JPH08167477A - 有機エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス素子Info
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- JPH08167477A JPH08167477A JP6270981A JP27098194A JPH08167477A JP H08167477 A JPH08167477 A JP H08167477A JP 6270981 A JP6270981 A JP 6270981A JP 27098194 A JP27098194 A JP 27098194A JP H08167477 A JPH08167477 A JP H08167477A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 バラツキのない均一な発光特性を有する有機
ＥＬ素子を提供すること。 【構成】 陽極６と陰極５と正孔注入手段２と、電子注
入手段４を具備する有機エレクトロルミネセンス素子に
おいて、陽極６をＡｌの如き金属で構成し、発光層の側
部に反射体８を設ける。
ＥＬ素子を提供すること。 【構成】 陽極６と陰極５と正孔注入手段２と、電子注
入手段４を具備する有機エレクトロルミネセンス素子に
おいて、陽極６をＡｌの如き金属で構成し、発光層の側
部に反射体８を設ける。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は有機エレクトロルミネセ
ンス（ＥＬ）素子に係り、特に陽極としてＩＴＯを使用
しない、側面より光を取出すことができる有機ＥＬ素子
に関する。
ンス（ＥＬ）素子に係り、特に陽極としてＩＴＯを使用
しない、側面より光を取出すことができる有機ＥＬ素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機ＥＬ素子は、薄形の新しい発光源と
して注目されている。従来の有機ＥＬ素子は、図６に示
す如く、ガラス基板１０上にＩＴＯからなる透明電極１
を形成し、この上に正孔注入輸送層２、発光層３、電子
注入輸送層４、陰極５等を形成することにより構成され
ている。
して注目されている。従来の有機ＥＬ素子は、図６に示
す如く、ガラス基板１０上にＩＴＯからなる透明電極１
を形成し、この上に正孔注入輸送層２、発光層３、電子
注入輸送層４、陰極５等を形成することにより構成され
ている。
【０００３】正孔注入輸送層２としては、例えば下記化
１で表されるテトラアリールジアミン誘導体を使用す
る。
１で表されるテトラアリールジアミン誘導体を使用す
る。
【０００４】
【化１】
【０００５】〔化１において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ
4 はそれぞれアリール基、アルキル基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アミノ基又はハロゲン原子を表す。
ｒ１、ｒ２、ｒ３及びｒ４は、それぞれ０又は１〜５の
整数である。Ｒ5 及びＲ6 は、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらは同一で
も異なるものであってもよい。ｒ５及びｒ６は、それぞ
れ０又は１〜４の整数である。〕また前記化１以外の芳
香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導
体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ
基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等
を正孔注入輸送層２として使用する。
4 はそれぞれアリール基、アルキル基、アルコキシ基、
アリールオキシ基、アミノ基又はハロゲン原子を表す。
ｒ１、ｒ２、ｒ３及びｒ４は、それぞれ０又は１〜５の
整数である。Ｒ5 及びＲ6 は、アルキル基、アルコキシ
基、アミノ基又はハロゲン原子を表し、これらは同一で
も異なるものであってもよい。ｒ５及びｒ６は、それぞ
れ０又は１〜４の整数である。〕また前記化１以外の芳
香族三級アミン、ヒドラゾン誘導体、カルバゾール誘導
体、トリアゾール誘導体、イミダゾール誘導体、アミノ
基を有するオキサジアゾール誘導体、ポリチオフェン等
を正孔注入輸送層２として使用する。
【０００６】発光層３としては、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム等の金属錯体色素、テトラフェニル
ブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、１２
−フタロペリノン誘導体、キナクリドン、ルブレン、ス
チリル系色素等の有機蛍光体や前記化１で示すテトラア
リールジアミン誘導体と、後述する電子注入輸送層４で
使用される化合物、例えばトリス（８−キノリノラト）
アルミニウム等の混合物などが使用される。
ラト）アルミニウム等の金属錯体色素、テトラフェニル
ブタジエン、アントラセン、ペリレン、コロネン、１２
−フタロペリノン誘導体、キナクリドン、ルブレン、ス
チリル系色素等の有機蛍光体や前記化１で示すテトラア
リールジアミン誘導体と、後述する電子注入輸送層４で
使用される化合物、例えばトリス（８−キノリノラト）
アルミニウム等の混合物などが使用される。
【０００７】電子注入輸送層４としては、例えばトリス
