JPH08168474A - 両面ｒｆ遮蔽体を含む磁気共鳴システム - Google Patents
両面ｒｆ遮蔽体を含む磁気共鳴システムInfo
- Publication number
- JPH08168474A JPH08168474A JP7193953A JP19395395A JPH08168474A JP H08168474 A JPH08168474 A JP H08168474A JP 7193953 A JP7193953 A JP 7193953A JP 19395395 A JP19395395 A JP 19395395A JP H08168474 A JPH08168474 A JP H08168474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- conductive
- coil
- shield
- magnetic resonance
- resonance system
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R33/00—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables
- G01R33/20—Arrangements or instruments for measuring magnetic variables involving magnetic resonance
- G01R33/28—Details of apparatus provided for in groups G01R33/44 - G01R33/64
- G01R33/42—Screening
- G01R33/422—Screening of the radio frequency field
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Epidemiology (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Magnetic Resonance Imaging Apparatus (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気共鳴システムの直角ＲＦコイル１１とそ
の周囲の勾配コイル２との間に配置される円筒形の遮蔽
体１０を提供する。 【解決手段】 遮蔽体は、絶縁誘電体３２によって隔て
られた一対の銅薄板３０，３１を含む。一方の銅薄板の
切れ目２１によって形成されるパターンはＲＦ直角磁界
の一方によって遮蔽体に誘導される電流とそろい、他方
の銅薄板の切れ目によって形成されるパターンは他方の
ＲＦ直角磁界によって遮蔽体に誘導される電流とそろ
う。絶縁破壊を防止するために銅薄板が短絡点４０，４
１，４２で一緒に短絡され、また勾配誘導渦電流を防止
するために各銅薄板に短い切れ目３５が形成される。
の周囲の勾配コイル２との間に配置される円筒形の遮蔽
体１０を提供する。 【解決手段】 遮蔽体は、絶縁誘電体３２によって隔て
られた一対の銅薄板３０，３１を含む。一方の銅薄板の
切れ目２１によって形成されるパターンはＲＦ直角磁界
の一方によって遮蔽体に誘導される電流とそろい、他方
の銅薄板の切れ目によって形成されるパターンは他方の
ＲＦ直角磁界によって遮蔽体に誘導される電流とそろ
う。絶縁破壊を防止するために銅薄板が短絡点４０，４
１，４２で一緒に短絡され、また勾配誘導渦電流を防止
するために各銅薄板に短い切れ目３５が形成される。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は無線周波（ＲＦ）遮蔽体
に関し、更に詳しくは核磁気共鳴（ＮＭＲ）イメージン
グ装置の中の全身用ＲＦコイルと一組の勾配コイルとの
間に配置するための新規な両面ＲＦ遮蔽体に関するもの
である。
に関し、更に詳しくは核磁気共鳴（ＮＭＲ）イメージン
グ装置の中の全身用ＲＦコイルと一組の勾配コイルとの
間に配置するための新規な両面ＲＦ遮蔽体に関するもの
である。
【０００２】
【従来の技術】ＮＭＲイメージング装置は通常、空間選
択的な情報を得るために一組３個の勾配コイルを使用す
る。これらの勾配コイルの各々は一般に、全長が数百メ
ートルまでの導電性ワイヤの多数のターンを含む。ＲＦ
磁界が勾配コイルの導電性ワイヤに当たると、ＲＦ磁界
はそれらのエネルギのかなりの部分を失う。この損失の
機構は完全には理解されていないが、多分、高電流の共
鳴により勾配構造を励起するのに関連して高損失を生じ
ると思われる。勾配コイル等のＲＦ電力損失は、ＲＦコ
イルのＱの低下として現れ、その結果、イメージング装
置で達成し得る信号対雑音比（ＳＮＲ）の低下として現
れる。したがって、取り囲んでいる勾配コイルへのＲＦ
磁界の侵入を防止することが非常に望ましく、これを達
成するために通常はＲＦコイルと勾配コイルとの間に遮
蔽体が配置される。しかし、ＲＦ遮蔽体は勾配磁界に対
しては事実上透明でなければならないので、勾配周波数
（通常、約１０ＫＨｚより低い）で遮蔽体に有意の電流
が誘導されるのを防止して、画像に悪影響を及ぼす時間
依存磁界不均一性や空間依存磁界不均一性が現れないよ
うにしなければならない。
択的な情報を得るために一組３個の勾配コイルを使用す
る。これらの勾配コイルの各々は一般に、全長が数百メ
ートルまでの導電性ワイヤの多数のターンを含む。ＲＦ
磁界が勾配コイルの導電性ワイヤに当たると、ＲＦ磁界
はそれらのエネルギのかなりの部分を失う。この損失の
機構は完全には理解されていないが、多分、高電流の共
鳴により勾配構造を励起するのに関連して高損失を生じ
ると思われる。勾配コイル等のＲＦ電力損失は、ＲＦコ
イルのＱの低下として現れ、その結果、イメージング装
置で達成し得る信号対雑音比（ＳＮＲ）の低下として現
れる。したがって、取り囲んでいる勾配コイルへのＲＦ
磁界の侵入を防止することが非常に望ましく、これを達
成するために通常はＲＦコイルと勾配コイルとの間に遮
蔽体が配置される。しかし、ＲＦ遮蔽体は勾配磁界に対
しては事実上透明でなければならないので、勾配周波数
（通常、約１０ＫＨｚより低い）で遮蔽体に有意の電流
が誘導されるのを防止して、画像に悪影響を及ぼす時間
依存磁界不均一性や空間依存磁界不均一性が現れないよ
うにしなければならない。
【０００３】従来、最も普通に使用されたＲＦ遮蔽体
は、銅−誘電体−銅の積層薄板を使用する両面遮蔽体で
あった。各銅薄板の導電路のパターンは、大体、ＲＦコ
イルによって生じる磁界により連続形遮蔽体に誘導され
る電流経路を近似するものになっている。このような構
造の１つは、１９８９年１１月７日に付与された、発明
の名称「ＮＭＲイメージング装置の勾配コイルの内側に
配置されるＲＦコイル用の両面ＲＦ遮蔽体（Ｄｏｕｂｌ
