JPH0818003A - Solid-state relay - Google Patents
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明はソリッドステートリレー
に関する。具体的にいうと、MOSFETを利用したソ
リッドステートリレーに関する。FIELD OF THE INVENTION This invention relates to solid state relays. Specifically, it relates to a solid state relay using MOSFET.
【0002】[0002]
【従来の技術】近年、長寿命で、高速・高頻度開閉に適
した非接点リレーとしてMOSFETを利用したソリッ
ドステートリレー(以下「SSR」と記す。)が開発さ
れている。このSSRの一つとして2つのパワーMOS
FET(以下「MOSFET」と記す。)をソース電極
間で逆直列に接続することにより、AC/DC双方の出
力負荷に対応させたものがあり、図9にその動作原理を
示す。発光素子52は入力端子60,60から入力され
た入力信号を光信号に変換し、受光素子53に向けて出
射する。受光素子53は光信号を受光すると電気信号に
変換して、第1のMOSFET55aのゲート電極56
a及び第2のMOSFET55bのゲート電極56bに
それぞれ負の電圧を印加する。ゲート電極56a,56
bに負の電圧が印加されると第1のMOSFET55a
のソース電極58a−ドレイン電極59a間及び第2の
MOSFET55bのソース電極58b−ドレイン電極
59b間に電流通路が開かれ、出力端子61,61間は
導通状態となる。2. Description of the Related Art In recent years, a solid state relay (hereinafter referred to as "SSR") using a MOSFET has been developed as a non-contact relay having a long life and suitable for high speed and high frequency switching. Two power MOSs as one of the SSRs
Some FETs (hereinafter referred to as "MOSFETs") are connected in anti-series between the source electrodes to accommodate both AC / DC output loads, and FIG. 9 shows the operating principle thereof. The light emitting element 52 converts an input signal input from the input terminals 60, 60 into an optical signal, and emits the optical signal toward the light receiving element 53. When the light receiving element 53 receives an optical signal, the light receiving element 53 converts the optical signal into an electric signal, and the gate electrode 56 of the first MOSFET 55a.
A negative voltage is applied to the gate electrode 56b of the second MOSFET 55b. Gate electrodes 56a, 56
When a negative voltage is applied to b, the first MOSFET 55a
A current path is opened between the source electrode 58a and the drain electrode 59a of the second MOSFET 55b and between the source electrode 58b and the drain electrode 59b of the second MOSFET 55b, so that the output terminals 61 and 61 are electrically connected.
【0003】しかして、第1のMOSFET55aにお
いてドレイン電極59aに正の負荷を加えた状態で、入
力端子60,60間をONにすると、第1のゲート電極
56aに負の電圧が印加され、第1のドレイン電極59
a→第1のソース電極58a→第2のダイオード57b
→第2のドレイン電極59bへと電流が流れ、出力端子
61,61の間がONされる。また、第2のドレイン電
極59bに正の負荷を加えた状態で、入力端子60,6
0間をONにすると、第2のゲート電極56bに負の電
圧が印加され、第2のドレイン電極59b→第2のソー
ス電極58b→第1のダイオード57a→第1のドレイ
ン電極59aへと電流が流れ、出力端子61,61間が
ONされる。したがって、入力端子60,60間を電気
的にON−OFF制御することによって、AC/DCい
ずれの負荷であっても出力端子61,61間をON−O
FF制御することができる。なお、図中54はターンオ
フ回路であって、MOSFET55a,55bのターン
オフ時間を短くするための回路である。However, when a positive load is applied to the drain electrode 59a of the first MOSFET 55a and the input terminals 60 and 60 are turned on, a negative voltage is applied to the first gate electrode 56a, One drain electrode 59
a → first source electrode 58a → second diode 57b
→ A current flows to the second drain electrode 59b, and the output terminals 61, 61 are turned on. In addition, with a positive load applied to the second drain electrode 59b, the input terminals 60, 6
When 0 is turned on, a negative voltage is applied to the second gate electrode 56b, and a current flows to the second drain electrode 59b → the second source electrode 58b → the first diode 57a → the first drain electrode 59a. Flows and the output terminals 61, 61 are turned on. Therefore, by electrically controlling ON-OFF between the input terminals 60, 60, ON-O is performed between the output terminals 61, 61 regardless of the load of AC / DC.
FF control is possible. Reference numeral 54 in the figure is a turn-off circuit, which is a circuit for shortening the turn-off time of the MOSFETs 55a and 55b.
【0004】図10に示すものは、この従来のSSR5
1の一例を示す平面構造図であって、発光素子52及び
受光素子53は光信号を界面で反射することによって効
率よく伝達するためシリコンゲルのような透明な封止樹
脂62によって封止され、2つのMOSFET55a,
55bとともに一体として樹脂によって封止成形されて
おり、一対の入力端子用リード63a,63bと一対の
出力端子用リード64a,64bが外装樹脂部65から
引き出されている。このSSR51はリードフレーム6
6を用いて簡単に作製することができ、リードフレーム
66は図11に示すように、入力端子用リード63a,
63bや出力端子用リード64a,64b、MOSFE
T55a,55bや受光素子53を実装するためのダイ
パッド67a,67b,67c及び一対の中継用リード
68a,68bなどが所定のパターンに加工されてい
る。FIG. 10 shows the conventional SSR5.
FIG. 1 is a plan view showing an example of No. 1 in which a light emitting element 52 and a light receiving element 53 are sealed with a transparent sealing resin 62 such as silicon gel in order to efficiently transmit an optical signal by reflecting it at an interface, Two MOSFETs 55a,
55b is integrally molded by molding with resin, and a pair of input terminal leads 63a, 63b and a pair of output terminal leads 64a, 64b are drawn out from the exterior resin portion 65. This SSR 51 is a lead frame 6
6, the lead frame 66 can be easily manufactured using the input terminal leads 63a,
63b, output terminal leads 64a and 64b, MOSFE
The die pads 67a, 67b, 67c for mounting the T55a, 55b and the light receiving element 53, and the pair of relay leads 68a, 68b are processed into a predetermined pattern.