（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色素、
オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘
導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
ロレン誘導体等が使用される。陰極５としては、仕事関
数の小さい材料、例えばＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ｉｎあるいはこれらの１種以上を含む合金例えばＭ
ｇＡｇ（例えば重量比１０：１）、ＭｇＩｎ等を使用す
る。
（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色素、
オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジン誘
導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキサリ
ン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フルオ
ロレン誘導体等が使用される。陰極５としては、仕事関
数の小さい材料、例えばＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａ
ｇ、Ｉｎあるいはこれらの１種以上を含む合金例えばＭ
ｇＡｇ（例えば重量比１０：１）、ＭｇＩｎ等を使用す
る。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところで前記の如く構
成された有機ＥＬ素子は、陽極として透明電極であるＩ
ＴＯを使用している。ＩＴＯは製造方法がむずかしく、
しかもロット毎に特性や表面性にバラツキがあり、その
結果有機ＥＬ素子の発光特性が均一でないという問題が
あった。
成された有機ＥＬ素子は、陽極として透明電極であるＩ
ＴＯを使用している。ＩＴＯは製造方法がむずかしく、
しかもロット毎に特性や表面性にバラツキがあり、その
結果有機ＥＬ素子の発光特性が均一でないという問題が
あった。
【０００９】本発明の目的は、このように均一の特性の
ものが得にくいＩＴＯを使用しないことにより、発光に
バラツキのない、均一の発光特性を有する有機ＥＬ素子
を提供することである。
ものが得にくいＩＴＯを使用しないことにより、発光に
バラツキのない、均一の発光特性を有する有機ＥＬ素子
を提供することである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明では、図１に示す如く、陽極６としてＡｌ等
の金属を使用する。この場合、Ａｌ等の金属は透光性が
ないので、発光層３から発光された光は横方向に出力さ
れる。それ故、反射体８を設けて光を取出す。また他の
側壁部分には遮光膜７を設けて側壁部分から発光した光
が外部に漏れないようにする。
め、本発明では、図１に示す如く、陽極６としてＡｌ等
の金属を使用する。この場合、Ａｌ等の金属は透光性が
ないので、発光層３から発光された光は横方向に出力さ
れる。それ故、反射体８を設けて光を取出す。また他の
側壁部分には遮光膜７を設けて側壁部分から発光した光
が外部に漏れないようにする。
【００１１】
【作用】陽極としてＩＴＯを使用することがないので、
均一な特性の有機ＥＬ素子を得ることができる。また発
光層３が、非透過性の陰極５と陽極６に挟まれているの
で、発光層３から発光した光は横方向に出力する。
均一な特性の有機ＥＬ素子を得ることができる。また発
光層３が、非透過性の陰極５と陽極６に挟まれているの
で、発光層３から発光した光は横方向に出力する。
【００１２】
【実施例】本発明の一実施例を図１にもとづき説明す
る。図１において、２は正孔注入輸送層、３は発光層、
４は電子注入輸送層、５は陰極、６は陽極、７は遮光
膜、８は反射体、２０は基板である。
る。図１において、２は正孔注入輸送層、３は発光層、
４は電子注入輸送層、５は陰極、６は陽極、７は遮光
膜、８は反射体、２０は基板である。
【００１３】正孔注入輸送層２は、前記化１で表される
テトラアリールジアミン誘導体や、下記化２で表される
Ｎ、Ｎ′−ジ（３−メチルフェニル）−Ｎ、Ｎ′−ジフ
ェニル−４、４′−ジアミノ−１、１′ビフェニルを蒸
着することにより形成される。
テトラアリールジアミン誘導体や、下記化２で表される
Ｎ、Ｎ′−ジ（３−メチルフェニル）−Ｎ、Ｎ′−ジフ
ェニル−４、４′−ジアミノ−１、１′ビフェニルを蒸
着することにより形成される。
【００１４】
【化２】
【００１５】発光層３は、前記正孔注入輸送層２を構成
する例えば化１で表されるテトラアリールジアミン誘導
体と、後述する電子注入輸送層４を構成する例えばトリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウムとの混合体が使用
される。この場合、異なる蒸着源より蒸発させる共蒸着
により発光層３を形成することが好ましいが、これに限
定されるものではない。勿論他の蛍光性物質を含ませる
こともできる。
する例えば化１で表されるテトラアリールジアミン誘導
体と、後述する電子注入輸送層４を構成する例えばトリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウムとの混合体が使用
される。この場合、異なる蒸着源より蒸発させる共蒸着
により発光層３を形成することが好ましいが、これに限
