JPH08227949A

JPH08227949A - 高周波端子付メタルパッケージ

Info

Publication number: JPH08227949A
Application number: JP7032270A
Authority: JP
Inventors: Tomoji Goto; 智司後藤; Seisaku Yamanaka; 正策山中
Original assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Current assignee: Sumitomo Electric Industries Ltd
Priority date: 1995-02-21
Filing date: 1995-02-21
Publication date: 1996-09-03

Abstract

(57)【要約】【目的】高周波端子およびそれを有するメタルパッケ
ージの組立を容易にするとともに、加工上のばらつきに
起因する損失を低減する。【構成】基台１上には、半導体素子を搭載可能であ
る。この搭載された半導体素子の側面と所定の距離を隔
てて対向するように枠体１３が基板１１に取付けられて
いる。枠体１３を貫通するように、高周波端子１０が設
けられている。高周波端子１０は基台１と導体３と駒体
５とを有している。基台１は、主表面を有し、その主表
面の一端が内側面から、他端が外側面から各々突出する
ように設けられている。導体３は、基台１の主表面の一
端から他端へ延在するように形成されている。駒体５は
導体３の中央部３ｂ上に形成されている。この基台１と
駒体５とは、セラミックス多孔体を含み、３．５以下の
比誘電率を有している。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、高周波端子付メタルパ
ッケージに関し、より特定的には、ミリ波、マイクロ波
などの高い周波数の導波路を形成するために用いられる
高周波端子付メタルパッケージに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】まず、従来の高周波端子付メタルパッケ
ージの構成について説明する。

【０００３】図８は、従来の高周波端子付メタルパッケ
ージの構成を概略的に示す斜視図である。図８を参照し
て、高周波端子付メタルパッケージ１２０は、高周波端
子１１０と、基板１１１と、枠体１１３とを有してい
る。基板１１１の表面上には、ＩＣ（Integrated Circu
it）（図示せず）を搭載することができる。この搭載さ
れたＩＣの側壁を取囲むように枠体１１３が基板１１１
に取付けられている。この枠体１１３の内壁面から外壁
面に貫通するように複数個の貫通孔１１３ａが設けられ
ている。この貫通孔１１３ａの各々に高周波端子１１０
が嵌合固着されている。具体的には、枠体１１３の対向
する２辺に、各数個ずつ高周波端子１１０が設けられて
いる。

【０００４】高周波端子１１０は、基台１０１と、導体
１０３と、駒体１０５とを有している。基台１０１は、
その一方端が枠体１１３の内壁面から、また他方端が外
壁面から各々突出するように枠体１１３に取付けられて
いる。この基台１０１の一方端から他方端へ延びるよう
に導体１０３が薄膜配線パターンとして形成されてい
る。この導体１０３の両端部に挟まれる中央部上を覆う
ように駒体１０５が基台１０１に取付けられている。こ
の駒体１０５の両側面は、枠体１１３の内壁面および外
壁面と実質的に同一平面をなすように配置されている。

【０００５】従来の高周波端子付メタルパッケージ１２
０においては、この高周波端子１１０を構成する基板１
０１と駒体１０５とが、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）よりな
っている。このような高周波端子付メタルパッケージに
ついては、たとえば特公昭６３−２５７１０号公報およ
び特開昭６１−８９６５１号公報に示されている。

【０００６】次に、従来の高周波端子付メタルパッケー
ジの各部の寸法について詳細に説明する。

【０００７】図９は、図８に示す従来の高周波端子付メ
タルパッケージの構成を概略的に示す平面図である。ま
た図１０は、図９のＸ−Ｘ線に沿う概略断面図である。

【０００８】図９と図１０とを参照して、これらの図
は、ＩＣ３０が搭載された状態を示している。このＩＣ
３０の各パッド電極（図示せず）は、Ａｕ（金）ワイヤ
３１によって、高周波端子１１０の導体１０３に電気的
に接続されている。

【０００９】ＩＣ３０の寸法は、６ｍｍ×３．５ｍｍで
あり、厚みは０．３ｍｍである。基板１１１の長手方向
の寸法は１１．６ｍｍであり、短手方向の寸法は６．５
ｍｍであり、厚みは０．５ｍｍである。また枠体１１３
の外壁面の長手方向の寸法は１０ｍｍであり、外壁面の
短手方向の寸法は６．５ｍｍである。また枠体１１３の
内壁面の長手方向の寸法は８ｍｍであり、内壁面の短手
方向の寸法は４．５ｍｍである。枠体１１３に取付けら
れた複数個の高周波端子１１０は、各々１．５ｍｍのピ
ッチで配列されている。

