JPH08213659A - Semiconductor laser device and its manufacture - Google Patents

Semiconductor laser device and its manufacture

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JPH08213659A
JPH08213659A JP2029295A JP2029295A JPH08213659A JP H08213659 A JPH08213659 A JP H08213659A JP 2029295 A JP2029295 A JP 2029295A JP 2029295 A JP2029295 A JP 2029295A JP H08213659 A JPH08213659 A JP H08213659A
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JP
Japan
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cap
semiconductor laser
hologram element
stem
fixed
Prior art date
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Application number
JP2029295A
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Japanese (ja)
Inventor
Akira Tsuji
亮 辻
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Sharp Corp
Original Assignee
Sharp Corp
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Publication date
Application filed by Sharp Corp filed Critical Sharp Corp
Priority to JP2029295A priority Critical patent/JPH08213659A/en
Publication of JPH08213659A publication Critical patent/JPH08213659A/en
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Abstract

PURPOSE: To provide a semiconductor laser device having a structure capable of preventing the damage of a hologram element at the time of operating the device, and a manufacturing method of it. CONSTITUTION: A semiconductor laser chip 5 or the like is fixed on a block part of the upper surface of a stem 1. A hologram element 10 is fixed in a cap 2 wherein the lower end part is opened and a laser light passing window 3 is arranged on the upper end part, so as to close the passing window 3. The lower end part side of the cap 2 is fixed on the stem 1 so as to accommodate the block part 4. Since the hologram element 10 is fixed in the cap 2 so as to close the passing window 3, a process wherein a window glass is fixed in the passing window 3 and the hologram element 10 is fixed on the upper surface of the stem 1 is cut down.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、光ディスクの記録再生
装置における記録再生のために用いられるのに適した半
導体レーザ装置およびその製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor laser device suitable for use in recording / reproducing in an optical disc recording / reproducing apparatus and a method for manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】図6はこれまでの半導体レーザ装置の正
面からの断面図である。
2. Description of the Related Art FIG. 6 is a sectional view of a conventional semiconductor laser device from the front.

【0003】構成において、この装置はそれぞれが金属
製のステム1とキャップ2とを備える。キャップ2は下
端が開口され上端側にレーザ光通過窓3を有した円筒状
になっている。ステム1の上面には金属製のブロック部
4が形成されている。キャップ2はその下端側がステム
1の上面に抵抗溶接されている。ブロック部4は半導体
レーザチップ5、信号検出用フォトダイオード6、およ
びPINフォトダイオード7を搭載している。半導体レ
ーザチップ5は図示していない光ディスクに記録再生の
ためのレーザ光aを出射し、信号検出用フォトダイオー
ド6は半導体レーザチップ5から出射されて光ディスク
で反射されて戻ってくるレーザ光bを検出し、PINフ
ォトダイオード7は半導体レーザチップ5の出力cをモ
ニタする。キャップ2の上端側のレーザ光通過窓3の内
面には窓ガラス8が配置されている。この窓ガラス8は
その周部に接着された接着材としての低融点ガラス9で
キャップ2の上端部内面に固定されている。キャップ2
の上端側の外面にはホログラム素子10が硬化樹脂11
で固定されている。ホログラム素子10は、下面側に半
導体レーザチップ5からのレーザ光aを3つのビームd
に分割する回折格子12が、また上面側にレーザ光dを
偏光するホログラム13がそれぞれ設けられている。ス
テム1の下面には半導体レーザチップ5、各フォトダイ
オード6,7それぞれに対する電気信号の入出力のため
の端子14が取り付けられている。
In construction, the device comprises a stem 1 and a cap 2, each made of metal. The cap 2 has a cylindrical shape having a lower end opened and a laser beam passage window 3 on the upper end side. A metal block portion 4 is formed on the upper surface of the stem 1. The lower end of the cap 2 is resistance-welded to the upper surface of the stem 1. The block section 4 has a semiconductor laser chip 5, a signal detection photodiode 6, and a PIN photodiode 7 mounted thereon. The semiconductor laser chip 5 emits a laser beam a for recording / reproduction to an optical disc (not shown), and the signal detecting photodiode 6 emits a laser beam b emitted from the semiconductor laser chip 5, reflected by the optical disc and returned. Then, the PIN photodiode 7 monitors the output c of the semiconductor laser chip 5. A window glass 8 is arranged on the inner surface of the laser beam passage window 3 on the upper end side of the cap 2. The window glass 8 is fixed to the inner surface of the upper end portion of the cap 2 with a low melting point glass 9 as an adhesive material adhered to the peripheral portion thereof. Cap 2
On the outer surface of the upper end of the hologram element 10 is a cured resin 11
It is fixed at. The hologram element 10 has a laser beam a from the semiconductor laser chip 5 on its lower surface side, which is divided into three beams d.
A diffraction grating 12 that divides the laser beam d into two parts is provided, and a hologram 13 that polarizes the laser beam d is provided on the upper surface side. A terminal 14 for inputting / outputting an electric signal to / from the semiconductor laser chip 5 and the photodiodes 6 and 7 is attached to the lower surface of the stem 1.

