JPH0817777A - Method for washing silicon wafer - Google Patents

Method for washing silicon wafer

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JPH0817777A
JPH0817777A JP17343294A JP17343294A JPH0817777A JP H0817777 A JPH0817777 A JP H0817777A JP 17343294 A JP17343294 A JP 17343294A JP 17343294 A JP17343294 A JP 17343294A JP H0817777 A JPH0817777 A JP H0817777A
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JP
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Patent type
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wafer
surface
etching
silicon
mirror
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Pending
Application number
JP17343294A
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Japanese (ja)
Inventor
Tadashi Adachi
Kenji Hori
Masahiro Morimoto
Kazunari Takaishi
憲治 堀
昌弘 森元
正 足立
和成 高石
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
Mitsubishi Materials Shilicon Corp
三菱マテリアルシリコン株式会社
三菱マテリアル株式会社
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Abstract

PURPOSE:To prevent adhesive constituents from being transferred to the mirror surface of a wafer and to prevent particles from being adhered again by specifying the surface roughness of a silicon wafer dipped into HF solution after mirror polishing. CONSTITUTION:The surface roughness of silicon wafer where the silicon wafer after mirror polishing is dipped into HF solution is set to 2mum or less in terms of Rmax value. Therefore, after the mirror polishing, a specific etching treatment is performed, thus controlling the surface roughness of the silicon wafer. Hence, since the surface roughness of the wafer in the HF solution is highly flat, an adhesive constituent which is in the HF solution or melted into it cannot be adhered to the wafer surface even if the constituent tends to be bonded or adhered to the wafer surface. Namely, treatment for improving glossiness (flatness) on etching, for example, treatments to increase in etching temperature, increase in etching machining allowance, and change in etching liquid composition are performed.

Description

【発明の詳細な説明】 DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】 [0001]

【産業上の利用分野】本発明はシリコンウェーハの洗浄方法、詳しくはミラーウェーハをHF洗浄したとき、研磨剤残留に起因したパーティクルを低減するため、および、HF溶液中でのパーティクルの再付着防止のための改良に関する。 The present invention relates to a method of cleaning a silicon wafer, more specifically when the mirror wafer was HF cleaning, in order to reduce particles due to abrasive residue, and anti-redeposition of particles in a HF solution It relates to an improvement for. 詳しくは、ミラーウェーハに所定のエッチングを施してその表面粗度をコントロールすることにより、研磨接着剤の残留等によるHF溶液中でのパーティクルの付着を抑制する方法に関する。 Specifically, by controlling the surface roughness by performing predetermined etching to mirror wafer, a method of inhibiting adhesion of particles in HF solution due to residual like abrasive adhesive.

【0002】 [0002]

【従来の技術】一般に、ミラーウェーハは、ラップ工程、ミラー研磨工程、エッチング工程等を経て製造される。 In general, the mirror wafer, lapping step, the mirror polishing step, is manufactured through the etching process or the like. このウェーハのミラー研磨工程にあっては、例えば研磨剤としてアルミナ粉が、さらに、研磨接着剤としてワックス等が使用されていた。 In the mirror polishing process of this wafer, for example, alumina powder as a polishing agent, further wax has been used as a polishing adhesives. この結果、研磨後のウェーハ表裏面には研磨接着剤成分であるワックスが微量ではあるが残留する。 As a result, the wax in the wafer front and rear surfaces after polishing is polished adhesive component albeit in trace amounts remain.

【0003】この接着剤成分の除去は、SC−1洗浄液(アルカリ溶液+過酸化水素水)による酸化還元処理等の化学処理を施して行っていた。 [0003] removal of the adhesive component was performed by applying a chemical treatment of the redox treatment by SC-1 cleaning solution (alkaline solution and hydrogen peroxide solution). または、このSC−1 Or, the SC-1
洗浄後、超音波の使用による物理的な処理を施していた。 After washing, it was subjected to physical treatment by use of ultrasound. しかしながら、前者の化学処理のみでは、ウェーハの表裏面に付着したワックスは未だ十分に除去されていなかった。 However, only the former chemical treatment, wax adhering to the front and back surfaces of the wafer has not yet been sufficiently removed. また、後者の物理的な処理は設備、工程数が増える等の不都合があった。 The latter physical treatment facilities, there is an inconvenience such as the number of steps is increased. よって、従来は、ウェーハ加工工程の終了後、接着剤成分除去のため、再度HF溶液中への浸漬、洗浄処理を行っていた。 Therefore, conventionally, after the completion of wafer processing steps for the adhesive component removal has been performed the immersion, the washing process to re-HF solution.

