JPH08213297A - Exposure device for wafer periphery - Google Patents

Exposure device for wafer periphery

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JPH08213297A
JPH08213297A JP29625595A JP29625595A JPH08213297A JP H08213297 A JPH08213297 A JP H08213297A JP 29625595 A JP29625595 A JP 29625595A JP 29625595 A JP29625595 A JP 29625595A JP H08213297 A JPH08213297 A JP H08213297A
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wafer
rotation angle
exposure width
exposure
light irradiation
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信治 清川
Nobutoshi Ogami
信敏 大神
Takeshi Takada
剛 高田
Kenji Kamei
謙治 亀井
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PURPOSE: To allow a straight line exposure with the same width for a straight line part by performing the alignment for the wafer circular arc part of a light irradiating means according to the exposure width which is set in response to the rotation angle. CONSTITUTION: Based on the rotation angle information, the exposure width is read out in response to the rotation angle for each time by an exposure width setting means, and based on the read out set exposure width, adjustment is performed for the alignment of a light irradiating means Mv with a wafer circular arc part Wc by driving a means which is provided for displacement in the radius direction. When the rotation angle information from a rotation angle calculating means indicates the exposure start of a wafer straight line part Ws, alignment of the light irradiating means Mv with the wafer straight line part Ws is performed by driving the means which is provided for displacement in the radius direction, under the condition that the rotating means is stopped. Then, the light irradiating means Mv is displaced relatively along the wafer straight line part Ws by driving the means which is provided for displacement in the tangent line.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、周辺部が円弧部と
直線部(オリエンテーションフラット)とからなってい
る半導体ウエハ,セラミックスウエハ等において、その
表面に塗布されているレジストのうち周辺部のレジスト
を露光によって除去するウエハの周辺部露光装置に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor wafer, a ceramics wafer, etc. having a circular arc portion and a linear portion (orientation flat) at the peripheral portion thereof. The present invention relates to a wafer peripheral exposure apparatus for removing a wafer by exposure.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、半導体ウエハ,セラミックスウエ
ハ等において、その表面に塗布するレジストとしてポジ
用のものを使用することが多い。この場合、所要のパタ
ーン露光を行う前(または後)に、ウエハの周辺部を露
光することによりウエハ周辺部のレジストを除去するこ
とが行われている。
2. Description of the Related Art In recent years, a positive resist is often used as a resist applied to the surface of a semiconductor wafer, a ceramic wafer or the like. In this case, before (or after) performing the required pattern exposure, the peripheral portion of the wafer is exposed to remove the resist in the peripheral portion of the wafer.

【0003】単一の光照射手段をウエハの中心から所要
距離の位置に固定的に設置し、ウエハを回転させながら
露光するのでは、円弧部の周辺部(以下、円弧部と称す
る)は露光できても、ウエハ中心からの距離が円弧部よ
りも短い直線部の周辺部(以下、直線部と称する)では
照射光がウエハの外側を通過するので、直線部を露光す
ることができない。
If a single light irradiating means is fixedly installed at a required distance from the center of the wafer and the wafer is exposed while being rotated, the peripheral portion of the arc portion (hereinafter referred to as the arc portion) is exposed. Even if it is possible, the irradiation light passes through the outside of the wafer in the peripheral portion of the straight line portion (hereinafter, referred to as the straight line portion) whose distance from the wafer center is shorter than the circular arc portion, so that the straight line portion cannot be exposed.

【0004】そこで、従来では、ウエハと相似形でウエ
ハと同期回転する板カムを設け、光照射手段に取り付け
たカムフォロワを板カムに沿って倣い運動させることに
より、直線部を円弧部とほぼ同じ幅で露光させるように
工夫したり(板カム方式)、あるいは、ウエハ端部(円
弧部と直線部との境界部)を機械的または光学的に検出
する手段を設けるとともに、ウエハ端部を検出して露光
箇所が円弧部から直線部に移った段階から、光照射手段
をその照射位置が直線部に沿うように、ウエハ中心から
光照射手段までの距離を調整しながらウエハを回転させ
ることにより、直線部を円弧部とほぼ同じ幅で露光させ
るように工夫していた(端部検出方式)。
Therefore, conventionally, a plate cam which is similar to the wafer and rotates in synchronism with the wafer is provided, and a cam follower attached to the light irradiation means is moved along the plate cam so that the straight line portion is almost the same as the arc portion. Detecting the wafer edge while providing a device to detect the width of the wafer (plate cam method) or mechanically or optically detecting the wafer edge (the boundary between the arc portion and the straight line portion) Then, from the stage where the exposure position shifts from the arc portion to the linear portion, by rotating the wafer while adjusting the distance from the wafer center to the light irradiation means so that the irradiation position of the light irradiation means is along the linear portion. , It was devised so that the straight line portion was exposed with almost the same width as the arc portion (edge detection method).

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】しかし、これらの従来
方式の基本的な考え方は、一定速度でのウエハの連続回
転中に円弧部も直線部も露光し、かつ、円弧部の露光幅
と直線部の露光幅とを同じにしようとするものであり、
このために却って、次のような不都合を招来していた。
However, the basic idea of these conventional systems is that both the arc portion and the straight portion are exposed during continuous rotation of the wafer at a constant speed, and the exposure width of the arc portion and the straight line To make the exposure width of the part the same,
For this reason, the following inconveniences have been brought about.

【0006】 図6に示すように、ウエハ端部Weを
光照射手段が(相対的に)回り込むときに、ウエハ端部
Weの角張った形状のために、ウエハ端部Weの近傍に
おける露光幅L1 が他の部分の露光幅L0 よりも小さく
なる。これは、ウエハ直線部Wsにおいてより強く現
れ、直線部Ws自体における直線状の、すなわち同一幅
の露光ができない。
As shown in FIG. 6, when the light irradiation means wraps around the wafer edge We (relatively), the exposure width L near the wafer edge We is due to the angular shape of the wafer edge We. 1 becomes smaller than the exposure width L 0 of the other part. This appears more strongly in the linear portion Ws of the wafer, and a linear exposure, that is, the same width of exposure cannot be performed in the linear portion Ws itself.

【0007】 前記と同じ理由によるが、図7に示
すように、光照射手段Mvがウエハ端部Weを回り込む
ときに、同一時間内において、内側での露光長さl1
外側での露光長さl2 とが大きく相違し(l1
2 )、また、幅方向での各点の露光長さが互いにまち
まちであるので、同一時間内での単位面積当たりの露光
量にバラツキが生じ、均一な露光ができない。
For the same reason as described above, as shown in FIG. 7, when the light irradiation means Mv goes around the wafer end We, within the same time, the inner exposure length l 1 and the outer exposure length l 1 Is significantly different from l 2 (l 1 <
l 2 ) Further, since the exposure length of each point in the width direction is different from each other, the exposure amount per unit area in the same time varies, and uniform exposure cannot be performed.

【0008】 ウエハWの表面に対するレジストの塗
布がスピン法によって行われているため、図8に示すよ
うに、直線部Wsの両端のうちウエハ回転方向の上手側
の端部領域にレジストが集積しやすく、この領域がレジ
ストの厚膜領域Wa(ハッチング参照)となっている。
この厚膜領域Waの幅は、均一な露光幅L0 よりも大き
くなるのが普通であるが、露光幅を一定としているため
に、厚膜領域Waの全域を露光することが要望される場
合に、厚膜領域Waの一部がほとんど除去されないで残
ってしまい、その要望に応えることが困難である。
Since the resist is applied to the surface of the wafer W by the spin method, as shown in FIG. 8, the resist accumulates in the end region on the upper side in the wafer rotation direction among both ends of the linear portion Ws. This region is a thick film region Wa of the resist (see hatching).
The width of the thick film area Wa is usually larger than the uniform exposure width L 0 , but when the exposure width is fixed, it is required to expose the entire thick film area Wa. In addition, part of the thick film region Wa remains without being substantially removed, and it is difficult to meet the demand.

