JPH08217779A - ヘキサヒドロチエノ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類の製造法 - Google Patents
ヘキサヒドロチエノ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類の製造法Info
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- JPH08217779A JPH08217779A JP2901895A JP2901895A JPH08217779A JP H08217779 A JPH08217779 A JP H08217779A JP 2901895 A JP2901895 A JP 2901895A JP 2901895 A JP2901895 A JP 2901895A JP H08217779 A JPH08217779 A JP H08217779A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 工業的に入手が容易で安価な原料を用い、し
かも特殊な設備を用いないヘキサヒドロチエノ〔３，４
−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類の製造法を提供
する。 【構成】 一般式１で示されるヘキサヒドロフロ〔３，
４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類と一般式２で
示されるキサントゲン酸アルカリ金属塩とを反応させて
一般式３で示されるヘキサヒドロチエノ〔３，４−ｄ〕
イミダゾール−２，４−ジオン類を製造する。 〔式中、Ｒ１はアルキル基、アリール基もしくはアラル
キル基を；Ｒ２はアルキル基を；Ｍはアルカリ金属を；
それぞれ示す〕
かも特殊な設備を用いないヘキサヒドロチエノ〔３，４
−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類の製造法を提供
する。 【構成】 一般式１で示されるヘキサヒドロフロ〔３，
４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類と一般式２で
示されるキサントゲン酸アルカリ金属塩とを反応させて
一般式３で示されるヘキサヒドロチエノ〔３，４−ｄ〕
イミダゾール−２，４−ジオン類を製造する。 〔式中、Ｒ１はアルキル基、アリール基もしくはアラル
キル基を；Ｒ２はアルキル基を；Ｍはアルカリ金属を；
それぞれ示す〕
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明はヘキサヒドロチエノ
〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類（以
下、チオラクトンとする）の製造法に関する。
〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類（以
下、チオラクトンとする）の製造法に関する。
【０００２】チオラクトンは、それ自身が抗菌作用を持
つ生理活性物質であるばかりでなく、成長促進や皮膚疾
患予防治療効果を持つビオチン（別名：ビタミンＨ）、
抗菌作用を持つα−デヒドロビオチン、神経節遮断剤で
あるトリメタファン・カンシレート、その他の医薬品の
合成中間体としても工業的に重要な化合物である。
つ生理活性物質であるばかりでなく、成長促進や皮膚疾
患予防治療効果を持つビオチン（別名：ビタミンＨ）、
抗菌作用を持つα−デヒドロビオチン、神経節遮断剤で
あるトリメタファン・カンシレート、その他の医薬品の
合成中間体としても工業的に重要な化合物である。
【０００３】このようなチオラクトンの製造法として
は、これまでヘキヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イミダゾー
ル−２，４−ジオン類（以下、ラクトンとする）をチオ
酢酸アルカリ金属塩と反応させる方法（Ｈｅｌｖｅｔｉ
ｃａ Ｃｈｅｍｉｃａ Ａｃｔａ，５３，９９１−９９
９（１９７０））、チオアミド類と反応させる方法（特
公昭６２−７１９６号公報）、および硫化水素アルカリ
金属塩と反応させる方法（特公昭５１−１７５５７号公
報）等が公知である。
は、これまでヘキヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イミダゾー
ル−２，４−ジオン類（以下、ラクトンとする）をチオ
酢酸アルカリ金属塩と反応させる方法（Ｈｅｌｖｅｔｉ
ｃａ Ｃｈｅｍｉｃａ Ａｃｔａ，５３，９９１−９９
９（１９７０））、チオアミド類と反応させる方法（特
公昭６２−７１９６号公報）、および硫化水素アルカリ
金属塩と反応させる方法（特公昭５１−１７５５７号公
報）等が公知である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしこれらの従来技
術において、前２者の方法で使用されている原料のチオ
酢酸アルカリ金属塩やチオアミド類は入手が困難でかつ
高価であり、また後者の方法では金属に対する腐食性を