定されるものではない。勿論他の蛍光性物質を含ませる
こともできる。
【００１６】電子注入輸送層４は、例えばトリス（８−
キノリノラト）アルミニウムを蒸着することにより形成
される。陰極５は、前記の如き仕事関数の小さい材料で
構成され、例えばＭｇＡｇで構成される。
キノリノラト）アルミニウムを蒸着することにより形成
される。陰極５は、前記の如き仕事関数の小さい材料で
構成され、例えばＭｇＡｇで構成される。
【００１７】陽極６は、例えばＡｌが使用され、Ａｌを
蒸着又はスパッタリングすることにより形成される。し
かしＡｌに限定されるものではなく、これ以外にＭｏ、
Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ等を陽極として使用するこ
とができる。
蒸着又はスパッタリングすることにより形成される。し
かしＡｌに限定されるものではなく、これ以外にＭｏ、
Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ等を陽極として使用するこ
とができる。
【００１８】遮光膜７は、発光層３において発光した光
が反射体８の存在しない側壁部分に漏れないようにす
る。遮光膜７として反射性を有するものを使用すれば、
反射体８に入る光を強くすることができる。遮光膜７と
しては、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ等を
スパッタリングあるいは蒸着により形成する。膜厚は数
μｍ〜数１００μｍ形成する。
が反射体８の存在しない側壁部分に漏れないようにす
る。遮光膜７として反射性を有するものを使用すれば、
反射体８に入る光を強くすることができる。遮光膜７と
しては、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ等を
スパッタリングあるいは蒸着により形成する。膜厚は数
μｍ〜数１００μｍ形成する。
【００１９】反射体８は、発光層３で発光された光を反
射して適宜の角度に反射するものであり、図１の例で
は、基板２０に対して垂直方向に反射するものであり、
反射率の高いメタルで構成される。反射体８は、遮光膜
７と同様にＡｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ等
を使用する。角度は例えばウェットエッチング法により
形成する。
射して適宜の角度に反射するものであり、図１の例で
は、基板２０に対して垂直方向に反射するものであり、
反射率の高いメタルで構成される。反射体８は、遮光膜
７と同様にＡｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ等
を使用する。角度は例えばウェットエッチング法により
形成する。
【００２０】基板２０は、前記陰極５、電子注入輸送層
４、発光層３、正孔注入輸送層２、陽極６、遮光膜７が
形成されたり、反射体８が設けられるものであり、例え
ば石英やガラスにより構成される。
４、発光層３、正孔注入輸送層２、陽極６、遮光膜７が
形成されたり、反射体８が設けられるものであり、例え
ば石英やガラスにより構成される。
【００２１】このように構成することにより、陽極６と
してＩＴＯを使用することなしに発光層３からの発光を
取出すことができる。発光した光は、陽極６が例えばＡ
ｌ、陰極５が例えばＭｇＡｇのため、上下から非透光体
で挟まれるので、横方向に出力することになる。従って
この光は反射体８により反射され、上の方に送出され
る。この反射体８の反射面の角度を変えることにより、
これに応じた適当な方向に光を送出することができる。
さらに反射体８の位置していない側壁部分に、反射性を
有する遮光膜を設ければ反射体８に入射する光を強くす
ることができる。
してＩＴＯを使用することなしに発光層３からの発光を
取出すことができる。発光した光は、陽極６が例えばＡ
ｌ、陰極５が例えばＭｇＡｇのため、上下から非透光体
で挟まれるので、横方向に出力することになる。従って
この光は反射体８により反射され、上の方に送出され
る。この反射体８の反射面の角度を変えることにより、
これに応じた適当な方向に光を送出することができる。
さらに反射体８の位置していない側壁部分に、反射性を
有する遮光膜を設ければ反射体８に入射する光を強くす
ることができる。
【００２２】本発明の第２実施例を図２及び図３により
説明する。図２は本発明の第２実施例構成図、図３はそ
の製造工程の概略説明図である。図２に示す第２実施例
では、絶縁層９を設けたことで図１に示すものと相違す
る。この絶縁層９の位置により発光部位を任意に定める
ことができる。
説明する。図２は本発明の第２実施例構成図、図３はそ
の製造工程の概略説明図である。図２に示す第２実施例
では、絶縁層９を設けたことで図１に示すものと相違す
る。この絶縁層９の位置により発光部位を任意に定める
ことができる。
【００２３】次に図２に示す第２実施例の製造工程につ
いて、図３により簡単に説明する。真空槽を１×１０-4
Ｐａ以下まで減圧した後、石英基板の如き基板２０の表
面に、陰極５として、例えばＭｇＡｇ（重量比１０：
１）を蒸着する（図３（Ａ）参照）。
いて、図３により簡単に説明する。真空槽を１×１０-4
Ｐａ以下まで減圧した後、石英基板の如き基板２０の表
面に、陰極５として、例えばＭｇＡｇ（重量比１０：
１）を蒸着する（図３（Ａ）参照）。
【００２４】次にプラズマＣＶＤ法により、ＳｉＮ4 又
はＳｉＯ2 からなる絶縁層９を成膜する（図３（Ｂ）参
照）。ＳｉＮ4 の成膜条件は以下の通りである。
