JP3516631B2 - Ｒｆコイルおよび磁気共鳴撮影装置 - Google Patents
Ｒｆコイルおよび磁気共鳴撮影装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＲＦコイル（ｒａ
ｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｃｏｉｌ）および磁気共
鳴撮影装置に関し、特に、ＴＥＭレゾネータ（ｔｒａｎ
ｓｖｅｒｓｅ ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｍｏ
ｄｅ ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型のＲＦコイル、および、
ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイルを用いる磁気共鳴撮影
装置に関する。
ｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｃｏｉｌ）および磁気共
鳴撮影装置に関し、特に、ＴＥＭレゾネータ（ｔｒａｎ
ｓｖｅｒｓｅ ｅｌｅｃｔｒｏｍａｇｎｅｔｉｃ ｍｏ
ｄｅ ｒｅｓｏｎａｔｏｒ）型のＲＦコイル、および、
ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイルを用いる磁気共鳴撮影
装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】静磁場として例えば３Ｔ（ｔｅｓｌａ）
程度の高磁場を用いる磁気共鳴撮像装置では、ＲＦ信号
の送受信効率の良さに着目し、ＴＥＭレゾネータ型のＲ
Ｆコイルを用いて、撮像対象のスピン（ｓｐｉｎ）のＲ
Ｆ励起および励起されたスピンが生じる磁気共鳴信号の
受信を行う。
程度の高磁場を用いる磁気共鳴撮像装置では、ＲＦ信号
の送受信効率の良さに着目し、ＴＥＭレゾネータ型のＲ
Ｆコイルを用いて、撮像対象のスピン（ｓｐｉｎ）のＲ
Ｆ励起および励起されたスピンが生じる磁気共鳴信号の
受信を行う。
【０００３】ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイルは、図１
３に模式的に示すように、円筒状の筒部７００を有す
る。筒部７００は両端にオリフィス（ｏｒｉｆｉｃｅ）
部７０２，７０２’を有する。オリフィス部７０２，７
０２’は筒部７００の内径よりも小径の同心円を成す開
口７０４，７０４’を有する。
３に模式的に示すように、円筒状の筒部７００を有す
る。筒部７００は両端にオリフィス（ｏｒｉｆｉｃｅ）
部７０２，７０２’を有する。オリフィス部７０２，７
０２’は筒部７００の内径よりも小径の同心円を成す開
口７０４，７０４’を有する。
【０００４】筒部７００およびオリフィス部７０２，７
０２’は連続した導電体で構成される。このような筒部
７００およびオリフィス部７０２，７０２’を持つ筒体
は、シールドまたはキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）と呼ば
れる。
０２’は連続した導電体で構成される。このような筒部
７００およびオリフィス部７０２，７０２’を持つ筒体
は、シールドまたはキャビティ（ｃａｖｉｔｙ）と呼ば
れる。
【０００５】シールドの内側には、複数のラインエレメ
ント（ｌｉｎｅ ｅｌｅｍｅｎｔ）８０２がシールドの
軸に平行に設けられる。ラインエレメント８０２は、電
気的にはＬＣ直列回路となっている。複数のラインエレ
メント８０２は、その両端がオリフィス部７０２，７０
２’に電気的および機械的にそれぞれ結合し、開口７０
４，７０４’の周辺に沿って同心的に配置されている。
ラインエレメント８０２は、筒部７００の内面から離れ
ている。
ント（ｌｉｎｅ ｅｌｅｍｅｎｔ）８０２がシールドの
軸に平行に設けられる。ラインエレメント８０２は、電
気的にはＬＣ直列回路となっている。複数のラインエレ
メント８０２は、その両端がオリフィス部７０２，７０
２’に電気的および機械的にそれぞれ結合し、開口７０
４，７０４’の周辺に沿って同心的に配置されている。
ラインエレメント８０２は、筒部７００の内面から離れ
ている。
【０００６】このような構成のＲＦコイルの所定の箇所
にＲＦ信号を供給することとにより、複数のラインエレ
メント８０２で囲まれた円柱状の空間に、その軸方向に
垂直な面内で回転するＲＦ磁場を生じさせる。また、同
面内で回転するスピンが生じるＲＦ信号（磁気共鳴信
号）をこのＲＦコイルの所定の箇所から取り出す。
にＲＦ信号を供給することとにより、複数のラインエレ
メント８０２で囲まれた円柱状の空間に、その軸方向に
垂直な面内で回転するＲＦ磁場を生じさせる。また、同
面内で回転するスピンが生じるＲＦ信号（磁気共鳴信
号）をこのＲＦコイルの所定の箇所から取り出す。
【０００７】実際の磁気共鳴撮像では、例えば図１４に
示すように、シールド部分が軸方向および放射方向のス
リット７０６によって複数に分離されたものを用いる。
スリット７０６によって分離された個々のシールドセグ
メント（ｓｈｉｅｌｄ ｓｅｇｍｅｎｔ）は電気的に絶
縁されたものとなり、勾配磁場印加時に渦電流がシール
ドの円周方向に流れるのを阻止し、渦電流による静磁場
の乱れを防止する。
示すように、シールド部分が軸方向および放射方向のス
リット７０６によって複数に分離されたものを用いる。
スリット７０６によって分離された個々のシールドセグ
メント（ｓｈｉｅｌｄ ｓｅｇｍｅｎｔ）は電気的に絶
縁されたものとなり、勾配磁場印加時に渦電流がシール
ドの円周方向に流れるのを阻止し、渦電流による静磁場
の乱れを防止する。
【０００８】シールドをスリットで分離したＲＦコイル
では、両端のオリフィス部７０２，７０２’がスリット
７０６で個々のセグメントに分離されているために、シ
ールド効果が低下する。このようなＲＦコイルを撮像対
象の頭部を撮像するヘッドコイル（ｈｅａｄ ｃｏｉ
ｌ）として用いる場合、撮像対象の頸部が一方のオリフ
ィスに外部からロード（ｌｏａｄ）として加わるので、
電気的特性がコイル軸方向に非対称となりＲＦコイルの
動作が不安定になり易い。
では、両端のオリフィス部７０２，７０２’がスリット
７０６で個々のセグメントに分離されているために、シ
ールド効果が低下する。このようなＲＦコイルを撮像対
象の頭部を撮像するヘッドコイル（ｈｅａｄ ｃｏｉ
ｌ）として用いる場合、撮像対象の頸部が一方のオリフ
ィスに外部からロード（ｌｏａｄ）として加わるので、
電気的特性がコイル軸方向に非対称となりＲＦコイルの
動作が不安定になり易い。
【０００９】そこで、動作を安定化するために、図１５
に示すように、シールドの両端のオリフィス部７０２，
７０２’に、隣り合うシールドセグメント同士を接続す
るキャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）１２２を設ける。
に示すように、シールドの両端のオリフィス部７０２，
７０２’に、隣り合うシールドセグメント同士を接続す
るキャパシタ（ｃａｐａｃｉｔｏｒ）１２２を設ける。
【００１０】キャパシタ１２２としては、例えば１ｋＨ
ｚ〜１０ｋＨｚ程度の周波数領域では十分高インピーダ
ンスとなり、例えば１２８ＭＨｚ程度の周波数領域では
十分低インピーダンスとなるキャパシタンスを持つもの
が用いられる。
ｚ〜１０ｋＨｚ程度の周波数領域では十分高インピーダ
ンスとなり、例えば１２８ＭＨｚ程度の周波数領域では
十分低インピーダンスとなるキャパシタンスを持つもの
が用いられる。
【００１１】このようなキャパシタ１２２で接続された
オリフィス部７０２，７０２’は、ＲＦ領域ではスリッ
ト７０６が短絡されたのと同等になる。したがって、複
数のラインエレメント８０２は、両端を導体でそれぞれ
共通接続したのと等価になり、ＲＦ領域でのシールド効
果が向上し、オリフィス部７０２，７０２’の付近にお
けるロードの有無に関わらず動作が安定化する。
オリフィス部７０２，７０２’は、ＲＦ領域ではスリッ
ト７０６が短絡されたのと同等になる。したがって、複
数のラインエレメント８０２は、両端を導体でそれぞれ
共通接続したのと等価になり、ＲＦ領域でのシールド効
果が向上し、オリフィス部７０２，７０２’の付近にお
けるロードの有無に関わらず動作が安定化する。
【００１２】一方、１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚ程度の周波数
領域では、キャパシタ１２２は十分高インピーダンスな
ので、同周波数領域の信号となる勾配磁場印加時の渦電
流がシールドの円周方向に流れることはない。したがっ
