JPH08213111A - 同軸中継アダプタおよび高周波半導体実装装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 高周波特性を良好にし、トルクレンチ等を使
用する作業空間を不要とし、パッケージ間を確実に接続
し、装置を小型にし、製造コストを安価とし、パッケー
ジの交換作業を容易とする。 【構成】 対向する平行平面を有する直方体状の金属ブ
ロック６ａに貫通孔５を設け、貫通孔５内に接続子４を
設け、接続子４の両端部に円筒状でかつ軸方向のスリッ
ト（図示せず）が設けられたバネ構造の接続部４ａ、４
ｂを設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】この発明は高周波半導体素子が実
装されたパッケージまたは上記パッケージを用いた高周
波半導体実装体を複数接続するための同軸中継アダプタ
および上記パッケージを複数用いた高周波半導体実装装
置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１０は従来の高周波半導体実装装置を
示す斜視図である。図に示すように、金属筐体３４内に
絶縁材料からなる導波路基板３５が設けられ、導波路基
板３５に導波路パターン３９が形成され、金属筐体３４
内に高周波半導体素子が実装されたパッケージ２０が設
けられ、パッケージ２０の高周波入出力リード４０と導
波路パターン３９とがハンダ、銀ペースト等によって接
続され、金属筐体３４に直流供給端子３６が取り付けら
れ、パッケージ２０の外部電極リードと直流供給端子３
６とが接続ケーブル３８を介して接続され、パッケージ
２０の外部電極リード、直流供給端子３６と接続ケーブ
ル３８とがハンダ、銀ペースト等によって接続され、金
属筐体３４にキャップ３７が取り付けられ、金属筐体３
４、パッケージ２０、キャップ３７等によって高周波半
導体実装体が構成されている。また、金属筐体３４のネ
ジ穴２５に雌型の高周波同軸コネクタプラグ２７、雄型
の高周波同軸コネクタプラグ２８が取り付けられ、高周
波同軸コネクタプラグ２７、２８の同軸ピン２６に高周
波ガラス同軸端子４７の中心導体４８が接続され、中心
導体４８と導波路パターン３９とがハンダ、銀ペースト
等によって接続され、高周波同軸コネクタプラグ２７、
２８を介して高周波半導体実装体が接続されている。

【０００３】図１１は従来の他の高周波半導体実装装置
を示す分解斜視図である。図に示すように、断面コ字状
の筐体ブロック２３に中心導体通過溝２４が設けられ、
筐体ブロック２３、パッケージ２０等によって高周波半
導体実装体が構成されている。また、筐体ブロック２３
のネジ穴２５に高周波同軸コネクタプラグ２７、２８が
取り付けられ、高周波同軸コネクタプラグ２７、２８の
同軸ピン２６にパッケージ２０の高周波ガラス同軸端子
１７の中心導体１８が接続され、高周波同軸コネクタプ
ラグ２７、２８を介して高周波半導体実装体が接続され
ている。

【０００４】つぎに、図１１に示した高周波半導体実装
装置の組立手順について説明する。まず、中心導体通過
溝２４内に中心導体１８を通過させて、パッケージ２０
を筐体ブロック２３の底部に配置する。つぎに、同軸ピ
ン２６と中心導体１８とを嵌合する。つぎに、高周波同
軸コネクタプラグ２７、２８をネジ穴２５に取り付け
る。つぎに、高周波同軸コネクタプラグ２７と高周波同
軸コネクタプラグ２８とを一定のトルクで締め付けるこ
とにより、高周波同軸コネクタプラグ２７、２８を接続
する。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、図１０、１１
に示した高周波半導体実装装置においては、各パッケー
ジ２０を接続するのに高周波同軸コネクタプラグ２７、
２８を用いているから、総伝送路長が長くなるので、反
射損失および伝送損失が大きくなるため、高周波特性が
良好ではなく、また高周波同軸コネクタプラグ２７、２
８を接続する際に、トルクレンチ等を使用して高周波同
軸コネクタプラグ２８を回転する必要があるので、トル
クレンチ等を使用する作業空間が必要となり、また高周
波同軸コネクタプラグ２８を回転したときに、高周波ガ
ラス同軸端子４７、１７との接続部に機械的な応力が加
わるから、この接続部での接続不良が発生することがあ
り、パッケージ２０間を確実に接続することができな
い。また、各パッケージ２０ごとに金属筐体３４、筐体
ブロック２３を用いているとともに、各パッケージ２０
を接続するのに高周波同軸コネクタプラグ２７、２８を
用いているから、装置が大型になるとともに、製造コス
トが高価となる。また、図１０に示した高周波半導体実
装装置においては、パッケージ２０を交換するために高
周波半導体実装体を交換するときには、高周波半導体実
装体間の高周波同軸コネクタプラグ２７と高周波同軸コ
ネクタプラグ２８とを取り外す必要があるから、パッケ
ージ２０の交換作業が面倒である。また、図１１に示し
た高周波半導体実装装置においては、パッケージ２０を
交換するために高周波半導体実装体を交換するときに
は、高周波半導体実装体間の高周波同軸コネクタプラグ
２７と高周波同軸コネクタプラグ２８とを緩める必要が
あるから、パッケージ２０の交換作業が面倒である。