はＳｉＯ2 からなる絶縁層９を成膜する（図３（Ｂ）参
照）。ＳｉＮ4 の成膜条件は以下の通りである。
【００２５】パワー ５０Ｗ ＳｉＨ4 ５０ＳＣＣＭ ＮＨ3 ７０ＳＣＣＭ 圧力 １０〜１００Ｐａ 温度 ３５０℃ またＳｉＯ2 の成膜条件は以下の通りである。
【００２６】パワー ５０Ｗ ＴＥＯＳガス ５０ＳＣＣＭ Ｏ2 ５００ＳＣＣＭ 圧力 １０〜７０Ｐａ 温度 ３５０℃ ここでＴＥＯＳはテトラエトキシシランである。
【００２７】そしてこの絶縁層９を発光部分に相当する
箇所のみを窓開けする（図３（Ｃ）参照）。次に再び真
空槽を１×１０-4Ｐａ以下まで減圧した後、例えばまず
トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着し、電
子注入輸送層４を形成する。
箇所のみを窓開けする（図３（Ｃ）参照）。次に再び真
空槽を１×１０-4Ｐａ以下まで減圧した後、例えばまず
トリス（８−キノリノラト）アルミニウムを蒸着し、電
子注入輸送層４を形成する。
【００２８】この減圧状態を保ったまま例えば前記トリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウムと、前記化１で表
されるテトラアリールジアミン誘導体とを異なる蒸着源
より蒸着させる共蒸着により発光層３を形成する。
ス（８−キノリノラト）アルミニウムと、前記化１で表
されるテトラアリールジアミン誘導体とを異なる蒸着源
より蒸着させる共蒸着により発光層３を形成する。
【００２９】更に減圧状態を保ったまま例えば前記テト
ラアリールジアミン誘導体を蒸着し正孔注入輸送層２を
形成する。そしてこの上に陽極６となる、例えばＡｌを
蒸着又はスパッタリングにより成膜する（図３（Ｄ）参
照）。
ラアリールジアミン誘導体を蒸着し正孔注入輸送層２を
形成する。そしてこの上に陽極６となる、例えばＡｌを
蒸着又はスパッタリングにより成膜する（図３（Ｄ）参
照）。
【００３０】この後、遮光膜７を形成し、反射体８を設
けて第２実施例の有機ＥＬ素子を完成する（図３（Ｅ）
参照）。このようにして、絶縁層９の場所により発光部
分を任意に定めることができる、ＩＴＯを使用しない有
機ＥＬ素子を構成することができる。
けて第２実施例の有機ＥＬ素子を完成する（図３（Ｅ）
参照）。このようにして、絶縁層９の場所により発光部
分を任意に定めることができる、ＩＴＯを使用しない有
機ＥＬ素子を構成することができる。
【００３１】本発明の第３実施例を図４にもとづき説明
する。第３実施例では、図４（Ａ）に示す如く、基板２
０に、例えばＭｇＡｇよりなる陰極５、絶縁層９、例え
ばトリス（８−キノリノラト）アルミニウムよりなる電
子注入輸送・発光層４′、例えばテトラアリールジアミ
ン誘導体よりなる正孔注入輸送層２、例えばＡｌよりな
る陽極６、遮光膜７等で構成された有機ＥＬ素子部分
を、別の基板２１（図４（Ｂ）参照）に取付け、これに
更に反射体８を取付ける（図４（Ｃ）参照）。
する。第３実施例では、図４（Ａ）に示す如く、基板２
０に、例えばＭｇＡｇよりなる陰極５、絶縁層９、例え
ばトリス（８−キノリノラト）アルミニウムよりなる電
子注入輸送・発光層４′、例えばテトラアリールジアミ
ン誘導体よりなる正孔注入輸送層２、例えばＡｌよりな
る陽極６、遮光膜７等で構成された有機ＥＬ素子部分
を、別の基板２１（図４（Ｂ）参照）に取付け、これに
更に反射体８を取付ける（図４（Ｃ）参照）。
【００３２】本発明の第４実施例を図５により説明す
る。第４実施例では陽極６を形成している例えばＡｌ層
を厚くすることにより、反射体８から送出された光をこ
の陽極６でもう一度反射するように構成した。これによ
り光の方向をさらに適宜の方向に選択することができ
る。
る。第４実施例では陽極６を形成している例えばＡｌ層
を厚くすることにより、反射体８から送出された光をこ
の陽極６でもう一度反射するように構成した。これによ
り光の方向をさらに適宜の方向に選択することができ
る。
【００３３】なお図５において、２は正孔注入輸送層、
３は発光層、４は電子注入輸送層、５は陰極、７は遮光
膜、２０は基板である。また第２実施例〜第４実施例に
おいても、陽極及び遮光膜として、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎ
ｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ等を使用することができる。
３は発光層、４は電子注入輸送層、５は陰極、７は遮光
膜、２０は基板である。また第２実施例〜第４実施例に
おいても、陽極及び遮光膜として、Ａｌ、Ｍｏ、Ｗ、Ｎ
ｉ、Ｔａ、Ｔｉ、Ｚｒ等を使用することができる。
【００３４】しかしいずれの実施例においてもＡｌは応
力が小さくて、膜がはがれにくいというすぐれた特性を
持つ。なお前記実施例では、有機ＥＬ素子として、正孔
注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の３層構成の場合
及び、正孔注入輸送層、電子注入輸送・発光層の２層構
成の場合について説明したが、本発明は勿論これに限定
されるものではなく、例えば正孔注入輸送・発光層、電
子注入輸送層の２層構成の如ものに対しても適用できる
ものである。また１つの電子注入層が発光層及び正孔注
入層を兼ねる場合にも適用できるものである。
力が小さくて、膜がはがれにくいというすぐれた特性を
持つ。なお前記実施例では、有機ＥＬ素子として、正孔
注入輸送層、発光層、電子注入輸送層の３層構成の場合