て、渦電流の影響が静磁場に及ぶことを防止することが
できる。
領域では、キャパシタ１２２は十分高インピーダンスな
ので、同周波数領域の信号となる勾配磁場印加時の渦電
流がシールドの円周方向に流れることはない。したがっ
て、渦電流の影響が静磁場に及ぶことを防止することが
できる。
【００１３】ＲＦコイルへの撮像対象の出し入れを容易
にするために、例えば図１６に示すように、軸に沿って
２分割可能な構成にし、両者をコネクタ（ｃｏｎｎｅｃ
ｔｏｒ）で結合する。このようにした場合は、コネクタ
結合部ではスリット７０６の幅が他の部分より広くなら
ざるを得ず、この部分ではスリットを通じての静電結合
が弱くなりシールド効果が低減するおそれがある。
にするために、例えば図１６に示すように、軸に沿って
２分割可能な構成にし、両者をコネクタ（ｃｏｎｎｅｃ
ｔｏｒ）で結合する。このようにした場合は、コネクタ
結合部ではスリット７０６の幅が他の部分より広くなら
ざるを得ず、この部分ではスリットを通じての静電結合
が弱くなりシールド効果が低減するおそれがある。
【００１４】そこで、例えば図１７に示すように、コネ
クタ１２４の結合部では、スリット７０６，７０６’を
両シールドセグメント側にそれぞれ回り込ませ、導体箔
のランド（ｌａｎｄ）１２６，１２６’をそれぞれ形成
して、それらをコネクタ１２４で電気的に接続し、か
つ、スリット７０６，７０６’をキャパシタ１２２，１
２２’でそれぞれ橋絡する。このようにすることによ
り、分割部における十分な静電結合を確保することがで
きる。
クタ１２４の結合部では、スリット７０６，７０６’を
両シールドセグメント側にそれぞれ回り込ませ、導体箔
のランド（ｌａｎｄ）１２６，１２６’をそれぞれ形成
して、それらをコネクタ１２４で電気的に接続し、か
つ、スリット７０６，７０６’をキャパシタ１２２，１
２２’でそれぞれ橋絡する。このようにすることによ
り、分割部における十分な静電結合を確保することがで
きる。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】上記のような分割可能
なＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイルにおいては、コネク
タ接続を行う部分における導体のパターン（ｐａｔｔｅ
ｒｎ）がＲＦコイルの他の部分の導電パターンとは異な
るので、セグメント間の回路の平等性が損なわれ、ＲＦ
コイルとしての動作特性が悪くなる。
なＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイルにおいては、コネク
タ接続を行う部分における導体のパターン（ｐａｔｔｅ
ｒｎ）がＲＦコイルの他の部分の導電パターンとは異な
るので、セグメント間の回路の平等性が損なわれ、ＲＦ
コイルとしての動作特性が悪くなる。
【００１６】そこで、本発明の課題は、動作特性の良い
ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイル、および、そのような
ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイルを用いる磁気共鳴撮影
装置を実現することである。
ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイル、および、そのような
ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイルを用いる磁気共鳴撮影
装置を実現することである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】（１）上記の課題を解決
するための第１の観点での発明は、円環状のオリフィス
部を両端に持つ円筒状のシールドと、前記オリフィス部
に両端が接続され前記オリフィス部の開口に沿って等間
隔に配置された複数のラインエレメントと、前記シール
ドを前記複数のラインエレメントの間隔を２等分する位
置で軸に平行に分割し前記オリフィス部に複数の部分円
環を形成する複数のスリットと、を有するＴＥＭレゾネ
ータ型のＲＦコイルであって、前記複数の部分円環は、
それぞれ、前記ラインエレメントが接続される第１の導
電パターンと、前記ラインエレメントから前記スリット
に向かう２方向において前記ラインエレメント関して対
称的に設けられた第２の導電パターンと、前記第１の導
電パターンと前記第２の導電パターンとを接続するキャ
パシタと、隣り合う部分円環にまたがって前記第２の導
電パターン同士を電気的に接続する接続手段とを具備す
ることを特徴とするＲＦコイルである。
するための第１の観点での発明は、円環状のオリフィス
部を両端に持つ円筒状のシールドと、前記オリフィス部
に両端が接続され前記オリフィス部の開口に沿って等間
隔に配置された複数のラインエレメントと、前記シール
ドを前記複数のラインエレメントの間隔を２等分する位
置で軸に平行に分割し前記オリフィス部に複数の部分円
環を形成する複数のスリットと、を有するＴＥＭレゾネ
ータ型のＲＦコイルであって、前記複数の部分円環は、
それぞれ、前記ラインエレメントが接続される第１の導
電パターンと、前記ラインエレメントから前記スリット
に向かう２方向において前記ラインエレメント関して対
称的に設けられた第２の導電パターンと、前記第１の導
電パターンと前記第２の導電パターンとを接続するキャ
パシタと、隣り合う部分円環にまたがって前記第２の導
電パターン同士を電気的に接続する接続手段とを具備す
ることを特徴とするＲＦコイルである。
【００１８】この観点での発明では、スリットによって
分割されてできるオリフィス部の複数の部分円環が、そ
れぞれ、ラインエレメントが接続される第１の導電パタ
ーンと、第１の導電パターンからスリットに向かう２方
向において第１の導電パターンに関して対称的に設けら
れた第２の導電パターンを有するので、セグメント間の
回路の平等性が保たれる。
分割されてできるオリフィス部の複数の部分円環が、そ
れぞれ、ラインエレメントが接続される第１の導電パタ
ーンと、第１の導電パターンからスリットに向かう２方
向において第１の導電パターンに関して対称的に設けら
れた第２の導電パターンを有するので、セグメント間の
回路の平等性が保たれる。
【００１９】（２）上記の課題を解決するための他の観
点での発明は、前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて２分割可能であることを特徴とする（１）に記載の
ＲＦコイルである。
点での発明は、前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて２分割可能であることを特徴とする（１）に記載の
ＲＦコイルである。
【００２０】この観点での発明では、シールドをスリッ
トの箇所において２分割可能にしたので、セグメント間
の回路の平等性を保ちつつ、撮影対象の出し入れが容易
になる。
トの箇所において２分割可能にしたので、セグメント間
の回路の平等性を保ちつつ、撮影対象の出し入れが容易
になる。
【００２１】（３）上記の課題を解決するための他の観
点での発明は、前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて複数の部分円筒に分解可能であることを特徴とする
（１）に記載のＲＦコイルである。
点での発明は、前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて複数の部分円筒に分解可能であることを特徴とする
（１）に記載のＲＦコイルである。
【００２２】この観点での発明では、シールドをスリッ
トの箇所において複数の部分円筒に分解可能にしたの
で、セグメント間の回路の平等性を保ちつつ、同調周波
数の調整は個々のセグメントごとに行うことができる。
トの箇所において複数の部分円筒に分解可能にしたの
で、セグメント間の回路の平等性を保ちつつ、同調周波
数の調整は個々のセグメントごとに行うことができる。
【００２３】
【００２４】
【００２５】
【００２６】
【００２７】
【００２８】
【００２９】（４）上記の課題を解決するための他の観
点での発明は、静磁場および勾配磁場の下で撮影の対象
に高周波磁場を印加して獲得した磁気共鳴信号に基づい
て画像を構成する磁気共鳴撮影装置であって、前記高周
波磁場の印加および前記磁気共鳴信号の獲得の少なくと
もいずれかを行うためのＲＦコイルとして、円環状のオ
リフィス部を両端に持つ円筒状のシールドと、前記オリ
フィス部に両端が接続され前記オリフィス部の開口に沿
って等間隔に配置された複数のラインエレメントと、前