【０００６】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、高周波特性が良好であり、トルクレンチ
等を使用する作業空間が必要でなく、パッケージ間を確
実に接続することができ、装置が小型になるとともに、
製造コストが安価となり、パッケージの交換作業が容易
である同軸中継アダプタ、高周波半導体実装装置を提供
することを目的とする。

【０００７】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、高周波半導体素子が実装され
たパッケージまたは上記パッケージを用いた高周波半導
体実装体を複数接続するための同軸中継アダプタにおい
て、金属ブロックに貫通孔を設け、上記貫通孔内に接続
子を設け、上記接続子の両端部にバネ構造の接続部を設
ける。

【０００８】この場合、第１の外装スリーブの端部に大
内径部を設け、第２の外装スリーブの端部に小外径部を
設け、上記大内径部と上記小外径部とを嵌合して上記金
属ブロックを構成し、上記第２の外装スリーブの端部に
取付溝を設け、上記取付溝に上記接続子を保持した支持
絶縁体を設ける。

【０００９】また、断面半円状の溝を有する第１、第２
の外装体を重ね合わせて上記金属ブロックを構成し、半
円柱状の第１、第２の分割接続子を重ね合わせて上記接
続子を構成する。

【００１０】また、高周波半導体素子が実装されかつ高
周波同軸端子を有するパッケージを複数用いた高周波半
導体実装装置において、金属ブロックに貫通孔を設けか
つ上記貫通孔内に両端部にバネ構造の接続部を有する接
続子を設けた同軸中継アダプタの上記接続部に上記高周
波同軸端子の中心導体を接続する。

【００１１】

【作用】この同軸中継アダプタ、高周波半導体実装装置
においては、総伝送路長が短くなり、パッケージ間を接
続する際にトルクレンチ等を使用する必要がなく、パッ
ケージ間を接続する際にパッケージの接続部に機械的な
応力が加わることがなく、各パッケージごとに金属筐
体、筐体ブロックを用いる必要がなくかつ各パッケージ
を接続するのに高周波同軸コネクタプラグを用いず、高
周波半導体実装装置の両端に取り付けられた高周波同軸
コネクタプラグを緩めれば、パッケージを交換すること
ができる。

【００１２】また、第１の外装スリーブの端部に大内径
部を設け、第２の外装スリーブの端部に小外径部を設
け、上記大内径部と上記小外径部とを嵌合して上記金属
ブロックを構成し、上記第２の外装スリーブの端部に取
付溝を設け、上記取付溝に上記接続子を保持した支持絶
縁体を設けたときには、組立が容易である。

【００１３】また、断面半円状の溝を有する第１、第２
の外装体を重ね合わせて金属ブロックを構成し、半円柱
状の第１、第２の分割接続子を重ね合わせて接続子を構
成したときには、高周波半導体実装装置の両端に取り付
けられた高周波同軸コネクタプラグを緩めることなく、
パッケージを交換することができる。

【００１４】

【実施例】図１はこの発明に係る同軸中継アダプタを示
す断面図、図２は図１に示した同軸中継アダプタを示す
斜視図である。図に示すように、対向する平行平面を有
する直方体状の金属ブロック６ａに貫通孔５が設けら
れ、貫通孔５内に接続子４が設けられ、接続子４の両端
部に円筒状でかつ軸方向のスリット（図示せず）が設け
られたバネ構造の接続部４ａ、４ｂが設けられ、接続部
４ａ、４ｂの端面は金属ブロック６ａの壁面より若干内
側に位置している。

