JPH08158097A - 分散メッキ皮膜 - Google Patents
分散メッキ皮膜Info
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- JPH08158097A JPH08158097A JP29422194A JP29422194A JPH08158097A JP H08158097 A JPH08158097 A JP H08158097A JP 29422194 A JP29422194 A JP 29422194A JP 29422194 A JP29422194 A JP 29422194A JP H08158097 A JPH08158097 A JP H08158097A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 皮膜硬度を適度に低下させ、相手部品の摩耗
及び摩滅を防止し、さらに広範囲にわたって硬度の調製
を行うことができるようにした分散メッキ皮膜を提供す
る。 【構成】 Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜中に
Ｎｉ粒子を共析させることとした。
及び摩滅を防止し、さらに広範囲にわたって硬度の調製
を行うことができるようにした分散メッキ皮膜を提供す
る。 【構成】 Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜中に
Ｎｉ粒子を共析させることとした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、分散メッキ皮膜に関す
る。
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、図５に示すようなＮｉメッキ
皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜が知られている。
皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このようなＮｉメッキ
皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜は、一般的に硬度が高く、
摺動時に相手部材を摩滅させてしまうおそれがあった。
また、この欠点を解消するために硬度を調製しようとし
ても、その調製範囲が限られており、要請に応えること
ができなかった。この事情は、硬度上昇のためにＳｉＣ
を共析させた場合（図６）でも同様であった。なお、図
５、６において各々５１、６１は母材、５２、６２はメ
ッキ皮膜であり、図６において６３はＳｉＣ粒子であ
る。
皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜は、一般的に硬度が高く、
摺動時に相手部材を摩滅させてしまうおそれがあった。
また、この欠点を解消するために硬度を調製しようとし
ても、その調製範囲が限られており、要請に応えること
ができなかった。この事情は、硬度上昇のためにＳｉＣ
を共析させた場合（図６）でも同様であった。なお、図
５、６において各々５１、６１は母材、５２、６２はメ
ッキ皮膜であり、図６において６３はＳｉＣ粒子であ
る。
【０００４】このため、摺動時に相手部材を摩滅させて
しまうおそれがないメッキ皮膜が望まれていた。したが
って、本発明の目的は、皮膜硬度を適度に低下させ、相
手部品の摩耗及び摩滅を防止し、さらに広範囲にわたっ
て硬度の調製を行うことができるようにした分散メッキ
皮膜を提供することにある。
しまうおそれがないメッキ皮膜が望まれていた。したが
って、本発明の目的は、皮膜硬度を適度に低下させ、相