記シールドを前記複数のラインエレメントの間隔を２等
分する位置で軸に平行に分割し前記オリフィス部に複数
の部分円環を形成する複数のスリットと、を有するＴＥ
Ｍレゾネータ型のＲＦコイルであって、前記複数の部分
円環は、それぞれ、前記ラインエレメントが接続される
第１の導電パターンと、前記ラインエレメントから前記
スリットに向かう２方向において前記ラインエレメント
関して対称的に設けられた第２の導電パターンと、前記
第１の導電パターンと前記第２の導電パターンとを接続
するキャパシタと、隣り合う部分円環にまたがって前記
第２の導電パターン同士を電気的に接続する接続手段と
を有するＲＦコイルを用いることを特徴とする磁気共鳴
撮影装置である。
点での発明は、静磁場および勾配磁場の下で撮影の対象
に高周波磁場を印加して獲得した磁気共鳴信号に基づい
て画像を構成する磁気共鳴撮影装置であって、前記高周
波磁場の印加および前記磁気共鳴信号の獲得の少なくと
もいずれかを行うためのＲＦコイルとして、円環状のオ
リフィス部を両端に持つ円筒状のシールドと、前記オリ
フィス部に両端が接続され前記オリフィス部の開口に沿
って等間隔に配置された複数のラインエレメントと、前
記シールドを前記複数のラインエレメントの間隔を２等
分する位置で軸に平行に分割し前記オリフィス部に複数
の部分円環を形成する複数のスリットと、を有するＴＥ
Ｍレゾネータ型のＲＦコイルであって、前記複数の部分
円環は、それぞれ、前記ラインエレメントが接続される
第１の導電パターンと、前記ラインエレメントから前記
スリットに向かう２方向において前記ラインエレメント
関して対称的に設けられた第２の導電パターンと、前記
第１の導電パターンと前記第２の導電パターンとを接続
するキャパシタと、隣り合う部分円環にまたがって前記
第２の導電パターン同士を電気的に接続する接続手段と
を有するＲＦコイルを用いることを特徴とする磁気共鳴
撮影装置である。
【００３０】この観点での発明では、スリットによって
分割されてできるオリフィス部の複数の部分円環が、そ
れぞれ、ラインエレメントが接続される第１の導電パタ
ーンと、第１の導電パターンからスリットに向かう２方
向において第１の導電パターンに関して対称的に設けら
れた第２の導電パターンを有するので、セグメント間の
回路の平等性が保たれる。このようなＲＦコイルを用い
ることにより、品質の良い撮影を行うことができる。
分割されてできるオリフィス部の複数の部分円環が、そ
れぞれ、ラインエレメントが接続される第１の導電パタ
ーンと、第１の導電パターンからスリットに向かう２方
向において第１の導電パターンに関して対称的に設けら
れた第２の導電パターンを有するので、セグメント間の
回路の平等性が保たれる。このようなＲＦコイルを用い
ることにより、品質の良い撮影を行うことができる。
【００３１】（５）上記の課題を解決するための他の観
点での発明は、前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて２分割可能であることを特徴とする（４）に記載の
磁気共鳴撮影装置である。
点での発明は、前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて２分割可能であることを特徴とする（４）に記載の
磁気共鳴撮影装置である。
【００３２】この観点での発明では、シールドをスリッ
トの箇所において２分割可能にしたので、セグメント間
の回路の平等性を保ちつつ、撮影対象の出し入れが容易
になる。
トの箇所において２分割可能にしたので、セグメント間
の回路の平等性を保ちつつ、撮影対象の出し入れが容易
になる。
【００３３】（６）上記の課題を解決するための他の観
点での発明は、前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて複数の部分円筒に分解可能であることを特徴とする
（４）に記載の磁気共鳴撮影装置である。
点での発明は、前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて複数の部分円筒に分解可能であることを特徴とする
（４）に記載の磁気共鳴撮影装置である。
【００３４】この観点での発明では、シールドをスリッ
トの箇所において複数の部分円筒に分解可能にしたの
で、セグメント間の回路の平等性を保ちつつ、同調周波
数の調整は個々のセグメントごとに行うことができる。
このようなＲＦコイルを用いることにより、品質の良い
撮影を行うことができる。
トの箇所において複数の部分円筒に分解可能にしたの
で、セグメント間の回路の平等性を保ちつつ、同調周波
数の調整は個々のセグメントごとに行うことができる。
このようなＲＦコイルを用いることにより、品質の良い
撮影を行うことができる。
【００３５】
【００３６】
【００３７】
【００３８】
【００３９】
【００４０】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、本発明は実施の形態
に限定されるものではない。図１に磁気共鳴撮影装置の
ブロック（ｂｌｏｃｋ）図を示す。本装置は本発明の実
施の形態の一例である。本装置の構成によって、本発明
の装置に関する実施の形態の一例が示される。
施の形態を詳細に説明する。なお、本発明は実施の形態
に限定されるものではない。図１に磁気共鳴撮影装置の
ブロック（ｂｌｏｃｋ）図を示す。本装置は本発明の実
施の形態の一例である。本装置の構成によって、本発明
の装置に関する実施の形態の一例が示される。
【００４１】図１に示すように、本装置はマグネットシ
ステム１００を有する。マグネットシステム１００は、
主磁場コイル（ｃｏｉｌ）部１０２、勾配コイル部１０
６およびＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）コイ
ル部１０８を有する。これら各コイル部は概ね円筒状の
形状を有し、互いに同軸的に配置されている。マグネッ
トシステム１００の概ね円柱状の内部空間（ボア：ｂｏ
ｒｅ）に、撮影する対象３００がクレードル（ｃｒａｄ
ｌｅ）５００に搭載されて図示しない搬送手段により搬
入および搬出される。
ステム１００を有する。マグネットシステム１００は、
主磁場コイル（ｃｏｉｌ）部１０２、勾配コイル部１０
６およびＲＦ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）コイ
ル部１０８を有する。これら各コイル部は概ね円筒状の
形状を有し、互いに同軸的に配置されている。マグネッ
トシステム１００の概ね円柱状の内部空間（ボア：ｂｏ
ｒｅ）に、撮影する対象３００がクレードル（ｃｒａｄ
ｌｅ）５００に搭載されて図示しない搬送手段により搬
入および搬出される。
【００４２】主磁場コイル部１０２はマグネットシステ
ム１００の内部空間に静磁場を形成する。静磁場の方向
は概ね対象３００の体軸の方向に平行である。すなわち
いわゆる水平磁場を形成する。主磁場コイル部１０２は
例えば超伝導コイルを用いて構成される。なお、超伝導
コイルに限らず常伝導コイル等を用いて構成しても良い
のはもちろんである。
ム１００の内部空間に静磁場を形成する。静磁場の方向
は概ね対象３００の体軸の方向に平行である。すなわち
いわゆる水平磁場を形成する。主磁場コイル部１０２は
例えば超伝導コイルを用いて構成される。なお、超伝導
コイルに限らず常伝導コイル等を用いて構成しても良い
のはもちろんである。
【００４３】勾配コイル部１０６は静磁場強度に勾配を
持たせるための勾配磁場を生じる。発生する勾配磁場
は、スライス（ｓｌｉｃｅ）勾配磁場、リードアウト
（ｒｅａｄ ｏｕｔ）勾配磁場およびフェーズエンコー
ド（ｐｈａｓｅ ｅｎｃｏｄｅ）勾配磁場の３種であ
る。このような３種類の勾配磁場を発生するために、勾
配コイル部１０６は図示しない３系統の勾配コイルを有
する。
持たせるための勾配磁場を生じる。発生する勾配磁場
は、スライス（ｓｌｉｃｅ）勾配磁場、リードアウト
（ｒｅａｄ ｏｕｔ）勾配磁場およびフェーズエンコー
ド（ｐｈａｓｅ ｅｎｃｏｄｅ）勾配磁場の３種であ
る。このような３種類の勾配磁場を発生するために、勾
配コイル部１０６は図示しない３系統の勾配コイルを有
する。
【００４４】ＲＦコイル部１０８は静磁場空間に対象３
００の体内のスピンを励起するための高周波磁場を形成
する。以下、高周波磁場を形成することをＲＦ励起信号
の送信ともいう。ＲＦコイル部１０８は、また、励起さ
れたスピンが生じる電磁波すなわち磁気共鳴信号を受信
する。ＲＦコイル部１０８は、本発明のＲＦコイルの実
施の形態の一例である。ＲＦコイル部１０８の構成によ
って、本発明のＲＦコイルに関する実施の形態の一例が