ｅ−Ｓｉｄｅｄ ＲＦ Ｓｈｉｅｌｄ ＦｏｒＲＦ Ｃ
ｏｉｌ Ｃｏｎｔａｉｎｅｄ Ｗｉｔｈｉｎ Ｇｒａｄ
ｉｅｎｔ Ｃｏｉｌｓ Ｏｆ ＮＭＲ Ｉｍａｇｉｎｇ
Ｄｅｖｉｃｅ）」の米国特許第４，８７９，５１５号
に開示されている。
は、銅−誘電体−銅の積層薄板を使用する両面遮蔽体で
あった。各銅薄板の導電路のパターンは、大体、ＲＦコ
イルによって生じる磁界により連続形遮蔽体に誘導され
る電流経路を近似するものになっている。このような構
造の１つは、１９８９年１１月７日に付与された、発明
の名称「ＮＭＲイメージング装置の勾配コイルの内側に
配置されるＲＦコイル用の両面ＲＦ遮蔽体（Ｄｏｕｂｌ
ｅ−Ｓｉｄｅｄ ＲＦ Ｓｈｉｅｌｄ ＦｏｒＲＦ Ｃ
ｏｉｌ Ｃｏｎｔａｉｎｅｄ Ｗｉｔｈｉｎ Ｇｒａｄ
ｉｅｎｔ Ｃｏｉｌｓ Ｏｆ ＮＭＲ Ｉｍａｇｉｎｇ
Ｄｅｖｉｃｅ）」の米国特許第４，８７９，５１５号
に開示されている。
【０００４】勾配磁界パルスによって銅薄板に渦電流が
流れないようにするために、閉ループが形成されないよ
うに、導電性パターンは切断され、すなわち開路され
る。しかし、（このような切れ目の配置を除けば）銅の
パターンは誘電体層の両側で同じであるので、銅のパタ
ーンはコンデンサを形成し、このコンデンサはＲＦコイ
ルのラーモア周波数で非常に低いインピーダンスを提供
する。このコンデンサの容量によって、切れ目が事実上
短絡され、ＲＦ周波数で遮蔽体の完全性が維持される。
流れないようにするために、閉ループが形成されないよ
うに、導電性パターンは切断され、すなわち開路され
る。しかし、（このような切れ目の配置を除けば）銅の
パターンは誘電体層の両側で同じであるので、銅のパタ
ーンはコンデンサを形成し、このコンデンサはＲＦコイ
ルのラーモア周波数で非常に低いインピーダンスを提供
する。このコンデンサの容量によって、切れ目が事実上
短絡され、ＲＦ周波数で遮蔽体の完全性が維持される。
【０００５】高速イメージング（ＨＳＩ）およびエコー
プラナイメージング（ＥＰＩ）においては、スルー（ｓ
ｌｅｗ）レートが２３０Ｔ／ｍ／ｓまでの非常に高速の
勾配パルスが用いられる。全身ＭＲイメージングシステ
ムの標準的な勾配コイル、勾配増幅器、ＲＦコイルおよ
び遮蔽体構成要素は、これらのプロトコルを遂行する際
にある程度の成功しか得られなかった。その主要な理由
は、ＲＦ遮蔽体と勾配増幅器との間の望ましくない反応
であり、これにより勾配増幅器が不安定になったり、飽
和したりするとともに、ＲＦ遮蔽体が加熱される。この
ようなプロトコルを使用すべき場合には、ＲＦコイルと
勾配コイルとの間の遷移環境を改善しなければならな
い。
プラナイメージング（ＥＰＩ）においては、スルー（ｓ
ｌｅｗ）レートが２３０Ｔ／ｍ／ｓまでの非常に高速の
勾配パルスが用いられる。全身ＭＲイメージングシステ
ムの標準的な勾配コイル、勾配増幅器、ＲＦコイルおよ
び遮蔽体構成要素は、これらのプロトコルを遂行する際
にある程度の成功しか得られなかった。その主要な理由
は、ＲＦ遮蔽体と勾配増幅器との間の望ましくない反応
であり、これにより勾配増幅器が不安定になったり、飽
和したりするとともに、ＲＦ遮蔽体が加熱される。この
ようなプロトコルを使用すべき場合には、ＲＦコイルと
勾配コイルとの間の遷移環境を改善しなければならな
い。
【０００６】良好なＲＦ遮蔽体の設計に対するもう１つ
の課題は、そのコストである。最新式のＭＲイメージン
グシステムで使用されるＲＦコイルは、分極（ｐｏｌａ
ｒｉｚｉｎｇ）磁界の方向に垂直な平面内で測定したと
き互いに９０°の方向を向いた２つのＲＦ磁界を作成す
る。その結果、このような直角磁界を使用する従来のシ
ステムでは、２つの別々の遮蔽体（すなわち、銅薄板−
誘電体−銅薄板）が用いられる。それらの導電性パター
ンは、ＲＦコイルが生じるそれぞれの直角磁界と一致す
るように別々に位置合わせされる。このような２つの遮
蔽体を使用することは費用がかかる。
の課題は、そのコストである。最新式のＭＲイメージン
グシステムで使用されるＲＦコイルは、分極（ｐｏｌａ
ｒｉｚｉｎｇ）磁界の方向に垂直な平面内で測定したと
き互いに９０°の方向を向いた２つのＲＦ磁界を作成す
る。その結果、このような直角磁界を使用する従来のシ
ステムでは、２つの別々の遮蔽体（すなわち、銅薄板−
誘電体−銅薄板）が用いられる。それらの導電性パター
ンは、ＲＦコイルが生じるそれぞれの直角磁界と一致す
るように別々に位置合わせされる。このような２つの遮
蔽体を使用することは費用がかかる。
【０００７】
【発明の概要】本発明は、勾配磁界サブシステムの性能
またはＲＦコイルの性能を著しく変えない直角ＲＦ磁界
コイルに対するＲＦ遮蔽体である。更に詳しく述べる
と、本発明の遮蔽体は、（１）直角ＲＦ磁界コイルのま
わりに配置された誘電体薄板、（２）誘電体薄板の一方
の表面に取り付けられた第１の銅薄板であって、直角Ｒ
Ｆ磁界コイルによって発生される磁界の一方により誘導
される電流と一致する導電路が形成されている第１の銅
薄板、および（３）誘電体薄板の他方の表面に取り付け
られた第２の銅薄板であって、直角ＲＦ磁界コイルよっ
て発生される磁界の他方により誘導される電流と一致す
る導電路が形成されている第２の銅薄板を含み、上記第
１および第２の銅薄板に形成された導電路は複数の閉ル
ープを含み、更にこれらの閉ループの各々を開路するた
めの切れ目が形成されている。
またはＲＦコイルの性能を著しく変えない直角ＲＦ磁界
コイルに対するＲＦ遮蔽体である。更に詳しく述べる
と、本発明の遮蔽体は、（１）直角ＲＦ磁界コイルのま
わりに配置された誘電体薄板、（２）誘電体薄板の一方
の表面に取り付けられた第１の銅薄板であって、直角Ｒ
Ｆ磁界コイルによって発生される磁界の一方により誘導
される電流と一致する導電路が形成されている第１の銅
薄板、および（３）誘電体薄板の他方の表面に取り付け
られた第２の銅薄板であって、直角ＲＦ磁界コイルよっ
て発生される磁界の他方により誘導される電流と一致す
る導電路が形成されている第２の銅薄板を含み、上記第
１および第２の銅薄板に形成された導電路は複数の閉ル
ープを含み、更にこれらの閉ループの各々を開路するた
めの切れ目が形成されている。
【０００８】本発明の一般的な目的は、直角ＲＦコイル
用の遮蔽体を提供することである。導電性パターンを互
に対して９０°移動して各導電性パターンを直角ＲＦ磁
界の１つと一致させることにより、単一の銅−誘電体−
銅の遮蔽体を直角ＲＦ磁界コイルに対して使用できるこ
とが見出された。誘電体薄板の両面上の導体はもはや相
互にそろっていないので、閉ループの中で切れ目を短絡
するために必要な容量は小さくなる。これは、誘電体薄
板の厚さを小さくすることにより、また切れ目を食い違
いに配置して各直角コイルモードの性能（すなわちＱ）
の間の平衡を維持することにより、相殺される。
用の遮蔽体を提供することである。導電性パターンを互
