JPH0823066B2 - Ion implanter - Google Patents
Ion implanterInfo
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- JPH0823066B2 JPH0823066B2 JP62163368A JP16336887A JPH0823066B2 JP H0823066 B2 JPH0823066 B2 JP H0823066B2 JP 62163368 A JP62163368 A JP 62163368A JP 16336887 A JP16336887 A JP 16336887A JP H0823066 B2 JPH0823066 B2 JP H0823066B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 この発明は、真空中で試料にイオンを注入するイオン
注入装置に関し、特に、量産性よりもむしろ処理内容の
多様性を主眼にしたイオン注入装置に関する。Description: TECHNICAL FIELD The present invention relates to an ion implantation apparatus that implants ions into a sample in a vacuum, and particularly to ion implantation with a focus on diversity of processing contents rather than mass productivity. Regarding the device.
従来のこの種のイオン注入装置の一例を第2図に示
す。An example of a conventional ion implanter of this type is shown in FIG.
図示しない真空排気装置によって真空排気されると共
にイオンビーム2が例えば走査されて導入される注入室
4内に、多面体状の回転台6が収納されており、その各
面に、例えば半導体ウエハ、半導体集積回路等の試料12
を保持するためのホルダ8であってヒータ10を内蔵する
ものがそれぞれ取り付けられている。A polyhedral rotating table 6 is housed in an implantation chamber 4 into which the ion beam 2 is scanned and introduced while being evacuated by a vacuum evacuation device (not shown). Samples such as integrated circuits 12
Holders 8 for holding the heaters 10 each having a built-in heater 10 are attached.
処理に際しては、ホルダ8に試料12を装着し、注入室
4内を真空排気した後、例えば試料12をヒータ10で高温
(例えば700℃程度)に加熱した状態で、イオンビーム
2を所定位置の試料12に照射してイオン注入する。At the time of processing, after mounting the sample 12 on the holder 8 and evacuating the inside of the injection chamber 4, for example, the sample 12 is heated to a high temperature (for example, about 700 ° C.) by the heater 10, and the ion beam 2 is moved to a predetermined position. The sample 12 is irradiated and ions are implanted.
その場合、回転台6を所定角度ずつ回転させることに
よって、各試料12に順次イオン注入することができる。
また試料12の交換は、注入室4を大気圧状態にして行
う。In that case, ions can be sequentially implanted into each sample 12 by rotating the rotating table 6 by a predetermined angle.
Further, the replacement of the sample 12 is performed with the injection chamber 4 in the atmospheric pressure state.
この種のイオン注入装置に対しては、処理内容をより
多様化するニーズが近年高まっており、例えば上記のよ
うな試料加熱用のヒータ10を有するいわゆる高温用のホ
ルダ8と共に、イオン注入に伴う試料12の加熱を抑える
冷却手段を有するいわゆる常温用のホルダをも設けたい
という要望があるが、上記のような従来の装置では、同
一の回転台6に高温用のホルダと常温用のホルダを併設
すると、互いに熱的に干渉し合い所望の温度を実現する
のが難しいという問題がある。With respect to this type of ion implantation apparatus, there is a growing need in recent years to diversify the processing contents. For example, a so-called high temperature holder 8 having a heater 10 for heating a sample as described above is used in association with ion implantation. Although there is a demand for providing a so-called room temperature holder having a cooling means for suppressing the heating of the sample 12, in the conventional apparatus as described above, a high temperature holder and a room temperature holder are provided on the same rotary table 6. When they are provided side by side, there is a problem in that it is difficult to achieve the desired temperature by mutual thermal interference.
また、上記のような装置においては、試料12を交換す
るには、その度に注入室4内を大気圧状態にし、そして
再び真空状態に立ち上げる必要があるため、真空排気に
多くの時間がかかり効率が悪いという問題もある。Further, in the above-described device, in order to replace the sample 12, it is necessary to bring the inside of the injection chamber 4 into the atmospheric pressure state and then to bring it into a vacuum state again, so that it takes a lot of time to evacuate. There is also the problem of low efficiency.
また、試料12に対するイオン注入角度を変えるために
は、注入角度に応じた傾きを有するホルダ8と交換する
必要があり、しかもその交換は注入室4内が大気圧状態
の時にしかできないため、自由度が少なくしかも非常に
面倒である。Further, in order to change the ion implantation angle with respect to the sample 12, it is necessary to replace it with a holder 8 having an inclination according to the implantation angle. Moreover, the replacement can be performed only when the inside of the implantation chamber 4 is in the atmospheric pressure state. It is less frequent and very troublesome.