【0009】 後工程においてウエハを取り扱う際
に、図9に示すようにウエハWの要所をクランプ爪kで
つかむが、そのクランプを安定したものとするため、ク
ランプ領域Wkを均一な露光幅L0 よりも大きくする。
このクランプ領域Wkのレジストが除去されないままで
あると、クランプ爪kでつかんだときにレジストが剥離
し、ウエハWのパターン上に付着したり装置を汚染した
りする。
When a wafer is handled in a subsequent step, a key portion of the wafer W is gripped by a clamp claw k as shown in FIG. 9, but in order to stabilize the clamp, a clamp area Wk is formed with a uniform exposure width L. Make it larger than 0 .
If the resist in the clamp area Wk is not removed, the resist peels off when it is gripped by the clamp claws k, and adheres on the pattern of the wafer W or contaminates the device.

【0010】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、一定速度でのウエハの連続回転中に円
弧部も直線部も露光し、かつ、円弧部の露光幅と直線部
の露光幅とを同じにすることを基本的考え方としていた
ことが原因で招いていた上述のような不都合を解消する
ことを目的とする。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and exposes both the arc portion and the straight portion during continuous rotation of the wafer at a constant speed, and the exposure width of the arc portion and the straight portion. It is an object of the present invention to eliminate the above-mentioned inconvenience that is caused by the fact that the basic idea is to make the exposure width of the same.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、このような目
的を達成するために、次のような構成をとる。すなわ
ち、請求項1に記載の発明は、周辺部が円弧部と直線部
とからなるウエハを回転する回転手段と、ウエハの周辺
部を露光する光照射手段と、ウエハ直線部を検出する直
線部検出用ラインセンサと、前記直線部検出用ラインセ
ンサによるウエハ直線部の検出に基づいて現在のウエハ
の回転角度情報を求める回転角度演算手段と、前記光照
射手段を前記回転手段の回転中心に対して相対的に接近
離間させる半径方向変位手段と、前記光照射手段を前記
半径方向変位手段の変位方向に対して直角な方向に沿っ
て回転手段に対して相対的に変位させる接線方向変位手
段と、回転角度に応じた露光幅を設定する露光幅設定手
段と、前記回転角度演算手段による回転角度情報に基づ
いて前記露光幅設定手段からそのときの回転角度に応じ
た露光幅を読み出し、その読み出した設定露光幅に基づ
いて前記半径方向変位手段を駆動して光照射手段のウエ
ハ円弧部に対する位置の調整を行うとともに、前記回転
角度演算手段による回転角度情報がウエハ直線部の露光
開始を示しているときには、前記回転手段の停止状態
で、前記半径方向変位手段を駆動して前記光照射手段の
ウエハ直線部に対する位置決めを行った後、前記接線方
向変位手段を駆動して前記光照射手段をウエハ直線部に
沿って相対的に直線的に変位させる制御手段とを備えた
ことを特徴とするものである。
The present invention has the following constitution in order to achieve such an object. That is, according to the first aspect of the present invention, there is provided a rotating unit for rotating a wafer having a circular portion and a linear portion in a peripheral portion, a light irradiating unit for exposing a peripheral portion of the wafer, and a linear portion for detecting a linear portion of the wafer. A line sensor for detection, a rotation angle calculation unit for obtaining rotation angle information of the current wafer based on the detection of the linear portion of the wafer by the line sensor for linear portion detection, and the light irradiation unit with respect to a rotation center of the rotation unit. Radial displacement means for relatively approaching and separating, and tangential displacement means for relatively displacing the light irradiation means with respect to the rotation means along a direction perpendicular to the displacement direction of the radial displacement means. An exposure width setting means for setting an exposure width according to a rotation angle; and an exposure width according to a rotation angle at that time from the exposure width setting means based on rotation angle information from the rotation angle calculation means. The radial displacement means is driven based on the read out exposure width to adjust the position of the light irradiation means with respect to the arc portion of the wafer, and the rotation angle information obtained by the rotation angle calculation means indicates the wafer linear portion. When the exposure is started, the radial displacing means is driven to position the light irradiating means with respect to the linear portion of the wafer while the rotating means is stopped, and then the tangential displacing means is driven. And a control means for relatively linearly displacing the light irradiation means along the straight line portion of the wafer.

【0012】この構成における注記として、次の(a) 〜
(c) が挙げられる。
As notes on this configuration, the following (a) to
(c).

【0013】(a) 半径方向変位手段は、光照射手段の方
を回転手段に対して変位させるものでもよいし、回転手
段の方を光照射手段に対して変位させるものでもよい。
(A) As the radial displacement means, the light irradiation means may be displaced with respect to the rotation means, or the rotation means may be displaced with respect to the light irradiation means.

【0014】(b) 接線方向変位手段は、光照射手段の方
を回転手段に対して変位させるものでもよいし、回転手
段の方を光照射手段に対して変位させるのでもよい。
(B) The tangential displacement means may displace the light irradiating means with respect to the rotating means, or may displace the rotating means with respect to the light irradiating means.

【0015】(c) 制御手段は、ウエハ直線部に対する露
光制御を行った後にウエハ円弧部に対する露光制御を行
うものでもよいし、その逆の順で制御を行うものでもよ
い。
(C) The control means may perform the exposure control on the wafer arc portion after performing the exposure control on the wafer linear portion, or may perform the control in the reverse order.

【0016】また、請求項2に記載の発明は、周辺部が
円弧部と直線部とからなるウエハを回転する回転手段
と、ウエハの周辺部を露光する光照射手段と、ウエハ直
線部を検出する直線部検出用ラインセンサと、前記直線
部検出用ラインセンサによるウエハ直線部の検出に基づ
いて現在のウエハの回転角度情報を求める回転角度演算
手段と、前記光照射手段を前記回転手段の回転中心に対
して相対的に接近離間させる半径方向変位手段と、回転
角度に応じた露光幅を設定する露光幅設定手段と、前記
回転角度演算手段にて算出された回転角度を監視し、監
視した回転角度が前記露光幅設定手段で設定された露光
幅の変化点に達した時に、前記露光幅設定手段からその
ときの回転角度に応じた露光幅を読み出して、露光幅の
変化点の角度ごとに、前記半径方向変位手段を駆動して
光照射手段のウエハ周辺部に対する位置の調整を行う制
御手段とを備えたことを特徴とするものである。
Further, in the invention described in claim 2, the rotating means for rotating the wafer, the peripheral portion of which is composed of the circular arc portion and the linear portion, the light irradiation means for exposing the peripheral portion of the wafer, and the wafer linear portion are detected. A linear portion detecting line sensor, a rotation angle calculating means for obtaining the current rotation angle information of the wafer based on the detection of the wafer linear portion by the linear portion detecting line sensor, and the light irradiation means for rotating the rotating means. Radial displacement means for relatively approaching and separating from the center, exposure width setting means for setting an exposure width according to the rotation angle, and the rotation angle calculated by the rotation angle calculation means were monitored and monitored. When the rotation angle reaches the change point of the exposure width set by the exposure width setting means, the exposure width corresponding to the rotation angle at that time is read out from the exposure width setting means, and the exposure width is changed for each angle. To It is characterized in that a control means for adjusting the position relative to the wafer peripheral portion of the light emitting means to drive said radial displacement means.

【0017】この構成における注記として、次の(d),
(e) が挙げられる。
As a note in this configuration, the following (d),
(e).

【0018】(d) 半径方向変位手段は、光照射手段の方
を回転手段に対して変位させるものでもよいし、回転手
段の方を光照射手段に対して変位させるものでもよい。
(D) The radial displacement means may be one that displaces the light irradiation means with respect to the rotation means, or one that displaces the rotation means with respect to the light irradiation means.

