JPH08211518A - Radiation detector and x-ray radiographing device - Google Patents

Radiation detector and x-ray radiographing device

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JPH08211518A
JPH08211518A JP1892495A JP1892495A JPH08211518A JP H08211518 A JPH08211518 A JP H08211518A JP 1892495 A JP1892495 A JP 1892495A JP 1892495 A JP1892495 A JP 1892495A JP H08211518 A JPH08211518 A JP H08211518A
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JP
Japan
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ray
image
phosphor
light
optical
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Pending
Application number
JP1892495A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Masayuki Nishiki
雅行 西木
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Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
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Publication date
Application filed by Toshiba Corp filed Critical Toshiba Corp
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Publication of JPH08211518A publication Critical patent/JPH08211518A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PURPOSE: To excellently detect X-rays in accordance with the intensity of the X-rays by performing exposure with different X-rays from an X-ray source and increasing/ decreasing the attenuation quantity of an optical attenuator in accordance with the intensity of the X-rays. CONSTITUTION: A system control part 13 gives an instruction corresponding to a fluoroscopy mode or a photographing mode to an X-ray control part 11 and a liquid crystal driving circuit 7a. When the system control part 13 gives the instruction corresponding to the fluoroscopy mode, the control part 11 applies previously set impressed voltage to an X-ray tube 3 so that the intensity of the X-rays from the X-ray tube 3 may be decreased, and the driving circuit 7a applies the previously set impressed voltage to a liquid crystal unit 7 so that the light transmissivity of the unit 7 may be increased and the attenuation quantity may be decreased. When the control part 13 gives the instruction corresponding to the photographing mode, the control part 11 applies the other previously set impressed voltage to the X-ray tube 3 so that the intensity of the X-rays from the X-ray tube 3 may be increased, and the driving circuit 7a applies the previously set impressed voltage to the unit 7 so that the light transmissivity of the unit 7 may be decreased and the attenuation quantity may be increased.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、被検体を透視したX線
を電気信号に変換し、被検体のX線透過像を検出してX
線検出を行うX線撮影装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention converts X-rays seen through a subject into electric signals and detects an X-ray transmission image of the subject to detect X-rays.
The present invention relates to an X-ray imaging device that performs line detection.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来から、被検体のX線透過像を検出す
るX線撮影装置として、例えば、フィルムと増感紙を組
み合わせたもの、イメージインテンシファイヤー(I.
I.)とTVカメラを組み合わせたもの、イメージング
プレートを用いたものなどがあり、今でもこれらを用い
てX線検出が行われている。
2. Description of the Related Art Conventionally, as an X-ray photographing apparatus for detecting an X-ray transmission image of a subject, for example, a combination of a film and an intensifying screen, an image intensifier (I.
I. ) And a TV camera, and those using an imaging plate, and X-ray detection is still performed using these.

【0003】また、これらのうちでI.I.を用いた装
置では糸まきひずみやシェーディング等の問題点であ
り、これを改善するものとして固体の薄型平面X線検出
器が提案されている(Demonstration of megavoltage a
nd diagnostic x-ray imagingwith hydrogenated amorp
hous silicon arrays(Med Phys.19(6),Nov/Dec 1992;
P.1455-1466)、特開昭61−62283「X線/電気
変換装置」、特開昭61−244176「デジタルラジ
オグラフイ装置」等)。
Among these, I.D. I. In the device using the, there are problems such as yarn winding distortion and shading, and a solid thin flat X-ray detector has been proposed as a solution to the problems (Demonstration of megavoltage a
nd diagnostic x-ray imaging with hydrogenated amorp
hous silicon arrays (Med Phys. 19 (6), Nov / Dec 1992;
P.1455-1466), JP-A-61-62283 "X-ray / electric conversion device", JP-A-61-244176 "digital radiographic device", etc.).

【0004】また、図8は、薄型平面X線検出器の断面
図であり、代表的な構成例を示したものである。この薄
型平面X線検出器101の各画素は、支持体136上に
TFT(thin film transistor)140及びpinフォ
トダイオード(PD)150を1つ有し、これがマトリ
クス状に配置され、これらの上方に蛍光体122を有す
るという構造になっている。TFT140及びPD15
0は、CVD法によってアモルファスシリコンで形成さ
れ、その支持体136の材質としてはガラスなどを用い
ることができる。支持体136上にまずAlのゲート電
極145のパターンを形成し、その上にCVD法によっ
てSiNx 膜132を成膜している。SiNx 膜132
上に、i−アモルファスシリコン(a−Si)膜14
8、n+ −アモルファスシリコン(n+ a−Si)膜1
43,147を形成してTFT140のチャネル領域1
48、TFT140のドレイン領域、ソース領域とし、
Alのドレイン電極142、ソース電極146のパター
ンが形成されている。ソース電極146のパターン上に
は、PD150のn+ a−Si層154、i−Si層1
53、p+ a−Si層154を形成し、その上に透明電
極126が形成されている。各PD150は、Alの金
属電極125で接続され、共通のレベルにされる。
FIG. 8 is a cross-sectional view of a thin flat X-ray detector, showing a typical configuration example. Each pixel of the thin flat X-ray detector 101 has one TFT (thin film transistor) 140 and one pin photodiode (PD) 150 on a support 136, which are arranged in a matrix and are arranged above them. It has a structure having a phosphor 122. TFT140 and PD15
0 is formed of amorphous silicon by the CVD method, and glass or the like can be used as the material of the support 136. First, the pattern of the Al gate electrode 145 is formed on the support 136, and the SiN x film 132 is formed thereon by the CVD method. SiN x film 132
On top of this, an i-amorphous silicon (a-Si) film 14 is formed.
8, n + -amorphous silicon (n + a-Si) film 1
43 and 147 to form the channel region 1 of the TFT 140
48, the drain region and the source region of the TFT 140,
A pattern of Al drain electrode 142 and source electrode 146 is formed. On the pattern of the source electrode 146, the n + a-Si layer 154 and the i-Si layer 1 of the PD 150 are formed.
53, the p + a-Si layer 154 is formed, and the transparent electrode 126 is formed thereon. The PDs 150 are connected to each other by an Al metal electrode 125 and have a common level.

【0005】TFT140及びPD150の上方をポリ
イミド樹脂124及び透明保護膜123でコーティング
し、その上に蛍光体122が形成されている。蛍光体1
22は、X線を吸収してX線強度に応じた蛍光を発する
ものであり、被検体のX線透過像に応じた光像がこの蛍
光体122で得られるようになっている。そして、X線
の入射面に設けられた光反射層121によって、蛍光体
122で生じた蛍光はPD150の側に行くようになっ
ている。
The upper part of the TFT 140 and the PD 150 is coated with a polyimide resin 124 and a transparent protective film 123, and the phosphor 122 is formed thereon. Phosphor 1
Numeral 22 absorbs X-rays and emits fluorescence corresponding to the X-ray intensity, and an optical image corresponding to the X-ray transmission image of the subject is obtained by this phosphor 122. Then, the light reflection layer 121 provided on the incident surface of the X-rays allows the fluorescence generated by the phosphor 122 to go to the PD 150 side.

【0006】検出器に入射するX線はまず蛍光体で可視
光に変換され、PD150で電荷に変換される。PD1
50でこの蛍光による光学像に応じて各画素の電荷が蓄
積され、TFT140によるスイッチで、蓄積された電
荷が外部に読み出されビデオ信号として出力される。
X-rays incident on the detector are first converted into visible light by the phosphor and converted into electric charges by the PD 150. PD1
At 50, the charge of each pixel is accumulated according to the optical image due to the fluorescence, and the accumulated charge is read out by the switch of the TFT 140 and output as a video signal.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】X線撮影装置は、動画
像を撮影する場合と静止画像を撮影する場合とで異なっ
たモードを有しており、動画像を撮影するための透視モ
ードでは長い時間X線を曝射するため弱いX線を曝射
し、静止画像を撮影するための撮影モードではノイズの
少ない画像を得るために強いX線を曝射してX線検出が
行われる。透視モードでは弱いX線によって弱い光量が
光センサーに入射し、撮影モードでは強いX線によって
強い光量が光センサーに入射する。
The X-ray photographing apparatus has different modes for photographing a moving image and for photographing a still image, and the fluoroscopic mode for photographing a moving image is long. X-ray detection is performed by irradiating weak X-rays to irradiate time X-rays and irradiating strong X-rays in order to obtain an image with less noise in a photographing mode for photographing a still image. In the fluoroscopic mode, the weak X-rays cause a weak amount of light to enter the optical sensor, and in the imaging mode, the strong X-rays cause a strong amount of light to enter the optical sensor.

【0008】このように異なったX線強度でX線検出を
行う場合、I.I.を用いた装置では、光量を調節する
ことが可能であり、弱いX線を用いる際にはアイリスを
開いて光量を増加させ、強いX線を用いる際には弱いと
きの1/100〜1/1000程度にアイリスを絞り込
んで光量を抑えてX線検出がなされる。しかし、図8の
アモルファスシリコンから成る光センサーのように、フ
ラットパネルイメージャーでは、大面積であることから
光量の調節も難しく、またX線強度の変化に対してダイ
ナミックレンジが不十分である。そのため、弱いX線を
用いたX線検出を可能にした場合、強いX線を用いる際
には光センサーなどが飽和してしまう。その逆に、弱い
X線を用いたX線検出を可能にした場合、強いX線を用
いる際には光量が不十分でX線検出が困難になる。この
ように、両方のモードに応じて良好なX線検出を行うこ
とは困難であるという問題がある。
When performing X-ray detection with different X-ray intensities as described above, I.D. I. In the device using, it is possible to adjust the light quantity, open the iris to increase the light quantity when using weak X-rays, and 1/100 to 1/1 / of the weak light when using strong X-rays. The iris is narrowed down to about 1000 to suppress the amount of light and X-ray detection is performed. However, in the flat panel imager like the optical sensor made of amorphous silicon in FIG. 8, it is difficult to adjust the light amount because of its large area, and the dynamic range is insufficient with respect to the change of the X-ray intensity. Therefore, when X-ray detection using weak X-rays is enabled, the optical sensor or the like is saturated when using strong X-rays. On the contrary, when the X-ray detection using the weak X-ray is enabled, the light amount is insufficient when the strong X-ray is used, and the X-ray detection becomes difficult. As described above, there is a problem that it is difficult to perform good X-ray detection according to both modes.