有する硫化水素を１２０℃で飽和させて取り扱うための
特殊な設備（ガラス・ライニング、等）が必要であり、
いずれも工業的実施には不利である。そこで、これらの
問題点を解決するために本発明者らは入手が容易でかつ
安価な原料を用い、しかも特殊な設備を必要としないチ
オラクトンの製造法について鋭意検討を進めた結果、本
発明に至った。
術において、前２者の方法で使用されている原料のチオ
酢酸アルカリ金属塩やチオアミド類は入手が困難でかつ
高価であり、また後者の方法では金属に対する腐食性を
有する硫化水素を１２０℃で飽和させて取り扱うための
特殊な設備（ガラス・ライニング、等）が必要であり、
いずれも工業的実施には不利である。そこで、これらの
問題点を解決するために本発明者らは入手が容易でかつ
安価な原料を用い、しかも特殊な設備を必要としないチ
オラクトンの製造法について鋭意検討を進めた結果、本
発明に至った。
【０００５】
【課題を解決するための手段】すなわち、本発明は一般
式１ （式中、Ｒ1 はそれぞれ独立にアルキル基、アリ─ル
基、またはアラルキル基を示す。）で示されるラクトン
と一般式２ （式中、Ｒ2 はアルキル基を、またＭはアルカリ金属を
それぞれ示す。）で示されるキサントゲン酸アルカリ金
属塩とを反応させることを特徴とする一般式３ （式中、Ｒ1 はそれぞれ独立にアルキル基、アリ─ル
基、またはアラルキル基を示す。）で示されるチオラク
トンの製造法を提供するものである。
式１ （式中、Ｒ1 はそれぞれ独立にアルキル基、アリ─ル
基、またはアラルキル基を示す。）で示されるラクトン
と一般式２ （式中、Ｒ2 はアルキル基を、またＭはアルカリ金属を
それぞれ示す。）で示されるキサントゲン酸アルカリ金
属塩とを反応させることを特徴とする一般式３ （式中、Ｒ1 はそれぞれ独立にアルキル基、アリ─ル
基、またはアラルキル基を示す。）で示されるチオラク
トンの製造法を提供するものである。
【０００６】一般式１で示されるラクトンの置換基Ｒ1
としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、アリル基等のアル
キル基、あるいはフェニル基、メトキシフェニル基、ニ
トロフェニル基、トルイル基等のアリール基、あるいは
ベンジル基、メトキシベンジル基、ニトロベンジル基、
メチルベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が
挙げられる。この中でもアリル基、ベンジル基、メトキ
シベンジル基が好ましい。このようなラクトンとして、
具体的にはシス−１，３−ジアリルヘキサヒドロフロ
〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン、シス−
１，３−ジベンジルヘキサヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イ
ミダゾール−２，４−ジオン、シス−１，３−ジメトキ
シベンジルヘキサヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イミダゾー
ル−２，４−ジオン等が例示される。また、一般式１で
示されるラクトンはラセミ体であっても光学活性体であ
ってもよく、ラクトンとして光学活性体を用いたときに
はその光学活性を保持したままの一般式３で示されるチ
オラクトンを得ることができる。
としては、例えばメチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｉ−プロピル基、ｔ−ブチル基、アリル基等のアル
キル基、あるいはフェニル基、メトキシフェニル基、ニ
トロフェニル基、トルイル基等のアリール基、あるいは
ベンジル基、メトキシベンジル基、ニトロベンジル基、
メチルベンジル基、フェネチル基等のアラルキル基等が
挙げられる。この中でもアリル基、ベンジル基、メトキ
シベンジル基が好ましい。このようなラクトンとして、
具体的にはシス−１，３−ジアリルヘキサヒドロフロ
〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン、シス−
１，３−ジベンジルヘキサヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イ
ミダゾール−２，４−ジオン、シス−１，３−ジメトキ
シベンジルヘキサヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イミダゾー
ル−２，４−ジオン等が例示される。また、一般式１で
示されるラクトンはラセミ体であっても光学活性体であ
ってもよく、ラクトンとして光学活性体を用いたときに
はその光学活性を保持したままの一般式３で示されるチ
オラクトンを得ることができる。
【０００７】一般式化２で示されるキサントゲン酸アル
カリ金属塩の置換基であるＲ2 としてはエチル基、ｎ−
プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチ
ル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｉ
−アミル基、ｓ−アミル基、ヘキシル基、ｔ−ヘキシル
基等のアルキル基が挙げられ、アルカリ金属Ｍとしては
リチウム、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。具体
的な化合物としては、エチルキサントゲン酸カリウム、
ｉ−プロピルキサントゲン酸カリウム、ｔ−ブチルキサ
ントゲン酸カリウム、ｔ−アミルキサントゲン酸カリウ
ムおよびこれらのナトリウム塩等が例示される。
カリ金属塩の置換基であるＲ2 としてはエチル基、ｎ−
プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−ブチル基、ｉ−ブチ
ル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基、ｎ−アミル基、ｉ
−アミル基、ｓ−アミル基、ヘキシル基、ｔ−ヘキシル
基等のアルキル基が挙げられ、アルカリ金属Ｍとしては
リチウム、ナトリウム、カリウム等が挙げられる。具体
的な化合物としては、エチルキサントゲン酸カリウム、
ｉ−プロピルキサントゲン酸カリウム、ｔ−ブチルキサ
ントゲン酸カリウム、ｔ−アミルキサントゲン酸カリウ
ムおよびこれらのナトリウム塩等が例示される。
【０００８】ここに挙げたようなキサントゲン酸アルカ
リ金属塩は、例えばＳｙｎｔｈｅｓｉｓ，８７３（１９
７７）に記載されているような方法で、一般式４ （式中、Ｒ2 はアルキル基を、またＭはアルカリ金属を
それぞれ示す。）で示されるアルカリ金属アルコキシド
と二硫化炭素とを好ましくは溶媒中で反応させることに
より容易に得ることができる。ここで、一般式４で示さ
れるアルカリ金属アルコキシドの置換基であるＲ2 とし
てはエチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−アミル基、ｉ−アミル基、ｓ−アミル基、ヘキ
シル基、ｔ−ヘキシル基等のアルキル基が、またアルカ
リ金属Ｍとしてはリチウム、ナトリウム、カリウム等が
それぞれ挙げられ、このようなアルカリ金属アルコキシ
ドとして具体的にはカリウムエトキシド、カリウムｉ−
プロポキシド、カリウムｔ−ブトキシド、カリウムｔ−
ペントキシドおよびこれらのナトリウム塩等が例示され
る。これらのアルカリ金属アルコキシドや二硫化炭素は
いずれも入手が容易でかつ安価であるばかりでなく、次
に述べるチオラクトン化反応に用いるのと同じ溶媒中で
調製を行う場合には、生成したキサントゲン酸アルカリ
金属塩を単離することなく反応溶液のままで本発明に使
用することができる。もちろん、キサントゲン酸アルカ
リ金属塩はかかる反応溶液から単離して使用することも
できるし、さらに前記の方法によって得られるものに限
らず市販品をそのまま使用することもできる。
リ金属塩は、例えばＳｙｎｔｈｅｓｉｓ，８７３（１９
７７）に記載されているような方法で、一般式４ （式中、Ｒ2 はアルキル基を、またＭはアルカリ金属を
それぞれ示す。）で示されるアルカリ金属アルコキシド
と二硫化炭素とを好ましくは溶媒中で反応させることに
より容易に得ることができる。ここで、一般式４で示さ
れるアルカリ金属アルコキシドの置換基であるＲ2 とし
てはエチル基、ｎ−プロピル基、ｉ−プロピル基、ｎ−
ブチル基、ｉ−ブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル
基、ｎ−アミル基、ｉ−アミル基、ｓ−アミル基、ヘキ
シル基、ｔ−ヘキシル基等のアルキル基が、またアルカ
リ金属Ｍとしてはリチウム、ナトリウム、カリウム等が
それぞれ挙げられ、このようなアルカリ金属アルコキシ
ドとして具体的にはカリウムエトキシド、カリウムｉ−
プロポキシド、カリウムｔ−ブトキシド、カリウムｔ−
ペントキシドおよびこれらのナトリウム塩等が例示され
る。これらのアルカリ金属アルコキシドや二硫化炭素は
いずれも入手が容易でかつ安価であるばかりでなく、次
に述べるチオラクトン化反応に用いるのと同じ溶媒中で
調製を行う場合には、生成したキサントゲン酸アルカリ
金属塩を単離することなく反応溶液のままで本発明に使
用することができる。もちろん、キサントゲン酸アルカ
リ金属塩はかかる反応溶液から単離して使用することも
できるし、さらに前記の方法によって得られるものに限
らず市販品をそのまま使用することもできる。
【０００９】ラクトンとキサントゲン酸アルカリ金属塩
との反応は通常溶媒中で行われ、反応温度は８０〜１５
０℃、好ましくは１００〜１３０℃である。この反応に
おけるキサントゲン酸アルカリ金属塩の使用量はラクト
ンに対して１〜３モル倍、好ましくは１〜２モル倍であ
る。この反応に使用される溶媒としては通常ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、スルホラン等の極
性溶媒が使用され、その使用量は特に制限されないが、
好ましくはラクトンの５〜１００重量倍である。反応時
間は通常２〜１５時間であるが、反応温度や原料化合物
の種類等の影響を受けるため、必ずしも前記の範囲に限
定されるものではない。
との反応は通常溶媒中で行われ、反応温度は８０〜１５
０℃、好ましくは１００〜１３０℃である。この反応に