に対して９０°移動して各導電性パターンを直角ＲＦ磁
界の１つと一致させることにより、単一の銅−誘電体−
銅の遮蔽体を直角ＲＦ磁界コイルに対して使用できるこ
とが見出された。誘電体薄板の両面上の導体はもはや相
互にそろっていないので、閉ループの中で切れ目を短絡
するために必要な容量は小さくなる。これは、誘電体薄
板の厚さを小さくすることにより、また切れ目を食い違
いに配置して各直角コイルモードの性能（すなわちＱ）
の間の平衡を維持することにより、相殺される。
【０００９】本発明のより特定の目的は、電圧絶縁破壊
事象が２つの銅薄板の間および同じ銅薄板の隣り合う導
電路の間に発生しないようにすることである。これは、
遮蔽体の円周に沿った複数の位置で２つの銅薄板を短絡
することにより、そしてこれらの位置の間で銅薄板に短
絡路を設けて遮蔽体の円周に沿った導電性リングを形成
することにより、達成される。導電性リングは、銅薄板
相互の間および各銅薄板中の隣り合う導電路の間の勾配
誘導電圧が誘電体材料を通しての又は誘電体材料を横切
る絶縁破壊を生じさせるレベルに達しないようにする。
事象が２つの銅薄板の間および同じ銅薄板の隣り合う導
電路の間に発生しないようにすることである。これは、
遮蔽体の円周に沿った複数の位置で２つの銅薄板を短絡
することにより、そしてこれらの位置の間で銅薄板に短
絡路を設けて遮蔽体の円周に沿った導電性リングを形成
することにより、達成される。導電性リングは、銅薄板
相互の間および各銅薄板中の隣り合う導電路の間の勾配
誘導電圧が誘電体材料を通しての又は誘電体材料を横切
る絶縁破壊を生じさせるレベルに達しないようにする。
【００１０】
【好適実施態様の説明】まず図１を参照して説明する。
本発明による無線周波（ＲＦ）遮蔽体１０は、核磁気共
鳴（ＮＭＲ）イメージング装置の（図示されない）磁石
の内腔４内に、全身用ＲＦコイル１１と一組の磁界勾配
コイル２との間に配置された中空の円筒形の導電性部材
である。慣例により、ＮＭＲシステムの（内腔４のまわ
りに形成された磁気手段によって作られる）主磁石の主
静磁界Ｂ0 はデカルト座標系のＺ軸とそろえられる。Ｒ
Ｆ信号に応動して、ＲＦコイル１１はコイル１１の内腔
内にＲＦ磁界Ｂ1 を形成する。磁界Ｂ1 は通常Ｘ−Ｙ平
面内にある。コイル１１の外側にもかなりのＲＦ磁界が
存在し、このＲＦ磁界は、当業者には周知のように、Ｒ
Ｆ遮蔽体１０が設けられて事実上ＲＦ短絡回路として動
作していなければ、勾配コイル２に当たる。遮蔽体１０
は、勾配磁界がＲＦコイル１１の内腔に入って、その中
の容積に空間符号化情報を加えることができるように、
勾配コイル２からの磁界に対して事実上透明でなければ
ならない。
本発明による無線周波（ＲＦ）遮蔽体１０は、核磁気共
鳴（ＮＭＲ）イメージング装置の（図示されない）磁石
の内腔４内に、全身用ＲＦコイル１１と一組の磁界勾配
コイル２との間に配置された中空の円筒形の導電性部材
である。慣例により、ＮＭＲシステムの（内腔４のまわ
りに形成された磁気手段によって作られる）主磁石の主
静磁界Ｂ0 はデカルト座標系のＺ軸とそろえられる。Ｒ
Ｆ信号に応動して、ＲＦコイル１１はコイル１１の内腔
内にＲＦ磁界Ｂ1 を形成する。磁界Ｂ1 は通常Ｘ−Ｙ平
面内にある。コイル１１の外側にもかなりのＲＦ磁界が
存在し、このＲＦ磁界は、当業者には周知のように、Ｒ
Ｆ遮蔽体１０が設けられて事実上ＲＦ短絡回路として動
作していなければ、勾配コイル２に当たる。遮蔽体１０
は、勾配磁界がＲＦコイル１１の内腔に入って、その中
の容積に空間符号化情報を加えることができるように、
勾配コイル２からの磁界に対して事実上透明でなければ
ならない。
【００１１】代表的な全身用ＲＦコイル１１が図２に示
されている。絶縁性材料の円筒形基板１２上に形成され
たこの高域通過「鳥かご形」コイルは、間隔を置いて配
置された第１および第２の端リング１３および１４を含
む。各端リングは、容量性素子１６によって相互に接合
された複数（図示のものでは８個）の導電性部分を有す
る。したがって、各端リング１３、１４は、ＲＦ磁界Ｂ
1 と同様に、事実上Ｘ−Ｙ平面内にある。同じ数の軸方
向の導電性部材１５が、第１の端リング１３の１つの導
電性部分と第２の端リング１４の同じ位置にある導電性
部分との間にＺ方向に伸びる。したがって、第１の細長
い導電性部材１５は角度θ＝０に配置され、残りの７個
の細長い導電性部材１５は各々、外周のまわりに逐次、
より大きな角度の所に配置される。コイルが円筒対称で
あるために、Ｒ，θの形式の円筒座標を使用してＲＦ磁
界および電流が解析される。ここでθは、Ｚ軸および導
電性部材１５の１つを通って形成される平面に対する回
転角度である。コイル１１の軸方向中心はＺ＝０の座標
に配置される。そして鳥かご形コイル電流は、非常に薄
い層に制限され、端リングの内側寸法Ｚ1 および端リン
グの外側寸法Ｚ2 によって規定される端リングの領域を
通って流れる傾向がある。単一の励起モードを有するコ
イルを展開して平たく置いた場合の、電流の流線に平行
な仮定のコイル分布等値線が、図３に示されている。等
値線により電流を等しい間隔で表しており、電流は矢印
Ａの向きに流れる。
されている。絶縁性材料の円筒形基板１２上に形成され
たこの高域通過「鳥かご形」コイルは、間隔を置いて配
置された第１および第２の端リング１３および１４を含
む。各端リングは、容量性素子１６によって相互に接合
された複数（図示のものでは８個）の導電性部分を有す
る。したがって、各端リング１３、１４は、ＲＦ磁界Ｂ
1 と同様に、事実上Ｘ−Ｙ平面内にある。同じ数の軸方
向の導電性部材１５が、第１の端リング１３の１つの導
電性部分と第２の端リング１４の同じ位置にある導電性
部分との間にＺ方向に伸びる。したがって、第１の細長
い導電性部材１５は角度θ＝０に配置され、残りの７個
の細長い導電性部材１５は各々、外周のまわりに逐次、
より大きな角度の所に配置される。コイルが円筒対称で
あるために、Ｒ，θの形式の円筒座標を使用してＲＦ磁
界および電流が解析される。ここでθは、Ｚ軸および導
電性部材１５の１つを通って形成される平面に対する回
転角度である。コイル１１の軸方向中心はＺ＝０の座標
に配置される。そして鳥かご形コイル電流は、非常に薄
い層に制限され、端リングの内側寸法Ｚ1 および端リン
グの外側寸法Ｚ2 によって規定される端リングの領域を
通って流れる傾向がある。単一の励起モードを有するコ
イルを展開して平たく置いた場合の、電流の流線に平行
な仮定のコイル分布等値線が、図３に示されている。等
値線により電流を等しい間隔で表しており、電流は矢印
Ａの向きに流れる。
【００１２】前掲の米国特許第４，８７９，５１５号に
説明されているように、図３の電流等値線を形成する磁
界に対する遮蔽体が図４に示されている。この特許の教
示するところによれば、等値線２１で示される通りに銅
薄板２０を切ることにより、ＲＦコイル１１によって形