【0019】(e) 制御手段は、回転角度に応じた設定露
光幅に基づく光照射手段の位置調整を、ウエハ円弧部に
対して行うものでもよいし、ウエハ直線部に対して行う
ものでもよいし、あるいはその両方に対して行うもので
あってもよい。
(E) The control means may adjust the position of the light irradiating means based on the set exposure width according to the rotation angle with respect to the wafer arc portion or may perform the position adjustment with respect to the linear wafer portion. Or both.

【0020】また、請求項3に記載の発明は、周辺部が
円弧部と直線部とからなるウエハを回転する回転手段
と、ウエハの周辺部を露光する光照射手段と、ウエハ直
線部を検出する直線部検出用ラインセンサと、前記直線
部検出用ラインセンサによるウエハ直線部の検出に基づ
いて現在のウエハの回転角度情報を求める回転角度演算
手段と、前記光照射手段を前記回転手段の回転中心に対
して相対的に接近離間させる半径方向変位手段と、回転
角度に応じた露光幅を設定する露光幅設定手段と、前記
回転角度演算手段にて算出された回転角度を監視し、監
視した回転角度が前記露光幅設定手段で設定された露光
幅の変化点に達した時に、前記回転手段の駆動を停止
し、前記露光幅設定手段からそのときの回転角度に応じ
て読み出した露光幅へ、前記半径方向変位手段を駆動し
て光照射手段のウエハ周辺部に対する位置の調整を行
い、前記回転手段の駆動を再開する制御手段とを備えた
ことを特徴とするものである。
According to a third aspect of the present invention, the rotating means for rotating the wafer, the peripheral portion of which is an arc portion and the linear portion, the light irradiation means for exposing the peripheral portion of the wafer, and the wafer linear portion are detected. A linear portion detecting line sensor, a rotation angle calculating means for obtaining the current rotation angle information of the wafer based on the detection of the wafer linear portion by the linear portion detecting line sensor, and the light irradiation means for rotating the rotating means. Radial displacement means for relatively approaching and separating from the center, exposure width setting means for setting an exposure width according to the rotation angle, and the rotation angle calculated by the rotation angle calculation means were monitored and monitored. When the rotation angle reaches the change point of the exposure width set by the exposure width setting means, the driving of the rotation means is stopped, and the exposure width is read from the exposure width setting means according to the rotation angle at that time. The radial direction displacement means is driven to adjust the position relative to the wafer peripheral portion of the light irradiating means, it is characterized in that a resume control means for driving the rotation means.

【0021】この構成においても、上記請求項2に記載
の発明の構成に対する注記(d),(e)が挙げられる。
Also in this configuration, the notes (d) and (e) to the configuration of the invention described in claim 2 can be mentioned.

【0022】[0022]

【作用】請求項1に記載の発明の作用は次のとおりであ
る。回転角度情報に基づきそのときの回転角度に応じた
設定露光幅に従って半径方向変位手段を駆動して光照射
手段のウエハ円弧部に対する位置の調整を行うから、回
転角度ごとに露光幅を可変とすることが可能となる。ま
た、ウエハ直線部を露光するときには、回転手段(ウエ
ハ)の停止状態において、接線方向変位手段の駆動によ
り光照射手段をウエハ直線部に沿って直線的に変位させ
るから、直線部の全長にわたって露光幅を同一にするこ
とが可能になる。
The operation of the invention described in claim 1 is as follows. Based on the rotation angle information, the radial displacement means is driven in accordance with the set exposure width according to the rotation angle at that time to adjust the position of the light irradiation means with respect to the wafer arc, so that the exposure width is variable for each rotation angle. It becomes possible. Further, when exposing the linear portion of the wafer, the light irradiating means is linearly displaced along the linear portion of the wafer by driving the tangential displacement means when the rotating means (wafer) is stopped. The width can be made the same.

【0023】また、請求項2に記載の発明によれば、回
転角度を監視し、監視した回転角度が露光幅設定手段で
設定された露光幅の変化点に達した時に、露光幅設定手
段からそのときの回転角度に応じた露光幅を読み出し
て、露光幅の変化点の角度ごとに、半径方向変位手段を
駆動して光照射手段のウエハ周辺部に対する位置の調整
を行うから、回転角度ごとに露光幅を可変とすることが
可能となる。
According to the second aspect of the present invention, the rotation angle is monitored, and when the monitored rotation angle reaches the change point of the exposure width set by the exposure width setting means, the exposure width setting means The exposure width corresponding to the rotation angle at that time is read out, and the radial displacement means is driven to adjust the position of the light irradiation means relative to the wafer peripheral portion for each angle of the change point of the exposure width. Further, it is possible to change the exposure width.

【0024】また、請求項3に記載の発明によれば、回
転角度を監視し、監視した回転角度が前記露光幅設定手
段で設定された露光幅の変化点に達した時に、前記回転
手段の駆動を停止し、前記露光幅設定手段からそのとき
の回転角度に応じて読み出した露光幅へ、前記半径方向
変位手段を駆動して光照射手段のウエハ周辺部に対する
位置の調整を行い、前記回転手段の駆動を再開するか
ら、回転角度ごとに露光幅を可変とすることが可能とな
る。
According to the third aspect of the invention, the rotation angle is monitored, and when the monitored rotation angle reaches the change point of the exposure width set by the exposure width setting means, the rotation means of the rotation means is changed. The driving is stopped, the radial displacement means is driven to the exposure width read from the exposure width setting means according to the rotation angle at that time, and the position of the light irradiation means with respect to the peripheral portion of the wafer is adjusted. Since the driving of the means is restarted, it is possible to change the exposure width for each rotation angle.

【0025】[0025]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施例を説明する。まず、ウエハの周辺部露光装置の機
械的・光学的な構造について、図1の斜視図を参照して
説明する。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. First, the mechanical and optical structure of the wafer peripheral exposure apparatus will be described with reference to the perspective view of FIG.

【0026】ウエハWを吸着保持して水平回転させるた
めのスピンチャック1の回転軸が第1のモータM1に連
結されている。スピンチャック1と第1のモータM1と
が発明の構成にいう回転手段Mθに相当する。
The rotation shaft of the spin chuck 1 for holding the wafer W by suction and rotating it horizontally is connected to the first motor M1. The spin chuck 1 and the first motor M1 correspond to the rotating means Mθ in the configuration of the present invention.

【0027】光源部は、水銀キセノンランプ2,楕円鏡
3,紫外線透過フィルタ4,シャッタ5等から構成さ
れ、フィルタ4を通過した紫外線を光ファイバ6によっ
てその照射端6aまで導くように構成してある。このラ
ンプ2から照射端6aに至る部分が発明の構成にいう光
照射手段Mvに相当するが、より厳密には照射端6aが
光照射手段Mvに対応する。
The light source section is composed of a mercury xenon lamp 2, an elliptical mirror 3, an ultraviolet ray transmitting filter 4, a shutter 5 and the like, and the ultraviolet ray passing through the filter 4 is guided by an optical fiber 6 to its irradiation end 6a. is there. The portion from the lamp 2 to the irradiation end 6a corresponds to the light irradiation means Mv in the configuration of the present invention. More precisely, the irradiation end 6a corresponds to the light irradiation means Mv.

【0028】光ファイバ6の照射端6aからウエハWの
周辺部に対して照射する紫外線スポットの形状について
は、それを円形とした場合には、スポット中心に対し
て、ウエハの半径方向に対するスポットの両端位置(円
形スポットにおけるウエハの中心に近い位置と、遠い位
置)では、積算光量が少なくなるから、露光ひいてはレ
ジスト除去が不均一になる可能性があるので、スポット
形状を方形にすることにより光量の均一化を図るように
することが好ましい。
With respect to the shape of the ultraviolet spot irradiated from the irradiation end 6a of the optical fiber 6 to the peripheral portion of the wafer W, when the ultraviolet spot is circular, the spot of the spot in the radial direction of the wafer is measured with respect to the center of the spot. At both end positions (positions near and far from the center of the wafer in the circular spot), the integrated light intensity decreases, so exposure and eventually resist removal may become uneven. It is preferable to make the above uniform.

