JPH08164118A - Ｍｒｉ装置のマグネットアセンブリ - Google Patents
Ｍｒｉ装置のマグネットアセンブリInfo
- Publication number
- JPH08164118A JPH08164118A JP6227543A JP22754394A JPH08164118A JP H08164118 A JPH08164118 A JP H08164118A JP 6227543 A JP6227543 A JP 6227543A JP 22754394 A JP22754394 A JP 22754394A JP H08164118 A JPH08164118 A JP H08164118A
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- Japan
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- coil
- bobbin
- magnet
- magnetic field
- shim
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【目的】 シールド型勾配コイルの効率を向上する。
【構成】 主磁場を発生するマグネット１の内部には、
シールド型勾配磁場コイル２が収容される。このシール
ド型勾配磁場コイル２は、インナーコイル用ボビン２１
と，それに実装されるインナーコイル２２と，アウター
コイル用ボビン２３と，それに実装されるアウターコイ
ル２４とから成る。アウターコイル用ボビン２３の内側
には、主磁場の均一度を高めるパッシブシム３が設置さ
れている。このパッシブシム３は、必要に応じて異なる
厚さの強磁性体板３１を取り付けた複数の保持板３０を
レール３３によりアウターコイル用ボビン２３の内側に
円筒状に配設したものである。
シールド型勾配磁場コイル２が収容される。このシール
ド型勾配磁場コイル２は、インナーコイル用ボビン２１
と，それに実装されるインナーコイル２２と，アウター
コイル用ボビン２３と，それに実装されるアウターコイ
ル２４とから成る。アウターコイル用ボビン２３の内側
には、主磁場の均一度を高めるパッシブシム３が設置さ
れている。このパッシブシム３は、必要に応じて異なる
厚さの強磁性体板３１を取り付けた複数の保持板３０を
レール３３によりアウターコイル用ボビン２３の内側に
円筒状に配設したものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、ＭＲＩ（Ｍagnetic
Ｒesonance Imaging）装置のマグネットアセンブリに関
し、さらに詳しくは、シールド型勾配コイルの効率を向
上することが出来るＭＲＩ装置のマグネットアセンブリ
に関する。
Ｒesonance Imaging）装置のマグネットアセンブリに関
し、さらに詳しくは、シールド型勾配コイルの効率を向
上することが出来るＭＲＩ装置のマグネットアセンブリ
に関する。
【０００２】
【従来の技術】図７は、従来のＭＲＩ装置のマグネット
アセンブリの一例を示す断面図である。このＭＲＩ装置
のマグネットアセンブリ７００は、被検体Ｈが入る円筒
状の空間に主磁場を発生するマグネット１と，前記主磁
場の均一度を高めるパッシブシム７０３と，勾配磁場を
発生するシールド型勾配コイル２とを具備している。
アセンブリの一例を示す断面図である。このＭＲＩ装置
のマグネットアセンブリ７００は、被検体Ｈが入る円筒
状の空間に主磁場を発生するマグネット１と，前記主磁
場の均一度を高めるパッシブシム７０３と，勾配磁場を
発生するシールド型勾配コイル２とを具備している。
【０００３】前記パッシブシム７０３は、スタッド（図
示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定され
たシム用ボビン７１３の内側面に複数のＦＲＰ製の保持
板３０を円筒状に配設している。この保持板３０には、
主磁場を微調整するために、必要に応じて異なる厚さの
強磁性体板３１をボルト３２を用いて取り付けている。
示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定され
たシム用ボビン７１３の内側面に複数のＦＲＰ製の保持
板３０を円筒状に配設している。この保持板３０には、
主磁場を微調整するために、必要に応じて異なる厚さの
強磁性体板３１をボルト３２を用いて取り付けている。
【０００４】前記シールド型勾配コイル２は、スタッド
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。こ
れは、勾配磁場がマグネット１に漏洩すると、勾配磁場
の急峻な時間変化によりマグネット１に渦電流が誘起さ
れ、その渦電流がイメージ上のアーチファクトの原因と
なるからである。