【００１５】図３はこの発明に係る他の同軸中継アダプ
タを示す断面図、図４は図３に示した同軸中継アダプタ
を示す斜視図である。図に示すように、第１の外装スリ
ーブ７の端部に大内径部７ａが設けられ、第２の外装ス
リーブ８の端部に小外径部８ａが設けられ、大内径部７
ａと小外径部８ａとが嵌合されて貫通孔５を有する円筒
状の金属ブロック６ｂが構成され、外装スリーブ８の端
部に取付溝１０が設けられ、取付溝１０に支持絶縁体９
が設けられ、支持絶縁体９に接続子４が保持され、接続
子４の両端部にバネ構造の接続部４ａ、４ｂが設けら
れ、接続部４ａ、４ｂの端面は金属ブロック６ｂの壁面
より若干内側に位置している。

【００１６】図５はこの発明に係る他の同軸中継アダプ
タを示す分解斜視図である。図に示すように、断面半円
状の溝５１を有する第１の外装体１３と断面半円状の溝
５２を有する第２の外装体１４とにネジ穴１２が設けら
れ、外装体１３、１４が重ね合わされ、締付ネジ１１が
ネジ穴１２に螺合されて、外装体１３、１４により貫通
孔を有する直方体状の金属ブロック６ｃが構成され、半
円柱状の第１、第２の分割接続子４ａ、４ｂが重ね合わ
されて接続子が構成されている。

【００１７】図６は図３、図４に示した同軸中継アダプ
タを用いた高周波半導体実装装置すなわちこの発明に係
る高周波半導体実装装置を示す分解斜視図、図７は図６
に示した高周波半導体実装装置を示す断面図である。図
に示すように、筐体ブロック２３に中心導体通過溝２４
が設けられ、筐体ブロック２３に２つのパッケージ２０
が設けられ、パッケージ２０のフレーム１５に高周波半
導体素子２１が実装され、高周波半導体素子２１の端子
に金ワイヤ２２が接続され、フレーム１５にシールキャ
ップ１６が取り付けられ、パッケージ２０間に同軸中継
アダプタ２が設けられ、接続子４の接続部４ａ、４ｂに
中心導体１８が挿入され、筐体ブロック２３のネジ穴２
５に高周波同軸コネクタプラグ２７、２８が取り付けら
れ、同軸ピン２６の嵌合接続部２９に高周波ガラス同軸
端子１７の中心導体１８が接続されている。

【００１８】つぎに、図６、図７に示した高周波半導体
実装装置の組立手順について説明する。まず、図６に示
す状態から、接続子４の接続部に中心導体１８を挿入す
る。つぎに、中心導体通過溝２４内に中心導体１８を通
過させて、２つのパッケージ２０および同軸中継アダプ
タ２を筐体ブロック２３の底部に配置する。つぎに、同
軸ピン２６と中心導体１８とを嵌合する。つぎに、高周
波同軸コネクタプラグ２７、２８をネジ穴２５に取り付
ける。

【００１９】図３、図４に示した同軸中継アダプタ、図
６、図７に示した高周波半導体実装装置においては、各
パッケージ２０を接続するのに高周波同軸コネクタプラ
グ２７、２８を用いた場合と比較して総伝送路長が短く
なるから、反射損失および伝送損失が小さくなるので、
高周波特性が良好である。また、パッケージ２０間を接
続する際にトルクレンチ等を使用する必要がないから、
トルクレンチ等を使用する作業空間が不要である。ま
た、パッケージ２０間を接続する際にパッケージ２０の
接続部に機械的な応力が加わることがないから、この接
続部での接続不良が発生することがないので、パッケー
ジ２０間を確実に接続することができる。また、各パッ
ケージ２０ごとに筐体ブロック２３を用いる必要がなく
かつ各パッケージ２０を接続するのに高周波同軸コネク
タプラグ２７、２８を用いないから、装置が小型になる
とともに、製造コストが安価となる。また、高周波半導
体実装装置の両端に取り付けられた高周波同軸コネクタ
プラグ２７、２８を緩めれば、パッケージ２０を交換す
ることができるから、パッケージ２０の交換作業が容易
である。また、同軸中継アダプタ２の組立が容易である
から、製造コストが安価になる。また、接続子４の接続
部４ａ、４ｂに中心導体１８を挿入してパッケージ２０
と同軸中継アダプタ２とが接続されているから、パッケ
ージ２０と筐体ブロック２３との熱膨張係数を一致させ
る必要がないので、筐体ブロック２３の材料として安価
で加工性の優れた金属を使用することができる。また、
両方のパッケージ２０を交換するときにも、筐体ブロッ
ク２３を再利用することができる。