【0005】SSR51を作成するには図11に示すよ
うにまず、一方の入力端子用リード63aにLEDのよ
うな発光素子52をダイボンドし、発光素子52と並列
させフォトダイオードのような受光素子53をダイパッ
ド67c上にダイボンドする。また、ダイパッド67
a,67b上にはMOSFET55a,55bのドレイ
ン電極59a,59bをそれぞれダイボンドする。次に
発光素子52と残る入力端子用リード63bを金線69
でボンディングし、受光素子53の各端子と各中継用リ
ード68a,68bとの間を金線69でボンディングし
た後、発光素子52と受光素子53を封止樹脂62で封
止する。また、中継用リード68aと2つのMOSFE
T55a,55bの各ゲート電極56a,56bの間を
それぞれアルミ線70でボンディングし、中継用リード
68bと各ソース電極58a,58bの間をそれぞれア
ルミ線70でボンディングする。このようにして、リー
ドフレーム66上に発光素子52及び受光素子53並び
に2つのMOSFET55a,55bをほぼ一列となる
ように実装したのち、最後にこれらを一体として封止成
形し、外装樹脂部65をリードフレーム66から切り離
してSSR51を作製することができる。To make the SSR 51, first, as shown in FIG. 11, a light emitting element 52 such as an LED is die-bonded to one of the input terminal leads 63a, and the light emitting element 52 is arranged in parallel with the light receiving element 53 such as a photodiode. Is die-bonded onto the die pad 67c. In addition, the die pad 67
The drain electrodes 59a and 59b of the MOSFETs 55a and 55b are die-bonded on the a and 67b, respectively. Next, the light emitting element 52 and the remaining input terminal lead 63b are connected to the gold wire 69.
After bonding with each other and bonding between each terminal of the light receiving element 53 and each of the relay leads 68a and 68b with a gold wire 69, the light emitting element 52 and the light receiving element 53 are sealed with a sealing resin 62. Also, the relay lead 68a and two MOSFEs
Aluminum wires 70 are bonded between the gate electrodes 56a and 56b of T55a and 55b, and aluminum wires 70 are bonded between the relay lead 68b and the source electrodes 58a and 58b. In this way, the light emitting element 52, the light receiving element 53, and the two MOSFETs 55a and 55b are mounted on the lead frame 66 so as to be substantially in a line, and finally, they are integrally sealed and molded to form the exterior resin portion 65. The SSR 51 can be manufactured separately from the lead frame 66.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】このとき、中継用リー
ド68a,68bと2つのMOSFET55a,55b
のワイヤボンディングに用いるアルミ線70には、配線
抵抗をできるだけ小さくするため太いアルミ線か複数本
のアルミ線が用いられていた。At this time, the relay leads 68a and 68b and the two MOSFETs 55a and 55b are provided.
As the aluminum wire 70 used for the wire bonding, a thick aluminum wire or a plurality of aluminum wires is used in order to minimize the wiring resistance.
【0007】しかしながら、2つのMOSFET55
a,55bの各ソース電極58a,58bと中継用リー
ド68bとの間はそれぞれアルミ線70によってワイヤ
ボンディングされていたため、ソース電極58aとソー
ス電極58bの間の電気抵抗は、2本のアルミ線70の
電気抵抗と中継用リード68bの電気抵抗の和となって
かなり大きなものとなっていた。例えば、直径が200
μmのアルミ線70を用いた場合には、アルミ線1mm
当たり0.6mΩの抵抗があり、中継用リード68bは
銅製であるのでその抵抗を無視したとしても、ソース電
極58aとソース電極58bとの間の全アルミ線70の
長さが20mmあれば、両者間のアルミ線70の抵抗値
は12mΩとなる。したがって、仮にソース電極58
a,58b間に10Aの電流が流れた場合には1.2W
の発熱量を生じ、SSR51からの放熱や周囲温度など
の使用条件を考慮しなければならなかった。また、ゲー
ト電極56a,56b間の電気抵抗も同様にかなり大き
なものとなり、SSR51全体としての発熱量を増加さ
せる結果となっていた。However, the two MOSFETs 55
Since the source electrodes 58a and 58b of a and 55b and the relay lead 68b are wire-bonded by the aluminum wire 70, the electric resistance between the source electrode 58a and the source electrode 58b is two aluminum wires 70. And the electrical resistance of the relay lead 68b were considerably large. For example, the diameter is 200
When using the aluminum wire 70 of μm, 1 mm of aluminum wire
Since the relay lead 68b is made of copper, even if the resistance is ignored, if the length of the entire aluminum wire 70 between the source electrode 58a and the source electrode 58b is 20 mm, both The resistance value of the aluminum wire 70 between them is 12 mΩ. Therefore, if the source electrode 58 is
1.2W when 10A current flows between a and 58b
Therefore, it is necessary to take into consideration the heat dissipation from the SSR 51 and the operating conditions such as the ambient temperature. Further, the electric resistance between the gate electrodes 56a and 56b also becomes considerably large, resulting in an increase in the heat generation amount of the SSR 51 as a whole.
【0008】また、受光素子53の各端子と各中継用リ
ード68a,68bとの間は金線69によってそれぞれ
ワイヤボンディングされていた。このため、金線69を
ワイヤボンディングする各中継用リード68a,68b
には金メッキなど金線69と接合性のよいメッキを施さ
なければならず、製造工程が繁雑なものとなり、製造コ
ストが高くなるという問題点もあった。Further, a gold wire 69 is wire-bonded between each terminal of the light receiving element 53 and each of the relay leads 68a, 68b. Therefore, the relay leads 68a and 68b for wire-bonding the gold wire 69 are formed.
However, there is a problem in that the manufacturing process is complicated and the manufacturing cost is increased because it is necessary to perform plating such as gold plating having good bonding property with the gold wire 69.
【0009】さらに、2つのMOSFET55a,55
bは、ドレイン電極59a,59bが直接ダイパッド6
7a,67b上にダイボンドされて実装されているた
め、出力端子用リード64a,64bと反対側のダイパ
ッド側面が外装樹脂部65から露出されていると感電す
る危険性があった。このため、ダイパッド側面が外部に
露出されないように、ダイパッド67a,67b,67
cがリードフレーム外枠66aから切り離された状態と
なっていた(図11参照)。その結果、例えばダイパッ
ド67b上にMOSFET55bを実装した場合には、
図12(a)に示すようにその重みによってリードフレ
ーム66が変形してダイパッド67bが傾いてしまい、
ワイヤボンディングを行なうことが困難であった。特に
厚さが0.5mm以下でリードフレーム66の厚さが薄
くなればなるほど顕著であった。また、リードフレーム
66の変形を矯正してダイパッド67bを水平の状態に
戻してワイヤボンディングしたとしても、次工程への搬
送中に再び変形してしまい、図12(b)に示すように
ダイパッド67bが傾いたまま封止成形されたり、ボン
ディングされたアルミ線70や金線69が切断されて、
SSR51の歩留りが悪くなるという問題点もあった。Furthermore, two MOSFETs 55a, 55
b, the drain electrodes 59a and 59b are directly connected to the die pad 6
Since it is mounted by die-bonding on 7a and 67b, there is a risk of electric shock if the side surface of the die pad opposite to the output terminal leads 64a and 64b is exposed from the exterior resin portion 65. Therefore, the die pads 67a, 67b, 67 are prevented from exposing the side surfaces of the die pad to the outside.