手部品の摩耗及び摩滅を防止し、さらに広範囲にわたっ
て硬度の調製を行うことができるようにした分散メッキ
皮膜を提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、請求項１記載の発明は、分散メッキ皮膜であって、
Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜中にＮｉ粒子を
共析させてなることを特徴とする。請求項２記載の発明
は、分散メッキ皮膜であって、Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ
―Ｐメッキ皮膜中にＳｉＣ粒子及びＮｉ粒子を共析させ
てなることを特徴とする。
に、請求項１記載の発明は、分散メッキ皮膜であって、
Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜中にＮｉ粒子を
共析させてなることを特徴とする。請求項２記載の発明
は、分散メッキ皮膜であって、Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ
―Ｐメッキ皮膜中にＳｉＣ粒子及びＮｉ粒子を共析させ
てなることを特徴とする。
【０００６】本発明の分散メッキ皮膜の適用の対象とな
る部品は、シリンダ内壁とピストンリングの組み合わせ
等の摺動部を有する機械部品である。本発明による分散
メッキ皮膜は、低硬度皮膜となるためある程度摩耗する
ことが予想される。そこで、交換可能な部品側に施すこ
とが好ましい。例えば、高硬度皮膜（Ｎｉ―Ｐ―ＳｉＣ
メッキ皮膜）をシリンダ内壁に施した場合、ピストンリ
ング外周に本発明の分散メッキ皮膜（Ｎｉ―Ｐ―ＳｉＣ
―Ｎｉ粒子皮膜）を施すといったことが好ましい。
る部品は、シリンダ内壁とピストンリングの組み合わせ
等の摺動部を有する機械部品である。本発明による分散
メッキ皮膜は、低硬度皮膜となるためある程度摩耗する
ことが予想される。そこで、交換可能な部品側に施すこ
とが好ましい。例えば、高硬度皮膜（Ｎｉ―Ｐ―ＳｉＣ
メッキ皮膜）をシリンダ内壁に施した場合、ピストンリ
ング外周に本発明の分散メッキ皮膜（Ｎｉ―Ｐ―ＳｉＣ
―Ｎｉ粒子皮膜）を施すといったことが好ましい。
【０００７】本発明は、Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐメ
ッキ皮膜中にＮｉ粒子又はＮｉ粒子とＳｉＣ粒子とを共
析させている。すなわち、Ｎｉマトリックス又はＮｉ―
Ｐマトリックス中にＮｉ粒子又はＮｉ粒子とＳｉＣ粒子
とを共析させている。メッキ皮膜の厚さは、用途に応じ
て適宜選択される。共析させるＮｉ粒子の粒径は、０．
５〜５μｍの範囲が好適であり、純度は９０％以上が好
ましい。また、共析させる割合は、面積率０〜３０％の
範囲で適宜選択することができ、これによって、例えば
面積率０〜２０％のような分散メッキ皮膜で、Ｈv ４４
０〜６１０の硬度範囲で硬度を調製することができる。
ＳｉＣ粒子を共析させる場合、粒径は、１〜１０μｍの
範囲が好適であり、純度は９０％以上が好ましい。ま
た、共析させる割合は、面積率０〜３０％の範囲で適宜
選択することができる。ＳｉＣ粒子を共析させる場合、
Ｎｉ粒子との割合は、Ｎｉ／ＳｉＣ＝０〜１０の範囲が
好ましい。ＳｉＣ粒子を共析させる場合、Ｈv ５００〜
６７０の範囲で硬度を調製することができる。従来、Ｈ
v ６１０〜６７０の範囲であり、大幅に調製できる範囲
が広がる。一般に分散メッキに使用される粒径は０．０
１〜１０μｍである。０．１μｍ以下では粒子はコロイ
ド状であり、粒子のブラウン運動によって比較的安定に
懸濁状態で保たれる。しかし、０．１μｍ以上ではブラ
ウン運動よりも粒子に働く重力がより支配的となる。こ
