JPH08213330A - 半導体製造装置における加熱炉のガス導入部 - Google Patents
半導体製造装置における加熱炉のガス導入部Info
- Publication number
- JPH08213330A JPH08213330A JP3287895A JP3287895A JPH08213330A JP H08213330 A JPH08213330 A JP H08213330A JP 3287895 A JP3287895 A JP 3287895A JP 3287895 A JP3287895 A JP 3287895A JP H08213330 A JPH08213330 A JP H08213330A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- pipe
- gas introduction
- furnace
- heating furnace
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Vertical, Hearth, Or Arc Furnaces (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 半導体製造装置におけるＣＶＤ装置などの加
熱炉ガス導入に際し、ガス導入パイプの構造を改良して
ガス導入効率を向上させる。 【構成】 縦型加熱炉内にガスを導入するガス導入パイ
プ２７として、マニホルド貫通する下方では１本の傾斜
部２７ａと、この傾斜部２７ａが炉内に入った屈曲部２
７ｄでは曲げられて垂直に立ち上がる１本の連続した垂
直部２７ｂと、この垂直部２７ｂより上の所定の位置２
７ｇで複数本に分岐された分岐管２７ｅと、から成る継
目の無いガス導入パイプ２７とされた構成である。
熱炉ガス導入に際し、ガス導入パイプの構造を改良して
ガス導入効率を向上させる。 【構成】 縦型加熱炉内にガスを導入するガス導入パイ
プ２７として、マニホルド貫通する下方では１本の傾斜
部２７ａと、この傾斜部２７ａが炉内に入った屈曲部２
７ｄでは曲げられて垂直に立ち上がる１本の連続した垂
直部２７ｂと、この垂直部２７ｂより上の所定の位置２
７ｇで複数本に分岐された分岐管２７ｅと、から成る継
目の無いガス導入パイプ２７とされた構成である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は半導体ウェーハの表面処
理を行うＣＶＤ装置等の半導体製造装置に関し、更に詳
しくは半導体製造装置の縦型加熱炉（以下、縦型炉と称
する）のガス導入部の一部としてのガス導入パイプの構
造に関する。
理を行うＣＶＤ装置等の半導体製造装置に関し、更に詳
しくは半導体製造装置の縦型加熱炉（以下、縦型炉と称
する）のガス導入部の一部としてのガス導入パイプの構
造に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ガス導入パイプを継目無しの１本
構造とし、ガス導入パイプの設置及び取扱いが容易で、
しかも高温によってガス導入パイプが曲がっても中心方
向に動かないような、ＣＶＤ装置の縦型加熱炉へのガス
導入パイプが開発されている。始めに、図４を参照して
縦型加熱炉の概略を説明すると、縦型炉１の耐熱材料製
の炉壁４１の内側にアウタチューブ４２、その内側に石
英製のインナチューブ３が配設され、インナチューブ３
内の図示しない複数のボートのそれぞれに積層して載置
されたウェーハＷは、ガス導入パイプ（以下、導入パイ
プと略称する）７を通過してインナチューブ３内に導入
される処理ガスで処理される。アウタチューブ４２とイ
ンナチューブ３との間には、炉の温度調節用の複数個の
サーモカップル（図示せず）が備えられ、インナチュー
ブ３の下部には、マニホルド５がほぼ同軸に取り付けら
れ、上部と下部が開放されたマニホルド５の下面には組
立完了後でマニホルドキャップ４４が配置される。マニ
ホルド５を導入パイプ７が貫通する部分がガス導入部２
で、その概要を拡大断面側面図である図５を用いて説明
する。縦型炉１の石英製のインナチューブ３内で、図示
しない石英ボートに積載されたウェーハＷ（図４参照）
を処理するガスは、接続金具４を介して縦型炉１の下部
にあるマニホルド５に挿入された挿入口金具６を貫通
し、水平面に対し傾斜角度θ0（θ0は２０°前後が好ま
しい）で傾斜する傾斜部７ａ、これと一体に接続された
パイプの垂直部７ｂと、ほぼ水平な図示しないパイプ上
