JPH09148225A - Wafer holder and apparatus for micromachining - Google Patents

Wafer holder and apparatus for micromachining

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JPH09148225A
JPH09148225A JP30704395A JP30704395A JPH09148225A JP H09148225 A JPH09148225 A JP H09148225A JP 30704395 A JP30704395 A JP 30704395A JP 30704395 A JP30704395 A JP 30704395A JP H09148225 A JPH09148225 A JP H09148225A
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JP
Japan
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substrate
wafer
holder
substrate holder
exposure apparatus
Prior art date
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Application number
JP30704395A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noboru Moriuchi
昇 森内
Haruo Amada
春男 天田
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Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Priority to JP30704395A priority Critical patent/JPH09148225A/en
Publication of JPH09148225A publication Critical patent/JPH09148225A/en
Pending legal-status Critical Current

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    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70691Handling of masks or workpieces
    • G03F7/707Chucks, e.g. chucking or un-chucking operations or structural details

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a wafer holder for facilitating micromachining and a micromachining system such as an exposure device. SOLUTION: A wafer holder 3A comprises a plurality of wafer carriages 12 in the same plane, a wafer support 12a protruding on the periphery of each wafer carriage, and a suction hole 12b in the center of the wafer support 12a to secure the wafer 2. The wafer carriage 12 is moved to the periphery by a drive 13 to subject the wafer to a treatment such as expansion.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、基板ホルダーおよ
びそれを用いた微細加工装置に関する。
TECHNICAL FIELD The present invention relates to a substrate holder and a fine processing apparatus using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体集積回路装置は、高集積化と微細
加工化が推進されており、それに伴い露光装置を使用し
た配線などの微細加工が要求されている。
2. Description of the Related Art In semiconductor integrated circuit devices, higher integration and fine processing have been promoted, and accordingly, fine processing of wiring and the like using an exposure apparatus is required.

【0003】ところで、本発明者は、微細加工が必要な
半導体集積回路装置の製造技術について検討した。以下
は、本発明者によって検討された技術であり、その概要
は次のとおりである。
By the way, the inventor of the present invention has examined a manufacturing technique of a semiconductor integrated circuit device which requires fine processing. The following is a technique studied by the present inventors, and the outline is as follows.

【0004】すなわち、半導体集積回路装置の製造工程
において、ウエハ状の半導体基板に複数の半導体素子を
製作する製造工程および半導体基板の上に配線層とスル
ーホールを有する層間絶縁膜などの絶縁膜を製作する製
造工程に露光装置を用いたフォトリソグラフィ技術が使
用されている。
That is, in a manufacturing process of a semiconductor integrated circuit device, a manufacturing process of manufacturing a plurality of semiconductor elements on a wafer-shaped semiconductor substrate and an insulating film such as an interlayer insulating film having a wiring layer and a through hole are formed on the semiconductor substrate. A photolithography technique using an exposure apparatus is used in the manufacturing process for manufacturing.

【0005】露光装置は、被露光基板であるウエハをウ
エハホルダーにセットし、フォトマスクのパターンをウ
エハの表面に設けられているフォトレジスト膜に転写し
ている。
The exposure apparatus sets a wafer, which is a substrate to be exposed, on a wafer holder and transfers the pattern of a photomask onto a photoresist film provided on the surface of the wafer.

【0006】前述した露光装置におけるウエハホルダー
において、被露光基板であるウエハとの接触部は平滑面
であり、その一部に真空装置と連結されている穴または
溝が設けられており、その穴または溝を介して真空吸着
によりその表面に載せられているウエハがウエハホルダ
ーに固定されている。
In the above-described wafer holder of the exposure apparatus, the contact portion with the wafer to be exposed is a smooth surface, and a hole or groove connected to the vacuum apparatus is provided in a part of the contact surface. Alternatively, the wafer placed on the surface of the wafer is fixed to the wafer holder by vacuum suction through the groove.

【0007】なお、露光装置について記載されている文
献としては、例えば、1987年11月20日、工業調
査会発行「電子材料」1987年11月号別冊、p78
〜p83に記載されているものがある。
As a document describing the exposure apparatus, for example, November 20, 1987, "Electronic Materials" published by the Industrial Research Society, November 1987, supplementary volume, p78.
~ P83.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した露
光装置におけるウエハホルダーによれば、被露光基板で
あるウエハの裏面にパーティクルが付着している場合、
ウエハの表面の概略的平坦度が乱れてしまうことによ
り、その部分において露光時の焦点深度が外れてしまう
ので、転写されたパターンの寸法不良または解像不良が
発生するという問題点がある。
However, according to the wafer holder in the above-mentioned exposure apparatus, when particles adhere to the back surface of the wafer which is the substrate to be exposed,
Since the rough flatness of the surface of the wafer is disturbed, the depth of focus at the time of exposure is deviated at that portion, which causes a problem that the transferred pattern has a dimensional defect or a poor resolution.

【0009】また、露光装置におけるウエハホルダーに
よれば、被露光基板であるウエハが凸状または凹状に反
っている場合、ウエハホルダーにウエハが吸着された状
態をその上部から観察すると、ウエハが縮んだ状態でウ
エハホルダーに固定されていることにより、フォトマス
クにおけるパターンをウエハの表面に形成されているフ
ォトレジスト膜に正確に転写することができ難いという
問題点が発生している。
Further, according to the wafer holder in the exposure apparatus, when the wafer, which is the substrate to be exposed, is warped in a convex shape or a concave shape, when the state where the wafer is attracted to the wafer holder is observed from above, the wafer shrinks. Since it is fixed to the wafer holder in this state, it is difficult to accurately transfer the pattern on the photomask to the photoresist film formed on the surface of the wafer.

【0010】したがって、前述した露光装置を使用した
フォトリソグラフィ技術により半導体集積回路装置など
の微細加工体を製作する場合において、微細加工が困難
となっている。
Therefore, it is difficult to perform fine processing when a fine processed body such as a semiconductor integrated circuit device is manufactured by the photolithography technique using the above-mentioned exposure apparatus.

【0011】本発明の目的は、微細加工が容易にできる
基板ホルダーを提供することにある。
An object of the present invention is to provide a substrate holder which can be easily microfabricated.

【0012】本発明の他の目的は、微細加工が容易にで
きる基板ホルダーを用いた露光装置などの微細加工装置
を提供することにある。
Another object of the present invention is to provide a microfabrication apparatus such as an exposure apparatus using a substrate holder which facilitates microfabrication.

【0013】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
The above and other objects and novel features of the present invention will become apparent from the description of the present specification and the accompanying drawings.

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
SUMMARY OF THE INVENTION Among the inventions disclosed in the present application, the outline of a representative one will be briefly described.
It is as follows.

【0015】すなわち、本発明の基板ホルダーは、同一
平面に配置されている複数の基板移動体と、その外周部
に突出した形状の基板載置部と、基板載置部の中央部に
基板を固定する基板固定機構とを備えており、基板の平
坦度を高めるなどの要求により、基板移動体はその外周
方向に移動して基板を伸張させるなどの処理を行うこと
ができるものである。
That is, the substrate holder of the present invention has a plurality of substrate moving bodies arranged on the same plane, a substrate mounting portion having a shape projecting from the outer periphery thereof, and a substrate at the central portion of the substrate mounting portion. A substrate fixing mechanism for fixing is provided, and the substrate moving body can perform processing such as moving the substrate moving body in the outer peripheral direction to extend the substrate in response to a request for increasing the flatness of the substrate.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. In all the drawings for describing the embodiments, components having the same function are denoted by the same reference numerals, and redundant description will be omitted.

【0017】(実施の形態1)図1は本発明の一実施の
形態である露光装置を示す概略側面図、図2は本発明の
一実施の形態であるウエハホルダーを示す概略平面図、
図3はこのウエハホルダーを示す概略拡大断面図であ
る。
(Embodiment 1) FIG. 1 is a schematic side view showing an exposure apparatus which is an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a schematic plan view showing a wafer holder which is an embodiment of the present invention.
FIG. 3 is a schematic enlarged sectional view showing this wafer holder.

【0018】図1に示すように、本実施の形態の露光装
置1は、例えば5分の1の縮小率を有する縮小投影露光
装置であり、被露光基板であるウエハ2をセットしてい
るウエハホルダー3がXYステージ4に組み込まれてい
る。
As shown in FIG. 1, the exposure apparatus 1 of the present embodiment is a reduction projection exposure apparatus having a reduction rate of, for example, 1/5, and a wafer 2 to be exposed is set on the wafer. The holder 3 is incorporated in the XY stage 4.

【0019】また、ウエハホルダー3と光源5とを結ぶ
光路上に、コンデンサレンズ6、フォトマスク7を位置
合わせしてセットしているマスク載置台となっているX
Yステージ8および結像光学系9が配置されている。コ
ンデンサレンズ6は、光源5から放射された光10を平
行光に変換してフォトマスク7に平行光の照射を行うも
のである。
Further, it is a mask mounting table on which the condenser lens 6 and the photomask 7 are aligned and set on the optical path connecting the wafer holder 3 and the light source 5.
A Y stage 8 and an imaging optical system 9 are arranged. The condenser lens 6 converts the light 10 emitted from the light source 5 into parallel light and irradiates the photomask 7 with the parallel light.

【0020】また、本実施の形態の露光装置1は、ウエ
ハホルダー3、XYステージ4およびフォトマスクがセ
ットされているXYステージ8などを制御する制御部1
1が備えられている。
The exposure apparatus 1 according to the present embodiment also controls the wafer holder 3, the XY stage 4, the XY stage 8 on which the photomask is set, and the like.
1 is provided.

【0021】図2および図3に示すように、本実施の形
態のウエハホルダー3は、ウエハ移動体12の周辺にウ
エハ載置部12aを備えており、ウエハ載置部12aの
中央部に穴12bが配置されている。
As shown in FIGS. 2 and 3, the wafer holder 3 of the present embodiment is provided with a wafer mounting portion 12a around the wafer moving body 12, and has a hole in the central portion of the wafer mounting portion 12a. 12b is arranged.

【0022】ウエハ移動体12は、その周辺に突出した
状態のウエハ載置部12aが配置されていることによ
り、ウエハ移動体12の内部は凹部12cを有する状態
となっている。
The wafer moving body 12 is provided with a recess 12c inside the wafer moving body 12 by arranging the wafer mounting portion 12a in a protruding state around the wafer moving body 12.

【0023】したがって、ウエハ移動体12の内部の凹
部12cにより、被露光基板であるウエハ2の裏面にパ
ーティクルが付着していてもウエハ2の表面の平坦度が
乱れることがない。その結果、ウエハ2の裏面に付着し
ているパーティクルに起因して露光時の焦点深度が外れ
てしまうことにより、転写されたパターンの寸法不良ま
たは解像不良が発生するという問題点を防止することが
できる。
Therefore, even if particles adhere to the back surface of the wafer 2 which is the substrate to be exposed, the flatness of the front surface of the wafer 2 is not disturbed by the recess 12c inside the wafer moving body 12. As a result, it is possible to prevent a problem that the transferred pattern has a dimensional defect or a poor resolution due to the deviation of the focal depth during exposure due to the particles attached to the back surface of the wafer 2. You can

【0024】穴12bは、被露光基板であるウエハ2を
真空吸着することができる穴であり、真空装置(図示を
省略)と連結されている。
The hole 12b is a hole through which the wafer 2, which is the substrate to be exposed, can be vacuum-sucked, and is connected to a vacuum device (not shown).

【0025】この場合、ウエハ2の真空吸着を行う態様
としているが、静電吸着などの種々のウエハ2を固定す
るウエハ固定機構の態様とすることができる。
In this case, the vacuum suction of the wafer 2 is performed, but a wafer fixing mechanism for fixing various wafers 2 such as electrostatic suction may be used.

【0026】ウエハ移動体12の中央部には、ウエハ移
動体12をその外周部の方向に広げたり狭めたりするこ
とができる駆動体13が設けられている。
At the center of the wafer moving body 12, there is provided a driving body 13 capable of widening or narrowing the wafer moving body 12 in the direction of the outer peripheral portion thereof.

【0027】駆動体13は、駆動体制御部14により、
上下方向に移動させることができるようになっている。
The drive unit 13 is controlled by the drive unit control unit 14.
It can be moved vertically.

【0028】駆動体制御部14の入力データにより、駆
動体13は上下方向に移動させることができることによ
り、駆動体13によりウエハ移動体12はその外周方向
に移動させることができるので、ウエハ移動体12の外
周に備えられているウエハ載置部12aの対抗している
領域の離間距離を調整できる。
The drive body 13 can be moved in the vertical direction by the input data of the drive body control unit 14, and the wafer mover 12 can be moved in the outer peripheral direction by the drive body 13. Therefore, the wafer mover is moved. It is possible to adjust the separation distance of the opposing regions of the wafer mounting portion 12 a provided on the outer periphery of 12.

【0029】駆動体13は、各ウエハ移動体12を均等
に移動させることができる。なお、各々のウエハ移動体
12にピエゾ素子などの駆動体を配置することにより、
それぞれのウエハ移動体12に連結されている駆動体を
使用してそれぞれの固定体12を独立的に移動させる態
様とすることができる。
The driving body 13 can move each wafer moving body 12 evenly. By arranging a driving body such as a piezo element on each wafer moving body 12,
It is possible to adopt a mode in which each fixed body 12 is independently moved by using a driving body connected to each wafer moving body 12.

【0030】また、ウエハ移動体12は、被露光基板で
あるウエハ2を4個のウエハ移動体12により固定して
いるが、ウエハ移動体の他の態様として、5個、8個ま
たは16個などの複数のウエハ移動体とすることができ
ると共にそれらの各ウエハ移動体を独立的に駆動させる
態様とすることができる。
Further, the wafer moving body 12 fixes the wafer 2 which is the substrate to be exposed by the four wafer moving bodies 12. However, as another mode of the wafer moving body, there are 5, 8, or 16 wafer moving bodies. And a plurality of wafer moving bodies can be independently driven.

【0031】図3に示すように、本実施の形態のウエハ
ホルダー3にセットされている被露光基板であるウエハ
2の全体的な形状は、凸状に反っているものである。
As shown in FIG. 3, the entire shape of the wafer 2 which is the substrate to be exposed set in the wafer holder 3 of this embodiment is convexly warped.

【0032】この状態のウエハ2にフォトマスクのパタ
ーンを転写すると、ウエハホルダー3にウエハ2が吸着
された状態をその上部から観察すると、ウエハ2が縮ん
だ状態でウエハホルダー3に固定されていることによ
り、フォトマスク7におけるパターンをウエハの表面に
形成されているフォトレジスト膜に正確に転写すること
ができない。
When the pattern of the photomask is transferred onto the wafer 2 in this state, the state where the wafer 2 is attracted to the wafer holder 3 is observed from above, and the wafer 2 is fixed to the wafer holder 3 in a contracted state. As a result, the pattern on the photomask 7 cannot be accurately transferred to the photoresist film formed on the surface of the wafer.

【0033】そこで、上記ウエハホルダー3を用いた露
光装置1において、図4に示すように、駆動体制御部1
4の入力データにより、駆動体13を上方向に移動させ
ることにより、駆動体13によりウエハ移動体12をそ
の外周方向に広げるように移動させることができるの
で、ウエハ2をウエハ移動体13の外周方向に引っ張る
ことができる。
Therefore, in the exposure apparatus 1 using the wafer holder 3, as shown in FIG.
By moving the driving body 13 in the upward direction according to the input data of 4, it is possible to move the wafer moving body 12 so that the wafer moving body 12 expands in the outer peripheral direction thereof. Can be pulled in any direction.

【0034】その結果、ウエハ2の全体形状を直線状に
できると共に平坦な表面を有するウエハ2の状態とする
ことができる。
As a result, the entire shape of the wafer 2 can be made linear and the wafer 2 having a flat surface can be obtained.

【0035】この場合、被露光基板であるウエハ2を伸
張させるためのデータは、ウエハ2の表面の概略的平坦
度の測定値またはウエハ2の表面に形成されているフォ
トレジスト膜に食刻されているパターンの測定値などの
組み合わせにより求めることができる。
In this case, the data for expanding the wafer 2 which is the substrate to be exposed is etched into the measured value of the rough flatness of the surface of the wafer 2 or the photoresist film formed on the surface of the wafer 2. It can be determined by a combination of measured values of the existing patterns.

【0036】したがって、そのデータを付加した入力デ
ータによりウエハ固定部12を制御することにより、ウ
エハ2を伸張させてウエハ2の概略的平坦度を所定の値
にすることができる。
Therefore, by controlling the wafer fixing portion 12 by the input data to which the data is added, the wafer 2 can be expanded and the rough flatness of the wafer 2 can be set to a predetermined value.

【0037】また、ウエハ2の概略的平坦度の測定は、
レーザー光を平面状に拡げた状態で参照面とウエハ2の
表面に照射して形成できるそれらの干渉縞を測定するこ
とにより行うことができる。
Further, the rough flatness of the wafer 2 is measured by
This can be carried out by irradiating the reference surface and the surface of the wafer 2 with the laser beam spread in a planar shape and measuring their interference fringes that can be formed.

【0038】また、ウエハ2の概略的平坦度の測定は、
レーザー光をシートビーム状にした状態でレーザー光ま
たはウエハ2をスキャンすることにより行うことができ
る。
Further, the rough flatness of the wafer 2 is measured by
This can be performed by scanning the laser light or the wafer 2 in a state where the laser light is in the form of a sheet beam.

【0039】また、ウエハ2の概略的平坦度の測定は、
1ないしは数本のレーザービームをウエハ2に対し斜方
向から照射し、この反射光の位置をもって行うことがで
きる。なお、この場合、レーザビームないしはウエハ2
をスキャンまたはステップさせる態様とすることができ
る。
Further, the rough flatness of the wafer 2 is measured by
It can be performed by irradiating the wafer 2 with one or several laser beams from an oblique direction and by observing the position of the reflected light. In this case, the laser beam or the wafer 2
Can be scanned or stepped.

【0040】伸張された被露光基板であるウエハ2の既
食刻パターンのパターン間距離の測定は、露光装置1の
位置測定装置を使用することにより、ウエハ2の上に配
置されている露光装置1の位置合わせマーク座標とウエ
ハ2とウエハホルダー3が組み込まれているXYステー
ジ4の座標系を測定することにより行うことができる。
この場合、XYステージ4には、レーザー干渉計が備え
られている。
The distance between the patterns of the etched patterns of the wafer 2 which is the stretched substrate to be exposed is measured by using the position measuring device of the exposure device 1 so that the exposure device arranged on the wafer 2 is exposed. This can be done by measuring the alignment mark coordinates of 1 and the coordinate system of the XY stage 4 in which the wafer 2 and the wafer holder 3 are incorporated.
In this case, the XY stage 4 is equipped with a laser interferometer.

【0041】また、伸張された被露光基板であるウエハ
2の既食刻パターンのパターン間距離の測定は、フォト
マスク7におけるマスクパターン間距離とウエハ2の表
面に転写されたパターン間距離との差を制御部11によ
り測定することにより行うことができる。
Further, the measurement of the inter-pattern distance of the etched pattern of the wafer 2 which is the stretched substrate to be exposed is performed by measuring the inter-pattern distance between the mask pattern in the photomask 7 and the inter-pattern distance transferred to the surface of the wafer 2. The difference can be measured by the control unit 11.

【0042】前述したウエハホルダー3を有する露光装
置1によれば、ウエハ2の伸縮状態またはウエハ2に転
写されているパターンとフォトマスク7のマスクパター
ンとの位置関係などの測定結果または測定を行いながら
ウエハホルダー3を制御することにより、ウエハ2を所
定の状態に調整することができる。
According to the exposure apparatus 1 having the wafer holder 3 described above, the measurement result or measurement of the expansion / contraction state of the wafer 2 or the positional relationship between the pattern transferred to the wafer 2 and the mask pattern of the photomask 7 is performed. While controlling the wafer holder 3, the wafer 2 can be adjusted to a predetermined state.

【0043】前述したウエハホルダー3を有する露光装
置1において、ウエハホルダー3は、駆動体制御部14
の入力データにより、駆動体13を上方向に移動させる
ことにより、駆動体13によりウエハ移動体12をその
外周方向に広げるように移動させることができるので、
ウエハ2をウエハ移動体13の外周方向に引っ張ること
ができる。
In the exposure apparatus 1 having the wafer holder 3 described above, the wafer holder 3 has the driving body control unit 14
By moving the driving body 13 in the upward direction according to the input data of, the wafer moving body 12 can be moved by the driving body 13 so as to expand in the outer peripheral direction thereof.
The wafer 2 can be pulled in the outer peripheral direction of the wafer moving body 13.

【0044】その結果、ウエハホルダー3にセットされ
ているウエハ2の全体的な形状が凸状に反っている場合
においても、ウエハ2の全体形状を直線状にできると共
に平坦な表面を有するウエハ2の状態とすることができ
る。
As a result, even if the overall shape of the wafer 2 set on the wafer holder 3 is convexly warped, the overall shape of the wafer 2 can be made linear and the wafer 2 having a flat surface. It can be in the state of.

【0045】したがって、ウエハ2が直線状でしかもそ
の表面が平坦化された状態において、フォトマスク7に
おけるパターンをウエハ2の表面に形成されているフォ
トレジスト膜に転写することができるので、微細パター
ンを高精度に転写することができる。
Therefore, since the pattern on the photomask 7 can be transferred to the photoresist film formed on the surface of the wafer 2 while the wafer 2 is linear and the surface of the wafer 2 is flattened, a fine pattern can be obtained. Can be transferred with high precision.

【0046】前述したウエハホルダー3を用いた露光装
置1において、ウエハホルダー3におけるウエハ移動体
12は、その周辺に突出した状態のウエハ載置部12a
が配置されていることにより、ウエハ移動体12の内部
は凹部12cを有する状態となっている。
In the exposure apparatus 1 using the wafer holder 3 described above, the wafer moving body 12 in the wafer holder 3 is in the state of projecting to the periphery thereof.
Are arranged, the inside of the wafer moving body 12 has a recess 12c.

【0047】したがって、ウエハ移動体12の内部の凹
部12cにより、被露光基板であるウエハ2の裏面にパ
ーティクルが付着していてもウエハ2の表面の平坦度が
乱れることを防止できる。
Therefore, the concave portion 12c inside the wafer moving body 12 can prevent the flatness of the front surface of the wafer 2 from being disturbed even if particles adhere to the back surface of the wafer 2 which is the substrate to be exposed.

【0048】その結果、ウエハ2の裏面に付着している
パーティクルに起因して従来のようにウエハホルダーの
構造により露光時の焦点深度が外れてしまうことによ
り、転写されたパターンの寸法不良または解像不良が発
生するという不具合を防止することができる。
As a result, due to the particles adhering to the back surface of the wafer 2, the depth of focus at the time of exposure is deviated due to the structure of the wafer holder as in the conventional case. It is possible to prevent a defect that an image defect occurs.

【0049】前述したウエハホルダー3を有する露光装
置1において、ウエハホルダー3はXYステージ4に組
み込まれている態様であるが、フォトマスク7を操作す
るXYステージ8にフォトマスクをセットできるウエハ
ホルダーとして使用する態様またはXYステージ4およ
びXYステージ8のどちらか一方あるいはそれらの両方
にウエハホルダーを組み込んだ態様とすることができ
る。
In the exposure apparatus 1 having the wafer holder 3 described above, the wafer holder 3 is built in the XY stage 4, but as a wafer holder that can set the photomask on the XY stage 8 for operating the photomask 7. It is possible to adopt a mode of use or a mode in which a wafer holder is incorporated in either or both of the XY stage 4 and the XY stage 8.

【0050】前述したウエハホルダー3を有する露光装
置1によれば、高精度でしかも微細加工ができる微細パ
ターンを形成するフォトリソグラフィ技術を達成できる
ことにより、微細加工体である半導体集積回路装置の種
々の品種および種々の製造工程または液晶素子などの表
示素子またはプリント基板などの微細加工体の製造技術
に適用して、微細加工を高精度にしかも容易に行うこと
ができる。
According to the exposure apparatus 1 having the wafer holder 3 described above, it is possible to achieve a photolithography technique for forming a fine pattern with high precision and capable of fine processing, so that various semiconductor integrated circuit devices which are fine processed bodies can be obtained. The present invention can be applied to various kinds and various manufacturing processes or a manufacturing technology of a microfabricated body such as a display element such as a liquid crystal element or a printed circuit board, and the microfabrication can be easily performed with high precision.

【0051】(実施の形態2)図5は、本発明の他の実
施の形態であるウエハホルダーの一部を示す概略拡大断
面図である。
(Second Embodiment) FIG. 5 is a schematic enlarged cross-sectional view showing a part of a wafer holder according to another embodiment of the present invention.

【0052】本実施の形態のウエハホルダー15は、前
述した実施の形態1のウエハホルダー3のウエハ載置部
12aの表面を異なる形状にしたものであり、それ以外
の領域は前述した実施の形態1のウエハホルダー3と同
様の態様を備えているものである。
In the wafer holder 15 of this embodiment, the surface of the wafer mounting portion 12a of the wafer holder 3 of the above-described first embodiment has a different shape, and the other regions are the same as those of the above-described embodiment. The wafer holder 3 has the same configuration as the wafer holder 3.

【0053】図5に示すように、本実施の形態のウエハ
ホルダー15におけるウエハ載置部12aは、ウエハ2
に設けられている穴2aおよび溝2bに介入することが
できる凸部12dが設けられている。
As shown in FIG. 5, the wafer mounting portion 12a of the wafer holder 15 of this embodiment is the wafer 2
The protrusion 12d is provided so that it can intervene in the hole 2a and the groove 2b provided in the.

【0054】本実施の形態のウエハホルダー15を用い
た露光装置において、駆動体制御部14の入力データに
より、駆動体13を上方向に移動させることにより、駆
動体13によりウエハ移動体12をその外周方向に広げ
るように移動させることができるので、ウエハ2をウエ
ハ移動体13の外周方向に引っ張ることができる。
In the exposure apparatus using the wafer holder 15 of the present embodiment, the drive body 13 is moved upward by the input data of the drive body control section 14, so that the wafer mover 12 is moved by the drive body 13. Since the wafer 2 can be moved so as to widen in the outer peripheral direction, the wafer 2 can be pulled in the outer peripheral direction of the wafer moving body 13.

【0055】その結果、ウエハ2の全体形状を直線状に
できると共に平坦な表面を有するウエハ2の状態とする
ことができる。
As a result, the entire shape of the wafer 2 can be made linear and the wafer 2 having a flat surface can be obtained.

【0056】この場合、ウエハホルダー15におけるウ
エハ載置部12aには、ウエハ2の穴2aおよび溝2b
に介入している凸部12dが設けられていることによ
り、ウエハ移動体12によりウエハ2を伸張する際に、
ウエハ移動体12の変化に対応したウエハ2の移動を確
実に行うことができる。
In this case, the wafer mounting portion 12a of the wafer holder 15 has a hole 2a and a groove 2b for the wafer 2.
Since the convex portion 12d intervening in the wafer is provided, when the wafer 2 is extended by the wafer moving body 12,
The movement of the wafer 2 corresponding to the change of the wafer moving body 12 can be reliably performed.

【0057】図5に示すウエハホルダー15におけるウ
エハ載置部12aは、凸部12dが設けられている態様
であるが、ピンなどを設けるなどの種々の態様とするこ
とができると共にウエハ2の穴12aおよび溝2bの形
状を変えたり凸部などをウエハ2に設けることにより、
それと対応した溝などの凹部をウエハ載置部12aに設
ける態様とすることができる。
The wafer mounting portion 12a of the wafer holder 15 shown in FIG. 5 is provided with the convex portion 12d, but it may be provided with various forms such as pins and the like and the hole of the wafer 2 may be provided. By changing the shapes of the grooves 12a and the grooves 2b and providing the wafer 2 with convex portions,
Corresponding concave portions such as grooves may be provided in the wafer mounting portion 12a.

【0058】また、ウエハホルダー15におけるウエハ
載置部12aは、その表面を粗面化処理などにより微細
な凹凸部を形成した態様とすることができる。
Further, the wafer mounting portion 12a of the wafer holder 15 may have a mode in which a fine concavo-convex portion is formed on the surface by roughening treatment or the like.

【0059】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
Although the invention made by the present inventor has been specifically described based on the embodiments of the present invention, the present invention is not limited to the above-mentioned embodiments, and various modifications can be made without departing from the scope of the invention. It goes without saying that it can be changed.

【0060】たとえば、本発明のウエハホルダーは、イ
オン注入装置、集束イオンビーム装置または電子ビーム
描画装置などの微細加工装置に組み込むことにより、微
細加工体を高精度に行うことができる。
For example, by incorporating the wafer holder of the present invention into a microfabrication device such as an ion implantation device, a focused ion beam device or an electron beam drawing device, a microfabricated body can be formed with high precision.

【0061】[0061]

【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
Advantageous effects obtained by typical ones of the inventions disclosed in the present application will be briefly described.
It is as follows.

【0062】(1).本発明の基板ホルダーを有する露
光装置において、基板ホルダーは、駆動体制御部の入力
データにより、駆動体を上方向に移動させることによ
り、駆動体により基板移動体をその外周方向に広げるよ
うに移動させることができるので、基板を基板移動体の
外周方向に引っ張ることができる。
(1). In the exposure apparatus having the substrate holder of the present invention, the substrate holder is moved by the driver in the upward direction according to the input data from the driver control unit so that the driver moves the substrate moving body in the outer peripheral direction. Therefore, the substrate can be pulled in the outer peripheral direction of the substrate moving body.

【0063】その結果、基板ホルダーにセットされてい
る基板の全体的な形状が凸状に反っている場合において
も、基板の全体形状を直線状にできると共に平坦な表面
を有する基板の状態とすることができる。
As a result, even when the overall shape of the substrate set in the substrate holder is convexly warped, the overall shape of the substrate can be made linear and the substrate has a flat surface. be able to.

【0064】したがって、基板が直線状でしかもその表
面が平坦化された状態において、フォトマスクにおける
パターンを基板の表面に形成されているフォトレジスト
膜に転写することができるので、微細パターンを高精度
に転写することができる。
Therefore, since the pattern on the photomask can be transferred to the photoresist film formed on the surface of the substrate while the substrate is linear and the surface is flattened, a fine pattern can be formed with high accuracy. Can be transferred to.

【0065】(2).本発明の基板ホルダーを用いた露
光装置において、基板ホルダーにおける基板移動体は、
その周辺に突出した状態の基板載置部が配置されている
ことにより、基板移動体の内部は凹部を有する状態とな
っている。
(2). In the exposure apparatus using the substrate holder of the present invention, the substrate moving body in the substrate holder is
By disposing the substrate mounting portion in a protruding state around the periphery thereof, the inside of the substrate moving body has a concave portion.

【0066】したがって、基板移動体の内部の凹部によ
り、被露光基板である基板の裏面にパーティクルが付着
していても基板の表面の平坦度が乱れることを防止でき
る。
Therefore, the concave portion inside the substrate moving body can prevent the flatness of the front surface of the substrate from being disturbed even if particles adhere to the rear surface of the substrate which is the substrate to be exposed.

【0067】その結果、基板の裏面に付着しているパー
ティクルに起因して従来のように基板ホルダーの構造に
より露光時の焦点深度が外れてしまうことにより、転写
されたパターンの寸法不良または解像不良が発生すると
いう不具合を防止することができる。
As a result, due to the particles adhering to the back surface of the substrate, the depth of focus at the time of exposure is deviated due to the structure of the substrate holder as in the conventional case, so that the transferred pattern has dimensional defects or resolution. It is possible to prevent a defect that a defect occurs.

【0068】(3).本発明の基板ホルダーを有する露
光装置によれば、基板の伸縮状態または基板に転写され
ているパターンとフォトマスクのマスクパターンとの位
置関係などの測定結果または測定を行いながら基板ホル
ダーを制御することにより、基板を所定の状態に調整す
ることができる。
(3). According to the exposure apparatus having the substrate holder of the present invention, it is possible to control the substrate holder while performing the measurement result or the measurement of the expansion / contraction state of the substrate or the positional relationship between the pattern transferred to the substrate and the mask pattern of the photomask. Thus, the substrate can be adjusted to a predetermined state.

【0069】(4).本発明の基板ホルダーを有する露
光装置によれば、高精度でしかも微細加工ができる微細
パターンを形成するフォトリソグラフィ技術を達成でき
ることにより、微細加工体である半導体集積回路装置の
種々の品種および種々の製造工程または液晶素子などの
表示素子またはプリント基板などの微細加工体の製造技
術に適用して、微細加工を高精度にしかも容易に行うこ
とができる。
(4). According to the exposure apparatus having the substrate holder of the present invention, since it is possible to achieve a photolithography technique for forming a fine pattern with high precision and capable of fine processing, various types and various types of semiconductor integrated circuit devices which are fine processed bodies can be obtained. By applying it to a manufacturing process or a manufacturing technology of a display element such as a liquid crystal element or a fine processed body such as a printed circuit board, the fine processing can be performed with high accuracy and easily.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施の形態である基板ホルダーを用
いた露光装置を示す概略側面図である。
FIG. 1 is a schematic side view showing an exposure apparatus using a substrate holder according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の一実施の形態である基板ホルダーを示
す概略平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view showing a substrate holder according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明の一実施の形態である基板ホルダーを示
す概略拡大断面図である。
FIG. 3 is a schematic enlarged sectional view showing a substrate holder according to an embodiment of the present invention.

【図4】本発明の一実施の形態である基板ホルダーを示
す概略拡大断面図である。
FIG. 4 is a schematic enlarged sectional view showing a substrate holder according to an embodiment of the present invention.

【図5】本発明の他の実施の形態である基板ホルダーの
一部を示す概略拡大断面図である。
FIG. 5 is a schematic enlarged cross-sectional view showing a part of a substrate holder according to another embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 露光装置 2 ウエハ 2a 穴 2b 溝 3 ウエハホルダー 4 XYステージ 5 光源 6 コンデンサレンズ 7 フォトマスク 8 XYステージ 9 結像光学系 10 光 11 制御部 12 ウエハ移動体 12a ウエハ載置部 12b 穴 12c 凹部 12d 凸部 13 駆動体 14 駆動体制御部 15 ウエハホルダー DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 exposure apparatus 2 wafer 2a hole 2b groove 3 wafer holder 4 XY stage 5 light source 6 condenser lens 7 photomask 8 XY stage 9 image forming optical system 10 light 11 control unit 12 wafer moving body 12a wafer mounting unit 12b hole 12c recess 12d Convex part 13 Driving body 14 Driving body control part 15 Wafer holder

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 同一平面に配置されている複数の基板移
動体と、前記基板移動体の外周部に突出した形状の基板
載置部と、前記基板載置部の中央部に基板を固定する基
板固定機構とを備えており、前記基板移動体はその外周
方向に移動できるようになっていることを特徴とする基
板ホルダー。
1. A plurality of substrate moving bodies arranged on the same plane, a substrate mounting portion having a shape protruding to an outer peripheral portion of the substrate moving body, and a substrate fixed to a central portion of the substrate mounting portion. A substrate holder, comprising: a substrate fixing mechanism, wherein the substrate moving body is configured to be movable in an outer peripheral direction thereof.
【請求項2】 請求項1記載の基板ホルダーにおいて、
前記複数の基板移動体の中央部に前記基板移動体をその
外周方向に移動するための駆動体を備えていることを特
徴とする基板ホルダー。
2. The substrate holder according to claim 1, wherein
A substrate holder comprising a driving body for moving the substrate moving body in an outer peripheral direction at a central portion of the plurality of substrate moving bodies.
【請求項3】 請求項1記載の基板ホルダーにおいて、
前記複数の基板移動体は、各々の前記基板移動体を独立
的にその外周方向に移動するための駆動体を備えている
ことを特徴とする基板ホルダー。
3. The substrate holder according to claim 1, wherein
The substrate holder, wherein each of the plurality of substrate moving bodies includes a driving body for independently moving each of the substrate moving bodies in an outer peripheral direction thereof.
【請求項4】 請求項1〜3のいずれか1項に記載の基
板ホルダーにおいて、前記基板固定機構は、前記基板載
置部の中央部に設けられている穴とその穴に連結してい
る真空装置とで前記基板を吸着することにより前記基板
を前記基板載置部に固定するものであることを特徴とす
る基板ホルダー。
4. The substrate holder according to claim 1, wherein the substrate fixing mechanism is connected to a hole provided in a central portion of the substrate mounting portion and the hole. A substrate holder, wherein the substrate is fixed to the substrate mounting portion by adsorbing the substrate with a vacuum device.
【請求項5】 請求項1〜4のいずれか1項に記載の基
板ホルダーにおいて、前記基板載置部の表面の一部に凸
部、凹部または凹凸部を備えていることを特徴とする基
板ホルダー。
5. The substrate holder according to claim 1, wherein a convex portion, a concave portion, or a concave-convex portion is provided on a part of a surface of the substrate mounting portion. holder.
【請求項6】 請求項1〜5のいずれか1項に記載の基
板ホルダーと、前記基板ホルダーにセットされている微
細加工体を加工する加工処理部とを有することを特徴と
する微細加工装置。
6. A microfabrication apparatus, comprising: the substrate holder according to claim 1; and a processing unit that processes a microfabricated body set on the substrate holder. .
【請求項7】 請求項6記載の微細加工装置において、
前記基板ホルダーを組み込んでいるXYステージと、フ
ォトマスクのマスク載置台となっているXYステージ
と、露光装置における結像光学系とを有することを特徴
とする微細加工装置。
7. The microfabrication device according to claim 6,
A microfabrication apparatus comprising: an XY stage incorporating the substrate holder, an XY stage serving as a mask mounting table for a photomask, and an imaging optical system in an exposure apparatus.
【請求項8】 請求項7記載の微細加工装置において、
前記基板ホルダーを2個備えており、第1の基板ホルダ
ーは前記露光装置における結像光学系の下部に配置され
ているXYステージに組み込まれており、第2の基板ホ
ルダーは前記露光装置における結像光学系の上部に配置
されているマスク載置台となっているXYステージに組
み込まれていることを特徴とする微細加工装置。
8. The microfabrication device according to claim 7,
Two substrate holders are provided, the first substrate holder is incorporated in an XY stage arranged below the imaging optical system in the exposure apparatus, and the second substrate holder is connected in the exposure apparatus. A microfabrication device, which is incorporated in an XY stage which is a mask mounting table disposed above an image optical system.
【請求項9】 請求項7記載の微細加工装置において、
前記露光装置における結像光学系の下部に配置されてい
るXYステージまたは前記露光装置における結像光学系
の上部に配置されているマスク載置台となっているXY
ステージのいずれかのXYステージに前記基板ホルダー
が組み込まれていることを特徴とする微細加工装置。
9. The microfabrication device according to claim 7,
An XY stage that is arranged below the imaging optical system in the exposure apparatus or an XY that is a mask mounting table arranged above the imaging optical system in the exposure apparatus.
A microfabrication apparatus, wherein the substrate holder is incorporated in any of the XY stages of the stages.
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