のため安定性の高い懸濁状態すなわち粒子の沈降ないし
浮速度の極めて遅い懸濁液をつくるためには用いる粒子
は小さい程よい。しかし、粒子の径はそれ程小さくする
ことができない場合が多く、またあまり小さいと皮膜硬
度に与える効果が小さくなる。粒径の大きな粒子を均一
に懸濁させるにはメッキ浴の攪拌が必要であり、特に比
重の大きい物質では攪拌が不可欠となる。Ｎｉ粒子とＳ
ｉＣ粒子を同一のメッキ液中に均一に懸濁させる場合、
Ｎｉの比重（ｄNi＝８．８５）はＳｉＣの比重（ｄSi＝
３．１２）に比べ約２．８倍と重いので、Ｎｉ粒子はＳ
ｉＣ粒径の１／３〜１／２の小さいものを使用すると良
い。以上より、Ｎｉ粒径０．５〜５μｍ、ＳｉＣ粒径１
〜１０μｍの範囲のものが分散メッキとして好適であ
り。本願実施例では主にＮｉ粒子１〜３μｍ、ＳｉＣ粒
径３〜５μｍのものを使用した。
ッキ皮膜中にＮｉ粒子又はＮｉ粒子とＳｉＣ粒子とを共
析させている。すなわち、Ｎｉマトリックス又はＮｉ―
Ｐマトリックス中にＮｉ粒子又はＮｉ粒子とＳｉＣ粒子
とを共析させている。メッキ皮膜の厚さは、用途に応じ
て適宜選択される。共析させるＮｉ粒子の粒径は、０．
５〜５μｍの範囲が好適であり、純度は９０％以上が好
ましい。また、共析させる割合は、面積率０〜３０％の
範囲で適宜選択することができ、これによって、例えば
面積率０〜２０％のような分散メッキ皮膜で、Ｈv ４４
０〜６１０の硬度範囲で硬度を調製することができる。
ＳｉＣ粒子を共析させる場合、粒径は、１〜１０μｍの
範囲が好適であり、純度は９０％以上が好ましい。ま
た、共析させる割合は、面積率０〜３０％の範囲で適宜
選択することができる。ＳｉＣ粒子を共析させる場合、
Ｎｉ粒子との割合は、Ｎｉ／ＳｉＣ＝０〜１０の範囲が
好ましい。ＳｉＣ粒子を共析させる場合、Ｈv ５００〜
６７０の範囲で硬度を調製することができる。従来、Ｈ
v ６１０〜６７０の範囲であり、大幅に調製できる範囲
が広がる。一般に分散メッキに使用される粒径は０．０
１〜１０μｍである。０．１μｍ以下では粒子はコロイ
ド状であり、粒子のブラウン運動によって比較的安定に
懸濁状態で保たれる。しかし、０．１μｍ以上ではブラ
ウン運動よりも粒子に働く重力がより支配的となる。こ
のため安定性の高い懸濁状態すなわち粒子の沈降ないし
浮速度の極めて遅い懸濁液をつくるためには用いる粒子
は小さい程よい。しかし、粒子の径はそれ程小さくする
ことができない場合が多く、またあまり小さいと皮膜硬
度に与える効果が小さくなる。粒径の大きな粒子を均一
に懸濁させるにはメッキ浴の攪拌が必要であり、特に比
重の大きい物質では攪拌が不可欠となる。Ｎｉ粒子とＳ
ｉＣ粒子を同一のメッキ液中に均一に懸濁させる場合、
Ｎｉの比重（ｄNi＝８．８５）はＳｉＣの比重（ｄSi＝
３．１２）に比べ約２．８倍と重いので、Ｎｉ粒子はＳ
ｉＣ粒径の１／３〜１／２の小さいものを使用すると良
い。以上より、Ｎｉ粒径０．５〜５μｍ、ＳｉＣ粒径１
〜１０μｍの範囲のものが分散メッキとして好適であ
り。本願実施例では主にＮｉ粒子１〜３μｍ、ＳｉＣ粒
径３〜５μｍのものを使用した。
【０００８】本発明の分散メッキ皮膜を得るためには、
例えばスルファミン酸ニッケル等のメッキ浴中（Ｎｉ―
Ｐマトリックスを採用する場合は、リン酸、亜リン酸イ
オン等を含む。）にＮｉ粒子（又はＮｉ粒子とＳｉＣ粒
子と）を添加し、陰極側に被メッキ体を設置し、陽極側
に溶解性のニッケル金属等の電極金属を設置し、適宜温
度、電流密度等の他の諸条件を設定してメッキ操作を行
う。
例えばスルファミン酸ニッケル等のメッキ浴中（Ｎｉ―
Ｐマトリックスを採用する場合は、リン酸、亜リン酸イ
オン等を含む。）にＮｉ粒子（又はＮｉ粒子とＳｉＣ粒
子と）を添加し、陰極側に被メッキ体を設置し、陽極側
に溶解性のニッケル金属等の電極金属を設置し、適宜温