【００１０】高周波端子１１０を構成する基台１０１の
幅は０．４５ｍｍである。また導体１０３の露出部分に
おける線幅は０．１５ｍｍであり、駒体１０５によって
覆われた部分の線幅は０．０６ｍｍである。また基台１
０１および駒体１０５の厚みは各々０．１５ｍｍであ
る。また基台１０１の内壁面からの突出した部分の寸法
は０．８ｍｍである。また、高周波端子付メタルパッケ
ージ１２０の全体的な高さは１．８ｍｍである。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
高周波端子付メタルパッケージ１２０では、高周波端子
１１０を構成する基台１０１と駒体１０５とはアルミナ
よりなっている。このアルミナの比誘電率ε_rは９〜１
０である。

【００１２】一方、図１に示す基台１０１の幅Ｗ_1Aが、
導波させるべき電磁波の波長λ以下でないと、電磁波
（信号）を導波させることができない。

【００１３】この電磁波の波長λは、λ＝λ₀／√ε_r
で表わせる。ここで、λ₀とは真空中における波長であ
る。

【００１４】上式より、基台１０１と駒体１０５との比
誘電率ε_rが９〜１０の場合に、たとえば６０ＧＨｚの
ミリ波を導波させるには、基台１０１の幅Ｗ_1Aは０．４
５ｍｍ以下でなければならない。

【００１５】このように従来の高周波端子付メタルパッ
ケージ１２０では、基台１０１と駒体１０５とを構成す
る材料の比誘電率が高いため、上式より高周波端子１１
０の寸法（幅Ｗ_1A）が０．４５ｍｍ以下と小さくなって
しまう。ゆえに、高周波端子１１０のハンドリングが難
しくなり、メタルパッケージ１２０の組立が困難になる
という問題点があった。

【００１６】また基台１０１の幅Ｗ_1Aが小さくならざる
を得ないため、導体１０３の線幅Ｗ _0Aも小さくならざる
を得ない。この線幅Ｗ_0Aが小さくなると、導体１０３の
加工上の精度も厳しくなる。

【００１７】すなわち、導体１０３の加工上の精度とし
て、一般に、（導体の線幅Ｗ₀）×５％のばらつきが許
容されるが、導体の線幅Ｗ_0Aが小さくなると、許容され
る加工上のばらつきも小さくなり、加工上の精度が厳し
くなる。このため、加工上のばらつきに起因する損失が
増大するという問題点があった。

【００１８】また、導体１０３の線幅Ｗ_0Aが小さくなる
ため、導体１０３の線幅Ｗ_0Aの精度が特性インピーダン
スの変動に与える影響が大きくなるという問題点もあっ
た。

【００１９】また具体的に、従来の高周波端子付メタル
パッケージ１２０では、導体１０３の線幅は０．１５ｍ
ｍであるため、許容されるばらつきは、０．００７ｍｍ
以下となる。これだけの高精度の加工が要求される場
合、導体１０３のパターニングには比較的高価な手法で
あるフォトリソグラフィー法を用いなければならないと
いう問題点があった。

【００２０】以上より、本発明の１の目的は、高周波端
子およびそれを有するメタルパッケージの組立を容易に
することである。

【００２１】また本発明の他の目的は、加工上のばらつ
きに起因する損失を低減することである。

【００２２】また本発明のさらに他の目的は、導体の線
幅の精度が特性インピーダンスの変動に与える影響を小
さくすることである。

【００２３】また本発明のさらに他の目的は、比較的安
価な手法により導体のパターニングを行なうことであ
る。

【００２４】

【課題を解決するための手段】本発明の高周波端子付メ
タルパッケージは、基板と、枠部と、高周波端子とを備
えている。基板は、半導体素子を搭載することができ
る。枠部は、搭載された半導体素子の側面と所定の距離
を隔てて対向するように基板に取付けられている。高周
波端子は、枠部の半導体素子側の内側面からその内側面
の裏面となる外側面へ貫通して設けられている。また高
周波端子は、基台と、導電層と、駒体とを有している。
基台は、主表面を有し、その主表面の一端が内側面か
ら、他端が外側面から各々突出するように設けられてい
る。導電層は、基台の主表面の一端から他端へ延在する
ように基台の主表面上に形成されている。駒体は、導電
層の両端部を露出し、その両端部にはさまれる中央部上
を覆うように基台の主表面上に形成されている。基台と
駒体とは、セラミックス多孔体を含み、３．５以下の比
誘電率を有している。