そこでこの発明は、これらの点を改善したイオン注入
装置を提供することを目的とする。Then, this invention aims at providing the ion implantation apparatus which improved these points.
この発明のイオン注入装置は、イオンビームが導入さ
れ試料にイオン注入するための部屋であって真空排気さ
れる注入室と、当該注入室の両側に仕切り用の弁を介し
てそれぞれ隣接されていて、試料を注入室と大気中との
間で出し入れするための部屋であって真空排気される第
1および第2の予備室と、試料を保持するものであって
当該試料の加熱手段を有する第1のホルダと、試料を保
持するものであって当該試料の冷却手段を有する第2の
ホルダと、第1の予備室の外側から第1のホルダを、起
立状態と倒した状態間で回転させると共に当該予備室と
注入室間を開状態にある弁を通して移動させるための第
1の操作機構と、第2の予備室の外側から第2のホルダ
を、起立状態と倒した状態間で回転させると共に当該予
備室と注入室間を開状態にある弁を通して移動させるた
めの第2の操作機構とを備えることを特徴とする。The ion implantation apparatus of the present invention is a chamber for introducing an ion beam into which ions are implanted in a sample and is evacuated, and is adjacent to both sides of the implantation chamber via a partitioning valve. A chamber for loading and unloading the sample between the injection chamber and the atmosphere, which is evacuated, and first and second auxiliary chambers for holding the sample and having means for heating the sample. No. 1 holder, a second holder for holding a sample and having a cooling means for the sample, and the first holder from outside the first preliminary chamber are rotated between an upright state and an inverted state. At the same time, the first operating mechanism for moving between the spare chamber and the injection chamber through the valve in the open state, and the second holder from the outside of the second spare chamber are rotated between the upright state and the inverted state. Along with the opening of the spare room and the injection room Characterized in that it comprises a second operating mechanism for moving through the valve in the state.
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置
を部分的に示す概略横断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view partially showing an ion implanter according to an embodiment of the present invention.
図示しない真空排気装置によって真空排気されると共
にイオンビーム2が例えば走査されて導入される注入室
14の左右両側に、仕切り用の弁18a、18bをそれぞれ介し
て、第1および第2の予備室(エアロック室とも呼ばれ
る)16aおよび16bがそれぞれ隣接されている。An implantation chamber in which the ion beam 2 is, for example, scanned and introduced while being evacuated by a vacuum exhaust device (not shown)
First and second preparatory chambers (also referred to as airlock chambers) 16a and 16b are adjacent to the left and right sides of 14 via partition valves 18a and 18b, respectively.
この弁18a、18bは、開状態にある時、そこを後述する
試料12を装着したホルダ24a、24b等がそれぞれ通過可能
である。When the valves 18a, 18b are in the open state, holders 24a, 24b, etc., on which the sample 12 described later is mounted, can pass therethrough.
予備室16a、16bは、試料12を注入室14と大気中との間
で出し入れするための部屋であって、図示しない真空排
気装置によってそれぞれ真空排気される。また、試料12
の出し入れ用の扉22a,22bをそれぞれ有している。The preliminary chambers 16a and 16b are chambers for loading and unloading the sample 12 between the injection chamber 14 and the atmosphere, and are evacuated by a vacuum exhaust device (not shown). Sample 12
It has doors 22a and 22b for loading and unloading, respectively.
また予備室16a、16b内には、真空シール用のOリング
36を有する軸受部34a、34bを通して軸30a、30bがそれぞ
れ挿入されており、各軸30a、30bの真空側の端部には試
料12保持用の第1および第2のホルダ24aおよび24bが、
大気側の端部には操作用のハンドル32a、32bがそれぞれ
取り付けられいる。そしてこれらによって、各予備室16
a、16bの外側から各ホルダ24a、24bを、起立状態(例え
ば垂直状態)と倒した状態(例えば水平状態)間でそれ
ぞれ回転させると共に、垂直状態にあるホルダ24a、24b
を開状態にある弁18a、18bを通して予備室16a、16bと注
入室14間でそれぞれ移動させる第1および第2の操作機
構を構成している。In addition, in the spare chambers 16a and 16b, there is an O-ring for vacuum sealing.