度、電流密度等の他の諸条件を設定してメッキ操作を行
う。
【０００９】なお、被メッキ体に対し、公知のアルカリ
エッチング等の前処理を行うことが好適である。例え
ば、Ａ５０５２材（アルミ合金の一種）の場合、２分程
度のアルカリエッチング→水洗い→混酸処理（３０秒程
度）→水洗い→亜鉛置換操作（３０秒程度）→水洗い→
硝酸処理（１５秒程度）→亜鉛置換操作（３０秒程度）
の順に行う。また、例えばＳＰＣＣ材（冷間圧延鋼板）
の場合、硫酸処理（１分程度）→水洗い→硫酸処理（１
分程度）の順に行う。こららの前処理操作によって、母
材の表面が活性化し、メッキ皮膜が好適に定着する。
エッチング等の前処理を行うことが好適である。例え
ば、Ａ５０５２材（アルミ合金の一種）の場合、２分程
度のアルカリエッチング→水洗い→混酸処理（３０秒程
度）→水洗い→亜鉛置換操作（３０秒程度）→水洗い→
硝酸処理（１５秒程度）→亜鉛置換操作（３０秒程度）
の順に行う。また、例えばＳＰＣＣ材（冷間圧延鋼板）
の場合、硫酸処理（１分程度）→水洗い→硫酸処理（１
分程度）の順に行う。こららの前処理操作によって、母
材の表面が活性化し、メッキ皮膜が好適に定着する。
【００１０】
【実施例】以下、図面を参照して、本発明の実施例につ
き説明する。図１は、本発明の分散メッキ皮膜のうち、
Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜に関する実施例
を示す。図１において、１はＮｉ分散メッキ皮膜、又は
Ｎｉ―Ｐ分散メッキ皮膜、２は母材、３はＮｉ粒子であ
る。図示のように、分散メッキ皮膜１の中にＮｉ粒子３
が分散している。このように、硬度の低いＮｉ粒子をＮ
ｉマトリックス中に分散させているので皮膜の硬度を低
下させることができる。この結果相手部品の摩耗・摩滅
を防止することができる。また、Ｎｉ粒子は、Ｎｉ分散
メッキ皮膜と熱膨張率がほぼ等しい。このため、加熱下
であっても、Ｎｉマトリックス中においてＮｉ粒子の密
着性が低下することがなく、熱衝撃に対し高い強度特性
を備える。
き説明する。図１は、本発明の分散メッキ皮膜のうち、
Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜に関する実施例
を示す。図１において、１はＮｉ分散メッキ皮膜、又は
Ｎｉ―Ｐ分散メッキ皮膜、２は母材、３はＮｉ粒子であ
る。図示のように、分散メッキ皮膜１の中にＮｉ粒子３
が分散している。このように、硬度の低いＮｉ粒子をＮ
ｉマトリックス中に分散させているので皮膜の硬度を低
下させることができる。この結果相手部品の摩耗・摩滅
を防止することができる。また、Ｎｉ粒子は、Ｎｉ分散
メッキ皮膜と熱膨張率がほぼ等しい。このため、加熱下
であっても、Ｎｉマトリックス中においてＮｉ粒子の密
着性が低下することがなく、熱衝撃に対し高い強度特性
を備える。
【００１１】次いで、図２は、本発明の分散メッキ皮膜
のうち、Ｎｉ―ＳｉＣメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐ―ＳｉＣ
メッキ皮膜に関する実施例を示す。図２において、図１
と同一要素については同一の参照番号を付している。４
は、ＳｉＣ粒子である。図示のように、分散メッキ皮膜
１の中にＮｉ粒子３及びＳｉＣ粒子４が分散している。
このように、ＳｉＣ粒子に加えて硬度の低いＮｉ粒子を
Ｎｉマトリックス中に分散させているので皮膜の硬度を
低下させることができる。この結果相手部品の摩耗・摩
滅を防止することができる。しかも、ＳｉＣ粒子の存在
により、分散メッキ皮膜自身の耐摩耗性はある程度保持
することができる。また、Ｎｉ粒子は、Ｎｉ分散メッキ
皮膜と熱膨張率がほぼ等しい。このため、加熱下であっ