部を通って、インナチューブ３の上部の半径方向で中心
部の近くで放出され流下される。
構造とし、ガス導入パイプの設置及び取扱いが容易で、
しかも高温によってガス導入パイプが曲がっても中心方
向に動かないような、ＣＶＤ装置の縦型加熱炉へのガス
導入パイプが開発されている。始めに、図４を参照して
縦型加熱炉の概略を説明すると、縦型炉１の耐熱材料製
の炉壁４１の内側にアウタチューブ４２、その内側に石
英製のインナチューブ３が配設され、インナチューブ３
内の図示しない複数のボートのそれぞれに積層して載置
されたウェーハＷは、ガス導入パイプ（以下、導入パイ
プと略称する）７を通過してインナチューブ３内に導入
される処理ガスで処理される。アウタチューブ４２とイ
ンナチューブ３との間には、炉の温度調節用の複数個の
サーモカップル（図示せず）が備えられ、インナチュー
ブ３の下部には、マニホルド５がほぼ同軸に取り付けら
れ、上部と下部が開放されたマニホルド５の下面には組
立完了後でマニホルドキャップ４４が配置される。マニ
ホルド５を導入パイプ７が貫通する部分がガス導入部２
で、その概要を拡大断面側面図である図５を用いて説明
する。縦型炉１の石英製のインナチューブ３内で、図示
しない石英ボートに積載されたウェーハＷ（図４参照）
を処理するガスは、接続金具４を介して縦型炉１の下部
にあるマニホルド５に挿入された挿入口金具６を貫通
し、水平面に対し傾斜角度θ0（θ0は２０°前後が好ま
しい）で傾斜する傾斜部７ａ、これと一体に接続された
パイプの垂直部７ｂと、ほぼ水平な図示しないパイプ上
部を通って、インナチューブ３の上部の半径方向で中心
部の近くで放出され流下される。
【０００３】図５のＸ矢視部分を示す図６を参照する
と、パイプの垂直部７ｂの外周面の複数箇所からインナ
チューブ３の内周に沿って左、右に水平に突き出る棒状
のパイプボルダ１２が備えられて、インナチューブ３か
ら半径方向内方に突出するフック状の受け部１３にパイ
プボルダ１２が受けられて導入パイプ７が支持される。
またパイプの傾斜部７ａは、挿入口金具６内に保持され
た状態でマニホルド５内に挿入され、マニホルド５を貫
通して外部に突出するが、この挿入口金具６は垂直断面
（図５参照）が、図８（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示す
ように、三角形の図で左の頂点に近い部分が切断された
変形四角形で、図５のＹ−Ｙ、Ｚ−Ｚ矢視図である図７
（Ａ）、（Ｂ）に示されるように、パイプの傾斜部７ａ
を保持した状態で図５に示すように、マニホルド５内に
挿入され挿入口金具６が固定される。図５と図７に示す
ように、挿入口金具６は滑らかな水平底板６ｅ、断面が
楕円形で水平面に対し角度θ0で傾斜する天井板６ｆ
と、導入パイプ７の直径より少し大きい幅６ｇを有する
砲弾形の空洞６ｈを、導入パイプ７の傾斜部７ａが貫通
し、６ａは外方端のフランジで、６ｂはシール溝、６ｃ
は四隅に接続金具４を取り付けるボルト用のネジ穴であ
る。この挿入口金具６がマニホルド５に固着される時に
生じる空隙５ａは、溶接による肉盛りなどで埋めるか、
または予め空隙５ａに相当する突起部を挿入口金具６に
設け、ろう付けなどでマニホルド５に固着する。
と、パイプの垂直部７ｂの外周面の複数箇所からインナ
チューブ３の内周に沿って左、右に水平に突き出る棒状
のパイプボルダ１２が備えられて、インナチューブ３か
ら半径方向内方に突出するフック状の受け部１３にパイ
プボルダ１２が受けられて導入パイプ７が支持される。
またパイプの傾斜部７ａは、挿入口金具６内に保持され
た状態でマニホルド５内に挿入され、マニホルド５を貫
通して外部に突出するが、この挿入口金具６は垂直断面
（図５参照）が、図８（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）に示す
ように、三角形の図で左の頂点に近い部分が切断された
変形四角形で、図５のＹ−Ｙ、Ｚ−Ｚ矢視図である図７
（Ａ）、（Ｂ）に示されるように、パイプの傾斜部７ａ
を保持した状態で図５に示すように、マニホルド５内に
挿入され挿入口金具６が固定される。図５と図７に示す
ように、挿入口金具６は滑らかな水平底板６ｅ、断面が
楕円形で水平面に対し角度θ0で傾斜する天井板６ｆ
と、導入パイプ７の直径より少し大きい幅６ｇを有する
砲弾形の空洞６ｈを、導入パイプ７の傾斜部７ａが貫通
し、６ａは外方端のフランジで、６ｂはシール溝、６ｃ
は四隅に接続金具４を取り付けるボルト用のネジ穴であ