【0004】 [0004]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このような従来のHF洗浄処理工程では、複数枚のウェーハを搭載したウェーハカセットをHF溶液中にディッピングしていた。 [SUMMARY OF THE INVENTION However, in such a conventional HF cleaning process, it was dipping the wafer cassette having a plurality of wafers in an HF solution. このため、ウェーハカセット内の複数のウェーハ間で、あるウェーハの裏面から対向する他のウェーハのミラー面(表面)に、HF中で接着剤成分、および、酸化膜中に取り込まれていたパーティクルが転写されるという不都合が生じていた。 Therefore, among a plurality of wafers in the wafer cassette, the mirror surface of the other wafer to an opposing back surface of a wafer (surface), adhesive component in HF, and, particles that were incorporated into the oxide film inconvenience that is transferred has occurred. すなわち、HF洗浄にてウェーハ表面のパーティクル清浄度を悪化させていた。 That was exacerbated particle cleanliness of the wafer surface at HF ​​cleaning.

【0005】また、この接着剤除去処理後、再付着したパーティクル成分の持込みによって量産ラインへの悪影響を及ぼしていたという課題があった。 [0005] After the adhesive removal process, there is a problem that has been adversely affected to mass production line by bringing the reattached particle component.

【0006】そこで、本願発明者らは、上記課題を解決すべく検討を重ねた結果、研磨ウェーハの表面粗度をコントロールすることにより、接着剤を相対的に効率良く除去することのできる条件を見出した。 [0006] Therefore, the present inventors have made extensive studies to solve the above problems, by controlling the surface roughness of the polished wafer, the conditions that can be relatively efficiently remove adhesive heading was. すなわち、ウェーハの表面粗さをRmax値で2μm以下とすることにより、研磨剤除去処理である化学処理または物理処理をより効果的にすることを可能とした。 That is, the surface roughness of the wafer by a 2μm or less in Rmax value, it made it possible to chemical treatment or physical treatment is abrasive removal treatment more effectively. これは、Rmax This is, Rmax
値の低下によって表面粗度で表される凹凸が徐々に小さくなり、接着剤とウェーハ面との接触面積が低減されるからである。 Gradually reduced unevenness represented by surface roughness by a decrease in value, because the contact area between the adhesive and the wafer surface is reduced. また、ウェーハ表裏面と接着剤との間の静電結合力を小さく抑える効果と、見かけの接触角の低下により洗浄液のしみこみが容易になることによるものと考えられる。 Further, the wafer front and back surfaces and the effect to suppress the electrostatic coupling force between the adhesive is believed to be due to penetration of the cleaning liquid is facilitated by a decrease in the apparent contact angle.

【0007】本発明は、HF溶液中でのディッピングにてウェーハのミラー面への接着剤成分の転写、パーティクルの再付着を防止し、ウェーハ表面のパーティクル清浄度を良好に保持することを、その目的としている。 [0007] The present invention, dipping at the transfer of the adhesive components to the mirror surface of the wafer in a HF solution, that prevents the re-adhesion of particles, maintained satisfactorily particle cleanliness of the wafer surface, the it is an object.

【0008】 [0008]

【課題を解決するための手段】請求項1に記載した発明では、ミラー研磨後のシリコンウェーハをHF溶液に浸漬するシリコンウェーハの洗浄方法において、この浸漬するシリコンウェーハの表面粗さをRmax値で2μm In the invention according to claim 1 SUMMARY OF THE INVENTION, the silicon wafer after mirror polishing in the cleaning method of silicon wafer is immersed in HF solution, the surface roughness of the silicon wafer to the immersion in Rmax value 2μm
以下としたシリコンウェーハの洗浄方法である。 Or less and the silicon wafer cleaning method.

【0009】請求項2に記載した発明は、ミラー研磨後、所定のエッチング処理を行うことにより、シリコンウェーハの表面粗さを制御する請求項1に記載のシリコンウェーハの洗浄方法である。 [0009] invention as set forth in claim 2, after mirror polishing, by performing a predetermined etching process, a cleaning method of silicon wafers as claimed in claim 1 for controlling the surface roughness of the silicon wafer.