【0009】本発明は上記事情に鑑みて成されたもので
あり、その第1の目的は、固体の薄型平面X線検出器に
おいて、X線強度の強弱に応じて良好なX線検出が可能
なX線撮影装置を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and its first object is to enable excellent X-ray detection depending on the strength of X-rays in a solid thin flat X-ray detector. Another object is to provide an X-ray imaging apparatus.

【0010】また、上述した図8の薄型平面X線検出器
は、ダイナミックレンジがあまり大きくないことから、
蛍光体122で生じる蛍光の光量が小さい場合、ノイズ
に埋もれてしまってX線検出が困難になる。検出器の感
度を高めるために、入射するX線の利用効率をあげるに
は、蛍光体の厚さを増してX線の吸収率を高める事が必
要になる。しかし、蛍光体の厚さを大きくすると蛍光体
内部での光散乱が増えて解像度の劣化を引き起こす。
Since the thin flat X-ray detector shown in FIG. 8 has a large dynamic range,
If the amount of fluorescent light generated by the phosphor 122 is small, it will be buried in noise, making X-ray detection difficult. In order to increase the utilization efficiency of incident X-rays in order to increase the sensitivity of the detector, it is necessary to increase the thickness of the phosphor to increase the X-ray absorption rate. However, if the thickness of the phosphor is increased, light scattering inside the phosphor increases, which causes deterioration of resolution.

【0011】そこで、本発明の第2の目的は、高い感度
を持ちつつ解像度の劣化が小さい固体の薄型平面X線検
出器を提供することとともに、この良好なX線検出器を
用いたX線撮影装置を提供することにある。
Therefore, a second object of the present invention is to provide a solid thin flat X-ray detector having a high sensitivity and a small deterioration of resolution, and an X-ray using this good X-ray detector. It is to provide a photographing device.

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本願請求項1の発明にかかるX線撮影装置は、X
線を被検体に対し曝射して得られるX線透過像を電気信
号として検出し撮影するX線撮影装置において、X線を
被検体に対して曝射するX線源と、被検体を透過したX
線透過像をその入力面から入力し増強してその出力面か
ら光像として出力するX線イメージインテンシファイア
と、X線イメージインテンシファイアの出力面側に設け
られ、光透過率を可変させることによって、出力面から
の光像を所定の光量に減衰させる光減衰器と、光減衰器
によって減衰された光像を電気信号に変換する光検出器
と、X線源から異なる強度のX線を曝射させるととも
に、X線の強弱に応じて、光減衰器の減衰量を増減させ
る制御部と、を備えたことを特徴としている。
In order to achieve the above-mentioned object, an X-ray imaging apparatus according to the invention of claim 1 of the present application is an X-ray imaging apparatus.
An X-ray imaging apparatus that detects an X-ray transmission image obtained by irradiating a subject with an X-ray transmission image as an electric signal and captures the X-ray with an X-ray source that irradiates the subject with an X-ray. Did X
An X-ray image intensifier that inputs a line transmission image from its input surface, intensifies it, and outputs it as an optical image from its output surface, and is provided on the output surface side of the X-ray image intensifier to change the light transmittance. As a result, an optical attenuator that attenuates the optical image from the output surface to a predetermined amount of light, a photodetector that converts the optical image attenuated by the optical attenuator into an electric signal, and an X-ray of different intensity from the X-ray source. And a control unit for increasing / decreasing the attenuation amount of the optical attenuator according to the intensity of the X-ray.

【0013】本願請求項2の発明にかかるX線撮影装置
は、本願請求項1の構成に加えて、光検出器は、平面状
のフラットパネルイメージャーであり、光減衰器は、液
晶を電極で挟んだ平面状の構成を有し、X線イメージイ
ンテンシファイアの出力面に光減衰器及び光検出器は順
次近接配置されていることを特徴とする。
In the X-ray imaging apparatus according to the invention of claim 2 of the present application, in addition to the configuration of claim 1 of the application, the photodetector is a flat flat panel imager, and the photoattenuator is a liquid crystal electrode. The X-ray image intensifier has a planar structure sandwiched between and, and an optical attenuator and a photodetector are sequentially arranged close to each other on the output surface of the X-ray image intensifier.

【0014】本願請求項5の発明にかかる放射線検出器
は、X線像1画素分の検出用のフォトダイオードを支持
体の上側に複数配置し、フォトダイオードからX線像の
1画素づつ順次信号を読みだしてX線像のビデオ信号と
して出力する放射線検出器において、支持体とフォトダ
イオードの間に配置された第1の蛍光体と、フォトダイ
オードの上方に配置された第2の蛍光体と、を備える。
In the radiation detector according to the invention of claim 5, a plurality of photodiodes for detecting one pixel of the X-ray image are arranged on the upper side of the support, and a signal is sequentially output from the photodiode for each pixel of the X-ray image. In a radiation detector which reads out and outputs as a video signal of an X-ray image, a first phosphor disposed between the support and the photodiode, and a second phosphor disposed above the photodiode. , Is provided.

【0015】本願請求項6の発明にかかる放射線検出器
は、本願請求項5の構成に加えて、第1及び第2の蛍光
体は、1画素の長さの50%から150%の厚さである
事を特徴とする。
In the radiation detector according to the invention of claim 6 of the present application, in addition to the configuration of claim 5, the first and second phosphors have a thickness of 50% to 150% of the length of one pixel. It is characterized by

【0016】本願請求項7発明にかかる放射線検出器
は、本願請求項5の構成に加えて、第1の蛍光体の下方
に近接して配置された第1の光反射膜と、第2の蛍光体
の上方に近接して配置された第2の光反射膜と、をさら
に備える。
According to a seventh aspect of the present invention, in addition to the structure of the fifth aspect of the present invention, the radiation detector further includes a first light reflecting film disposed below and adjacent to the first phosphor, and a second light reflecting film. And a second light reflection film disposed above the phosphor and adjacent thereto.

【0017】本願請求項8の発明にかかる放射線検出器
は、本願請求項5の構成に加えて、フォトダイオードと
第1の蛍光体との間に、光ファイバープレートを有する
事を特徴とする。
The radiation detector according to the invention of claim 8 is characterized in that, in addition to the configuration of claim 5, an optical fiber plate is provided between the photodiode and the first phosphor.

【0018】本願請求項9の発明にかかるX線撮影装置
は、X線を被検体に対し曝射して得られるX線透過像を
電気信号として検出し撮影するX線撮影装置において、
X線を被検体に対して曝射するX線源と、被検体を透過
したX線透過像の1画素分の検出用のフォトダイオード
を支持体の上側に複数配置し、フォトダイオードからX
線像の1画素づつ順次信号を読みだしてX線像のビデオ
信号として出力する放射線検出器であって、支持体とフ
ォトダイオードの間に配置された第1の蛍光体と、フォ
トダイオードの上方に配置された第2の蛍光体とを含ん
で構成されているX線検出器と、を含んで構成されてい
ることを特徴とする。
An X-ray imaging apparatus according to the invention of claim 9 is an X-ray imaging apparatus for detecting and photographing an X-ray transmission image obtained by irradiating an object with X-rays as an electric signal.
An X-ray source for irradiating the subject with X-rays and a plurality of photodiodes for detecting one pixel of an X-ray transmission image transmitted through the subject are arranged on the upper side of the support.
A radiation detector for sequentially reading out a signal for each pixel of a line image and outputting as a video signal of an X-ray image, the radiation detector being arranged between a support and a photodiode, and above the photodiode. And an X-ray detector including the second phosphor disposed in the above.

【0019】本願請求項10の発明にかかるX線撮影装
置は、本願請求項5の構成に加えて、第1及び第2の蛍
光体は、1画素の長さの50%から150%の厚さを有
し、X線検出器は、第1の蛍光体の下方に近接して配置
された第1の光反射膜と、第2の蛍光体の上方に近接し
て配置された第2の光反射膜とを含んで構成されている
事を特徴とする。
In the X-ray imaging apparatus according to the invention of claim 10 of the present application, in addition to the structure of claim 5, the first and second phosphors have a thickness of 50% to 150% of the length of one pixel. And the X-ray detector has a first light reflecting film disposed below and adjacent to the first phosphor and a second light reflecting film disposed adjacent to and above the second phosphor. It is characterized by including a light reflection film.