c was in a state of being separated from the lead frame outer frame 66a (see FIG. 11). As a result, for example, when the MOSFET 55b is mounted on the die pad 67b,
As shown in FIG. 12A, the lead frame 66 is deformed by the weight and the die pad 67b is tilted,
It was difficult to perform wire bonding. In particular, it was more remarkable as the thickness was 0.5 mm or less and the lead frame 66 was thinner. Further, even if the deformation of the lead frame 66 is corrected and the die pad 67b is returned to the horizontal state and wire bonding is performed, the lead frame 66 is deformed again during the conveyance to the next step, and the die pad 67b is not formed as shown in FIG. 12B. Is sealed while being tilted, or the bonded aluminum wire 70 or gold wire 69 is cut,
There is also a problem that the yield of the SSR51 is deteriorated.
【0010】また、このSSR51にあっては、発光素
子52と受光素子53とが同一平面上に配置された平面
型カプラ構造となっているため光の伝達効率が悪く、こ
のため複数個の発光素子52を用いて発光量を多くする
場合がある。例えば、図13に示すSSR71のよう
に、装着用リード72上にもう一つ別な発光素子52を
実装し、入力端子用リード63a上の発光素子52と装
着用リード72とを金線69によってボンディングして
いた。このとき、図14(a)に示すように、同じ型の
発光素子52、例えばNサイドアップ型の発光素子52
を用いて、発光素子52のPサイドをそれぞれ入力端子
用リード63a及び装着用リード72上にダイボンド
し、入力端子用リード63a上の発光素子52のNサイ
ドと装着用リード72を金線69でボンディングし、装
着用リード72上の発光素子52のNサイドと残る入力
端子用リード63bとを金線69でボンディングするこ
とによって、図14(b)に示すように2つの発光素子
52を直列に接続していた。このため、発光素子52を
実装する装着用リード72に金メッキ等のメッキ処理を
しなければならず、発光素子52を増やすごとにメッキ
処理すべき装着用リード72が多くなり、製造工程が面
倒になるとともにコストが高くなっていた。Further, the SSR 51 has a planar coupler structure in which the light emitting element 52 and the light receiving element 53 are arranged on the same plane, so that the light transmission efficiency is poor, and therefore a plurality of light emitting elements are emitted. The element 52 may be used to increase the amount of light emission. For example, like the SSR 71 shown in FIG. 13, another light emitting element 52 is mounted on the mounting lead 72, and the light emitting element 52 on the input terminal lead 63a and the mounting lead 72 are connected by the gold wire 69. I was bonding. At this time, as shown in FIG. 14A, a light emitting element 52 of the same type, for example, an N side-up type light emitting element 52.
By die-bonding the P side of the light emitting element 52 onto the input terminal lead 63a and the mounting lead 72, respectively, and the N side of the light emitting element 52 and the mounting lead 72 on the input terminal lead 63a with the gold wire 69. By bonding and bonding the N side of the light emitting element 52 on the mounting lead 72 and the remaining input terminal lead 63b with the gold wire 69, the two light emitting elements 52 are connected in series as shown in FIG. 14B. I was connected. Therefore, the mounting leads 72 for mounting the light emitting elements 52 must be plated with gold or the like, and each time the number of the light emitting elements 52 is increased, the number of mounting leads 72 to be plated is increased, which complicates the manufacturing process. And the cost was getting higher.
【0011】本発明は叙上の従来例の欠点に鑑みてなさ
れたものであり、その目的とするところは、発熱量を抑
えるとともに、製造コストの低下を図り、信頼性の高い
ソリッドステートリレーを提供することにある。The present invention has been made in view of the drawbacks of the above conventional examples, and an object of the present invention is to suppress the amount of heat generation, reduce the manufacturing cost, and provide a solid state relay having high reliability. To provide.
【0012】[0012]
【課題を解決するための手段】本発明のソリッドステー
トリレーは、発光状態と消光状態とに切替わる発光部
と、前記発光部から出射された光を受光する受光部と、
前記受光部で生じた光起電力によってスイッチング動作
を行なう第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体
スイッチング素子を備え、前記受光部、前記第1の半導
体スイッチング素子及び前記第2の半導体スイッチング
素子をリードフレーム上にほぼ一列に実装して封止成形
したソリッドステートリレーにおいて、前記受光部の電
極と電気的に接続された前記第1の半導体スイッチング
素子の電極と前記第2の半導体スイッチング素子の電極
を直接ワイヤボンディングしたことを特徴としている。A solid state relay according to the present invention comprises a light emitting portion which switches between a light emitting state and a light extinguishing state, a light receiving portion which receives light emitted from the light emitting portion,
A first semiconductor switching element and a second semiconductor switching element that perform a switching operation by the photoelectromotive force generated in the light receiving section are provided, and the light receiving section, the first semiconductor switching element, and the second semiconductor switching element are provided. In a solid-state relay mounted on a lead frame almost in a row and sealed and molded, an electrode of the first semiconductor switching element and an electrode of the second semiconductor switching element electrically connected to an electrode of the light receiving section. Is characterized by direct wire bonding.
【0013】さらに、前記受光部の電極と前記第1の半
導体スイッチング素子の電極を直接ワイヤボンディング
するのが好ましい。Further, it is preferable that the electrode of the light receiving portion and the electrode of the first semiconductor switching element are directly wire-bonded.
【0014】また、前記発光部は、少なくとも1以上の
Pサイドアップ半導体発光素子と少なくとも1以上のN
サイドアップ半導体発光素子とから構成され、リード部
分に実装された前記Pサイドアップ半導体発光素子のP
サイドと他のリード部分に実装された前記Nサイドアッ
プ半導体素子のNサイドを直接ワイヤボンディングする
ことができる。The light emitting portion includes at least one P side-up semiconductor light emitting element and at least one N side light emitting element.
A side-up semiconductor light-emitting device, and the P of the P-side-up semiconductor light-emitting device mounted on the lead portion
The N-side of the N-side up semiconductor element mounted on the side and other lead portions can be directly wire-bonded.