おけるキサントゲン酸アルカリ金属塩の使用量はラクト
ンに対して１〜３モル倍、好ましくは１〜２モル倍であ
る。この反応に使用される溶媒としては通常ジメチルホ
ルムアミド、ジメチルアセトアミド、スルホラン等の極
性溶媒が使用され、その使用量は特に制限されないが、
好ましくはラクトンの５〜１００重量倍である。反応時
間は通常２〜１５時間であるが、反応温度や原料化合物
の種類等の影響を受けるため、必ずしも前記の範囲に限
定されるものではない。
【００１０】なお、一般式４で示されるアルカリ金属ア
ルコキシドと二硫化炭素との反応によって得られるキサ
ントゲン酸アルカリ金属塩を単離することなく反応溶液
のまま使用する場合には、まずアルカリ金属アルコキシ
ドを５〜１００重量倍の前記と同様の極性溶媒に溶解
し、これにアルカリ金属アルコキシドに対して１〜３モ
ル倍、好ましくは１〜２モル倍の二硫化炭素を−５０〜
５０℃、好ましくは−２０〜２０℃で加えてキサントゲ
ン酸アルカリ金属塩を生成せしめ、該金属塩を含む反応
溶液にラクトンに対するアルカリ金属アルコキシドの割
合が１〜３モル倍、好ましくは１〜２モル倍になるよう
にラクトンを加えた後に、前記と同様の反応条件で反応
させることにより目的化合物であるチオラクトンを得る
ことができる。
ルコキシドと二硫化炭素との反応によって得られるキサ
ントゲン酸アルカリ金属塩を単離することなく反応溶液
のまま使用する場合には、まずアルカリ金属アルコキシ
ドを５〜１００重量倍の前記と同様の極性溶媒に溶解
し、これにアルカリ金属アルコキシドに対して１〜３モ
ル倍、好ましくは１〜２モル倍の二硫化炭素を−５０〜
５０℃、好ましくは−２０〜２０℃で加えてキサントゲ
ン酸アルカリ金属塩を生成せしめ、該金属塩を含む反応
溶液にラクトンに対するアルカリ金属アルコキシドの割
合が１〜３モル倍、好ましくは１〜２モル倍になるよう
にラクトンを加えた後に、前記と同様の反応条件で反応
させることにより目的化合物であるチオラクトンを得る
ことができる。
【００１１】ラクトンとキサントゲン酸アルカリ金属塩
との反応終了は通常の方法、例えば１〜１０％塩酸等の
希酸で中和し、ジクロロエタン、ジクロロメタン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の水に不溶の有機溶媒で抽
出することによって目的化合物であるチオラクトンを得
ることができる。ここで使用する有機溶媒の量は特に制
限されることはないが、好ましくはラクトンに対して５
〜１００重量倍である。
との反応終了は通常の方法、例えば１〜１０％塩酸等の
希酸で中和し、ジクロロエタン、ジクロロメタン、ベン
ゼン、トルエン、キシレン等の水に不溶の有機溶媒で抽
出することによって目的化合物であるチオラクトンを得
ることができる。ここで使用する有機溶媒の量は特に制
限されることはないが、好ましくはラクトンに対して５
〜１００重量倍である。
【００１２】なお、前記の抽出処理によってチオラクト
ンの前駆体も同時に抽出されるため、ラクトンに対して
５〜１００重量倍の１〜５％水酸化ナトリウム水溶液等
の希アルカリ水溶液と、ラクトン１００重量部に対して
１〜１０重量部の塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
等の相間移動触媒を加えて５０〜１５０℃で１０〜２０
時間反応させることにより、チオラクトンの収率をより
向上させることができる。
ンの前駆体も同時に抽出されるため、ラクトンに対して
５〜１００重量倍の１〜５％水酸化ナトリウム水溶液等
の希アルカリ水溶液と、ラクトン１００重量部に対して
１〜１０重量部の塩化ベンジルトリエチルアンモニウム
等の相間移動触媒を加えて５０〜１５０℃で１０〜２０
時間反応させることにより、チオラクトンの収率をより
向上させることができる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、その反応において腐食
性を有する化合物を使用しないため特殊な設備を用いる
こともなく、しかも入手が容易でかつ安価なアルカリ金
属アルコキシドと二硫化炭素から製造されるキサントゲ
ン酸アルカリ金属塩を原料として用いるために、ヘキサ
ヒドロチエノ〔３，４−ｄ〕イミダゾ─ル−２，４−ジ
オン類の製造法として工業的に有利である。
性を有する化合物を使用しないため特殊な設備を用いる
こともなく、しかも入手が容易でかつ安価なアルカリ金
属アルコキシドと二硫化炭素から製造されるキサントゲ
ン酸アルカリ金属塩を原料として用いるために、ヘキサ
ヒドロチエノ〔３，４−ｄ〕イミダゾ─ル−２，４−ジ
オン類の製造法として工業的に有利である。
【００１４】
【実施例】以下に本発明の実施例を示すが、本発明はこ
れらの実施例に限定されるものではない。
れらの実施例に限定されるものではない。
【００１５】実施例１ ｔ−ブチルキサントゲン酸カリウム６ｇをジメチルホル
ムアミド３０ｇに溶解し、これにシス−１，３−ジベン
ジル−ヘキサヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−
２，４−ジオンを５ｇ加えて１１０℃で４時間攪拌し