【００２５】請求項２に記載の高周波端子付メタルパッ
ケージでは、セラミックス多孔体の気孔率は５０％以上
９０％以下である。

【００２６】請求項３に記載の高周波端子付メタルパッ
ケージでは、セラミックス多孔体はＳｉＯ₂、Ｓｉ₃Ｎ
₄、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮおよびＭｇＯからなる群より選
ばれた少なくとも１種を含むセラミックスから形成され
ている。

【００２７】請求項４に記載の高周波端子付メタルパッ
ケージでは、基台の主表面は、所定の幅を維持してその
一端から他端へと延在している。その所定の幅は０．４
５ｍｍより大きい。

【００２８】

【作用】請求項１に記載の高周波端子付メタルパッケー
ジでは、基台と駒体とは３．５以下の比誘電率を有する
材料よりなっており、従来例のアルミナ（比誘電率ε_r
＝９〜１０）より低い比誘電率を有している。このた
め、基台の寸法、特に幅を大きく設定しても、ミリ波な
どの高い周波数を有する電磁波を導波させることが可能
となる。よって、基台の寸法を大きく設定できる分、高
周波端子のハンドリングが容易となり、メタルパッケー
ジの組立が容易となる。

【００２９】基台の寸法（幅）を大きく設定できるた
め、その基台上に形成される導体の線幅も大きくでき
る。このため、導体の加工上の精度も緩和され、加工上
のばらつきに起因する損失を低減することができる。

【００３０】また加工上の精度が緩和されるため、導体
の線幅の精度が特性インピーダンスの変動に与える影響
も小さくできる。

【００３１】また基台と駒体とは３．５以下の比誘電率
を有するため、導体の具体的線幅は０．７４ｍｍ以下に
できる。このため、導体の加工上、許容されるばらつき
（導体の線幅の５％）は、０．０３５ｍｍ以下となる。
このように従来例よりも加工上許容されるばらつきが大
きいため、従来例ほど高精度の加工は要求されない。よ
って、フォトリソグラフィー法より安価な手法であるマ
スクコーティング法により導体の加工を行なうことがで
きる。

【００３２】また、基台と駒体とはセラミックス多孔体
を含んでいるため、たとえば組立時の熱処理に対しても
５００℃以上の耐熱性を有している。

【００３３】請求項２に記載の高周波端子付メタルパッ
ケージでは、セラミックス多孔体の気孔率が５０％以上
９０％以下である。５０％よりも気孔率が小さいと、セ
ラミックス多孔体の材料としてアルミナを用いた場合、
その比誘電率がシリカガラス（ＳｉＯ₂）本来の比誘電
率よりも大きくなり、従来のガラスからなる誘電体基板
よりも低い比誘電率を実現することができない。また、
セラミックス多孔体の気孔率が９０％を超えると、誘電
体基板の表面に存在する気孔によって、その表面上に導
体としてのメタライズ層を形成することが困難になる。
つまり、上述のごとく気孔率を規定することにより、低
い比誘電率を実現するとともに、セラミックス多孔体の
表面上に導体としてのメタライズ層を形成することが可
能とされる。

【００３４】なお、セラミックス多孔体の材料としてア
ルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₂を用いた
場合、以下の表１に示されるように原理的には、気孔率
に従って比誘電率を低下させることが可能である。

【００３５】

【表１】

【００３６】請求項３に記載の高周波端子付メタルパッ
ケージでは、基台および駒体を構成するセラミックス材
料として、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₃、Ａｌ
Ｎ、ＭｇＯの材料が選ばれる。この材料の選択は、機械
的強度、誘電正接（ｔａｎ δ）、耐熱性の観点からな
される。また、基台および駒体を構成するセラミックス
は、上記の中から２種以上の材料を複合することによっ
て形成されてもよい。

【００３７】なお、上記のようなセラミックス材料の種
類が選択される理由は、具体的には、導体が形成された
基台を接合する場合などを考慮して、曲げ強度または引
張り強度が２ｋｇ／ｍｍ²以上、ｔａｎ δが１％以
下、耐熱性として熱変形温度が５００℃以上という条件
をすべて満足するものとされる。