【0010】 [0010]

【作用】本発明に係るシリコンウェーハの洗浄方法によれば、HF溶液中のウェーハの表面粗さが高度に平坦である結果、HF溶液中のまたはこれに溶け出した接着剤成分がウェーハ表面に結合、付着しようとしても、付着することはない。 According to the cleaning method of silicon wafer according to the present invention, the surface roughness of the wafer HF solution is highly flat result, the adhesive component melts or to HF solution within the wafer surface binding, even if an attempt is attached, it will not be attached. より具体的には、エッチング時に光沢度(平坦度)をあげる処理、例えばエッチング温度の上昇、エッチング取り代の増加、エッチング液組成の変更等を行う。 More specifically, it performs processing for increasing the gloss (flatness) during etching, for example, increasing the etching temperature, the increase in amount removed by etching, the change of the etching solution composition.

【0011】 [0011]

【実施例】以下、図面を参照して本発明の実施例を説明する。 EXAMPLES Hereinafter, an embodiment of the present invention with reference to the drawings. 研磨した材料であるエッチング処理後のシリコンウェーハは、例えば混酸処理によるエッチングを採用した場合は、図1に示したように、化学反応により、その表面粗度が一定の値を示すことが知られている。 Silicon wafer after the etching process is a polished material, the case of employing etching by e.g. mixed acid treatment, as shown in FIG. 1, by a chemical reaction, the surface roughness is known to exhibit a constant value ing. 図1において示す光沢度とは、一定の光量を対象とする面に照射し、このとき反射してくる光の光量を測定することにより、その面の粗度を評価した数値である。 The glossiness shown in FIG. 1, is irradiated on the surface directed to the constant amount of light by measuring the amount of light reflected at this time, a value obtained by evaluating the roughness of the surface. したがって、表面粗度Rmax値は光沢度に対して一定の相関関係を有していることがわかる。 Therefore, the surface roughness Rmax value is seen to have a certain correlation with respect to glossiness. この測定には、例えば日本電飾(株)製の光沢度測定機を使用する。 This measurement, for example using a Nippon illuminations Co. gloss measuring instrument.

【0012】混酸エッチング処理時に作製した、様々な光沢度、すなわち各種の表面粗さを有する研磨材料(シリコンウェーハ)を所定の接着剤塗布後、研磨した。 [0012] mixed acid was produced during the etching process, a variety of gloss, i.e. after polishing material (silicon wafer) with a predetermined adhesive application having various surface roughness were polished. H
F洗浄には、体積濃度5%のHF溶液を使用した。 The F wash was used the volume concentration of 5% HF solution. このHF溶液中で5インチウェーハを25枚カセットに保持し、研磨接着剤除去効果の確認を行った。 The five inches wafer in this HF solution was maintained at 25-sheet cassette, was confirmed abrasive adhesive removal effect.

【0013】図2は、各光沢度(表面粗さ)に対するH [0013] Figure 2, H for each gloss (surface roughness)
F溶液中からの転写パーティクルの平均値を示している。 It indicates the average value of the transfer particles from F solution. 図2は洗浄時のパーティクルの除去し易さを示している。 Figure 2 shows the ease of removal of the cleaning time of particles. 光沢度の増加(粗さが低下、平坦化する)にしたがい転写パーティクル量が指数関数的に減少していることを確認することができる。 Increase in gloss (roughness decreases, planarized) can be sure that the transfer amount of particles is reduced exponentially in accordance with. 平均光沢度は、エッチング取り代を30〜40μmまで変化させることにより作製したサンプルウェーハを使用している。 The average gloss, using a sample wafer prepared by changing the amount removed by etching to 30 to 40 .mu.m. HF転写評価方法は、5%HF溶液中に10分間ディップ後表面のパーティクルをパーティクルカウンタ(サーフスキャン:テンコール社製)により測定したものである。 HF transfer evaluation method, the particle a particle counter of 5% HF solution for 10 min dip after surface during: is measured by (Surfscan Tencor Corp.).