た。その後、室温まで冷却し５％塩酸３０ｇを加え、ジ
クロロエタン３１ｇで抽出した。さらに水層をジクロロ
エタン２１ｇで抽出した後、先のジクロロエタン層と合
わせ、これに０．１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３０ｇと
塩化ベンジルトリエチルアンモニウム０．１ｇを加え、
７０〜７５℃で１０〜１２時間攪拌した。室温に冷却
後、５％塩酸２０ｇで中和し、水層とジクロロエタン層
を分液して得られるジクロロエタン層を減圧濃縮してシ
ス−１，３−ジベンジル−ヘキサヒドロチエノ〔３，４
−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオンの粗結晶７．１ｇ
を得た。液体クロマトグラフィーによる分析の結果この
粗結晶の純度は５８％であった（収率７８％）。
ムアミド３０ｇに溶解し、これにシス−１，３−ジベン
ジル−ヘキサヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−
２，４−ジオンを５ｇ加えて１１０℃で４時間攪拌し
た。その後、室温まで冷却し５％塩酸３０ｇを加え、ジ
クロロエタン３１ｇで抽出した。さらに水層をジクロロ
エタン２１ｇで抽出した後、先のジクロロエタン層と合
わせ、これに０．１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３０ｇと
塩化ベンジルトリエチルアンモニウム０．１ｇを加え、
７０〜７５℃で１０〜１２時間攪拌した。室温に冷却
後、５％塩酸２０ｇで中和し、水層とジクロロエタン層
を分液して得られるジクロロエタン層を減圧濃縮してシ
ス−１，３−ジベンジル−ヘキサヒドロチエノ〔３，４
−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオンの粗結晶７．１ｇ
を得た。液体クロマトグラフィーによる分析の結果この
粗結晶の純度は５８％であった（収率７８％）。
【００１６】実施例２ カリウムｔ−ブトキシド７ｇをジメチルホルムアミド４
０ｇに溶解し、これに１９％二硫化炭素のジメチルホル
ムアミド溶液２４ｇを０〜２０℃で滴下した。１〜２時
間保温攪拌した後室温まで冷却し、これにシス−１，３
−ジベンジル−ヘキサヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イミダ
ゾール−２，４−ジオン１０ｇを加え、１１０℃で４時
間攪拌した。その後室温まで冷却し、５％塩酸１００ｇ
を加え、ジクロロエタン６０ｇで抽出した。さらに水層
をジクロロエタン４３ｇで抽出して先のジクロロエタン
層と合わせ、これに１％水酸化ナトリウム水溶液６１ｇ
と塩化ベンジルトリエチルアンモニウム０．１ｇを加え
７０〜７５℃で１０〜１２時間攪拌した。室温に冷却後
３５％塩酸５ｇを加えて中和し、水層とジクロロエタン
層を分液して得られたジクロロエタン層を水５１ｇで水
洗後に減圧濃縮してシス−１，３−ベンジル−ヘキサヒ
ドロ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオンの粗
結晶１３．５ｇを得た。粗結晶をさらに６５％ｉ−プロ
ピルアルコール水溶液で再結晶させたところ、７．１ｇ
の結晶を得た。液体クロマトグラフィーによる分析の結
果、この結晶の純度は９９％であった（収率６７％）。
０ｇに溶解し、これに１９％二硫化炭素のジメチルホル
ムアミド溶液２４ｇを０〜２０℃で滴下した。１〜２時
間保温攪拌した後室温まで冷却し、これにシス−１，３
−ジベンジル−ヘキサヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イミダ
ゾール−２，４−ジオン１０ｇを加え、１１０℃で４時
間攪拌した。その後室温まで冷却し、５％塩酸１００ｇ
を加え、ジクロロエタン６０ｇで抽出した。さらに水層
をジクロロエタン４３ｇで抽出して先のジクロロエタン
層と合わせ、これに１％水酸化ナトリウム水溶液６１ｇ
と塩化ベンジルトリエチルアンモニウム０．１ｇを加え
７０〜７５℃で１０〜１２時間攪拌した。室温に冷却後
３５％塩酸５ｇを加えて中和し、水層とジクロロエタン
層を分液して得られたジクロロエタン層を水５１ｇで水
洗後に減圧濃縮してシス−１，３−ベンジル−ヘキサヒ
ドロ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオンの粗
結晶１３．５ｇを得た。粗結晶をさらに６５％ｉ−プロ
ピルアルコール水溶液で再結晶させたところ、７．１ｇ
の結晶を得た。液体クロマトグラフィーによる分析の結
果、この結晶の純度は９９％であった（収率６７％）。
Claims (4)
- 【請求項１】一般式１ （式中、Ｒ1 はそれぞれ独立にアルキル基、アリール
基、またはアラルキル基を示す。）で示されるヘキサヒ
ドロフロ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン
類を一般式２ （式中、Ｒ2 はアルキル基を、またＭはアルカリ金属を
それぞれ示す。）で示されるキサントゲン酸アルカリ金
属塩と反応させることを特徴とする一般式３ （式中、Ｒ1 はそれぞれ独立にアルキル基、アリ─ル