成される直角磁界の１つにより誘導される電流Ｉｓに対
する別々の導電路２２が形成される。結果として得られ
るパターンは、一対の中心導電性パッド２３をそれぞれ
取り巻く多数の導電性ループを含む。これらの導電性ル
ープは、開路されなければ、勾配磁界によって誘導され
る渦電流を流れさせる。従来の構造では、開路は、各導
電性パッド２３から銅薄板２０の１つの縁まで伸びる切
れ目２４を形成することによって行われる。これらの切
れ目２４によって渦電流は止められるが、電流Ｉｓの流
れも妨げられ、ＲＦ遮蔽体としての有効性が低下する。
説明されているように、図３の電流等値線を形成する磁
界に対する遮蔽体が図４に示されている。この特許の教
示するところによれば、等値線２１で示される通りに銅
薄板２０を切ることにより、ＲＦコイル１１によって形
成される直角磁界の１つにより誘導される電流Ｉｓに対
する別々の導電路２２が形成される。結果として得られ
るパターンは、一対の中心導電性パッド２３をそれぞれ
取り巻く多数の導電性ループを含む。これらの導電性ル
ープは、開路されなければ、勾配磁界によって誘導され
る渦電流を流れさせる。従来の構造では、開路は、各導
電性パッド２３から銅薄板２０の１つの縁まで伸びる切
れ目２４を形成することによって行われる。これらの切
れ目２４によって渦電流は止められるが、電流Ｉｓの流
れも妨げられ、ＲＦ遮蔽体としての有効性が低下する。
【００１３】米国特許第４，８７９，５１５号に開示さ
れた解決策は、第２の銅薄板２０に同じ切れ目を形成す
ることにより同じ構造を構成し、図６に示すように２つ
の銅薄板２０の間に誘電体材料の薄い板をはさむことに
よりＲＦ遮蔽体１０を形成するものである。各銅薄板２
０の導電路はそろえられて、コンデンサの極板を形成す
る。コンデンサは、高いＲＦ周波数ではそれぞれの導電
性ループの低インピーダンス接続を行うが、変化する勾
配磁界のより低い周波数では低インピーダンス接続を行
わない。したがって、電流Ｉｓは銅薄板２０に流入して
ＲＦ遮蔽体として作用することができるが、より低い周
波数の渦電流は切れ目２４により阻止される。
れた解決策は、第２の銅薄板２０に同じ切れ目を形成す
ることにより同じ構造を構成し、図６に示すように２つ
の銅薄板２０の間に誘電体材料の薄い板をはさむことに
よりＲＦ遮蔽体１０を形成するものである。各銅薄板２
０の導電路はそろえられて、コンデンサの極板を形成す
る。コンデンサは、高いＲＦ周波数ではそれぞれの導電
性ループの低インピーダンス接続を行うが、変化する勾
配磁界のより低い周波数では低インピーダンス接続を行
わない。したがって、電流Ｉｓは銅薄板２０に流入して
ＲＦ遮蔽体として作用することができるが、より低い周
波数の渦電流は切れ目２４により阻止される。
【００１４】本発明によれば、２つの銅薄板および１つ
の誘電体層で構成されるＲＦ遮蔽体１０に同じパターン
の導電路２２を使用することにより、ＲＦコイル１１に
よって発生される直角磁界を両方とも阻止することがで
きる。これを達成するため、一方の銅薄板に形成された
パターンを直角磁界の一方とそろえ、他方の銅薄板に形
成されたパターンを直角磁界の他方とそろえる。このよ
うな直交パターンが図５に示されている。図５（Ａ）は
円筒形のＲＦコイル１１のまわりに巻かれた一方の銅薄
板３０上のパターンを示し、図５（Ｂ）は他方の銅薄板
３１上のパターンの位置を示す。図７に示すように、銅
薄板３０および３１は誘電体薄板３２の両側に配置さ
れ、銅薄板３０および３１のパターンはそろっていない
ので、銅薄板３０および３１の中の等値線に沿った切れ
目２１はそろっていず、銅薄板３０および３１相互間の
総容量は小さくなる。しかしこの減少分は、誘電体薄板
３２の厚さを小さくすることにより相殺される。好まし
い実施例では誘電体薄板３２はアライドシグナル社（Ａ
ｌｌｉｅｄ Ｓｉｇｎａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）
製の厚さが０．０３２インチ±０．０００３インチで、
誘電率が２．５７のポリテトラフルオルエチレン（ＰＴ
ＦＥ）ガラス繊維の積層板である。銅薄板３０および３
１は、厚さが２．８ミルの２オンスの銅から形成され
る。銅薄板３０および３１のパターンを形成する等値線
の切れ目２１の幅は約２０ミルである。
の誘電体層で構成されるＲＦ遮蔽体１０に同じパターン
の導電路２２を使用することにより、ＲＦコイル１１に
よって発生される直角磁界を両方とも阻止することがで
きる。これを達成するため、一方の銅薄板に形成された
パターンを直角磁界の一方とそろえ、他方の銅薄板に形
成されたパターンを直角磁界の他方とそろえる。このよ
うな直交パターンが図５に示されている。図５（Ａ）は
円筒形のＲＦコイル１１のまわりに巻かれた一方の銅薄
板３０上のパターンを示し、図５（Ｂ）は他方の銅薄板
３１上のパターンの位置を示す。図７に示すように、銅
薄板３０および３１は誘電体薄板３２の両側に配置さ
れ、銅薄板３０および３１のパターンはそろっていない
ので、銅薄板３０および３１の中の等値線に沿った切れ
目２１はそろっていず、銅薄板３０および３１相互間の
総容量は小さくなる。しかしこの減少分は、誘電体薄板
３２の厚さを小さくすることにより相殺される。好まし
い実施例では誘電体薄板３２はアライドシグナル社（Ａ
ｌｌｉｅｄ Ｓｉｇｎａｌ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ）
製の厚さが０．０３２インチ±０．０００３インチで、
誘電率が２．５７のポリテトラフルオルエチレン（ＰＴ
ＦＥ）ガラス繊維の積層板である。銅薄板３０および３
１は、厚さが２．８ミルの２オンスの銅から形成され
る。銅薄板３０および３１のパターンを形成する等値線
の切れ目２１の幅は約２０ミルである。
【００１５】直角ＲＦコイル１１によって発生される２
つの直角ＲＦ磁界がこの単一の三部品遮蔽体によって事
実上阻止され、２つの直角ＲＦ磁界と周囲の勾配コイル
２との相互作用が防止されるということが見出された。
これを達成する際、連続形の銅遮蔽体を使用したときの
性能に比べて、ＲＦコイル１１に対する信号対雑音比の
測定された減少分は４％未満であった。
つの直角ＲＦ磁界がこの単一の三部品遮蔽体によって事
実上阻止され、２つの直角ＲＦ磁界と周囲の勾配コイル
２との相互作用が防止されるということが見出された。
これを達成する際、連続形の銅遮蔽体を使用したときの
性能に比べて、ＲＦコイル１１に対する信号対雑音比の
測定された減少分は４％未満であった。
【００１６】勾配磁界によって誘導される渦電流は、銅
薄板３０および３１に形成されたパターンの各導電ルー
プを開路にすることにより阻止される。これを行うため
に必要とされる切れ目のパターンは、遮蔽体のＲＦ性能
を改善するために著しく変更された。中心パッド３４か
ら１つの縁まで単一の切れ目を伸ばす代わりに、図５に