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。こ
れは、勾配磁場がマグネット１に漏洩すると、勾配磁場
の急峻な時間変化によりマグネット１に渦電流が誘起さ
れ、その渦電流がイメージ上のアーチファクトの原因と
なるからである。
【０００５】上記ＭＲＩ装置のマグネットアセンブリ７
００は、シム用ボビン７１３とアウターコイル用ボビン
２３とインナーコイル用ボビン２１とをそれぞれ別個に
製作し、マグネット１に挿入している。この挿入のた
め、マグネット１とシム用ボビン７１３の間および各ボ
ビン７１３，２３，２１の間に、空隙（クリアランス）
を設けている。従って、マグネット１とシム用ボビン７
１３の間の空隙およびシム用ボビン７１３とアウターコ
イル用ボビン２３の間の空隙によって、アウターコイル
用ボビン２３の直径が制限されている。
００は、シム用ボビン７１３とアウターコイル用ボビン
２３とインナーコイル用ボビン２１とをそれぞれ別個に
製作し、マグネット１に挿入している。この挿入のた
め、マグネット１とシム用ボビン７１３の間および各ボ
ビン７１３，２３，２１の間に、空隙（クリアランス）
を設けている。従って、マグネット１とシム用ボビン７
１３の間の空隙およびシム用ボビン７１３とアウターコ
イル用ボビン２３の間の空隙によって、アウターコイル
用ボビン２３の直径が制限されている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】シールド型勾配コイル
では、インナーコイルの直径ｒｉに対するアウターコイ
ルの直径ｒｏの比ｒｏ／ｒｉが大きいほど効率がよい。
しかし、上記従来のＭＲＩ装置のマグネットアセンブリ
７００では、アウターコイル用ボビン２３の直径ｒｏが
制限されているため、効率を十分に高くできない問題点
がある。そこで、この発明の目的は、シールド型勾配コ
イルの効率を十分に高くすることが出来るＭＲＩ装置の
マグネットアセンブリを提供することにある。
では、インナーコイルの直径ｒｉに対するアウターコイ
ルの直径ｒｏの比ｒｏ／ｒｉが大きいほど効率がよい。
しかし、上記従来のＭＲＩ装置のマグネットアセンブリ
７００では、アウターコイル用ボビン２３の直径ｒｏが
制限されているため、効率を十分に高くできない問題点
がある。そこで、この発明の目的は、シールド型勾配コ
イルの効率を十分に高くすることが出来るＭＲＩ装置の
マグネットアセンブリを提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】第１の観点では、この発
明は、主磁場を発生するマグネットと、前記主磁場の均
一度を高めるシムと、勾配磁場を発生するインナーコイ
ルと、前記勾配磁場が前記マグネットに漏洩するのを抑
制するアウターコイルとを具備するＭＲＩ装置のマグネ
ットアセンブリにおいて、前記シムを、前記マグネット
の内側面または前記アウターコイルの外側面に配設した
ことを特徴とするＭＲＩ装置のマグネットアセンブリを
提供する。
明は、主磁場を発生するマグネットと、前記主磁場の均
一度を高めるシムと、勾配磁場を発生するインナーコイ
ルと、前記勾配磁場が前記マグネットに漏洩するのを抑
制するアウターコイルとを具備するＭＲＩ装置のマグネ
ットアセンブリにおいて、前記シムを、前記マグネット
の内側面または前記アウターコイルの外側面に配設した
ことを特徴とするＭＲＩ装置のマグネットアセンブリを
提供する。
【０００８】第２の観点では、この発明は、主磁場を発
生するマグネットと、前記主磁場の均一度を高めるシム
と、勾配磁場を発生するインナーコイルと、前記勾配磁
場が前記マグネットに漏洩するのを抑制するアウターコ
イルとを具備するＭＲＩ装置のマグネットアセンブリに
おいて、前記シムを、前記インナーコイルとアウターコ
イルの間に配設したことを特徴とするＭＲＩ装置のマグ
ネットアセンブリを提供する。
生するマグネットと、前記主磁場の均一度を高めるシム
と、勾配磁場を発生するインナーコイルと、前記勾配磁
場が前記マグネットに漏洩するのを抑制するアウターコ
イルとを具備するＭＲＩ装置のマグネットアセンブリに
おいて、前記シムを、前記インナーコイルとアウターコ
イルの間に配設したことを特徴とするＭＲＩ装置のマグ
ネットアセンブリを提供する。
【０００９】第３の観点では、この発明は、上記構成の
ＭＲＩ装置のマグネットアセンブリにおいて、前記シム
を、前記アウターコイルの内側面または前記インナーコ
イルの外側面に配設したことを特徴とするＭＲＩ装置の
マグネットアセンブリを提供する。
ＭＲＩ装置のマグネットアセンブリにおいて、前記シム
を、前記アウターコイルの内側面または前記インナーコ
イルの外側面に配設したことを特徴とするＭＲＩ装置の
マグネットアセンブリを提供する。
【００１０】
【作用】上記第１の観点によるＭＲＩ装置のマグネット
アセンブリでは、マグネットの内側面またはアウターコ