【００３８】また、湿度の高い場所で上記の高周波端子
付メタルパッケージを使用する場合には、セラミックス
多孔体の空孔に水分が入り込んで絶縁性の劣化が起こる
場合がある。この場合、ＳｉＯ₂の膜を１〜４μｍの厚
みでセラミックス多孔体（基台、駒体）の表面にコーテ
ィングすることにより、誘電率を変化させずに絶縁性の
劣化を防ぐことが可能となる。

【００３９】

【実施例】以下、本発明の実施例について図に基づいて
説明する。

【００４０】図１、図２および図３は、本発明の一実施
例における高周波端子付メタルパッケージの構成を概略
的に示す斜視図、平面図および断面図である。なお図３
は、図２のＶ−Ｖ線に沿う断面を示している。

【００４１】図１〜図３を参照して、本発明の高周波端
子付メタルパッケージは、従来例と比較して、主に高周
波端子の材料および寸法の点で異なる。つまり、高周波
端子１０は、基台１と、導体３と、駒体５とを有してい
るが、基台１と駒体５とはセラミックス多孔体よりなっ
ている。具体的には、セラミックス多孔体として、Ｓｉ
Ｏ₂、Ｓｉ₃Ｎ₄、Ａｌ₂Ｏ₃、ＡｌＮおよびＭｇＯな
どが用いられる。またこのセラミックス多孔体の気孔率
は５０％以上９０％以下である。これにより、基台１と
駒体５とは、３．５以下の比誘電率を有している。

【００４２】また、基台１の幅Ｗ_1Bは０．９ｍｍ、厚み
Ｈ_Bは０．３ｍｍである。また導体３の線幅Ｗ_OBは０．
７４ｍｍ、駒体５の厚みＨ_Kは０．３ｍｍである。

【００４３】また、基台１および駒体５の厚みＨ_B、Ｈ
_Kが従来例と異なるため、基板１１と枠体１３との厚み
の和からなる高周波端子付メタルパッケージ２０の全体
的高さＨ_Tは２．１ｍｍとなり、従来例と異なる。

【００４４】また高周波端子２０を嵌合させるための枠
体１３の貫通孔１３ａの寸法も、高周波端子１０の寸法
に合わせて変更されることになる。

【００４５】なお、これ以外の構成については、従来例
とほぼ同様であるため、その説明は省略する。

【００４６】次に、高周波端子１０の構成について詳細
に説明する。図４と図５とは、本発明の一実施例におけ
る高周波端子付メタルパッケージの高周波端子を拡大し
て示す斜視図と正面図である。なお、図５は、図４の矢
印ＩＩＩ方向から見た図を示している。

【００４７】図４と図５とを参照して、基台１上に形成
された導体３は、両端部３ａ、３ｃを有し、またその両
端部３ａ、３ｃに挟まれる中央部３ｂを有する。この導
体３の両端部３ａ、３ｃの線幅は、上述したように０．
７４ｍｍである。一方、中央部３ｂの線幅は、０．２ｍ
ｍである。

【００４８】駒体５は、この導体３の中央部３ｂ上を覆
うように基台１上に形成されている。また駒体５の上面
および両側面と、基台１の両側面および裏面には、メタ
ライズ層７が形成されている。

【００４９】なお、導体３の中央部３ｂの線径が両端部
３ａ、３ｃに比較して小さくなっているのは、導体３の
中央部３ｂとメタライズ層７との配線容量を低減するた
めである。

【００５０】次に、上述した従来例と本発明例とについ
て同一の寸法を有する２つの試料を作製し、Ｓパラメー
タを測定した。以下、試料の作製方法について説明す
る。

【００５１】従来例の試料の作製方法従来例の高周波端子を構成する基台と駒体とをアルミナ
により作製した。

【００５２】まずアルミナ粉末と焼結の助剤となるガラ
ス成分とを溶剤とともに混合し、それをドクターブレー
ド法によりシート状にした。得られたシートを所定の大
きさに切出し、図６と図７とに示す２種類のシート１
ａ、５ａを作製した。

【００５３】図６に示すシート１ａの裏面には全面Ｗ
（タングステン）ペーストをスクリーン印刷法により印
刷し、表面には導体３となる配線パターンを形成した。
図７に示すシート５ａの片面には全面印刷を施し、また
シート５ａがさん状になるように穴６ａを複数個設け
た。