示すように、各銅薄板３０、３１の全円周（θ）範囲に
沿って伸びる一連の短い切れ目３５によって一つ置きの
導電性ループが開路される。導電性ループの切れ目をこ
のように１つ置きに配置することにより、短い切れ目３
５が中心パッド３４から両方向に等しく分布し、両方の
直角ＲＦ磁界に対する遮蔽体１０の性能が平衡する。
薄板３０および３１に形成されたパターンの各導電ルー
プを開路にすることにより阻止される。これを行うため
に必要とされる切れ目のパターンは、遮蔽体のＲＦ性能
を改善するために著しく変更された。中心パッド３４か
ら１つの縁まで単一の切れ目を伸ばす代わりに、図５に
示すように、各銅薄板３０、３１の全円周（θ）範囲に
沿って伸びる一連の短い切れ目３５によって一つ置きの
導電性ループが開路される。導電性ループの切れ目をこ
のように１つ置きに配置することにより、短い切れ目３
５が中心パッド３４から両方向に等しく分布し、両方の
直角ＲＦ磁界に対する遮蔽体１０の性能が平衡する。
【００１７】やはり図５および７に示すように、勾配に
よって誘導される電圧差がＲＦ遮蔽体１０の中で増加し
て、雑音を発生する絶縁破壊を引き起こす場合を無くす
ために、多数の措置が講じられる。このような絶縁破壊
は銅薄板３０および３１相互の間の誘電体層３２を通し
て、または銅薄板３０および３１の等値線の切れ目２１
を横切って生じ得る。銅薄板３０および３１相互間の過
大な電圧は、銅薄板３０および３１を３つの点４０、４
１および４２で短絡することによって防止される。これ
は、誘電体層３２を貫通して細孔をあけ、各細孔に導電
性帯を通し、導電性帯を各銅薄板３０、３１にはんだづ
けすることによって行われる。短絡点４０、４１および
４２は中心パッド３４に位置している。また短絡点４
０、４１および４２は、各導電性パターンの半分にわた
って円周方向に伸びる導電性条片４４−４７の端に位置
している。短絡点４０、４１および４２は導電性条片４
４−４７を一緒に接合することにより、ＲＦ遮蔽体１０
の中心でＲＦ遮蔽体１０の周りを完全に伸びる連続した
導電性リングを形成する。しかし、このリングは１点で
開路されるので、渦電流を支持する経路を構成しない。
各導電性条片４４−４７は対応する中心パッド３４を取
り囲むすべての導電性ループを短絡するので、各導電性
ループを形成する切れ目２１を横切って過大な差電圧が
蓄積することはあり得ない。これらの短絡用の導電性条
片４４−４７にもかかわらず、パターンの試験によって
明らかになったことは、１つ置きの短い切れ目３５によ
り、完全な導電性ループの形成が防止され、また勾配誘
導渦電流が阻止される。
よって誘導される電圧差がＲＦ遮蔽体１０の中で増加し
て、雑音を発生する絶縁破壊を引き起こす場合を無くす
ために、多数の措置が講じられる。このような絶縁破壊
は銅薄板３０および３１相互の間の誘電体層３２を通し
て、または銅薄板３０および３１の等値線の切れ目２１
を横切って生じ得る。銅薄板３０および３１相互間の過
大な電圧は、銅薄板３０および３１を３つの点４０、４
１および４２で短絡することによって防止される。これ
は、誘電体層３２を貫通して細孔をあけ、各細孔に導電
性帯を通し、導電性帯を各銅薄板３０、３１にはんだづ
けすることによって行われる。短絡点４０、４１および
４２は中心パッド３４に位置している。また短絡点４
０、４１および４２は、各導電性パターンの半分にわた
って円周方向に伸びる導電性条片４４−４７の端に位置
している。短絡点４０、４１および４２は導電性条片４
４−４７を一緒に接合することにより、ＲＦ遮蔽体１０
の中心でＲＦ遮蔽体１０の周りを完全に伸びる連続した
導電性リングを形成する。しかし、このリングは１点で
開路されるので、渦電流を支持する経路を構成しない。
各導電性条片４４−４７は対応する中心パッド３４を取
り囲むすべての導電性ループを短絡するので、各導電性
ループを形成する切れ目２１を横切って過大な差電圧が
蓄積することはあり得ない。これらの短絡用の導電性条
片４４−４７にもかかわらず、パターンの試験によって
明らかになったことは、１つ置きの短い切れ目３５によ
り、完全な導電性ループの形成が防止され、また勾配誘
導渦電流が阻止される。
【００１８】勾配誘導渦電流を更に減らすために、各導
電性パターンの隅にある銅領域も直線状切れ目４９によ
って中断される。これらの直線状切れ目４９は各導電性
パターンを取り囲む導電性領域を分割するように間隔を
置いて配置されるので、渦電流を支持することができる
円形の電流経路は存在しない。
電性パターンの隅にある銅領域も直線状切れ目４９によ
って中断される。これらの直線状切れ目４９は各導電性
パターンを取り囲む導電性領域を分割するように間隔を
置いて配置されるので、渦電流を支持することができる
円形の電流経路は存在しない。
【図１】ＭＲイメージングシステムの全身用ＲＦコイ
ル、ＲＦ遮蔽体および勾配コイル集合体の簡略斜視図で
ある。
ル、ＲＦ遮蔽体および勾配コイル集合体の簡略斜視図で
ある。
【図２】直角ＲＦコイルの概略斜視図である。
【図３】図２のコイルにより発生される直角ＲＦ磁界の
内の一方に対する電流分布等値線を図式的に表した線図
である。
内の一方に対する電流分布等値線を図式的に表した線図
である。
【図４】図２のＲＦコイルを取り囲むＲＦ遮蔽体の中
に、該コイルの直角ＲＦ磁界の内の一方により流れる電
流を図式的に表した線図である。
に、該コイルの直角ＲＦ磁界の内の一方により流れる電
流を図式的に表した線図である。
【図５】（Ａ）は直角ＲＦ磁界の内の一方を遮蔽するた
めに一方の銅薄板に形成される導電路を示す平面図であ
り、（Ｂ）は直角ＲＦ磁界の内の他方を遮蔽するために
他方の銅薄板に形成される導電路を示す平面図である。
めに一方の銅薄板に形成される導電路を示す平面図であ
り、（Ｂ）は直角ＲＦ磁界の内の他方を遮蔽するために
他方の銅薄板に形成される導電路を示す平面図である。
【図６】従来技術のＲＦ遮蔽体の一部分の断面図であ
る。
る。
【図７】図５の銅薄板を使用して作成された遮蔽体の一
部分の断面図である。
部分の断面図である。
２ 磁界勾配コイル ４ 内腔 １０ ＲＦ遮蔽体 １１ ＲＦコイル ２１ 等値線の切れ目 ３０，３１ 銅薄板 ３２ 誘電体薄板 ３４ 中心パッド ３５ 短い切れ目 ４０，４１，４２ 短絡点 ４４−４７ 導電性条片 ４９ 直線状切れ目
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ウォルター・アルバート・ジンマーマン アメリカ合衆国、ウィスコンシン州、ミル ウォーキー、ノース・フィフティエイス・ ストリート、1520番 (72)発明者 ピーター・バーナード・ロウマー アメリカ合衆国、ニューヨーク州、スケネ クタデイ、エイヴォン・クレスト・ブルバ ード、969番
Claims (6)
- 【請求項１】 磁気共鳴システムに於いて、 内腔の中に、該内腔を通過する中心軸を中心として互い