【００２０】図８は図３、図４に示した同軸中継アダプ
タを用いた他の高周波半導体実装装置すなわちこの発明
に係る他の高周波半導体実装装置を示す分解斜視図であ
る。図に示すように、断面ロ字状の筐体ブロック４３に
中心導体通過溝２４が設けられ、筐体ブロック４３に２
つのパッケージ２０が設けられ、パッケージ２０間に同
軸中継アダプタ２が設けられ、接続子４の接続部に中心
導体１８が挿入され、筐体ブロック４３のネジ穴２５に
高周波同軸コネクタプラグ２７、２８が取り付けられ、
高周波同軸コネクタプラグ２７、２８の同軸ピン２６に
高周波ガラス同軸端子１７の中心導体１８が接続されて
いる。

【００２１】つぎに、図８に示した高周波半導体実装装
置の組立手順について説明する。まず、図８に示す状態
から、接続子４の接続部に中心導体１８を挿入する。つ
ぎに、中心導体通過溝２４内に中心導体１８を通過させ
て、２つのパッケージ２０および同軸中継アダプタ２を
筐体ブロック４３の内部に配置する。つぎに、同軸ピン
２６と中心導体１８とを嵌合する。つぎに、高周波同軸
コネクタプラグ２７、２８をネジ穴２５に取り付ける。

【００２２】図９は図５に示した同軸中継アダプタを用
いた高周波半導体実装装置すなわちこの発明に係る他の
高周波半導体実装装置を示す斜視図である。図に示すよ
うに、支持板３２の端部に取付ブロック３３が固定さ
れ、支持板３２上に配線基板３１が設けられ、配線基板
３１上に複数のパッケージ２０および同軸中継アダプタ
３が設けられ、分割接続子４ａ、４ｂからなる接続子の
接続部に中心導体が挿入され、取付ブロック３３のネジ
穴２５に高周波同軸コネクタプラグ２８が取り付けら
れ、高周波同軸コネクタプラグ２８の同軸ピンにパッケ
ージ２０の高周波ガラス同軸端子の中心導体が接続され
ている。

【００２３】つぎに、図９に示した高周波半導体実装装
置の組立手順について説明する。まず、支持板３２に配
線基板３１を配置し、支持板３２に取付ブロック３３を
配置する。つぎに、パッケージ２０の高周波ガラス同軸
端子の中心導体を高周波同軸コネクタプラグ２８の同軸
ピンに嵌合する。つぎに、配線基板３１上に外装体１
４、パッケージ２０を交互に配列する。つぎに、外装体
１４上に外装体１３を載置し、締付ネジ１１をネジ穴１
２に取り付ける。つぎに、高周波同軸コネクタプラグ２
８をネジ穴２５にねじ込み、パッケージ２０の側面と同
軸中継アダプタ３の側面とを密着させる。

【００２４】図５に示した同軸中継アダプタ、図９に示
した高周波半導体実装装置においては、交換すべきパッ
ケージ２０の両側の同軸中継アダプタ３の締付ネジ１１
を取り外したのち、外装体１３を取り外せば、高周波半
導体実装装置の両端に取り付けられた高周波同軸コネク
タプラグ２８を緩めることなく、パッケージ２０を交換
することができるから、パッケージ２０の交換作業が極
めて容易である。また、全てのパッケージ２０を交換す
るときにも、取付ブロック３３を再利用することができ
る。

【００２５】なお、上述実施例においては、同軸中継ア
ダプタ２、３によりパッケージ２０を接続した場合につ
いて説明したが、同軸中継アダプタ２、３によりパッケ
ージ２０を用いた高周波半導体実装体を複数接続しても
よい。また、上述実施例においては、接続子４を支持絶
縁体９で保持したが、貫通孔５内に樹脂を充填して接続
子４を保持してもよい。また、上述実施例においては、
金属ブロック６ａ〜６ｃを直方体状、円筒状としたが、
金属ブロックを他の形状としてもよい。また、上述実施
例においては、接続部４ａ、４ｂの端面を金属ブロック
６ａ、６ｂの壁面より若干内側に位置させたが、接続部
４ａ、４ｂの端面を金属ブロック６ａ、６ｂの壁面と同
一面としてもよい。