イルの外側面にシムを配設し、シム用ボビンを省略し
た。このため、シム用ボビンを挿入するための空隙およ
びシム用ボビンが占める空間を節約できるから、それだ
けアウターコイルの直径ｒｏを大きく出来るようにな
る。従って、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾
配コイルの効率を向上することが出来る。
アセンブリでは、マグネットの内側面またはアウターコ
イルの外側面にシムを配設し、シム用ボビンを省略し
た。このため、シム用ボビンを挿入するための空隙およ
びシム用ボビンが占める空間を節約できるから、それだ
けアウターコイルの直径ｒｏを大きく出来るようにな
る。従って、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾
配コイルの効率を向上することが出来る。
【００１１】上記第２の観点によるＭＲＩ装置のマグネ
ットアセンブリでは、アウターコイルとインナーコイル
の間にシムを配置した。このため、アウターコイル用ボ
ビンを挿入するための空隙をマグネットの内径から引い
たサイズまでアウターコイルの直径ｒｏを大きく出来る
ようになる。従って、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シー
ルド型勾配コイルの効率を向上することが出来る。
ットアセンブリでは、アウターコイルとインナーコイル
の間にシムを配置した。このため、アウターコイル用ボ
ビンを挿入するための空隙をマグネットの内径から引い
たサイズまでアウターコイルの直径ｒｏを大きく出来る
ようになる。従って、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シー
ルド型勾配コイルの効率を向上することが出来る。
【００１２】上記第３の観点によるＭＲＩ装置のマグネ
ットアセンブリでは、アウターコイルの内側面またはイ
ンナーコイルの外側面にシムを配設し、シム用ボビンを
省略した。このため、アウターコイル用ボビンを挿入す
るための空隙をマグネットの内径から引いたサイズまで
アウターコイルの直径ｒｏを大きく出来るようになる。
従って、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾配コ
イルの効率を向上することが出来る。また、シム用ボビ
ンが要らないため、製造工数を低減することが出来る。
ットアセンブリでは、アウターコイルの内側面またはイ
ンナーコイルの外側面にシムを配設し、シム用ボビンを
省略した。このため、アウターコイル用ボビンを挿入す
るための空隙をマグネットの内径から引いたサイズまで
アウターコイルの直径ｒｏを大きく出来るようになる。
従って、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾配コ
イルの効率を向上することが出来る。また、シム用ボビ
ンが要らないため、製造工数を低減することが出来る。
【００１３】
【実施例】以下、図に示す実施例によりこの発明をさら
に詳しく説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。 −第１実施例− 図１は、この発明の第１実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。このＭＲＩ装置のマ
グネットアセンブリ１００は、被検体Ｈが入る円筒状の
空間に主磁場を発生するマグネット１と，前記主磁場の
均一度を高めるパッシブシム３と，勾配磁場を発生する
シールド型勾配コイル２とを具備している。
に詳しく説明する。なお、これによりこの発明が限定さ
れるものではない。 −第１実施例− 図１は、この発明の第１実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。このＭＲＩ装置のマ
グネットアセンブリ１００は、被検体Ｈが入る円筒状の
空間に主磁場を発生するマグネット１と，前記主磁場の
均一度を高めるパッシブシム３と，勾配磁場を発生する
シールド型勾配コイル２とを具備している。
【００１４】前記パッシブシム３は、マグネット１の内
側面にレール３３により複数のＦＲＰ製の保持板３０を
円筒状に配設している。図２に示すように、この保持板
３０には、主磁場を微調整するために、必要に応じて異
なる厚さの強磁性体板３１をボルト３２を用いて取り付
けている。
側面にレール３３により複数のＦＲＰ製の保持板３０を
円筒状に配設している。図２に示すように、この保持板
３０には、主磁場を微調整するために、必要に応じて異
なる厚さの強磁性体板３１をボルト３２を用いて取り付
けている。
【００１５】前記シールド型勾配コイル２は、スタッド
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。