【0029】光ファイバ6の先端の照射端6aを保持す
るファイバ支持アーム7がX−Yテーブル8に取り付け
られている。X−Yテーブル8は、Xテーブル8xおよ
びこのXテーブル8xをX方向に沿って往復移動させる
ための第2のモータM2と、Xテーブル8x上に載置さ
れたYテーブル8yおよびこのYテーブル8yをY方向
に沿って往復移動させるための第3のモータM3とを備
えている。Yテーブル8yにファイバ支持アーム7が取
り付けられている。
A fiber support arm 7 for holding the irradiation end 6a at the tip of the optical fiber 6 is attached to the XY table 8. The XY table 8 includes an X table 8x, a second motor M2 for reciprocating the X table 8x in the X direction, a Y table 8y placed on the X table 8x, and a Y table 8y And a third motor M3 for reciprocating the motor in the Y direction. The fiber support arm 7 is attached to the Y table 8y.

【0030】X方向は、照射端6aからスピンチャック
1の回転中心に向かう方向であり、Y方向はX方向に対
して直角な方向である。
The X direction is a direction from the irradiation end 6a toward the rotation center of the spin chuck 1, and the Y direction is a direction perpendicular to the X direction.

【0031】Xテーブル8xと第2のモータM2とが発
明の構成にいう半径方向変位手段Mxを構成し、Yテー
ブル8yと第3のモータM3とが発明の構成にいう接線
方向変位手段Myを構成している。
The X table 8x and the second motor M2 constitute the radial displacement means Mx in the constitution of the invention, and the Y table 8y and the third motor M3 constitute the tangential displacement means My in the constitution of the invention. I am configuring.

【0032】なお、第1ないし第3のモータM1〜M3
はステッピングモータである。
The first to third motors M1 to M3
Is a stepping motor.

【0033】スピンチャック1に吸着保持されて回転す
るウエハWの直線部Wsを検出する直線部検出用ライン
センサAとしてのラインセンサ9が、ウエハWの周辺部
の回転軌跡に対応して配置されている。
A line sensor 9 as a linear portion detecting line sensor A for detecting the linear portion Ws of the wafer W that is attracted to and held by the spin chuck 1 and is rotated is arranged corresponding to the rotation locus of the peripheral portion of the wafer W. ing.

【0034】図2は、ウエハの周辺部露光装置の機械的
構造の別形態を示すもので、2つの一軸テーブル10x,
10yが設けられている。一軸テーブル10xは光ファイバ
照射端6aをファイバ支持アーム7を介して保持すると
ともに、第2のモータM2によってX方向に往復移動さ
れる。また、一軸テーブル10yは回転手段Mθとしての
第1のモータM1およびスピンチャック1を取り付け
て、第3のモータM3によってY方向に往復移動され
る。
FIG. 2 shows another form of the mechanical structure of the wafer peripheral exposure apparatus, which shows two uniaxial tables 10x,
10y is provided. The one-axis table 10x holds the optical fiber irradiation end 6a via the fiber support arm 7, and is reciprocated in the X direction by the second motor M2. Further, the uniaxial table 10y is attached with the first motor M1 as the rotating means Mθ and the spin chuck 1, and is reciprocated in the Y direction by the third motor M3.

【0035】この形態では、一軸テーブル10xおよび第
2のモータM2が半径方向変位手段Mxに相当し、一軸
テーブル10yおよび第3のモータM3が接線方向変位手
段Myに相当する。
In this embodiment, the uniaxial table 10x and the second motor M2 correspond to the radial displacement means Mx, and the uniaxial table 10y and the third motor M3 correspond to the tangential displacement means My.

【0036】なお、図1、図2の構造に代えて、半径方
向変位手段Mxが、回転手段Mθ(第1のモータM1お
よびスピンチャック1)の方を変位させるものとして構
成されていてもよいし、あるいは、光照射手段Mvのフ
ァイバ支持アーム7が固定で、回転手段MθをX−Yテ
ーブル8に取り付けてもよい。
Instead of the structure of FIGS. 1 and 2, the radial displacement means Mx may be configured to displace the rotation means Mθ (first motor M1 and spin chuck 1). Alternatively, the fiber support arm 7 of the light irradiation means Mv may be fixed and the rotation means Mθ may be attached to the XY table 8.

【0037】次に、スピンチャック1に吸着保持された
ウエハWの直線部Wsの検出、および、この直線部検出
に基づいて現在のウエハWの回転角度情報を得る手法を
説明する。
Next, a description will be given of the detection of the linear portion Ws of the wafer W sucked and held by the spin chuck 1, and a method of obtaining the current rotation angle information of the wafer W based on the detection of the linear portion.

【0038】図示しないアライメント機構によってウエ
ハWの中心がスピンチャック1の回転中心に位置合わせ
される。中心位置合わせが完了すると、スピンチャック
1において真空吸引が行われ、ウエハWがスピンチャッ
ク1に吸着される。
The center of the wafer W is aligned with the rotation center of the spin chuck 1 by an alignment mechanism (not shown). When the center alignment is completed, vacuum suction is performed in the spin chuck 1, and the wafer W is sucked to the spin chuck 1.

【0039】第1のモータM1の駆動によってウエハW
を回転すると、ラインセンサ9上を円弧部Wcが通過し
ている状態ではラインセンサ9のセルのうちONとなる
セル数は一定である。その状態から、直線部Wsと円弧
部Wcとの境界である一方のウエハ端部Weが通過した
瞬間に、ラインセンサ9のONとなるセル数が増加す
る。このONセル数増加によって一方のウエハ端部We
を検出できる。
The wafer W is driven by driving the first motor M1.
When is rotated, the number of ON cells among the cells of the line sensor 9 is constant in a state where the arc portion Wc is passing over the line sensor 9. From that state, the number of cells in which the line sensor 9 is turned ON increases at the moment when one wafer edge portion We, which is the boundary between the straight portion Ws and the arc portion Wc, passes. Due to this increase in the number of ON cells, one wafer edge We
Can be detected.

【0040】さらにウエハWが回転すると、ラインセン
サ9に対して直線部Wsのセンタが到達するまでは、O
Nセル数は増加し続け、そのセンタを過ぎるとONセル
数は最大値から減少する。そして、もう一方のウエハ端
部Weがラインセンサ9を通過すると、ONセル数は減
少状態から一定状態に変化する。この変化によって他方
のウエハ端部Weを検出できる。
When the wafer W is further rotated, O is kept until the center of the straight line portion Ws reaches the line sensor 9.
The number of N cells continues to increase, and after passing the center, the number of ON cells decreases from the maximum value. Then, when the other wafer edge We passes through the line sensor 9, the number of ON cells changes from a decreasing state to a constant state. By this change, the other wafer edge We can be detected.

【0041】モータM1はステッピングモータであって
パルスエンコーダ(図示せず)を内蔵している。パルス
エンコーダの原点位置から一方のウエハ端部Weを検出
するまでのパルス数に対応した回転角度をθ1、他方の
ウエハ端部Weを検出するまでのパルス数に対応した回
転角度をθ2とすると、原点位置から角度α={(θ2
−θ1)/2}+θ1に対応したパルス数のところが、
原点位置から直線部Wsのセンタまでの回転角度とな
る。これが、このウエハWの基準角度である。
The motor M1 is a stepping motor and incorporates a pulse encoder (not shown). If the rotation angle corresponding to the number of pulses from the origin position of the pulse encoder to the detection of one wafer end We is θ1, and the rotation angle corresponding to the number of pulses until the other wafer end We is detected is θ2, Angle α = {(θ2
−θ1) / 2} + θ1 where the number of pulses corresponds to
It is the rotation angle from the origin position to the center of the linear portion Ws. This is the reference angle of the wafer W.