示される。ＲＦコイル部１０８については後にあらため
て説明する。
００の体内のスピンを励起するための高周波磁場を形成
する。以下、高周波磁場を形成することをＲＦ励起信号
の送信ともいう。ＲＦコイル部１０８は、また、励起さ
れたスピンが生じる電磁波すなわち磁気共鳴信号を受信
する。ＲＦコイル部１０８は、本発明のＲＦコイルの実
施の形態の一例である。ＲＦコイル部１０８の構成によ
って、本発明のＲＦコイルに関する実施の形態の一例が
示される。ＲＦコイル部１０８については後にあらため
て説明する。
【００４５】勾配コイル部１０６には勾配駆動部１３０
が接続されている。勾配駆動部１３０は勾配コイル部１
０６に駆動信号を与えて勾配磁場を発生させる。勾配駆
動部１３０は、勾配コイル部１０６における３系統の勾
配コイルに対応して、図示しない３系統の駆動回路を有
する。
が接続されている。勾配駆動部１３０は勾配コイル部１
０６に駆動信号を与えて勾配磁場を発生させる。勾配駆
動部１３０は、勾配コイル部１０６における３系統の勾
配コイルに対応して、図示しない３系統の駆動回路を有
する。
【００４６】ＲＦコイル部１０８にはＲＦ駆動部１４０
が接続されている。ＲＦ駆動部１４０はＲＦコイル部１
０８に駆動信号を与えてＲＦ励起信号を送信し、対象３
００の体内のスピンを励起する。
が接続されている。ＲＦ駆動部１４０はＲＦコイル部１
０８に駆動信号を与えてＲＦ励起信号を送信し、対象３
００の体内のスピンを励起する。
【００４７】ＲＦコイル部１０８には、また、データ
（ｄａｔａ）収集部１５０が接続されている。データ収
集部１５０はＲＦコイル部１０８が受信した受信信号を
取り込み、それをビューデータ（ｖｉｅｗ ｄａｔａ）
として収集する。
（ｄａｔａ）収集部１５０が接続されている。データ収
集部１５０はＲＦコイル部１０８が受信した受信信号を
取り込み、それをビューデータ（ｖｉｅｗ ｄａｔａ）
として収集する。
【００４８】勾配駆動部１３０、ＲＦ駆動部１４０およ
びデータ収集部１５０には制御部１６０が接続されてい
る。制御部１６０は、勾配駆動部１３０ないしデータ収
集部１５０をそれぞれ制御して撮影を遂行する。
びデータ収集部１５０には制御部１６０が接続されてい
る。制御部１６０は、勾配駆動部１３０ないしデータ収
集部１５０をそれぞれ制御して撮影を遂行する。
【００４９】データ収集部１５０の出力側はデータ処理
部１７０に接続されている。データ処理部１７０は、例
えばコンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）等を用いて構成
される。データ処理部１７０は図示しないメモリ（ｍｅ
ｍｏｒｙ）を有する。メモリはデータ処理部１７０用の
プログラムおよび各種のデータを記憶している。本装置
の機能は、データ処理部１７０がメモリに記憶されたプ
ログラムを実行することによりを実現される。
部１７０に接続されている。データ処理部１７０は、例
えばコンピュータ（ｃｏｍｐｕｔｅｒ）等を用いて構成
される。データ処理部１７０は図示しないメモリ（ｍｅ
ｍｏｒｙ）を有する。メモリはデータ処理部１７０用の
プログラムおよび各種のデータを記憶している。本装置
の機能は、データ処理部１７０がメモリに記憶されたプ
ログラムを実行することによりを実現される。
【００５０】データ処理部１７０は、データ収集部１５
０から取り込んだデータをメモリに記憶する。メモリ内
にはデータ空間が形成される。データ空間は２次元フ−
リエ（Ｆｏｕｒｉｅｒ）空間を構成する。データ処理部
１７０は、これら２次元フ−リエ空間のデータを２次元
逆フ−リエ変換して対象３００の画像を生成（再構成）
する。２次元フ−リエ空間をｋスペース（ｋ−ｓｐａｃ
ｅ）ともいう。
０から取り込んだデータをメモリに記憶する。メモリ内
にはデータ空間が形成される。データ空間は２次元フ−
リエ（Ｆｏｕｒｉｅｒ）空間を構成する。データ処理部
１７０は、これら２次元フ−リエ空間のデータを２次元
逆フ−リエ変換して対象３００の画像を生成（再構成）
する。２次元フ−リエ空間をｋスペース（ｋ−ｓｐａｃ
ｅ）ともいう。
【００５１】データ処理部１７０は制御部１６０に接続
されている。データ処理部１７０は制御部１６０の上位
にあってそれを統括する。データ処理部１７０には、ま
た、表示部１８０および操作部１９０が接続されてい
る。表示部１８０は、グラフィックディスプレー（ｇｒ
ａｐｈｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）等で構成される。操作部
１９０はポインティングデバイス（ｐｏｉｎｔｉｎｇ
ｄｅｖｉｃｅ）を備えたキーボード（ｋｅｙｂｏａｒ
ｄ）等で構成される。
されている。データ処理部１７０は制御部１６０の上位
にあってそれを統括する。データ処理部１７０には、ま
た、表示部１８０および操作部１９０が接続されてい
る。表示部１８０は、グラフィックディスプレー（ｇｒ
ａｐｈｉｃ ｄｉｓｐｌａｙ）等で構成される。操作部
１９０はポインティングデバイス（ｐｏｉｎｔｉｎｇ
ｄｅｖｉｃｅ）を備えたキーボード（ｋｅｙｂｏａｒ
ｄ）等で構成される。
【００５２】表示部１８０は、データ処理部１７０から
出力される再構成画像および各種の情報を表示する。操
作部１９０は、操作者によって操作され、各種の指令や
情報等をデータ処理部１７０に入力する。操作者は表示
部１８０および操作部１９０を通じてインタラクティブ
（ｉｎｔｅｒａｃｔｉｖｅ）に本装置を操作する。
出力される再構成画像および各種の情報を表示する。操
作部１９０は、操作者によって操作され、各種の指令や
情報等をデータ処理部１７０に入力する。操作者は表示
部１８０および操作部１９０を通じてインタラクティブ
（ｉｎｔｅｒａｃｔｉｖｅ）に本装置を操作する。
【００５３】図２に、ＲＦコイル部１０８の模式的構成
を示す。同図に示すように、ＲＦコイル部１０８は、図
１４に示したものと共通する構成を持つＴＥＭレゾネー
タ型のＲＦコイルである。
を示す。同図に示すように、ＲＦコイル部１０８は、図
１４に示したものと共通する構成を持つＴＥＭレゾネー
タ型のＲＦコイルである。
【００５４】あらためて説明すれば、ＲＦコイル部１０
８は円筒状の筒部１１０を有する。筒部１１０は両端に
オリフィス部１１２，１１２’を有する。オリフィス部
１１２，１１２’は筒部１１０の内径よりも小径の同心
円を成す開口１１４，１１４’を有する。
８は円筒状の筒部１１０を有する。筒部１１０は両端に
オリフィス部１１２，１１２’を有する。オリフィス部
１１２，１１２’は筒部１１０の内径よりも小径の同心
円を成す開口１１４，１１４’を有する。
【００５５】筒部１１０およびオリフィス部１１２，１
１２’は、軸方向および放射方向のスリット１１６によ
って複数部分に等分割された導体箔で覆われた、例えば
プラスチック（ｐｌａｓｔｉｃｓ）等の絶縁体で構成さ
れる。なお、スリットへの符号付けは１箇所で代表す
る。このような筒部１１０およびオリフィス部１１２，
１１２’を持つ筒体は、シールドまたはキャビティを構
成する。このシールドは、本発明におけるシールドの実
施の形態の一例である。スリット１１６は、本発明にお
けるスリットの実施の形態の一例である。
１２’は、軸方向および放射方向のスリット１１６によ
って複数部分に等分割された導体箔で覆われた、例えば
プラスチック（ｐｌａｓｔｉｃｓ）等の絶縁体で構成さ
れる。なお、スリットへの符号付けは１箇所で代表す
る。このような筒部１１０およびオリフィス部１１２，
１１２’を持つ筒体は、シールドまたはキャビティを構
成する。このシールドは、本発明におけるシールドの実
施の形態の一例である。スリット１１６は、本発明にお
けるスリットの実施の形態の一例である。
【００５６】シールドの内側には、複数のラインエレメ
ント１１８がシールドの軸に平行に設けられる。なお、
ラインエレメントへの符号付けは１箇所で代表する。ラ
インエレメント１１８は、本発明におけるラインエレメ
ントの実施の形態の一例である。
ント１１８がシールドの軸に平行に設けられる。なお、
ラインエレメントへの符号付けは１箇所で代表する。ラ
インエレメント１１８は、本発明におけるラインエレメ
ントの実施の形態の一例である。
【００５７】ラインエレメント１１８は、中央部に図示
しないキャパシタを直列に有する直線状導体からなり。
シールドとともにＬＣ回路の閉ループを構成する。ＲＦ
信号の給電および受電は所定のラインエレメント１１８
のキャパシタの両端で行われる。
しないキャパシタを直列に有する直線状導体からなり。
シールドとともにＬＣ回路の閉ループを構成する。ＲＦ
信号の給電および受電は所定のラインエレメント１１８
のキャパシタの両端で行われる。