ても、Ｎｉマトリックス中においてＮｉ粒子の密着性が
低下することがなく、熱衝撃に対し高い強度特性を備え
る。
のうち、Ｎｉ―ＳｉＣメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐ―ＳｉＣ
メッキ皮膜に関する実施例を示す。図２において、図１
と同一要素については同一の参照番号を付している。４
は、ＳｉＣ粒子である。図示のように、分散メッキ皮膜
１の中にＮｉ粒子３及びＳｉＣ粒子４が分散している。
このように、ＳｉＣ粒子に加えて硬度の低いＮｉ粒子を
Ｎｉマトリックス中に分散させているので皮膜の硬度を
低下させることができる。この結果相手部品の摩耗・摩
滅を防止することができる。しかも、ＳｉＣ粒子の存在
により、分散メッキ皮膜自身の耐摩耗性はある程度保持
することができる。また、Ｎｉ粒子は、Ｎｉ分散メッキ
皮膜と熱膨張率がほぼ等しい。このため、加熱下であっ
ても、Ｎｉマトリックス中においてＮｉ粒子の密着性が
低下することがなく、熱衝撃に対し高い強度特性を備え
る。
【００１２】試験例１ 以下の組成のメッキ浴を用いて、本発明にかかるＮｉ―
Ｐ―Ｎｉ粒子分散メッキ皮膜を得た。これは、図１の実
施例に対応する試験例である。 メッキ浴組成 スルファミル酸ニッケル ４５０ ［ｇ／ｌ、以下同単位］ 塩化ニッケル １０ ホウ酸 ４０ 次亜リン酸 ２ サッカリンナトリウム ３ Ｎｉ粒子 ０〜１５０ｇ／ｌの間で変化させた。 面積率に換算して０から２０％の間である。 Ｎｉ粒子の粒径は、１〜３μｍのものを用い た。 陰極側に被メッキ体〔テストピース（７０×８０×１．
６t mm）〕を設置し、陽極側に溶解性のニッケル電極を
設置し、液温を５０〜６０℃に保ち、電流密度を２０Ａ
／ｄｍ2 とし、他は通常条件に設定してメッキ操作を行
った。なお、テストピースは、Ａ５０５２材を採用し、
前処理として、２分間のアルカリエッチング→水洗い→
混酸処理（３０秒）→水洗い→亜鉛置換操作（３０秒）
→水洗い→硝酸処理（１５秒）→亜鉛置換操作（３０
秒）の順に行った。
Ｐ―Ｎｉ粒子分散メッキ皮膜を得た。これは、図１の実
施例に対応する試験例である。 メッキ浴組成 スルファミル酸ニッケル ４５０ ［ｇ／ｌ、以下同単位］ 塩化ニッケル １０ ホウ酸 ４０ 次亜リン酸 ２ サッカリンナトリウム ３ Ｎｉ粒子 ０〜１５０ｇ／ｌの間で変化させた。 面積率に換算して０から２０％の間である。 Ｎｉ粒子の粒径は、１〜３μｍのものを用い た。 陰極側に被メッキ体〔テストピース（７０×８０×１．
６t mm）〕を設置し、陽極側に溶解性のニッケル電極を
設置し、液温を５０〜６０℃に保ち、電流密度を２０Ａ
／ｄｍ2 とし、他は通常条件に設定してメッキ操作を行
った。なお、テストピースは、Ａ５０５２材を採用し、
前処理として、２分間のアルカリエッチング→水洗い→
混酸処理（３０秒）→水洗い→亜鉛置換操作（３０秒）
→水洗い→硝酸処理（１５秒）→亜鉛置換操作（３０
秒）の順に行った。
【００１３】図３に示すように、メッキマトリックスで
あるリン化ニッケルの硬度はＨｖ６１０であり、これに
Ｎｉ粒子を共析させると硬度が低下した。Ｎｉ粒子の共
析量を多くすると硬度がより低下して行く傾向にある。
したがって、Ｎｉ粒子の共析量を変化させることによ
り、広範囲にわたって硬度を調製することができること
が了解される。
あるリン化ニッケルの硬度はＨｖ６１０であり、これに
Ｎｉ粒子を共析させると硬度が低下した。Ｎｉ粒子の共
析量を多くすると硬度がより低下して行く傾向にある。
したがって、Ｎｉ粒子の共析量を変化させることによ
り、広範囲にわたって硬度を調製することができること
が了解される。
【００１４】試験例２ 以下の組成のメッキ浴を用いて、本発明にかかるＮｉ―