【００５４】次にこの図６と図７とに示す２枚のシート
１ａと５ａとを重ね合せた。このとき、導体となる配線
パターンの中央部３ｂ上にシート５ａのさん部分が位置
するように、かつ導体３の両端部３ａ、３ｃの上方に穴
６ａが位置するように２枚のシート１ａと５ａとを重ね
合せた。この重ね合せは、８０℃の温度で１０ｋｇ／ｃ
ｍ²で１０分間加圧して行なった。

【００５５】次に重ね合せられたシートを１６００℃で
焼成し、その後、１個の大きさ（図８〜図１０に示す寸
法）にダイシングで切出した。その１個の両面にＷ（タ
ングステン）メタライズを行ない、さらに１５００℃で
焼成した。さらに銀ろう付けを施すために、Ｎｉめっき
をＷメタライズ上に施した。

【００５６】上述のようにして得られたアルミナよりな
る高周波端子が嵌め込まれるように、貫通孔を設けたコ
バールの枠部（フレーム）１１３と、１１．６ｍｍ×
６．５ｍｍ×０．５ｍｍ^tの基板（ベース）１１とを切
削加工により作製した。これらの部品を銀ろう付けによ
り固着した後、Ａｕ−Ｎｉめっきを施して仕上げた。

【００５７】本発明例の高周波端子の試料の作製方
法本発明例の高周波端子を構成する基台１と駒体５とを、
多孔体のアルミナにより作製した。

【００５８】まず従来例と同様の方法により、図６と図
７とに示す２種類のシート１ａと５ａとを作製した。な
お、導体となる配線パターン３は、図１〜図３に示す寸
法となるように形成された。この後、この２種類のシー
ト１ａと５ａとを、従来例と同様の方法により重ね合せ
た。この重ね合せは、８０℃の温度で１０ｋｇ／ｃｍ ²
で１０分間加圧して行なった。

【００５９】次に重ね合せたシートを１４００℃と、従
来例よりも低い温度で焼成することにより、内部に空孔
が残存する多孔体のアルミナが得られた。この後、重ね
合せられたシート１ａ、５ａを、１個の高周波端子の大
きさ（図１〜図３に示す寸法）にダイシングで切出し
た。その１個の側面両面にＷメタライズを行ない、１５
００℃で焼成した。これにより、気孔率５０％の多孔体
のアルミナを得た。さらに銀ろう付けをするために、Ｎ
ｉめっきをＷメタライズ上に施した。

【００６０】この多孔体のアルミナよりなる高周波端子
が嵌め込まれるように、従来例と同様にして枠部（フレ
ーム）１３と、基板（ベース）１１とを切削加工により
作製した。これらの部品を銀ろう付けにて固着し、Ａｕ
−Ｎｉめっきをして仕上げた。

【００６１】Ｓパラメータの測定方法上述の、により完成した高周波端子付メタルパッケ
ージ２０、１２０を切断し、端子の部分をネットワーク
アナライザにて、ＳパラメータＳ２１と、Ｓパラメータ
Ｓ１１を測定した。６０ＧＨｚの周波数の下での各Ｓパ
ラメータの測定値は以下の表のとおりであった。

【００６２】

【表２】

【００６３】上記の表から明らかなように、本発明例の
高周波端子付メタルパッケージにおいて、Ｓ２１が低減
され、かつＳ１１が向上されることが確認された。

【００６４】以上のように、高周波端子１０の基台１と
駒体５とに、低い誘電率を有する多孔体のアルミナを用
いることにより、高周波端子付メタルパッケージ２０の
Ｓパラメータを改善できることが判明した。

【００６５】なお、本実施例においては、基台１と駒体
５とに、多孔体のアルミナを用いた場合について説明し
たが、この材質に限られず、誘電率が３．５以下であ
り、耐熱性を有する材料であれば、いかなる多孔体のセ
ラミックスを用いてもよい。

【００６６】また、図１〜図３に示すように、高周波端
子１０の各部の寸法を規定したが、この寸法に限定され
ず、基台１の幅Ｗ_1Bは０．４５ｍｍより大きい寸法であ
ればよい。

【００６７】また、高周波端子１０は、枠体１３の四辺
に設けられていてもよく、その配置は、搭載されるＩＣ
３０によって任意に設定しうる。

【００６８】

【発明の効果】請求項１に記載の高周波端子付メタルパ
ッケージでは、基台と駒体とは３．５以下の比誘電率を
有する材料よりなっている。このため、基台の寸法、特
に幅を大きく設定しても、電磁波を導波させることが可
能となる。よって、基台の寸法を大きく設定できる分、
高周波端子のハンドリングが容易となり、高周波端子お
よびそれを有するメタルパッケージの組立が容易とな
る。