【0015】また、前記リードフレームには、少なくと
も前記第1の半導体スイッチング素子を実装するリード
部分及び前記第2の半導体スイッチング素子を実装する
リード部分を支持するための絶縁性のリード支持部を設
けることとしてもよい。The lead frame is provided with an insulating lead supporting portion for supporting at least a lead portion for mounting the first semiconductor switching element and a lead portion for mounting the second semiconductor switching element. It may be that.
【0016】[0016]
【作用】本発明のソリッドステートリレーによれば、発
光部の電極と電気的に接続された第1の半導体スイッチ
ング素子の電極と第2の半導体スイッチング素子の電極
は、直接ワイヤボンディングされているので、発光部の
電極と各半導体スイッチング素子の電極間をそれぞれボ
ンディングする場合に比べ、接続するワイヤ長を短くす
ることができる。このため、ワイヤの配線抵抗が小さく
なってワイヤによる発熱を抑えることができる。また、
ボンディング箇所が少なくなるため、ボンディング箇所
の接続不良が少なくなり、ソリッドステートリレーの信
頼性を向上させることができる。According to the solid state relay of the present invention, the electrode of the first semiconductor switching element and the electrode of the second semiconductor switching element, which are electrically connected to the electrode of the light emitting portion, are directly wire-bonded. The wire length to be connected can be shortened as compared with the case where the electrodes of the light emitting portion and the electrodes of each semiconductor switching element are respectively bonded. Therefore, the wiring resistance of the wire is reduced and the heat generated by the wire can be suppressed. Also,
Since the number of bonding points is reduced, the connection failure at the bonding points is reduced, and the reliability of the solid state relay can be improved.
【0017】また、発光部の電極と第1の半導体スイッ
チング素子の電極との間を直接ワイヤボンディングする
ことにより、さらにワイヤ長を短くしてより配線抵抗や
発熱を少なくすることができる。Further, by directly wire-bonding the electrode of the light emitting portion and the electrode of the first semiconductor switching element, the wire length can be further shortened and the wiring resistance and heat generation can be further reduced.
【0018】また、リード部分に実装されたPサイドア
ップ半導体発光素子のPサイドと他のリード部分に実装
されたNサイドアップ半導体発光素子のNサイドとを直
接ワイヤボンディングしているので、2以上の発光素子
を使った場合でも、発光素子の電極と他の発光素子を実
装したリード部分とをワイヤボンディングする必要がな
くなる。したがって、ボンディング箇所やメッキ処理す
べきリード部分が少なくなり、安い製造コストで発光量
を増やすことができる。Further, since the P side of the P side-up semiconductor light emitting device mounted on the lead portion and the N side of the N side up semiconductor light emitting device mounted on another lead portion are directly wire-bonded, two or more. Even when the above light emitting element is used, it is not necessary to wire-bond the electrode of the light emitting element and the lead portion on which another light emitting element is mounted. Therefore, the number of bonding portions and lead portions to be plated is reduced, and the light emission amount can be increased at a low manufacturing cost.
【0019】さらに、半導体スイッチング素子を実装す
る2つのリード部分を支持する絶縁性のリード支持部を
リードフレームに設けているので、半導体スイッチング
素子を実装したリード部分が曲らずにリードフレームと
水平に保持することができ、2つの半導体スイッチング
素子間を接続するワイヤや受光部と半導体スイッチング
素子を接続するワイヤが切断されることなく封止成形す
ることができる。もちろん、ソリッドステートリレーの
側面にリード支持部が露出されたとしても絶縁性である
ので、その部分に触れても感電することもない。また、
サージ電流等が流れ込んで半導体スイッチング素子が破
損されることもない。Further, since the lead frame is provided with the insulative lead supporting portion for supporting the two lead portions on which the semiconductor switching element is mounted, the lead portion on which the semiconductor switching element is mounted is not bent and is horizontal to the lead frame. The wire for connecting the two semiconductor switching elements and the wire for connecting the light receiving portion and the semiconductor switching element can be sealed and molded without being cut. Of course, even if the lead support is exposed on the side surface of the solid-state relay, it is electrically insulating, so even if that part is touched, there is no electric shock. Also,
There is no possibility that a semiconductor switching element will be damaged due to surge current or the like.
【0020】[0020]
【実施例】図1に示すものは、本発明の一実施例である
ソリッドステートリレー1を示す平面構造図である。2
はLEDのような発光素子、3はフォトダイオードのよ
うな受光素子、5a,5bはそれぞれ受光素子3から出
力された電気信号に基づいて出力端子用リード7a,7
b間のON−OFF制御を行なうパワーMOSFETで
あって、発光素子2及び受光素子3はシリコンゲルのよ
うな透明な封止樹脂4によって覆われており、さらに、
2つのMOSFET5a,5bとともに一体として樹脂
により封止成形されており、一対の入力端子用リード6
a,6b及び一対の出力端子用リード7a,7bが外装
樹脂部14から引き出されている。発光素子2は、一方
の入力端子用リード6aにダイボンドされており、発光
素子2の上面電極と他方の入力端子用リード6bは金線
8でボンディングされている。受光素子3はダイパッド
9c上にダイボンドされ、受光素子3のカソード3aと
中継用リード10a、アノード3bと中継用リード10
bはそれぞれ金線8でボンディングされている。中継用
リード10aと第1のMOSFET5aのソース電極1
1a及び第2のMOSFET5bのソース電極11bは
1本のアルミ線12でボンディング(いわゆるステッチ
ボンディング)されている。もちろん、2本のアルミ線
12を用いて中継用リード10aとMOSFET5aの
ソース電極11a間、MOSFET5aのソース電極1
1aとMOSFET5bのソース電極11b間をそれぞ
れボンディングすることとしてもよい。また、受光素子
3のアノード3bも同様に中継用リード10bと第1の
MOSFET5aのゲート電極13a及び第2のMOS
FET5aのゲート電極13aも1本のアルミ線12で
ボンディングされている。1 is a plan view showing a solid state relay 1 according to an embodiment of the present invention. Two
Is a light emitting element such as an LED, 3 is a light receiving element such as a photodiode, and 5a and 5b are output terminal leads 7a and 7 based on electric signals output from the light receiving element 3, respectively.
In the power MOSFET for ON-OFF control between b, the light emitting element 2 and the light receiving element 3 are covered with a transparent sealing resin 4 such as silicon gel.