Ｐ―ＳｉＣ―Ｎｉ粒子分散メッキ皮膜を得た。これは、
図２の実施例に対応する試験例である。 メッキ浴組成 スルファミル酸ニッケル ４５０ ［ｇ／ｌ、以下同単位］ 塩化ニッケル １０ ホウ酸 ４０ 次亜リン酸 ２ サッカリンナトリウム ３ Ｎｉ粒子 ０〜１５０ｇ／ｌの間で変化させた。 面積率に換算して０から２０％の間である。 Ｎｉ粒子の粒径は、１〜３μｍのものを用い た。ＳｉＣ粒子約３重量％の範囲で加えた。 なお、この浴組成において０〜９０ｇ／ｌの 範囲で変化させることができる（ただし、０ の場合は試験例１となる。）。 陰極側に被メッキ体〔テストピース（７０×８０×１．
６t mm）〕を設置し、陽極側に溶解性のニッケル電極を
設置し、液温を５０〜６０℃に保ち、電流密度を２０Ａ
／ｄｍ2 とし、他は通常条件に設定してメッキ操作を行
った。なお、テストピースは、Ａ５０５２材を採用し、
前処理として、２分間のアルカリエッチング→水洗い→
混酸処理（３０秒）→水洗い→亜鉛置換操作（３０秒）
→水洗い→硝酸処理（１５秒）→亜鉛置換操作（３０
秒）の順に行った。
Ｐ―ＳｉＣ―Ｎｉ粒子分散メッキ皮膜を得た。これは、
図２の実施例に対応する試験例である。 メッキ浴組成 スルファミル酸ニッケル ４５０ ［ｇ／ｌ、以下同単位］ 塩化ニッケル １０ ホウ酸 ４０ 次亜リン酸 ２ サッカリンナトリウム ３ Ｎｉ粒子 ０〜１５０ｇ／ｌの間で変化させた。 面積率に換算して０から２０％の間である。 Ｎｉ粒子の粒径は、１〜３μｍのものを用い た。ＳｉＣ粒子約３重量％の範囲で加えた。 なお、この浴組成において０〜９０ｇ／ｌの 範囲で変化させることができる（ただし、０ の場合は試験例１となる。）。 陰極側に被メッキ体〔テストピース（７０×８０×１．
６t mm）〕を設置し、陽極側に溶解性のニッケル電極を
設置し、液温を５０〜６０℃に保ち、電流密度を２０Ａ
／ｄｍ2 とし、他は通常条件に設定してメッキ操作を行
った。なお、テストピースは、Ａ５０５２材を採用し、
前処理として、２分間のアルカリエッチング→水洗い→
混酸処理（３０秒）→水洗い→亜鉛置換操作（３０秒）
→水洗い→硝酸処理（１５秒）→亜鉛置換操作（３０
秒）の順に行った。
【００１５】試験例１について示したように、メッキマ
トリックスであるリン化ニッケルの硬度はＨv ６１０で
あり、これに約３重量％のＳｉＣ粒子を共析させると硬
度はＨv ６７０に上昇する。従来技術では、Ｈv ６１０
〜６７０の範囲でしか硬度の調製を行うことができなか
った。しかし、Ｎｉ粒子を共析させると硬度が低下し、
Ｎｉ粒子の共析量を多くすると硬度がより低下して行く
傾向にある。したがって、Ｎｉ粒子の共析量を変化させ
ることにより、広範囲にわたって硬度を調製することが
できることが了解される。面積率約２０％の時に硬度Ｈ
v ５００まで皮膜硬度を低下させることができる。これ
により、ＳｉＣ粒子を共析させる場合、Ｈv ５００〜６
７０の範囲で硬度を調製することができる。
トリックスであるリン化ニッケルの硬度はＨv ６１０で
あり、これに約３重量％のＳｉＣ粒子を共析させると硬
度はＨv ６７０に上昇する。従来技術では、Ｈv ６１０
〜６７０の範囲でしか硬度の調製を行うことができなか
った。しかし、Ｎｉ粒子を共析させると硬度が低下し、
Ｎｉ粒子の共析量を多くすると硬度がより低下して行く
傾向にある。したがって、Ｎｉ粒子の共析量を変化させ
ることにより、広範囲にわたって硬度を調製することが
できることが了解される。面積率約２０％の時に硬度Ｈ
v ５００まで皮膜硬度を低下させることができる。これ
により、ＳｉＣ粒子を共析させる場合、Ｈv ５００〜６
７０の範囲で硬度を調製することができる。
【００１６】
【発明の効果】以上の説明から明かなように、本発明に
よれば、皮膜硬度を適度に低下させ、相手部品の摩耗及