る。この挿入口金具６がマニホルド５に固着される時に
生じる空隙５ａは、溶接による肉盛りなどで埋めるか、
または予め空隙５ａに相当する突起部を挿入口金具６に
設け、ろう付けなどでマニホルド５に固着する。
【０００４】次に、組立方法を説明図８（ａ）〜（ｅ）
を参照して説明する。図８（ａ）に示すように、導入パ
イプ７の垂直部を垂直に保ったまま、傾斜部７ａの外端
部７ｅの下端隅角部７ｆを、挿入口金具６の滑らかな底
板６ｅに沿って滑らせ炉の内側から外側へ移動する。図
８（ｂ）に示すように、導入パイプ７の傾斜部７ａの外
端部７ｅの下端隅角部７ｆが挿入口金具６の滑らかな底
板６ｅの端部６ｅ′付近に来た状態で、図８（ｃ）に示
すように、垂直に対し斜め外方へ持ち上げて、導入パイ
プ７の外端部７ｅの中心点Ａを、挿入口金具６の外端面
６ｇに合わせると、導入パイプ７の垂直部７ｂからイン
ナチューブ３の内周に沿って突出するパイプホルダ１２
の各々は、図８（ｃ）に示す受け部１３の内側端より少
し上の所定の位置Ｆ点に来るようになっている。次いで
図８（ｄ）に示すように、導入パイプ７のパイプホルダ
１２を受け部１３の角度θ1の斜面１３ａに沿って移動
させ、停止位置Ｇで停止する。この間、導入パイプ７の
垂直部７ｂは、図８（ｄ）に示す水平距離Ｄだけ移動す
るので、導入パイプ７の傾斜部７ａの外端部７ｅの中心
Ａ点はＢ点まで移動し、その水平移動距離Ｃは、図８
（ｄ）に示すようにＣ≦Ｄの関係にある。そこで、図８
（ｅ）に示すように、挿入口金具６の外端面６ｇを越え
て突出した導入パイプ７の外周７ｇに接続金具４を外嵌
し、接続金具４のばか穴（図示せず）を介して取付ボル
トで接続金具４のフランジ４ｆを挿入口金具６のフラン
ジ６ａに取り付ける。図５の１８は、挿入口金具６の外
端面となるフランジ６ａと接続金具４のフランジ４ｆと
の間をシールするＯリングであり、８はガス導入パイプ
の傾斜部７ａの突出部と接続金具４の内周面との間をシ
ールするＯリングである。
を参照して説明する。図８（ａ）に示すように、導入パ
イプ７の垂直部を垂直に保ったまま、傾斜部７ａの外端
部７ｅの下端隅角部７ｆを、挿入口金具６の滑らかな底
板６ｅに沿って滑らせ炉の内側から外側へ移動する。図
８（ｂ）に示すように、導入パイプ７の傾斜部７ａの外
端部７ｅの下端隅角部７ｆが挿入口金具６の滑らかな底
板６ｅの端部６ｅ′付近に来た状態で、図８（ｃ）に示
すように、垂直に対し斜め外方へ持ち上げて、導入パイ
プ７の外端部７ｅの中心点Ａを、挿入口金具６の外端面
６ｇに合わせると、導入パイプ７の垂直部７ｂからイン
ナチューブ３の内周に沿って突出するパイプホルダ１２
の各々は、図８（ｃ）に示す受け部１３の内側端より少
し上の所定の位置Ｆ点に来るようになっている。次いで
図８（ｄ）に示すように、導入パイプ７のパイプホルダ
１２を受け部１３の角度θ1の斜面１３ａに沿って移動
させ、停止位置Ｇで停止する。この間、導入パイプ７の
垂直部７ｂは、図８（ｄ）に示す水平距離Ｄだけ移動す
るので、導入パイプ７の傾斜部７ａの外端部７ｅの中心
Ａ点はＢ点まで移動し、その水平移動距離Ｃは、図８
（ｄ）に示すようにＣ≦Ｄの関係にある。そこで、図８
（ｅ）に示すように、挿入口金具６の外端面６ｇを越え
て突出した導入パイプ７の外周７ｇに接続金具４を外嵌
し、接続金具４のばか穴（図示せず）を介して取付ボル
トで接続金具４のフランジ４ｆを挿入口金具６のフラン
ジ６ａに取り付ける。図５の１８は、挿入口金具６の外
端面となるフランジ６ａと接続金具４のフランジ４ｆと
の間をシールするＯリングであり、８はガス導入パイプ
の傾斜部７ａの突出部と接続金具４の内周面との間をシ
ールするＯリングである。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】このガス導入パイプは
１本構造で、図７（Ａ）に示すように導入パイプ７の上
下、左右の位置ずれは、接続金具のバカ穴との間の間隙
により吸収されるのでパイプ設置が容易であり、高温に
よりパイプが曲がっても、受け部１３がＶ形であるので
中心の方へ動くことはないが、更にガスの流入効率をよ
り簡単な構造で向上させるパイプを提供するのが本発明
に課された課題である。
１本構造で、図７（Ａ）に示すように導入パイプ７の上
下、左右の位置ずれは、接続金具のバカ穴との間の間隙
により吸収されるのでパイプ設置が容易であり、高温に
よりパイプが曲がっても、受け部１３がＶ形であるので
中心の方へ動くことはないが、更にガスの流入効率をよ
