattern of each area to be compared for each pixel of this CCD camera is checked, the lightness and darkness at this time are discriminated in 256 steps, and it is determined whether the gradation difference exceeds a certain threshold value. There is a method of determining that a defect has occurred when there is a difference between the two images by obtaining the digitized information and comparing the information (this defect inspection method is described in JP-A-3-48141). Exist). When this method is used, when a minute defect occurs in each pixel,
The shading is averaged within one pixel. Therefore, it may be difficult to detect a defect smaller than the area of one pixel.
Further, the sensitivity may be deteriorated due to the influence of the color tone of the background, and accurate detection may not be possible. Further, in the step of forming the wafer substrate 6 by slicing it from a silicon ingot, if the wafer substrate is not already of uniform thickness, the wafer substrate warps, or a difference in the thickness of the laminated film occurs in pattern formation. In this case, when there is color unevenness on the surface of the wafer substrate, there is a problem that it is erroneously detected as a defect even if there is no defect.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】従来の欠陥検査装置及
び欠陥検査方法は以上のように構成されていたので、欠
陥の有無が誤検出される、または欠陥の形状について詳
しい情報が得られない等の問題があった。
Since the conventional defect inspection apparatus and defect inspection method are configured as described above, the presence or absence of a defect is erroneously detected, or detailed information about the shape of the defect cannot be obtained. There was a problem.

【0009】この発明は上記のような問題を解消するた
めになされたものであり、正確に異物を検出できるとと
もに、従来では発見できなかった微小な欠陥をも検出で
きる欠陥検査装置を得ることを目的としており、さらに
この装置に適した欠陥検査方法を提供することを目的と
する。
The present invention has been made in order to solve the above problems, and it is an object of the present invention to provide a defect inspection apparatus capable of accurately detecting a foreign substance and also detecting a minute defect which could not be found in the past. The object is to further provide a defect inspection method suitable for this apparatus.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】この発明に係る欠陥検査
装置は、投光器によって投光された光を透過させ、被検
査物の所定位置に透過光を照射し、被検査物上で照射し
た光を受け、一定方向に反射させる第一の機能と、投光
された光を反射させ、被検査物の所定位置に反射光を照
射し、被検査物上で反射した反射像を受け、一定方向に
反射させる第二の機能を持つ多機能ミラーを設けたもの
である。
A defect inspection apparatus according to the present invention transmits the light projected by a light projector, irradiates a predetermined position of the inspection object with the transmitted light, and irradiates the inspection object with the light. The first function is to reflect the reflected light in a certain direction, to reflect the projected light, to irradiate the predetermined position of the inspection object with the reflected light, to receive the reflection image reflected on the inspection object, and to receive the constant direction. It is equipped with a multi-functional mirror that has a second function of reflecting light to the.

【0011】また、この発明に係る欠陥検査装置は、多
機能ミラーの第一の機能により透過した光は被検査物に
対して垂直に照射されるように設定され、多機能ミラー
の第二の機能によって反射した光は被検査物に対して斜
め方向から照射されるように設定されたものである。
In the defect inspection apparatus according to the present invention, the light transmitted by the first function of the multi-function mirror is set so as to irradiate the inspection object vertically, and the second function of the multi-function mirror is set. The light reflected by the function is set so as to irradiate the inspection object from an oblique direction.

【0012】この発明に係る欠陥検査方法は、投光器に
よって投光された光を多機能ミラーを透過させて被検査
物の所定位置に照射し、反射像を得る工程と、投光器に
よって投光された光を多機能ミラーにおいて反射させ、
この反射光を一定の経路を経て被検査物の所定位置に照
射し、他の反射像を得る工程を含むものとする。
In the defect inspection method according to the present invention, the light projected by the light projector is transmitted through the multifunction mirror to irradiate the object to be inspected at a predetermined position to obtain a reflected image, and the light projected by the light projector. Reflects the light in a multifunctional mirror,
The step of irradiating a predetermined position of the object to be inspected with this reflected light through a predetermined path to obtain another reflected image is included.

【0013】また、この発明に係る欠陥検査方法は、光
を被検査物に対して垂直に照射して得られた正反射像
と、光を被検査物に対して斜め方向から照射して得られ
た散乱像を得る工程を含むものとする。
In the defect inspection method according to the present invention, the specular reflection image obtained by irradiating the inspection object with light perpendicularly and the oblique inspection with the light are obtained. The step of obtaining the scattered image thus obtained is included.

【0014】[0014]

【作用】この発明に係る欠陥検査装置は、第一の機能と
第二の機能を持つ多機能ミラーを構成要素とすることに
より、二つの異なった経路から被検査物に光を照射して
それぞれの反射像を得、これらの反射像の情報を計算処
理することによって欠陥検査結果を得るものである。
In the defect inspection apparatus according to the present invention, the multi-functional mirror having the first function and the second function is used as a constituent element to irradiate the inspection object with light from two different paths, respectively. Is obtained, and the defect inspection result is obtained by calculating the information of these reflection images.