に直角な方向を向いた一対のＲＦ磁界を発生するための
ＲＦコイル、 上記内腔の中に磁界勾配を作成するために上記ＲＦコイ
ルのまわりに配置された一組の勾配コイル、ならびに上
記ＲＦコイルのまわりに設けられて、上記ＲＦコイルと
上記一組の勾配コイルとの間に配置された遮蔽体であっ
て、（ａ）円筒形に形成されて、内側表面が上記ＲＦコ
イルに対向し、かつ外側表面が上記一組の勾配コイルに
対向する誘電体薄板、（ｂ）上記誘電体薄板の内側表面
に配置された第１の導電性薄板であって、該第１の導電
性薄板を分割して、上記ＲＦ磁界の一方により遮蔽体の
中に誘導される電流とそろう複数の導電性ループで構成
されるパターンを形成した等値線切れ目を有する第１の
導電性薄板、および（ｃ）上記誘電体薄板の外側表面に
配置された第２の導電性薄板であって、該第２の導電性
薄板を分割して、上記ＲＦ磁界の他方によって遮蔽体の
中に誘導される電流とそろう複数の導電性ループで構成
されるパターンを形成する等値線切れ目を有する第２の
導電性薄板を含み、上記一組の勾配コイルによって誘導
される渦電流の流れを阻止するために各導電性ループに
短い切れ目が形成されている遮蔽体を含むことを特徴と
する磁気共鳴システム。 - 【請求項２】 上記第１の導電性薄板に形成された上記
パターンが上記第２の導電性薄板に形成された上記パタ
ーンとほぼ同じであるが、上記２つのパターンは上記中
心軸を中心として互いに直角の向きに配置されている請
求項１記載の磁気共鳴システム。 - 【請求項３】 上記各パターンは中心パッドを含み、上
記中心パッドのまわりに上記複数の導電性ループが伸
び、上記中心軸のまわりの一方の方向に上記中心パッド
から伸びる第１の経路に沿って上記複数の導電性ループ
の内の１つ置きの導電性ループに上記短い切れ目が形成
されると共に、上記中心軸のまわりの他方の方向に上記
中心パッドから伸びる第２の経路に沿って上記複数の導
電性ループの内の他の１つ置きの導電性ループに上記短
い切れ目が形成されている請求項１記載の磁気共鳴シス
テム。 - 【請求項４】 上記第１の経路または第２の経路に沿っ
てそれに隣接した上記導電性ループを一緒に接続する導
電性条片が、上記各パターンの中に形成されている請求
項３記載の磁気共鳴システム。 - 【請求項５】 上記第１および第２の導電性薄板がそれ
ぞれの上記パターンの中の一点で一緒に短絡され、そこ
でそれぞれの上記導電性条片が一緒に結合されている請
求項４記載の磁気共鳴システム。 - 【請求項６】 上記の結合された導電性条片が上記中心
軸のまわりに完全に一つの導電路を形成している請求項
５記載の磁気共鳴システム。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US08/286366 | 1994-08-05 | ||
| US08/286,366 US5680046A (en) | 1994-08-05 | 1994-08-05 | Double-sided RF shield for RF coil contained within gradient coils used in high speed NMR imaging |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08168474A true JPH08168474A (ja) | 1996-07-02 |
| JP3638342B2 JP3638342B2 (ja) | 2005-04-13 |
Family
ID=23098290
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19395395A Expired - Fee Related JP3638342B2 (ja) | 1994-08-05 | 1995-07-31 | 両面ｒｆ遮蔽体を含む磁気共鳴システム |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5680046A (ja) |
| JP (1) | JP3638342B2 (ja) |
| DE (1) | DE19527921A1 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427146B1 (ko) * | 2000-02-14 | 2004-04-14 | 지이 요꼬가와 메디칼 시스템즈 가부시끼가이샤 | Ｒｆ코일 및 자기공명촬상장치 |
| JP2010512924A (ja) * | 2006-12-22 | 2010-04-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｍｒイメージングシステムに用いられるｒｆコイル |
| JP2011087994A (ja) * | 2011-02-07 | 2011-05-06 | Toshiba Medical System Co Ltd | 磁気共鳴イメージング装置 |
Families Citing this family (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5760584A (en) * | 1996-08-16 | 1998-06-02 | General Electric Company | Shield for MR system RF coil provided with multiple capacitive channels for RF current flow |
| US5861838A (en) * | 1997-12-09 | 1999-01-19 | General Electric Company | Solderless `fingerprint` RF shield |
| DE19843905C2 (de) | 1998-09-24 | 2000-09-21 | Siemens Ag | Hochfrequenzschirm für ein diagnostisches Magnetresonanzgerät |
| US6198282B1 (en) | 1999-10-07 | 2001-03-06 | General Electric Company | Optimized MRI gradient system for providing minimum-duration gradient pulses |
| JP3516631B2 (ja) * | 2000-03-30 | 2004-04-05 | ジーイー・メディカル・システムズ・グローバル・テクノロジー・カンパニー・エルエルシー | Ｒｆコイルおよび磁気共鳴撮影装置 |
| US6369570B1 (en) * | 2000-12-21 | 2002-04-09 | Varian, Inc. | B1 gradient coils |