【００６９】また基台の寸法（幅）を大きく設定できる
ため、その基台上に形成される導体の線幅も大きくでき
る。このため、導体の加工上の精度も緩和され、加工上
のばらつきに起因する損失を低減することができる。

【００７０】また加工上の精度が緩和されているため、
導体の線幅の精度が特性インピーダンスの変動に与える
影響を小さくすることもできる。

【００７１】また従来例よりも加工上許容されるばらつ
きを大きくすることができるため、従来例ほど高精度の
加工は要求されない。よって、フォトリソグラフィー法
より安価な手法であるマスクコーティング法により導体
の加工を行なうことができる。

【００７２】また、基台と駒体とはセラミックス多孔体
を含んでいるため、たとえば組立時の熱処理に対しても
５００℃以上の耐熱性を有している。

【００７３】請求項２に記載の高周波端子付メタルパッ
ケージでは、セラミックス多孔体の気孔率が５０％以上
９０％以下である。５０％よりも気孔率が小さいと、セ
ラミックス多孔体の材料としてアルミナを用いた場合、
従来のガラスからなる誘電体基板よりも低い比誘電率を
実現することができない。また、セラミックス多孔体の
気孔率が９０％を超えると、誘電体基板の表面に存在す
る気孔によって、その表面上に導体としてのメタライズ
層を形成することが困難になる。

【００７４】請求項３に記載の高周波端子付メタルパッ
ケージでは、基台および駒体を構成するセラミックス材
料として、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＳｉＯ₃、Ａｌ₂Ｏ₃、Ａｌ
Ｎ、ＭｇＯの材料が選ばれる。これは、機械的強度、誘
電正接（ｔａｎ δ）、耐熱性の観点から選ばれるもの
である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例における高周波端子付メタル
パッケージの構成を概略的に示す斜視図である。

【図２】本発明の一実施例における高周波端子付メタル
パッケージの構成を概略的に示す平面図である。

【図３】図２のＶ−Ｖ線に沿う概略断面図である。

【図４】本発明の一実施例における高周波端子付メタル
パッケージの高周波端子を拡大して示す概略斜視図であ
る。

【図５】図４の矢印ＩＩＩ方向から見た高周波端子の正
面図である。

【図６】高周波端子の基台および導体となるシートの構
成を概略的に示す平面図である。

【図７】高周波端子の駒体となるシートの構成を概略的
に示す平面図である。

【図８】従来例の高周波端子付メタルパッケージの構成
を概略的に示す斜視図である。

【図９】従来例の高周波端子付メタルパッケージの構成
を概略的に示す平面図である。

【図１０】図９のＸ−Ｘに沿う概略断面図である。

【符号の説明】

１基台３導体５駒体１０高周波端子１１基板１３枠体２０高周波端子付メタルパッケージ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体素子を搭載可能な基板と、搭載された前記半導体素子の側面と所定の距離を隔てて
対向するように前記基板に取付けられた枠部と、前記枠部の前記半導体素子側の内側面からその内側面の
裏面となる外側面へ貫通して設けられた高周波端子とを
備え、前記高周波端子は、主表面を有し、その主表面の一端が前記内側面から、他
端が前記外側面から各々突出するように設けられた基台
と、前記基台の主表面の前記一端から前記他端へ延在するよ
うに前記主表面上に形成された導電層と、前記導電層の両端部を露出し、その両端部にはさまれる
中央部上を覆うように、前記基台の主表面上に形成され
た駒体とを有し、前記基台と前記駒体とは、セラミックス多孔体を含み、
３．５以下の比誘電率を有している、高周波端子付メタ
ルパッケージ。
【請求項２】前記セラミックス多孔体の気孔率は５０
％以上９０％以下である、請求項１に記載の高周波端子
付メタルパッケージ。
【請求項３】前記セラミックス多孔体はＳｉＯ₂、Ｓ
ｉ₃Ｎ₄、Ａｌ₂Ｏ ₃、ＡｌＮおよびＭｇＯからなる群
より選ばれた少なくとも１種を含むセラミックスから形
成される、請求項１に記載の高周波端子付メタルパッケ
ージ。
【請求項４】前記基台の主表面は、所定の幅を維持し
て、前記一端から前記他端へと延在しており、前記所定の幅は０．４５ｍｍより大きい、請求項１に記
載の高周波端子付メタルパッケージ。