【0015】また、この発明に係る欠陥検査装置は、光
を被検査物に対して垂直に照射することによって正反射
像を得、光を被検査物に対して斜め方向から照射するこ
とによって散乱像を得、これらの二つの反射像の情報を
計算処理することによって欠陥検査結果を得るものであ
る。
Further, the defect inspection apparatus according to the present invention obtains a specular reflection image by irradiating light to the inspection object perpendicularly, and scatters by irradiating the inspection object with the light obliquely. An image is obtained, and a defect inspection result is obtained by calculating the information of these two reflection images.

【0016】この発明に係る欠陥検査方法は、第一の機
能と第二の機能を持つ多機能ミラーを構成要素とするこ
とにより、二つの異なった経路から被検査物に光を照射
してそれぞれの反射像を得、これらの反射像の情報を計
算処理することによって欠陥検査結果を得るというもの
である。
In the defect inspection method according to the present invention, the multi-functional mirror having the first function and the second function is used as a constituent element, and the inspection object is irradiated with light from two different paths, respectively. Is obtained, and the defect inspection result is obtained by calculating the information of these reflection images.

【0017】また、この発明に係る欠陥検査方法は、光
を被検査物に対して垂直に照射することによって正反射
像を得、光を被検査物に対して斜め方向から照射するこ
とによって散乱像を得、これらの像の情報を計算処理す
ることによって欠陥検査結果を得るというものである。
Further, in the defect inspection method according to the present invention, a specular reflection image is obtained by irradiating light to the inspection object vertically, and scattered by irradiating the inspection object with the light obliquely. The image is obtained, and the defect inspection result is obtained by calculating the information of these images.

【0018】[0018]

【実施例】【Example】

実施例1.以下、この発明の一実施例を図について説明
する。図1において、10は多機能ミラーであり、この
多機能ミラー10はその内部に、平面体の一面に入射す
る光を透過させ、さらにその裏面において入射する光を
反射させることが可能な第一のミラーと、平面体の両面
において入射する光を反射させることが可能な第二のミ
ラーと、これら第一、第二のミラーの平面部に投光器1
から照射される光が照射されるように、ミラーの位置を
調節するミラー制御部を持っている。また、11は多機
能ミラー10の一面において反射された光をさらに反射
させ、この反射させた光を被検査位置に照射させる反射
板、12は反射板11と被検査位置を結ぶ直線上に設け
られ、光を平行光から集束光に変化させるレンズであ
る。その他、従来の技術の説明に用いた図と同一符号は
同一、若しくは相当部分を示すものである。
Example 1. An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. In FIG. 1, reference numeral 10 denotes a multifunctional mirror. The multifunctional mirror 10 is capable of transmitting light incident on one surface of a planar body and reflecting incident light on the back surface thereof. Mirror, a second mirror capable of reflecting incident light on both surfaces of the plane body, and the projector 1 on the plane portions of these first and second mirrors.
It has a mirror control unit that adjusts the position of the mirror so that the light emitted from the. Reference numeral 11 denotes a reflector plate that further reflects the light reflected on one surface of the multifunction mirror 10 and irradiates the inspected position with the reflected light, and 12 is provided on a straight line connecting the reflector plate 11 and the inspected position. It is a lens that changes the light from parallel light to focused light. In addition, the same reference numerals as those used in the description of the related art indicate the same or corresponding portions.

【0019】次に、この発明による欠陥検査装置の特徴
について説明する。この欠陥検査装置では投光器1から
被検査物であるウェハ基板6に対して、垂直光を照射す
ることができ、さらに、従来の欠陥検査装置(図6)内
のミラー3を上記のように、2種類の異なる機能(第
一、第二のミラー)を持つ多機能ミラー10に置き換
え、反射板11、レンズ12を加えることによって、ウ
ェハ基板6に対して斜め方向からの光の照射を行うこと
が可能な構造となっている。このような構造を取ること
によって、垂直光による正反射像だけでなく、斜め方向
からの光による散乱像を検出することができ、より正確
な欠陥検査が行えるというものである。
Next, the features of the defect inspection apparatus according to the present invention will be described. In this defect inspection apparatus, vertical light can be emitted from the projector 1 to the wafer substrate 6 which is the object to be inspected. Further, as described above, the mirror 3 in the conventional defect inspection apparatus (FIG. 6) is Irradiating the wafer substrate 6 with light from an oblique direction by replacing the multifunctional mirror 10 having two different functions (first and second mirrors) and adding a reflector 11 and a lens 12. The structure is possible. By adopting such a structure, not only the specular reflection image by vertical light but also the scattered image by light from an oblique direction can be detected, and more accurate defect inspection can be performed.