Shafts 30a and 30b are respectively inserted through bearing portions 34a and 34b having 36, and first and second holders 24a and 24b for holding the sample 12 are provided at the vacuum side ends of the shafts 30a and 30b, respectively.
Operating handles 32a and 32b are attached to the ends on the atmosphere side, respectively. And by these, each spare room 16
Each of the holders 24a and 24b is rotated from the outside of a and 16b between an upright state (for example, a vertical state) and a tilted state (for example, a horizontal state), and the holders 24a and 24b are in a vertical state.
The first and second operating mechanisms for moving between the prechambers 16a, 16b and the injection chamber 14 through the valves 18a, 18b in the open state are configured.
ホルダ24aはいわゆる高温用のホルダであり、試料12
の加熱手段としてヒータ26を内蔵している。ホルダ24b
はいわゆる常温用のホルダであり、試料12の冷却手段と
して、フレオン等の冷媒が通される冷却パイプ28を内蔵
している。尚、ヒータ26および冷却パイプ28は、図示し
ないが、それぞれ軸30a、30b内を通して外部に接続され
ている。The holder 24a is a so-called high temperature holder, and
A heater 26 is built in as a heating means of the. Holder 24b
Is a so-called room temperature holder, and has a cooling pipe 28 through which a refrigerant such as Freon is passed as a cooling means for the sample 12. Although not shown, the heater 26 and the cooling pipe 28 are connected to the outside through the shafts 30a and 30b, respectively.
例えば高温用のホルダ24aを用いて試料12にイオン注
入する場合を説明すると、まず当該ホルダ24aを予備室1
6a内に移動させて水平状態にし、弁18aを閉じ、予備室1
6a内を大気圧状態にして扉22aを開き、試料12をホルダ2
4aに装着する。その後扉22aを閉じ、予備室16a内の真空
排気すると共にホルダ24aを垂直状態にし、弁18aを開い
て真空状態にある注入室14内の所定位置まで当該ホルダ
24aを移動させる。そして試料12をヒータ26で高温に加
熱した状態で、イオンビーム2を当該試料12に照射して
イオン注入する。For example, the case of implanting ions into the sample 12 using the holder 24a for high temperature will be described.
6a to a horizontal position, valve 18a closed and prechamber 1
Set the inside of 6a to atmospheric pressure, open the door 22a, and hold the sample 12 in the holder 2
Attach to 4a. After that, the door 22a is closed, the preliminary chamber 16a is evacuated, the holder 24a is set in the vertical state, and the valve 18a is opened to a predetermined position in the injection chamber 14 in the vacuum state.
Move 24a. Then, in a state where the sample 12 is heated to a high temperature by the heater 26, the sample 12 is irradiated with the ion beam 2 for ion implantation.
イオン注入後の試料12は、上記とほぼ逆の動作で取り
出して新しいものと交換する。The sample 12 after the ion implantation is taken out and replaced with a new one by an operation almost opposite to the above.
ホルダ24aの代わりに常温用のホルダ24bを用いてイオ
ン注入する場合も上記とほぼ同様である。When ion implantation is performed by using the holder 24b for room temperature instead of the holder 24a, almost the same as above.
このようにこのイオン注入装置においては、高温用の
ホルダ24aと常温用のホルダ24bを互いに独立させて設け
ているため、互いに熱的に干渉し合う恐れは無く、それ
ぞれ所望の温度を容易に実現することができる。As described above, in this ion implantation apparatus, since the holder 24a for high temperature and the holder 24b for room temperature are provided independently of each other, there is no risk of thermal interference with each other, and each desired temperature can be easily realized. can do.
また、互いに独立した予備室16aおよび16bを設けてい
るため、ホルダ24aあるいは24bに試料12を装着あるいは
交換する場合、注入室14内は大気圧状態にせずに高真空
状態に保っておくことができ、しかも一方のホルダを用
いてイオン注入している間に他方のホルダに試料12を装
着して予備室を真空排気する等の準備ができるため、多
くの試料12を効率良く処理することができる。Further, since the preparatory chambers 16a and 16b which are independent from each other are provided, when the sample 12 is mounted or exchanged in the holder 24a or 24b, the inside of the injection chamber 14 may be kept in a high vacuum state without being brought into an atmospheric pressure state. Since it is possible to mount the sample 12 on the other holder while performing ion implantation using one holder and evacuate the preliminary chamber, it is possible to process many samples 12 efficiently. it can.