【0020】[0020]

【作用】本願請求項1の発明にかかるX線撮影装置によ
れば、X線源から曝射され、被検体を透過したX線透過
像はX線イメージンテンシファイアにより増強されて光
像に変換され、この光像は、光透過率可変の光減衰器に
より減衰されて、光検出器により電気信号に変換され
る。ここで、制御部により、X線源からのX線の強弱に
応じて光減衰器の減衰量は増減することから、イメージ
ンテンシファイアにより増強された光像は、光減衰器に
より適度な光量になる。適度な光量の光像が光検出器に
より電気信号に変換されるので、X線の強弱に関わりな
く良好なX線検出が可能となる。
According to the X-ray imaging apparatus of the first aspect of the present invention, the X-ray transmission image exposed from the X-ray source and transmitted through the subject is enhanced into an optical image by the X-ray imagen tensiifier. The converted optical image is attenuated by an optical attenuator having a variable light transmittance and converted into an electric signal by a photodetector. Here, since the control unit increases or decreases the attenuation amount of the optical attenuator according to the intensity of X-rays from the X-ray source, the optical image enhanced by the imagen tensiifier has an appropriate light amount by the optical attenuator. become. Since an optical image with an appropriate amount of light is converted into an electric signal by the photodetector, good X-ray detection can be performed regardless of the intensity of X-rays.

【0021】本願請求項2の発明にかかるX線撮影装置
によれば、X線イメージインテンシファイアの出力面に
光減衰器及び光検出器を順次近接配置するような構成に
より、イメージンテンシファイアの出力面からの光像に
ついて、その光学系の構造が非常に簡単なものになる。
According to the X-ray imaging apparatus of the invention of claim 2, the image attenuator is configured so that the optical attenuator and the photodetector are sequentially arranged close to each other on the output surface of the X-ray image intensifier. For the optical image from the output surface of, the structure of the optical system becomes very simple.

【0022】本願請求項5の発明にかかる放射線検出器
によれば、フォトダイオードの上方の第2の蛍光体を透
過したX線像は、フォトダイオードの下方の第1の蛍光
体でも可視光に変換されるので、X線像の光学像の光量
を増加させることができる。そして、第1の蛍光体の配
置は支持体とフォトダイオードの間であることから、第
1の蛍光体とフォトダイオードとの距離が小さくなるの
で、解像度の劣化が小さく高感度のX線像の検出ができ
る。
According to the radiation detector of the fifth aspect of the present invention, the X-ray image transmitted through the second phosphor above the photodiode becomes visible light even with the first phosphor below the photodiode. Since the light is converted, the amount of light of the optical image of the X-ray image can be increased. Since the first phosphor is arranged between the support and the photodiode, the distance between the first phosphor and the photodiode becomes small, so that the deterioration of resolution is small and a highly sensitive X-ray image is obtained. Can be detected.

【0023】本願請求項6の発明にかかる放射線検出器
によれば、第1及び第2の蛍光体の厚さを、1画素の長
さの50%から150%にしておくことによって、解像
度の劣化を抑えることができる。そのため、解像度の劣
化が小さく高感度のX線像の検出ができる。
According to the radiation detector of the invention of claim 6, the thickness of the first and second phosphors is set to 50% to 150% of the length of one pixel, whereby the resolution is improved. Deterioration can be suppressed. Therefore, it is possible to detect a highly sensitive X-ray image with little deterioration in resolution.

【0024】本願請求項7発明にかかる放射線検出器に
よれば、第1の光反射膜及び第2の光反射膜とを第1及
び第2の蛍光体に近接して配置することにより、蛍光体
で生じた可視光の散乱を抑えて閉じ込める事ができる。
そのため、解像度の劣化が小さくより高感度のX線像の
検出ができる。
According to the seventh aspect of the present invention, in the radiation detector, the first light reflection film and the second light reflection film are arranged in proximity to the first and second phosphors, whereby the fluorescence is reduced. It can be trapped by suppressing the scattering of visible light generated in the body.
Therefore, it is possible to detect an X-ray image with higher sensitivity and less deterioration in resolution.

【0025】本願請求項8の発明にかかる放射線検出器
は、フォトダイオードと第1の蛍光体との間に光ファイ
バープレートを有する事により、解像度の劣化を抑えて
機械的強度をあげる事ができる。
Since the radiation detector according to the invention of claim 8 has the optical fiber plate between the photodiode and the first phosphor, deterioration of resolution can be suppressed and mechanical strength can be increased.

【0026】本願請求項9及び10の発明にかかるX線
撮影装置によれば、上記X線検出器を用いた構成によ
り、解像度の劣化が小さくより高感度のX線像の検出が
可能なX線撮影装置を簡単な構成にすることができる。
According to the X-ray imaging apparatus of the present invention, it is possible to detect an X-ray image with less deterioration of resolution and with higher sensitivity by virtue of the configuration using the X-ray detector. The line imaging device can be made into a simple structure.

【0027】[0027]

【実施例】本発明の実施例を図面を参照して説明する。
図1は、本発明の第1の実施例に係るX線撮影装置を示
すブロック図である。第1の実施例のX線撮影装置1
は、X線光学・制御系として、X線管3、X線イメージ
インテンシファイア(I.I.)5、液晶ユニット7、
光センサー部9、X線制御部11を有し、キーボード等
の入力部(図示せず)とシステム制御部13とを備えて
いる。また、このX線撮影装置1は、光センサー部9で
得た光学像のアナログ信号を処理して表示する信号処理
系として、A/D変換部15、画像メモリ17、画像処
理部19、D/A変換部21、TVモニタ23を備えて
いる。
An embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a block diagram showing an X-ray imaging apparatus according to the first embodiment of the present invention. X-ray imaging apparatus 1 of the first embodiment
Includes an X-ray tube 3, an X-ray image intensifier (II) 5, a liquid crystal unit 7, as an X-ray optical / control system.
It has an optical sensor section 9 and an X-ray control section 11, and is provided with an input section (not shown) such as a keyboard and a system control section 13. The X-ray imaging apparatus 1 also has an A / D conversion unit 15, an image memory 17, an image processing unit 19, and D as a signal processing system for processing and displaying an analog signal of an optical image obtained by the optical sensor unit 9. The A / A converter 21 and the TV monitor 23 are provided.

【0028】X線管3は、X線を被検体に対して曝射す
るためのX線源であり、そのX線強度はX線制御部11
からの電圧に応じて変化するようになっている。X線制
御部11は、システム制御部13からの命令によりX線
管3のX線の曝射時間とX線量を制御する。X線I.
I.5は、X線管3から曝射され被検体を透過したX線
透過像をその入力面(図の上側)で電子像に変換し、そ
の電子を加速してその出力面(図の下側)の蛍光面で光
学像に増強して変換する。このX線I.I.5は、本実
施例では、その入力面が球状で、その内部が真空になっ
た通常用いられるタイプのものを用いている。
The X-ray tube 3 is an X-ray source for irradiating the subject with X-rays, and the X-ray intensity thereof is the X-ray controller 11.
It changes according to the voltage from. The X-ray control unit 11 controls the X-ray exposure time and the X-ray dose of the X-ray tube 3 according to a command from the system control unit 13. X-ray I.D.
I. Numeral 5 converts an X-ray transmission image, which is emitted from the X-ray tube 3 and transmitted through the subject, into an electron image on its input surface (upper side in the figure), accelerates the electrons, and outputs it on its output side (lower side in the figure). ) Fluorescent screen enhances the optical image for conversion. This X-ray I.D. I. In the present embodiment, the reference numeral 5 is of a commonly used type having a spherical input surface and a vacuum inside.

【0029】液晶ユニット7は、X線I.I.5と同程
度の面積を有し、X線I.I.5のX線出力面側に(図
の下側に)設けられている。液晶ユニット7は、液晶駆
動回路7aからの印加電圧により光透過率が変化するよ
うになっており、通過した光学像は透過率に応じて減衰
するようになっている。
The liquid crystal unit 7 includes an X-ray I.D. I. X-ray II. I. 5 is provided on the X-ray output surface side (on the lower side of the drawing). In the liquid crystal unit 7, the light transmittance changes according to the voltage applied from the liquid crystal drive circuit 7a, and the optical image that has passed through is attenuated according to the transmittance.

【0030】光センサー部9は、液晶ユニット7と同程
度の面積を有し、液晶ユニット7からの光学像をその光
量に応じたアナログ信号(電荷)に変換するためのもの
であり、前述の図のアモルファスシリコンによる薄型平
面X線検出器101から成るフラットパネルイメージャ
ーを用いている。
The optical sensor section 9 has an area similar to that of the liquid crystal unit 7, and is for converting an optical image from the liquid crystal unit 7 into an analog signal (charge) corresponding to the amount of light thereof. A flat panel imager including a thin flat X-ray detector 101 made of amorphous silicon is used.

【0031】図2は、液晶ユニット7および光センサー
部9の1画素分について断面を簡略化して示したもので
ある。X線I.I.5の出力面側(図2の上部側)か
ら、透明電極25、液晶27、下部透明電極29が配置
され、これらが液晶ユニット7を構成している。液晶2
7は、透明電極25と透明電極29とに挟まれ、外部に
設けられた液晶駆動回路7aから電極25,29との間
に印加された電圧によって光透過率が変化し、透過する
光学像の光量を調節できるようになっている。なお、下
部透明電極29の下部に偏光フィルター37を設けて、
液晶を通過した光を偏光させるようにしても良い。ま
た、この偏光フィルター37は設けなくても良い。
FIG. 2 shows a simplified cross section of one pixel of the liquid crystal unit 7 and the photosensor section 9. X-ray I.D. I. A transparent electrode 25, a liquid crystal 27, and a lower transparent electrode 29 are arranged from the output surface side (the upper side in FIG. 2) of 5, and these constitute the liquid crystal unit 7. Liquid crystal 2
7 is sandwiched between the transparent electrode 25 and the transparent electrode 29, the light transmittance is changed by the voltage applied between the electrodes 25 and 29 from the liquid crystal drive circuit 7a provided outside, and the transmitted optical image. The amount of light can be adjusted. A polarizing filter 37 is provided below the lower transparent electrode 29,
The light passing through the liquid crystal may be polarized. Further, the polarization filter 37 may not be provided.