り簡単な構造で向上させるパイプを提供するのが本発明
に課された課題である。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明では、従来の導入
パイプ７の、挿入口金具６内に保持された状態でマニホ
ルド５内を貫通する傾斜部７ａと、そのすぐ上で垂直部
７ｂの下部の部分までは１本とし、傾斜部７ａと垂直部
７ｂとの屈曲部よりは上の前記の垂直部７ｂの下部より
はやや上の、炉内では比較的低温に保たれる部分で、垂
直部７ｂを複数本に分岐させることにより課題を解決す
るものである。
パイプ７の、挿入口金具６内に保持された状態でマニホ
ルド５内を貫通する傾斜部７ａと、そのすぐ上で垂直部
７ｂの下部の部分までは１本とし、傾斜部７ａと垂直部
７ｂとの屈曲部よりは上の前記の垂直部７ｂの下部より
はやや上の、炉内では比較的低温に保たれる部分で、垂
直部７ｂを複数本に分岐させることにより課題を解決す
るものである。
【０００７】
【作用】１本から複数本に分岐することにより、ガスの
流路断面積が大きくなり流速が低下して炉内の熱によっ
てガスが炉内温度により十分暖められて、上昇するに従
い炉内温度に近い温度で放出され、しかも放出口が複数
個になるため、ガスが炉内に均一に供給される。
流路断面積が大きくなり流速が低下して炉内の熱によっ
てガスが炉内温度により十分暖められて、上昇するに従
い炉内温度に近い温度で放出され、しかも放出口が複数
個になるため、ガスが炉内に均一に供給される。
【０００８】
【実施例】図１は本発明の一実施例としてのガス導入パ
イプを組み付けたＣＶＤ装置の加熱炉ガス導入部の断面
側面図を示し、図２（Ａ）はガス導入パイプの正面図
を、図２（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ1矢視側面図を示す。
図５と同じ部材または部分には同じ符号を付し、異なる
点のみを説明する。図１、図２及び図１のＸ矢視部分図
である図３を参照すると明らかなように、導入パイプ２
７と、パイプホルダ３２及び受け部３３とが、従来の図
５と異なる以外は全く同様である。図２の（Ａ）と
（Ｂ）を参照すると、導入パイプ２７は、水平面に対し
て角度θ0≒２０゜で傾斜するパイプの、下方の傾斜部
２７ａから垂直部２７ｂへの屈曲部２７ｄの少し上方
の、所定の位置２７ｇで複数個（この例では２個）の分
岐管２７ｅ、２７ｅに分岐され、上部で再び水平に曲が
って配置されパイプ先端部２７ｃ、２７ｃを形成する。
２本に分岐された垂直な分岐管２７ｅ、２７ｅは、それ
らを垂直に区分して配置された複数個（この例では５
個）のパイプホルダ３２で水平に連結される。このパイ
プホルダ３２は、図１に示すように、角度θ1≦θ0≒２
０゜の傾斜面を有し半径方向内方に突出する鈎状の受け
部３３を介してインナチューブ３に固定され、受け部３
３の斜面３３ａ上に支持される。次に、この導入パイプ
２７の作用を説明すると、図１に示す接続金具４を介し
て外部から導入されるガスは、１本のパイプの下部の傾
斜部２７ａの終端から同じく１本の垂直部２７ｂを経
て、２７ｇの位置で２本の分岐管２７ｅ、２７ｅに分岐
されて、流速が約１／２に減速されて上昇するので、１
本の場合よりも炉の温度によって十分に加熱され、分岐
管上部の先端部２７ｃ、２７ｃから炉内に放出される。
高温により導入パイプ２７が曲がっても、受け部３３の
上部の傾斜面がＶ字形になっているので、導入パイプ２
７が炉の中心の方へ移動するのは阻止される。
イプを組み付けたＣＶＤ装置の加熱炉ガス導入部の断面
側面図を示し、図２（Ａ）はガス導入パイプの正面図
を、図２（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ1矢視側面図を示す。
図５と同じ部材または部分には同じ符号を付し、異なる
点のみを説明する。図１、図２及び図１のＸ矢視部分図
である図３を参照すると明らかなように、導入パイプ２
７と、パイプホルダ３２及び受け部３３とが、従来の図
５と異なる以外は全く同様である。図２の（Ａ）と
（Ｂ）を参照すると、導入パイプ２７は、水平面に対し
て角度θ0≒２０゜で傾斜するパイプの、下方の傾斜部
２７ａから垂直部２７ｂへの屈曲部２７ｄの少し上方
の、所定の位置２７ｇで複数個（この例では２個）の分
岐管２７ｅ、２７ｅに分岐され、上部で再び水平に曲が
って配置されパイプ先端部２７ｃ、２７ｃを形成する。
２本に分岐された垂直な分岐管２７ｅ、２７ｅは、それ
らを垂直に区分して配置された複数個（この例では５