【0004】動作において、半導体レーザチップ5は、
端子14に与えられた電気信号に応答してレーザ光a,
cをホログラム素子10側とPINフォトダイオード7
側とにそれぞれ出射する。ホログラム素子10側へのレ
ーザ光aは、回折格子12で3つのビームdに分割さ
れ、ホログラム13で偏光されたうえで図示していない
レンズ等の光学系によって集光されて光ディスク上に照
射される。光ディスクから反射されたレーザ光は上記光
学系を通過してホログラム素子10のホログラム13で
偏光されたビームbとされたうえで、信号検出用フォト
ダイオード6に集光される。信号検出用フォトダイオー
ド6は受光レーザ光bに応じた電気信号を端子14を介
して出力する。この電気信号は光ディスク記録再生装置
の図示していない回路装置によって光ディスクの記録再
生のために用いられる。PINフォトダイオード7への
レーザ光cは半導体レーザチップ出力のモニタのために
ここで電気信号に変換されたうえで端子14から出力さ
れる。
In operation, the semiconductor laser chip 5
In response to the electric signal applied to the terminal 14, the laser light a,
c is the hologram element 10 side and the PIN photodiode 7
It emits to the side and respectively. The laser beam a directed to the hologram element 10 side is split into three beams d by the diffraction grating 12, is polarized by the hologram 13, is condensed by an optical system such as a lens (not shown), and is irradiated onto the optical disc. It The laser beam reflected from the optical disc passes through the optical system to be a beam b polarized by the hologram 13 of the hologram element 10 and then focused on the signal detecting photodiode 6. The signal detecting photodiode 6 outputs an electric signal corresponding to the received laser beam b through the terminal 14. This electric signal is used for recording / reproducing of the optical disc by a circuit device (not shown) of the optical disc recording / reproducing device. The laser light c to the PIN photodiode 7 is converted into an electric signal here for monitoring the output of the semiconductor laser chip and then outputted from the terminal 14.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】上記半導体レーザ装置
にあっては、ホログラム素子10がキャップ2の上面に
取り付けられて外部にそのまま露出された状態になって
いるから、装置の製造時、輸送時、光ピックアップ組み
込み時といった装置の取り扱い時の際にホログラム素子
10の角部10aに欠損とか割れなどが発生しやすい構
造となっている。特に、光ピックアップ組み込み時にお
いてホログラム素子10に欠損が発生した場合には、ピ
ックアップ内部にそのホログラム素子10の破片が残存
してレーザ光の透過を妨げてしまうことになる。
In the above semiconductor laser device, the hologram element 10 is attached to the upper surface of the cap 2 and is exposed to the outside as it is. The corner portion 10a of the hologram element 10 is easily damaged or broken when the device is handled, such as when it is incorporated into an optical pickup. In particular, when a defect occurs in the hologram element 10 when the optical pickup is incorporated, the fragments of the hologram element 10 remain inside the pickup and hinder the transmission of the laser light.