【0032】液晶ユニット7の下側には、平滑化部3
1、光センサー33、電界効果トランジスタ35が配置
され、これらが光センサー部9を構成している。平滑化
部31は、光センサー33と電界効果トランジスタ35
の凹凸を平滑化するためのものであり、この材質とし
て、例えばポリイミドを用いることができる。光センサ
ー33は、光学像の1画素分をアナログ信号に変換する
アモルファスシリコンのフォトダイオードであり、この
実施例ではPIN構造で作成されている。電界効果トラ
ンジスタ35は、アモルファスシリコンによるMOS型
で作成され、光センサー33からのアナログ信号を読み
出すためのスイッチを成す。
Below the liquid crystal unit 7, a smoothing section 3 is provided.
1, an optical sensor 33, and a field effect transistor 35 are arranged, and these constitute the optical sensor unit 9. The smoothing unit 31 includes an optical sensor 33 and a field effect transistor 35.
This is for smoothing the unevenness of, and as this material, for example, polyimide can be used. The optical sensor 33 is a photodiode of amorphous silicon that converts one pixel of the optical image into an analog signal, and is made of a PIN structure in this embodiment. The field effect transistor 35 is a MOS type made of amorphous silicon, and forms a switch for reading an analog signal from the optical sensor 33.

【0033】図3は、光センサー部9の回路構成を示し
たものである。光センサー33、電界効果トランジスタ
35が縦横に配置され、電界効果トランジスタ35のゲ
ートに接続された横方向の配線を順次ハイレベルにして
トランジスタを順次オンにして行くことにより、光セン
サー33からのアナログ信号を順次読み出してビデオ信
号として出力するようになっている。
FIG. 3 shows a circuit configuration of the optical sensor section 9. The optical sensor 33 and the field effect transistor 35 are arranged vertically and horizontally, and the horizontal wiring connected to the gate of the field effect transistor 35 is sequentially set to a high level to sequentially turn on the transistors. The signals are sequentially read and output as a video signal.

【0034】図1のシステム制御部13は、オペレータ
から入力部を介して入力される指示により、X線検出の
制御を行うためのコントローラであり、透視モードまた
は撮影モードでX線検出ができるようになっている。シ
ステム制御部13は、透視モードまたは撮影モードに対
応した命令をX線制御部11及び液晶駆動回路7aに与
える。システム制御部13が透視モードの命令を与える
と、X線管3からのX線の強度が小さくなるように、X
線制御部11はX線管3へ予め決められた印加電圧を与
えると共に、液晶ユニット7の光透過率が大きく減衰量
が小さくなるように液晶駆動回路7aは液晶ユニット7
へ予め決められた印加電圧を与える。また、撮影モード
の命令を与えると、X線制御部11は、X線管3からの
X線の強度が大きくなるようにX線管3へ他の予め決め
られた印加電圧を与えると共に、液晶駆動回路7aは、
液晶ユニット7の光透過率を減少させて減衰量を大きく
するように、液晶ユニット7へ予め決められた印加電圧
を与える。
The system control unit 13 in FIG. 1 is a controller for controlling the X-ray detection in accordance with an instruction input from the operator through the input unit, so that the X-ray detection can be performed in the fluoroscopic mode or the photographing mode. It has become. The system control unit 13 gives an instruction corresponding to the fluoroscopic mode or the imaging mode to the X-ray control unit 11 and the liquid crystal drive circuit 7a. When the system control unit 13 gives a fluoroscopic mode command, X-ray intensity from the X-ray tube 3 is reduced so that X-ray intensity decreases.
The line control unit 11 applies a predetermined applied voltage to the X-ray tube 3, and the liquid crystal drive circuit 7a operates the liquid crystal unit 7a so that the light transmittance of the liquid crystal unit 7 is large and the attenuation amount is small.
Is applied with a predetermined applied voltage. Further, when the command of the photographing mode is given, the X-ray control unit 11 gives another predetermined applied voltage to the X-ray tube 3 so that the intensity of the X-rays from the X-ray tube 3 becomes large, and the liquid crystal The drive circuit 7a is
A predetermined applied voltage is applied to the liquid crystal unit 7 so as to decrease the light transmittance of the liquid crystal unit 7 and increase the amount of attenuation.

【0035】例えば、透視モードの場合は光透過率10
0%としたときに、撮影モードの場合は光透過率1%と
なるように予め電圧値を決めておく。なお、この光透過
率は前記の値に限らず、例えば撮影モードの場合は光透
過率0.1%としても良い。
For example, in the perspective mode, the light transmittance is 10
When the value is 0%, the voltage value is determined in advance so that the light transmittance is 1% in the photographing mode. The light transmittance is not limited to the above value, and may be 0.1% in the shooting mode, for example.

【0036】また、この電圧値は入力部により可変にな
っており、X線検出中でも光透過率を可変させることが
できる。例えば、TVモニタ23に表示される画像状況
に応じて光透過率を変化させることができ、これによ
り、より見易い画像に調整することができる。
Further, this voltage value is variable by the input section, and the light transmittance can be varied even during X-ray detection. For example, the light transmittance can be changed according to the image status displayed on the TV monitor 23, and thus, the image can be adjusted to be easier to see.

【0037】A/D変換部15は、光センサー部9によ
って変換されたアナログ信号をデジタル信号に変換する
ための回路であり、画像メモリ17は、A/D変換され
たデジタル信号を一時記憶する。そして、画像処理部1
9は、画像メモリ17に蓄積されているデジタル信号に
対し、デジタルサブトラクション等のデジタル画像処理
を行う回路であり、D/A変換部21は、デジタル画像
処理されたデジタル信号をアナログ信号に変換する。そ
して、TVモニタ23は、前記アナログ信号を画面表示
する。
The A / D conversion unit 15 is a circuit for converting the analog signal converted by the optical sensor unit 9 into a digital signal, and the image memory 17 temporarily stores the A / D converted digital signal. . Then, the image processing unit 1
Reference numeral 9 denotes a circuit for performing digital image processing such as digital subtraction on the digital signal stored in the image memory 17, and the D / A converter 21 converts the digital image-processed digital signal into an analog signal. . Then, the TV monitor 23 displays the analog signal on the screen.

【0038】次に、本実施例のX線撮影装置1の動作を
図1を用いて説明する。まず、オペレータは、動画観察
等で弱いX線を長時間曝射する透視モード、または、記
録等で強いX線を短時間曝射する撮影モードの指示をシ
ステム制御部13の入力部から入力する。システム制御
部13では、透視モードまたは撮影モードを行う旨の指
示を受けると、X線制御部11と液晶駆動回路7aに対
してそのモードに応じた命令を出力する。
Next, the operation of the X-ray imaging apparatus 1 of this embodiment will be described with reference to FIG. First, the operator inputs from the input unit of the system control unit 13 an instruction of a fluoroscopic mode in which weak X-rays are emitted for a long time during moving image observation or an imaging mode in which strong X-rays are emitted during a short time during recording. . When the system control unit 13 receives an instruction to perform the fluoroscopic mode or the imaging mode, the system control unit 13 outputs a command according to the mode to the X-ray control unit 11 and the liquid crystal drive circuit 7a.

【0039】X線制御部11では、X線管3に対し、透
視モードまたは撮影モードに対応する命令に応じた予め
決められたX線の曝射時間とX線量が設定される。一
方、液晶駆動回路7aでは、透視モードまたは撮影モー
ドに対応した光透過率となるように上部透明電極25と
下部透明電極29に印加する電圧値が設定される。
The X-ray controller 11 sets a predetermined X-ray exposure time and X-ray dose for the X-ray tube 3 according to a command corresponding to the fluoroscopic mode or the imaging mode. On the other hand, in the liquid crystal drive circuit 7a, the voltage value applied to the upper transparent electrode 25 and the lower transparent electrode 29 is set so that the light transmittance corresponds to the transparent mode or the photographing mode.

【0040】そして、この状態でX線管3によるX線の
曝射が開始され、X線I.I.5では、被検体を透過し
たX線透過像が増強されて光学像に変換される。この増
強された光学像は、液晶ユニット7を通過することによ
り、適度に減衰し、適度な光量になる。例えば、上述の
透過率の設定にした場合、透視モードの場合に対して撮
影モードの場合は1/100に光学像は減衰する。しか
し、X線の強度が透視モードの場合は撮影モードの場合
に対して1/100になっているので、液晶ユニット7
を通過する前の光学像の光量は、透視モードの場合に対
して撮影モードの場合は100倍になっている。したが
って、液晶ユニット7を通過した光学像の光量は、透視
モードの場合でも撮影モードの場合でも同じ程度にな
る。
Then, in this state, the X-ray irradiation by the X-ray tube 3 is started, and the X-ray I.D. I. In 5, the X-ray transmission image transmitted through the subject is enhanced and converted into an optical image. By passing through the liquid crystal unit 7, this enhanced optical image is appropriately attenuated and has an appropriate amount of light. For example, when the above-described transmittance is set, the optical image is attenuated to 1/100 in the photographing mode as compared with the perspective mode. However, since the X-ray intensity in the transparent mode is 1/100 of that in the imaging mode, the liquid crystal unit 7
The light amount of the optical image before passing through is 100 times greater in the photographing mode than in the perspective mode. Therefore, the amount of light of the optical image that has passed through the liquid crystal unit 7 is about the same in both the transparent mode and the photographing mode.