個）のパイプホルダ３２で水平に連結される。このパイ
プホルダ３２は、図１に示すように、角度θ1≦θ0≒２
０゜の傾斜面を有し半径方向内方に突出する鈎状の受け
部３３を介してインナチューブ３に固定され、受け部３
３の斜面３３ａ上に支持される。次に、この導入パイプ
２７の作用を説明すると、図１に示す接続金具４を介し
て外部から導入されるガスは、１本のパイプの下部の傾
斜部２７ａの終端から同じく１本の垂直部２７ｂを経
て、２７ｇの位置で２本の分岐管２７ｅ、２７ｅに分岐
されて、流速が約１／２に減速されて上昇するので、１
本の場合よりも炉の温度によって十分に加熱され、分岐
管上部の先端部２７ｃ、２７ｃから炉内に放出される。
高温により導入パイプ２７が曲がっても、受け部３３の
上部の傾斜面がＶ字形になっているので、導入パイプ２
７が炉の中心の方へ移動するのは阻止される。
【０００９】
【発明の効果】ガス導入パイプは継目がないのでガス漏
れがなく、またマニホルド貫通部は上下、左右、前後に
誤差吸収の余裕があるのでパイプ設置、組立てが容易で
あり、パイプ連結棒を受ける受け部３３の上面がＶ字形
になっているので高温になってパイプが曲がっても炉の
中心の方へ動くのが阻止される。更にガスのパイプ内で
の上昇速度が遅くなるので、炉の温度により暖められる
余裕時間が十分に得られ、炉内へのガス放出口が複数個
なので比較的均一に炉内に拡散してガス流入効率の向上
が得られ、ウェーハの処理に好影響を与える。
れがなく、またマニホルド貫通部は上下、左右、前後に
誤差吸収の余裕があるのでパイプ設置、組立てが容易で
あり、パイプ連結棒を受ける受け部３３の上面がＶ字形
になっているので高温になってパイプが曲がっても炉の
中心の方へ動くのが阻止される。更にガスのパイプ内で
の上昇速度が遅くなるので、炉の温度により暖められる
余裕時間が十分に得られ、炉内へのガス放出口が複数個
なので比較的均一に炉内に拡散してガス流入効率の向上
が得られ、ウェーハの処理に好影響を与える。
【図１】本発明の一実施例によるガス導入パイプを組み
付けたＣＶＤ装置の加熱炉ガス導入部の断面側面図であ
る。
付けたＣＶＤ装置の加熱炉ガス導入部の断面側面図であ
る。
【図２】本図の（Ａ）は本発明によるガス導入パイプの
正面図であり、本図の（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ1矢視側
面図である。
正面図であり、本図の（Ｂ）は同図（Ａ）のＡ1矢視側
面図である。
【図３】図１のＸ矢視部分図である。
【図４】ＣＶＤ装置における従来の縦型加熱炉の断面側
面図である。
面図である。
【図５】従来のガス導入パイプを組み付けたＣＶＤ装置
の、加熱炉ガス導入部の断面側面図である。
の、加熱炉ガス導入部の断面側面図である。
【図６】図５のＸ矢視部分図である。
【図７】本図の（Ａ）は図５のＹ−Ｙ矢視正面図であ
り、本図の（Ｂ）は図５のＺ−Ｚ矢視正面図である。
り、本図の（Ｂ）は図５のＺ−Ｚ矢視正面図である。
【図８】図５に示すガス導入部における導入パイプの組
立順序を示す説明図である。
立順序を示す説明図である。
１ 縦型加熱炉 ２ ガス導入部 ３ インナチューブ ５ マニホルド ６ 挿入口金具 ２７ ガス導入パイプ ２７ａ 導入パイプの傾斜部 ２７ｂ 導入パイプの垂直部 ２７ｄ 導入パイプの屈曲部 ２７ｅ 分岐管 ２７ｇ 導入パイプが分岐する所定の位置 ３２ パイプホルダ ３３ 受け部 ３３ａ 受け部の傾斜面 ４１ 炉壁 ４２ アウタチューブ Ｗ ウェーハ θ0 導入パイプの傾斜部の水平面に対する傾斜角度 θ1 受け部の傾斜面の水平面に対する傾斜角度
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年４月２８日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】発明の名称
【補正方法】変更
【補正内容】
【発明の名称】 半導体製造装置における加熱
炉のガス導入部
炉のガス導入部
Claims (2)
- 【請求項１】 耐熱材料製の炉壁（４１）と、この炉壁
（４１）の内側に同心に配置されたアウタチューブ（４
２）と、このアウタチューブ（４２）のさらに内側に配
置された石英製のインナチューブ（３）と、前記インナ
チューブ（３）内にウェーハ（Ｗ）が挿入される空隙が
保たれた縦型加熱炉（１）の炉体と、半導体製造装置の
加熱炉のガス導入部（２）として、前記インナチューブ
（３）の下部にほぼ同軸に取り付けられたマニホルド
（５）と、前記ウェーハ（Ｗ）の表面を処理するための
ガスを外部の供給源から前記インナチューブ（３）内に
導入するガス導入パイプとして、前記インナチューブ
（３）の内周に沿って挿入される垂直部（２７ｂ）と、
この垂直部（２７ｂ）の下端に接続され、水平面に対し
所定の角度で傾斜して前記マニホルド（５）の内部を通
過して、前記縦型加熱炉（１）の炉体外に延在する傾斜
部（２７ａ）とを有する単一の管としてのガス導入パイ
プ（２７）と、このガス導入パイプの前記傾斜部を内部
に流体密に保持して前記マニホルド（５）を貫通して配
置される挿入口金具（６）と、を含んで成る加熱炉のガ
ス導入部において：前記１本の単管ガス導入パイプに代
えて、前記傾斜部（２７ａ）から垂直部（２７ｂ）に移
行する屈曲部（２７ｄ）より上の所定の位置（２７ｇ）
で炉の軸心に平行に分岐され互いに平行な複数本の分岐
管（２７ｅ）を有するガス導入パイプ（２７）とされ、
さらにこれらの分岐管（２７ｅ）の隣接する管同士を水
平に連結する複数個のパイプホルダ（３２）と、前記イ
ンナチューブ（３）の内周から半径方向内方に所定の傾
斜角で上昇する傾斜面（３３ａ）を有して前記複数個の
パイプホルダ（３２）の少なくとも一つを受け、前記イ
ンナチューブ（３）の内周に保持する受け部（３３）
と、を有することを特徴とする半導体製造装置における
加熱炉のガス導入部。 - 【請求項２】 前記ガス導入パイプ（２７）の前記傾斜
部（２７ａ）と、前記受け部の傾斜面（３３ａ）との水
平面に対する、それぞれの傾斜角度がθ0及びθ1とさ
れ、且つθ0≧θ1とされた請求項１記載の半導体製造装
置における加熱炉のガス導入部。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287895A JPH08213330A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 半導体製造装置における加熱炉のガス導入部 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP3287895A JPH08213330A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 半導体製造装置における加熱炉のガス導入部 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08213330A true JPH08213330A (ja) | 1996-08-20 |
Family
ID=12371143
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP3287895A Pending JPH08213330A (ja) | 1995-01-31 | 1995-01-31 | 半導体製造装置における加熱炉のガス導入部 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08213330A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1162652A2 (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-12 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-manufacturing device |
| JPWO2005015619A1 (ja) * | 2003-08-07 | 2006-10-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
-
1995
- 1995-01-31 JP JP3287895A patent/JPH08213330A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1162652A2 (en) * | 2000-06-09 | 2001-12-12 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-manufacturing device |
| EP1162652A3 (en) * | 2000-06-09 | 2007-08-29 | Asm Japan K.K. | Semiconductor-manufacturing device |