| US6822448B2 (en) | 2001-04-20 | 2004-11-23 | General Electric Company | RF coil for very high field magnetic resonance imaging |
| DE10155559B4 (de) * | 2001-11-12 | 2009-01-22 | Universität Duisburg-Essen | Elektrodenanordnung und Anordnung zur funktionalen Kernspintomographie-Untersuchung |
| ITSV20030011A1 (it) * | 2003-03-31 | 2004-10-01 | Esaote Spa | Struttura magnetica per macchine di acquisiszione di |
| DE10357334A1 (de) * | 2003-12-05 | 2005-07-07 | Grönemeyer, Dietrich H. W., Prof. Dr.med. | MR-kompatibles medizinisches Implantat |
| US20060002099A1 (en) * | 2004-06-30 | 2006-01-05 | Stoneham Edward B | Electromagnetic shield assembly |
| US7813145B2 (en) * | 2004-06-30 | 2010-10-12 | Endwave Corporation | Circuit structure with multifunction circuit cover |
| US7102350B2 (en) * | 2004-06-30 | 2006-09-05 | General Electric Company | Shielding apparatus for magnetic resonance imaging |
| DE102005033989B4 (de) * | 2005-07-21 | 2008-07-10 | Bruker Biospin Ag | Kernspinresonanzapparatur mit Gradientenabschirmanordnung mit reduzierter Kopplung zum Resonatorsystem |
| US7714581B2 (en) * | 2006-04-19 | 2010-05-11 | Wisconsin Alumni Research Foundation | RF coil assembly for magnetic resonance imaging and spectroscopy systems |
| US7508212B2 (en) | 2007-03-22 | 2009-03-24 | Wisconsin Alumni Research Foundation | RF coil assembly and method for practicing magnetization transfer on magnetic resonance imaging and spectroscopy systems |
| US9013185B2 (en) * | 2011-03-07 | 2015-04-21 | Robert W. Brown | Optimized RF shield design |
| CN104011814B (zh) | 2011-12-21 | 2017-08-15 | 阿莫先恩电子电器有限公司 | 磁场屏蔽片及其制造方法和无线充电器用接收装置 |
| DE102013205150A1 (de) | 2013-03-22 | 2014-10-09 | Siemens Aktiengesellschaft | Abschirmung für eine Magnetresonanztomographie-Einrichtung, sowie damit ausgestattete Magnetresonanztomographie-Einrichtung |
| US20160346560A1 (en) * | 2015-05-26 | 2016-12-01 | Regear Life Sciences Inc. | Diathermy Heat Applicator Array with Cancellation of Extraneous Incidental Radiation |
| US11402450B2 (en) | 2016-12-22 | 2022-08-02 | Koninklijke Philips N.V. | RF coil device and RF shield device for different MRI modes |
| US11774531B1 (en) * | 2022-05-04 | 2023-10-03 | GE Precision Healthcare LLC | Systems, assemblies, and methods of suppressing magnet-gradient interaction in magnetic resonance systems |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3133432A1 (de) * | 1981-08-24 | 1983-03-03 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Hochfrequenzfeld-einrichtung in einer kernspinresonanz-apparatur |
| US4642569A (en) * | 1983-12-16 | 1987-02-10 | General Electric Company | Shield for decoupling RF and gradient coils in an NMR apparatus |
| US4879515A (en) * | 1988-12-22 | 1989-11-07 | General Electric Company | Double-sided RF shield for RF coil contained within gradient coils of NMR imaging device |
| US5243286A (en) * | 1990-06-06 | 1993-09-07 | Advanced Nmr Systems, Inc. | Split shield for magnetic resonance imaging |