【0006】したがって、本発明においては、装置の取
り扱い時におけるホログラム素子の破損を効果的に防止
できる構造を備えた半導体レーザ装置およびその製造方
法を提供することを目的としている。
Therefore, it is an object of the present invention to provide a semiconductor laser device having a structure capable of effectively preventing breakage of a hologram element during handling of the device, and a method of manufacturing the same.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明の半導体レーザ装置においては、ステ
ムと前記ステムの上面に形成された少なくとも半導体レ
ーザチップを搭載したブロック部と、下端部が開口し上
端部にレーザ光の通過窓を有したものでかつ前記ブロッ
ク部を収納するように前記下端部側が前記ステム上に固
定されたキャップと、前記通過窓を閉塞するように前記
キャップの内部に収納されて固定されたホログラム素子
とを具備したことを特徴としている。なお、このホログ
ラム素子は好ましくはキャップの内面に低融点ガラスで
固定されている。
In order to achieve such an object, in a semiconductor laser device of the present invention, a stem, a block portion formed on the upper surface of the stem, on which at least a semiconductor laser chip is mounted, and a lower end. Part having an opening and a laser beam passage window at the upper end, and the lower end portion fixed on the stem so as to accommodate the block portion, and the cap so as to close the passage window. And a hologram element that is housed and fixed inside. The hologram element is preferably fixed to the inner surface of the cap with a low melting point glass.

【0008】また、本発明の上記装置の製造方法におい
ては、下端部が開口し上端部にレーザ光の通過窓を有し
たキャップの内部に当該通過窓を閉塞するようにホログ
ラム素子を取り付ける工程と、ステム上面のブロック部
に少なくとも半導体レーザチップを取り付ける工程と、
前記キャップの開口下端部を前記ステムの上面に取り付
ける工程とを具備したことを特徴としている。
Further, in the method for manufacturing the above device of the present invention, a step of mounting a hologram element inside a cap having a lower end opening and a laser light passage window at the upper end so as to close the passage window, , A step of mounting at least a semiconductor laser chip on the block portion of the stem upper surface,
And attaching the lower end of the opening of the cap to the upper surface of the stem.

【0009】[0009]

【作用】本発明の半導体レーザ装置によれば、ホログラ
ム素子がキャップの内部に固定されているから、装置の
製造時、輸送時などの取り扱いでの破損から有効に保護
される。また、ホログラム素子をキャップの内面に低融
点ガラスで固定した場合では、低融点ガラスが水分を通
さない性質を有しているからキャップ内部の気密性が向
上する。
According to the semiconductor laser device of the present invention, since the hologram element is fixed inside the cap, it is effectively protected from damage caused by handling during manufacturing of the device and during transportation. Further, when the hologram element is fixed to the inner surface of the cap with the low-melting glass, the low-melting glass has a property of impervious to water, so that the airtightness inside the cap is improved.

【0010】本発明の上記装置の製造方法によれば、キ
ャップのレーザ光通過窓がホログラム素子で閉塞される
から、このレーザ光通過窓に窓ガラスを取り付ける必要
がなくなるうえ、ステムにキャップを固定したのち、そ
のキャップの上面にホログラム素子を取り付ける必要が
なくなり、結果として工程数が削減される。
According to the method of manufacturing the above device of the present invention, since the laser beam passage window of the cap is closed by the hologram element, it is not necessary to attach a window glass to the laser beam passage window and the cap is fixed to the stem. After that, it is not necessary to attach the hologram element to the upper surface of the cap, and as a result, the number of steps is reduced.

【0011】[0011]

【実施例】以下、本発明の一実施例を図面を参照して詳
細に説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0012】図1は、本発明の実施例にかかわる半導体
レーザ装置の正面からみた断面図であり、図2は、図1
のAーA線に沿って切断し矢符方向に見た断面図であ
る。これらの図において、従来にかかわる図6と同一の
部分には同一の符号を付している。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention as seen from the front, and FIG.
FIG. 4 is a sectional view taken along line AA of FIG. In these figures, the same parts as those in FIG. 6 related to the conventional art are designated by the same reference numerals.