及び、正孔注入輸送層、電子注入輸送・発光層の２層構
成の場合について説明したが、本発明は勿論これに限定
されるものではなく、例えば正孔注入輸送・発光層、電
子注入輸送層の２層構成の如ものに対しても適用できる
ものである。また１つの電子注入層が発光層及び正孔注
入層を兼ねる場合にも適用できるものである。
【００３５】
【発明の効果】請求項１に記載された本発明によれば、
有機ＥＬ素子において陽極にＩＴＯを使用することがな
いので、均一な発光特性の有機ＥＬ素子を提供すること
ができる。
有機ＥＬ素子において陽極にＩＴＯを使用することがな
いので、均一な発光特性の有機ＥＬ素子を提供すること
ができる。
【００３６】請求項２に記載された本発明によれば、遮
光膜により反射された光が反射体に入射されるので、反
射体に入力される光が強くなり、その結果外部に送出さ
れる発光を強くすることができる。
光膜により反射された光が反射体に入射されるので、反
射体に入力される光が強くなり、その結果外部に送出さ
れる発光を強くすることができる。
【００３７】請求項３に記載された本発明によれば、陽
極を反射体としても使用できるため、光を反射体→陽極
と２回にわけて反射することができるので、光の出力方
向を多様化することができる。
極を反射体としても使用できるため、光を反射体→陽極
と２回にわけて反射することができるので、光の出力方
向を多様化することができる。
【図１】本発明の一実施例構成図である。
【図２】本発明の第２実施例構成図である。
【図３】本発明の第２実施例の製造工程概略説明図であ
る。
る。
【図４】本発明の第３実施例説明図である。
【図５】本発明の第４実施例構成図である。
【図６】従来例である。
１ 透明電極（ＩＴＯ） ２ 正孔注入輸送層 ３ 発光層 ４ 電子注入輸送層 ５ 陰極 ６ 陽極 ７ 遮光膜 ８ 反射体 ９ 絶縁層 ２０ 基板
Claims (3)
- 【請求項１】 陽極と陰極と正孔注入手段と、電子注入
手段を具備する有機エレクトロルミネセンス素子におい
て、 陽極を金属で構成し、発光層の側部に反射体を設けたこ
とを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項２】 前記発光層の側部であって前記反射体の
設けられた反対側に反射性を持つ遮光膜を形成したこと
を特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセン
ス素子。 - 【請求項３】 前記陽極を反射体として形成したことを
特徴とする請求項１記載の有機エレクトロルミネセンス
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6270981A JPH08167477A (ja) | 1994-10-13 | 1994-11-04 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6-247421 | 1994-10-13 | ||
| JP24742194 | 1994-10-13 | ||
| JP6270981A JPH08167477A (ja) | 1994-10-13 | 1994-11-04 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08167477A true JPH08167477A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=26538259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6270981A Pending JPH08167477A (ja) | 1994-10-13 | 1994-11-04 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08167477A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10172766A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-26 | Hitachi Ltd | 有機発光素子及びその作成方法 |
| WO1999012398A1 (en) * | 1997-09-01 | 1999-03-11 | Cambridge Display Technology Ltd. | Display devices |
| US6787991B2 (en) | 1996-12-04 | 2004-09-07 | Hitachi, Ltd. | Organic light emitting element and method of producing the same |
| JP2006503443A (ja) * | 2002-12-11 | 2006-01-26 | エルジー・ケム・リミテッド | 低い仕事関数の陽極を有する電界発光素子 |
| US20080117362A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Organic Light Emitting Diode Devices With Optical Microstructures |
| US7538341B2 (en) | 1999-12-31 | 2009-05-26 | Lg Chem, Ltd. | Electronic device comprising organic compound having p-type semiconducting characteristics |