【0041】光センサー部9で、液晶ユニット7を通過
した光学像がその光量に応じたアナログビデオ信号に変
換され、A/D変換部15で、光センサー部9によって
得られたアナログビデオ信号がデジタル信号に変換さ
れ、画像メモリ17にX線透過像をデジタルデータとし
て一時蓄積された後、画像処理部19で、画像メモリ1
7に蓄積されているX線透過像に対し、デジタルサブト
ラクション等のデジタル画像処理が行われる。そして、
D/A変換部21で、デジタル画像処理されたX線透過
像がアナログ信号に変換された後、TVモニタ23に処
理されたX線透過像が表示される。
The optical sensor section 9 converts the optical image that has passed through the liquid crystal unit 7 into an analog video signal corresponding to the amount of light, and the A / D conversion section 15 converts the analog video signal obtained by the optical sensor section 9 into an analog video signal. After being converted into a digital signal and temporarily storing the X-ray transmission image as digital data in the image memory 17, the image processing unit 19 causes the image memory 1
Digital image processing such as digital subtraction is performed on the X-ray transmission image accumulated in 7. And
The D / A converter 21 converts the digital image processed X-ray transmission image into an analog signal, and then displays the processed X-ray transmission image on the TV monitor 23.

【0042】この様に、X線管3のX線の強弱に応じて
光減衰器の減衰量を増減させることにより、X線の強度
によらずに液晶ユニット7を通過した光学像は適度な光
量にすることができる。すなわちX線の強弱に関係なく
安定した画像を得ることができる。そのため、ダイナミ
ックレンジの小さな光センサー部9でも、飽和させずに
良好なX線透過像を検出できる。また、液晶ユニット7
の透過率は100%ではないので、必ず通過した光学像
の光量は減衰するのであるが、X線I.I.5のイメー
ジ増強でカバーされることになる。従って、X線管3の
X線がかなり弱くても、X線I.I.5のイメージ増強
により、ダイナミックレンジの小さな光センサー部9で
も黒レベルに隠れてしまうのを防ぐことが可能になり、
良好なX線透過像を検出できる。
Thus, by increasing or decreasing the attenuation amount of the optical attenuator according to the intensity of the X-rays of the X-ray tube 3, the optical image passing through the liquid crystal unit 7 is appropriate regardless of the intensity of the X-rays. It can be the amount of light. That is, a stable image can be obtained regardless of the intensity of X-rays. Therefore, even an optical sensor unit 9 having a small dynamic range can detect a good X-ray transmission image without being saturated. Also, the liquid crystal unit 7
Since the transmittance of the optical image is not 100%, the amount of light of the optical image that has always passed is attenuated. I. It will be covered by 5 image enhancements. Therefore, even if the X-ray of the X-ray tube 3 is considerably weak, the X-ray I.D. I. With the image enhancement of 5, it becomes possible to prevent the optical sensor unit 9 having a small dynamic range from being hidden by the black level.
A good X-ray transmission image can be detected.

【0043】さらに、X線I.I.5の出力面に、平面
状の光減衰器及び光センサー部を近接配置するという構
造により、出力面からの光像が光減衰器を通過し光セン
サー部で検出されるという光学系の構成になっているこ
とから明らかなように、光学系の構成は非常に簡単にな
っている。
Further, the X-ray I.D. I. Due to the structure in which the planar optical attenuator and the optical sensor section are arranged close to the output surface of 5, the optical image from the output surface passes through the optical attenuator and is detected by the optical sensor section. As is clear from the above, the configuration of the optical system is very simple.

【0044】なお、本発明は上記実施例に限られず様々
な変形が可能である。例えば、本実施例では、液晶ユニ
ット7の液晶27の光透過率は、全範囲で同一の値とし
ているがこれに限らず、液晶27、上部透明電極25、
下部透明電極29を複数の領域、例えば光センサー部9
の光センサー33の各画素に対応する領域に区切り、こ
の領域毎に前記上部透明電極25、下部透明電極29に
印加する電圧を可変にするようにしても良い。
The present invention is not limited to the above embodiment, and various modifications can be made. For example, in the present embodiment, the light transmittance of the liquid crystal 27 of the liquid crystal unit 7 has the same value in the entire range, but the present invention is not limited to this, and the liquid crystal 27, the upper transparent electrode 25,
The lower transparent electrode 29 is formed in a plurality of regions, for example, the optical sensor unit 9
It may be divided into regions corresponding to each pixel of the optical sensor 33, and the voltage applied to the upper transparent electrode 25 and the lower transparent electrode 29 may be made variable for each region.

【0045】この場合、光透過率は前記領域毎に可変に
なるので、この場合、光センサー33の全画素または任
意の画素に蓄積されるアナログ信号をモニターし(例え
ば光センサー33からアナログ信号が出力されたときに
そのアナログ信号量をモニターする)、その値が予め設
定したしきい値以上となったときにその画素に対応する
前記領域の光透過率を低くするようにするのが、より望
ましい。
In this case, since the light transmittance is variable for each area, in this case, the analog signals accumulated in all the pixels of the optical sensor 33 or arbitrary pixels are monitored (for example, the analog signal from the optical sensor 33 is It is better to monitor the analog signal amount when it is output), and to lower the light transmittance of the area corresponding to the pixel when the value exceeds a preset threshold value. desirable.

【0046】このようにすることによって、透視中に一
部の範囲で強いX線がX線I.I.5に入射し光量が増
加することになったとしても、その範囲において光セン
サー部9の蓄積アナログ信号の飽和を防止することがで
きる。
By doing so, strong X-rays can be transmitted through the X-ray I.D. I. Even if the amount of light enters the optical sensor 5 and increases, the saturation of the analog signal accumulated in the optical sensor unit 9 can be prevented in that range.

【0047】また、本実施例の光センサー部9は、アモ
ルファスシリコンによって作成され、薄型大面積化を図
っているが、これに限らず、他の薄型平面X線検出器、
例えば多結晶シリコンを用いた薄型平面X線検出器を用
いても良い。
Further, the optical sensor section 9 of this embodiment is made of amorphous silicon to achieve a thin and large area. However, the present invention is not limited to this, and another thin flat X-ray detector,
For example, a thin flat X-ray detector using polycrystalline silicon may be used.

【0048】さらに、X線I.I.5は、平行平板の電
極構造をもつ近接型を用いる事ができる。上記実施例で
は光センサー部9の大きさを小さいものにできるという
利点があるのに対し、近接型を用いればうす型にできる
という別のメリットがある。
Furthermore, the X-ray I.D. I. 5 can use a proximity type having a parallel plate electrode structure. The above embodiment has an advantage that the size of the optical sensor unit 9 can be made small, but has another advantage that it can be made thin when the proximity type is used.

【0049】次に、本発明の第2の実施例について説明
する。図4は、本発明の第2の実施例にかかる薄型平面
X線検出器の断面を示したものである。
Next, a second embodiment of the present invention will be described. FIG. 4 shows a cross section of a thin flat X-ray detector according to the second embodiment of the present invention.

【0050】この薄型平面X線検出器の支持体136上
に、まず光反射層135が形成され、光反射層135上
に蛍光体134が形成されている。この蛍光体134上
に形成された透明保護膜上に、Alのゲート電極145
のパターンが形成され、その上にCVD法によってSi
x 膜132が成膜されている。
A light reflecting layer 135 is first formed on a support 136 of this thin flat X-ray detector, and a phosphor 134 is formed on the light reflecting layer 135. An Al gate electrode 145 is formed on the transparent protective film formed on the phosphor 134.
Pattern is formed, and Si is formed on it by the CVD method.
The N x film 132 is formed.

【0051】SiNx 膜132上に、i−アモルファス
シリコン(a−Si)膜148、n+ −アモルファスシ
リコン(n+ a−Si)膜143,147を形成してT
FT140のチャネル領域148、TFT140のドレ
イン領域、ソース領域とし、Alのドレイン電極14
2、ソース電極146のパターンが形成され、MOS構
造のTFT(thin film transistor)140をなしてい
る。ソース電極146のパターン上には、n+ a−Si
層154、i−Si層153、p+ a−Si層154を
形成し、その上に透明電極126が形成され、PD15
0をなしている。TFT140及びPD150は、CV
D法をもちいてアモルファスシリコンで形成され、マト
リクス状に配置されている。131は、蛍光体134か
らの光を透過できるように、透明な電極である。
An i-amorphous silicon (a-Si) film 148 and n + -amorphous silicon (n + a-Si) films 143 and 147 are formed on the SiN x film 132 to form a T film.
The Al drain electrode 14 is used as the channel region 148 of the FT 140, the drain region and the source region of the TFT 140.
2. A pattern of the source electrode 146 is formed to form a TFT (thin film transistor) 140 having a MOS structure. N + a-Si is formed on the pattern of the source electrode 146.
The layer 154, the i-Si layer 153, and the p + a-Si layer 154 are formed, and the transparent electrode 126 is formed thereon.
It is 0. TFT140 and PD150 are CV
It is formed of amorphous silicon by using the D method and is arranged in a matrix. 131 is a transparent electrode so that the light from the phosphor 134 can be transmitted.