【0013】これらの図を参照して、この装置はステム
1とキャップ2とを備える。ステム1は金属製の略短円
柱状のものである。キャップ2は下端が開口され上端側
に所要口径の円形レーザ光通過窓3を有し、かつ、ステ
ム1の外径より少し小さな外径の円筒状になっている。
ステム1の上面の中央寄り少し右側にずれた位置に所要
高さの金属製ブロック部4が形成されている。キャップ
2はブロック部4を内部に収納するようにその下端側が
抵抗溶接などの適宜の固定手段でステム1の上面に固定
されている。ブロック部4は半導体レーザチップ5、信
号検出用フォトダイオード6、およびPINフォトダイ
オード7を搭載している。ブロック部4に対し、半導体
レーザチップ5は図で左側上部に、信号検出用フォトダ
イオード6は図でやや右側寄り上部に、PINフォトダ
イオード7は半導体レーザチップ5に上下方向に対向し
て図で左側下部に、それぞれ搭載されている。半導体レ
ーザチップ5は図示していない光ディスクに記録再生の
ためのレーザ光aを出射するため、信号検出用フォトダ
イオード6は半導体レーザチップ5から出射されて光デ
ィスクで反射されて戻ってくるレーザ光bを検出するた
め、PINフォトダイオード7は半導体レーザチップ5
の出力光cをモニタするため、それぞれ、設けられてい
る。
With reference to these figures, the device comprises a stem 1 and a cap 2. The stem 1 is made of metal and has a substantially short cylindrical shape. The cap 2 has a circular laser light passage window 3 having a required diameter on the upper end side and an opening at the lower end, and has a cylindrical shape with an outer diameter slightly smaller than the outer diameter of the stem 1.
A metal block portion 4 having a required height is formed at a position slightly shifted to the right of the center of the upper surface of the stem 1. The lower end side of the cap 2 is fixed to the upper surface of the stem 1 by an appropriate fixing means such as resistance welding so that the block portion 4 is housed inside. The block section 4 has a semiconductor laser chip 5, a signal detection photodiode 6, and a PIN photodiode 7 mounted thereon. With respect to the block portion 4, the semiconductor laser chip 5 is on the upper left side in the figure, the signal detection photodiode 6 is on the upper right side in the figure, and the PIN photodiode 7 is opposed to the semiconductor laser chip 5 in the vertical direction. They are mounted on the lower left side. Since the semiconductor laser chip 5 emits a laser beam a for recording / reproducing to an optical disc (not shown), the signal detecting photodiode 6 is a laser beam b emitted from the semiconductor laser chip 5, reflected by the optical disc and returned. In order to detect the
Are provided to monitor the output light c.

【0014】キャップ2の上端側の内面にはレーザ光通
過窓3を閉塞するようにしてホログラム素子10が低融
点ガラス9で接続固定されている。この低融点ガラス9
は、水分を通さない性質を有している。この性質のた
め、ホログラム素子10でレーザ光通過窓3を閉塞した
本実施例による場合では、従来のように水分を通しやす
い硬化樹脂でもってキャップ2の外面にホログラム素子
10を接続固定したため水分がキャップ2とホログラム
素子10の間に入り込み、その結果、レーザ光の透過が
妨げられるといった不具合がなくなる。また、低融点ガ
ラスは硬化樹脂よりも強度が大きく、摂氏400度に加
熱しても十分な強度がある。
A hologram element 10 is connected and fixed to the inner surface of the upper end of the cap 2 with a low melting point glass 9 so as to close the laser beam passage window 3. This low melting glass 9
Has a property of impermeable to water. Due to this property, in the case of the present embodiment in which the laser beam passage window 3 is closed by the hologram element 10, the hologram element 10 is connected and fixed to the outer surface of the cap 2 with a hardened resin which allows water to easily pass therethrough as in the conventional case, so that the moisture content is reduced. The problem that the laser beam penetrates between the cap 2 and the hologram element 10 and as a result, the transmission of the laser light is hindered is eliminated. Further, the low melting point glass has a higher strength than the cured resin and has sufficient strength even when heated to 400 degrees Celsius.