【００５８】複数のラインエレメント１１８は、その両
端がオリフィス部１１２，１１２’に電気的および機械
的にそれぞれ結合し、開口１１４，１１４’の周辺に沿
って同心的かつ等間隔に配置されている。オリフィス部
１１２，１１２’におけるラインエレメント１１８の結
合位置は、スリット１１６で分割されたオリフィス部１
１２，１１２’に形成される部分円環の中央である。ラ
インエレメント１１８は、また、筒部１１０の内面から
所定の距離を保つようになっている。
端がオリフィス部１１２，１１２’に電気的および機械
的にそれぞれ結合し、開口１１４，１１４’の周辺に沿
って同心的かつ等間隔に配置されている。オリフィス部
１１２，１１２’におけるラインエレメント１１８の結
合位置は、スリット１１６で分割されたオリフィス部１
１２，１１２’に形成される部分円環の中央である。ラ
インエレメント１１８は、また、筒部１１０の内面から
所定の距離を保つようになっている。
【００５９】ＲＦコイル部１０８は、スリット１１６に
より例えば８等分される。等分によって生じた１単位
を、以下、セグメント（ｓｅｇｍｅｎｔ）ともいう。各
セグメントは８等分された部分円筒を成す。
より例えば８等分される。等分によって生じた１単位
を、以下、セグメント（ｓｅｇｍｅｎｔ）ともいう。各
セグメントは８等分された部分円筒を成す。
【００６０】ここまでの構成は図１４に示したＲＦコイ
ルと共通である。ＲＦコイル部１０８では、さらに、シ
ールドの両端のオリフィス部１１２，１１２’に形成さ
れた８つの部分円環が、共通の導電パターンおよびその
上に取り付けられた回路部品を有する。
ルと共通である。ＲＦコイル部１０８では、さらに、シ
ールドの両端のオリフィス部１１２，１１２’に形成さ
れた８つの部分円環が、共通の導電パターンおよびその
上に取り付けられた回路部品を有する。
【００６１】図３に、部分円環の１つについて、その正
面図を両隣の部分円環の一部とともに示す。同図に示す
ように、部分円環の導電パターンは、ラインエレメント
１１８の端部が接続されるメインランド３０２と、その
両側に左右対称に形成された２つのサブランド３０４を
有する。メインランド３０２とサブランド３０４はスリ
ット４０２で分離されている。
面図を両隣の部分円環の一部とともに示す。同図に示す
ように、部分円環の導電パターンは、ラインエレメント
１１８の端部が接続されるメインランド３０２と、その
両側に左右対称に形成された２つのサブランド３０４を
有する。メインランド３０２とサブランド３０４はスリ
ット４０２で分離されている。
【００６２】メインランド３０２は、本発明における第
１の導電パターンの実施の形態の一例である。サブラン
ド３０４は、本発明における第２の導電パターンの実施
の形態の一例である。
１の導電パターンの実施の形態の一例である。サブラン
ド３０４は、本発明における第２の導電パターンの実施
の形態の一例である。
【００６３】メインランド３０２とサブランド３０４は
キャパシタ５０２によって接続される。キャパシタ５０
２は、本発明におけるキャパシタの実施の形態の一例で
ある。キャパシタ５０２としては、例えば１ｋＨｚ〜１
０ｋＨｚ程度の周波数領域では十分高インピーダンスと
なり、例えば１２８ＭＨｚ程度の周波数領域では十分低
インピーダンスとなる、例えば１０００ｐＦ程度のキャ
パシタンスを持つマイカコンデンサ（ｍｉｃａ ｃｏｎ
ｄｅｎｓｅｒ）等が用いられる。
キャパシタ５０２によって接続される。キャパシタ５０
２は、本発明におけるキャパシタの実施の形態の一例で
ある。キャパシタ５０２としては、例えば１ｋＨｚ〜１
０ｋＨｚ程度の周波数領域では十分高インピーダンスと
なり、例えば１２８ＭＨｚ程度の周波数領域では十分低
インピーダンスとなる、例えば１０００ｐＦ程度のキャ
パシタンスを持つマイカコンデンサ（ｍｉｃａ ｃｏｎ
ｄｅｎｓｅｒ）等が用いられる。
【００６４】サブランド３０４は、スリット１１６を隔
てて対向する隣の部分円環のサブランドとは導電体６０
２で接続される。導電体６０２は、本発明における接続
手段の実施の形態の一例である。導電体６０２として
は、例えば、銅箔ないし同メッシュシート（ｍｅｓｈ
ｓｈｅｅｔ）が用いられる。
てて対向する隣の部分円環のサブランドとは導電体６０
２で接続される。導電体６０２は、本発明における接続
手段の実施の形態の一例である。導電体６０２として
は、例えば、銅箔ないし同メッシュシート（ｍｅｓｈ
ｓｈｅｅｔ）が用いられる。
【００６５】キャパシタ５０２で接続されたメインラン
ド３０２とサブランド３０４は、ＲＦ領域ではスリット
４０２が短絡されたのと同等になる。そして、導電体６
０２で隣サブランドとの間スリット１１６が短絡されて
いることにより、複数のラインエレメント１１８は、Ｒ
Ｆ領域では両端をオリフィス部１１２，１１２’でそれ
ぞれ共通接続したのと等価になる。したがって、ＲＦ領
域でのシールド効果が向上し、オリフィス部１１２，１
１２’の付近におけるロードの有無に関わらず動作が安
定化する。
ド３０２とサブランド３０４は、ＲＦ領域ではスリット
４０２が短絡されたのと同等になる。そして、導電体６
０２で隣サブランドとの間スリット１１６が短絡されて
いることにより、複数のラインエレメント１１８は、Ｒ
Ｆ領域では両端をオリフィス部１１２，１１２’でそれ
ぞれ共通接続したのと等価になる。したがって、ＲＦ領
域でのシールド効果が向上し、オリフィス部１１２，１
１２’の付近におけるロードの有無に関わらず動作が安
定化する。
【００６６】一方、１ｋＨｚ〜１０ｋＨｚ程度の周波数
領域では、キャパシタ５０２は十分高インピーダンスな
ので、同周波数領域の信号となる勾配磁場印加時の渦電
流がシールドの円周方向に流れることはない。したがっ
て、渦電流の影響が静磁場に及ぶことを防止することが
できる。
領域では、キャパシタ５０２は十分高インピーダンスな
ので、同周波数領域の信号となる勾配磁場印加時の渦電
流がシールドの円周方向に流れることはない。したがっ
て、渦電流の影響が静磁場に及ぶことを防止することが
できる。
【００６７】部分円環における導電パターンおよび部品
の配置は、例えば図４に示すようにしても良い。図４で
は、メインランド３０２をスリット４０４で２分割し、
ラインエレメント１１８の端部が接続するランド３０
２’とシールドの筒部１１０に接続するランド３０
２’’とを形成し、ランド３０２’，３０２’’をキャ
パシタ５０４で接続するようになっている。キャパシタ
５０４はＲＦコイル部１０８のＬＣ回路の一部を構成す
るキャパシタである。
の配置は、例えば図４に示すようにしても良い。図４で
は、メインランド３０２をスリット４０４で２分割し、
ラインエレメント１１８の端部が接続するランド３０
２’とシールドの筒部１１０に接続するランド３０
２’’とを形成し、ランド３０２’，３０２’’をキャ
パシタ５０４で接続するようになっている。キャパシタ
５０４はＲＦコイル部１０８のＬＣ回路の一部を構成す
るキャパシタである。
【００６８】図３および図４に示すように、部分円環の
導電パターン左右対称になっており、これは全ての部分
円環において同一である。このため、全てのセグメント
の回路条件が同一になり、ＲＦコイル部１０８の中心軸
に関し全てのセグメントの回路の平等性が保たれる。こ
のため、ＲＦコイルとしての動作特性が向上する。
導電パターン左右対称になっており、これは全ての部分
円環において同一である。このため、全てのセグメント
の回路条件が同一になり、ＲＦコイル部１０８の中心軸
に関し全てのセグメントの回路の平等性が保たれる。こ
のため、ＲＦコイルとしての動作特性が向上する。
【００６９】セグメントの回路の平等性は、図５に示す
ように、ヘッドコイル型のＲＦコイル部１０８を、対象
３００の頭部の挿入を容易にするために軸に沿って２分
割可能な構成にし、両者をコネクタ等で結合するように
した場合でも維持される。
ように、ヘッドコイル型のＲＦコイル部１０８を、対象
３００の頭部の挿入を容易にするために軸に沿って２分
割可能な構成にし、両者をコネクタ等で結合するように
した場合でも維持される。
【００７０】ＲＦコイル部１０８は、図６に示すよう
に、セグメント１１９単位で分解可能な構成にするの
が、製造段階での同調周波数調整を容易にする点で好ま
しい。セグメント１１９の縦断面図を図７に示す。な
お、セグメント１１９におけるオリフィス部１１２の導
電パターンは、図３または図４に示したものに限らず、
図８に示すような全体が単一のパターンを成すものであ
って良い。
に、セグメント１１９単位で分解可能な構成にするの
が、製造段階での同調周波数調整を容易にする点で好ま
しい。セグメント１１９の縦断面図を図７に示す。な
お、セグメント１１９におけるオリフィス部１１２の導