| JPWO2005015619A1 (ja) * | 2003-08-07 | 2006-10-05 | 株式会社日立国際電気 | 基板処理装置および半導体装置の製造方法 |
| US7622007B2 (en) | 2003-08-07 | 2009-11-24 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
| US8673076B2 (en) | 2003-08-07 | 2014-03-18 | Hitachi Kokusai Electric Inc. | Substrate processing apparatus and semiconductor device producing method |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9096949B2 (en) | Susceptor support portion and epitaxial growth apparatus including susceptor support portion | |
| JP5189294B2 (ja) | オートドーピングおよび裏面堆積を減少させるための基板支持システム | |
| KR102534192B1 (ko) | 에피택셜 성장 장치를 위한 챔버 컴포넌트들 | |
| US6608287B2 (en) | Process chamber with rectangular temperature compensation ring | |
| JP5343162B1 (ja) | エピタキシャル成長装置 | |
| US20030015141A1 (en) | Wafer supporting device in semiconductor manufacturing device | |
| JP2004031915A (ja) | 環状チャネルを有するプロセスチューブ支持スリーブ | |
| US20020033232A1 (en) | Quartz wafer processing chamber | |
| TW201500569A (zh) | 使用磊晶生長之薄膜形成方法及磊晶生長裝置 | |
| US6007633A (en) | Single-substrate-processing apparatus in semiconductor processing system | |
| JP4751371B2 (ja) | 内部支持部材を有するプロセスチャンバ | |
| JPH08213330A (ja) | 半導体製造装置における加熱炉のガス導入部 | |
| KR20000064795A (ko) | 웨이퍼 플라즈마 프로세서용 이중 윈도우 배기장치 | |
| JP6749295B2 (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
| US6495473B2 (en) | Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device | |
| JP2007515059A (ja) | 急速熱処理装置 | |
| JP3288035B2 (ja) | 処理ガス注入口及び排気ポート構造 | |
| US20190345604A1 (en) | Film forming apparatus, film forming method, and method for manufacturing a semiconductor device using the film forming apparatus | |
| KR20110107258A (ko) | 잉곳 그로워 | |
| EP0487007A2 (en) | Process for the manufacture of radiant panels and the like and radiant panel thus obtained | |
| JP6232121B2 (ja) | マッフル炉 | |
| JP7209675B2 (ja) | エピタキシャル成長による成膜方法、および、エピタキシャル成長装置 | |
| KR101228329B1 (ko) | 열교환기의 제조방법 | |
| JP3132978B2 (ja) | 加熱炉における加熱管支持体の案内保持構造 | |
| JPH04279275A (ja) | 真空ろう付装置 |