【0020】まず、上記のような欠陥検査装置の垂直光
による第一の受像工程について図2を用いて説明する。
ハロゲンランプ等からなる投光器(光源)1から照射さ
れた光は、レンズ2aを通過することによって平行光に
変化する。この平行光は多機能ミラー10に取り込ま
れ、ミラー制御部によってミラーの位置を調整されてい
る第一のミラーの一面に入射する(光路13)。この第
一のミラーの一面は入射した光を透過し、裏面に入射す
る光を反射するという特性を持っているため、一面に入
射した光は、この第一のミラーを透過し、これらレンズ
2a及び多機能ミラー10と同様に、投光器1とウェハ
基板6上の被検査位置を結ぶ直線上に設置されたレンズ
4aを介することによって平行光を収束させ、被検査位
置に照射する。これによって被検査物の垂直光による正
反射像が得られる。
First, the first image receiving process by vertical light of the above defect inspection apparatus will be described with reference to FIG.
The light emitted from the light projector (light source) 1 including a halogen lamp or the like is changed into parallel light by passing through the lens 2a. This parallel light is taken into the multifunctional mirror 10 and is incident on one surface of the first mirror whose position is adjusted by the mirror controller (optical path 13). Since one surface of this first mirror has a characteristic of transmitting the incident light and reflecting the light incident on the back surface thereof, the light incident on the one surface passes through the first mirror and these lenses 2a Similarly to the multifunctional mirror 10, the parallel light is converged by the lens 4a installed on the straight line connecting the projector 1 and the inspection position on the wafer substrate 6 to irradiate the inspection position. As a result, a specular reflection image of the inspection object by vertical light is obtained.

【0021】この正反射像は、従来の技術において示し
た場合と同様に、多機能ミラー10内の第一のミラーの
裏面において反射し(光路14)、レンズ4b、2b、
4cを順次介してイメージセンサ7に画像として取り込
まれる(光路15)。さらに、この画像は計算機部8に
おいて明暗に基づいて区別するものであり、若しくは濃
淡の階調差によって区別することで2値化した画像情報
とし、この情報をメモリー部9に記憶する。これらの処
理を行うことで垂直光による情報を検知できる。以降、
これを第一の受像工程とする。この第一の受像工程で
は、多機能ミラー10の構成要素である第一のミラー
は、その一面は入射した光を透過し、裏面に入射する光
を反射するという特性を持つものとして記載したが、こ
の第一のミラーにハーフミラーを用いている場合は、一
面に入射する光の一部が透過、一部が反射するため、こ
こで反射した光を遮る必要があり、この対策として、例
えば多機能ミラー10と反射板11との間に遮光板を介
在させることが考えられる。
This specular reflection image is reflected on the back surface of the first mirror in the multifunction mirror 10 (optical path 14), as in the case of the prior art, and the lenses 4b, 2b,
The image is captured as an image by the image sensor 7 via 4c in sequence (optical path 15). Further, this image is discriminated on the basis of lightness and darkness in the computer unit 8, or is binarized by discriminating it based on the gradation difference of light and shade, and this information is stored in the memory unit 9. By performing these processes, information due to vertical light can be detected. Or later,
This is the first image receiving step. In the first image receiving step, the first mirror, which is a component of the multifunctional mirror 10, has been described as having a characteristic that one surface thereof transmits incident light and the other surface thereof reflects incident light. If a half mirror is used for this first mirror, part of the light incident on one surface is transmitted and part is reflected, so it is necessary to block the light reflected here. It is conceivable to interpose a light shielding plate between the multifunction mirror 10 and the reflection plate 11.

【0022】次に、同欠陥検査装置の斜方投射光による
第二の受像工程について図3を用いて説明する。上記第
一の受像工程を行う場合と同様に投光器(ハロゲンラン
プ)1から照射された光は、レンズ2aを介することに
よって平行光に変化する。この平行光は多機能ミラー1
0に入射して、多機能ミラー10内のミラー制御部によ
ってミラーの位置を調整されており、両平面が反射板
(ミラー)で構成されている第二のミラーの一面に入射
する(光路13)。この第二のミラーの一面において平
行光は、所定の角度に反射し、この反射した光を反射板
11によって再び反射させることによって第一の受像工
程において被検査位置としていた位置に、斜め方向から
光を照射する。この斜方投射光は被検査物の凹凸のため
に散乱して、その散乱光の一部が多機能ミラー10の裏
面に照射され、多機能ミラー10の裏面においてこの散
乱光をイメージセンサ7の方向に、さらに反射させる
(光路16)。この反射光はレンズ4b、2b、4cを
介してイメージセンサ7に画像として取り込まれる(光
路15)。その後の処理については、第一の受像工程と
同様に行い、これによって得られた2値化した情報をメ
モリー部9に記憶させておく。このように斜方投射光に
よる情報を得る工程を以下、第二の受像工程と略するこ
とにする。
Next, the second image receiving process by the oblique projection light of the defect inspection apparatus will be described with reference to FIG. As in the case of performing the first image receiving step, the light emitted from the projector (halogen lamp) 1 is changed into parallel light by passing through the lens 2a. This parallel light is a multifunctional mirror 1
0, and the position of the mirror is adjusted by the mirror control unit in the multi-function mirror 10, and both planes are incident on one surface of the second mirror composed of a reflection plate (mirror) (optical path 13 ). The parallel light on one surface of the second mirror is reflected at a predetermined angle, and the reflected light is reflected again by the reflection plate 11 to obliquely reach the position that was the inspection position in the first image receiving step. Irradiate with light. This obliquely projected light is scattered due to the unevenness of the object to be inspected, and a part of the scattered light is applied to the back surface of the multifunctional mirror 10, and the scattered light is reflected by the image sensor 7 on the back surface of the multifunctional mirror 10. Further, it is reflected in the direction (optical path 16). This reflected light is captured as an image by the image sensor 7 via the lenses 4b, 2b, 4c (optical path 15). Subsequent processing is performed in the same manner as in the first image receiving step, and the binarized information obtained by this is stored in the memory unit 9. Hereinafter, the step of obtaining information by the oblique projection light in this manner will be abbreviated as the second image receiving step.

【0023】この斜方投射光による情報からは、ウェハ
基板6上に形成されたパターンのエッジ部分、等の凹凸
が顕著に表れている部分、つまりパターンの輪郭と平面
的な部分とを識別することが可能である。また、検査領
域中に突起等の異物がある場合や、形成されたパターン
の膨れ、細り等はこの斜方投射光によってパターンの輪
郭を見ることによって正確に検知することができる。一
方、この第二の受像工程による検査では先述の垂直光に
よる第一の受像工程で認識できたウェハ基板6の表面に
存在している下地となっている薄膜の微妙な膜厚差によ
る色ムラ等を異物等の欠陥として認識することはない。
From the information obtained by this oblique projection light, the edge portion of the pattern formed on the wafer substrate 6 and the like where the irregularities are conspicuous, that is, the contour of the pattern and the flat portion are identified. It is possible. Further, if there is a foreign matter such as a protrusion in the inspection region, or if the formed pattern is swollen or thinned, it can be accurately detected by observing the contour of the pattern by the oblique projection light. On the other hand, in the inspection by the second image receiving process, color unevenness due to a subtle film thickness difference of the underlying thin film existing on the surface of the wafer substrate 6 which can be recognized by the first image receiving process by the vertical light described above. Are not recognized as defects such as foreign matter.

【0024】次に、上記のような第一、第二の受像工程
をどのように繰り返すか、また得られた情報を比較検討
する方法について図4を用いて説明する。図4において
17ないし19は、それぞれ上記第一の受像工程によっ
て得られた正反射像であり、また20ないし22は、そ
れぞれ上記第二の受像工程によって得られた散乱像を示
したものである。これらの像は17と20、18と2
1、19と22はそれぞれ全く同じ被検査位置を異なる
検査方法によって検査した結果の像である。また全ての
被検査位置に形成されたパターン(配線等の線状のパタ
ーン)24a、24bは、いずれも同じ形状のパターン
(突起状異物25a、25bは意図的に形成したパター
ンではない。)である。また、符号23はウェハ基板表
面、24c、24d、24e、24fは散乱像を検出し
た際に検出されるパターン端部を示す像、25a、25
b、25はパターン24aからはみ出して形成された突
起状異物、26はシミ(ウェット工程後に水分が残った
場合にウェハ基板表面23上に生じる酸化膜等の不純物
であり本明細書中ではこれをシミという表現を用いて表
す、27はパターン24b上に存在する微小突起物)、
28ないし34で示した図面は受像した17ないし22
の像を計算処理して得られる画像である。
Next, how to repeat the first and second image receiving steps as described above and a method for comparing and examining the obtained information will be described with reference to FIG. In FIG. 4, 17 to 19 are specular reflection images obtained by the first image receiving step, and 20 to 22 are scatter images obtained by the second image receiving step. . These images are 17 and 20, 18 and 2
Reference numerals 1, 19 and 22 are images obtained as a result of inspecting exactly the same inspected position by different inspection methods. Further, the patterns (linear patterns such as wirings) 24a and 24b formed at all the inspected positions are patterns of the same shape (the protruding foreign matters 25a and 25b are not patterns intentionally formed). is there. Further, reference numeral 23 is a wafer substrate surface, 24c, 24d, 24e and 24f are images showing pattern end portions detected when a scattered image is detected, and 25a and 25.
b and 25 are protrusion-like foreign substances formed by protruding from the pattern 24a, and 26 is a stain (an impurity such as an oxide film generated on the wafer substrate surface 23 when moisture remains after the wet process, which is herein referred to as 27 is represented by using the expression "spots", and 27 is a minute protrusion existing on the pattern 24b.
The drawings shown at 28 to 34 are the images received at 17 to 22
Is an image obtained by performing a calculation process on the image of.

【0025】次に、受像の順序及び計算処理方法につい
て述べる。まず、第一の受像工程によって正反射像17
を検査し、次に、同じ検査位置において、欠陥検査装置
内の多機能ミラー10のミラー制御部において調整する
ことによって第一のミラーと第二のミラーを切り換え、
第二の受像工程によって散乱像20を得る。この第一、
第二の受像工程を被検査位置を移動して繰り返し、順次
18、21の画像を得る(ここで画像18、21には欠
陥が存在しないと仮定する)。画像17、18を得た時
点で、計算機部8において上記画像17、18の情報を
メモリー部9から読み出し、二つの像を比較し、2値化
した情報が合致していない部分を検出し、正反射像差画
像28を得、この場合は正反射像17に見られた非合致
部分である突起状異物25aとシミ26を欠陥として認
識し、この情報をメモリー部9に記憶させる。また、同
様に散乱像20、21についても画像比較を行い、被合
致部分である突起状異物25bと微小突起物27を欠陥
として認識し、この情報(散乱差画像30)をメモリー
部9に記憶させる。
Next, the order of image reception and the calculation processing method will be described. First, the specular reflection image 17 is obtained by the first image receiving process.
And then switch between the first mirror and the second mirror by adjusting in the mirror control section of the multifunction mirror 10 in the defect inspection apparatus at the same inspection position,
The scattered image 20 is obtained by the second image receiving step. This first,
The second image receiving step is repeated by moving the position to be inspected to sequentially obtain images of 18 and 21 (here, it is assumed that the images 18 and 21 have no defect). When the images 17 and 18 are obtained, the computer unit 8 reads the information of the images 17 and 18 from the memory unit 9, compares the two images, and detects a portion where the binarized information does not match, A specular reflection image difference image 28 is obtained, and in this case, the protruding foreign matter 25a and the spots 26 which are non-matching portions seen in the specular reflection image 17 are recognized as defects, and this information is stored in the memory unit 9. Similarly, the images of the scattered images 20 and 21 are also compared with each other, the protruding foreign matter 25b and the minute protrusions 27, which are the matched portions, are recognized as defects, and this information (scattering difference image 30) is stored in the memory unit 9. Let

【0026】次に、さらに別の被検査位置において第一
の受像工程によって正反射像19を得、同被検査位置に
おいて第二の受像工程において散乱像22を得る。ここ
で計算機部8において上記画像18、19の情報をメモ
リー部9から読み出し、二つの像を比較し、2値化した
情報が合致していない部分を検出し、正反射像差画像2
9を得、この場合は画像18、19が正確に合致するた
め非合致部分を全く持たない正反射差画像29が得ら
れ、この情報をメモリー部9に記憶させる。また、同様
に散乱像21、22についても画像比較を行い、散乱差
画像31を得、この情報をメモリー部9に記憶させる。
Next, a specular reflection image 19 is obtained in the first image receiving step at still another inspected position, and a scattered image 22 is obtained in the second image receiving step at the same inspected position. Here, the computer unit 8 reads the information of the images 18 and 19 from the memory unit 9, compares the two images, detects a portion where the binarized information does not match, and detects the specular reflection image difference image 2
9 is obtained, and in this case, since the images 18 and 19 are exactly matched, a specular reflection difference image 29 having no non-matching portion is obtained, and this information is stored in the memory unit 9. Similarly, images of the scattered images 21 and 22 are compared to obtain a scattered difference image 31, and this information is stored in the memory unit 9.

【0027】その後、上記画像28、29の情報をメモ
リー部9から読み出し、二つの像を比較し、非合致部分
を検出し、正反射像の最終的な差画像32を得る。次
に、散乱像についても同様に画像30、31から散乱像
の最終的な差画像33を得る。これらの正反射像と散乱
像の最終的な差画像32、33を合成し、正反射像及び
散乱像から得られた異物、欠陥情報を一つの画像情報3
4(合成画像)としてまとめる。このように、情報34
(合成画像)を得ることによって、被検査物に対して垂
直に光を照射して得た情報だけでは見落としてしまって
いたような微小な欠陥を正確に検出し、また、パターン
が形成されたウェハ基板6の表面の色ムラによる誤検出
を抑制することができる。また、この実施例においては
検査位置を3カ所として欠陥検査方法を示したが、2カ
所以上の位置を被検査位置として検査を行うことによっ
て、この欠陥検査装置の性能を生かした欠陥検査が可能
になると考えられる。
After that, the information of the images 28 and 29 is read from the memory unit 9, the two images are compared, the non-matching portion is detected, and the final difference image 32 of the specular reflection image is obtained. Next, for the scattered image, a final difference image 33 of the scattered image is obtained from the images 30 and 31 in the same manner. The final difference images 32 and 33 of the regular reflection image and the scattered image are combined, and the foreign matter and defect information obtained from the regular reflection image and the scattered image are combined into one image information 3
4 (composite image). Thus, information 34
By obtaining the (composite image), a minute defect that was overlooked by only the information obtained by vertically irradiating the inspection object with light was accurately detected, and a pattern was formed. Erroneous detection due to color unevenness on the surface of the wafer substrate 6 can be suppressed. Further, in this embodiment, the defect inspection method is shown with three inspection positions, but by performing the inspection with two or more positions as the inspected positions, it is possible to perform the defect inspection utilizing the performance of the defect inspection apparatus. It is believed that