また、試料12に対するイオン注入感度も、外部から軸
30a、30bを回転させることによって簡単に変えることが
できる。Also, the ion implantation sensitivity for the sample 12 is
It can be easily changed by rotating 30a and 30b.
以上のようにこの発明に係るイオン注入装置によれ
ば、互いに独立した高温用のホルダおよび常温用のホル
ダを有しており、しかも各ホルダ上の試料に対するイオ
ン注入角度の変更も簡単であるため、処理内容をより多
用化することができる。As described above, the ion implantation apparatus according to the present invention has the holder for high temperature and the holder for room temperature which are independent from each other, and moreover, the ion implantation angle for the sample on each holder can be easily changed. The processing content can be more versatile.
しかも、互いに独立した予備室を有しており、試料の
交換等の際に注入室を大気圧状態にする必要が無いの
で、効率良く処理することができる。Moreover, since the auxiliary chambers are independent from each other and it is not necessary to bring the injection chamber into the atmospheric pressure state when exchanging the sample, it is possible to perform the processing efficiently.
第1図は、この発明の一実施例に係るイオン注入装置を
部分的に示す概略横断面図である。第2図は、従来のイ
オン注入装置の一例を部分的に示す概略横断面図であ
る。 2……イオンビーム、12……試料、14……注入室、16a,
16b……予備室、18a,18b……弁、24a,24b……ホルダ、2
6……ヒータ、28……冷却パイプ、30a,30b……軸。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view partially showing an ion implanter according to an embodiment of the present invention. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view partially showing an example of a conventional ion implantation apparatus. 2 …… ion beam, 12 …… sample, 14 …… injection chamber, 16a,
16b …… Spare room, 18a, 18b …… Valve, 24a, 24b …… Holder, 2
6 …… Heater, 28 …… Cooling pipe, 30a, 30b …… Axis.
Claims (1)
するための部屋であって真空排気される注入室と、当該
注入室の両側に仕切り用の弁を介してそれぞれ隣接され
ていて、試料を注入室と大気中との間で出し入れするた
めの部屋であって真空排気される第1および第2の予備
室と、試料を保持するものであって当該試料の加熱手段
を有する第1のホルダと、試料を保持するものであって
当該試料の冷却手段を有する第2のホルダと、第1の予
備室の外側から第1のホルダを、起立状態と倒した状態
間で回転させると共に当該予備室と注入室間を開状態に
ある弁を通して移動させるための第1の操作機構と、第
2の予備室の外側から第2のホルダを、起立状態と倒し
た状態間で回転させると共に当該予備室と注入室間を開
状態にある弁を通して移動させるための第2の操作機構
とを備えることを特徴とするイオン注入装置。1. A chamber for injecting ions into a sample by introducing an ion beam, which is evacuated and is adjacent to both sides of the chamber by a partitioning valve, and the sample chamber First and second preliminary chambers for evacuation and evacuation between the injection chamber and the atmosphere, and a first holder for holding a sample and having heating means for the sample And a second holder for holding the sample and having a cooling means for the sample, and rotating the first holder from the outside of the first spare chamber between the upright state and the inverted state, and A first operating mechanism for moving the chamber between the chamber and the injection chamber through the valve in the open state, and rotating the second holder from the outside of the second auxiliary chamber between the upright state and the inverted state, and Open the valve between the chamber and the injection chamber. Ion implantation apparatus characterized by comprising a second operating mechanism for moving Te.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62163368A JPH0823066B2 (en) | 1987-06-29 | 1987-06-29 | Ion implanter |
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Publications (2)
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JPS648270A JPS648270A (en) | 1989-01-12 |
JPH0823066B2 true JPH0823066B2 (en) | 1996-03-06 |
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ID=15772556
Family Applications (1)
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---|---|---|---|
JP62163368A Expired - Lifetime JPH0823066B2 (en) | 1987-06-29 | 1987-06-29 | Ion implanter |
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JP (1) | JPH0823066B2 (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5151525A (en) * | 1991-06-18 | 1992-09-29 | Ppg Industries, Inc. | Process for producing 2-oxo-1,3-dibenzyl-4,5-cis-imidazolidinedicarboxylic acid |
JP6230018B2 (en) * | 2013-08-26 | 2017-11-15 | 株式会社アルバック | Ion implantation apparatus and ion implantation method |
-
1987
- 1987-06-29 JP JP62163368A patent/JPH0823066B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPS648270A (en) | 1989-01-12 |
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