【0015】ホログラム素子10は、レーザ光通過窓3
よりも外形が大きな長方形状のものであってその下面側
には半導体レーザチップ5からのレーザ光aを3つのビ
ームdに分割生成するための回折格子12が、上面側に
はレーザ光dを偏光するためのホログラム13がそれぞ
れ設けられている。ステム1の下面には半導体レーザチ
ップ5、各フォトダイオード6,7それぞれに対する電
気信号の入出力のための端子14が取り付けられてい
る。
The hologram element 10 includes a laser beam passage window 3
It has a rectangular shape with a larger outer shape than the above, and a diffraction grating 12 for splitting and generating the laser light a from the semiconductor laser chip 5 into three beams d is provided on the lower surface side, and the laser light d is provided on the upper surface side. Holograms 13 for polarization are provided respectively. A terminal 14 for inputting / outputting an electric signal to / from the semiconductor laser chip 5 and the photodiodes 6 and 7 is attached to the lower surface of the stem 1.

【0016】上記のようにホログラム素子10はキャッ
プ2の内部のレーザ光通過窓3周縁に該通過窓3を閉塞
するようにして取り付けられるため、ホログラム素子1
0が従来の気密性を保つための窓ガラスの機能を具備す
ることになり、従来必要としていた窓ガラスが不要化す
るうえ、ホログラム素子10がキャップ3内部に収納さ
れることになるから、装置の取り扱い時の破損から防止
されるとともに、ピックアップ組み込み時に発生したホ
ログラム素子10の破損がピックアップ内部に残りレー
ザ光の透過を妨げるといったことがなくなる。さらに、
ホログラム素子10は低融点ガラス9でキャップ2内部
に固定され、ホログラム素子10の固定に水分を通しや
すい硬化樹脂を用いていないから、レーザ光の光路上に
水分が入り込むことがなくなり性能が向上する。
As described above, since the hologram element 10 is attached to the periphery of the laser beam passage window 3 inside the cap 2 so as to close the passage window 3, the hologram element 1 is attached.
0 has the function of a conventional window glass for maintaining airtightness, which eliminates the need for a window glass that has been conventionally required and the hologram element 10 is housed inside the cap 3. In addition to being prevented from being damaged during handling, the damage to the hologram element 10 that occurs when the pickup is incorporated does not hinder the transmission of laser light remaining inside the pickup. further,
Since the hologram element 10 is fixed to the inside of the cap 2 with the low melting point glass 9 and the hardening resin which easily permeates moisture is not used for fixing the hologram element 10, moisture does not enter the optical path of the laser beam and the performance is improved. .

【0017】なお、キャップ2の内部にホログラム素子
10を固定する手法について図3を参照して説明する
と、まず、(a)のようにキャップ2のレーザ光通過窓
3の周縁にリング状になった固化状態の低融点ガラス
9’を落とし込む。ついで、(b)のようにホログラム
素子10を低融点ガラス9’上に載置する。そして、加
熱によって低融点ガラス9’を溶かしてのち冷却するこ
とでホログラム素子10をキャップ2のレーザ光通過窓
3周縁に固定する。
A method of fixing the hologram element 10 inside the cap 2 will be described with reference to FIG. 3. First, as shown in FIG. 3A, a ring shape is formed around the laser light passage window 3 of the cap 2. Then, the solidified low melting point glass 9'is dropped. Then, the hologram element 10 is placed on the low melting point glass 9'as shown in (b). Then, the hologram element 10 is fixed to the periphery of the laser beam passage window 3 of the cap 2 by melting the low melting point glass 9 ′ by heating and then cooling it.