【0028】実施例2.実施例1ではウェハ基板6上に
形成したパターンに突起物や水分が残ったために形成さ
れる薄いシリコン酸化膜を欠陥として検出するものであ
った。本実施例では、パターンの突起物(水平方向にパ
ターンからはみ出して形成された部分)は欠陥として検
出し、正反射像を得る際に検出され、配線等のパターン
を目視した場合などに見られる、膜厚の微妙な差、若し
くはウェハ基板6の厚さの微妙な差若しくは反り等に起
因する色調の変化や、散乱像を得る際に検出され、配線
の端部(エッジ)の微妙な曲がりによるパターンのゆが
みを欠陥として検出しない欠陥検査方法を示す。
Embodiment 2 FIG. In the first embodiment, the thin silicon oxide film formed because the protrusions and the moisture remain on the pattern formed on the wafer substrate 6 is detected as a defect. In the present embodiment, the protrusions of the pattern (the portions formed by protruding from the pattern in the horizontal direction) are detected as defects, and are detected when the specular reflection image is obtained, and are seen when the pattern of the wiring or the like is visually observed. , A change in color tone due to a slight difference in film thickness, a slight difference in thickness of the wafer substrate 6, warpage, or the like, and a slight bend in the end of the wiring which is detected when a scattered image is obtained. A defect inspection method that does not detect the distortion of the pattern due to the defect is shown.

【0029】この実施例を図5を用いて説明する。図5
において、36、37、38は正反射像。9、40、4
1は散乱像、42はパターン24a、24b内部に見ら
れる色ムラ、43a、43b、43c、43dは散乱像
によって得られるパターンの端部、44、45は正反射
像差画像、46、47は散乱像差画像、48はパターン
の端部の非共通部分、49は最終的な正反射差画像、5
0は最終的な散乱差画像、51は合成画像をそれぞれ示
している。
This embodiment will be described with reference to FIG. Figure 5
In, 36, 37 and 38 are specular reflection images. 9, 40, 4
1 is the scattered image, 42 is the color unevenness seen inside the patterns 24a and 24b, 43a, 43b, 43c and 43d are the end portions of the pattern obtained by the scattered image, 44 and 45 are specular reflection image difference images, and 46 and 47 are Scattering difference image, 48 is the non-common part of the end of the pattern, 49 is the final specular reflection difference image, 5
0 indicates a final scattering difference image, and 51 indicates a composite image.

【0030】この実施例において、正反射像及び散乱像
を得る方法は上記実施例1の第一の受像工程及び第二の
受像工程と全く同様の方法を用いる。まず、一つの被検
査位置において第一の受像工程を用いて正反射像36を
得、次に第二の受像工程を用いて散乱像39を得る。こ
れを繰り返し、順次正反射像37、散乱像40を得る。
この時点で上記正反射像36、37の画像情報をメモリ
ー部から読み出し、両者の2値化した画像情報が合致し
ていない部分を差画像44とし、この情報をメモリー部
9に記憶させる。また、同様に、上記散乱像39、40
の画像情報をメモリー部から読み出し、両者の2値化し
た画像情報が合致していない部分を差画像46とし、こ
の画像情報をメモリー部9に記憶させる。次に、正反射
像38、散乱像41を得、実施例1で示した場合と同様
にそれぞれ差画像45、48を得、この画像情報をメモ
リー部9に記憶させる。
In this embodiment, the method of obtaining the specular reflection image and the scattered image is exactly the same as the first image receiving step and the second image receiving step of the first embodiment. First, the specular reflection image 36 is obtained at one inspected position by using the first image receiving process, and then the scattered image 39 is obtained by using the second image receiving process. By repeating this, the specular reflection image 37 and the scattered image 40 are sequentially obtained.
At this time, the image information of the specular reflection images 36 and 37 is read out from the memory section, and the portion where the binarized image information of both does not match is set as the difference image 44, and this information is stored in the memory section 9. Similarly, the scattered images 39, 40
Of the image information is read out from the memory unit, and a portion where the two binarized image information do not match is set as the difference image 46, and this image information is stored in the memory unit 9. Next, the specular reflection image 38 and the scattered image 41 are obtained, the difference images 45 and 48 are obtained respectively as in the case of the first embodiment, and the image information is stored in the memory unit 9.

【0031】その後、正反射像の差画像44、45の非
共通部分を読み出した差画像(最終的な正反射差画像)
49を得、次に同様に散乱像の差画像46、47の非共
通部分を読み出した差画像(最終的な散乱差画像)50
を得る。次に、上記最終的な正反射差画像49と最終的
な散乱差画像50の画像情報をメモリー部9から読み出
し、計算機部8において、二つの画像の共通部分を取り
出し、合成画像51を得る処理を行う。この合成画像5
1により、最終的な正反射差画像49と最終的な散乱差
画像50に共通に示されていた25a、25bは突起状
欠陥25として検出でき、上記差画像49、50に示さ
れていた色ムラ42やパターンの端部の非共通部分48
等の製品の品質に影響を及ぼさない欠陥は検出すること
なく、これら色ムラ42及びパターンの端部の非共通部
分48に起因する欠陥はないものと見なした欠陥検査結
果が得られる。
Thereafter, the difference image obtained by reading out the non-common portion of the difference images 44 and 45 of the regular reflection image (final regular reflection difference image).
49, and similarly, a difference image (final scattering difference image) 50 obtained by reading out the non-common part of the difference images 46 and 47 of the scattering image in the same manner.
Get. Next, the image information of the final specular reflection difference image 49 and the final scattering difference image 50 is read from the memory unit 9, and the computer unit 8 extracts the common part of the two images to obtain a composite image 51. I do. This composite image 5
1, 25a and 25b, which are commonly shown in the final specular reflection difference image 49 and the final scattering difference image 50, can be detected as the protruding defects 25, and the colors shown in the difference images 49 and 50 can be detected. The unevenness 42 and the non-common portion 48 at the end of the pattern
Defects that do not affect the quality of the product, such as the above, are not detected, and the defect inspection result is obtained in which it is considered that there are no defects caused by the color unevenness 42 and the non-common portion 48 at the end of the pattern.