| US5367261A (en) * | 1992-07-02 | 1994-11-22 | General Electric Company | Shield for a magnetic resonance imaging coil |
-
1994
- 1994-08-05 US US08/286,366 patent/US5680046A/en not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-07-29 DE DE19527921A patent/DE19527921A1/de not_active Withdrawn
- 1995-07-31 JP JP19395395A patent/JP3638342B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100427146B1 (ko) * | 2000-02-14 | 2004-04-14 | 지이 요꼬가와 메디칼 시스템즈 가부시끼가이샤 | Ｒｆ코일 및 자기공명촬상장치 |
| JP2010512924A (ja) * | 2006-12-22 | 2010-04-30 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Ｍｒイメージングシステムに用いられるｒｆコイル |
| JP2011087994A (ja) * | 2011-02-07 | 2011-05-06 | Toshiba Medical System Co Ltd | 磁気共鳴イメージング装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE19527921A1 (de) | 1996-02-08 |
| JP3638342B2 (ja) | 2005-04-13 |
| US5680046A (en) | 1997-10-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH08168474A (ja) | 両面ｒｆ遮蔽体を含む磁気共鳴システム | |
| JP3954697B2 (ja) | Ｒｆ磁場から勾配コイルを遮蔽する装置 | |
| US5243286A (en) | Split shield for magnetic resonance imaging | |
| JPH0350543B2 (ja) | ||
| EP1602892B1 (en) | A non-contact capacitive sensor and cable with dual layer active shield | |
| Hoburg | Principles of quasistatic magnetic shielding with cylindrical and spherical shields | |
| JP3786460B2 (ja) | 磁気共鳴装置 | |
| EP1281092B1 (en) | Magnetic resonance apparatus including an rf flux guiding structure | |
| EP0984461A2 (en) | Low eddy current and low hysteresis magnet pole faces in MR imaging | |
| JPS61742A (ja) | 核磁気共鳴（ｎｍｒ）写像装置用高周波コイル装置 | |
| US5396173A (en) | RF magnetic shield for MRI | |
| US4924184A (en) | Magnetic resonance apparatus | |
| US7102350B2 (en) | Shielding apparatus for magnetic resonance imaging | |
| US6232548B1 (en) | Radio-frequency shield for a diagnostic magnetic resonance apparatus | |
| US5717552A (en) | Magnetic core with field confinement structure | |
| EP1408339B1 (en) | Gradient coil structure for magnetic resonance imaging | |
| EP1338901A1 (en) | Gradient coil structure for magnetic resonance imaging | |
| JP3110115B2 (ja) | 磁気共鳴イメージング装置 | |
| JPH06277194A (ja) | 遮蔽体を備えた核スピン断層撮影装置用アンテナ装置 | |
| WO1991019994A1 (en) | Shielded gradient coil for nuclear magnetic resonance imaging | |
| JPH0810241A (ja) | 磁気共鳴装置用高周波アンテナ | |
| JP2004173157A (ja) | 分布定数型フィルタ素子 | |
| KR100433202B1 (ko) | 실드형 자기 헤드 및 자기 재생 장치 | |
| KR100319929B1 (ko) | 자기공명영상장치용 영구자석의 자극 구조체 및 이를 이용한 자계발생장치 | |
| CN117043619A (zh) | 电导体之间带有t形连接器的射频线圈和射频屏蔽件 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20041214 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050111 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090121 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100121 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100121 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110121 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120121 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130121 Year of fee payment: 8 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |