JPH08162390A - Light exposure device - Google Patents
Light exposure deviceInfo
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- JPH08162390A JPH08162390A JP30210894A JP30210894A JPH08162390A JP H08162390 A JPH08162390 A JP H08162390A JP 30210894 A JP30210894 A JP 30210894A JP 30210894 A JP30210894 A JP 30210894A JP H08162390 A JPH08162390 A JP H08162390A
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- Japan
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- wafer
- pins
- pin
- flatness
- exposure apparatus
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- Pending
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【産業上の利用分野】本発明は露光装置、たとえば縮小
投影露光装置に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus, for example, a reduction projection exposure apparatus.
【0002】[0002]
【従来の技術】IC,LSI等半導体装置の製造におけ
る露光工程では、露光装置が使用されている。露光装置
には、密着露光型,縮小投影露光型,プロキシミティ露
光型等があるが、いずれも主面にホトレジスト膜を形成
した半導体基板(ウエハ)をステージ上に載置した状態
で上方から所望パターンに光を当てて前記ホトレジスト
膜を感光させる点で一致している。露光装置について
は、たとえば、工業調査会発行「電子材料」1988年3月
号、同年3月1日発行、P30〜P36に記載されている。
この文献には、i 線縮小投影露光装置について記載され
ている。また、この文献には、X−Y移動台,Z移動
台,サーボ機構,縮小レンズ等によるエアマイクロ方式
自動焦点機構の動作原理について図解されている。2. Description of the Related Art An exposure apparatus is used in an exposure process in the manufacture of semiconductor devices such as IC and LSI. There are contact exposure type, reduction projection exposure type, proximity exposure type and the like in the exposure apparatus, and all of them are desired from above with a semiconductor substrate (wafer) having a photoresist film formed on its main surface placed on a stage. They are the same in that light is applied to the pattern to expose the photoresist film. The exposure apparatus is described, for example, in "Electronic Materials", March 1988 issue, published by the Industrial Research Society, March 30, 1988, P30 to P36.
This document describes an i-line reduction projection exposure apparatus. Further, this document illustrates the operation principle of an air micro type automatic focusing mechanism including an XY moving table, a Z moving table, a servo mechanism, a reduction lens and the like.
【0003】一方、ウエハを平坦なステージ上に載置す
る構造では、ステージ上に異物が付着すると異物に対応
するウエハ部分が盛り上がり、鮮明な露光ができ難くな
る。そこで、複数の細いピンを林立させてピンでウエハ
を支持するステージが使用されている。複数の細いピン
を林立させた構造のステージを有する露光装置について
は、たとえば、日立東京エレクトロニクス社製「ナノフ
ラット」、カタログ(No.9302M1 )等がある。On the other hand, in a structure in which a wafer is placed on a flat stage, when foreign matter adheres to the stage, the wafer portion corresponding to the foreign matter rises, making it difficult to perform clear exposure. Therefore, a stage is used in which a plurality of thin pins are set up and the wafer is supported by the pins. As an exposure apparatus having a stage having a structure in which a plurality of thin pins are set up, there is, for example, "Nanoflat" manufactured by Hitachi Tokyo Electronics Co., Ltd., Catalog (No. 9302M1) and the like.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】本出願人において使用
する露光装置の一つとして、前記のように複数の細いピ
ンを林立させたステージでウエハを支持するものがあ
る。この構造は、ピンの上に異物が付着した場合、前記
異物に対応するウエハ部分が盛り上がり、露光パターン
が部分的に不鮮明となることが判明した。As one of the exposure apparatuses used by the present applicant, there is one that supports a wafer on a stage in which a plurality of thin pins are set up as described above. In this structure, it was found that when foreign matter adheres to the pins, the wafer portion corresponding to the foreign matter rises and the exposure pattern becomes partially unclear.
【0005】本発明の目的は、鮮明なパターンを露光で
きる露光装置を提供することにある。An object of the present invention is to provide an exposure apparatus capable of exposing a clear pattern.
【0006】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。The above and other objects and novel features of the present invention will be apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.