【００１６】上記ＭＲＩ装置のマグネットアセンブリ１
００では、パッシブシム３をマグネット１の内側面に配
設する構造とし、シム用ボビンを省略したので、シム用
ボビンを挿入するための空隙およびシム用ボビンが占め
る空間を節約できるから、それだけアウターコイル用ボ
ビン２３を大きく出来るようになる。従って、アウター
コイル２４の直径ｒｏを大きくして、比ｒｏ／ｒｉを大
きくでき、シールド型勾配コイル２の効率を向上するこ
とが出来る。また、シム用ボビンを省略したので、製造
工数を低減することが出来る。
００では、パッシブシム３をマグネット１の内側面に配
設する構造とし、シム用ボビンを省略したので、シム用
ボビンを挿入するための空隙およびシム用ボビンが占め
る空間を節約できるから、それだけアウターコイル用ボ
ビン２３を大きく出来るようになる。従って、アウター
コイル２４の直径ｒｏを大きくして、比ｒｏ／ｒｉを大
きくでき、シールド型勾配コイル２の効率を向上するこ
とが出来る。また、シム用ボビンを省略したので、製造
工数を低減することが出来る。
【００１７】−第２実施例− 図３は、この発明の第２実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。このＭＲＩ装置のマ
グネットアセンブリ２００は、被検体Ｈが入る円筒状の
空間に主磁場を発生するマグネット１と，勾配磁場を発
生するシールド型勾配コイル２と，前記主磁場の均一度
を高めるパッシブシム２０３とを具備している。
トアセンブリを示す断面図である。このＭＲＩ装置のマ
グネットアセンブリ２００は、被検体Ｈが入る円筒状の
空間に主磁場を発生するマグネット１と，勾配磁場を発
生するシールド型勾配コイル２と，前記主磁場の均一度
を高めるパッシブシム２０３とを具備している。
【００１８】前記シールド型勾配コイル２は、スタッド
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。前
記パッシブシム２０３は、前記アウターコイル用ボビン
２３の外側面にレール２３３により複数のＦＲＰ製の保
持板２３０を円筒状に配設している。この保持板２３０
には、主磁場を微調整するために、必要に応じて異なる
厚さの強磁性体板２３１をボルト２３２を用いて取り付
けている。
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。前
記パッシブシム２０３は、前記アウターコイル用ボビン
２３の外側面にレール２３３により複数のＦＲＰ製の保
持板２３０を円筒状に配設している。この保持板２３０
には、主磁場を微調整するために、必要に応じて異なる
厚さの強磁性体板２３１をボルト２３２を用いて取り付
けている。
【００１９】上記ＭＲＩ装置のマグネットアセンブリ２
００では、パッシブシム２０３をアウターコイル用ボビ
ン２３の外側面に配設する構造とし、シム用ボビンを省
略したので、シム用ボビンを挿入するための空隙および
シム用ボビンが占める空間を節約できるから、それだけ
アウターコイル用ボビン２３を大きく出来るようにな
る。従って、アウターコイル２４の直径ｒｏを大きくし
て、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾配コイル
２の効率を向上することが出来る。また、シム用ボビン
を省略したので、製造工数を低減することが出来る。
００では、パッシブシム２０３をアウターコイル用ボビ
ン２３の外側面に配設する構造とし、シム用ボビンを省
略したので、シム用ボビンを挿入するための空隙および
シム用ボビンが占める空間を節約できるから、それだけ
アウターコイル用ボビン２３を大きく出来るようにな
る。従って、アウターコイル２４の直径ｒｏを大きくし
て、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾配コイル
２の効率を向上することが出来る。また、シム用ボビン
を省略したので、製造工数を低減することが出来る。
【００２０】−第３実施例− 図４は、この発明の第４実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。このＭＲＩ装置のマ
グネットアセンブリ３００は、被検体Ｈが入る円筒状の
空間に主磁場を発生するマグネット１と，勾配磁場を発
生するシールド型勾配コイル２と，前記主磁場の均一度
を高めるパッシブシム３とを具備している。
トアセンブリを示す断面図である。このＭＲＩ装置のマ
グネットアセンブリ３００は、被検体Ｈが入る円筒状の
空間に主磁場を発生するマグネット１と，勾配磁場を発
生するシールド型勾配コイル２と，前記主磁場の均一度
を高めるパッシブシム３とを具備している。
【００２１】前記シールド型勾配コイル２は、スタッド
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。前