【0032】従来の技術では、正反射像のみ、若しくは
散乱像のみから検出した差画像だけでは、実際には欠陥
となり得ないものについても欠陥として検出することが
あったが、この欠陥検査装置及び欠陥検査方法を用いる
と、正反射像と散乱像のいずれにも共通して検出される
明らかに欠陥と見なすことができる実質的な欠陥のみを
最終的に検出することができる。 このように、検出し
たい欠陥の種類に応じて画像情報の計算処理方法を変え
ることで所望の情報(合成画像)を得ることが可能であ
る。また、この実施例においては検査位置を3カ所とし
て欠陥検査方法を示したが、2カ所以上の位置を被検査
位置として検査を行うことによって、この欠陥検査装置
の性能を生かした欠陥検査が可能になると考えられる。
In the prior art, even a difference image detected only from the specular reflection image or the scattered image may detect a defect that cannot actually become a defect. Using the defect inspection method, only substantial defects that can be regarded as apparent defects commonly detected in both specular reflection images and scattered images can be finally detected. In this way, it is possible to obtain desired information (composite image) by changing the image information calculation processing method according to the type of defect to be detected. Further, in this embodiment, the defect inspection method is shown with three inspection positions, but by performing the inspection with two or more positions as the inspected positions, it is possible to perform the defect inspection utilizing the performance of the defect inspection apparatus. It is believed that

【0033】[0033]

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、欠陥
検査装置に多機能ミラーを付加した構造としたので、装
置の価格をほとんど上昇させることなく、精度の高い欠
陥検査を行うことが可能な装置を得ることができる効果
がある。
As described above, according to the present invention, since the defect inspection apparatus has a structure in which a multifunctional mirror is added, highly accurate defect inspection can be performed without substantially increasing the cost of the apparatus. There is an effect that a possible device can be obtained.

【0034】また、この発明によれば、多機能ミラーを
付加した構造とした欠陥検査装置に適しており、必要と
する欠陥情報に応じた欠陥検査方法を得ることが可能で
ある。
Further, according to the present invention, it is suitable for a defect inspection apparatus having a structure in which a multifunctional mirror is added, and it is possible to obtain a defect inspection method according to necessary defect information.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】 この発明の一実施例による欠陥検査装置を示
す概要図である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a defect inspection apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】 この発明の一実施例による欠陥検査装置の使
用方法を示す図である。
FIG. 2 is a diagram showing a method of using the defect inspection apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図3】 この発明の一実施例による欠陥検査装置の使
用方法を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a method of using the defect inspection apparatus according to the embodiment of the present invention.

【図4】 この発明の一実施例による欠陥検査方法の説
明に必要な図である。
FIG. 4 is a diagram necessary for explaining a defect inspection method according to an embodiment of the present invention.

【図5】 この発明の一実施例による欠陥検査方法の説
明に必要な図である。
FIG. 5 is a diagram necessary for explaining a defect inspection method according to an embodiment of the present invention.

【図6】 従来の技術による欠陥検査装置を示す概要図
である。
FIG. 6 is a schematic diagram showing a defect inspection apparatus according to a conventional technique.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1.投光器、 2a、2b、4a、4b、4c、1
2.レンズ 3.ミラー、 5.ステージ、 6.ウェハ基板、
7.イメージセンサ 8.計算機部、 9.メモリー部、 10.多機能ミラ
ー、 11.反射板 13、14、15、16.光路 17、18、19、36、37、38.正反射像 20、21、22、39、40、41.散乱像、 2
3.ウェハ基板表面 24a、24b.パターン 24c、24d、24e、24f.パターン端部 25a、25b、25c.突起状異物、 26.シミ、
27.微小突起物 28、29、44、45.正反射差画像 30、31、46、47.散乱差画像 43a、43b、43c、43d.パターン端部 32、49.最終的な正反射差画像、 33、50.最
終的な散乱差画像 34、51.合成画像
1. Floodlights, 2a, 2b, 4a, 4b, 4c, 1
2. Lens 3. Mirror, 5. Stage, 6. Wafer substrate,
7. Image sensor 8. Computer Department, 9. Memory section, 10. Multi-function mirror, 11. Reflector 13, 14, 15, 16. Optical path 17, 18, 19, 36, 37, 38. Specular reflection image 20, 21, 22, 39, 40, 41. Scatter image, 2
3. Wafer substrate surface 24a, 24b. Patterns 24c, 24d, 24e, 24f. Pattern end portions 25a, 25b, 25c. Protruding foreign matter, 26. Stains,
27. Microprojections 28, 29, 44, 45. Specular reflection difference image 30, 31, 46, 47. Scatter difference image 43a, 43b, 43c, 43d. Pattern end 32, 49. Final specular reflection difference image, 33, 50. Final scattering difference image 34, 51. Composite image