電パターンは、図３または図４に示したものに限らず、
図８に示すような全体が単一のパターンを成すものであ
って良い。
【００７１】このようなセグメント１１９について同調
周波数の調整を行うときは、例えば図９に示すような調
整用治具を用いる。同図に示すように調整用治具１０３
は円筒形を成す。
周波数の調整を行うときは、例えば図９に示すような調
整用治具を用いる。同図に示すように調整用治具１０３
は円筒形を成す。
【００７２】調整用治具１０３は、概ね、図２に示した
ＲＦコイル部１０８から１つのセグメントを取り除き、
かつ、他のセグメントにおけるラインエレメントを全て
取り去ってシールドだけにしたものに相当する。ただ
し、セグメントを取り除いた部分に相当する箇所は、非
金属かつ非磁性の同心円筒としている。
ＲＦコイル部１０８から１つのセグメントを取り除き、
かつ、他のセグメントにおけるラインエレメントを全て
取り去ってシールドだけにしたものに相当する。ただ
し、セグメントを取り除いた部分に相当する箇所は、非
金属かつ非磁性の同心円筒としている。
【００７３】したがって、調整用治具１０３は、セグメ
ント１つ分が欠けた部分円環を成すオリフィス部１３２
を有し、また、スリット１３６を有する。オリフィス部
１３２の欠けた部分は、調整時にセグメント１１９取り
付ける嵌合部１０５を形成する。嵌合部１０５はセグメ
ント１１９が嵌合可能な形状および寸法を有する。調整
用治具１０３は、本発明のシールドの実施の形態の一例
である。本調整用治具１０３の構成によって、本発明の
シールドに関する実施の形態の一例が示される。
ント１つ分が欠けた部分円環を成すオリフィス部１３２
を有し、また、スリット１３６を有する。オリフィス部
１３２の欠けた部分は、調整時にセグメント１１９取り
付ける嵌合部１０５を形成する。嵌合部１０５はセグメ
ント１１９が嵌合可能な形状および寸法を有する。調整
用治具１０３は、本発明のシールドの実施の形態の一例
である。本調整用治具１０３の構成によって、本発明の
シールドに関する実施の形態の一例が示される。
【００７４】同調周波数の調整時には、この調整用治具
１０３の嵌合部１０５にセグメント１１９を嵌合させて
手非金属かつ非磁性の留め具で固定し、所定の測定器を
接続して回路のＬＣの値を調節する。調節は主としてラ
インエレメント１１８に直列なキャパシタのキャパシタ
ンスを調節することにより行われる。
１０３の嵌合部１０５にセグメント１１９を嵌合させて
手非金属かつ非磁性の留め具で固定し、所定の測定器を
接続して回路のＬＣの値を調節する。調節は主としてラ
インエレメント１１８に直列なキャパシタのキャパシタ
ンスを調節することにより行われる。
【００７５】調整用治具１０３は、動作不良のＲＦコイ
ル部１０８について、個々のセグメントごとに良不良を
試験する用途にも使用することができる。これにより、
不良箇所を容易に特定することができる。したがって、
不良なセグメントだけを交換または修理することができ
る。
ル部１０８について、個々のセグメントごとに良不良を
試験する用途にも使用することができる。これにより、
不良箇所を容易に特定することができる。したがって、
不良なセグメントだけを交換または修理することができ
る。
【００７６】同調周波数の調整を終えた全てのセグメン
ト１１９を用いてＲＦコイル部１０８を組み立てる。組
み立てには、例えば、図１０に示すような円筒状の支持
枠１１３を用いる。支持枠１１３は、本発明における支
持手段の実施の形態の一例である。
ト１１９を用いてＲＦコイル部１０８を組み立てる。組
み立てには、例えば、図１０に示すような円筒状の支持
枠１１３を用いる。支持枠１１３は、本発明における支
持手段の実施の形態の一例である。
【００７７】円筒を成す支持枠１１３の内側に、適宜の
留め具を用いて各セグメントを取り付ける。支持枠１１
３および留め具は、例えばプラスチック（ｐｌａｓｔｉ
ｃｓ）等の非金属かつ非磁性の材料で構成される。支持
枠１１３は、軸に沿って２分割可能のものとするのが、
完成したＲＦコイルにおいて対象３００の出し入れを容
易にする点で好ましい。
留め具を用いて各セグメントを取り付ける。支持枠１１
３および留め具は、例えばプラスチック（ｐｌａｓｔｉ
ｃｓ）等の非金属かつ非磁性の材料で構成される。支持
枠１１３は、軸に沿って２分割可能のものとするのが、
完成したＲＦコイルにおいて対象３００の出し入れを容
易にする点で好ましい。
【００７８】本装置による撮影動作を説明する。図１１
に、本装置で撮影を行うときのパルスシーケンス（ｐｕ
ｌｓｅ ｓｅｑｕｅｎｃｅ）の一例を示す。このパルス
シーケンスは、グラディエントエコー（ＧＲＥ：Ｇｒａ
ｄｉｅｎｔ Ｅｃｈｏ）法のパルスシーケンスである。
に、本装置で撮影を行うときのパルスシーケンス（ｐｕ
ｌｓｅ ｓｅｑｕｅｎｃｅ）の一例を示す。このパルス
シーケンスは、グラディエントエコー（ＧＲＥ：Ｇｒａ
ｄｉｅｎｔ Ｅｃｈｏ）法のパルスシーケンスである。
【００７９】すなわち、（１）はＧＲＥ法におけるＲＦ
励起用のα°パルスのシーケンスであり、（２）、
（３）、（４）および（５）は、同じくそれぞれ、スラ
イス勾配Ｇｓ、リードアウト勾配Ｇｒ、フェーズエンコ
ード勾配ＧｐおよびグラディエントエコーＭＲのシーケ
ンスである。なお、α°パルスは中心信号で代表する。
パルスシーケンスは時間軸ｔに沿って左から右に進行す
る。
励起用のα°パルスのシーケンスであり、（２）、
（３）、（４）および（５）は、同じくそれぞれ、スラ
イス勾配Ｇｓ、リードアウト勾配Ｇｒ、フェーズエンコ
ード勾配ＧｐおよびグラディエントエコーＭＲのシーケ
ンスである。なお、α°パルスは中心信号で代表する。
パルスシーケンスは時間軸ｔに沿って左から右に進行す
る。
【００８０】同図に示すように、α°パルスによりスピ
ンのα°励起が行われる。フリップアングル（ｆｌｉｐ
ａｎｇｌｅ）α°は９０°以下である。このときスラ
イス勾配Ｇｓが印加され所定のスライスについての選択
励起が行われる。
ンのα°励起が行われる。フリップアングル（ｆｌｉｐ
ａｎｇｌｅ）α°は９０°以下である。このときスラ
イス勾配Ｇｓが印加され所定のスライスについての選択
励起が行われる。
【００８１】α°励起後、フェーズエンコード勾配Ｇｐ
によりスピンのフェーズエンコードが行われる。次に、
リードアウト勾配Ｇｒにより先ずスピンをディフェーズ
（ｄｅｐｈａｓｅ）し、次いでスピンをリフェーズ（ｒ
ｅｐｈａｓｅ）して、グラディエントエコーＭＲを発生
させる。グラディエントエコーＭＲの信号強度は、α°
励起からエコータイム（ｅｃｈｏ ｔｉｍｅ）ＴＥ後の
時点で最大となる。グラディエントエコーＭＲはデータ
収集部１５０によりビューデータとして収集される。
によりスピンのフェーズエンコードが行われる。次に、
リードアウト勾配Ｇｒにより先ずスピンをディフェーズ
（ｄｅｐｈａｓｅ）し、次いでスピンをリフェーズ（ｒ
ｅｐｈａｓｅ）して、グラディエントエコーＭＲを発生
させる。グラディエントエコーＭＲの信号強度は、α°
励起からエコータイム（ｅｃｈｏ ｔｉｍｅ）ＴＥ後の
時点で最大となる。グラディエントエコーＭＲはデータ
収集部１５０によりビューデータとして収集される。
【００８２】このようなパルスシーケンスが周期ＴＲ
（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｔｉｍｅ）で６４〜５１２回
繰り返される。繰り返しのたびにフェーズエンコード勾
配Ｇｐを変更し、毎回異なるフェーズエンコードを行
う。これによって、ｋスペースを埋める６４〜５１２ビ
ューのビューデータが得られる。
（ｒｅｐｅｔｉｔｉｏｎ ｔｉｍｅ）で６４〜５１２回
繰り返される。繰り返しのたびにフェーズエンコード勾
配Ｇｐを変更し、毎回異なるフェーズエンコードを行
う。これによって、ｋスペースを埋める６４〜５１２ビ
ューのビューデータが得られる。
【００８３】磁気共鳴撮影用パルスシーケンスの他の例
を図１２に示す。このパルスシーケンスは、スピンエコ
ー（ＳＥ：Ｓｐｉｎ Ｅｃｈｏ）法のパルスシーケンス
である。
を図１２に示す。このパルスシーケンスは、スピンエコ
ー（ＳＥ：Ｓｐｉｎ Ｅｃｈｏ）法のパルスシーケンス
である。
【００８４】すなわち、（１）はＳＥ法におけるＲＦ励
起用の９０°パルスおよび１８０°パルスのシーケンス
であり、（２）、（３）、（４）および（５）は、同じ
くそれぞれ、スライス勾配Ｇｓ、リードアウト勾配Ｇ
ｒ、フェーズエンコード勾配ＧｐおよびスピンエコーＭ
Ｒのシーケンスである。なお、９０°パルスおよび１８
０°パルスはそれぞれ中心信号で代表する。パルスシー
ケンスは時間軸ｔに沿って左から右に進行する。