| US7763882B2 (en) | 1999-12-31 | 2010-07-27 | Lg Chem, Ltd. | Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same |
| JP2010192906A (ja) * | 2010-03-03 | 2010-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びｃｐｕ |
-
1994
- 1994-11-04 JP JP6270981A patent/JPH08167477A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7084566B2 (en) | 1996-12-04 | 2006-08-01 | Hitachi, Ltd. | Organic light emitting element with insulation film and metal reflection film |
| US6787991B2 (en) | 1996-12-04 | 2004-09-07 | Hitachi, Ltd. | Organic light emitting element and method of producing the same |
| US6909232B2 (en) | 1996-12-04 | 2005-06-21 | Hitachi, Ltd. | Organic light emitting element and method of producing the same |
| JPH10172766A (ja) * | 1996-12-04 | 1998-06-26 | Hitachi Ltd | 有機発光素子及びその作成方法 |
| WO1999012398A1 (en) * | 1997-09-01 | 1999-03-11 | Cambridge Display Technology Ltd. | Display devices |
| US6580212B2 (en) | 1997-09-01 | 2003-06-17 | Cambridge Display Technology Ltd. | Display device with improved contrast |
| US7538341B2 (en) | 1999-12-31 | 2009-05-26 | Lg Chem, Ltd. | Electronic device comprising organic compound having p-type semiconducting characteristics |
| US7560175B2 (en) | 1999-12-31 | 2009-07-14 | Lg Chem, Ltd. | Electroluminescent devices with low work function anode |
| US7648780B2 (en) | 1999-12-31 | 2010-01-19 | Lg Chem, Ltd. | Electroluminescent devices with low work function anode |
| US7648779B2 (en) | 1999-12-31 | 2010-01-19 | Lg Chem, Ltd. | Electroluminescent devices with low work function anode |
| US7763882B2 (en) | 1999-12-31 | 2010-07-27 | Lg Chem, Ltd. | Organic light-emitting device comprising buffer layer and method for fabricating the same |
| JP2006503443A (ja) * | 2002-12-11 | 2006-01-26 | エルジー・ケム・リミテッド | 低い仕事関数の陽極を有する電界発光素子 |
| US20080117362A1 (en) * | 2006-11-21 | 2008-05-22 | 3M Innovative Properties Company | Organic Light Emitting Diode Devices With Optical Microstructures |
| JP2010510628A (ja) * | 2006-11-21 | 2010-04-02 | スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー | 光学ミクロ構造体を有する有機発光ダイオードデバイス |
| JP2010192906A (ja) * | 2010-03-03 | 2010-09-02 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置及びｃｐｕ |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040409 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
|
| A02 | Decision of refusal |
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