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被検査物に対して光を投光する投光器
部、上記投光器部によって投光された光を透過させ、被
検査物の所定位置に透過光を照射し、被検査物上で反射
した反射像を受け、一定方向に反射させる第一の機能
と、上記投光器部によって投光された光を反射させ、被
検査物の所定位置に反射光を照射し、被検査物上で反射
した反射像を受け、一定方向に反射させる第二の機能を
持つ多機能ミラー、上記多機能ミラーによって一定方向
に反射された反射像を検知するイメージセンサ、上記イ
メージセンサにおいて検知した反射像を情報として取り
込んで計算処理を行う計算機部、上記計算機部の情報を
記憶するメモリー部を備えたことを特徴とする欠陥検査
装置。
1. A projector unit for projecting light to an object to be inspected, light transmitted by the light projector unit being transmitted, and the transmitted light is irradiated to a predetermined position of the object to be inspected. The first function of receiving the reflected image reflected and reflecting it in a certain direction, and reflecting the light projected by the projector unit, irradiating the reflected light to a predetermined position of the inspection object and reflecting it on the inspection object A multifunctional mirror having a second function of receiving the reflected image reflected in a certain direction, an image sensor detecting the reflected image reflected in the certain direction by the multifunctional mirror, and the reflected image detected by the image sensor A defect inspection apparatus comprising: a computer unit for performing a calculation process by taking in as a memory; and a memory unit for storing information of the computer unit.
【請求項2】 投光器は被検査物に対して垂直線上に設
置し、多機能ミラーにおいて透過した光が被検査物に対
して垂直に照射され、多機能ミラーにおいて反射した光
が被検査物に対して斜め方向から照射されることを特徴
とする請求項1記載の欠陥検査装置。
2. The light projector is installed on a vertical line with respect to the object to be inspected, the light transmitted through the multifunctional mirror is radiated vertically to the object to be inspected, and the light reflected by the multifunctional mirror is reflected onto the object to be inspected. The defect inspection apparatus according to claim 1, wherein the irradiation is performed in an oblique direction.
【請求項3】 投光器から光を投光する第一の工程、第
一の工程において投光された光を多機能ミラーを透過さ
せて被検査物の所定位置に照射し、反射像を得る第二の
工程、第一の工程において照射された光を多機能ミラー
において反射させ、この反射光を一定の経路を経て被検
査物の所定位置に照射し、他の反射像を得る第三の工
程、第二の工程において得られた反射像を検知する第四
の工程、第三の工程において得られた反射像を検知する
第五の工程、第四の工程によって検知した複数の反射像
を比較し、差を示した第一の画像情報を検出する第六の
工程、第五の工程によって検知した複数の反射像を比較
し、差を示した第二の画像情報を検出する第七の工程、
第六、第七の工程によって得られた第一、第二の画像情
報を合成し第三の画像情報を得る第八の工程、第八の工
程によって得られた第三の画像情報を記憶する第九の工
程を含むことを特徴とする欠陥検査方法。
3. A first step of projecting light from a projector, wherein the light projected in the first step is transmitted through a multifunction mirror to irradiate a predetermined position of an object to be inspected to obtain a reflected image. In the second step, the light emitted in the first step is reflected by the multifunction mirror, and the reflected light is applied to a predetermined position of the object to be inspected through a fixed path to obtain another reflected image. , A fourth step of detecting the reflection image obtained in the second step, a fifth step of detecting the reflection image obtained in the third step, and a comparison of a plurality of reflection images detected by the fourth step Then, the sixth step of detecting the first image information indicating the difference, the plurality of reflected images detected by the fifth step are compared, and the seventh step of detecting the second image information indicating the difference ,
Eighth step of synthesizing the first and second image information obtained by the sixth and seventh steps to obtain the third image information, and storing the third image information obtained by the eighth step A defect inspection method including a ninth step.
【請求項4】 第二の工程によって得られた反射像は、
光を被検査物に対して垂直に照射して得られた正反射像
であり、第三の工程によって得られた反射像は光を被検
査物に対して斜め方向から照射して得られた散乱像であ
ることを特徴とする請求項3記載の欠陥検査方法。
4. The reflection image obtained by the second step is
It is a specular reflection image obtained by vertically irradiating the inspection object with light, and the reflection image obtained by the third step is obtained by irradiating the inspection object with light from an oblique direction. The defect inspection method according to claim 3, wherein the defect inspection method is a scattered image.
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