The two MOSFETs 5a and 5b are integrally sealed and molded with a resin, and a pair of leads 6 for input terminals are used.
a, 6 b and the pair of output terminal leads 7 a, 7 b are drawn out from the exterior resin portion 14. The light emitting element 2 is die-bonded to one input terminal lead 6 a, and the upper surface electrode of the light emitting element 2 and the other input terminal lead 6 b are bonded with a gold wire 8. The light receiving element 3 is die-bonded on the die pad 9c, and the cathode 3a and the relay lead 10a of the light receiving element 3 and the anode 3b and the relay lead 10 are formed.
Each b is bonded by a gold wire 8. The relay lead 10a and the source electrode 1 of the first MOSFET 5a
The source electrodes 11b of the first MOSFET 5a and the second MOSFET 5b are bonded by one aluminum wire 12 (so-called stitch bonding). Of course, two aluminum wires 12 are used between the relay lead 10a and the source electrode 11a of the MOSFET 5a, and the source electrode 1 of the MOSFET 5a.
The 1a and the source electrode 11b of the MOSFET 5b may be bonded to each other. Similarly, the anode 3b of the light receiving element 3 also has the relay lead 10b, the gate electrode 13a of the first MOSFET 5a, and the second MOS.
The gate electrode 13a of the FET 5a is also bonded by the single aluminum wire 12.
【0021】このSSR1にあっては、第1のMOSF
ET5aのソース電極11aと第2のMOSFET5b
のソース電極11bとの間が直接ワイヤボンディングさ
れており、従来例のように中継用リード10aと第2の
MOSFET5bのソース電極11bとの間をそれぞれ
ワイヤボンディングする場合に比べ、使用するアルミ線
12の長さを短くすることができ、例えばその長さをほ
ぼ約1/3程度にすることができる。したがって、アル
ミ線12の配線抵抗が小さくなり、アルミ線12による
発熱量を少なくすることができる。また、MOSFET
の残留電圧(オン制御された場合に生じる電圧降下)を
小さくするため、オン抵抗の小さなMOSFETを使用
したとしても、従来のSSR51ではアルミ線からの発
熱量が多く、オン抵抗の小さなMOSFETを使用する
効果が十分に得られなかった。したがって、本発明のよ
うに配線に必要なアルミ線12を短くすることは、オン
抵抗が小さなMOSFETを使用したSSRにとっては
極めて有効となる。In this SSR1, the first MOSF
Source electrode 11a of ET5a and second MOSFET 5b
Is directly wire-bonded to the source electrode 11b of the second electrode 5b, and the aluminum wire 12 to be used is different from the conventional case where wire bonding is performed between the relay lead 10a and the source electrode 11b of the second MOSFET 5b. Can be shortened, for example, the length can be reduced to about 1/3. Therefore, the wiring resistance of the aluminum wire 12 is reduced, and the amount of heat generated by the aluminum wire 12 can be reduced. Also MOSFET
In order to reduce the residual voltage (voltage drop that occurs when ON control is performed), even if a MOSFET with a small on-resistance is used, the conventional SSR51 generates a large amount of heat from the aluminum wire and uses a MOSFET with a small on-resistance. The effect was not obtained sufficiently. Therefore, shortening the aluminum wire 12 required for wiring as in the present invention is extremely effective for an SSR using a MOSFET having a small on-resistance.
【0022】さらに、このSSR1においてはボンディ
ング箇所が少なくなり、製造工程の簡略化や接続不良の
減少による信頼性の向上を図ることができる。Furthermore, in this SSR1, the number of bonding points is reduced, so that the manufacturing process can be simplified and the connection failure can be reduced to improve the reliability.
【0023】図2に示すものは、本発明の別な実施例で
あるSSR21の平面構造図である。このSSR21に
あっては入力信号の伝達効率を上げるため、Nサイドア
ップ発光素子2aとPサイドアップ発光素子2bの2つ
の発光素子2が用いられている。例えば図3(a)に示
すように、入力端子用リード6a上にはNサイドアップ
発光素子2aのPサイドがダイボンドされ、他方の入力
端子用リード6b上にはPサイドアップ発光素子2bの
Nサイドがダイボンドされている。また、Nサイドアッ
プ発光素子2aのNサイドとPサイドアップ発光素子2
bのPサイドは金線8でボンディングされて、図3
(b)に示すようにNサイドアップ発光素子2aとPサ
イドアップ発光素子2bは直列に接続されている。この
ように、Nサイドアップ発光素子2aのNサイドとPサ
イドアップ発光素子2bのPサイドをワイヤボンディン
グすることによって、装着用リード72を設けることな
く2つの発光素子2a,2bを直列に接続することがで
きる。このため、メッキ処理を省くことができ、製造コ
ストを削減することができる。また、ボンディング箇所
が少なくなるので、接続不良による発光不良が少なくな
り、さらに信頼性の向上が図れる。FIG. 2 is a plan structural view of an SSR 21 which is another embodiment of the present invention. In this SSR 21, two light emitting elements 2, an N side up light emitting element 2a and a P side up light emitting element 2b, are used in order to improve the transmission efficiency of the input signal. For example, as shown in FIG. 3A, the P side of the N side-up light emitting element 2a is die-bonded on the input terminal lead 6a, and the N side of the P side up light emitting element 2b is on the other input terminal lead 6b. The sides are die-bonded. In addition, the N side of the N side-up light emitting element 2a and the P side up light emitting element 2
The P side of b is bonded with a gold wire 8,
As shown in (b), the N side-up light emitting element 2a and the P side-up light emitting element 2b are connected in series. Thus, by wire bonding the N side of the N side-up light emitting element 2a and the P side of the P side up light emitting element 2b, the two light emitting elements 2a and 2b are connected in series without providing the mounting lead 72. be able to. Therefore, the plating process can be omitted and the manufacturing cost can be reduced. Further, since the number of bonding points is reduced, the light emission failure due to the connection failure is reduced, and the reliability can be further improved.