記パッシブシム３は、前記アウターコイル用ボビン２３
の内側面にレール３３により複数のＦＲＰ製の保持板３
０を円筒状に配設している。この保持板３０には、主磁
場を微調整するために、必要に応じて異なる厚さの強磁
性体板３１をボルト３２を用いて取り付けている。
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。前
記パッシブシム３は、前記アウターコイル用ボビン２３
の内側面にレール３３により複数のＦＲＰ製の保持板３
０を円筒状に配設している。この保持板３０には、主磁
場を微調整するために、必要に応じて異なる厚さの強磁
性体板３１をボルト３２を用いて取り付けている。
【００２２】上記ＭＲＩ装置のマグネットアセンブリ３
００では、パッシブシム３をアウターコイル用ボビン２
３の内側面に配設する構造とし、シム用ボビンを省略し
たので、シム用ボビンを挿入するための空隙およびシム
用ボビンが占める空間を節約できるから、それだけアウ
ターコイル用ボビン２３を大きく出来るようになる。従
って、アウターコイル２４の直径ｒｏを大きくして、比
ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾配コイル２の効
率を向上することが出来る。また、シム用ボビンを省略
したので、製造工数を低減することが出来る。
００では、パッシブシム３をアウターコイル用ボビン２
３の内側面に配設する構造とし、シム用ボビンを省略し
たので、シム用ボビンを挿入するための空隙およびシム
用ボビンが占める空間を節約できるから、それだけアウ
ターコイル用ボビン２３を大きく出来るようになる。従
って、アウターコイル２４の直径ｒｏを大きくして、比
ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾配コイル２の効
率を向上することが出来る。また、シム用ボビンを省略
したので、製造工数を低減することが出来る。
【００２３】−第４実施例− 図５は、この発明の第４実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。このＭＲＩ装置のマ
グネットアセンブリ４００は、被検体Ｈが入る円筒状の
空間に主磁場を発生するマグネット１と，勾配磁場を発
生するシールド型勾配コイル２と，前記主磁場の均一度
を高めるパッシブシム４０３とを具備している。
トアセンブリを示す断面図である。このＭＲＩ装置のマ
グネットアセンブリ４００は、被検体Ｈが入る円筒状の
空間に主磁場を発生するマグネット１と，勾配磁場を発
生するシールド型勾配コイル２と，前記主磁場の均一度
を高めるパッシブシム４０３とを具備している。
【００２４】前記シールド型勾配コイル２は、スタッド
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。
【００２５】前記パッシブシム４０３は、スタッド（図
示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定され
たシム用ボビン４１３の内側面に複数のＦＲＰ製の保持
板３０をレール３３により円筒状に配設している。この
保持板３０には、主磁場を微調整するために、必要に応
じて異なる厚さの強磁性体板３１をボルト３２を用いて
取り付けている。
示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定され
たシム用ボビン４１３の内側面に複数のＦＲＰ製の保持
板３０をレール３３により円筒状に配設している。この
保持板３０には、主磁場を微調整するために、必要に応
じて異なる厚さの強磁性体板３１をボルト３２を用いて
取り付けている。
【００２６】上記ＭＲＩ装置のマグネットアセンブリ４
００では、パッシブシム４０３をアウターコイル用ボビ
ン２３とインナーコイル用ボビン２１の間に配設する構
造としたので、アウターコイル用ボビン２３を挿入する
ための空隙をマグネット１の内径から引いたサイズまで
アウターコイル用ボビン２３を大きく出来るようにな
る。従って、アウターコイル２４の直径ｒｏを大きくし
て、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾配コイル
２の効率を向上することが出来る。
００では、パッシブシム４０３をアウターコイル用ボビ
ン２３とインナーコイル用ボビン２１の間に配設する構
造としたので、アウターコイル用ボビン２３を挿入する
ための空隙をマグネット１の内径から引いたサイズまで
アウターコイル用ボビン２３を大きく出来るようにな
る。従って、アウターコイル２４の直径ｒｏを大きくし
て、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾配コイル
２の効率を向上することが出来る。
【００２７】なお、シム用ボビン４１３の外側面に複数