【0042】このようにして直線部Wsのセンタにおけ
る基準角度αを算出した後、ウエハWをもう1回転させ
て基準角度αに対応したパルス数を検出した時点でモー
タM1を停止すると、ウエハWは、その直線部Wsが接
線方向変位手段Myの変位方向すなわちY方向に平行な
状態で停止することになる。そして、この状態で接線方
向変位手段Myを駆動してウエハ直線部Wsに対する直
線的な露光を行うことになる。
After the reference angle α at the center of the straight line portion Ws is calculated in this way, the wafer W is rotated once again and the motor M1 is stopped when the number of pulses corresponding to the reference angle α is detected. Will stop in a state where the straight line portion Ws is parallel to the displacement direction of the tangential displacement means My, that is, the Y direction. Then, in this state, the tangential displacement means My is driven to perform linear exposure on the linear portion Ws of the wafer.

【0043】ウエハWを回転している状態でのウエハW
の回転角度の情報は、原点位置からの現在までのパルス
数と基準角度αまでのパルス数との差に対応した角度を
基準角度αに加算したものとして得ることができる。
Wafer W in a state where the wafer W is rotating
Can be obtained by adding an angle corresponding to the difference between the number of pulses from the origin position to the present and the number of pulses up to the reference angle α to the reference angle α.

【0044】次に、第1、第2のウエハの周辺部露光装
置それぞれの制御系統の構成ならびに動作を説明する。
なお、第1のウエハの周辺部露光装置は、直接に本発明
に対応するものではないが、本発明(特に請求項1に記
載の発明)の動作を理解し易くするために挙げたもので
ある。
Next, the configuration and operation of the control system of each of the first and second wafer peripheral exposure apparatuses will be described.
The first wafer peripheral exposure apparatus does not directly correspond to the present invention, but is used to facilitate understanding of the operation of the present invention (especially, the invention described in claim 1). is there.

【0045】<第1のウエハの周辺部露光装置>図3の
ブロック図において、Aは、上述のラインセンサ9に相
当する直線部検出用ラインセンサ、Bは、直線部検出用
ラインセンサAによるウエハ直線部Wsの検出、ならび
に回転手段Mθにおいてパルスエンコーダの出力に基づ
いてウエハWの基準角度αおよび時々刻々変化する現在
の回転角度情報θtを求める回転角度演算手段、Cは、
円弧部露光幅Lcおよび直線部露光幅Lsを互いに独立
して設定する露光幅設定手段である。
<First Wafer Peripheral Exposure Device> In the block diagram of FIG. 3, A is a linear part detecting line sensor corresponding to the above-mentioned line sensor 9, and B is a linear part detecting line sensor A. The rotation angle calculation means, C, for detecting the wafer linear portion Ws, and for obtaining the reference angle α of the wafer W and the current rotation angle information θt that changes from moment to moment on the basis of the output of the pulse encoder in the rotation means Mθ,
It is an exposure width setting unit that sets the arc-shaped exposure width Lc and the linear-part exposure width Ls independently of each other.

【0046】Mθは、前記の第1のモータM1とスピン
チャック1とに相当するウエハWの回転手段、Mvは、
前記のランプ2,シャッタ5,光ファイバ6等に相当す
る光照射手段、Mxは前述の半径方向変位手段、Myは
接線方向変位手段、Eは、回転角度情報θtと設定露光
幅(LcまたはLs)に基づいて、前記回転手段Mθ,
光照射手段Mv,半径方向変位手段Mx,接線方向変位
手段Myを制御する制御手段である。
Mθ is a rotating means of the wafer W corresponding to the first motor M1 and the spin chuck 1, and Mv is
Light irradiating means corresponding to the lamp 2, shutter 5, optical fiber 6, etc., Mx is the aforementioned radial displacement means, My is the tangential displacement means, E is the rotation angle information θt and the set exposure width (Lc or Ls). ), The rotation means Mθ,
It is a control means for controlling the light irradiation means Mv, the radial displacement means Mx, and the tangential displacement means My.

【0047】スピンチャック1に移載されたウエハW
は、図示しないアライメント機構によって中心合わせが
行われた後、スピンチャック1に吸着保持される。制御
手段Eは、回転手段Mθ(第1のモータM1)を駆動し
てスピンチャック1を一方向に回転させる。一方、回転
角度演算手段Bは、直線部検出用ラインセンサAから入
力した原点位置からの角度θ1と角度θ2とに基づいて
基準角度αを算出する〔α={(θ2−θ1)/2}+
θ1〕(図4(a)参照)。
Wafer W transferred to spin chuck 1
After being centered by an alignment mechanism (not shown), is held by the spin chuck 1 by suction. The control means E drives the rotation means Mθ (first motor M1) to rotate the spin chuck 1 in one direction. On the other hand, the rotation angle calculation means B calculates the reference angle α based on the angles θ1 and θ2 from the origin position input from the linear portion detection line sensor A [α = {(θ2−θ1) / 2}. +
θ1] (see FIG. 4A).

【0048】制御手段Eは、この基準角度αを入力する
とともに、回転手段Mθの駆動を続ける。回転角度演算
手段Bは、2回転目においても直線部検出用ラインセン
サAから入力した原点位置からの時々刻々変化する回転
角度情報θtと基準角度αとを比較し、θt=αとなっ
たときに、制御手段Eに停止指令信号を出力する。制御
手段Eはその信号を受けて回転手段Mθを停止する。こ
のとき、ウエハWは、その直線部Wsが接線方向変位手
段Myの変位方向すなわちY方向に平行な状態で停止す
る(図4(b)参照)。
The control means E inputs this reference angle α and continues to drive the rotating means Mθ. The rotation angle calculating means B compares the rotation angle information θt, which changes from time to time, from the origin position input from the linear portion detection line sensor A even at the second rotation with the reference angle α, and when θt = α Then, a stop command signal is output to the control means E. The control means E receives the signal and stops the rotation means Mθ. At this time, the wafer W stops in a state where the linear portion Ws is parallel to the displacement direction of the tangential displacement means My, that is, the Y direction (see FIG. 4B).

【0049】次いで、直線部露光のための準備動作に移
る。すなわち、制御手段Eは、露光幅設定手段Cから直
線部露光幅Lsを読み取り、これに基づいて半径方向変
位手段Mxを駆動して光照射手段Mvのウエハ直線部W
sに対する位置決めを行う。なお、同時にあるいは相前
後して接線方向変位手段Myを駆動して光照射手段Mv
をウエハ直線部Wsの端部よりも外側に位置させる(図
4(c)参照)。
Then, the preparatory operation for the exposure of the linear portion is started. That is, the control means E reads the linear portion exposure width Ls from the exposure width setting means C, and drives the radial displacement means Mx based on this to drive the wafer linear portion Wx of the light irradiation means Mv.
Position with respect to s. At the same time or before and after, the tangential displacement means My is driven to drive the light irradiation means Mv.
Is positioned outside the end of the linear portion Ws of the wafer (see FIG. 4C).

【0050】制御手段Eは、光照射手段Mvのシャッタ
5を開いて光ファイバ照射端6aから紫外線の照射を開
始するとともに、接線方向変位手段Myを駆動すること
により光照射手段MvをY方向に沿って直線的に変位さ
せ、ウエハ直線部Wsを光ファイバ照射端6aからの紫
外線によって直線的にかつ設定された直線部露光幅Ls
において均一に露光していく(図4(d)参照)。光フ
ァイバ照射端6aがウエハ直線部Wsの他端を通過する
とシャッタ5を閉じる。
The control means E opens the shutter 5 of the light irradiation means Mv to start the irradiation of the ultraviolet rays from the optical fiber irradiation end 6a, and drives the tangential displacement means My to move the light irradiation means Mv in the Y direction. Linearly displaced along the wafer linear portion Ws to linearly set the linear portion exposure width Ls by the ultraviolet rays from the optical fiber irradiation end 6a.
The exposure is carried out uniformly in step (see FIG. 4 (d)). When the optical fiber irradiation end 6a passes through the other end of the linear portion Ws of the wafer, the shutter 5 is closed.