【0024】また、第2の実施例においては受光素子3
のカソード3aと第1のMOSFET5aのソース電極
11aとの間は金線8で直接ボンディングされ、受光素
子3のアノード3bと第1のMOSFET5aのゲート
電極13aの間も金線8で直接ボンディングされてい
る。このように、中継用リード10a,10bを設けず
に直接受光素子3と第1のMOSFET5aをワイヤボ
ンディングすれば、さらにアルミ線12の長さを短くし
て発熱量を少なくすることができる。また、中継用リー
ド10a,10bが不要になるので、製造コストの削減
を図ることができるとともに、SSR21の小型化を図
ることができる。Further, in the second embodiment, the light receiving element 3
The cathode 3a and the source electrode 11a of the first MOSFET 5a are directly bonded by the gold wire 8, and the anode 3b of the light receiving element 3 and the gate electrode 13a of the first MOSFET 5a are also directly bonded by the gold wire 8. There is. In this way, if the light receiving element 3 and the first MOSFET 5a are directly wire-bonded without providing the relay leads 10a and 10b, the length of the aluminum wire 12 can be further shortened to reduce the amount of heat generation. Further, since the relay leads 10a and 10b are unnecessary, the manufacturing cost can be reduced and the SSR 21 can be downsized.
【0025】なお、3つ以上の発光素子2を用いる場合
にも、Nサイドアップ発光素子2aとPサイドアップ発
光素子2bとを組み合わせ、Nサイドアップ発光素子2
aのNサイドとPサイドアップ発光素子2bのPサイド
をワイヤボンディングして、発光素子2を直列に接続す
ることもできる。例えば、4つの発光素子2を用いる場
合には、図4(a)に示すように、一方の入力端子用リ
ード6aにNサイドアップ発光素子2aのPサイドをダ
イボンドし、装着用リード15にはPサイドアップ発光
素子2bのNサイドとNサイドアップ発光素子2aのP
サイドをそれぞれダイボンドする。また、残る入力端子
用リード6bにはPサイドアップ発光素子2bのNサイ
ドをダイボンドする。そして、入力端子用リード6a上
のNサイドアップ発光素子2aのNサイドと装着用リー
ド15上のPサイドアップ発光素子2bのPサイドを金
線8でボンディングし、装着用リード15上のNサイド
アップ発光素子2aのNサイドと入力端子用リード6b
上のPサイドアップ発光素子2bのPサイドとを金線8
でボンディングすれば、図4(b)に示すように4つの
発光素子2a,2b,2a,2bを直列に接続すること
ができる。Even when three or more light emitting elements 2 are used, the N side up light emitting element 2a and the P side up light emitting element 2b are combined to form the N side up light emitting element 2.
The N side of a and the P side of the P side-up light emitting element 2b can be wire-bonded to connect the light emitting elements 2 in series. For example, when four light emitting elements 2 are used, as shown in FIG. 4A, the P side of the N side-up light emitting element 2a is die-bonded to one input terminal lead 6a, and the mounting lead 15 is attached. P side of the P side-up light emitting element 2b and P of the N side up light emitting element 2a
Die-bond each side. The N side of the P side-up light emitting element 2b is die-bonded to the remaining input terminal lead 6b. Then, the N side of the N side-up light emitting element 2a on the input terminal lead 6a and the P side of the P side up light emitting element 2b on the mounting lead 15 are bonded with a gold wire 8 to form the N side on the mounting lead 15. Up N-side of light emitting element 2a and input terminal lead 6b
The P side of the upper P side-up light emitting element 2b is connected to the gold wire
4 is bonded, the four light emitting elements 2a, 2b, 2a, 2b can be connected in series as shown in FIG. 4 (b).
【0026】図5(a)(b)に示すものはそれぞれ本
発明のさらに別な実施例であるSSR31の平面構造図
及び側面構造図であって、第1のMOSFET5aを実
装したダイパッド9aと第2のMOSFET5bを実装
したダイパッド9b及び受光素子3を実装したダイパッ
ド9cはリード支持部材16によってそれぞれ支持され
ている。このSSR31は、図6に示すようなリードフ
レーム17を用いることによって簡単に製造することが
できる。リードフレーム17には、入力端子用リード6
a,6b、出力端子用リード7a,7bや受光素子3を
実装するためのダイパッド9cやMOSFET5a,5
bを実装するためのダイパッド9a,9bなどが所定の
パターンに加工されている。また、3つのダイパッド9
c,9a,9bとリードフレーム外枠17aとの間に
は、ダイパッド9c,9a,9bの下面をリードフレー
ム外枠17aに支持させるようにして、例えばポリイミ
ドフィルムのような絶縁性あるリード支持部材16が設
けられている。このリードフレーム17上の所定位置
に、発光素子2a,2bや受光素子3、2つのMOSF
ET5a,5bを実装する。次に、発光素子2a,2b
と受光素子3を封止樹脂4によって覆った後に、図7に
示すように発光素子2、受光素子3及び2つのMOSF
ET5a,5bを一体として封止成形し、最後に外装樹
脂部14をリードフレーム17から切り離して、図5に
示すSSR31を作製することができる。FIGS. 5 (a) and 5 (b) are a plan structural view and a side structural view, respectively, of an SSR 31 which is still another embodiment of the present invention, which includes a die pad 9a having a first MOSFET 5a mounted thereon and a first pad 5a. The die pad 9b on which the second MOSFET 5b is mounted and the die pad 9c on which the light receiving element 3 is mounted are respectively supported by the lead supporting member 16. The SSR 31 can be easily manufactured by using the lead frame 17 shown in FIG. The lead frame 17 includes an input terminal lead 6
a, 6b, output terminal leads 7a, 7b, a die pad 9c for mounting the light receiving element 3, and MOSFETs 5a, 5b.
The die pads 9a and 9b for mounting the b are processed into a predetermined pattern. Also, three die pads 9
c, 9a, 9b and the lead frame outer frame 17a, the lower surfaces of the die pads 9c, 9a, 9b are supported by the lead frame outer frame 17a, and an insulating lead supporting member such as a polyimide film is used. 16 are provided. The light emitting elements 2a and 2b, the light receiving element 3 and the two MOSFs are provided at predetermined positions on the lead frame 17.
ET5a and 5b are mounted. Next, the light emitting elements 2a and 2b
After covering the light receiving element 3 and the light receiving element 3 with the sealing resin 4, as shown in FIG. 7, the light emitting element 2, the light receiving element 3 and the two MOSFs are provided.
The ETs 5a and 5b can be integrally sealed and molded, and finally the exterior resin portion 14 can be separated from the lead frame 17 to manufacture the SSR 31 shown in FIG.