【0007】[0007]
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。すなわち、本発明の露光装置は、複
数のピンによって被露光物である半導体基板(ウエハ)
を支持するステージを有する露光装置であって、前記各
ピンを支持するとともにピンを上下動させるピン高さ調
整手段と、前記半導体基板の表面の平坦度を検出する平
坦度測定器と、前記各ピン高さ調整手段を制御するコン
トローラとからなり、かつ前記コントローラは前記平坦
度測定器による情報によって各ピンの高さを制御するよ
うに構成されている。前記ピンはステッピングモータの
回転軸に固定されたカムによって昇降制御される。本発
明の露光装置では、露光に先立ってウエハの平坦度の測
定を行った後、部分的に盛り上がったり、あるいは下が
った部分が検出されると、コントローラによって対応す
る部分のピンを下降させたり上昇させたりして補正を行
いウエハの平坦化を図る。The outline of the representative ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. That is, the exposure apparatus of the present invention is a semiconductor substrate (wafer) which is an object to be exposed by a plurality of pins
An exposure apparatus having a stage for supporting the pins, a pin height adjusting means for supporting the pins and moving the pins up and down, a flatness measuring device for detecting flatness of the surface of the semiconductor substrate, A controller for controlling the pin height adjusting means, and the controller is configured to control the height of each pin according to the information from the flatness measuring device. The pin is controlled up and down by a cam fixed to the rotation shaft of the stepping motor. In the exposure apparatus of the present invention, after the flatness of the wafer is measured before the exposure, when a partially raised or lowered portion is detected, the controller lowers or raises the pin of the corresponding portion. Then, correction is performed to flatten the wafer.
【0008】[0008]
【作用】上記した手段によれば、本発明の露光装置にお
いては、ウエハは多数の林立するピンによって支持され
ているとともに、露光に先立ってウエハの平坦度の測定
と補正がなされることから、鮮明なパターンの露光が達
成できる。したがって、ピンの上に異物が載ってウエハ
が部分的に盛り上がるようになっても、補正によってウ
エハの平坦化が可能となり、露光の歩留りが向上する。According to the above means, in the exposure apparatus of the present invention, the wafer is supported by a large number of standing pins, and the flatness of the wafer is measured and corrected prior to exposure, A sharp pattern of exposure can be achieved. Therefore, even if the foreign matter is placed on the pins and the wafer partially rises, the wafer can be flattened by the correction, and the exposure yield is improved.
【0009】[0009]
【実施例】以下図面を参照して本発明の一実施例につい
て説明する。図1は本発明の一実施例による露光装置の
要部を示す模式図、図2は同じくピン高さ調整手段を示
す模式的断面図である。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic view showing a main part of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic sectional view showing a pin height adjusting means.
【0010】本実施例の露光装置は、たとえば、縮小投
影露光装置であり、図1に示すように、XYテーブル1
上にステージ2が配設されている。前記ステージ2上に
は半導体基板(ウエハ)3が載置される。また、前記ス
テージ2の上方には縮小投影レンズを内蔵した鏡筒4が
位置している。また、前記鏡筒4の側方には平坦度測定
器5が配設されている。The exposure apparatus of this embodiment is, for example, a reduction projection exposure apparatus, and as shown in FIG.
The stage 2 is arranged on the top. A semiconductor substrate (wafer) 3 is placed on the stage 2. Further, a lens barrel 4 having a reduction projection lens built therein is located above the stage 2. Further, a flatness measuring device 5 is arranged on the side of the lens barrel 4.
【0011】前記ステージ2は、図2に示すように、上
部が開口した箱型円形のステージ本体8と、ステージ本
体8の上部に水平に設けられたガイド板9と、前記ガイ
ド板9に穿たれたガイド孔に摺動自在に挿入されたピン
10と、前記ピン10の下端を支持するカム(正面カ
ム)11と、ステッピングモータ12とによって形成さ
れている。前記ステッピングモータ12の回転軸13は
鉛直方向に延在するとともに、その上端に前記カム11
が固定されている。As shown in FIG. 2, the stage 2 has a box-shaped circular stage main body 8 having an open top, a guide plate 9 horizontally provided on the stage main body 8, and a perforated guide plate 9. It is formed by a pin 10 slidably inserted in a sloping guide hole, a cam (front cam) 11 that supports the lower end of the pin 10, and a stepping motor 12. The rotation shaft 13 of the stepping motor 12 extends in the vertical direction, and the cam 11 is provided on the upper end thereof.
Has been fixed.
【0012】前記カム11は正面カムとなっていること
から、前記ステッピングモータ12の正逆回転によって
前記ピン10は上下に移動する。本実施例では、前記ピ
ン10は自重によって下端をカム11のカム面に常時接
触させるようになっているが、バネによってピン10を
カム11に常時接触させる構造としてもよい。Since the cam 11 is a front cam, the pin 10 moves up and down when the stepping motor 12 rotates forward and backward. In the present embodiment, the lower end of the pin 10 is always brought into contact with the cam surface of the cam 11 by its own weight, but the pin 10 may be always brought into contact with the cam 11 by a spring.