【0052】図5は、この薄型平面X線検出器の配線を
示したものであり、TFT140及びPD150が1つ
の画素について1つづつ設けられている。各PD150
は、透明電極126を介してAlの金属電極125で接
続され、共通のレベル(バイアスレベル)にされる。横
方向のシフトレジスタ170から順次TFT140のゲ
ートに電圧を与えて順次オンにし、縦方向のシフトレジ
スタ180から順次TFT190のゲートに電圧を与え
て順次オンにしていく、といういわゆるCCDと同じよ
うな読みだし制御が成される。この読みだし制御によっ
て1画素づつ読み出されたPD150の電荷をチャージ
アンプ195で増幅し、X線像の1画素づつ順次読み出
され増幅された信号をビデオ信号として出力するように
なっている。1画素の1辺の大きさは、検出器の大きさ
にもよるが、およそ30μmから200ないし300μ
m程度の大きさで形成され、金属電極125の幅はせい
ぜい数μm程度であることから、1画素の面積のほとん
どがPD150で占められている。
FIG. 5 shows the wiring of this thin flat X-ray detector, and one TFT 140 and one PD 150 are provided for each pixel. Each PD150
Are connected to the metal electrode 125 of Al through the transparent electrode 126 and have a common level (bias level). A reading similar to a so-called CCD in which a voltage is sequentially applied to the gate of the TFT 140 from the horizontal shift register 170 to sequentially turn on, and a voltage is sequentially applied to the gate of the TFT 190 from the vertical shift register 180 to sequentially turn on. Dashi control is performed. The charge amplifier 195 amplifies the charges of the PD 150 read out pixel by pixel by this read control, and outputs the signals sequentially read out and amplified pixel by pixel of the X-ray image as a video signal. The size of one side of one pixel depends on the size of the detector, but is about 30 μm to 200 to 300 μm.
Since the metal electrode 125 is formed in a size of about m, and the width of the metal electrode 125 is at most about several μm, the PD 150 occupies most of the area of one pixel.

【0053】TFT140及びPD150の上方はポリ
イミド樹脂124及び透明保護膜123でコーティング
され、その上にさらに蛍光体122が形成されている。
そして、蛍光体122上のX線の入射面には光反射層1
21が設けられている。
An upper portion of the TFT 140 and the PD 150 is coated with a polyimide resin 124 and a transparent protective film 123, and a phosphor 122 is further formed on the polyimide resin 124 and the transparent protective film 123.
The light reflection layer 1 is formed on the X-ray incidence surface on the phosphor 122.
21 is provided.

【0054】PD150の上方にある蛍光体122及び
下方にある蛍光体134の厚さは、1画素の1辺の50
〜130%で形成される。蛍光体122,134を形成
するには、増感紙と同じ材質で同じように接着剤で固め
て形成する方法と、シンチレータなどに用いられるCs
Iを蒸着して形成する方法とがある。しかし、いずれの
方法を用いても、TFT140及びPD150のアモル
ファスシリコン形成プロセスのように精度は良くない。
The thickness of the fluorescent material 122 above the PD 150 and the fluorescent material 134 below the PD 150 is 50 on one side of one pixel.
It is formed by 130%. In order to form the phosphors 122 and 134, a method of forming the phosphors 122 and 134 by using the same material as the intensifying screen and similarly fixing it with an adhesive, and Cs used for a scintillator
There is a method of forming I by vapor deposition. However, whichever method is used, the accuracy is not as good as the amorphous silicon forming process of the TFT 140 and the PD 150.

【0055】蛍光体122,134の厚さは、ともに1
画素の1辺の大きさにするのが最良であり、例えば、1
画素の1辺の大きさが200μmであれば、蛍光体12
2,134の厚さはそれぞれ200μmにするのが望ま
しい。しかし、蛍光体122,134の厚さを正確に1
画素の1辺の大きさにするのが不可能であるので、蛍光
体122,134を上述の範囲にすることにより、その
厚さを1画素の1辺の大きさ程度にすることができる。
例えば、1画素の1辺の大きさが200μmであれば、
蛍光体122,134の厚さはそれぞれ100〜260
μmにする。なお、1画素が長方形の場合は短辺を1画
素の1辺として蛍光体122,134の厚さをきめる。
The phosphors 122 and 134 both have a thickness of 1
The size of one side of the pixel is best, for example, 1
If the size of one side of the pixel is 200 μm, the phosphor 12
It is desirable that each of the thicknesses of 2,134 be 200 μm. However, the thickness of the phosphors 122 and 134 should be exactly 1
Since it is impossible to make the size of one side of a pixel, by setting the phosphors 122 and 134 in the above range, the thickness thereof can be made to be about the size of one side of one pixel.
For example, if the size of one side of one pixel is 200 μm,
The thickness of the phosphors 122 and 134 is 100 to 260, respectively.
μm. When one pixel is a rectangle, the thickness of each of the phosphors 122 and 134 is determined by setting the short side as one side of one pixel.

【0056】検出器に入射したX線はまず蛍光体122
で可視光に変換され、一部は蛍光体122及びPD15
0を通過する。しかし、通過したX線は下方にある蛍光
体134で蛍光体122で可視光に変換される。そし
て、X線の入射面側の光反射層121だけでなく、蛍光
体134の下側にも光反射層135が設けられているこ
とによって、蛍光体122,134で生じた蛍光は、こ
れらの間で閉じ込められ、ほとんどがPD150で電荷
に変換されることになる。
The X-rays incident on the detector are first of all the phosphor 122.
Are converted into visible light by the phosphor 122 and PD15.
Pass 0. However, the X-rays that have passed are converted into visible light by the phosphors 122 by the phosphors 134 located below. Since the light reflecting layer 135 is provided not only on the light reflecting layer 121 on the incident surface side of the X-rays but also on the lower side of the fluorescent body 134, the fluorescent light generated by the fluorescent bodies 122 and 134 is generated by these. It will be confined in between, and most will be converted into an electric charge in PD150.

【0057】前述の従来例で示した検出器では蛍光体の
厚さが200μm程度であるとX線吸収率を50%以上
にするのは非常に難しい。これに対し、本実施例では、
蛍光体122,134単体のX線吸収率がそれぞれαで
あると、蛍光体122および134によるX線吸収率は
単純計算でα(2−α)程度になる。すなわち、蛍光体
122,134だけで、前述の従来例で示した検出器に
対し検出効率は(2−α)倍(>1)に良化する。さら
に、光反射層121,135によって、蛍光体中で発生
した光を効率良くPDに導くことができる。
In the detector shown in the above-mentioned conventional example, it is very difficult to increase the X-ray absorption rate to 50% or more when the thickness of the phosphor is about 200 μm. On the other hand, in this embodiment,
If the X-ray absorptivities of the phosphors 122 and 134 alone are α, the X-ray absorptivities of the phosphors 122 and 134 are approximately α (2-α) by simple calculation. That is, only the phosphors 122 and 134 improve the detection efficiency by (2-α) times (> 1) as compared with the detector shown in the above-mentioned conventional example. Furthermore, the light reflection layers 121 and 135 can efficiently guide the light generated in the phosphor to the PD.

【0058】こうして蛍光体122,134によって被
検体のX線透過像に応じた光像がより光量の大きいもの
として得られる。蛍光体134の配置は支持体136と
PD150の間であることから、蛍光体134とフォト
ダイオード150との距離が小さくなるので、解像度の
劣化は小さくなる。さらに、蛍光体122,134内部
で光の散乱があったとしても、その厚さが1画素の1辺
の大きさ程度であることから、PD150で電荷に変換
されたとしても、目立たない程度であり、解像度の劣化
が抑えられる。また、光反射膜121,135を蛍光体
122,134に近接して配置することにより、蛍光体
で生じた可視光の散乱を抑え、解像度の劣化が抑えられ
ている。
In this way, the phosphors 122 and 134 can obtain an optical image corresponding to the X-ray transmission image of the subject as a large amount of light. Since the arrangement of the phosphors 134 is between the support 136 and the PD 150, the distance between the phosphors 134 and the photodiodes 150 is small, and the deterioration of resolution is small. Further, even if light is scattered inside the phosphors 122 and 134, since the thickness is about the size of one side of one pixel, even if the light is converted into electric charges by the PD 150, it is not noticeable. Yes, deterioration of resolution is suppressed. Further, by disposing the light reflecting films 121 and 135 in close proximity to the phosphors 122 and 134, scattering of visible light generated by the phosphors is suppressed, and deterioration of resolution is suppressed.

【0059】こうして、解像度の劣化を抑えつつより光
量の大きい光学像により各画素のPD150により大き
な電荷が蓄積されて外部に読み出されることから、出力
されたビデオ信号は感度がよくダイナミックレンジの大
きい上に、解像度の劣化がないものになる。
In this way, since the PD 150 of each pixel accumulates a large electric charge and is read out to the outside due to the optical image having a larger light amount while suppressing the deterioration of resolution, the output video signal has a high sensitivity and a wide dynamic range. In addition, there is no deterioration in resolution.

【0060】このように、上記構成により、解像度の劣
化を抑えつつ高感度でダイナミックレンジの大きい薄型
平面X線検出器を得ることができる。次に、本発明の第
3の実施例について説明する。
As described above, with the above configuration, it is possible to obtain a thin flat X-ray detector having a high sensitivity and a large dynamic range while suppressing deterioration of resolution. Next, a third embodiment of the present invention will be described.

【0061】図6は、本発明の第3の実施例にかかる薄
型平面X線検出器の断面を示したものである。上記第3
の実施例と同一または同等の構成要素については同一の
符号を付すと共にその説明を省略しもしくは簡略化する
ものとする。
FIG. 6 shows a cross section of a thin flat X-ray detector according to the third embodiment of the present invention. Third above
Constituent elements that are the same as or equivalent to those in the embodiment are given the same reference numerals, and description thereof will be omitted or simplified.