【0051】次いで、円弧部露光のための準備動作に移
る。すなわち、制御手段Eは、回転手段Mθを駆動して
ウエハWを基準角度αだけ回転させるとともに、接線方
向変位手段Myを逆方向に駆動して光照射手段Mvをそ
の原点位置に戻す。次いで、制御手段Eは、露光幅設定
手段Cから円弧部露光幅Lcを読み取り、これに基づい
て半径方向変位手段Mxを駆動して光照射手段Mvのウ
エハ円弧部Wcに対する位置決めを行う(図4(e)参
照)。
Next, the preparatory operation for exposing the arc portion is started. That is, the control means E drives the rotation means Mθ to rotate the wafer W by the reference angle α, and drives the tangential displacement means My in the opposite direction to return the light irradiation means Mv to its original position. Next, the control means E reads the arc width exposure width Lc from the exposure width setting means C, and drives the radial displacement means Mx based on the read to position the light irradiation means Mv with respect to the wafer circular arc portion Wc (FIG. 4). (E)).

【0052】制御手段Eは、光照射手段Mvのシャッタ
5を開いて光ファイバ照射端6aから紫外線の照射を再
開するとともに、回転手段Mθを駆動することによって
ウエハWを光照射手段Mvに対して回転させ、光ファイ
バ照射端6aからの紫外線によってウエハ円弧部Wcを
円弧部露光幅Lcにおいて均一に露光していく(図4
(f)参照)。光ファイバ照射端6aがウエハ円弧部W
cの終端を通過するとシャッタ5を閉じる。そして、半
径方向変位手段Mxを駆動して光照射手段Mvを原点位
置に戻す。
The control means E opens the shutter 5 of the light irradiation means Mv to restart the irradiation of the ultraviolet rays from the optical fiber irradiation end 6a, and drives the rotating means Mθ to expose the wafer W to the light irradiation means Mv. The wafer arc Wc is rotated and is uniformly exposed in the arc exposure width Lc by the ultraviolet rays from the optical fiber irradiation end 6a (FIG. 4).
(See (f)). The optical fiber irradiating end 6a is positioned at the wafer arc W
After passing the end of c, the shutter 5 is closed. Then, the radial displacement means Mx is driven to return the light irradiation means Mv to the origin position.

【0053】以上によって、ウエハ直線部Wsは、直線
部Wsの全長にわたって均一な露光幅で露光される。な
お、ウエハ円弧部Wcの露光幅Lcから独立した露光幅
Lsで露光される。
As described above, the wafer straight portion Ws is exposed with a uniform exposure width over the entire length of the straight portion Ws. The exposure is performed with an exposure width Ls independent of the exposure width Lc of the wafer arc Wc.

【0054】なお、この動作例では、制御手段Eは、直
線部Wsの露光を先に、円弧部Wcの露光を後に行った
が、これとは逆に、円弧部Wcの露光を先に、直線部W
sの露光を後に行うようにしてもよい。
In this operation example, the control means E performs the exposure of the straight line portion Ws first and the exposure of the circular arc portion Wc later, but on the contrary, the control means E first exposes the circular arc portion Wc. Straight part W
The exposure of s may be performed later.

【0055】また、円弧部露光幅Lc,直線部露光幅L
sの設定値をどのように選択するかは任意であり、条件
や目的に応じて適正なそして種々の組み合わせのもとに
両露光幅Lc,Lsを自由に変更することができる。
The exposure width Lc of the arc portion and the exposure width L of the straight portion
How to select the set value of s is arbitrary, and both exposure widths Lc and Ls can be freely changed under appropriate and various combinations according to conditions and purposes.

【0056】<第2のウエハの周辺部露光装置>この第
2のウエハの周辺部露光装置が本発明の実施例に対応す
る。
<Second Wafer Peripheral Exposure Apparatus> This second wafer peripheral exposure apparatus corresponds to an embodiment of the present invention.

【0057】この場合、基本的には図3に示したブロッ
ク図と同様の構成をもつ。ただし、露光幅設定手段C
は、円弧部Wc,直線部Wsといった大きな分け方での
露光幅の設定ではなく、もっと細かく設定できるもので
あり、特に、円弧部Wcにおいては、回転角度θtに応
じた露光幅L(θt )を設定するものとして構成されて
いる。また、制御手段Eは、回転角度θtに基づいて露
光幅設定手段Cからそのときの回転角度θtに応じた露
光幅L(θt )を読み出し、その露光幅L(θt )に基
づいて半径方向変位手段Mxを駆動して光照射手段Mv
のウエハWに対して位置の調整を行うものとして構成さ
れている。
In this case, the configuration is basically the same as that of the block diagram shown in FIG. However, the exposure width setting means C
Can be set more finely than the exposure width in a large division such as an arc portion Wc and a straight line portion Ws. In particular, in the arc portion Wc, the exposure width L (θ t according to the rotation angle θt can be set. ) Is set. The control means E reads an exposure width L (θ t ) corresponding to the rotation angle θt at that time from the exposure width setting means C based on the rotation angle θt, and obtains a radius based on the exposure width L (θ t ). Driving the direction displacement means Mx to irradiate the light irradiation means Mv
The wafer W is adjusted in position.

【0058】制御手段Eは、回転手段Mθを駆動してウ
エハWを回転させる一方、回転角度演算手段Bは、直線
部検出用ラインセンサAの検出信号に基づいて基準角度
αを算出する(図5(a)参照)。
The control means E drives the rotation means Mθ to rotate the wafer W, while the rotation angle calculation means B calculates the reference angle α based on the detection signal of the linear portion detection line sensor A (FIG. 5 (a)).

【0059】制御手段Eは、基準角度αを算出した後、
一旦、回転手段Mθの駆動を停止して、露光のための準
備動作に移る。すなわち、制御手段Eは、露光幅設定手
段Cから停止角度θt0 に応じた露光幅L(θt0)を読
み取り、これに基づいて半径方向変位手段Mxを駆動し
て光照射手段Mvのウエハ円弧部Wcに対する位置決め
を行う(図5(b)参照)。
The control means E, after calculating the reference angle α,
The driving of the rotating means Mθ is stopped once, and the operation moves to the preparation operation for exposure. That is, the control unit E reads the exposure width L (θ t0 ) corresponding to the stop angle θt 0 from the exposure width setting unit C, and drives the radial displacement unit Mx based on the read exposure width L (θ t0 ) to thereby control the wafer arc of the light irradiation unit Mv. Positioning with respect to the portion Wc is performed (see FIG. 5B).

【0060】制御手段Eは、光照射手段Mvのシャッタ
5を開いて、光ファイバ照射端6aから紫外線の照射を
開始するとともに、回転手段Mθを駆動してウエハWを
回転しながらウエハ円弧部Wcを露光していく(図5
(c)参照)。この間、回転手段Mθのパルスエンコー
ダからの信号によって回転角度演算手段Bで演算された
現在の回転角度θtが常に監視されている。
The control means E opens the shutter 5 of the light irradiation means Mv to start the irradiation of ultraviolet rays from the optical fiber irradiation end 6a, and drives the rotating means Mθ to rotate the wafer W and rotate the wafer W arc portion Wc. Is exposed (Fig. 5
(C)). During this time, the current rotation angle θt calculated by the rotation angle calculation means B based on the signal from the pulse encoder of the rotation means Mθ is constantly monitored.

【0061】回転角度θtが露光幅の変化点θt1 に達
したとき、制御手段Eは回転手段Mθを停止する。そし
て、露光幅設定手段Cから読み出した露光幅L(θt1
に基づいて半径方向変位手段Mxを駆動し、光照射手段
Mvのウエハ円弧部Wcに対して位置調整を改めて行う
(図5(d)参照)。
When the rotation angle θt reaches the change point θt 1 of the exposure width, the control means E stops the rotation means Mθ. Then, the exposure width L (θ t1 ) read from the exposure width setting means C
, The radial direction displacement means Mx is driven to adjust the position of the light irradiating means Mv with respect to the wafer arc portion Wc again (see FIG. 5D).