【0013】ウエハ3はその周縁部分をステージ本体8
の支持部14によって支持されるが、周縁よりも内側の
部分は整列配置された複数のピン10によって支持され
るようになっている。また、設定の状態では、全てのピ
ン10の上端面は、ステージ本体8の支持部14の上面
と同一平面となるように設定されている。このように、
ウエハ3をピン10で支えるのは、異物の付着によるウ
エハ3の変形(平坦度)を損なわないようにするためで
ある。しかし、図2に示すように、ピン10の上端面に
異物15が付着した場合、ウエハ3が部分的に高くなっ
てしまう、そこで、このような場合、ウエハ3が高くな
った長さを前記平坦度測定器5で測定するとともに、高
くなった分だけ、異物15が載るピン10を下方に下げ
る。また、ウエハ3の一部が低い場合には、低い部分を
支持するピン10を低くなった長さだけ上昇させる。こ
れによって、ウエハ3の平坦度を良好とさせる。The peripheral portion of the wafer 3 is the stage body 8
Is supported by the support portion 14 of the above, but the portion inside the peripheral edge is supported by the plurality of pins 10 arranged in line. Further, in the set state, the upper end surfaces of all the pins 10 are set to be flush with the upper surface of the support portion 14 of the stage body 8. in this way,
The reason why the wafer 3 is supported by the pins 10 is to prevent the deformation (flatness) of the wafer 3 due to adhesion of foreign matter from being impaired. However, as shown in FIG. 2, when the foreign matter 15 adheres to the upper end surface of the pin 10, the wafer 3 becomes partially high. Therefore, in such a case, the increased length of the wafer 3 is While the flatness measuring device 5 measures, the pin 10 on which the foreign matter 15 is placed is lowered downward by the amount of the increase. When a part of the wafer 3 is low, the pins 10 supporting the low part are raised by the lowered length. This improves the flatness of the wafer 3.
【0014】異物15としては1μm直径程度の小さな
ものをも想定し、平坦度をサブミクロンオーダーで修正
しょうというものである。The foreign matter 15 is supposed to be as small as about 1 μm in diameter, and the flatness should be corrected on the order of submicrons.
【0015】縮小投影露光装置では、縮小投影レンズに
対してステージ2がステップして露光が行われる。この
ため、ウエハ3の表面の走査(スキャン)は可能であ
る。In the reduction projection exposure apparatus, the stage 2 steps the reduction projection lens to perform exposure. Therefore, the surface of the wafer 3 can be scanned.
【0016】本実施例の露光装置には、図1に示すよう
に、コントローラ20が設けられている。このコントロ
ーラ20は、前記XYテーブル1を移動制御するととも
に、前記ピン高さ調整手段、すなわち、各ステッピング
モータ12を回転量をも含めて制御するようになってい
る。また、前記平坦度測定器5によるスキャンによる平
坦度情報は前記コントローラ20に送り込まれる。な
お、前記XYテーブル1には鉛直方向(Z方向)の移動
も可能な構造であってもよい。The exposure apparatus of this embodiment is provided with a controller 20 as shown in FIG. The controller 20 controls the movement of the XY table 1 and also controls the pin height adjusting means, that is, each stepping motor 12 including the rotation amount. Further, flatness information obtained by scanning by the flatness measuring device 5 is sent to the controller 20. The XY table 1 may have a structure capable of moving in the vertical direction (Z direction).
【0017】本実施例の露光装置では、露光に先立って
ウエハ表面の平坦度測定が行われるとともに、平坦度測
定情報に基づいてウエハ3を支持するピン10の高さ調
整が行われ、その後露光が行われる。ウエハ3の表面の
平坦度は1μm以下のサブミクロンオーダの精度となる
ことから、鮮明な露光が可能となる。In the exposure apparatus of this embodiment, the flatness of the wafer surface is measured prior to the exposure, the height of the pin 10 for supporting the wafer 3 is adjusted based on the flatness measurement information, and then the exposure is performed. Is done. Since the flatness of the surface of the wafer 3 is accurate to the submicron order of 1 μm or less, clear exposure is possible.
【0018】以上本発明者によってなされた発明を実施
例に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施例に
限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で
種々変更可能であることはいうまでもない。Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments, the present invention is not limited to the above embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. Needless to say.