の強磁性体板をレールにより円筒状に配設した構造とし
てもよい。
の強磁性体板をレールにより円筒状に配設した構造とし
てもよい。
【００２８】−第５実施例− 図６は、この発明の第５実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。このＭＲＩ装置のマ
グネットアセンブリ５００は、被検体Ｈが入る円筒状の
空間に主磁場を発生するマグネット１と，勾配磁場を発
生するシールド型勾配コイル２と，前記主磁場の均一度
を高めるパッシブシム２０３とを具備している。
トアセンブリを示す断面図である。このＭＲＩ装置のマ
グネットアセンブリ５００は、被検体Ｈが入る円筒状の
空間に主磁場を発生するマグネット１と，勾配磁場を発
生するシールド型勾配コイル２と，前記主磁場の均一度
を高めるパッシブシム２０３とを具備している。
【００２９】前記シールド型勾配コイル２は、スタッド
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。前
記パッシブシム２０３は、前記インナーコイル用ボビン
２１の外側面にレール２３３により複数のＦＲＰ製の保
持板２３０を円筒状に配設している。この保持板３０に
は、主磁場を微調整するために、必要に応じて異なる厚
さの強磁性体板３１をボルト３２を用いて取り付けてい
る。
（図示省略）によりアウターコイル用ボビン２３に固定
されたインナーコイル用ボビン２１と、そのインナーコ
イル用ボビン２１に実装されたインナーコイル２２と、
スタッド（図示省略）によりマグネット１に固定された
アウターコイル用ボビン２３と、そのアウターコイル用
ボビン２３に実装されたアウターコイル２４とから成っ
ている。前記インナーコイル２２は、被検体Ｈが入る円
筒状の空間に勾配磁場を発生する。前記アウターコイル
２４は、前記勾配磁場を打ち消す磁界を発生し、前記勾
配磁場が前記マグネット１に漏洩するのを抑制する。前
記パッシブシム２０３は、前記インナーコイル用ボビン
２１の外側面にレール２３３により複数のＦＲＰ製の保
持板２３０を円筒状に配設している。この保持板３０に
は、主磁場を微調整するために、必要に応じて異なる厚
さの強磁性体板３１をボルト３２を用いて取り付けてい
る。
【００３０】上記ＭＲＩ装置のマグネットアセンブリ５
００では、パッシブシム２０３をアウターコイル用ボビ
ン２３とインナーコイル用ボビン２１の間に配設する構
造としたので、アウターコイル用ボビン２３を挿入する
ための空隙をマグネット１の内径から引いたサイズまで
アウターコイル用ボビン２３を大きく出来るようにな
る。従って、アウターコイル２４の直径ｒｏを大きくし
て、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾配コイル
２の効率を向上することが出来る。また、パッシブシム
２０３をインナーコイル用ボビン２１の外側面に配設す
る構造とし、シム用ボビンを省略したので、製造工数を
低減することが出来る。
００では、パッシブシム２０３をアウターコイル用ボビ
ン２３とインナーコイル用ボビン２１の間に配設する構
造としたので、アウターコイル用ボビン２３を挿入する
ための空隙をマグネット１の内径から引いたサイズまで
アウターコイル用ボビン２３を大きく出来るようにな
る。従って、アウターコイル２４の直径ｒｏを大きくし
て、比ｒｏ／ｒｉを大きくでき、シールド型勾配コイル
２の効率を向上することが出来る。また、パッシブシム
２０３をインナーコイル用ボビン２１の外側面に配設す
る構造とし、シム用ボビンを省略したので、製造工数を
低減することが出来る。
【００３１】
【発明の効果】この発明のＭＲＩ装置のマグネットアセ
ンブリによれば、アウターコイルの直径ｒｏを大きく出
来るようになる。従って、インナーコイルの直径ｒｉと
の直径比ｒｏ／ｒｉを大きく出来るため、シールド型勾
配コイルの効率を向上することが出来る。
ンブリによれば、アウターコイルの直径ｒｏを大きく出
来るようになる。従って、インナーコイルの直径ｒｉと
の直径比ｒｏ／ｒｉを大きく出来るため、シールド型勾
配コイルの効率を向上することが出来る。
【図１】この発明の第１実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。
トアセンブリを示す断面図である。
【図２】パッシブシムを構成する強磁性体板の斜視図で
ある。
ある。
【図３】この発明の第２実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。
トアセンブリを示す断面図である。
【図４】この発明の第３実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。
トアセンブリを示す断面図である。
【図５】この発明の第４実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。