【0062】この図6の検出器は、上記第3の実施例と
ほぼ同じ構成を有するのであるが、透明保護膜133と
蛍光体134との間に光ファイバプレート160が設け
られている点に特徴がある。光ファイバプレート160
によって蛍光体134からの蛍光が導かれることになる
ので、解像度の劣化が抑えられている。光ファイバプレ
ート160を用いた場合、厚さによる解像度の劣化が少
ないので、光ファイバプレート160を厚くすることが
できる。これにより、機械的強度が増し、構造がより頑
丈になるという利点がある。
The detector shown in FIG. 6 has almost the same structure as that of the third embodiment, except that an optical fiber plate 160 is provided between the transparent protective film 133 and the phosphor 134. There are features. Optical fiber plate 160
As a result, the fluorescence from the phosphor 134 is guided, so that the deterioration of the resolution is suppressed. When the optical fiber plate 160 is used, the deterioration of resolution due to the thickness is small, so that the optical fiber plate 160 can be thickened. This has the advantage of increasing mechanical strength and making the structure more robust.

【0063】次に、本発明の第4の実施例について説明
する。図7は、本発明の第4の実施例に係るX線撮影装
置を示すブロック図であり、上記第1の実施例と同一ま
たは同等の構成要素については同一の符号を付してい
る。
Next, a fourth embodiment of the present invention will be described. FIG. 7 is a block diagram showing an X-ray imaging apparatus according to the fourth embodiment of the present invention, and the same or equivalent components as those in the first embodiment are designated by the same reference numerals.

【0064】この図6の検出器は、X線I.I.5,液
晶ユニット7及び液晶駆動回路7aを除いた上記第1の
実施例とほぼ同じ構成を有するのであるが、光センサー
部9に第2の実施例にかかる薄型平面X線検出器を用い
た点に特徴がある。
The detector shown in FIG. I. 5, except that the liquid crystal unit 7 and the liquid crystal drive circuit 7a are substantially the same as the first embodiment, the thin flat X-ray detector according to the second embodiment is used as the optical sensor unit 9. The point is characteristic.

【0065】このX線撮影装置は、X線光学・制御系と
して、X線管3、光センサー部9、X線制御部11を有
し、キーボード等の入力部(図示せず)とシステム制御
部13とを備えている。また、このX線撮影装置1は、
光センサー部9で得た光学像のアナログ信号を処理して
表示する信号処理系として、A/D変換部15、画像メ
モリ17、画像処理部19、D/A変換部21、TVモ
ニタ23を備えている。
This X-ray imaging apparatus has an X-ray tube 3, an optical sensor section 9, and an X-ray control section 11 as an X-ray optical / control system, and an input section (not shown) such as a keyboard and system control. And a section 13. In addition, the X-ray imaging apparatus 1
An A / D converter 15, an image memory 17, an image processor 19, a D / A converter 21, and a TV monitor 23 are provided as a signal processing system for processing and displaying an analog signal of an optical image obtained by the optical sensor unit 9. I have it.

【0066】次に、本実施例のX線撮影装置の動作を用
いて説明する。まず、オペレータは、モードの指示をシ
ステム制御部13の入力部から入力する。システム制御
部13では、透視モードまたは撮影モードを行う旨の指
示を受けると、X線制御部11に対してそのモードに応
じた命令を出力する。X線制御部11では、X線管3に
対し、透視モードまたは撮影モードに対応する命令に応
じた予め決められたX線の曝射時間とX線量が設定され
る。
Next, the operation of the X-ray imaging apparatus of this embodiment will be described. First, the operator inputs a mode instruction from the input unit of the system control unit 13. When the system control unit 13 receives an instruction to perform the fluoroscopic mode or the imaging mode, the system control unit 13 outputs a command corresponding to the mode to the X-ray control unit 11. The X-ray control unit 11 sets a predetermined X-ray exposure time and X-ray dose for the X-ray tube 3 according to a command corresponding to the fluoroscopic mode or the imaging mode.

【0067】そして、X線管3によるX線の曝射が開始
され、光センサー部9で被検体を透過したX線透過像が
増強された光学像のアナログビデオ信号に変換される。
A/D変換部15で、光センサー部9によって得られた
アナログビデオ信号がデジタル信号に変換され、画像メ
モリ17にX線透過像をデジタルデータとして一時蓄積
された後、画像処理部19で、画像メモリ17に蓄積さ
れているX線透過像に対し、デジタルサブトラクション
等のデジタル画像処理が行われる。そして、D/A変換
部21で、デジタル画像処理されたX線透過像がアナロ
グ信号に変換された後、TVモニタ23に処理されたX
線透過像が表示される。
Then, the X-ray exposure by the X-ray tube 3 is started, and the X-ray transmission image transmitted through the subject is converted by the optical sensor section 9 into an analog video signal of an enhanced optical image.
After the analog video signal obtained by the optical sensor unit 9 is converted into a digital signal in the A / D conversion unit 15 and the X-ray transmission image is temporarily stored in the image memory 17 as digital data, in the image processing unit 19, Digital image processing such as digital subtraction is performed on the X-ray transmission image stored in the image memory 17. Then, the D / A conversion unit 21 converts the digital image processed X-ray transmission image into an analog signal, and then the processed X image on the TV monitor 23.
A line transmission image is displayed.

【0068】図7から明らかなように本実施例のX線撮
影装置は非常に簡単な構成になるだけでなく、光センサ
ー部9に図4の検出器を用いていることから、解像度の
劣化を抑えつつ高感度でダイナミックレンジの大きいX
線撮影装置を得ることができる。
As is apparent from FIG. 7, the X-ray imaging apparatus of the present embodiment has a very simple structure, and since the photosensor unit 9 uses the detector of FIG. X with high sensitivity and large dynamic range while suppressing
A radiographic device can be obtained.

【0069】[0069]

【発明の効果】以上説明したように、本願請求項1の発
明によれば、X線源からのX線の強弱に応じて光減衰器
の減衰量は増減することから、イメージンテンシファイ
アにより増強された光像は、光減衰器により適度な光量
になって光検出器により電気信号に変換されるので、X
線の強弱に関わりなく良好なX線検出が可能となる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, the attenuation amount of the optical attenuator increases or decreases depending on the intensity of the X-ray from the X-ray source. The intensified optical image is converted into an electric signal by the photodetector with an appropriate amount of light by the optical attenuator.
Good X-ray detection is possible regardless of the strength of the rays.

【0070】本願請求項2の発明によれば、光学系の構
造が非常に簡単なものになる。本願請求項5の発明にか
かる放射線検出器によれば、フォトダイオードの上方の
第2の蛍光体を透過したX線像は、フォトダイオードの
下方の第1の蛍光体でも可視光に変換されるので、X線
像の光学像の光量を増加させることができる。そして、
第1の蛍光体の配置は支持体とフォトダイオードの間で
あることから、第1の蛍光体とフォトダイオードとの距
離が小さくなるので、解像度の劣化が小さく高感度のX
線像の検出ができる。
According to the second aspect of the present invention, the structure of the optical system is very simple. According to the radiation detector of the invention of claim 5, the X-ray image transmitted through the second phosphor above the photodiode is also converted into visible light by the first phosphor below the photodiode. Therefore, the light quantity of the optical image of the X-ray image can be increased. And
Since the disposition of the first phosphor is between the support and the photodiode, the distance between the first phosphor and the photodiode becomes small, so that the deterioration of resolution is small and the high sensitivity X
The line image can be detected.

【0071】本願請求項6の発明にかかる放射線検出器
によれば、解像度の劣化を抑えることができるため、よ
り解像度の劣化が小さく高感度のX線像の検出ができ
る。本願請求項7発明にかかる放射線検出器によれば、
第1の光反射膜及び第2の光反射膜とを第1及び第2の
蛍光体に近接して配置することにより、蛍光体で生じた
可視光の散乱を抑えて閉じ込める事ができる。そのた
め、解像度の劣化が小さくより高感度のX線像の検出が
できる。
According to the radiation detector of the sixth aspect of the present invention, since deterioration of resolution can be suppressed, it is possible to detect an X-ray image with less deterioration of resolution and high sensitivity. According to the radiation detector of the present invention,
By disposing the first light-reflecting film and the second light-reflecting film in close proximity to the first and second phosphors, it is possible to suppress and confine visible light generated by the phosphors. Therefore, it is possible to detect an X-ray image with higher sensitivity and less deterioration in resolution.

【0072】本願請求項8の発明にかかる放射線検出器
は、フォトダイオードと第1の蛍光体との間に光ファイ
バープレートを有する事により、解像度の劣化を抑えて
機械的強度をあげる事ができる。
Since the radiation detector according to the invention of claim 8 has the optical fiber plate between the photodiode and the first phosphor, deterioration of resolution can be suppressed and mechanical strength can be increased.

【0073】本願請求項9及び10の発明にかかるX線
撮影装置によれば、上記X線検出器を用いた構成によ
り、解像度の劣化が小さくより高感度のX線像の検出が
可能なX線撮影装置を簡単な構成にすることができる。
According to the X-ray imaging apparatus of the present invention, it is possible to detect an X-ray image with less deterioration of resolution and higher sensitivity due to the constitution using the X-ray detector. The line imaging device can be made into a simple structure.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1の実施例に係るX線撮影装置の一
実施例を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of an X-ray imaging apparatus according to the first embodiment of the present invention.