【0019】[0019]
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。本発明の露光装置においては、ウエ
ハは点在する複数のピンによって支持されるとともに、
ウエハの表面の平坦度は平坦度測定器によって検出され
かつ平坦度測定情報に基づいてウエハ各部を支持するピ
ンの高さが調整されることから、ウエハの露光側表面の
平坦度は高いものとなり、常に鮮明なパターンの露光が
可能となる。したがって、本発明の露光装置の使用によ
って露光の歩留りが向上する。The effects obtained by the typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described as follows. In the exposure apparatus of the present invention, the wafer is supported by a plurality of pins scattered and
The flatness of the surface of the wafer is detected by the flatness measuring instrument, and the height of the pins supporting each part of the wafer is adjusted based on the flatness measurement information. , It is possible to always expose a clear pattern. Therefore, the exposure yield is improved by using the exposure apparatus of the present invention.
【図1】本発明の一実施例による露光装置の要部を示す
模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a main part of an exposure apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】本実施例による露光装置におけるピン高さ調整
手段の一部を示す断面図である。FIG. 2 is a cross-sectional view showing a part of pin height adjusting means in the exposure apparatus according to the present embodiment.
1…XYテーブル、2…ステージ、3…ウエハ、4…鏡
筒、5…平坦度測定器、8…ステージ本体、9…ガイド
板、10…ピン、11…カム、12…ステッピングモー
タ、13…回転軸、14…支持部、15…異物、20…
コントローラ。1 ... XY table, 2 ... Stage, 3 ... Wafer, 4 ... Lens barrel, 5 ... Flatness measuring instrument, 8 ... Stage body, 9 ... Guide plate, 10 ... Pin, 11 ... Cam, 12 ... Stepping motor, 13 ... Rotating shaft, 14 ... Supporting part, 15 ... Foreign matter, 20 ...
controller.
Claims (3)
ステージを有する露光装置であって、前記各ピンを支持
するとともにピンを上下動させるピン高さ調整手段と、
前記半導体基板の表面の平坦度を検出する平坦度測定器
と、前記各ピン高さ調整手段を制御するコントローラと
からなり、かつ前記コントローラは前記平坦度測定器に
よる情報によって各ピンの高さを制御するように構成さ
れていることを特徴とする露光装置。1. An exposure apparatus having a stage for supporting an object to be exposed by a plurality of pins, comprising pin height adjusting means for supporting the pins and moving the pins up and down.
It comprises a flatness measuring device for detecting the flatness of the surface of the semiconductor substrate, and a controller for controlling each pin height adjusting means, and the controller determines the height of each pin according to information from the flatness measuring device. An exposure apparatus that is configured to control.
に固定されたカムによって昇降制御されることを特徴と
する請求項1記載の露光装置。2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the pin is controlled up and down by a cam fixed to a rotation shaft of a stepping motor.
特徴とする請求項1記載の露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the object to be exposed is a semiconductor substrate.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30210894A JPH08162390A (en) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | Light exposure device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP30210894A JPH08162390A (en) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | Light exposure device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH08162390A true JPH08162390A (en) | 1996-06-21 |
Family
ID=17905032
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP30210894A Pending JPH08162390A (en) | 1994-12-06 | 1994-12-06 | Light exposure device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH08162390A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100819556B1 (en) * | 2006-02-20 | 2008-04-07 | 삼성전자주식회사 | Waper stage and exposure equipment having the same and method for correcting wafer flatness using the same |
JP2010109369A (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Asml Netherlands Bv | Calibration method and lithographic apparatus for calibrating optimum take over height of substrate |
US10656536B2 (en) | 2014-05-06 | 2020-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support, method for loading a substrate on a substrate support location, lithographic apparatus and device manufacturing method |
-
1994
- 1994-12-06 JP JP30210894A patent/JPH08162390A/en active Pending
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100819556B1 (en) * | 2006-02-20 | 2008-04-07 | 삼성전자주식회사 | Waper stage and exposure equipment having the same and method for correcting wafer flatness using the same |
JP2010109369A (en) * | 2008-10-31 | 2010-05-13 | Asml Netherlands Bv | Calibration method and lithographic apparatus for calibrating optimum take over height of substrate |
US8384882B2 (en) | 2008-10-31 | 2013-02-26 | Asml Netherlands B.V. | Calibration method and lithographic apparatus for calibrating an optimum take over height of a substrate |
US10656536B2 (en) | 2014-05-06 | 2020-05-19 | Asml Netherlands B.V. | Substrate support, method for loading a substrate on a substrate support location, lithographic apparatus and device manufacturing method |
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