【００２６】

【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る同
軸中継アダプタ、高周波半導体実装装置においては、総
伝送路長が短くなるから、反射損失および伝送損失が小
さくなるので、高周波特性が良好であり、パッケージ間
を接続する際にトルクレンチ等を使用する必要がないか
ら、トルクレンチ等を使用する作業空間が不要であり、
高周波同軸コネクタプラグを回転したときに、パッケー
ジ間を接続する際にパッケージの接続部に機械的な応力
が加わることがないから、この接続部での接続不良が発
生することがないので、パッケージ間を確実に接続する
ことができ、各パッケージごとに金属筐体、筐体ブロッ
クを用いる必要がなくかつ各パッケージを接続するのに
高周波同軸コネクタプラグを用いないから、装置が小型
になるとともに、製造コストが安価となり、高周波半導
体実装装置の両端に取り付けられた高周波同軸コネクタ
プラグを緩めれば、パッケージを交換することができる
から、パッケージの交換作業が容易である。

【００２７】また、第１の外装スリーブの端部に大内径
部を設け、第２の外装スリーブの端部に小外径部を設
け、上記大内径部と上記小外径部とを嵌合して上記金属
ブロックを構成し、上記第２の外装スリーブの端部に取
付溝を設け、上記取付溝に上記接続子を保持した支持絶
縁体を設けたときには、組立が容易であるから、製造コ
ストが安価になる。

【００２８】また、断面半円状の溝を有する第１、第２
の外装体を重ね合わせて金属ブロックを構成し、半円柱
状の第１、第２の分割接続子を重ね合わせて接続子を構
成したときには、高周波半導体実装装置の両端に取り付
けられた高周波同軸コネクタプラグを緩めることなく、
パッケージを交換することができるから、パッケージの
交換作業が極めて容易である。

【図面の簡単な説明】

【図１】この発明に係る同軸中継アダプタを示す断面図
である。

【図２】図１に示した同軸中継アダプタを示す斜視図で
ある。

【図３】この発明に係る他の同軸中継アダプタを示す断
面図である。

【図４】図３に示した同軸中継アダプタを示す斜視図で
ある。

【図５】この発明に係る他の同軸中継アダプタを示す分
解斜視図である。

【図６】この発明に係る高周波半導体実装装置を示す分
解斜視図である。

【図７】図６に示した高周波半導体実装装置を示す断面
図である。

【図８】この発明に係る他の高周波半導体実装装置を示
す分解斜視図である。

【図９】この発明に係る他の高周波半導体実装装置を示
す斜視図である。

【図１０】従来の高周波半導体実装装置を示す斜視図で
ある。

【図１１】従来の他の高周波半導体実装装置を示す分解
斜視図である。

【符号の説明】

２…同軸中継アダプタ ３…同軸中継アダプタ ４…接続子 ４ａ、４ｂ…接続部 ５…貫通孔 ６ａ〜６ｃ…金属ブロック ７…第１の外装スリーブ ７ａ…大内径部 ８…第２の外装スリーブ ８ａ…小外径部 ９…支持絶縁体 １０…取付溝 １３…第１の外装体 １４…第２の外装体 １７…高周波ガラス同軸端子 １８…中心導体 ２０…パッケージ ２１…高周波半導体素子 ４１、４２…分割接続子 ５１、５２…溝

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】高周波半導体素子が実装されたパッケージ
   または上記パッケージを用いた高周波半導体実装体を複
   数接続するための同軸中継アダプタであって、金属ブロ
   ックに貫通孔を設け、上記貫通孔内に接続子を設け、上
   記接続子の両端部にバネ構造の接続部を設けたことを特
   徴とする同軸中継アダプタ。
2. 【請求項２】第１の外装スリーブの端部に大内径部を設
   け、第２の外装スリーブの端部に小外径部を設け、上記
   大内径部と上記小外径部とを嵌合して上記金属ブロック
   を構成し、上記第２の外装スリーブの端部に取付溝を設
   け、上記取付溝に上記接続子を保持した支持絶縁体を設
   けたことを特徴とする請求項１に記載の同軸中継アダプ
   タ。
3. 【請求項３】断面半円状の溝を有する第１、第２の外装
   体を重ね合わせて上記金属ブロックを構成し、半円柱状
   の第１、第２の分割接続子を重ね合わせて上記接続子を
   構成したことを特徴とする請求項１に記載の同軸中継ア
   ダプタ。
4. 【請求項４】高周波半導体素子が実装されかつ高周波同
   軸端子を有するパッケージを複数用いた高周波半導体実
   装装置において、金属ブロックに貫通孔を設けかつ上記
   貫通孔内に両端部にバネ構造の接続部を有する接続子を
   設けた同軸中継アダプタの上記接続部に上記高周波同軸
   端子の中心導体を接続したことを特徴とする高周波半導
   体実装装置。