起用の９０°パルスおよび１８０°パルスのシーケンス
であり、（２）、（３）、（４）および（５）は、同じ
くそれぞれ、スライス勾配Ｇｓ、リードアウト勾配Ｇ
ｒ、フェーズエンコード勾配ＧｐおよびスピンエコーＭ
Ｒのシーケンスである。なお、９０°パルスおよび１８
０°パルスはそれぞれ中心信号で代表する。パルスシー
ケンスは時間軸ｔに沿って左から右に進行する。
【００８５】同図に示すように、９０°パルスによりス
ピンの９０°励起が行われる。このときスライス勾配Ｇ
ｓが印加され所定のスライスについての選択励起が行わ
れる。９０°励起から所定の時間後に、１８０°パルス
による１８０°励起すなわちスピン反転が行われる。こ
のときもスライス勾配Ｇｓが印加され、同じスライスに
ついての選択的反転が行われる。
ピンの９０°励起が行われる。このときスライス勾配Ｇ
ｓが印加され所定のスライスについての選択励起が行わ
れる。９０°励起から所定の時間後に、１８０°パルス
による１８０°励起すなわちスピン反転が行われる。こ
のときもスライス勾配Ｇｓが印加され、同じスライスに
ついての選択的反転が行われる。
【００８６】９０°励起とスピン反転の間の期間に、リ
ードアウト勾配Ｇｒおよびフェーズエンコード勾配Ｇｐ
が印加される。リードアウト勾配Ｇｒによりスピンのデ
ィフェーズが行われる。フェーズエンコード勾配Ｇｐに
よりスピンのフェーズエンコードが行われる。
ードアウト勾配Ｇｒおよびフェーズエンコード勾配Ｇｐ
が印加される。リードアウト勾配Ｇｒによりスピンのデ
ィフェーズが行われる。フェーズエンコード勾配Ｇｐに
よりスピンのフェーズエンコードが行われる。
【００８７】スピン反転後、リードアウト勾配Ｇｒでス
ピンをリフェーズしてスピンエコーＭＲを発生させる。
スピンエコーＭＲの信号強度は、９０°励起からＴＥ後
の時点で最大となる。スピンエコーＭＲはデータ収集部
１５０によりビューデータとして収集される。このよう
なパルスシーケンスが周期ＴＲで６４〜５１２回繰り返
される。繰り返しのたびにフェーズエンコード勾配Ｇｐ
を変更し、毎回異なるフェーズエンコードを行う。これ
によって、ｋスペースを埋める６４〜５１２ビューのビ
ューデータが得られる。
ピンをリフェーズしてスピンエコーＭＲを発生させる。
スピンエコーＭＲの信号強度は、９０°励起からＴＥ後
の時点で最大となる。スピンエコーＭＲはデータ収集部
１５０によりビューデータとして収集される。このよう
なパルスシーケンスが周期ＴＲで６４〜５１２回繰り返
される。繰り返しのたびにフェーズエンコード勾配Ｇｐ
を変更し、毎回異なるフェーズエンコードを行う。これ
によって、ｋスペースを埋める６４〜５１２ビューのビ
ューデータが得られる。
【００８８】なお、撮影に用いるパルスシーケンスはＧ
ＲＥ法またはＳＥ法に限るものではなく、例えば、ＦＳ
Ｅ（Ｆａｓｔ Ｓｐｉｎ Ｅｃｈｏ）法、ファーストリ
カバリＦＳＥ（Ｆａｓｔ Ｒｅｃｏｖｅｒｙ Ｆａｓｔ
Ｓｐｉｎ Ｅｃｈｏ）法、エコープラナー・イメージ
ング（ＥＰＩ：Ｅｃｈｏ Ｐｌａｎａｒ Ｉｍａｇｉｎ
ｇ）等、他の適宜の技法のものであって良い。
ＲＥ法またはＳＥ法に限るものではなく、例えば、ＦＳ
Ｅ（Ｆａｓｔ Ｓｐｉｎ Ｅｃｈｏ）法、ファーストリ
カバリＦＳＥ（Ｆａｓｔ Ｒｅｃｏｖｅｒｙ Ｆａｓｔ
Ｓｐｉｎ Ｅｃｈｏ）法、エコープラナー・イメージ
ング（ＥＰＩ：Ｅｃｈｏ Ｐｌａｎａｒ Ｉｍａｇｉｎ
ｇ）等、他の適宜の技法のものであって良い。
【００８９】データ処理部１７０は、ｋスペースのビュ
ーデータを２次元逆フ−リエ変換して対象３００の断層
像を再構成する。再構成した画像はメモリに記憶し、ま
た、表示部１８０で表示する。ＲＦコイル部１０８の動
作特性が優れているので品質の良い画像を得ることがで
きる。
ーデータを２次元逆フ−リエ変換して対象３００の断層
像を再構成する。再構成した画像はメモリに記憶し、ま
た、表示部１８０で表示する。ＲＦコイル部１０８の動
作特性が優れているので品質の良い画像を得ることがで
きる。
【００９０】以上は、ＲＦコイル部１０８をＲＦ信号の
送受信に兼用する例であるが、ＲＦコイル部１０８は、
ＲＦ信号の送信専用または受信専用としても良いのはい
うまでもない。
送受信に兼用する例であるが、ＲＦコイル部１０８は、
ＲＦ信号の送信専用または受信専用としても良いのはい
うまでもない。
【００９１】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明によ
れば、動作特性の良いＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイ
ル、および、そのようなＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイ
ルを用いる磁気共鳴撮像装置を実現することができる。
れば、動作特性の良いＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイ
ル、および、そのようなＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイ
ルを用いる磁気共鳴撮像装置を実現することができる。
【図１】本発明の実施の形態の一例の装置のブロック図
である。
である。
【図２】図１に示した装置におけるＲＦコイル部の模式
図である。
図である。
【図３】図２に示したＲＦコイル部の一部の模式図であ
る。
る。
【図４】図２に示したＲＦコイル部の一部の模式図であ
る。
る。
【図５】図１に示した装置におけるＲＦコイル部の模式
図である。
図である。
【図６】図２に示したＲＦコイル部のセグメントの模式
図である。
図である。
【図７】図７に示したＲＦコイル部のセグメントの縦断
面図である。
面図である。
【図８】図２に示したＲＦコイル部の一部の模式図であ
る。
る。
【図９】図６に示したセグメント用の調整治具の模式図
である。
である。
【図１０】図６に示したセグメント取り付け用の支持枠
の模式図である。
の模式図である。
【図１１】図１に示した装置が実行するパルスシーケン
スの一例を示す図である。
スの一例を示す図である。
【図１２】図１に示した装置が実行するパルスシーケン
スの一例を示す図である。
スの一例を示す図である。
【図１３】ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイル部の模式図
である。
である。
【図１４】ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイル部の模式図
である。
である。
【図１５】ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイル部の模式図
である。
である。
【図１６】ＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイル部の模式図
である。
である。
【図１７】図１６に示したＲＦコイル部の一部の模式図
である。
である。
１００ マグネットシステム
１０２ 主磁場コイル部
１０６ 勾配コイル部
１０８ ＲＦコイル部
１３０ 勾配駆動部
１４０ ＲＦ駆動部
１５０ データ収集部
１６０ 制御部
１７０ データ処理部
１８０ 表示部
１９０ 操作部
３００ 撮像対象
５００ クレードル
１１０ 筒部
１１２，１１２’ オリフィス部
１１４，１１４’ 開口
１１６ スリット
１１８ ラインエレメント
３０２，３０２’，３０２’’ メインランド
３０４ サブランド
４０２ スリット
５０２ キャパシタ
４０２ キャパシタ
６０２ 導電体
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平４−24019（ＪＰ，Ａ)
特開 平４−279150（ＪＰ，Ａ)
特開 昭64−29102（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
A61B 5/055
Claims (6)
- 【請求項１】 円環状のオリフィス部を両端に持つ円筒
状のシールドと、 前記オリフィス部に両端が接続され前記オリフィス部の
開口に沿って等間隔に配置された複数のラインエレメン
トと、 前記シールドを前記複数のラインエレメントの間隔を２
等分する位置で軸に平行に分割し前記オリフィス部に複
数の部分円環を形成する複数のスリットと、 を有するＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイルであって、 前記複数の部分円環は、それぞれ、 前記ラインエレメントが接続される第１の導電パターン
と、 前記ラインエレメントから前記スリットに向かう２方向