【0062】再び、回転手段Mθを駆動してウエハWを
回転しながら、新たな露光幅L(θt1)において円弧部
Wcを露光していく。そして、再度、回転角度θtが露
光幅の変化点θt2 に達したとき、制御手段Eは回転手
段Mθを停止し、露光幅設定手段Cから読み出した露光
幅L(θt2)に基づいて半径方向変位手段Mxを駆動
し、光照射手段Mvのウエハ円弧部Wcに対して位置調
整を改めて行う(図5(e)参照)。
Again, while rotating the wafer M by driving the rotating means Mθ, the circular arc portion Wc is exposed with a new exposure width L (θ t1 ). Then, when the rotation angle θt reaches the change point θt 2 of the exposure width again, the control means E stops the rotation means Mθ, and the radius is calculated based on the exposure width L (θ t2 ) read from the exposure width setting means C. The direction displacement means Mx is driven, and the position adjustment is performed again with respect to the wafer arc portion Wc of the light irradiation means Mv (see FIG. 5E).

【0063】なお、L(θt2)=L(θt0)<l
(θt1)とするのが普通である。クランプ爪kによるク
ランプ領域Wkのレジスト除去のためである。
L (θ t2 ) = L (θ t0 ) <l
t1 ). This is for removing the resist in the clamp region Wk by the clamp claw k.

【0064】このようにして、ウエハ円弧部Wcにおい
て、広幅のクランプ領域Wkが複数箇所露光される(図
5(f)参照)。
In this manner, the wide clamp region Wk is exposed at a plurality of positions in the wafer arc Wc (see FIG. 5 (f)).

【0065】なお、ウエハ直線部Wsに対する露光の際
は、回転角度θti ごとの露光幅L(θti)によって細
かく段階的に露光幅を調整するものとする。すなわち、
直線部Wsに対しても、回転角度に応じた設定露光幅に
基づく露光を行うのである。この場合、接線方向変位手
段Myは不要となる。
When the wafer straight portion Ws is exposed, the exposure width is finely and stepwise adjusted by the exposure width L (θ ti ) for each rotation angle θt i . That is,
The exposure based on the set exposure width according to the rotation angle is also performed on the linear portion Ws. In this case, the tangential displacement means My becomes unnecessary.

【0066】あるいは、ウエハ端部Weの検出をもっ
て、図4(b)のようにウエハ直線部WsをY方向と平
行とし、接線方向変位手段Myの駆動による光照射手段
Mvの直線移動でもって直線部Wsを露光してもよい。
Alternatively, when the wafer edge We is detected, the wafer linear portion Ws is made parallel to the Y direction as shown in FIG. 4B, and the tangential displacement means My is driven to linearly move the light irradiation means Mv. The portion Ws may be exposed.

【0067】別の方式として、ウエハWを2回転させる
とし、1回転目では細い露光幅L(θt0)を一定の露光
幅として固定化し、その一定露光幅にて1周して連続露
光し、2回転目では広い露光幅L(θt1)を一定の露光
幅として固定化するとともに、その広い幅のところの回
転角度と一致したときのみシャッタ5を開いて露光し、
他の角度範囲ではシャッタ5を閉じておくというふうに
構成してもよい。
As another method, the wafer W is rotated twice, and the thin exposure width L (θ t0 ) is fixed as a constant exposure width in the first rotation, and the exposure is continuously performed by making one rotation with the constant exposure width. In the second rotation, the wide exposure width L (θ t1 ) is fixed as a constant exposure width, and the shutter 5 is opened and exposed only when the rotation angle at the wide width matches.
In another angle range, the shutter 5 may be closed.

【0068】[0068]

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、請求項
1に記載の発明によれば、現在の回転角度に応じた設定
露光幅に従って光照射手段のウエハ円弧部に対する位置
調整を行うから、後工程においてクランプ爪でつかむ角
度位置では他の角度位置よりも露光幅を大きめに設定し
ておくことにより、クランプ領域を他の領域よりも大き
な幅で露光することが可能となる。したがって、クラン
プ爪でクランプ領域をつかんだときにレジストが剥離し
てウエハのパターン上に付着したり装置を汚染するとい
った不都合を防止することができる。
As is apparent from the above description, according to the invention described in claim 1, the position adjustment of the light irradiation means with respect to the wafer arc portion is performed according to the set exposure width according to the current rotation angle. By setting the exposure width at the angular position grasped by the clamp claws in a later step to be larger than that at other angular positions, the clamp area can be exposed with a width larger than other areas. Therefore, it is possible to prevent inconvenience such that the resist is peeled off when the clamp area is gripped by the clamp claws and adheres to the pattern of the wafer or contaminates the apparatus.

【0069】また、厚膜領域が広い場合に、そこだけを
広い幅で露光することが可能であるので、厚膜領域の全
域に対して露光することができる。
Further, when the thick film region is large, it is possible to expose only that region with a wide width, and therefore the entire thick film region can be exposed.

【0070】請求項2、3に記載の発明でも、上述した
請求項1と同様に、クランプ領域を他の領域よりも大き
な幅で露光したり、厚膜領域が広い場合に、そこだけを
広い幅で露光することが可能であり、ウエハや装置の汚
染を防止でき、厚膜領域の全域に対して露光することも
できる。
Also in the inventions described in claims 2 and 3, similarly to the above-mentioned claim 1, when the clamp region is exposed with a larger width than other regions or when the thick film region is wide, only that region is wide. The width can be used for exposure, contamination of the wafer and the device can be prevented, and the entire thick film region can be exposed.

【0071】また、請求項1に記載の発明では、上記以
外にも、ウエハ直線部を露光するときには、ウエハの回
転を停めた状態で光照射手段をウエハ直線部に沿って直
線的に変位させるから、直線部の全長にわたって同一露
光幅で露光することもできる。
Further, in the invention described in claim 1, in addition to the above, when exposing the linear portion of the wafer, the light irradiation means is linearly displaced along the linear portion of the wafer while the rotation of the wafer is stopped. Therefore, it is also possible to perform exposure with the same exposure width over the entire length of the linear portion.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】ウエハの周辺部露光装置の機械的・光学的構造
を示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing a mechanical and optical structure of a wafer peripheral exposure apparatus.

【図2】ウエハの周辺部露光装置の別形態の構造を示す
斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing the structure of another form of a wafer peripheral exposure apparatus.

【図3】ウエハの周辺部露光装置のブロック構成図であ
る。
FIG. 3 is a block configuration diagram of a wafer peripheral exposure apparatus.

【図4】第1のウエハの周辺部露光装置の動作説明図で
ある。
FIG. 4 is an operation explanatory view of a first wafer peripheral exposure apparatus.

【図5】第2のウエハの周辺部露光装置の動作説明図で
ある。
FIG. 5 is an operation explanatory diagram of a peripheral exposure apparatus for a second wafer.

【図6】従来の問題点を指摘するための図である。FIG. 6 is a diagram for pointing out a conventional problem.

【図7】従来の別の問題点を指摘するための図である。FIG. 7 is a diagram for pointing out another conventional problem.

【図8】従来のさらに別の問題点を指摘するための図で
ある。
FIG. 8 is a diagram for pointing out still another problem of the related art.