び摩滅を防止し、さらに広範囲にわたって硬度の調製を
行うことができるようにした分散メッキ皮膜を提供する
ことができる。
よれば、皮膜硬度を適度に低下させ、相手部品の摩耗及
び摩滅を防止し、さらに広範囲にわたって硬度の調製を
行うことができるようにした分散メッキ皮膜を提供する
ことができる。
【図１】本発明にかかるＮｉ―Ｐ―Ｎｉ粒子分散メッキ
皮膜の実施例を説明する模式図である。
皮膜の実施例を説明する模式図である。
【図２】本発明にかかるＮｉ―Ｐ―ＳｉＣ―Ｎｉ粒子分
散メッキ皮膜の実施例を説明する模式図である。
散メッキ皮膜の実施例を説明する模式図である。
【図３】本発明にかかるＮｉ―Ｐ―Ｎｉ粒子分散メッキ
皮膜の特性を説明するため、ニッケル粒子の面積率とビ
ッカース硬度との関係を示すグラフである。
皮膜の特性を説明するため、ニッケル粒子の面積率とビ
ッカース硬度との関係を示すグラフである。
【図４】本発明にかかるＮｉ―Ｐ―ＳｉＣ―Ｎｉ粒子分
散メッキ皮膜の特性を説明するため、ニッケル粒子の面
積率とビッカース硬度との関係を示すグラフである。
散メッキ皮膜の特性を説明するため、ニッケル粒子の面
積率とビッカース硬度との関係を示すグラフである。
【図５】従来のＮｉ（あるいはＮｉ―Ｐ）メッキ皮膜を
説明する模式図である。
説明する模式図である。
【図６】従来のＮｉ（あるいはＮｉ―Ｐ）―ＳｉＣ粒子
分散メッキ皮膜を説明する模式図である。
分散メッキ皮膜を説明する模式図である。
１ 分散メッキ皮膜 ２ 母材 ３ Ｎｉ粒子 ４ ＳｉＣ粒子 ５１ 母材 ５２ メッキ皮膜 ６１ 母材 ６２ メッキ皮膜 ６３ ＳｉＣ粒子
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜
中にＮｉ粒子を共析させてなることを特徴とする分散メ
ッキ皮膜。 - 【請求項２】 Ｎｉメッキ皮膜又はＮｉ―Ｐメッキ皮膜
中にＳｉＣ粒子及びＮｉ粒子を共析させてなることを特
徴とする分散メッキ皮膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29422194A JPH08158097A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 分散メッキ皮膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP29422194A JPH08158097A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 分散メッキ皮膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08158097A true JPH08158097A (ja) | 1996-06-18 |
Family
ID=17804909
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP29422194A Pending JPH08158097A (ja) | 1994-11-29 | 1994-11-29 | 分散メッキ皮膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08158097A (ja) |
Cited By (7)
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-
1994
- 1994-11-29 JP JP29422194A patent/JPH08158097A/ja active Pending
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