【図2】液晶ユニットおよび光センサー部の断面を簡略
化して表す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram showing a simplified cross section of a liquid crystal unit and an optical sensor section.

【図3】光センサー部を回路で表す説明図である。FIG. 3 is an explanatory diagram illustrating a circuit of an optical sensor unit.

【図4】本発明に係る薄型平面X線検出器の断面を示す
説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view showing a cross section of a thin flat X-ray detector according to the present invention.

【図5】本発明に係る薄型平面X線検出器の回路図であ
る。
FIG. 5 is a circuit diagram of a thin flat X-ray detector according to the present invention.

【図6】本発明に係る薄型平面X線検出器の断面を示す
図である。
FIG. 6 is a view showing a cross section of a thin flat X-ray detector according to the present invention.

【図7】本発明の第2の実施例に係るX線撮影装置の一
実施例を示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram showing an embodiment of an X-ray imaging apparatus according to the second embodiment of the present invention.

【図8】従来の薄型平面X線検出器の断面を示す説明図
である。
FIG. 8 is an explanatory diagram showing a cross section of a conventional thin planar X-ray detector.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 X線撮影装置、 3 X線管(X線源)、5 X線
I.I. 7 液晶ユニット(光減衰器)、 7a 液晶駆動回
路、9 光センサー部(光検出器)、 11 X線制御
部、13 システム制御部、 15 A/D変換部、
17 画像メモリ、19 画像処理部、 21 D/
A変換部、 23 TVモニタ、25 上部透明電
極、 27 液晶、 29 下部透明電極、31 平滑
化部、 33 光センサー、 35 電界効果トランジ
スタ、37 偏光フィルター 210 光センサー部(光検出器) 122,134 蛍光体、123,135 光反射層、
126 透明電極 140 TFT、 150 PD、160 光ファイバ
プレート
1 X-ray imaging apparatus, 3 X-ray tube (X-ray source), 5 X-ray I.D. I. 7 liquid crystal unit (optical attenuator), 7a liquid crystal drive circuit, 9 optical sensor section (photodetector), 11 X-ray control section, 13 system control section, 15 A / D conversion section,
17 image memory, 19 image processing unit, 21 D /
A conversion part, 23 TV monitor, 25 upper transparent electrode, 27 liquid crystal, 29 lower transparent electrode, 31 smoothing part, 33 photosensor, 35 field effect transistor, 37 polarization filter 210 photosensor part (photodetector) 122,134 Phosphor, 123,135 light reflecting layer,
126 transparent electrode 140 TFT, 150 PD, 160 optical fiber plate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 H04N 5/32 H05G 1/64 E F ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (51) Int.Cl. 6 Identification code Internal reference number FI Technical indication H04N 5/32 H05G 1/64 EF

Claims (10)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 X線を被検体に対し曝射して得られるX
線透過像を電気信号として検出し撮影するX線撮影装置
において、 前記X線を前記被検体に対して曝射するX線源と、 前記被検体を透過したX線透過像をその入力面から入力
し増強してその出力面から光像として出力するX線イメ
ージインテンシファイアと、 前記X線イメージインテンシファイアの出力面側に設け
られ、光透過率を可変させることによって、前記出力面
からの光像を所定の光量に減衰させる光減衰器と、 前記光減衰器によって減衰された光像を電気信号に変換
する光検出器と、 前記X線源から異なる強度のX線を曝射させるととも
に、前記X線の強弱に応じて前記光減衰器の減衰量を増
減させる制御部と、 を備えたことを特徴とするX線撮影装置。
1. X obtained by irradiating a subject with X-rays
In an X-ray imaging apparatus that detects a radiographic image as an electric signal and captures the radiographic image, an X-ray source that irradiates the subject with the X-rays, and an X-ray transmissive image that has passed through the subject from its input surface. An X-ray image intensifier which inputs and enhances and outputs as an optical image from its output surface, and an X-ray image intensifier which is provided on the output surface side of the X-ray image intensifier and which has a variable light transmittance, Attenuator for attenuating the optical image of the optical image into a predetermined amount of light, a photodetector for converting the optical image attenuated by the optical attenuator into an electric signal, and irradiating X-rays of different intensities from the X-ray source. An X-ray imaging apparatus, further comprising: a control unit that increases or decreases the amount of attenuation of the optical attenuator according to the intensity of the X-ray.
【請求項2】 前記光検出器は、平面状のフラットパネ
ルイメージャーであり、 前記光減衰器は、液晶を電極で挟んだ平面状の構成を有
し、 前記X線イメージインテンシファイアの出力面に前記光
減衰器及び前記光検出器は順次近接配置されていること
を特徴とする請求項1記載のX線撮影装置。
2. The photodetector is a flat-panel flat panel imager, and the photoattenuator has a flat configuration in which liquid crystal is sandwiched between electrodes, and the output of the X-ray image intensifier. The X-ray imaging apparatus according to claim 1, wherein the optical attenuator and the photodetector are sequentially arranged close to each other on a surface.
【請求項3】 前記光減衰器は、複数の領域に区切ら
れ、前記領域毎に光透過率を可変させ、X線強度に依ら
ず所定の光量の光像に減衰させることを特徴とする請求
項1記載のX線撮影装置。
3. The optical attenuator is divided into a plurality of regions, the light transmittance is varied for each region, and the optical image is attenuated into a light image of a predetermined light amount regardless of the X-ray intensity. The X-ray imaging apparatus according to Item 1.
【請求項4】 前記光検出器は、その光検出部がアモル
ファスシリコン若しくは多結晶シリコンを含んで構成さ
れていることを特徴とする請求項1記載のX線撮影装
置。
4. The X-ray imaging apparatus according to claim 1, wherein the photodetector has a photodetection section including amorphous silicon or polycrystalline silicon.
【請求項5】 X線像1画素分の検出用のフォトダイオ
ードを支持体の上側に複数配置し、前記フォトダイオー
ドから前記X線像の1画素づつ順次信号を読みだして前
記X線像のビデオ信号として出力する放射線検出器にお
いて、 前記支持体とフォトダイオードとの間に配置された第1
の蛍光体と、 前記フォトダイオードの上方に配置された第2の蛍光体
と、 を備える放射線検出器。
5. A plurality of photodiodes for detecting one pixel of the X-ray image are arranged on an upper side of a support, and a signal is sequentially read from the photodiode for each pixel of the X-ray image to obtain a signal of the X-ray image. In a radiation detector for outputting as a video signal, a first detector arranged between the support and the photodiode.
And a second phosphor arranged above the photodiode.
【請求項6】 前記第1及び第2の蛍光体は、前記1画
素の長さの50%から150%の厚さである事を特徴と
する請求項5記載の放射線検出器。
6. The radiation detector according to claim 5, wherein the first and second phosphors have a thickness of 50% to 150% of the length of the one pixel.
【請求項7】 前記第1の蛍光体の下方に近接して配置
された第1の光反射膜と、 前記第2の蛍光体の上方に近接して配置された第2の光
反射膜と、 をさらに備える事を特徴とする請求項5記載の放射線検
出器。
7. A first light-reflecting film that is disposed below and adjacent to the first phosphor, and a second light-reflecting film that is disposed above and above the second phosphor. The radiation detector according to claim 5, further comprising:
【請求項8】 前記フォトダイオードと前記第1の蛍光
体との間に、光ファイバープレートを有する事を特徴と
する請求項5ないし7記載の放射線検出器。
8. The radiation detector according to claim 5, further comprising an optical fiber plate between the photodiode and the first phosphor.
【請求項9】 X線を被検体に対し曝射して得られるX
線透過像を電気信号として検出し撮影するX線撮影装置
において、 前記X線を前記被検体に対して曝射するX線源と、 前記被検体を透過したX線透過像の1画素分の検出用の
フォトダイオードを支持体の上側に複数配置し、前記フ
ォトダイオードから前記X線像の1画素づつ順次信号を
読みだして前記X線像のビデオ信号として出力する放射
線検出器であって、前記支持体とフォトダイオードとの
間に配置された第1の蛍光体と、前記フォトダイオード
の上方に配置された第2の蛍光体とを含んで構成されて
いるX線検出器と、 を含んで構成されていることを特徴とするX線撮影装
置。
9. X obtained by irradiating a subject with X-rays
In an X-ray imaging apparatus that detects a radiographic image as an electric signal and captures the radiographic image, an X-ray source that irradiates the subject with the X-ray, and one pixel of the X-ray transmissive image that has passed through the subject. A radiation detector in which a plurality of photodiodes for detection are arranged on an upper side of a support, and a signal is sequentially read from the photodiodes for each pixel of the X-ray image and output as a video signal of the X-ray image, An X-ray detector configured to include a first phosphor disposed between the support and the photodiode, and a second phosphor disposed above the photodiode. An X-ray imaging apparatus, which is configured by:
【請求項10】 前記第1及び第2の蛍光体は、前記1
画素の長さの50%から150%の厚さを有し、 前記X線検出器は、前記第1の蛍光体の下方に近接して
配置された第1の光反射膜と、前記第2の蛍光体の上方
に近接して配置された第2の光反射膜とを含んで構成さ
れている事を特徴とする請求項9記載のX線撮影装置。
10. The first and second phosphors are the same as the first phosphor.
The X-ray detector has a thickness of 50% to 150% of the length of a pixel, and the X-ray detector includes a first light-reflecting film disposed below and adjacent to the first phosphor. 10. The X-ray imaging apparatus according to claim 9, wherein the X-ray imaging apparatus is configured to include a second light-reflecting film that is disposed above and above the phosphor.
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Cited By (5)

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