において前記ラインエレメント関して対称的に設けられ
た第２の導電パターンと、 前記第１の導電パターンと前記第２の導電パターンとを
接続するキャパシタと、 隣り合う部分円環にまたがって前記第２の導電パターン
同士を電気的に接続する接続手段と、 を具備することを特徴とするＲＦコイル。 - 【請求項２】 前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて２分割可能である、 ことを特徴とする請求項１に記載のＲＦコイル。 - 【請求項３】 前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて複数の部分円筒に分解可能である、 ことを特徴とする請求項１に記載のＲＦコイル。 - 【請求項４】 静磁場および勾配磁場の下で撮影の対象
に高周波磁場を印加して獲得した磁気共鳴信号に基づい
て画像を構成する磁気共鳴撮影装置であって、 前記高周波磁場の印加および前記磁気共鳴信号の獲得の
少なくともいずれかを行うためのＲＦコイルとして、 円環状のオリフィス部を両端に持つ円筒状のシールド
と、 前記オリフィス部に両端が接続され前記オリフィス部の
開口に沿って等間隔に配置された複数のラインエレメン
トと、 前記シールドを前記複数のラインエレメントの間隔を２
等分する位置で軸に平行に分割し前記オリフィス部に複
数の部分円環を形成する複数のスリットと、 を有するＴＥＭレゾネータ型のＲＦコイルであって、 前記複数の部分円環は、それぞれ、 前記ラインエレメントが接続される第１の導電パターン
と、 前記ラインエレメントから前記スリットに向かう２方向
において前記ラインエレメント関して対称的に設けられ
た第２の導電パターンと、 前記第１の導電パターンと前記第２の導電パターンとを
接続するキャパシタと、 隣り合う部分円環にまたがって前記第２の導電パターン
同士を電気的に接続する接続手段と、 を有するＲＦコイルを用いる ことを特徴とする磁気共鳴
撮影装置。 - 【請求項５】 前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて２分割可能である、 ことを特徴とする請求項４に記載の磁気共鳴撮影装置。 - 【請求項６】 前記シールドは前記スリットの箇所にお
いて複数の部分円筒に分解可能である、 ことを特徴とする請求項４に記載の磁気共鳴撮影装置。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000093833A JP3516631B2 (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | Ｒｆコイルおよび磁気共鳴撮影装置 |
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| KR10-2001-7015450A KR100458780B1 (ko) | 2000-03-30 | 2001-03-16 | Ｒｆ 코일, 실드 및 자기 공명 촬상 장치 |
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|---|---|---|---|
| JP2000093833A JP3516631B2 (ja) | 2000-03-30 | 2000-03-30 | Ｒｆコイルおよび磁気共鳴撮影装置 |
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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|---|---|
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| JP2006175058A (ja) * | 2004-12-22 | 2006-07-06 | Ge Medical Systems Global Technology Co Llc | コイルエレメント選択方法および磁気共鳴イメージング装置 |
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| US4751464A (en) | 1987-05-04 | 1988-06-14 | Advanced Nmr Systems, Inc. | Cavity resonator with improved magnetic field uniformity for high frequency operation and reduced dielectric heating in NMR imaging devices |
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| US5201311A (en) * | 1989-08-11 | 1993-04-13 | General Electric Company | Spatially-localized chemical-reaction-rate NMR spectroscopic imaging |
| EP0471509A3 (en) | 1990-08-17 | 1992-09-09 | General Electric Company | Split nmr coil with improved connector |
| US5557247A (en) * | 1993-08-06 | 1996-09-17 | Uab Research Foundation | Radio frequency volume coils for imaging and spectroscopy |
| US5378989A (en) * | 1993-11-02 | 1995-01-03 | General Electric Company | Open gradient coils for magnetic resonance imaging |
| US5680046A (en) * | 1994-08-05 | 1997-10-21 | General Electric Company | Double-sided RF shield for RF coil contained within gradient coils used in high speed NMR imaging |
| US5617859A (en) * | 1995-10-02 | 1997-04-08 | General Electric Company | Apparatus and methods for magnetic resonance (MR) imaging of cavities using fluids polarized at low temperatures |
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| US5696449A (en) * | 1996-06-03 | 1997-12-09 | General Electric Company | RF coil for open MR magnet |
| US6054858A (en) * | 1997-01-27 | 2000-04-25 | General Electric Company | Method to automatically tune MRI RF coils |
| US5801609A (en) * | 1997-04-25 | 1998-09-01 | General Electric Company | MRI head magnet |
| US6249121B1 (en) * | 1999-05-17 | 2001-06-19 | General Electric Company | RF body coil |
| US6437567B1 (en) * | 1999-12-06 | 2002-08-20 | General Electric Company | Radio frequency coil for open magnetic resonance imaging system |
-
2000
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2001
- 2001-03-01 US US09/798,868 patent/US6618610B2/en not_active Expired - Fee Related
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