【0014】図3は、清浄HF溶液5%中をラテックス粒子により強制的に汚染させた場合、その材料の光沢度と付着パーティクル量との関係を示している。 [0014] Figure 3, when the inside cleaning HF solution 5% was forcedly contaminated by latex particles, indicates the relationship between gloss and adhesion particle amount of the material. これは、 this is,
HF溶液中からのパーティクル再付着のし易さのみを示したものである。 It illustrates only particles reattachment ease from HF solution. あらかじめ5%HF溶液中にラテックス粒子0.3μmを13000個/10mlの濃度に調整した。 Adjusting the latex particles 0.3μm in a concentration of 13000 cells / 10 ml in advance 5% HF solution. この中に図2に示した方法で作製したサンプルウェーハを1分間、10分間、ディップさせた後に、同様にパーティクル数をカウントしたものである。 1 minute sample wafer produced by the method shown in this Figure 2, 10 minutes and after dip, is obtained by counting the number of particles as well. この結果、材料粗度の向上(平坦化)により、再付着パーティクル量も抑制されていることが判る。 As a result, the improvement of material roughness (flattening), redeposition particles amount understood to have been suppressed.

【0015】最終的にHF中における転写パーティクルを上記2つの効果により図4に示したように抑制した結果を得た。 [0015] The transfer of particles in the final in HF results were obtained with suppressed as shown in FIG. 4 by the two effects. このときの表面粗度は1.5μm以上で2. Surface roughness at this time is 2 at 1.5μm or more.
0μm以下である。 0μm is less than or equal to. 1.5μm≦Rmax≦2.0μm 1.5μm ≦ Rmax ≦ 2.0μm
である。 It is.

【0016】 [0016]

【発明の効果】本発明によれば、HF溶液中でのウェーハ表面へのパーティクルの転写を抑止することができる。 According to the present invention, it is possible to prevent the particles transferred to the wafer surface at HF ​​solution.

【図面の簡単な説明】 BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS

【図1】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗浄方法におけるエッチング処理後の光沢度と表面粗度の相関を示すグラフである。 1 is a graph showing the correlation between gloss and surface roughness after the etching treatment in the cleaning method of silicon wafer according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗浄方法におけるエッチング処理後の光沢度と転写パーティクルとの関係を示すグラフである。 2 is a graph showing the relationship between the gloss after the etching process and the transfer of particles in the cleaning method of silicon wafer according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗浄方法におけるエッチング処理後の光沢度とHF溶液での再付着によるパーティクルとの関係を示すグラフである。 3 is a graph showing the relationship between the particles due to re-adhesion of at gloss and HF solution after the etching treatment in the cleaning method of silicon wafer according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施例に係るシリコンウェーハの洗浄方法におけるパーティクルの低減効果を示すグラフである。 Is a graph showing the effect of reducing the particle in the cleaning method of silicon wafer according to an embodiment of the present invention; FIG.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高石 和成 東京都千代田区岩本町3丁目8番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 (72)発明者 堀 憲治 東京都千代田区岩本町3丁目8番16号 三 菱マテリアルシリコン株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── continued (72) of the front page inventor Kazunari Takaishi, Chiyoda-ku, tokyo Iwamotocho 3-chome No. 8 No. 16 Mitsubishi Materials, the silicon Co., Ltd. (72) inventor Kenji Hori, Chiyoda-ku, tokyo Iwamotocho 3-chome 8 Ban No. 16 Mitsubishi Materials, the silicon Co., Ltd.

Claims (2)

    【特許請求の範囲】 [The claims]
  1. 【請求項1】 ミラー研磨後のシリコンウェーハをHF The method according to claim 1 silicon wafer after mirror polishing HF
    溶液に浸漬するシリコンウェーハの洗浄方法において、 この浸漬するシリコンウェーハの表面粗さをRmax値で2μm以下としたシリコンウェーハの洗浄方法。 In the cleaning method of silicon wafer is immersed in a solution, the method of cleaning a silicon wafer to a surface roughness of the silicon wafer was 2μm or less in Rmax value of this immersion.
  2. 【請求項2】 ミラー研磨後、所定のエッチング処理を行うことにより、シリコンウェーハの表面粗さを制御する請求項1に記載のシリコンウェーハの洗浄方法。 Wherein after the mirror polishing, by performing a predetermined etching process, the method of cleaning a silicon wafer according to claim 1 for controlling the surface roughness of the silicon wafer.
JP17343294A 1994-07-01 1994-07-01 Method for washing silicon wafer Pending JPH0817777A (en)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
FR2823599A1 (en) * 2001-04-13 2002-10-18 Commissariat Energie Atomique Preparation of substrate capable of being dismantled includes formation of interface between thin layer and substrate by molecular adhesion in controlled manner
US7713369B2 (en) 2001-04-13 2010-05-11 Commissariat A L'energie Atomique Detachable substrate or detachable structure and method for the production thereof

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