【0027】このように、3つのダイパッド9a,9
b,9cはリード支持部材16によってリードフレーム
外枠17aに支持されているので、受光素子3やMOS
FET5a,5bをそれぞれダイパッド9c,9a,9
b上に実装した場合にも、ダイパッド9c,9a,9b
が傾かず、発光素子2やMOSFET5a,5bをリー
ドフレーム17と水平に保持することができる。したが
って、金線8やアルミ線12によって容易にワイヤボン
ディングすることができ、金線8やアルミ線12の断線
を防いでSSR31の歩留りを向上させることができ
る。また、リードフレーム17から外装樹脂部14を切
り離した場合に、リード支持部材16の切り口が外装樹
脂部14の側面に露出されるが、リード支持部材16は
絶縁性であるのでたとえ切り口に触れたとしても感電す
ることがなく、切り口から流れ込むサージ電流によって
MOSFET5a,5bなどが破損されることもない。In this way, the three die pads 9a, 9
b and 9c are supported on the lead frame outer frame 17a by the lead supporting member 16, so that the light receiving element 3 and the MOS
FETs 5a and 5b are connected to die pads 9c, 9a and 9 respectively.
die pads 9c, 9a, 9b even when mounted on
Does not tilt, and the light emitting element 2 and the MOSFETs 5a and 5b can be held horizontally with the lead frame 17. Therefore, the gold wire 8 and the aluminum wire 12 can be easily wire-bonded, the gold wire 8 and the aluminum wire 12 can be prevented from being broken, and the yield of the SSR 31 can be improved. Further, when the exterior resin portion 14 is separated from the lead frame 17, the cut end of the lead supporting member 16 is exposed on the side surface of the exterior resin portion 14, but since the lead supporting member 16 is insulative, the cut end is touched. However, there is no electric shock, and the MOSFETs 5a and 5b are not damaged by the surge current flowing from the cut end.
【0028】図8に示すものは本発明のさらに別な実施
例であるSSR41の側面構造図であって、リード支持
部材16はダイパッド9a,9b,9c下面のほぼ全面
に設けられており、リード支持部材16の下面が露出さ
れるようにして封止成形されている。このリード支持部
材16を、窒化アルミニウム(AlN)やシリコンカー
バイト(SiC)などの熱伝導性のよい材料から作製す
ればリード支持部材16は放熱板として働き、MOSF
ET5a,5bからの発熱を効率よく逃がすことがで
き、さらに信頼性のよいSSR41を提供することがで
きる。FIG. 8 is a side view of the structure of an SSR 41 according to still another embodiment of the present invention, in which the lead support member 16 is provided on almost the entire lower surface of the die pads 9a, 9b, 9c. Sealing molding is performed so that the lower surface of the support member 16 is exposed. If the lead support member 16 is made of a material having good thermal conductivity such as aluminum nitride (AlN) or silicon carbide (SiC), the lead support member 16 functions as a heat dissipation plate, and the MOSF
It is possible to efficiently dissipate the heat generated from the ETs 5a and 5b, and it is possible to provide a more reliable SSR 41.
【0029】[0029]
【発明の効果】本発明のソリッドステートリレーにあっ
ては、2つの半導体スイッチング素子の電極間を接続す
るワイヤを短くできるので、ワイヤによる配線抵抗や発
熱を少なくすることができる。In the solid state relay of the present invention, the wire connecting the electrodes of the two semiconductor switching elements can be shortened, so that the wiring resistance and heat generation by the wire can be reduced.
【0030】また、受光部と第1の半導体スイッチング
素子の電極を直接ワイヤボンディングすることにより、
受光部と半導体スイッチング素子を接続するワイヤも短
くなるので、さらにワイヤによる配線抵抗や発熱を少な
くすることができ、より広範囲な条件での使用が可能に
なる。さらに、ボンディング箇所が少なくなるので、ソ
リッドステートリレーの信頼性をより向上させることが
できる。Further, by directly wire-bonding the light receiving portion and the electrode of the first semiconductor switching element,
Since the wire connecting the light receiving portion and the semiconductor switching element is also shortened, it is possible to further reduce wiring resistance and heat generation by the wire, and it is possible to use in a wider range of conditions. Furthermore, since the number of bonding points is reduced, the reliability of the solid state relay can be further improved.
【0031】また、リード部分に実装されたPサイドア
ップ半導体発光素子のPサイドと他のリード部分に実装
されたNサイドアップ半導体発光素子のNサイドを直接
ワイヤボンディングすることによってボンディング箇所
やメッキ処理すべきリード部分が減少し、製造工程の簡
略化、製造コストの削減を図ることができる。Further, the P side of the P side-up semiconductor light emitting element mounted on the lead portion and the N side of the N side up semiconductor light emitting element mounted on the other lead portion are directly wire-bonded to each other to form a bonding portion or a plating treatment. The number of lead portions to be reduced can be reduced, the manufacturing process can be simplified, and the manufacturing cost can be reduced.
【0032】さらに、2つの半導体スイッチング素子を
実装するリード部分を支持する絶縁性のリード支持部を
リードフレームに設けているので、半導体スイッチング
素子を実装したリード部分が曲らずにリードフレームと
水平に維持でき、半導体スイッチング素子間のワイヤや
受光素子と半導体スイッチング素子間のワイヤの断線を
防ぐことができる。したがって、ソリッドステートリレ
ーの歩留りを向上させることもできる。また、リード支
持部は絶縁性であるので、露出したリード支持部によっ
ても感電することもなく、リード支持部からサージ電流
が流れ込まず、半導体スイッチング素子の破損等も防ぐ
ことができる。Further, since the lead frame is provided with the insulative lead supporting portion for supporting the lead portions on which the two semiconductor switching elements are mounted, the lead portions on which the semiconductor switching elements are mounted are not bent and are horizontal to the lead frame. Therefore, disconnection of the wire between the semiconductor switching elements and the wire between the light receiving element and the semiconductor switching element can be prevented. Therefore, the yield of the solid state relay can be improved. Further, since the lead supporting portion is insulative, no electric shock is caused by the exposed lead supporting portion, and a surge current does not flow from the lead supporting portion to prevent damage to the semiconductor switching element.
【図1】本発明の一実施例であるソリッドステートリレ
ーを示す平面構造図である。FIG. 1 is a plan structural view showing a solid state relay which is an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の別な実施例であるソリッドステートリ
レーを示す平面構造図である。FIG. 2 is a plan view showing a solid state relay which is another embodiment of the present invention.
【図3】(a)は同上の発光素子実装部の拡大説明図、
(b)はその発光素子実装部の等価回路図である。FIG. 3A is an enlarged explanatory view of the light emitting element mounting portion of the above,
(B) is an equivalent circuit diagram of the light emitting element mounting part.