【0018】次に、従来の半導体レーザ装置の製造方法
と、本発明の実施例にかかわる半導体レーザ装置の製造
方法とを説明し、両方法を比較説明する。
Next, a conventional method of manufacturing a semiconductor laser device and a method of manufacturing a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention will be described, and both methods will be compared and described.

【0019】まず、図6を参照して従来の製造方法にお
いては、第1の工程でキャップ2のレーザ光通過窓3の
内面に低融点ガラス9で窓ガラス8を固定し、第2の工
程でステム1の上面のブロック部4に半導体レーザチッ
プ5、信号検出用フォトダイオード6を、ステム1の上
面にPINフォトダイオード7を取り付けるとともに、
半導体レーザチップ5、各フォトダイオード6,7を端
子14に金属ワイヤーで結線し、第3の工程でステム1
の上面にキャップ2の下端部を抵抗溶接し、第4の工程
でキャップ2の上面にホログラム素子10を硬化樹脂1
1で固定する。したがって、少なくとも4つの工程が必
要となっている。
First, referring to FIG. 6, in the conventional manufacturing method, the window glass 8 is fixed to the inner surface of the laser beam passage window 3 of the cap 2 with the low melting point glass 9 in the first step, and the second step is performed. Then, the semiconductor laser chip 5 and the signal detecting photodiode 6 are attached to the block portion 4 on the upper surface of the stem 1, and the PIN photodiode 7 is attached to the upper surface of the stem 1,
The semiconductor laser chip 5 and the photodiodes 6 and 7 are connected to the terminals 14 with metal wires, and the stem 1 is connected in the third step.
The lower end of the cap 2 is resistance-welded to the upper surface of the cap 2 and the hologram element 10 is attached to the upper surface of the cap 2 in the fourth step by the cured resin 1.
Fix at 1. Therefore, at least four steps are required.

【0020】これに対し、図1を参照して本実施例の半
導体レーザ装置の製造方法においては、第1の工程でキ
ャップ2の内部にレーザ光通過窓3を閉塞するようにホ
ログラム素子10を取り付け、第2の工程でステム1の
上面のブロック部4に半導体レーザチップ5、信号検出
用フォトダイオード6を、ステム1の上面にPINフォ
トダイオード7を取り付けるとともに、半導体レーザチ
ップ5、各フォトダイオード6,7を端子14に金属ワ
イヤーで結線し、第3の工程でステム1の上面にキャッ
プ2の下端部を抵抗溶接する。したがって、3つの工程
となり、従来と比較して工程数が1つ少なくて済むこと
になる。これは、キャップ2内部にホログラム素子10
を取り付けることで、レーザ光通過窓3がホログラム素
子10で閉塞されるから、このレーザ光通過窓3に窓ガ
ラスを取り付ける必要がなくなるうえ、ステム1にキャ
ップ2を固定したのち、そのキャップ2の上面にホログ
ラム素子10を取り付ける必要がなくなり、結果とし
て、3つの工程で済むからである。このようにして本実
施例による製造方法によれば、従来のそれよりも工程数
の削減で製造コストを低減できる。
On the other hand, referring to FIG. 1, in the method of manufacturing the semiconductor laser device of the present embodiment, the hologram element 10 is provided inside the cap 2 so as to close the laser beam passage window 3 in the first step. In the second step, the semiconductor laser chip 5 and the signal detecting photodiode 6 are attached to the block portion 4 on the upper surface of the stem 1, and the PIN photodiode 7 is attached to the upper surface of the stem 1 in the second step. 6, 7 are connected to the terminals 14 with metal wires, and the lower end of the cap 2 is resistance-welded to the upper surface of the stem 1 in the third step. Therefore, the number of steps is three, and the number of steps can be reduced by one compared with the conventional method. This is the hologram element 10 inside the cap 2.
Since the laser light passage window 3 is closed by the hologram element 10 by attaching the above, it is not necessary to attach a window glass to the laser light passage window 3, and after the cap 2 is fixed to the stem 1, the cap 2 This is because it is not necessary to attach the hologram element 10 to the upper surface, and as a result, only three steps are required. In this way, according to the manufacturing method of the present embodiment, the manufacturing cost can be reduced by reducing the number of steps as compared with the conventional method.