基、またはアラルキル基を示す。）で示されるヘキサヒ
ドロチエノ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオ
ン類の製造法。 - 【請求項２】一般式４ （式中、Ｒ2 はアルキル基を、またＭはアルカリ金属を
それぞれ示す。）で示されるアルカリ金属アルコキシド
と二硫化炭素とを溶媒中で反応させ、生成したキサント
ゲン酸アルカリ金属塩を単離することなく溶液のままヘ
キサヒドロフロ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−
ジオン類との反応に使用する請求項１記載の製造法。 - 【請求項３】アルカリ金属がカリウムである請求項１ま
たは請求項２記載の製造法。 - 【請求項４】アルカリ金属アルコキシドがカリウムｔ−
ブトキシドである請求項２記載の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2901895A JPH08217779A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | ヘキサヒドロチエノ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2901895A JPH08217779A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | ヘキサヒドロチエノ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類の製造法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08217779A true JPH08217779A (ja) | 1996-08-27 |
Family
ID=12264679
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2901895A Pending JPH08217779A (ja) | 1995-02-17 | 1995-02-17 | ヘキサヒドロチエノ〔３，４−ｄ〕イミダゾール−２，４−ジオン類の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08217779A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5969149A (en) * | 1997-09-29 | 1999-10-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing hexahydrothieno[3,4-D]imidazole-2,4-diones |
| FR2795413A1 (fr) * | 1999-09-06 | 2000-12-29 | Sumitomo Chemical Co | Procede de production d'hexahydrothieno[3,4-d]imidazole-2,4 -diones |
| US6635770B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-10-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing hexahydrothieno (3,4-D)immidazole-2,4-diones |
-
1995
- 1995-02-17 JP JP2901895A patent/JPH08217779A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5969149A (en) * | 1997-09-29 | 1999-10-19 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing hexahydrothieno[3,4-D]imidazole-2,4-diones |
| CN1113884C (zh) * | 1997-09-29 | 2003-07-09 | 住友化学工业株式会社 | 六氢噻吩并[3,4－d]咪唑－2,4－二酮的制造方法 |
| US6635770B1 (en) | 1999-04-08 | 2003-10-21 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Process for producing hexahydrothieno (3,4-D)immidazole-2,4-diones |
| FR2795413A1 (fr) * | 1999-09-06 | 2000-12-29 | Sumitomo Chemical Co | Procede de production d'hexahydrothieno[3,4-d]imidazole-2,4 -diones |
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