【図4】(a)は本発明のさらに別な実施例であるソリ
ッドステートリレーの発光素子実装部の拡大説明図、
(b)はその発光素子実装部の等価回路図である。FIG. 4A is an enlarged explanatory view of a light emitting element mounting portion of a solid state relay which is still another embodiment of the present invention;
(B) is an equivalent circuit diagram of the light emitting element mounting part.
【図5】(a)は本発明のさらに別な実施例であるソリ
ッドステートリレーの平面構造図、(b)はその側断面
構造図である。FIG. 5A is a plan structural view of a solid state relay which is still another embodiment of the present invention, and FIG. 5B is a side sectional structural view thereof.
【図6】(a)(b)は、同上のソリッドステートリレ
ーの製造方法の一部を示す説明図である。6 (a) and 6 (b) are explanatory views showing a part of the method for manufacturing the solid state relay of the same.
【図7】(a)(b)は、同上のソリッドステートリレ
ーの製造方法を示す続図である。7 (a) and 7 (b) are continuation diagrams showing a method for manufacturing the solid-state relay of the same.
【図8】本発明のさらに別な実施例であるソリッドステ
ートリレーの側断面構造図である。FIG. 8 is a side sectional structural view of a solid state relay which is still another embodiment of the present invention.
【図9】従来例であるソリッドステートリレーの動作を
示す説明図である。FIG. 9 is an explanatory diagram showing an operation of a conventional solid state relay.
【図10】同上のソリッドステートリレーを示す平面構
造図である。FIG. 10 is a plan view showing a solid state relay of the above.
【図11】同上のソリッドステートリレーの製造方法を
示す説明図である。FIG. 11 is an explanatory view showing a method for manufacturing the solid state relay of the same.
【図12】(a)(b)はそれぞれ、同上のソリッドス
テートの製造方法における問題点を示す説明図である。12A and 12B are explanatory views showing problems in the solid-state manufacturing method of the above.
【図13】別な従来例であるソリッドステートリレーを
示す一部破断した平面構造図である。FIG. 13 is a partially cutaway plan view showing a solid state relay which is another conventional example.
【図14】(a)は、同上のソリッドステートリレーの
発光素子実装部の拡大説明図、(b)は同上の発光素子
実装部の等価回路図である。FIG. 14A is an enlarged explanatory view of a light emitting element mounting portion of the solid state relay of the above, and FIG. 14B is an equivalent circuit diagram of the light emitting element mounting portion of the same.
5a、5b MOSFET 3 受光素子 3a 受光素子のカソード 6a、6b 入力端子用リード 9a、9b、9c ダイパッド 11a、11b ソース電極 12 金線 16 リード支持部材 5a, 5b MOSFET 3 light receiving element 3a light receiving element cathode 6a, 6b input terminal leads 9a, 9b, 9c die pad 11a, 11b source electrode 12 gold wire 16 lead support member
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 多田 有為 京都府京都市右京区花園土堂町10番地 オ ムロン株式会社内 ─────────────────────────────────────────────────── ─── Continuation of the front page (72) Inventor Tada Yutaka Omron Co., Ltd. 10 Hanazono Dodocho, Ukyo-ku, Kyoto City, Kyoto Prefecture
Claims (4)
と、前記発光部から出射された光を受光する受光部と、
前記受光部で生じた光起電力によってスイッチング動作
を行なう第1の半導体スイッチング素子と第2の半導体
スイッチング素子を備え、前記受光部、前記第1の半導
体スイッチング素子及び前記第2の半導体スイッチング
素子をリードフレーム上にほぼ一列に実装して封止成形
したソリッドステートリレーにおいて、 前記受光部の電極と電気的に接続された前記第1の半導
体スイッチング素子の電極と前記第2の半導体スイッチ
ング素子の電極を直接ワイヤボンディングしたことを特
徴とするソリッドステートリレー。1. A light emitting unit that switches between a light emitting state and a light extinguishing state, and a light receiving unit that receives light emitted from the light emitting unit,
A first semiconductor switching element and a second semiconductor switching element that perform a switching operation by the photoelectromotive force generated in the light receiving section are provided, and the light receiving section, the first semiconductor switching element, and the second semiconductor switching element are provided. In a solid-state relay mounted on a lead frame in a line and sealed and molded, an electrode of the first semiconductor switching element and an electrode of the second semiconductor switching element electrically connected to an electrode of the light receiving unit. A solid-state relay characterized by direct wire bonding.
イッチング素子の電極を直接ワイヤボンディングしたこ
とを特徴とする請求項1に記載のソリッドステートリレ
ー。2. The solid state relay according to claim 1, wherein the electrode of the light receiving portion and the electrode of the first semiconductor switching element are directly wire-bonded.
イドアップ半導体発光素子と少なくとも1以上のNサイ
ドアップ半導体発光素子とから構成され、リード部分に
実装された前記Pサイドアップ半導体発光素子のPサイ
ドと他のリード部分に実装された前記Nサイドアップ半
導体素子のNサイドを直接ワイヤボンディングしたこと
を特徴とする請求項1又は2に記載のソリッドステート
リレー。3. The light emitting unit is composed of at least one P side-up semiconductor light emitting element and at least one N side up semiconductor light emitting element, and the P side up semiconductor light emitting element mounted on a lead portion. The solid state relay according to claim 1 or 2, wherein the P side and the N side of the N side-up semiconductor element mounted on the other lead portion are directly wire-bonded.
第1の半導体スイッチング素子を実装するリード部分及
び前記第2の半導体スイッチング素子を実装するリード
部分を支持するための絶縁性のリード支持部を設けたこ
とを特徴とする請求項1、2又は3に記載のソリッドス
テートリレー。4. The lead frame is provided with an insulating lead supporting portion for supporting at least a lead portion for mounting the first semiconductor switching element and a lead portion for mounting the second semiconductor switching element. The solid state relay according to claim 1, 2 or 3, characterized in that.
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2005339530A (en) * | 2004-05-03 | 2005-12-08 | Microsoft Corp | System and method for improving user interface shell for small computer device |
JP2006313821A (en) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Toyota Industries Corp | Semiconductor device |
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1994
- 1994-06-30 JP JP17322194A patent/JP3240575B2/en not_active Expired - Fee Related
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US6441404B1 (en) | 1997-04-28 | 2002-08-27 | Rohm Co., Ltd. | Multichip module |
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JP4572736B2 (en) * | 2005-05-09 | 2010-11-04 | 株式会社豊田自動織機 | Semiconductor device |
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