【0021】次に、ホログラム素子10とブロック部4
に搭載した半導体レーザチップ5、フォトダイオード
6,7の各素子との間の距離の調整について、図4を参
照して説明する従来の場合と、図5を参照して説明する
本実施例の場合とを比較する。図4(a)と図5(a)
はそれぞれキャップ2とホログラム素子10とを上面か
ら見た図であり、図4(b)と図5(b)はそれぞれ側
面から見た図である。従来では図4のようにホログラム
素子10のみをそれの信号を監視しながら、X、Yの各
方向の調整、ならびにθ方向の回転調整を行う。これに
対して、本実施例では図5のようにホログラム素子10
を内部に有したキャップ2そのものを、前記と同様に
X,Yの各方向の調整,ならびにθ方向の回転調整を行
う。したがって、従来の場合も本実施例の場合もその調
整の手間については同様である。
Next, the hologram element 10 and the block portion 4
The adjustment of the distance between the semiconductor laser chip 5 mounted on the substrate and the respective elements of the photodiodes 6 and 7 in the conventional case described with reference to FIG. 4 and in the present embodiment described with reference to FIG. Compare with the case. 4 (a) and 5 (a)
Are views of the cap 2 and the hologram element 10 as viewed from above, and FIGS. 4B and 5B are views of as viewed from the side. Conventionally, as shown in FIG. 4, only the hologram element 10 is monitored for its signal, and adjustment in each of the X and Y directions and rotation adjustment in the θ direction are performed. On the other hand, in this embodiment, as shown in FIG.
The cap 2 itself having the inside is adjusted in each of the X and Y directions and the rotation adjustment in the θ direction in the same manner as described above. Therefore, the adjustment labor is the same in the conventional case and the present embodiment.

【0022】[0022]

【発明の効果】以上のように本発明の半導体レーザ装置
によれば、ステムとこのステムの上面に形成された少な
くとも半導体レーザチップを搭載したブロック部と、下
端部が開口し上端部にレーザ光通過窓を有したものでか
つ前記ブロック部を収納するように前記下端部側が前記
ステム上に固定されたキャップと、前記通過窓を閉塞す
るように前記キャップの内部に収納されて固定されたホ
ログラム素子とで構成されているから、装置の取り扱い
の際にホログラム素子の角部が破損されてしまうことが
なくなり、装置としての構造上の信頼性が大きく向上す
る。
As described above, according to the semiconductor laser device of the present invention, the stem and the block portion formed on the upper surface of the stem on which at least the semiconductor laser chip is mounted, the lower end portion is opened, and the laser light is emitted at the upper end portion. A cap having a passage window and the lower end side of which is fixed on the stem so as to accommodate the block portion, and a hologram which is accommodated and fixed inside the cap so as to close the passage window. Since it is composed of an element, the corners of the hologram element are not damaged when the apparatus is handled, and the structural reliability of the apparatus is greatly improved.

【0023】また、本発明の半導体レーザ装置の製造方
法によれば、下端部が開口し上端部にレーザ光の通過窓
を有したキャップの内部に当該通過窓を閉塞するように
ホログラム素子を取り付ける工程と、ステム上面のブロ
ック部に少なくとも半導体レーザチップを取り付ける工
程と、前記キャップの開口下端部を前記ステムの上面に
取り付ける工程とを具備した製造方法であるから、キャ
ップの通過窓に窓ガラスを固定したり、ステムにキャッ
プを固定してからキャップの上面にホログラム素子を固
定する必要がなくなり、従来のそれよりも工程数が削減
されることになって、その製造コストを低減できる。
Further, according to the method of manufacturing a semiconductor laser device of the present invention, the hologram element is attached to the inside of the cap having the opening at the lower end and the passage window for the laser beam at the upper end so as to close the passage window. Since it is a manufacturing method including a step, a step of attaching at least a semiconductor laser chip to the block portion on the upper surface of the stem, and a step of attaching the opening lower end portion of the cap to the upper surface of the stem, a window glass is attached to the passage window of the cap. It is not necessary to fix the hologram element on the upper surface of the cap after fixing the cap or the stem to the stem, and the number of steps can be reduced as compared with the conventional method, and the manufacturing cost can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の一実施例に係る半導体レーザ装置の正
面から見た断面図である。
FIG. 1 is a sectional view of a semiconductor laser device according to an embodiment of the present invention as seen from the front.