【図9】従来のさらに別の問題点を指摘するための図で
ある。
FIG. 9 is a diagram for pointing out still another conventional problem.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…スピンチャック 2…水銀キセノンランプ 5…シャッタ 6…光ファイバ 6a…照射端 7…ファイバ支持アーム 8…X−Yテーブル 9…ラインセンサ 10x,10y…一軸テーブル W…ウエハ Wc…ウエハ円弧部 Ws…ウエハ直線部 Mθ…回転手段 Mv…光照射手段 Mx…半径方向変位手段 My…接線方向変位手段 A…直線部検出用ラインセンサ B…回転角度演算手段 C…露光幅設定手段 E…制御手段 θt…回転角度 L(θt )…回転角度に応じた露光幅DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Spin chuck 2 ... Mercury xenon lamp 5 ... Shutter 6 ... Optical fiber 6a ... Irradiation end 7 ... Fiber support arm 8 ... XY table 9 ... Line sensor 10x, 10y ... Uniaxial table W ... Wafer Wc ... Wafer arc part Ws ... Linear portion of wafer Mθ ... Rotating means Mv ... Light irradiating means Mx ... Radial direction displacing means My ... Tangential direction displacing means A ... Linear part detecting line sensor B ... Rotation angle calculating means C ... Exposure width setting means E ... Control means θt … Rotation angle L (θ t )… Exposure width according to rotation angle

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高田 剛 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 (72)発明者 亀井 謙治 京都市伏見区羽束師古川町322番地 大日 本スクリーン製造株式会社洛西事業所内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Go Takada, 322 Hazashishi Furukawa-cho, Fushimi-ku, Kyoto City Dainichi Hon screen manufacturing Co., Ltd. Rakusai Plant Dainichi Main Screen Manufacturing Co., Ltd. Rakusai Plant

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 周辺部が円弧部と直線部とからなるウエ
ハを回転する回転手段と、 ウエハの周辺部を露光する光照射手段と、 ウエハ直線部を検出する直線部検出用ラインセンサと、 前記直線部検出用ラインセンサによるウエハ直線部の検
出に基づいて現在のウエハの回転角度情報を求める回転
角度演算手段と、 前記光照射手段を前記回転手段の回転中心に対して相対
的に接近離間させる半径方向変位手段と、 前記光照射手段を前記半径方向変位手段の変位方向に対
して直角な方向に沿って回転手段に対して相対的に変位
させる接線方向変位手段と、 回転角度に応じた露光幅を設定する露光幅設定手段と、 前記回転角度演算手段による回転角度情報に基づいて前
記露光幅設定手段からそのときの回転角度に応じた露光
幅を読み出し、その読み出した設定露光幅に基づいて前
記半径方向変位手段を駆動して光照射手段のウエハ円弧
部に対する位置の調整を行うとともに、前記回転角度演
算手段による回転角度情報がウエハ直線部の露光開始を
示しているときには、前記回転手段の停止状態で、前記
半径方向変位手段を駆動して前記光照射手段のウエハ直
線部に対する位置決めを行った後、前記接線方向変位手
段を駆動して前記光照射手段をウエハ直線部に沿って相
対的に直線的に変位させる制御手段とを備えたことを特
徴とするウエハの周辺部露光装置。
1. A rotating means for rotating a wafer having a circular part and a linear part at a peripheral part, a light irradiating means for exposing a peripheral part of the wafer, a linear part detecting line sensor for detecting a linear part of the wafer, Rotation angle calculation means for obtaining current rotation angle information of the wafer based on the detection of the linear part of the wafer by the line sensor for linear part detection; and A radial displacement means for causing the light irradiation means to relatively displace relative to a rotation means in a direction perpendicular to a displacement direction of the radial displacement means; An exposure width setting unit for setting an exposure width; and an exposure width corresponding to a rotation angle at that time is read from the exposure width setting unit based on rotation angle information from the rotation angle calculation unit. The position of the light irradiating unit with respect to the circular arc portion of the wafer is adjusted by driving the radial displacement unit based on the set exposure width that has been issued, and the rotation angle information by the rotation angle calculation unit indicates the start of exposure of the wafer linear portion. When the rotating means is stopped, the radial displacement means is driven to position the light irradiation means with respect to the linear portion of the wafer, and then the tangential displacement means is driven to drive the light irradiation means. Control means for relatively linearly displacing along a linear portion of the wafer.
【請求項2】 周辺部が円弧部と直線部とからなるウエ
ハを回転する回転手段と、 ウエハの周辺部を露光する光照射手段と、 ウエハ直線部を検出する直線部検出用ラインセンサと、 前記直線部検出用ラインセンサによるウエハ直線部の検
出に基づいて現在のウエハの回転角度情報を求める回転
角度演算手段と、 前記光照射手段を前記回転手段の回転中心に対して相対
的に接近離間させる半径方向変位手段と、 回転角度に応じた露光幅を設定する露光幅設定手段と、 前記回転角度演算手段にて算出された回転角度を監視
し、監視した回転角度が前記露光幅設定手段で設定され
た露光幅の変化点に達した時に、前記露光幅設定手段か
らそのときの回転角度に応じた露光幅を読み出して、露
光幅の変化点の角度ごとに、前記半径方向変位手段を駆
動して光照射手段のウエハ周辺部に対する位置の調整を
行う制御手段とを備えたことを特徴とするウエハの周辺
部露光装置。
2. A rotating means for rotating a wafer, the peripheral portion of which is composed of an arc portion and a linear portion, a light irradiation means for exposing the peripheral portion of the wafer, and a linear portion detecting line sensor for detecting the linear portion of the wafer. Rotation angle calculation means for obtaining current wafer rotation angle information based on the detection of the wafer straight line portion by the straight line portion detection line sensor, and the light irradiation means relatively approaching and separating from the rotation center of the rotation means. Radial displacement means, an exposure width setting means for setting an exposure width according to a rotation angle, a rotation angle calculated by the rotation angle calculation means, and the monitored rotation angle is adjusted by the exposure width setting means. When the set change point of the exposure width is reached, the exposure width according to the rotation angle at that time is read from the exposure width setting means, and the radial displacement means is driven at each angle of the change point of the exposure width. And a control means for moving the light irradiation means to adjust the position of the light irradiation means with respect to the peripheral portion of the wafer.
【請求項3】 周辺部が円弧部と直線部とからなるウエ
ハを回転する回転手段と、 ウエハの周辺部を露光する光照射手段と、 ウエハ直線部を検出する直線部検出用ラインセンサと、 前記直線部検出用ラインセンサによるウエハ直線部の検
出に基づいて現在のウエハの回転角度情報を求める回転
角度演算手段と、 前記光照射手段を前記回転手段の回転中心に対して相対
的に接近離間させる半径方向変位手段と、 回転角度に応じた露光幅を設定する露光幅設定手段と、 前記回転角度演算手段にて算出された回転角度を監視
し、監視した回転角度が前記露光幅設定手段で設定され
た露光幅の変化点に達した時に、前記回転手段の駆動を
停止し、前記露光幅設定手段からそのときの回転角度に
応じて読み出した露光幅へ、前記半径方向変位手段を駆
動して光照射手段のウエハ周辺部に対する位置の調整を
行い、前記回転手段の駆動を再開する制御手段とを備え
たことを特徴とするウエハの周辺部露光装置。
3. A rotating means for rotating a wafer whose peripheral portion is composed of an arc portion and a linear portion, a light irradiation means for exposing the peripheral portion of the wafer, and a linear portion detecting line sensor for detecting the linear portion of the wafer. Rotation angle calculation means for obtaining current wafer rotation angle information based on the detection of the wafer straight line portion by the straight line portion detection line sensor, and the light irradiation means relatively approaching and separating from the rotation center of the rotation means. Radial displacement means, an exposure width setting means for setting an exposure width according to a rotation angle, a rotation angle calculated by the rotation angle calculation means, and the monitored rotation angle is adjusted by the exposure width setting means. When the set change point of the exposure width is reached, the drive of the rotating means is stopped, and the radial displacement means is driven to the exposure width read from the exposure width setting means according to the rotation angle at that time. And a control means for adjusting the position of the light irradiating means with respect to the peripheral part of the wafer by moving the light irradiating means and restarting the driving of the rotating means.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2016111300A (en) * 2014-12-10 2016-06-20 東京エレクトロン株式会社 Method for removing resist film, apparatus for removing resist film, and storage medium
KR20160090902A (en) * 2014-02-27 2016-08-01 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 Gui device for direct-drawing apparatus, direct-drawing system, and method and program for setting drawing area

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JPH03218619A (en) * 1989-02-16 1991-09-26 Tokyo Electron Ltd Aligner

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