トアセンブリを示す断面図である。
【図６】この発明の第５実施例のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリを示す断面図である。
トアセンブリを示す断面図である。
【図７】従来のＭＲＩ装置のマグネットアセンブリの一
例を示す断面図である。
例を示す断面図である。
１００，２００，…，５００，７００ ＭＲＩ装置の
マグネットアセンブリ １ マグネット ２ シールド型勾配コイル ２１ インナーコイル用ボビン ２２ インナーコイル ２３ アウターコイル用ボビン ２４ アウターコイル ３，２０３ パッシブシム ３０，２３０ 保持板 ３１，２３１ 強磁性体板 ３２，２３２ ボルト ３３，２３３ レール Ｈ 被検体
マグネットアセンブリ １ マグネット ２ シールド型勾配コイル ２１ インナーコイル用ボビン ２２ インナーコイル ２３ アウターコイル用ボビン ２４ アウターコイル ３，２０３ パッシブシム ３０，２３０ 保持板 ３１，２３１ 強磁性体板 ３２，２３２ ボルト ３３，２３３ レール Ｈ 被検体
Claims (3)
- 【請求項１】 主磁場を発生するマグネットと、前記主
磁場の均一度を高めるシムと、勾配磁場を発生するイン
ナーコイルと、前記勾配磁場が前記マグネットに漏洩す
るのを抑制するアウターコイルとを具備するＭＲＩ装置
のマグネットアセンブリにおいて、 前記シムを、前記マグネットの内側面または前記アウタ
ーコイルの外側面に配設したことを特徴とするＭＲＩ装
置のマグネットアセンブリ。 - 【請求項２】 主磁場を発生するマグネットと、前記主
磁場の均一度を高めるシムと、勾配磁場を発生するイン
ナーコイルと、前記勾配磁場が前記マグネットに漏洩す
るのを抑制するアウターコイルとを具備するＭＲＩ装置
のマグネットアセンブリにおいて、 前記シムを、前記インナーコイルとアウターコイルの間
に配設したことを特徴とするＭＲＩ装置のマグネットア
センブリ。 - 【請求項３】 請求項２に記載のＭＲＩ装置のマグネッ
トアセンブリにおいて、前記シムを、前記アウターコイ
ルの内側面または前記インナーコイルの外側面に配設し
たことを特徴とするＭＲＩ装置のマグネットアセンブ
リ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227543A JPH08164118A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | Ｍｒｉ装置のマグネットアセンブリ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6227543A JPH08164118A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | Ｍｒｉ装置のマグネットアセンブリ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08164118A true JPH08164118A (ja) | 1996-06-25 |
Family
ID=16862551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6227543A Pending JPH08164118A (ja) | 1994-09-22 | 1994-09-22 | Ｍｒｉ装置のマグネットアセンブリ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08164118A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9753107B2 (en) | 2012-09-05 | 2017-09-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic resonance imaging (MRI) apparatus and manufacturing method thereof |
-
1994
- 1994-09-22 JP JP6227543A patent/JPH08164118A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US9753107B2 (en) | 2012-09-05 | 2017-09-05 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic resonance imaging (MRI) apparatus and manufacturing method thereof |
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