【図2】図1のAーA線に沿う断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along the line AA of FIG.

【図3】キャップにホログラム素子を取り付ける場合の
説明に供する図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining a case where a hologram element is attached to a cap.

【図4】従来の半導体レーザ装置の製造方法の説明に供
する図である。
FIG. 4 is a diagram for explaining a conventional method for manufacturing a semiconductor laser device.

【図5】本発明の実施例に係る半導体レーザ装置の製造
方法の説明に供する図である。
FIG. 5 is a diagram which is used for explaining a method for manufacturing the semiconductor laser device according to the embodiment of the invention.

【図6】従来の半導体レーザ装置を正面から見だ断面図
である。
FIG. 6 is a cross-sectional view of a conventional semiconductor laser device as seen from the front.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 ステム 2 キャップ 3 レーザ光通過窓 4 ブロック部 5 半導体レーザチップ 6 信号検出用フォトダイオード 7 PINフォトダイオード 9 低融点ガラス 10 ホログラム素子 12 回折格子 13 ホログラム 14 端子 1 Stem 2 Cap 3 Laser Light Passing Window 4 Block Section 5 Semiconductor Laser Chip 6 Photodiode for Signal Detection 7 PIN Photodiode 9 Low Melting Glass 10 Hologram Element 12 Diffraction Grating 13 Hologram 14 Terminal

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ステムと前記ステムの上面に形成された
少なくとも半導体レーザチップを搭載したブロック部
と、 下端部が開口し上端部にレーザ光通過窓を有したもので
かつ前記ブロック部を収納するように前記下端部側が前
記ステムの上面に固定されたキャップと、 前記通過窓を閉塞するように前記キャップの内部に収納
されて固定されたホログラム素子と、 を具備したことを特徴とする半導体レーザ装置。
1. A stem and a block portion formed on an upper surface of the stem, on which at least a semiconductor laser chip is mounted, a lower end portion having an opening and a laser light passage window at an upper end portion, and the block portion is accommodated. As described above, the semiconductor laser comprises: a cap whose lower end portion side is fixed to the upper surface of the stem; and a hologram element which is housed and fixed inside the cap so as to close the passage window. apparatus.
【請求項2】 前記ホログラム素子が、前記キャップの
内面に低融点ガラスで固定されていることを特徴とする
請求項1に記載の半導体レーザ装置。
2. The semiconductor laser device according to claim 1, wherein the hologram element is fixed to the inner surface of the cap with a low melting point glass.
【請求項3】 下端部が開口し上端部にレーザ光通過窓
を有したキャップの内部に当該通過窓を閉塞するように
ホログラム素子を取り付ける工程と、 ステム上面のブロック部に少なくとも半導体レーザチッ
プを取り付ける工程と、 前記キャップの開口下端部を
前記ステムの上面に取り付ける工程とを具備したことを
特徴とする半導体レーザ装置の製造方法。
3. A step of mounting a hologram element inside a cap having an opening at the lower end and a laser light passage window at the upper end so as to close the passage window, and at least a semiconductor laser chip on the block portion on the upper surface of the stem. A method of manufacturing a semiconductor laser device, comprising: a step of attaching and a step of attaching a lower end portion of the opening of the cap to an upper surface of the stem.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321961A (en) * 1997-05-21 1998-12-04 Sharp Corp Semiconductor laser device
US7099261B2 (en) 2000-07-14 2006-08-29 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Light-emitting device and optical integrated device

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